JP2019029478A - 発光装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
板状の透光性部材を準備し、
主発光面と前記主発光面の反対側に電極配置面を有する複数の発光素子を準備し、
基板の上面に、前記電極配置面が対向するように前記複数の発光素子を接合し、
前記透光性部材の上面に、前記複数の発光素子の主発光面が、透光性の接合部材を介して対向するように配置し、
前記発光素子の側面に前記接合部材の一部を配置し、
前記発光素子間において、前記透光性部材を除去して溝を形成し、
少なくとも前記溝内に光反射性部材を形成し、
前記光反射性部材及び前記基板を切断することを含む発光装置の製造方法である。
この実施形態の発光装置の製造方法は、
板状の透光性部材11を準備し(図1A)、
主発光面12aと、この主発光面12aの反対側に電極配置面12bを有する複数の発光素子12を準備し(図1B)、
基板13の上面に、電極配置面12bが対向するように複数の発光素子12を接合し(図1C)、
透光性部材11の上面に、複数の発光素子12の主発光面12aが、透光性の接合部材14を介して対向するように配置し(図1D)、
発光素子12の側面12cに接合部材14の一部を配置し(図1E)、
発光素子12間において、透光性部材11の一部を除去して溝15を形成し、(図1F)
少なくとも溝15内に光反射性部材16を形成し(図1G)、
光反射性部材16及び基板13を切断する(図1H)ことを含む。
図1Aに示すように、透光性部材11を準備する。透光性部材11は、シート状及びフィルム状を含む板状であればよい。透光性部材11は、複数の発光素子12を被覆し得る程度の大きさ、つまり、複数の発光素子12の主発光面12aの合計平面積よりも大きければよい。例えば、20cm×10cm、3cm×3cm又は9cm×6cm等の大きさが挙げられる。透光性部材11の表面は平坦であってもよいし、凹凸が存在していてもよい。
透光性部材11は、透光性樹脂、ガラス、蛍光体の結晶又は焼結体等により形成することができる。また、透光性部材11は、透光性樹脂又はガラス等の透光性の材料に蛍光体を含有するものでもよい。
透光性樹脂としては、例えば、シリコーン樹脂、シリコーン変性樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、TPX樹脂、ポリノルボルネン樹脂又はこれらの樹脂を1種以上含むハイブリッド樹脂等が挙げられる。なかでもシリコーン樹脂又はエポキシ樹脂が好ましく、特に耐光性、耐熱性に優れるシリコーン樹脂がより好ましい。
蛍光体の形状は、破砕状、球状、中空及び多孔質等のいずれでもよい。
蛍光体が透光性の材料に含有される場合は、例えば、蛍光体の平均粒径(メジアン径)は、0.08〜10μm程度が挙げられる。蛍光体は、透光性部材11の重量に対して10〜60重量%含有されていることが好ましい。
透光性部材11として、ガラス、蛍光体の焼結体等の無機材料を用いる場合には、透光性部材の劣化を低減できるため、信頼性の高い発光装置とすることができる。このような発光装置は、例えば車のヘッドライト用光源等に用いることができる。
透光性部材11の厚みは、発光装置の高さに影響する一方、薄くなると破損のおそれが高まり、また、含有可能な蛍光体の量が制限される。従って、例えば、10〜300μmが挙げられ、30〜200μmが好ましい。
図1Bに示すように、発光素子12は、主発光面12aと、この主発光面12aの反対側に電極が配置された電極配置面12bとを有する。
発光素子12は、その大きさ、形状、発光波長等適宜選択することができる。複数の発光素子12は、これら大きさ、形状、発光波長等が異なっていてもよいが、同じであることが好ましい。
半導体積層体は、平面視における形状は特に限定されるものではなく、四角形又はこれに近似する形状が好ましい。半導体積層体の平面視における大きさは、発光素子12の平面視における大きさによって適宜調整することができる。例えば、半導体積層体、つまり、発光素子12の長手方向の長さは、200μm〜1500μm、短手方向の長さは、50μm〜400μm、厚みは、80μm〜200μmが挙げられる。
図1Cに示すように、基板13の上面に、電極配置面12bが対向するように、複数の発光素子12を接合する。複数の発光素子12は、規則的に配置され、複数の発光素子12の間隔が略均等となるよう設けられることが好ましい。これによって、後述する切断をより容易に制御することができる。
例えば、発光素子12同士の間隔は10μm〜1000μmとすることができ、例えば、200μm〜800μmとすることが好ましい。これにより、後述する透光性の接合部材14及び/又は光反射性部材16等の材料コストを低減することができる。
基板13は、例えば、樹脂フィルム、金属板、セラミック板等の単体又は複合体等によって形成されたものが挙げられる。基板13は剛性のものであってもよいし、可撓性を有するものであってもよい。
図1Dに示すように、透光性部材11の上面に、複数の発光素子12の主発光面12aが、透光性の接合部材14を介して対向するように配置する。
発光素子12の透光性部材11への接合に用いられる透光性の接合部材14は、上述したように、発光素子から出射される光の60%以上を透過するものが好ましい。また、液状であって、光又は熱等によって硬化させ得る材料であることが好ましい。このような接合部材14としては、特に、シリコーン樹脂、シリコーン変性樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂などの熱硬化性樹脂を用いることが好ましい。また、接合部材14は、光を散乱する添加物を添加してもよい。これにより、発光素子から出射された光を接合部材14内で均一化することができる。
特に、接合部材14は、図1Eに示すように、隣接する複数の発光素子12の間に接合部材14が連続するように存在する、つまり、発光素子12の側面12cと隣接する発光素子12の両方の側面12cの間が接合部材14によって繋がる状態になるように、十分な量で配置することが好ましい。これにより、複数の発光素子12から発せられる光を接合部材14の内部において均一化させることができ、発光装置から出射される光のムラを低減することができる。
隣接する複数の発光素子12の間に接合部材14を連続するように存在させるために、例えば、図1Eの矢印で示す方向に押圧するか、透光性部材側から押圧することが好ましい。この場合の圧力は、例えば、1.0〜2.5Kgが挙げられる。さらに、圧力負荷の後、接合部材14を硬化させるために、接合部材14に熱又は光等を負荷することがより好ましい。これにより、発光素子12と透光性部材とを、強固に、かつ適所に固定することができる。ここでの熱は、例えば、300℃以下が好ましく、150〜200℃がより好ましい。
接合部材は、発光素子の側面をできるだけ多く覆っていることが好ましい。発光素子12の側面の50%以上、好ましくは70%以上、より好ましくは90%以上を覆っていることが好ましい。これにより、発光素子12の側面12cから出射する光を、より効率よく透光性部材11に取り出すことができる。
図1Fに示すように、発光素子12間において、透光性部材11の一部を除去して溝15を形成する。透光性部材11を除去して形成する溝15は、例えば、発光素子12間の間隔よりも小さい幅とすることが好ましく、発光素子12の側面12cから100μm以上の幅の透光性部材11を残す幅とすることがより好ましい。具体的には、溝15の幅は、5μm〜10μmが挙げられる。溝15は、深さ方向に一定の幅であることが好ましいが、深さ方向に漸次又は急峻に、幅広又は幅狭であってもよい。
また、溝15は、透光性部材11の厚み方向の全部を除去する深さで形成することが好ましく、透光性の接合部材14の厚み方向の全部を除去することがより好ましい。溝15を形成する位置は、発光素子12間の中央部分であることが好ましいことから、透光性の接合部材14の最も厚みが薄い部分の全厚みを除去することがさらに好ましい。具体的には、溝15の深さは、150μm〜210μmが挙げられる。
図1Gに示すように、少なくとも溝15内に光反射性部材16を形成する。光反射性部材16は、溝15内の内壁の全部を被覆するように形成することが好ましく、さらに、発光素子12の周囲及び発光素子12と基板13との間の一部又は全部を被覆するように形成することがより好ましい。これにより、発光素子から出射された光を、主発光面12aから透光性部材内を通して、その上方から効率的に取り出すことができる。また、溝15内の全部に光反射性部材16を埋め込むことにより、透光性部材11の側面が光反射性部材16に被覆される。これにより、発光領域と非発光領域とのコントラストが高い、見切り性のある発光装置を得ることができる。
光反射性部材16は、圧縮成形、トランスファー成形、射出成形等の金型成形、印刷、ポッティング等によって形成することができる。なかでも、圧縮成形、トランスファー成形を利用することがより容易であることから、好ましい。
図1Hに示すように、光反射性部材16及び基板13を切断する。これによって、発光装置を複数得ることができる。切断は、各発光素子12間で、1つの発光素子12毎に行ってもよいし、複数の発光素子12毎に行ってもよい。後者により、複数の発光素子12を有する発光装置を得ることができる。
切断は、ダイシング、トムソン加工、超音波加工、レーザ加工等の方法を利用することができる。
切断は、隣接する透光性部材11の間で、隣接する透光性部材11間の間隔に相当する光反射性部材を除去するように行ってもよく、隣接する透光性部材11の間で、透光性部材11の側面を光反射性部材が被覆するように、透光性部材11間の間隔よりも小さい幅で光反射性部材を除去するように行うことがさらに好ましい。これにより、透光性部材11の側面からの光出射を防止して、見切り性のある発光装置を得ることができる。
なお、光反射性部材16を形成した後または切断の後、基板13を除去してもよい。光反射性部材16を形成した後に基板13が除去されている場合には、光反射性部材16のみを切断してもよい。
上述した製造方法により製造された発光装置は、図1Iに示すように、透光性部材の側面及び接合部材の外面を光反射性部材で被覆されている。また、接合部材の外面は、透光性部材に向かって広がる傾斜を有している。このことにより、発光素子12の側面12cから出射する光を、より効率よく透光性部材11に取り出すことができ、かつ、発光領域と非発光領域とのコントラストが高い、見切り性のある発光装置とすることができる。さらに、溝形成時に発光素子間の接合部材の一部、かつ、厚み方向の全部を除去するため、透光性部材の側面と接合部材の外面の一部が面一となっている。これにより、小型の発光装置とすることができる。
溝15を形成する工程において、溝15形成箇所を必要に応じて選択してよい。溝15を、例えば図1Fに示すように、各発光素子12間で形成してもよいし、1つの発光素子12毎に行ってもよいし、複数の発光素子12毎に行ってもよい。
発光素子12間で溝15を形成し、且つ、複数の発光素子12毎に切断することで、図6Aに示すように、各発光素子12間に見切りのある複数の発光素子12を有する発光装置を得ることができる。これにより、発光領域と非発光領域とのコントラストが高い、見切り性の良好な発光装置を得ることができる。
また、発光素子12間を接合する接合部材14は、繋がっていても、それぞれ離間していてもよい。図6Bに示すように、発光素子12間を繋ぐように接合部材14が位置することが好ましい。このようにすることで、発光素子12間からも接合部材を介して発光素子12の光を透光性部材に導光することができるので、発光装置の輝度ムラを低減することができる。
この実施形態の発光装置の製造方法は、単層構造の透光性部材11を準備することに代えて、積層構造の透光性部材21を準備する工程を含む。
積層構造の透光性部材21は、例えば、蛍光体を含有する蛍光体含有層21bと、蛍光体を含有しない蛍光体非含有層21aとの積層体又はそれらの3層以上の交互積層体であってもよい。また、異なる種類の蛍光体を含有する複数の蛍光体含有層が積層された構造、これに蛍光体非含有層がさらに積層された構造でもよい。例えば、緑色に発光する蛍光体を含有した層と赤色に発光する蛍光体を含有した層とを別々に形成し、貼り合せて2層構造の透光性部材としてもよい。蛍光体含有層21b又は蛍光体非含有層21aを形成し、その上面にスプレー法等で蛍光体含有層21b及び/又は蛍光体非含有層21aを形成した2層以上の構造の透光性部材としてもよい。
これにより、水分等に弱い蛍光体を蛍光体非含有層21aによって保護し、つまり、蛍光体が外部環境に露出されるのを抑制し、蛍光体の劣化を防止することができる。
蛍光体含有層と、蛍光体非含有層11aとを含む場合、例えば、蛍光体含有層の厚みを、10〜250μmとすることが挙げられ、30〜200μmとすることが好ましい。
なお、透光性部材21を用いる場合であっても、後述するように、透光性部材21に接合部材14を配置することに代えて、発光素子12の主発光面12aに接合部材14を予め配置してもよい。
この実施形態の発光装置の製造方法は、透光性部材11、21の上面に接合部材を予め配置することに代えて、図4に示すように、発光素子12の主発光面12aに接合部材14を予め配置する工程を含む。
発光素子12の主発光面12a上への接合部材14の配置は、基板13の上面に発光素子12を接合した後に行うことが好ましい。
これにより、複数の発光素子12に対して一括に、かつ均一に、適当な量で、接合部材14を配置することができる。発光素子12を接合部材14に接触させる際、用いる接合部材14によって、熱を負荷してもよい。あるいは、発光素子12の主発光面12a上に、接合部材14をピン転写、ディスペンス、印刷等の方法を用いて、配置してもよい。
上記以外の製造方法は、実質的に実施形態1と同様であり、実施形態1と同様の効果を有する。
この実施形態の発光装置の製造方法は、光反射性部材16を、図5Aに示すように、透光性部材11を含む発光素子12の全部を埋設するように、つまり、透光性部材11の上面を覆うように形成する。
その後、図5Bに示すように、透光性部材11の上面上に配置された光反射性部材16を除去し、光反射性部材16が透光性部材11の上面と面一となるように、透光性部材11を露出させてもよい。
光反射性部材16は、研磨又は研削、切削、ポリッシング、CMP、超音波加工、レーザ加工等を利用して除去することができる。
上記以外の製造方法は、実質的に実施形態1と同様であり、実施形態1と同様の効果を有する。
11、21 透光性部材
12 発光素子
12a 主発光面
12b 電極配置面
12c 側面
13 基板
14 接合部材
15 溝
16 光反射性部材
17 基台
21a 蛍光体非含有層
21b 蛍光体含有層
Claims (8)
- 板状の透光性部材を準備し、
主発光面と前記主発光面の反対側に電極配置面を有する複数の発光素子を準備し、
基板の上面に、前記電極配置面が対向するように前記複数の発光素子を接合し、
前記透光性部材の上面に、前記複数の発光素子の前記主発光面が、透光性の接合部材を介して対向するように配置し、
前記発光素子の側面に前記接合部材の一部を配置し、
前記発光素子間において、前記透光性部材の一部を除去して溝を形成し、
少なくとも前記溝内に光反射性部材を形成し、
前記光反射性部材及び前記基板を切断することを含む発光装置の製造方法。 - 前記接合部材を、前記発光素子の側面に接する部分の厚みが前記発光素子の側面から離間する部分の厚みよりも厚くなるように配置する請求項1に記載の発光装置の製造方法。
- 前記透光性部材を、蛍光体含有層と蛍光体非含有層との積層体として準備し、
前記蛍光体含有層に、前記主発光面が対向するように前記発光素子を配置する請求項1又は2に記載の発光装置の製造方法。 - 前記板状の透光性部材を準備する工程は、
前記透光性部材の上面に前記接合部材を配置する工程を含む請求項1から3のいずれか一項に記載の発光装置の製造方法。 - 前記基板の上面に前記発光素子を接合する工程の後に、
前記発光素子の前記主発光面上に、前記接合部材を配置する工程を有する請求項1から3のいずれか一項に記載の発光装置の製造方法。 - 前記発光素子の側面に前記接合部材の一部を配置する工程は、
隣接する前記発光素子の両方の側面と前記接合部材が接するように配置する工程を含む請求項1から5のいずれか一項に記載の発光装置の製造方法。 - 前記発光素子間において、前記透光性部材を除去して前記溝を形成する工程は、前記接合部材の一部を除去する工程を含む請求項1から6のいずれか一項に記載の発光装置の製造方法。
- 前記光反射性部材を形成する工程は、
前記透光性部材の前記上面を覆う工程と、
前記透光性部材の前記上面に配置された前記光反射性部材を除去し、前記透光性部材を露出させる工程を含む請求項1から7のいずれか一項に記載の発光装置の製造方法。
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Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2021118286A (ja) * | 2020-01-28 | 2021-08-10 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置及びその製造方法 |
JP2021125302A (ja) * | 2020-01-31 | 2021-08-30 | 日亜化学工業株式会社 | 面状光源の製造方法、面状光源、および光源 |
JP2021170610A (ja) * | 2020-04-17 | 2021-10-28 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置の製造方法及び発光モジュールの製造方法 |
JP2022156442A (ja) * | 2021-03-31 | 2022-10-14 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
JP7460446B2 (ja) | 2020-05-28 | 2024-04-02 | スタンレー電気株式会社 | 発光装置 |
JP7470571B2 (ja) | 2020-05-28 | 2024-04-18 | スタンレー電気株式会社 | 発光装置 |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20190355886A9 (en) * | 2015-03-31 | 2019-11-21 | Cree, Inc. | Light emitting diodes and methods |
CN107438899B (zh) * | 2015-03-31 | 2021-04-30 | 科锐Led公司 | 具有包封的发光二极管和方法 |
CN111480192A (zh) * | 2017-12-19 | 2020-07-31 | 索尼公司 | 信号处理设备、信号处理方法以及显示设备 |
CN111029458B (zh) | 2018-01-10 | 2023-09-05 | 首尔半导体株式会社 | 发光装置 |
EP3543776B1 (en) * | 2018-03-23 | 2024-06-26 | Maven Optronics Co., Ltd. | Chip-scale linear light-emitting device |
TWI685131B (zh) * | 2018-10-22 | 2020-02-11 | 隆達電子股份有限公司 | 發光二極體裝置及其製造方法 |
JP6888652B2 (ja) * | 2019-08-13 | 2021-06-16 | 日亜化学工業株式会社 | 発光デバイスおよび発光デバイスの製造方法 |
CN113078179A (zh) * | 2020-01-06 | 2021-07-06 | 群创光电股份有限公司 | 电子装置 |
CN117157760A (zh) * | 2021-02-16 | 2023-12-01 | 亮锐有限责任公司 | 发光元件的制造方法、发光元件、照明装置以及汽车前照灯 |
Citations (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE19916572A1 (de) * | 1999-04-13 | 2000-10-26 | Siemens Ag | Optisches Halbleiterbauelement mit optisch transparenter Schutzschicht |
JP2012004303A (ja) * | 2010-06-16 | 2012-01-05 | Stanley Electric Co Ltd | 発光装置およびその製造方法 |
JP2012227470A (ja) * | 2011-04-22 | 2012-11-15 | Citizen Holdings Co Ltd | 半導体発光装置及びその製造方法 |
JP2013012545A (ja) * | 2011-06-28 | 2013-01-17 | Citizen Electronics Co Ltd | 発光装置とその製造方法 |
JP2014110333A (ja) * | 2012-12-03 | 2014-06-12 | Citizen Holdings Co Ltd | Led装置及びその製造方法 |
JP2014120722A (ja) * | 2012-12-19 | 2014-06-30 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光装置およびその製造方法 |
JP2014207349A (ja) * | 2013-04-15 | 2014-10-30 | パナソニック株式会社 | 発光装置およびその製造方法 |
CN105006508A (zh) * | 2015-07-02 | 2015-10-28 | 厦门市三安光电科技有限公司 | 发光二极管封装结构 |
DE102015101143A1 (de) * | 2015-01-27 | 2016-07-28 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Halbleiterbauelement und Verfahren zu dessen Herstellung |
US20160240746A1 (en) * | 2015-02-13 | 2016-08-18 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Semiconductor light-emitting device |
JP2017033967A (ja) * | 2015-07-28 | 2017-02-09 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置及びその製造方法 |
Family Cites Families (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6642652B2 (en) | 2001-06-11 | 2003-11-04 | Lumileds Lighting U.S., Llc | Phosphor-converted light emitting device |
US8455907B2 (en) | 2010-06-16 | 2013-06-04 | Stanley Electric Co., Ltd. | Semiconductor light emitting device having an optical plate including a meniscus control structure and method of manufacturing |
DE102011078663A1 (de) * | 2011-07-05 | 2013-01-10 | Osram Ag | Verfahren zur Herstellung eines Konversionselements und Konversionselement |
JP2013021175A (ja) | 2011-07-12 | 2013-01-31 | Toshiba Corp | 半導体発光素子 |
JP2013038187A (ja) * | 2011-08-05 | 2013-02-21 | Stanley Electric Co Ltd | 発光装置およびその製造方法 |
JP6149487B2 (ja) | 2012-11-09 | 2017-06-21 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置の製造方法および発光装置 |
CN105378950A (zh) * | 2013-04-11 | 2016-03-02 | 皇家飞利浦有限公司 | 顶发射式半导体发光器件 |
JP6175952B2 (ja) | 2013-07-19 | 2017-08-09 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
DE102013112549B4 (de) * | 2013-11-14 | 2021-08-05 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Verfahren zur Herstellung von optoelektronischen Halbleiterbauelementen und optoelektronisches Halbleiterbauelement |
JP6152801B2 (ja) | 2014-01-21 | 2017-06-28 | 豊田合成株式会社 | 発光装置及びその製造方法 |
WO2015119858A1 (en) * | 2014-02-05 | 2015-08-13 | Cooledge Lighting Inc. | Light-emitting dies incorporating wavelength-conversion materials and related methods |
US10727380B2 (en) * | 2014-11-18 | 2020-07-28 | PlayNitride Inc. | Wavelength converting film and manufacturing method thereof |
TWI657597B (zh) * | 2015-03-18 | 2019-04-21 | 新世紀光電股份有限公司 | 側照式發光二極體結構及其製造方法 |
JP6183486B2 (ja) | 2015-05-29 | 2017-08-23 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置、被覆部材の製造方法及び発光装置の製造方法 |
US9922963B2 (en) * | 2015-09-18 | 2018-03-20 | Genesis Photonics Inc. | Light-emitting device |
JP2017188592A (ja) * | 2016-04-06 | 2017-10-12 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
-
2017
- 2017-07-28 JP JP2017146627A patent/JP6699634B2/ja active Active
-
2018
- 2018-07-17 US US16/037,763 patent/US10693045B2/en active Active
-
2020
- 2020-05-19 US US16/878,241 patent/US11245057B2/en active Active
-
2021
- 2021-12-29 US US17/565,443 patent/US12087890B2/en active Active
Patent Citations (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE19916572A1 (de) * | 1999-04-13 | 2000-10-26 | Siemens Ag | Optisches Halbleiterbauelement mit optisch transparenter Schutzschicht |
JP2012004303A (ja) * | 2010-06-16 | 2012-01-05 | Stanley Electric Co Ltd | 発光装置およびその製造方法 |
JP2012227470A (ja) * | 2011-04-22 | 2012-11-15 | Citizen Holdings Co Ltd | 半導体発光装置及びその製造方法 |
JP2013012545A (ja) * | 2011-06-28 | 2013-01-17 | Citizen Electronics Co Ltd | 発光装置とその製造方法 |
JP2014110333A (ja) * | 2012-12-03 | 2014-06-12 | Citizen Holdings Co Ltd | Led装置及びその製造方法 |
JP2014120722A (ja) * | 2012-12-19 | 2014-06-30 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光装置およびその製造方法 |
JP2014207349A (ja) * | 2013-04-15 | 2014-10-30 | パナソニック株式会社 | 発光装置およびその製造方法 |
DE102015101143A1 (de) * | 2015-01-27 | 2016-07-28 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Halbleiterbauelement und Verfahren zu dessen Herstellung |
US20160240746A1 (en) * | 2015-02-13 | 2016-08-18 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Semiconductor light-emitting device |
CN105006508A (zh) * | 2015-07-02 | 2015-10-28 | 厦门市三安光电科技有限公司 | 发光二极管封装结构 |
JP2017033967A (ja) * | 2015-07-28 | 2017-02-09 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置及びその製造方法 |
Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2021118286A (ja) * | 2020-01-28 | 2021-08-10 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置及びその製造方法 |
JP7454781B2 (ja) | 2020-01-28 | 2024-03-25 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置及びその製造方法 |
JP2021125302A (ja) * | 2020-01-31 | 2021-08-30 | 日亜化学工業株式会社 | 面状光源の製造方法、面状光源、および光源 |
JP7332895B2 (ja) | 2020-01-31 | 2023-08-24 | 日亜化学工業株式会社 | 面状光源の製造方法、面状光源、および光源 |
US11777063B2 (en) | 2020-01-31 | 2023-10-03 | Nichia Corporation | Method for manufacturing planar light source, planar light source, and light source |
JP2021170610A (ja) * | 2020-04-17 | 2021-10-28 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置の製造方法及び発光モジュールの製造方法 |
JP7193740B2 (ja) | 2020-04-17 | 2022-12-21 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置の製造方法及び発光モジュールの製造方法 |
JP7460446B2 (ja) | 2020-05-28 | 2024-04-02 | スタンレー電気株式会社 | 発光装置 |
JP7470571B2 (ja) | 2020-05-28 | 2024-04-18 | スタンレー電気株式会社 | 発光装置 |
JP2022156442A (ja) * | 2021-03-31 | 2022-10-14 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
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Also Published As
Publication number | Publication date |
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