CN104300068B - 发光装置及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种发光装置及其制造方法，即使是小型且薄型的发光装置，在发光元件向封装的搭载、发光装置向安装基板的安装中，也不会发生元件不良，可稳定且高精度地进行搭载或安装。本发明的发光装置具备：至少在第一主面上具备一对连接端子(3)的基体(4)；通过熔融性部件(6)与连接端子(3)连接的发光元件(5)；覆盖发光元件(5)的光反射性部件(7)，其中，连接端子(3)在第一主面上具备使与发光元件(5)连接的部位从连接端子(3)突出的凸部(3a)，凸部(3a)及熔融性部件(6)被光反射性部件(7)掩埋。

Description

发光装置及其制造方法
技术领域
本发明涉及发光装置及其制造方法。
背景技术
目前，提案有与芯片大致相同尺寸的芯片级封装(CSP)的发光装置(例如，日本特开2001－223391号公报)。该发光装置是顶视型的安装方式的发光装置，根据其用途，发光装置自身的厚度较薄，能够非常有效地利用。另外，该发光装置通过在封装所利用的引线电极上形成突起部，使批量生产效率提高，实现进一步的薄型化。
另一方面，作为电子设备的显示面板的背光灯光源等，使用有侧视型的发光装置。
例如，提案有如下的侧视型的发光装置，其包括：基体，其具有带凹部的芯片状的母材及形成在该母材的表面并与发光元件连接的一组端子；发光元件，其中，从发光元件的下方延伸设置的一组端子分别在母材的两端面附近的表面周向设置(例如，日本特开平8－264842号公报)。
侧视型的发光装置因为其安装方式与上述的顶视型不同，故而在安装的稳定性、配光状态等下，存在不能直接应用顶视型的种种制约。
专利文献1：(日本)特开2001－223391号公报
特别是，近年来，在要求更小型化及薄膜化的发光装置中，为了使芯片级的封装自身的占有空间最小限，正在推进基体的平坦化及缩小化。因此，用作端子的金属部件从板状引线电极转变成极薄的薄膜状地直接成膜于基体自身的金属膜。正在寻求如下的发光装置，即，即使将这种金属膜用于封装，特别是在侧视型的发光装置中，在发光元件向封装的搭载、发光装置向安装基板的安装中，也不会发生元件不良，可稳定且高精度地搭载或安装。
另外，在使光取出面朝向侧方而安装在安装基板上的侧面发光型的发光装置中，在与搭载有发光元件的端子的同一面，配置焊料等而进行安装。
而且，即使例如通过密封部件等将发光元件密封，配置在同一面的焊料等的一部分或焊料中含有的助熔剂也会沿着端子表面而侵入密封部件与端子之间，会使发光装置的可靠性下降。
特别是，在应对薄型化要求的发光装置中，由于搭载有发光元件的端子和由焊料等固定的端子接近，故而焊料等的侵入允许余量非常小，具有容易产生上述的不良情况的课题。
在通过更小型的芯片来寻求进一步的高输出或高亮度等的状况下，需要实现光取出效率的进一步的提高。
发明内容
本发明是鉴于上述课题而设立的，其目的在于提供一种发光装置，即使是小型且薄型的发光装置，在发光元件向封装的搭载、发光装置向安装基板的安装中，也不会发生元件不良，可稳定且高精度地搭载或安装。
本发明第一方面提供一种发光装置，具备：至少在第一主面上具备一对连接端子的基体；通过熔融性部件与所述连接端子连接的发光元件；覆盖该发光元件的光反射性部件，其中，所述连接端子在所述第一主面上具备凸部，该凸部与所述发光元件连接的部位从所述连接端子突出，所述凸部及所述熔融性部件被所述光反射性部件掩埋。
另外，本发明第二方面提供一种发光装置的制造方法，具备如下工序：准备至少在第一主面上具备具有凸部的一对连接端子的基体，将在基板上具有半导体层积体且在半导体层积体的同一面侧具有一对电极的发光元件载置在所述基体的第一主面上的凸部，通过熔融性部件分别将所述发光元件的一对电极和一对连接端子连接，由光反射性部件掩埋该连接端子的凸部及所述熔融性部件的表面以及所述基体和所述发光元件之间。
本发明第三方面提供一种发光装置，其为侧面发光型的发光装置，具备：至少在第一主面上具备一对连接端子的基体；与所述连接端子连接的发光元件；覆盖所述连接端子的一部分的绝缘部件；将所述发光元件密封的密封部件，其中，所述连接端子在所述第一主面上具备与所述发光元件连接的元件连接部、与所述发光装置的外部连接的外部连接部，所述绝缘部件与所述密封部件相接，并且配置在所述元件连接部与所述外部连接部之间。
根据本发明的发光装置，即使是小型且薄型的发光装置，在发光元件向封装的搭载、发光装置向安装基板的安装中，也不会发生元件不良，可稳定且高精度地实现搭载或安装。
根据本发明的发光装置的制造方法，能够简便且可靠地制造上述的发光装置。
附图说明
图1是本发明一实施方式的发光装置的概略立体图；
图2是图1的发光装置的A－A’线剖面图；
图3是图1的发光装置的平面透视图；
图4是表示图1的发光装置安装于安装部件的状态的概要立体图；
图5A是用于对图1的发光装置的制造方法进行说明的概略平面图；
图5B是图5A的B－B’线剖面图；
图6是本发明另一实施方式的发光装置的概略剖面图；
图7是本发明又一实施方式的发光装置的概略剖面图；
图8A是本发明再一实施方式的发光装置的概略平面图；
图8B是图8A的从箭头标记E侧看到的侧面图；
图8C是图8A的F－F’线剖面图；
图8D是图8A的G－G’线剖面图；
图8E是图8A的发光装置的基体的平面图；
图8F是图8E的基体的从箭头标记E侧看到的透视图；
图8G是图8E的基体的背面透视图；
图9A是本发明其他实施方式的发光装置的概略平面图；
图9B是图9A的从箭头标记E侧看到的侧面图；
图9C是图9A的F－F’线剖面图；
图9D是图9A的G－G’线剖面图；
图9E是图9A的发光装置的基体的平面图；
图10是表示本发明其他实施方式的发光装置的连接端子的凸部的形状的概略平面图；
图11是本发明再另一实施方式的发光装置的概略剖面图；
图12A是本发明再另一实施方式的发光装置的概略局部平面透视图；
图12B是图12A的侧面图；
图12C是图12A的剖面图；
图12D是图12A的发光装置的基体的平面图；
图12E是图12A的发光装置的基体的剖面图；
图12F是图12A的发光装置的基体的背面图；
图12G是用于对图12A的发光装置的制造方法进行说明的基体的概略平面图；
图13A是本发明再又一实施方式的发光装置的概略局部平面透视图；
图13B是图13A的侧面图；
图13C是图13A的剖面图；
图13D是图13A的发光装置的基体的平面图；
图13E是图13A的发光装置的基体的剖面图；
图13F是图13A的发光装置的基体的背面图；
图13G是用于对图13A的发光装置的制造方法进行说明的基体的概略平面图；
图14是本发明一实施方式的发光装置的概略立体图；
图15是图14的发光装置的A－A′线剖面图；
图16是图14的发光装置的平面透视图；
图17是表示图14的发光装置安装在安装部件上的状态的概略立体图；
图18A是用于说明图14的发光装置的制造方法的概略平面图；
图18B是图18A的B－B′线剖面图；
图19A是本发明其他实施方式的发光装置的平面图；
图19B是图19A的发光装置的C－C′线剖面图；
图20是本发明再一其他实施方式的发光装置的平面图。
标记说明
1、1A、20、20A、30、30A、40、50、60、70、80：发光装置
2、12、22、32、42、62、72、82：母材
2a：上面
2b：端面
2c：下面
3、23、33、43、53、63、73、83：连接端子
3a、13a、23a、43a、53a、63a、73a、83a：凸部
3b、33b：外部连接部
3c：元件连接部
4、24：基体
5、5a：发光元件
6：熔融性部件/接合部件
7、17、27：光反射性部件/密封部件
8、78、84：绝缘性的膜
9：绝缘部件
10、10a、10b、10d：透光性部件
10c：荧光体层
13、73c、83c：复合连接端子
14、72c、82c：复合基体
15、75、85：缝隙
25：端子
43c、63b：加强端子
51：安装基板
52：配线图案
54：焊料
62a、82d：通孔
83e：第二连接端子
具体实施方式
以下，适当参照附图对发明的实施方式进行说明。但是，以下说明的发光装置是用于将本发明的技术思想具体化的装置，只要没有特定的记载，就不将本发明限定在以下的构成。另外，在一实施方式、实施例中进行说明的内容也可应用于其他实施方式、实施例。
为了明确说明，各附图所示的部件的大小及位置关系等有时进行了夸张。
在一实施方式中，发光装置具备：具有一对连接端子的基体、发光元件、光反射性部件。该发光装置可以是利用于任何安装方式的发光装置，但优选是以称为侧视型、所谓的侧面发光型的安装方式进行安装的发光装置、即是以与光取出面邻接的面为安装面的发光装置。
另外，在其他实施方式中，发光装置包括：具有一对连接端子的基体；发光元件；密封部件；绝缘部件。
在本说明书中，将发光装置的光取出面称为上面，将与光取出面邻接或交叉的面称为侧面，将侧面中的一个侧面称为发光装置的安装面。伴随于此，往往将构成发光装置的各要素或各部件的面中的对应于发光装置的光取出面的面称为第一主面(即，上面)、将第一主面的相反侧的面称为第二主面(即，下面)、将与第一主面和第二主面邻接或交叉的面(即，对应于发光装置的侧面的面)称为端面。
〔基体〕
基体至少在第一主面具备正负对应的一对连接端子。这一对连接端子通常形成于母材的至少第一主面。在此的第一主面是指基体或母材的一表面。
基体的形状没有特别限定，但通常为相当于后述的母材的形状的形状。例如，至少第一主面优选在长度方向上较长，进而，更优选具备与长度方向正交的宽度方向。
(母材)
母材可以由任何材料形成。例如可举出：金属、陶瓷、树脂、电介质、纸浆、玻璃、纸或它们的复合材料、或者这些材料和导电材料(例如，金属、碳等)的复合材料等。作为金属，可举出：含有铜、铁、镍、铬、铝、银、金、钛或它们的合金的金属。作为树脂，可举出：环氧树脂、双马来酰亚胺三嗪(BT)树脂、聚酰亚胺树脂等。在树脂中也可以含有氧化钛等白色颜料。其中，优选为陶瓷、复合树脂。
在母材由这种材料形成的情况下，通过应用众所周知的制造技术，能够廉价地采购。
陶瓷可举出含有氧化铝、氮化铝、氧化锆、氮化锆、氧化钛、氮化钛或它们的混合物的陶瓷，优选使用散热性高的氮化铝等。复合树脂优选使用玻璃环氧树脂。此外，母材既可以是确保适度的强度的母材，也可以是具有所谓的柔软性的母材。
一个发光装置的母材的形状、大小、厚度等没有特别限定，可适当设定。其第一主面的(平面)形状例如可列举出：圆形、四边形等多边形或近似于这些形状的形状，其中，优选长方形。大小优选为比后述的发光元件还大的平面面积，特别优选具有发光元件的一边的2～5倍程度的长度的大小。厚度可列举50～300μm程度。
(连接端子)
一对连接端子只要形成在基体的至少第一主面上即可。
连接端子的缘部的一部分与基体的第一主面的缘部的一部分一致地形成为好。换言之，连接端子的端面的一部分和基体的端面的一部分形成同一面为好。由此，能够提高发光装置的安装性。在此，同一面是指没有或者几乎没有台阶差，允许数μm～数十μm程度的凹凸。在本申请说明书中以下相同。
连接端子在第一主面上具有与发光元件的电极连接的元件连接部(参照图15的3c)、与发光装置的外部连接的外部连接部(参照图2及图15的3b)。更加理想的是，外部连接部除了在基体的第一主面上延长之外，还在基体的第二主面上延长。
例如，连接端子优选从第一主面起延长到存在于第一主面和第二主面之间的面(即，端面)上而设置，或从第一主面起穿过存在于第一主面和第二主面之间的端面上，进而延长(例如，剖面视、U形地)到第二主面上(参照图2的连接端子3、图8C的连接端子43等)而设置。在此，端面是指存在于第一主面和第二主面之间的一个端面的一部分或全部，但也可以除了含有存在于第一主面和第二主面之间的特定的端面的一部分或全部以外，还含有与该特定的端面邻接的一个或两个端面的一部分。
通常，元件连接部配置在第一主面上，外部连接部配置在第一主面上，或者第一主面及端面上，或者第一主面、端面以及第二主面上(参照图3及图15)。
连接端子在基体的第一主面上具备使与发光元件连接的部位从连接端子的表面突出的凸部。以下，有时将该部位称为“元件连接部”。
凸部的形状、高度、大小等没有特别限定，可通过基体的大小、连接端子的厚度、发光元件的大小等适当调节。
凸部优选配置在例如分别对应于后述的形成于发光元件的一对电极的形状、大小及位置。另外，凸部的平面形状可列举出：圆、椭圆或环、三角形或四边形等多边形或者对它们的角进行了倒角的形状、X、L、E、V形等多边形或者对它们的角进行了倒角的形状等。其中，优选凸部的平面观察时的外形的至少一部分为与发光元件的电极的外形一致的形状。由此，如后所述，能够以自对准效应提高安装性。另外，优选如X形状等那样地使多边形的边的一部分(例如，中央部)凹向内侧的形状。在凹陷的部分，容易贮存熔融性部件，能够使发光元件的安装稳定。
凸部的侧面的倾斜优选近似垂直。由此，载置在其上的发光元件难以移动，能够使发光元件的安装稳定。
与发光元件连接的部位在一对连接端子中，通常在基体的第一主面上相互离开。因此，凸部能够与连接端子的缘部邻接或自缘部离开，使一部分邻接或一部分分离的方式配置。其中，优选凸部的整个缘部自连接端子的缘部离开而配置在其内侧(例如，参照图3的凸部3a、图5A的凸部13a、图8E及图9E的凸部43a)。通过这种凸部的配置，在发光元件的安装时，即使后述的熔融状态的熔融性部件从凸部上流下，也容易贮存在凸部的周围，能够防止一对连接端子的短路、熔融性部件向无意图的区域的渗入。因此，能够将发光元件正确地固定在意图部位。另外，能够抑制用于发光元件的安装的熔融性部件等或它们中所含有的助熔剂等沿着连接端子表面渗入到后述的光反射性部件下、进而发光元件下。
凸部的高度例如只要比基体的第一主面上的连接端子的最薄膜的部位更突出即可，优选为最薄膜的部位的厚度的10％以上、20％以上、30％以上、40％以上、50％以上、100％以上。换句话说，连接端子通常在第一主面的最薄膜部分的厚度为10～40μm程度的情况下，凸部的厚度可列举1～40μm程度。
连接端子例如可由Au、Pt、Pd、Rh、Ni、W、Mo、Cr、Ti、Fe、Cu、Al、Ag等金属或它们的合金的单层膜或层积膜而形成。其中，优选导电性及安装性优异的材料，更优选与发光装置的安装所使用的焊料的接合性及润湿性良好的材料。特别是，在散热性的观点上，优选铜或铜合金。也可以在连接端子的表面形成有银、铂、锡、金、铜、铑或它们的合金等光反射性高的覆膜。连接端子可具体地举出W/Ni/Au、W/Ni/Pd/Au、W/NiCo/Pd/Au等层积构造。
连接端子也可以部分性地厚度或层积数不同(参照图8B及图9B的连接端子43、图8C及图9C的凸部43a)。
连接端子也可以利用配线、引线框架等，可通过向母材表面的蒸镀、溅射法、镀敷等来形成。其中，优选利用镀敷。特别是，凸部至少在第一主面上形成有上述的金属或合金的单层膜或层积膜之后，可通过利用掩膜而在该单层膜或层积膜上进一步层积金属或合金的单层膜或层积膜来形成。另外，凸部在通过基体表面镀敷等形成了厚膜之后，能够通过蚀刻来去除凸部以外的部分的方式形成。根据该方法，容易使凸部侧面的倾斜近似垂直。另外，即使在使用复合基板的情况下，也能够减小镀敷的厚度(凸部的高度)的不均，故而能够提高批量生产率。连接端子的厚度可列举数μm～数百μm。
连接端子横跨在第一主面上、端面上及/或第二主面上，既可以不必是相同的宽度(例如，基体的宽度方向的长度)，也可以仅一部分窄幅或宽幅地形成。或者，也可以在基体的第一主面及/或第二主面中，以成为窄幅的方式将连接端子的一部分由绝缘材料(例如，母材等)覆盖。这种窄幅部位优选配置在基体的至少第一主面上(参照图3的连接端子3)，也可以配置在第一主面及第二主面上的双方(参照图8D及图8F的连接端子43)。特别是，窄幅部位更优选在基体的第一主面上配置在后述的光反射性部件附近。通过配置窄幅部位，能够抑制与连接端子连接的后述那样的焊料等或它们中所含有的助熔剂等沿着端子表面渗入到后述的光反射性部件下、进而发光元件下的情况。
另外，通过使元件连接部从基体的沿着长度方向的端面分离，在安装发光元件时，能够抑制后述那样的焊料等或其中含有的助熔剂等沿着端子表面侵入到后述的密封部件下，进而侵入到发光元件下的情况。
窄幅部位优选宽度比元件连接部窄。另外，窄幅部位优选平缓地成为窄幅(例如，参照图8E的连接端子43)。
此外，在连接端子分别从第一主面上延长到第二主面的情况下，不一定穿过端面上，也可以经过设于母材的通孔而延长。
另外，除了具有与发光元件电连接的连接端子以外，还可以具有散热用端子、散热器、加强部件等(例如，参照图8B及图9B的加强端子43c)。它们也可以配置在第一主面、第二主面、端面中的任一面上，特别是，优选配置在发光元件及/或光反射性部件的下方。由此，能够提高发光装置的强度，能够提高可靠性。另外，在光反射性部件利用模具成形的情况下，能够降低基体的变形，能够提高光反射性部件的成形性。
在散热用端子或加强端子设于连接端子之间的情况下，优选由阻焊剂等绝缘性的膜覆盖或在各自的端子之间设有绝缘性的膜。由此，能够防止连接端子间和散热用端子或加强端子的熔融性部件的桥接(ブリッジ)。
进而，在一个发光装置上配置多个发光元件的情况下，也可以具备一个以上的将多个发光元件电连接的进一步的连接端子。在这种情况下，可通过安装于一个基体的发光元件的数量、其排列、连接方式(并联及串联)等适当设定连接端子的形状及位置等(参照图6的端子25)。该连接端子在与发光元件连接的部位具备上述的凸部。
连接端子优选凸部的上面或凸部以外的第一主面平坦。另外，连接端子的第一主面及凸部的表面在将发光元件搭载于基体的情况下，优选与基体的第一主面水平，以使其能够水平地配置发光面。
基体既可以是其自身构成电容器、压敏电阻、齐纳二极管、桥式二极管等保护元件的基体，也可以是在其一部分具备实现这些元件的功能的构造的基体。通过利用实现这种元件功能的基体，不需要另外搭载零件就能够作为发光装置发挥功能。其结果，能够将提高了静电耐压等的高性能的发光装置进一步小型化。
〔发光元件〕
发光元件搭载在基体上，在基体的第一主面与第一主面上的连接端子连接。
搭载于一个发光装置的发光元件既可以是一个，也可以是多个。发光元件的大小、形状、发光波长可适当选择。在搭载多个发光元件的情况下，其配置既可以是不规则地配置，也可以是矩阵等规则性地或周期性地配置。另外，多个发光元件也可以是串联、并联、串并联或并串联中的任一种连接方式。
本发明的发光装置的发光元件依次层积有第一半导体层(例如，n型半导体层)、发光层、第二半导体层(例如，p型半导体层)作为半导体层积体，在同一面侧(例如，第二半导体层侧的面)具有与第一半导体层电连接的第一电极、与第二半导体层电连接的第二电极双方。半导体层积体通常层积在半导体层的生长用基板上，但作为发光元件，既可以带有生长用的基板，也可以去除了基板。
第一半导体层、发光层及第二半导体层的种类、材料没有特别限定，例如可列举出：III－V族化合物半导体、II－VI族化合物半导体等各种半导体。具体而言，可列举InXAlYGa1－X－YN(0≤X、0≤Y、X+Y≤1)等氮化物系的半导体材料，可使用InN、AlN、GaN、InGaN、AlGaN、InGaAlN等。各层的膜厚及层构造可利用该领域公知的构造。
作为半导体层的生长用基板，可列举能够使半导体层外延生长的基板。作为这种基板的材料，可列举：蓝宝石(Al2O3)、尖晶石(MgA12O4)那样的绝缘性基板、上述的氮化物系半导体基板等。作为半导体层的生长用基板，通过使用蓝宝石基板那样的具有透光性的基板，不用从半导体层积体上去除就能够用于发光装置。
基板也可以是表面具有多个凸部或凹凸的基板。另外，也可以是相对于C面、A面等规定的结晶面具有0～10°程度的截止角的基板。
基板也可以在与第一半导体层之间具有中间层、缓冲层、基底层等半导体层或绝缘层等。
半导体层的生长用基板可利用激光剥离法等进行去除，所述激光剥离法是从该生长用基板侧向半导体层照射透过基板的激光(例如，KrF准分子激光)，在半导体层和基板的界面上产生分解反应，将基板从半导体层分离。但是，生长用基板除了是从半导体层完全去除后的生长用基板以外，也可以是在半导体层的端部或角部残留有若干基板的生长用基板。生长用基板的去除在将发光元件安装于基体的前后均可进行。
半导体层积体在去除了半导体层的生长用基板的情况下，能够得到实现更薄型化、小型化的发光装置。另外，通过去除不直接有助于发光的层，能够阻止该层引起的从发光层出射的光的吸收。因而，能够进一步提高发光效率。其结果是，能够提高发光亮度。
半导体层积体的平面观察时的形状没有特别限定，优选四边形或近似于四边形的形状。半导体层积体的大小可根据发光装置的大小适当调节其上限。具体而言，半导体层积体的一边的长度可列举数百μm～10mm程度。
(第一电极及第二电极)
第一电极及第二电极优选形成于半导体层积体的同一面侧(在基板存在的情况下，其相反侧的面)。由此，能够进行使基体的正负连接端子与发光元件的第一电极和第二电极对向接合的倒装片安装。
第一电极及第二电极可由例如Au、Pt、Pd、Rh、Ni、W、Mo、Cr、Ti等金属或它们的合金的单层膜或层积膜形成。具体而言，可列举从半导体层侧起如Ti/Rh/Au、W/Pt/Au、Rh/Pt/Au、W/Pt/Au、Ni/Pt/Au、Ti/Rh等那样层积而成的层积膜。膜厚也可以为该领域所使用的膜的膜厚中的任一种。
另外，第一电极及第二电极优选分别在接近第一半导体层及第二半导体层的一侧配置对从发光层出射的光的反射率比电极的其他材料高的材料层作为这两个电极的一部分。
作为反射率高的材料，可列举具有银或银合金或铝的层。作为银合金，也可使用该领域公知的材料中的任一种。该材料层的厚度没有特别限定，可列举能够使从发光元件出射的光有效地反射的厚度，例如，20nm～1μm程度。该材料层的与第一半导体层或第二半导体层的接触面积越大越好。
此外，在使用银或银合金的情况下，为了防止银的迁移，优选形成覆盖其表面(优选上面及端面)的覆盖层。
作为这种覆盖层，通常只要由用作导电材料的金属及合金形成即可，例如可列举含有铝、铜、镍等金属的单层或层积层。其中，优选使用AlCu。覆盖层的厚度为了有效地地防止银的迁移，可列举数百nm～数μm程度。
第一电极及第二电极只要分别与第一半导体层及第二半导体层电连接，则电极的整个面也可以不与半导体层接触，第一电极的一部分也可以不位于第一半导体层上及/或第二电极的一部分不位于第二半导体层上。即，例如，也可以经由绝缘膜等将第一电极配置在第二半导体层上，还可以将第二电极配置在第一半导体层上。由此，能够容易地变更第一电极或第二电极的形状，故而能够容易地安装在一对连接端子上。
作为在此的绝缘膜，没有特别限定，也可以为该领域所使用的绝缘膜的单层膜及层积膜中的任一种。通过使用绝缘膜等，第一电极及第二电极不管第一半导体层及/或第二半导体层的平面面积如何，都能够设定为任意大小及位置。
第一电极及第二电极的形状可通过半导体层积体的形状、基体的连接端子(特别是，凸部)的形状等来设定。第一电极、第二电极及连接端子(特别是凸部)分别优选采用平面四边形或近似四边形的形状。由此，通过自对准效应，能够容易地进行半导体层积体和基体的接合及对位。在这种情况下，优选至少在与基体连接的半导体层积体的最表面使第一电极及第二电极的平面形状大致相同。另外，优选第一电极及第二电极分别以夹着半导体层积体的中央部分而对向的方式配置。
第一电极及第二电极的第一主面(半导体层相反侧的面)也可以具有台阶，但优选大致平坦。在此的平坦是指从半导体层积体的第二主面(第一主面相反侧的面)到第一电极的第一主面的高度、和从半导体层积体的第二主面到第二电极的第一主面的高度大致相同的意思。在此的大致相同是指允许半导体层积体的高度的±10％程度的波动。
这样，通过使第一电极及第二电极的第一主面大致平坦，即，实质上两者配置于同一面，容易将发光元件水平地安装于基体。为了形成这种第一电极及第二电极，可通过例如由镀敷等在电极上设置金属膜，其后，以成为平坦的方式进行抛光或切削来实现。
也可以分别在第一电极及第二电极和第一半导体层及第二半导体层之间，在不阻碍二者的电连接的范围内配置有DBR(分布布拉格反射器)层等。
DBR是例如在由氧化膜等构成的基底层上任意地层积有低折射率层和高折射率层的多层构造，选择性地反射规定的波长光。具体而言，通过将折射率不同的膜以1/4波长的厚度交替地层积，能够使规定的波长高效地反射。作为材料，可含有选自由Si、Ti、Zr、Nb、Ta、Al构成的组的至少一种氧化物或氮化物而形成。
〔熔融性部件〕
发光元件通常将第一电极及第二电极通过接合部件与上述的基体的连接端子接合。在一实施方式中，发光元件将第一电极及第二电极通过溶融性部件与上述的基体的连接端子、特别是凸部上接合，在某些情况下，还与凸部侧面接合。这种接合部件以及熔融性部件也能够使用该领域公知的材料中的任一种材料。具体地，可列举锡－铋系、锡－铜系、锡－银系、金－锡系等焊料、银、金、钯等导电性膏、凸片、各向异性导电材料、低融点金属等钎焊料等。作为熔融性部件，可列举通过加热而熔融的材料，例如上述的焊料、低融点金属等钎焊料等。其中，通过使用焊料，利用自对准效应容易将发光元件安装在适当部位，能够提高批量生产率，能够制造更小型的发光装置。
熔融性部件至少覆盖凸部的上面。熔融性部件也可以覆盖凸部的侧面的一部分或全部，进而覆盖凸部周边的连接端子的第一主面。
〔光反射性部件/密封部件〕
光反射性部件是具有光反射性，且具有至少覆盖、固定或密封发光元件的功能的部件。另外，是掩埋上述的连接端子的凸部及熔融性部件的部件。进而，连接端子的凸部中的未被熔融性部件覆盖的部位、熔融性部件中的不与发光元件的电极接触的部位、发光元件中的与基体对向的部位即不与熔融性部件接触的部位及其整个端面都与光反射性部件接触而被覆盖为好。通过这样的配置，从发光元件射出的光不会被基体、连接端子及熔融性部件等吸收，能够高效地取出到光取出面侧。
密封部件为至少具有覆盖、固定或密封发光元件的功能的部件。密封部件具有光反射性为好，作为上述光反射性部件起作用则更好。
光反射性部件及密封部件的材料没有特别限定，可列举陶瓷、树脂、电介质、纸浆、玻璃或它们的复合材料等。其中，从能够容易成形为任意的形状这种观点出发，优选树脂。
作为树脂，可列举热固性树脂、热塑性树脂等。具体而言，可列举环氧树脂组合物、硅树脂组合物、硅改性环氧树脂等改性环氧树脂组合物；环氧改性硅树脂等改性硅树脂组合物；聚酰亚胺树脂组合物、改性聚酰亚胺树脂组合物；聚邻苯二甲酰胺(PPA)；聚碳酸酯树脂；聚苯硫醚(PPS)；液晶聚合物(LCP)；ABS树脂；酚醛树脂；丙烯酸树脂；PBT树脂等树脂。
光反射性部件及密封部件优选由对来自发光元件的光的反射率为60％以上的材料、更优选70％、80％或90％以上的材料形成。
因此，优选在上述的材料例如树脂中含有二氧化钛、二氧化硅、二氧化锆、钛酸钾、三氧化二铝、氮化铝、氮化硼、莫来石、氧化铌、硫酸钡、各种烯土氧化物(例如，氧化钇、氧化钆)等光反射材料、光散射材料或炭黑等着色剂等。
光反射性部件及密封部件也可以含有玻璃纤维、钙硅石等纤维状填料、碳等无机填料。另外，也可以含有散热性高的材料(例如，氮化铝等)。进而，在光反射性部件及密封部件中也可以含有后述的荧光体。
这些添加物优选例如相对于光反射性部件的总重量含有10～40重量％程度。
由此，能够使来自发光元件的光高效地反射。特别是，通过使用光反射率比基体高的材料(例如，在基体使用氮化铝的情况下，作为光反射性部件，使用含有二氧化钛的硅树脂)，能够保持操作性，且能够减小基体的大小，从而进一步提高发光装置的光取出效率。
另外，能够提高去除、剥离半导体层的生长基板等工艺中的光反射性部件的强度，进而，在发光装置中也能够确保强度。
进而，通过散热性高的材料，在维持发光装置的小型化的状态下，能够提高散热性。
光反射性部件及密封部件的形状没有特别限定，例如可列举圆柱、四棱柱等多边形柱或近似其的形状、圆锥台、四棱锥台等多棱锥台等。其中，优选具有在基体的长度方向上细长的形状。另外，优选具有沿着基体的宽度方向的面。
光反射性部件及密封部件优选以包围发光元件的整个周围的方式设置。另外，优选以填充倒装片安装后的发光元件和基体之间的方式设置。由此，能够提高发光装置的强度。另外，在光反射性部件以包围发光元件的整个周围的方式设置的情况下，光反射性部件优选以在发光装置的长度方向侧较厚，且在宽度方向侧较薄的方式设置。由此，能够实现发光装置的薄型化。
在一实施方式中，光反射性部件及密封部件与绝缘部件相接且设置在发光元件与后述的绝缘部件之间为好。
光反射性部件及密封部件的平面观察时的缘部也可以配置在基体的缘部的内侧或外侧。在光反射性部件及密封部件为长度方向上细长的形状的情况下，沿着其长度方向的一个缘部优选与沿着基体的长度方向的缘部一致。即，沿着光反射性部件及密封部件的长度方向的端面的至少一方优选与沿着基体的长度方向的端面的一方形成同一面，沿着长度方向的端面的双方更优选形成同一面。由此，不会增大发光装置的厚度，能够增大光取出面的面积，能够提高光取出效率。宽度方向的缘部也可以配置在沿着基体的宽度方向的缘部的外侧，但通常配置在内侧。
在发光装置以侧视型安装的情况下，基体及光反射性部件的宽度方向的宽度优选为0.2mm～0.4mm。
光反射性部件及密封部件的大小优选为比发光元件还大的平面面积，特别优选具有发光元件的一边的2～5倍程度的一边的长度的大小。厚度可举出例如50～300μm程度。
光反射性部件及密封部件可通过丝网印刷、灌封、传递模塑、压缩模塑等来形成。
光反射性部件及密封部件在将发光元件安装于基体之前，也可以以覆盖发光元件的上面或侧面的方式设置，但通常为了密封或覆盖发光元件的侧面的整个面、发光元件的与基体对向的面等，优选在将发光元件安装于基体之后形成。
〔绝缘部件〕
在一实施方式中，发光装置具有绝缘性部件为好。
绝缘部件以与光反射性部件或密封部件相接且覆盖连接端子的至少一部分的方式配置，并且配置在连接端子的元件连接部与外部连接部之间为好。由此，如后所述地在将发光装置安装在安装基板上的情况下，能够避免焊料沿着连接端子表面侵入而使发光装置的可靠性下降的情况。
另外，绝缘部件以不配置从元件连接部到外部端子部之间连接的区域的方式，将元件连接部和外部连接部之间的表面区域完全分离而配置为好。另外，光反射性部件或密封部件的缘部以配置在绝缘部件上的方式配置在连接端子之上为好。由此，能够提高光反射性部件或密封部件与基体的紧密贴合性，能够降低光反射性部件或密封部件剥离的可能性。特别是，如上所述，在光反射性部件或密封部件具有在长度方向上伸长的形状的情况下，光反射性部件或密封部件的长度方向上的缘部以配置在绝缘部件上的方式配置在连接端子之上为好。由此，即使在基体翘曲或变形的情况下，也能够降低光反射性部件或密封部件剥离的可能性。另外，如上所述，连接端子在第一主面上不必具有相同的宽度，故而绝缘部件的一部分不仅配置在连接端子上，也配置在基体上。
绝缘部件既可以分别覆盖一对连接端子而设置一对，也可以将一对连接端子连续覆盖。
绝缘部件只要具有绝缘性，则可以由任何材料形成。例如，可使用上述的光反射性部件及密封部件、后述的透光性部件中示例的材料。其中，优选使用耐热性高的白色的硅树脂。
绝缘部件的形状不作特别限定，优选形成为从元件连接部的邻接部位连续到光反射性部件及密封部件的外部、即外部连接部的带状。
具体地，在长度方向上的绝缘部件的长度列举光反射性部件及密封部件的1/10～1/5左右的长度。
另外，绝缘部件的宽度与基体及/或密封部件的宽度相同，或者绝缘部件的宽度为基体及/或密封部件的宽度以下。
通过形成这样的宽度，能够与基体及/或密封部件的一端面形成同一面，另外，能够与基体及密封部件的对向的端面双方形成同一面。
特别是，在连接端子存在成为窄幅的部位的情况下，优选将成为该窄幅的部位完全覆盖。由此，如后所述，在将发光装置安装在安装基板上的情况下，能够避免焊料沿连接端子表面侵入而使发光装置的可靠性下降的情况。
绝缘部件能够通过将上述材料成形为片状进行粘贴的方法、印刷法、电泳沉积法、灌封、压缩成型、喷射、静电涂敷法等形成。
绝缘部件的厚度不作特别限定，例如列举10～300μm左右。
在光反射性部件及密封部件使用模具成形的情况下，优选绝缘部件从光反射性部件及密封部件的下方连续到外部连接部而形成。由此，能够防止对光反射性部件及密封部件进行成形能的模具和连接端子接触，防止连接端子的损伤。
〔透光性部件〕
优选在发光装置的光取出面上设有透光性部件。
透光性部件既可以为与光反射性部件及密封部件相同的部件，也可以为不同的部件。
透光性部件的端面也可以与光反射性部件及密封部件的端面一致，透光性部件的端面也可以由光反射性部件及密封部件覆盖。通过这种透光性部件的配置，能够将从发光元件取出的光高效地导入发光面。
透光性部件优选透过从发光层射出的光的60％以上，进而优选透过70％、80％或90％以上。作为这种部件，例如可列举：硅树脂、硅改性树脂、硅改性树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚碳酸酯树脂、丙烯酸树脂、TPX树脂、聚降冰片烯树脂或含有一种以上这些树脂的混合树脂等树脂、玻璃等。其中，优选硅树脂或环氧树脂，更优选耐光性、耐热性优良的硅树脂。
优选在透光性部件中含有荧光体。
荧光体可使用该领域公知的荧光体。例如可列举：由铈激活的钇·铝·石榴石(YAG)系荧光体、由铈激活的镥·铝·石榴石(LAG)系荧光体、由铕及/或铬激活的含氮的钙铝硅酸盐(CaO－Al2O3－SiO2)系荧光体、由铕激活的硅酸盐((Sr、Ba)2SiO4)系荧光体、β赛隆荧光体、KSF系荧光体(K2SiF6：Mn)、被称为量子点荧光体等的半导体微粒子等。由此，能够形成为射出可见波长的一次光及二次光的混色光(例如，白色系)的发光装置、被紫外光的一次光激发而射出可见波长的二次光的发光装置。在发光装置用于液晶显示器的背光灯等的情况下，优选使用由从发光元件发出的蓝色光激发而发红色光的荧光体(例如，KSF系荧光体)、发绿色光的荧光体(例如，β赛隆荧光体)。由此，能够扩大使用发光装置的显示器的色再现范围。
此外，荧光体不限于设置在上述的部件中，能够设置在发光装置的各种位置及部件中。例如，既可以以覆盖发光元件的方式形成，也可以设置为涂敷、粘接在不含有荧光体的透光性部件上等的荧光体层。
透光性部件还可以含有填充材料(例如，扩散剂、着色剂等)。例如可列举出：二氧化硅、氧化钛、氧化锆、氧化镁、碳酸镁、氢氧化镁、碳酸钙、氢氧化钙、硅酸钙、氧化锌、钛酸钡、氧化铝、氧化铁、氧化铬、氧化锰、玻璃、炭黑、荧光体的晶体或烧结体、荧光体和无机物的结合材料的烧结体等。也可以任意调节填充材料的折射率。例如，可列举1.8以上，为了使光高效地散射且得到较高的光取出效率，优选为2以上，更优选为2.5以上。
填充剂的粒子的形状也可以为粉碎状、球状、空心及多孔质等任一种。粒子的平均粒径(中值粒径)优选高效地得到光散射效果的0.08～10μm程度。
填充材料优选例如相对于透光性部件的重量为10～60重量％程度。
形成透光性部件的方法可列举出：将透光性部件成形为片状后通过热熔方式或粘接剂进行粘接的方法、电泳沉积法、灌封、压缩成型、喷射、静电涂敷法、印刷法等。这时，为了调节粘度或流动性，也可以添加二氧化硅(气相法二氧化硅)等。
透光性部件的厚度没有特别限定，例如可列举10～300μm程度。通过设定为这样的厚度，不管透光性部件的端面与光反射性部件的端面一致，还是被光反射性部件覆盖，都能够将从发光元件取出的光高效地导向发光面。
透光性部件为了控制配光，也可以将其第一主面及/或第二主面形成为凸面、凹面等凹凸面。
透光性部件也可以在将发光元件安装到基体前，粘接在发光元件的上面，并设置在发光装置上。特别是，在发光元件由去除了半导体层的生长用基板的半导体层积体构成的情况下，例如通过粘接或固定于玻璃、陶瓷等硬质的透光性部件，能够提高发光元件的强度，能够提高操作性、发光元件的安装的可靠性等。
以下，基于附图对本发明的发光装置的实施方式进行具体说明。
实施方式1
如图1～图3所示，本实施方式的发光装置1由具有连接端子3的基体4、发光元件5、光反射性部件7构成。
基体4通过在玻璃环氧树脂的长方体状母材2的表面(第一主面即上面2a、沿宽度方向延伸的端面2b及第二主面即下面2c)形成从母材2侧起依次层积Cu/Ni/Au而构成的一对连接端子3而构成。基体4作为长度方向的长度为2.2mm、宽度方向的宽度为0.4mm、厚度为0.3mm的配线基板发挥功能。
一对连接端子3在母材2的上面2a侧的中央部以相互接近的方式具有凸部3a作为元件连接部。凸部3a通过从母材2侧起层积有Cu/Ni/Au而形成。一对连接端子3分别从元件连接部即凸部3a起沿长度方向延伸，从母材2的上面2a经过端面2b连续到下面2c而形成。连接端子3从元件连接部即凸部3a延长而连续到母材2的下面2c的部位(剖面观察，U形的部位)成为外部连接部3b(参照图2)。
连接端子3的沿长度方向的缘部与基体4的沿长度方向的缘部一致，连接端子3的沿长度方向的端面与基体4的沿长度方向的端面形成同一面。
此外，连接端子3在元件连接部即凸部3a和外部连接部3b之间具有成为窄幅的部位(参照图3)。另外，虽未作图示，基体4的第二主面上的外部连接部3b的一部分具有成为窄幅的部位。
在基体4的凸部3a倒装片安装有一个发光元件5。
发光元件5在蓝宝石基板上形成有氮化物半导体的层积体，在层积体的蓝宝石基板相反侧的表面上具有正负一对电极。发光元件5的正负一对电极分别通过Au－Sn共晶焊料即熔融性部件6而与基体4的一对连接端子3的凸部3a连接。
通过利用这样的连接端子的凸部3a，在安装发光元件时，即使熔融状态的熔融性部件从凸部上流下，也容易贮存在凸部的周围，能够防止一对连接端子的短路、熔融性部件向无意图的区域的渗入，能够正确地将发光元件仅固定在意图部位。
发光元件5是长度方向的长度为0.8mm、宽度方向的宽度为0.3mm、厚度为0.1mm的长方体状的发蓝色光(发光中心波长455nm)的LED芯片。
光反射性部件7成形为长度方向的长度为1.2mm、宽度方向的宽度为0.4mm、厚度为0.3mm的大致长方体状。即，光反射性部件7的沿长度方向的缘部分别与基体4的沿长度方向的缘部一致。
光反射性部件7与发光元件5相接，以覆盖其端面的整个一周的方式设置在基体4的第一主面。另外，光反射性部件7也设置在发光元件5的与基体4对向的面侧。即，配置在大致完全被覆凸部3a的熔融性部件6之间，大致完全覆盖熔融性部件6的表面。
由此，能够高效地将光从发光元件5取出到上面。
光反射性部件7由相对于光反射性部件7的总重量而分别以2～2.5wt％及40～50wt％含有平均粒径14μm的二氧化硅和平均粒径0.25～0.3μm的氧化钛作为无机粒子的硅树脂形成。
在基体4上的光反射性部件7的两侧，连接端子3的窄幅的部位的一部分和外部连接部从光反射性部件7露出。
光反射性部件7的沿长度方向的缘部与基体4的沿长度方向的缘部一致，光反射性部件7的沿长度方向的端面与基体4的沿长度方向的端面形成同一面。
在发光元件5上、即在正负一对电极相反侧的表面上配置有含有YAG：Ce荧光体的硅树脂片(厚度0.1mm)即透光性部件10。
透光性部件10的端面由光反射性部件7覆盖。透光性部件10的上面和光反射性部件7的上面形成同一面。
如图4所示，这种发光装置1以基体4的沿长度方向的一对端面和光反射性部件7的沿长度方向的一对端面分别形成同一面的方式配置。以形成这些同一面的一方的端面为发光装置1的安装面，以侧视型安装在表面具有配线图案52的安装基板51上。
安装通过发光装置1的一对外部连接部3b分别载置在安装基板51的对应于正极及负极的配线图案52上，且通过焊料54来连接。焊料54在U形地弯曲的外部连接部3b，不仅跨越基体4的第一主面，而且还跨越端面及第二主面，扩大与小型连接端子3的接触面积而进行连接。由此，能够在发光装置的侧面形成圆角，能够提高发光装置的散热性及安装稳定性。
另外，通过在连接端子3中，在凸部3a和外部连接部3b之间配置成为窄幅的部位，能够抑制与外部连接部3b连接的如后所述的焊料等或该焊料中含有的助熔剂等渗入到光反射性部件7下的情况。
进而，光反射性部件的沿长度方向的端面及基体4的沿长度方向的端面双方都与安装基板11的表面接触。
光反射性部件7通过将其自身以极薄的壁状设置在发光元件5的周围，能够实现发光装置的充分的小型化。进而，通过使光反射性部件接触配置在发光元件的周边，能够使从发光元件放射的光中的沿横向射出的光通过光反射性部件反射到上方而取出，能够提高光的利用效率。
如图5A及图5B所示，这种发光装置1可利用在母材12上形成有复合连接端子13的复合基体14进行制造。该复合基体14通过在单片化工序后，将多个成为各发光装置的基体的部位连接而构成。
该复合基体14在母材12上，从上面到背面具有缝隙15。复合连接端子13穿过该缝隙15的内壁而从复合基体14的母材12的上面连续到下面而设置。
在图5中，表示的是可得到18个发光装置的复合基体14，考虑生产效率，能够形成为可得到更多个(数百～数千个)发光装置的复合基体14。
将发光元件5连接在这种复合基体14上，将平面观察与发光元件5大致相同形状的透光性部件10粘接在发光元件5上，以覆盖发光元件和透光性部件的端面的方式将多个光反射性部件17一并通过压缩成型而成形，然后将复合基体14和光反射性部件17沿着预定分割线L在一个方向切断。由此，通过缝隙15的配置，也能够在缝隙的延长方向上分离，能够以较少的工序得到单片化的发光装置。
在切断时可使用切片机、激光器等。
实施方式2
如图6所示，本实施方式的发光装置20由具有连接端子23的基体24、多个发光元件5、光反射性部件27构成。
连接端子23在母材22的长度方向的两侧，在上面、端面及下面延长配置。另外，在母材22的上面还配置有将多个发光元件5例如串联连接而得到的端子25。
在基体24的一面上，连接端子23及端子25分别具有凸部23a作为元件连接部，发光元件5通过熔融性部件6而连接在该凸部23a上。
发光元件5以多个排成一列的方式配置。此外，不仅排成一列，而且也可以配置在矩阵方向上。
光反射性部件27一体地密封这多个发光元件5。光反射性部件27的沿长度方向的端面与基体24的沿长度方向的端面形成同一面。光反射性部件27的在宽度方向上对向的缘部配置在基体24的内侧。
虽未作图示，优选在发光元件5之间，在基体24上形成有凹部或贯通孔，在该凹部或贯通孔内填充有光反射性部件27的一部分，光反射性部件27与基体24卡止。由此，能够提高光反射性部件27和基体24的紧密贴合性，能够防止光反射性部件27自基体24的剥离。
除了上述的构成以外，实质上还具有与实施方式1同样的构成。因此，表示与实施方式1同样的效果。
进而，该发光装置可用作线状或矩阵状的侧视型的发光装置。因此，该发光装置与将各侧视型的发光装置分别安装于安装基板的情况相比，能够提高安装精度。另外，例如，作为背光灯光源，能够提高与导光板的对准性。
实施方式3
如图7所示，该实施方式的发光装置30以如下方式排列在多列方向或矩阵方向上，即，在实施方式1的发光装置即连接端子33中具备凸部33a作为元件连接部的发光装置直接以共有邻接的连接端子33、特别是外部连接部33b的方式进行结合。即，在邻接的发光元件5之间，在母材32上设有通孔，经由该通孔将基体34的连接端子33引出到基体34的下面侧。
除了这种构成以外，实质上还具有与实施方式1的发光装置同样的构成。因而，具有与实施方式1同样的效果。进而，具有与实施方式2同样的效果。
实施方式4
如图8A～图8G所示，该实施方式的发光装置40从母材42的第一主面起经过端面连续到第二主面而形成的连接端子43由Cu/Ni/Au形成(厚度20μm)，在第一主面及第二主面上还具有Cu构成的层(厚度20μm)，作为连接端子部还具有Cu构成的凸部43a(厚度40μm)。
此外，连接端子43首先通过镀敷将Cu以规定形状成膜在母材42的相当于凸部43a的部位，之后，将端面作为掩模，通过镀敷将Cu形成在含有Cu构成的凸部的第一主面及第二主面上。进而，去除端面的掩膜，通过镀敷将Ni/Au形成在第一主面、端面及第二主面上，由此能够形成连接端子43。
基体在发光元件5a的对应于搭载区域的第二主面上具备加强端子43c。
基体的第二主面从一对连接端子43的接近基体的中央部的部分起跨越母材42及加强端子43c上而被绝缘性的膜8覆盖。
如图8E所示，连接端子43以一部分窄幅的方式形成在基体的第一主面上。另外，如图8G所示，连接端子43也以一部窄幅的方式形成在第二主面上。
如图8C所示，发光元件5a由半导体层积体和一对电极形成，半导体层的生长用基板已被去除。
生长用基板的去除利用例如激光剥离法来进行，所述激光剥离法是将具有生长用基板的发光元件5安装于一对连接端子，配置光反射性部件7，然后对生长用基板即蓝宝石基板从该蓝宝石基板侧向半导体层照射激光(例如，KrF准分子激光)，在半导体层和基板的界面产生分解反应，将基板从半导体层分离。
此时，通过由光反射性部件7覆盖发光元件的半导体层，进而一同覆盖连接端子43的凸部43a及熔融性部件6，能够可靠地固定发光元件，能够吸收激光的照射产生的应力，能够高效地将蓝宝石基板从半导体层去除。
发光元件5a的一对电极通过由连接端子43的凸部43a和Au－Sn的共晶焊料构成的熔融性部件6来接合。
在发光元件5a的第一主面上，通过透光性硅树脂的粘接材料固定有含有荧光体的陶瓷板作为透光性部件10a。透光性部件10a的端面被光反射性部件7覆盖。
另外，在连接端子43上、在凸部43a和外部连接部之间配置有绝缘部件9。绝缘部件9成形为长度方向的长度为0.5mm、宽度方向的宽度为0.4mm、厚度为0.02mm的大致长方体状。绝缘部件9从光反射性部件7的端面起在长度方向上露出0.3mm。绝缘部件9对连接端子3的成为窄幅的部位和其周边进行覆盖。
光反射性部件7的在长度方向上对向的缘部配置在绝缘部件9上，光反射性部件7的沿长度方向的缘部与绝缘部件9的沿长度方向的缘部一致。另外，绝缘部件9的沿长度方向的缘部与基体的沿长度方向的缘部一致，绝缘部件9的沿长度方向的端面与基体的沿长度方向的端面形成同一面。
绝缘部件9由含有二氧化钛的白色硅树脂形成。
通过这样配置绝缘部件，如后所述，在将发光装置以侧视型安装于安装基板的情况下，能够避免焊料沿着连接端子表面渗入而使发光装置的可靠性下降的情况。另外，在通过熔融性部件将发光元件与连接端子连接时，能够防止熔融性部件自凸部及其附近向外部连接部的漏出。
除了具有这种构成以外，实质上还具有与实施方式1的发光装置同样的构成。因此，具有与实施方式1同样的效果。
实施方式5
如图9A～图9E所示，该实施方式的发光装置50在发光元件5上配置有透明的玻璃板和通过喷射而涂敷于其表面的荧光体层10c作为透光性部件10b。
除了具有这些构成以外，实质上还具有与实施方式4的发光装置同样的构成。因而，具有与实施方式1及4同样的效果。
实施方式6
如图10所示，该实施方式的发光装置除了连接端子53的凸部53a的平面形状形成为X字状以外，实质上还具有与实施方式4及5的发光装置同样的构成。因而，具有与实施方式1、4及5同样的效果。
此外，通过将凸部形状设为X形，容易向平面观察凹陷的部位贮存熔融性部件，能够更可靠且强固地实现发光元件的连接。
实施方式7
如图11所示，该实施方式的发光装置60在母材62的长度方向的两端附近具有通孔62a，连接部件63从上面穿过通孔62a延长到下面，不覆盖端面，除此以外，实质上还具有与实施方式1及4的发光装置同样的构成。因此，具有与实施方式1及4同样的效果。
实施方式8
如图12A～图12G所示，本实施方式的发光装置70由具有母材72和形成于母材72表面的连接端子73的基体、一个发光元件5、光反射性部件7构成。发光元件5通过熔融性部件6而与设于连接端子73的两个凸部73a连接。另外，如图12C所示，在基体的背面，在一对连接端子73之间具有绝缘性的膜78。还具备连续覆盖发光元件5和密封部件7的上面的含有荧光体的透光性部件10d。
配置于母材72的连接端子73的图案的形状及形成于连接端子73的表面的凸部73a的大小不同，透光性部件10d的四个端面与光反射性部件7的四个端面一致，除此以外，实质上还具有与实施方式1的发光装置相同的构成。因此，具有与实施方式1相同的效果。
在此使用的发光元件5是长度方向的长度为0.8mm、宽度方向的宽度为0.3mm、厚度为0.1mm的长方体状的发蓝色光(发光中心波长455nm)的LED芯片。
基体为长度方向的长度为1.8mm、宽度方向的宽度为0.4mm、厚度为4.5mm的大致长方体形状。光反射性部件7成形为长度方向的长度为1.2mm、宽度方向的宽度为0.4mm、厚度为0.3mm的大致长方体状。
如图12G所示，该发光装置70与实施方式1同样，可使用在母材72c上形成有复合连接端子73c的复合基体进行制造。该复合基体通过在单片化工序后，将多个图12D及图12E所示的各发光装置的基体的部位连接而构成。两个发光元件5通过溶融性部件6与设于连接端子83和第二连接端子83e的四个凸部83a接合。
实施方式9
如图13A～图13G所示，本实施方式的发光装置80由具有母材82、形成于母材82表面的连接端子83和第二连接端子83e的基体、两个发光元件5、光反射性部件7构成。
发光元件5的数量和配置于母材82的连接端子83的图案的形状及形成于连接端子83的表面的凸部83a的大小都不同，透光性部件10d的四个端面与光反射性部件7的四个端面一致，除此以外，实质上还具有与实施方式1的发光装置相同的构成。因此，具有与实施方式1相同的效果。
两个发光元件5是长度方向的宽度为1.1mm、宽度方向的宽度为0.2mm、厚度为0.2mm的大致长方体，以0.4mm的间隔在基体的长度方向上排列安装。基体成形为长度方向的长度为3.5mm、宽度方向的宽度为0.4mm、厚度为0.15mm的大致长方体形状。光反射性部件7在基体的第一主面的中央成形为长度方向的长度为3.0mm、宽度方向的宽度为0.4mm、厚度为0.2mm的大致长方体状。
母材82在两个发光元件5之间具有通孔82d，第二连接端子83e以掩埋该通孔82d的方式设置到背面。即，第二连接端子83e在基体的背面侧设于两个发光元件5之间。更详细地，设置在分别设于两个发光元件的正下方的两个绝缘性的膜84之间。此外，两个绝缘性的膜84以与母材82相接，且分别与连接端子83和第二连接端子83e分开的方式设置。第二连接端子83e在基体的背面侧不被绝缘性的膜覆盖，而是露出，在安装有发光装置的情况下，通过连接焊料等接合部件，也作为散热用的端子发挥功能。
而且，具备连续覆盖两个发光元件5和密封部件7的上面的含有荧光体的透光性部件10d。
该发光装置80与实施方式1同样，可使用图13G所示的在母材82c上形成有复合连接端子83c的复合基体进行制造。该复合基体通过在单片化工序后将多个图13D及图13E所示的各发光装置的基体的部位连接而构成。
实施方式10
如图14～图16所示，本实施方式的发光装置1A由具有连接端子3的基体4、发光元件5、密封部件7、绝缘部件9而构成。
基体4在玻璃环氧树脂的长方体状的母材2的表面(第一主面即上面2a、在宽度方向上延长的端面2b以及第二主面即下面2c)形成自母材2侧起层积Cu/Ni/Au而构成的一对连接端子3。基体4作为长度方向的长度为2.2mm、宽度方向的宽度为0.4mm、厚度为0.3mm的配线基板而起作用。
一对连接端子3在母材2的上面侧的中央部相互接近而构成元件连接部3c。一对连接端子3分别从元件连接部3c在长度方向上延长，从母材2的上面2a经过端面2b而连续到下面2c形成。连接端子3的从元件连接部3c延长而连续到母材2的下面2c的部位(剖面看为U形的部位)为外部连接部3b(参照图15)。
连接端子3的沿长度方向的缘部与基体4的沿长度方向的缘部一致，连接端子3的沿长度方向的端面与基体4的沿长度方向的端面形成同一面。
另外，连接端子3在元件连接部3c与外部连接部3b之间具有成为窄幅的部位(参照图16)。另外，虽未作图示，基体4的第二主面上的外部连接部3b的一部分具有成为窄幅的部位。
在基体4的元件连接部3c倒装片安装有一个发光元件5。
发光元件5在蓝宝石基板上形成氮化物半导体的层积体，在层积体的蓝宝石基板相反侧的表面具有正负一对电极。发光元件5的正负一对电极在基体4的一对元件连接部3c分别通过Au－Sn结晶焊料即接合部件6而连接。
发光元件5为长度方向的长度为0.8mm，宽度方向的宽度为0.3mm，厚度为0.1mm的长方体状的发蓝色光(发光中心波长455nm)的LED芯片。
密封部件7形成为长度方向的长度为1.2mm、宽度方向的宽度为0.4mm、厚度为0.3mm的大致长方体形状。即，密封部件7的沿长度方向的缘部分别与基体4的沿长度方向的缘部一致。
密封部件7与发光元件5相接并以覆盖其端面整周的方式设置在基体4的第一主面。另外，密封部件7既设置在发光元件5的与基体4对向的面侧，也配置在接合部件6之间。
由此，能够从发光元件5有效地将光取出到上面。
密封部件7通过相对于密封部件7的整个重量分别以2～2.5wt％及40～50wt％含有平均粒径为14μm的二氧化硅、作为无机粒子的平均粒径为0.25～0.3μm的氧化钛的硅树脂而形成。
在基体4上的密封部件7的两侧，连接部件3的窄幅部位的一部分和外部连接部从密封部件7露出。
密封部件7的沿长度方向的缘部与基体4的沿长度方向的缘部一致，密封部件7的沿长度方向的端面与基体4的沿长度方向的端面形成同一面。
在连接端子3上，在元件连接部3c与外部连接部3b之间配置有绝缘部件9。绝缘部件9成形为长度方向的长度为0.5mm、宽度方向的宽度为0.4mm、厚度为0.02mm的大致长方体状。绝缘部件9从密封部件7的端面在长度方向上露出0.3mm。绝缘部件9覆盖连接端子的窄幅部位及其周边。
密封部件7的在长度方向上对向的缘部配置在绝缘部件9之上，密封部件7的沿长度方向的缘部与绝缘部件9的沿长度方向的缘部一致。另外，绝缘部件9的沿长度方向的缘部与基体4的沿长度方向的缘部一致，绝缘部件9的沿长度方向的端面与基体4的沿长度方向的端面形成同一面。
绝缘部件9通过含有二氧化钛的白色的硅树脂而形成。
在发光元件5上、即正负一对电极相反侧的表面配置有含有YAG：Ce的荧光体的硅树脂的片材(厚度0.1mm)即透光性部件10。
透光性部件10的端面被密封部件7覆盖。透光性部件10的上面和密封部件7的上面形成同一面。
如图17所示，这样的发光装置1A分别将基体4的沿长度方向的两个端面和密封部件7的沿长度方向的两个端面形成同一面而配置。将形成这些同一面的一端面作为发光装置1A的安装面，在表面具有配线图案52的安装基板51上以侧面安装型进行安装。
安装通过发光装置1A的一对外部连接部3b分别载置在安装基板51的对应于正极及负极的配线图案52上，且通过焊料54来连接。焊料54在U形地弯曲的外部连接部3b，不仅跨越基体4的第一主面，而且还跨越端面及第二主面而进行连接，在小型的连接端子3之间，能够扩大接触面积而进行连接。由此，能够在发光装置1A的侧面形成圆角。其结果，能够提高发光装置1A的散热性，另外，能够提高发光装置1A的安装稳定性。
另外，通过在连接端子3中，在元件连接部3c和外部连接部3b之间配置成为窄幅的部位，能够抑制与外部连接部3b连接的焊料54等或该焊料中含有的助熔剂等渗入到密封部件7下的情况。
进而，密封部件7的沿长度方向的端面及基体4的沿长度方向的端面双方都与安装基板11的表面相接。
密封部件7通过将其自身以极薄的壁状设置在发光元件5的周围，能够实现发光装置1的充分的小型化。进而，通过由光反射性或遮光性材料成形密封部件7，能够使从发光元件5放射的光中的沿横向射出的光通过密封部件7反射到上方而取出，能够提高光的利用效率。
如图18A及图18B所示，这种发光装置1A可利用在母材12上形成有复合连接端子13的复合基体14进行制造。该复合基体14通过在单片化工序后，将多个成为各发光装置1A的基体的部位连接而构成。
该复合基体14在母材12上，从上面到背面具有缝隙15。复合连接端子13穿过该缝隙15的内壁而从复合基体14的母材12的上面连续到下面而设置。
在图18A中，表示的是可得到18个发光装置1A的复合基体14，考虑生产效率，能够形成为可得到更多个(数百～数千个)发光装置1A的复合基体14。
在这样的复合基体14上，在多个基体上一并形成绝缘部件19。然后，连接发光元件5，将平面观察与发光元件5大致相同形状的透光性部件10粘接在发光元件5上，之后，以覆盖发光元件5和透光性部件10的端面的方式将多个光反射性部件17一并通过压缩成型而成形，然后将复合基体14和光反射性部件17沿着预定分割线L在一个方向切断。由此，通过缝隙15的配置，也能够在缝隙的延长方向上分离，能够以较少的工序得到单片化的发光装置1A。
在切断时可使用切片机、激光器等。
实施方式11
如图9A及图9B所示，本实施方式的发光装置20A由具有连接端子23的基体24、多个发光元件5、光反射性部件27构成。
连接端子23在母材22的长度方向的两侧，在上面、端面及下面延长配置。另外，在母材22的上面还配置有将多个发光元件5例如串联连接而得到的端子25。
将多个发光元件5排成一列而配置。此外，不仅排成一列，而且也可以配置在矩阵方向上。
密封部件27一体地密封这多个发光元件5。密封部件27的沿长度方向的端面与基体24的沿长度方向的端面形成同一面。密封部件27的在宽度方向上对向的缘部配置在基体24的内侧。
绝缘部件29以在其上配置密封部件27的在宽度方向上对向的缘部的方式进行配置。
虽未作图示，优选在发光元件5之间，在基体24上形成有凹部或贯通孔，在该凹部或贯通孔内填充有密封部件27的一部分，密封部件27与基体24卡止。由此，能够提高密封部件27和基体24的紧密贴合性，能够防止密封部件27自基体24的剥离。
除了上述的构成以外，实质上还具有与实施方式10同样的构成。因此，表示与实施方式10同样的效果。
进而，该发光装置可用作线状或矩阵状的侧面发光型发光装置。因此，该发光装置与将各侧面发光型发光装置分别安装于安装基板的情况相比，能够提高安装精度。另外，例如，作为背光灯光源，能够提高与导光板的对准性。
实施方式12
如图20所示，该实施方式的发光装置30A以如下方式排列在多列方向或矩阵方向上，即，在实施方式10的发光装置直接以共有邻接的连接端子33、特别是外部连接部33b的方式进行结合。即，在邻接的发光元件5之间，在母材32上设有通孔，经由该通孔将基体34的连接端子33引出到基体34的下面侧。
除了这种构成以外，实质上还具有与实施方式10的发光装置同样的构成。因而，具有与实施方式10同样的效果。进而，具有与实施方式2同样的效果。
产业上的可利用性
本发明的发光装置可用于液晶显示器的背光灯光源、各种照明器具、大型显示器、广告、出行指南等各种显示装置、以及数码摄像机、传真、复印机、扫描仪等图像读取装置、投影仪等。

Claims (10)

1.一种发光装置的制造方法，具备如下工序：
准备至少在第一主面上具备具有凸部的一对连接端子的基体，
将在基板上具有半导体层积体且在半导体层积体的同一面侧具有一对电极的发光元件载置在所述基体的第一主面上的凸部，通过熔融性部件分别将所述发光元件的一对电极和一对连接端子连接，
由光反射性部件掩埋该连接端子的凸部及所述熔融性部件的表面以及所述基体和所述发光元件之间。
2.如权利要求1所述的发光装置的制造方法，其中，
还包括从所述发光元件剥离所述基板的工序。
3.如权利要求2所述的发光装置的制造方法，其中，
进而在剥离了所述基板的所述半导体层积体的一面配置透光性部件。
4.一种发光装置，其为侧面发光型的发光装置，具备：
至少在第一主面上具备一对连接端子的基体；
与所述连接端子连接的发光元件；
覆盖所述连接端子的一部分的绝缘部件；
将所述发光元件密封的密封部件，其特征在于，
所述连接端子在所述第一主面上具备与所述发光元件连接的元件连接部、与所述发光装置的外部连接的外部连接部，
所述绝缘部件与所述密封部件相接，并且配置在所述元件连接部与所述外部连接部之间。
5.如权利要求4所述的发光装置，其中，
所述基体的第一主面及密封部件在长度方向上延长，
所述密封部件的长度方向上的缘部配置在所述绝缘部件上。
6.如权利要求4或5所述的发光装置，其中，
所述基体的第一主面以及密封部件具有在长度方向上伸长的形状，
沿所述长度方向将所述基体的端面和所述密封部件的端面形成同一面。
7.如权利要求4或5所述的发光装置，其中，
在所述发光元件的第一主面上配置有含有被来自所述发光元件的光激发的荧光体的透光性部件。
8.如权利要求7所述的发光装置，其中，
所述透光性部件的端面被所述密封部件覆盖。
9.如权利要求8所述的发光装置，其中，
所述密封部件由遮光性材料形成。
10.如权利要求9所述的发光装置，其中，
所述连接端子分别从所述基体的第一主面上延长到该第一主面相反侧的第二主面上而设置。
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