CN107887488A - 线状发光装置的制造方法以及线状发光装置 - Google Patents

线状发光装置的制造方法以及线状发光装置 Download PDF

Info

Publication number
CN107887488A
CN107887488A CN201710903352.1A CN201710903352A CN107887488A CN 107887488 A CN107887488 A CN 107887488A CN 201710903352 A CN201710903352 A CN 201710903352A CN 107887488 A CN107887488 A CN 107887488A
Authority
CN
China
Prior art keywords
light
transmitting member
emitting device
wire
side direction
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201710903352.1A
Other languages
English (en)
Inventor
林忠雄
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nichia Corp
Nichia Chemical Industries Ltd
Original Assignee
Nichia Chemical Industries Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nichia Chemical Industries Ltd filed Critical Nichia Chemical Industries Ltd
Publication of CN107887488A publication Critical patent/CN107887488A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21V—FUNCTIONAL FEATURES OR DETAILS OF LIGHTING DEVICES OR SYSTEMS THEREOF; STRUCTURAL COMBINATIONS OF LIGHTING DEVICES WITH OTHER ARTICLES, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F21V17/00—Fastening of component parts of lighting devices, e.g. shades, globes, refractors, reflectors, filters, screens, grids or protective cages
    • F21V17/10—Fastening of component parts of lighting devices, e.g. shades, globes, refractors, reflectors, filters, screens, grids or protective cages characterised by specific fastening means or way of fastening
    • F21V17/101—Fastening of component parts of lighting devices, e.g. shades, globes, refractors, reflectors, filters, screens, grids or protective cages characterised by specific fastening means or way of fastening permanently, e.g. welding, gluing or riveting
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21V—FUNCTIONAL FEATURES OR DETAILS OF LIGHTING DEVICES OR SYSTEMS THEREOF; STRUCTURAL COMBINATIONS OF LIGHTING DEVICES WITH OTHER ARTICLES, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F21V3/00—Globes; Bowls; Cover glasses
    • F21V3/02—Globes; Bowls; Cover glasses characterised by the shape
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21V—FUNCTIONAL FEATURES OR DETAILS OF LIGHTING DEVICES OR SYSTEMS THEREOF; STRUCTURAL COMBINATIONS OF LIGHTING DEVICES WITH OTHER ARTICLES, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F21V7/00—Reflectors for light sources
    • F21V7/04—Optical design
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21V—FUNCTIONAL FEATURES OR DETAILS OF LIGHTING DEVICES OR SYSTEMS THEREOF; STRUCTURAL COMBINATIONS OF LIGHTING DEVICES WITH OTHER ARTICLES, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F21V9/00—Elements for modifying spectral properties, polarisation or intensity of the light emitted, e.g. filters
    • F21V9/30—Elements containing photoluminescent material distinct from or spaced from the light source
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58—Optical field-shaping elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/0001—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings specially adapted for lighting devices or systems
    • G02B6/0011—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings specially adapted for lighting devices or systems the light guides being planar or of plate-like form
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/005—Processes relating to semiconductor body packages relating to encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52—Encapsulations
    • H01L33/56—Materials, e.g. epoxy or silicone resin

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Planar Illumination Modules (AREA)
  • Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)
  • Vessels And Coating Films For Discharge Lamps (AREA)

Abstract

本发明目的在于，提供能容易制造薄型的线状发光装置的制造方法和薄型的线状发光装置。在线状发光装置的制造方法中，准备俯视观察下有长边方向和短边方向、短边方向的长度与线状发光装置的发光面的短边方向的长度等同的透光性构件，在透光性构件上隔着透光性粘结剂在透光性构件的长边方向上并排搭载多个发光元件，形成将多个发光元件的侧面和透光性粘结剂被覆的光反射性构件。

Description

线状发光装置的制造方法以及线状发光装置
技术领域
本公开涉及线状发光装置的制造方法以及线状发光装置。
背景技术
过去以来，为了能适用于便携电话以及数字摄像机等的背光灯，提出搭载有多个发光元件的线状光源装置(例如专利文献1)。在专利文献1记载的线状光源装置中，多个发光元件沿着细长的棱柱状的布线基板的长边方向空开给定的间隔配设并被管芯接合，并在各发光元件的两侧且与各发光元件交替的位置配设反射板，进而，该两反射板的对置面倾斜，以使得随着向各发光元件的出射方向推移而开口面积变大，由此能谋求整体的小型化以及薄型化，能得到高亮度且亮度不均匀少的线状光。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：JP特开2004-235139号公报
但在专利文献1的线状光源装置中，对于对近年的背光灯的小型化、薄型化的要求而言，不能说足够。另外，这样的线状光源装置随着成为薄型而制造变得困难。
发明内容
本发明鉴于上述课题而提出，目的在于，提供能容易制造薄型的线状发光装置的制造方法和薄型的线状发光装置。
为此，本发明的1个实施方式是线状发光装置的制造方法，准备透光性构件，该透光性构件在俯视观察下有长边方向和短边方向，短边方向的长度与线状发光装置的发光面的短边方向的长度等同，在透光性构件上隔着透光性粘结剂在透光性构件的长边方向并排搭载多个发光元件，形成将多个发光元件的侧面和透光性粘结剂被覆的光反射性构件。
另外，本发明的1个实施方式是线状发光装置，具备：俯视观察下有长边方向和短边方向的多个发光元件；俯视观察下有长边方向和短边方向的透光性构件；将发光元件和透光性构件粘结的透光性粘结剂；和将发光元件的侧面和透光性粘结剂被覆的光反射性构件，多个发光元件的长边方向和透光性构件的长边方向一致地并排配置，透光性粘结剂配置于相邻的多个发光元件的侧面之间。
发明的效果
由此能容易地制造薄型的线状发光装置。
附图说明
图1A是实施方式所涉及的线状发光装置的概略立体图。
图1B是实施方式所涉及的线状发光装置的概略立体图。
图2A是实施方式所涉及的线状发光装置的概略俯视图。
图2B是实施方式所涉及的线状发光装置的概略底视图。
图2C是实施方式所涉及的线状发光装置的概略截面图。
图3A是实施方式所涉及的透光性构件的基材的概略俯视图。
图3B是实施方式所涉及的透光性构件的概略俯视图。
图4是说明实施方式所涉及的线状发光装置的制造方法的1个工序的概略截面图。
图5是说明实施方式所涉及的透线状发光装置的制造方法的1个工序的概略截面图。
图6A是说明实施方式所涉及的线状发光装置的制造方法的1个工序的概略截面图。
图6B是图6A的B-B线的概略截面图。
图7A是说明实施方式所涉及的线状发光装置的制造方法的1个工序的概略截面图。
图7B是图7A的C-C线的概略截面图。
图8A是说明实施方式所涉及的线状发光装置的制造方法的1个工序的概略截面图。
图8B是图8A的D-D线的概略截面图。
图9A是说明实施方式所涉及的线状发光装置的制造方法的1个工序的概略截面图。
图9B是图9A的E-E线的概略截面图。
图10A是说明实施方式所涉及的线状发光装置的制造方法的1个工序的概略截面图。
图10B是图10A的E-E线的概略截面图。
图11是说明实施方式所涉及的线状发光装置的制造方法的1个工序的概略截面图。
图12是说明实施方式所涉及的线状发光装置的制造方法的1个工序的概略截面图。
图13A是实施方式所涉及的发光元件的概略俯视图。
图13B是实施方式所涉及的透光性构件的概略底视图。
图13C是实施方式所涉及的透光性构件的概略截面图。
图14是利用了实施方式所涉及的线状发光装置的照明装置的概略截面图。
标号的说明
1 透光性构件
1a 透光性构件的第1层
1b 透光性构件的第2层
11 透光性构件的基材
11a 透光性构件的基材的第1层
11b 透光性构件的基材的第2层
11c 透光性构件的基材的端材
2 发光元件
2a 第1电极
2b 第2电极
2c 半导体层叠体
2d 元件基板
3 透光性粘结剂
31 液状树脂材料
4 光反射性构件
41 光反射性构件的基材
50 支撑体
50a 粘着层
100 线状发光装置
100w 线状发光装置的发光面
200 照明装置(背光灯装置)
具体实施方式
以下适宜参考附图来说明发明的实施方式。但以下说明的发光装置是用于将本发明的技术思想具体化的示例，只要没有特定的记载，本发明并不限定于以下的示例。另外，1个实施方式、实施例中说明的内容也能适用于其他实施方式、实施例。各图面所示的构件的大小、纵横比或位置关系等是为了使说明明确或容易，有时会有夸张或省略。
在本说明书中，所谓薄型化，是指在发光装置的取出发光侧的面有长边方向和短边方向的线状发光装置中，缩短短边方向的长度，所谓薄型的线状发光装置，是指该短边方向的长度短的线状发光装置。
在本说明书中，所谓光取出侧的面，是指在各构件中，配置于在设为线状发光装置时进行发光的面侧的面。
本发明的1个实施方式是线状发光装置的制造方法，准备透光性构件，该透光性构件在俯视观察下有长边方向和短边方向，短边方向的长度与线状发光装置的发光面的短边方向的长度相同，在透光性构件上隔着透光性粘结剂在透光性构件的长边方向并排搭载多个发光元件，形成将多个发光元件的侧面和透光性粘结剂被覆的光反射性构件。
如此，通过预先使用成形为具有长边方向和短边方向的形状的透光性构件作为发光装置的发光面，能提高发光面的位置和形状的精度。另外，通过在透光性构件上用透光性粘结剂搭载多个发光元件，即使减小成为发光面的透光性构件的宽度，也能高精度地进行与发光元件的对位。由此能制造薄型的发光装置。
第1实施方式
在图1A到图2C示出用第1实施方式的制造方法制造的线状发光装置100。具备：俯视观察下有长边方向和短边方向的多个发光元件2；俯视观察下有长边方向和短边方向的透光性构件1；将发光元件2和透光性构件1粘结的透光性粘结剂3；将发光元件2的侧面和透光性粘结剂3被覆的光反射性构件4，多个发光元件2的长边方向和透光性构件1的长边方向并排配置得一致，透光性粘结剂3配置于相邻的多个发光元件2的侧面之间。
近年来，在具备发光装置被用作背光灯装置的光源的显示器的电子设备中，为了加大显示部相对于具备显示部的面的大小的比例，显示器面板的变窄化(面板内的画面有效区的扩大)的要求不断提高。另一方面，在作为使用作背光灯装置的光源的发光装置而利用在发光装置内并排多个发光元件的装置的情况下，从发光装置出射的光具有强度以及色彩的角度依赖性，因此在发光装置附近，明亮度以及色调的不均匀大，不适于作为显示部。为此，不能将从发光装置起的一定距离作为显示部使用，有难以扩大显示部的问题。
但通过上述那样的构成，从多个发光元件2出射的光在配置于发光元件2之间的透光性粘结剂3内被均匀化，在此基础上入光到透光性构件1，从透光性构件1的表面大致均匀地被出射。由此，由于能减低从线状发光装置100出射的光的强度或色彩的角度依赖性，因此能将这样的线状发光装置100配置在背光灯装置的导光板附近。由此缩窄了背光灯装置的框部，能扩大背光灯装置的显示部。由此，具备本实施方式的线状发光装置100的显示器有被扩大的显示部。
以下详述本实施方式的线状发光装置100的制造方法。
1.透光性构件的准备
首先准备透光性构件，其在俯视观察下有长边方向和短边方向，短边方向的长度与线状发光装置100的发光面的短边方向的长度等同。进行准备以使得透光性构件的任意的面的短边方向的长度与线状发光装置的发光面的短边方向的长度等同。将该面用作线状发光装置的发光面。在本实施方式中，与支撑体面对的光取出面侧的面的短边方向的长度形成得与线状发光装置的发光面的短边方向的长度大致等同。
在本实施方式中，如以下所述那样，在将透光性构件的基材搭载于支撑体后进行切断，来形成多个透光性构件，由此进行俯视观察下有长边方向和短边方向的透光性构件的准备。
在本说明书中，所谓透光性构件的面的短边方向的长度与线状发光装置的发光面的短边方向的长度等同，是指线状发光装置的发光面的短边方向的长度与透光性构件的短边方向的长度之差是发光面的短边方向的长度的正负10％程度以内。
1-1.透光性构件的基材的成形
首先如图3A、图4所示那样形成薄片状的透光性构件的基材11。能通过在将例如液状的树脂和根据需要混合了荧光体的材料进行涂抹、压缩成型、传递模塑成型、注射成型、旋涂、印刷、灌封的、以电泳沉积等形成为大致均匀的厚度的荧光体中浸透树脂来进行薄片状的透光性构件的基材11的形成。
1-2.透光性构件的基材向支撑体的搭载
接下来如图5所示那样，将形成为薄片状的透光性构件的基材11向支撑体50搭载。在本实施方式中，将透光性构件的基材11的光取出侧的面粘贴到在上表面具备粘着层50a的支撑体。作为支撑体50，能使用树脂薄膜、金属板、树脂板、陶瓷板等的单体或复合体。不管在将哪种材料使用作支撑体的情况下，都优选在支撑体50的一面具有粘着层，进一步优选具有以紫外线硬化的粘着层。通过使用这样的粘着层50a，能将透光性构件的基材11或准备的透光性构件1稳定地保持在支撑体50。进而，由于在以后的工序中经历树脂的硬化等热履历，因此更优选具有耐热性。另外，也可以通过在支撑体50上形成透光性构件的基材11来进行透光性构件的基材11向支撑体50的搭载。
1-3.透光性构件的基材的切断
接下来如图3B、图6A、图6B所示那样，在将透光性构件的基材11搭载于支撑体50的状态下进行切断，形成多个俯视观察下有长边方向和短边方向的透光性构件1。
在透光性构件的基材11的切断中能够使用例如切割(ダイシング)、汤姆逊加工、超声波加工、激光加工等方法。特别为了后述的直线前进性卓越并使相邻的透光性构件1分开而形成，优选切割。
该切断工序由于实质划定了线状发光装置的发光面100w的形状、特别是俯视观察下长边方向的边(图2A中的L4的边)的形状，因此优选用直线前进性卓越的方法进行切断。在不能确保这样的直线前进性的情况下，线状发光装置100的发光面100w的形状有可能不会成为所期望的形状。另外，在由后述的光反射性构件4被覆透光性构件1的侧面(图2C中的1z)的情况下，由于这样的透光性构件1的形状的偏差而光反射性构件4的厚度的控制变得困难，有可能不能由光反射性构件4充分地控制发光方向，亮度或向导光板的入光效率等线状发光装置100的特性降低。
透光性构件1的长边方向的边的直线性的精度根据覆盖透光性构件1的侧面的光反射性构件4的厚度而要求的程度不同。特别由于为了得到输出高、薄型的线状发光装置100，需要加大成为发光面的透光性构件的短边方向的长度(图2A中的L5的边)且减小光反射性构件4的厚度，因此在线状发光装置100的长度整体中需要在有高的直线性的状态下进行切断来形成透光性构件1。具体地，在发光装置100的侧面1z的整体中，优选光反射构件具有能设置20μm～100μm程度、更佳为50μm程度的直线性。
另外，在本说明书中，所谓某构件的直线性高，是指在某构件的给定的一边，穿过位于构件最内周的部分与给定的一边平行的假想线与位于构件的最外周的部分的距离小。
在本说明书中，所谓切断的直线前进性高，是说以直线性高的状态进行切断。
另外，在切断透光性构件的基材11时，将透光性构件的基材11的一部分除去那样进行切断，使相邻的透光性构件1在分开的状态下形成，从而能在透光性构件1的侧面设置用于形成光反射性构件4的空间。由此，即使不如后述那样进行透光性构件1的移载、薄片的扩展等，也能设置用于形成光反射性构件4的空间。这能用切割等的产生切分余量(切りしろ)的切断方法来实现。该分开的宽度是要是适应设置的光反射性构件4的厚度或光反射性构件4的切断方法等的程度即可，例如优选10～300μm程度，更优选100～200μm程度。由此能确保光反射性构件4的厚度并实现线状发光装置100薄型。
在该透光性构件1的切断时，也可以如图3B所示那样做出透光性构件1的端材11c。透光性构件的端材11c例如是作为透光性构件1而长度不足从而不能利用的部分、由于透光性构件的基材11的厚度不均匀等理由而不能作为透光性构件1利用的部分。该透光性构件的端材11c例如设置在相当于透光性构件的基材11的外周部的部分。该透光性构件的端材11c可以在透光性构件的切断的工序之后除去。另外，也可以不进行除去而留下，在该情况下，能削减伴随除去的作业，还能防止在除去的作业时碰到成形的透光性构件1等而在透光性构件1发生损坏、扭转(ねじれ)或弯曲。由此能容易地进行线状发光装置100的制造。
另外，透光性构件1的准备除了包含上述的切断的方法以外，还可以不进行切断而最初就形成为透光性构件1的形状，由此来进行。例如能用传递模塑、压缩成型、丝网印刷等方法进行。
透光性构件的基材可以是具有成为透光性构件的多个凸部和将多个凸部连接的基部的形状。这样的透光性构件的基材能通过在大致相同厚度的薄片状的透光性构件的基材形成槽来形成。由此，与在分离的状态下处置透光性构件的情况相比，能更容易地制造线状发光装置。
在该情况下，也可以通过在制造工序中除去透光性构件的基部，而仅将多个凸部用作透光性构件。在该情况下，凸部当中成为被除去基部而露出的面的部分形成为与发光装置的发光面等同的形状。
另外，透光性构件1也可以搭载发光元件2的第2面1y和与其相反侧的面、即成为线状发光装置的发光面的第1面1x的形状不同。例如，搭载发光元件2的第2面1y既可以小于成为发光面的第1面1x，也可以大于。有这样的形状的透光性构件例如能通过使本实施方式中切断透光性构件的基材11的刀的形状成为V字型或倒V字型来形成。
2.发光元件向透光性构件上的搭载
接下来，在透光性构件1上隔着透光性粘结剂3在透光性构件1的长边方向上并排搭载多个发光元件2。
在本说明书中，有时将透光性构件1的搭载有发光元件2的面称作上表面。
在本实施方式中，在将支撑体50上成形(切断)而准备的多个透光性构件1保持在支撑体50上不变的状态下，换言之，不将透光性构件1从支撑体50进行转印或移载等地在各个透光性构件1上搭载发光元件2。具有树脂特别是硅酮树脂作为母材的透光性构件1不仅柔软，还为了实现薄型的线状发光装置100而将成为发光面的透光性构件1形成为细长形状。这样的构件的转印或移载一般是困难的。特别是柔软细长的透光性构件1在进行转印或移载时有可能会发生扭转或弯曲。在这样的情况下，维持前述的透光性构件1的直线性变得非常困难。为此，优选将透光性构件1在支撑体50上切断，在切断中不从使用的支撑体50上进行移载或转印等，保持在同一支撑体50上不变地在透光性构件1上搭载发光元件2。
2-1.液状树脂材料的涂布
在本实施方式的发光元件2向透光性构件1上的搭载工序中，首先如图7A以及图7B所示那样，在透光性构件1的上表面涂布硬化后成为透光性粘结剂3的液状树脂材料31。
在涂布中能使用针转印、点胶(dispense)、印刷等方法。涂布的液状树脂材料31例如如图7A以及图7B所示那样，能在透光性构件1上设置成多个分离的岛状、一连串的线状等。
作为涂布量，只要是足以将发光元件2和透光性构件1粘结的涂布量即可，能配合透光性构件1、发光元件2的大小、数量以及谋求的粘结强度适宜调整。另外，优选在发光元件2的光取出侧的面与透光性构件1之间以外也配置透光性粘结剂3，以使得与发光元件2的侧面相接。由此从发光元件2的侧面取出光，能提升线状发光装置100的光取出效率。另外，优选如图2C所示那样，在相邻的发光元件2之间透光性粘结剂3连续地存在，即，形成为在发光元件2的侧面与相邻的发光元件2的侧面之间通过透光性粘结剂3相连的状态。由此，能使从多个发光元件2发出的光在透光性粘结剂3的内部均匀化。因而能减低从线状发光装置100出射的光的不均匀。由此，优选在相邻的发光元件2之间配置足够量的液状树脂材料31，使得透光性粘结剂100连续。
2-2.发光元件的配置
接下来如图8A以及图8B所示那样在液状树脂材料31上配置多个发光元件2。优选如图8B所示那样，发光元件的长边方向(图13A的L7的边)与透光性构件的长边方向一致地并排。发光元件彼此的间隔(图2C的S1)能设为10μm～1000μm程度，例如优选设为200μm～800μm，更优选设为500μm程度。另外，优选设为发光元件的长边方向的长度L7的0.5～1倍程度的距离。通过如此将发光元件彼此的间隔S1设为发光元件的长边方向的长度L7的0.5倍～1倍程度，能减少在1个线状发光装置100搭载的发光元件2的数量。由此能容易地制造线状发光装置100，并能减低材料成本。
在配置发光元件2时，优选在透光性构件1的俯视观察下的端部进行成为透光性粘结剂3的液状树脂材料31和发光元件2的定位。例如优选使透光性粘结剂3的端部与透光性构件1的长边方向的边的端部和一致。如此，通过在透光性构件1的长边方向的边使发光元件2自校准，能容易地将发光元件2在宽度窄的透光性构件1的上精度良好地搭载成列状。
透光性构件的短边方向的长度(图2A的L5)优选设为发光元件2的短边方向(图13A的L8)的长度的1～2倍程度，优选1.2～1.5倍程度。由此能在得到自校准效果的同时做出薄型的线状发光装置100。
2-3.液状树脂材料的硬化
接下来使液状树脂材料31通过热或紫外线等硬化，将透光性构件1和多个发光元件2粘结。这时，透光性粘结剂3优选形成为从与发光元件2的透光性构件1面对的光取出侧的面2x的相反侧的面即下表面2y侧扩展到透光性构件1侧的形状。由此能做出光取出效率高的线状发光装置100。
3.光反射性构件的形成
接下来如图9A、9B、10A以及10B所示那样形成将多个发光元件2的侧面和透光性粘结剂3被覆的光反射性构件4。光反射性构件4的形成也优选在与透光性构件1的切断中使用的支撑体50同一支撑体50上实施。由此抑制了透光性构件1的变形，在短边方向的宽度窄的线状发光装置100中也能以良好的精度形成光反射性构件。在本实施方式中，将粘结在支撑体50上的多个透光性构件1、分别搭载于其上的多个发光元件2和透光性粘结剂3总括地用1个光反射性构件4进行被覆。
光反射性构件4的形成能使用压缩成型、传递模塑成型、注射成型等金属模成形、印刷、灌封等方法。特别由于若光反射性构件4的树脂中含有的填料的浓度变高，流动性就会变差，因此压缩成型、传递模塑成型最适合。
光反射性构件4也可以设置得将多个发光元件2的侧面和透光性粘结剂3被覆，还可以设置得将多个发光元件2的侧面、透光性粘结剂3和透光性构件1的侧面被覆。
光反射性构件4也可以分多次形成。例如可以在搭载发光元件2前预先形成覆盖透光性构件1的侧面的光反射性构件，在搭载发光元件后形成将多个发光元件的侧面和透光性粘结剂被覆的光反射性构件。
在支撑体50上配置透光性构件的端材11c的情况下，能将其也总括地用光反射性构件4被覆。由此能固定透光性构件的端材11c，能容易地进行透光性构件的端材11c的废弃处理作业、后述的发光装置的单片化时的切断。
光反射性构件4可以成形为将多个发光元件2的一对电极2a、2b露出的形状，也可以在如图9A以及9B所示那样成形得将电极2a、2b电极被覆后，如图10A以及图10B所示那样进行磨削等，来成形为露出的形状。
5.线状发光装置的单片化
在本实施方式中，接下来切断并分离将多个透光性构件1、分别搭载于其上的多个发光元件2和透光性粘结剂3总括被覆的光反射性构件4，得到单片化的多个线状发光装置100。该切断和分离也优选如图11所示那样在前述的支撑体上实施。在该切断中能使用切割、汤姆逊加工、超声波加工、激光加工等方法。
另外，在单片化工序中，由于透光性构件1已经被光反射性构件4固定，因此前述的透光性构件1的变形所引起的直线性的降低难以成为问题。为此在该单片化时，也可以进行转印或移载。例如进行向不同的支撑体的转印，在使透光性构件1露出而能认识的状态下进行切断，由此能在确认透光性构件1的位置和光反射性构件4的厚度的同时进行切断。由此能稳定地制造线状发光装置100。
另外，在单片化工序中，也可以在沿着短边方向的方向上(即与长边方向相交的方向)切断透光性构件1。由此能制造种种长度的线状发光装置100。
之后如图12所示那样除去支撑体50。
如此能得到关于本实施方式的线状发光装置100。
以下说明适于实施方式的线状发光装置100的各构成构件的材料等。
透光性构件1
作为透光性构件1的母材，能使用透光性树脂、玻璃等。由于本实施方式的线状发光装置100非常细且成为长条，因此在线状发光装置100的制造工序内以及照明装置(背光灯装置)的组装工序内，有针对弯曲应力的强度变得非常弱的情况。为此，在使用由玻璃等无机物构成、易于破裂的透光性构件1的情况下，有可能会在线状发光装置100的制造工序中因施加于透光性构件1的力而容易地损坏。为了防止该问题，优选将有机物，特别是有某种程度的柔软性或挠性的树脂作为母材。
作为这样的树脂，例如能举出硅酮树脂、硅酮改性树脂、硅酮变性树脂、环氧树脂、酚醛树脂(フエノ一ル樹脂)、聚碳酸酯树脂、丙烯酸树脂、TPX树脂、聚降冰片烯树脂、或包含1种以上的这些树脂的混合树脂等。这当中优选硅酮树脂或环氧树脂，更优选特别耐光性、耐热性卓越的硅酮树脂。
在作为透光性构件使用玻璃或荧光体的烧结体的情况下，由于能减低透光性构件的劣化，因此能做出可靠性高的线状发光装置。这样的线状发光装置例如能优选用在车的前灯用光源等中。
优选在透光性构件1中包含荧光体。由此能得到变换来自发光元件的光的波长、进行各种色调特别是白色的发光的线状发光装置。荧光体能使用该领域公知的荧光体。例如能举出以铈激活的钇铝石榴石(YAG)系荧光体、以铈激活的镥铝石榴石(LAG)系荧光体、以铕以及/或者铬激活的含氮氧化铝硅酸钙(CaO-Al2O3-SiO2)系荧光体、以铕激活的硅酸盐((Sr，Ba)2SiO4)系荧光体、β硅铝氧氮陶瓷荧光体、KSF系荧光体(K2SiF6：Mn)、被称作量子点荧光体等的半导体的微粒子等。由此能做出出射可见波长的一次光以及二次光的混色光(例如白色系)的线状发光装置、被紫外光的一次光激发而出射可见波长的二次光的线状发光装置。在线状发光装置用在液晶显示器的背光灯等中的情况下，优选能使用被从发光元件发出的蓝色光激发、进行红色发光的荧光体(例如KSF系荧光体)和进行绿色发光的荧光体(例如β硅铝氧氮陶瓷荧光体)。由此能扩展利用线状发光装置100的显示器的颜色再现范围。在透光性构件1中含有KSF荧光体的情况下，通过在比含有KSF荧光体的部分更靠近发光面100w的位置设置不含KSF荧光体的层，从而能保护不耐水分等的KSF荧光体。
另外，荧光体并不限于在透光性构件1中含有，能设于线状发光装置100的各种位置以及构件中。例如也可以在不含荧光体的透明层上作为以涂布、粘结等层叠的荧光体层而设。另外，也可以设于透光性粘结剂3中。
透光性构件1也可以进一步包含填充件(例如扩散剂、着色剂等)。例如二氧化硅、氧化钛、氧化锆、氧化镁、碳酸镁、氢氧化镁、碳酸钙、氢氧化钙、硅酸钙、氧化锌、钛酸钡、氧化铝、氧化铁、氧化铬、氧化锰、玻璃、碳黑、荧光体的结晶或烧结体、荧光体与无机物的结合件的烧结体等。可以任意调整填充件的折射率。例如能举出1.8以上，为了有效率地散射光，得到高的光取出效率，优选为2以上，更优选为2.5以上。这当中，氧化钛由于相对于水分等比较稳定且高折射率，另外热传导性也卓越，因而优选。
填充件的粒子的形状可以是破碎状、球状、中空以及多孔质等的任意者。粒子的平均粒径(中位数直径)优选能以高的效率得到光散射效果的0.08～10μm程度。填充件例如优选相对于透光性构件1的重量为10～60重量％程度。
透光性构件的基材11的大小能根据透光性构件1的大小、制造装置等适宜决定。
透光性构件1的大小能通过线状发光装置100的大小适宜决定。
例如长边方向的长度L4能设为短边方向的长度L5的50～500倍、100～450倍程度。根据本实施方式的线状发光装置100的制造方法，在使用这样的长边方向的长度相对于短边方向的长度非常长的透光性构件的情况下，也能容易地制造。另外，通过使用具有这样的细长的发光面100w的线状发光装置100，与将多个发光装置大量安装的情况相比，能容易地制造照明装置(背光灯装置)。
长边方向的长度L4具体能设为2.5cm～13.6cm、4cm～10cm程度。由此，由于在1个背光灯装置仅安装1个发光装置即可，因此能容易地进行发光装置的安装以及背光灯装置的制造。
短边方向的长度L5具体能设为200～400μm，更优选设为200～300μm。由此能做出薄型的线状发光装置100。
透光性构件1的厚度会影响到线状发光装置100的高度(图1A的L3)，另一方面，若变薄则损坏的可能性高。另外，由于能含有的荧光体的量受到限制，因此适宜选择。另外，能举出优选10～300μm程度，更优选30～200μm程度。
透光性构件1或透光性构件的基材11可以设为单层，还能如图2C所示那样根据需要设为多个层的层叠结构。例如可以在含有荧光体的第1层上具有不含荧光体的保护层即第2层。另外，例如能在分开形成含有发出黄色光的荧光体的第1层和含有发出红色光的荧光体的第2层后进行贴合，依次得到2层结构的透光性构件的基材11。另外，还能在形成第1层后在其上再度用旋涂法等形成第2层，以此得到2层结构的透光性构件1。
在使用的荧光体是易于因水分等环境影响而引起劣化的材料的情况下，由于通过在透光性构件1的光取出侧的面侧设置不含荧光体的层来抑制外部空气与荧光体的接触，因此能抑制荧光体的劣化。另外，也可以在设于透光性构件的光取出面侧的部分设置包含填充件(例如扩散剂、着色剂等)的层。通过设置包含这样的填充件的层，能控制出射的光的配光，或者能改善颜色不均匀的均匀性。另外，还能通过用与母材相比热传导率更高的填充件改善热传导性来改善线状发光装置100的可靠性。
作为填充件，例如能举出二氧化硅、氧化钛、氧化锆、氧化镁、碳酸镁、氢氧化镁、碳酸钙、氢氧化钙、硅酸钙、氧化锌、钛酸钡、氧化铝、氧化铁、氧化铬、氧化锰、玻璃、碳黑、荧光体的结晶或烧结体、荧光体与无机物的结合件的烧结体等。填充件的材料优选选择有高的折射率的材料。例如能举出1.8以上，为了有效率地散射光，得到高的光取出效率，优选为2以上，更优选为2.5以上。这当中，氧化钛由于相对于水分等比较稳定且高折射率，另外热传导性也卓越，因而优选。
填充件的粒子的形状可以是破碎状、球状、中空以及多孔质等的任意者。粒子的平均粒径(中位数直径)优选能以高的效率得到光散射效果的0.08～10μm程度。填充件例如优选相对于透光性构件的重量为10～60重量％程度。
在透光性构件1最初由含有液状的树脂和粒子状的荧光体的液状材料制造的情况下，优选在透光性构件1中混合氧相二氧化硅(Aerosil，アエ口ジル)等微粒子的填料。由此对透光性构件1的材料赋予触变性而减低了荧光体的沉降，能形成荧光体均匀分散的透光性构件的基材11。
发光元件2
多个发光元件2搭载在1个透光性构件1上。
发光元件2的大小、形状、发光波长能适宜选择。在搭载多个发光元件2的情况下，其配置既可以不规则，也可以矩阵等规则地配置。由于减低了发光强度的不均匀和颜色不均匀，因此优选如图2C所示那样规则地配置，大致均等地设置发光元件的间隔S1。
多个发光元件2可以是串联、并联、串并联或并串联的任意的连接形态。如图1B所示那样，多个发光元件2在分别电分离的状态下制造，但也可以经由安装线状发光装置100的安装基板60电连接。另外，通过设置将不同的发光元件2的正负的电极2a、2b间连接的导电性的金属膜，能将多个发光元件2串联连接。
发光元件的长边方向的长度L7例如能设为200μm～1500μm程度。优选设为500μm～1200μm程度，更优选设为700μm～1100μm程度。
发光元件2的短边方向的长度L8例如能设为50μm～400μm程度。优选设为100μm～300μm程度。由此能搭载在薄型的线状发光装置100。
通过使用长边方向的长度L7为短边方向的长度L8的3倍、优选5倍以上程度的发光元件2，在制造长边方向的长度L1的长的线状发光装置100的情况下，抑制了发光元件2的个数的增加，能容易地进行制造。另外，通过使用长边方向的长度L7为短边方向的长度L8的3～6倍程度的发光元件2，减低了制造时发光元件2损坏的可能性，因此能容易地制造线状发光装置100的制造。
发光元件2的厚度L9例如优选设为80μm～200μm程度。由此，例如在线状发光装置100装入背光灯装置时使导光板的入光端面和发光面100w平行那样地安装线状发光装置100的情况下，能缩窄背光灯装置的框部的宽度。
如图13C所示那样，线状发光装置100中所用的发光元件2作为半导体层叠体2c按照第1半导体层(例如n型半导体层)、发光层、第2半导体层(例如p型半导体层)的顺序将它们层叠，在下表面即同一面侧(例如第2半导体层侧的面)具有与第1半导体层电连接的第1电极2a和与第2半导体层电连接的第2电极2b双方。半导体层叠体2c通常层叠在元件基板2d上，但作为发光元件2，既可以伴随元件基板2d，也可以没有元件基板2d。
第1半导体层、发光层以及第2半导体层的种类、材料并没有特别限定，例如能举出III-V族化合物半导体、II-VI族化合物半导体等各种半导体。具体地，能举出InXAlYGa1-X-YN(0≤X、0≤Y、X+Y≤1)等氮化物系的半导体材料，能使用InN、AlN、GaN、InGaN、AlGaN、InGaAlN等。各层的膜厚以及层结构能利用该领域公知的技术。
作为元件基板2d，能举出能使半导体层外延生长的生长用的基板。作为这样的元件基板2d的材料，能举出蓝宝石(Al2O3)、尖晶石(MgAl2O4)那样的绝缘性基板、上述的氮化物系的半导体基板等。通过作为半导体层的生长用的基板而使用蓝宝石基板那样有透光性的元件基板2d，从而不从半导体层叠体除去就能用在线状发光装置中。
元件基板2d可以在表面具有多个凸部或凹凸。另外，也可以是相对于C面、A面等给定的结晶面有0～10°程度的偏离角的基板。
元件基板2d也可以在与第1半导体层之间具有中间层、缓冲层、基底层等半导体层或绝缘层等。
半导体层叠体2c的俯视观察下的形状并没有特别限定，优选四角形或与其近似的形状。半导体层叠体2c的俯视观察下的大小能通过发光元件2的俯视观察下的大小适宜调整。
第1电极2a以及第2电极2b
第1电极2a以及第2电极2b设于发光元件2的下表面2y侧。优选形成在半导体层叠体2c的同一面侧(在存在元件基板2d的情况下是其相反侧的面)。由此能进行倒装芯片安装，使安装基板60的正负的连接端子与发光元件2的第1电极2a和第2电极2b对置并接合。
第1电极2a以及第2电极2b例如能由Au、Pt、Pd、Rh、Ni、W、Mo、Cr、Ti等金属、或它们的合金的单层膜或者层叠膜形成。具体地，能举出从半导体层侧起层叠为Ti/Rh/Au、W/Pt/Au、Rh/Pt/Au、W/Pt/Au、Ni/Pt/Au、Ti/Rh等的层叠膜。膜厚可以是在该领域使用的膜的膜厚的任意者。
另外，第1电极2a以及第2电极2b分别在靠近第1半导体层以及第2半导体层一侧配置对从发光层出射的光的反射率高于电极的其他材料的材料层，作为这些电极的一部分。
作为反射率高的材料，能举出具有银或银合金、铝的层。作为银合金，能使用该领域公知的材料的任意者。该材料层的厚度并没有特别限定，能举出能有效果地反射从发光元件2出射的光的厚度，例如20nm～1μm程度。该材料层与第1半导体层或第2半导体层的接触面积越大越优选。
另外，在使用银或银合金的情况下，为了防止银的迁移，优选形成将其表面(优选上表面以及端面)被覆的被覆层。作为这样的被覆层，通常只要是由用作导电材料的金属以及合金形成的层即可，例如能举出含有铝、铜、镍等金属的单层或层叠层。这当中优选使用AlCu。被覆层的厚度为了有效果地防止银的迁移而能举出数百nm～数μm程度。
第1电极2a以及第2电极2b只要分别与第1半导体层以及第2半导体层电连接，则也可以不是电极的整个面与半导体层接触，可以第1电极2a的一部分不位于第1半导体层上以及/或者第2电极2b的一部分不位于第2半导体层上。即，例如隔着绝缘膜等，第1电极2a可以配置在第2半导体层上，第2电极2b可以配置在第1半导体层上。由此，由于能容易地变更第1电极2a或第2电极2b的形状，因此能容易地安装线状发光装置100。
作为这里的绝缘膜，并没有特别限定，可以是该领域使用的绝缘膜的单层膜以及层叠膜的任意者。通过使用绝缘膜等，第1电极2a以及第2电极2b不管第1半导体层以及/或者第2半导体层的平面积如何，都能设定任意的大小以及位置。
关于第1电极2a以及第2电极2b的形状，在该情况下优选至少在与安装基板60连接的面，第1电极2a以及第2电极2b的平面形状大致相同。另外，优选如图13B所示那样进行配置，第1电极2a以及第2电极2b夹着半导体层叠体2c的中央部分而分别对置。
第1电极2a以及第2电极b的第1主面(与半导体层相反侧的面)可以有高低差，但优选大致平坦。这里的所谓平坦，是指从半导体层叠体2c的第2主面(与第1主面相反侧的面)到第1电极2a的第1主面的高度、与从半导体层叠体2c的第2主面到第2电极2b的第1主面的高度大致相同。这里的所谓大致相同，是指容许半导体层叠体2c的高度的±10％程度的变动。
如此，通过使第1电极2a以及第2电极2b的第1主面大致平坦、即实质将两者配置于同一面，从而如图14所示那样，将线状发光装置100接合在安装基板60等变得容易。为了形成这样的第1电极2a以及第2电极2b，例如在电极上以镀覆等设置金属膜，之后为了成为平坦而进行研磨或切削，从而实现。
也可以在第1电极2a以及第2电极2b与第1半导体层以及第2半导体层各自之间在不会阻碍两者的电连接的范围内配置DBR(分布布拉格反射器)层等。DBR例如是任意在由氧化膜等构成的基底层上层叠低折射率层和高折射率层的多层结构，选择性地反射给定的波长光。具体地，通过以波长的1/4的厚度交替层叠折射率不同的膜，从而能使给定的波长高效率地反射。作为材料，能包含从Si、Ti、Zr、Nb、Ta、Al所构成的群选择的至少一种氧化物或氮化物而形成。
透光性粘结剂3
在发光元件2向透光性构件1的搭载以及粘结中，优选使用透光性粘结剂3。
在透光性粘结剂3中优选使用透光性树脂，优选是最初为液状、通过硬化能粘结的材料。作为这样的透光性树脂，例如能优选使用硅酮树脂、硅酮改性树脂、环氧树脂、酚醛树脂等热硬化性树脂。透光性粘结剂3由于与透光性构件1、发光元件2的光取出侧的面以及侧面接触而设，因此在点亮时易于受到在发光元件2产生的热的影响。热硬化性树脂由于耐热性卓越，因此适于透光性粘结剂3。另外，透光性粘结剂3优选光的透过率高。
也可以在透光性粘结剂30中添加散射光的添加物。由此能使在发光元件2间出射的光在透光性粘结剂3内均匀化。为了调整透光性粘结剂3的折射率，或为了调整硬化前的透光性构件(液状树脂材料31)的粘度，也可以添加氧相二氧化硅等填料。由此能抑制透光性粘结剂3必要以上地流动，能稳定地在透光性构件1上搭载发光元件2。
线状发光装置100
线状发光装置100的大小例如在发光面100w与上述的透光性构件1的平面形状大致等同，在透光性构件1的周围设置有光反射性构件4的份量大。
线状发光装置100的高度L3例如优选设为300μm～700μm程度。由此，例如在线状发光装置100装入背光灯装置时使导光板的入光端面与发光面平行那样地安装线状发光装置100的情况下，能缩窄背光灯装置的框部的宽度。出于同样的理由，优选如图14所示那样，作为线状发光装置100的安装用电极而使用上述的发光元件2的电极2a、2b露出到线状发光装置100的外面的部分。另外，优选具有遍布发光元件2的电极2a、2b的表面和光反射性构件4的表面而设的薄的金属层。由此能谋求线状发光装置100的小型化、薄型化。
【实施例】
实施例1
首先，将硅酮树脂、YAG：Ce荧光体、相对于树脂为2wt％程度的氧相二氧化硅用离心搅拌脱泡装置混合。
接下来，在将得到的混合物涂布到氟树脂制的脱离膜上后，用刮刀(涂刷器，squegee)成形为厚度100μm的薄片状。将得到的薄片在120℃下预硬化1个小时。由此得到第1层。
接下来在硅酮树脂添加2wt％的氧相二氧化硅，并用离心搅拌脱泡装置混合。在将该得到的混合物涂布在氟树脂制的脱离膜上后，用刮刀成形为厚度50μm的薄片状，得到透明的薄片状的成为第2层的透明薄片状成形物。
将该第1层和第2层粘结。
如此地形成图4所示那样的透光性构件的基材11。
接下来如图5所示那样，将完成硬化的透光性构件的基材11粘贴在支撑体50的上表面，该支撑体50将两面有粘着层的耐热UV薄片50a和能透过UV光的耐冲击玻璃制粘结而构成。
接下来如图6A以及6B所示那样，将透光性构件的基材11用切割机切割成线状发光装置100的发光面100w的形状，得到俯视观察下的短边方向的长度L5约300μm、长边方向的长度L4约49500μm、厚度L6约150μm的多个透光性构件1。这时对刀片的厚度进行调整，使得光反射性构件4的切分余量的宽度与形成于切分余量的两侧的光反射性构件4的厚度的合计大致相等，由此确保最终得到的光反射性构件4的厚度(与透光性构件1的长边方向的边垂直的方向的宽度)。
接下来如图7A以及7B所示那样，通过点胶将包含2wt％氧相二氧化硅的硅酮树脂即液状树脂材料31在透光性构件1的上表面分离涂布在多个部位。
接下来如图8A以及8B所示那样，在透光性构件的上表面搭载多个发光元件2。发光元件2是图13A到C所示那样的具备构成光取出面的透光性的蓝宝石基板即元件基板2d、半导体层叠体2c和电极2a、2b的结构。发光元件2的俯视观察下的短边方向的长度L8为约200μm，长边方向的长度L7为约1000μm，厚度L9为约150μm。以约500μm的间隔搭载33个这样的发光元件2，使得元件基板2d和透光性构件的上表面1y对置。之后将液状树脂材料31硬化，并用透光性粘结剂3将发光元件2和透光性构件1粘结。这时，透光性粘结剂3配置于相邻的多个发光元件2的侧面之间，且在透光性构件1的短手侧的端部形成为从发光元件2的下表面2y侧扩展到透光性构件1侧的形状。
接下来，调和在硅酮树脂分别以相对于硅酮树脂的重量2wt％以及60wt％混合平均粒径14μm的二氧化硅和作为无机粒子的平均粒径0.3μm的氧化钛的光反射性构件的材料。
接下来如图9A以及9B所示那样，以利用金属模的压缩成型来成形将支撑体50的上表面、多个透光性构件1、透光性粘结剂3、搭载于其上的多个发光元件2总括被覆的光反射性构件4，并将其硬化。
接下来如图10A以及10B所示那样，从设有透光性构件1一侧的相反侧的面磨削光反射性构件4，来使发光元件的电极2a、2b露出。
接下来，以露出的电极2a、2b的位置为基准，通过切割来切断光反射性构件4，进行单片化。
最后，从支撑体50侧照射UV光，来降低耐热UV薄片50a的粘着层的粘着力。之后将线状发光装置100从UV薄片剥离。
用上述那样的方法，能得到俯视观察下的短边方向的长度L2约400μm、长边方向的长度L1约50000μm、高度L3约300μm的线状发光装置100。
实施例2
接下来说明实施例2。
首先与实施例2同样地得到包含荧光体的薄片状的荧光体含有薄片状成形物。作为荧光体，使用绿色发光的β硅铝氧氮陶瓷荧光体和红色发光的KSF荧光体。
接下来在硅酮树脂添加2wt％的氧相二氧化硅，并用离心搅拌脱泡装置混合。在将该得到的混合物涂布在氟树脂制的脱离膜上后，用刮刀成形为厚度150μm的薄片状，得到透明的薄片状的、透明薄片状成形物。
接下来，将这些薄片分别在120℃下预硬化1个小时。
接下来，使预硬化后的荧光体含有薄片状成形物和透明薄片状成形物在80℃下以0.5MPa的压力贴合。
接下来，将贴合的薄片在150℃下正式硬化8个小时。
如此得到具有荧光体含有薄片状成形物所构成的荧光体含有层和透明薄片状成形物所构成的透明层的透光性构件的基材。
与实施例1同样地，将透光性构件的基材贴附在有粘着层的支撑体。这时将透明层粘结到UV薄片。
接下来将透光性构件的基材切割成发光面的形状。另外，调整刀片的高度来设为透明层当中50μm未被切断的状态。换言之，将透光性构件切断成具有多个透明层的与支撑体相接一侧的一部分不分离而连续的状态的基部、和在该基部的上方分离的凸部的形状。由此能在接下来的成形工序中抑制因形成光反射性构件时的压力而透光性构件变形，或者光反射性构件进入到UV薄片与透光性构件之间。
接下来，与实施例1同样地进行发光元件的搭载、光反射性构件的形成、发光元件的电极的露出。
接下来从支撑体侧照射UV光来减弱粘着层的粘着力，将透光性构件的基材从支撑体剥离，转印到具备另外的UV薄片的支撑体。这时，进行转印，将支撑体和露出光反射性构件的发光元件的电极的面粘结。
接下来磨削透光性构件的基材，将透光性构件的基部、光反射性构件的一部分以及构成凸部的一部分的透明层的一部分除去。
接下来，以发光面的透光性构件的位置为基准，采用切割来切断光反射性构件。
接下来，从玻璃制的支撑材侧照射UV光来使粘着层硬化，将制品从支撑体剥离。
能用上述那样的方法容易地得到在透光性构件的发光面侧具备透明层的多个线状发光装置。
以上例示了本发明所涉及的几个实施方式以及实施例，但本发明并不限定于上述的实施方式以及实施例，只要不脱离本发明的要旨就为任意的情况，这点不言自明。

Claims (18)

1.一种线状发光装置的制造方法，
准备透光性构件，该透光性构件在俯视观察下有长边方向和短边方向，所述短边方向的长度与所述线状发光装置的发光面的短边方向的长度等同，
在所述透光性构件上隔着透光性粘结剂在所述透光性构件的长边方向上并排搭载多个发光元件，
形成将所述多个发光元件的侧面和所述透光性粘结剂被覆的光反射性构件。
2.根据权利要求1所述的线状发光装置的制造方法，其中，
在搭载所述发光元件的工序中，在所述透光性构件的俯视观察下的端部进行所述透光性粘结剂或所述发光元件的定位。
3.根据权利要求1或2所述的线状发光装置的制造方法，其中，
在准备所述透光性构件时，将透光性构件的基材搭载于支撑体并进行切断，得到俯视观察下有长边方向和短边方向的所述透光性构件。
4.根据权利要求3所述的线状发光装置的制造方法，其中，
在所述透光性构件在所述支撑体上成形后，在所述支撑体上进行将所述发光元件搭载于所述透光性构件上的工序以及形成所述光反射性构件的工序。
5.根据权利要求1～4中任一项所述的线状发光装置的制造方法，其中，
将所述透光性粘结剂设置为在所述多个发光元件之间连续。
6.根据权利要求1～5中任一项所述的线状发光装置的制造方法，其中，
所述透光性构件的母材是树脂。
7.根据权利要求1～6中任一项所述的线状发光装置的制造方法，其中，
所述透光性构件的长边方向的长度是所述透光性构件的短边方向的长度的50～500倍。
8.根据权利要求1～7中任一项所述的线状发光装置的制造方法，其中，
所述透光性构件的短边方向的长度是所述发光元件的短边方向的长度的1～2倍。
9.根据权利要求1～8中任一项所述的线状发光装置的制造方法，其中，
由所述光反射性构件被覆所述透光性构件的侧面。
10.根据权利要求1～9中任一项所述的线状发光装置的制造方法，其中，
准备多个所述透光性构件，形成所述光反射性构件以被覆所述多个透光性构件，将所述光反射性构件切断来得到多个所述线状发光装置。
11.一种线状发光装置，具备：
俯视观察下有长边方向和短边方向的多个发光元件；
俯视观察下有长边方向和短边方向的透光性构件；
将所述发光元件和所述透光性构件粘结的透光性粘结剂；和
将所述发光元件的侧面和所述透光性粘结剂被覆的光反射性构件，
所述多个发光元件的长边方向和所述透光性构件的长边方向一致地并排配置，所述透光性粘结剂配置于相邻的所述多个发光元件的侧面之间。
12.根据权利要求11所述的线状发光装置，其中，
所述透光性构件的长边方向的端部和所述透光性粘结剂的端部一致。
13.根据权利要求11或12所述的线状发光装置，其中，
所述透光性粘结剂是从所述发光元件的下表面侧扩展到所述透光性构件侧的形状。
14.根据权利要求13所述的线状发光装置，其中，
所述透光性粘结剂在所述透光性构件的短边侧的端部是从所述发光元件的下表面侧扩展到所述透光性构件侧的形状。
15.根据权利要求11～14中任一项所述的线状发光装置，其中，
所述透光性构件的母材是树脂。
16.根据权利要求11～15中任一项所述的线状发光装置，其中，
所述透光性构件的长边方向的长度是所述透光性构件的短边方向上的长度的50～500倍。
17.根据权利要求11～16中任一项所述的线状发光装置，其中，
所述透光性构件的短边方向的长度是所述发光元件的短边方向的长度的1～2倍。
18.根据权利要求11～17中任一项所述的线状发光装置，其中，
所述透光性构件的侧面被所述光反射性构件被覆。
CN201710903352.1A 2016-09-30 2017-09-28 线状发光装置的制造方法以及线状发光装置 Pending CN107887488A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2016-194501 2016-09-30
JP2016194501A JP6512201B2 (ja) 2016-09-30 2016-09-30 線状発光装置の製造方法及び線状発光装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN107887488A true CN107887488A (zh) 2018-04-06

Family

ID=60009462

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201710903352.1A Pending CN107887488A (zh) 2016-09-30 2017-09-28 线状发光装置的制造方法以及线状发光装置

Country Status (5)

Country Link
US (1) US10415801B2 (zh)
EP (1) EP3301718B1 (zh)
JP (1) JP6512201B2 (zh)
CN (1) CN107887488A (zh)
TW (1) TWI767942B (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20210305216A1 (en) * 2020-03-24 2021-09-30 Stanley Electric Co., Ltd. Light-emitting device

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102354871B1 (ko) 2016-12-21 2022-01-21 니치아 카가쿠 고교 가부시키가이샤 발광 장치의 제조 방법
DE102017128717B4 (de) * 2017-12-04 2023-03-09 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauteils
JP7259216B2 (ja) * 2018-06-04 2023-04-18 三菱ケミカル株式会社 偏光子保護フィルム
USD976466S1 (en) * 2019-12-31 2023-01-24 Dong Guan Jia Sheng Lighting Technology Co., Ltd. China Lamp with hanger assembly
JP7534210B2 (ja) 2020-12-22 2024-08-14 サンコール株式会社 紫外線ｌｅｄユニット
JP7381911B2 (ja) 2021-09-28 2023-11-16 日亜化学工業株式会社 光源及び発光モジュール

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103534822A (zh) * 2011-04-20 2014-01-22 株式会社Elm 发光装置及其制造方法
JP2014139979A (ja) * 2013-01-21 2014-07-31 Citizen Holdings Co Ltd Ｌｅｄ装置
CN104241510A (zh) * 2013-06-05 2014-12-24 日亚化学工业株式会社 发光装置
DE102015107864A1 (de) * 2014-05-19 2015-11-19 Epistar Corp. Optoelektronische Vorrichtung und Verfahren zu ihrer Herstellung
EP3012878A1 (en) * 2014-09-30 2016-04-27 Nichia Corporation Light emitting device and method for manufacturing thereof

Family Cites Families (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4144498B2 (ja) 2002-10-01 2008-09-03 松下電器産業株式会社 線状光源装置及びその製造方法、並びに、面発光装置
WO2005031883A1 (ja) 2003-09-29 2005-04-07 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. 線状光源装置及びその製造方法、並びに、面発光装置
KR20070096457A (ko) * 2006-03-24 2007-10-02 엘지전자 주식회사 광 파이프를 이용한 면 광원 장치, 이를 구비한 백라이트유닛 및 액정 표시 장치
JP2009239258A (ja) * 2008-03-05 2009-10-15 Panasonic Corp 光学デバイス及びその製造方法
CN101552311B (zh) 2008-04-03 2011-11-30 良峰塑胶机械股份有限公司 发光元件的封装制程
JP2010103034A (ja) * 2008-10-27 2010-05-06 Ushio Inc 線状光源装置
JP5326705B2 (ja) * 2009-03-17 2013-10-30 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP5572013B2 (ja) * 2010-06-16 2014-08-13 スタンレー電気株式会社 発光装置およびその製造方法
US8455907B2 (en) 2010-06-16 2013-06-04 Stanley Electric Co., Ltd. Semiconductor light emitting device having an optical plate including a meniscus control structure and method of manufacturing
US8581287B2 (en) 2011-01-24 2013-11-12 Stanley Electric Co., Ltd. Semiconductor light emitting device having a reflective material, wavelength converting layer and optical plate with rough and plane surface regions, and method of manufacturing
JP5718117B2 (ja) 2011-03-24 2015-05-13 スタンレー電気株式会社 発光装置及びその製造方法
JP5680472B2 (ja) * 2011-04-22 2015-03-04 シチズンホールディングス株式会社 半導体発光装置の製造方法
JP2013077679A (ja) * 2011-09-30 2013-04-25 Citizen Electronics Co Ltd 半導体発光装置とその製造方法
US8907362B2 (en) * 2012-01-24 2014-12-09 Cooledge Lighting Inc. Light-emitting dies incorporating wavelength-conversion materials and related methods
US20130240934A1 (en) * 2012-03-14 2013-09-19 Samsung Electronics Co., Ltd. Light emitting element package and method of manufacturing the same
JP2013197530A (ja) 2012-03-22 2013-09-30 Sharp Corp 光源、発光装置、バックライト用光源、表示装置、および光源の製造方法
US20140001948A1 (en) * 2012-06-29 2014-01-02 Nitto Denko Corporation Reflecting layer-phosphor layer-covered led, producing method thereof, led device, and producing method thereof
JP5995695B2 (ja) 2012-12-03 2016-09-21 シチズンホールディングス株式会社 Ｌｅｄ装置の製造方法
JP2015012212A (ja) * 2013-07-01 2015-01-19 株式会社ディスコ 発光チップ
JP5698808B2 (ja) * 2013-07-26 2015-04-08 スタンレー電気株式会社 半導体発光装置
JP6164038B2 (ja) * 2013-10-16 2017-07-19 豊田合成株式会社 発光装置
JP2015207754A (ja) * 2013-12-13 2015-11-19 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP6244906B2 (ja) * 2013-12-27 2017-12-13 日亜化学工業株式会社 半導体発光装置
JP2015149165A (ja) * 2014-02-05 2015-08-20 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 照明用光源及び照明装置
JP6477001B2 (ja) * 2014-03-14 2019-03-06 日亜化学工業株式会社 発光装置及び発光装置の製造方法
US9601668B2 (en) * 2014-10-28 2017-03-21 Nichia Corporation Light emitting device
JP6661964B2 (ja) * 2014-10-28 2020-03-11 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP6552190B2 (ja) * 2014-12-11 2019-07-31 シチズン電子株式会社 発光装置及び発光装置の製造方法
JP6515515B2 (ja) * 2014-12-11 2019-05-22 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103534822A (zh) * 2011-04-20 2014-01-22 株式会社Elm 发光装置及其制造方法
JP2014139979A (ja) * 2013-01-21 2014-07-31 Citizen Holdings Co Ltd Ｌｅｄ装置
CN104241510A (zh) * 2013-06-05 2014-12-24 日亚化学工业株式会社 发光装置
DE102015107864A1 (de) * 2014-05-19 2015-11-19 Epistar Corp. Optoelektronische Vorrichtung und Verfahren zu ihrer Herstellung
EP3012878A1 (en) * 2014-09-30 2016-04-27 Nichia Corporation Light emitting device and method for manufacturing thereof

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20210305216A1 (en) * 2020-03-24 2021-09-30 Stanley Electric Co., Ltd. Light-emitting device
US11545473B2 (en) * 2020-03-24 2023-01-03 Stanley Electric Co., Ltd. Light-emitting device

Also Published As

Publication number Publication date
EP3301718B1 (en) 2023-12-06
TWI767942B (zh) 2022-06-21
EP3301718A1 (en) 2018-04-04
JP2018056514A (ja) 2018-04-05
US10415801B2 (en) 2019-09-17
JP6512201B2 (ja) 2019-05-15
US20180094796A1 (en) 2018-04-05
TW201819817A (zh) 2018-06-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US11056627B2 (en) Light emitting device
CN107887488A (zh) 线状发光装置的制造方法以及线状发光装置
CN108231974B (zh) 发光装置的制造方法
US9324925B2 (en) Light emitting device having a metal film extending from the first electrode
JP4956977B2 (ja) 発光装置
JP2016001735A (ja) 発光装置の製造方法
JP2019029478A (ja) 発光装置の製造方法
JP7093432B2 (ja) 半導体モジュール、表示装置、および半導体モジュールの製造方法
JP6566016B2 (ja) 発光装置の製造方法
JP2015012081A (ja) 発光装置及びその製造方法
JP2015228389A (ja) 光学的機能部材の製造方法、発光装置の製造方法及び発光装置
JP6460189B2 (ja) 発光装置及びその製造方法
JP6512258B2 (ja) 発光装置
JP5205773B2 (ja) 発光装置
JP6940784B2 (ja) 発光装置の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
RJ01 Rejection of invention patent application after publication
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20180406