KR20160066568A - 유기발광 다이오드 디스플레이 장치 - Google Patents

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KR20160066568A
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후안난 왕
유-슝 펭
리나 샤오
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에버디스플레이 옵트로닉스 (상하이) 리미티드
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Abstract

본 발명은 복수개의 화소구조로 형성된 표시영역 및 표시영역 이외의 주변영역을 포함하는 기판 상에 설치되는 복수개의 화소구조; 주변영역으로부터 각 하나의 화소구조까지 수직 연장되어 복수개의 신호를 각 하나의 화소구조에 전달하는 복수개의 수직으로 배치된 신호선; 주변영역으로부터 각 하나의 화소구조까지 수직 연장되어 복수개의 신호를 각 하나의 화소구조에 전달하고 초기 신호선을 포함하는 복수개의 수평으로 배치된 신호선; 및 각 하나의 화소구조에 설치되고, 저장 커패시터의 제2단은 제1전기전도층으로 형성되며, 저장 커패시터의 제1단 및 초기 신호선은 제1전기전도층의 상방에 위치하는 제2전기전도층으로 형성되는 복수개의 박막 트랜지스터 및 저장 커패시터를 포함하는 유기발광 다이오드 디스플레이 장치를 제공한다. 본 발명의 유기발광 다이오드 디스플레이 장치는 초기 신호선과 양극 사이에 단락이 발생하는 것을 피면할 수 있다.

Description

유기발광 다이오드 디스플레이 장치{ORGANIC LIGHT EMITTING DIODE DISPLAY DEVICE}
본 발명은 유기발광 다이오드(OLED) 디스플레이 분야에 관한 것으로서, 특히 유기발광 다이오드 디스플레이 장치에 관한 것이다.
유기발광 다이오드(OLED) 디스플레이 장치는 수동형 유기발광 다이오드(PMOLED)와 능동형 유기발광 다이오드(AMOLED)로 나뉜다. 수동형 유기발광 다이오드 디스플레이 장치와 비교하면 능동형 유기발광 다이오드 디스플레이 장치는 상대적으로 더욱 복잡한 제조공정을 구비하고 있다.
도7에 도시된 바와 같이, 이는 능동형 유기발광 다이오드 디스플레이 장치의 서브화소 전기회로 모식도를 표시한다. 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 능동형 유기발광 다이오드 디스플레이 장치는 복수개의 화소구조로 구성되며, 능동형 유기발광 다이오드 디스플레이 장치의 전기회로 모식도 역시 도7에 도시된 복수개의 서브화소 전기회로 모식도로 구성되었음을 이해해야 할 것이다. 이에 대해서는 더 이상 설명하지 않는다.
도7을 참조하면, 능동형 유기발광 다이오드 디스플레이 장치의 각 하나의 서브화소 전기회로는 음극(K) 및 데이터선(Dm), 발광 양극 신호선(ELVDD), 스캐닝 라인(Sn+1), 스캐닝 라인(Sn), 스캐닝 라인(Sn-1), 발광 구동선(En), 초기 신호선(Vin)과 저장 커패시터 신호선(도면에 도시되지 않음) 등 복수개의 신호선을 포함한다. 이러한 신호선은 표시영역의 외부에서 상이한 시간 순서로 대응되는 신호를 각개의 화소에 전달하며, 도7을 배합하면, 서브화소 전기회로의 복수개의 박막 트랜지스터 및 커패시터의 작용을 통하여 OLED서브화소의 상이한 그레이 스케일 값을 표시한다. 다시 말해서, 상기 신호선은 모두 표시영역의 외부로부터 각개의 화소에 전기적으로 연결되어야만이 능동형 유기발광 다이오드 디스플레이 장치의 표시 기능을 실현할 수 있다.
도1에 도시된 바와 같이 (도1과 도7 동시 참조), 기존의 서브화소 분포 디자인은 상기 복수개의 신호선 중에서 데이터선(Dm) 및 ELVDD신호선은 수직으로 분포 배열된 신호선이고 스캐닝 라인(Sn+1), 스캐닝 라인(Sn), 스캐닝 라인(Sn-1), 발광 구동선(En), 저장 커패시터(C1)의 신호선 및 초기 신호선(Vin)은 수평으로 분포되는 신호선이다.
AMOLED화소구조 중의 복수개의 신호선, 복수개의 박막 트랜지스터 및 커패시터 구조를 형성하기 위하여, 기존의 제조방법은 반도체 공법을 사용하여 반도체층, 제1그리드 절연층, 제1전기전도층(그리드 전원층1), 제2그리드 절연층, 제2전기전도층(그리드 전원층2), 데이터선 절연층, 제3전기전도층(데이터선층), 평탄화층(양극 절연층), 제4전기전도층(양극 금속층) 및 화소 정의층 등을 포함하는 복수층의 박막구조를 증착하고 각 단계의 공정 사이에 마스크 노출, 식각 등 반도체 공법을 배합하여 필요한 부위에서 특정된 패턴을 얻어 도1중의 각개의 신호선, 박막 트랜지스터 및 커패시터 등 구조를 형성한다.
상기 구조에 있어서, 수직으로 분포 배열된 데이터선(Dm) 및 ELVDD신호선은 제3전기전도층으로 형성되고, 수평으로 분포 배열된 스캐닝 라인(Sn+1), 스캐닝 라인(Sn), 스캐닝 라인(Sn-1), 발광 구동선(En)은 제1전기전도층으로 형성되며, 수평으로 분포 배열되고 또한 표시영역의 외부까지 수평으로 연장된 커패시터 구조의 일단 및 저장 커패시터 신호선은 제2전기전도층으로 형성되고, 마찬가지로 수평으로 분포 배열된 초기 신호선(Vin)은 제4전기전도층으로 형성된다.
이밖에도, 반도체층은 주요하게 복수개의 박막 트랜지스터의 채널(channel)을 형성하고; 제1전기전도층은 상기의 복수개의 스캐닝 라인 및 발광 구동선(En)을 형성하는 외에 복수개의 박막 트랜지스터의 제1그리드 및 커패시터 구조의 타단을 더 형성하며; 제4전기전도층은 상기 초기 신호선(Vin)을 형성하는 외에 OLED소자의 양극 구조를 더 형성하고; 화소 정의층은 제4전기전도층에 위치하며 또한 복수개의 정의 서브화소 위치의 오목홈을 형성하고 오목홈의 개구의 밑부분에 제4전기전도층이 정의한 양극이 노출되며 OLED재료는 오목홈의 양극 상에서 OLED서브화소를 형성한다.
AMOLED 디스플레이 장치가 점차 고해상도(PPI, Pixel Per Inch)의 방향으로 발전함에 따라 이러한 추세에 따른 화소 전기회로 분포 디자인이 극히 중요한 요소로 대두되었다. 그러나, 고해상도는 각개 서브화소의 면적이 보다 축소됨으로써 상기 서브화소의 각종 신호선, 박막 트랜지스터 및 커패시터의 분포가 더욱 가혹한 도전에 직면하게 한다. 진일보로 도2와 도3을 참조하면, 설명의 편의를 위하여, 도2는 도1 중의 제4전기전도층 및 제4전기전도층의 화소 정의층의 분포 모식도만 표시하고, 도3은 Ⅰ-Ⅰ'에 따른 단면선의 부분적 단면도이다. 도2에 도시된 바와 같이, 초기 신호선(Vin) 및 OLED 소자 중의 양극구조(A)는 모두 제4전기전도층으로 형성되고, 화소 정의층이 정의한 개구(O)는 양극(A)의 상방에 위치하며, 상기 개구(O)는 양극(A)을 노출시킨다. 도3에 도시된 바와 같이, 반도체층(101) 상에 각각 절연층(102), 데이터선 금속층(103), 평탄화층(104)과 양극 금속층(105)이 형성되고, 초기 신호선(Vin)은 양극 금속층(105)에 위치하며, 양극 금속층(105)은 접촉홀(H1)을 통해 반도체층(101)과의 전기적 연결을 실현함으로써, 초기 신호선(Vin)은 초기 신호를 표시영역의 외부에서 서브화소에 수평으로 전달하고, 또한 접촉홀(H1)을 통해 초기 신호를 하층의 반도체층(101)에 전입한다.
도2에서는 기존의 초기 신호선의 분포가 고해상도 화소구조에 응용되는 과정에서 직면하게 될 문제를 제시하였고, 도2에서 해상도의 향상과 더불어 화소면적이 작아지며 마찬가지로 제4전기전도층으로 형성되는 초기 신호선 및 양극이 면적이 지나치게 작음으로 인해 상호 접촉되어 신호 단락이 발생하는 문제를 발견할 수 있다. 또한, 초기 신호선과 양극이 단락되어 양극의 면적이 축소되는 것을 미연에 방지하기 위하여 화소 정의층의 개구를 진일보로 축소하였으며, 이는 화소 발광 면적의 축소를 초래하게 되어 화면 디스플레이에 불리하다.
본 발명의 목적은 기존 기술 중에 존재하는 단점에 대비해 합리적인 화소 분포로 디자인한 유기 발광 다이오드 디스플레이 장치를 제공하여 초기 신호선과 양극의 면적이 지나치게 작음으로 인해 상호 접촉되어 신호 단락이 발생하는 것을 방지하기 위함이다.
본 발명은 복수개의 화소구조로 형성된 표시영역 및 표시영역 밖에 위치하는 주변영역을 포함하는 기판 상에 설치되는 복수개의 화소구조;
상기 주변영역으로부터 각 하나의 화소구조까지 수직 연장되어 복수개의 신호를 각 하나의 화소구조에 전달하는 복수개의 수직 분포된 신호선;
주변영역으로부터 각 하나의 화소구조까지 수평으로 연장되어 복수개의 신호를 각 하나의 화소구조에 전달하고 초기 신호선을 포함하는 수평으로 배치된 복수개의 신호선;
각 하나의 화소구조에 설치되고, 저장 커패시터의 제2단은 제1전기전도층으로 형성되고, 상기 저장 커패시터의 제1단 및 상기 초기 신호선은 제1전기전도층의 상방에 위치하는 제2전기전도층으로 형성되는 복수개의 박막 트랜지스터 및 저장 커패시터를 포함하는 유기발광 다이오드 디스플레이 장치를 제공한다.
본 발명의 유기발광 다이오드 디스플레이 장치의 일 실시방식에 있어서, 상기 초기 신호선은 초기 신호를 화소구조에 제공함으로써 화소구조의 커패시턴스 값을 리셋한다.
본 발명의 유기발광 다이오드 디스플레이 장치의 다른 일 실시방식에 있어서, 상기 제1전기전도층 및 제2전기전도층의 자재는 각각 몰리브덴 금속 또는 몰리브덴-알루미늄-몰리브덴 금속으로 적층되어 이루어진다.
본 발명의 유기발광 다이오드 디스플레이 장치의 다른 일 실시방식에 있어서, 상기 기판 상에 반도체층을 더 포함하고, 상기 반도체층과 상기 초기 신호선 사이에 접촉홀을 포함하는 제1절연층이 위치하고 상기 화소구조 중의 상기 초기 신호선은 상기 접촉홀을 통하여 상기 반도체층에 전기적으로 연결된다.
본 발명의 유기발광 다이오드 디스플레이 장치의 다른 일 실시방식에 있어서, 상기 반도체층은 다결정규소층이다.
본 발명의 유기발광 다이오드 디스플레이 장치의 다른 일 실시방식에 있어서, 상기 제1절연층은 산화규소, 질화규소 또는 산화규소 및 질화규소의 적층층이다.
본 발명의 유기발광 다이오드 디스플레이 장치의 다른 일 실시방식에 있어서, 상기 인접한 두개 화소의 초기 신호선은 동일한 상기 접촉홀을 통하여 상기 인접한 두개 화소의 반도체층에 전기적으로 연결된다.
본 발명의 유기발광 다이오드 디스플레이 장치의 다른 일 실시방식에 있어서, 상기 수직으로 배치된 신호선은 데이터선 및 ELVDD신호선을 포함한다.
본 발명의 유기발광 다이오드 디스플레이 장치의 다른 일 실시방식에 있어서, 상기 데이터선 및 상기 ELVDD신호선은 데이터선 금속층으로 형성되고 상기 데이터선 금속층은 상기 제2전기전도층의 상방에 위치하며 상기 데이터선 금속층과 상기 제2전기전도층 사이에 제2절연층을 포함한다.
본 발명의 유기발광 다이오드 디스플레이 장치의 다른 일 실시방식에 있어서, 상기 데이터선 금속층은 상방에 유기재료층인 평탄화층을 포함한다.
본 발명의 유기발광 다이오드 디스플레이 장치의 다른 일 실시방식에 있어서, 상기 평탄화층은 상방에 상기 화소구조의 양극을 형성하는 양극 금속층을 포함한다.
본 발명의 유기발광 다이오드 디스플레이 장치의 다른 일 실시방식에 있어서, 상기 양극 금속층은 반사층이고 상기 화소구조의 양극은 반사 전극이다.
본 발명의 유기발광 다이오드 디스플레이 장치의 다른 일 실시방식에 있어서, 하부에 상기 화소구조의 양극이 노출되는 개구를 포함하는 화소 정의층이 상기 양극 금속층의 상방에 포함된다.
본 발명의 유기발광 다이오드 디스플레이 장치의 다른 일 실시방식에 있어서, 상기 유기발광 다이오드 디스플레이 장치는 상기 양극과 접촉하고 상기 화소 정의층의 상기 개구 중에 설치되는 유기발광재료를 더 포함한다.
본 발명의 유기발광 다이오드 디스플레이 장치의 다른 일 실시방식에 있어서, 상기 유기발광 다이오드 디스플레이 장치는 상기 화소 정의층 및 상기 유기발광재료에 위치하는 투명 전기전도층을 더 포함하고 상기 투명 전기전도층은 화소구조의 음극을 형성한다.
본 발명의 유기발광 다이오드 디스플레이 장치의 다른 일 실시방식에 있어서, 상기 수평으로 배치된 신호선은 상기 제1전기전도층으로 형성되는 복수개의 스캐닝 라인을 더 포함한다.
본 발명의 유기발광 다이오드 디스플레이 장치의 다른 일 실시방식에 있어서, 상기 수평으로 배치된 신호선은 상기 제1전기전도층으로 형성되는 발광 구동선을 더 포함한다.
본 발명의 유기발광 다이오드 디스플레이 장치는 초기 신호선과 저장 커패시터의 제1단을 동일한 금속층에 설치하고, 접촉홀을 통하여 상기 금속층과 반도체층을 전기적으로 연결함으로써 초기 신호선과 양극 사이에서 단락이 발생하는 것을 방지하는 동시에, 일정한 화소크기 하에서 OLED의 발광면적을 증가시킬 수 있으며 OLED의 발광효율에 일정한 설계공간을 미리 확보한다.
도1은 선행기술의 화소분포 설계도이다.
도2는 도1중의 제4전기전도층 및 제4전기전도층의 화소 정의층의 분포 모식도이다.
도3은 도1중 Ⅰ-Ⅰ'에 따른 단면선의 부분적 단면도이다.
도4는 본 발명의 유기 발광 다이오드 디스플레이 장치의 화소분포 설계도이다.
도5는 도4중의 화소분포가 제2전기전도층에서의 투영 모식도이다.
도6은 도4 중의 Ⅱ-Ⅱ'에 따른 단면선의 부분 단면도이다.
도7은 능동형 유기발광 다이오드의 서브화소 전기회로 모식도이다.
아래의 구체적인 실시예에 근거하여 본 발명의 기술방안에 대하여 진일보로 설명한다. 본 발명의 보호범위는 하기 실시예에 한하지 않고 이러한 실례의 열거는 단지 예를 명시하기 위한 목적이며 어떠한 방식으로도 본 발명을 제한하지 않는다.
본 발명의 실시 방식에 있어서, 유기 발광 다이오드 디스플레이 장치는,
복수개의 화소구조로 형성된 표시영역 및 표시영역 밖에 위치하는 주변영역을 포함하는 기판 상에 설치되는 복수개의 화소구조;
주변영역으로부터 각 하나의 화소구조까지 수직 연장되어 복수개의 신호를 각 하나의 화소구조에 전달하는 복수개의 수직으로 배치된 신호선;
주변영역으로부터 각 하나의 화소구조까지 수직 연장되어 복수개의 신호를 각 하나의 화소구조에 전달하고 초기 신호선을 포함하는 복수개의 수평으로 배치된 신호선; 및
각 하나의 화소구조에 설치되는 복수개의 박막 트랜지스터 및 저장 커패시터를 포함한다.
도4는 본 발명의 유기 발광 다이오드 디스플레이 장치의 화소분포 설계도이고, 2개의 화소구조일 경우의 화소 분포 설계를 제시하며, 도면에 도시된 바와 같이, 스캐닝 라인(Sn+1), 스캐닝 라인(Sn), 스캐닝 라인(Sn-1) 및 발광 구동선(En) 및 초기 신호선(Vin)은 수평으로 배치되지만, 데이터선 (Dm)과 ELVDD신호선은 수직으로 배치되고 상기 초기 신호선(Vin)은 초기 신호를 화소구조에 제공하여 상기 화소구조의 커패시턴스 값을 리셋한다.
도면의 좌측의 화소구조에 박막 트랜지스터(T1, T2, T3, T4, T5, T6 및 T7) 및 저장 커패시터(C1)가 설치된다.
본 발명의 유기 발광 다이오드 디스플레이 장치 화소구조에 있어서, 상기 복수개의 신호선, 박막 트랜지스터(T1, T2, T3, T4, T5, T6 및 T7) 및 저장 커패시터(C1)를 형성하기 위하여 반도체 공법을 사용하여 반도체층, 제1그리드 절연층, 제1전기전도층(그리드 전원층1), 제2그리드 절연층, 제2전기전도층(그리드 전원층2), 데이터선 절연층, 제3전기전도층(데이터선층), 평탄화층(양극절연층), 제4전기전도층(양극 금속층) 및 화소 정의층 등을 포함하는 복수층의 박막구조를 증착하고 각 단계의 공법 사이에 마스크 노출, 식각 등 반도체 공법을 배합하여 필요한 부분에서 특정된 패턴을 얻어 도4중의 박막 트랜지스터(T1, T2, T3, T4, T5, T6 및 T7) 및 저장 커패시터(C1)의 구조를 형성한다.
저장 커패시터(C1)는 제1단과 제2단을 포함하고 저장 커패시터(C1)의 제1단은 제2전기전도층으로 형성되며 저장 커패시터(C1)의 제2단은 제1전기전도층으로 형성되고 제2전기전도층은 제1전기전도층의 상방에 위치하고 제2그리드 절연층은 제2전기전도층과 제1전기전도층 사이를 이격시킨다.
제1전기전도층 및 제2전기전도층은 모두 금속층일 수 있고 자재는 각각 몰리브덴 금속 또는 몰리브덴-알루미늄-몰리브덴 금속으로 적층되어 이루어질 수 있다.
초기 신호선(Vin)과 저장 커패시터(C1)의 제1단은 동일한 금속층으로 형성된다. 즉, 모두 제2전기전도층으로 형성된다. 도5는 도4 중의 화소분포가 제2전기전도층에서의 투영 모식도이고, 도5에 도시된 바와 같이 초기 신호선(Vin)과 저장 커패시터(C1)의 제1단은 모두 제2전기전도층으로 형성되며, 양극(A)은 제2전기전도층의 상이한 층의 양극 금속층으로 형성되고, 양자는 동일한 평면 상에 위치하지 않아, 고해상도로 인해 초기 신호선(Vin)과 양극(A)이 상호 중첩되어 단락이 발생하는 상황을 초래하지 않고, 이와 동시에 고PPI상황 하에서 단락현상을 방지하기 위해 일정한 발광면적을 축소하지 않으면서도 OLED발광효율을 위하여 일정한 디자인 공간을 미리 확보한다.
도6은 도4 중의 Ⅱ-Ⅱ'에 따른 단면선의 부분적 단면도이고, 본 발명의 유기 발광 다이오드 디스플레이 장치는 기판 상에 반도체층(201)과 제1절연층(202)을 더 포함하고, 제1절연층(202)은 반도체층(201) 및 초기 신호선이 위치한 제2전도층(203) 사이에 위치하여 절연작용을 한다. 구체적으로 설명하면, 제1절연층(202)은 제1그리드 절연층과 제2그리드 절연층으로 형성된다.
제1전기전도층(도면에 도시되지 않음)은 제2전기전도층(203)의 하방에 위치하며, 예를 들어 제1절연층(202) 사이에 위치하여 제1절연층(202)의 일부분 영역을 상하 두층으로 분할하고, 하층은 제1그리드 절연층, 상층은 제2그리드 절연층이다. 상기 스캐닝 라인(Sn+1), 스캐닝 라인(Sn), 스캐닝 라인(Sn-1) 및 발광 구동선(En)은 모두 제1전기전도층으로 형성되고, 제1그리드 절연층 상에 위치된다.
반도체층(201)은 다결정규소층이고, 이는 TFT의 채널영역, 소스영역, 드레인 영역 및 동선을 포함한다. 제1절연층(202)은 산화규소, 질화규소 또는 산화규소 및 질화규소의 적층층이다.
초기 신호선과 반도체층(201)을 도통시키기 위하여, 제1절연층(202)에 제1절연층(202)을 관통하는 동시에 하방의 반도체층을 노출시킴으로써 초기 신호선이 접촉홀(H2)을 통하여 반도체층(201)에 전기적으로 연결되게 하는 접촉홀(H2)을 설치한다.
이밖에도, 인접한 두개 화소의 초기 신호선은 동일한 접촉홀을 통하여 인접한 두개 화소의 반도체층에 전기적으로 연결되며, 이러한 설치를 통하여 전반 수평 화소가 제2전기전도층을 거쳐 연결되게 할 수 있다.
데이터선 및 ELVDD신호선은 데이터선 금속층으로 형성되고, 데이터선 금속층은 제2전기전도층(203)의 상방에 위치하며 데이터선 금속층과 제2전기전도층(203) 사이에 제2절연층을 더 포함한다.
데이터선 금속층 상에 유기재료층인 평탄화층을 더 포함한다. 두께가 비교적 큰 유기재료를 도포함으로써, 상기 접촉홀 등 오목한 부분을 평평하게 메워 전반 표면의 평탄화 효과를 달성한다.
평탄화층 상에 화소구조의 양극을 형성하는 양극 금속층을 더 포함하고, 상기 양극 금속층은 반사층일 수 있으며, 화소구조의 양극이 반사전극으로 되게 한다.
양극 금속층 상에 화소 정의층을 더 포함하고 상기 화소 정의층은 개구를 포함하며 상기 개구의 밑부분은 화소구조의 양극을 노출시킨다.
상기 화소구조 정의층의 개구는 양극과 접촉하여 유기발광 기능층을 형성하는 유기발광재료를 더 포함한다.
화소 정의층과 유기발광재료 상에 화소구조의 음극을 형성함으로써 양극 및 유기발광재료와 공동으로 발광유닛을 구성하는 투명 전기전도층을 포함한다.
상기 내용을 종합해 보면, 본 발명의 유기 발광 다이오드 디스플레이 장치는 초기 신호선과 저장 커패시터의 제1단을 동일 금속층 사이에 분포시키고 접촉홀을 통하여 상기 금속층과 반도체층을 전기적으로 연결시킴으로써 초기 신호선과 양극 사이에서 단락이 발생하는 것을 방지할 수 있는 동시에, 일정한 화소크기 하에서 OLED의 발광면적을 증가시킬 수 있으며 OLED의 발광효율을 위하여 일정한 설계공간을 미리 확보한다.
본 발명이 속하는 기술분야의 통상의 지식을 가진 자들은 본 발명에서 설명한 실시방법은 단지 시범적이며, 본 발명의 범위 내에서 각종 기타 교체, 개변과 개선을 진행할 수 있음을 주의해야 할 것이다. 따라서, 본 발명은 상기 실시방식에 한하지 않으며 다만 청구범위에 의해 한정된다.
101: 반도체층
102: 절연층
103: 데이터선 금속층
104: 평탄화층
105: 양극 금속층
201: 반도체층
202: 제1절연층
203: 제2전기전도층
A: 양극
C1: 저장 커패시터
Dm: 데이터선
ELVDD: 발광 양극 신호선
En: 발광 구동선
H1: 접촉홀
H2: 접촉홀
K: 음극
O: 개구
Sn-1, Sn, Sn+1：스캐닝 라인
T1, T2, T3, T4, T5, T6, T7: 박막 트랜지스터
Vin：초기 신호선

Claims (14)

  1. 복수개의 화소구조로 형성된 표시영역 및 표시영역 밖에 위치하는 주변영역을 포함하는 기판 상에 설치되는 복수개의 화소구조;
    상기 주변영역으로부터 각 하나의 화소구조까지 수직 연장되어 복수개의 신호를 각 하나의 화소구조에 전달하는 복수개의 수직으로 배치된 신호선;
    주변영역으로부터 각 하나의 화소구조까지 수평으로 연장되어 복수개의 신호를 각 하나의 화소구조에 전달하고 초기 신호선을 포함하는 복수개의 수평으로 배치된 신호선;
    각 하나의 화소구조에 설치되고, 저장 커패시터의 제2단은 제1전기전도층으로 형성되며, 상기 저장 커패시터의 제1단 및 상기 초기 신호선은 제1전기전도층의 상방에 위치하는 제2전기전도층으로 형성되는 복수개의 박막 트랜지스터 및 저장 커패시터를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기발광 다이오드 디스플레이 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 초기 신호선은 초기 신호를 화소구조에 제공함으로써 화소구조의 커패시턴스 값을 리셋하는 것을 특징으로 하는 유기발광 다이오드 디스플레이 장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 기판 상에 반도체층을 더 포함하고, 상기 반도체층과 상기 초기 신호선 사이에 접촉홀을 포함하는 제1절연층이 위치하고 상기 화소구조 중의 상기 초기 신호선은 상기 접촉홀을 통하여 상기 반도체층에 전기적으로 연결되는 것을 특징으로 하는 유기발광 다이오드 디스플레이 장치.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 인접한 두개 화소의 초기 신호선은 동일한 상기 접촉홀을 통하여 상기 인접한 두개 화소의 반도체층에 전기적으로 연결되는 것을 특징으로 하는 유기발광 다이오드 디스플레이 장치.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 수직으로 배치된 신호선은 데이터선 및 ELVDD신호선을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기발광 다이오드 디스플레이 장치.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 데이터선 및 상기 ELVDD신호선은 데이터선 금속층으로 형성되고 상기 데이터선 금속층은 상기 제2전기전도층의 상방에 위치하며 상기 데이터선 금속층과 상기 제2전기전도층 사이에 제2절연층을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기발광 다이오드 디스플레이 장치.
  7. 제5항에 있어서,
    상기 데이터선 금속층은 상방에 유기재료층인 평탄화층을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기발광 다이오드 디스플레이 장치.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 평탄화층은 상방에 상기 화소구조의 양극을 형성하는 양극 금속층을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기발광 다이오드 디스플레이 장치.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 양극 금속층은 반사층이고 상기 화소구조의 양극은 반사 전극인 것을 특징으로 하는 유기발광 다이오드 디스플레이 장치.
  10. 제9항에 있어서,
    하부에 상기 화소구조의 양극이 노출되는 개구를 포함하는 화소 정의층이 상기 양극 금속층의 상방에 포함되는 것을 특징으로 하는 유기발광 다이오드 디스플레이 장치.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 양극과 접촉하고 상기 화소 정의층의 상기 개구 중에 설치되는 유기발광재료를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기발광 다이오드 디스플레이 장치.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 화소구조의 음극을 형성하고 상기 화소 정의층 및 상기 유기발광재료에 위치하는 투명 전기전도층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기발광 다이오드 디스플레이 장치.
  13. 제1항에 있어서,
    상기 수평으로 배치된 신호선은 상기 제1전기전도층으로 형성되는 복수개의 스캐닝 라인을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기발광 다이오드 디스플레이 장치.
  14. 제1항에 있어서,
    상기 수평으로 배치된 신호선은 상기 제1전기전도층으로 형성되는 발광 구동선을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기발광 다이오드 디스플레이 장치.
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