JP7227458B2 - 発光装置 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 40
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 16
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 10
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 claims description 4
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 32
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 32
- 239000000463 material Substances 0.000 description 23
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 18
- 238000000034 method Methods 0.000 description 9
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 5
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 5
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 5
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 5
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 5
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 5
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 5
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 4
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 4
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 3
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 3
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 2
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 2
- VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L Calcium carbonate Chemical compound [Ca+2].[O-]C([O-])=O VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- -1 cerium activated lutetium aluminum Chemical class 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N europium atom Chemical compound [Eu] OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Substances [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010944 silver (metal) Substances 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 description 1
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N Orthosilicate Chemical compound [O-][Si]([O-])([O-])[O-] BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 239000004954 Polyphthalamide Substances 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004283 SiO 4 Inorganic materials 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N Sulphide Chemical compound [S-2] UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JNDMLEXHDPKVFC-UHFFFAOYSA-N aluminum;oxygen(2-);yttrium(3+) Chemical class [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Y+3] JNDMLEXHDPKVFC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 description 1
- JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N barium titanate Chemical compound [Ba+2].[Ba+2].[O-][Ti]([O-])([O-])[O-] JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000404 calcium aluminium silicate Substances 0.000 description 1
- 235000012215 calcium aluminium silicate Nutrition 0.000 description 1
- WNCYAPRTYDMSFP-UHFFFAOYSA-N calcium aluminosilicate Chemical compound [Al+3].[Al+3].[Ca+2].[O-][Si]([O-])=O.[O-][Si]([O-])=O.[O-][Si]([O-])=O.[O-][Si]([O-])=O WNCYAPRTYDMSFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940078583 calcium aluminosilicate Drugs 0.000 description 1
- 229910000019 calcium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- AXCZMVOFGPJBDE-UHFFFAOYSA-L calcium dihydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[Ca+2] AXCZMVOFGPJBDE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000000920 calcium hydroxide Substances 0.000 description 1
- 229910001861 calcium hydroxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000378 calcium silicate Substances 0.000 description 1
- 229910052918 calcium silicate Inorganic materials 0.000 description 1
- OYACROKNLOSFPA-UHFFFAOYSA-N calcium;dioxido(oxo)silane Chemical compound [Ca+2].[O-][Si]([O-])=O OYACROKNLOSFPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N cerium Chemical compound [Ce] GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910019990 cerium-doped yttrium aluminum garnet Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- KZHJGOXRZJKJNY-UHFFFAOYSA-N dioxosilane;oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Si]=O.O=[Si]=O.O=[Al]O[Al]=O.O=[Al]O[Al]=O.O=[Al]O[Al]=O KZHJGOXRZJKJNY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NJLLQSBAHIKGKF-UHFFFAOYSA-N dipotassium dioxido(oxo)titanium Chemical compound [K+].[K+].[O-][Ti]([O-])=O NJLLQSBAHIKGKF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002223 garnet Substances 0.000 description 1
- 239000003365 glass fiber Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011256 inorganic filler Substances 0.000 description 1
- 229910003475 inorganic filler Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N iron Substances [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ORUIBWPALBXDOA-UHFFFAOYSA-L magnesium fluoride Chemical compound [F-].[F-].[Mg+2] ORUIBWPALBXDOA-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910001635 magnesium fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 1
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 229910052863 mullite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Substances [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000484 niobium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N niobium(5+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Nb+5].[Nb+5] URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N nitrogen group Chemical group [N] QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoyttriooxy)yttrium Chemical compound O=[Y]O[Y]=O SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 1
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- 229920006375 polyphtalamide Polymers 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 description 1
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 1
- SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N selenium;zinc Chemical compound [Se]=[Zn] SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 229910001233 yttria-stabilized zirconia Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/58—Optical field-shaping elements
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
- H01L33/508—Wavelength conversion elements having a non-uniform spatial arrangement or non-uniform concentration, e.g. patterned wavelength conversion layer, wavelength conversion layer with a concentration gradient of the wavelength conversion material
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- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
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- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/44—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating
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- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/44—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating
- H01L33/46—Reflective coating, e.g. dielectric Bragg reflector
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- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
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- H01L33/50—Wavelength conversion elements
- H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
- H01L33/502—Wavelength conversion materials
- H01L33/504—Elements with two or more wavelength conversion materials
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- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
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- H01L33/58—Optical field-shaping elements
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Description
発光素子と、
互いに対向しかつ前記発光素子の発光面より小さい第1主面と第2主面とを有し、該第1主面が前記発光素子の発光面に対向するように設けられた透光性部材と、
前記発光面上に前記発光面の外周と前記第1主面の外周の間の領域を覆うように設けられた遮光層と、
前記発光素子と前記透光性部材の側面とを覆う光反射性部材と
を備え、
前記遮光層が前記第1主面の外周の内側まで延在して設けられている。
<実施形態の発光装置>
実施形態の発光装置100は、図1及び図2に示すように、発光素子1と、互いに対向する第1主面3aと第2主面3bとを有し、第1主面3aが発光素子1の発光面に対向するように設けられた透光性部材3と、発光素子1の発光面上に、発光素子1の発光面の外周と透光性部材3の第1主面3aの外周との間の領域を覆うように設けられた遮光層5と、発光素子1と透光性部材3の側面を覆う光反射性部材7とを備える。ここで、発光素子1の発光面とは、発光素子1の主たる発光面である上面を意味する。光反射性部材7は発光装置の光出射面である透光性部材3の第2主面3bを露出させて発光素子1と透光性部材3の側面とを覆うように設けられている。そして、実施形態の発光装置100では、遮光層5が透光性部材3の第1主面3aの外周の内側まで延在して設けられている。
図2に示すように、実施形態の発光装置100では、遮光層5は発光素子1の発光面の外周と第1主面3aの外周との間の領域を覆うように設けられている。これにより、発光素子1の発光面から上方に向かう光を遮断し、発光装置100の発光面側における透光性部材3の上面以外からの漏れ光を抑制することができる。
また、実施形態の発光装置100では、発光装置の発光面を構成する透光性部材3の第2主面3bの面積は発光素子1の発光面の面積より小さくなっている。このように、透光性部材3の第2主面3bの面積を発光素子1の発光面の面積よりも小さくすることにより、発光素子1の発光面からの出射光を、より小さな面積で発光装置の発光面から放出させることができる。これにより、より高輝度な発光装置100を得ることが可能となる。この際、透光性部材3の第2主面と発光素子1の発光面との面積比は例えば1:0.5~1の範囲であることが好ましい。
(基板10)
基板10は、発光素子1等を支持する部材であり、発光素子1の電極と外部電極とを電気的に接続するための配線を有する。基板10の主な材料としては、絶縁性材料であって、発光素子1からの光及び外からの光が透過しにくい材料が好ましい。具体的には、例えば、アルミナや窒化アルミニウム等のセラミックス、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、BTレジン、ポリフタルアミド等の樹脂を挙げることができる。なお、樹脂を用いる場合には、必要に応じて、ガラス繊維、酸化ケイ素、酸化チタン、アルミナ等の無機フィラーを樹脂に混合してもよい。これにより、機械的強度の向上や熱膨張率の低減、光反射率の向上を図ることができる。また、基板10は、金属部材の表面に絶縁性材料を形成したものでもよい。配線は、上記絶縁性材料の上に、所定のパターンで形成される。配線の材料として、金、銀、銅およびアルミニウムから選択された少なくとも一種とすることができる。配線は、めっき、蒸着、スパッタ等によって形成することができる。
発光素子1としては、発光ダイオードを用いるのが好ましい。発光素子は、任意の波長のものを選択することができる。例えば、青色、緑色の発光素子としては、窒化物系半導体(InXAlYGa1-X-YN、0≦X、0≦Y、X+Y≦1)やZnSe、GaPを用いたものを用いることができる。また、赤色の発光素子としては、GaAlAs、AlInGaPなどを用いることができる。さらに、これ以外の材料からなる半導体発光素子を用いることもできる。用いる発光素子の組成や発光色、大きさや、個数などは目的に応じて適宜選択することができる。蛍光体を有する発光装置とする場合には、その蛍光体を効率良く励起できる短波長が発光可能な窒化物半導体(InXAlYGa1-X-YN、0≦X、0≦Y、X+Y≦1)が好適に挙げられる。半導体層の材料やその混晶度によって発光波長を種々選択することができる。
本実施形態の発光装置では、支持基板を除去した発光素子を用いてもよく、この場合、支持基板は、例えば、研磨、LLO(Laser Lift Off)等で除去することができる。
透光性部材3は、発光素子1から出射される光を透過して外部に放出することが可能な部材である。透光性部材3は、光拡散材や、入射された光の少なくとも一部を波長変換可能な蛍光体を含有させてもよい。透光性部材3は、例えば、樹脂、ガラス、無機物等により形成することができる。蛍光体を含有する透光性部材は、例えば、蛍光体の焼結体や、樹脂、ガラス、セラミック又は他の無機物に蛍光体を含有させたもの等が挙げられる。また、樹脂、ガラス、セラミック等の成形体の表面に蛍光体を含有する樹脂層を形成したものでもよい。透光性部材3の厚みは、例えば、50~300μm程度である。
上述したように、透光性部材3は、蛍光体を含んでいてもよい。透光性部材3に含有させることができる蛍光体としては、発光素子1からの発光で励起可能なものが使用される。例えば、青色発光素子又は紫外線発光素子で励起可能な蛍光体としては、セリウムで賦活されたイットリウム・アルミニウム・ガーネット系蛍光体(YAG:Ce);セリウムで賦活されたルテチウム・アルミニウム・ガーネット系蛍光体(LAG:Ce);ユウロピウムおよび/又はクロムで賦活された窒素含有アルミノ珪酸カルシウム系蛍光体(CaO-Al2O3-SiO2);ユウロピウムで賦活されたシリケート系蛍光体((Sr,Ba)2SiO4);βサイアロン蛍光体、CASN系蛍光体、SCASN系蛍光体等の窒化物系蛍光体;KSF系蛍光体(K2SiF6:Mn);硫化物系蛍光体、量子ドット蛍光体などが挙げられる。これらの蛍光体と、青色発光素子又は紫外線発光素子と組み合わせることにより、様々な色の発光装置(例えば白色系の発光装置)を得ることができる。
したがって、実施形態の発光装置は、短波長の青色発光素子又は紫外線発光素子を用いて構成した場合であっても、光反射性部材の劣化が抑制され、高い信頼性を維持できる。
遮光層5は、発光素子1の発光面の外周と透光性部材3の第1主面3aの外周の間の領域を覆うように設けられており、また、第1主面3aの外周の内側まで延在している。
具体的には、遮光層5は、発光素子1の発光面を被覆し、発光面の外周部に沿って枠状に形成されている。つまり、発光素子1の発光面を被覆する遮光層は開口部を有し、透光性部材はその第1主面が遮光層の開口部を内包するように発光素子上に配置されている。なおこの際、遮光層5の開口外縁と透光性部材3の第1主面3aの外周との距離は全周に亘って同程度であることが好ましい。これにより、遮光層5で被覆された部分が遮光され、発光素子1からの光に光反射性部材7が晒されて劣化することを抑制する。このような遮光層5は、とりわけ、波長が短くエネルギーが大きい青色光や青色光より短波長の光を遮光するのに有効であり、光反射性部材の劣化の抑制に効果的である。
この機能を考慮すると、遮光層5は、光を透過させずに、反射及び/又は吸収する材料からなる部材により構成する必要がある。遮光層5として、例えば、金属からなる金属膜又は表面に金属膜を備えた部材が挙げられ、なかでも、金属からなる金属膜を用いることが好ましい。
遮光層5が金属膜である場合、金属膜を構成する金属材料としては、例えばAu、Ag、Cu、Fe、Ni、Cr、Al、Ti、Ta、W、Co、Ru、Sn、Ze、Pb等の金属又はこれらの合金(例えば、Al合金としては、Alと、Cu、Ag、Pt等の白金族系の金属との合金)の単層又は多層構造膜が挙げられる。なかでも、Al、Ag、Pt等の高反射率を有する金属膜を用いることが好ましい。
また、遮光層5は、金属膜の上に、2種以上の誘電体を複数積層させた誘電体多層膜等を有していてもよい。誘電体多層膜としては、DBR(分布ブラッグ反射)膜が好ましい。DBR膜を構成する誘電体としては、例えば、Si、Ti、Zr、Nb、Ta、Alからなる群より選択された少なくとも一種の元素を含む酸化物又は窒化物が挙げられる。なかでも、Si、Zr、Nb、Ta、Al等の酸化物の積層構造が好ましい。
遮光層5の厚み(つまり遮光層5の下面から上面までの高さ)としては、遮光性と密着性を考慮すると、0.1μm~100μmの範囲に設定することが好ましく、0.5~10μmの範囲に設定することがより好ましい。
透光性部材3の第1主面と遮光層の開口との面積比は例えば1:0.5~1の範囲であることが好ましい。これにより発光素子1の発光面から上方に向かう光が直接光反射性部材7を通過して外部に漏れ伝わることを抑制でき、発光領域(つまり透光性部材3の第2主面)と非発光領域(つまり透光性部材の第2主面を取り囲む光反射性部材7の上面)との輝度差が明確で発光色むらの少ない発光装置100とすることができる。
遮光層5の表面は平坦な面でもよいが、微細な凹凸を有することが好ましい。これにより、後述する光反射性部材7を構成する材料との密着性が向上し、遮光層5と光反射性部材7とをより強固に固定できる。また、遮光層5と光反射性部材7との間の剥離を抑制することができる。
光反射性部材7は、発光素子1と透光性部材3の側面とを被覆し、発光素子1及び透光性部材3の側面から出射される光を反射して、透光性部材3の第2主面3b(つまり発光装置の光発光面)から出射させる。このように発光素子1と透光性部材3の側面とを被覆する光反射性部材7を設けることにより、発光装置の輝度がより高まると共に、光の取り出し効率も向上させることができる。光反射性部材7は、例えば、光反射率の高い光反射性材料から形成する。具体的には、光反射性部材7は、発光素子1からの光に対する反射率が60%以上、より好ましくは80%又は90%以上である光反射性材料を用いることが好ましい。光反射性材料は、例えば、光反射性物質を含む樹脂材料で形成される。
光反射性部材7を構成する母体の樹脂材料としては、シリコーン樹脂、変性シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、変性エポキシ樹脂、アクリル樹脂、また、これらの樹脂を少なくとも一種以上含むハイブリッド樹脂等の樹脂を用いることができる。これらの樹脂材料に含有させる光反射性物質としては、酸化チタン、酸化ケイ素、酸化ジルコニウム、酸化マグネシウム、酸化イットリウム、イットリア安定化ジルコニア、炭酸カルシウム、水酸化カルシウム、珪酸カルシウム、酸化ニオブ、酸化亜鉛、チタン酸バリウム、チタン酸カリウム、フッ化マグネシウム、アルミナ、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、ムライトなどを用いることができる。好ましくは酸化チタン(TiO2)を用いる。また、好ましくは、光反射性物質として、母材の樹脂の屈折率と異なる粒子を母材の樹脂中に分散させる。光反射性物質の含有濃度、密度により光の反射量、透過量が異なるため、発光装置の形状、大きさに応じて、適宜濃度、密度を調整することができる。
また、光反射性部材7は光反射性物質に加え、その他の顔料、蛍光体等を含有してもよい。例えば、透光性部材が蛍光体を含有し、さらに、発光素子の側面が遮光層から露出する場合、発光素子の側面を被覆する光反射性部材の厚みが薄いと、発光素子の側面からの出射光が光反射性部材を介して外部に漏れ伝わり、発光装置の側面において漏れ光が生じることがある。光反射性部材7に、蛍光体を少量含有させることで、漏れ光と発光装置の発光色とを同じ色をすることができる。
透光性部材3と発光素子1との接合は、図2に示すように、例えば、導光部材9を介して行うことができる。図2の発光装置において、透光性部材3の第1主面3aの外周が遮光層5に接するように発光素子1及び遮光層5上に透光性部材3が配置されている。これにより、透光性部材3の第1主面3aと遮光層5との間を介して、発光素子1の発光面からの光が光反射性部材7に漏れることなく、透光性部材3に導光される。なお、導光部材9は、透光性部材3の第1主面3aと遮光層5との間に介在していてもよい。この場合、透光性部材3の第1主面3aと遮光層5との間の導光部材9を介して、発光素子1の発光面からの光の光反射性部材7への伝搬を抑えるために、第1主面3aと遮光層5との間に介在する導光部材9の厚さは薄い方が好ましい。
ここで、本実施形態の発光装置では、透光性部材3と発光素子1とは導光部材9を用いることなく接合してもよく、例えば、透光性部材3を無機材料を用いて構成する場合には、例えば、表面活性化接合、原子拡散接合、水酸基接合等の直接接合法を用いて接合することができる。
発光装置は、任意に、保護素子等の別の素子、電子部品等を有していてもよい。これらの素子及び電子部品は、光反射性部材7内に埋設されていることが好ましい。
以下、実施形態の発光装置の製造方法について図面を参照しながら説明する。
発光素子作製工程では、例えば、サファイアウエハなどの支持基板上に、それぞれn型層、活性層、p型層を有し、それぞれ発光面の外周部に遮光層5が形成された発光素子1を集合状態で作製した後、個々の発光素子1に分割する。
具体的には、まず、支持基板の第1面に、例えば、窒化物半導体からなるn型層、活性層、p型層を形成する。
次に、各発光素子1に対応する領域にそれぞれ、n側電極とp側電極とを形成する。
尚、p側電極はp型層の表面に形成し、n側電極は、例えば、各領域においてそれぞれp型層及び活性層の一部を除去してn型層の表面を露出させてその露出させたn型層の表面に形成する。
次に、半導体層を形成した第1面とは反対側の第2面の全面に、例えば、スパッタリング等により金属からなる遮光層5を形成する。
次に、図4Aに示すように、各発光素子1に対応する領域にそれぞれ開口部を形成する。開口部は、例えばエッチングやリフトオフ等により、開口部に位置する遮光層を除去することにより形成される。開口部は、例えば、その中心がそれぞれ各発光素子に対応する領域の中心に一致するようにかつ図4Aに破線で示す切断線を中心線として所定の幅に遮光層5が残るように形状及び位置が設定される。
以上のようにして、発光面の外周部に遮光層5が形成された発光素子1を集合状態で作製した発光素子形成基板20が得られる。
最後に、図4Aに破線で示す切断線に沿ってダイシング等により発光素子形成基板20を切断することにより個々の発光素子1に分離する。
ここでは、図4Bに示すように、発光素子1を基板10上にフリップチップ実装する。
具体的には、例えば、発光素子1の、遮光層5が形成された支持基板の第2面と対向する第1面に形成された半導体上に形成された正負の電極を、基板10上に設けられた配線と対向するように配置し、導電性接合部材11により接合する。
尚、図4Bには、1つの発光装置に対応する領域を拡大して示しているが、実際には、複数の基板10領域を複数含む集合基板を用い、個々の基板10領域にそれぞれ発光素子1をフリップチップ実装し、後述の透光性部材接合工程を経て、光反射性部材形成工程後に基板を切断することにより個々の発光装置が作製される。
また、集合基板上にフリップチップ実装する発光素子1の配置又は配列は、規則的に配列されていることが好ましい。また、隣接する発光素子1間の距離は、光反射性部材形成工程後に個々の発光装置に切断したときに、各発光装置において、発光素子1及び透光性部材3の側面に所定の厚さの光反射性部材7が形成されるように設定される。
例えば、集合基板として、複数の行(n行)及び複数の列(m列)を成すように、それぞれ各発光装置に対応する複数(n×m)の単位領域を含む基板を用いてもよい。
以下の図4C、図4C及びそれらの図を用いた説明についても同様、集合基板上で複数の発光装置について一括して実施される。
ここでは、図4Cに示すように、発光素子1の発光面及び遮光層5に透光性部材3の第1主面3aが対向するように透光性部材3を接合する。
例えば、吸着コレット30に透光性部材3の第2主面3bを吸着して、透光性部材3の第1主面3aの外周が遮光層5上(すなわち、図1に示すように、遮光層5の外周と内周との間の領域)に位置するように位置決めして吸着コレット30を下方に移動させる。
また、透光性部材接合工程では、無機材料からなる透光性部材3を用いる場合には、上述したように、透光性部材3と発光素子1とを、表面活性化接合、原子拡散接合、水酸基接合等の直接接合法を用いて接合してもよい。
ここでは、光反射性部材7を形成する未硬化の樹脂材料(以下、未硬化のものを光反射性樹脂という。)を、隣接する、透光性部材3が接合された発光素子1間に充填して硬化することにより、発光素子1と透光性部材3の側面とを覆う光反射性部材7を形成する。実施形態の発光装置の製造方法では、例えば、隣接する、透光性部材3が接合された発光素子1間の空間の上方に、図4Dに示すように、樹脂吐出装置のノズル35を配置し、そのノズル35の先端から光反射性樹脂7aを吐出して該空間に光反射性樹脂を充填し、その後、充填した光反射性樹脂7aを硬化させる。
光反射性樹脂7aを硬化させた後、個々の発光装置に分割する。
以上のようにして、実施形態の発光装置は製造される。
以下、本発明に係る変形例の発光装置について説明する。
変形例の発光装置は、図5に示すように、基板10を含んでいない点で実施形態の発光装置とは異なっている他は、実施形態の発光装置と同様に構成される。
以上の変形例の発光装置は、実施形態の発光装置に比較して薄型にできる。
また、変形例の発光装置は、例えば、以下のようにして作製することができる。
この発光素子載置工程では、発光素子実装工程における集合基板に代えてシートを用い、そのシートの上に所定の間隔及び配列で発光素子を配置する。
シートとして、例えば、表面に粘着性を有する耐熱性のシートを用いることができる。シートの材料としては、例えばポリイミドが挙げられる。
発光素子載置工程後、実施形態の製造方法と同様、透光性部材接合工程及び光反射性部材形成工程を経て、シート上に発光装置(図5に示す発光装置)を一括して複数作製する。
最後に、シート上に集合状体で作製した発光装置を個々の発光装置ごとに切断する。尚、シートは、個々の発光装置ごとに切断する前に除去してもよいし、個々の発光装置ごとに切断した後に除去するようにしてもよい。
しかしながら、実施形態及び変形例の発光装置の製造方法では、複数の発光装置を集合状態で一括して作製することなく、個々の発光装置を個別に作製するようにしてもよい。
3 透光性部材
3a 第1主面
3b 第2主面(発光装置の光出射面)
5 遮光層
7 光反射性部材
7a 光反射性樹脂
9 導光部材
10 基板
11 導電性接合部材
20 発光素子形成基板
30 吸着コレット
35 ノズル
100 発光装置
Claims (6)
- 発光素子と、
互いに対向しかつ前記発光素子の発光面より小さい第1主面と第2主面とを有し、該第1主面が前記発光素子の発光面に対向するように設けられた透光性部材と、
前記発光面上に前記発光面の外周と前記第1主面の外周の間の領域を覆うように設けられた遮光層と、
前記発光素子と前記透光性部材の側面とを覆う光反射性部材と
を備え、
前記遮光層が前記第1主面の外周の内側まで延在して設けられていることを特徴とする発光装置。 - 前記遮光層は、前記発光素子の側面をさらに覆うように設けられている請求項1記載の発光装置。
- 前記遮光層は金属膜である請求項1又は2に記載の発光装置。
- 前記金属膜は、Au、Ag、Ptからなる群から選択された少なくとも1つの金属を含んでなる請求項3に記載の発光装置。
- 前記発光装置は基板を有し、前記発光素子は、前記発光面に対向する面を実装面として前記基板に実装されている請求項1~4のいずれか1つに記載の発光装置。
- 前記発光素子は、第1面とその第1面に対向する第2面とを有するサファイア基板と、前記第1面側に形成された半導体層とを含み、前記サファイア基板の第2面を前記発光面とする請求項1~5のいずれか1つに記載の発光装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018218046A JP7227458B2 (ja) | 2018-11-21 | 2018-11-21 | 発光装置 |
US16/689,260 US11056623B2 (en) | 2018-11-21 | 2019-11-20 | Light-emitting device and method of manufacturing light-emitting device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018218046A JP7227458B2 (ja) | 2018-11-21 | 2018-11-21 | 発光装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2020088083A JP2020088083A (ja) | 2020-06-04 |
JP7227458B2 true JP7227458B2 (ja) | 2023-02-22 |
Family
ID=70728419
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018218046A Active JP7227458B2 (ja) | 2018-11-21 | 2018-11-21 | 発光装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11056623B2 (ja) |
JP (1) | JP7227458B2 (ja) |
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JP2014060320A (ja) | 2012-09-19 | 2014-04-03 | Sony Corp | ディスプレイ装置及び発光素子 |
JP6418766B2 (ja) | 2014-03-27 | 2018-11-07 | キヤノン株式会社 | 断層画像処理装置、断層画像処理方法及びプログラム |
JP2015195294A (ja) | 2014-03-31 | 2015-11-05 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置の製造方法 |
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JP2018056268A (ja) | 2016-09-28 | 2018-04-05 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置及びその製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20200161513A1 (en) | 2020-05-21 |
JP2020088083A (ja) | 2020-06-04 |
US11056623B2 (en) | 2021-07-06 |
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A977 | Report on retrieval |
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