JP2015038963A - 発光装置及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】少なくとも第1主面上に一対の接続端子3を備える基体4と、接続端子3と溶融性部材6によって接続された発光素子5と、発光素子5を被覆する光反射性部材7とを備える発光装置であって、接続端子3は、第1主面上において、発光素子5と接続される部位が接続端子3から突出した凸部3aを備えており、凸部3a及び溶融性部材6は、光反射性部材7に埋め込まれている発光装置。
【選択図】図2
Description
一方、電子機器の表示パネルのバックライト光源等として、サイドビュー型の発光装置が使用されている。
サイドビュー型の発光装置は、その実装形態が、上述したトップビュー型とは異なるために、実装の安定性、配光状態などにおいて、トップビュー型をそのまま適用することができない種々の制約がある。
また、より小型のチップによって、さらなる高出力又は高輝度等が求められる状況下、より一層の光取り出し効率の向上を実現する必要がある。
少なくとも第1主面上に一対の接続端子を備える基体と、
前記接続端子と溶融性部材によって接続された発光素子と、
該発光素子を被覆する光反射性部材と、を備える発光装置であって、
前記接続端子は、前記第1主面上において、前記発光素子と接続される部位が前記接続端子から突出した凸部を備えており、
該凸部及び前記溶融性部材は、前記光反射性部材に埋め込まれている発光装置である。
また、本発明は、
少なくとも第1主面上に凸部を有する一対の接続端子を備える基体を準備し、
基板上に半導体積層体を有し、かつ半導体積層体の同一面側に一対の電極を有する発光素子を、前記基体の第1主面上の凸部に載置し、溶融性部材によって前記発光素子の一対の電極と一対の接続端子とをそれぞれ接続し、
該接続端子の凸部及び前記溶融性部材の表面ならびに前記基体と前記発光素子との間を光反射性部材で埋め込む工程を備える発光装置の製造方法である。
本発明の発光装置の製造方法によれば、上述した発光装置を簡便かつ確実に製造することができる。
各図面が示す部材の大きさや位置関係等は、説明を明確にするため、誇張していることがある。
基体は、少なくとも第1主面に正負に対応する一対の接続端子を備える。これら接続端子は、通常、母材の少なくとも第1主面に形成されている。ここでの第1主面とは、基体又は母材の一方の表面を指す。
基体の形状は特に限定されないが、通常、後述する母材の形状に相当する形状となる。例えば、少なくとも第1主面が、長手方向に長いことが好ましく、さらに、長手方向に直交する短手方向を備えることがより好ましい。
母材は、どのような材料によって形成されていてもよい。例えば、金属、セラミック、樹脂、誘電体、パルプ、ガラス、紙又はこれらの複合材料、あるいはこれら材料と導電材料(例えば、金属、カーボン等)との複合材料等が挙げられる。金属としては、銅、鉄、ニッケル、クロム、アルミニウム、銀、金、チタン又はこれらの合金を含むものが挙げられる。樹脂としては、エポキシ樹脂、ビスマレイミドトリアジン(BT)樹脂、ポリイミド樹脂等が挙げられる。樹脂には、酸化チタンなどの白色顔料が含有されていてもよい。なかでも、セラミック、複合樹脂であることが好ましい。
母材がこのような材料によって形成される場合には、公知の製造技術を適用することで安価に調達することができる。
一対の接続端子は、基体の少なくとも第1主面上に形成されていればよい。
例えば、接続端子は、第1主面から、第1主面と第2主面との間に存在する面(つまり、端面)の上に延長して設けられているか、第1主面から、第1主面と第2主面との間に存在する端面の上を通って、さらに、第2主面上に延長して(例えば、断面視、U字状に)設けられていることが好ましい(図2の接続端子3、図8Cの接続端子43等参照)。ここで端面とは、第1主面と第2主面との間に存在する1つの端面の一部又は全部を意味するが、第1主面と第2主面との間に存在する特定の端面の一部又は全部に加えて、この特定の端面に隣接する1つ又は2つの端面の一部を含んでいてもよい。
凸部の形状、高さ、大きさ等は特に限定されるものではなく、基体の大きさ、接続端子の厚み、発光素子の大きさ等によって適宜調整することができる。
凸部は、例えば、後述する発光素子に形成されている一対の電極のそれぞれに対応する形状、大きさ及び位置に配置されていることが好ましい。また、凸部の平面形状は、円、楕円又は環、三角形又は四角形等の多角形あるいはこれらの角が丸められた形状、X、L、E、V字状等の多角形あるいはこれらの角が丸められた形状等が挙げられる。なかでも、凸部の平面視における外形の少なくとも一部が発光素子の電極の外形と一致する形状であることが好ましい。これによって、後述するように、セルフアライメント効果で実装性を向上させることができる。また、X形状等のように多角形の辺の一部(例えば、中央部)が内側に凹んだ形状が好ましい。凹んだ部分において溶融性部材を貯めやすく、発光素子の実装を安定させることができる。
凸部の側面における傾斜は垂直に近いほうが好ましい。これにより、その上に載置する発光素子が移動しにくくなり、発光素子の実装を安定させることができる。
接続端子は、部分的に厚み又は積層数が異なっていてもよい(図8B及び図9Bの接続端子43、図8C及び図9Cの凸部43a参照)。
放熱用の端子又は補強端子が接続端子の間に設けられる場合、ソルダーレジスト等の絶縁性の膜で被覆されていること又はそれぞれの端子の間に絶縁性の膜が設けられていることが好ましい。これにより、接続端子間と放熱用の端子または補強端子との溶融性部材のブリッジを防止することができる。
発光素子は、基体上に搭載されており、基体の第1主面において、第1主面上の接続端子と接続されている。
1つの発光装置に搭載される発光素子は1つでもよいし、複数でもよい。発光素子の大きさ、形状、発光波長は適宜選択することができる。複数の発光素子が搭載される場合、その配置は不規則でもよく、行列など規則的又は周期的に配置されてもよい。また、複数の発光素子は、直列、並列、直並列又は並直列のいずれの接続形態でもよい。
基板は、表面に複数の凸部又は凹凸を有するものであってもよい。また、C面、A面等の所定の結晶面に対して0〜10°程度のオフ角を有するものであってもよい。
基板は、第1半導体層との間に、中間層、バッファ層、下地層等の半導体層又は絶縁層等を有していてもよい。
第1電極及び第2電極は、半導体積層体の同一面側(基板が存在する場合にはその反対側の面)に形成されていることが好ましい。これにより、基体の正負の接続端子と発光素子の第1電極と第2電極を対向させて接合するフリップチップ実装を行うことができる。
反射率が高い材料としては、銀又は銀合金やアルミニウムを有する層が挙げられる。銀合金としては、当該分野で公知の材料のいずれを用いてもよい。この材料層の厚みは、特に限定されるものではなく、発光素子から出射される光を効果的に反射することができる厚み、例えば、20nm〜1μm程度が挙げられる。この材料層の第1半導体層又は第2半導体層との接触面積は大きいほど好ましい。
このような被覆層としては、通常、導電材料として用いられている金属及び合金によって形成されるものであればよく、例えば、アルミニウム、銅、ニッケル等の金属を含有する単層又は積層層が挙げられる。なかでも、AlCuを用いることが好ましい。被覆層の厚みは、効果的に銀のマイグレーションを防止するために、数百nm〜数μm程度が挙げられる。
DBRは、例えば、任意に酸化膜等からなる下地層の上に、低屈折率層と高屈折率層とを積層させた多層構造であり、所定の波長光を選択的に反射する。具体的には屈折率の異なる膜を1/4波長の厚みで交互に積層することにより、所定の波長を高効率に反射させることができる。材料として、Si、Ti、Zr、Nb、Ta、Alからなる群より選択された少なくとも一種の酸化物または窒化物を含んで形成することができる。
発光素子は、通常、第1電極及び第2電極が、溶融性部材によって上述した基体の接続端子、特に、凸部の上、場合によってはさらに凸部側面に接合されている。このような溶融性部材は、当該分野で公知の材料のいずれをも用いることができる。溶融性部材としては、加熱によって溶融し得る材料、例えば、錫-ビスマス系、錫-銅系、錫-銀系、金-錫系などの半田、低融点金属などのろう材等が挙げられる。なかでも、半田を用いることにより、セルフアライメント効果によって、発光素子を適所に実装することが容易となり、量産性を向上させ、より小型の発光装置を製造することができる。
溶融性部材は、少なくとも凸部の上面を被覆している。溶融性部材は、凸部の側面の一部又は全部、さらに凸部周辺の接続端子の第1主面を被覆してもよい。
光反射性部材は、光反射性を有し、少なくとも発光素子を被覆、固定又は封止する機能を有する部材である。また、上述した接続端子の凸部及び溶融性部材を埋め込む部材である。さらに、接続端子の凸部のうち、溶融性部材で被覆されていない部位、溶融性部材のうち発光素子の電極と接触していない部位、発光素子のうち、基体と対向する部位であって、溶融性部材と接触していない部位及びその端面の全てが、光反射性部材に接触し、被覆されていることが好ましい。このような配置によって、発光素子から出射される光を、基体、接続端子及び溶融性部材等によって吸収されることなく、光取り出し面側に効率的に取り出すことが可能となる。
そのために、上述した材料、例えば、樹脂に、二酸化チタン、二酸化ケイ素、二酸化ジルコニウム、チタン酸カリウム、アルミナ、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、ムライト、酸化ニオブ、硫酸バリウム、各種希土類酸化物(例えば、酸化イットリウム、酸化ガドリニウム)などの光反射材、光散乱材又はカーボンブラック等の着色剤等を含有させることが好ましい。
光反射性部材は、ガラスファイバー、ワラストナイトなどの繊維状フィラー、カーボン等の無機フィラーを含有させてもよい。また、放熱性の高い材料(例えば、窒化アルミ等)を含有させてもよい。さらに、光反射性部材には、後述する蛍光体を含有させてもよい。
これらの添加物は、例えば、光反射性部材の全重量に対して、10〜40重量%程度含有させることが好ましい。
さらに、放熱性の高い材料によって、発光装置の小型化を維持したまま、放熱性を向上させることができる。
光反射性部材は、発光素子の全周囲を取り囲むよう設けられることが好ましい。また、フリップチップ実装された発光素子と基体との間を充填するよう設けられることが好ましい。これにより、発光装置の強度を高めることができる。また、光反射性部材が発光素子の全周囲を取り囲むように設けられる場合には、光反射性部材は、発光装置の長手方向側において厚く、短手方向側において薄く設けられることが好ましい。これにより、発光装置の薄型化を図ることができる。
発光装置がサイドビュータイプとして実装される場合には、基体及び光反射性部材の短手方向の幅は、0.2mm〜0.4mmであることが好ましい。
光反射性部材は、スクリーン印刷、ポッティング、トランスファーモールド、コンプレッションモールド等により形成することができる。
発光装置の光取り出し面上には、透光性部材が設けられていることが好ましい。
透光性部材の端面は光反射性部材の端面と一致していてもよいし、透光性部材の端面は光反射性部材で被覆されていてもよい。このような透光性部材の配置により、発光素子から取り出される光を効率的に発光面に導くことができる。
蛍光体は、当該分野で公知のものを使用することができる。例えば、セリウムで賦活されたイットリウム・アルミニウム・ガーネット(YAG)系蛍光体、セリウムで賦活されたルテチウム・アルミニウム・ガーネット(LAG)系蛍光体、ユウロピウム及び/又はクロムで賦活された窒素含有アルミノ珪酸カルシウム(CaO−Al2O3−SiO2)系蛍光体、ユウロピウムで賦活されたシリケート((Sr,Ba)2SiO4)系蛍光体、βサイアロン蛍光体、KSF系蛍光体(K2SiF6:Mn)、量子ドット蛍光体等と呼ばれる半導体の微粒子などが挙げられる。これにより、可視波長の一次光及び二次光の混色光(例えば白色系)を出射する発光装置、紫外光の一次光に励起されて可視波長の二次光を出射する発光装置とすることができる。発光装置が液晶ディスプレイのバックライト等に用いられる場合、発光素子から発せられた青色光によって励起され、赤色発光する蛍光体(例えばKSF系蛍光体)と、緑色発光する蛍光体(例えばβサイアロン蛍光体)を用いることが好ましい。これにより、発光装置を用いたディスプレイの色再現範囲を広げることができる。
なお、蛍光体は、上記の部材中に含有されることに限られず、発光装置の種々の位置及び部材中に設けることができる。例えば、発光素子を被覆するように形成されてもよく、蛍光体を含有しない透光性部材の上に塗布、接着等された蛍光体層として設けられてもよい。
充填材は、例えば、透光性部材の重量に対して10〜60重量%程度が好ましい。
透光性部材は、配光を制御するために、その第1主面及び/又は第2主面を凸面、凹面等の凹凸面にしてもよい。
透光性部材は、発光素子が基体に実装される前に発光素子の上面に接着されて、発光装置に設けられてもよい。特に、発光素子が、半導体層の成長用の基板が除去された半導体積層体によって構成される場合には、例えば、ガラス、セラミック等の硬質な透光性部材に接着又は固定されることによって発光素子の強度が高まり、ハンドリング性、発光素子の実装の信頼性等を高めることができる。
本発明の発光装置には、絶縁部材が、接続端子の一部を被覆するように配置されていてもよい。
絶縁部材は、接続端子の素子接続部と外部接続部との間に配置されていることが好ましい。また、絶縁部材は、素子接続部から外部接続部の間で連結した領域を配置しないように、素子接続部と外部接続部との間の表面領域を完全に分離するよう配置されていることが好ましい。さらに、光反射性部材の縁部が、絶縁部材上に配置されるように接続端子の上に配置されていることが好ましい。
これにより、後述するように、発光装置をサイドビュー型で実装基板に実装する場合に、溶融性部材が、接続端子表面に沿って浸入して、発光装置の信頼性を低下させることを回避することができる。溶融性部材によって発光素子を接続端子に接続する際に、凸部及びその近傍からの溶融性部材の外部接続部への漏れを防止することができる。光反射性部材と基体との密着性を高め、光反射性部材が剥離するおそれを低減することができる。
特に、上述したように、光反射性部材が、長手方向に長い形状を有する場合、光反射性部材の長手方向における縁部が、絶縁部材上に配置されるように接続端子の上に配置されていることがより好ましい。これにより、基体が反る又は捩じれる場合にも、光反射性部材の剥離するおそれを低減することができる。光反射性部材が金型を用いて成形させる場合に、その金型と接続端子とが接触することに起因する、接続端子の損傷を防止することができる。
上述したように、接続端子は、第1主面上において、必ずしも同じ幅を有さないことがあるため、絶縁部材は、その一部が、接続端子の上のみならず、基体の上に配置される場合もある。
絶縁部材は、一対の接続端子のそれぞれを被覆するよう一対設けられてもよいし、一対の接続端子を連続して被覆してもよい。
具体的には、長手方向における絶縁部材の長さは、光反射性部材の1/10〜1/5程度の長さが挙げられる。
接続部材の幅は、基体及び/又は光反射性部材の幅と同じであるか、それ以下であることが好ましい。
このような幅とすることにより、基体及び/又は光反射性部材の一端面と同一面を形成でき、さらに、基体及び光反射性部材の対向する端面の双方と同一面を形成することができる。
特に、接続端子に幅狭となる部位が存在する場合には、その幅狭となる部位を完全に被覆することが好ましい。これによって、後述するように、サイドビュー型で実装基板に実装する場合に、半田が、接続端子表面に沿って浸入して、発光装置の信頼性を低下させることを回避することができる。
以下に本発明の発光装置の実施形態を、図面に基づいて具体的に説明する。
本実施形態の発光装置1は、図1〜図3に示すように、接続端子3を有する基体4と、発光素子5と、光反射性部材7とを含んで構成されている。
基体4は、ガラスエポキシ樹脂の直方体状の母材2の表面(第1主面である上面2a、短手方向に延びる端面2b及び第2主面である下面2c)に、母材2側からCu/Ni/Auが積層されて構成された一対の接続端子3が形成されて構成される。基体4は、長手方向の長さが2.2mm、短手方向の幅が0.4mm、厚さが0.3mmの配線基板として機能する。
接続端子3の長手方向に沿った縁部は、基体4の長手方向に沿った縁部に一致しており、接続端子3の長手方向に沿った端面は、基体4の長手方向に沿った端面と同一面を形成している。
発光素子5は、サファイア基板上に窒化物半導体の積層体が形成され、積層体のサファイア基板と反対側の表面に正負一対の電極を有する。発光素子5は、その正負一対の電極が、基体4の一対の接続端子3の凸部3aに、それぞれ、Au−Sn共晶半田である溶融性部材6によって接続されている。
このような接続端子の凸部3aを利用することによって、発光素子の実装時において、溶融状態の溶融性部材が凸部上から流れたとしても、凸部の周りに貯まりやすく、一対の接続端子の短絡、意図しない領域への溶融性部材の浸入を防止して、意図する部位にのみ正確に発光素子を固定することができる。
発光素子5は、長手方向の長さが0.8mm、短手方向の幅が0.3mm、厚さが0.1mmの直方体状の青色発光(発光中心波長455nm)のLEDチップである。
光反射性部材7は、発光素子5に接し、その端面の全周を被覆するように、基体4の第1主面に設けられている。また、光反射性部材7は、発光素子5の基体4と対向する面側にも設けられている。つまり、凸部3aを略完全に被覆した溶融性部材6との間に配置され、溶融性部材6の表面を略完全に被覆している。
これによって、発光素子5から上面に、効率良く光を取り出すことができる。
基体4上の光反射性部材7の両側では、接続端子3の幅狭の部位の一部と外部接続部が光反射性部材7から露出されている。
光反射性部材7の長手方向に沿った縁部は、基体4の長手方向に沿った縁部に一致しており、光反射性部材7の長手方向に沿った端面は、基体4の長手方向に沿った端面と同一面を形成している。
透光性部材10の端面は、光反射性部材7によって被覆されている。透光性部材10の上面と、光反射性部材7の上面とは同一面を形成している。
実装は、発光装置1の一対の外部接続部3bが、それぞれ、実装基板51の正極及び負極に対応する配線パターン52上に載置され、半田54により接続される。半田54は、U字状に屈曲した外部接続部3bにおいて、基体4の第1主面のみならず、端面及び第2主面にわたって、小型の接続端子3との接触面積を広げて、接続されている。これによって、発光装置の側面にフィレットを形成することができ、発光装置の放熱性及び実装安定性を向上させることができる。
この複合基体14は、母材12において、上面から裏面に及ぶスリット15を有している。複合接続端子13は、このスリット15の内壁を通って、複合基体14の母材12の上面から下面に連続して設けられている。
図5では、18個の発光装置を得る複合基体14を表しているが、生産効率を考慮して、より多数(数百〜数千個)の発光装置を得る複合基体14とすることができる。
切断には、ダイサー、レーザなどを用いることができる。
本実施形態の発光装置20は、図6に示すように、接続端子23を有する基体24と、複数の発光素子5と、光反射性部材27とを含んで構成されている。
接続端子23は、母材22の長手方向の両側において、上面、端面及び下面に延長して配置されている。また、母材22の上面においては、複数の発光素子5を、例えば、直列接続し得る端子25がさらに配置されている。
基体24の一面上において、接続端子23及び端子25は、素子接続部として凸部23aをそれぞれ有しており、この凸部23a上において発光素子5が溶融性部材6によって接続されている。
さらに、この発光装置は、線状又はマトリクス状のサイドビュー型の発光装置として利用することができる。従って、この発光装置は、個々のサイドビュー型の発光装置を、それぞれ実装基板に実装することと比較して、実装精度を向上させることができる。また、例えば、バックライト光源として、導光板とのアライメント性を向上させることができる。
この実施の形態の発光装置30は、図7に示すように、実施の形態1の発光装置、つまり、接続端子33において、素子接続部として凸部33aを備える発光装置が、そのまま、隣接する接続端子33、特に外部接続部33bを共有する形態で結合させたように、複数列方向又は行列方向に配列されている。つまり、隣接する発光素子5の間において、母材32にスルーホールを設け、このスルーホールを介して、基体34の接続端子33を基体34の下面側に引き出している。
このような構成以外は、実質的に実施の形態1の発光装置と同様の構成を有する。よって、実施の形態1と同様の効果を有する。さらに、実施の形態2と同様の効果を有する。
この実施の形態の発光装置40は、図8A〜図8Gに示すように、母材42の第1主面から端面を経て第2主面に連続して形成された接続端子43が、Cu/Ni/Auによって形成されており(厚み20μm)、第1主面及び第2主面においては、さらにCuによる層(厚み20μm)を有しており、接続端子部としてさらにCuによる凸部43a(厚み40μm)を有している。
なお、接続端子43は、まず、母材42の凸部43aに相当する部位にCuをメッキによって所定の形状に成膜し、その後、端面をマスクし、Cuによる凸部を含む第1主面及び第2主面にCuをメッキによって形成する。さらに、端面のマスクを除去して、第1主面、端面及び第2主面にNi/Auをメッキによって形成することにより、接続端子43を形成することができる。
基体の第2主面は、一対の接続端子43の基体の中央部に近い部分から、母材42及び補強端子43c上にわたって、絶縁性の膜8によって被覆されている。
成長用の基板の除去は、例えば、成長用の基板を有する発光素子5を一対の接続端子に実装し、光反射性部材7を配置した後に、成長用の基板であるサファイア基板を、このサファイア基板側から半導体層に、レーザ光(例えば、KrFエキシマレーザ)を照射し、半導体層と基板との界面で分解反応を生じさせ、基板を半導体層から分離する、レーザリフトオフ法を利用して行われる。
この際に、光反射性部材7によって発光素子の半導体層を被覆し、さらに、接続端子43の凸部43a及び溶融性部材6をともに被覆することによって、発光素子を確実に固定することができ、レーザ光の照射による応力を吸収し、サファイア基板を半導体層から効率的に除去することができる。
発光素子5aの第1主面上には、透光性部材10aとして、蛍光体を含有したセラミックス板が、透光性のシリコーン樹脂の接着材によって固定されている。透光性部材10aの端面は光反射性部材7によって被覆されている。
光反射性部材7の長手方向に対向する縁部は、絶縁部材9の上に配置されており、光反射性部材7の長手方向に沿った縁部は、絶縁部材9の長手方向に沿った縁部と一致している。また、絶縁部材9の長手方向に沿った縁部は、基体の長手方向に沿った縁部に一致しており、絶縁部材9の長手方向に沿った端面は、基体の長手方向に沿った端面と同一面を形成している。
絶縁部材9は、二酸化チタンを含有する白色のシリコーン樹脂によって、形成されている。
このように絶縁部材を配置することにより、後述するように、発光装置をサイドビュー型で実装基板に実装する場合に、半田が、接続端子表面に沿って浸入して、発光装置の信頼性を低下させることを回避することができる。また、溶融性部材によって発光素子を接続端子に接続する際に、凸部及びその近傍からの溶融性部材の外部接続部への漏れを防止することができる。
この実施の形態の発光装置50は、図9A〜図9Eに示すように、発光素子5の上に、透光性部材10bとして、透明のガラス板と、その表面にスプレーによって塗布された蛍光体層10cとが配置されている。
これらの構成以外は、実質的に実施の形態4の発光装置と同様の構成を有する。よって、実施の形態1及び4と同様の効果を有する。
この実施の形態の発光装置は、図10に示すように、接続端子53における凸部53aの平面形状がX字状に形成されている以外、実質的に実施の形態4及び5の発光装置と同様の構成を有する。よって、実施の形態1、4及び5と同様の効果を有する。
加えて、凸部形状をX字状とすることにより、平面視において凹んだ部位へ溶融性部材が貯まりやすく、発光素子の接続をより確実かつ強固とすることができる。
この実施の形態の発光装置60は、図11に示すように、母材62の長手方向の両端近傍にスルーホール62aを有し、接続部材63は、上面からスルーホール62aを通って下面に延長しており、端面を被覆しないこと以外は実質的に実施形態1及び4の発光装置と同様の構成を有する。よって、実施の形態1及び4と同様の効果を有する。
本実施形態の発光装置70は、図12A〜図12Gに示すように、母材72と、母材72の表面に設けられた接続端子73とを有する基体と、1つの発光素子5と、光反射性部材7とを含んで構成されている。発光素子5は、接続端子73に設けられた2つの凸部73aに溶融性部材6によって接続されている。また、図12Cに示すように、基体の裏面において、一対の接続端子73の間に絶縁性の膜78を有している。さらに、発光素子5と封止部材7の上面とを連続して被覆する、蛍光体を含有する透光性部材10dを備える。
母材72に配置される接続端子73のパターンの形状及び接続端子73の表面に形成された凸部73aの大きさが異なり、透光性部材10dの4つの端面が光反射性部材7の4つの端面と一致している以外は、実質的に実施形態1の発光装置と同様の構成を有する。よって、実施の形態1と同様の効果を有する。
ここで用いた発光素子5は、長手方向の長さが1.1mm、短手方向の幅が0.2mm、厚さが0.2mmの直方体状の青色発光(発光中心波長455nm)のLEDチップである。
基体は、長手方向の長さが3.5mm、短手方向の幅が0.4mm、厚さが0.2mmの略直方体形状である。光反射性部材7は、長手方向の長さが1.2mm、短手方向の幅が0.4mm、厚さが0.3mmの略直方体状に成形されている。
本実施形態の発光装置80は、図13A〜図13Gに示すように、母材82と、母材82の表面に設けられた接続端子83、第2の接続端子83eとを有する基体と、2つの発光素子5と、光反射性部材7とを含んで構成されている。
発光素子5の数と、母材82に配置される接続端子83のパターンの形状及び接続端子83の表面に形成された凸部83aの大きさが異なり、透光性部材10dの4つの端面が光反射性部材7の4つの端面と一致している以外は、実質的に実施形態1の発光装置と同様の構成を有する。よって、実施の形態1と同様の効果を有する。
2つの発光素子5は、長手方向の幅が1.1mm、短手方向の幅が0.2mm、厚みが0.2mmの略直方体であり、0.4mmの間隔で基体の長手方向に並んで実装されている。基体は、長手方向の長さが3.5mm、短手方向の幅が0.4mm、厚みが0.15mmの略直方体形状に成形されている。光反射性部材7は、基体の第1主面の中央に、長手方向の長さが3.0mm、短手方向の幅が0.4mm、厚さが0.2mmの略直方体状に成形されている。
母材82は、2つの発光素子5の間にスルーホール82dを有しており、そのスルーホール82dを埋め込んで第2の接続端子83eが裏面に及んでいる。つまり、第2の接続端子83eは、基体の裏面側において、2つの発光素子5の間に設けられている。より詳細には、2つの発光素子の直下にそれぞれ設けられた2つの絶縁性の膜88bの間に設けられている。なお、2つの絶縁性の膜84は、母材82と接し、それぞれ接続端子83と第2の接続端子83eと離間して設けられている。第2の接続端子83eは、基体の裏面側において絶縁性の膜に被覆されることなく露出しており、発光装置が実装された場合には、半田等の接合部材が接続されることで、放熱用の端子としても機能する。
そして、2つの発光素子5と封止部材7の上面とを連続して被覆する、蛍光体を含有する透光性部材10dを備える。
2、12、22、32、42、62、72、82 母材
2a 上面
2b 端面
2c 下面
3、23、33、43、53、63、73、83 接続端子
3a、13a、23a、43a、53a、63a、73a、83a 凸部
3b、33b 外部接続部
4、24 基体
5、5a 発光素子
6 溶融性部材
7、17、27 光反射性部材
8、78、84 絶縁性の膜
9 絶縁部材
10、10a、10b、10d 透光性部材
10c 蛍光体層
13、73c、83c 複合接続端子
14、72c、82c 複合基体
15、75、85 スリット
25 端子
43c、63b 補強端子
51 実装基板
52 配線パターン
54 半田
62a、82d スルーホール
83e 第2の接続端子
Claims (11)
- 少なくとも第1主面上に一対の接続端子を備える基体と、
前記接続端子と溶融性部材によって接続された発光素子と、
該発光素子を被覆する光反射性部材と、を備える発光装置であって、
前記接続端子は、前記第1主面上において、前記発光素子と接続される部位が前記接続端子から突出した凸部を備えており、
該凸部及び前記溶融性部材は、前記光反射性部材に埋め込まれていることを特徴とする発光装置。 - 発光装置がサイドビュー型の発光装置である請求項1に記載の発光装置。
- 前記基体と前記発光素子との間は、前記光反射性部材で埋め込まれている請求項1又は2に記載の発光装置。
- 前記発光素子の第1主面は、前記光反射性部材の第1主面と同一面を形成するか、前記光反射性部材の第1主面よりも高い位置にある請求項1〜3のいずれか1つに記載の発光装置。
- 前記発光素子の第1主面上に、前記発光素子からの光に励起される蛍光体を含有する透光性部材が配置されている請求項1〜4のいずれか1つに記載の発光装置。
- 前記透光性部材の端面及び前記発光素子の端面が前記光反射性部材に被覆されている請求項5に記載の発光装置。
- 前記接続端子は、前記基体の第1主面上から該第1主面とは反対側の面である第2主面に延長して設けられている請求項1〜6のいずれか1つに記載の発光装置。
- 前記接続端子は、前記第1主面上において、前記凸部と、前記発光装置の外部と接続される外部接続部とを有し、
前記凸部と前記外部接続部との間に前記接続端子の一部を被覆する絶縁部材を備える請求項1〜7のいずれか1つに記載の発光装置。 - 少なくとも第1主面上に凸部を有する一対の接続端子を備える基体を準備し、
基板上に半導体積層体を有し、かつ半導体積層体の同一面側に一対の電極を有する発光素子を、前記基体の第1主面上の凸部に載置し、溶融性部材によって前記発光素子の一対の電極と一対の接続端子とをそれぞれ接続し、
該接続端子の凸部及び前記溶融性部材の表面ならびに前記基体と前記発光素子との間を光反射性部材で埋め込む工程を備える発光装置の製造方法。 - さらに、前記発光素子から前記基板を剥離する工程を含む請求項9に記載の発光装置の製造方法。
- さらに、前記基板が剥離された前記半導体積層体の一面に透光性部材を配置する請求項10に記載の発光装置の製造方法。
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