TW201622130A - 有機發光二極體顯示裝置 - Google Patents

有機發光二極體顯示裝置 Download PDF

Info

Publication number
TW201622130A
TW201622130A TW104112501A TW104112501A TW201622130A TW 201622130 A TW201622130 A TW 201622130A TW 104112501 A TW104112501 A TW 104112501A TW 104112501 A TW104112501 A TW 104112501A TW 201622130 A TW201622130 A TW 201622130A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
layer
light emitting
display device
organic light
pixel
Prior art date
Application number
TW104112501A
Other languages
English (en)
Inventor
王煥楠
馮佑雄
肖麗娜
Original Assignee
上海和輝光電有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 上海和輝光電有限公司 filed Critical 上海和輝光電有限公司
Publication of TW201622130A publication Critical patent/TW201622130A/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/124—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
    • H01L27/1244—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits for preventing breakage, peeling or short circuiting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1255—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs integrated with passive devices, e.g. auxiliary capacitors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
    • H01L29/772—Field effect transistors
    • H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
    • H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
    • H01L29/78651—Silicon transistors
    • H01L29/7866—Non-monocrystalline silicon transistors
    • H01L29/78672—Polycrystalline or microcrystalline silicon transistor
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
    • H10K59/1216—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements the pixel elements being capacitors
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301—Details of OLEDs
    • H10K2102/302—Details of OLEDs of OLED structures
    • H10K2102/3023—Direction of light emission
    • H10K2102/3026—Top emission
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H10K50/81—Anodes
    • H10K50/818—Reflective anodes, e.g. ITO combined with thick metallic layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H10K50/82—Cathodes
    • H10K50/828—Transparent cathodes, e.g. comprising thin metal layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
    • H10K59/1213—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements the pixel elements being TFTs
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/805—Electrodes
    • H10K59/8051—Anodes
    • H10K59/80518—Reflective anodes, e.g. ITO combined with thick metallic layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/805—Electrodes
    • H10K59/8052—Cathodes
    • H10K59/80524—Transparent cathodes, e.g. comprising thin metal layers

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Control Of Indicators Other Than Cathode Ray Tubes (AREA)
  • Control Of El Displays (AREA)

Abstract

本發明提供一種有機發光二極體顯示裝置，包括：多個像素結構，設置於一基板上，基板包含由多個像素結構形成的顯示區域以及位於顯示區域外的周邊區域；多條垂直配置的信號線，由周邊區域垂直延伸至每個像素結構，以傳遞多種信號至每個像素結構中；多條水平配置的信號線，由周邊區域水平延伸至每個像素結構，以傳遞多種信號至每個像素結構中，多條水平配置的信號線包含一初始信號線；以及多個薄膜電晶體以及一儲存電容，設置於每個像素結構中，其中儲存電容的第二端由第一導電層所形成，儲存電容的第一端以及初始信號線是由第二導電層所形成，第二導電層位於第一導電層的上方。本發明的有機發光二極體顯示裝置可避免初始信號線與陽極之間産生短路。

Description

有機發光二極體顯示裝置
本發明涉及OLED顯示領域，特別涉及一種有機發光二極體顯示裝置。
有機發光二極體(OLED)顯示裝置分爲無源矩陣型(PMOLED)和有源矩陣型(AMOLED)。與無源矩陣OLED 顯示裝置相比，有源矩陣OLED 顯示裝置具有相對更加複雜的製造工藝。
如圖7所示，其顯示一個有源矩陣OLED顯示裝置的子像素電路示意圖。本領域技術人員應當理解有源矩陣OLED顯示裝置是由多個子像素結構組成，而有源矩陣OLED顯示裝置的電路示意圖也是由多個圖7所示的子像素電路示意圖構成，在此不作贅述。
請參考圖7，有源矩陣OLED顯示裝置的每個子像素電路包含有陰極K以及數據線Dm、發光陽極信號線ELVDD、掃描線Sn+1、掃描線Sn、掃描線Sn-1、發光驅動線En、初始信號線Vin和儲存電容信號線(圖中未示出)等多個信號線。這些信號線從顯示區域外部在不同時序輸送對應的信號到各個像素中，配合圖7子像素電路的多個薄膜電晶體及電容的作用，來達到OLED子像素不同灰階值的顯示。也就是說，這些信號線均是分別可以從顯示區域外部電性連接到各個子像素，才能達到有源矩陣OLED顯示裝置的顯示功能。
現行的子像素布局設計如圖1所示，請同時參照圖1與圖7，可以看到上述的多種信號線中，數據線DM及ELVDD信號線爲垂直布局排列的信號線，而掃描線Sn+1、掃描線Sn、掃描線Sn-1、發光驅動線En、儲存電容C1的信號線以及初始信號線Vin則爲水平布局的信號線。
爲了形成AMOLED像素結構中的多條信號線、多個薄膜電晶體以及電容結構，現行的製造方法是採用半導體工藝，沉積包含半導體層、第一閘極絕緣層、第一導電層(閘極電源層1)、第二閘極絕緣層、第二導電層(閘極電源層2)、數據線絕緣層、第三導電層(數據線層)、平坦化層(陽極絕緣層)、第四導電層(陽極金屬層)及像素定義層等多層薄膜結構，並且在各道工藝之間配合掩模曝光、蝕刻等半導體工藝在所需部位定義出特定的圖案來形成圖1中各條信號線、薄膜電晶體以及電容等結構。
在上述結構中，垂直布局排列的數據線DM及ELVDD信號線是由第三導電層所形成；水平布局排列的掃描線Sn+1、掃描線Sn、掃描線Sn-1及發光驅動線En由第一導電層所形成；水平排列且延伸至顯示區域外的電容結構的一端及儲存電容訊號線是由第二導電層所形成；而同樣是水平布局排列的初始信號線Vin則由第四導電層所形成。
此外，半導體層主要是用來形成多個薄膜電晶體中的溝道(channel)；第一導電層除了形成前述的多條掃描線以及發光驅動線En以外，還形成多個薄膜電晶體的第一閘極及電容結構的另一端；第四導電層除了形成前述的初始信號線Vin以外，還形成OLED器件中的陽極結構；像素定義層位於第四導電層上，並形成多個定義子像素位置的凹槽，凹槽開口的底部曝露出由第四導電層定義出的陽極，而OLED材料則形成於凹槽的陽極上形成OLED子像素。
隨著AMOLED顯示裝置逐漸向高解析度(PPI, Pixel Per Inch)的方向發展，配合此趨勢的像素電路布局設計變的極爲重要。然而，高解析度意味著每個子像素的面積變得更小，使得上述子像素的各種信號線、薄膜電晶體及電容結構的布局面臨更嚴苛的挑戰。進一步參考圖2和圖3，爲了便於說明，圖2僅顯示圖1中第四導電層以及第四導電層上像素定義層布局示意圖，圖3爲圖1中沿I-I’剖面線的部分剖面圖。如圖2所示，初始信號線Vin以及OLED器件中的陽極結構A均是由第四導電層所形成，而像素定義層定義的開口O則位於陽極A上方，此開口O曝露出陽極A。如圖3所示，半導體層101之上分別形成絕緣層102、數據線金屬層103、平坦化層104和陽極金屬層105，初始信號線Vin即位於陽極金屬層105中，陽極金屬層105通過接觸孔H1實現與半導體層101的電性連接，由此初始信號線Vin將初始信號由顯示區外部水平傳至子像素，並通過接觸孔H1將初始信號導入下層的半導體層101。
圖2中示出了現行初始信號線的布局在應用到高解析度像素結構會遭遇到的問題，從圖2可以看到，由於像素面積因爲解析度提高而變小了，將使得同樣由第四導電層所形成的初始信號線及陽極因爲面積太小而互相接觸，産生信號短路的問題。又或者，爲了避免初始信號線與陽極短路而縮小陽極的面積，而使得像素定義層開口進一步縮小，這樣又造成了像素發光面積的縮小，不利於畫面顯示。
本發明的目的就是針對現有技術存在的缺點，提供一種具有合理像素布局設計的有機發光二極體顯示裝置，以避免初始信號線與陽極因爲面積太小而互相接觸産生信號短路。
本發明提供一種有機發光二極體顯示裝置，包括：多個像素結構，設置於一基板上，所述基板包含由所述多個像素結構形成的顯示區域以及位於顯示區域外的周邊區域；多條垂直配置的信號線，由所述周邊區域垂直延伸至每個像素結構，以傳遞多種信號至每個像素結構中； 多條水平配置的信號線，由所述周邊區域水平延伸至每個像素結構，以傳遞多種信號至每個像素結構中，所述多條水平配置的信號線包含一初始信號線；以及多個薄膜電晶體以及一儲存電容，設置於每個所述像素結構中，其中所述儲存電容的第二端由第一導電層所形成，所述儲存電容的第一端以及所述初始信號線是由第二導電層所形成，所述第二導電層位於所述第一導電層的上方。
在本發明的有機發光二極體顯示裝置的一個實施方式中，所述初始信號線用以提供初始信號至像素結構中以重置像素結構的電容值。
在本發明的有機發光二極體顯示裝置的另一個實施方式中，所述基板上還包括一半導體層，一第一絕緣層位於所述半導體層及所述初始信號線之間，所述第一絕緣層包含一接觸孔，所述像素結構中的所述初始信號線經由所述接觸孔電性連接到所述半導體層。
在本發明的有機發光二極體顯示裝置的另一個實施方式中，所述相鄰兩像素的初始信號線是由同一所述接觸孔電性連接至所述相鄰兩像素的所述半導體層。
在本發明的有機發光二極體顯示裝置的另一個實施方式中，所述垂直配置的信號線包括數據線及ELVDD信號線。
在本發明的有機發光二極體顯示裝置的另一個實施方式中，所述數據線及所述ELVDD信號線是由數據線金屬層所形成，所述數據線金屬層位於所述第二導電層的上方，所述數據線金屬層與所述第二導電層之間包含一第二絕緣層。
在本發明的有機發光二極體顯示裝置的另一個實施方式中，所述數據線金屬層上方包含一平坦化層，所述平坦化層爲有機材料層。
在本發明的有機發光二極體顯示裝置的另一個實施方式中，所述平坦化層上方包含一陽極金屬層，所述陽極金屬層形成所述像素結構的陽極。
在本發明的有機發光二極體顯示裝置的另一個實施方式中，所述陽極金屬層爲反射層，所述像素結構的陽極爲反射電極。
在本發明的有機發光二極體顯示裝置的另一個實施方式中，所述陽極金屬層上方包含一像素定義層，所述像素定義層包含一開口，所述開口的底部曝露出所述像素結構的陽極。
在本發明的有機發光二極體顯示裝置的另一個實施方式中，該有機發光二極體顯示裝置還包含有機發光材料設置於所述像素定義層的所述開口中，所述有機發光材料與所述陽極接觸。
在本發明的有機發光二極體顯示裝置的另一個實施方式中，該有機發光二極體顯示裝置還包含一透明導電層位於所述像素定義層及所述有機發光材料上，所述透明導電層形成所述像素結構的陰極。
在本發明的有機發光二極體顯示裝置的另一個實施方式中，所述水平配置的信號線還包括多條掃描線，所述多條掃描線是由所述第一導電層形成。
在本發明的有機發光二極體顯示裝置的另一個實施方式中，所述水平配置的信號線還包括發光驅動線，所述發光驅動線是由所述第一導電層形成。
本發明的有機發光二極體顯示裝置將初始信號線與儲存電容的第一端布局於同一金屬層中，並通過接觸孔將該金屬層與半導體層電性連接，可避免初始信號線與陽極之間産生短路，同時可以在一定的像素大小情况下增加OLED的發光面積，給OLED的發光效率預留一定的設計空間。
下面根據具體實施例對本發明的技術方案做進一步說明。本發明的保護範圍不限於以下實施例，列舉這些實例僅出於示例性目的而不以任何方式限制本發明。
在本發明的一個實施方式中，有機發光二極體顯示裝置包括：多個像素結構，設置於一基板上，基板包含由多個像素結構形成的顯示區域以及位於顯示區域外的周邊區域；多條垂直配置的信號線，由周邊區域垂直延伸至每個像素結構，以傳遞多種信號至每個像素結構中；多條水平配置的信號線，由周邊區域水平延伸至每個像素結構，以傳遞多種信號至每個像素結構中，多條水平配置的信號線包含一初始信號線；以及多個薄膜電晶體以及一儲存電容，設置於每個像素結構中。
圖4爲本發明的有機發光二極體顯示裝置的像素布局設計圖，其示出了兩個像素結構時的像素布局設計，從圖中可以看出，掃描線Sn+1、掃描線Sn、掃描線Sn-1及發光驅動線En以及初始信號線Vin呈水平配置，而數據線Dm和ELVDD信號線呈垂直配置，其中初始信號線Vin用以提供初始信號至像素結構中以重置像素結構的電容值。
在圖中左側的像素結構中，設置有薄膜電晶體T1、T2、T3、T4、T5、T6及T7，以及一儲存電容C1。
爲了形成本發明的有機發光二極體像素結構中的上述多條信號線、薄膜電晶體T1、T2、T3、T4、T5、T6及T7，以及儲存電容C1，採用半導體工藝，沉積包含半導體層、第一閘極絕緣層、第一導電層(閘極電源層1)、第二閘極絕緣層、第二導電層(閘極電源層2)、數據線絕緣層、第三導電層(數據線層)、平坦化層(陽極絕緣層)、第四導電層(陽極金屬層)及像素定義層等多層薄膜結構，並且在各道工藝之間配合掩模曝光、蝕刻等半導體工藝在所需部位定義出特定的圖案來形成圖4中各條信號線、薄膜電晶體T1、T2、T3、T4、T5、T6及T7，以及儲存電容C1等結構。
儲存電容C1具有一第一端與一第二端，儲存電容C1的第一端由第二導電層所形成，儲存電容C1的第二端由第一導電層所形成，第二導電層位於第一導電層的上方，第二導電層與第一導電層之間由第二閘極絕緣層隔開。
第一導電層與第二導電層均可爲金屬層，其材料可分別由鉬金屬或鉬-鋁-鉬金屬疊層構成。
初始信號線Vin與儲存電容C1的第一端是由同一金屬層所形成，即均由第二導電層所形成。圖5爲圖4中的像素布局在第二導電層的部分投影示意圖，如圖5所示，初始信號線Vin與儲存電容C1的第一端均由第二導電層所形成，而陽極A由與第二導電層不同層的陽極金屬層形成，二者不處於同一平面上，因而不會因高解析度造成初始信號線Vin與陽極A相互重叠而出現短路的情况，同時在高PPI的情况下也不會因爲避免短路而减少一定的發光面積，從而爲OLED的發光效率預留了一定的設計空間。
圖6爲圖4中沿II-II’剖面線的部分剖面圖，本發明的有機發光二極體顯示裝置在基板上還包括一半導體層201以及一第一絕緣層202，第一絕緣層202位於半導體層201及初始信號線所在的第二導電層203之間，以起到絕緣作用。具體而言，第一絕緣層202是由第一閘極絕緣層以及第二閘極絕緣層所形成。
第一導電層(圖中未示出)位於第二導電層203的下方，例如位於第一絕緣層202之中，從而將第一絕緣層202在部分區域分割爲上下兩層，下層爲第一閘極絕緣層，上層爲第二閘極絕緣層。上述掃描線Sn+1、掃描線Sn、掃描線Sn-1及發光驅動線En均是由第一導電層所形成，位於第一閘極絕緣層上。
半導體層201可爲多晶矽層，其中可包括用於TFT的溝道區、源區、汲區以及走線；第一絕緣層202可爲氧化矽層、氮化矽層或氧化矽及氮化矽的疊層。
爲導通初始信號線與半導體層201，可在第一絕緣層202中開設一接觸孔H2，所述接觸孔H2貫穿第一絕緣層202並暴露出下方的半導體層，從而使初始信號線經由接觸孔H2電性連接到半導體層201中。
此外，相鄰兩個像素的初始信號線可由同一接觸孔電性連接至相鄰兩像素的半導體層中，通過這樣的設置，可實現整條水平像素通過第二導電層進行連接。
數據線及ELVDD信號線可由數據線金屬層所形成，該數據線金屬層位於第二導電層203的上方，同時該數據線金屬層與第二導電層203之間還包含一第二絕緣層。
在數據線金屬層之上還包含一平坦化層，該平坦化層爲有機材料層。通過塗布厚度較厚的有機材料，可以填平上述接觸孔等凹陷，達到整面平坦化的效果。
在平坦化層之上還包含一陽極金屬層，其形成像素結構的陽極，該陽極金屬層可爲反射層，以使像素結構的陽極爲反射電極。
在陽極金屬層之上還包括一像素定義層，該像素定義層包含一開口，該開口的底部曝露出像素結構的陽極。
在該像素定義層的開口中，還包含有機發光材料，該有機發光材料與陽極接觸，形成有機發光功能層。
在像素定義層與有機發光材料之上，還包含透明導電層，其形成像素結構的陰極，從而與陽極以及有機發光材料共同組成有發光單元。
綜上所述，本發明的有機發光二極體顯示裝置將初始信號線與儲存電容的第一端布局於同一金屬層中，並通過接觸孔將該金屬層與半導體層電性連接，可避免初始信號線與陽極之間産生短路，同時可以在一定的像素大小情况下增加OLED的發光面積，給OLED的發光效率預留一定的設計空間。
本領域技術人員應當注意的是，本發明所描述的實施方式僅僅是示範性的，可在本發明的範圍內作出各種其他替換、改變和改進。因而，本發明不限於上述實施方式，而僅由權利要求限定。
101‧‧‧半導體層
102‧‧‧絕緣層
103‧‧‧數據線金屬層
104‧‧‧平坦化層
105‧‧‧陽極金屬層
201‧‧‧半導體層
202‧‧‧第一絕緣層
203‧‧‧第二導電層
A‧‧‧陽極
C1‧‧‧儲存電容
Dm、DM‧‧‧數據線
ELVDD‧‧‧發光陽極信號線
En‧‧‧發光驅動線
H1‧‧‧接觸孔
H2‧‧‧接觸孔
K‧‧‧陰極
O‧‧‧開口
Sn-1、Sn、Sn+1‧‧‧掃描線
T1、T2、T3、T4、T5、T6、T7‧‧‧薄膜電晶體
Vin‧‧‧初始信號線
I-I’、II-II’‧‧‧剖面線
圖1爲現有技術的像素布局設計圖； 圖2爲圖1中第四導電層以及第四導電層上像素定義層布局示意圖； 圖3爲圖1中沿I-I’剖面線的部分剖面圖； 圖4爲本發明的有機發光二極體顯示裝置的像素布局設計圖； 圖5爲圖4中的像素布局在第二導電層的投影示意圖； 圖6爲圖4中沿II-II’剖面線的部分剖面圖； 圖7爲有源矩陣OLED顯示裝置的子像素電路示意圖。
C1‧‧‧儲存電容
Dm‧‧‧數據線
ELVDD‧‧‧發光陽極信號線
En‧‧‧發光驅動線
Sn-1、Sn、Sn+1‧‧‧掃描線
T1、T2、T3、T4、T5、T6、T7‧‧‧薄膜電晶體
Vin‧‧‧初始信號線
II-II’‧‧‧剖面線

Claims (14)

  1. 一種有機發光二極體顯示裝置，其特徵在於，該有機發光二極體顯示裝置包括： 多個像素結構，設置於一基板上，所述基板包含由所述多個像素結構形成的顯示區域以及位於顯示區域外的周邊區域； 多條垂直配置的信號線，由所述周邊區域垂直延伸至每個像素結構，以傳遞多種信號至每個像素結構中； 多條水平配置的信號線，由所述周邊區域水平延伸至每個像素結構，以傳遞多種信號至每個像素結構中，所述多條水平配置的信號線包含一初始信號線；以及 多個薄膜電晶體以及一儲存電容，設置於每個所述像素結構中，其中所述儲存電容的第二端由第一導電層所形成，所述儲存電容的第一端以及所述初始信號線是由第二導電層所形成，所述第二導電層位於所述第一導電層的上方。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光二極體顯示裝置，其中所述初始信號線用以提供初始信號至像素結構中以重置像素結構的電容值。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光二極體顯示裝置，其中所述基板上還包括一半導體層，一第一絕緣層位於所述半導體層及所述初始信號線之間，所述第一絕緣層包含一接觸孔，所述像素結構中的所述初始信號線經由所述接觸孔電性連接到所述半導體層。
  4. 如申請專利範圍第4項所述之有機發光二極體顯示裝置，其中所述相鄰兩像素的初始信號線是由同一所述接觸孔電性連接至所述相鄰兩像素的所述半導體層。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光二極體顯示裝置，其中所述垂直配置的信號線包括數據線及ELVDD信號線。
  6. 如申請專利範圍第8項所述之有機發光二極體顯示裝置，其中所述數據線及所述ELVDD信號線是由數據線金屬層所形成，所述數據線金屬層位於所述第二導電層的上方，所述數據線金屬層與所述第二導電層之間包含一第二絕緣層。
  7. 如申請專利範圍第8項所述之有機發光二極體顯示裝置，其中所述數據線金屬層上方包含一平坦化層，所述平坦化層爲有機材料層。
  8. 如申請專利範圍第10項所述之有機發光二極體顯示裝置，其中所述平坦化層上方包含一陽極金屬層，所述陽極金屬層形成所述像素結構的陽極。
  9. 如申請專利範圍第11項所述之有機發光二極體顯示裝置，其中所述陽極金屬層爲反射層，所述像素結構的陽極爲反射電極。
  10. 如申請專利範圍第12項所述之有機發光二極體顯示裝置，其中所述陽極金屬層上方包含一像素定義層，所述像素定義層包含一開口，所述開口的底部曝露出所述像素結構的陽極。
  11. 如申請專利範圍第13項所述之有機發光二極體顯示裝置，還包含有機發光材料設置於所述像素定義層的所述開口中，所述有機發光材料與所述陽極接觸。
  12. 如申請專利範圍第14項所述之有機發光二極體顯示裝置，還包含一透明導電層位於所述像素定義層及所述有機發光材料上，所述透明導電層形成所述像素結構的陰極。
  13. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光二極體顯示裝置，其中所述水平配置的信號線還包括多條掃描線，所述多條掃描線是由所述第一導電層形成。
  14. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光二極體顯示裝置，其中所述水平配置的信號線還包括發光驅動線，所述發光驅動線是由所述第一導電層形成。
TW104112501A 2014-12-02 2015-04-17 有機發光二極體顯示裝置 TW201622130A (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201410723459.4A CN105720071A (zh) 2014-12-02 2014-12-02 有机发光二极管显示装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW201622130A true TW201622130A (zh) 2016-06-16

Family

ID=56079666

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW104112501A TW201622130A (zh) 2014-12-02 2015-04-17 有機發光二極體顯示裝置

Country Status (5)

Country Link
US (1) US20160155792A1 (zh)
JP (1) JP2016110054A (zh)
KR (1) KR20160066568A (zh)
CN (1) CN105720071A (zh)
TW (1) TW201622130A (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI652813B (zh) 2016-09-12 2019-03-01 日商日本顯示器股份有限公司 顯示裝置
CN112770431A (zh) * 2019-10-21 2021-05-07 台湾爱司帝科技股份有限公司 发光模块

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112234088B (zh) * 2017-04-21 2023-04-18 群创光电股份有限公司 显示装置
CN107154406B (zh) * 2017-05-12 2021-01-26 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制作方法和显示装置
EP4068381A4 (en) * 2019-11-29 2023-01-25 BOE Technology Group Co., Ltd. DISPLAY SUBSTRATE AND METHOD FOR MAKING IT, AND DISPLAY DEVICE
WO2021102988A1 (zh) 2019-11-29 2021-06-03 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制备方法、显示装置
WO2021102999A1 (zh) * 2019-11-29 2021-06-03 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及显示装置
EP4068374A4 (en) 2019-11-29 2022-11-23 BOE Technology Group Co., Ltd. DISPLAY SUBSTRATE AND DISPLAY DEVICE
CN111146362B (zh) * 2019-12-31 2022-12-23 武汉天马微电子有限公司 一种显示面板及显示装置
CN112234092B (zh) * 2020-10-30 2023-03-24 云谷（固安）科技有限公司 显示面板及显示装置
GB2616206A (en) * 2020-11-18 2023-08-30 Boe Technology Group Co Ltd Display panel, driving method and display apparatus
CN113450715B (zh) * 2021-06-25 2022-10-28 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制备方法、显示装置
WO2024036574A1 (zh) * 2022-08-18 2024-02-22 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制备方法、显示装置

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101080353B1 (ko) * 2004-07-02 2011-11-07 삼성전자주식회사 박막 트랜지스터 표시판
JP5250960B2 (ja) * 2006-01-24 2013-07-31 セイコーエプソン株式会社 発光装置および電子機器
KR101486038B1 (ko) * 2012-08-02 2015-01-26 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR101982074B1 (ko) * 2012-10-08 2019-08-29 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR102061791B1 (ko) * 2012-11-13 2020-01-03 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR102018284B1 (ko) * 2013-02-28 2019-09-05 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 어레이 기판 및 이를 포함하는 유기 발광 표시 장치

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI652813B (zh) 2016-09-12 2019-03-01 日商日本顯示器股份有限公司 顯示裝置
CN112770431A (zh) * 2019-10-21 2021-05-07 台湾爱司帝科技股份有限公司 发光模块

Also Published As

Publication number Publication date
US20160155792A1 (en) 2016-06-02
KR20160066568A (ko) 2016-06-10
CN105720071A (zh) 2016-06-29
JP2016110054A (ja) 2016-06-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TW201622130A (zh) 有機發光二極體顯示裝置
WO2022057491A1 (zh) 显示基板及其制备方法、显示装置
US9985085B2 (en) Array substrate for narrow frame design, manufacturing method thereof and display device
US11903272B2 (en) Display substrate, display panel and display apparatus
US11581385B2 (en) Display substrate having additional pad layer
JP2018097361A (ja) 有機発光表示装置およびその製造方法
US9837480B2 (en) Array substrate with double-gate TFT, method of fabricating the same, and display device
US20240138210A1 (en) Display substrate, preparation method therefor, and display device
TWI575727B (zh) 有機發光顯示裝置及其製造方法
US10008517B2 (en) Display device having reduced parasitic capacitance and cross-talk and method of manufacturing the same
JP2022539621A (ja) ディスプレイパネル及びその製造方法、表示装置
JP6749591B2 (ja) 表示装置および表示装置の製造方法
US20190189974A1 (en) Organic el display device
CN109065590B (zh) 有机发光显示基板及其制作方法、有机发光显示装置
WO2023280110A1 (zh) 显示基板及其制备方法
JP2017515276A (ja) Ｏｌｅｄディスプレイパネルの画素構造
US20220208948A1 (en) Display substrate, and display apparatus
JP2023528549A (ja) 表示パネル及びその製作方法、表示装置
WO2015188472A1 (zh) 阵列基板及其制备方法
US20150053931A1 (en) Thin-film transistor array substrate, display apparatus including same, and method of manufacturing thin-film transistor array substrate
US20220181419A1 (en) Display substrate, manufacturing method thereof and display device
KR102621005B1 (ko) 유기 발광 표시 장치
CN115424570A (zh) 像素电路及其驱动方法、显示基板和显示装置
KR102563777B1 (ko) 유기전계발광표시장치
CN107611163B (zh) 一种oled显示基板及其制作方法和显示装置