CN113078179A - 电子装置 - Google Patents

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朱明辉
丁景隆
朱健慈
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Abstract

本申请提供一种电子装置，包括驱动基板、多个发光单元以及保护层，发光单元与驱动基板电性连接，保护层覆盖发光单元，且保护层具有小于或等于20MPa的杨氏模数(Young's modulus)。

Description

电子装置
技术领域
本申请是有关于一种电子装置，特别是有关于一种包含具有特定杨氏模数的保护层的电子装置。
背景技术
包含显示面板在内的电子产品，例如智能手机、平板电脑、笔记本电脑、显示器及电视等，已成为现代社会不可或缺的必需品。随着这种便携式电子产品的蓬勃发展，消费者对这些产品的品质、功能或价格抱有很高的期望。
虽然现存的包含显示面板的电子装置可大致满足它们原先预定的用途，但其仍未在各个方面皆彻底地符合期待。因此，发展出能够进一步改善这类电子装置的品质或效能的结构设计仍为目前业界致力研究的课题之一。
发明内容
根据本申请一些实施例，提供一种电子装置，包括驱动基板、多个发光单元以及保护层，发光单元与驱动基板电性连接，保护层覆盖发光单元，且保护层具有小于或等于20MPa的杨氏模数(Young's modulus)。
附图说明
为让本发明的上述目的、特征和优点能更明显易懂，以下结合附图对本发明的具体实施方式作详细说明，其中：
图1及图2显示根据本申请一些实施例中，电子装置的剖面结构示意图；
图3及图4显示根据本申请一些实施例中，电子装置的上视结构示意图；
图5至图12显示根据本申请一些实施例中，电子装置的剖面结构示意图。
图中元件标号说明：
10、20、30、40、50、60、70、80、90、100 电子装置；
102 驱动基板；
102t 顶表面；
200 发光单元；
202 半导体层；
202t 顶表面；
208 第一电极；
210 第二电极；
212 第一导电垫；
214 第二导电垫；
302 保护层；
302s 分离部分；
302p 含有波长转换粒子的保护层；
302t 顶表面；
304R 反射结构；
CS 弧状顶表面；
d 距离；
H1 高度；
H2 高度；
SL1 信号线；
SL2 信号线。
具体实施方式
以下针对本申请实施例的电子装置作详细说明。应了解的是，以下的叙述提供许多不同的实施例或例子，用以实施本申请一些实施例的不同态样。以下所述特定的元件及排列方式仅为简单清楚描述本申请一些实施例。当然，这些仅用以举例而非本申请的限定。此外，在不同实施例中可能使用类似及/或对应的标号标示类似及/或对应的元件，以清楚描述本申请。然而，这些类似及/或对应的标号的使用仅为了简单清楚地叙述本申请一些实施例，不代表所讨论的不同实施例及/或结构之间具有任何关联性。
应理解的是，附图的元件或装置可以本领域技术人员所熟知的各种形式存在。此外实施例中可能使用相对性用语，例如“较低”或“底部”或“较高”或“顶部”，以描述附图的一个元件对于另一元件的相对关系。可理解的是，如果将附图的装置翻转使其上下颠倒，则所叙述在“较低”侧的元件将会成为在“较高”侧的元件。本申请实施例可配合附图一并理解，本申请的附图亦被视为申请说明的一部分。应理解的是，本申请的附图并未按照比例绘制，事实上，可能任意的放大或缩小元件的尺寸以便清楚表现出本申请的特征。
再者，当述及一第一材料层位于一第二材料层上或之上时，包括第一材料层与第二材料层直接接触的情形，或者，其间亦可能间隔有一或更多其它材料层的情形，在此情形中，第一材料层与第二材料层之间可能不直接接触。
此外，应理解的是，虽然在此可使用用语“第一”、“第二”、“第三”等来叙述各种元件、组件、或部分，这些元件、组件或部分不应被这些用语限定。这些用语仅是用来区别不同的元件、组件、区域、层或部分。因此，以下讨论的一第一元件、组件、区域、层或部分可在不偏离本申请的教导的情况下被称为一第二元件、组件、区域、层或部分。
于文中，“约”、“实质上”的用语通常表示在一给定值或范围的10％内，或5％内、或3％之内、或2％之内、或1％之内、或0.5％之内。在此给定的数量为大约的数量，亦即在没有特定说明“约”、“实质上”的情况下，仍可隐含“约”、“实质上”的含义。此外，用语“范围介于第一数值及第二数值之间”表示所述范围包含第一数值、第二数值以及它们之间的其它数值。
除非另外定义，在此使用的全部用语(包含技术及科学用语)具有与本领域技术人员通常理解的相同涵义。能理解的是，这些用语例如在通常使用的字典中定义用语，应被解读成具有与相关技术及本申请的背景或上下文一致的意思，而不应以一理想化或过度正式的方式解读，除非在本申请实施例有特别定义。
根据本申请一些实施例，提供的电子装置包含具有特定性质(例如，杨氏模数)的保护层，该具有特定性质的保护层可有效阻隔水气或空气入侵而影响发光单元的效能，或可降低因基板与保护层的热膨胀系数差异而发生保护层与基板剥离或是发光单元受到挤压破坏等风险。根据本申请一些实施例，保护层可进一步包含设置于保护层中的波长转换粒子或反射结构，而可简化制程(例如，省略波长转换层或反射层的设置)、或可提升发光单元的色彩饱和度或发光效率。
根据本申请一些实施例，电子装置可包含显示装置、感测装置、或拼接装置，但不以此为限。电子装置可为可弯折或可挠式电子装置。电子装置可例如包含液晶(liquid-crystal)、发光二极管、荧光(fluorescence)、磷光(phosphor)、或其它合适的材料、或前述的任意排列组合，但不以此为限。拼接装置可例如为显示器拼接装置，但不以此为限。电子装置可为前述的任意排列组合，但不以此为限。应理解的是，下文将以显示装置为例来阐述本申请的电子装置，但本申请不以此为限。
请参照图1，图1显示根据本申请一些实施例中，电子装置10的剖面结构示意图。应理解的是，为了清楚说明，图中省略了电子装置10的部分元件，仅绘示电子装置10的背光模块结构。根据一些实施例，可添加额外特征于以下所述的电子装置10。根据另一些实施例，以下所述电子装置10的部分特征可以被取代或省略。
如图1所示，电子装置10可包含驱动基板102、多个发光单元200以及保护层302。在一些实施例中，发光单元200可设置于驱动基板102上并与驱动基板102电性连接。在一些实施例中，保护层302可设置于驱动基板102上并覆盖发光单元200。
以氮化镓(GaN)为基础的发光二极管(light-emitting diode，LED)是将LED芯片(LED Chip)经过封装制程而成，常作为显示面板的背光源。而板上芯片(chip on board，COB)封装为背光模块设计的一种架构型态，其是将LED芯片直接接合于基板之上。
根据一些实施例，发光单元200可以用板上芯片封装的方式设置于驱动基板102上，但不限于此。在一些实施例中，驱动基板102可为薄膜晶体管(thin-film transistor，TFT)基板，亦即，驱动基板102可采用有源式(active matrix)驱动电路。然而，在另一些实施例中，驱动基板102亦可采用无源式(passive matrix)驱动电路。在一些实施例中，驱动基板102可借由集成电路(integrated circuit，IC)或微芯片进行控制。在一些实施例中，驱动基板102可为印刷电路板(printed circuit board，PCB)。再者，驱动基板102可为可挠式基板或刚性基板。
在一些实施例中，驱动基板102可包含基板以及设置于基板之上或之中的电路元件(图未示)，例如可包含数据线、扫描线、导电垫、介电层、或其它线路等，但不限于此。在一些实施例中，前述基板的材料可包含玻璃、石英、蓝宝石(sapphire)、陶瓷、聚酰亚胺(polyimide，PI)、聚碳酸酯(polycarbonate，PC)、聚对苯二甲酸乙二酯(polyethyleneterephthalate，PET)、橡胶、玻璃纤维、其它合适的材料、或前述的组合，但不限于此。在一些实施例中，前述电路元件的材料可包含导电材料。在一些实施例中，导电材料可包含金属导电材料、透明导电材料、或前述的组合，但不限于此。举例而言，金属导电材料可包含铜(Cu)、铝(Al)、钨(W)、钛(Ti)、金(Au)、铂(Pt)、镍(Ni)、铜合金、铝合金、钨合金、钛合金、金合金、铂合金、镍合金、其它合适的导电材料、或前述的组合，但不限于此。透明导电材料可包含透明导电氧化物(transparent conductive oxide，TCO)。举例而言，透明导电氧化物可包含铟锡氧化物(indium tin oxide，ITO)、氧化锡(tin oxide，SnO)、氧化锌(zincoxide，ZnO)、氧化铟锌(indium zinc oxide，IZO)、氧化铟镓锌(indium gallium zincoxide，IGZO)、氧化铟锡锌(indium tin oxide，ITZO)、氧化锑锡(antimony tin oxide，ATO)、氧化锑锌(antimony zinc oxide，AZO)、其它适合的透明导电材料、或前述的组合，但不限于此。
在一些实施例中，发光单元200可包含发光二极管或LED芯片。在一些实施例中，发光二极管可例如包含有机发光二极管(organic light-emitting diode，OLED)、次毫米发光二极管(mini LED)、微发光二极管(micro LED)或量子点(quantum dot，QD)发光二极管(可例如为QLED或QDLED)。
具体而言，如图1所示，在一些实施例中，发光单元200可包含半导体层202，半导体层202内有p型半导体材料、n型半导体材料，以及量子阱结构(quantum well)。
在一些实施例中，前述n型半导体材料可包含掺杂四价原子的氮化镓(n-GaN)或磷化铝铟(n-AlInP)，前述p型半导体材料可包含掺杂二价原子的氮化镓(p-GaN)或磷化铝铟(p-AlInP)，但本申请不以此为限。此外，在一些实施例中，半导体层202包含的量子阱结构，例如，可包含单量子阱(single quantum well，SQW)、多重量子阱(multiple quantumwell，MQW)、其它合适的结构、或前述的组合。在一些实施例中，半导体层202的材料可包含氮化镓、磷化铝铟(AlInP)、氮化铟镓(InGaN)、其它合适的材料、或前述的组合，但不限于此。
在一些实施例中，可借由外延成长制程(epitaxial growth process)形成半导体层202。例如，可使用金属有机化学气相沉积(metal organic chemical vapordeposition，MOCVD)制程、分子束外延(molecular beam epitaxy，MBE)制程、氢化物气相外延(hydride vapor phase epitaxy，HVPE)制程、液相外延(liquid phase epitaxy，LPE)制程、或其它合适的制程形成半导体层202，但本申请不以此为限。
此外，如图1所示，在一些实施例中，发光单元200可进一步包含第一电极208及第二电极210。根据一些实施例，第一电极208及第二电极210可作为发光单元200的n电极及p电极，但不限于此。在一些实施例中，第一电极208及第二电极210的材料可包含导电材料，例如可包含金属导电材料、透明导电材料、其它合适的材料或前述的组合，但不限于此。金属导电材料以及透明导电材料的种类可与前述电路元件的材料相似，于此便不再重复。
在一些实施例中，发光单元200的第一电极208及第二电极210可分别借由设置于驱动基板102上的第一导电垫212以及第二导电垫214与驱动基板102电性连接。在一些实施例中，第一导电垫212以及第二导电垫214可设置于驱动基板102的顶表面102t上。在一些实施例中，第一导电垫212以及第二导电垫214可与驱动基板102的驱动电路的数据线、扫描线、或其它电路电性连接。在一些实施例中，第一导电垫212以及第二导电垫214的材料可包含导电材料，例如可包含金属导电材料、透明导电材料、其它合适的材料或前述的组合，但不限于此。金属导电材料以及透明导电材料的种类可与前述电路元件的材料相似，于此便不再重复。
在一些实施例中，可借由化学气相沉积(chemical vapor deposition，CVD)制程、物理气相沉积(physical vapor deposition，PVD)制程、电镀制程、无电电镀制程、其它合适的制程、或前述的组合形成第一电极208、第二电极210、第一导电垫212以及第二导电垫214，但本申请不以此为限。所述化学气相沉积制程可包含低压化学气相沉积(LPCVD)制程、低温化学气相沉积(LTCVD)制程、快速升温化学气相沉积(RTCVD)制程、等离子辅助化学气相沉积(PECVD)制程、原子层沉积(atomic layer deposition，ALD)制程、或其它合适的制程。所述物理气相沉积制程可包含溅镀制程、蒸镀制程、脉冲激光沉积(pulsed laserdeposition，PLD)制程、或其它合适的制程。
应理解的是，图中仅示意性地绘示数个发光单元200，但根据本申请实施例，发光单元200的数量及排列并不以此为限。此外，应理解的是，虽然附图中所绘示的发光单元200为覆晶型(flip chip type)的发光二极管，然而本申请并不以此为限。根据一些实施例，发光单元200亦可为垂直芯片型(vertical chip type)的发光二极管。
如图1所示，在一些实施例中，保护层302可完整地覆盖发光单元200。再者，在一些实施例中，保护层302可连续性地(continuously)覆盖发光单元200。详细而言，在一些实施例中，保护层302可与驱动基板102的顶表面102t接触，且保护层302的顶表面302t可高于发光单元200的顶表面(例如，半导体层202的顶表面)。
值得注意的是，根据本申请一些实施例，保护层302可具有小于或等于20百万帕(MPa)的杨氏模数(即保护层302的杨氏模数≦20MPa)。在一些实施例中，保护层302的杨氏模数范围可介于0.02MPa与20MPa之间(即0.02MPa≦保护层302的杨氏模数≦20MPa)。此外，在一些实施例中，保护层302的杨氏模数可小于或等于驱动基板102的杨氏模数，但本申请不以此为限。
再者，在一些实施例中，保护层302可具有小于或等于50的热膨胀系数(thermalexpansion coefficient，CTE)(即保护层302的热膨胀系数≦50)。在一些实施例中，保护层302的热膨胀系数范围可介于0与50之间(即0≦保护层302的热膨胀系数≦50)。在一些实施例中，保护层302的热膨胀系数可与驱动基板102的热膨胀系数实质上相同，但本申请不以此为限。
值得注意的是，根据一些实施例，具有前述特定性质的保护层302可有效保护发光单元200，降低外界的水气或空气入侵而影响发光单元200的效能，或可降低因驱动基板102与保护层302的热膨胀系数差异而产生保护层302与驱动基板102剥离(例如，保护层302与驱动基板102从顶表面102t处剥离)或是发光单元200受到挤压而破裂等风险。
此外，在一些实施例中，保护层302的粘度(viscosity)范围可小于或等于2500厘泊(cP)(即保护层302的粘度≦2500cP)。在一些实施例中，保护层302的粘度范围可介于200cP与2500cP之间(即200cP≦保护层302的粘度≦2500cP)之间。
根据一些实施例，保护层302的粘度指的是保护层302于固化(curing)前所测量到的粘度。根据一些实施例，保护层302的杨氏模数以及热膨胀系数指的是保护层302于固化后所测量到的杨氏模数以及热膨胀系数。在一些实施例中，可借由本技术领域所已知的方式进行杨氏模数以及热膨胀系数的测量，例如，可借由美国ASTM标准ASTM D638等方式测量杨氏模数，可借由美国ASTM标准ASTM D696等方式测量热膨胀系数，但不限于此。
在一些实施例中，保护层302可包含丙烯酸树脂(acrylic resin)，例如聚甲基丙烯酸甲酯(polymethylmetacrylate，PMMA)、环氧树脂(epoxy resin)、聚氨酯(polyurethanes，PU)、聚硅氧(silicone)、聚对二甲苯(parylene)、聚四氟乙烯(polytetrafluoroethylene，PTFE)、其它合适的材料、或前述的组合，但不限于此。在一些实施例中，保护层302可包含三防胶(conformal coating)。
在一些实施例中，可借由化学气相沉积制程、涂布制程、印刷制程、其它合适的方法、或前述的组合形成保护层302，但本申请不以此为限。
此外，根据一些实施例，电子装置10可进一步包含多个波长转换粒子(图未示)，且波长转换粒子可混合(mixed)于保护层302中。在一些实施例中，波长转换粒子可将发光单元200产生的光线转换为特定波长范围(特定颜色)的光。
在一些实施例中，波长转换粒子可包含无机材料，包含荧光体(fluorescent)、磷光体(phosphor)、量子点(quantum dot，QD)材料，或是有机发光材料、其它合适的材料、或前述的组合，但本申请不限于此。在一些实施例中，波长转换粒子可包含将发光单元200产生的光源转换为红光、绿光、蓝光、或其它合适颜色的光的磷光体。再者，在一些实施例中，量子点材料可具有核心-外壳(core-shell)结构。核心结构的材料例如可包含硒化镉(CdSe)、碲化镉(CdTe)、硫化镉(CdS)、硫化锌(ZnS)、硒化锌(ZnSe)、氧化锌(ZnO)、碲化锌(ZnTe)、砷化铟(InAs)、磷化铟(InP)、磷化镓(GaP)、其它合适的材料、或前述的组合，但不限于此。外壳结构的材料例如可包含硫化锌(ZnS)、硒化锌(ZnSe)、氮化镓(GaN)、磷化镓(GaP)、其它合适的材料、或前述的组合，但本申请不限于此。
值得注意的是，根据一些实施例，由于波长转换粒子混合于保护层302中，因此不需要额外设置波长转换层于发光单元200上方，借此可简化电子装置10的制程。再者，混合于保护层302中的波长转换粒子可进一步改善发光单元200的色彩饱和度或波长转换效率，而提升电子装置10的整体光学性能。
接着，请参照图2，图2显示根据本申请另一些实施例中，电子装置20的剖面结构示意图。应理解的是，后文中与前文相同或相似的组件或元件将以相同或相似的标号表示，其材料、制造方法与功能皆与前文所述相同或相似，故此部分于后文中将不再赘述。
如图2所示，根据一些实施例，保护层302可包含多个分离部分302s，这些分离部分302s各自覆盖发光单元200的至少一者。换言之，在一些实施例中，保护层302可非连续性地(discontinuously)覆盖发光单元200。在一些实施例中，位于分离部分302s之间的驱动基板102的顶表面102t可被暴露出来。
具体而言，分离部分302s之间可相隔距离d。在一些实施例中，距离d的范围可介于20微米(μm)与300μm之间(即20μm≦距离d≦300μm)、或介于30μm与50μm之间(即30μm≦距离d≦50μm)，但本申请不以此为限。在不同的实施例中，可根据所需要的发光单元200排列方式或所需要呈现的视觉效果等需求，调整合适的距离d。
根据一些实施例，前述距离d指的是，在与驱动基板102的法线垂直的方向(例如图中所示的X方向)上，分离部分302s之间的最小距离。
此外，根据本申请实施例，可使用光学显微镜(optical microscopy，OM)、扫描式电子显微镜(scanning electron microscope，SEM)、薄膜厚度轮廓测量仪(α-step)、椭圆测厚仪、或其它合适的方式测量元件之间的距离、各元件的高度或宽度等。详细而言，在一些实施例中，可使用扫描式电子显微镜取得结构的任一剖面影像，并测量影像中的元件之间的距离、各元件的高度或宽度等。
应理解的是，虽然图2所示的实施例中，一个分离部分302s覆盖(或对应于)一个发光单元200，但根据另一些实施例，一个分离部分302s可覆盖(或对应于)多个发光单元200。
接着，请参照图3，图3显示根据本申请一些实施例中，如图1所示的电子装置10的上视结构示意图。应理解的是，图3中的电路图是用于示意性地说明电子装置10的等效电路关系，并非表示电子装置10中驱动电路与发光单元200以及保护层302的实际位置关系。
如图3所示，根据一些实施例，可分别借由电子装置10的信号线SL1以及信号线SL2独立控制各个发光单元200，且可根据实际需求调整各个发光单元200的开启/关闭状态以及开启时的发光强度等。在一些实施例中，信号线SL1以及信号线SL2可分别为驱动基板102的扫描线以及数据线，但不限于此。承前述，在一些实施例中，保护层302可连续性地覆盖发光单元200，亦即，保护层302可整面地涂布于发光单元200上。
请参照图4，在另一些实施例中，保护层302包含多个分离部分302s，且这些分离部分302s各自覆盖发光单元200的至少一者。图4显示根据本申请一些实施例中，如图2所示的电子装置20的上视结构示意图。应理解的是，图4中的电路图是用于示意性地说明电子装置20的等效电路关系，并非表示电子装置20中驱动电路与发光单元200以及保护层302的实际位置关系。
如图4所示，根据一些实施例，可分别借由电子装置20的信号线SL1以及信号线SL2独立控制各个发光单元200，且可根据实际需求调整各个发光单元200的开启/关闭状态以及开启时的发光强度等。在一些实施例中，信号线SL1以及信号线SL2可分别为驱动基板102的扫描线以及数据线，但不限于此。承前述，在一些实施例中，保护层302可非连续性地覆盖发光单元200，亦即，保护层302的分离部分302s可分开地或区域性地涂布于发光单元200上。
接着，请参照图5，图5显示根据本申请另一些实施例中，电子装置30的剖面结构示意图。如图5所示，根据一些实施例，保护层302要完整覆盖发光单元200。在一些实施例中，保护层302的顶表面302t至少略高于发光单元200的顶表面(例如，半导体层202的顶表面)。
接着，请参照图6，图6显示根据本申请另一些实施例中，电子装置40的剖面结构示意图。如图6所示，根据一些实施例，电子装置40可进一步包含反射结构304R，反射结构304R可邻近于发光单元200的至少一者。在一些实施例中，反射结构304R可设置于驱动基板102的顶表面102t上，并在相邻的发光单元200之间，且保护层302亦覆盖反射结构304R。根据一些实施例，反射结构304R可反射发光单元200所产生的光线，增加电子装置40的出光率。
在一些实施例中，反射结构304R可具有高反射率，例如，反射结构304R的反射率可大于90％。在一些实施例中，反射结构304R可包含多个反射粒子、反射涂层、其它合适的材料、或前述的组合。在一些实施例中，高反射率粒子以及高反射率涂层的材料可包含二氧化钛(TiO2)、二氧化锆(ZrO2)、铌掺杂的氧化钛(niobium-doped titanium oxide，TNO)、氧化锌(ZnO)、氮化硼(BN3)、其它合适的材料、或前述的组合，但本申请不限于此。
此外，在一些实施例中，反射结构304R可包含基质以及分散于基质中的高反射率粒子。在一些实施例中，前述基质的材料可包含丙烯酸树脂、环氧树脂、聚氨酯、聚硅氧、聚对二甲苯、聚四氟乙烯、玻璃糊(glass paste)、其它合适的基质材料、或前述的组合，但本申请不限于此。此外，在一些实施例中，反射结构304R可包含白色光阻。
在一些实施例中，反射结构304R的杨氏模数的范围可介于100MPa与1000MPa之间(即100MPa≦反射结构304R的杨氏模数≦1000MPa)。在一些实施例中，反射结构304R的杨氏模数可大于保护层302的杨氏模数，但本申请不限于此。
此外，在一些实施例中，反射结构304R的粘度可大于保护层302的粘度。在一些实施例中，反射结构304R的粘度指的是反射结构304R于固化前所测量到的粘度，其范围可介于2500cP与10000cP之间(即2500cP≦反射结构304R的粘度≦10000cP)。
在一些实施例中，可借由化学气相沉积制程、涂布制程、印刷制程、其它合适的方法、或前述的组合形成反射结构304R，但本申请不以此为限。
接着，请参照图7，图7显示根据本申请另一些实施例中，电子装置50的剖面结构示意图。如图7所示，根据一些实施例，电子装置50的保护层302可经图案化以成型不同的形状。例如，在一些实施例中，保护层302的分离部分302s可具有弧状顶表面CS。如图7所示，在一些实施例中，分离部分302s可具有类似半球的形状。在另一些实施例中，保护层302的分离部分302s可具有方块状、钟型、梯形体、不规则状、或其它任意合适的形状。
根据一些实施例，可调整保护层302的形状或轮廓(profile)，使发光单元200具有理想的发光光型表现，或是借此调整发光单元200的取光效率。
接着，请参照图8，图8显示根据本申请另一些实施例中，电子装置60的剖面结构示意图。如图8所示，根据一些实施例，电子装置60的反射结构304R可经图案化以具有不同的构型。在一些实施例中，反射结构304R设置于发光单元200之间，且反射结构304R的高度H2可大于发光单元200的高度H1。换言之，在一些实施例中，发光单元200可设置于反射结构304R所定义的凹陷(或容置空间)中，反射结构304R可将发光单元200彼此隔离开来。
根据一些实施例，高度H1指的是，于驱动基板102的法线方向(例如图中所示的Z方向)上，发光单元200的最大高度，例如，半导体层202的顶表面202t与驱动基板102的顶表面102t之间的最大距离。再者，根据一些实施例，高度H2指的是，于驱动基板102的法线方向(例如图中所示的Z方向)上，反射结构304R与驱动基板102的顶表面102t的最大距离。
在一些实施例中，保护层302的分离部分302s可填充于反射结构304R所定义出的凹陷中。在一些实施例中，保护层302的顶表面302t可与反射结构304R的顶部(未标示)实质上齐平。此外，如图8所示，在一些实施例中，反射结构304R可具有倾斜的侧壁，例如在平行驱动基板102的法线方向的剖面上可具有类似于三角形的形状，可提高光线的反射效率，但本申请不以此为限。在一些实施例中，反射结构304R可具有弧型的侧壁。根据本申请一些实施例，借由反射结构304R的设置，电子装置60中可不用设置反射片，而可省略发光单元200与反射片的组装或对位的制程。
接着，请参照图9，图9显示根据本申请另一些实施例中，电子装置70的剖面结构示意图。如图9所示，根据一些实施例，电子装置70可进一步包含混合有波长转换粒子的保护层302p，混合有波长转换粒子的保护层302p可设置于保护层302上。在此实施例中，由于保护层302上方设置了混合有波长转换粒子的保护层302p，因此，保护层302可不用混合波长转换粒子。
在一些实施例中，混合有波长转换粒子的保护层302p可与保护层302的顶表面302t及/或反射结构304R接触。在另一些实施例中，保护层302的高度可大于反射结构304R的高度，因此，混合有波长转换粒子的保护层302p可与保护层302的顶表面302t接触，但未与反射结构304R接触。
接着，请参照图10，图10显示根据本申请另一些实施例中，电子装置80的剖面结构示意图。如图10所示，根据一些实施例，电子装置80的反射结构304R在驱动基板102的法线方向的剖面上可具有类似于梯形的形状，可提升光线的反射效率，但本申请不以此为限。在一些实施例中，反射结构304R可具有弧型的侧壁。在另一些实施例中，反射结构304R可具有任意合适的构型，改善发光单元200的发光效率。
接着，请参照图11，图11显示根据本申请另一些实施例中，电子装置90的剖面结构示意图。如图11所示，根据一些实施例，电子装置90的反射结构304R在驱动基板102的法线方向的剖面上可具有类似于四角形的形状，可提升光线的反射效率，但本申请不以此为限。在一些实施例中，反射结构304R可具有弧型的侧壁。此外，在一些实施例中，反射结构304R的顶部(未标示)可未与保护层302的顶表面302t齐平。在一些实施例中，保护层302的顶表面302t可高于反射结构304R的顶部。
接着，请参照图12，图12显示根据本申请另一些实施例中，电子装置100的剖面结构示意图。如图12所示，根据一些实施例，电子装置100的保护层302的分离部分302s可具有弧状顶表面CS，且弧状顶表面CS可与反射结构304R相连。在一些实施例中，分离部分302s的弧状顶表面CS可突出于反射结构304R的顶部。
综上所述，根据本申请一些实施例，提供的电子装置包含具有特定杨氏模数范围的保护层，可有效阻隔水气或空气入侵，降低影响发光单元效能的风险，或可降低因基板与保护层的热膨胀系数差异而发生保护层与基板剥离或是发光单元受到挤压破坏等风险。根据本申请一些实施例，电子装置可进一步包含设置于保护层中的波长转换粒子或反射结构，可简化制程(省略波长转换层或反射层的设置)、或可提升发光单元的色彩饱和度或发光效率，改善电子装置的整体光学性能。
虽然本申请的实施例及其优点已公开如上，但应该了解的是，本领域技术人员在不脱离本申请的精神和范围内，当可作更动、替代与润饰。本申请实施例之间的特征只要不违背发明精神或相冲突，均可任意混合搭配使用。此外，本申请的保护范围并未局限于说明书内所述特定实施例中的制程、机器、制造、物质组成、装置、方法及步骤，本领域技术人员可从本申请揭示内容中理解现行或未来所发展出的制程、机器、制造、物质组成、装置、方法及步骤，只要可以在此处所述实施例中实施大抵相同功能或获得大抵相同结果皆可根据本申请使用。因此，本申请的保护范围包括上述制程、机器、制造、物质组成、装置、方法及步骤。本申请的保护范围当视所附的权利要求书所界定者为准。本申请的任一实施例或权利要求不须达成本申请所公开的全部目的、优点、特点。

Claims (10)

1.一种电子装置，其特征在于，包括：
一驱动基板；
多个发光单元，与所述驱动基板电性连接；以及
一保护层，覆盖所述多个发光单元；
其中所述保护层具有小于或等于20MPa的杨氏模数。
2.如权利要求1所述的电子装置，其特征在于，所述保护层完整地覆盖所述多个发光单元。
3.如权利要求1所述的电子装置，其特征在于，所述保护层部分地覆盖所述多个发光单元。
4.如权利要求1所述的电子装置，其特征在于，所述保护层包括丙烯酸树脂、环氧树脂、聚氨酯、聚硅氧、聚对二甲苯、聚四氟乙烯、或前述的组合。
5.如权利要求1所述的电子装置，其特征在于，保护层包括多个分离部分，所述多个分离部分各自覆盖所述多个发光单元的至少一者。
6.如权利要求1所述的电子装置，其特征在于，所述保护层连续性地覆盖所述多个发光单元。
7.如权利要求1所述的电子装置，其特征在于，更包括多个波长转换粒子，混合于所述保护层中。
8.如权利要求1所述的电子装置，其特征在于，更包括一反射结构，邻近于所述多个发光单元的至少一者。
9.如权利要求1所述的电子装置，其特征在于，所述驱动基板为一薄膜晶体管基板。
10.如权利要求1所述的电子装置，其特征在于，所述驱动基板为一印刷电路板。
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