JP6511809B2 - 発光装置及びその実装方法、並びに光源装置の製造方法 - Google Patents
発光装置及びその実装方法、並びに光源装置の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6511809B2 JP6511809B2 JP2014264525A JP2014264525A JP6511809B2 JP 6511809 B2 JP6511809 B2 JP 6511809B2 JP 2014264525 A JP2014264525 A JP 2014264525A JP 2014264525 A JP2014264525 A JP 2014264525A JP 6511809 B2 JP6511809 B2 JP 6511809B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light emitting
- emitting device
- wavelength conversion
- light
- support member
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 137
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 82
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 203
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 119
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 112
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 102
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 102
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 87
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 66
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 51
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 51
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 44
- 238000011068 loading method Methods 0.000 claims description 7
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 62
- 239000010408 film Substances 0.000 description 35
- 230000008569 process Effects 0.000 description 35
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 31
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 25
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 23
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 23
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 22
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 22
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 22
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 12
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 11
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 9
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 9
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 9
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 9
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 9
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000001579 optical reflectometry Methods 0.000 description 8
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 7
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 7
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 7
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 5
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 5
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 5
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 4
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 4
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 4
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 3
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000000149 argon plasma sintering Methods 0.000 description 3
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 3
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 3
- -1 lutetium aluminum Chemical compound 0.000 description 3
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 3
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 3
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 3
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 3
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 3
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 3
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 3
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 3
- VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L Calcium carbonate Chemical compound [Ca+2].[O-]C([O-])=O VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920000106 Liquid crystal polymer Polymers 0.000 description 2
- 239000004977 Liquid-crystal polymers (LCPs) Substances 0.000 description 2
- 239000004954 Polyphthalamide Substances 0.000 description 2
- 229920001807 Urea-formaldehyde Polymers 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- JNDMLEXHDPKVFC-UHFFFAOYSA-N aluminum;oxygen(2-);yttrium(3+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Y+3] JNDMLEXHDPKVFC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N cerium Chemical compound [Ce] GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000748 compression moulding Methods 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 2
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 2
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 2
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 2
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 2
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 2
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 2
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 2
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 2
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 2
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 2
- 229920006375 polyphtalamide Polymers 0.000 description 2
- 238000004382 potting Methods 0.000 description 2
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 239000012798 spherical particle Substances 0.000 description 2
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 description 2
- 238000001721 transfer moulding Methods 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910019901 yttrium aluminum garnet Inorganic materials 0.000 description 2
- YBNMDCCMCLUHBL-UHFFFAOYSA-N (2,5-dioxopyrrolidin-1-yl) 4-pyren-1-ylbutanoate Chemical compound C=1C=C(C2=C34)C=CC3=CC=CC4=CC=C2C=1CCCC(=O)ON1C(=O)CCC1=O YBNMDCCMCLUHBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229910004762 CaSiO Inorganic materials 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000673 Indium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N Indium phosphide Chemical compound [In]#P GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910020068 MgAl Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004283 SiO 4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910020830 Sn-Bi Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910020994 Sn-Zn Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018728 Sn—Bi Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018956 Sn—In Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910009069 Sn—Zn Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910009071 Sn—Zn—Bi Inorganic materials 0.000 description 1
- UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N Sulphide Chemical compound [S-2] UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BZHJMEDXRYGGRV-UHFFFAOYSA-N Vinyl chloride Chemical compound ClC=C BZHJMEDXRYGGRV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 1
- JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N barium titanate Chemical compound [Ba+2].[Ba+2].[O-][Ti]([O-])([O-])[O-] JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 239000011324 bead Substances 0.000 description 1
- UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N cadmium(2+);selenium(2-) Chemical compound [Se-2].[Cd+2] UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 1
- 239000000404 calcium aluminium silicate Substances 0.000 description 1
- 235000012215 calcium aluminium silicate Nutrition 0.000 description 1
- WNCYAPRTYDMSFP-UHFFFAOYSA-N calcium aluminosilicate Chemical compound [Al+3].[Al+3].[Ca+2].[O-][Si]([O-])=O.[O-][Si]([O-])=O.[O-][Si]([O-])=O.[O-][Si]([O-])=O WNCYAPRTYDMSFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940078583 calcium aluminosilicate Drugs 0.000 description 1
- 229910000019 calcium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- AXCZMVOFGPJBDE-UHFFFAOYSA-L calcium dihydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[Ca+2] AXCZMVOFGPJBDE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000000920 calcium hydroxide Substances 0.000 description 1
- 229910001861 calcium hydroxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000378 calcium silicate Substances 0.000 description 1
- 229910052918 calcium silicate Inorganic materials 0.000 description 1
- OYACROKNLOSFPA-UHFFFAOYSA-N calcium;dioxido(oxo)silane Chemical compound [Ca+2].[O-][Si]([O-])=O OYACROKNLOSFPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 239000011258 core-shell material Substances 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N europium atom Chemical compound [Eu] OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- LNTHITQWFMADLM-UHFFFAOYSA-N gallic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC(O)=C(O)C(O)=C1 LNTHITQWFMADLM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002223 garnet Substances 0.000 description 1
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- RPQDHPTXJYYUPQ-UHFFFAOYSA-N indium arsenide Chemical compound [In]#[As] RPQDHPTXJYYUPQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002401 inhibitory effect Effects 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N lithium niobate Chemical compound [Li+].[O-][Nb](=O)=O GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 1
- ZLNQQNXFFQJAID-UHFFFAOYSA-L magnesium carbonate Chemical compound [Mg+2].[O-]C([O-])=O ZLNQQNXFFQJAID-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000001095 magnesium carbonate Substances 0.000 description 1
- 229910000021 magnesium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- VTHJTEIRLNZDEV-UHFFFAOYSA-L magnesium dihydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[Mg+2] VTHJTEIRLNZDEV-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000000347 magnesium hydroxide Substances 0.000 description 1
- 229910001862 magnesium hydroxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002159 nanocrystal Substances 0.000 description 1
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 description 1
- QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N neodymium atom Chemical compound [Nd] QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 1
- QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N nitrogen group Chemical group [N] QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000636 poly(norbornene) polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920005668 polycarbonate resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004431 polycarbonate resin Substances 0.000 description 1
- 229920000306 polymethylpentene Polymers 0.000 description 1
- 239000011116 polymethylpentene Substances 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 1
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 description 1
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 1
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 239000011029 spinel Substances 0.000 description 1
- 229910052596 spinel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Led Device Packages (AREA)
Description
また、特許文献1及び特許文献2に記載された発光装置のように、波長変換物質の粒子を樹脂に含有させて形成される波長変換部材が広く用いられている。
これに対して、比較的に低温での実装が可能となる、異方性導電接着剤を用いたフリップチップ実装方法が提案されている(例えば、特許文献1及び特許文献2)。
ここで、前記したような発光装置をフリップチップ型の発光装置とする場合は、電極が設けられた面が実装基板と対向するように載置されるために、波長変換部材は、発光装置の上面側に設けられる。従って、このような発光装置に、異方性導電接着剤を用いたフリップチップ実装方法を適用すると、プレスヘッドを介して受ける荷重によって、波長変換部材が変形したり、割れたりする恐れがある。そして、波長変換部材が大きなダメージを受けると、発光装置から出力される光の色度や配光特性が変化するという問題がある。
なお、以下の説明において参照する図面は、本開示の実施形態を概略的に示したものであるため、各部材のスケールや間隔、位置関係などが誇張、あるいは、部材の一部の図示が省略されている場合がある。また、平面図とその断面図において、各部材のスケールや間隔が一致しない場合もある。また、以下の説明では、同一の名称及び符号については原則として同一又は同質の部材を示しており、詳細な説明を適宜省略することとする。
[発光装置の構成]
第1実施形態に係る発光装置の構成について、図1A〜図1Dを参照して説明する。
図1Aは、第1実施形態に係る発光装置の構成を示す模式的平面図である。図1Bは、第1実施形態に係る発光装置の構成を示す模式的断面図であり、図1AのIB−IB線における断面を示す。図1Cは、第1実施形態に係る発光装置における波長変換部材の変形例を示す模式的断面図である。図1Dは、第1実施形態に係る発光装置における波長変換部材の他の変形例の構成を示す模式的断面図である。
なお、図1A及び図1Bにおいて、発光装置100が備える半導体発光素子1について、成長基板11、半導体積層体12、n側電極13及びp側電極15以外の構成は記載を省略しており、記載した部材についても簡略化して示している。後記する図4A及び図6A〜図8、図10A〜図13、図15B〜図17についても同様である。また、図1C及び図1Dは、発光素子1の上面に設けられた波長変換部材2A,2Bの一部を拡大して示している。
また、第1実施形態に係る発光装置100は、CSP(Chip Size Package又はChip Scale Package)型の発光装置である。
発光素子1は、平面視で略正方形である略四角柱形状を有しており、n側電極13及びp側電極15が一方の面側に設けられるとともに、フリップチップ実装に適した構成を有するLEDチップである。
ここで、発光素子1の構成例について、図2を参照して説明する。
図2は、第1実施形態に係る発光装置における半導体発光素子の構成例を示す模式的断面図である。
なお、図2においては、n側電極13及びp側電極15が設けられた面が上方となるように示しており、図1Bとは上下を逆に示している。
発光素子1は、成長基板11の一方の面上に、n型半導体層12nとp型半導体層12pとを積層した半導体積層体12を備えている。半導体積層体12は、n側電極13及びp側電極15間に外部電源を接続して通電することにより発光するようになっており、n型半導体層12nとp型半導体層12pとの間に活性層12aを備えることが好ましい。
また、n側電極13及びp側電極15は、絶縁膜16を介して、全面電極14上の広範囲に延在するように設けられている。
絶縁膜16としては、金属酸化物や金属窒化物を用いることができ、例えば、Si、Ti、Zr、Nb、Ta、Alからなる群より選択された少なくとも一種の金属の酸化物又は窒化物を好適に用いることができる。
波長変換部材2は、発光素子1の光取り出し面である上面側に設けられており、発光素子1が発する光を異なる波長の光に変換する波長変換物質の粒子21を含有する層である。
波長変換物質とは具体的には蛍光体であり、波長変換部材2は、蛍光体の粒子を含有した透光性の樹脂22を用いて形成することができる。
また、発光素子1の上面には、波長変換部材2を厚さ方向に貫通するように、複数の支持部材3が配置されている。支持部材3は略球形の粒子であり、下端が発光素子1の上面と接するとともに、上端が波長変換部材2の上面から露出するように設けられている。
なお、蛍光体の平均粒径の値は、空気透過法又はF.S.S.S.No(Fisher−SubSieve−Sizers−No.)によるものとする(いわゆるDバー(Dの上にバー)で表される値)。
複数の支持部材3は、粒径及び形状の均一性が高く、かつ発光素子1の上面に均等に配置されている。支持部材3の粒径及び形状を均一とすることで、複数の支持部材3の高さが揃い、発光装置100の実装時に複数の支持部材3がプレスヘッドからの荷重を均等に受けることができる。
また、「均等に配置する」とは、一定の面積内に配置される個数が著しく偏らないように配置されることをいうものとする。従って、複数の支持部材3は、一定の間隔で規則的に配置されてもよく、ランダムな間隔で配置されてもよい。
なお、実装時に波長変換部材2が、上方からの荷重によって塑性変形しない範囲であれば、波長変換部材2に荷重が作用してもよい。従って、支持部材3の粒径(高さ)は、波長変換部材2の厚さより20%程度低くてもよい。すなわち、支持部材3の粒径は、波長変換部材2の厚さの0.8倍以上程度であればよい。
支持部材3は、このような材料として、透光性を有する樹脂材料、シリカなどの透光性を有する無機材料、光反射性の良好な金属材料などを用いることができる。
また、支持部材3としては、例えば、液晶表示装置において、基板間の厚さを一定に保つために用いられているスペーサビーズと同様のものを用いることができる。
また、平面視において、複数の支持部材3の面積の合計は、発光素子1の発光部であるp型半導体層12pが配置される面積の30%以下程度とすることが好ましい。これによって、色むらを目立たない範囲とするとともに、波長変換部材2によって適切に波長変換することができる。
このようにして形成された波長変換部材2Aは、図1Cに示すように、波長変換物質の粒子21を含有する領域である粒子含有部2aと、波長変換物質の粒子21を含有しない樹脂22のみの領域である粒子非含有部2bとの2層構成となる。
なお、波長変換部材2Aに対するダメージの恐れをより低減するために、支持部材3の上端が、粒子非含有部2bの上端以上の高さ、すなわち波長変換部材2Aの上面以上の高さとなるように設けるようにしてもよい。
また、光反射部材4は、発光素子1のn側電極13及びp側電極15の下面を除き、発光素子1の下面も被覆するように設けられている。
また、光反射部材4は必須の構成ではない。例えば、光反射部材4に代えて、発光素子1の上面及び側面を一体的に被覆するように波長変換部材2を設けるようにしてもよい。
また、光反射性物質は、樹脂材料との屈折率差が大きく、良好な透光性を有する材料の粒子を用いることが好ましい。このような光反射性物質としては、屈折率が、例えば1.8以上であって、光を効率的に散乱し高い光取り出し効率を得るためには、2.0以上であることが好ましく、2.5以上であることがより好ましい。樹脂材料との屈折率差は、例えば0.4以上であって、光を効率的に散乱し高い光取り出し効率を得るためには、0.7以上であることが好ましく、0.9以上であることがより好ましい。また、光反射性物質の粒子の平均粒径は、高い効率で光散乱効果を得られるように、0.08μm以上10μm以下であることが好ましく、0.1μm以上5μm以下であることがより好ましい。
また、より良好な反射性を得るために、発光素子1が発する光が可視光の場合には、光反射性物質としてTiO2を用いることが好ましく、紫外光の場合には、光反射性物質としてAl2O3を用いることが好ましい。
次に、発光装置100の実装方法について、図3〜図4Bを参照して説明する。
図3は、第1実施形態に係る発光装置の実装方法の手順を示すフローチャートである。図4Aは、第1実施形態に係る発光装置の実装方法を説明するための模式的断面図である。図4Bは、第1実施形態に係る発光装置の実装に用いられる導電接着剤に含有される導電性粒子の構成を示す模式的断面図である。
なお、実装基板70は、基体71と配線用電極72のみを示しているが、用途に応じて基体71及び配線用電極72はそれぞれ適宜な大きさや形状のものを用いることができ、更に実装基板70に他の部品が搭載されていてもよい。
また、樹脂82は、熱硬化性樹脂、紫外線硬化樹脂、熱可塑性樹脂など、配置時に流動性を有し、加熱、紫外線照射又は冷却などにより硬化させることができる樹脂材料を用いることができる。以下、説明の便宜上、特に断らない限り、樹脂82は熱硬化性樹脂からなるものとして説明する。
導電接着剤としては、前記したACP,ACFの他に、例えば、CuコアがSnやAuSnなどの半田で被覆された構造を有する再溶融抑制半田粒子を含有した導電接着剤、Sn−Bi系、Sn−In系、Sn−Zn系、Sn−Ag−In系、Sn−Zn−Bi系などの低融点半田粒子を含有した導電接着剤を挙げることができ、約180〜250℃の比較的に低温で接合することができる。また、これらの導電性粒子を含有する導電接着剤を用いた接合の際に必要な荷重は、約0.1〜10N/mm2程度であり、0.1〜2N/mm2程度で接合可能なものがより好ましい。
導電接着剤80の樹脂82が硬化した後に、プレスヘッド61による荷重を解放することで、実装基板70に発光装置100が実装された装置、例えば光源装置200を取り出すことができる。
また、樹脂82が熱可塑性樹脂である場合は、導電接着剤配置工程S102において、樹脂82を加熱溶融させた導電接着剤80を実装基板70の配線用電極72上に配置し、発光装置配置工程S103で発光装置100を配置した後に、プレスヘッド61によって荷重を印加した状態で、冷却手段を用いて冷却又は放冷することで樹脂82を硬化させることができる。
次に、発光装置100の製造方法について、図5〜図6Fを参照して説明する。
図5は、第1実施形態に係る発光装置の製造方法の手順を示すフローチャートである。図6Aは、第1実施形態に係る発光装置の製造方法における半導体発光素子配置工程を示す模式的断面図である。図6Bは、第1実施形態に係る発光装置の製造方法における光反射部材形成工程の第1サブ工程を示す模式的断面図である。図6Cは、第1実施形態に係る発光装置の製造方法における光反射部材形成工程の第2サブ工程を示す模式的断面図である。図6Dは、第1実施形態に係る発光装置の製造方法における支持部材形成工程を示す模式的断面図である。図6Eは、第1実施形態に係る発光装置の製造方法における波長変換部材形成工程を示す模式的断面図である。図6Fは、第1実施形態に係る発光装置の製造方法における個片化工程を示す模式的断面図である。
また、製造工程を示す図6A〜図6Fにおいて、左右の区画に配置された発光装置100を製造するための各部材については、一部のみを記載している。後記する他の実施形態の製造工程を示す図10A〜図10E、図15A〜図15Gについても同様である。
半導体積層体12が形成されると、半導体積層体12の表面の一部の領域について、上面側からp型半導体層12p及び活性層12aの全部、並びにn型半導体層12nの一部をエッチングにより除去してn型半導体層12nが底面に露出した段差部12bを形成する。
次に、n側電極13とn型半導体層12nとが接続される領域、及びp側電極15と全面電極14とが接続される領域に、開口部16n,16pを有するように、ウエハの表面全体に、例えば、スパッタリング法により、SiO2などの絶縁膜16を形成する。
次に、開口部16nから絶縁膜16の上面にかけて延在するように、パッド電極であるn側電極13を形成する。また、開口部16pから絶縁膜16の上面にかけて延在するように、パッド電極であるp側電極15を形成する。
次に、ダイシング法、スクライブ法などにより、ウエハ状態の発光素子1を所定の分割領域で割断することにより個片化された発光素子1を作製することができる。
なお、ウエハを割断する前に、成長基板11の裏面を研磨して薄肉化するようにしてもよい。これにより、容易に割断することができる。
なお、シート63上に配置された発光素子1などの構成物の全体を指して、適宜にウエハと呼ぶ。
第1サブ工程において、ウエハの表面全体に光反射部材4となる光反射性物質を含有する樹脂層を形成する。第1サブ工程では、光反射部材4を、発光素子1の上面と同じ高さか、当該上面よりも高くなる厚さで形成する。
当該樹脂層の形成方法としては、溶剤に樹脂と光反射性物質とを含有させたスラリーを塗布する、スプレー法、インクジェット法、ポッティング法、スクリーン印刷法などの各種の塗布方法、又は金型を用いた成形方法を用いることができる。
なお、第1サブ工程において、光反射部材4を、発光素子1の上面と同じ高さで形成した場合は、第2サブ工程を省略することができる。
なお、支持部材3は、光反射部材4上には配置しないことが好ましい。これによって、発光装置100の実装時に支持部材3が受ける荷重により、光反射部材4が発光素子1の側面から剥離することを防止することができる。
波長変換部材2は、前記した光反射部材4の形成方法と同様の方法で形成することができる。例えば、スプレー装置を用いて、溶剤に熱硬化性樹脂と波長変換物質(蛍光体)の粒子とを含有させたスラリーのスプレーを噴射して塗布膜を形成することで波長変換部材2を形成することができる。波長変換部材2の形成方法としては、スプレーをパルス状に、すなわち間欠的に噴射させる塗布法であるパルススプレー法が、より高精度な膜厚で塗布膜を形成できるため、好ましい。
また、波長変換部材形成工程S205において、樹脂及び波長変換物質の粒子に加えて、支持部材3となる粒子を含有したスラリーを調製し、当該スラリーを発光素子1の上面に塗布することで、波長変換部材2と支持部材3とを同時に形成することができる。
以上の工程により、発光装置100が形成される。
次に、第1実施形態の変形例に係る発光装置ついて、図7A及び図7Bを参照して説明する。
図7Aは、第1実施形態の第1変形例に係る発光装置の構成を示す模式的断面図である。図7Bは、第1実施形態の第2変形例に係る発光装置の構成を示す模式的断面図である。
なお、第1変形例に係る発光装置100A及び第2変形例に係る発光装置100Bの平面視の形状は、第1実施形態に係る発光装置100と同様であり、図7A及び図7Bは、図1AのIB−IB線に相当する位置における断面を示している。
なお、支持部材3Aは円錐台形状に限定されるものではなく、底面形状を楕円、多角形などとする錐台形状とすることができる。また、支持部材3Aは、円柱や角柱などの柱状の支柱であってもよい。更にまた、支持部材3Aは、平面視で直線状やL字状、C字状などの壁形状であってもよく、円筒や四角筒などの筒状の壁形状であってもよい。支持部材3Aを筒状とする場合は、平面視で、筒形状の中心と発光素子1の中心とが略一致するように配置することが好ましい。
また、支持部材3Aは、円柱形状を有し、当該円柱の側面が発光素子1の上面と接するように配置されてもよい。この場合は、支持部材3の高さは、円柱の底面の直径で定められる。また、支持部材3Aは、上端が平面でなく、丸味を帯びた形状、例えば半球形状であってもよい。
なお、発光素子1の上面に配置される複数の支持部材3Aは、何れの形状であっても高さが均一であることが好ましい。
なお、支持部材形成工程S204を、波長変換部材形成工程S205よりも前に行えばよく、半導体発光素子準備工程S201の後に、又は、光反射部材形成工程S203の後に行うこともできる。
[発光装置の構成]
次に、第2実施形態に係る発光装置の構成について、図8を参照して説明する。
図8は、第2実施形態に係る発光装置の構成を示す模式的断面図である。なお、第2実施形態に係る発光装置100Cの平面視の形状は、第1実施形態に係る発光装置100と略同じであり、図8は、図1AのIB−IB線に相当する位置における断面を示している。
なお、第2実施形態に係る発光装置100Cは、第1実施形態に係る発光装置100と同様に、CSP型の発光装置である。
透光性部材5の外側面は、その断面形状が直線となるように平面で構成されているが、これに限定されるものではなく、下に凸状に、又は上に凸状に湾曲した外側面としてもよい。
また、透光性部材5は、液状又はペースト状の樹脂材料を、例えば、ディスペンサを用いて発光素子1の側面に供給し、その後に硬化させることで形成することができる。
なお、他の構成は、第1実施形態に係る発光装置100と同様である。
次に、発光装置100Cの製造方法について、図9〜図10Fを参照して説明する。
図9は、第2実施形態に係る発光装置の製造方法の手順を示すフローチャートである。図10Aは、第2実施形態に係る発光装置の製造方法における半導体発光素子配置工程を示す模式的断面図である。図10Bは、第2実施形態に係る発光装置の製造方法における透光性部材形成工程を示す模式的断面図である。図10Cは、第2実施形態に係る発光装置の製造方法における光反射部材形成工程の第1サブ工程を示す模式的断面図である。図10Dは、第2実施形態に係る発光装置の製造方法における光反射部材形成工程の第2サブ工程を示す模式的断面図である。図10Eは、第2実施形態に係る発光装置の製造方法におけるシート除去工程を示す模式的断面図である。
透光性部材5は、例えば、透光性を有する樹脂材料を、ディスペンサなどを用いて発光素子1の側面に接するように供給し、その後に樹脂材料を硬化させることで形成することができる。透光性部材5は、外側面が、平面視で光取り出し方向ほど外側となるように傾斜した傾斜面とすることが好ましい。このような形状は、発光素子1の成長基板11の下面とシート63の上面とがなす角部に適宜な粘度を有する樹脂材料を供給し、表面張力及び重力により,樹脂材料が下方ほど広がった形状として硬化させることで形成することができる。また、金型を用いて外側面の形状を成型して硬化させるようにしてもよい。
なお、第1サブ工程において、光反射部材4を、発光素子1の上面と同じ高さか、当該上面よりも低い高さで形成した場合は、第2サブ工程を省略することができる。
なお、図10Eは、図10Dに対して、発光素子1の上下を入れ替えて示している。
なお、支持部材3は、光反射部材4上及び透光性部材5上には配置しないことが好ましい。これによって、発光装置100Cの実装時に支持部材3が受ける荷重により、光反射部材4及び透光性部材5が発光素子1の側面から剥離することを防止することができる。
以上の工程により、発光装置100Cを製造することができる。
[発光装置の構成]
次に、第3実施形態に係る発光装置の構成について、図11A〜図12Bを参照して説明する。
図11Aは、第3実施形態に係る発光装置の構成を示す模式的平面図である。図11Bは、第3実施形態に係る発光装置の構成を示す模式的断面図であり、図11AのXIB−XIB線における断面を示す。図11Cは、第3実施形態に係る発光装置の構成を示す模式的断面図であり、図11AのXIC−XIC線における断面を示す。図12Aは、第3実施形態の第1変形例に係る発光装置の構成を示す模式的平面図である。図12Bは、第3実施形態の第2変形例に係る発光装置の構成を示す模式的平面図である。また、図12A及び図12Bにおいて、ハッチングを施した領域は断面ではなく、支持部材3E,3Fが配置された領域を示す。
すなわち、前記した第1実施形態及びその変形例、並びに第2実施形態に係る発光装置100〜100CがCSP型の発光装置であるのに対して、第3実施形態に係る発光装置100Dは、サブマウント付きの発光装置である。
次に、発光装置100Dの各部の構成について順次に詳細に説明する。
また、柱状の支持部材3Dに代えて、第1変形例に係る発光装置100Eや第2変形例に係る発光装置100Fのように、壁状の支持部材3Eや支持部材3Fを備えるようにしてもよい。ここで、支持部材3Eは、平面視で略正方形のサブマウント90の上面の互いに対向する1組の2辺に沿って壁状に設けられたものである。また、支持部材3Fは、サブマウント90の上面の4辺に沿って、発光素子1を囲むように設けられたものである。
サブマウント90の上面には、平面視で発光素子1が実装される領域の外側に、支持部材3Dが設けられている。
なお、配線用電極92は、基体91の上面側の領域と下面側の領域とが、基体91にスルーホールを設けて導電性部材を充填することで電気的に接続されるように構成してもよい。
次に、発光装置100Dの実装方法について、図3及び図13を参照して説明する。
図13は、第3実施形態に係る発光装置の実装方法を説明するための模式的断面図である。
まず、実装基板載置工程S101において、実装基板70を、実装面である配線用電極72が上向きになるように載置台62に載置する。
次に、導電接着剤配置工程S102において、実装基板70の配線用電極72上に、発光装置100Dを接合するために必要な適量の導電接着剤80を配置する。
次に、発光装置100Dの製造方法について、図14〜図15Gを参照して説明する。
図14は、第3実施形態に係る発光装置の製造方法の手順を示すフローチャートである。図15Aは、第3実施形態に係る発光装置の製造方法におけるサブマウント準備工程を示す模式的断面図である。図15Bは、第3実施形態に係る発光装置の製造方法における半導体発光素子実装工程を示す模式的断面図である。図15Cは、第3実施形態に係る発光装置の製造方法における光反射部材形成工程の第1サブ工程を示す模式的断面図である。図15Dは、第3実施形態に係る発光装置の製造方法における光反射部材形成工程の第2サブ工程を示す模式的断面図である。図15Eは、第3実施形態に係る発光装置の製造方法における波長変換部材形成工程を示す模式的断面図である。図15Fは、第3実施形態に係る発光装置の製造方法における支持部材形成工程を示す模式的断面図である。図15Gは、第3実施形態に係る発光装置の製造方法における個片化工程を示す模式的断面図である。
また、サブマウント90の配線用電極92は、基体91の上面と下面とに設けられる領域が、基体91の厚さ方向に貫通するスルーホールを介して電気的に接続されるようにしてもよい。
なお、光反射部材4の上層部を除去した後に、サブマウント90の上面の、支持部材3Dを設ける領域及び境界線101に沿った一定幅の領域に波長変換部材2が形成されないように、再度マスクを設けるようにしてもよい。
以上の工程により、発光装置100Dを製造することができる。
[発光装置の構成]
次に、第4実施形態に係る発光装置の構成について、図16を参照して説明する。
図16は、第4実施形態に係る発光装置の構成を示す模式的断面図である。
第4実施形態に係る発光装置100Gは、第1実施形態に係る発光装置100に対して、光反射部材4に代えて光反射部材4Gを備え、更に、発光装置100Gの実装面である裏面側に、拡張電極131,151を備えていることが異なる。
そのために、光反射部材4Gは、発光素子1の側面を被覆する部分の上面が、波長変換部材2中に配置される支持部材3の上端と略同じ高さとなるように形成されている。言い換えれば、光反射部材4Gは、発光素子1の周囲を取り囲む壁状に形成されており、その壁の上面が、波長変換部材2の上面以上の高さとなるように構成されている。また、波長変換部材2は、発光素子1の上面の範囲内にのみ設けられており、波長変換部材2の側面には光反射部材4Gが設けられている。
光反射部材4Gは、発光素子1の側面を被覆する部分が支持部材3と略同じ高さとなるように形成されること以外は、発光装置100の光反射部材4と同様であるから、詳細な説明は省略する。
拡張電極131,151は、n側電極13やp側電極15と同様の金属材料を用いて形成することができる。また、その形成方法としては、スパッタリング法、電解メッキ法、無電解メッキ法やこれらを組み合わせた方法を用いることができる。また、所定の形状に加工した金属板をn側電極13及びp側電極15に接合することで、拡張電極131,151を形成してもよい。
発光装置100Gの実装方法は、荷重を支持部材3及び光反射部材4Gで受け、拡張電極131,151の下面が実装面となること以外は、第1実施形態に係る発光装置100と同様であるから、詳細な説明は省略する。
発光装置100Gは、図5〜図6Fに示した第1実施形態に係る発光装置100の製造方法を、次のように変更することで製造することができる。
具体的には、まず、半導体発光素子配置工程S202の後に、予め支持部材3を内蔵している波長変換部材2として、例えば、支持部材3を内蔵している蛍光体シートを発光素子1の上面と同サイズに切り出し、発光素子1の上面に接着する。すなわち、この例では、支持部材形成工程S204と波長変換部材形成工程S205とが、同時に行われる。
その後に、光反射部材形成工程S203として、光反射物質を含有した樹脂を用いて、圧縮成形法、トランスファー成形法、ポッティング法などの手法で光反射部材4Gを形成し、その後に余分な樹脂層を除去する。その他の工程は、第1実施形態と同様に行うことにより、発光装置10Gを製造することができる。
光反射部材形成工程S203の第1サブ工程において、光反射性物質を含有する樹脂を用いて、発光素子1の上面に支持部材3を配置した際の支持部材3の上端と同じか、当該上端よりも高くなるように光反射部材4Gを形成する。また、発光素子1の上面にはマスクを形成して、発光素子1の上面の領域に光反射部材4Gを形成しないようにする。
また、第2サブ工程において、発光素子1の上面からマスクを除去するとともに、切削装置などを用いて光反射部材4Gの上層部を、支持部材3が配置された際の上端の高さと略同じになるように除去する。これによって、発光素子1の上面を底面とし、光反射部材4Gを側面とする凹部が形成される。
次に、波長変換部材形成工程S205において、前記した発光素子1の上面を底面とし、光反射部材4Gを側面とする凹部内に、第1実施形態と同様にして、波長変換部材2を形成する。
なお、拡張電極131,151の形成は、光反射部材形成工程S203の後であれば、その直後に限定されず、例えば、波長変換部材形成工程S205の次に行ってもよい。
次に、第5実施形態に係る発光装置について、図17を参照して説明する。
図17は、第5実施形態に係る発光装置の実装方法を説明するための模式的断面図である。
第5実施形態に係る発光装置100Hは、第4実施形態に係る発光装置100Gから支持部材3と拡張電極131,151とを除いた構成を有している。従って、発光装置100Hは、実装時に上方から印加される荷重を、光反射部材4Hの、発光素子1の側面に壁状に設けられた部分の上面のみで受けるものである。なお、発光装置100Hの光反射部材4Hは、発光装置100Gの光反射部材4Gと同じ構成を有するものであるから、詳細な説明は省略する。
なお、発光装置100Hは、拡張電極131,151を有するように構成してもよい。
発光装置100Hは、第1実施形態などと同様に、実装基板70上に載置され、上方からプレスヘッド61によって、荷重を印加されることで行われる。このとき、プレスヘッド61の押圧面である下面は、第1実施形態と同様に、平面視で発光装置100Hの全体を包含する平坦面であってもよいが、光反射部材4Hの荷重を受ける支持部材として機能する部分の上面の形状に合わせた形状とすることが好ましい。
このようにして、発光装置100Hが、導電接着剤80を用いて実装基板70に実装されることで、光源装置200Hが製造される。
発光装置100Hは、前記した第4実施形態に係る発光装置100Gの製造方法において、支持部材形成工程S204と、拡張電極を形成する工程と、を行わないことで製造することができるため、製造方法についての詳細な説明は省略する。
[光源装置の構成]
次に、第6実施形態に係る光源装置の構成について、図4A、図13を参照して説明する。
第6実施形態に係る光源装置200は、実装基板70と、実装基板70に実装された発光装置100とを備えて構成される装置である。また、実装基板70に実装される発光装置は、発光装置100に限定されず、第1実施形態の変形例に係る発光装置100A,100B、第2実施形態に係る発光装置100C、第3実施形態に係る発光装置100D、その変形例に係る発光装置100E,100F、第4実施形態に係る発光装置100G、第5実施形態に係る発光装置100Hなどであってもよい。例えば、第3実施形態に係る発光装置100Dを用いることで、光源装置200Dが構成される。
次に、光源装置200の製造方法について、図3、図5、図9、図14及び図18を参照して説明する。
図18は、第6実施形態に係る光源装置の製造方法の手順を示すフローチャートである。
光源装置200の製造方法は、発光装置準備工程S501と、実装基板準備工程S502と、発光装置実装工程S503とが含まれる。
実装基板準備工程S502は、実装基板70を準備する工程である。実装基板70としては、プリント配線基板などを用いることができる。
発光装置実装工程S503は、発光装置100を実装基板70に実装する工程である。発光装置実装工程S503は、第1実施形態に係る発光装置100の実装方法として説明した実装基板載置工程S101〜硬化工程S105の各工程を行うものである。
以上の工程により、光源装置200を製造することができる。
なお、発光装置準備工程S501と実装基板準備工程S502とは、何れを先に行ってもよく、並行して行ってもよい。
11 成長基板
12 半導体積層体
12n n型半導体層
12a 活性層
12p p型半導体層
12b 段差部
13 n側電極
14 全面電極
15 p側電極
16 絶縁膜
16n,16p 開口部
131,151 拡張電極
2,2A 波長変換部材
21 波長変換物質の粒子
22 樹脂
2a 粒子含有部
2b 粒子非含有部
3,3A,3B,3D,3E,3F 支持部材
4 光反射部材
4G,4H 光反射部材
5 透光性部材
61 プレスヘッド
62 載置台
63 シート
64 マスク
70 実装基板
71 基体
72 配線用電極
80 導電接着剤
81 導電性粒子
81a 樹脂コア
81b 金属層
82 樹脂
83 接合部材
90 サブマウント
91 基体
92 配線用電極
100,100A,100B,100C,100D,100E,100F,100G,100H 発光装置
101 境界線
102,103 切削線
200,200D,200H 光源装置
Claims (14)
- 半導体積層体の一方の面側に電極を有する半導体発光素子と、前記半導体積層体の他方の面側に設けられ、透光性を有する樹脂に波長変換物質の粒子を含有してなる波長変換部材とを備え、
前記一方の面側を実装面として、樹脂に導電性粒子を含有させてなる導電接着剤を用いるとともに、前記他方の面側から荷重することで実装される発光装置であって、
前記波長変換部材中に設けられ、前記荷重を支持する支持部材を有し、
前記他方の面に垂直な方向を高さ方向とし、前記他方の面が前記一方の面よりも高い位置であるとした場合に、
前記支持部材の上端が、前記波長変換部材の上面より高くなっており、かつ、前記支持部材の下端が、前記波長変換物質の粒子の最下端以下の高さである発光装置。 - 前記支持部材の上端が、前記波長変換部材の上面から露出する請求項1に記載の発光装置。
- 前記波長変換部材は、前記波長変換部材が設けられた前記半導体発光素子の上面から前記波長変換部材に含有される前記波長変換物質の粒子の最上端までの領域である粒子含有部を有する請求項1又は請求項2に記載の発光装置。
- 前記支持部材は、前記波長変換部材の厚さ以上の粒径を有する粒子である請求項3に記載の発光装置。
- 前記支持部材は、前記波長変換部材の厚さ以上の高さを有する支柱である請求項3に記載の発光装置。
- 前記支持部材として、前記波長変換部材の厚さ以上の粒径を有する前記波長変換物質の粒子が含まれている請求項3に記載の発光装置。
- 前記半導体積層体は、透光性を有する基板の一方の面側に設けられ、前記波長変換部材は前記基板の他方の面に接して設けられる請求項1乃至請求項6の何れか一項に記載の発光装置。
- 前記半導体積層体は、透光性を有する基板の一方の面側に設けられ、前記波長変換部材は前記基板の他方の面に接して設けられ、
前記支持部材は、前記基板の他方の面側を加工して形成される凸部である請求項5に記載の発光装置。 - 複数の前記支持部材が、平面視で前記半導体発光素子の外縁部に、互いに離間して配置される請求項1乃至請求項8の何れか一項に記載の発光装置。
- 前記支持部材が、平面視で前記半導体発光素子の外形の中央部に、更に配置される請求項9に記載の発光装置。
- 前記支持部材は、透光性を有し、高さが前記波長変換部材の厚さの1.5倍以下である請求項1乃至請求項10の何れか一項に記載の発光装置。
- 前記支持部材は、透光性又は光反射性を有する請求項1乃至請求項10の何れか一項に記載の発光装置。
- 半導体積層体の一方の面側に電極を有する半導体発光素子と、
前記半導体積層体の他方の面側に設けられ、透光性を有する樹脂に波長変換物質の粒子を含有してなる波長変換部材と、
前記一方の面側を実装面として、樹脂に導電性粒子を含有させてなる導電接着剤を用いて実装する際に、前記波長変換部材中に設けられ、前記他方の面側から受ける荷重を支持する支持部材と、を備え、
前記他方の面に垂直な方向を高さ方向とし、前記他方の面が前記一方の面よりも高い位置であるとした場合に、
前記支持部材の上端が、前記波長変換部材の上面より高くなっており、かつ、前記支持部材の下端が、前記波長変換物質の粒子の最下端以下の高さである発光装置の実装方法であって、
前記発光装置の実装面を実装基板に対向させ、前記導電接着剤を介して前記実装基板上に配置する配置工程と、
前記支持部材の上方から荷重を加える荷重工程と、が含まれる発光装置の実装方法。 - 半導体積層体の一方の面側に電極を有する半導体発光素子と、
前記半導体積層体の他方の面側に設けられ、透光性を有する樹脂に波長変換物質の粒子を含有してなる波長変換部材と、
前記一方の面側を実装面として、樹脂に導電性粒子を含有させてなる導電接着剤を用いて実装する際に、前記波長変換部材中に設けられ、前記他方の面側から受ける荷重を支持する支持部材と、を備え、
前記他方の面に垂直な方向を高さ方向とし、前記他方の面が前記一方の面よりも高い位置であるとした場合に、
前記支持部材の上端が、前記波長変換部材の上面より高くなっており、かつ、前記支持部材の下端が、前記波長変換物質の粒子の最下端以下の高さである発光装置と、実装基板と、を備える光源装置の製造方法であって、
前記発光装置の実装面を実装基板に対向させ、前記導電接着剤を介して前記実装基板上に配置する配置工程と、
前記支持部材の上方から荷重を加える荷重工程と、が含まれる光源装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014264525A JP6511809B2 (ja) | 2014-12-26 | 2014-12-26 | 発光装置及びその実装方法、並びに光源装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014264525A JP6511809B2 (ja) | 2014-12-26 | 2014-12-26 | 発光装置及びその実装方法、並びに光源装置の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2016127052A JP2016127052A (ja) | 2016-07-11 |
JP6511809B2 true JP6511809B2 (ja) | 2019-05-15 |
Family
ID=56359652
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014264525A Active JP6511809B2 (ja) | 2014-12-26 | 2014-12-26 | 発光装置及びその実装方法、並びに光源装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6511809B2 (ja) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7111939B2 (ja) * | 2017-04-28 | 2022-08-03 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置及びその製造方法 |
US10804442B2 (en) | 2018-01-29 | 2020-10-13 | Nichia Corporation | Light emitting device |
CN110112123A (zh) * | 2018-02-01 | 2019-08-09 | 晶元光电股份有限公司 | 发光装置及其制造方法 |
CN110137332A (zh) * | 2018-02-08 | 2019-08-16 | 隆达电子股份有限公司 | 发光二极管封装结构 |
JP7235944B2 (ja) | 2018-02-21 | 2023-03-09 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置及び発光装置の製造方法 |
JP7206504B2 (ja) | 2020-09-30 | 2023-01-18 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08330712A (ja) * | 1995-06-01 | 1996-12-13 | Teikoku Tsushin Kogyo Co Ltd | 基板へのチップ型電子部品の取付方法 |
JPH11163501A (ja) * | 1997-12-02 | 1999-06-18 | Rohm Co Ltd | 電子部品の実装方法、およびその方法によって製造された電子回路装置 |
JP4822482B2 (ja) * | 2001-05-23 | 2011-11-24 | シチズン電子株式会社 | 発光ダイオードおよびその製造方法 |
JP4122739B2 (ja) * | 2001-07-26 | 2008-07-23 | 松下電工株式会社 | 発光素子及びその製造方法 |
JP2013080833A (ja) * | 2011-10-04 | 2013-05-02 | Stanley Electric Co Ltd | 発光装置及びその製造方法 |
CN103378282A (zh) * | 2012-04-27 | 2013-10-30 | 展晶科技(深圳)有限公司 | 发光二极管封装结构的制造方法 |
US9955619B2 (en) * | 2013-02-27 | 2018-04-24 | Nichia Corporation | Light emitting device, light emitting element mounting method, and light emitting element mounter |
JP6203521B2 (ja) * | 2013-04-15 | 2017-09-27 | シチズン電子株式会社 | Led発光装置 |
-
2014
- 2014-12-26 JP JP2014264525A patent/JP6511809B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2016127052A (ja) | 2016-07-11 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US11056627B2 (en) | Light emitting device | |
US10283670B2 (en) | Method for manufacturing light emitting device | |
JP6511809B2 (ja) | 発光装置及びその実装方法、並びに光源装置の製造方法 | |
EP2827388B1 (en) | Light emitting device and method of manufacturing the same | |
JP6337859B2 (ja) | 発光装置 | |
JP6205897B2 (ja) | 発光装置及びその製造方法 | |
US9136447B2 (en) | Light emitting device and method of manufacturing the same | |
JP6428106B2 (ja) | 発光装置及びその製造方法 | |
JP2019029478A (ja) | 発光装置の製造方法 | |
US10553765B2 (en) | Method for manufacturing light emitting device | |
US9905740B2 (en) | Light emitting device and method of manufacturing the same | |
JP6447018B2 (ja) | 発光装置及び発光装置の製造方法 | |
JP6492492B2 (ja) | 発光装置及びその製造方法 | |
JP6460189B2 (ja) | 発光装置及びその製造方法 | |
US10439097B2 (en) | Method for manufacturing light emitting device | |
US9755105B2 (en) | Method for producing light emitting device | |
US10002996B2 (en) | Light emitting device and method of manufacturing the same | |
JP6349953B2 (ja) | 発光装置の製造方法 | |
JP2019057627A (ja) | 発光装置の製造方法 | |
JP2019054277A (ja) | 発光装置及び発光装置の製造方法 | |
JP2019067880A (ja) | 発光装置の製造方法及び発光装置 | |
JP6940784B2 (ja) | 発光装置の製造方法 | |
JP6521119B2 (ja) | 発光装置 | |
JP2020123746A (ja) | 発光装置の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20171120 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20180711 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20180807 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20181005 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20190312 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20190325 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6511809 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |