JP5463901B2 - 発光装置 - Google Patents
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Description
(1)発光装置の発光面となる表面と受光面とを有する光透過部材と、前記受光面に結合された出射面と、該出射面に対向し、半導体素子構造が設けられた表面とを有する透光性基板を備えた発光素子と、光反射性材料を含有し、前記発光面を露出して、前記発光素子の側面と、該側面から延在して前記光透過部材の一部と、を被覆する被覆部材と、を備え、前記発光素子は、前記透光性基板の表面上に、分離部と、前記半導体素子構造が該分離部により互いに分離されて、該分離された半導体素子構造の各領域に設けられた複数の発光構造部と、を有し、前記被覆部材は、前記分離部と、該分離部に隣接する前記発光構造部とを被覆して、該被覆側表面に光反射部を有する発光装置。
(2)前記発光構造部が、前記分離部により、独立して発光可能なように互いに分離された半導体素子構造にそれぞれ設けられている上記(1)に記載の発光装置。
(3)前記発光構造部が、前記分離部により互いに分離され、前記半導体素子構造の一部で互いに接続されて同時に発光可能である上記(1)に記載の発光装置。
(4)前記半導体素子構造が、分離部に、前記発光構造部からの発光が発光素子外部に出射可能な素子構造表面を有する上記(1)〜(3)のいずれか1つに記載の発光装置。
(5)前記発光素子が、該側面に、前記発光構造部からの発光が発光素子外部に出射可能な素子構造表面を有する上記(1)〜(4)のいずれか1つに記載の発光装置。
(6)前記分離部の底面に、前記透光性基板の表面が露出されている上記(1)〜(5)のいずれか1つに記載の発光装置。
(7)前記被覆部材は、前記分離部において、前記透光性基板の表面を被覆して前記被覆部材と前記透光性基板の表面との界面に前記光反射部が設けられる上記(6)に記載の発光装置。
(8)前記透光性基板の表面は、凹凸構造を有し、該凹凸構造上に前記半導体素子構造、前記分離部が配置されると共に、前記分離部の底面に露出された前記透光性基板の表面に、前記被覆部材が設けられる上記(1)〜(7)のいずれか1つに記載の発光装置。
(9)前記被覆部材は、前記光透過部材の側面から、前記半導体素子構造及び透光性基板の側面を連続して被覆する上記(1)〜(8)のいずれか1つに記載の発光装置。
(10)前記分離部が、前記発光構造部の発光を発光素子外部に出射可能な素子構造表面、又は該素子構造表面と該発光を発光素子外部に出射可能な前記透光性基板の表面を有し、前記被覆部材が、前記分離部内の空隙を介して、前記分離部と、前記半導体素子構造を被覆している上記(1)〜(6)のいずれか1つに記載の発光装置。
(11)前記半導体素子構造が、前記発光構造部の発光を発光素子外部に出射可能な素子構造表面を有し、前記被覆部材が、該素子構造表面において、空隙を介して被覆する領域と、直接被覆する領域とを有する上記(1)〜(10)のいずれか1つに記載の発光装置。
(12)前記光透過部材は、前記発光素子に励起される波長変換部材である上記(1)〜(11)のいずれか1つに記載の発光装置。
(13)前記波長変換部材は、互いに対向する第1及び第2の主面を有する板状体である上記(12)に記載の発光装置。
(14)前記半導体素子構造が、前記分離部を横断する配線を備え、該配線により前記複数の発光構造部を接続して実装する実装基板を有し、前記被覆部材は、前記分離部を横断する前記配線を被覆するとともに、前記分離部において光反射部を有する上記(1)〜(13)のいずれか1つに記載の発光装置。
図1は、本発明の実施の形態1に係る発光装置の概略図であり、図1(a)は概略上面図の図1(b)のA−Aにおける概略断面図であり、図1(c)は搭載されている発光素子の概略平面図であって、また図2はその発光素子の発光構造部の周辺の概略断面図である。図1,2に示す例の発光装置100は、主として、発光素子10と、該発光素子を実装する実装基板50と、発光素子から出射された光を透過する光透過部材20と、発光素子および光透過部材の一部を被覆する光反射性の被覆部材40と、から構成されている。
分離部13は、例えば透光性基板1の表面の略全域に半導体素子構造11を形成した後、その一部をエッチングやスクライブ等により除去することにより形成することができる。また透光性基板1上に保護膜を形成して、それにより区画された領域に半導体素子構造11を形成する方法でもよい。
発光素子10は公知のもの、具体的には半導体発光素子を利用でき、1つの透光性基板1上に互いに離間されて設けられた複数の発光構造部12を有するものを用いることができる。特にGaN系化合物半導体であれば、蛍光物質を効率良く励起できる短波長の可視光や紫外光が発光可能であるため好ましい。具体的な発光ピーク波長は240nm以上560nm以下、好ましくは380nm以上470nm以下である。なお、このほか、ZnSe系、InGaAs系、AlInGaP系半導体の発光素子でもよい。
半導体層による素子構造11、発光構造部12は、図4に例示するように少なくとも第1導電型(n型)層2と第2導電型(p型)層4とにより構成され、更にその間に活性層3を有する構造が好ましい。また、電極構造は、一方の主面側に第1導電型(負)、第2導電型(正)の両電極6,7が設けられる同一面側電極構造が好ましいが、半導体層の各主面に対向して電極が各々設けられる対向電極構造でも良い。発光素子10の実装形態も、例えば上記同一面側電極構造では、電極形成面を実装面として、それに対向する基板1側を主な出射面とするフリップチップ実装が、その出射面と光透過部材20との光学的な接続上好ましい。この他、電極形成面側を主な出射面として、その上に光透過部材を結合する実装、フェイスアップ実装、また配線構造を備えた光透過部材にフリップチップ実装、上記対向電極構造で光透過部材と実装基板に接続すること、ができ、好ましくは発光素子と光透過部材に配線、電極を備えない実施例の実装が良い。なお、半導体層11の成長基板1は、発光素子構造を構成しない場合には除去してもよく、成長基板が除去された半導体層に、支持基板、例えば導電性基板または別の透光性部材・基板を接着した構造とすることもできる。この支持基板に光透過部材20を用いることもでき、その他、ガラス、樹脂などの光透過部材により半導体層が接着・被覆されて、支持された構造の素子でもよい。成長基板の除去は、例えば支持体、装置又はサブマウントに実装又は保持して、剥離、研磨、若しくはLLO(Laser Lift Off)で実施できる。また、発光素子10は光反射構造を有することができ、具体的には、半導体層11の互いに対向する2つの主面の内、光取り出し側(出射面側)と対向する他方の主面を光反射側(図1における下側)とし、この光反射側の半導体層内や電極などに光反射構造を設けることができる。光反射構造の例として、半導体層内に多層膜反射層が設ける構造、あるいは半導体層の上にAg、Al等の光反射性の高い金属膜や誘電体多層膜を有する電極、反射層を設けた構造がある。
発光素子10の一例として、図4の窒化物半導体の発光素子10では、成長基板1であるC面サファイア基板の上に、第1の窒化物半導体層2であるn型半導体層、活性層3である発光層、第2の窒化物半導体層4であるp型半導体層が順にエピタキシャル成長されている。そして、n型層2の一部が露出されて第1の電極7であるn型パッド電極を形成し、p型層4のほぼ全面にITO等の透光性導電層5、第2の電極6であるp型パッド電極が形成されている。さらに、保護膜8をn型、p型パッド電極6,7の表面を露出し、半導体層を被覆して設けられる。なお、n型パッド電極7は、p型同様に透光性導電層5を介して形成してもよい。成長基板1は、C面サファイアの他、R面、及びA面、スピネル(MgAl2O4)のような絶縁性基板、また炭化珪素(6H、4H、3C)、Si、ZnS、ZnO、GaAs、GaNやAlN等の半導体の導電性基板がある。窒化物半導体の例としては、一般式がInxAlyGa1-x-yN(0≦x、0≦y、x+y≦1)の他、BやP、Asを混晶してもよい。また、n型、p型半導体層2,4は、単層、多層を特に限定されず、活性層3は単一(SQW)又は多重量子井戸構造(MQW)が好ましい。青色発光の素子構造11の例としては、サファイア基板上に、バッファ層などの窒化物半導体の下地層、例えば低温成長薄膜GaNとGaN層、を介して、n型半導体層として、例えばSiドープGaNのn型コンタクト層とGaN/InGaNのn型多層膜層が積層され、続いてInGaN/GaNのMQWの活性層、更にp型半導体層として、例えばMgドープのInGaN/AlGaNのp型多層膜層とMgドープGaNのp型コンタクト層が積層された構造がある。
また図1の発光装置100は、発光素子10からの光を透過する光透過部材20を備える。光透過部材20は、通過する光の少なくとも一部を波長変換可能な波長変換材料を有する光変換部材であることが好ましい。例えば実施例のように、光源からの一次光が、光透過部材20中の波長変換材料としての蛍光体を励起することで、一次光と異なった波長を持つ二次光が得られ、さらに一次光との混色により、所望の色相を有する出射光を実現できる。
被覆部材40は、図1に示すように、光透過部材20の一部を被覆し、具体的には光透過部材20の側面の少なくとも一部を被覆する。そして、本発明においては、被覆部材が素子等から垂下され、光の漏れ経路の形成を防ぐことから、基板、更にはそれに設けられた配線より、被覆部材の反射率が高いことが好ましい。また、光反射材料を含有する被覆部材40は、その基材として透光性の樹脂材料が好ましく、シリコーン樹脂組成物、変性シリコーン樹脂組成物等を使用することが好ましいが、エポキシ樹脂組成物、変性エポキシ樹脂組成物、アクリル樹脂組成物等の透光性を有する絶縁樹脂組成物を用いることができる。また、これらの樹脂を少なくとも一種以上含むハイブリッド樹脂等、耐候性に優れた被覆部材も利用できる。さらに、ガラス、シリカゲル等の耐光性に優れた無機物を用いることもできる。また、樹脂材料を成形することで、所望の形状に成形でき、また所望領域を被覆でき、本発明では光源部の発光素子、接着部材、光透過部材の表面、特にその側面を被覆して形成できる。また、その発光面側の表面も同様に所望形状とでき、図示するような平坦な面状の他、凹や凸の曲面とできる。実施の形態1では耐熱性・耐候性の観点から被覆部材としてシリコーン樹脂を使用する。
また、被覆部材40には、光反射性材料45、光変換部材の他、粘度増量剤等を適宜添加することができ、これによって所望の発光色、それら部材若しくは装置表面の色、例えば高コントラスト化の為の黒色など、また所望の指向特性を有する発光装置が得られる。同様に不要な波長をカットするフィルター材として各種着色剤を添加できる。他の部材、また光透過部材、接着部材などの光透過性材料も同様である。
接着部材30は、発光素子10と光透過部材20との間に介在して双方の部材を固着する接着剤に用いられる。この接着部材は、透光性を有して、発光素子10の出射光を光透過部材側へ導光でき、双方の部材を光学的に結合できる材質が好ましい。その材料としては上記各部材に用いられる樹脂材料が挙げられ、シリコーン樹脂やエポキシ樹脂など透光性の熱硬化性樹脂がよく、シリコーン樹脂は耐熱性、耐光性に優れるため好ましい。また、シリコーン樹脂を使用すれば、上記フッ素系離型剤の効果が高いため好ましい。さらに、ジメチル系シリコーン樹脂であれば高温耐性など信頼性において優れ、フェニル系シリコーン樹脂であれば屈折率を高くして発光素子10からの光の取り出し効率を高めることができる。
一方、図1の発光装置100において、上記の発光素子10が実装される基板50は、少なくとも表面が素子の電極と接続される配線51を形成したものが利用でき、また外部接続用の配線が裏面などに設けられても良い。基板の材料は、例として窒化アルミニウム(AlN)で構成され、単結晶、多結晶、焼結基板、他の材料としてアルミナ等のセラミック、ガラス、Si等の半金属あるいは金属基板、またそれらの積層体、複合体が使用でき、金属性、セラミックは放熱性が高いため好ましい。なお、基板50は配線が無くてもよく、例えば図4の素子で成長基板側を実装して素子の電極を装置の電極にワイヤー接続する形態、光透過部材に配線を設けて接続する形態でもでもよい。また、図示する発光装置のように、被覆部材40が実装基板50の上に設けられる形態の他、実装基板50の外側側面も覆う形態でもよい。また実装基板50は、少なくともその表面が高反射性材料で構成されることが好ましい。また図1,2に示すように、発光素子10は、導電性接着材60により配線51上に接着されて外部と電気的に接続される。導電性接着材60は、半田、Agペースト、Auバンプなどが利用できる。
図1に示す発光装置100は、枠体55を有し、この枠体55は被覆部材40の保持部材としても機能する。枠体55は、セラミックや樹脂などで形成することができる。光反射性の高いアルミナが好ましいが、表面に反射膜を形成すればこれに限らない。樹脂であれば、スクリーン印刷等を用いるほか、成形体を実装基板に接着してもよい。また、被覆部材40と同様に光反射性材料を用いるなどして、反射率を高くすると好ましい。また、上記添加部材同様に、枠体を目的に応じて着色してもよい。なお、この枠体は、被覆部材を充填又は成形後に、取り外すこともできる。また、枠体として、積層基板、基材などでキャビティ構造を有する装置基体など、発光素子の実装基板に一体に形成されている形態でもよい。
図1に示される例の発光装置100の製造方法の一例として以下に説明する。まず、実装基板50の配線51上又は発光素子10にバンプ60を形成し、発光素子10をフリップチップ実装する。この例では個片化前の基板50上で、1つの発光装置に対応する領域に1個の発光素子10を並べて実装する。次に、発光素子10の出射面側(成長基板裏面)に、接着部材30を塗布して、光透過部材20を積層し、その樹脂30を熱硬化して接合する。次に、発光素子10の周囲に立設された枠体55内に、光透過部材20の側面を被覆するように、ディスペンサ(液体定量吐出装置)等により、被覆部材40を構成する樹脂を滴下(ポッティング)する。滴下された樹脂40は、表面張力によって発光素子10、光透過部材20の側面を這い上がり被覆し、表面21より枠体55に向かって低くなる傾斜表面が形成される。また、樹脂40の表出面を表面21と略同一面となるよう平坦化してもよい。そして、樹脂40を硬化させた後、所定の位置でダイシングを行い、所望の大きさに切り出して発光装置100を得る。
図5は、本発明の実施の形態2に係る発光装置を説明するための概略断面図である。図5に示す例の発光装置において、分離部の構造を除く他の構成については、上述の実施の形態1と実質上同様であり、したがって同様の構成については同一の符号を付して適宜説明を省略する。
図6は、本発明の実施の形態3に係る発光装置を説明するための概略断面図であって、例えば図1(b)におけるB−B方向に切断した概略断面図である。図6に示す例の発光装置において、被覆部材による素子構造の被覆形態を除く他の構成については、上述の実施の形態1と実質上同様であり、したがって同様の構成については同一の符号を付して適宜説明を省略する。
図7は、本発明の実施の形態4に係る発光装置を説明するための概略断面図(a)と、その発光素子の概略平面図(b)である。図7に示す例の発光装置において、発光構造部間の電気的接続の構造を除く他の構成については、上述の実施の形態1と実質上同様であり、したがって同様の構成については同一の符号を付して適宜説明を省略する。
図8は、本発明の実施の形態5に係る発光装置の概略図であり、図8(a)は概略上面図の図8(b)のA−Aにおける概略断面図であり、図8(c)は搭載されている発光素子の概略上面図である。図8に示す例の発光装置において、発光素子の発光構造部の数や電極、並びに実装基板の配線を除く他の構成については、上述の実施の形態1と実質上同様であり、したがって同様の構成については同一の符号を付して適宜説明を省略する。
実施例1の発光装置の光源部には、図8に示すように、AlNのセラミックス基板50の配線51,52上に、発光素子10として、1つのサファイア基板1上に互いに分離された6つの発光構造部12が設けられた、約1mm×6.5mmの略矩形状のLEDチップ(発光波長455nm)1個がAuバンプ60によりフリップチップ実装されている。これにより、各発光構造部12は配線52により直列接続されている。なお、このようなLEDチップ10は、サファイア基板1上に、窒化物半導体のn型層2、活性層3、p型層4を順に含む半導体素子構造11を積層し、RIE(反応性イオンエッチング)により部分的に半導体層を除去して、サファイア基板1の表面が露出された分離部(溝)を形成することにより作製される。このLEDチップ10上に、光透過部材20としてYAGの蛍光体とアルミナ(Al2O3)との焼結体である蛍光体板(この表面及び受光面の外形は約0.8mm×6.3mmの略矩形状であり、厚みは約150μm)を1枚載置し、シリコーン樹脂の接着部材30により互いに接合させる。そして、セラミックス基板50上にLEDチップ10及び蛍光体板20を包囲する枠体55を設置し、該枠体55の内側の凹所に被覆部材40を充填し、蛍光体板20の表面21が発光面90として露出される状態に、LEDチップ10および蛍光体板20の周部を該被覆部材40により被覆する。このとき被覆部材40は、基板50とLEDチップ10との間に浸入して、配線51,52上を被覆しながら分離部にも充填される。ここで、被覆部材40は、粒径約270nmのTiO2の微粒子である光反射性材料45を約23重量パーセント濃度で含有するシリコーン樹脂である。そして、被覆部材40の硬化後、枠体を除去して発光装置を得る。
実施例3の発光装置は、図1に示すように、実施例1における発光素子10を、1つのサファイア基板1上に4つの発光構造部12が設けられた約1.0mm×4.3mmの略矩形状の1個のLEDチップとし、さらに光透過部材20を約1.0mm×4.4mmの略矩形状として、実施例1と同様に発光装置を作製する。
13〜15…分離部、16…空隙(分離部内)、17…空隙(実装側)、18…空隙(素子内の半導体側面で露出した基板上)、19…基板外縁の露出部
20,24…光透過部材(21,23,25…表面、22,26…受光面)
30…接着部材、40…被覆部材、45…光反射性材料、50…実装基板(51,52…配線)、55…枠体、60…導電性接着材、100,200…発光装置、210…実装基板
Claims (10)
- 発光装置の発光面となる表面と受光面とを有する光透過部材と、
前記受光面に結合された出射面と、該出射面に対向し、半導体素子構造が設けられた表面とを有する透光性基板を備えた発光素子と、
光反射性材料を含有し、前記発光面を露出して、前記発光素子の側面と、該側面から延在して前記光透過部材の一部と、を被覆する被覆部材と、を備え、
前記透光性基板の表面は、凹凸構造を有し、
前記発光素子は、前記凹凸構造上に、
分離部と、前記半導体素子構造が該分離部により互いに分離されて、該分離された半導体素子構造の各領域に設けられた複数の発光構造部と、を有し、
前記被覆部材は、前記分離部の底面に露出された前記透光性基板の表面と、該分離部に隣接する前記発光構造部とを被覆して、該被覆側表面に光反射部を有する発光装置。 - 前記発光構造部が、前記分離部により、独立して発光可能なように互いに分離された半導体素子構造にそれぞれ設けられている請求項1に記載の発光装置。
- 前記半導体素子構造が、分離部に、前記発光構造部からの発光が発光素子外部に出射可能な素子構造表面を有する請求項1または2に記載の発光装置。
- 前記発光素子が、該側面に、前記発光構造部からの発光が発光素子外部に出射可能な素子構造表面を有する請求項1乃至3のいずれか1項に記載の発光装置。
- 前記被覆部材は、前記光透過部材の側面から、前記半導体素子構造及び透光性基板の側面を連続して被覆する請求項1乃至4のいずれか1項に記載の発光装置。
- 発光装置の発光面となる表面と受光面とを有する光透過部材と、
前記受光面に結合された出射面と、該出射面に対向し、半導体素子構造が設けられた表面とを有する透光性基板を備えた発光素子と、
光反射性材料を含有し、前記発光面を露出して、前記発光素子の側面と、該側面から延在して前記光透過部材の一部と、を被覆する被覆部材と、を備え、
前記発光素子は、前記透光性基板の表面上に、
分離部と、前記半導体素子構造が該分離部により互いに分離されて、該分離された半導体素子構造の各領域に設けられた複数の発光構造部と、を有し、
前記被覆部材は、前記分離部と、該分離部に隣接する前記発光構造部とを被覆して、該被覆側表面に光反射部を有し、
前記分離部が、前記発光構造部の発光を発光素子外部に出射可能な素子構造表面、又は該素子構造表面と該発光を発光素子外部に出射可能な前記透光性基板の表面を有し、
前記被覆部材が、前記分離部内の空隙を介して、前記分離部と、前記半導体素子構造を被覆している発光装置。 - 前記半導体素子構造が、前記発光構造部の発光を発光素子外部に出射可能な素子構造表面を有し、前記被覆部材が、該素子構造表面において、空隙を介して被覆する領域と、直接被覆する領域とを有する請求項6に記載の発光装置。
- 前記光透過部材は、前記発光素子に励起される波長変換部材である請求項1乃至7のいずれか1項に記載の発光装置。
- 前記波長変換部材は、互いに対向する第1及び第2の主面を有する板状体である請求項8に記載の発光装置。
- 前記半導体素子構造が、前記分離部を横断する配線を備え、該配線により前記複数の発光構造部を接続して実装する実装基板を有し、
前記被覆部材は、前記分離部を横断する前記配線を被覆するとともに、前記分離部において光反射部を有する請求項1乃至9のいずれか1項に記載の発光装置。
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