JP2016127052A - 発光装置及びその実装方法、並びに光源装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】波長変換部材を備えた発光装置を荷重が必要な導電接着剤を用いてフリップチップ実装する際に、波長変換部材へのダメージを低減できる発光装置及びその実装方法、並びにその発光装置を用いた光源装置の製造方法を提供する。
【解決手段】発光装置１００は、半導体積層体１２の一方面側に電極を有する半導体発光素子１と、半導体積層体１２の他方面側に透光性の樹脂２２に波長変換物質の粒子２１を含有する波長変換部材２とを備え、一方面側を実装面として、樹脂８２に導電性粒子８１を含有する導電接着剤８０を用いるとともに、他方面側から荷重することで実装される。発光装置１００は、荷重を支持する支持部材３を有し、他方の面に垂直な方向を高さ方向とし、他方の面が一方の面よりも高い位置であるとした場合に、支持部材３の上端が波長変換部材２の粒子含有部の上端以上の高さであり、支持部材３の下端が波長変換部材２の下面以下の高さでである。
【選択図】図４Ａ

Description

本開示は、半導体発光素子と波長変換部材とを備える発光装置及びその実装方法、並びに光源装置の製造方法に関する。

半導体発光素子であるＬＥＤ（発光ダイオード）チップと、波長変換物質である蛍光体を含有する波長変換部材とを組み合わせて、所望の色調の光を出力する発光装置が広く用いられている。例えば、青色光を発光するＬＥＤチップと、ＬＥＤチップが発光する青色光の一部を吸収して異なる波長の光、例えば、黄色光に波長変換する蛍光体を含有する波長変換部材とを組み合わせて、青色光と黄色光とを混色させることで白色光を出力する白色ＬＥＤ（発光装置）を構成することができる。
また、特許文献１及び特許文献２に記載された発光装置のように、波長変換物質の粒子を樹脂に含有させて形成される波長変換部材が広く用いられている。

また、発光装置の実装方法として、フリップチップ型の実装方法がある。フリップチップ実装方法の一つとして、発光装置の電極を金属バンプを介して実装基板の電極と対向させ、超音波や熱を印加する方式があり、この方式では、発光装置が高温に晒される。また、半田を用いた方式のフリップチップ実装方法では、高温に加えてフラックスによる汚染が発生することがある。更に、特に半田を用いた方式のフリップチップ実装では、発光装置を構成する各部材の線膨張性の違いにより、部材間で剥離することがある。このため、発光装置の構成材料としては、耐熱性の低い樹脂材料や波長変換物質を用いたり、線膨張の異なる材料を組み合わせて用いたりすることが難しかった。
これに対して、比較的に低温での実装が可能となる、異方性導電接着剤を用いたフリップチップ実装方法が提案されている（例えば、特許文献１及び特許文献２）。

特開２０１４−６７８７６号公報 特開２００５−３９１２９号公報

特許文献１及び特許文献２に記載されているような異方性導電接着剤を用いたフリップチップ実装方法では、発光装置の電極と実装基板の電極との電気的な接合の信頼性を上げるために、発光装置の上面側にプレスヘッドを押し当てて、大きな荷重をかける必要がある。
ここで、前記したような発光装置をフリップチップ型の発光装置とする場合は、電極が設けられた面が実装基板と対向するように載置されるために、波長変換部材は、発光装置の上面側に設けられる。従って、このような発光装置に、異方性導電接着剤を用いたフリップチップ実装方法を適用すると、プレスヘッドを介して受ける荷重によって、波長変換部材が変形したり、割れたりする恐れがある。そして、波長変換部材が大きなダメージを受けると、発光装置から出力される光の色度や配光特性が変化するという問題がある。

本開示は、半導体発光素子と波長変換部材とを備えた発光装置であって、実装時に荷重を必要とする導電接着剤を用いたフリップチップ実装の際に、波長変換部材へのダメージを低減できる発光装置及びその実装方法、並びにその発光装置を用いた光源装置の製造方法を提供することを課題とする。

本開示に係る発光装置は、半導体積層体の一方の面側に電極を有する半導体発光素子と、前記半導体積層体の他方の面側に設けられ、透光性を有する樹脂に波長変換物質の粒子を含有してなる波長変換部材とを備え、前記一方の面側を実装面として、樹脂に導電性粒子を含有させてなる導電接着剤を用いるとともに、前記他方の面側から荷重することで実装される発光装置であって、前記荷重を支持する支持部材を有し、前記他方の面に垂直な方向を高さ方向とし、前記他方の面が前記一方の面よりも高い位置であるとした場合に、前記支持部材の上端が、前記波長変換物質の粒子の最上端以上の高さであり、かつ、前記支持部材の下端が、前記波長変換物質の粒子の最下端以下の高さであるように構成される。

本開示に係る発光装置の実装方法は、半導体積層体の一方の面側に電極を有する半導体発光素子と、前記半導体積層体の他方の面側に設けられ、透光性を有する樹脂に波長変換物質の粒子を含有してなる波長変換部材と、前記一方の面側を実装面として、樹脂に導電性粒子を含有させてなる導電接着剤を用いて実装する際に、前記他方の面側から受ける荷重を支持する支持部材と、を備え、前記他方の面に垂直な方向を高さ方向とし、前記他方の面が前記一方の面よりも高い位置であるとした場合に、前記支持部材の上端が、前記波長変換物質の粒子の最上端以上の高さであり、かつ、前記支持部材の下端が、前記波長変換物質の粒子の最下端以下の高さである発光装置の実装方法であって、前記発光装置の実装面を実装基板に対向させ、前記導電接着剤を介して実装基板上に配置する配置工程と、前記支持部材の上方から荷重を加える荷重工程と、が含まれることとする。

本開示に係る光源装置の製造方法は、半導体積層体の一方の面側に電極を有する半導体発光素子と、前記半導体積層体の他方の面側に設けられ、透光性を有する樹脂に波長変換物質の粒子を含有してなる波長変換部材と、前記一方の面側を実装面として、樹脂に導電性粒子を含有させてなる導電接着剤を用いて実装する際に、前記他方の面側から受ける荷重を支持する支持部材と、を備え、前記他方の面に垂直な方向を高さ方向とし、前記他方の面が前記一方の面よりも高い位置であるとした場合に、前記支持部材の上端が、前記波長変換物質の粒子の最上端以上の高さであり、かつ、前記支持部材の下端が、前記波長変換物質の粒子の最下端以下の高さである発光装置と、実装基板と、を備える光源装置の製造方法であって、前記発光装置の実装面を実装基板に対向させ、前記導電接着剤を介して前記実装基板上に配置する配置工程と、前記支持部材の上方から荷重を加える荷重工程と、が含まれることとする。

本開示に係る発光装置、発光装置の実装方法又は光源装置の製造方法によれば、実装時に荷重を必要とする導電接着剤を用いたフリップチップ実装の際に、波長変換部材へのダメージが低減される。

第１実施形態に係る発光装置の構成を示す模式的平面図である。 第１実施形態に係る発光装置の構成を示す模式的断面図であり、図１ＡのＩＢ−ＩＢ線における断面を示す。 第１実施形態に係る発光装置における波長変換部材の変形例の構成を示す模式的断面図である。 第１実施形態に係る発光装置における波長変換部材の他の変形例の構成を示す模式的断面図である。 第１実施形態に係る発光装置における半導体発光素子の構成例を示す模式的断面図である。 第１実施形態に係る発光装置の実装方法の手順を示すフローチャートである。 第１実施形態に係る発光装置の実装方法を説明するための模式的断面図である。 第１実施形態に係る発光装置の実装に用いられる導電接着剤に含有される導電性粒子の構成を示す模式的断面図である。 第１実施形態に係る発光装置の製造方法の手順を示すフローチャートである。 第１実施形態に係る発光装置の製造方法における半導体発光素子配置工程を示す模式的断面図である。 第１実施形態に係る発光装置の製造方法における光反射部材形成工程の第１サブ工程を示す模式的断面図である。 第１実施形態に係る発光装置の製造方法における光反射部材形成工程の第２サブ工程を示す模式的断面図である。 第１実施形態に係る発光装置の製造方法における支持部材形成工程を示す模式的断面図である。 第１実施形態に係る発光装置の製造方法における波長変換部材形成工程を示す模式的断面図である。 第１実施形態に係る発光装置の製造方法における個片化工程を示す模式的断面図である。 第１実施形態の第１変形例に係る発光装置の構成を示す模式的断面図である。 第１実施形態の第２変形例に係る発光装置の構成を示す模式的断面図である。 第２実施形態に係る発光装置の構成を示す模式的断面図である。 第２実施形態に係る発光装置の製造方法の手順を示すフローチャートである。 第２実施形態に係る発光装置の製造方法における半導体発光素子配置工程を示す模式的断面図である。 第２実施形態に係る発光装置の製造方法における透光性部材形成工程を示す模式的断面図である。 第２実施形態に係る発光装置の製造方法における光反射部材形成工程の第１サブ工程を示す模式的断面図である。 第２実施形態に係る発光装置の製造方法における光反射部材形成工程の第２サブ工程を示す模式的断面図である。 第２実施形態に係る発光装置の製造方法におけるシート除去工程を示す模式的断面図である。 第３実施形態に係る発光装置の構成を示す模式的平面図である。 第３実施形態に係る発光装置の構成を示す模式的断面図であり、図１１ＡのＸＩＢ−ＸＩＢ線における断面を示す。 第３実施形態に係る発光装置の構成を示す模式的断面図であり、図１１ＡのＸＩＣ−ＸＩＣ線における断面を示す。 第３実施形態の第１変形例に係る発光装置の構成を示す模式的平面図である。 第３実施形態の第２変形例に係る発光装置の構成を示す模式的平面図である。 第３実施形態に係る発光装置の実装方法を説明するための模式的断面図である。 第３実施形態に係る発光装置の製造方法の手順を示すフローチャートである。 第３実施形態に係る発光装置の製造方法におけるサブマウント準備工程を示す模式的断面図である。 第３実施形態に係る発光装置の製造方法における半導体発光素子実装工程を示す模式的断面図である。 第３実施形態に係る発光装置の製造方法における光反射部材形成工程の第１サブ工程を示す模式的断面図である。 第３実施形態に係る発光装置の製造方法における光反射部材形成工程の第２サブ工程を示す模式的断面図である。 第３実施形態に係る発光装置の製造方法における波長変換部材形成工程を示す模式的断面図である。 第３実施形態に係る発光装置の製造方法における支持部材形成工程を示す模式的断面図である。 第３実施形態に係る発光装置の製造方法における個片化工程を示す模式的断面図である。 第４実施形態に係る発光装置の構成を示す模式的断面図である。 第５実施形態に係る発光装置の実装方法を説明するための模式的断面図である。 第６実施形態に係る光源装置の製造方法の手順を示すフローチャートである。

以下、本開示の実施形態に係る発光装置及びその実装方法、並びに光源装置の製造方法について説明する。
なお、以下の説明において参照する図面は、本開示の実施形態を概略的に示したものであるため、各部材のスケールや間隔、位置関係などが誇張、あるいは、部材の一部の図示が省略されている場合がある。また、平面図とその断面図において、各部材のスケールや間隔が一致しない場合もある。また、以下の説明では、同一の名称及び符号については原則として同一又は同質の部材を示しており、詳細な説明を適宜省略することとする。

＜第１実施形態＞
［発光装置の構成］
第１実施形態に係る発光装置の構成について、図１Ａ〜図１Ｄを参照して説明する。
図１Ａは、第１実施形態に係る発光装置の構成を示す模式的平面図である。図１Ｂは、第１実施形態に係る発光装置の構成を示す模式的断面図であり、図１ＡのＩＢ−ＩＢ線における断面を示す。図１Ｃは、第１実施形態に係る発光装置における波長変換部材の変形例を示す模式的断面図である。図１Ｄは、第１実施形態に係る発光装置における波長変換部材の他の変形例の構成を示す模式的断面図である。
なお、図１Ａ及び図１Ｂにおいて、発光装置１００が備える半導体発光素子１について、成長基板１１、半導体積層体１２、ｎ側電極１３及びｐ側電極１５以外の構成は記載を省略しており、記載した部材についても簡略化して示している。後記する図４Ａ及び図６Ａ〜図８、図１０Ａ〜図１３、図１５Ｂ〜図１７についても同様である。また、図１Ｃ及び図１Ｄは、発光素子１の上面に設けられた波長変換部材２Ａ，２Ｂの一部を拡大して示している。

第１実施形態に係る発光装置１００は、フリップチップ型の半導体発光素子１（以下、適宜「発光素子」と呼ぶ）と、発光素子１の上面に設けられる波長変換部材２及び支持部材３と、発光素子１の側面に設けられる光反射部材４と、を備えて構成されている。発光装置１００は、導電接着剤を用いた実装の際に上方から印加される荷重を支持部材３によって受け、当該荷重が波長変換部材２に作用しないように実装面であるｎ側電極１３及びｐ側電極１５の下面に伝達するように構成されている。これによって、発光装置１００は、波長変換部材２に損傷を与えることなく導電接着剤を用いた実装が可能となる。
また、第１実施形態に係る発光装置１００は、ＣＳＰ（Chip Size Package又はChip Scale Package）型の発光装置である。

次に、発光装置１００の各部の構成について順次に詳細に説明する。
発光素子１は、平面視で略正方形である略四角柱形状を有しており、ｎ側電極１３及びｐ側電極１５が一方の面側に設けられるとともに、フリップチップ実装に適した構成を有するＬＥＤチップである。
ここで、発光素子１の構成例について、図２を参照して説明する。
図２は、第１実施形態に係る発光装置における半導体発光素子の構成例を示す模式的断面図である。
なお、図２においては、ｎ側電極１３及びｐ側電極１５が設けられた面が上方となるように示しており、図１Ｂとは上下を逆に示している。

発光素子１は、成長基板１１と、半導体積層体１２と、ｎ側電極１３と、全面電極１４と、ｐ側電極１５と、絶縁膜１６とを備えている。
発光素子１は、成長基板１１の一方の面上に、ｎ型半導体層１２ｎとｐ型半導体層１２ｐとを積層した半導体積層体１２を備えている。半導体積層体１２は、ｎ側電極１３及びｐ側電極１５間に外部電源を接続して通電することにより発光するようになっており、ｎ型半導体層１２ｎとｐ型半導体層１２ｐとの間に活性層１２ａを備えることが好ましい。

成長基板１１は、半導体積層体１２をエピタキシャル成長させるための基板である。成長基板１１は、半導体積層体１２をエピタキシャル成長させることができる基板材料で形成されればよく、大きさや厚さ等は特に限定されない。例えば、半導体積層体１２をＧａＮ（窒化ガリウム）などの窒化物半導体を用いて形成する場合には、基板材料としては、Ｃ面、Ｒ面、Ａ面の何れかを主面とするサファイアやスピネル（ＭｇＡｌ_２Ｏ_４）のような絶縁性基板、また炭化ケイ素（ＳｉＣ）、ＺｎＳ、ＺｎＯ、Ｓｉ、ＧａＡｓ、ダイヤモンド、及び窒化物半導体と格子接合するニオブ酸リチウム、ガリウム酸ネオジム等の酸化物基板が挙げられる。なお、発光素子１をフリップチップ実装に適した構成とするためには、成長基板１１は、良好な透光性を有する材料を用いることが好ましい。

半導体積層体１２は、活性層１２ａを含むｎ型半導体層１２ｎとｐ型半導体層１２ｐとが積層された積層体である。半導体積層体１２には、ｐ型半導体層１２ｐ及び活性層１２ａが部分的に存在しない領域、すなわちｐ型半導体層１２ｐの表面から凹んだ領域（この領域を「段差部１２ｂ」と呼ぶ）が形成されている。段差部１２ｂの底面には、ｎ型半導体層１２ｎと電気的に接続されたｎ側電極１３が設けられている。ｐ型半導体層１２ｐの上面の略全面には、良好な導電性と光反射性とを有する全面電極１４が設けられている。また、半導体積層体１２の表面は、段差部１２ｂの底面の一部及び全面電極１４の上面の一部を除き、直接に又は全面電極１４を介して、絶縁膜１６によって被覆されている。

半導体積層体１２（ｎ型半導体層１２ｎ、活性層１２ａ及びｐ型半導体層１２ｐ）は、Ｉｎ_ＸＡｌ_ＹＧａ_{１−Ｘ−Ｙ}Ｎ（０≦Ｘ、０≦Ｙ、Ｘ＋Ｙ＜１）等が好適に用いられる。また、これらの半導体層は、それぞれ単層構造でもよいが、組成及び膜厚等の異なる層の積層構造、超格子構造等であってもよい。特に、活性層１２ａは、量子効果が生ずる薄膜を積層した単一量子井戸又は多重量子井戸構造であることが好ましい。

全面電極１４は、ｐ型半導体層１２ｐの上面の略全面を覆うように設けられる。全面電極１４は、上面の一部に設けられたｐ側電極１５を介して供給される電流を、ｐ型半導体層１２ｐの全面に拡散させるための導体層である。また、全面電極１４は良好な光反射性を有し、発光素子１が発光する光を、光取り出し面である下方向（図１Ｂにおいては上方向）に反射させる光反射膜としても機能する。

全面電極１４は、良好な導電性と光反射性とを有する金属材料を用いることができる。特に可視光領域で良好な光反射性を有する金属材料としては、Ａｇ、Ａｌ又はこれらの金属を主成分とする合金を好適に用いることができる。また、全面電極１４は、これらの金属材料を単層で、又は積層したものが利用できる。特に全面電極１４の下層（ｐ型半導体層１２ｐ側）としてマイグレーションしやすいＡｇを用いる場合には、上層として、例えば、Ａｌ、Ｔｉ、Ｗ、Ａｕなどのような良好な導電性とバリア性とを有する金属材料を用いて、当該下層を被覆することが好ましい。

ｎ側電極１３は、半導体積層体１２の段差部１２ｂの底面において、絶縁膜１６の開口部１６ｎ内でｎ型半導体層１２ｎと電気的に接続されるように設けられている。また、ｐ側電極１５は、全面電極１４の上面において、絶縁膜１６の開口部１６ｐ内で全面電極１４と電気的に接続されるように設けられている。ｎ側電極１３はｎ型半導体層１２ｎに、ｐ側電極１５は全面電極１４を介してｐ型半導体層１２ｐに、外部からの電流を供給するためのパッド電極である。
また、ｎ側電極１３及びｐ側電極１５は、絶縁膜１６を介して、全面電極１４上の広範囲に延在するように設けられている。

ｎ側電極１３及びｐ側電極１５としては、金属材料を用いることができ、例えば、Ａｇ、Ａｌ、Ｎｉ、Ｒｈ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｔｉ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｍｏ、Ｃｒ、Ｗなどの単体金属及びそれらの合金などを好適に用いることができる。また、ｎ側電極１３及びｐ側電極１５は、これらの金属材料を単層で、又は積層したものを利用することができる。

絶縁膜１６は、半導体積層体１２及び全面電極１４の上面及び側面を被覆する層であり、発光素子１の保護膜として機能する。絶縁膜１６は、段差部１２ｂの底面の一部に開口部１６ｎを有し、全面電極１４の上面の一部に開口部１６ｐを有している。また、絶縁膜１６の上面の広範囲には、ｎ側電極１３及びｐ側電極１５が相補的に延在するように設けられている。
絶縁膜１６としては、金属酸化物や金属窒化物を用いることができ、例えば、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｔａ、Ａｌからなる群より選択された少なくとも一種の金属の酸化物又は窒化物を好適に用いることができる。

なお、図２に示した発光素子１は、一例を示しものであり、外形形状や、段差部１２ｂ、ｎ側電極１３及びｐ側電極１５の配置領域などは適宜に変更することが可能である。

図１Ａ及び図１Ｂに戻って、発光装置１００の構成について説明を続ける。
波長変換部材２は、発光素子１の光取り出し面である上面側に設けられており、発光素子１が発する光を異なる波長の光に変換する波長変換物質の粒子２１を含有する層である。
波長変換物質とは具体的には蛍光体であり、波長変換部材２は、蛍光体の粒子を含有した透光性の樹脂２２を用いて形成することができる。
また、発光素子１の上面には、波長変換部材２を厚さ方向に貫通するように、複数の支持部材３が配置されている。支持部材３は略球形の粒子であり、下端が発光素子１の上面と接するとともに、上端が波長変換部材２の上面から露出するように設けられている。

波長変換部材２に用いる樹脂２２の材料としては、良好な透光性を有することが好ましい。また、樹脂材料として熱硬化性樹脂を用いることが好ましい。溶剤に熱硬化性樹脂と波長変換物質の固形粒子とを含有するスラリーを処方して、スプレー塗布した後に加熱することにより熱硬化性樹脂を硬化させる。これによって、光反射性物質の固形粒子を高含有率で含有させた場合でも、安定した膜厚で波長変換部材２を形成することができる。

このような樹脂材料としては、例えば、シリコーン樹脂、シリコーン変性樹脂、エポキシ樹脂、エポキシ変性樹脂、ユリア樹脂、フェノール樹脂、ポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、ポリメチルペンテン樹脂、ポリノルボルネン樹脂、又はこれらの樹脂を１種類以上含むハイブリッド樹脂などが挙げられる。なかでも、シリコーン樹脂又はエポキシ樹脂が好ましく、特に耐光性及び耐熱性に優れるシリコーン樹脂がより好ましい。

また、波長変換部材２は、スプレー法の他に、金型を用いた成形法、スクリーン印刷法などの各種印刷法により形成することもできる。波長変換部材２を形成する際に、粘度や流動性を調整するために、前記したスラリーにシリカの粒子などを添加するようにしてもよい。

波長変換部材２の膜厚は、蛍光体の含有量や、発光素子１が発光する光と波長変換後の光との混色後の色調などによって定めることができ、例えば、１μｍ以上１０００μｍ以下とすることができ、５μｍ以上５００μｍ以下が好ましく、１０μｍ以上２００μｍ以下がより好ましい。

本実施形態において、波長変換部材２は、光反射部材４の上面にまで延在するように設けられているが、発光素子１上にのみ設けるようにしてもよい。また、光反射部材４に代えて、発光素子１の側面にも設けるようにしてもよい。更にまた、発光素子１の側面に波長変換部材２を設け、更にその外側に光反射部材４を設けるようにしてもよい。

また、蛍光体（波長変換物質の粒子２１）としては、発光素子１が発する波長の光によって励起されて、この励起光と異なる波長の蛍光を発する蛍光物質であれば特に限定されず、粒状の蛍光体を好適に用いることができる。粒状の蛍光体は、光散乱性及び光反射性を有するため、波長変換機能に加えて光散乱部材としても機能し、光の拡散効果を得ることができる。蛍光体は、当該蛍光体が含有される樹脂層中に一様に分散されていることが好ましい。

また、スプレー法によって波長変換部材２を形成する場合は、蛍光体は、溶剤及び熱硬化性樹脂とともに処方されるスラリーがスプレー塗布可能なように、平均粒径が２．５〜３０μｍ程度とすることが好ましい。
なお、蛍光体の平均粒径の値は、空気透過法又はＦ．Ｓ．Ｓ．Ｓ．Ｎｏ（Ｆｉｓｈｅｒ−ＳｕｂＳｉｅｖｅ−Ｓｉｚｅｒｓ−Ｎｏ．）によるものとする（いわゆるＤバー（Ｄの上にバー）で表される値）。

蛍光体材料としては、当該分野で公知のものを使用することができる。例えば、緑〜黄色に発光するセリウムで賦活されたＹＡＧ（イットリウム・アルミニウム・ガーネット）系蛍光体、緑色に発光するセリウムで賦活されたＬＡＧ（ルテチウム・アルミニウム・ガーネット）系蛍光体、緑〜赤色に発光するユーロピウム及び／又はクロムで賦活された窒素含有アルミノ珪酸カルシウム（ＣａＯ−Ａｌ_２Ｏ_３−ＳｉＯ_２）系蛍光体、青〜赤色に発光するユーロピウムで賦活されたシリケート（（Ｓｒ，Ｂａ）_２ＳｉＯ_４）系蛍光体、緑色に発光するβサイアロン蛍光体、赤色に発光するＣＡＳＮ系又はＳＣＡＳＮ系蛍光体などの窒化物系蛍光体、赤色に発光するＫＳＦ（Ｋ_２ＳｉＦ_６：Ｍｎ）系蛍光体、緑色又は赤色に発光する硫化物系蛍光体などが挙げられる。

また蛍光体材料は、例えば、いわゆるナノクリスタル、量子ドットと称される発光物質でもよい。このような材料としては、半導体材料、例えば、ＩＩ−ＶＩ族、ＩＩＩ−Ｖ族、ＩＶ−ＶＩ族、Ｉ−ＩＩＩ−ＶＩ族の半導体、具体的には、ＣｄＳｅ、コアシェル型のＣｄＳ_ＸＳｅ_１−Ｘ／ＺｎＳ、ＧａＰ、ＩｎＡｓ、ＩｎＰ、ＧａＮ、ＰｂＳ、ＰｂＳｅ、Ｃｕ（Ｉｎ，Ｇａ）Ｓ_２、Ａｇ（Ｉｎ，Ｇａ）Ｓ_２等のナノサイズの高分散粒子を挙げることができる。このような蛍光体は、例えば、粒径１〜１００ｎｍ、好ましくは１〜２０ｎｍ程度（原子が１０〜５０個程度）とすることができる。このような粒径の蛍光体を用いることにより、内部散乱を抑制することができ、色変換された光の散乱を抑制し、波長変換部材２の光の透過率をより一層向上させることができる。

支持部材３は、下端が発光素子１の上面と接するように、当該上面の複数の箇所に設けられており、発光装置１００の実装時に、上方から印加される荷重を受け、当該荷重を波長変換部材２に作用させることなく、発光素子１の実装面であるｎ側電極１３及びｐ側電極１５の下面に伝達させるための部材である。また、支持部材３の上端は、波長変換部材２の上面と同じ高さか、当該上面よりも高くなるような粒径を有している。
複数の支持部材３は、粒径及び形状の均一性が高く、かつ発光素子１の上面に均等に配置されている。支持部材３の粒径及び形状を均一とすることで、複数の支持部材３の高さが揃い、発光装置１００の実装時に複数の支持部材３がプレスヘッドからの荷重を均等に受けることができる。

なお、ここで、「高さ」とは、発光素子１の成長基板１１の半導体積層体１２が設けられた一方の面と、当該一方の面と反対側の面である他方の面とに垂直な方向を高さ方向とし、他方の面が一方の面よりも高い位置であるとする。すなわち、成長基板１１の他方の面からの垂直方向の距離が離れるほど、「高い」ことを意味する。
また、「均等に配置する」とは、一定の面積内に配置される個数が著しく偏らないように配置されることをいうものとする。従って、複数の支持部材３は、一定の間隔で規則的に配置されてもよく、ランダムな間隔で配置されてもよい。

具体的には、発光素子１の平面視形状が矩形状である場合は、支持部材３は、平面視で略矩形形状である発光素子１の上面の４隅に配置することが好ましく、更に中央に配置されることがより好ましい。複数の支持部材３を均等な間隔で配置することで、上方から印加される荷重を発光素子１の上面全体に均等に伝達することができる。このため、発光素子１が局所的に荷重されることでダメージを受けることを防止することができる。また、実装面に均等に圧力が加えられるため、発光素子１の実装面全体が導電性粒子８１によって偏りなく実装基板と電気的に接続される。

なお、支持部材３の配置数は５個に限定されるものではないが、荷重を広い領域に伝達できるように、少なくとも３個が同一直線上とならない配置で設けられることが好ましい。また、３個以上の支持部材３を、発光素子１の上面の、平面視で外縁の近傍に互いに間隔を開けて配置することが好ましい。また、更に多数の支持部材３を配置する場合は、支持部材３を発光素子１の上面の全体にランダムに散布することで配置してもよい。

支持部材３の粒径は、波長変換部材２の膜厚に応じて、好適には、波長変換部材２の膜厚と同じか、好ましくは当該膜厚よりも大きくなるように定めることができる。特に波長変換物質の粒子２１へのダメージを防止するという観点からは、支持部材３の上端が波長変換部材２中の波長変換物質の粒子２１の最上端以上で、かつ、支持部材３の下端が波長変換部材２中の波長変換物質の粒子２１の最下端以下とすることが好ましい。また、支持部材３は、剛性が波長変換部材２よりも高いか同じであることが好ましい。これによって、支持部材３が荷重を受けて変形しても、波長変換部材２に大きな負荷がかからないように、荷重を発光素子１に伝達することができる。
なお、実装時に波長変換部材２が、上方からの荷重によって塑性変形しない範囲であれば、波長変換部材２に荷重が作用してもよい。従って、支持部材３の粒径（高さ）は、波長変換部材２の厚さより２０％程度低くてもよい。すなわち、支持部材３の粒径は、波長変換部材２の厚さの０．８倍以上程度であればよい。

支持部材３は、良好な透光性を有するか、表面に良好な光反射性を有することが好ましい。これによって、波長変換部材２の内部を伝播する光が支持部材３によって吸収されることが抑制され、結果として外部への光取り出し効率の低下を防止することができる。
支持部材３は、このような材料として、透光性を有する樹脂材料、シリカなどの透光性を有する無機材料、光反射性の良好な金属材料などを用いることができる。
また、支持部材３としては、例えば、液晶表示装置において、基板間の厚さを一定に保つために用いられているスペーサビーズと同様のものを用いることができる。

支持部材３としては、更に具体的には、ガラス、ＳｉＯ_２、Ａｌ_２Ｏ_３、希土類などのセラミックスのフィラーや柱状、壁状などの構造体、ＬＣＰ（液晶ポリマー樹脂）、ＰＰＡ（ポリフタルアミド樹脂）などのエンジニアリングプラスチックや熱硬化性樹脂などの透明部材もしくはこれらの樹脂コアに金属反射膜をコーティングした高反射性樹脂フィラーや構造体など、を挙げることができる。また、支持部材３として、金属のフィラーや構造体、カーボンのフィラーや構造体なども用いることができる。実装時の荷重によって塑性変形せずに、変形後に復元した寸法が揃った粒子や構造体であれば、支持部材３として用いることができる。

また、支持部材３を発光素子１の上面に形成する場合は、サファイアや易研削性を有する酸化物材料などを、エッチングや研削加工することで、支持部材３として構造体を形成することができる。また、各種の金属、無機材料、有機材料を、半導体製造の手法、スパッタ法、蒸着法、スピンコート法などの塗布法で形成し、パターニングして用いるようにしてもよい。更にまた、圧縮成形法、トランスファー成形法などの成形手法を用いて支持部材３を形成することもできる。

なお、支持部材３が透光性を有する材料で構成される場合は、発光素子１からの光が、支持部材３を介して波長変換されずに外部に取り出される。このため、支持部材３の径が大きくなるほど、発光装置１００の配光特性に色むらが生じ易くなる。従って、色むらが目立たないように、支持部材３の径は、波長変換部材２の厚さの１．５倍以下程度とすることが好ましい。
また、平面視において、複数の支持部材３の面積の合計は、発光素子１の発光部であるｐ型半導体層１２ｐが配置される面積の３０％以下程度とすることが好ましい。これによって、色むらを目立たない範囲とするとともに、波長変換部材２によって適切に波長変換することができる。

また、支持部材３は、上端が、波長変換部材の上面よりも低くなるような大きさとすることもできる。波長変換部材は、波長変換物質の粒子２１を含有させた樹脂２２を発光素子１の上面に塗布することなどにより形成されるが、樹脂２２が硬化するまでの間に、相対的に比重の大きな波長変換物質の粒子２１が沈降することがある。
このようにして形成された波長変換部材２Ａは、図１Ｃに示すように、波長変換物質の粒子２１を含有する領域である粒子含有部２ａと、波長変換物質の粒子２１を含有しない樹脂２２のみの領域である粒子非含有部２ｂとの２層構成となる。

なお、粒子含有部２ａは、波長変換部材２が設けられる発光素子１の上面の高さから、複数の波長変換物質の粒子２１の最上端の高さまでの領域のことである。また、波長変換部材２Ａが、波長変換物質以外の、例えば、光拡散性の粒子などのフィラーを含有する場合は、これらのフィラーも含めた粒子の最上端までの領域を粒子含有部２ａとする。また、粒子非含有部２ｂは、波長変換部材２の粒子含有部２ａよりも上側の領域のことである。但し、他のフィラーが、波長変換物質の粒子よりも粒径が小さかったり、形状が球形に近いなど、当該フィラーを含有する樹脂部が、波長変換物質の粒子を含有する樹脂部よりも塑性変形し難い場合は、当該他のフィラーを含有していても、波長変換物質の粒子を含有しない樹脂部は、粒子非含有部２ｂとして取り扱うようにしてもよい。

また、波長変換部材２Ａを、発光素子１の側面にも設けるようにしてもよいが、この場合は波長変換部材２Ａの当該側面に設けられた箇所には支持部材３を設けないようにし、、波長変換部材２Ａの剥離を防止する。従って、支持部材３の下端は、波長変換部材２Ａの発光素子１の上面に設けられた箇所についての下端以下の高さとなるようにすればよい。

波長変換物質の粒子２１を含有しないことで、粒子非含有部２ｂは、上方から荷重を受けた場合に、粒子含有部２ａよりも塑性変形し難くなる。このため、粒子含有部２ａに作用する荷重を軽減するために、支持部材３は、その上端が、粒子含有部２ａの上端以上の高さとなるように設けることができる。これによって、波長変換部材２Ａの上面に荷重が印加されても、波長変換物質の粒子２１へ荷重の作用が低減され、波長変換部材２Ａに対する実質的なダメージを防止することができる。
なお、波長変換部材２Ａに対するダメージの恐れをより低減するために、支持部材３の上端が、粒子非含有部２ｂの上端以上の高さ、すなわち波長変換部材２Ａの上面以上の高さとなるように設けるようにしてもよい。

なお、後記する変形例や他の実施形態においても、波長変換部材２に代えて、２層構成の波長変換部材２Ａを用いるようにしてもよい。その場合は、支持部材３の上端が、粒子含有部２ａの上端以上の高さとなるように設けることができる。

また、前記したように、上方からの荷重によって波長変換部材２が塑性変形しない範囲であれば、支持部材３の高さは、波長変換部材２の膜厚の０．８倍以上程度であればよい。特に、図１Ｄの上段側に示すように、波長変換部材２Ｂが含有する波長変換物質の粒子２１が、波長変換部材２Ｂ中に疎らに分散している場合は、波長変換部材２Ｂの膜厚に対して、支持部材３の高さを、より低くすることができる。図１Ｄの下段側に示すように、実装時の上方からの荷重によって、波長変換部材２Ｂが圧縮変形しても、波長変換物質の粒子２１が支持部材３の高さの範囲内に逃げることができるため、波長変換物質の粒子２１に大きな荷重が掛からずに、実質的に波長変換部材２Ｂへのダメージを避けることができる。

光反射部材４は、発光素子１の側面を被覆するように設けられ、発光素子１の側面から出射する光を発光素子１内に反射させる部材である。ここで、光反射部材４は、光が伝播する部材である半導体積層体１２及び成長基板１１の側面に設けられる。これによって、光取り出し面である発光素子１の上面の発光輝度を向上させることができる。
また、光反射部材４は、発光素子１のｎ側電極１３及びｐ側電極１５の下面を除き、発光素子１の下面も被覆するように設けられている。

光反射部材４は、透光性を有する樹脂に、光反射性物質の粒子を含有させた白色の樹脂層として形成することができるが、これに限定されるものはない。光反射部材４として、誘電体多層膜からなるＤＢＲ（分布ブラッグ反射鏡）膜を設けてもよく、外側又は中間層として金属膜を含めた多層膜で構成してもよい。また、光反射性物質の含有率を変えた複数の樹脂層を積層するようにしてもよい。
また、光反射部材４は必須の構成ではない。例えば、光反射部材４に代えて、発光素子１の上面及び側面を一体的に被覆するように波長変換部材２を設けるようにしてもよい。

光反射部材４を、透光性を有する樹脂に光反射性物質の粒子を含有させて構成する場合は、樹脂材料としては、前記した波長変換部材２と同様の樹脂材料を用いることができる。
また、光反射性物質は、樹脂材料との屈折率差が大きく、良好な透光性を有する材料の粒子を用いることが好ましい。このような光反射性物質としては、屈折率が、例えば１．８以上であって、光を効率的に散乱し高い光取り出し効率を得るためには、２．０以上であることが好ましく、２．５以上であることがより好ましい。樹脂材料との屈折率差は、例えば０．４以上であって、光を効率的に散乱し高い光取り出し効率を得るためには、０．７以上であることが好ましく、０．９以上であることがより好ましい。また、光反射性物質の粒子の平均粒径は、高い効率で光散乱効果を得られるように、０．０８μｍ以上１０μｍ以下であることが好ましく、０．１μｍ以上５μｍ以下であることがより好ましい。

このような光反射性物質としては、ＴｉＯ_２（酸化チタン）、ＺｒＯ_２（酸化ジルコニウム）、ＭｇＯ（酸化マグネシウム）、ＭｇＣＯ_３（炭酸マグネシウム）、Ｍｇ（ＯＨ）_２（水酸化マグネシウム）、ＣａＣＯ_３（炭酸カルシウム）、Ｃａ（ＯＨ）_２（水酸化カルシウム）、ＣａＳｉＯ_３（珪酸カルシウム）、ＺｎＯ（酸化亜鉛）、ＢａＴｉＯ_３（チタン酸バリウム）、Ａｌ_２Ｏ_３（酸化アルミニウム）などを用いることができる。なかでも、ＴｉＯ_２は、水分などに対して比較的安定でかつ高屈折率であり、また熱伝導性にも優れるため、好ましい。
また、より良好な反射性を得るために、発光素子１が発する光が可視光の場合には、光反射性物質としてＴｉＯ_２を用いることが好ましく、紫外光の場合には、光反射性物質としてＡｌ_２Ｏ_３を用いることが好ましい。

光反射部材４は、波長変換部材２の形成方法と同様に、スプレー塗布法、スクリーン印刷法やインクジェット法などの各種印刷法、金型を用いた成形方法などにより形成することができる。

［発光装置の実装方法］
次に、発光装置１００の実装方法について、図３〜図４Ｂを参照して説明する。
図３は、第１実施形態に係る発光装置の実装方法の手順を示すフローチャートである。図４Ａは、第１実施形態に係る発光装置の実装方法を説明するための模式的断面図である。図４Ｂは、第１実施形態に係る発光装置の実装に用いられる導電接着剤に含有される導電性粒子の構成を示す模式的断面図である。

発光装置１００の実装方法は、実装基板載置工程Ｓ１０１と、導電接着剤配置工程Ｓ１０２と、発光装置配置工程Ｓ１０３と、荷重工程Ｓ１０４と、硬化工程Ｓ１０５とが含まれている。

まず、実装基板載置工程Ｓ１０１において、載置台６２に実装基板７０を載置する。実装基板７０は、基体７１と、基体７１の表面に発光装置１００の正負の電極であるｎ側電極１３及びｐ側電極１５と電気的に接続するための一対の配線用電極７２とを備えている。実装基板７０は、配線用電極７２が上側となるように載置台６２に載置される。
なお、実装基板７０は、基体７１と配線用電極７２のみを示しているが、用途に応じて基体７１及び配線用電極７２はそれぞれ適宜な大きさや形状のものを用いることができ、更に実装基板７０に他の部品が搭載されていてもよい。

次に、導電接着剤配置工程Ｓ１０２において、実装基板７０の配線用電極７２上に、発光装置１００を接合するために必要な適量の導電接着剤８０を配置する。導電接着剤８０は、樹脂８２に導電性粒子８１を分散してなる接着剤であり、実装時に上方から荷重を印加（加圧）することによって、発光装置１００と実装基板７０とを接合するものである。特に狭間隔で電極が設けられている場合は、異方性導電接着剤を好適に用いることができる。また、導電接着剤８０は、例えば、ＡＣＰ（異方性導電ペースト）やＡＣＦ（異方性導電フィルム）のように、ペースト状又はフィルム状の何れの形態のものでも用いることができる。

異方性を有する導電接着剤８０は、実装基板７０の配線用電極７２と発光装置１００のｎ側電極１３及びｐ側電極１５との間を導電性粒子８１によって縦方向（実装面に垂直な方向）に電気的に接続するとともに、横方向（実装面に平行な方向）には、導電性粒子８１同士が互いに連続して接触しないように、適度な量の導電性粒子８１が樹脂８２に分散されている。

導電性粒子８１は、球形状で弾性を有する樹脂コア８１ａと、当該樹脂コア８１ａの表面を被覆する金属層８１ｂとから構成される。導電性粒子８１はこれに限定されるものではなく、他の構成を有するものであってもよい。
また、樹脂８２は、熱硬化性樹脂、紫外線硬化樹脂、熱可塑性樹脂など、配置時に流動性を有し、加熱、紫外線照射又は冷却などにより硬化させることができる樹脂材料を用いることができる。以下、説明の便宜上、特に断らない限り、樹脂８２は熱硬化性樹脂からなるものとして説明する。

また、導電接着剤８０としては、上方から荷重を印加（加圧）して接合するものであれば、他の構成のものでも用いることができる。また、導電接着剤８０として、異方性を有さないものでも用いることができる。
導電接着剤としては、前記したＡＣＰ，ＡＣＦの他に、例えば、ＣｕコアがＳｎやＡｕＳｎなどの半田で被覆された構造を有する再溶融抑制半田粒子を含有した導電接着剤、Ｓｎ−Ｂｉ系、Ｓｎ−Ｉｎ系、Ｓｎ−Ｚｎ系、Ｓｎ−Ａｇ−Ｉｎ系、Ｓｎ−Ｚｎ−Ｂｉ系などの低融点半田粒子を含有した導電接着剤を挙げることができ、約１８０〜２５０℃の比較的に低温で接合することができる。また、これらの導電性粒子を含有する導電接着剤を用いた接合の際に必要な荷重は、約０．１〜１０Ｎ／ｍｍ^２程度であり、０．１〜２Ｎ／ｍｍ^２程度で接合可能なものがより好ましい。

また、導電接着剤に含有させる導電性粒子は、前記したようにコアが樹脂の場合を含めて、次のような組み合わせのものを用いることができる。すなわち、導電性粒子として、金属被覆樹脂コア、半田被覆樹脂コア、金属被覆金属コア、半田被覆金属コア、金属被覆カーボンコア、半田被覆カーボンコアなどを用いることができる。

次に、発光装置配置工程Ｓ１０３において、実装基板７０の配線用電極７２上に、導電接着剤８０を介して発光装置１００を配置する。発光装置１００は、実装面であるｎ側電極１３及びｐ側電極１５の下面が、それぞれ対応する極性の配線用電極７２と対向するように配置する。

次に、荷重工程Ｓ１０４において、発光装置１００の上面にプレスヘッド６１を押し当て、所定の力で荷重する。このとき、プレスヘッド６１の下面は発光装置１００の支持部材３の上端部と接し、荷重は支持部材３で受ける。そして、プレスヘッド６１から受ける荷重は、支持部材３を介して、成長基板１１及び半導体積層体１２を経由して発光装置１００の実装面であるｎ側電極１３及びｐ側電極１５の下面側に伝達される。従って、波長変換部材２にはプレスヘッド６１から受ける荷重が作用しないため、当該荷重により波長変換部材２が損傷しないように構成されている。

また、プレスヘッド６１から荷重を受けることにより、ｎ側電極１３及びｐ側電極１５と、配線用電極７２との間に配置された導電接着剤８０に含有される導電性粒子８１が押し潰されるように変形することで、ｎ側電極１３及びｐ側電極１５と、それぞれが対応する極性の配線用電極７２との間が電気的に接続される。

次に、硬化工程Ｓ１０５において、プレスヘッド６１によって荷重された状態を維持したまま、導電接着剤８０の樹脂８２を硬化させる。樹脂８２が熱硬化性樹脂である場合は、例えば載置台６２及びプレスヘッド６１にヒータなどの加熱手段を設けておき、当該加熱手段を用いて加熱することで樹脂８２を硬化させることができる。
導電接着剤８０の樹脂８２が硬化した後に、プレスヘッド６１による荷重を解放することで、実装基板７０に発光装置１００が実装された装置、例えば光源装置２００を取り出すことができる。

なお、加熱手段は、発光装置１００の下方側である載置台６２のみに設けるようにしてもよい。発光装置１００の下側からのみ加熱されることで、発光装置１００の上部である波長変換部材２の温度を比較的低温に保つことができる。そのため、波長変換部材２を構成する波長変換物質（蛍光体）の粒子２１や樹脂２２として、耐熱性がより低い材料であっても用いることができる。

また、導電接着剤８０の樹脂８２が紫外線硬化樹脂である場合は、前記した加熱に代えて、樹脂８２に紫外線を照射することで樹脂８２を硬化させることができる。
また、樹脂８２が熱可塑性樹脂である場合は、導電接着剤配置工程Ｓ１０２において、樹脂８２を加熱溶融させた導電接着剤８０を実装基板７０の配線用電極７２上に配置し、発光装置配置工程Ｓ１０３で発光装置１００を配置した後に、プレスヘッド６１によって荷重を印加した状態で、冷却手段を用いて冷却又は放冷することで樹脂８２を硬化させることができる。

［発光装置の製造方法］
次に、発光装置１００の製造方法について、図５〜図６Ｆを参照して説明する。
図５は、第１実施形態に係る発光装置の製造方法の手順を示すフローチャートである。図６Ａは、第１実施形態に係る発光装置の製造方法における半導体発光素子配置工程を示す模式的断面図である。図６Ｂは、第１実施形態に係る発光装置の製造方法における光反射部材形成工程の第１サブ工程を示す模式的断面図である。図６Ｃは、第１実施形態に係る発光装置の製造方法における光反射部材形成工程の第２サブ工程を示す模式的断面図である。図６Ｄは、第１実施形態に係る発光装置の製造方法における支持部材形成工程を示す模式的断面図である。図６Ｅは、第１実施形態に係る発光装置の製造方法における波長変換部材形成工程を示す模式的断面図である。図６Ｆは、第１実施形態に係る発光装置の製造方法における個片化工程を示す模式的断面図である。

なお、図６Ａ〜図６Ｇは、図１ＡのＩＢ−ＩＢ線に相当する位置における断面図である。また、発光装置１００の製造は、複数の発光装置１００が１次元又は２次元に配列したウエハ状態で製造されるウエハレベルプロセスによって行われる。図６Ａ〜図６Ｆでは、仮想線である境界線１０１を用いて個々の発光装置１００の区画を示している。
また、製造工程を示す図６Ａ〜図６Ｆにおいて、左右の区画に配置された発光装置１００を製造するための各部材については、一部のみを記載している。後記する他の実施形態の製造工程を示す図１０Ａ〜図１０Ｅ、図１５Ａ〜図１５Ｇについても同様である。

発光装置１００の製造方法は、半導体発光素子準備工程Ｓ２０１と、半導体発光素子配置工程Ｓ２０２と、光反射部材形成工程Ｓ２０３と、支持部材形成工程Ｓ２０４と、波長変換部材形成工程Ｓ２０５と、個片化工程Ｓ２０６とが含まれている。

まず、半導体発光素子準備工程Ｓ２０１において、図２に示したような構成の、個片化された発光素子１を準備する。以下に、ウエハレベルプロセスで発光素子１を製造する工程例について説明するが、これに限定されるものではない。また、市販の発光素子１を入手することで当該半導体発光素子準備工程Ｓ２０１としてもよい。

具体的には、まず、サファイアなどからなる成長基板１１上に、前記した半導体材料を用いて、ｎ型半導体層１２ｎ、活性層１２ａ及びｐ型半導体層１２ｐを順次積層した半導体積層体１２を形成する。
半導体積層体１２が形成されると、半導体積層体１２の表面の一部の領域について、上面側からｐ型半導体層１２ｐ及び活性層１２ａの全部、並びにｎ型半導体層１２ｎの一部をエッチングにより除去してｎ型半導体層１２ｎが底面に露出した段差部１２ｂを形成する。

次に、ｐ型半導体層１２ｐ及び活性層１２ａを有する発光領域となる領域には、ｐ型半導体層１２ｐの上面の略全面を覆うように、光反射性を有する全面電極１４を形成する。
次に、ｎ側電極１３とｎ型半導体層１２ｎとが接続される領域、及びｐ側電極１５と全面電極１４とが接続される領域に、開口部１６ｎ，１６ｐを有するように、ウエハの表面全体に、例えば、スパッタリング法により、ＳｉＯ_２などの絶縁膜１６を形成する。
次に、開口部１６ｎから絶縁膜１６の上面にかけて延在するように、パッド電極であるｎ側電極１３を形成する。また、開口部１６ｐから絶縁膜１６の上面にかけて延在するように、パッド電極であるｐ側電極１５を形成する。

以上により、ウエハ状態の発光素子１が形成される。
次に、ダイシング法、スクライブ法などにより、ウエハ状態の発光素子１を所定の分割領域で割断することにより個片化された発光素子１を作製することができる。
なお、ウエハを割断する前に、成長基板１１の裏面を研磨して薄肉化するようにしてもよい。これにより、容易に割断することができる。

次に、半導体発光素子配置工程Ｓ２０２において、表面に粘着性を有するシート６３上に、複数の発光素子１を、側面が露出するように互いに離間して配置する。また、発光素子１は、ｎ側電極１３及びｐ側電極１５が設けられた面がシート６３を対向するように載置する。シート６３としては、例えば、半導体ウエハのダイシング用の塩化ビニルなどの樹脂からなるシートを用いることができる。
なお、シート６３上に配置された発光素子１などの構成物の全体を指して、適宜にウエハと呼ぶ。

次に、光反射部材形成工程Ｓ２０３において、発光素子１の側面を被覆するように、光反射部材４を形成する。この工程には２つのサブ工程が含まれる。
第１サブ工程において、ウエハの表面全体に光反射部材４となる光反射性物質を含有する樹脂層を形成する。第１サブ工程では、光反射部材４を、発光素子１の上面と同じ高さか、当該上面よりも高くなる厚さで形成する。
当該樹脂層の形成方法としては、溶剤に樹脂と光反射性物質とを含有させたスラリーを塗布する、スプレー法、インクジェット法、ポッティング法、スクリーン印刷法などの各種の塗布方法、又は金型を用いた成形方法を用いることができる。

第２サブ工程において、発光素子１の上面の高さに定められた切削線１０２まで、例えば切削装置を用いて、光反射部材４の上層部を除去する。これにより、発光素子１の光取り出し面である成長基板１１の上面が露出するとともに、光反射部材４が、発光素子１の側面を被覆するようにパターニングされる。
なお、第１サブ工程において、光反射部材４を、発光素子１の上面と同じ高さで形成した場合は、第２サブ工程を省略することができる。

次に、支持部材形成工程Ｓ２０４において、発光素子１の上面に、複数の支持部材３を形成する。複数の支持部材３は、平面視で互いに離間して、発光素子１の上面全体に均等に配置する。１個の発光素子１当たりに多数の支持部材３を配置する場合は、粒子の散布装置を用いて支持部材３を発光素子１の上面に配置することもできる。
なお、支持部材３は、光反射部材４上には配置しないことが好ましい。これによって、発光装置１００の実装時に支持部材３が受ける荷重により、光反射部材４が発光素子１の側面から剥離することを防止することができる。

次に、波長変換部材形成工程Ｓ２０５において、発光素子１の上面及び光反射部材４の上面に、波長変換部材２を形成する。波長変換部材２は、支持部材３の高さと同じか、上面から支持部材３の上端部が露出する高さで形成する。
波長変換部材２は、前記した光反射部材４の形成方法と同様の方法で形成することができる。例えば、スプレー装置を用いて、溶剤に熱硬化性樹脂と波長変換物質（蛍光体）の粒子とを含有させたスラリーのスプレーを噴射して塗布膜を形成することで波長変換部材２を形成することができる。波長変換部材２の形成方法としては、スプレーをパルス状に、すなわち間欠的に噴射させる塗布法であるパルススプレー法が、より高精度な膜厚で塗布膜を形成できるため、好ましい。

なお、支持部材形成工程Ｓ２０４は、波長変換部材形成工程Ｓ２０５の後に行うことも、同時に行うこともできる。例えば、波長変換部材形成工程Ｓ２０５において、波長変換部材２を形成した後であって、樹脂２２が流動性を有する状態で支持部材３を配置し、支持部材３が発光素子１の上面と接するまで沈降させてから波長変換部材２の樹脂２２を硬化させることで、支持部材３と波長変換部材２とを形成することができる。
また、波長変換部材形成工程Ｓ２０５において、樹脂及び波長変換物質の粒子に加えて、支持部材３となる粒子を含有したスラリーを調製し、当該スラリーを発光素子１の上面に塗布することで、波長変換部材２と支持部材３とを同時に形成することができる。

更にまた、支持部材３として、波長変換部材２の膜厚と同じか、当該膜厚よりも大きな粒径を有する波長変換物質の粒子を用いるようにしてもよい。すなわち、波長変換部材２の膜厚よりも小さな粒径の波長変換物質の粒子に加えて、前記した支持部材３として適した大きさ及び形状の波長変換物質の粒子を用いて、波長変換部材２を形成するようにしてもよい。

支持部材３として透光性材料を用いる場合は、支持部材３の内部を介して、発光素子１からの光が波長変換されずに外部に取り出されることがある。このため、支持部材３の粒径が大きくなるほど、発光装置１００の配光特性に色むらが生じ易くなる。支持部材３として波長変換物質を用いることで、このような色むらの発生を抑制することができる。

次に、個片化工程Ｓ２０６において、境界線１０１に沿って波長変換部材２及び光反射部材４を、ダイシング法やスクライブ法などによって切断することにより、発光装置１００が個片化される。
以上の工程により、発光装置１００が形成される。

＜変形例＞
次に、第１実施形態の変形例に係る発光装置ついて、図７Ａ及び図７Ｂを参照して説明する。
図７Ａは、第１実施形態の第１変形例に係る発光装置の構成を示す模式的断面図である。図７Ｂは、第１実施形態の第２変形例に係る発光装置の構成を示す模式的断面図である。
なお、第１変形例に係る発光装置１００Ａ及び第２変形例に係る発光装置１００Ｂの平面視の形状は、第１実施形態に係る発光装置１００と同様であり、図７Ａ及び図７Ｂは、図１ＡのＩＢ−ＩＢ線に相当する位置における断面を示している。

第１変形例に係る発光装置１００Ａは、発光装置１００の球形状の粒子である支持部材３に代えて、円錐台形状の支柱である支持部材３Ａを備えるものである。
なお、支持部材３Ａは円錐台形状に限定されるものではなく、底面形状を楕円、多角形などとする錐台形状とすることができる。また、支持部材３Ａは、円柱や角柱などの柱状の支柱であってもよい。更にまた、支持部材３Ａは、平面視で直線状やＬ字状、Ｃ字状などの壁形状であってもよく、円筒や四角筒などの筒状の壁形状であってもよい。支持部材３Ａを筒状とする場合は、平面視で、筒形状の中心と発光素子１の中心とが略一致するように配置することが好ましい。
また、支持部材３Ａは、円柱形状を有し、当該円柱の側面が発光素子１の上面と接するように配置されてもよい。この場合は、支持部材３の高さは、円柱の底面の直径で定められる。また、支持部材３Ａは、上端が平面でなく、丸味を帯びた形状、例えば半球形状であってもよい。
なお、発光素子１の上面に配置される複数の支持部材３Ａは、何れの形状であっても高さが均一であることが好ましい。

なお、支持部材３Ａは、支持部材３と同様の材料を用いて形成することができる。発光装置１００Ａは、発光装置１００とは支持部材３Ａの形状が異なるだけであり、発光装置１００と同様の手順で製造することができる。

第２変形例に係る発光装置１００Ｂは、支持部材３に代えて、発光素子１の成長基板１１を加工して形成された支持部材３Ｂを備えるものである。支持部材３Ｂの形状は、柱状、錐台形状、半球形状、壁状、筒状などとすることができる。支持部材３Ｂの配置箇所は、発光装置１００と同様である。

支持部材３Ｂは、成長基板１１の他方の面（半導体積層体１２が設けられた主面と反対側の主面）である上面をエッチングにより加工することで形成することができる。このため、第２変形例に係る発光装置１００Ｂの製造方法としては、第１実施形態の製造方法において、支持部材形成工程Ｓ２０４を半導体発光素子準備工程Ｓ２０１の前に行うようにすることができる。すなわち、まず、他方の面側に支持部材３Ｂである凸部が形成された成長基板１１を準備し、成長基板１１の他方の面上に半導体積層体１２などを形成するものである。
なお、支持部材形成工程Ｓ２０４を、波長変換部材形成工程Ｓ２０５よりも前に行えばよく、半導体発光素子準備工程Ｓ２０１の後に、又は、光反射部材形成工程Ｓ２０３の後に行うこともできる。

＜第２実施形態＞
［発光装置の構成］
次に、第２実施形態に係る発光装置の構成について、図８を参照して説明する。
図８は、第２実施形態に係る発光装置の構成を示す模式的断面図である。なお、第２実施形態に係る発光装置１００Ｃの平面視の形状は、第１実施形態に係る発光装置１００と略同じであり、図８は、図１ＡのＩＢ−ＩＢ線に相当する位置における断面を示している。

第２実施形態に係る発光装置１００Ｃは、発光素子１の側面に透光性部材５が設けられ、光反射部材４が、当該透光性部材５を介して、発光素子１の側面を被覆するように設けられている。このため、第１実施形態に係る発光装置１００に比べて、平面視での外形がやや大きくなるように構成されている。
なお、第２実施形態に係る発光装置１００Ｃは、第１実施形態に係る発光装置１００と同様に、ＣＳＰ型の発光装置である。

透光性部材５は、発光素子１の側面に接し、平面視で発光素子１の外周を取り囲むように設けられ、発光素子１の側面から出射する光を、光取り出し方向である上方向に反射させるためのフィレットである。そのために、透光性部材５は、発光素子１の厚さ方向について光取り出し面方向である上方ほど、平面視で外側となるように逆傾斜した外側面を有している。このような透光性部材５を設けることで、発光素子１の側面から出射する光を、上面側から効率的に外部に取り出すことができる。
透光性部材５の外側面は、その断面形状が直線となるように平面で構成されているが、これに限定されるものではなく、下に凸状に、又は上に凸状に湾曲した外側面としてもよい。

また、透光性部材５の外側面は、光反射部材４によって被覆されており、透光性部材５の上面には、波長変換部材２が発光素子１の上面から連続して設けられている。透光性部材５の上面から出射する光は、波長変換部材２を介して、外部に取り出される。

透光性部材５は、良好な透光性を有する樹脂やガラスなどの材料で形成することができる。また、透光性部材５は、光反射部材４よりも屈折率の高い材料を用いて形成することが好ましい。透光性部材５を光反射部材４よりも屈折率の高い材料で構成することにより、スネルの法則に基づき、光反射部材４との界面である外側面で光を効率的に反射させることができる。
また、透光性部材５は、液状又はペースト状の樹脂材料を、例えば、ディスペンサを用いて発光素子１の側面に供給し、その後に硬化させることで形成することができる。
なお、他の構成は、第１実施形態に係る発光装置１００と同様である。

［発光装置の製造方法］
次に、発光装置１００Ｃの製造方法について、図９〜図１０Ｆを参照して説明する。
図９は、第２実施形態に係る発光装置の製造方法の手順を示すフローチャートである。図１０Ａは、第２実施形態に係る発光装置の製造方法における半導体発光素子配置工程を示す模式的断面図である。図１０Ｂは、第２実施形態に係る発光装置の製造方法における透光性部材形成工程を示す模式的断面図である。図１０Ｃは、第２実施形態に係る発光装置の製造方法における光反射部材形成工程の第１サブ工程を示す模式的断面図である。図１０Ｄは、第２実施形態に係る発光装置の製造方法における光反射部材形成工程の第２サブ工程を示す模式的断面図である。図１０Ｅは、第２実施形態に係る発光装置の製造方法におけるシート除去工程を示す模式的断面図である。

なお、図１０Ａ〜図１０Ｅは、図１ＡのＩＢ−ＩＢ線に相当する位置における断面図である。また、発光装置１００Ｃの製造は、ウエハレベルプロセスによって行われる。図１０Ａ〜図１０Ｅでは、仮想線である境界線１０１を用いて個々の発光装置１００Ｃの区画を示している。

発光装置１００Ｃの製造方法は、半導体発光素子準備工程Ｓ３０１と、半導体発光素子配置工程Ｓ３０２と、透光性部材形成工程Ｓ３０３、光反射部材形成工程Ｓ３０４と、シート除去工程Ｓ３０５と、支持部材形成工程Ｓ３０６と、波長変換部材形成工程Ｓ３０７と、個片化工程Ｓ３０８とが含まれている。

半導体発光素子準備工程Ｓ３０１は、第１実施形態における半導体発光素子準備工程Ｓ２０１と同様であるから、説明は省略する。

次に、半導体発光素子配置工程Ｓ３０２において、複数の発光素子１を、光取り出し面である成長基板１１側を下向きとして、側面が露出するように互いに間隔を開けて、表面に粘着性を有するシート６３上に載置する。

次に、透光性部材形成工程Ｓ３０３において、発光素子１の側面、すなわち、成長基板１１及び半導体積層体１２の側面に、平面視で発光素子１の外周を取り囲むように、透光性部材５を形成する。
透光性部材５は、例えば、透光性を有する樹脂材料を、ディスペンサなどを用いて発光素子１の側面に接するように供給し、その後に樹脂材料を硬化させることで形成することができる。透光性部材５は、外側面が、平面視で光取り出し方向ほど外側となるように傾斜した傾斜面とすることが好ましい。このような形状は、発光素子１の成長基板１１の下面とシート６３の上面とがなす角部に適宜な粘度を有する樹脂材料を供給し、表面張力及び重力により，樹脂材料が下方ほど広がった形状として硬化させることで形成することができる。また、金型を用いて外側面の形状を成型して硬化させるようにしてもよい。

次に、光反射部材形成工程Ｓ３０４において、透光性部材５の外側面を被覆するように、光反射部材４を形成する。この工程には、第１実施形態における光反射部材形成工程Ｓ２０３と同様に２つのサブ工程が含まれ、それぞれ対応するサブ工程と同様の手法を用いることができる。

まず、第１サブ工程において、ウエハの表面全体に光反射部材４となる光反射性物質を含有する樹脂層を形成する。第１サブ工程では、光反射部材４を、発光素子１と同じ高さか、当該上面よりも高くなる厚さで形成する。

次に、第２サブ工程において、発光素子１の上面の高さに定められた切削線１０３まで、例えば切削装置を用いて、光反射部材４の上層部を除去する。これにより、発光素子１の実装面であるｎ側電極１３及びｐ側電極１５の上面が露出するとともに、光反射部材４が、発光素子１の側面を透光性部材５を介して被覆するようにパターニングされる。
なお、第１サブ工程において、光反射部材４を、発光素子１の上面と同じ高さか、当該上面よりも低い高さで形成した場合は、第２サブ工程を省略することができる。

次に、シート除去工程Ｓ３０５において、発光素子１の支持体であるシート６３を除去する。このとき、複数の発光素子１は、互いに光反射部材４によって連結されているため、シート６３が除去されても配列状態を維持することができる。
なお、図１０Ｅは、図１０Ｄに対して、発光素子１の上下を入れ替えて示している。

次の支持部材形成工程Ｓ３０６は、第１実施形態における支持部材形成工程Ｓ２０４と同様にして、行うことができるため、詳細な説明は省略する。
なお、支持部材３は、光反射部材４上及び透光性部材５上には配置しないことが好ましい。これによって、発光装置１００Ｃの実装時に支持部材３が受ける荷重により、光反射部材４及び透光性部材５が発光素子１の側面から剥離することを防止することができる。

波長変換部材形成工程Ｓ３０７及び個片化工程Ｓ３０８は、それぞれ第１実施形態における波長変換部材形成工程Ｓ２０５及び個片化工程Ｓ２０６と同様であるから、説明は省略する。
以上の工程により、発光装置１００Ｃを製造することができる。

＜第３実施形態＞
［発光装置の構成］
次に、第３実施形態に係る発光装置の構成について、図１１Ａ〜図１２Ｂを参照して説明する。
図１１Ａは、第３実施形態に係る発光装置の構成を示す模式的平面図である。図１１Ｂは、第３実施形態に係る発光装置の構成を示す模式的断面図であり、図１１ＡのＸＩＢ−ＸＩＢ線における断面を示す。図１１Ｃは、第３実施形態に係る発光装置の構成を示す模式的断面図であり、図１１ＡのＸＩＣ−ＸＩＣ線における断面を示す。図１２Ａは、第３実施形態の第１変形例に係る発光装置の構成を示す模式的平面図である。図１２Ｂは、第３実施形態の第２変形例に係る発光装置の構成を示す模式的平面図である。また、図１２Ａ及び図１２Ｂにおいて、ハッチングを施した領域は断面ではなく、支持部材３Ｅ，３Ｆが配置された領域を示す。

第３実施形態に係る発光装置１００Ｄは、発光素子１がサブマウント９０に半田などの接合部材８３を用いて１次実装され、発光装置１００Ｄを導電接着剤を用いて２次実装する際に荷重を受ける支持部材３Ｄが、サブマウント９０上に設けられている。
すなわち、前記した第１実施形態及びその変形例、並びに第２実施形態に係る発光装置１００〜１００ＣがＣＳＰ型の発光装置であるのに対して、第３実施形態に係る発光装置１００Ｄは、サブマウント付きの発光装置である。
次に、発光装置１００Ｄの各部の構成について順次に詳細に説明する。

発光素子１は、成長基板１１側を上向きとして、サブマウント９０に１次実装されている。また、ｎ側電極１３及びｐ側電極１５は、サブマウント９０の上面側に設けられたそれぞれが対応する極性の配線用電極９２と、半田などの導電性の接合部材８３を用いて接合されている。また、発光素子１は、側面に光反射部材４が設けられ、上面に波長変換部材２が設けられている。

支持部材３Ｄは、サブマウント９０の上面の４箇所に設けられ、上端が波長変換部材２の上面よりも高い四角柱形状を有する支柱である。支持部材３Ｄは、発光装置１００Ｄを導電接着剤を用いて実装する際に、上方から印加される荷重を受け、当該荷重を実装面であるサブマウント９０の下面側の配線用電極９２に伝達する。すなわち、本実施形態において、支持部材３Ｄは、発光素子１に荷重を伝達せず、サブマウント９０に荷重を伝達するように構成されている。従って、荷重は波長変換部材２にも伝達されない。

支持部材３Ｄとしては、樹脂材料、ガラスなどの無機材料、金属材料などを用いることができ、荷重を受けた際に変形量が少なく、変形した際にプレスヘッド６１によって波長変換部材２に損傷を与えない程度の剛性を有していればよい。また、支持部材３Ｄは、発光素子１及び波長変換部材２からの光を吸収しないように、透光性又は表面に光反射性を有する材料で構成されることが好ましい。

支持部材３Ｄは、四角柱形状の支柱に限定されるものではなく、サブマウント９０の上面に設けられ、上端が波長変換部材２の上面よりも高くなるように、種々の形状及び／又は本数の柱状物として設けることができる。
また、柱状の支持部材３Ｄに代えて、第１変形例に係る発光装置１００Ｅや第２変形例に係る発光装置１００Ｆのように、壁状の支持部材３Ｅや支持部材３Ｆを備えるようにしてもよい。ここで、支持部材３Ｅは、平面視で略正方形のサブマウント９０の上面の互いに対向する１組の２辺に沿って壁状に設けられたものである。また、支持部材３Ｆは、サブマウント９０の上面の４辺に沿って、発光素子１を囲むように設けられたものである。

サブマウント９０は、発光素子１を１次実装するための実装基板である。サブマウント９０は、平面視で、発光素子１の外形を包含し、発光素子１よりも大きな面積を有する基体９１と、当該基体９１の外表面に、正負の極性に対応する一対の配線用電極９２を有している。
サブマウント９０の上面には、平面視で発光素子１が実装される領域の外側に、支持部材３Ｄが設けられている。

基体９１は、サブマウント９０の母材であり、絶縁性を有する樹脂材料、セラミック材料などを用いることができる。また、金属板の表面を絶縁材料で被覆した複合材料を用いることもできる。

一対の配線用電極９２は、それぞれ正負の極性に対応して設けられており、Ｃｕ、Ａｕなどの導電性の良好な金属を用いて形成することができる。それぞれの配線用電極９２は、基体９１の上面から下面にかけて、側面を経由して延在するように設けられている。配線用電極９２は、基体９１の上面側に設けられた領域（上部電極）が、発光素子１のｎ側電極１３又はｐ側電極１５と電気的に接続され、基体９１の下面側に設けられた領域（下部電極）が、実装基板に２次実装するための実装面となる。
なお、配線用電極９２は、基体９１の上面側の領域と下面側の領域とが、基体９１にスルーホールを設けて導電性部材を充填することで電気的に接続されるように構成してもよい。

なお、発光装置１００Ｄは、発光素子１の上面に波長変換部材２が、その側面に光反射部材４が設けられた構成であるが、これに限定されるものではない。例えば、発光素子１の側面に透光性部材５及び光反射部材４を設けた構成としてもよく、側面に光反射部材４に代えて、又は加えて、波長変換部材２を設けるようにしてもよい。

［発光装置の実装方法］
次に、発光装置１００Ｄの実装方法について、図３及び図１３を参照して説明する。
図１３は、第３実施形態に係る発光装置の実装方法を説明するための模式的断面図である。

発光装置１００Ｄの実装は、発光装置１００の実装と同様の手順で行うことができる。
まず、実装基板載置工程Ｓ１０１において、実装基板７０を、実装面である配線用電極７２が上向きになるように載置台６２に載置する。
次に、導電接着剤配置工程Ｓ１０２において、実装基板７０の配線用電極７２上に、発光装置１００Ｄを接合するために必要な適量の導電接着剤８０を配置する。

次に、発光装置配置工程Ｓ１０３において、実装基板７０の配線用電極７２上に、導電接着剤８０を介して発光装置１００Ｄを配置する。発光装置１００Ｄは、実装面であるサブマウント９０の下面側に設けられた配線用電極９２が、それぞれ対応する極性の配線用電極７２と対向するように配置する。

次に、荷重工程Ｓ１０４において、発光装置１００Ｄの上面にプレスヘッド６１を押し当て、所定の力で荷重する。このとき、プレスヘッド６１の下面は発光装置１００Ｄの支持部材３Ｄの上端部と接し、荷重は支持部材３Ｄで受ける。すなわち、プレスヘッド６１から受ける荷重は支持部材３Ｄを介し、サブマウント９０を経由して発光装置１００Ｄの実装面である配線用電極９２の下面側に伝達される。従って、波長変換部材２にはプレスヘッド６１から受ける荷重が作用しないため、当該荷重により波長変換部材２が損傷しないように構成されている。

次に、硬化工程Ｓ１０５において、プレスヘッド６１から荷重された状態を維持したまま、導電接着剤８０の樹脂８２を硬化させる。導電接着剤８０の樹脂８２が硬化した後に、プレスヘッド６１による荷重を解放することで、実装基板７０に発光装置１００Ｄが実装された装置、例えば光源装置２００Ｄを取り出すことができる。

［発光装置の製造方法］
次に、発光装置１００Ｄの製造方法について、図１４〜図１５Ｇを参照して説明する。
図１４は、第３実施形態に係る発光装置の製造方法の手順を示すフローチャートである。図１５Ａは、第３実施形態に係る発光装置の製造方法におけるサブマウント準備工程を示す模式的断面図である。図１５Ｂは、第３実施形態に係る発光装置の製造方法における半導体発光素子実装工程を示す模式的断面図である。図１５Ｃは、第３実施形態に係る発光装置の製造方法における光反射部材形成工程の第１サブ工程を示す模式的断面図である。図１５Ｄは、第３実施形態に係る発光装置の製造方法における光反射部材形成工程の第２サブ工程を示す模式的断面図である。図１５Ｅは、第３実施形態に係る発光装置の製造方法における波長変換部材形成工程を示す模式的断面図である。図１５Ｆは、第３実施形態に係る発光装置の製造方法における支持部材形成工程を示す模式的断面図である。図１５Ｇは、第３実施形態に係る発光装置の製造方法における個片化工程を示す模式的断面図である。

なお、図１５Ａ〜図１５Ｇは、図１１ＡのＸＩＣ−ＸＩＣ線に相当する位置における断面図である。また、発光装置１００Ｄの製造は、複数のサブマウント９０が連結された状態のウエハレベルプロセスによって行われる。図１５Ａ〜図１５Ｇでは、仮想線である境界線１０１を用いて個々の発光装置１００Ｄの区画を示している。

発光装置１００Ｄの製造方法は、半導体発光素子準備工程Ｓ４０１と、サブマウント準備工程Ｓ４０２と、半導体発光素子実装工程Ｓ４０３と、光反射部材形成工程Ｓ４０４と、波長変換部材形成工程Ｓ４０５と、支持部材形成工程Ｓ４０６と、個片化工程Ｓ４０７とが含まれている。

半導体発光素子準備工程Ｓ４０１は、第１実施形態における半導体発光素子準備工程Ｓ２０１と同様であるから、説明は省略する。

次に、サブマウント準備工程Ｓ４０２において、サブマウント９０を準備する。サブマウント９０は、１個でもよいが、ここでは、複数のサブマウント９０の基体９１が連続して形成された集合基板の状態で準備されるものとして説明する。また、本実施形態では、個片化工程Ｓ４０８で個片化されるまで、複数の発光装置１００Ｄが、サブマウント９０の集合基板上に同時に形成される。

なお、サブマウント９０の集合基板は、基体９１同士が互いに連結されるが、基体９１には素子の境界領域に沿って厚さ方向に貫通する溝が設けられ、当該溝を介して、基体９１の上面と下面とに設けられる配線用電極９２が極性ごとに電気的に接続されているものとする。
また、サブマウント９０の配線用電極９２は、基体９１の上面と下面とに設けられる領域が、基体９１の厚さ方向に貫通するスルーホールを介して電気的に接続されるようにしてもよい。

また、半導体発光素子準備工程Ｓ４０１と、サブマウント準備工程Ｓ４０２とは、何れを先に行ってもよく、並行して行うようにしてもよい。

次に、半導体発光素子実装工程Ｓ４０３において、発光素子１をサブマウント９０に１次実装する。具体的には、発光素子１のｎ側電極１３及びｐ側電極１５を、それぞれ対応する極性の配線用電極９２と対向させ、半田などの導電性を有する接合部材８３を用いて接合する。

次に、光反射部材形成工程Ｓ４０４において、発光素子１の側面を被覆するように、光反射部材４を形成する。光反射部材形成工程Ｓ４０４には、第１実施形態における光反射部材形成工程Ｓ２０３と同様に、２つのサブ工程が含まれる。

まず、第１サブ工程として、光反射性物質を含有する樹脂材料を用いて、発光素子１の上面よりも高い厚さとなるよう光反射部材４を形成する。このとき、境界線１０１に沿った領域及び支持部材３Ｄを設ける領域を、マスク６４を用いて予め被覆しておく。

次に、第２サブ工程において、マスク６４を除去するとともに、発光素子１の上面の高さに定められた切削線１０２まで、例えば切削装置を用いて、光反射部材４の上層部を除去する。これにより、発光素子１の光取り出し面である成長基板１１の上面が露出するとともに、光反射部材４が発光素子１の側面を被覆するようにパターニングされ、更にサブマウント９０の上面の支持部材３Ｄを設けるための領域及び境界線１０１に沿った領域が露出する。
なお、光反射部材４の上層部を除去した後に、サブマウント９０の上面の、支持部材３Ｄを設ける領域及び境界線１０１に沿った一定幅の領域に波長変換部材２が形成されないように、再度マスクを設けるようにしてもよい。

次に、波長変換部材形成工程Ｓ４０５において、波長変換部材形成工程Ｓ２０５と同様にして、発光素子１の上面及び光反射部材４の上面を連続して被覆するように、波長変換部材２を形成する。

次に、支持部材形成工程Ｓ４０６において、サブマウント９０の上面に支持部材３Ｄを形成する。支持部材３Ｄは、例えば、樹脂、ガラス又は金属などからなる四角柱などの所定形状の構造物を予め準備しておき、当該構造物をサブマウント９０の上面の所定位置に接着することで形成することができる。また、支持部材３Ｄは、スクリーン印刷法や金型を用いた成形法により形成することもできる。更にまた、支持部材３Ｄは、金属ワイヤを用いてボールボンディングする際に形成される金属バンプを、所定の高さとなるように積層することで形成することもできる。

なお、支持部材形成工程Ｓ４０６は、波長変換部材形成工程Ｓ４０５の前に行うようにしてもよい。また、支持部材形成工程Ｓ４０６は、サブマウント準備工程Ｓ４０２の後に行うようにしてもよい。更にまた、支持部材形成工程Ｓ４０６をサブマウント準備工程Ｓ４０２に含めて、サブマウント９０の基体９１と支持部材３Ｄとを一体的に形成するようにしてもよい。

次に、個片化工程Ｓ４０７において、境界線１０１に沿って、ダイシング法やスクライブ法などにより、サブマウント９０の基体９１を切断することにより、発光装置１００Ｄを個片化する。
以上の工程により、発光装置１００Ｄを製造することができる。

＜第４実施形態＞
［発光装置の構成］
次に、第４実施形態に係る発光装置の構成について、図１６を参照して説明する。
図１６は、第４実施形態に係る発光装置の構成を示す模式的断面図である。
第４実施形態に係る発光装置１００Ｇは、第１実施形態に係る発光装置１００に対して、光反射部材４に代えて光反射部材４Ｇを備え、更に、発光装置１００Ｇの実装面である裏面側に、拡張電極１３１，１５１を備えていることが異なる。

本実施形態では、支持部材３に加えて、光反射部材４Ｇが、発光装置１００Ｇの実装時に上方から印加される荷重を受けるように構成されている。
そのために、光反射部材４Ｇは、発光素子１の側面を被覆する部分の上面が、波長変換部材２中に配置される支持部材３の上端と略同じ高さとなるように形成されている。言い換えれば、光反射部材４Ｇは、発光素子１の周囲を取り囲む壁状に形成されており、その壁の上面が、波長変換部材２の上面以上の高さとなるように構成されている。また、波長変換部材２は、発光素子１の上面の範囲内にのみ設けられており、波長変換部材２の側面には光反射部材４Ｇが設けられている。

光反射部材４Ｇの発光素子１の側面に設けられる部分は、荷重を受ける際に大きく変形したり、発光素子１から剥離しないように、発光素子１の側面に垂直方向の膜厚が２０μｍ以上程度とすることが好ましく、５０μｍ以上とすることがより好ましい。
光反射部材４Ｇは、発光素子１の側面を被覆する部分が支持部材３と略同じ高さとなるように形成されること以外は、発光装置１００の光反射部材４と同様であるから、詳細な説明は省略する。

拡張電極１３１は、ｎ側電極１３と電気的に接続され、外部との接続領域をｎ側電極１３よりも拡張するものである。また、拡張電極１５１は、ｐ側電極１５と電気的に接続され、外部との接続領域をｐ側電極１５よりも拡張するものである。本実施形態では、拡張電極１３１，１５１は、それぞれｎ側電極１３及びｐ側電極１５の下面と接続するとともに、光反射部材４Ｇの下面にまで延在し、平面視で発光素子１の外側にまで電極を拡張するように設けられている。すなわち、発光装置１００Ｇは、ファンアウト（Fan Out）型のＣＳＰを構成している。

また、拡張電極１３１，１５１を、平面視で発光素子１の外側にまで延在させることで、すなわち、光反射部材４Ｇの支持部材として機能する部位の直下まで延在させることで、発光素子１の外側に設けられた拡張電極１３１，１５１に効率よく荷重が伝達されるため、導電接着剤を用いた実装基板の配線用電極との接合の信頼性を向上させることができる。
拡張電極１３１，１５１は、ｎ側電極１３やｐ側電極１５と同様の金属材料を用いて形成することができる。また、その形成方法としては、スパッタリング法、電解メッキ法、無電解メッキ法やこれらを組み合わせた方法を用いることができる。また、所定の形状に加工した金属板をｎ側電極１３及びｐ側電極１５に接合することで、拡張電極１３１，１５１を形成してもよい。

なお、本実施形態では、発光素子１の上面に支持部材３を配置するようにしたが、当該支持部材３を省略して、光反射部材４Ｇのみで実装時に印加される荷重を受けるようにしてもよい。また、拡張電極１３１，１５１を設けずに、発光装置１００と同様に、ｎ側電極１３及びｐ側電極１５の下面を実装面としてもよい。すなわち、支持部材３の有無、及び拡張電極１３１，１５１の有無は、任意に組み合わせて構成することができる。

［発光装置の実装方法］
発光装置１００Ｇの実装方法は、荷重を支持部材３及び光反射部材４Ｇで受け、拡張電極１３１，１５１の下面が実装面となること以外は、第１実施形態に係る発光装置１００と同様であるから、詳細な説明は省略する。

［発光装置の製造方法］
発光装置１００Ｇは、図５〜図６Ｆに示した第１実施形態に係る発光装置１００の製造方法を、次のように変更することで製造することができる。

発光装置１００Ｇは、図５に示した製造工程の手順において、光反射部材形成工程Ｓ２０３を、波長変換部材形成工程Ｓ２０５の後で行うようにすることで製造することができる。
具体的には、まず、半導体発光素子配置工程Ｓ２０２の後に、予め支持部材３を内蔵している波長変換部材２として、例えば、支持部材３を内蔵している蛍光体シートを発光素子１の上面と同サイズに切り出し、発光素子１の上面に接着する。すなわち、この例では、支持部材形成工程Ｓ２０４と波長変換部材形成工程Ｓ２０５とが、同時に行われる。
その後に、光反射部材形成工程Ｓ２０３として、光反射物質を含有した樹脂を用いて、圧縮成形法、トランスファー成形法、ポッティング法などの手法で光反射部材４Ｇを形成し、その後に余分な樹脂層を除去する。その他の工程は、第１実施形態と同様に行うことにより、発光装置１０Ｇを製造することができる。

また、発光装置１０Ｇの製造方法はこれに限定されるものではなく、様々な手法を用いることができ、例えば、次のようにしても製造することができる。
光反射部材形成工程Ｓ２０３の第１サブ工程において、光反射性物質を含有する樹脂を用いて、発光素子１の上面に支持部材３を配置した際の支持部材３の上端と同じか、当該上端よりも高くなるように光反射部材４Ｇを形成する。また、発光素子１の上面にはマスクを形成して、発光素子１の上面の領域に光反射部材４Ｇを形成しないようにする。
また、第２サブ工程において、発光素子１の上面からマスクを除去するとともに、切削装置などを用いて光反射部材４Ｇの上層部を、支持部材３が配置された際の上端の高さと略同じになるように除去する。これによって、発光素子１の上面を底面とし、光反射部材４Ｇを側面とする凹部が形成される。

次に、支持部材形成工程Ｓ２０４を第１実施形態と同様に行う。
次に、波長変換部材形成工程Ｓ２０５において、前記した発光素子１の上面を底面とし、光反射部材４Ｇを側面とする凹部内に、第１実施形態と同様にして、波長変換部材２を形成する。

また、拡張電極１３１，１５１は、光反射部材形成工程Ｓ２０３の後に、ウエハからシート６３を除去し、ウエハの裏面側に、スパッタリング法、電解メッキ法、無電解メッキ法などを用いて形成する。
なお、拡張電極１３１，１５１の形成は、光反射部材形成工程Ｓ２０３の後であれば、その直後に限定されず、例えば、波長変換部材形成工程Ｓ２０５の次に行ってもよい。

その他の工程は、第１実施形態と同様に行うことにより、発光装置１０Ｇを製造することができる。

＜第５実施形態＞
次に、第５実施形態に係る発光装置について、図１７を参照して説明する。
図１７は、第５実施形態に係る発光装置の実装方法を説明するための模式的断面図である。
第５実施形態に係る発光装置１００Ｈは、第４実施形態に係る発光装置１００Ｇから支持部材３と拡張電極１３１，１５１とを除いた構成を有している。従って、発光装置１００Ｈは、実装時に上方から印加される荷重を、光反射部材４Ｈの、発光素子１の側面に壁状に設けられた部分の上面のみで受けるものである。なお、発光装置１００Ｈの光反射部材４Ｈは、発光装置１００Ｇの光反射部材４Ｇと同じ構成を有するものであるから、詳細な説明は省略する。
なお、発光装置１００Ｈは、拡張電極１３１，１５１を有するように構成してもよい。

［発光装置の実装方法］
発光装置１００Ｈは、第１実施形態などと同様に、実装基板７０上に載置され、上方からプレスヘッド６１によって、荷重を印加されることで行われる。このとき、プレスヘッド６１の押圧面である下面は、第１実施形態と同様に、平面視で発光装置１００Ｈの全体を包含する平坦面であってもよいが、光反射部材４Ｈの荷重を受ける支持部材として機能する部分の上面の形状に合わせた形状とすることが好ましい。

ここで、発光装置１００Ｈは、波長変換部材２の配置領域内に支持部材３を有さない。このため、特に、光反射部材４Ｈの上面と波長変換部材２の上面との高さの差を小さく構成する場合は、プレスヘッド６１の押圧面の形状を光反射部材４Ｈと略同じ形状とするか、少なくとも波長変換部材２の配置領域に押圧面が接触しないような形状とすることで、プレスヘッド６１が波長変換部材２にダメージを与える恐れを低減することができる。
このようにして、発光装置１００Ｈが、導電接着剤８０を用いて実装基板７０に実装されることで、光源装置２００Ｈが製造される。

［発光装置の製造方法］
発光装置１００Ｈは、前記した第４実施形態に係る発光装置１００Ｇの製造方法において、支持部材形成工程Ｓ２０４と、拡張電極を形成する工程と、を行わないことで製造することができるため、製造方法についての詳細な説明は省略する。

＜第６実施形態＞
［光源装置の構成］
次に、第６実施形態に係る光源装置の構成について、図４Ａ、図１３を参照して説明する。
第６実施形態に係る光源装置２００は、実装基板７０と、実装基板７０に実装された発光装置１００とを備えて構成される装置である。また、実装基板７０に実装される発光装置は、発光装置１００に限定されず、第１実施形態の変形例に係る発光装置１００Ａ，１００Ｂ、第２実施形態に係る発光装置１００Ｃ、第３実施形態に係る発光装置１００Ｄ、その変形例に係る発光装置１００Ｅ，１００Ｆ、第４実施形態に係る発光装置１００Ｇ、第５実施形態に係る発光装置１００Ｈなどであってもよい。例えば、第３実施形態に係る発光装置１００Ｄを用いることで、光源装置２００Ｄが構成される。

［光源装置の製造方法］
次に、光源装置２００の製造方法について、図３、図５、図９、図１４及び図１８を参照して説明する。
図１８は、第６実施形態に係る光源装置の製造方法の手順を示すフローチャートである。
光源装置２００の製造方法は、発光装置準備工程Ｓ５０１と、実装基板準備工程Ｓ５０２と、発光装置実装工程Ｓ５０３とが含まれる。

発光装置準備工程Ｓ５０１は、発光装置１００を準備する工程である。発光装置準備工程Ｓ５０１は、第１実施形態に係る発光装置１００の製造方法として説明した半導体発光素子準備工程Ｓ２０１〜個片化工程Ｓ２０６の各工程を行うものである。
実装基板準備工程Ｓ５０２は、実装基板７０を準備する工程である。実装基板７０としては、プリント配線基板などを用いることができる。
発光装置実装工程Ｓ５０３は、発光装置１００を実装基板７０に実装する工程である。発光装置実装工程Ｓ５０３は、第１実施形態に係る発光装置１００の実装方法として説明した実装基板載置工程Ｓ１０１〜硬化工程Ｓ１０５の各工程を行うものである。
以上の工程により、光源装置２００を製造することができる。
なお、発光装置準備工程Ｓ５０１と実装基板準備工程Ｓ５０２とは、何れを先に行ってもよく、並行して行ってもよい。

また、発光装置準備工程Ｓ５０１において、半導体発光素子準備工程Ｓ３０１〜個片化工程Ｓ３０８、又は半導体発光素子準備工程Ｓ４０１〜個片化工程Ｓ４０７などを行うことによって、発光装置１００に代えて発光装置１００Ａ〜発光装置１００Ｈの何れかを準備し、発光装置実装工程Ｓ５０３において、発光装置準備工程Ｓ５０１で準備した発光装置１００Ａ〜１００Ｈを実装基板７０に実装することで、光源装置を製造することもできる。

以上、本発明に係る発光装置及び発光装置の実装方法、並びに光源装置の製造方法について、発明を実施するための形態により具体的に説明したが、本発明の趣旨はこれらの記載に限定されるものではなく、特許請求の範囲の記載に基づいて広く解釈されなければならない。また、これらの記載に基づいて種々変更、改変などしたものも本発明の趣旨に含まれることはいうまでもない。

１ 発光素子（半導体発光素子）
１１ 成長基板
１２ 半導体積層体
１２ｎ ｎ型半導体層
１２ａ 活性層
１２ｐ ｐ型半導体層
１２ｂ 段差部
１３ ｎ側電極
１４ 全面電極
１５ ｐ側電極
１６ 絶縁膜
１６ｎ，１６ｐ 開口部
１３１，１５１ 拡張電極
２，２Ａ 波長変換部材
２１ 波長変換物質の粒子
２２ 樹脂
２ａ 粒子含有部
２ｂ 粒子非含有部
３，３Ａ，３Ｂ，３Ｄ，３Ｅ，３Ｆ 支持部材
４ 光反射部材
４Ｇ，４Ｈ 光反射部材
５ 透光性部材
６１ プレスヘッド
６２ 載置台
６３ シート
６４ マスク
７０ 実装基板
７１ 基体
７２ 配線用電極
８０ 導電接着剤
８１ 導電性粒子
８１ａ 樹脂コア
８１ｂ 金属層
８２ 樹脂
８３ 接合部材
９０ サブマウント
９１ 基体
９２ 配線用電極
１００，１００Ａ，１００Ｂ，１００Ｃ，１００Ｄ，１００Ｅ，１００Ｆ，１００Ｇ，１００Ｈ 発光装置
１０１ 境界線
１０２，１０３ 切削線
２００，２００Ｄ，２００Ｈ 光源装置

Claims (14)

1. 半導体積層体の一方の面側に電極を有する半導体発光素子と、前記半導体積層体の他方の面側に設けられ、透光性を有する樹脂に波長変換物質の粒子を含有してなる波長変換部材とを備え、
   前記一方の面側を実装面として、樹脂に導電性粒子を含有させてなる導電接着剤を用いるとともに、前記他方の面側から荷重することで実装される発光装置であって、
   前記荷重を支持する支持部材を有し、
   前記他方の面に垂直な方向を高さ方向とし、前記他方の面が前記一方の面よりも高い位置であるとした場合に、
   前記支持部材の上端が、前記波長変換物質の粒子の最上端以上の高さであり、かつ、前記支持部材の下端が、前記波長変換物質の粒子の最下端以下の高さである発光装置。
2. 前記波長変換部材は、前記波長変換部材が設けられた前記半導体発光素子の上面から前記波長変換部材に含有される前記波長変換物質の粒子の最上端までの領域である粒子含有部を有する請求項１に記載の発光装置。
3. 前記支持部材は、前記波長変換部材中に設けられ、前記粒子含有部の厚さ以上の粒径を有する粒子である請求項２に記載の発光装置。
4. 前記支持部材は、前記波長変換部材中に設けられ、前記粒子含有部の厚さ以上の高さを有する支柱である請求項２に記載の発光装置。
5. 前記支持部材として、前記粒子含有部の厚さ以上の粒径を有する前記波長変換物質の粒子が含まれている請求項２に記載の発光装置。
6. 前記半導体積層体は、透光性を有する基板の一方の面側に設けられ、前記波長変換部材は前記基板の他方の面に接して設けられる請求項１乃至請求項５の何れか一項に記載の発光装置。
7. 前記半導体積層体は、透光性を有する基板の一方の面側に設けられ、前記波長変換部材は前記基板の他方の面に接して設けられ、
   前記支持部材は、前記基板の他方の面側を加工して形成される凸部である請求項４に記載の発光装置。
8. 複数の前記支持部材が、平面視で前記半導体発光素子の外縁部に、互いに離間して配置される請求項１乃至請求項７の何れか一項に記載の発光装置。
9. 前記支持部材が、平面視で前記半導体発光素子の外形の中央部に、更に配置される請求項８に記載の発光装置。
10. 前記支持部材は、透光性を有し、高さが前記波長変換部材の厚さの１．５倍以下である請求項１乃至請求項９の何れか一項に記載の発光装置。
11. 前記半導体発光素子は、平面視で、前記半導体発光素子の外側にまで延在する大きさを有するサブマウントに実装され、
    前記サブマウントは、上面に前記電極と電気的に接続することで前記半導体発光素子を実装する上部電極を有し、下面に前記上部電極と電気的に接続された下部電極を有し、
    前記支持部材は、平面視で前記半導体発光素子の外側の領域となる前記サブマウントの上面に設けられ、前記支持部材の上端が前記波長変換部材の上面よりも高い支柱又は壁であり、
    前記サブマウントの下面を前記実装面として外部の実装基板に実装される請求項１に記載の発光装置。
12. 前記支持部材は、透光性又は光反射性を有する請求項１乃至請求項９、又は請求項１１の何れか一項に記載の発光装置。
13. 半導体積層体の一方の面側に電極を有する半導体発光素子と、
    前記半導体積層体の他方の面側に設けられ、透光性を有する樹脂に波長変換物質の粒子を含有してなる波長変換部材と、
    前記一方の面側を実装面として、樹脂に導電性粒子を含有させてなる導電接着剤を用いて実装する際に、前記他方の面側から受ける荷重を支持する支持部材と、を備え、
    前記他方の面に垂直な方向を高さ方向とし、前記他方の面が前記一方の面よりも高い位置であるとした場合に、
    前記支持部材の上端が、前記波長変換物質の粒子の最上端以上の高さであり、かつ、前記支持部材の下端が、前記波長変換物質の粒子の最下端以下の高さである発光装置の実装方法であって、
    前記発光装置の実装面を実装基板に対向させ、前記導電接着剤を介して実装基板上に配置する配置工程と、
    前記支持部材の上方から荷重を加える荷重工程と、が含まれる発光装置の実装方法。
14. 半導体積層体の一方の面側に電極を有する半導体発光素子と、
    前記半導体積層体の他方の面側に設けられ、透光性を有する樹脂に波長変換物質の粒子を含有してなる波長変換部材と、
    前記一方の面側を実装面として、樹脂に導電性粒子を含有させてなる導電接着剤を用いて実装する際に、前記他方の面側から受ける荷重を支持する支持部材と、を備え、
    前記他方の面に垂直な方向を高さ方向とし、前記他方の面が前記一方の面よりも高い位置であるとした場合に、
    前記支持部材の上端が、前記波長変換物質の粒子の最上端以上の高さであり、かつ、前記支持部材の下端が、前記波長変換物質の粒子の最下端以下の高さである発光装置と、実装基板と、を備える光源装置の製造方法であって、
    前記発光装置の実装面を実装基板に対向させ、前記導電接着剤を介して前記実装基板上に配置する配置工程と、
    前記支持部材の上方から荷重を加える荷重工程と、が含まれる光源装置の製造方法。

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