DE19916572A1 - Optisches Halbleiterbauelement mit optisch transparenter Schutzschicht - Google Patents
Optisches Halbleiterbauelement mit optisch transparenter SchutzschichtInfo
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Abstract
Beschrieben wird ein optisches Halbleiterbauelement mit einem Halbleiterkörper (1), der im Bereich einer ersten Oberfläche (6) einen aktiven Bereich (2) sowie im Bereich einer zweiten Oberfläche (7) einen passiven Bereich (3) aufweist, wobei eine optisch transparente Schicht (4) zumindest an den optisch aktiven Bereich (2) angrenzt und sich Leitungspfade (5) vom aktiven Bereich (2) durch den Halbleiterkörper (1) zu Kontaktierungsstellen (8) im Bereich der zweiten Oberfläche (7) erstrecken.
Description
Die vorliegende Erfindung betrifft ein optisches Halbleiter
bauelement mit einer optisch transparenten Schutzschicht, wo
bei das Halbleiterbauelement einen Halbleiterkörper aufweist,
der im Bereich einer ersten Oberfläche einen aktiven Bereich
sowie im Bereich einer zweiten Oberfläche einen passiven Be
reich besitzt. Solche optischen Halbleiterbauelemente sind
grundsätzlich aus dem Stand der Technik beispielsweise aus A.
Badihi, "A CSP Optoelectronic Package For Imaging And Light
Detection Applications", June 1996,
http://www.shellcase.co.il/csp.htm bekannt und finden
beispielsweise Anwendung in optischen Sensoren, LEDs, Laaser-
Dioden, Foto-Dioden oder auch optisch beeinflußbaren Spei
chern.
Um eine Zerstörung solcher Halbleiterbauelemente vermeiden zu
können, muß ein Schutz des Bauelements vor schädlichen äuße
ren Einflüssen gewährleistet werden. Eine übliche Maßnahme
hierzu ist es, das Halbleiterbauelement in ein Gehäuse zu
verpacken, wobei das Gehäuse einen optisch transparenten Be
reich aufweist, der die Durchlässigkeit für optische Strah
lung garantiert. Zwischen diesem transparenten Bereich und
dem Halbleiterkörper befindet sich in der Regel ein Hohlraum,
d. h. dieser Gehäusebereich ist in einem gewissen Abstand vom
optisch aktiven Bereich des Halbleiterbauelements angeordnet.
Solche Gehäuse vergrößern jedoch die Ausmaße dieser optischen
Halbleiterbauelemente wesentlich und stehen somit einer
weitergehenden Miniaturisierung dieser Halbleiterbauelemente,
wie beispielsweise für den Einsatz in mobilen
Telekommunikationsgeräten, Kameras oder ähnlichen Anwendungs
gebieten, die möglichst kleine Bauteile erfordern, im Wege.
Andererseits stellen auch die üblichen Kontaktierungsweisen
optischer Halbleiterbauelemente ein Hemmnis für eine weiter
gehende Miniaturisierung dieser Bauelemente dar.
Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es daher, ein opti
sches Halbleiterbauelement bereitzustellen, das eine mög
lichst weitgehende Miniaturisierung erlaubt.
Diese Aufgabe wird gelöst durch die Merkmale des vorliegenden
Anspruchs 1.
Bei dem erfindungsgemäßen optischen Halbleiterbauelement ist
eine optisch transparente Schicht so angeordnet, daß sie zu
mindest direkt an den optisch aktiven Bereich des Bauelements
angrenzt. Es wird somit der geringstmögliche Abstand der
transparenten Schicht, die als Schutzschicht für das Halblei
terbauelement ausgelegt wird, zu dem aktiven Bereich des
Halbleiterbauelements garantiert. Somit erzielt man eine mög
lichst geringe Bauhöhe des Halbleiterbauelements. Die trans
parente Schicht kann dabei nur den aktiven Bereich des Halb
leiterkörpers bedecken, idealerweise bedeckt sie jedoch die
gesamte erste Oberfläche des Halbleiterkörpers, in deren Be
reich der aktive Bereich des Bauelements angeordnet ist. So
mit kann die gesamte erste Oberfläche vor schädlichen Einwir
kungen geschützt werden.
Die transparente Schicht kann beispielsweise aus einer
Glasplatte, z. B. aus Quarzglas, bestehen, wobei die
Glasplatte mittels einem transparenten Kleber auf der ersten
Oberfläche befestigt werden kann. Es kann jedoch auch eine
transparente Schicht aus Kunststoff vorgesehen werden, welche
ebenfalls mit einem transparenten Kleber auf der ersten Ober
fläche befestigt wird, oder es wird die transparente Kunst
stoffschicht direkt auf der ersten Oberfläche abgeschieden,
beispielsweise durch Aufspritzen und Aushärten, so daß auto
matisch eine haftende Verbindung der transparenten Schicht
zur ersten Oberfläche entsteht. Ein transparenter Kleber wird
in diesem zweiten Fall entbehrlich.
Erfindungsgemäß ist bei dem optischen Halbleiterbauelement
weiterhin vorgesehen, daß sich Leitungspfade vom aktiven Be
reich durch den Halbleiterkörper zu Kontaktierungsstellen im
Bereich der zweiten Oberfläche des Halbleiterbauelements er
strecken. Somit werden jegliche Kontaktierungen entbehrlich,
die seitlich über die Ausmaße des Halbleiterkörpers
hinausragen. Die Ausdehnung es Halbleiterkörpers samt seiner
Kontaktierung beschränkt sich somit auf die Ausmaße des
Halbleiterkörpers selbst. Somit kann auch die Breite des
Halbleiterbauelements weitestgehend reduziert werden.
Es kann dabei vorgesehen werden, daß sich die Leitungspfade
durch Öffnungen im Halbleiterkörper von der ersten zur
zweiten Oberfläche erstrecken, wobei diese Öffnungen jeweils
mit einem Metallkörper ausgekleidet sind. Dieser. Metallkörper
kann beispielsweise durch eine Metallschicht, z. B. aus
Aluminium oder Kupfer, gebildet werden, wobei die
Metallschicht entweder nur die Innenseiten der Öffnungen
bedeckt oder die gesamte Öffnung ausfüllt. Es kann jedoch
auch vorgesehen sein, daß der Metallkörper durch einen
Metallstöpsel, z. B. aus Wolfram gebildet wird.
Die Öffnungen im Halbleiterkörper können beispielsweise mit
einem Laser erzeugt werden, vorzugsweise von der Rückseite
des Halbleiterkörpers aus. Ein solches Verfahren ist prinzi
piell aus R.H. Livengood, V.R. Rao, "FIB Techniques to De
bug Flip-Chip Integrated Circuits", March 1998, Semiconductor
International, p. 111-116 bekannt.
Die Leitungspfade können im Bereich des Halbleiterkörpers je
doch auch durch dotierte Halbleiterbereiche gebildet werden,
welche sich von der ersten Oberfläche zur zweiten Oberfläche
des Halbleiterkörpers erstrecken. Diese dotierten Halbleiter
bereiche können beispielsweise durch Implantation von Dotier
material in den Halbleiterkörper gebildet werden. Es kann je
doch auch vorgesehen werden, daß Gräben in den Halbleiterkör
per strukturiert werden, die mit einem dotierten Halbleiter
material aufgefüllt werden. Um dieses Verfahren zu beschleu
nigen, kann beispielsweise vorgesehen werden, daß zunächst
nur dotierte Halbleiterbereiche erzeugt werden, die sich von
der ersten Oberfläche aus eine gewisse Tiefe in den Halblei
terkörper erstrecken. Anschließend erfolgt ein Abschleifen
des Halbleiterkörpers von der zweiten Oberfläche aus, bis die
dotierten Gebiete erreicht werden und somit an die Oberfläche
dringen. Somit ist es nicht mehr erforderlich, daß eine
durchgehende Implantation oder Strukturierung von Gräben
durch den gesamten Halbleiterkörper vorgesehen wird.
Bevorzugt wird vorgesehen, daß die Leitungspfade im Bereich
der zweiten Oberfläche in leitenden Erhebungen, sogenannten
"Bumps" enden. Diese erheben sich über die zweite Oberfläche
und bilden somit hervorstehende Kontaktierungsstellen. Das
optische Halbleiterbauelement kann dann über diese Kontaktie
rungsstellen mit einem Zwischenträger oder einer Platine ver
bunden werden.
Ein spezielles Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung
wird nachfolgend anhand der Fig. 1 erläutert.
Es zeigt
Fig. 1 Optisches Halbleiterbauelement mit transparenter
Schutzschicht auf dem Halbleiterkörper und Leitungs
pfaden durch den Halbleiterkörper.
Wie in Fig. 1 dargestellt, besitzt das optische Halbleiter
bauelement einen Halbleiterkörper 1, der im Bereich seiner
ersten Oberfläche 6 einen aktiven Bereich 2 aufweist, sowie
im Bereich seiner zweiten Oberfläche 7 auf der Rückseite ei
nen passiven Bereich 3. Auf die gesamte erste Oberfläche 6
ist eine transparente Schutzschicht 4, beispielsweise aus
Quarzglas oder Kunststoff aufgebracht. Diese Schicht kann
entweder durch einen transparenten Kleber befestigt sein,
oder im Falle einer Kunststoffschicht durch Aufspritzen auf
die Oberfläche aufgetragen worden sein.
Die leitende Verbindung vom aktiven Bereich 2 zu einem Zwi
schenträger oder einer Platine 9 wird durch Leitungspfade 5
hergestellt, die sich durch den Halbleiterkörper 1 erstrec
ken. Es werden dabei kurze Leitungswege vom aktiven Bereich 2
zu Kontaktierungsstellen 11 im Bereich der ersten Oberfläche
6 vorgesehen. Von diesen Kontaktierungsstellen 11 erstreckt
sich eine leitende Verbindung 5 durch den Halbleiterkörper 1
bis zu Erhebungen 8 auf der Rückseite 7 des Halbleiterkör
pers, die dort Kontaktierungsstellen zur Platine oder zum
Zwischenträger 9 bilden. Unter dem Halbleiterbauelement kann
optional eine mechanische Zusatzbefestigung 10, eine
sogenannte Unterfüllung, vorgesehen werden, um die Stabilität
des Bauelementes auf der Platine oder dem Zwischenträger 9 zu
erhöhen.
Die Leitungspfade 5 im Halbleiterkörper 1 bestehen entweder
aus Metall oder aus einem dotierten Halbleiterbereich. Die
dotierten Halbleiterbereiche können durch Implantation oder
Auffüllen von Gräben, ggf. mit nachfolgendem Abschleifen des
Halbleiterkörpers, gebildet werden. Werden metallische Lei
tungspfade vorgesehen, so kann von der zweiten Oberfläche 7
des Halbleiterkörpers aus die Bildung von Öffnungen durch den
Halbleiterkörper mittels eines Lasers vorgesehen werden. An
schließend erfolgt eine Metallisierung des Halbleiterkörpers
von der zweiten Oberfläche 7 aus, wobei die Öffnungen mit ei
ner Metallschicht ausgekleidet oder vollständig mit Metall
aufgefüllt werden. Anschließend erfolgt die Bildung der Erhe
bungen 8 auf dem Metallkörper in den Öffnungen, wodurch Kon
taktierungsstellen zur Kontaktierung des Zwischenträgers oder
der Platine 9 gebildet werden.
Durch die vorliegende Erfindung wird ein optisches
Halbleiterbauelement bereitgestellt, das auf seine
kleinstmögliche Ausmaße reduziert werden kann. Darüber hinaus
können alle Schritte zur Herstellung dieses Bauelement es
direkt am Halbleiterwafer erzeugt werden. Es sind somit keine
weiteren Verarbeitungsschritte für eine Gehäusemontage
erforderlich, was die Herstellung solcher Bauelemente
wesentlich vereinfacht.
Claims (10)
1. Optisches Halbleiterbauelement mit
einem Halbleiterkörper (1), der im Bereich einer ersten Ober fläche (6) einen aktiven Bereich (2) sowie im Bereich einer zweiten Oberfläche (7) einen passiven Bereich (3) aufweist, wobei eine optisch transparente Schicht (4) zumindest an den optisch aktiven Bereich (2) angrenzt und
sich Leitungspfade (5) vom aktiven Bereich (2) durch den Halbleiterkörper (1) zu Kontaktierungsstellen (8) im Bereich der zweiten Oberfläche (7) erstrecken.
einem Halbleiterkörper (1), der im Bereich einer ersten Ober fläche (6) einen aktiven Bereich (2) sowie im Bereich einer zweiten Oberfläche (7) einen passiven Bereich (3) aufweist, wobei eine optisch transparente Schicht (4) zumindest an den optisch aktiven Bereich (2) angrenzt und
sich Leitungspfade (5) vom aktiven Bereich (2) durch den Halbleiterkörper (1) zu Kontaktierungsstellen (8) im Bereich der zweiten Oberfläche (7) erstrecken.
2. Optisches Halbleiterbauelement nach Anspruch 1,
wobei die transparente Schicht (4) aus einer Glasplatte be
steht, die mittels einem transparenten Kleber auf der ersten
Oberfläche (6) befestigt ist.
3. Optisches Halbleiterbauelement nach Anspruch 1,
wobei die transparente Schicht (4) aus einer Kunststoff
schicht besteht, die auf der ersten Oberfläche (7) abgeschie
den oder aufgeklebt wurde.
4. Optisches Halbleiterbauelement nach einem der Ansprüche 1
bis 3,
wobei sich die Leitungspfade (5) durch Öffnungen im Halblei
terkörper erstrecken, die jeweils mit einem Metallkörper aus
gekleidet sind.
5. Optisches Halbleiterbauelement nach Anspruch 4,
wobei der Metallkörper durch eine Aluminium- oder Kupfer
schicht gebildet wird.
6. Optisches Halbleiterbauelement nach Anspruch 4,
wobei der Metallkörper durch einen Wolframstöpsel gebildet
wird.
7. Optisches Halbleiterbauelement nach einem der Ansprüche 1
bis 3,
wobei die Leitungspfade (5) im Halbleiterkörper durch do
tierte Halbleiterbereiche gebildet werden, die sich von der
ersten Oberfläche (6) zur zweiten Oberfläche (7) erstrecken.
8. Optisches Halbleiterbauelement nach Anspruch 7,
wobei die dotierten Halbleiterbereiche durch Implantation ge
bildet wurden.
9. Optisches Halbleiterbauelement nach Anspruch 7,
wobei die dotierten Halbleiterbereiche durch Auffüllen von
Gräben mit dotiertem Halbleitermaterial gebildet wurden, wel
che sich von der ersten Oberfläche (6) zur zweiten Oberfläche
(7) erstrecken.
10. Optisches Halbleiterbauelement nach einem der Ansprüche 1
bis 9,
wobei die Leitungspfade (5) im Bereich der zweiten Oberfläche
(7) in leitenden Erhebungen (8) enden, die sich über die
zweite Oberfläche (7) erheben und Kontaktierungsstellen (8)
bilden.
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