JP5644967B2 - 発光装置及びその製造方法 - Google Patents
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Description
さらにまた本発明の第9の発光装置によれば、前記第1及び第2の被覆部材(26a;26b)は樹脂成形体であって、前記第1の被覆部材は、光反射性材料を含有するシリコーン樹脂を基材とし、前記第2の被覆部材は、顔料により着色された、エポキシ樹脂又はシリコーン樹脂を基材とすることができる。
さらにまた本発明の第10の発光装置によれば、前記光透過部材は、前記発光素子から出射される光の少なくとも一部を波長変換可能な蛍光体を含有し、前記第2の被覆部材は、前記第1の被覆部材よりも熱伝導率を高くすることができる。
図1は本発明の実施の形態1に係る発光装置100の概略図であり、図1(a)は発光装置100の断面図を、また図1(b)は発光装置100の光観測方向からの平面図をそれぞれ示す。発光装置100は、発光素子10と、この発光素子10より出射される光が入射される光透過部材15と、光透過部材15の少なくとも一部を被覆する被覆部材26とから主に構成される。図1の発光装置100では、発光素子10の一方の主面側を配線基板9上に実装して導通可能とし、さらにこの一方の主面側と対向する他方の主面側が光透過部材15と光学的に接続されている。そして光透過部材15は、発光素子10より出射される光を受光する受光面15bと、受光した光及び/又はその波長変換光を放出する発光面15aと、さらに発光面15aから連続する側面15cを有する。また図1の例では、光透過部材15が板状であって、発光素子10と近接して対向する一方の主面を受光面15bとし、この受光面15bと対向して発光装置100の表出面を構成する他方の主面を発光面15aとする。そして発光面15aと略直交して光透過部材15の厚みを構成する両端面を側面15cと呼称する。
発光素子10は公知のもの、具体的には半導体発光素子を利用でき、特にGaN系半導体であれば、蛍光物質を効率良く励起できる短波長の可視光や紫外光が発光可能であるため好ましい。具体的な発光ピーク波長は240nm以上560nm以下、好ましくは380nm以上420nm以下、若しくは450nm以上470nm以下である。なお、このほか、ZnSe系、InGaAs系、AlInGaP系半導体の発光素子でもよい。
半導体層による発光素子構造は、少なくとも第1導電型(n型)層と第2導電型(p型)層とにより構成される。更に、その両導電型層の間に活性層を有する構造が出力、効率上好ましいがこれに限定されない。
また、電極構造は、一方の主面側に第1導電型(負)、第2導電型(正)の両電極が設けられる構造が好ましいが、それに限定されず半導体層の各主面に対向して各々電極が設けられる構造でも良い。なお、正負電極は、必ずしも一対に限定されず、それぞれ複数形成することもできる。さらに、発光素子の実装形態についても公知の技術が採用でき、例えば同一面側に正負電極を有する素子構造では、その電極形成面と対向する成長基板側を主光取出し面とするフリップチップ実装が、発光素子10と光透過部材15とを光学的に安定して接続できるため、色相、輝度などに係る光特性の観点から好ましい。この他、電極形成面側を主光取出し面とする実装、フェイスアップ実装も採用でき、適宜素子構造に合った搭載手段が採用できる。
また、発光素子10は光反射構造を有することができる。具体的には、半導体層の互いに対向する2つの主面の内、光取り出し側と対向する他方の主面を光反射側(図1における下側)とし、この光反射側の半導体層内や電極などに光反射構造を設けることができる。光反射構造の例として、半導体層内に多層膜反射層が設けられた素子構造、あるいは半導体層の上にAg、Al等の光反射性の高い金属膜や誘電体多層膜を有する電極、反射層を設けた構造がある。
図1の発光装置100に搭載される発光素子10はLEDチップであり、このLEDチップを配線基板9の一であるサブマウント基板上にフリップチップ実装している。以下にその発光素子10の一例として、窒化物半導体の発光素子を説明する。図3は、発光素子10の概略断面図である。図3の窒化物半導体の発光素子10では、成長基板5であるサファイア基板の上に、第1の窒化物半導体層6であるn型半導体層、活性層8である発光層、第2の窒化物半導体層7であるp型半導体層が順にエピタキシャル成長され、窒化物半導体層11を形成している。そして、発光層8及びp型半導体層7の一部がエッチングにより選択的に除去されて、n型半導体層6の一部が露出され、この露出領域に第1の電極3Aであるn型パッド電極を形成している。またp型半導体層7のほぼ全面にITO等の透光性導電層13、さらにその上の一部に第2の電極3Bであるp型パッド電極が形成されている。さらに、n型パッド電極3A及びp型パッド電極3Bの所定の表面のみを露出し、他の部分は絶縁性の保護膜14で被覆される。なお、n型パッド電極3Aは、n型半導体層6の露出領域に透光性導電層のn型電極を介して形成してもよい。
成長基板5は、半導体層11をエピタキシャル成長させる基板で、窒化物半導体における基板としては、C面、R面、及びA面のいずれかを主面とするサファイアやスピネル(MgAl2O4)のような絶縁性基板、また炭化珪素(6H、4H、3C)、Si、ZnS、ZnO、GaAs、ダイヤモンド、及び窒化物半導体と格子接合するニオブ酸リチウム、ガリウム酸ネオジウム等の酸化物基板、GaNやAlN等の窒化物半導体基板がある。窒化物半導体としては、一般式がInxAlyGa1-x-yN(0≦x、0≦y、x+y≦1)であって、BやP、Asを混晶してもよい。また、n型半導体層6、p型半導体層7は、単層、多層を特に限定しない。活性層である発光層8は単一(SQW)又は多重量子井戸構造(MQW)とする。窒化物半導体層11の例としては、サファイア基板上に、バッファ層などの窒化物半導体の下地層、例えば低温成長薄膜GaNとGaN層を介して、n型半導体層として、例えばSiドープGaNのn型コンタクト層とGaN/InGaNのn型多層膜層が積層され、続いてInGaN/GaNのMQWの活性層、更にp型半導体層として、例えばMgドープのInGaN/AlGaNのp型多層膜層とMgドープGaNのp型コンタクト層が積層された構造を用いる。
一方、図1の発光装置100において、上記の発光素子10が実装される基板9は、少なくとも表面が素子の電極と接続される配線を形成したものが利用できる。基板の材料は、例として窒化アルミニウム(AlN)で構成され、単結晶、多結晶、焼結基板、他の材料としてアルミナ等のセラミック、ガラス、Si等の半金属あるいは金属基板、またそれらの表面にAlN薄膜層が形成された基板等、積層体、複合体が使用できる。金属基板、金属性基板、セラミック基板は放熱性が高いため、好ましい。素子が載置される基板には、配線を有していない基板でも良く、例えば、電極形成面側を主な発光側とする発光素子において、その基板側を実装して素子の電極を装置の電極にワイヤー接続する形態でも良く、載置部の基材、リード電極を備えた発光装置でも良い。また、その基板と被覆部材の形態としては、図示する発光装置のように、被覆部材が基板の上に設けられる形態の他、基板の側面を覆う形態でも良い。また配線基板は、光を光取り出し方向へと有効に反射できるように、少なくともその表面が高反射性材料で構成されることが好ましい。
また図1の発光装置100は、発光素子10からの光が入射される光透過部材15を備える。光透過部材15は通過する光の少なくとも一部を波長変換可能な波長変換材料12を有することが好ましい。それにより、光源からの一次光が光透過部材15を通過する際に、波長変換材料12としての蛍光体を励起することで、光源の波長とは異なった波長を持つ二次光が得られ、この結果、波長変換されない一次光との混色により、所望の色相を有する出射光を実現できる。その他、一次光を透過するだけの形態、一次光で励起された二次光もしくはその副次的な光を透過し、一次光をほとんど透過しない形態があり、前者はLED光の単色、後者は紫外線発光LEDの変換光(単色、混色光)、を発光する発光装置とできる。
被覆部材26は、図1に示すように、光透過部材15の一部を被覆し、具体的には少なくとも光透過部材15の側面15cを被覆する。被覆部材26の基材となる樹脂の材料は透光性であれば特に限定されず、シリコーン樹脂組成物、変性シリコーン樹脂組成物等を使用することが好ましいが、エポキシ樹脂組成物、変性エポキシ樹脂組成物、アクリル樹脂組成物等の透光性を有する絶縁樹脂組成物を用いることができる。また、これらの樹脂を少なくとも一種以上含むハイブリッド樹脂等、耐候性に優れた封止部材も利用できる。さらに、ガラス、シリカゲル等の耐光性に優れた無機物を用いることもできる。さらにまた、封止部材の発光面側を所望の形状にすることによってレンズ効果を持たせることができ、発光素子チップからの発光を集束させることができる。また、発光素子側に配置される第1の封止部材は、発光素子、波長変換部材の発熱、発光があるため、耐光性、耐熱性に優れた材料を用い、一方、その外側を被覆する第2の被覆部材はその影響が小さいため、その他の機能、上記見切り性の向上、耐候性、熱伝導性に優れた材料、すなわち互いに異なる材料(基材)をそれぞれ選択して、機能分離させることもできる。
ところで、発光素子10からの出射光及び/又はその波長変換光は、上述の通り光透過部材15の受光面15bを進行し、光透過部材15内を通過した後、外部へと放出される。したがって、光透過部材15における少なくとも側面15cを、被覆部材26である第1の封止部材26aでもって被覆することにより、以下の作用、効果が得られる。側面15c領域からの光の漏れ出しを回避でき、さらに側面15c側より外方へ放出するのを抑止して、全体の発光色における色ムラや輝度ムラを低減でき、これにより第1の封止部材の外側、発光面を構成する第2の封止部材の見切り機能を高められる。また、側面15c方向へと進行した光を光取り出し方向側へと反射して、さらに外部への発光領域を制限することで、放出される光の指向性と発光面15aにおける輝度を高められ、他方、内側の第1の封止部材の耐光性により、外側の第2の封止部材が高輝度、高光束な光による劣化が抑えられる。さらに、光透過部材から発生する熱を第1の封止部材へ伝導させ、放熱性を高めることができる。光透過部材が波長変換材料を含有する場合には、高輝度、高出力な発光であると波長変換材料の発熱が著しいため、特に有効となる。
発光素子10と光透過部材15との界面には接着材17が介在されており、これにより双方の部材を固着する。この接着材17は、発光素子10からの出射光を光透過部材15側へと有効に導光でき、双方の部材を光学的に連結できる材質が好ましい。その材料としては上記各部材に用いられる樹脂材料が挙げられ、一例としてシリコーン樹脂などの透光性の接着材料を用いる。また、発光素子10と光透過部材15との固着には、熱圧着による結晶接合等も採用できる。
上記の発光素子10を実装基板である配線基板9上にフリップチップ実装し、上記光透過部材、被覆部材を備えて、図1に示される例の発光装置100を得る。その製造方法の一例として、図4を用いて説明する。まず図4(a)に示すように、配線基板9上、又は発光素子10に、フリップチップ実装するパターンに従い、バンプ24を形成する。次にこのバンプ24を介して発光素子10をフリップチップ実装する。この例ではサブマウント基板9上で、一の発光装置に対応する領域に、各々1個のLEDチップを並べて実装しているが、チップの搭載個数は発光面、光透過部材の大きさに応じて適宜変更できる。又はキャビティ構造を有する実装基板を用いて、このキャビティ内に発光素子10を実装する形態でもよい。なお、発光素子10の実装は共晶接合してもよく、これにより配線基板と発光素子との接合面積を大きくして熱引きを促進し、放熱性を高められる。
上記、実施の形態1ではダイシングの際に枠体25を排除する位置で切り出しを行う。つまり発光装置100の最終形態では枠体25を含有しない。ただ、ダイシングの位置決めはこれに限定されず、枠体25を発光装置側に残す形態として発光装置のチップ化を行うこともできる。このように枠体を有する発光装置300を実施の形態2とし、図5(a)に発光装置300の断面図を、さらに図5(b)に発光装置300における光観測方向からの平面図をそれぞれ示す。実施の形態2の発光装置300は、枠体25を備える点で実施の形態1の発光装置100と相違するが、他の構造については同一である。したがって同一の部材については同一の符号を付して詳細な説明については省略する。
また発光装置は、発光面や電気的な接続領域を除いて、外部に露出する表出面を光吸収部材で構成することが好ましい。これにより上記、面内で均一な輝度、色度を有する発光を得られる。図1の例では発光装置の積層方向において露出した端面27が、光吸収性の高い第2の封止部材26bによって構成される。したがって光観測方向からの平面視における発光装置の外径は、第2の封止部材26bの外径に依存する。この第2の封止部材26bの外径は特に限定されないが、該外径を大きくすることで発光面15aの周囲が光吸収性の高い領域で広範囲に被覆されることとなり、散乱して光軸より大きくずれた戻り光を広範囲に吸収できる。ここでは発光装置の外形を構成する第2の封止部材26bの端面を、配線基板9よりも外方に配置した発光装置400を実施の形態3として、図6にその概略図を示す。
さらに、本実施形態3においても、枠体25を有する形態であってもよい。そして、その枠体を第2の封止部材により被覆することで、発光装置の機械的強度をさらに高めることができる。また、枠体の外部に配線基板9の表面が露出されている場合には、枠体から配線基板9の露出面に延伸かつ連続して被覆してもよく、さらに配線基板9の端面(側面)28も被覆してもよい。なお、本実施の形態3において、枠体を設ける場合には、枠体の高さは発光面15aより低く、すなわち光出射方向で発光面より後退して設けられていることが好ましい。なぜなら、上記のように第2の封止部材36bの表出面を発光面15aよりも低く形成することができ、構成部材による遮光、光損失を抑制できるからである。このように、第1の封止部材の表出面を発光面と略同一面として、そこに第2の封止部材を設ける構造とした場合には、又は第2の封止部材の表出面が発光面より前方に突出する場合には、発光面からの発光を阻害するが、本発明はそれを回避でき好ましい。
また第1の封止部材26aと第2の封止部材26bの間に光を反射可能な金属部材を設けてもよい。この形態の発光装置600を実施の形態4とし、図7(a)に概略断面図を、また図7(b)に光観測方面からの平面図をそれぞれ示す。実施の形態4の発光装置600は、第1の封止部材26aと第2の封止部材26bの間に反射率の高い金属部材34を設けており、この点が実施の形態1ないし実施の形態3と相違する。したがって他の部材における同様の構造については同一の符号を付して詳細な説明を省略する。
実施の形態における発光装置に関して、光束に係る特性を確認するため以下の比較例及び実施例を施す。実施例1、比較例1及び比較例2は、LEDチップを封止する被覆部材の構成部材のみが相違しており、他の構造については同一である。具体的に比較例1では封止部材を、TiO2の微粒子を含有するシリコーン樹脂である第1の封止部材26aのみとする。他方、比較例2では封止部材をカーボンブラック及びシリカを含有するシリコーン樹脂(東レ・ダウコーニング社製JCR6146)である第2の封止部材26bのみとする。また、実施例1は上記比較例で用いる第1の封止部材26aと第2の封止部材26bの両方を採用する。
3A…第1の電極(n型パッド電極)
3B…第2の電極(p型パッド電極)
5…成長基板(サファイア基板)
6…第1の窒化物半導体層(n型半導体層)
7…第2の窒化物半導体層(p型半導体層)
8…発光層(活性層)
9…配線基板(サブマウント)
10…発光素子(LEDチップ)
11…半導体構造
12…波長変換材料
13…透光性導電層(ITO)
14…保護膜
15…光透過部材
15a…発光面(窓部)
15b…受光面
15c…側面
17…接着材(シリコーン樹脂)
24…導電部材
25…枠体
26…被覆部材(封止部材、樹脂)
26a…第1の封止部材(第1の被覆部材)
26b…第2の封止部材(第2の被覆部材)
27…(発光装置の)端面
28…(配線基板の)端面
29…光吸収性材料
31…界面
32…凹部
33…端面
34…金属部材
36b…第2の封止部材
100、200、300、400、600…発光装置
500…発光装置
501…発光素子
502…透光性材料
503…凹部
504…p型電極
505…蛍光体
506…n型電極
507…波長変換部材
508…基板
Claims (11)
- 発光素子と、
発光面と該発光面から連続する側面とを有し、前記発光素子から出射される光が入射される光透過部材と、
前記光透過部材の側面を被覆して前記発光素子を包囲する光反射性の第1の被覆部材と、
前記第1の被覆部材を被覆して、前記発光面と共に該発光面側の表出面を構成し、可視光に対して前記第1の被覆部材より吸収係数が大きい第2の被覆部材と、
前記発光素子及び光透過部材を包囲する枠体と
を備え、
前記第1の被覆部材が、前記第2の被覆部材との界面の断面形状を、上方に進むほど先細りとなるよう形成され、
少なくとも前記第1の被覆部材は前記枠体内に充填されており、
前記第2の被覆部材は、前記第1の被覆部材及び枠体の内面を被覆して、前記発光面と共に該発光面側の表出面を構成することを特徴とする発光装置。 - 発光素子と、
発光面と該発光面から連続する側面とを有し、前記発光素子から出射される光が入射される光透過部材と、
前記光透過部材の側面を被覆して前記発光素子を包囲する光反射性の第1の被覆部材と、
前記第1の被覆部材を被覆して、前記発光面と共に該発光面側の表出面を構成し、可視光に対して前記第1の被覆部材より吸収係数が大きい第2の被覆部材と、
を備え、
前記第1の被覆部材が、前記発光面より低い位置に凹部を形成しており、
該凹部上に前記第2の封止部材を充填してなることを特徴とする発光装置。 - 請求項2に記載の発光装置であって、さらに、
前記発光素子及び光透過部材を包囲する枠体を備え、
少なくとも前記第1の被覆部材は前記枠体内に充填されており、
前記第2の被覆部材は、前記第1の被覆部材及び枠体の内面を被覆して、前記発光面と共に該発光面側の表出面を構成することを特徴とする発光装置。 - 請求項1または3に記載の発光装置であって、さらに、
前記発光素子を実装するための配線基板を備え、
前記配線基板の表面は、前記枠体の外部に露出されてなることを特徴とする発光装置。 - 請求項4に記載の発光装置であって、
前記枠体は、光観測方向からの平面視において、前記配線基板の表面が露出する方向と垂直な方向の外郭を構成してなることを特徴とする発光装置。 - 請求項1〜5のいずれか一に記載の発光装置であって、
前記発光面から外部に放出される光が白色光であって、前記第2の被覆部材が黒色体であることを特徴とする発光装置。 - 請求項1〜6のいずれか一に記載の発光装置であって、
前記第2の被覆部材は、前記第1の被覆部材に接合されていることを特徴とする発光装置。 - 請求項1〜7のいずれか一に記載の発光装置であって、
前記第1の被覆部材と前記第2の被覆部材との間に、金属部材が介在することを特徴とする発光装置。 - 請求項1〜8のいずれか一に記載の発光装置であって、
前記第1及び第2の被覆部材(26a;26b)は樹脂成形体であって、
前記第1の被覆部材は、光反射性材料を含有するシリコーン樹脂を基材とし、
前記第2の被覆部材は、顔料により着色された、エポキシ樹脂又はシリコーン樹脂を基材とすることを特徴とする発光装置。 - 請求項1〜9のいずれか一に記載の発光装置であって、
前記光透過部材は、前記発光素子から出射される光の少なくとも一部を波長変換可能な蛍光体を含有し、
前記第2の被覆部材は、前記第1の被覆部材より熱伝導率が高いことを特徴とする発光装置。 - 発光素子と、
発光面と該発光面から連続する側面とを有し、前記発光素子から出射される光が入射される光透過部材と、を有する発光装置の製造方法であって、
前記発光素子を配線基板上に実装する工程と、
前記発光素子の上方に前記光透過部材を配置する工程と、
前記光透過部材の側面を被覆して前記発光素子を包囲する光反射性の第1の被覆部材を形成する工程と、
前記第1の被覆部材を被覆して、前記発光面と共に該発光面側の表出面を構成し、可視光に対して前記第1の被覆部材より吸収係数が大きい第2の被覆部材を形成する工程とを含み、
前記第1の被覆部材を形成する工程は、前記第1の被覆部材が、前記発光面より低い位置に凹部を形成することを特徴とする発光装置の製造方法。
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