TWI767942B - 線狀發光裝置之製造方法及線狀發光裝置 - Google Patents

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Abstract

本發明之目的在於提供一種可容易地製造薄型之線狀發光裝置之製造方法、及薄型之線狀發光裝置。 本發明係一種線狀發光裝置之製造方法，其係準備於俯視下具有長邊方向及短邊方向且短邊方向之長度與線狀發光裝置之發光面之短邊方向之長度相同的透光性構件，於透光性構件上，經由透光性接著劑沿透光性構件之長邊方向排列搭載複數個發光元件，且形成被覆複數個發光元件之側面、及透光性接著劑之光反射性構件。

Description

線狀發光裝置之製造方法及線狀發光裝置
本發明係關於一種線狀發光裝置之製造方法及線狀發光裝置。
先前，為了可較佳地用於行動電話及數位相機等之背光源，而提出有搭載著複數個發光元件之線狀光源裝置(例如專利文獻1)。專利文獻1所記載之線狀光源裝置中，複數個發光元件沿著細長之方棒狀之配線基板之長邊方向隔開特定間隔而配設並進行黏晶，而且以位於各發光元件之兩側且與各發光元件交替之方式配置反射板，進而，該兩反射板之對向面以隨著向各發光元件之出射方向，開口面積變大之方式傾斜，藉此可謀求整體之小型化及薄型化，獲得高亮度且亮度不均較少之線狀光。 [先前技術文獻] [專利文獻] [專利文獻1]日本專利特開2004-235139號公報
[發明所欲解決之問題] 然而，專利文獻1之線狀光源裝置中，對於近年之對背光源之小型化、薄型化之要求來說不可謂充分。又，此種線狀光源裝置隨著變得薄型而變得難以製造。 本發明係鑒於上述問題而完成者，其目的在於提供一種可容易地製造薄型之線狀發光裝置之製造方法、及薄型之線狀發光裝置。 [解決問題之技術手段] 因此，本發明之一實施形態係一種線狀發光裝置之製造方法，其係準備於俯視下具有長邊方向及短邊方向且短邊方向之長度與線狀發光裝置之發光面之短邊方向之長度相同的透光性構件，於透光性構件上，經由透光性接著劑沿透光性構件之長邊方向排列搭載複數個發光元件，且形成被覆複數個發光元件之側面、及透光性接著劑之光反射性構件。 又，本發明之一實施形態係一種線狀發光裝置，其具備：複數個發光元件，其等於俯視下具有長邊方向及短邊方向；透光性構件，其於俯視下具有長邊方向及短邊方向；透光性接著劑，其接著發光元件與透光性構件；以及光反射性構件，其被覆發光元件之側面及透光性接著劑；且 以使複數個發光元件之長邊方向與透光性構件之長邊方向一致之方式排列配置複數個發光元件，透光性接著劑配置於鄰接之複數個發光元件之側面之間。 [發明之效果] 藉此，可容易地製造薄型之線狀發光裝置。
以下，適當參照圖式對發明之實施形態進行說明。但是以下所說明之發光裝置係用以將本發明之技術思想具體化者，只要無特定之記載，則不將本發明限定於以下所述。又，於一實施形態、實施例中所說明之內容亦可應用於其他實施形態、實施例。各圖式所示之構件之大小或縱橫比或位置關係等有時會加以誇張或省略以使說明變得明確或容易。 於本說明書中，所謂薄型化係指於提取發光裝置之發光之側之面具有長邊方向及短邊方向之線狀發光裝置中使短邊方向之長度變短，所謂薄型之線狀發光裝置係指該短邊方向之長度較短之線狀發光裝置。 於本說明書中，所謂光提取側之面係指各構件中在設為線狀發光裝置時配置於進行發光之面側之面。 本發明之一實施形態係一種線狀發光裝置之製造方法，其係準備於俯視下具有長邊方向及短邊方向且短邊方向之長度與線狀發光裝置之發光面之短邊方向之長度相同的透光性構件，於透光性構件上，經由透光性接著劑沿透光性構件之長邊方向排列搭載複數個發光元件，且形成被覆複數個發光元件之側面、及透光性接著劑之光反射性構件。 藉由如此般將預先成形為具有長邊方向及短邊方向之形狀之透光性構件用作發光裝置之發光面，可提高發光面之位置或形狀之精度。又，藉由使用透光性接著劑將複數個發光元件搭載於透光性構件之上，即便減小成為發光面之透光性構件之寬度，亦可高精度地進行與發光元件之位置對準。藉此，可製造薄型之發光裝置。 第1實施形態 於圖1A至圖2C中，表示藉由第1實施形態之製造方法製造之線狀發光裝置100。具備於俯視下具有長邊方向及短邊方向之複數個發光元件2、於俯視下具有長邊方向及短邊方向之透光性構件1、將發光元件2與透光性構件1接著之透光性接著劑3、以及被覆發光元件2之側面及透光性接著劑3之光反射性構件4，且以使複數個發光元件2之長邊方向與透光性構件1之長邊方向一致之方式排列配置複數個發光元件2，透光性接著劑3配置於鄰接之複數個發光元件2之側面之間。 近年來，於具備將發光裝置用作背光裝置之光源之顯示器的電子機器中，為了增大顯示部相對於具備顯示部之面之大小之比率，顯示面板之窄邊框化(面板內之畫面有效區域之擴大)之要求提高。另一方面，於使用在發光裝置內排列有複數個發光元件者作為用作背光裝置之光源之發光裝置之情形時，自發光裝置出射之光具有強度及色度之角度依存性，故而於發光裝置附近，亮度及色調之不均較大，從而不適合作為顯示部。因此，存在無法將距發光裝置一定距離用作顯示部從而難以擴大顯示部之問題。 然而，藉由如上所述之構成，自複數個發光元件2出射之光於配置於發光元件2之間之透光性接著劑3內均勻化後入射至透光性構件1，並自透光性構件1之表面大致均勻地出射。藉此，可降低自線狀發光裝置100出射之光之強度或色度之角度依存性，故而可將此種線狀發光裝置100配置於背光裝置之導光板附近。藉此，可使背光裝置之框部變窄而擴大背光裝置之顯示部。因此，具備本實施形態之線狀發光裝置100之顯示器具有擴大之顯示部。 以下，對本實施形態之線狀發光裝置100之製造方法進行詳細敍述。 1.透光性構件之準備 首先，準備於俯視下具有長邊方向及短邊方向且短邊方向之長度與線狀發光裝置100之發光面之短邊方向之長度相同的透光性構件。以使透光性構件之任一面之短邊方向之長度與線狀發光裝置之發光面之短邊方向之長度相同的方式進行準備。將該面用作線狀發光裝置之發光面。於本實施形態中，以使與支持體相向之光提取面側之面之短邊方向之長度與線狀發光裝置之發光面之短邊方向之長度大致相同的方式形成。 於本實施形態中，如下所述，於俯視下具有長邊方向及短邊方向之透光性構件之準備，係藉由將透光性構件之基材搭載於支持體後切斷來形成複數個透光性構件而進行。 於本說明書中，所謂透光性構件之面之短邊方向之長度與線狀發光裝置之發光面之短邊方向之長度相同，係指線狀發光裝置之發光面之短邊方向之長度與透光性構件之短邊方向之長度之差為發光面之短邊方向之長度的正負10%左右以內。 1-1.透光性構件之基材之成形 首先，如圖3A、圖4所示，形成片狀之透光性構件之基材11。片狀之透光性構件之基材11之形成例如可藉由將樹脂含浸於螢光體而進行，該螢光體係利用塗佈、壓縮成形、轉移成形、射出成形、噴霧、印刷、灌注之電泳沈積等，將液狀之樹脂與視需要混合有螢光體之材料形成為大致均勻厚度而得。 1-2.向支持體搭載透光性構件之基材 繼而，如圖5所示，向支持體50搭載形成為片狀之透光性構件之基材11。於本實施形態中，將透光性構件之基材11之光提取側之面貼附於在上表面具備黏著層50a之支持體。作為支持體50，可使用樹脂膜、金屬板、樹脂板、陶瓷板等單獨體或複合體。於將任一種材料用作支持體之情形時，均較佳為於支持體50之一面具有黏著層，進而，更佳為具有利用紫外線硬化之黏著層。藉由使用此種黏著層50a，可將透光性構件之基材11或已準備之透光性構件1穩定地保持於支持體50。進而，由於在以下步驟中會經由樹脂之硬化等熱歷程，故而更佳為具有耐熱性。再者，將透光性構件之基材11搭載於支持體50亦可藉由於支持體50上形成透光性構件之基材11而進行。 1-3.透光性構件之基材之切斷 繼而，如圖3B、圖6A、圖6B所示，將透光性構件之基材11於搭載於支持體50之狀態下切斷，成形複數個於俯視下具有長邊方向及短邊方向之透光性構件1。 對於透光性構件之基材11之切斷，例如可使用切割、湯姆生加工、超音波加工、雷射加工等方法。尤其是，為了下述之直進性優異並且使鄰接之透光性構件1分隔形成，較佳為切割。 該切斷步驟為了實質性地劃定線狀發光裝置之發光面100w之形狀、尤其是於俯視下長邊方向之邊(圖2A中之L4之邊)之形狀，較佳為藉由直進性優異之方法進行切斷。於無法確保此種直進性之情形時，有線狀發光裝置100之發光面100w之形狀無法成為所需形狀之虞。又，有如下擔憂，即，於藉由下述光反射性構件4被覆透光性構件1之側面(圖2C中之1z)之情形時，因此種透光性構件1之形狀之不均，導致難以控制光反射性構件4之厚度，而無法藉由光反射性構件4充分控制發光方向，從而亮度或朝導光板之光入射效率等線狀發光裝置100之特性降低。 透光性構件1之長邊方向之邊之直線性之精度根據覆蓋透光性構件1之側面之光反射性構件4之厚度而所要求的程度不同。尤其是，為了獲得輸出較高且薄型之線狀發光裝置100，必須使成為發光面之透光性構件之短邊方向之長度(圖2A中之L5之邊)較大，且使光反射性構件4之厚度較小，故而必須於在線狀發光裝置100之長度整體中具有較高之直線性之狀態下進行切斷而形成透光性構件1。具體而言，較佳為於發光裝置100之側面1z之整體中具有可將光反射構件設置為20 μm～100 μm左右、較佳為50 μm左右之程度的直線性。 再者，於本說明書中，所謂某一構件之直線性較高係指於某一構件之特定一邊，通過構件之位於最內周之部分且與特定一邊平行之假想線和構件之位於最外周之部分之距離較小。 於本說明書中，所謂切斷之直進性較高係指可於直線性較高之狀態下進行切斷。 又，於將透光性構件之基材11切斷時，以將透光性構件之基材11之一部分去除之方式進行切斷，而使鄰接之透光性構件1以分隔之狀態形成，藉此可設置用以於透光性構件1之側面形成光反射性構件4之空間。藉此，即便不如下所述般進行透光性構件1之移載或片材之擴展等，亦可設置用以形成光反射性構件4之空間。此可藉由切割等產生切割裕度之切斷方法而實現。該分隔之寬度只要為適於所要設置之光反射性構件4之厚度或光反射性構件4之切斷方法等之程度即可，例如較佳為10～300 μm左右，更佳為100～200 μm左右。藉此，可一面確保光反射性構件4之厚度，一面使線狀發光裝置100為薄型。 於切斷該透光性構件1時，亦可如圖3B所示般產生透光性構件1之邊角材料11c。透光性構件之邊角材料11c例如為長度不足而無法作為透光性構件1來利用之部分、或因透光性構件之基材11之厚度不均勻等原因而無法作為透光性構件1來使用之部分。該透光性構件之邊角材料11c例如設置於相當於透光性構件之基材11之外周部之部分。該透光性構件之邊角材料11c亦可於透光性構件之切斷步驟後去除。又，亦可不進行去除而保留，於此情形時，可削減伴隨著去除之作業，並且防止於去除之作業時與成形之透光性構件1接觸等而於透光性構件1產生破損或扭曲或彎曲。藉此，可容易地進行線狀發光裝置100之製造。 再者，透光性構件1之準備除了包含上述切斷之方法以外，亦可藉由不進行切斷而自最初起便形成為透光性構件1之形狀而進行。例如，可藉由轉移成形、壓縮成形、網版印刷等方法進行。 透光性構件之基材亦可為具有成為透光性構件之複數個凸部、及與複數個凸部連接之基部之形狀。此種透光性構件之基材可藉由於大致相同厚度之片狀之透光性構件之基材形成槽而形成。藉此，可相較於在將透光性構件分離之狀態下進行處理之情形更容易地製造線狀發光裝置。 於此情形時，亦可藉由於製造步驟中將透光性構件之基部去除，而僅將複數個凸部用作透光性構件。於此情形時，以凸部中之基部被去除而成為露出之面之部分成為與發光裝置之發光面相同之形狀之方式形成。 再者，透光性構件1之搭載發光元件2之第2面1y與其相反側之面、即成為線狀發光置之發光面之第1面1x之形狀亦可不同。例如，搭載發光元件2之第2面1y可較成為發光面之第1面1x小，亦可較該第1面1x大。於本實施形態中，具有此種形狀之透光性構件例如可藉由將切斷透光性構件之基材11之刀之形狀設為V字型或倒V字型而形成。 2.向透光性構件上搭載發光元件 繼而，於透光性構件1上，經由透光性接著劑3沿透光性構件1之長邊方向排列搭載複數個發光元件2。 於本說明書中，有時將透光性構件1之搭載發光元件2之面稱為上表面。 於本實施形態中，於將於支持體50上成形(切斷)而準備之複數個透光性構件1保持於支持體50上之狀態下，換言之，於不進行將透光性構件1自支持體50轉移或移載等之情況下，將發光元件2搭載於各透光性構件1之上。含有樹脂、尤其是聚矽氧樹脂作為母材之透光性構件1較柔軟，而且為了實現薄型之線狀發光裝置100，成為發光面之透光性構件1形成為細且長之形狀。此種構件之轉移或移載一般而言較為困難。尤其是，柔軟且細長之透光性構件1有於進行轉移或移載時產生扭曲或彎曲之虞。於此種情形時，極難維持上述透光性構件1之直線性。因此，較佳為將透光性構件1於支持體50上切斷，不將其自於切斷中所使用之支持體50上移載或轉移等而於保持於同一支持體50上之狀態下，將發光元件2搭載於透光性構件1上。 2-1.液狀樹脂材料之塗佈 於本實施形態之透光性構件1上搭載發光元件2之步驟中，首先，如圖7A及圖7B所示，將於硬化後成為透光性接著劑3之液狀樹脂材料31塗佈於透光性構件1之上表面。 對於塗佈可使用針轉印、噴射、印刷等方法。所塗佈之液狀樹脂材料31例如圖7A及圖7B所示般，於透光性構件1上設置為複數個分離之島狀、一連串之線狀等。 作為塗佈量，只要為充分將發光元件2與透光性構件1接著之塗佈量即可，可根據透光性構件1或發光元件2之大小、數量及所要求之接著強度而適當調整。再者，較佳為，除了於發光元件2之光提取側之面與透光性構件1之間以外，亦以與發光元件2之側面相接之方式配置透光性接著劑3。藉此，可自發光元件2之側面提取光，從而使線狀發光裝置100之光提取效率提高。又，較佳為如圖2C所示般，形成為透光性接著劑3以連續之方式存在於鄰接之發光元件2之間，即發光元件2之側面與鄰接之發光元件2之側面之間由透光性接著劑3連結之狀態。藉此，可使自複數個發光元件2發出之光於透光性接著劑3之內部均勻化。因此，可減少自線狀發光裝置100出射之光之不均。因此，較佳為以於鄰接之發光元件2之間透光性接著劑100連續之方式配置充分量之液狀樹脂材料31。 2-2.發光元件之配置 繼而，如圖8A及圖8B所示，於液狀樹脂材料31之上配置複數個發光元件2。較佳為如圖8B所示般，以使發光元件之長邊方向(圖13A之L7之邊)與透光性構件之長邊方向一致之方式排列複數個發光元件。發光元件彼此之間隔(圖2C之S1)可設為10 μm～1000 μm左右，例如較佳為設為200 μm～800 μm，更佳為設為500 μm左右。又，較佳為設為發光元件之長邊方向之長度L7之0.5～1倍左右之距離。藉由如此般將發光元件彼此之間隔S1設為發光元件之長邊方向之長度L7之0.5倍～1倍左右，可減少搭載於一個線狀發光裝置100之發光元件2之數量。藉此，可容易地製造線狀發光裝置100，並且降低材料成本。 於配置發光元件2時，較佳為於透光性構件1之俯視下之端部，進行成為透光性接著劑3之液狀樹脂材料31與發光元件2之定位。例如，較佳為使透光性構件1之長邊方向之邊之端部與透光性接著劑3之端部一致。藉由如此般於透光性構件1之長邊方向之邊使發光元件2自對準，可容易且精度較佳地將發光元件2呈行狀地搭載於寬度較窄之透光性構件1之上。 透光性構件之短邊方向之長度(圖2A之L5)較佳為設為發光元件2之短邊方向(圖13A之L8)之長度之1～2倍左右，更佳為設為1.2～1.5倍左右。藉此，可一面獲得自對準效果一面製成薄型之線狀發光裝置100。 2-3.液狀樹脂材料之硬化 繼而，藉由熱或紫外線等使液狀樹脂材料31硬化，而將透光性構件1與複數個發光元件2接著。此時，透光性接著劑3較佳為形成為自發光元件2之與透光性構件1相向之光提取側之面2x之相反側之面即下表面2y側向透光性構件1側擴展之形狀。藉此，可製成光提取效率較高之線狀發光裝置100。 3.光反射性構件之形成 繼而，如圖9A、9B、10A及10B所示，形成被覆複數個發光元件2之側面及透光性接著劑3之光反射性構件4。光反射性構件4之形成亦較佳為於與在透光性構件1之切斷中所使用之支持體50相同的支持體50上實施。藉此，可抑制透光性構件1之變形，而於短邊方向之寬度較窄之線狀發光裝置100中亦以良好之精度形成光反射性構件。於本實施形態中，藉由一個光反射性構件4一次性被覆接著於支持體50上之複數個透光性構件1、搭載於各透光性構件之複數個發光元件2及透光性接著劑3。 光反射性構件4之形成可使用壓縮成形、轉移成形、射出成形等模具成形、印刷、灌注等方法。尤其是，若於光反射性構件4之樹脂中所含有之填料之濃度較高，則流動性變差，故而最佳為壓縮成形、轉移成形。 光反射性構件4可以被覆複數個發光元件2之側面及透光性接著劑3之方式設置，亦可以被覆複數個發光元件2之側面、透光性接著劑3及透光性構件1之側面之方式設置。 光反射性構件4亦可分複數次形成。例如，亦可於搭載發光元件2之前預先形成覆蓋透光性構件1之側面之光反射性構件，並於搭載發光元件之後形成被覆複數個發光元件之側面及透光性接著劑之光反射性構件。 於在支持體50上配置有透光性構件之邊角材料11c之情形時，該邊角材料11c亦可一併由光反射性構件4被覆。藉此，可固定透光性構件之邊角材料11c，而可容易地進行透光性構件之邊角材料11c之廢棄處理作業、或下述發光裝置之單片化時之切斷。 光反射性構件4亦可成形為使複數個發光元件2之一對電極2a、2b露出之形狀，亦可於如圖9A及9B所示般以被覆電極2a、2b之方式成形後，如圖10A及圖10B所示般進行研磨等而成形為使電極2a、2b露出之形狀。 5.線狀發光裝置之單片化 於本實施形態中，繼而，將一次性被覆複數個透光性構件1、搭載於各透光性構件之複數個發光元件2及透光性接著劑3之光反射性構件4切斷而分離，從而獲得單片化之複數個線狀發光裝置100。該切斷或分離亦較佳為如圖11所示般於上述支持體之上實施。對於該切斷可使用切割、湯姆生加工、超音波加工、雷射加工等方法。 再者，於單片化步驟中，由於透光性構件1已藉由光反射性構件4固定，故而因上述透光性構件1之變形引起之直線性的降低不易成為問題。因此，於該單片化時，亦可進行轉移或移載。例如，進行向不同支持體之轉移，使透光性構件1露出而於可辨識之狀態下切斷，藉此可一面確認透光性構件1之位置或光反射性構件4之厚度，一面進行切斷。藉此，可穩定地製造線狀發光裝置100。 再者，於單片化步驟中，亦可於沿著短邊方向之方向(即與長邊方向相交之方向)切斷透光性構件1。藉此，可製造各種長度之線狀發光裝置100。 其後，如圖12所示，去除支持體50。 以此方式，可獲得與本實施形態相關之線狀發光裝置100。 以下，對適於實施形態之線狀發光裝置100之各構成構件之材料等進行說明。 透光性構件1 作為透光性構件1之母材，可使用透光性樹脂、玻璃等。本實施形態之線狀發光裝置100由於非常細且尺寸長，故而存在於線狀發光裝置100之製造步驟內及照明裝置(背光裝置)之組裝步驟內相對於彎曲應力之強度變得非常弱之情形。因此，於使用包含玻璃等無機物而容易破裂之透光性構件1之情形時，有於線狀發光裝置100之製造步驟中因施加於透光性構件1之力而容易破損之虞。為了防止該問題，較佳為將有機物、尤其是具有某種程度之柔軟性、或可撓性之樹脂作為母材。 作為此種樹脂，例如可列舉聚矽氧樹脂、聚矽氧改性樹脂、聚矽氧變性樹脂、環氧樹脂、酚樹脂、聚碳酸酯樹脂、丙烯酸系樹脂、TPX樹脂、聚降冰片烯樹脂、或包含1種以上之該等樹脂之混成樹脂等。其中，較佳為聚矽氧樹脂或環氧樹脂，更佳為耐光性、耐熱性尤其優異之聚矽氧樹脂。 於使用玻璃或螢光體之燒結體作為透光性構件之情形時，由於可減少透光性構件之劣化，故而可製成可靠性較高之線狀發光裝置。此種線狀發光裝置例如可較佳地用於車之頭燈用光源等。 較佳為於透光性構件1中含有螢光體。藉此，可轉換來自發光元件之光之波長，而獲得各種色調尤其是發出白色光之線狀發光裝置。螢光體可使用在該領域中公知者。例如，可列舉藉由鈰而活化之釔-鋁-石榴石(YAG)系螢光體、藉由鈰而活化之鎦-鋁-石榴石(LAG)系螢光體、藉由銪及/或鉻而活化之含氮鋁矽酸鈣(CaO-Al2 O3 -SiO2 )系螢光體、藉由銪而活化之矽酸鹽((Sr,Ba)2 SiO4 )系螢光體、β賽隆螢光體、KSF系螢光體(K2 SiF6 ：Mn)、被稱為量子點螢光體等之半導體之微粒子等。藉此，可製成出射可見波長之1次光及2次光之混色光(例如白色系)之線狀發光裝置、被紫外光之1次光激發而出射可見波長之2次光之線狀發光裝置。於將線狀發光裝置用於液晶顯示器之背光源等之情形時，較佳為使用由自發光元件發出之藍色光激發而發出紅色光之螢光體(例如KSF系螢光體)、及發出綠色光之螢光體(例如β賽隆螢光體)。藉此，可擴大使用線狀發光裝置100之顯示器之色再現範圍。於在透光性構件1中含有KSF螢光體之情形時，藉由於較含有KSF螢光體之部分更靠近發光面100w之位置設置不含有KSF螢光體之層，可保護不耐水分等之KSF螢光體。 再者，螢光體並不限於含於透光性構件1中，可設置於線狀發光裝置100之各種位置及構件中。例如，亦可以利用塗佈、接著等於不含有螢光體之透明層之上積層而成之螢光體層之形式設置。又，亦可設置於透光性接著劑3之中。 透光性構件1亦可進而包含填充材料(例如擴散劑、著色劑等)。例如，可列舉二氧化矽、氧化鈦、氧化鋯、氧化鎂、碳酸鎂、氫氧化鎂、碳酸鈣、氫氧化鈣、矽酸鈣、氧化鋅、鈦酸鋇、氧化鋁、氧化鐵、氧化鉻、氧化錳、玻璃、碳黑、螢光體之結晶或燒結體、螢光體與無機物之結合材料之燒結體等。亦可任意調整填充材料之折射率。例如可列舉1.8以上，為了有效率地散射光而獲得較高之光提取效率，較佳為2以上，更佳為2.5以上。其中，氧化鈦由於相對於水分等相對較穩定且為高折射率，且導熱性亦較優異，故而較佳。 填充材料之粒子之形狀可為破碎狀、球狀、中空及多孔質等中之任一種。粒子之平均粒徑(中值粒徑)較佳為能夠以較高之效率獲得光散射效果之0.08～10 μm左右。填充材料例如相對於透光性構件1之重量較佳為10～60重量%左右。 透光性構件之基材11之大小可由透光性構件1之大小或製造裝置等適當決定。 透光性構件1之大小可由線狀發光裝置100之大小適當決定。 例如，可將長邊方向之長度L4設為短邊方向之長度L5之50～500倍、100～450倍左右。根據本實施形態之線狀發光裝置100之製造方法，即便於使用此種長邊方向之長度相對於短邊方向之長度非常長之透光性構件的情形時，亦可容易地製造線狀發光裝置。又，藉由使用具有此種細長之發光面100w之線狀發光裝置100，可相較於將複數個發光裝置安裝多個之情形，更容易地製造照明裝置(背光裝置)。 長邊方向之長度L4具體可設為2.5 cm～13.6 cm、4 cm～10 cm左右。藉此，只要於1個背光裝置安裝1個發光裝置即可，故而可容易地進行發光裝置之安裝及背光裝置之製造。 短邊方向之長度L5具體可設為200～400 μm，更佳為設為200～300 μm。藉此，可製成薄型之線狀發光裝置100。 透光性構件1之厚度對線狀發光裝置100之高度(圖1A之L3)產生影響，另一方面，若變薄則破損之擔憂增加。又，可含有之螢光體之量有限制，故而適當選擇。再者，可列舉較佳為10～300 μm左右，更佳為30～200 μm左右。 透光性構件1或透光性構件之基材11可設為單層，亦可如圖2C所示般視需要設為複數層之積層構造。例如，亦可於含有螢光體之第1層之上具有不含有螢光體之作為保護層之第2層。又，例如可藉由於分別形成含有發出黃色光之螢光體之第1層及含有發出紅色光之螢光體之第2層後將其等貼合，而獲得2層構造之透光性構件之基材11。又，亦可藉由於形成第1層後於其上再次藉由噴霧法等形成第2層，而獲得2層構造之透光性構件1。 於所使用之螢光體為容易因水分等環境影響引起劣化之材料之情形時，藉由於透光性構件1之光提取側之面側設置不含有螢光體之層，可抑制外部氣體與螢光體之接觸，故而可抑制螢光體之劣化。又，亦可於設置於透光性構件之光提取面側之部分設置含有填充材料(例如擴散劑、著色劑等)之層。藉由設置此種含有填充材料之層，可控制出射之光之配光，或改善色不均之均勻性。又，藉由使用導熱率較母材高之填充材料，可藉由改善導熱性而改善線狀發光裝置100之可靠性。 作為填充材料，例如可列舉二氧化矽、氧化鈦、氧化鋯、氧化鎂、碳酸鎂、氫氧化鎂、碳酸鈣、氫氧化鈣、矽酸鈣、氧化鋅、鈦酸鋇、氧化鋁、氧化鐵、氧化鉻、氧化錳、玻璃、碳黑、螢光體之結晶或燒結體、螢光體與無機物之結合材料之燒結體等。填充材料之材料較佳為選擇具有較高之折射率者。例如可列舉1.8以上，為了有效率地散射光而獲得較高之光提取效率，較佳為2以上，更佳為2.5以上。其中，氧化鈦由於相對於水分等相對較穩定且為高折射率，又，導熱性亦較優異，故而較佳。 填充材料之粒子之形狀可為破碎狀、球狀、中空及多孔質等中之任一種。粒子之平均粒徑(中值粒徑)較佳為能夠以較高之效率獲得光散射效果之0.08～10 μm左右。填充材料例如相對於透光性構件之重量較佳為10～60重量%左右。 於透光性構件1最初由含有液狀之樹脂及粒子狀之螢光體之液狀材料製造之情形時，較佳為於透光性構件1中混合艾羅技等微粒子之填料。藉此，可對透光性構件1之材料賦予搖變性而減少螢光體之沈澱，而形成螢光體均勻地分散所得之透光性構件之基材11。 發光元件2 將複數個發光元件2搭載於1個透光性構件1上。 發光元件2之大小、形狀、發光波長可適當選擇。於搭載複數個發光元件2之情形時，其配置可不規則，亦可規則地配置為矩陣等。為了減少發光強度之不均或色不均，較佳為如圖2C所示般，以規則地配置而發光元件之間隔S1成為大致均等之方式設置。 複數個發光元件2亦可為串聯、並聯、串並聯或並串聯中之任一種連接形態。亦可如圖1B所示般，於複數個發光元件2分別電性分離之狀態下製造，並將其等經由供線狀發光裝置100安裝之安裝基板60而電性連接。又，可藉由設置將不同發光元件2之正負之電極2a、2b間連接之導電性之金屬膜，而將複數個發光元件2串聯地連接。 發光元件之長邊方向之長度L7例如可設為200 μm～1500 μm左右。較佳為設為500 μm～1200 μm左右，更佳為設為700 μm～1100 μm左右。 發光元件2之短邊方向之長度L8例如可設為50 μm～400 μm左右。較佳為設為100 μm～300 μm左右。藉此，可搭載於薄型之線狀發光裝置100。 藉由使用長邊方向之長度L7為短邊方向之長度L8之3倍、較佳為5倍以上左右之發光元件2，即便製造長邊方向之長度L1較長之線狀發光裝置100之情形時，亦可抑制發光元件2之個數之增加，而容易地進行製造。又，藉由使用長邊方向之長度L7為短邊方向之長度L8之3～6倍左右之發光元件2，可減少於製造時發光元件2破損之擔憂，故而可容易地進行線狀發光裝置100之製造。 發光元件2之厚度L9例如較佳為設為80 μm～200 μm左右。藉此，例如於在將線狀發光裝置100組裝至背光裝置時以導光板之入光端面與發光面100w平行之方式安裝線狀發光裝置100之情形時，可使背光裝置之框部之寬度變窄。 如圖13C所示，用於線狀發光裝置100之發光元件2依序積層第1半導體層(例如n型半導體層)、發光層、第2半導體層(例如p型半導體層)作為半導體積層體2c，且於作為下表面之同一面側(例如第2半導體層側之面)具有電性連接於第1半導體層之第1電極2a、電性連接於第2半導體層之第2電極2b兩者。半導體積層體2c通常積層於元件基板2d上，但作為發光元件2，可伴隨有元件基板2d，亦可為不具有元件基板2d者。 第1半導體層、發光層及第2半導體層之種類、材料並無特別限定，例如可列舉III-V族化合物半導體、II-VI族化合物半導體等各種半導體。具體而言，可列舉InX AlY Ga1-X-Y N(0≦X、0≦Y、X＋Y≦1)等氮化物系之半導體材料，可使用InN、AlN、GaN、InGaN、AlGaN、InGaAlN等。各層之膜厚及層構造可利用在該領域中公知者。 作為元件基板2d，可列舉可使半導體層磊晶成長之成長用之基板。作為此種元件基板2d之材料，可列舉如藍寶石(Al2 O3 )、尖晶石(MgA12 O4 )之絕緣性基板、上述氮化物系之半導體基板等。藉由使用如藍寶石基板之具有透光性之元件基板2d作為半導體層之成長用之基板，可不將元件基板自半導體積層體去除而用於線狀發光裝置。 元件基板2d亦可為於表面具有複數個凸部或凹凸者。又，亦可為相對於C面、A面等特定結晶面而具有0～10°左右之偏離角者。 元件基板2d亦可於與第1半導體層之間具有中間層、緩衝層、基底層等半導體層或絕緣層等。 半導體積層體2c之俯視下之形狀並無特別限定，較佳為四邊形或與其近似之形狀。半導體積層體2c之俯視下之大小可根據發光元件2之俯視下之大小而適當調整。 第1電極2a及第2電極2b 第1電極2a及第2電極2b設置於發光元件2之下表面2y側。較佳為形成於半導體積層體之2c之同一面側(於存在元件基板2d之情形時為該元件基板相反側之面)。藉此，可進行使安裝基板60之正負之連接端子與發光元件2之第1電極2a及第2電極2b對向而接合之覆晶安裝。 第1電極2a及第2電極2b例如可藉由Au、Pt、Pd、Rh、Ni、W、Mo、Cr、Ti等金屬或該等之合金之單層膜或積層膜而形成。具體而言，可列舉自半導體層側如Ti/Rh/Au、W/Pt/Au、Rh/Pt/Au、W/Pt/Au、Ni/Pt/Au、Ti/Rh等般積層所得之積層膜。膜厚可為於該領域中所使用之膜之膜厚中之任一種。 又，第1電極2a及第2電極2b較佳為分別於靠近第1半導體層及第2半導體層之側，配置對自發光層出射之光之反射率高於電極之其他材料之材料層作為該等電極之一部分。 作為反射率較高之材料，可列舉含有銀或銀合金或鋁之層。作為銀合金，亦可使用在該領域中公知之材料中之任一種。該材料層之厚度並無特別限定，可列舉可有效地反射自發光元件2出射之光之厚度、例如20 nm～1 μm左右。該材料層之與第1半導體層或第2半導體層之接觸面積越大越佳。 再者，於使用銀或銀合金之情形時，為了防止銀之遷移，較佳為形成被覆其表面(較佳為上表面及端面)之被覆層。作為此種被覆層，只要為由通常作為導電材料使用之金屬及合金形成者即可，例如可列舉含有鋁、銅、鎳等金屬之單層或積層層。其中，較佳為使用AlCu。為了有效地防止銀之遷移，被覆層之厚度可列舉數百nm～數μm左右。 第1電極2a及第2電極2b只要分別電性連接於第1半導體層及第2半導體層，則亦可不使電極之整個面與半導體層接觸，亦可使第1電極2a之一部分不位於第1半導體層之上，及/或使第2電極2b之一部分不位於第2半導體層之上。即，例如可隔著絕緣膜等將第1電極2a配置於第2半導體層上，亦可隔著絕緣膜等將第2電極2b配置於第1半導體層上。藉此，可容易地變更第1電極2a或第2電極2b之形狀，故而可容易地安裝線狀發光裝置100。 作為此處之絕緣膜，並無特別限定，可為於該領域中使用者之絕緣膜之單層膜及積層膜中之任一種。藉由使用絕緣膜等，第1電極2a及第2電極2b可不管第1半導體層及/或第2半導體層之平面面積而設定為任意大小及設定於任意位置。 於此情形時，第1電極2a及第2電極2b之形狀較佳為至少於與安裝基板60連接之面，第1電極2a及第2電極2b之平面形狀大致相同。又，較佳為如圖13B所示般，以第1電極2a及第2電極2b隔著半導體積層體2c之中央部分而分別對向之方式配置。 第1電極2a及第2電極b之第1主面(與半導體層為相反側之面)亦可具有階差，但較佳為大致平坦。所謂此處之平坦係指自半導體積層體2c之第2主面(與第1主面為相反側之面)至第1電極2a之第1主面的高度，與自半導體積層體2c之第2主面至第2電極2b之第1主面的高度大致相同。所謂此處之大致相同係容許半導體積層體2c之高度之±10%左右之變動。 藉由如此般將第1電極2a及第2電極2b之第1主面配置為大致平坦，即，實質上將兩者配置於同一面，如圖14所示，容易將線狀發光裝置100接合於安裝基板60等。為了形成此種第1電極2a及第2電極2b，例如可藉由於電極上利用鍍覆等設置金屬膜，其後，以變得平坦之方式進行研磨或切削而實現。 亦可於第1電極2a及第2電極2b與第1半導體層及第2半導體層之各者之間，在不阻礙兩者之電性連接之範圍內配置DBR(分佈布拉格反射器)層等。DBR例如為於任意包含氧化膜等之基底層之上積層低折射率層及高折射率層而得之多層構造，選擇性地反射特定波長光。具體而言，可藉由將折射率不同之膜以波長之1/4之厚度交替地積層，而使特定波長高效率地反射。作為材料，可包含選自由Si、Ti、Zr、Nb、Ta、Al所組成之群中之至少一種之氧化物或氮化物而形成。 透光性接著劑3 對於將發光元件2搭載及接著於透光性構件1，較佳為使用透光性接著劑3。 對於透光性接著劑3，較佳為使用透光性樹脂，較佳為起初為液狀且可藉由硬化而進行接著之材料。作為此種透光性樹脂，尤其可較佳地使用聚矽氧樹脂、聚矽氧改性樹脂、環氧樹脂、酚樹脂等熱硬化性樹脂。透光性接著劑3由於與透光性構件1或發光元件2之光提取側之面及側面接觸而設置，故而於點亮時容易受到於發光元件2產生之熱之影響。熱硬化性樹脂由於耐熱性優異，故而適於透光性接著劑3。再者，透光性接著劑3較佳為光之透過率較高。 亦可對透光性接著劑30添加散射光之添加物。藉此，可使於發光元件2間出射之光於透光性接著劑3內均勻化。為了調整透光性接著劑3之折射率，或者為了調整硬化前之透光性構件(液狀樹脂材料31)之黏度，亦可添加艾羅技等填料。藉此，可抑制透光性接著劑3超出必要地流動擴展，從而可穩定地將發光元件2搭載於透光性構件1上。 線狀發光裝置100 線狀發光裝置100之大小較大，例如為於發光面100w中與上述透光性構件1之平面形狀大致同等且於透光性構件1之周圍設置有光反射性構件4之程度。 線狀發光裝置100之高度L3例如較佳為設為300 μm～700 μm左右。藉此，例如於在將線狀發光裝置100組裝至背光裝置時以導光板之入光端面與發光面成為平行之方式安裝線狀發光裝置100的情形時，可使背光裝置之框部之寬度變窄。根據同樣之原因，較佳為如圖14所示般，使用上述發光元件2之電極2a、2b露出於線狀發光裝置100之外表面之部分作為線狀發光裝置100之安裝用電極。又，較佳為具有遍及發光元件2之電極2a、2b之表面及光反射性構件4之表面而設置之較薄之金屬層。藉此，可謀求線狀發光裝置100之小型化、薄型化。 [實施例] 實施例1 首先，藉由離心攪拌消泡裝置混合聚矽氧樹脂、YAG：Ce螢光體、及相對於樹脂為2 wt%左右之艾羅技。 繼而，將所獲得之混合物塗佈於氟樹脂製之脫離膜上，其後，藉由刮刀(刮漿板)成形為厚度100 μm之片狀。以120℃且1小時對所獲得片材進行暫時硬化。藉此，獲得第1層。 繼而，於聚矽氧樹脂中添加2 wt%艾羅技，並藉由離心攪拌消泡裝置進行混合。將該所獲得之混合物塗佈於氟樹脂製之脫離膜上，其後，藉由刮刀成形為厚度50 μm之片狀，而獲得透明之片狀之成為第2層之透明片狀成形物。 將該第1層與第2層接著。 以此方式，形成如圖4所示之透光性構件之基材11。 繼而，如圖5所示，將硬化完成之透光性構件之基材11與於兩面具有黏著層之耐熱UV(ultraviolet，紫外線)片材50a貼附於支持體50之上表面，該支持體50係將UV光可透過之耐衝擊玻璃製品接著而構成。 繼而，如圖6A及6B所示，將透光性構件之基材11藉由切片機切割為線狀發光裝置100之發光面100w之形狀，而獲得俯視下之短邊方向之長度L5約為300 μm且長邊方向之長度L4約為49500 μm且厚度L6約為150 μm之複數個透光性構件1。此時，藉由以與光反射性構件4之切割裕度之寬度和形成於切割裕度之兩側之光反射性構件4之厚度之合計大致相等之方式調整刀片之厚度，確保最終所獲得之光反射性構件4之厚度(相對於透光性構件1之長邊方向之邊垂直之方向之寬度)。 繼而，如圖7A及7B所示，藉由噴射將作為包含2 wt%之艾羅技之聚矽氧樹脂之液狀樹脂材料31於透光性構件1之上表面分離於複數個部位而塗佈。 繼而，如圖8A及8B所示，將複數個發光元件2搭載於透光性構件之上表面。發光元件2係如圖13A至C所示之具備作為構成光提取面之透光性之藍寶石基板之元件基板2d、半導體積層體2c及電極2a、2b之構造。發光元件2之俯視下之短邊方向之長度L8約為200 μm，長邊方向之長度L7約為1000 μm，厚度L9約為150 μm。將33個此種發光元件2以約500 μm之間隔以元件基板2d與透光性構件之上表面1y對向之方式搭載。其後，將液狀樹脂材料31硬化，而藉由透光性接著劑3將發光元件2與透光性構件1接著。此時，透光性接著劑3配置於鄰接之複數個發光元件2之側面之間，且於透光性構件1之短邊側之端部，形成為自發光元件2之下表面2y側向透光性構件1側擴大之形狀。 繼而，調製將平均粒徑14 μm之二氧化矽、及作為無機粒子之平均粒徑0.3 μm之氧化鈦分別以相對於聚矽氧樹脂之重量為2 wt% 及60 wt%混合於聚矽氧樹脂中所得之光反射性構件之材料。 繼而，如圖9A及9B所示，藉由使用模具之壓縮成形將一次性被覆支持體50之上表面、複數個透光性構件1、透光性接著劑3、及搭載於其上之複數個發光元件2之光反射性構件4成形並硬化。 繼而，如圖10A及10B所示，自與設置有透光性構件1之側為相反側之面研磨光反射性構件4，而使發光元件之電極2a、2b露出。 繼而，將所露出之電極2a、2b之位置作為基準，藉由切割將光反射性構件4切斷、單片化。 最後，自支持體50側照射UV光，降低耐熱UV片材50a之黏著層之黏著力。其後，將線狀發光裝置100自UV片材剝離。 藉由如上所述之方法，可獲得俯視下之短邊方向之長度L2約為400 μm且長邊方向之長度L1約為50000 μm且高度L3約為300 μm之線狀發光裝置100。 實施例2 繼而，對實施例2進行說明。 首先，與實施例2同樣地，獲得包含螢光體之片狀之含螢光體片狀成形物。作為螢光體，使用發出綠色光之β賽隆螢光體及發出紅色光之KSF螢光體。 繼而，向聚矽氧樹脂中添加2 wt%之艾羅技，並藉由離心攪拌消泡裝置進行混合。將該所獲得之混合物塗佈於氟樹脂製之脫離膜上，其後，藉由刮刀成形為厚度150 μm之片狀，而獲得透明之片狀之透明片狀成形物。 繼而，分別以120℃且1小時對該等片材進行暫時硬化。 繼而，於80℃以0.5 MPa之壓力將暫時硬化後之含螢光體片狀成形物與透明片狀成形物貼合。 繼而，以150℃且8小時對貼合之片材進行正式硬化。 以此方式，獲得具有包含含螢光體片狀成形物之螢光體含有層、及包含透明片狀成形物之透明層的透光性構件之基材。 與實施例1同樣地，將透光性構件之基材貼附於具有黏著層之支持體。此時，將透明層接著於UV片材。 繼而，將透光性構件之基材切割成發光面之形狀。又，調整刀片之高度而成為透明層中之50 μm處未被切斷之狀態。換言之，將透光性構件切斷為具有透明層之與支持體相接之側之一部分不分離而連續之狀態之基部、及於該基部之上方具有複數個分離之凸部之形狀。藉此，於以下成形步驟中，可抑制因形成光反射性構件時之壓力導致透光性構件變形，或光反射性構件進入至UV片材與透光性構件之間。 繼而，與實施例1同樣地，進行發光元件之搭載、光反射性構件之形成、發光元件之電極之露出。 繼而，自支持體側照射UV光，減弱黏著層之黏著力，將透光性構件之基材自支持體剝離，並轉移至具備其他UV片材之支持體。此時，以支持體與光反射性構件之露出有發光元件之電極之面接著的方式進行轉移。 繼而，對透光性構件之基材進行研磨，而將構成透光性構件之基部、光反射性構件之一部分及凸部之一部分的透明層之一部分去除。 繼而，將發光面之透光性構件之位置作為基準，藉由切割將光反射性構件切斷。 繼而，自玻璃製之支持材料側照射UV光使黏著層硬化，將製品自支持體剝離。 藉由如上所述之方法，可容易地獲得於透光性構件之發光面側具備透明層之複數個線狀發光裝置。 以上，對本發明之若干實施形態及實施例進行了例示，當然本發明並不限定於上述實施形態及實施例，只要不脫離本發明之主旨，則可設為任意者。
1‧‧‧透光性構件 1a‧‧‧透光性構件之第1層 1b‧‧‧透光性構件之第2層 1x‧‧‧第1面 1y‧‧‧第2面 1z‧‧‧側面 2‧‧‧發光元件 2a‧‧‧第1電極 2b‧‧‧第2電極 2c‧‧‧半導體積層體 2d‧‧‧元件基板 2x‧‧‧光提取側之面 2y‧‧‧下表面 3‧‧‧透光性接著劑 4‧‧‧光反射性構件 11‧‧‧透光性構件之基材 11a‧‧‧透光性構件之基材之第1層 11b‧‧‧透光性構件之基材之第2層 11c‧‧‧透光性構件之基材之邊角材料 31‧‧‧液狀樹脂材料 41‧‧‧光反射性構件之基材 50‧‧‧支持體 50a‧‧‧黏著層 60‧‧‧安裝基板 100‧‧‧線狀發光裝置 100w‧‧‧線狀發光裝置之發光面 200‧‧‧照明裝置(背光裝置) L1‧‧‧長邊方向之長度 L2‧‧‧短邊方向之長度 L3‧‧‧高度 L4‧‧‧長邊方向之長度 L5‧‧‧短邊方向之長度 L6‧‧‧厚度 L7‧‧‧長邊方向之長度 L8‧‧‧短邊方向之長度 L9‧‧‧厚度 S1‧‧‧間隔
圖1A係實施形態之線狀發光裝置之概略立體圖。 圖1B係實施形態之線狀發光裝置之概略立體圖。 圖2A係實施形態之線狀發光裝置之概略俯視圖。 圖2B係實施形態之線狀發光裝置之概略仰視圖。 圖2C係實施形態之線狀發光裝置之概略剖視圖。 圖3A係實施形態之透光性構件之基材之概略俯視圖。 圖3B係實施形態之透光性構件之概略俯視圖。 圖4係說明實施形態之線狀發光裝置之製造方法之一步驟的概略剖視圖。 圖5係說明實施形態之透線狀發光裝置之製造方法之一步驟的概略剖視圖。 圖6A係說明實施形態之線狀發光裝置之製造方法之一步驟的概略剖視圖。 圖6B係沿圖6A之B-B線之概略剖視圖。 圖7A係說明實施形態之線狀發光裝置之製造方法之一步驟的概略剖視圖。 圖7B係沿圖7A之C-C線之概略剖視圖。 圖8A係說明實施形態之線狀發光裝置之製造方法之一步驟的概略剖視圖。 圖8B係沿圖8A之D-D線之概略剖視圖。 圖9A係說明實施形態之線狀發光裝置之製造方法之一步驟的概略剖視圖。 圖9B係沿圖9A之E-E線之概略剖視圖。 圖10A係說明實施形態之線狀發光裝置之製造方法之一步驟的概略剖視圖。 圖10B係沿圖10A之E-E線之概略剖視圖。 圖11係說明實施形態之線狀發光裝置之製造方法之一步驟的概略剖視圖。 圖12係說明實施形態之線狀發光裝置之製造方法之一步驟的概略剖視圖。 圖13A係實施形態之發光元件之概略俯視圖。 圖13B係實施形態之透光性構件之概略仰視圖。 圖13C係實施形態之透光性構件之概略剖視圖。 圖14係利用實施形態之線狀發光裝置之照明裝置之概略剖視圖。
1‧‧‧透光性構件
1a‧‧‧透光性構件之第1層
1b‧‧‧透光性構件之第2層
2‧‧‧發光元件
2a‧‧‧第1電極
2b‧‧‧第2電極
3‧‧‧透光性接著劑
4‧‧‧光反射性構件
50‧‧‧支持體
50a‧‧‧黏著層

Claims (18)

  1. 一種線狀發光裝置之製造方法，其係包含複數個發光元件之線狀發光裝置之製造方法，該方法係準備於俯視下具有長邊方向及短邊方向且上述短邊方向之長度與上述線狀發光裝置之發光面之短邊方向之長度相同的透光性構件，於上述透光性構件上，經由透光性接著劑沿上述透光性構件之長邊方向排列搭載複數個發光元件，且形成被覆上述複數個發光元件之側面、及上述透光性接著劑之光反射性構件。
  2. 如請求項1之線狀發光裝置之製造方法，其中於搭載上述發光元件之步驟中，於上述透光性構件之俯視下之端部進行上述透光性接著劑或上述發光元件之定位。
  3. 如請求項1或2之線狀發光裝置之製造方法，其中於準備上述透光性構件時，將透光性構件之基材搭載於支持體而進行切斷，獲得於俯視下具有長邊方向及短邊方向之上述透光性構件。
  4. 如請求項3之線狀發光裝置之製造方法，其中於上述透光性構件在上述支持體上成形之後，於上述支持體上進行將上述發光元件搭載於上述透光性構件上之步驟及形成上述光反射性構件之步驟。
  5. 如請求項1或2之線狀發光裝置之製造方法，其中上述透光性接著劑以連續之方式設置於上述複數個發光元件之間。
  6. 如請求項1或2之線狀發光裝置之製造方法，其中上述透光性構件之母材為樹脂。
  7. 如請求項1或2之線狀發光裝置之製造方法，其中上述透光性構件之長邊方向之長度為上述透光性構件之短邊方向之長度之50~500倍。
  8. 如請求項1或2之線狀發光裝置之製造方法，其中上述透光性構件之短邊方向之長度為上述發光元件之短邊方向之長度之1~2倍。
  9. 如請求項1或2之線狀發光裝置之製造方法，其中藉由上述光反射性構件被覆上述透光性構件之側面。
  10. 如請求項1或2之線狀發光裝置之製造方法，其中準備複數個上述透光性構件，以被覆上述複數個透光性構件之方式形成上述光反射性構件，將上述光反射性構件切斷而獲得複數個上述線狀發光裝置。
  11. 一種線狀發光裝置，其具備：複數個發光元件，其等分別於俯視下具有長邊方向及短邊方向；透光性構件，其於俯視下具有長邊方向及短邊方向；透光性接著劑，其將上述發光元件與上述透光性構件接著；以及光反射性構件，其被覆上述發光元件之側面及上述透光性接著劑；且 以使上述複數個發光元件之長邊方向與上述透光性構件之長邊方向一致之方式排列配置上述複數個發光元件，上述透光性接著劑配置於鄰接之上述複數個發光元件之側面之間。
  12. 如請求項11之線狀發光裝置，其中上述透光性構件之長邊方向之端部與上述透光性接著劑之端部一致。
  13. 如請求項11或12之線狀發光裝置，其中上述透光性接著劑係自上述發光元件之下表面側向上述透光性構件側擴展之形狀。
  14. 如請求項13之線狀發光裝置，其中上述透光性接著劑於上述透光性構件之短邊側之端部係自上述發光元件之下表面側向上述透光性構件側擴展之形狀。
  15. 如請求項11或12之線狀發光裝置，其中上述透光性構件之母材為樹脂。
  16. 如請求項11或12之線狀發光裝置，其中上述透光性構件之長邊方向之長度為上述透光性構件之短邊方向之長度之50~500倍。
  17. 如請求項11或12之線狀發光裝置，其中上述透光性構件之短邊方向之長度為上述發光元件之短邊方向之長度之1~2倍。
  18. 如請求項11或12之線狀發光裝置，其中上述透光性構件之側面藉由上述光反射性構件被覆。
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