CN112770431A - 发光模块 - Google Patents

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Abstract

本发明公开一种发光模块，其包括一基板、多个发光组件以及一信号控制器。基板包括一本体、多个控制电路以及内建在本体内的多个接地电路。每一发光组件包括设置在基板上的多个发光二极管结构。信号控制器设置在本体上。多个发光组件彼此相邻设置而使得多个发光组件的多个发光二极管结构排列成一像素数组。基板包括分别电性连接于多个发光组件的多个信号接点，多个信号接点电性连接于信号控制器。基板的上表面具有相对设置的两个第一侧区域以及相对设置的两个第二侧区域，多个信号接点设置在第一侧区域而不设置在第二侧区域，或者多个信号接点设置在第二侧区域而不设置在第一侧区域。借此，本发明所提供的发光模块能提升发光的效率。

Description

发光模块
技术领域
本发明涉及一种发光结构的技术领域，特别是涉及一种发光模块。
背景技术
目前现有的发光装置都设有多个发光单元，然而，多个发光单元都集中设置于发光装置的电路板的中心处，使得光束较为集中，进而导致发光效率有限。
发明内容
本发明所要解决的技术问题在于，针对现有技术的不足提供一种发光模块。
为了解决上述的技术问题，本发明所采用的其中一技术方案是，提供一种发光模块，其包括一基板、多个发光组件以及一信号控制器。所述基板包括一本体以及内建在所述本体内的多个接地电路，多个控制电路内建在所述本体内或者设置在所述本体上，每一所述控制电路具有裸露在所述本体外的一导电接点，每一所述接地电路具有裸露在所述本体外的一接地接点。每一所述发光组件包括设置在所述基板上的多个发光二极管结构，每一所述发光二极管结构具有电性连接于所述导电接点的一第一电极端以及电性连接于所述接地接点的一第二电极端。所述信号控制器设置在所述本体上。其中，多个所述发光组件彼此相邻设置而使得多个所述发光组件的多个所述发光二极管结构排列成一像素数组。其中，所述基板包括分别电性连接于多个所述发光组件的多个信号接点，多个所述信号接点电性连接于所述信号控制器。其中，所述基板的上表面具有相对设置的两个第一侧区域以及相对设置的两个第二侧区域，多个所述信号接点设置在所述第一侧区域而不设置在所述第二侧区域，或者多个所述信号接点设置在所述第二侧区域而不设置在所述第一侧区域。
更进一步地，多个所述信号接点设置在其中一所述第一侧区域上，而另外一所述第一侧区域与两个所述第二侧区域为没有设置所述信号接点的一接点净空区，其中一部分的所述发光二极管结构设置在所述接点净空区上。
更进一步地，多个所述信号接点设置在其中一所述第二侧区域上，而另外一所述第二侧区域与两个所述第一侧区域为没有设置所述信号接点的一接点净空区，其中一部分的所述发光二极管结构设置在所述接点净空区上。
更进一步地，多个所述信号接点设置在没有所述发光二极管结构的其中一所述第一侧区域上，其中一部分的所述发光二极管结构设置在没有所述信号接点的另外一所述第一侧区域上，另外一部分的所述发光二极管结构设置在没有所述信号接点的两个所述第二侧区域上。
更进一步地，多个所述信号接点设置在没有所述发光二极管结构的其中一所述第二侧区域上，其中一部分的所述发光二极管结构设置在没有所述信号接点的另外一所述第二侧区域上，另外一部分的所述发光二极管结构设置在没有所述信号接点的两个所述第一侧区域上。
为了解决上述的技术问题，本发明所采用的另外一技术方案是，提供一种发光模块，其包括一基板、多个发光组件以及一信号控制器。所述基板包括多个控制电路。每一所述发光组件包括设置在所述基板上的多个发光二极管结构，多个所述发光二极管结构分别电性连接于多个所述控制电路。所述信号控制器设置在所述本体上。其中，多个所述发光组件彼此相邻设置而使得多个所述发光组件的多个所述发光二极管结构排列成一像素数组。其中，所述基板包括分别电性连接于多个所述发光组件的多个信号接点，多个所述信号接点电性连接于所述信号控制器。其中，所述基板的上表面具有相对设置的两个第一侧区域以及相对设置的两个第二侧区域，多个所述信号接点设置在所述第一侧区域而不设置在所述第二侧区域，或者多个所述信号接点设置在所述第二侧区域而不设置在所述第一侧区域。
更进一步地，多个所述信号接点设置在其中一所述第一侧区域上，而另外一所述第一侧区域与两个所述第二侧区域为没有设置所述信号接点的一接点净空区，其中一部分的所述发光二极管结构设置在所述接点净空区上。
更进一步地，多个所述信号接点设置在其中一所述第二侧区域上，而另外一所述第二侧区域与两个所述第一侧区域为没有设置所述信号接点的一接点净空区，其中一部分的所述发光二极管结构设置在所述接点净空区上。
更进一步地，多个所述信号接点设置在没有所述发光二极管结构的其中一所述第一侧区域上，其中一部分的所述发光二极管结构设置在没有所述信号接点的另外一所述第一侧区域上，另外一部分的所述发光二极管结构设置在没有所述信号接点的两个所述第二侧区域上。
更进一步地，多个所述信号接点设置在没有所述发光二极管结构的其中一所述第二侧区域上，其中一部分的所述发光二极管结构设置在没有所述信号接点的另外一所述第二侧区域上，另外一部分的所述发光二极管结构设置在没有所述信号接点的两个所述第一侧区域上。
本发明的其中一有益效果在于，本发明所提供的发光模块，其能通过“所述基板包括多个控制电路”、“每一所述发光组件包括设置在所述基板上的多个发光二极管结构，多个所述发光二极管结构分别电性连接于多个所述控制电路”、“所述信号控制器设置在所述本体上”、“多个所述发光组件彼此相邻设置而使得多个所述发光组件的多个所述发光二极管结构排列成一像素数组”、“所述基板包括分别电性连接于多个所述发光组件的多个信号接点，多个所述信号接点电性连接于所述信号控制器”以及“所述基板的上表面具有相对设置的两个第一侧区域以及相对设置的两个第二侧区域，多个所述信号接点设置在所述第一侧区域而不设置在所述第二侧区域，或者多个所述信号接点设置在所述第二侧区域而不设置在所述第一侧区域”的技术方案，以提升发光的效率。
为使能更进一步了解本发明的特征及技术内容，请参阅以下有关本发明的详细说明与附图，然而所提供的附图仅用于提供参考与说明，并非用来对本发明加以限制。
附图说明
图1为本发明第一实施例的发光模块的侧视示意图。
图2为本发明第一实施例的发光模块的第一俯视示意图。
图3为本发明第一实施例的发光模块的第二俯视示意图。
图4为本发明第二实施例的发光模块的俯视示意图。
图5为本发明第三实施例的发光模块的俯视示意图。
具体实施方式
以下是通过特定的具体实施例来说明本发明所公开有关“发光模块”的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所公开的内容了解本发明的优点与效果。本发明可通过其他不同的具体实施例加以施行或应用，本说明书中的各项细节也可基于不同观点与应用，在不悖离本发明的构思下进行各种修改与变更。另外，本发明的附图仅为简单示意说明，并非依实际尺寸的描绘，事先声明。以下的实施方式将进一步详细说明本发明的相关技术内容，但所公开的内容并非用以限制本发明的保护范围。
应当可以理解的是，虽然本文中可能会使用到“第一”、“第二”、“第三”等术语来描述各种组件，但这些组件不应受这些术语的限制。这些术语主要是用以区分一组件与另一组件。另外，本文中所使用的术语“或”，应视实际情况可能包括相关联的列出项目中的任一个或者多个的组合。
第一实施例
参阅图1至图3所示，本发明第一实施例提供一种发光模块Z，其包括一基板1、多个发光组件2以及一信号控制器3。
首先，配合图1所示，本发明的基板1包括了本体10以及多个接地电路12，多个控制电路11与多个接地电路12内建在本体10内，特别是多个控制电路11也可以设置在本体10上(也就是说，控制电路11可以预先制作完成后，再另外设置在本体10上，以与发光组件2相邻并置，例如本发明可以省略一些发光组件2，而以控制电路11取代之，当然发光组件2也可以预先制作完成后，再另外设置在本体10上)。并且，每一个控制电路11还具有裸露在本体10外的导电接点110，每一个接地电路12也具有裸露在本体10外的接地接点120。举例来说，基板可为晶圆级基板，例如抛光硅晶圆(Polished Silicon Wafer)、磊晶硅晶圆(EpitaxialSilicon Wafer)、氩气回火硅晶圆(Argon Anneal Silicon Wafer)、氦气回火硅晶圆(HaiSilicon Wafer)以及绝缘硅晶圆(Silicon on Insulator Silicon Wafer)之中的其中一种，并且控制电路11可为一种CMOS(Complementary Metal-Oxide-Semiconductor)控制电路，CMOS控制电路具有源极、漏极以与栅极。然而，本发明不以上述所举的例子为限。
接着，配合图1所示，每一个发光组件2包括了多个发光二极管结构20，并且，每一个发光二极管结构20具有一第一电极端200以及第二电极端201，第一电极端200电性连接于导电接点110，第二电极端201电性连接于接地接点120。举例来说，发光二极管结构20可以是红色发光二极管、绿色发光二极管或者蓝色发光二极管，然而，本发明不以此举例为限。并且，本发明的多个发光组件2可彼此相邻设置而使得多个发光组件2的多个发光二极管结构20排列成一像素数组。
再者，配合图1所示，基板1可包括多个信号接点13，每一个信号接点13可电性连接多个发光组件2的发光二极管结构20与设置在本体10上的信号控制器3。其中，信号控制器3可以是微控制器(Microcontroller Unit,MCU)，然而，本发明不以此举例为限。
进一步来说，配合图1及图2所示，基板1的上表面的边缘具有相对设置的两个第一侧区域14、14’以及相对设置的两个第二侧区域15、15’。并且，多个信号接点13可设置在第一侧区域14’而不设置在第二侧区域15、15’，或者设置在第二侧区域15’而不设置在第一侧区域14、14’。
举例来说，配合图1及图2所示，多个信号接点13可设置在其中一个第一侧区域14，并且，其中一个第一侧区域14’的间距大小大于信号接点13的大小。另一个第一侧区域14与两个第二侧区域15、15’的间距大小则小于信号接点13的大小，而无法设置多个信号接点13。
又或者，配合图1及图3所示，多个信号接点13可设置在其中一个第二侧区域15’，并且，其中一个第二侧区域15’的间距大小大于信号接点13的大小。另一个第二侧区域15与两个第一侧区域14、14’的间距大小则小于信号接点13的大小，而无法设置多个信号接点13。
然而，上述所举的例子只是其中一可行的实施例而并非用以限定本发明。
第二实施例
参阅图4所示，本发明第二实施例提供一种发光模块Z，其包括一基板1、多个发光组件2以及一信号控制器3。由图2与图4的比较可知，本发明第二实施例与第一实施例最大的不同在于：多个信号接点13设置在其中一第一侧区域14’上，而另外一第一侧区域14与两个第二侧区域15、15’为没有设置信号接点13的一接点净空区16，其中一部分的发光二极管结构20设置在接点净空区16上。
举例来说，配合图4所示，本发明的基板1的其中一个第一侧区域14’上设置了多个信号接点13，而另外一个第一侧区域14与两个第二侧区域15、15’形成了接点净空区16。并且，两个第一侧区域14、14’与两个第二侧区域15、15’的间距大小彼此相同，但不以此为限。进一步来说，基板1上的其中一部分的发光二极管结构20设置在接点净空区16上，即其中一部分的发光二极管结构20设置在另外一个第一侧区域14与两个第二侧区域15、15’上。
更进一步来说，多个信号接点13可设置在没有发光二极管结构20的其中一第一侧区域14’上，并且，其中一部分的发光二极管结构20设置在没有信号接点13的另外一第一侧区域14上，另外一部分的发光二极管结构20设置在没有信号接点13的两个第二侧区域15、15’上。
然而，上述所举的例子只是其中一可行的实施例而并非用以限定本发明。
第三实施例
参阅图5所示，本发明第三实施例提供一种发光模块Z，其包括一基板1、多个发光组件2以及一信号控制器3。由图3与图5的比较可知，本发明第三实施例与第一实施例最大的不同在于：其中，多个信号接点13设置在其中一第二侧区域15’上，而另外一第二侧区域15与两个第一侧区域14、14’为没有设置信号接点13的一接点净空区16，其中一部分的发光二极管结构20设置在接点净空区16上。
举例来说，配合图5及图5所示，本发明的基板1的其中一个第二侧区域15’上设置了多个信号接点13，而另外一个第二侧区域15与两个第一侧区域14、14’形成了接点净空区16。并且，两个第一侧区域14、14’与两个第二侧区域15的间距大小彼此相同，但不以此为限。进一步来说，基板1上的其中一部分的发光二极管结构20设置在接点净空区16上，即其中一部分的发光二极管结构20设置在另外一个第二侧区域15与两个第一侧区域14、14’上。
更进一步来说，多个信号接点13设置在没有发光二极管结构20的其中一第二侧区域15’上，并且，其中一部分的发光二极管结构20设置在没有信号接点13的另外一第二侧区域15上，另外一部分的发光二极管结构20设置在没有信号接点13的两个第一侧区域14、14’上。
然而，上述所举的例子只是其中一可行的实施例而并非用以限定本发明。
实施例的有益效果
本发明的其中一有益效果在于，本发明所提供的发光模块Z，其能通过“基板1包括多个控制电路11”、“每一发光组件2包括设置在基板1上的多个发光二极管结构20，多个发光二极管结构20分别电性连接于多个控制电路11”、“信号控制器3设置在本体10上”、“多个发光组件2彼此相邻设置而使得多个发光组件2的多个发光二极管结构20排列成一像素数组”、“基板1包括分别电性连接于多个发光组件2的多个信号接点13，多个信号接点13电性连接于信号控制器3”以及“基板1的上表面具有相对设置的两个第一侧区域14、14’以及相对设置的两个第二侧区域15、15’，多个信号接点13设置在第一侧区域14’而不设置在第二侧区域15、15’，或者多个信号接点13设置在第二侧区域15’而不设置在第一侧区域14、14’”的技术方案，以提升发光的效率。
更进一步来说，本发明所提供的发光模块Z通过上述的技术方案，可使得发光二极管结构20所产生的光束能更为扩散，进而可提升发光二极管结构20的发光效率。
以上所公开的内容仅为本发明的优选可行实施例，并非因此局限本发明的权利要求书的保护范围，所以凡是运用本发明说明书及附图内容所做的等效技术变化，均包含于本发明的权利要求书的保护范围内。

Claims (10)

1.一种发光模块，其特征在于，所述发光模块包括：
一基板，所述基板包括一本体以及内建在所述本体内的多个接地电路，多个控制电路内建在所述本体内或者设置在所述本体上，每一所述控制电路具有裸露在所述本体外的一导电接点，每一所述接地电路具有裸露在所述本体外的一接地接点；
多个发光组件，每一所述发光组件包括设置在所述基板上的多个发光二极管结构，每一所述发光二极管结构具有电性连接于所述导电接点的一第一电极端以及电性连接于所述接地接点的一第二电极端；以及
一信号控制器，所述信号控制器设置在所述本体上；
其中，多个所述发光组件彼此相邻设置而使得多个所述发光组件的多个所述发光二极管结构排列成一像素数组；
其中，所述基板包括分别电性连接于多个所述发光组件的多个信号接点，多个所述信号接点电性连接于所述信号控制器；
其中，所述基板的上表面具有相对设置的两个第一侧区域以及相对设置的两个第二侧区域，多个所述信号接点设置在所述第一侧区域而不设置在所述第二侧区域，或者多个所述信号接点设置在所述第二侧区域而不设置在所述第一侧区域。
2.根据权利要求1所述的发光模块，其特征在于，多个所述信号接点设置在其中一所述第一侧区域上，而另外一所述第一侧区域与两个所述第二侧区域为没有设置所述信号接点的一接点净空区，其中一部分的所述发光二极管结构设置在所述接点净空区上。
3.根据权利要求1所述的发光模块，其特征在于，多个所述信号接点设置在其中一所述第二侧区域上，而另外一所述第二侧区域与两个所述第一侧区域为没有设置所述信号接点的一接点净空区，其中一部分的所述发光二极管结构设置在所述接点净空区上。
4.根据权利要求1所述的发光模块，其特征在于，多个所述信号接点设置在没有所述发光二极管结构的其中一所述第一侧区域上，其中一部分的所述发光二极管结构设置在没有所述信号接点的另外一所述第一侧区域上，另外一部分的所述发光二极管结构设置在没有所述信号接点的两个所述第二侧区域上。
5.根据权利要求1所述的发光模块，其特征在于，多个所述信号接点设置在没有所述发光二极管结构的其中一所述第二侧区域上，其中一部分的所述发光二极管结构设置在没有所述信号接点的另外一所述第二侧区域上，另外一部分的所述发光二极管结构设置在没有所述信号接点的两个所述第一侧区域上。
6.一种发光模块，其特征在于，所述发光模块包括：
一基板，所述基板包括多个控制电路；
多个发光组件，每一所述发光组件包括设置在所述基板上的多个发光二极管结构，多个所述发光二极管结构分别电性连接于多个所述控制电路；以及
一信号控制器，所述信号控制器设置在所述基板的一本体上；
其中，多个所述发光组件彼此相邻设置而使得多个所述发光组件的多个所述发光二极管结构排列成一像素数组；
其中，所述基板包括分别电性连接于多个所述发光组件的多个信号接点，多个所述信号接点电性连接于所述信号控制器；
其中，所述基板的上表面具有相对设置的两个第一侧区域以及相对设置的两个第二侧区域，多个所述信号接点设置在所述第一侧区域而不设置在所述第二侧区域，或者多个所述信号接点设置在所述第二侧区域而不设置在所述第一侧区域。
7.根据权利要求6所述的发光模块，其特征在于，多个所述信号接点设置在其中一所述第一侧区域上，而另外一所述第一侧区域与两个所述第二侧区域为没有设置所述信号接点的一接点净空区，其中一部分的所述发光二极管结构设置在所述接点净空区上。
8.根据权利要求6所述的发光模块，其特征在于，多个所述信号接点设置在其中一所述第二侧区域上，而另外一所述第二侧区域与两个所述第一侧区域为没有设置所述信号接点的一接点净空区，其中一部分的所述发光二极管结构设置在所述接点净空区上。
9.根据权利要求6所述的发光模块，其特征在于，多个所述信号接点设置在没有所述发光二极管结构的其中一所述第一侧区域上，其中一部分的所述发光二极管结构设置在没有所述信号接点的另外一所述第一侧区域上，另外一部分的所述发光二极管结构设置在没有所述信号接点的两个所述第二侧区域上。
10.根据权利要求6所述的发光模块，其特征在于，多个所述信号接点设置在没有所述发光二极管结构的其中一所述第二侧区域上，其中一部分的所述发光二极管结构设置在没有所述信号接点的另外一所述第二侧区域上，另外一部分的所述发光二极管结构设置在没有所述信号接点的两个所述第一侧区域上。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI727853B (zh) * 2020-07-15 2021-05-11 歆熾電氣技術股份有限公司 晶片移轉系統與晶片移轉方法
US20220231209A1 (en) * 2021-01-19 2022-07-21 Innostar Service Inc. Led display

Citations (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005051134A (ja) * 2003-07-31 2005-02-24 Nippon Sheet Glass Co Ltd 発光素子アレイおよびその製造方法
US20050057939A1 (en) * 2003-09-16 2005-03-17 Fuji Photo Film Co., Ltd. Light emission device and manufacturing method thereof
JP2006339579A (ja) * 2005-06-06 2006-12-14 Keifuku Shu 行列式発光ダイオードのモジュール化構造とそのパッケージ方法
US20070001711A1 (en) * 2005-06-29 2007-01-04 Kwak Won K Organic light emitting display array substrate and method of performing test using the same
CN101400940A (zh) * 2006-05-30 2009-04-01 夏普株式会社 背光源装置和使用该背光源装置的显示装置
JP2010118624A (ja) * 2008-11-14 2010-05-27 Samsung Electro-Mechanics Co Ltd 発光装置及びその製造方法
US20110101870A1 (en) * 2009-10-29 2011-05-05 Cok Ronald S Electroluminescent area illumination with integrated mechanical switch
US20110273091A1 (en) * 2009-04-09 2011-11-10 Yohsuke Fujikawa Display device
US20110297976A1 (en) * 2010-06-04 2011-12-08 Everlight Electronics Co., Ltd. Illumination Module
CN104425478A (zh) * 2013-08-30 2015-03-18 柏友照明科技股份有限公司 多芯片封装结构
CN105225628A (zh) * 2014-06-19 2016-01-06 元太科技工业股份有限公司 显示装置、显示模块及其像素结构
WO2016019646A1 (zh) * 2014-08-07 2016-02-11 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制造方法、显示装置
TW201622130A (zh) * 2014-12-02 2016-06-16 上海和輝光電有限公司 有機發光二極體顯示裝置
CN105870150A (zh) * 2015-02-09 2016-08-17 三星显示有限公司 顶部发光装置和有机发光二极管显示装置
US20170040299A1 (en) * 2015-08-05 2017-02-09 Harvatek Corporation Display device and light-emitting array module thereof
JP2018093192A (ja) * 2016-11-30 2018-06-14 日亜化学工業株式会社 発光装置及び基板
US20180197471A1 (en) * 2017-01-10 2018-07-12 X-Celeprint Limited Digital-drive pulse-width-modulated output system

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10468397B2 (en) * 2017-05-05 2019-11-05 X-Celeprint Limited Matrix addressed tiles and arrays
KR102317226B1 (ko) * 2017-08-11 2021-10-26 삼성디스플레이 주식회사 표시장치 및 이의 제조방법
US10199362B1 (en) * 2018-01-15 2019-02-05 Prilit Optronics, Inc. MicroLED display panel
US11158612B2 (en) * 2018-01-23 2021-10-26 Gio Optoelectronics Corp. Electronic device
TWI667643B (zh) * 2018-04-18 2019-08-01 英屬開曼群島商錼創科技股份有限公司 微型發光二極體顯示面板
US10910355B2 (en) * 2018-04-30 2021-02-02 X Display Company Technology Limited Bezel-free displays
US10593852B2 (en) * 2018-06-20 2020-03-17 Innolux Corporation Display device having a plurality of main pads, a plurality of redundant pads, and a light-emitting device
KR102533666B1 (ko) * 2018-09-14 2023-05-17 삼성전자주식회사 디스플레이 패널 및 이를 포함하는 디스플레이 장치
KR102638258B1 (ko) * 2018-11-16 2024-02-16 엘지디스플레이 주식회사 스트레쳐블 표시장치

Patent Citations (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005051134A (ja) * 2003-07-31 2005-02-24 Nippon Sheet Glass Co Ltd 発光素子アレイおよびその製造方法
US20050057939A1 (en) * 2003-09-16 2005-03-17 Fuji Photo Film Co., Ltd. Light emission device and manufacturing method thereof
JP2006339579A (ja) * 2005-06-06 2006-12-14 Keifuku Shu 行列式発光ダイオードのモジュール化構造とそのパッケージ方法
US20070001711A1 (en) * 2005-06-29 2007-01-04 Kwak Won K Organic light emitting display array substrate and method of performing test using the same
CN101400940A (zh) * 2006-05-30 2009-04-01 夏普株式会社 背光源装置和使用该背光源装置的显示装置
JP2010118624A (ja) * 2008-11-14 2010-05-27 Samsung Electro-Mechanics Co Ltd 発光装置及びその製造方法
US20110273091A1 (en) * 2009-04-09 2011-11-10 Yohsuke Fujikawa Display device
US20110101870A1 (en) * 2009-10-29 2011-05-05 Cok Ronald S Electroluminescent area illumination with integrated mechanical switch
US20110297976A1 (en) * 2010-06-04 2011-12-08 Everlight Electronics Co., Ltd. Illumination Module
CN104425478A (zh) * 2013-08-30 2015-03-18 柏友照明科技股份有限公司 多芯片封装结构
CN105225628A (zh) * 2014-06-19 2016-01-06 元太科技工业股份有限公司 显示装置、显示模块及其像素结构
WO2016019646A1 (zh) * 2014-08-07 2016-02-11 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制造方法、显示装置
TW201622130A (zh) * 2014-12-02 2016-06-16 上海和輝光電有限公司 有機發光二極體顯示裝置
CN105870150A (zh) * 2015-02-09 2016-08-17 三星显示有限公司 顶部发光装置和有机发光二极管显示装置
US20170040299A1 (en) * 2015-08-05 2017-02-09 Harvatek Corporation Display device and light-emitting array module thereof
JP2018093192A (ja) * 2016-11-30 2018-06-14 日亜化学工業株式会社 発光装置及び基板
US20180197471A1 (en) * 2017-01-10 2018-07-12 X-Celeprint Limited Digital-drive pulse-width-modulated output system

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
李任青等: "点阵式LED电子显示屏的制作", 《电子制作》 *
罗颖等: "新媒体艺术之互动影像装置艺术设计", 《设计艺术研究》 *

Also Published As

Publication number Publication date
US11183537B2 (en) 2021-11-23
US20210118945A1 (en) 2021-04-22

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