JP2018190771A - 発光装置及びその製造方法 - Google Patents

発光装置及びその製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2018190771A
JP2018190771A JP2017089785A JP2017089785A JP2018190771A JP 2018190771 A JP2018190771 A JP 2018190771A JP 2017089785 A JP2017089785 A JP 2017089785A JP 2017089785 A JP2017089785 A JP 2017089785A JP 2018190771 A JP2018190771 A JP 2018190771A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light
light emitting
emitting element
emitting device
translucent
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2017089785A
Other languages
English (en)
Other versions
JP7111939B2 (ja
Inventor
崇申 曽我井
Takanobu Sogai
崇申 曽我井
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nichia Chemical Industries Ltd
Original Assignee
Nichia Chemical Industries Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nichia Chemical Industries Ltd filed Critical Nichia Chemical Industries Ltd
Priority to JP2017089785A priority Critical patent/JP7111939B2/ja
Priority to US15/960,051 priority patent/US10707383B2/en
Publication of JP2018190771A publication Critical patent/JP2018190771A/ja
Priority to US16/884,015 priority patent/US11081624B2/en
Application granted granted Critical
Publication of JP7111939B2 publication Critical patent/JP7111939B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/483Containers
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/005Processes
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/26Materials of the light emitting region
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/36Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52Encapsulations
    • H01L33/56Materials, e.g. epoxy or silicone resin
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58Optical field-shaping elements
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008Processes
    • H01L2933/0033Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/005Processes relating to semiconductor body packages relating to encapsulations
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008Processes
    • H01L2933/0033Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/0058Processes relating to semiconductor body packages relating to optical field-shaping elements
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52Encapsulations
    • H01L33/54Encapsulations having a particular shape

Abstract

【課題】発光面における色むらを低減することができる発光装置及びその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】光取り出し面を有する発光素子、該発光素子の光取り出し面に接し、前記発光素子の光取り出し面を内包する第1下面と、前記第1下面に対向し、前記第1下面より大きい面積を有する上面と、前記上面に連続する第1側面と、前記第1側面よりも内側に位置し、前記第1下面に連続する第2側面と、前記第1側面及び前記第2側面に連続する第2下面とを有する透光性部材、前記発光素子の側面の少なくとも一部と、前記透光性部材の第2側面及び第2下面の少なくとも一部とを覆う導光部材、前記透光性部材の第1側面及び前記導光部材の側面を被覆する被覆部材を備える発光装置。
【選択図】図1B

Description

本開示は、発光装置及びその製造方法に関する。
従来から、発光素子の上面に、透明材料層を介して板状光学層を搭載した発光装置が提案されている(例えば、特許文献1)。
この板状発光層は、発光面積を小さくすることで、光取り出し効率の向上を図っている。
特開2012−4303号公報
しかし、発光素子の上面より大きい下面を有する板状光学層の利用では、発光素子の光取出し面とその外周部分との間において、光分布が均一にならず、発光むらが生じやすい。
本開示は、発光面における色むらを低減することができる発光装置及びその製造方法を提供することを目的とする。
本願は、以下の発明を含む。
(1)光取り出し面を有する発光素子、
該発光素子の光取り出し面に接し、前記発光素子の光取り出し面を内包する第1下面と、前記第1下面に対向し、前記第1下面より大きい面積を有する上面と、前記上面に連続する第1側面と、前記第1側面よりも内側に位置し、前記第1下面に連続する第2側面と、前記第1側面及び前記第2側面に連続する第2下面とを有する透光性部材、
前記発光素子の側面の少なくとも一部と、前記透光性部材の第2側面及び第2下面の少なくとも一部とを覆う導光部材、
前記透光性部材の第1側面及び前記導光部材の側面を被覆する被覆部材を備える発光装置。
(2)透光性基板上に複数の発光素子を接合し、
前記透光性基板上に前記複数の発光素子それぞれの外周を取り囲む少なくとも1つの溝を形成し、
前記溝内及び前記複数の発光素子それぞれの外周側面を連続して被覆する少なくとも1つの導光部材を配置し、
前記複数の発光素子間における前記透光性基板を分離し、1つの透光性基板に少なくとも1つの発光素子が接合された発光装置を得ることを含む発光装置の製造方法。
本発明の実施形態の発光装置によれば、発光面における色むらを低減することができる発光装置及びその製造方法を提供することができる。
本願の一実施形態の発光装置の構成を模式的に示す概略平面図である。 図1AのIB−IB線断面図である。 図1Bの要部の拡大図である。 図1Aの発光装置の製造方法を模式的に示す概略断面工程図である。 図1Aの発光装置の製造方法を模式的に示す概略断面工程図である。 図1Aの発光装置の製造方法を模式的に示す概略断面工程図である。 図1Aの発光装置の製造方法を模式的に示す概略断面工程図である。 図2Bにおける概略平面図である。
以下、本発明に係る実施形態の一例となる発光装置及びその製造方法について、図面を参照しながら説明する。以下の説明において参照する図面は、本発明を概略的に示したものであるため、各部材のスケールや間隔、位置関係等が誇張、あるいは、部材の一部の図示が省略されている場合がある。また、以下の説明では、同一の名称及び符号については原則として同一もしくは同質の部材を示しており、詳細説明を適宜省略することとする。
〔発光装置〕
この実施形態の発光装置は、図1A〜1Cに示すように、発光素子11と、発光素子11の上方に配置される透光性部材12と、発光素子11の側面および透光性部材12の下面を被覆する導光部材13と、導光部材13および透光性部材12の側面を被覆する被覆部材14とを備える。このような発光装置10は、例えば、一般照明用光源、車載用光源として利用できる。
この発光装置10では、透光性部材12が、後述するように、発光素子側に位置する下面に、発光素子の光取り出し面と接する凸部を備える。言い換えると、透光性部材12は、上面からの高さが異なる2つの下面を有し、これにより、発光素子11の光取出し面の外周部(つまり平面視において発光素子11より外側に位置する領域)に中央部(つまり平面視において発光素子11と重なる領域)よりも厚みの薄い透光性部材12を配置することができる。透光性部材12がこのような構成を有することにより、透光性部材12の上面を発光面とする発光装置10における発光面の発光むらを効果的に低減することができる。
透光性部材12の凸部(つまり平面視において発光素子11と重なる領域)においては、透光性部材12が発光素子11に接して配置されることにより、発光素子11から出射される光が、従来、発光素子11と透光性部材12との間に介在していた他部材(例えば、接着剤等)を介さずに入射されるため、他部材の介在による光吸収、光反射を回避することができ、光の取出し効率を向上させることができる。これに対し、透光性部材12の下面の凸部以外の領域(つまり平面視において発光素子11より外側に位置する領域)は、発光素子11からの出射光は主に導光部材13を介して入射される。このため、この領域の透光性部材12の厚みを薄くすることで、透光性部材12の上面における中央部と外周部における輝度差を抑制することができる。特に透光性部材12が後述する蛍光体を含有する場合には、外周部における色むらを効果的に抑制することができる。
(発光素子11)
発光素子11は、n型半導体層とp型半導体層と発光層とからなる半導体層を有する発光ダイオードを用いることが好ましく、目的及び用途に応じて任意の波長のものを選択することができる。発光素子11は、半導体層の一面側を主な光取出し面とする。例えば、青色(波長430nm〜490nmの光)、緑色(波長490nm〜570nmの光)の発光素子11としては、ZnSe、窒化物系半導体(InAlGa1−X−YN、0≦X、0≦Y、X+Y≦1)、GaP等の半導体層を用いたものが挙げられる。また、赤色(波長620nm〜750nmの光)の発光素子11としては、GaAlAs、AlInGaP等の半導体層を用いたもの等が挙げられる。なお、後述するように、蛍光体を用いた発光装置10とする場合には、その蛍光体を効率よく励起できる短波長の発光が可能な窒化物半導体(InAlGa1−X−YN、0≦X、0≦Y、X+Y≦1)を用いることが好ましい。発光素子11の成分組成、発光色、大きさ等は、目的及び用途に応じて適宜選択することができる。
発光素子11は、半導体層に接続された一対の電極を備える。一対の電極は、半導体層の異なる面に配置されていてもよいが、半導体層の同一面側に配置されていることが好ましい。これにより、発光素子11を基板15上にフリップチップ実装することができる。一対の電極が形成された面を下面として基板15上にフリップチップ実装した場合、下面と反対側の上面が発光素子11の主な光取り出し面となる。
発光素子11は、円形、楕円形、正方形又は六角形等の多角形等種々の平面形状を採ることができるが、正方形、長方形等の矩形又は正六角形であることが好ましい。その大きさは、用いる用途、得ようとする性能等によって適宜設定することができる。
発光素子11の光取出し面には、後述するように、透光性部材12が接して配置される。透光性部材12は、後述するように、接着剤等を介さずに直接接合され、固定されていることが好ましい。そのために、発光素子11の光取出し面は、平滑であることが好ましい。例えば、表面粗さRaが1.0nm以下であることがより好ましく、0.3nm以下であることがさらに好ましい。ここでの表面粗さRaは、JIS B0601:2013による「算術平均粗さRa」として表される値を指す。
(透光性部材12)
透光性部材12は、発光素子11の光取り出し面に接して配置されている。
透光性部材12は、発光素子側に対向する下面に凸部を備える。言い換えると、透光性部材12は、第1下面12B1と、上面12Aと、第1側面12S1と、第2側面12S2と、第2下面12B2とを有する。具体的には、透光性部材12は、発光素子11の光取り出し面に接する第1下面12B1と、第1下面12B1と反対側の面となる上面12Aと、上面12Aに連なる第1側面12S1と、第1側面よりも内側に位置する第2側面12S2と、第1側面12S1と第2側面12S2との間に位置する第2下面12B2とを有する。透光性部材12の第1下面12B1から上面12Aまでの高さは、第2下面12B2から上面12Aまでの高さよりも高い。
透光性部材12の上面12Aと第1下面12B1とは、互いに対向する面であり、互いに平行に対向する面であることがより好ましい。
透光性部材12の第1下面12B1は、発光素子11の光取り出し面に接する面であり、後述するように、接着剤等を介さずに直接接合され、固定されていることが好ましい。これによって、従来から用いられている接着剤等による光吸収や光反射を回避することができ、発光素子から出射される光を、接着剤等の影響を受けることなく透光性部材12に入射させることができ、透光性部材12の上面を発光面とする発光装置10における光の取出し効率の向上を図ることができる。
第1下面12B1は、後述する種々の接合法によって発光素子11の光取り出し面と直接接合されている。そのために、第1下面12B1は、平滑であり、例えば、Raが1.0nm以下であることが好ましく、0.3nm以下であることがより好ましい。
第1下面12B1は、発光素子11の光取り出し面(つまり発光素子11の上面)と同等の大きさでもよいが、発光素子11の光取り出し面を内包するように、発光素子11の光取り出し面よりも若干大きいことが好ましい。例えば、第1下面12B1は、発光素子11の光取出し面の100〜120%の面積を有することが好ましい。第1下面12B1は、その外縁の一部又は全部が、発光素子11の光取出し面の外縁よりも外側に配置されていることが好ましく、その外縁の全部が外側に配置されていることがより好ましい。また、第1下面12B1は、その中心が、発光素子11の光取出し面の中心と略一致するように配置されていることが好ましい。さらに、第1下面12B1は、発光素子11と同様に、種々の平面形状を採ることができるが、正方形、長方形等の矩形又は正六角形であることが好ましく、発光素子11の光取出し面の形状と同じ又は相似であることがより好ましい。
例えば、第1下面12B1の外縁と発光素子11の光取出し面の外縁との距離W2は、10〜50μmが挙げられ、10〜40μmが好ましく、15〜30μmがより好ましい。このように、透光性部材12の第1下面12B1が、発光素子11の光取り出し面から露出する領域を有することにより、発光素子の光取り出し面から透光性部材12の上面12Aの外縁に向かって斜め方向に向かう光の経路が確保できる。つまり、断面視において、透光性部材12の上面端部と発光素子11の光取り出し面端部を結ぶ直線経路が確保できる程度の距離W2とすることが好ましい。
透光性部材の上面12Aは発光装置10の発光面として、発光装置10の外面(例えば上面)の一部を構成する面である。上面12Aは、第1下面12B1に対向する面であり、第1下面12B1より大きい面積を有する。例えば、上面12Aは、第1下面12B1の100%より大であり、150%以下の面積を有することが好ましい。上面12Aは、その中心が、第1下面12B1の中心と一致するように配置されていることが好ましい。また、上面12Aは、発光素子11の光取出し面より大であり、その面積の170%以下の面積を有することが好ましい。上面12Aは、その中心が、発光素子11の光取出し面の中心と略一致するように配置されていることが好ましい。
上面12Aは、発光素子11と同様に、種々の平面形状を採ることができるが、正方形、長方形等の矩形又は正六角形であることが好ましく、発光分布の観点から発光素子11の光取出し面の形状と相似であることがより好ましい。
上面12Aは、表面に微細な凹凸が形成されていてもよい。このような凹凸によって、上面12Aからの出射光の散乱を促進させて上面12Aからの光取り出し効率を高めることができる。
透光性部材12の第1側面12S1は、上面12Aに連続する透光性部材12の側面である。第1側面12S1は、上面12Aに対して略垂直な面であることが好ましいが、下面側に向かって若干の狭まる、広がる形状又は双方を有する形状を有していてもよい。例えば、その程度は、90±10度程度が許容される。また、それらの連結部分は、丸みを帯びていてもよく、第1側面12S1が、曲面又は曲面を含む面であってもよい。
第1側面12S1は、その表面が平滑であってもよいし、微細な凹凸を有していてもよい。
第1側面12S1の高さ、言い換えると、上面12Aから、後述する第2下面12B2までの高さT1は、透光性部材12の全高さTの2/10〜8/10が挙げられ、3/10〜7/10が好ましく、3/10〜6/10がより好ましく、3/10〜5/10がさらに好ましい。具体的には、30〜200μmが挙げられ、40〜180μmが好ましく、50〜165μmがより好ましい。このような高さとすることにより製造工程における透光性部材12の機械的強度が確保できる。また、第1側面12S1が後述する被覆部材14で被覆された発光装置10において、発光部と非発光部との輝度差をより明確にすることができる。
第2側面12S2は、第1側面12S1よりも透光性部材12の内側に位置し、第1下面12B1に連続する透光性部材12の側面である。
第2側面12S2は、第1下面12B1に対して略垂直な面であることが好ましいが、上面側に向かって若干の狭まる又は広がる形状を有していてもよい。例えば、その程度は、90±10度程度が許容される。また、それらの連結部分は、丸みを帯びていてもよく、第2側面12S2が、曲面又は曲面を含む面であってもよい。
第2側面12S2の高さ、言い換えると、第1下面12B1から、後述する第2下面12B2までの高さT2は、透光性部材12の全高さTの2/10〜8/10が挙げられ、3/10〜7/10が好ましく、3/10〜6/10よりが好ましく、3/10〜5/10がさらに好ましい。具体的には、30〜200μmが挙げられ、40〜180μmが好ましく、50〜165μmがより好ましい。このような高さとすることにより、製造工程における機械的強度を確保することができる。
第2側面12S2は、その表面が平滑であってもよいし、微細な凹凸を有していてもよい。
なお、第2側面12S2の加工形態によっては、第2側面12S2と、後述する第2下面12B2との境界が明確に存在せずに、連結した形態、例えば、両者が曲面となって連続したような形態となることがある。この場合の曲面は、内側に凹、外側に凸の形態が包含される。このような形態は、透光性部材12の外周において、その中央部よりも厚さが薄い部分が存在する限り、第2側面12S2として包含される。
第2下面12B2は、第1側面12S1及び第2側面12S2の双方に連続する面であり、第1下面12B1の外周の一部又は全部に配置される。
第2下面12B2の幅W1は、例えば、発光素子11の一辺の長さの2.5〜7.5%程度が挙げられる。別の観点から、例えば、幅W1は、10〜200μmが挙げられ、20〜100μmが好ましく、50〜75μmがより好ましい。これにより、後述する導光部材13の形状と相まって、透光性部材12の外縁部における発光むらを抑制することが可能となる。ここで、幅W1は、第1側面12S1から第2側面12S2までの距離、より具体的には第1側面12S1の最外側から、第2側面12S2の最外側の距離を意味する。なお、第2下面12B2の幅W1は、第1下面12B1の外周において、一定の幅W1であることが好ましいが、部分的に幅広又は幅狭の部位が存在してもよい。
透光性部材12は、例えば、樹脂成形体や、セラミックス、ガラス等の無機物によって形成することができる。ここで、透光性とは、透光性部材の母材の透過率において発光素子から出射される光の60%以上を透過すればよく、70%以上を透過するものが好ましく、80%以上を透過するものがより好ましい。
透光性部材12は、蛍光体を含有するものが好ましい。蛍光体を含有する透光性部材12としては、例えば蛍光体の焼結体や、樹脂、ガラス、セラミックス、他の無機材料に蛍光体を含有させたものが挙げられる。蛍光体としては、イットリウム・アルミニウム・ガーネット系蛍光体(YAG系蛍光体)、窒化物系蛍光体、酸窒化物蛍光体、KSiF:Mn系蛍光体(KSF蛍光体)、硫化物系蛍光体等の当該分野で公知のものを適宜使用することができる。これらの蛍光体を、所望の色調に適した組み合わせ及び/又は配合比で用いて、演色性や色再現性を調整することができる。透光性部材12が蛍光体を含有することにより、透光性部材12上面から外部に出射される光は、発光素子11からの出射光と、蛍光体により波長変換された光との混色光となる。そのため、例えば、発光素子11から出射された青色光と、その青色光の一部が蛍光体により波長変換された黄色光とを混色させることにより、白色系の光を発する発光装置10を得ることができる。
YAG系蛍光体は、青色発光素子と好適に組み合わせて白色系の混色光を発光させることができる代表的な蛍光体である。YAG系蛍光体としては、例えば(Re1−xSm(Al1−yGa12:Ce(0≦x<1、0≦y≦1、ただしReはY、Gd及びLaからなる群から選択される少なくとも一種の元素である)等を用いることができる。
YAG系蛍光体を用いて白色に発光可能な発光装置とする場合、透光性部材12に含まれる蛍光体の濃度は、白色に発光可能となるように適宜設定することができ、例えば、5wt%〜50wt%が挙げられる。
また、発光素子11に青色発光素子を用い、蛍光体にYAG系蛍光体と、赤色成分の多い窒化物系蛍光体とを用いることにより、アンバー色を発光させることもできる。アンバー色とは、JIS規格Z8110における黄色のうちの長波長領域と黄赤の短波長領域とからなる領域、安全色彩のJIS規格Z9101による黄色の領域と黄赤の短波長領域に挟まれた領域の色度範囲が該当する。例えば、ドミナント波長として、580nm〜600nmの範囲に位置する領域のことである。アンバー色を発光させる蛍光体は、光交換効率が低いものが多く、所望の色調を得るためには蛍光体濃度を高くすることが好ましい。また、蛍光体の発熱が他の蛍光体に比べて大きいという問題もある一方、透光性部材12の蛍光体濃度を高くし、かつ厚さを薄くすることにより、アンバー色を発光させる蛍光体を好適に用いることができる。
窒化物系蛍光体は、例えば、CaAlSiN:Eu、(Sr、Ca)AlSiN:Eu、(Sr,Ca)Si:Eu、(Sr,Ca)Si10:Eu等で表される。
透光性部材12には、いわゆるナノクリスタル、量子ドットと称される発光物質を用いてもよい。このような材料としては、半導体材料、例えば、II−VI族、III−V族又はIV−VI族の半導体、具体的には、CdSe、コアシェル型のCdSSe1−X/ZnS、GaP、InAs等のナノサイズの高分散粒子を挙げることができる。このような蛍光体は、例えば、粒径が1nm〜100nm、好ましくは1nm〜20nm程度のものを挙げることができる。このような透光性部材12を用いることにより、内部散乱を抑制することができ、色変換された光の散乱を抑制し、光の透過率をより一層向上させることができる。
透光性部材12は、1種類の部材によって単層で形成してもよく、2種類以上の部材を混合して単層で形成してもよく、単層を2層以上積層してもよい。
また、透光性部材12には、必要に応じて光拡散部材を含有させてもよい。透光性部材12の蛍光体濃度を高くすると色むらが発生し易くなるが、透光性部材12に光拡散材を含有させることにより、色むら、さらには輝度むらを抑制することができる。光拡散材としては、例えば、酸化チタン、チタン酸バリウム、酸化アルミニウム、酸化ケイ素等が挙げられる。
透光性部材12の厚さTは、製造工程における機械的強度が低下せず、透光性部材12に十分な機械的強度を付与することができる厚さであればよく、例えば50μm以上とすることが好ましい。また加工のしやすさを考慮すると例えば300μm以下とすることが好ましい。これらを考慮した透光性部材12の厚さTとしては、例えば、50μm〜300μmが挙げられ、70μm〜300μmが好ましく、100μm〜200μmがより好ましい。
(導光部材13)
導光部材13は、発光素子11の側面の少なくとも一部を被覆する。また、導光部材13は、透光性部材12の第2側面及び第2下面の少なくとも一部を被覆する。言い換えると、導光部材13は、発光素子11の側面及び透光性部材12の凸部の側面を被覆する。透光性部材12の第1下面12B1が、発光素子11の光取出し面よりも大きい場合には、発光素子11の光取出し面と接していない第1下面12B1も被覆されている。透光性部材12の第1側面12S1は導光部材13に被覆されないことが好ましい。導光部材13が透光性部材12の第1側面12S1を被覆しないことにより、つまり、導光部材13を発光装置10の発光面から離間させることにより、導光部材13からの外部への漏れ光を抑制することができる。これにより、発光装置10の発光面を透光性部材12の上面12Aに限定することができる。
導光部材13は、図1Cに示すように、発光素子11の側面から透光性部材12の第2下面12B2まで延在して配置される。発光素子11の側面を覆う導光部材13の厚さ(つまり平面方向における導光部材13の幅)は、透光性部材12(つまり発光装置10の上面側)に近づくほど厚くなる。そして、その厚さが発光素子11の下面方向に向かって小さくなる断面視略三角形状に形成されていることが好ましい。導光部材13の発光素子11の側面等に対面する面と反対側の側面13aは、発光素子11の外周を囲む平面であってもよいし、内側に凹、外側に凸の曲面であってもよい。また、透光性部材12の第2側面12S2を覆う導光部材13は、第2側面12S2の全高さ方向に亘って略同じ厚さで配置されていることが好ましい。
導光部材13がこのような側面形状を有することにより、発光素子11からの出射光が透光性部材12の上面12Aと同等の平面積に広がってから、透光性部材12の第2下面12B2に入射される。このため、発光素子11からの出射光が透光性部材12の第2下面12B2の端部にまで到達しやすくなるため、透光性部材12の上面12Aにおける発光むらが抑制される。
導光部材13は、発光素子11の側面を覆う導光部材13の最大厚さが、第2下面12B2の幅W1と、第1下面12B1の外縁と発光素子11の光取出し面の外縁との距離W2との合計長さ(つまり発光素子11の側面から透光性部材12の第1側面12S1までの距離)以下であり、透光性部材12の第2下面12B2の幅W1以上とすることが好ましい。
第2下面12B2に接する導光部材13の外縁部は、第2下面12B2の外縁の内側に存在してもよいが、第2下面12B2の外縁と略一致していることが好ましい。
発光素子11の側面と接する導光部材13の下端部は、発光素子11の下端より上側に存在、または発光素子11の下端と一致していることが好ましい。
導光部材13は、例えば、発光素子11の側面の全部と、透光性部材12の第2側面及び第2下面の全部と、発光素子11の光取出し面と接していない第1下面12B1の全部を被覆することが好ましい。これによって、発光素子11の側面からの出射光を、導光部材13と後述する被覆部材14との界面で反射させて透光性部材12内に入射させ、また、透光性部材12の第2側面12S2から出射する光を導光部材13と後述する被覆部材14との界面で反射させて透光性部材12内に入射させて、その結果、透光性部材12の上面からの光取り出し効率を向上させることができる。
導光部材13は、発光素子11からの出射光を透光性部材12に導光することができる透光性材料によって形成することが好ましい。このような材料としては、例えば、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂等の有機樹脂が挙げられる。なかでも、シリコーン樹脂が好ましい。この材料は、上述したような光拡散材を含有していてもよい。
上述したように、導光部材13が発光素子11の側面及び透光性部材12の下面を連続して被覆することにより、発光素子11と透光性部材12との連結をより強固なものとすることができる。
(被覆部材14)
被覆部材14は、透光性部材12の第1側面12S1及び導光部材13の側面13aを被覆する。被覆部材14は、発光素子11において、発光素子11の側面の一部が導光部材13から露出する際には、被覆部材14は導光部材13から露出する発光素子11の側面を被覆する。これにより、発光素子11から出射する光の略全てを透光性部材12に入射させることができる。
後述するように、発光素子11等が基板15上に搭載されている場合には、被覆部材14は、透光性部材12、導光部材13及び発光素子11の側面に加えて、発光素子11の下面と基板15との間、基板15上にも配置されていることが好ましい。
被覆部材14としては、絶縁材料を用いることが好ましく、例えば、樹脂材料を用いることができる。樹脂材料としては、シリコーン樹脂、変性シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、変性エポキシ樹脂、アクリル樹脂、フェノール樹脂、BTレジン及びPPAの1種以上を含む樹脂又はハイブリッド樹脂等が挙げられる。なかでも、耐熱性、電気絶縁性に優れ、柔軟性のあるシリコーン樹脂が好ましい。また、被覆部材14は光反射性を有することが好ましい。光反射性を有する被覆部材14は、上述した絶縁材料からなる母材に光反射物質を含有させることで形成することができる。光反射物質としては、酸化チタン、酸化ケイ素、酸化ジルコニウム、酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、水酸化カルシウム、珪酸カルシウム、酸化亜鉛、チタン酸バリウム、チタン酸カリウム、アルミナ、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、ムライト等が挙げられる。なかでも酸化チタンは、水分等に対して比較的安定でかつ高屈折率であるため好ましい。さらに、被覆部材14として、光反射性と放熱性に優れた絶縁材料として、セラミックスを用いてもよい。セラミックスとしては、酸化アルミニウムや窒化アルミニウムや窒化ホウ素等が挙げられる。
(基板15)
発光素子11は、任意に、基板15上に搭載されていてもよい。基板15は、発光素子11を、被覆部材14等とともに一体的に支持することができる。また、基板15は、発光装置10を電気的に外部と接続する。このため、基板15の表面には、外部の電源と発光素子とを電気的に接続するための配線パターンが形成されており、その配線パターン上に発光素子等が実装されていることが好ましい。
発光素子11の基板15への実装に接合部材を用いる場合、接合部材としては、Auあるいはその合金等からなるバンプ、共晶ハンダ(Au−Sn)、Pb−Sn、鉛フリーハンダ等が挙げられる。
基板15は絶縁性材料を用いることが好ましく、かつ、発光素子11からの光及び外光を透過しにくい材料を用いることが好ましい。例えば、アルミナ、窒化アルミニウム、ムライト等のセラミックス、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、BTレジン、ポリフタルアミド等の樹脂材料が挙げられる。また、絶縁性材料と金属部材との複合材料を用いてもよい。基板15の材料として樹脂を用いる場合、必要に応じてガラス繊維、酸化ケイ素、酸化チタン、アルミナ等の無機フィラーを樹脂に混合してもよい。これにより、機械的強度の向上、熱膨張率の低減、光反射率の向上を図ることができる。基板15は、目的及び用途に応じて任意の厚さに設定することができる。
基板15上には、発光素子11等のほか、被覆部材14を保持するための枠体16等が配置されていてもよい。
(電子部品)
この実施形態の発光装置10は、発光素子11とは別に、その発光素子11に隣接して他の電子部品を備えていてもよい。電子部品としては、発光装置10の発光を目的としない部品であり、発光素子を制御するためのトランジスタ、規定電圧以上の電圧が印加されると通電状態になるツェナーダイオード等の保護素子等が挙げられる。保護素子は、発光素子11のp電極とn電極に対して逆並列となるように、それぞれ電気的に接続されている。これにより、発光素子11のpn両電極間の電圧がツェナー電圧以上となることを防止することができ、過大な電圧が印加されることによる発光素子11の素子破壊や性能劣化の発生を適切に防止することができる。
これらの電子部品は、被覆部材14に埋設されて配置されることが好ましい。
このような構成の発光装置10では、発光素子11の光取出し面上に配置された透光性部材12と、導光部材13とによって、発光素子11から出射された光の略全てを効率的に透光性部材12に入射させることができる。
特に、透光性部材12に蛍光体が含有されている場合には、発光素子11とオーバーラップしない透光性部材12の外周部分の厚さを薄くすることにより、発光面(つまり透光性部材12の上面)の端部の特定の色の成分、例えば、YAGを用いた場合の黄色成分を減少させることができる。これによって、正面輝度を向上させることができると同時に、発光面の外周部にリング状の色むらが生じることを効果的に低減することができる。
〔発光装置の製造方法〕
この実施形態の発光装置の製造方法は、
透光性基板22上に複数の発光素子11を接合し(図2A)、
透光性基板22上に、複数の発光素子11それぞれの外周を取り囲む少なくとも1つの溝23を形成し(図2B)、
溝23内及び複数の発光素子11それぞれの外周側面を連続して被覆する少なくとも1つの導光部材13を配置し(図2C)、
複数の発光素子11間における透光性基板22を分離し、1つの透光性部材12に少なくとも1つの発光素子11が接合された発光装置を得る(図2D)ことを含む。
(A:発光素子11の接合)
図2Aに示すように、透光性基板22上に複数の発光素子11を接合する。
透光性基板22上に複数の発光素子11を接合する方法としては、当該分野で公知の方法が挙げられる。なかでも、常温接合を利用することが好ましい。常温接合は、例えば、10〜40℃の温度条件下、好ましくは15〜25℃室温で、透光性基板22と発光素子11とを貼り合わせる接合技術である。例えば、接合面を真空中で表面処理し、活性化することにより、接着剤、熱、圧力等を加えずに2つの接合面を接合する表面活性化接合、接合面に超高真空中で微細結晶膜を形成し、それらの薄膜を真空中で重ね合わせることで、接合面同士を接合する原子拡散接合等が挙げられる。さらに、原子層堆積法を利用して接合面に水酸基含有膜を形成し、接合面同士を張り合わせる水酸基接合等を利用してもよい。これらの方法は、例えば、WO2011/126000号パンフレット、特開2015−29079号公報、特開2014−232866号公報等に記載の方法を利用することができる。
常温接合では、接合面を空気中又は真空中で表面処理等する。例えば、真空中で、接合面に付着している酸化膜、汚れ等を、アルゴンなどのイオン又はプラズマ等を照射して除去する。この場合のエネルギー、時間等は、適宜調整することができる。このような処理によって、結合手をもった原子が接合面で露出し、他の原子との接合力が大きな、非常に活性な状態を形成することができる。これによって、接合面同士を接触させることにより、瞬時に結合力が働き、接合面同士を強固に接合させることができる。また、原子レベルでの接合であるため、接着剤等による接着に比較して強度が高く、耐久性に優れた接合を行うことができる。このような接合では、加熱による熱歪、熱応力が発生しないために、安定な接合を実現することができる。
常温接合を効果的に行うために、透光性基板22及び発光素子11との互いに接合する接合面は、高い平滑性を有していることが好ましい。具体的には、接合面の算術平均粗さRaが1.0nm以下であることが好ましく、0.3nm以下とすることがより好ましい。接合面をこのような表面粗さにする方法は、機械的研磨、化学的研磨、化学的機械研磨等、公知の方法のいずれでもよい。
複数の発光素子11は、図3に示したように、透光性基板22上に規則的(例えば行列状)に配置することが好ましい。またこの際の隣接する発光素子11間は等距離で配列することがより好ましい。隣接する発光素子11間の距離は、得ようとする透光性部材12の各部の大きさを考慮して設定され、例えば、100〜500μmの間隔が挙げられる。
透光性基板22は、上述した透光性部材12を構成する材料によって形成された平板状の基板である。ここでの接合面は、上述したように非常に平滑とするものであるが、接合面以外の面は、平滑でなくてもよく、凹凸等を有していてもよい。
(B:溝23の形成)
図2B及び図3に示したように、透光性基板22上に、複数の発光素子11それぞれの外周を取り囲む溝23を形成する。
溝23は、各発光素子11に対応する透光性部材12を区画するためのものである。複数の発光素子11が透光性基板22上に行列状に配置されている場合、例えば溝23は平面視で格子状に形成することができる。溝23は、所定幅のブレードを用いて形成される。ここでのブレードの幅は、得ようとする溝23の形状等を考慮して、適宜設定することができる。例えば、20〜200μmの幅のものが挙げられ、50〜180μmの幅のものが好ましく、100〜150μmの幅のものがより好ましい。溝23は、隣接する発光素子11間に亘って形成することが好ましい。なかでも、発光素子11の外縁に沿って、発光素子11の側面に近接する位置までの幅の溝を形成することが好ましい。この際、図3に示すように、溝23を発光素子11から離間して形成することにより、例えば複数の発光素子を透光性基板22上に行列配置する際に位置精度のばらつきが生じても、溝を形成するためのブレードと発光素子とが接触しないため、発光素子の損傷の発生を抑制することができる。また、このように溝23と発光素子11とを離間させることにより、透光性部材12に発光素子の上面を内包する大きさの第1下面を形成することができる。
溝の深さは、上述した第2側面12S2の高さT2(図1C参照)に相当するものであり、透光性部材の12総厚さTの3/10〜7/10であることが好ましい。
なお、溝は、ブレードを用いた溝形成以外に、例えば、レーザー光を用いて透光性基板の表面に溝を形成してもよいし、フォトリソグラフィ及びエッチング法を利用して、透光性基板の表面に溝を形成してもよい。
(C:導光部材13の配置)
図2Cに示すように、溝23内及び複数の発光素子11それぞれの外周側面を連続して被覆する導光部材13を配置する。
導光部材13は、上述した材料を、例えば、ポッティング、印刷等によって形成することができる。導光部材13は、発光素子11間でその表面形状が凹形となるように形成することが好ましい。ポッティングにより形成する場合、このような表面形状は、用いる材料の量及び/又は粘度を調整することにより適宜制御することができる。例えば導光部材13を形成する樹脂材料を溝23内に滴下することにより、表面張力によって、発光素子11の側面に這い上がり、発光素子の側面の一部又は全部を、導光部材13によって被覆することができる。
(D:透光性基板22の分離)
図2Dに示すように、複数の発光素子11間における透光性基板22を分離する。これにより、1つの透光性部材12に1つの発光素子11が接合された発光装置を得ることができる。
透光性基板22の分離は、発光素子11間で、透光性基板22と導光部材13とを分離することにより行うことができる。ここでの分離は、例えば、所定幅のブレードを用いて、溝23の中心を通るように、透光性基板22を分割する方法を利用することができる。ここで用いるブレードは、溝23を形成するために用いたブレードよりも、幅狭のものを用いる。ブレードの幅は、例えば、30μm〜100μmの幅のものが挙げられる。これにより、図1A〜1Cに示したように、透光性部材12の第1下面12B1を、上面12Aよりも、50〜75μm小さく形成することができる。
なお、分離は、ブレードを用いる代わりに、レーザー光等を用いてもよい。
その後、得られた発光装置(つまり透光性部材12及び導光部材13を備えた発光素子11)を、図1A及び1Bに示したように、基板15上の配線パターン上に実装してもよい。発光素子11の実装方法としては、フリップチップ実装を用いることが好ましい。
また、得られた発光装置(つまり透光性部材12及び導光部材13を備えた発光素子11)を、任意に基板15上に実装し、その後、被覆部材14を透光性部材12及び導光部材13の周囲及び任意に基板15上に配置する。
被覆部材14は、例えば、基板15に対して上下方向又は水平方向等に可動させることができる樹脂吐出装置等を用いて形成することができる。
このような発光装置の製造方法によれば、特に、発光素子を透光性基板上に配置した後に溝を形成することにより透光性部材の厚みを制御、つまり、凸部あるいは第1下面と、上面と、第1側面と、第2側面と、第2下面とを有する形状に、複数の発光装置間でばらつきを抑えて高精度に製造することができる。さらに、導光部材の形状を、その材料の量を調整することにより確実に制御することができ、適所に適切な形状で配置することが可能となる。これによって、光取出し効率の良好な複数の発光装置を、簡便かつ高精度に効率的に製造することができる。
10 発光装置
11 発光素子
12 透光性部材
12A 上面
12B1 第1下面
12B2 第2下面
12S1 第1側面
12S2 第2側面
13 導光部材
13a 側面
14 被覆部材
15 基板
16 枠体
22 透光性基板
23 溝

Claims (14)

  1. 光取り出し面を有する発光素子、
    該発光素子の光取り出し面に接し、前記発光素子の光取り出し面を内包する第1下面と、前記第1下面に対向し、前記第1下面より大きい面積を有する上面と、前記上面に連続する第1側面と、前記第1側面よりも内側に位置し、前記第1下面に連続する第2側面と、前記第1側面及び前記第2側面に連続する第2下面とを有する透光性部材、
    前記発光素子の側面の少なくとも一部と、前記透光性部材の第2側面及び第2下面の少なくとも一部とを覆う導光部材、
    前記透光性部材の第1側面及び前記導光部材の側面を被覆する被覆部材を備える発光装置。
  2. 前記被覆部材は、前記導光部材から露出する前記発光素子の側面を被覆する請求項1に記載の発光装置。
  3. 前記透光性部材の前記第1下面から前記第2下面までの厚さは、前記透光性部材の総厚さの3/10〜7/10である請求項1又は2に記載の発光装置。
  4. 前記発光素子の側面を覆う前記導光部材は、断面視において、前記透光性部材に近い側が厚く配置されている請求項1〜3のいずれか1つに記載の発光装置。
  5. 前記透光性部材の第2側面を覆う前記導光部材は、断面視において、同じ厚さで配置されている請求項1〜4のいずれか1つに記載の発光装置。
  6. 前記透光性部材は、蛍光体を含有する請求項1〜5のいずれか1つに記載の発光装置。
  7. 光取り出し面を有する発光素子、
    該発光素子の光取り出し面に接して配置され、前記発光素子側に凸部を備える透光性部材、
    前記発光素子の側面及び前記透光性部材の凸部の側面を覆う導光部材、
    前記透光性部材の側面及び前記導光部材の側面を被覆する被覆部材を備える発光装置。
  8. 透光性基板上に複数の発光素子を接合し、
    前記透光性基板上に前記複数の発光素子それぞれの外周を取り囲む少なくとも1つの溝を形成し、
    前記溝内及び前記複数の発光素子それぞれの外周側面を連続して被覆する少なくとも1つの導光部材を配置し、
    前記複数の発光素子間における前記透光性基板を分離し、1つの透光性部材に少なくとも1つの発光素子が接合された発光装置を得ることを含む発光装置の製造方法。
  9. 前記複数の発光素子を、前記透光性基板上に行列状に配置する請求項8に記載の発光装置の製造方法。
  10. 前記溝を、平面視で格子状に形成する請求項8又は9に記載の発光装置の製造方法。
  11. 前記溝を、前記透光性基板の厚さの3/10〜7/10の深さで形成する請求項8〜9のいずれか1つに記載の発光装置の製造方法。
  12. 前記透光性基板の接合面の表面粗さ及び前記発光素子の接合面の表面粗さを、1.0nm以下とする請求項8〜11のいずれか1つに記載の発光装置の製造方法。
  13. 前記導光部材の表面形状を、前記発光素子間で凹形を形成するように配置する請求項8〜12のいずれか1つに記載の発光装置の製造方法。
  14. 前記透光性基板の分離を、前記発光素子間で、前記透光性基板と前記導光部材とを分離することにより行う請求項8〜13のいずれか1つに記載の発光装置の製造方法。
JP2017089785A 2017-04-28 2017-04-28 発光装置及びその製造方法 Active JP7111939B2 (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017089785A JP7111939B2 (ja) 2017-04-28 2017-04-28 発光装置及びその製造方法
US15/960,051 US10707383B2 (en) 2017-04-28 2018-04-23 Light emitting device and method of manufacturing light emitting device
US16/884,015 US11081624B2 (en) 2017-04-28 2020-05-26 Method of manufacturing light emitting device having light guiding member in groove

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017089785A JP7111939B2 (ja) 2017-04-28 2017-04-28 発光装置及びその製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2018190771A true JP2018190771A (ja) 2018-11-29
JP7111939B2 JP7111939B2 (ja) 2022-08-03

Family

ID=63917451

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2017089785A Active JP7111939B2 (ja) 2017-04-28 2017-04-28 発光装置及びその製造方法

Country Status (2)

Country Link
US (2) US10707383B2 (ja)
JP (1) JP7111939B2 (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2022264850A1 (ja) * 2021-06-18 2022-12-22 スタンレー電気株式会社 発光装置
WO2022264849A1 (ja) * 2021-06-18 2022-12-22 スタンレー電気株式会社 発光装置
JP7401743B2 (ja) 2019-10-28 2023-12-20 日亜化学工業株式会社 発光装置及びその製造方法

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6940776B2 (ja) * 2018-11-05 2021-09-29 日亜化学工業株式会社 発光装置及びその製造方法

Citations (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012004303A (ja) * 2010-06-16 2012-01-05 Stanley Electric Co Ltd 発光装置およびその製造方法
WO2013111542A1 (ja) * 2012-01-23 2013-08-01 パナソニック株式会社 窒化物半導体発光装置
JP2013187371A (ja) * 2012-03-08 2013-09-19 Stanley Electric Co Ltd 発光装置及びその製造方法
WO2014091914A1 (ja) * 2012-12-10 2014-06-19 シチズンホールディングス株式会社 Led装置及びその製造方法
JP2014207349A (ja) * 2013-04-15 2014-10-30 パナソニック株式会社 発光装置およびその製造方法
JP2014232866A (ja) * 2013-04-30 2014-12-11 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法
JP2015012143A (ja) * 2013-06-28 2015-01-19 日亜化学工業株式会社 半導体発光装置およびその製造方法
JP2015106620A (ja) * 2013-11-29 2015-06-08 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法
JP2015138839A (ja) * 2014-01-21 2015-07-30 豊田合成株式会社 発光装置及びその製造方法
JP2016072515A (ja) * 2014-09-30 2016-05-09 日亜化学工業株式会社 発光装置およびその製造方法
JP2016127052A (ja) * 2014-12-26 2016-07-11 日亜化学工業株式会社 発光装置及びその実装方法、並びに光源装置の製造方法
US20170005245A1 (en) * 2015-07-02 2017-01-05 Xiamen Sanan Optoelectronics Technology Co., Ltd. Light Emitting Diode Package Structure and Fabrication Method
JP2017017159A (ja) * 2015-06-30 2017-01-19 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法
JP2017050321A (ja) * 2015-08-31 2017-03-09 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法
JP2017069368A (ja) * 2015-09-30 2017-04-06 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9159888B2 (en) * 2007-01-22 2015-10-13 Cree, Inc. Wafer level phosphor coating method and devices fabricated utilizing method
EP3509113A1 (en) 2010-04-08 2019-07-10 Nichia Corporation Method of manufacturing the light emitting device
US8455907B2 (en) 2010-06-16 2013-06-04 Stanley Electric Co., Ltd. Semiconductor light emitting device having an optical plate including a meniscus control structure and method of manufacturing
US8581287B2 (en) 2011-01-24 2013-11-12 Stanley Electric Co., Ltd. Semiconductor light emitting device having a reflective material, wavelength converting layer and optical plate with rough and plane surface regions, and method of manufacturing
JP2013038187A (ja) * 2011-08-05 2013-02-21 Stanley Electric Co Ltd 発光装置およびその製造方法
JP6299478B2 (ja) 2013-06-26 2018-03-28 日亜化学工業株式会社 発光装置およびその製造方法
JP6164038B2 (ja) 2013-10-16 2017-07-19 豊田合成株式会社 発光装置
JP6477001B2 (ja) 2014-03-14 2019-03-06 日亜化学工業株式会社 発光装置及び発光装置の製造方法
JP6142902B2 (ja) * 2015-07-23 2017-06-07 日亜化学工業株式会社 発光装置及びその製造方法
JP6327220B2 (ja) 2015-08-31 2018-05-23 日亜化学工業株式会社 発光装置
TW201717334A (zh) * 2015-11-05 2017-05-16 凌北卿 封裝結構及其製法

Patent Citations (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012004303A (ja) * 2010-06-16 2012-01-05 Stanley Electric Co Ltd 発光装置およびその製造方法
WO2013111542A1 (ja) * 2012-01-23 2013-08-01 パナソニック株式会社 窒化物半導体発光装置
JP2013187371A (ja) * 2012-03-08 2013-09-19 Stanley Electric Co Ltd 発光装置及びその製造方法
WO2014091914A1 (ja) * 2012-12-10 2014-06-19 シチズンホールディングス株式会社 Led装置及びその製造方法
JP2014207349A (ja) * 2013-04-15 2014-10-30 パナソニック株式会社 発光装置およびその製造方法
JP2014232866A (ja) * 2013-04-30 2014-12-11 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法
JP2015012143A (ja) * 2013-06-28 2015-01-19 日亜化学工業株式会社 半導体発光装置およびその製造方法
JP2015106620A (ja) * 2013-11-29 2015-06-08 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法
JP2015138839A (ja) * 2014-01-21 2015-07-30 豊田合成株式会社 発光装置及びその製造方法
JP2016072515A (ja) * 2014-09-30 2016-05-09 日亜化学工業株式会社 発光装置およびその製造方法
JP2016127052A (ja) * 2014-12-26 2016-07-11 日亜化学工業株式会社 発光装置及びその実装方法、並びに光源装置の製造方法
JP2017017159A (ja) * 2015-06-30 2017-01-19 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法
US20170005245A1 (en) * 2015-07-02 2017-01-05 Xiamen Sanan Optoelectronics Technology Co., Ltd. Light Emitting Diode Package Structure and Fabrication Method
JP2017050321A (ja) * 2015-08-31 2017-03-09 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法
JP2017069368A (ja) * 2015-09-30 2017-04-06 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7401743B2 (ja) 2019-10-28 2023-12-20 日亜化学工業株式会社 発光装置及びその製造方法
WO2022264850A1 (ja) * 2021-06-18 2022-12-22 スタンレー電気株式会社 発光装置
WO2022264849A1 (ja) * 2021-06-18 2022-12-22 スタンレー電気株式会社 発光装置

Also Published As

Publication number Publication date
US11081624B2 (en) 2021-08-03
US20180315895A1 (en) 2018-11-01
JP7111939B2 (ja) 2022-08-03
US10707383B2 (en) 2020-07-07
US20200287094A1 (en) 2020-09-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US11393803B2 (en) Light emitting device
US10714663B2 (en) Method of manufacturing light emitting device
JP6658723B2 (ja) 発光装置
JP6519311B2 (ja) 発光装置
JP5689225B2 (ja) 発光装置
JP6149487B2 (ja) 発光装置の製造方法および発光装置
JP6205897B2 (ja) 発光装置及びその製造方法
JP6079209B2 (ja) 発光装置およびその製造方法
JP6387954B2 (ja) 波長変換部材を用いた発光装置の製造方法
US11081624B2 (en) Method of manufacturing light emitting device having light guiding member in groove
US20130126927A1 (en) Semiconductor light emitting device
JP2017117858A (ja) 発光装置
US10991859B2 (en) Light-emitting device and method of manufacturing the same
JP2019145690A (ja) 発光装置及び発光装置の製造方法
JP2015099940A (ja) 発光装置
KR102571070B1 (ko) 발광장치
JP6460189B2 (ja) 発光装置及びその製造方法
JP5644967B2 (ja) 発光装置及びその製造方法
JP5931006B2 (ja) 発光装置
JP2019165237A (ja) 発光装置
JP6274240B2 (ja) 発光装置
JP2018078327A (ja) 発光装置

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20200330

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20210324

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20210420

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20210615

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20211124

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20220119

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20220621

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20220704

R151 Written notification of patent or utility model registration

Ref document number: 7111939

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151