CN110957410A - 发光装置以及发光装置的制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供提高基板与覆盖树脂的接合强度的发光装置以及发光装置的制造方法。发光装置包括基板和覆盖树脂，基板具备：第一配线、第二配线、第三配线以及第四配线，其配置在基材的上表面，且沿第一方向排列；以及连接配线，其将第二配线与第三配线连接，覆盖树脂覆盖基材的上表面、第一发光元件的侧面以及第二发光元件的侧面，连接配线具有：第一连接端部，其与第二配线连接；第二连接端部，其与第三配线连接；以及连接中央部，其将第一连接端部与第二连接端部连接，且与第一方向正交的第二方向上的最大宽度与第一连接端部以及第二连接端部各自的最大宽度不同，在第二方向上，连接配线的至少一部分的宽度比第二配线以及第三配线各自的最大宽度窄。

Description

发光装置以及发光装置的制造方法
技术领域
本发明涉及发光装置以及发光装置的制造方法。
背景技术
已知一种大尺寸LED发光装置，其在设置于大尺寸电路基板的上表面的配线电极安装有LED发光芯片，且在LED发光芯片的周围填充白色构件(例如，参照专利文献1)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2013-012545号公报
发明内容
发明所要解决的课题
本发明的目的在于，提供能够提高大尺寸电路基板(基板)与白色构件(覆盖树脂)的接合强度的发光装置以及发光装置的制造方法。
用于解决课题的方案
本发明的一个方案的发光装置包括：基板，其具备包含树脂材料且具有上表面的基材、配置在所述基材的上表面且沿第一方向排列的第一配线、第二配线、第三配线以及第四配线、及将所述第二配线与所述第三配线连接的连接配线；第一发光元件，其载置于所述第一配线以及所述第二配线上；第二发光元件，其载置于所述第三配线以及所述第四配线上；以及覆盖树脂，其覆盖所述基材的上表面、所述第一发光元件的侧面以及所述第二发光元件的侧面，所述连接配线具有：第一连接端部，其与所述第二配线连接；第二连接端部，其与所述第三配线连接；以及连接中央部，其将所述第一连接端部与所述第二连接端部连接，且与所述第一方向正交的第二方向上的所述连接中央部的最大宽度与所述第一连接端部以及所述第二连接端部各自的最大宽度不同，在所述第二方向上，所述连接配线的至少一部分的宽度比所述第二配线以及所述第三配线各自的最大宽度窄，在俯视观察时，所述连接中央部的至少一部分与所述第一发光元件以及所述第二发光元件分离。
另外，本发明的一个方案的发光装置的制造方法包括：准备基板的工序，所述基板具备：基材，其包含树脂材料且具有上表面；第一配线、第二配线、第三配线以及第四配线，其配置在所述基材的上表面，且沿第一方向排列；以及连接配线，其将所述第二配线与所述第三配线连接，所述连接配线具备：第一连接端部，其与所述第二配线连接；第二连接端部，其与所述第三配线连接；以及连接中央部，其将所述第一连接端部与所述第二连接端部连接，且与所述第一方向正交的第二方向上的所述连接中央部的最大宽度与所述第一连接端部以及所述第二连接端部各自的最大宽度不同，所述连接配线具有在所述第二方向上宽度比所述第二配线以及所述第三配线各自的最大宽度窄的部分；以所述连接配线为基准而将第一发光元件载置于所述第一配线以及所述第二配线上的工序；以所述连接配线为基准而将第二发光元件载置于所述第三配线以及所述第四配线上的工序；以及通过覆盖树脂覆盖所述基材的上表面、所述第一发光元件的侧面以及所述第二发光元件的侧面的工序。
根据本发明的实施方式的发光装置，能够提供提高基板与覆盖树脂的接合强度的发光装置以及发光装置的制造方法。
附图说明
图1A是实施方式的发光装置的简要立体图。
图1B是实施方式的发光装置的简要立体图。
图2A是实施方式的发光装置的简要俯视图。
图2B是图2A的I-I线处的简要剖视图。
图2C是图2A的II-II线处的简要剖视图。
图3A是实施方式的基板的简要俯视图。
图3B是实施方式的第二配线、连接配线以及第三配线的简要俯视图。
图3C是实施方式的第二配线、连接配线以及第三配线的变形例的简要俯视图。
图3D是实施方式的第二配线、连接配线以及第三配线的变形例的简要俯视图。
图3E是实施方式的第二配线、连接配线以及第三配线的变形例的简要俯视图。
图3F是实施方式的第二配线、连接配线以及第三配线的变形例的简要俯视图。
图3G是实施方式的第二配线、连接配线以及第三配线的变形例的简要俯视图。
图3H是实施方式的第二配线、连接配线以及第三配线的变形例的简要俯视图。
图3I是实施方式的第二配线、连接配线以及第三配线的变形例的简要俯视图。
图3J是实施方式的第二配线、连接配线以及第三配线的变形例的简要俯视图。
图3K是实施方式的第二配线、连接配线以及第三配线的变形例的简要俯视图。
图4是实施方式的发光装置的简要仰视图。
图5A是实施方式的基板、第一发光元件以及第二发光元件的简要俯视图。
图5B是实施方式的基板、第一发光元件以及第二发光元件的变形例简要俯视图。
图6是实施方式的基板、第一透光性构件以及第二透光性构件的简要俯视图。
图7是实施方式的发光装置的变形例的简要剖视图。
图8是实施方式的发光装置的简要侧视图。
图9是实施方式的基板的简要后视图。
图10A是用于对实施方式的发光装置的制造方法进行说明的简要俯视图。
图10B是图10A的III-III线处的简要剖视图。
图11A是用于对实施方式的发光装置的制造方法进行说明的简要俯视图。
图11B是用于对实施方式的发光装置的制造方法进行说明的简要剖视图。
图12A是用于对实施方式的发光装置的制造方法进行说明的简要剖视图。
图12B是用于对实施方式的发光装置的变形例的制造方法进行说明的简要剖视图。
图13是用于对实施方式的发光装置的制造方法进行说明的简要剖视图。
图14是用于对实施方式的发光装置的变形例的制造方法进行说明的简要剖视图。
图15是实施方式的发光装置的变形例的简要仰视图。
图16A是实施方式的发光装置的变形例的简要俯视图。
图16B是图16A的IV-IV线处的简要剖视图。
图16C是实施方式的发光装置的变形例的简要俯视图。
图16D是实施方式的发光装置的变形例的简要俯视图。
图16E是实施方式的发光装置的变形例的简要俯视图。
图16F是实施方式的发光装置的变形例的简要俯视图。
图16G是实施方式的发光装置的变形例的简要俯视图。
图16H是实施方式的发光装置的变形例的简要俯视图。
图16I是实施方式的发光装置的变形例的简要俯视图。
图16J是实施方式的发光装置的变形例的简要剖视图。
图16K是实施方式的发光装置的变形例的简要剖视图。
图16L是实施方式的发光装置的变形例的简要剖视图。
附图标记说明
1000、1000A、1000B、1000C发光装置；10基板；11基材；12A第一配线；12B第二配线；12C第三配线；12D第四配线；13连接配线；13A第一连接端部；13B连接中央部；13C第二连接端部；14第五配线；15过孔；16凹槽；17第六配线；18绝缘膜；20A第一发光元件；20B第二发光元件；30A第一透光性构件；30B第二透光性构件；40覆盖树脂；50导光构件；60导电性粘接构件。
具体实施方式
以下，适当参照附图对发明的实施方式进行说明。但是，以下说明的发光装置是用于将本发明的技术思想具体化的方式，在没有特别记载的情况下，本发明不限定于以下内容。在一个实施方式中说明的内容也能够应用于其他实施方式以及变形例。另外，为了明确说明，有时将附图所示的构件的大小、位置关系等夸张示出。此外，相同的名称、附图标记表示相同或同质的构件，适当省略详细说明。
根据图1至图9对本发明的实施方式的发光装置1000进行说明。发光装置1000具备基板10、第一发光元件20A、第二发光元件20B、以及覆盖树脂40。基板10具有基材11，基材11包含树脂材料，且具有上表面111。基板10具备配置在基材11的上表面111的第一配线12A、第二配线12B、第三配线12C、以及第四配线12D。第一配线12A、第二配线12B、第三配线12C、以及第四配线12D沿第一方向排列配置。在本说明书中，沿第一方向排列配置是指，在沿着第一方向的直线上分别配置有第一配线12A、第二配线12B、第三配线12C、以及第四配线12D的至少一部分。基板10具备将第二配线12B与第三配线12C连接的连接配线13。连接配线13具有：第一连接端部13A，其与第二配线12B连接；第二连接端部13C，其与第三配线12C连接；以及连接中央部13B，其将第一连接端部13A与第二连接端部13C连接，且与第一方向正交的第二方向上的最大宽度与第一连接端部13A以及第二连接端部13C各自的最大宽度不同。在第二方向上，连接配线13的至少一部分的宽度比第二配线12B以及第三配线12C各自的最大宽度窄。在俯视观察时，连接中央部13B的至少一部分与第一发光元件20A以及第二发光元件20B分离。有时将第一发光元件20A以及/或者第二发光元件20B称为发光元件。
在第二方向上，连接配线13的至少一部分的宽度比第二配线12B以及第三配线12C各自的最大宽度窄，因此能够增加基材11的从连接配线13露出的上表面111的面积。由此，基材11的上表面111与覆盖树脂40接触的面积增加，从而能够提高基板与覆盖树脂的接合强度。需要说明的是，由于基材以及覆盖树脂包含树脂材料，因此基材与覆盖树脂的接合强度比连接配线与覆盖树脂的接合强度高。
在俯视观察时，连接中央部的至少一部分与第一发光元件以及第二发光元件分离，从而能够以连接中央部为基准将第一发光元件以及/或者第二发光元件载置于基板。由此，能够提高第一发光元件以及/或者第二发光元件相对于基板的位置精度。需要说明的是，以连接中央部为基准是指，以连接中央部的位置为基准来决定载置第一发光元件以及/或者第二发光元件的位置。
在第二方向上，连接配线13的连接中央部13B的最大宽度与第一连接端部13A以及第二连接端部13C各自的最大宽度不同，因此容易识别连接中央部13B的位置。由此，能够抑制识别到的连接中央部的位置偏移。
基板10具有沿第一方向排列的第一配线12A、第二配线12B、第三配线12C以及第四配线12D。第一配线12A与第二配线12B分离，在第一配线12A以及第二配线12B上载置有第一发光元件20A。从第一配线12A以及第二配线12B向第一发光元件20A供给电力。第三配线12C与第四配线12D分离，在第三配线12C以及第四配线12D上载置有第二发光元件20B。从第三配线12C以及第四配线12D向第二发光元件20B供给电力。
如图3A所示，在基材具有长边方向的情况下，优选配置为基材11的长边方向与第一配线、第二配线、第三配线以及第四配线排列的第一方向一致。这样一来，能够缩短与长边方向(第一方向)正交的第二方向上的基材的宽度。由此，能够将发光装置小型化。需要说明的是，在图3A等中，第一方向为与X方向为相同的方向。另外，在图3A等中，第二方向为与Y方向为相同的方向。
如图3A所示，优选为第一配线、第二配线、第三配线、第四配线以及连接配线在第二方向上不具有重叠的区域。第一配线、第二配线、第三配线、第四配线以及连接配线在第二方向上重叠的区域是指，与第二方向(Y方向)平行的直线与第一配线、第二配线、第三配线、第四配线以及连接配线中的至少两个重叠。即，优选与第二方向平行的直线不与第一配线、第二配线、第三配线、第四配线以及连接配线中的至少两个重叠。这样一来，能够将发光装置在第二方向上小型化。
如图3A所示，优选为，在第二方向上，从基材11的外缘到连接配线13的外缘为止的最短距离R1比从基材11的外缘到第二配线12B的外缘为止的最短距离R2长。这样一来，容易增加基材的上表面与覆盖树脂在连接配线的附近接触的面积，因此能够抑制覆盖树脂从基板剥离的情况。优选为，在第二方向上，从基材11的外缘到连接配线13的外缘为止的最短距离R1比从基材11的外缘到第三配线12C的外缘为止的最短距离R3长。这样一来，容易增加基材的上表面与覆盖树脂在连接配线的附近接触的面积，因此能够抑制覆盖树脂从基板剥离的情况。
如图3A所示，优选为，在俯视观察时，基材的外缘与第一配线、第二配线、第三配线、第四配线以及连接配线分离。由此，容易增加基材的上表面与覆盖树脂在基材的外缘附近接触的面积，因此能够抑制覆盖树脂从基板剥离的情况。
如图3C所示，可以为，在第二方向上，连接中央部13B的最大宽度比第一连接端部13A以及第二连接端部13C各自的最大宽度窄。如图3D所示，也可以为，在第二方向上，第一连接端部13A的最大宽度比连接中央部13B的最大宽度以及第二连接端部13C的最大宽度窄，且在第二方向上，连接中央部13B的最大宽度比第二连接端部13C的最大宽度窄。另外，如图3B所示，也可以为，第二方向上的连接中央部13B的最大宽度W2比第一连接端部13A的最大宽度W1以及第二连接端部13C的最大宽度W3宽。在使用熔融性的导电性粘接构件将第一发光元件以及/或者第二发光元件与基板10粘接的情况下，优选第二方向上的连接中央部13B的最大宽度W2比第一连接端部13A的最大宽度W1以及第二连接端部13C的最大宽度W3宽。这样一来，能够缩窄第二方向上的第一连接端部13A以及第二连接端部13C的宽度，因此熔融性的导电性粘接构件难以向第一连接端部13A以及第二连接端部13C浸润扩展。由此，能够抑制各发光装置中的导电性粘接构件的厚度的偏差。需要说明的是，导电性粘接构件的厚度是指Z方向上的厚度。另外，在图3B至图3K中，以虚线示出了第一连接端部13A与连接中央部13B的边界、以及连接中央部13B与第三连接端部13C的边界。
如图3B所示，优选为，在第二方向上，第一连接端部13A的最大宽度W1与第二连接端部13C的最大宽度W3相同。这样一来，能够抑制在第一连接端部上浸润扩展的熔融性的电性粘接构件的厚度的偏差、以及在第二连接端部上浸润扩展的熔融性的导电性粘接构件的厚度的偏差。由此，能够抑制第一发光元件以及/或者第二发光元件的安装位置的偏差。需要说明的是，在本说明书中，宽度相同是指，允许±5μm以内的变动。
如图3B所示，优选为，在第二方向上，第一连接端部13A的最大宽度W1比第二配线12B的最大宽度W4窄。这样一来，熔融性的导电性粘接构件难以从第二配线12B向第一连接端部13A浸润扩展。由此，能够抑制各发光装置中的导电性粘接构件的厚度的偏差。优选第二方向上的第一连接端部13A的最大宽度W1为第二配线12B的最大宽度W4的0.2倍以上且0.6倍以下。第二方向上的第一连接端部13A的最大宽度W1为第二配线12B的最大宽度W4的0.6倍以下，从而熔融性的导电性粘接构件更难以从第二配线12B向第一连接端部13A浸润扩展。第二方向上的第一连接端部13A的最大宽度W1为第二配线12B的最大宽度W4的0.2倍以上，从而容易识别第一连接端部的形状。
如图3B所示，优选为，在第二方向上，第二连接端部13C的最大宽度W3比第三配线12C的最大宽度W5窄。这样一来，熔融性的导电性粘接构件难以从第三配线12C向第二连接端部13C浸润扩展。由此，能够抑制各发光装置中的导电性粘接构件的厚度的偏差。优选第二方向上的第二连接端部13C的最大宽度W3为第三配线12C的最大宽度W5的0.2倍以上且0.6倍以下。第二方向上的第二连接端部13C的最大宽度W3为第三配线12C的最大宽度W5的0.6倍以下，从而熔融性的导电性粘接构件更难以从第三配线12C向第二连接端部13C浸润扩展。第二方向上的第二连接端部13C的最大宽度W3为第三配线12C的最大宽度W4的0.2倍以上，从而容易识别第二连接端部的形状。
如图3B所示，优选连接中央部13B仅沿着第二方向(Y方向)延伸。连接中央部13B仅沿着第二方向延伸，从而缩窄第一方向上的连接中央部13B的宽度，因此能够将发光装置小型化。需要说明的是，在本说明书中，沿着第二方向延伸是指，允许以从第二方向变动±3°以内的方式延伸。另外，连接中央部13B仅沿着第二方向延伸也包括图3E所示的连接中央部13B的端部分支的情况。
如图3F所示，连接中央部13B可以在第二方向(Y方向)上仅具有从基板的中心向Y-方向延伸的部分，如图3B所示，连接中央部13B也可以在第二方向上具有从基板的中心向Y+方向延伸的部分、以及从基板的中心向Y-方向延伸的部分。由于具有向Y+方向延伸的部分、以及向Y-方向延伸的部分，从而容易识别连接中央部13B的位置。
第二方向上的连接中央部13B的宽度可以发生变化。如图3G所示，连接中央部13B可以具备第一宽幅部13B1、第二窄幅部13B2、以及第三宽幅部13B3。如图3B所示，第二方向上的连接中央部13B的宽度也可以不变。
如图3H、图3I所示，连接中央部13B可以在Y方向上分离为多个，如图3B所示，连接中央部13B也可以在Y方向上为一个。需要说明的是，在连接中央部13B分离为多个的情况下，第二方向上的连接中央部13B的最大宽度是指，将多个连接中央部13B各自的宽度W2A、W2B相加所得的宽度。如图3B所示，优选连接中央部13B为一个。与连接中央部13B存在多个的情况相比，通过将连接中央部13B设为一个，而容易增长从基材的外缘到连接中央部13B为止的距离。由此，能够容易增加基材的上表面与覆盖树脂在基材的外缘附近接触的面积，从而能够抑制覆盖树脂从基板剥离的情况。
如图3J所示，第一连接端部13A以及/或者第二连接端部13C可以在Y方向上分离为多个，如图3B所述，第一连接端部13A以及第二连接端部13C也可以在Y方向上分别为一个。需要说明的是，在第一连接端部13A分离为多个的情况下，第二方向上的第一连接端部13A的最大宽度是指，将多个第一连接端部13A各自的宽度W1A、W1B相加所得的值。同样地，在第二连接端部13C为多个的情况下，第二方向上的第二连接端部13C的最大宽度是指，将多个第二连接端部13C各自的宽度W3A、W3B相加所得的值。如图3A所示，优选第一连接端部13A以及第二连接端部13C分别为一个。与第一连接端部13A以及/或者第二连接端部13C存在多个的情况相比，通过将第一连接端部13A以及第二连接端部13C设为一个，而能够容易增长从基材的外缘到第一连接端部13A以及第二连接端部13C为止的各距离。由此，能够容易增加基材的上表面与覆盖树脂在基材的外缘附近接触的面积，从而能够抑制覆盖树脂从基板剥离的情况。
如图3K所示，连接配线13可以相对于与第二方向平行的基板的中心线C1而左右不对称，如图3A所示，连接配线13也可以相对于与第二方向平行的基板的中心线C1而左右对称。如图3A所示，连接配线13相对于与第二方向平行的基板的中心线C1而左右对称，从而容易增长从基材的外缘到第一连接端部13A以及第二连接端部13C为止的各距离。由此，能够容易增加基材的上表面与覆盖树脂在基材的外缘附近接触的面积，从而能够抑制覆盖树脂从基板剥离的情况。另外，如图3A所示，优选连接配线13相对于与第一方向平行的基板的中心线C2而上下对称。这样一来，容易增长从基材的外缘到第一连接端部13A以及第二连接端部13C为止的各距离。由此，能够容易增加基材的上表面与覆盖树脂在基材的外缘附近接触的面积，从而能够抑制覆盖树脂从基板剥离的情况。
优选为，在俯视观察时，第一配线、第二配线、第三配线、以及第四配线在与发光元件的元件电极重叠的位置具备凸部121。在使用熔融性的粘接剂作为导电性粘接构件60的情况下，在将第一配线、第二配线、第三配线以及第四配线的凸部121与发光元件的元件电极连接时，由于自对准效果而能够容易地进行发光元件与基板的对位。
基材11具有位于与上表面111相反一侧的下表面112、与上表面相邻且与上表面正交的正面113、以及位于与正面的相反一侧的背面114。如图2C所示，基材11可以具有在下表面112和背面114开口的凹槽16。基板10可以具备第五配线14、第六配线17、以及过孔15。第五配线14位于基材的下表面112，且与第一配线、第二配线、第三配线、第四配线以及/或者连接配线电连接。需要说明的是，与第一配线连接的第五配线、以及与第二配线连接的第五配线分离。另外，与第三配线连接的第五配线、以及与第四配线连接的第五配线分离。这样一来，第一发光元件不会发生短路。同样地，与第三配线连接的第五配线、以及与第四配线连接的第五配线分离。第六配线17覆盖基材的凹槽16的内壁。过孔15将第一配线、第二配线、第三配线、第四配线以及/或者连接配线与第五配线14电连接。需要说明的是，第六配线以及过孔以不将第一配线和第二配线电连接的方式配置。同样地，第六配线以及过孔以不将第三配线和第四配线电连接的方式配置。另外，即使在图2B所示的与第二配线连接的过孔、以及与第三配线连接的过孔中的任一方发生短路的情况下，由于第二配线与第三配线经由连接配线而电连接，因此能够向第一发光元件以及第二发光元件供给电力。需要说明的是，在本说明书中，正交是指，允许90±3°以内的变动。
如图4所示，在基板10具备过孔15的情况下，优选过孔15在俯视观察时呈圆形状。这样一来，能够容易地通过钻头等形成过孔15。在过孔15在俯视观察时呈圆形状的情况下，优选过孔的直径为100μm以上且150μm以下。通过将过孔的直径设为100μm以上，从而发光装置的散热性提高，通过将过孔的直径设为150μm以下，从而减少基板的强度降低。在本说明书中，圆形状不仅是正圆，也包括接近正圆的形状(例如，也可以是椭圆形状、将四边形的四角较大地呈圆弧状倒角而成的形状)。
过孔15可以以将导电性材料填充在基材的贯通孔内的方式构成，如图2B所示，过孔15可以具备覆盖基材的贯通孔的表面的第七配线15A、以及填充在由第七配线围成的区域中的填充构件15B。填充构件15B可以具有导电性，也可以具有绝缘性。优选使用树脂材料作为填充构件15B。通常，固化前的树脂材料与固化前的金属材料相比流动性较高，因此容易填充在第七配线15A内。因此，通过使用树脂材料作为填充构件而使基板的制造变得容易。作为容易填充的树脂材料，例如可以举出环氧树脂。在使用树脂材料作为填充构件的情况下，优选为了降低线膨胀系数而含有添加构件。这样一来，能够缩小填充构件与第七配线的线膨胀系数之差，从而能够抑制由于来自发光元件的热而在第七配线与填充构件之间产生间隙的情况。作为添加构件，例如可以举出氧化硅。另外，在使用金属材料作为填充构件15B的情况下，能够提高散热性。另外，在过孔15通过将导电性材料填充在基材的贯通孔内而构成的情况下，优选使用热传导性较高的Ag、Cu等金属材料。
在俯视观察时，第五配线14可以与基材的外缘分离，第五配线14也可以形成为到达基材的外缘。如图4所示，优选第五配线14形成为到达在短边方向(Y方向)上对置的双方的基材的外缘。第五配线14形成为到达在短边方向(Y方向)上对置的双方的基材的外缘，从而能够在基板被单片化之前的集合基板的状态下，将在短边方向上相邻的基板的一方的第五配线与在短边方向上相邻的基板的另一方的第五配线连接。由此，将在短边方向上相邻的基板的一方的第五配线与在短边方向上相邻的基板的另一方的第五配线电连接，从而能够将在短边方向上相邻的基板的一方的第一配线、第二配线、第三配线、第四配线以及连接配线与在短边方向上相邻的基板的另一方的第一配线、第二配线、第三配线、第四配线以及连接配线电连接。由此，能够容易通过电镀法在基板的第一配线、第二配线、第三配线、第四配线以及连接配线的最表面形成镀层。优选镀金层位于基板的第一配线、第二配线、第三配线、第四配线、连接配线以及第五配线的最表面。镀金层位于镀层的最表面，因此能够抑制配线的表面的氧化、腐蚀，从而得到良好的焊接性。与非电镀法相比，电镀法能够降低铅、胺、硫等催化剂毒物的含量。在使用了铂系催化剂的加成反应型硅酮树脂与镀金层接触并固化的情况下，通过电镀法而形成的镀金层中硫的含量较少，因此能够抑制硫与铂发生反应的情况。由此，能够抑制使用了铂系催化剂的加成反应型硅酮树脂引起固化不良的情况。需要说明的是，第五配线只要形成为到达对置的双方的基材的外缘即可。例如，第五配线也可以形成为到达在长边方向(X方向)上对置的双方的基材的外缘。在该情况下，能够在基板被单片化之前的集合基板的状态下，将在长边方向上相邻的基板的一方的第五配线与在长边方向上相邻的基板的另一方的第五配线连接。
在基材11具备在基材的下表面和基材的背面开口的凹槽16的情况下，凹槽的数量可以是一个，也可以是多个。通过具有多个凹槽，能够提高发光装置1000与安装基板的接合强度。对于发光装置1000，无论是以使基材11的下表面112与安装基板对置的方式安装的上表面发光型(俯视型)，还是以使基材11的背面114与安装基板对置的方式安装的侧面发光型(侧视型)，都能够通过增加接合构件的体积来提高发光装置1000与安装基板的接合强度。尤其能够提高发光装置1000为侧面发光型的情况下的发光装置1000与安装基板的接合强度。
凹槽16可以贯穿基材，如图2C所示，凹槽16也可以不贯穿基材11。通过使凹槽16不贯穿基材，从而与具备贯穿基材的凹槽的情况相比，能够提高基材的强度。在凹槽16不贯穿基材的情况下，优选Z方向上的多个凹槽各自的深度的最大值为基材的厚度D3的0.4倍至0.8倍。通过使凹槽的深度比基材的厚度的0.4倍深，从而能够增加形成在凹槽内的接合构件的体积，因此能够提高发光装置与支承基板的接合强度。使凹槽的深度比基材的厚度的0.8倍浅，从而能够提高基材的强度。
如图2C所示，对于Z方向上的凹槽16的深度，优选背面114侧的凹槽的深度D1比正面113侧的凹槽的深度D2深。这样一来，在Z方向上，能够使位于凹槽的正面113侧的基材11的厚度D5比位于凹槽的背面侧的基材的厚度D6厚。由此，能够抑制基材的强度降低。另外，对于Z方向上的凹槽16的深度，使背面114侧的深度比正面113侧的深度深，从而能够增大基材11的背面114处的凹槽16的开口部的面积。在基材11的背面114与支承基板的上表面对置，从而发光装置与支承基板接合的情况下，增大与支承基板对置的基材的背面处的凹槽的开口部的面积，从而能够增大位于基材11的背面114侧的接合构件的面积。由此，能够提高发光装置与支承基板的接合强度。
作为第一发光元件20A以及第二发光元件20B的结构的一例，对第一发光元件20A进行说明。第一发光元件20A具有第一元件光导出面201A、位于与第一元件光导出面相反的一侧的第一元件电极形成面203A、以及位于第一元件光导出面201A与第一元件电极形成面203A之间的第一元件侧面202A。第一元件光导出面201A是指第一发光元件20A的上表面。第一元件侧面202A是指第一发光元件20A的侧面。第一元件电极形成面203A是指第一发光元件20A的下表面，且在第一元件电极形成面203A设置有一对第一元件电极21A、22A。第一元件侧面202A可以与第一元件光导出面201A垂直，也可以相对于第一元件光导出面201A而向内侧或外侧倾斜。在一对第一元件电极21A、22A中，一方的第一元件电极21A经由导电性粘接材料而与第一配线12A电连接，另一方的第一元件电极22A经由导电性粘接材料而与第二配线12B电连接。
第一发光元件20A具备第一元件基板24A、形成为与第一元件基板24A接触的第一元件半导体层叠体23A、以及形成为与第一元件半导体层叠体23A接触的一对第一元件电极21A、22A。需要说明的是，在本实施方式中，以第一发光元件20A具备第一元件基板24A的结构为一例进行说明，但也可以去除第一元件基板24A。在第一发光元件20A具备第一元件基板24A的情况下，第一元件光导出面201A是指位于与第一元件电极形成面203A相反的一侧的第一元件基板24A的上表面。在第一发光元件20A不具备第一元件基板24A的情况下，第一元件光导出面201A是指，位于与设置有一对第一元件电极21A、22A的第一元件电极形成面203A相反的一侧的第一元件半导体层叠体23A的上表面。
优选第一发光元件20A以及第二发光元件20B沿第一方向排列设置。换言之，优选在沿着第一方向的直线上分别配置有第一发光元件20A以及第二发光元件20B的至少一部分。这样一来，能够将发光装置100在第二方向上小型化。
需要说明的是，在本实施方式中，以发光装置1000具备第一发光元件20A、第二发光元件20B这两个发光元件的结构为一例进行说明，但发光装置也可以具备3个以上的发光元件。
第一发光元件与第二发光元件的发光峰值波长可以相同，也可以不同。例如，在第一发光元件与第二发光元件的发光峰值波长相同的情况下，第一发光元件与第二发光元件的发光峰值波长可以在430nm以上且低于490nm的范围(蓝色区域的波长范围)。另外，在第一发光元件与第二发光元件的发光峰值波长不同的情况下，第一发光元件的发光峰值波长可以在430nm以上且低于490nm的范围(蓝色区域的波长范围)，第二发光元件的发光峰值波长可以在490nm以上且570nm以下的范围(绿色区域的波长范围)。这样一来，能够提高发光装置的色彩再现性。需要说明的是，只要一方的发光元件(第一发光元件)的发光峰值波长与另一方的发光元件(第二发光元件)的发光峰值波长之差在±10nm以内，则视为一方的发光元件的发光峰值波长与另一方的发光元件的发光峰值波长相同。
第二方向上的第一发光元件的最大宽度可以比第一配线以及第二配线各自的最大宽度窄，如图5A所示，第二方向上的第一发光元件的最大宽度也可以与第一配线以及第二配线各自的最大宽度相同，如图5B所示，第二方向上的第一发光元件的最大宽度W6也可以比第一配线以及第二配线各自的最大宽度W4宽。即使在由于第一发光元件而无法看到第一配线以及/或者第二配线的情况下，也能够以连接配线为基准载置第一发光元件，因此能够提高第一发光元件相对于基板的位置精度。
第二方向上的第二发光元件的最大宽度可以比第三配线以及第四配线各自的最大宽度窄，如图5A所示，第二方向上的第二发光元件的最大宽度也可以与第三配线以及第四配线各自的最大宽度相同，如图5B所示，第二方向上的第二发光元件的最大宽度W7也可以比第三配线以及第四配线各自的最大宽度W5宽。即使在由于第二发光元件而无法看到第三配线以及/或者第四配线的情况下，也能够以连接配线为基准载置第二发光元件，因此能够提高第二发光元件相对于基板的位置精度。
如图2B所示，覆盖树脂40覆盖基材11的上表面111、第一发光元件20A的第一元件侧面202A以及第二发光元件20B的第二元件侧面202B。另外，覆盖树脂40与基材11的上表面111以及连接配线13连接。通过具备覆盖树脂40，能够保护基材11、第一发光元件20A、以及第二发光元件20B不被外力损坏。对于覆盖树脂40，可以在含有树脂材料的母材中含有白色颜料。
作为覆盖树脂40的母材，例如能够使用硅酮树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚碳酸酯树脂、丙烯酸树脂、或这些树脂的改性树脂等。尤其优选使用环氧树脂作为覆盖树脂材的母材。与使用硅酮树脂的情况相比，通过使用环氧树脂能够提高能够发光装置的强度，故而优选。另外，硅酮树脂以及改性硅酮树脂由于耐热性以及耐光性优异，因此优选作为覆盖树脂的母材使用。
作为覆盖树脂40的白色颜料，例如能够单独使用氧化钛、氧化锌、氧化镁、碳酸镁、氢氧化镁、碳酸钙、氢氧化钙、硅酸钙、硅酸镁、钛酸钡、硫酸钡、氢氧化铝、氧化铝、氧化锆、氧化硅等中的一种，或组合使用这些成分中的两种以上。对于白色颜料的形状，可以进行适当选择，也可以是不规则形状或破碎状，但从流动性的观点出发，优选为球形状。另外，白色颜料的粒径例如优选为0.1μm以上且0.5μm以下左右，但为了提高光反射性、覆盖性的效果，白色颜料的粒径越小越好。对于白色颜料的含量，可以进行适当选择，但从光反射性以及液态时的粘度等观点出发，优选为例如10wt％以上且80wt％以下，更优选为20wt％以上且70wt％以下，进一步优选为30wt％以上且60wt％以下。需要说明的是，“wt％”是指重量百分比，表示该材料的重量相对于第一反射构件30的总重量的比率。
在覆盖树脂包含白色颜料等而具有反射性的情况下，覆盖树脂覆盖第一发光元件的侧面以及第二发光元件的侧面，从而发光区域与非发光区域的对比度升高，能够成为“划分性”良好的发光装置。
如图2B所示，发光装置1000可以具备覆盖第一发光元件20A的上表面的第一透光性构件30A。使用第一透光性构件30A覆盖第一发光元件的上表面，从而能够保护第一发光元件不被外力损坏。另外，发光装置1000可以具备覆盖第二发光元件20B的上表面的第二透光性构件30B。使用第二透光性构件30B覆盖第二发光元件的上表面，从而能够保护第二发光元件不被外力损坏。在覆盖树脂具有反射性的情况下，优选覆盖树脂覆盖第一透光性构件30A以及/或者第二透光性构件30B的侧面。这样一来，发光区域与非发光区域的对比度升高，能够成为“划分性”良好的发光装置。有时将第一透光性构件30A以及/或者第二透光性构件30B称为透光性构件。
作为第一透光性构件30A以及第二透光性构件30B的结构的一例，对第一透光性构件30A进行说明。第一透光性构件30A可以配置为与第一发光元件的上表面接触，如图2B所示，第一透光性构件30A也可以隔着导光构件50覆盖第一发光元件20A的上表面。导光构件50可以仅位于第一发光元件20A的上表面与第一透光性构件30A之间从而将第一发光元件与第一透光性构件固定，也可以从第一发光元件的第一元件光导出面201A覆盖至第一发光元件的第一元件侧面202A从而将第一发光元件与第一透光性构件固定。对于来自第一发光元件的光的透射率，在导光构件50比覆盖树脂40高的情况下，导光构件覆盖至第一发光元件的第一元件侧面202A，从而通过导光构件而容易将从第一发光元件的第一元件侧面射出的光导出到发光装置的外侧，进而能够提高光导出效率。在导光构件覆盖至第一发光元件的第一元件侧面202A的情况下，覆盖树脂40可以隔着导光构件50覆盖第一发光元件20A的第一元件侧面202A。
第一透光性构件30A可以含有波长转换粒子。这样一来，发光装置的色彩调整变得容易。波长转换粒子是吸收发光元件发出的一次光的至少一部分、并发出波长与该一次光的波长不同的二次光的构件。使第一透光性构件中含有波长转换粒子，从而能够输出将第一发光元件发出的一次光、以及波长转换粒子发出的二次光混色的混色光。例如，若第一发光元件使用蓝色LED，波长转换粒子使用YAG等荧光体，则能够构成如下发光装置：输出将蓝色LED的蓝色光、以及荧光体被该蓝色光激发而发出的黄色光混合而得到的白色光。另外，也可以构成如下发光装置：发光元件使用蓝色LED，波长转换粒子使用作为绿色荧光体的β硅铝氧氮系荧光体和作为红色荧光体的锰激活氟化物系荧光体，从而输出白色光。
可以使波长转换粒子均匀地分散在第一透光性构件中，也可以使波长转换粒子与第一透光性构件的上表面相比而偏置于第一发光元件的附近。使波长转换粒子与第一透光性构件的上表面相比而偏置于第一发光元件的附近，从而即使使用怕水的波长转换粒子，第一透光性构件的母材也能够发挥保护层的功能从而抑制波长转换粒子的劣化。另外，如图2B所示，第一透光性构件30A可以具备：含有波长转换粒子的层31A、32A、以及实质上不含有波长转换粒子的层33A。在Z方向上，实质上不含有波长转换粒子的层33A位于比含有波长转换粒子的层31A、32A靠上侧的位置。这样一来，实质上不含有波长转换粒子的层33A能够发挥保护层的功能从而抑制波长转换粒子的劣化。作为怕水的波长转换粒子，例如可以举出锰激活氟化物荧光体。锰激活氟化物系荧光体能够获得谱线宽度较窄的发光，基于颜色再现性的观点而优选。“实质上不含有波长转换粒子”表示不排除不可避免地混入的波长转换粒子，波长转换粒子的含有率优选为0.05重量％以下。
第一透光性构件30A中含有波长转换粒子的层可以是单层，也可以是多个层。例如，如图2B所示，第一透光性构件30A可以具备第一波长转换层31A、以及覆盖第一波长转换层31A的第二波长转换层32A。第二波长转换层32A可以直接覆盖第一波长转换层31A，也可以隔着透光性的其他层覆盖第一波长转换层31A。需要说明的是，第一波长转换层31A配置在比第二波长转换层32A更接近第一发光元件20A的第一元件光导出面201A的位置。优选第一波长转换层31A所含有的波长转换粒子的发光峰值波长比第二波长转换层32A所含有的波长转换粒子的发光峰值波长短。这样一来，能够通过被第一发光元件激发的来自第一波长转换层31A的光，来激发第二波长转换层32A的波长转换粒子。由此，能够增加来自第二波长转换层32A的波长转换粒子的光。
优选为，第一波长转换层31A所含有的波长转换粒子的发光峰值波长在500nm以上且570nm以下，第二波长转换层32A所含有的波长转换粒子的发光峰值波长在610nm以上且750nm以下。这样一来，能够成为色彩再现性较高的发光装置。例如，作为第一波长转换层31A所含有的波长转换粒子可以举出β硅铝氧氮系荧光体，作为第二波长转换层32A所含有对的波长转换粒子可以举出锰激活氟化硅酸钾的荧光体。在使用锰激活氟化硅酸钾的荧光体作为第二波长转换层32A所含有的波长转换粒子的情况下，尤其优选第一透光性构件30A具备第一波长转换层31A、以及第二波长转换层32A。锰激活氟化硅酸钾的荧光体容易引起亮度饱和，但由于第一波长转换层31A位于第二波长转换层32A与第一发光元件20A之间，从而能够抑制来自发光元件的光过度地对锰激活氟化硅酸钾的荧光体照射的情况。由此，能够抑制锰激活氟化硅酸钾的荧光体的劣化。
第一透光性构件可以具备：第一波长转换粒子，其吸收第一发光元件发出的一次光的至少一部分，并通过禁阻跃迁而发出二次光；以及第二波长转换粒子，其吸收发光元件发出的一次光的至少一部分，并通过允许跃迁而发出二次光。通常，通过禁阻跃迁而发出二次光的第一波长转换粒子与通过允许跃迁而发出二次光的第二波长转换粒子相比，余辉时间较长。因此，与第一透光性构件仅具备第一波长转换粒子的情况相比，第一透光性构件通过具备第一波长转换粒子、以及第二波长转换粒子，从而能够缩短余辉时间。例如，作为第一波长转换粒子，可以举出锰激活氟化硅酸钾的荧光体(例如K2SiF6：Mn)，作为第二波长转换粒子，可以举出CASN系荧光体。与第一透光性构件仅含有锰激活氟化硅酸钾的荧光体的情况相比，第一透光性构件通过含有CASN系荧光体、以及锰激活氟化硅酸钾的荧光体，从而能够缩短余辉时间。另外，通常，锰激活氟化硅酸钾与CASN系荧光体相比，具有半峰全宽较窄的发光峰值，因此色纯度变高且色彩再现性变得良好。因此，与第一透光性构件仅含有CASN系荧光体的情况相比，第一透光性构件通过含有CASN系荧光体、以及锰激活氟化硅酸钾的荧光体，从而使色彩再现性变得良好。
例如，第一透光性构件所含的锰激活氟化硅酸钾的荧光体的重量优选为CASN系荧光体的荧光体的重量的0.5倍以上且6倍以下，更优选为1倍以上且5倍以下，进一步优选为2倍以上且4倍以下。通过增加锰激活氟化硅酸钾的荧光体的重量而使发光装置的色彩再现性变得良好。通过增加CASN系荧光体的荧光体的重量而能够缩短余辉时间。
优选锰激活氟化硅酸钾的荧光体的平均粒径为5μm以上且30μm以下。另外，优选CASN系荧光体的平均粒径为5μm以上且30μm以下。将锰激活氟化硅酸钾的荧光体以及/或者CASN系荧光体的平均粒径设为30μm以下，从而使来自第一发光元件的光容易向波长转换粒子扩散，因此能够抑制发光装置的配光色度不均。将锰激活氟化硅酸钾的荧光体以及/或者CASN系荧光体的平均粒径设为5μm以上，从而容易导出来自第一发光元件的光，因此发光装置的光导出效率提高。
CASN系荧光体和锰激活氟化硅酸钾的荧光体可以包含于第一透光性构件的同一波长转换层中，在第一透光性构件具备多个波长转换层的情况下，也可以包含于不同的波长转换层中。在锰激活氟化硅酸钾的荧光体和CASN系荧光体包含于不同的波长转换层中的情况下，优选锰激活氟化硅酸钾的荧光体与CASN系荧光体中的光的峰值波长较短的波长转换粒子位于接近发光元件的位置。这样一来，能够通过来自光的峰值波长较短的波长转换粒子的光，来激发光的峰值波长较长的波长转换粒子。例如，在锰激活氟化硅酸钾的荧光体的光的峰值波长为631nm左右而CASN系荧光体的光的峰值波长为650nm左右的情况下，优选锰激活氟化硅酸钾的荧光体接近发光元件。
作为第二波长转换粒子，还可以举出SCASN系荧光体、SLAN荧光体(SrLiAl3N4：Eu)等。例如，透光性构件也可以含有SLAN荧光体、以及锰激活氟化硅酸钾的荧光体。另外，透光性构件也可以含有作为红色荧光体的第一波长转换粒子和第二波长转换粒子、以及作为绿色荧光体的β硅铝氧氮系荧光体。这样一来，发光装置的色彩再现性变得良好。
第一透光性构件所含有的波长转换粒子与第二透光性构件所含有的波长转换粒子可以相同，也可以不同。在具备发光峰值波长处于430nm以上且低于490nm的范围(蓝色区域的波长范围)的第一发光元件、以及发光峰值波长处于490nm以上且570nm以下的范围(绿色区域的波长范围)的第二发光元件的情况下，可以为，在第一透光性构件中含有红色荧光体，在第二透光性构件中实质上不含有波长转换粒子。这样一来，能够提高发光装置的色彩再现性。另外，来自第二发光元件的光不被波长转换粒子遮挡，因此发光装置的光导出效率提高。作为第一透光性构件所含有的红色荧光体可以举出锰激活氟化物系荧光体等。
第二方向上的第一透光性构件的最大宽度可以比第一配线以及第二配线各自的最大宽度窄，第二方向上的第一透光性构件的最大宽度也可以与第一配线以及第二配线各自的最大宽度相同，如图6所示，第二方向上的第一透光性构件30A的最大宽度W8也可以比第一配线以及第二配线各自的最大宽度W4宽。即使在由于第一透光性构件而无法看到第一配线以及/或者第二配线的情况下，也能够以连接配线为基准将第一透光性构件载置于第一发光元件的位置，因此能够提高第一透光性构件相对于基板的位置精度。
第二方向上的第二透光性构件的最大宽度可以比第三配线以及第四配线各自的最大宽度窄，第二方向上的第二透光性构件的最大宽度也可以与第三配线以及第四配线各自的最大宽度相同，如图6所示，第二方向上的第二透光性构件30B的最大宽度W9也可以比第三配线以及第四配线各自的最大宽度W5宽。即使在由于第二透光性构件而无法看见第二配线以及/或者第三配线的情况下，也能够以连接配线为基准将第二透光性构件配置在第二发光元件的上表面，因此能够提高第二透光性构件相对于基板的位置精度。
如图7所示的发光装置1000A那样，一个第一透光性构件30A可以覆盖第一发光元件20A以及第二发光元件20B的上表面。这样一来，将来自第一发光元件的光、以及来自第二发光元件的光向第一透光性构件30A引导，从而能够抑制第一发光元件与第二发光元件之间的亮度不均。
发光装置也可以具备将第五配线14的一部分覆盖的绝缘膜18。通过具备绝缘膜18，能够实现下表面中的绝缘性的确保以及短路的防止。另外，能够防止第五配线从基材剥离的情况。
如图8所示，优选基材11的正面113与覆盖树脂40的外侧面403共面。另外，优选基材11的背面114与覆盖树脂40的外侧面404共面。这样一来，能够将发光装置小型化。
如图9所示，优选基材11的侧面105与覆盖树脂40的外侧面405共面。这样一来，能够将发光装置小型化。
接下来，根据图10A至图15对本发明的实施方式的发光装置的制造方法进行说明。
发光装置的制造方法以包括以下的工序的方式进行。
(1)准备基板的工序，基板具备：基材，其包含树脂材料且具有上表面；第一配线、第二配线、第三配线以及第四配线，其配置在基材的上表面，且沿第一方向排列；以及连接配线，其将第二配线与第三配线连接，且具有在第二方向上比第二配线以及第三配线各自的最大宽度窄的部分，连接配线具备：第一连接端部，其与第二配线连接；第二连接端部，其与第三配线连接；以及连接中央部，其将第一连接端部与第二连接端部连接，且与第一方向正交的第二方向上的最大宽度与第一连接端部以及第二连接端部各自的最大宽度不同，
(2)以连接配线为基准将第一发光元件载置于第一配线以及第二配线上的工序，
(3)以连接配线为基准将第二发光元件载置于第三配线以及第四配线上的工序，
(4)使用树脂将基材的上表面、第一发光元件的侧面以及第二发光元件的侧面覆盖的工序。
以下，对各工序进行说明。
[准备基板的工序]
如图10A所示，准备基板10。基板10可以是针对各发光装置而被单片化后的状态，如图10A所示，基板10也可以是单片化前的集合基板的状态。需要说明的是，在本说明书中，无论是针对各发光装置而被单片化后的基板，还是单片化前的集合基板，有时都称为基板。基板10具备基材11，基材11包含树脂材料，且具有上表面111。如图10B所示，在基材11的上表面111配置有沿第一方向排列的第一配线12A、第二配线12B、第三配线12C以及第四配线12D。另外，在基材的上表面配置有将第二配线12B与第三配线12C连接的连接配线13。连接配线13具备：第一连接端部13A，其与第二配线12B连接；第二连接端部13C，其与第三配线12C连接；以及连接中央部13B，其将第一连接端部13A与第二连接端部13C连接，且与第一方向正交的第二方向上的最大宽度与第一连接端部13A以及第二连接端部13C各自的最大宽度不同。
连接中央部13B的形状可以是上述中说明的各种形状。基材11可以具有在下表面开口的凹槽。需要说明的是，在通过后述的单片化工序形成基材的背面的情况下，凹槽可以仅在下表面开口。另外，基板10可以如上述中说明的那样具备第五配线14、第六配线、以及过孔15。
优选通过电镀法而形成的镀金层位于基板的第一配线、第二配线、第三配线、第四配线以及连接配线的最表面。
[载置第一发光元件的工序]
如图11A、图11B所示，以连接配线13为基准，将第一发光元件20A载置于第一配线12A以及第二配线12B上。以连接配线13为基准，从而第一发光元件相对于基板的位置精度提高。另外，在俯视观察时，第一配线以及第二配线与第一发光元件重叠，因此即使在载置第一发光元件时难以以第一配线以及/或者第二配线为基准的情况下，通过以连接配线为基准，从而容易识别基准的位置。
[载置第二发光元件的工序]
如图11A、图11B所示，以连接配线13为基准，将第二发光元件20B载置于第三配线12C以及第四配线12D上。以连接配线13为基准，从而第二发光元件相对于基板的位置精度提高。另外，在俯视观察时，第三配线以及第四配线与第二发光元件重叠，因此即使在载置第二发光元件时难以以第三配线以及/或者第四配线为基准的情况下，通过以连接配线为基准，从而容易识别基准的位置。需要说明的是，载置第一发光元件的工序和载置第二发光元件的工序先进行哪一方都可以。
[形成第一透光性构件的工序]
如图12A所示，可以形成将第一发光元件20A的上表面覆盖的第一透光性构件30A。第一透光性构件30A可以隔着导光构件50覆盖第一发光元件20A的上表面。形成第一透光性构件的工序在载置第一发光元件的工序之后、且在后述的形成覆盖树脂的工序之前进行。
如图12B所示，可以形成将第一发光元件20A以及第二发光元件20B的上表面覆盖的第一透光性构件。在该情况下，形成第一透光性构件的工序在载置第一发光元件以及第二发光元件的工序之后、且在后述的形成第一覆盖树脂的工序之前进行。另外，第一透光性构件30A可以隔着导光构件50覆盖第一发光元件20A以及第二发光元件20B的上表面。
[形成第二透光性构件的工序]
如图12A所示，可以形成将第二发光元件20B的上表面覆盖的第二透光性构件30B。第二透光性构件30B可以隔着导光构件50覆盖第二发光元件20B的上表面。形成第二透光性构件的工序在载置第二发光元件的工序之后、且在后述的形成覆盖树脂的工序之前进行。
[形成覆盖树脂的工序]
如图13所示，形成将基材的上表面111、第一发光元件的侧面以及第二发光元件的侧面覆盖的覆盖树脂40。覆盖树脂40可以隔着导光构件50覆盖第一发光元件的侧面以及第二发光元件的侧面。覆盖树脂40也可以覆盖第一透光性构件的侧面以及/或者第二透光性构件的侧面。另外，也可以在形成将第一透光性构件的上表面以及/或者第一透光性构件的上表面覆盖的覆盖树脂之后，将覆盖树脂的一部分去除，使第一透光性构件的上表面以及/或者第一透光性构件的上表面从覆盖树脂露出。
在将使用了铂系催化剂的加成反应型硅酮树脂用于覆盖树脂的情况下，优选通过电镀法而形成的镀金层位于基板的第一配线、第二配线、第三配线、第四配线、连接配线以及第五配线的最表面。覆盖树脂的形成可以使用传递模塑法等公知的方法。
[单片化的工序]
在单片化前的集合基板形成有覆盖树脂的情况下，在形成覆盖树脂的工序之后，将基板以及覆盖树脂的至少一部分去除，从而单片化为多个发光装置。这样一来，能够制造本实施方式的发光装置。
如图14所示，可以为，将位于第一发光元件与第二发光元件之间的连接配线的至少一部分去除，从而单片化为包括第一发光元件20A的第一发光装置1000B、以及包括第二发光元件的第二发光装置1000C。
如图15所示，优选第一发光装置1000B的基板具有多个凹槽16。通过具有多个凹槽，能够提高发光装置1000B与安装基板的接合强度。同样地，优选第一发光装置1000C的基板也具有多个凹槽16。
如图16A、图16B所示，发光装置1000D可以具备将覆盖树脂40的上表面401覆盖的保护构件70。如图16B所示，在Z方向上，保护构件70的上表面701的至少一部分位于比透光性构件的上表面301A、301B更靠上侧的位置。由此，能够抑制在透光性构件的上表面造成损伤的情况。优选Z方向上的保护构件的最大厚度为3μm以上且50μm以下。通过将保护构件的最大厚度设为3μm以上，从而容易抑制在透光性构件的上表面造成损伤的情况。通过将保护构件的最大厚度设为50μm以下，从而能够在Z方向上将发光装置薄型化。
如图16C的发光装置1000E所示，在俯视观察时，保护构件70可以与覆盖树脂40的外缘分离。如图16A的发光装置1000D所示，在俯视观察时，保护构件70可以到达覆盖树脂40的外缘。
如图16A的发光装置1000D所示，在俯视观察时，保护构件70可以在第一透光性构件30A与第二透光性构件30B之间沿短边方向(Y方向)延伸。如图16D的发光装置1000F所示，在俯视观察时，保护构件70可以在长边方向(X方向)上的覆盖树脂40的外缘处沿短边方向(Y方向)延伸。另外，如图16E的发光装置1000G所示，在俯视观察时，可以具备：在第一透光性构件与第二透光性构件之间沿短边方向(Y方向)延伸的保护构件70、以及在长边方向(X方向)上的覆盖树脂40的外缘处沿短边方向(Y方向)延伸的保护构件70。
如图16F的发光装置1000H所示，在俯视观察时，保护构件70可以在短边方向(Y方向)上的覆盖树脂40的外缘处沿长边方向(X方向)延伸。如图16G的发光装置1000I所示，在俯视观察时，保护构件70可以具有：在短边方向(Y方向)上的覆盖树脂40的外缘处沿长边方向(X方向)延伸的部分、以及在第一透光性构件与第二透光性构件之间沿短边方向(Y方向)延伸的部分。如图16H的发光装置1000J所示，在俯视观察时，保护构件70可以具有：在短边方向(Y方向)上的覆盖树脂40的外缘处沿长边方向(X方向)延伸的部分、在第一透光性构件与第二透光性构件之间沿短边方向(Y方向)延伸的部分、以及在长边方向(X方向)上的覆盖树脂40的外缘处沿短边方向(Y方向)延伸的部分。换言之，在俯视观察时，保护构件70可以连续地分别包围第一透光性构件以及第二透光性构件。
在俯视观察时，保护构件70可以位于矩形状的覆盖树脂40的四角中的至少一角。如图16I的发光装置1000K所示，保护构件70可以位于矩形状的覆盖树脂40四角的所有角。
保护构件70的剖面形状没有特别限定，可以是三角形，也可以是四边形，也可以是半圆。如图16B所示，保护构件70的剖面形状可以是梯形。另外，保护构件70的上表面可以具有至少一个凸部以及/或者凹部。如图16J的发光装置1000L所示，保护构件70的上表面可以在保护构件70的端部或端部的附近具有凸部702。另外，如图16K的发光装置1000M所示，保护构件70可以覆盖透光性构件的上表面301A、301B的至少一部分。如图16A的发光装置1000D所示，在俯视观察时，保护构件70可以位于与透光性构件分离的位置。在俯视观察时，保护构件70位于与透光性构件分离的位置，从而能够抑制来自透光性构件的光被保护构件吸收的情况。由此，发光装置的光导出效率提高。在保护构件70将透光性构件的上表面的至少一部分覆盖的情况下，优选保护构件70具有透光性。这样一来，能够抑制发光装置的光导出效率降低的情况。
保护构件的材料可以使用与透光性构件相同的材料。保护构件可以通过喷射树脂材料来形成，也可以通过灌注树脂材料来形成。为了抑制保护构件的形状的偏差，可以通过在施加掩模后喷射树脂材料的方法来形成保护构件。在施加掩模后喷射树脂材料的情况下，可以在树脂材料未临时固化时剥离掩模，也可以在树脂材料临时固化后剥离掩模。在剥离掩模之后，使树脂材料完全固化从而形成保护构件。通过在树脂材料未临时固化时剥离掩模，从而例如如图16B以及图16L所示，在Z-方向上，X方向上的保护构件的宽度能够逐渐增大。Z-方向是指，在Z轴上从上朝向下的方向。换言之，Z-方向是指，从基材的上表面朝向基材的下表面的方向。在树脂材料未临时固化时剥离掩模的情况下，未临时固化的树脂材料容易变形，因此在剥离掩模之后，树脂材料在覆盖树脂的上表面浸润扩展。由此，在Z-方向上，X方向上的保护构件的宽度能够逐渐增大。另外，通过在树脂材料临时固化后剥离掩模，从而例如如图16J所示，保护构件的上表面能够在保护构件的端部或端部的附近具有凸部。在树脂材料临时固化后剥离掩模的情况下，临时固化后的树脂材料难以变形，因此在剥离掩模时，树脂材料的端部被掩模拉拽。由此，能够在保护构件的端部或端部的附近形成凸部。需要说明的是，在本说明书中，临时固化是指，树脂材料处于被称为B阶的半固化的状态。
以下，对本发明的一个实施方式的发光装置中的各构成要素进行说明。
(基板10)
基板10是载置发光元件的构件。基板10至少具备基材11、第一配线12A、第二配线12B、第三配线12C、第四配线12D、以及连接配线13。
(基材11)
基材11能够使用树脂或纤维强化树脂等绝缘性构件构成。作为树脂或纤维强化树脂，可以举出环氧树脂、玻璃环氧树脂、双马来酰亚胺三嗪(BT)、聚酰亚胺等。在上述的基材中，尤其优选使用具有接近发光元件的线膨胀系数的物性的基材。对于基材的厚度的下限值，可以进行适当选择，但从基材的强度的观点出发，优选为0.05mm以上，更优选为0.2mm以上。另外，从发光装置的厚度(深度)的观点出发，基材的厚度的上限值优选为0.5mm以下，更优选为0.4mm以下。
(第一配线12A、第二配线12B、第三配线12C、第四配线12D、连接配线13)
第一配线、第二配线、第三配线、第四配线以及连接配线配置在基材的上表面，且与发光元件电连接。第一配线、第二配线、第三配线、第四配线以及连接配线能够由铜、铁、镍、钨、铬、铝、银、金、钛、钯、铑、或这些成分的合金形成。可以为这些金属或合金的单层也可以为多层。尤其基于散热性的观点而优选为铜或铜合金。另外，从熔融性的导电性粘接构件的浸润以及/或者光反射性等观点出发，也可以在第一配线、第二配线、第三配线、第四配线以及连接配线的表层设置银、铂、铝、铑、金或这些成分的合金等的层。
(第五配线14)
第五配线是与第一配线、第二配线、第三配线、第四配线以及/或者连接配线电连接，且位于基材的下表面的构件。第五配线能够使用与第一配线、第二配线、第三配线、第四配线以及/或者连接配线相同的导电性构件。
(发光元件)
发光元件是通过施加电压而自行发光的半导体元件，能够使用由氮化物半导体等构成的已知的半导体元件。作为发光元件，例如可以举出LED芯片。发光元件至少具备半导体层，多数情况下还具备元件基板。发光元件具有元件电极。元件电极能够由金、银、锡、铂、铑、钛、铝、钨、钯、镍或这些成分的合金构成。作为半导体材料，优选使用氮化物半导体。氮化物半导体主要由通式InxAlyGa1-x-yN(0≤x、0≤y、x+y≤1)来表示。此外，也能够使用InAlGaAs系半导体、InAlGaP系半导体、硫化锌、硒化锌、碳化硅等。发光元件的元件基板主要为能够使构成半导体层叠体的半导体的晶体生长的晶体生长用基板，但也可以为与从晶体生长用基板分离的半导体元件结构接合的接合用基板。元件基板具有透光性，因此容易采用倒装安装，并且容易提高光的导出效率。作为元件基板的母材，可以举出蓝宝石、氮化镓、氮化铝、硅、碳化硅、砷化镓、磷化镓、磷化铟、硫化锌、氧化锌、硒化锌以及金刚石等。其中，优选蓝宝石。对于元件基板的厚度，可以进行适当选择，例如为0.02mm以上且1mm以下，基于元件基板的强度以及/或者发光装置的厚度的观点，优选元件基板的厚度为0.05mm以上且0.3mm以下。
(覆盖树脂40)
覆盖树脂是覆盖基材的上表面以及发光元件的侧面，从而保护发光元件的构件。对于覆盖树脂，可以在含有树脂材料的母材中含有白色颜料。
(透光性构件)
透光性构件是覆盖发光元件的上表面从而保护发光元件的透光性的构件。作为透光性构件的材料，例如能够使用树脂。作为能够用于透光性构件的树脂，可以举出硅酮树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚碳酸酯树脂、丙烯酸树脂、或这些树脂的改性树脂。作为透光性构件的材料，与使用硅酮树脂的情况相比，通过使用环氧树脂能够提高能够发光装置的强度，故而优选。另外，硅酮树脂以及改性硅酮树脂由于耐热性以及耐光性优异，因而优选。透光性构件可以含有波长转换粒子以及/或者扩散粒子。
(波长转换粒子)
波长转换粒子吸收发光元件发出的一次光的至少一部分，并发出波长与该一次光的波长不同的二次光。波长转换粒子能够单独使用以下所示的具体例子中的一种，或将以下所示的具体例子中两种以上组合来使用。在透光性构件具备多个波长转换层的情况下，各波长转换层所含有的波长转换粒子可以相同，也可以不同。
作为发出绿色光的波长转换粒子，可以举出钇·铝·石榴石系荧光体(例如Y3(Al，Ga)5O12：Ce)、镥·铝·石榴石系荧光体(例如Lu3(Al，Ga)5O12：Ce)、铽-铝-石榴石系荧光体(例如Tb3(Al，Ga)5O12：Ce)、硅酸盐系荧光体(例如(Ba，Sr)28iO4：Eu)、氯硅酸盐系荧光体(例如Ca8Mg(SiO4)4Cl2：Eu)、β硅铝氧氮系荧光体(例如Si6-zAlzOzN8-z：Eu(0＜z＜4.2))、SGS系荧光体(例如SrGa2S4：Eu)、碱土类铝酸盐系荧光体(例如(Ba，Sr，Ca)MgxAl10O16+x：Eu，Mn(其中，0≤X≤1))等。作为发出黄色光的波长转换粒子，可以举出α硅铝氧氮系荧光体(例如Mz(Si，Al)12(O，N)16(其中，0＜z≤2，M为Li、Mg、Ca、Y以及除La与Ce以外的镧族元素)等。此外，在上述发出绿色光的波长转换粒子中也存在发出黄色光的波长转换粒子。另外，例如，钇·铝·石榴石系荧光体能够通过以Gd置换Y的一部分来使发光峰值波长向长波长侧偏移，从而能够发出黄色光。另外，在上述中也存在能够发出橙色光的波长转换粒子。作为发出红色光的波长转换粒子，可以举出含氮铝硅酸钙(CASN或SCASN)系荧光体(例如(Sr，Ca)AlSiN3：Eu)、SLAN荧光体(SrLiAl3N4：Eu)等。此外，还可以举出以锰激活氟化物系荧光体(通式(I)A2[M1-aMnaF6]表示的荧光体(其中，上述通式(I)中，A为从由K、Li、Na、Rb、Cs以及NH4构成的组中选择的至少一种，M为从由第四族元素以及第十四族元素构成的组中选择的至少一种元素，a满足0＜a＜0.2))。作为该锰激活氟化物系荧光体的代表例，存在锰激活氟化硅酸钾的荧光体(例如K2SiF6：Mn)。
(扩散粒子)
作为扩散粒子，可以举出氧化硅、氧化铝、氧化锆以及氧化锌等。扩散粒子能够单独使用这些填料中的一种，或将这些填料中的两种以上组合来使用。尤其优选热膨胀系数小的氧化硅。另外，通过使用纳米粒子作为扩散粒子，能够增大发光元件所发出的光的散射，从而减少波长转换粒子的使用量。需要说明的是，纳米粒子设为粒径为1nm以上且100nm以下的粒子。另外，本说明书中的“粒径”例如通过D50来定义。
(导光构件50)
导光构件将发光元件与透光性构件固定，并将来自发光元件的光向透光性构件的构件。导光构件的母材可以举出硅酮树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚碳酸酯树脂、丙烯酸树脂、或这些树脂的改性树脂。作为导光构件的材料，与使用硅酮树脂的情况相比，通过使用环氧树脂能够提高能够发光装置的强度，故而优选。另外，硅酮树脂以及改性硅酮树脂由于耐热性以及耐光性优异，因而优选。导光构件可以含有与上述的透光性构件相同的波长转换粒子以及/或者扩散粒子。
(导电性粘接构件60)
导电性粘接构件是将发光元件的元件电极与第一配线电连接的构件。作为导电性粘接构件，能够使用金、银、铜等的凸块、包含银、金、铜、铂、铝、钯等的金属粉末与树脂粘合剂在内的金属膏、锡-铋系、锡-铜系、锡-银系、金-锡系等的焊料、低熔点金属等的焊料中的任一种。
工业实用性
本发明的一个实施方式的发光装置能够利用于液晶显示器的背光装置、各种照明设备、大型显示器、广告、目的地向导等各种表示装置、投影装置，还能够利用于数码摄像机、传真机、复印机、扫描仪等图像读取装置等。

Claims (23)

1.一种发光装置，其中，
所述发光装置包括：
基板，其具备包含树脂材料且具有上表面的基材、配置在所述基材的上表面且沿第一方向排列的第一配线、第二配线、第三配线以及第四配线、及将所述第二配线与所述第三配线连接的连接配线；
第一发光元件，其载置于所述第一配线以及所述第二配线上；
第二发光元件，其载置于所述第三配线以及所述第四配线上；以及
覆盖树脂，其覆盖所述基材的上表面、所述第一发光元件的侧面以及所述第二发光元件的侧面，
所述连接配线具有：第一连接端部，其与所述第二配线连接；第二连接端部，其与所述第三配线连接；以及连接中央部，其将所述第一连接端部与所述第二连接端部连接，且与所述第一方向正交的第二方向上的所述连接中央部的最大宽度与所述第一连接端部以及所述第二连接端部各自的最大宽度不同，
在所述第二方向上，所述连接配线的至少一部分的宽度比所述第二配线以及所述第三配线各自的最大宽度窄，在俯视观察时，所述连接中央部的至少一部分与所述第一发光元件以及所述第二发光元件分离。
2.根据权利要求1所述的发光装置，其中，
在所述第二方向上，所述连接中央部的最大宽度比所述第一连接端部以及所述第二连接端部各自的最大宽度宽。
3.根据权利要求2所述的发光装置，其中，
所述连接中央部仅沿着所述第二方向延伸。
4.根据权利要求1所述的发光装置，其中，
在所述第二方向上，所述连接中央部的最大宽度比所述第一连接端部以及所述第二连接端部各自的最大宽度窄。
5.根据权利要求1～4中任一项所述的发光装置，其中，
在所述第二方向上，所述第一连接端部的最大宽度与所述第二连接端部的最大宽度相同。
6.根据权利要求1～5中任一项所述的发光装置，其中，
在所述第二方向上，所述第一连接端部的最大宽度比所述第二配线的最大宽度窄。
7.根据权利要求6所述的发光装置，其中，
所述第二方向上的所述第一连接端部的最大宽度为所述第二配线的最大宽度的0.2倍以上且0.6倍以下。
8.根据权利要求1～7中任一项所述的发光装置，其中，
在所述第二方向上，从所述基材的外缘到所述连接配线的外缘为止的最短距离比从所述基材的外缘到所述第二配线的外缘为止的最短距离长。
9.根据权利要求1～8中任一项所述的发光装置，其中，
所述第二方向上的所述第一发光元件的最大宽度比所述第一配线以及所述第二配线各自的最大宽度宽。
10.根据权利要求1～9中任一项所述的发光装置，其中，
在俯视观察时，所述基材的外缘与所述第一配线、所述第二配线、所述第三配线、所述第四配线以及所述连接配线分离。
11.根据权利要求1～10中任一项所述的发光装置，其中，
所述发光装置具备覆盖所述第一发光元件的上表面的第一透光性构件。
12.根据权利要求11所述的发光装置，其中，
所述第二方向上的所述第一透光性构件的最大宽度比所述第二配线的最大宽度宽。
13.根据权利要求11或12所述的发光装置，其中，
所述发光装置具备覆盖所述覆盖构件的上表面的保护构件，
所述保护构件的上表面的至少一部分位于比所述第一透光性构件的上表面靠上侧的位置。
14.根据权利要求13所述的发光装置，其中，
在俯视观察时，所述保护构件位于与所述第一透光性构件分离的位置。
15.根据权利要求13或14所述的发光装置，其中，
所述发光装置具备覆盖所述第二发光元件的上表面的第二透光性构件，
在俯视观察时，所述保护构件位于所述第一透光性构件与所述第二透光性构件之间。
16.根据权利要求13～15中任一项所述的发光装置，其中，
在俯视观察时，所述覆盖构件呈矩形状，
所述保护构件位于所述覆盖构件的四角中的至少一角。
17.根据权利要求1～16中任一项所述的发光装置，其中，
所述基材具有位于与所述上表面相反的一侧的下表面，
所述基板具有配置在所述下表面的第五配线，
所述第五配线到达所述基材的对置的两方的外缘。
18.一种发光装置的制造方法，包括：
准备基板的工序，所述基板具备：基材，其包含树脂材料且具有上表面；第一配线、第二配线、第三配线以及第四配线，其配置在所述基材的上表面，且沿第一方向排列；以及连接配线，其将所述第二配线与所述第三配线连接，所述连接配线具备：第一连接端部，其与所述第二配线连接；第二连接端部，其与所述第三配线连接；以及连接中央部，其将所述第一连接端部与所述第二连接端部连接，且与所述第一方向正交的第二方向上的所述连接中央部的最大宽度与所述第一连接端部以及所述第二连接端部各自的最大宽度不同，所述连接配线具有在所述第二方向上宽度比所述第二配线以及所述第三配线各自的最大宽度窄的部分；
以所述连接配线为基准而将第一发光元件载置于所述第一配线以及所述第二配线上的工序；
以所述连接配线为基准而将第二发光元件载置于所述第三配线以及所述第四配线上的工序；以及
通过覆盖树脂覆盖所述基材的上表面、所述第一发光元件的侧面以及所述第二发光元件的侧面的工序。
19.根据权利要求18所述的发光装置的制造方法，其中，
所述发光装置的制造方法在通过所述覆盖树脂进行覆盖的工序之前，包括形成覆盖所述第一发光元件的上表面的第一透光性构件的工序。
20.根据权利要求18或19所述的发光装置的制造方法，其中，
所述发光装置的制造方法在通过所述覆盖树脂进行覆盖的工序之后，包括将所述基板以及所述覆盖树脂的至少一部分去除从而单片化为多个发光装置的工序。
21.根据权利要求20所述的发光装置的制造方法，其中，
在单片化为所述多个发光装置的工序中，将所述连接配线的至少一部分去除，从而单片化为包括所述第一发光元件的第一发光装置、以及包括所述第二发光元件的第二发光装置。
22.根据权利要求18～21中任一项所述的发光装置的制造方法，其中，
在准备所述基板的工序中，通过电镀法而形成的镀金层位于所述第一配线、所述第二配线、所述第三配线、所述第四配线以及所述连接配线的最表面。
23.根据权利要求18～22中任一项所述的发光装置的制造方法，其中，
所述发光装置的制造方法在通过所述覆盖树脂进行覆盖的工序之后，包括形成覆盖所述覆盖树脂的上表面的保护构件的工序。
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