CN110620108B - 显示装置 - Google Patents

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Abstract

一种显示装置，包含：基板、多条信号线、以及多个显示单元。上述信号线设置于基板上。上述信号线中的至少一者包含：主线、多条第一分支线、以及多条第二分支线，上述第一分支线电性连接至主线，以及上述第二分支线电性连接至主线。上述显示单元设置于基板上。上述显示单元中的至少一者包含：多个主接垫、多个备用接垫、以及电性连接至上述主接垫的发光装置。上述主接垫中的至少一者电性连接至上述第一分支线中的至少一者，以及上述备用接垫中的至少一者电性连接至上述第二分支线中的至少一者。

Description

显示装置
技术领域
本申请是有关于一种显示装置，特别是有关于一种在显示装置中的备用接垫的设计。
背景技术
包含显示面板在内的电子产品，如智能手机、平板电脑、笔记本电脑、显示器和电视，已成为现代社会不可或缺的必需品。随着这种便携式电子产品的蓬勃发展，消费者对这些产品的质量、功能和价格抱有很高的期望。下个世代的显示装置的发展将着重在节省能源及环境友善的技术上。
微型发光二极管(micro LED)技术是兴起的平板显示装置技术。微型发光二极管显示装置会驱动固定位置的微型发光二极管阵列。微型发光二极管显示装置可产生具有广视角(viewing angle)、高明亮度(brightness)、以及高对比度(high contrast)的无缝影像。然而，由于微型发光二极管的小尺寸，整合及封装的议题为将这些产品商业化的主要障碍。
现行的制造方法总体而言是在晶圆基板上形成微型发光二极管并切割成数个微型发光二极管管芯(例如微型发光管芯)，然后再将其转移至另一个目标基板(destinationsubstrate)。举例来说，会将驱动电路及相关电路形成在此目标基板以提供阵列基板(例如薄膜晶体管(thin-film transistor，TFT)阵列基板)，然后将这些微型发光二极管管芯安装至此阵列基板上。由于微型发光二极管管芯的小尺寸，这些微型发光二极管管芯与目标基板间的电性连接时常面临许多问题。举例来说，微型发光二极管管芯容易从目标基板脱落，因此微型发光二极管与目标基板间的电性连接的维护及维修是个需要注意的问题。
据此，期望能发展出一种可有效地维护及维修在小尺寸的电子元件之间的电性连接(例如微型发光二极管管芯与目标基板)的结构及方法。
发明内容
在一些实施例中，本申请提供一种显示装置，包含：基板、多条信号线、以及多个显示单元。上述信号线设置于基板上。上述信号线中的至少一者包含：主线、多条第一分支线、以及多条第二分支线，上述第一分支线电性连接至此主线，以及上述第二分支线电性连接至此主线。上述显示单元设置于基板上。上述显示单元中的至少一者包含：多个主接垫、多个备用接垫、以及电性连接至上述主接垫的发光装置。上述主接垫中的至少一者电性连接至上述第一分支线中的至少一者，以及上述备用接垫中的至少一者电性连接至上述第二分支线中的至少一者。
在一些实施例中，本申请提供一种显示装置，包含：基板、多条信号线、以及多个显示单元。上述信号线设置于基板上。上述信号线中的至少一者包含：主线、多条第一分支线、以及多条第二分支线，上述第一分支线电性连接至此主线，以及上述第二分支线电性连接至此主线。上述显示单元设置于基板上。上述显示单元中的至少一者包含：多个主接垫、多个备用接垫、以及电性连接至上述主接垫的第一发光装置。上述主接垫中的至少一者电性连接至上述第二分支线中的至少一者，以及上述备用接垫中的至少一者电性连接至上述第一分支线中的至少一者。
附图说明
为让本发明的上述目的、特征和优点能更明显易懂，以下结合附图对本发明的具体实施方式作详细说明，其中：
图1是根据本申请的一些实施例的显示装置的部分的示意图。
图2A是根据本申请的一些实施例的显示装置的部分的示意图。
图2B绘示出在图2A中的区域R的局部放大图。
图3是根据本申请的一些实施例的显示装置的部分的示意图。
图4是根据本申请的一些实施例的显示装置的部分的示意图。
图5是根据本申请的一些实施例的显示装置的部分的示意图。
图6A是根据本申请的一些实施例的显示装置的部分的示意图。
图6B是在图6A中的显示装置的上视图。
图7A是根据本申请的一些实施例的显示装置的部分的剖面示意图。
图7B是在图7A中的显示装置的上视图。
图7C是根据本申请的一些其他实施例的显示装置的部分的剖面示意图。
图8是根据本申请的一些实施例的显示装置的部分的上视图。
图9是根据本申请的一些实施例的显示装置的部分的示意图。
图10是根据本申请的一些实施例的显示装置的部分的示意图。
图11A是沿着图1中的线段A-A’的显示装置的剖面示意图。
图11B是在图1中的显示装置的部分的上视图。
图12是根据本申请的一些其他实施例的显示装置的部分的剖面示意图。
图13是根据本申请的一些其他实施例的显示装置的部分的剖面示意图。
图中元件标号说明：
10、20、30、40、50、60、70、80、90、500、600～显示装置
81、82～外部延伸线
102～第一基板
200、200’～显示单元
202A、204A、A1、A2～面积
202、202’～主接垫
204、204S～备用接垫
206、206a、206c、306～发光装置
206U～发光单元
208、208a、208c～中间基板
308～钝化层
310～连接层
312～金属线
502～第一半导体层
402～第二基板
404、404R、404G、404B～波长转换层
408～保护层
410～缓冲层
504～量子阱层
506～第二半导体层
508～第一电极
510～第二电极
512～第一绝缘层
514～第二绝缘层
516～第三绝缘层
518～连接层
520～连接柱
522～封装层
524～粘着层
602～连接垫
A-A’、B-B’～线段
BL1～第一分支线
BL2～第二分支线
d1～第一距离
d2～第二距离
d3～第三距离
d4～第四距离
d5～第五距离
d6～第六距离
L1～第一纵轴方向
L2～第二纵轴方向
ML～主线
P～像素区
p1、p2、p3～子像素
PB1～第一垂直平分线
PB2～第二垂直平分线
PB3～第三垂直平分线
PB4～第四垂直平分线
R、R’、L～区域
S～信号线
TP～转向部分
X、Y、Z～方向
θ～锐角
具体实施方式
以下针对本申请的显示装置作及其制造方法的详细说明。应了解的是，以下的叙述提供许多不同的实施例或例子，用以实施本申请的不同样态。为了透彻的理解本申请，在以下的详细说明中提出许多具体的细节及实施例。在以下的详细说明中所描述的具体元件及配置方式是为了清楚描述本申请。当然，这些仅用以举例而非本申请的限定。此外，为了清楚描述本申请，不同实施例的附图可使用相似及/或对应的元件符号来表示相似及/或对应的元件。然而，在不同实施例的附图中的相似及/或对应的元件符号的使用并不代表不同的实施例之间具有关联性。再者，当述及一第一膜层位于一第二膜层上或之上时，包括第一膜层与第二膜层直接接触的情形。或者，亦可能间隔有一或更多其它中间膜层的情形，在此情形中，第一膜层与第二膜层之间可能不直接接触。
必需了解的是，附图的元件或装置可以本领域技术人员所熟知的各种形式存在。此外，“一膜层叠加在另一膜层上”、“一膜层设置在另一膜层之上”、以及“一膜层设置在另一膜层上”的表达方式，可表示此膜层与上述另一膜层直接接触，或者此膜层与上述另一膜层并未直接接触，而具有一或更多膜层设置在此膜层与上述另一膜层之间。
此外，在此说明书中使用了相对性的用语，例如“较低”、“底部”、“较高”或“顶部”，以描述一个元件对于另一元件的相对关系。应理解的是，如果将附图的装置翻转使其上下颠倒，则所叙述在“较低”侧的元件将会成为在“较高”侧的元件。
应理解的是，虽然在此可使用用语“第一”、“第二”、“第三”等来叙述各种元件、组成成分、区域、层、部分、及/或区段，但这些元件、组成成分、区域、层、部分、及/或区段不应被这些用语限定。这些用语仅是用来区别不同的元件、组成成分、区域、层、部分、及/或区段。因此，以下讨论的第一元件、组成成分、区域、层、部分、及/或区段可在不偏离本申请的教导的情况下被称为第二元件、组成成分、区域、层、部分、及/或区段。
应理解的是，例示性的实施例的描述可配合附图一并理解，本申请的附图亦被视为申请说明的一部分。需了解的是，本申请的附图并未以实际的比例绘示。此外，附图中的结构及装置是以示意的方式绘示，以便清楚表现出本申请的特征。
“约”及“大抵”的用语通常表示在一给定值的20％之内，较佳是10％之内，且更佳是5％之内，或3％之内，或2％之内，或1％之内，或0.5％之内。在此给定的数量为大约的数量，亦即在没有特定说明“约”、“大约”、“大抵”的情况下，仍可隐含“约”或“大抵”的含义。
除非另外定义，在此使用的全部用语(包括技术及科学用语)具有与本领域技术人员所通常理解的相同涵义。应理解的是这些用语，例如在通常使用的字典中定义的用语，应被解读成具有与相关技术及本申请的背景或上下文一致的意思，而不应以理想化或过度正式的方式解读，除非在此特别定义。
另外，在本申请的一些实施例中，关于接合、连接的用语例如“连接”、“互连”等，除非特别定义，否则可指两个结构是直接接触，或者亦可指两个结构并非直接接触，其中有其它结构设于此两个结构之间。且此关于接合、连接的用语亦可包括两个结构都可移动，或者两个结构都固定的情况，除非另有明确说明。
另外，“纵轴方向(longitudinal direction)”的用语是定义为沿着或平行于物体的长轴的方向。长轴是定义为纵向地延伸穿过物体的中心的线。对于延长的或是长方形的物体来说，长轴纵向地对应了此物体最大尺寸的方向。对于不具有明确的长轴的物体来说，长轴是可包围此物体的最小长方形的长轴。
使用在本申请中的用语“主接垫(main pad)”及“备用接垫(redundant pad)”是可依据在发光单元中的发光装置的相对位置及不同状态而交换的。在一些情况中，“主接垫”是定义为与功能性发光装置的连接柱(connecting post)(将在图11A中详细描述)在Z方向具有较大重叠面积的接垫。另一方面，“备用接垫”是定义为与功能性发光装置的连接柱在Z方向具有较小重叠面积的接垫。在一些实施例中，备用接垫与连接柱的重叠面积可为零，亦即备用接垫与连接柱并未重叠。
另外，“功能性发光装置(functional light-emitting device)”一词意指可根据所接收到的不同信号而产生具有不同灰度标度(gray scale)影像的发光装置。另一方面，“功能性异常发光装置(dysfunctional light-emitting device)”一词意指当给出关闭信号时发光装置可能会闪烁或持续地发光。或者，“功能性异常发光装置”一词可以指具有不同于周围的发光装置的明亮度的发光装置。
本申请可应用于电子装置中。电子装置可包含显示装置、触控显示装置、或感测装置，但不限于此。举例来说，根据一些实施例，电子装置可以并置(juxtaposition)的方式排列以形成拼接电子装置(tiled electronic device)。显示装置可包含有机发光二极管(OLED)显示器、量子点(QLED)显示器、发光二极管显示器(例如微型发光二极管(microLED)或迷你发光二极管(mini LED))、或可挠式(flexible)显示器，但不限于此。
根据本申请的一些实施例，多个主接垫及多个备用接垫设置于显示装置的基板(例如目标基板)上。备用接垫可在主接垫与电子元件(例如发光装置)之间的电性连接功能异常或损坏的情况下作为备用的接垫。如此的配置可使得损坏的电子装置的维修或替换变得更有效。另外，根据本申请的一些实施例，对应至显示装置的子像素(subpixels)的多个管芯可在转移至目标基板之前一同封装在中间基板(intermediate substrate)上，使得可减少转移所需要的时间。
图1是根据本申请的一些实施例的显示装置10的部分的示意图。可理解的是，根据本申请的一些实施例可增加额外的部件至此显示装置。根据本申请的一些实施例，下述的一些部件可被取代或删除。另外，为了简明的目的，一些部件可能被简化或省略。
参照图1，显示装置10包含第一基板102及设置于第一基板102上的多条信号线S。另外，显示装置10包含设置于第一基板102上的多个显示单元200。第一基板102可为显示装置10的目标基板(例如阵列基板)。信号线S可提供信号来控制显示单元200。显示单元200也包含电性连接至信号线S的驱动元件(未绘示)。在一些实施例中，驱动元件可包含有源驱动元件，例如薄膜晶体管(thin-film transistor，TFT)。在一些其他实施例中，驱动元件可包含无源驱动元件。举例来说，集成电路(IC)或微型芯片(microchip)可透过接垫来控制驱动元件。
在一些实施例中，第一基板102的材料可包含玻璃、石英(quartz)、蓝宝石(sapphire)、聚碳酸酯(polycarbonate，PC)、聚酰亚胺(polyimide，PI)、聚对苯二甲酸乙二酯(polyethylene terephthalate，PET)、橡胶、玻璃纤维、其他高分子材料、任何其他适合的基板材料、或上述的组合，但不限于此。在一些实施例中，第一基板102可由金属-玻璃纤维复合板、金属-陶瓷纤维复合板、印刷电路板、或任何其他适合的材料所形成，但不以此为限。
根据本申请的一些实施例，信号线S可包含多条主线ML。可理解的是，实线及虚线是来表示设置在不同水平面(结构中的不同膜层)的主线ML。在一些实施例中，主线ML可为在第一基板102上的数据线或扫描线。具体而言，主线ML可提供不同种类的信号给显示单元200。例如，在一些实施例中，这些主线ML的其中三个可提供信号给显示单元200中的显示元件(例如在下文所描述的发光装置206)的p型电极，以及这些主线ML的其中一个可提供信号给显示元件的n型电极。在一些其他实施例中，这些主线ML的其中三个可提供信号给显示元件的n型电极，以及这些主线ML的其中一个可提供信号给显示元件的p型电极。在一些实施例中，这些主线ML的其中一个可提供信号以控制共同电极。另外，根据一些实施例，这些信号线S可更包含第一分支线BL1及第二分支线BL2。在一些实施例中，第一分支线BL1及第二分支线BL2各自电性连接至主线ML。换句话说，根据一些实施例，每条主线ML电性连接至至少一第一分支线BL1以及至少一第二分支线BL2。
在一些实施例中，主线ML、第一分支线BL1、以及第二分支线BL2各自是由导电材料所形成。用于形成主线ML、第一分支线BL1、以及第二分支线BL2的导电材料可包含铜(copper)、铝(aluminum)、钨(tungsten)、钛(titanium)、金(gold)、银(silver)、钼(molybdenum)、铜合金、铝合金、钨合金、钛合金、金合金、银合金、钼合金、任何其他适合的导电材料、或上述的组合，但不限于此。
另外，显示单元200可包含多个主接垫202、多个备用接垫204、以及电性连接至主接垫202的发光装置206。主接垫202可提供信号线S(例如主线或分支线)与发光装置206之间的电性连接。备用接垫204可在信号线S(例如主线ML或第一分支线BL1)与主接垫202之间或主接垫202与发光装置206之间的电性连接功能异常或损坏的情况下作为备用的接垫。在一些实施例中，主接垫202电性连接至第一分支线BL1，而备用接垫204电性连接至第二分支线BL2。更具体而言，主接垫202可借由第一分支线BL1电性连接至主线ML，而备用接垫204可借由第二分支线BL2电性连接至主线ML。在一些实施例中，在主接垫202与主线ML之间可设置一个以上的第一分支线BL1。在一些实施例中，在备用接垫204与主线ML之间可设置一个以上的第二分支线BL2。
如图1所示，根据一些实施例，由于第一分支线BL1与第二分支线BL2连接至设置在不同位置的主接垫202与备用接垫204，第一分支线BL1的长度可不同于第二分支线BL2的长度。在一些实施例中，第一分支线BL1及第二分支线BL2各自可包含一或多个转向部分TP。另外，根据一些实施例，主线ML的宽度可大于第一分支线BL1及第二分支线BL2的宽度。借此配置方式，可使得借由信号线所传递的信号品质更加稳定。
在一些实施例中，主接垫202与备用接垫204各自可由金属导电材料所形成。在一些实施例中，用于形成主接垫202与备用接垫204的金属导电材料可包含铜、铝、钼、钨、金、铬(chromium)、镍(nickel)、铜合金、铝合金、钼合金、钨合金、金合金、铬合金、镍合金、任何其他适合的金属材料、或前述的组合，但不限于此。在一些其他实施例中，主接垫202与备用接垫204各自可由透明导电材料所形成。在一些实施例中，用于形成主接垫202与备用接垫204的透明导电材料可包含氧化铟锡(indium tin oxide，ITO)、氧化锡(tin oxide，SnO)、氧化铟锌(indium zinc oxide，IZO)、氧化铟镓锌(indium gallium zinc oxide，IGZO)、氧化铟锡锌(indium tin zinc oxide，ITZO)、任何其他适合的透明导电材料、或前述的组合，但不限于此。另外，根据一些实施例，主接垫202与备用接垫204可由不同的材料所形成。在一些其他实施例中，主接垫202与备用接垫204可由相同的材料所形成。
在一些实施例中，主接垫202与备用接垫204可使用化学气相沉积(chemicalvapor deposition，CVD)、物理气相沉积(physical vapor deposition，PVD)、电镀(electroplating)制程、无电极电镀(electroless plating)制程、任何其他适合的制程、或前述的组合来形成。化学气相沉积(CVD)可包含低压化学气相沉积(low-pressurechemical vapor deposition，LPCVD)、低温化学气相沉积(low-temperature chemicalvapor deposition，LTCVD)、快速热化学气相沉积(rapid thermal chemical vapordeposition，RTCVD)、等离子增强化学气相沉积(plasma enhanced chemical vapordeposition，PECVD)、原子层沉积(atomic layer deposition，ALD)、或任何其他适合的方法，但不限于此。物理气相沉积(PVD)可包含溅镀(sputtering)、蒸镀(evaporation)、脉冲激光沉积(pulsed laser deposition，PLD)、或任何其他适合的方法，但不限于此。
另外，根据一些实施例，发光装置206可包含无几发光二极管装置(例如发光二极管管芯)。如图1所示，发光装置206具有三个发光二极管管芯。在一些实施例中，无机发光二极管装置可为迷你发光二极管装置或微型发光二极管装置。举例来说，迷你发光二极管管芯的剖面面积可具有在约100微米(micrometers，μm)至约200微米范围的长度，并且可具有在约100微米至约200微米范围的宽度。在一些实施例中，迷你发光二极管管芯可具有在约100微米x100微米x100微米至约200微米x200微米x200微米范围的尺寸。举例来说，微型发光二极管管芯的剖面面积可具有在约1微米(micrometers，μm)至约100微米范围的长度，并且可具有在约1微米至约100微米范围的宽度。在一些实施例中，微型发光二极管管芯可具有在约1微米x1微米x1微米至约100微米x100微米x100微米范围的尺寸。
在一些实施例中，发光装置206可由多个覆晶式(flip-chip)管芯所形成。在一些实施例中，这些覆晶式管芯可在转移至第一基板102之前，一同封装至中间基板208上。举例来说，根据一些实施例，可先将三个覆晶式管芯封装至中间基板208上，然后再一同转移至第一基板102。
在一些实施例中，发光装置206可对应至显示装置10中的像素区P。发光装置206的像素区P可包含一或多个用于发出适合的颜色的光的子像素。举例来说，在一些实施例中，发光装置206的像素区P可包含分别用来发出红光、绿光、及蓝光的子像素p1、子像素p2、及子像素p3。在一些实施例中，子像素p1、子像素p2、及子像素p3共用一个共同p型电极，并且此共同p型电极电性连接至一个主接垫202(即一条主线ML)，而子像素p1、子像素p2、及子像素p3的n型电极电性连接至三个不同的主接垫202(即三条主线ML)。在一些实施例中，子像素p1、子像素p2、及子像素p3共用一个共同n型电极，并且此共同n型电极电性连接至一个主接垫202(即一条主线ML)，而子像素p1、子像素p2、及子像素p3的p型电极电性连接至三个不同的主接垫202(即三条主线ML)。然而，可理解的是，根据一些其他实施例的需要，发光装置206可具有另外适合的数量的子像素及另外适合的电路配置。在一些实施例中，像素区P可定义为与显示单元200相同的区域。
可理解的是，在本申请中所描述的显示单元200可参照以下在各种情况的图2A-2B及图3等图中所绘示的定义。图2A是根据本申请的一些实施例的显示装置10的部分的示意图。可理解的是，为了简明的目的，在附图中省略了许多元件(例如信号线S、主接垫202、及备用接垫204等)。如图2A所示，显示装置10包含多个发光装置206。一些发光装置206是非移位的(non-dislocated)，以及一些发光装置206’是移位的(dislocated)。在此实施例中，随机选择具有约5x5个发光装置206、发光装置206’、或发光装置206与发光装置206’的组合(约为二十五个发光装置)的区域，并且选择区域R为包含3x3个非移位的发光装置206(九个发光装置)。
再参照图2B，图2B绘示出在图2A中的区域R的局部放大图。在图2B中为了清楚地绘示出发光装置206的相对位置，设置在区域R的中心的发光装置206标示为发光装置206c，以及设置在发光装置206c旁边的发光装置206标示为发光装置206a。具体来说，发光装置206c与每个发光装置206a间的最小距离定义为第一距离d1、第二距离d2、第三距离d3、及第四距离d4。举例来说，第一距离d1、第二距离d2、第三距离d3、及第四距离d4可分别定义为发光装置206c的中间基板208c与邻近的四个发光装置206a的中间基板208a的最小距离。第一距离d1、第二距离d2、第三距离d3、及第四距离d4可为彼此相同或彼此不同。另外，第一距离d1、第二距离d2、第三距离d3、及第四距离d4分别包含第一垂直平分线PB1、第二垂直平分线PB2、第三垂直平分线PB3、及第四垂直平分线PB4。在一些实施例中，第一距离d1、第二距离d2、第三距离d3、及第四距离d4可定义为发光装置206c的封装层(encapsulating layer)(例如图11A中所示)与发光装置206a的封装层之间的最小距离。
参照图2B。在大部分的发光装置206为非移位的实施例中，显示单元200可定义为设置在区域R的中心的发光装置206c与四个邻近的发光装置206a间的最小距离的垂直平分线所围绕的区域。举例来说，在此实施例中，第一距离d1的第一垂直平分线PB1、第二距离d2的第二垂直平分线PB2、第三距离d3的第三垂直平分线PB3、以及第四距离d4的第四垂直平分线PB4定义出显示单元200。
接着，图3是根据本申请的一些实施例的显示装置20的部分的示意图。值得注意的是，在上下文中相同或相似的元件是以相同或相似的元件符号来表示。相同或相似于上述的元件的材料、制程方法、及功能将不再赘述。如图3所示，显示装置20包含多个发光装置206。一些发光装置206是非移位的，而一些发光装置206是移位的(其标示为发光装置206’)。在此实施例中，随机选择具有约5x5个发光装置206的区域，接着选择包含3x3个大部分为非移位的发光装置206的区域R’。然而，在此实施例中，区域R’仍包含一些移位的发光装置206’。
在此实施例中，先定义出在区域R’中非移位的发光装置206的显示单元200。举例来说，以相似于在图2B中所描述的方式定义发光装置206c。发光装置206c设置于非移位的发光装置206a的旁边。之后，借由非移位的发光装置206c所定义的显示单元200的区域可偏移至邻近的发光装置206(包含非移位的发光装置206a及移位的发光装置206’)以定义其发光单元200。
在一些发光装置206是移位的以及一些发光装置206是非移位的实施例中，可先定义非移位的发光装置206的显示单元200。具体来说，显示单元200可定义为表示非移位的发光装置206c与四个邻近的非移位的发光装置206a间的最小距离的区段的垂直平分线所围绕的区域。然后，上述显示单元200的区域可偏移至设置在移位的主接垫202’上的发光装置206’，以定义移位的发光装置206’的显示单元200’。显示单元200’的区域不会重叠于先定义的显示单元200的区域。举例来说，在图3所示的实施例中，显示单元200可沿着X方向或Y方向偏移。
另外，根据本申请的一些实施例，显示单元200可表示为由主线ML(如图1所示)所围绕的区域。具体来说，显示单元200可定义为由电性连接至发光装置206的四条主线ML所围绕的区域。举例来说，此四条主线ML可包含提供信号给发光装置206的共同电极的一条主线ML，以及提供信号给发光装置206的其他三个电极的三条主线ML。换句话说，此四条主线ML可为提供信号给发光装置206的一个p型电极与三个n型电极，或一个n型电极与三个p型电极的主线。
接着，图4是根据本申请的一些实施例的显示装置30的部分的示意图。在图4中的显示装置30与在图1中的显示装置10的差异在于，在图4所示的实施例中第一分支线BL1部分重叠于第二分支线BL2。具体来说，在此实施例中，第一分支线BL1与第二分支线BL2可设置在不同的膜层上(例如对应于不同的金属层或在不同道制程中制造)，并且第一分支线BL1在区域L重叠于第二分支线BL2，其中区域L靠近第一分支线BL1接触主线ML的位置。第一分支线BL1与第二分支线BL2可彼此重叠，然后才分开以分别接触主接垫202与备用接垫204。在第一分支线BL1与第二分支线BL2可设置于同一膜层上(例如对应于相同的金属层或在同一道制程中制造)的其他实施例中，第一分支线BL1与第二分支线BL2可具有相同的连接处，其中此连接处靠近第一分支线BL1接触主线ML的位置。换句话说，第一分支线BL1与第二分支线BL2可在一开始共用相同的电路，然后才分开成二个电路以分别接触主接垫202与备用接垫204。
接着，图5是根据本申请的一些实施例的显示装置40的部分的示意图。在图5中的显示装置40与在图1中的显示装置10的差异在于，在图5所示的实施例中，在发光单元200中主接垫202的数量小于的备用接垫204的数量。如图5所示，显示装置40可包含一组以上的备用接垫204S(例如包含四个备用接垫204)，以防在备用接垫204与信号线S之间或备用接垫204与发光装置206之间的电性连接也损坏。举例来说，显示装置40包含三组备用接垫204S。在一些其他实施例中，显示装置40可视需要而包含二组、三组、四组、或其他适合的组数的备用接垫204S。
在此实施例中，显示装置40包含设置在原始的主接垫202上的非移位的发光装置206，以及设置在移位的主接垫202’(即原始的备用接垫204)上的移位的发光装置206’。在此实施例中，发光装置206曾设置在图5中所示的备用接垫204’上，但被移除并由设置在移位的主接垫202’上的新的发光装置(即移位的发光装置206’)所取代。在一些实施例中，发光装置206可能因为发光装置206与主接垫202之间不良的电性连接或发光装置206的功能异常而被移除。
根据一些实施例，由于显示装置可包含移位的发光装置206’，显示装置的像素区P的位置可能会变动，使得像素区P的中的节距(pitch)可能并非一致。在一些情况中，像素的移位将导致异常的显示。如图5所示，在一些实施例中，主接垫202’与备用接垫204’之间的最小距离定义为第五距离d5，以及在一个显示单元200中的主接垫202’与另一个显示单元200中的主接垫202之间的最小距离定义为第六距离d6。在一些实施例中，第五距离d5小于第六距离d6的一半。在一些实施例中，在发光装置206’中的主接垫202’与另一个发光装置206中的主接垫202之间的最小距离定义为在发光装置206’中的主接垫202’与另一个发光装置206中的主接垫202之间的最小垂直距离。如图5所示，主接垫202’具有靠近发光装置206的外部延伸线81。主接垫202具有靠近发光装置206’的外部延伸线82。上述最小距离或最小垂直距离可定义为外部延伸线81与外部延伸线82之间的距离。值得注意的是，可良好地控制主接垫202与备用接垫204之间的距离以及多个主接垫202之间的距离，因此即使发光装置移位，仍可维持显示装置所提供的影像品质。
接着，图6A是根据本申请的一些实施例的显示装置50的部分的示意图。如图6A所示，根据一些实施例，主接垫202的面积可不同于备用接垫204的面积。然而，根据一些其他实施例，主接垫202的面积可相同于备用接垫204的面积。在一些实施例中，主接垫202的面积可大同于备用接垫204的面积。更具体来说，图6B是显示装置50的上视图。值得注意的是，为了简明的目的而省略了的大部分的元件，并且将发光装置206的连接柱520(将在图11A中详细描述)绘示于图6B以解释主接垫202与备用接垫204的相对位置。如图6B所示，根据一些实施例，主接垫202的面积202A可大同于备用接垫204的面积204A。然而，主接垫202与备用接垫204的面积应足够大而可包含连接柱520。在一些实施例中，当主接垫202与备用接垫204沿着Z方向堆叠在一起则会具有重叠区域，可安装连接柱520在这些重叠区域上。
接着，图7A是根据本申请的一些实施例的显示装置60的部分的剖面示意图。显示装置60包含设置在第一基板102上的金属线312，以及设置在第一基板102及金属线312上的钝化层308。金属线312可为显示装置60的信号线之一。在此实施例中，备用接垫204设置在金属线312上。备用接垫204电性连接至金属线312。显示装置60更包含连接层310，其与备用接垫204及主接垫202电性连接。连接层310设置在备用接垫204及钝化层308之上。另外，连接层310设置于备用接垫204及主接垫202之间。在此实施例中，发光装置206可设置在主接垫202上。在一些实施例中，发光装置206可设置在由主接垫202所形成的凹陷中。在此实施例中，主接垫202设置在发光装置206的上层，而备用接垫204设置在发光装置206的下层。然而，在一些其他实施例中，备用接垫204可设置在发光装置206的上层，而主接垫202可设置在发光装置206的下层。
如图7A所示，根据一些实施例，主接垫202与备用接垫204可设置在显示装置60的结构中的不同膜层上。换句话说，主接垫202与备用接垫204可设置在不同的水平面上(例如图7A所示的在Z方向上的不同X-Y平面)。借由这样的配置，可节省显示单元中更多的空间。另外，图7B是在图7A中的显示装置60的上视图。可理解的是，在图7B中省略了除了主接垫202与备用接垫204以外的元件。如图7B所示，根据一些实施例，主接垫202可沿着Z方向部分重叠备用接垫204。在一些实施例中，Z方向可表示为第一基板102的法线方向。
接着，图7C是根据本申请的一些其他实施例的显示装置60的部分的剖面示意图。在一些实施例中，移除设置于图7A所示的主接垫202上的发光装置206，并设置一个新的发光装置在作为新的主接垫的备用接垫204的原始的位置上。如图7C所示，移位的发光装置206’设置在新定义的主接垫上，即移位的主接垫202’。在一些实施例中，移位的发光装置206’可设置在移位的主接垫202’所形成的凹陷中。在一些实施例中，当原始的发光装置206被移除，可能会损坏原始的主接垫202。然而，由于原始的备用接垫204(即移位的主接垫202’)保持完整，而其可作为用于电性连接的新的主接垫。
接着，图8是根据本申请的一些实施例的显示装置70的部分的上示图。如图8所示，根据一些实施例，可旋转备用接垫204，使得备用接垫204与主接垫202之间夹一锐角θ，具体来说，主接垫202可沿着第一纵轴方向L1延伸以及备用接垫204沿着第二纵轴方向L2延伸。在一些实施例中，第一纵轴方向L1与第二纵轴方向L2所夹的锐角在5度至85度或在约30度至约60度的范围。借由此配置方式，可减少主接垫202与备用接垫204的配置所需的面积。在一些实施例中，主接垫202与备用接垫204可设置在不同的水平面或不同的金属层上(如图7A所示)。在一些实施例中，主接垫202与备用接垫204可设置在相同的水平面或相同的金属层上。在一些实施例中，主接垫202与备用接垫204可由不同道制程所形成(例如不同的沉积制程或不同的光刻制程)。
如图8所示，根据一些实施例，当备用接垫204旋转时，发光装置206可设置在未旋转的主接垫202上。在一些实施例中，移除设置在未旋转的主接垫202上的发光装置206，并设置一个新的发光装置在作为新的主接垫的旋转的备用接垫204的原始的位置上。移位的发光装置206’设置在新定义的主接垫上，即旋转的移位的主接垫202’。
接着，图9是根据本申请的一些实施例的显示装置80的部分的示意图。如图9所示，显示装置80包含设置在显示单元200中的功能异常的发光装置206及移位的发光装置206’。在此实施例中，并未移除此功能异常的发光装置206而保留在第一基板102上，并设置新的发光装置在新定义的主接垫上，即移位的主接垫202’。移位的主接垫202’电性连接至第二分支线BL2，而移位的发光装置206’设置在移位的主接垫202’上。另外，如图9所示，截断原先电性连接至新定义的备用接垫204’(原始主接垫)的第一分支线BL1(在图9中表示为CT)。功能异常的发光装置206设置在备用接垫204’上。换句话说，功能异常的发光装置206并未电性连接至第一分支线BL1。在一些实施例中，可执行激光切割制程(laser cutting)来截断第一分支线BL1。
接着，图10是根据本申请的一些实施例的显示装置90的部分的示意图。如图10所示，根据一些实施例，发光装置可由单一的覆晶式管芯所形成。在一些实施例中，发光装置306的像素区P可具有一个子像素。根据一些实施例，设置在不同的显示单元200中的发光装置306可包含用于发出不同颜色的光线的像素。在此实施例中，由于发光装置306形成于单一的覆晶式管芯上，发光装置306可包含两个用于电性连接的连接柱520。因此，在此实施例中，显示装置200可包含设置在第一基板102上与第一分支线BL1电性连接的两个主接垫202。在一些其他实施例中，发光装置306可由垂直式(vertical-type)的管芯所形成。
接着，图11A是沿着图1中的线段A-A’的显示装置10的剖面示意图。可理解的是，为了简明的目的，图1中的一些元件(例如波长转换层及遮光层等)皆被省略，而这些元件将在下文中详细描述。如图11A所示，显示装置10可包含三个发光单元206U，并且每个发光单元206U可对应于显示单元200中的一个子像素。发光单元206U可包含第一基板102、设置在第一基板102上的发光装置206、以及设置在发光装置206上的波长转换层等元件。具体来说，发光装置206可包含第一半导体层502、第二半导体层506、及设置在第一半导体层502与第二半导体层506之间的量子阱(quantum well)层504。
在一些实施例中，第一半导体层502可由具有第一导电类型的掺质的三五族化合物(例如具有p型导电类型的氮化镓(p-GaN))所形成。在一些实施例中，量子阱层504可包含同质(homogeneous)界面、异质(heterogeneous)界面、单量子阱(single quantum well，SQW)、或多重量子阱(multiple quantum well，MQW)。量子阱层504的材料可包含氮化铟镓(indium gallium nitride)、氮化镓(gallium nitride)、或前述的组合，但不限于此。在一些实施例中，第二半导体层506可由具有不同于第一导电类型的第二导电类型的掺质的三五族化合物(例如具有n型导电类型的氮化镓(n-GaN))所形成。另外，上述的三五族化合物可包含氮化铟(indium nitride，InN)、氮化铝(aluminum nitride，AlN)、氮化铟镓(indiumgallium nitride，InGaN)、氮化铝镓(aluminum gallium nitride，AlGaN)、氮化铝镓铟(aluminum indium gallium nitride，AlGaInN)、或前述的组合，但不限于此。
在一些实施例中，第一半导体层502、量子阱层504、及第二半导体层506可借由外延成长制程(epitaxial growth process)来形成。举例来说，外延成长制程可包含有机金属化学气相沉积(metal organic chemical vapor deposition，MOCVD)、分子束外延(molecular beam epitaxy，MBE)、氢化物气相外延(hydride vapor phase epitaxy，HVPE)、液相外延(liquid phase epitaxy，LPE)、任何其他适合的制程、或上述的组合。
发光装置206可更包含第一电极508及第二电极510。第一电极508及第二电极510可作为发光装置206的n型电极及p型电极。在一些实施例中，第一电极508及第二电极510可由导电材料所形成。导电材料可包含铜、铝、钨、钛、金、银、钼、铂、镍、铜合金、铝合金、钨合金、钛合金、金合金、银合金、钼合金、铂合金、镍合金、任何其他适合的材料、或上述的组合，但不限于此。在一些实施例中，第一电极508及第二电极510可由化学气相沉积、物理气相沉积、电镀制程、无电极电镀制程、任何其他适合的制程、或前述的组合来形成。
另外，发光装置206可更包含第一绝缘层512、第二绝缘层514、及第三绝缘层516，以提供不同的元件间的电性绝缘。在一些实施例中，第一绝缘层512、第二绝缘层514、及第三绝缘层516可由绝缘材料所形成。绝缘材料可包含氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、任何其他适合的材料、或前述的组合，但不限于此。在一些实施例中，第一绝缘层512、第二绝缘层514、及第三绝缘层516可借由化学气相沉积或涂布来形成。
发光装置206也可包含连接层518及设置在第二电极510与主接垫220之间的连接柱520。连接层518及连接柱520可提供发光装置206与主接垫202之间的电性连接。另外，连接柱520可穿过封装层522以接触主接垫202。连接层518与连接柱520可由导电材料所形成。在一些实施例中，导电材料可包铜、铝、钼、钨、金、铬、镍、铜合金、铝合金、钼合金、钨合金、金合金、铬合金、镍合金、任何其他适合的材料、或上述的组合，但不限于此。在一些实施例中，连接层518及连接柱520可由化学气相沉积、物理气相沉积、电镀制程、无电极电镀制程、任何其他适合的制程、或前述的组合来形成。
另外，封装层522可由有机材料、无机材料、或前述的组合所形成。在一些实施例中，无机材料可包含氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、氧化铝，但不限于此。在一些实施例中，有机材料可包含环氧树脂(epoxy resins)、压克力树脂(acrylic resins)(例如聚甲基丙烯酸甲酯(polymethylmetacrylate，PMMA)、苯并环丁烯(benzocyclobutene，BCB)、聚亚酰胺(polyimide)、共聚酯(polyester)、聚二甲基硅氧烷(polydimethylsiloxane，PDMS)、四氟乙烯—全氟烷氧基乙烯基醚共聚物(polyfluoroalkoxy，PFA))、任何其他适合的材料、或上述的组合，但不限于此。在一些实施例中，封装层522可使用化学气相沉积、旋转涂布(spincoating)、印刷(printing)、或前述的组合来形成。
另外，发光单元206U可更包含相对于第一基板102设置的第二基板402，以及设置在封装层522与第二基板402之间的波长转换层(例如包含波长转换层404R、404G、及404B)。第二基板402可作为覆盖基板。波长转换层404R、404G、及404B可将从量子阱层504所发出的光转换成所需的颜色。举例来说，根据一些实施例，波长转换层404R、404G、及404B可将从量子阱层504所发出的光转换成红光、绿光、及蓝光。
在一些实施例中，量子阱层504可发出白光、蓝光、或紫外光(UV light)。在量子阱层504发出紫外光的实施例中，波长转换层404R、404G、及404B可更包含量子点(quantumdot)层(未绘示)。此量子点层可包含高分子或玻璃基质(matrix)及量子点材料。量子点材料可包含核壳式结构(core-shell structure)。核(core)结构可包含CdSe、CdTe、CdS、ZnS、ZnSe、ZnO、ZnTe、InAs、InP、GaP、任何其他适合的材料、或上述的组合，但不限于此。壳(shell)结构可包含ZnS、ZnSe、GaN、GaP、任何其他适合的材料、或上述的组合，但不限于此。
另外，发光单元206U可更包含遮光层406，其邻近设置于波长转换层404R、404G、及404B，以增加亮度对比(contrast of luminance)。在一些实施例中，遮光层406可由不透光的材料(例如黑色基质材料)所形成。黑色基质材料可由有机树脂、玻璃浆糊(glasspastes)、或上述的组合所形成。黑色基质材料可更包含黑色颜料(black pigments)、金属颗粒(例如镍、铝、钼、或上述的合金的颗粒)、金属氧化物颗粒(例如氧化铬颗粒)、或金属氮化物颗粒(例如氮化铬颗粒)，但不限于此。在一些实施例中，波长转换层404及遮光层406可由化学气相沉积、涂布、或印刷来形成。
在一些实施例中，发光单元206U可更包含叠加或设置于波长转换层404R、404G、及404B以及遮光层406上的保护层408。保护层408可防止波长转换层及遮光层406受到外部环境的影响。保护层408可由有机材料或无机材料所形成。在一些实施例中，无机材料可包含氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、氧化铝、任何其他适合的保护材料、或上述的组合，但不限于此。在一些实施例中，有机材料可包含环氧树脂(epoxy resins)、压克力树脂(acrylicresins)(例如聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、苯并环丁烯(BCB)、聚酰亚胺(polyimide)、聚酯(polyester)、聚二甲基硅氧烷(PDMS)、四氟乙烯—全氟烷氧基乙烯基醚共聚物(PFA))、任何其他适合的材料、或上述的组合，但不限于此。
另外，发光单元206U可更包含设置在保护层408与封装层522之间的缓冲层410。缓冲层410可覆盖第二半导体层506。缓冲层410可避免波长转换层受到发光装置206所产生的电流或热的影响。在一些实施例中，缓冲层410可具有粘着性，使得保护层408可粘附至发光装置206。缓冲层410可由有机材料或无机材料所形成。有机绝缘材料可包含聚酰胺(polyamide)、聚乙烯(polyethylene)、聚苯乙烯(polystyrene)、聚丙烯(polypropylene)、聚酯(polyester)、聚亚酰胺(polyimide)、聚氨基甲酸酯(polyurethane)、硅树脂(silicones)、聚丙烯酸酯(polyacrylate)、苯并环丁烯(BCB)、聚乙烯吡喀烷酮(polyvinylpyrrolidone，PVP)、聚氟乙烯(polyvinylfluoride，PVF)、聚偏二氟乙烯(polyvinylidene fluoride，PVDF)、聚四氟乙烯(polytetrafluoroethylene(PTFE)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚二甲基硅氧烷(PDMS)、任何其他适合的材料、或上述的组合，但不限于此。无机绝缘材料可包含氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、氧化铝、或上述的组合，但不限于此。在一些实施例中，缓冲层410可由化学气相沉积或涂布来形成。
另一方面，发光单元206U也可包含设置在发光装置206与第一基板102之间的粘着层524。具体来说，粘着层524可设置在封装层522与第一基板102之间，使得发光装置206可粘附至第一基板102。粘着层524可由任何适合的粘着材料所形成。
如图11A所示，波长转换层404R、404G、及404B的每个的面积皆大于量子阱层504的面积。具体来说，波长转换层404R、404G、及404B的面积大于分别在每个发光单元206U中的量子阱层504的面积。举例来说，如图11A所示，波长转换层404R的面积A1大于量子阱层504的面积A2。另外，波长转换层404R、404G、及404B可部分重叠于主接垫202。在一些实施例中，波长转换层404R、404G、及404B可至少部分重叠于备用接垫204。在一些实施例中，面积A1为从Z方向的观点的波长转换层的顶面(靠近第二基板402)的面积。面积A2为从Z方向的观点的量子阱层504的顶面(靠近第二基板402)的面积。
另外，图11B是在图1中的显示装置10的部分的上视图，其包含线段A-A’并且对应至图11A中所绘示的部分。如图11B所示，波长转换层404R、404G、及404B的的面积大于分别在每个发光单元206U中的量子阱层504的面积。此外，借由此配置方式，当使用备用接垫204时，不需要将波长转换层404R、404G、及404B与发光单元206U对齐。
接着，图12是根据本申请的一些其他实施例的显示装置500的部分的剖面示意图。图12以相似于图1所示的线段B-B’的面向绘示出显示装置500的剖面示意图。如图12所示，根据一些实施例，第二半导体层506可部分重叠于遮光层406。具体来说，在图12所示的Z方向中，第二半导体层506可部分重叠于遮光层406。另外，根据一些实施例，第一半导体层502可至少部分重叠在每个发光单元206U中的波长转换层404R、404G、及404B。在一些实施例中，波长转换层404R、404G、及404B可完全覆盖第一半导体层502。在一些实施例中，遮光层406也可部分重叠于第二电极510。借由此配置方式，波长转换层404R、404G、及404B可与量子阱层504精准地对齐。因此，可减少第一电极508或第二电极510的反射。
接着，图13是根据本申请的一些其他实施例的显示装置600的部分的剖面示意图。图13以相似于图1所示的线段B-B’的面向绘示出显示装置600的剖面示意图。图13所绘示的显示装置600与图12所绘示的显示装置500的差异在于，显示装置600更包含在图13所示的实施例中设置在连接柱520与主接垫202之间的连接垫602。连接垫602可沿着X方向(例如沿着大抵平行于第一基板102的顶面的方向)从连接柱520的底部向主接垫202延伸。根据一些实施例中，连接垫602可向外延伸以部分重叠于遮光层406。在一些实施例中，主接垫202可部分重叠于遮光层406。在一些实施例中，遮光层406可完全覆盖主接垫202。另外，如图13所示，根据一些实施例，连接柱520可部分重叠于连接垫602。在一些实施例中，连接柱520可完全重叠于连接垫602。借由上述的配置方式，可降低靠近连接柱520与主接垫202的接触位置发生短路的风险。连接垫602可由导电材料所形成。在一些实施例中，连接垫602可由相似于连接柱520或主接垫202的材料所形成。
综上所述，本申请提供包含用于在整合发光装置与目标基板之间电性连接的主接垫与备用接垫的设计的显示器结构。备用接垫可在主接垫与发光装置之间的电性连接功能异常或损坏的情况下作为备用的接垫。借由这样的配置方式，损坏的发光装置的维修及替换可变得更有效率。另外，根据本申请的一些实施例，可在将对应于显示装置的子像素的管芯转移至目标基板之前先一同封装，以减少转移这些管芯所需的时间。
虽然本发明已以较佳实施例揭示如上，然其并非用以限定本发明，任何本领域技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作些许的修改和完善，因此本发明的保护范围当以权利要求书所界定的为准。

Claims (20)

1.一种显示装置，包括：
一基板；
多条信号线，设置于该基板上，且该多条信号线中的至少一者包括：
多条主线；
多条第一分支线；以及
多条第二分支线，其中该多条主线中的一者电性连接至该多条第一分支线中的至少一者与该多条第二分支线中的至少一者；以及
多个显示单元，设置于该基板上，且该多个显示单元中的至少一者包括：
多个主接垫；
多个备用接垫；以及
一发光装置，电性连接至该多个主接垫；
其中该多个主接垫中的至少一者电性连接至该多条第一分支线中的至少一者，且该多个备用接垫中的至少一者电性连接至该多条第二分支线中的至少一者。
2.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于，该多条第一分支线中的该至少一者的长度不同于该多条第二分支线中的该至少一者的长度。
3.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于，该多个显示单元中的该至少一者的该多个主接垫的数量少于该多个备用接垫的数量。
4.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于，该多个主接垫中的该至少一者与该多个备用接垫中的该至少一者之间的一最小距离小于该多个显示单元中的该至少一者的该多个主接垫中的该至少一者与该多个显示单元中的另一者的该多个主接垫中的至少一者之间的一最小距离的一半。
5.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于，该多个主接垫中的该至少一者的面积不同于该多个备用接垫中的该至少一者的面积。
6.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于，该多条第一分支线中的该至少一者与该多条第二分支线中的该至少一者各自包括一转向部分。
7.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于，该多条主线中的该一者的宽度大于该多条第一分支线中的该至少一者的宽度。
8.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于，该多条第一分支线中的该至少一者部分重叠于该多条第二分支线中的该至少一者。
9.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于，在靠近该多条第一分支线中的该至少一者接触该多条主线中的该一者的一位置，该多条第一分支线中的该至少一者重叠于该多条第二分支线中的该至少一者。
10.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于，该多个主接垫中的该至少一者沿着一第一纵轴方向延伸且该多个备用接垫中的该至少一者沿着一第二纵轴方向延伸，其中该第一纵轴方向与该第二纵轴方向所夹的一锐角在5度至85度的范围。
11.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于，该多个主接垫中的该至少一者与该多个备用接垫中的该至少一者设置在不同的多个金属层上。
12.如权利要求11所述的显示装置，其特征在于，该多个主接垫中的该至少一者部分重叠于该多个备用接垫中的该至少一者。
13.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于，该多个显示单元中的该至少一者更包括：
一波长转换层，设置于该发光装置之上；以及
一遮光层，邻近设置于该波长转换层；以及
其中该发光装置更包括：
一第一半导体层；
一第二半导体层，设置于该第一半导体层上；以及
一量子阱层，设置于该第一半导体层与该第二半导体层之间。
14.如权利要求13所述的显示装置，其特征在于，该波长转换层的面积大于该量子阱的面积。
15.如权利要求13所述的显示装置，其特征在于，该第二半导体层部分重叠于该遮光层。
16.如权利要求13所述的显示装置，其特征在于，该第一半导体层至少部分重叠于该波长转换层。
17.如权利要求13所述的显示装置，其特征在于，该多个主接垫中的该至少一者至少部分重叠于该遮光层。
18.如权利要求13所述的显示装置，其特征在于，该多个备用接垫中的该至少一者至少部分重叠于该波长转换层。
19.一种显示装置，包括：
一基板；
多条信号线，设置于该基板上，且该多条信号线中的至少一者包括：
多条主线；
多条第一分支线；以及
多条第二分支线，其中该多条主线中的一者电性连接至该多条第一分支线中的至少一者与该多条第二分支线中的至少一者；以及
多个显示单元，设置于该基板上，且该多个显示单元中的至少一者包括：
多个主接垫；
多个备用接垫；以及
一第一发光装置，电性连接至该多个主接垫；
其中该多个主接垫中的至少一者电性连接至该多条第二分支线中的至少一者，且该多个备用接垫中的至少一者未电性连接至该多条第一分支线中的至少一者。
20.如权利要求19所述的显示装置，其特征在于，该多个显示单元中的该至少一者更包括：一第二发光装置，设置于该多个备用接垫中的该至少一者上。
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