CN103296052B - 显示面板及显示装置 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种显示面板及显示装置。该显示面板包括至少一像素、一辅助电极层以及一第一有机材料层。像素包括一有机发光元件，有机发光元件具有一第一电极层。辅助电极层邻设于像素，并具有通孔与像素对应设置，通孔是由辅助电极层的一侧壁围设而成，且第一电极层经由侧壁与辅助电极层电连接。第一有机材料层设置于通孔内。本发明亦揭露一种具有该显示面板的一显示装置。<pb pnum="1" />

Description

显示面板及显示装置

技术领域

本发明是关于一种显示面板及显示装置，特别关于一种有机发光二极管(OrganicLight-Emitting Diode，OLED)的显示面板及显示装置。

背景技术

有机发光二极管具有自发光、高亮度、高对比、体积轻薄、低耗电及反应速度快等优点，因此，已逐渐应用于各类显示影像系统，例如有机发光显示装置。其中，有机发光显示装置可依其驱动方式区分为被动矩阵式(Passive-Matrix)与主动矩阵式(Active-Matrix)等两种。主动矩阵式有机发光显示装置虽然成本较昂贵、制造工艺较复杂，但适用于大尺寸、高解析度的高信息容量的全彩化显示，同时亦较为省电，因此，已成为有机发光显示装置的主流。

请同时参照图1A及图1B所示，其中，图1A为现有一种有机发光显示装置1的示意图，而图1B为图1A中，直线A-A的剖视示意图。于此，是以向上出光的有机发光显示装置1为例。

显示装置1包括一显示面板11，显示面板11可具有一显示区AA(active area)，显示区AA是可显示影像画面。显示面板11的显示区AA内是可包括多个像素P，且该等像素P设置于一基板N上。

如图1B所示，各像素P可分别具有一有机发光元件E，有机发光元件E包括一像素电极层113、一有机发光层112及一共同电极层111(common electrode)。其中，有机发光层112夹设于像素电极层113及共同电极层111之间。当于像素电极层113及共同电极层111之间建立电压差时可使有机发光层112发出光线。另外，显示装置1更可包括二导线12、13分别位于显示面板11的二侧。其中，导线12、13可接收驱动有机发光元件E的一驱动信号，并通过两信号输入端114、115驱动该等像素P显示影像。

然而，由于显示装置1向上发光，故共同电极层111为一透明电极层，因此，需有良好的透光性，且一般采用钙、镁、锂、银等金属，或其合金材料制作，且为了避免影响透光性，此层的厚度相当薄，因此阻抗较高。为了降低阻抗，可搭配具透光性的金属氧化物与上述金属或合金制成多层膜结构，例如搭配铟锡氧化物(indium-tin oxide，ITO)或铟锌氧化物(indium-zinc oxide，IZO)来制作，但这类金属氧化物材料阻抗仍较金属大，导致共同电极层111的阻抗较一般的金属电极高出许多。因此，在大尺寸显示装置的情况下，驱动信号通过导线12、13传送至例如显示面板11的中央区域的像素P时，将因共同电极层111的阻抗过大而使驱动电压的压降太高(即产生IR drop)，导致驱动电流的不足，进而使显示装置1产生亮度不均的现象(例如Mura现象)。另外，于制作有机发光元件E的制造工艺中，蒸发有机发光材料的复杂性相当高，使显示装置1的成本也相当高。

因此，如何提供一种显示面板及显示装置，可改善有机发光元件的驱动电压的压降问题所产生的亮度不均现象，同时又可具有较低的有机发光材料蒸发制造工艺复杂性及其成本，已成为重要课题之一。

发明内容

有鉴于上述课题，本发明的目的为提供一种的可改善有机发光元件的驱动电压的压降问题所产生的亮度不均现象，更可具有较低的有机发光材料蒸发制造工艺复杂性及其成本的显示面板及显示装置。

为达上述目的，依据本发明的一种显示面板包括至少一像素、一辅助电极层以及一第一有机材料层。像素包括一有机发光元件，有机发光元件具有一第一电极层。辅助电极层邻设于像素，并具有通孔与像素对应设置，通孔是由辅助电极层的一侧壁围设而成，且第一电极层经由侧壁与辅助电极层电连接。第一有机材料层设置于通孔内。

为达上述目的，依据本发明的一种显示装置包括一显示面板以及一对向基板。对向基板与显示面板相对而设。显示面板包括至少一像素、一辅助电极层及一第一有机材料层。像素包括一有机发光元件，有机发光元件具有一第一电极层。辅助电极层邻设于像素，并具有一通孔与像素对应设置，通孔是由辅助电极层的一侧壁围设而成，且第一电极层经由侧壁与辅助电极层电连接。第一有机材料层设置于通孔内。

承上所述，因依据本发明的显示面板及显示装置是通过辅助电极层的侧壁围设而形成通孔，并使得容置于通孔内的第一电极层可通过侧壁而与辅助电极层电连接。与现有相较，通过辅助电极层与有机发光元件的第一电极层电连接可提供另一驱动有机发光元件的电流路径，且为低阻抗的电流路径，因此，显示面板及显示装置可减少有机发光元件的驱动电压的压降，进而可改善显示面板及显示装置的亮度不均现象。另外，由于蒸发有机发光元件的有机材料时不必使用高精密金属掩膜就可使第一电极层与辅助电极层电连接，故更可降低显示面板及显示装置的有机发光材料蒸发制造工艺的复杂性及其成本。

附图说明

图1A为现有一种有机发光显示装置的示意图；

图1B为图1A中，直线A-A的剖视示意图；

图2A为一种有机发光显示装置的示意图；

图2B为图2A中，直线B-B的剖视示意图；

图3为本发明较佳实施例的一种显示装置的示意图；

图4A为本发明的显示面板的部分示意图；

图4B为图4A中，直线C-C的剖视示意图；

图4C为为辅助电极层的另一实施态样示意图；

图4D为辅助电极层与第一有机材料层的厚度示意图；以及

图5为本发明另一态样的显示面板的剖视示意图。

附图标号：

1、2、3：显示装置

11、21、4、4a：显示面板

111、211：共同电极层

112、212：有机发光层

113、213：像素电极层

114、115：信号输入端

12、13：导线

215、42：辅助电极层

216：导线层

41、E：有机发光元件

411：第一电极层

412：第二有机材料层

413：第二电极层

414：平坦层

415：像素定义层

42a：通孔

421：第一层

422：第二层

423：第三层

43：第一有机材料层

44：第一导线层

45：第二导线层

5：对向基板

AA：显示区

A-A、B-B、C-C：直线

AL：主动层

D：漏极

G：栅极

GI：绝缘层

N：基板

P：像素

PV：钝化层

S：源极

T：驱动晶体管

t1、t2：厚度

W：侧壁

θ：角度

具体实施方式

请参照图2A及图2B所示，其中，图2A为一种有机发光显示装置2的部分示意图，而图2B为图2A中，直线B-B的剖视示意图。于此，是以向上发光的有机发光显示装置为例。

显示装置2包括一显示面板21，显示面板21可具有显示区AA以显示影像画面。另外，显示面板21可包括多个像素P设置于一基板N，各像素P可分别具有一有机发光元件E。如图2B所示，有机发光元件E包括一像素电极层213、一有机发光层212及一共同电极层211。有机发光层212夹设于像素电极层213及共同电极层211之间，以定义像素P的区域大小。另外，各像素P更可包括至少一驱动晶体管T设置于基板N之上，且显示装置2更可通过控制驱动晶体管T来控制有机发光元件E发出对应的光线。此外，显示面板21更可包括一辅助电极层215及一导线层216，通过导线层216、辅助电极层215与有机发光元件E的共同电极层211电连接可提供有机发光元件E另一低阻抗的驱动电流路径，以减少有机发光元件E的驱动电压的压降，进而可改善显示装置2的亮度不均现象。

于此技术中，辅助电极层215与像素电极层213可使用同一图案化制造工艺或使用同一种材料，但不限于此，亦可使用不同图案化制造工艺或使用不同材料。此外，辅助电极层215与共同电极层211可通过一通孔215a电连接，且通孔215a不可完全被有机材料所覆盖，若被覆盖则将无法正常电连接。由于有机材料的蒸发无法直接使有机发光层图案化，因此，是于该制造工艺中使用一解析度为像素等级的高精密金属掩膜(fine metal mask)遮于通孔215a之上，使得通孔215a部分的辅助电极层215不会被有机材料所覆盖，而能够与共同电极层211正常电连接。不过，使用高精密金属掩膜的方式会增加有机发光材料蒸发制造工艺的复杂性，亦使显示装置2的制作相对成本提高。

请参照图3所示，其为本发明较佳实施例的一种显示装置3的示意图。先说明的是，本发明的显示装置3为一平面显示装置，并为一主动矩阵式有机发光显示装置。于此，以向上出光的有机发光显示装置为例，不过并不以此为限，显示装置3也可为向下出光的显示装置。

显示装置3包括一显示面板4以及一对向基板5，且显示面板4与对向基板5相对而设。其中，对向基板5可为一封盖，用以保护显示面板4。

另外，请参照图4A及图4B所示，其中，图4A为本发明的显示面板4的部分示意图，而图4B为图4A中，直线C-C的剖视示意图。

显示面板4可包括一显示区AA，另外，显示面板4更可包括至少一扫描线(图未显示)、至少一数据线(图未显示)及至少一像素P。如图4A所示，在本实施例中，显示面板4是以具有多条扫描线(图未显示)、多条数据线(图未显示)及多个像素P为例。其中，该等扫描线及该等数据线可呈交错设置以形成该等像素阵列，并于该等像素P内设置至少一驱动晶体管T，当显示装置3的一扫描驱动电路(图未显示)通过扫描线输出的扫描信号时可使像素P内的驱动晶体管T导通，而显示装置3的一数据驱动电路(图未显示)将对应每一像素的一数据信号通过数据线传送至该等像素P，以使显示面板4显示画面。

如图4B所示，像素P可包括一有机发光元件41设置于基板N之上。其中，有机发光元件41具有一第一电极层411、一第二有机材料层412及一第二电极层413，且第二有机材料层412夹设于第一电极层411及第二电极层413之间。当于第一电极层411及第二电极层413之间建立电压差时可使第二有机材料层412发出光线。在本实施例中，有机发光元件41是以向上发光的有机发光元件为例，但于另一实施例，亦可为向下发光的有机发光元件。另外，第一电极层411为有机发光元件41的阴极(cathode)，而第二电极层413为阳极(anode)。不过，在另一实施例中，第一电极层411亦可为有机发光元件41的阳极，而第二电极层413为有机发光元件41的阴极。由于显示装置3为向上出光，故第一电极层411为一透明电极层，而其材质可例如钙、镁、锂、银等金属或上述金属的合金材料，另可搭配铟锡氧化物(indium-tin oxide，ITO)、铟锌氧化物(indium-zinc oxide，IZO)、铝锌氧化物(aluminum-zinc oxide，AZO)、镓锌氧化物(GZO)、锌氧化物(zinc oxide，ZnO)、铟镓锌氧化物(InGaZnO，IGZO)与上述金属制成多层膜结构，于此并不加以限定。另外，第二电极层413具有反射材料，并可为一金属反射层，其材质例如可包括铝、银、钼、铜、钛、银合金、铝合金、钼合金或其它，于此亦不加以限定。

另外，显示面板4更可包括一辅助电极层42及一第一有机材料层43，而辅助电极层42邻设于像素P，且像素P、辅助电极层42及第一有机材料层43设置于显示区AA内。

辅助电极层42具有通孔42a与像素P对应设置，且有机发光元件41、辅助电极层42及第一有机材料层43设置于显示面板4的一平坦层414(flatness layer)之上。于此，以一通孔42a对应一像素P设置为例，亦可设置一个通孔42a对应多个像素P，或设置多个通孔42a对应一个像素P。另外，如图4A所示，于垂直显示区AA的方向上，亦即俯视显示面板4的方向上，通孔42a的形状可例如包括圆形、多边形或为不规则形。其中，多边形可为三角形、四边形或其它边形，而四边形例如可为正方形或长方形。于此并不加以限制。本实施例以圆形为例。

通孔42a是由辅助电极层42的一侧壁W围设而形成，且第一有机材料层43设置于通孔42a内。换言之，是通过侧壁W而围设成内部可容置第一有机材料层43的通孔42a。另外，第一有机材料层43可以完全不覆盖侧壁W，或者第一有机材料层43可部份覆盖侧壁W，换言之，侧壁W具有不被第一有机材料层43覆盖的部分。此外，第一电极层411填充于侧壁W与第一有机材料层43之间的空隙，使得第一电极层411至少可经由侧壁W与辅助电极层42电连接。

辅助电极层42的材质例如可包括铝、银、钼、铜、钛、银合金、铝合金、钼合金、铟锡氧化物(indium-tin oxide，ITO)、铟锌氧化物(indium-zinc oxide，IZO)、铝锌氧化物(aluminum-zinc oxide，AZO)、镓锌氧化物(GZO)、锌氧化物(zinc oxide，ZnO)或其组合。在本实施例中，辅助电极层42是以一层的金属钼为例。当然，在其它的实施态样中，辅助电极层42可包括二层或二层以上的不同材料，例如可为二层的钼/铟锡氧化物，或三层的钼/铝合金/铟锡氧化物或铟锡氧化物/银合金/铟锡氧化物，于此，并不加以限制。

值得注意的是，于制造工艺上，辅助电极层42与第二电极层413可采用相同的材料，并用同一层黄光蚀刻制造工艺制作，但不限定必须使用同一材料或制造工艺。另外，侧壁W与平坦层414之间可形成一角度θ，且角度θ可介于75度到150度之间。较佳者，如图4B所示，侧壁W与平坦层414之间的角度θ可大于90度而成为一负斜角。其中，若辅助电极层42为单层的一种材料时，可控制其蚀刻条件，以达到夹角θ为负斜角的目的。另外，若辅助电极层42为二层或二层以上的不同材料时，可于蒸发或溅射的制造工艺中，通过不同材料之间的蚀刻速率的不同来达到夹角θ为负斜角的目的。

另外，请参照图4C所示，其为辅助电极层42的另一实施态样示意图。

当辅助电极层42为多层时，上述的角度θ的定义为，以任相邻两层材料于其图形边缘1/2膜厚处(侧璧的中分处)的位置连线，并将连线延伸而与平坦层414水平面之间的夹角称的为角度θ，其中，至少一角度θ需符合75度与150度之间的规范。换言之，即任两相邻材料的1/2膜厚处连线的延伸，与平坦层414的水平面之间至少有一夹角需介于75度到150度之间。于此，是以第二层422与第三层423的1/2膜厚处的位置连线的延伸线与平坦层414之间的角度θ介于75度至150度之间。

另外，请参照图4D所示，其为辅助电极层42与第一有机材料层43的厚度示意图。

假设辅助电极层42的总厚度为t1，而第一有机材料层43的厚度为t2，则于角度θ介于75度与150度之间的情况下，两者厚度的关系式为t1≥1/2(t2)，亦即辅助电极层42的厚度t1可大于或等于第一有机材料层42厚度的一半(0.5倍)。因此，在符合t1≥1/2(t2)的关系式下，辅助电极层42的厚度可大于、等于或小于第一有机材料层42的厚度。

其中，上述的侧壁W与平坦层414之间的角度θ介于75度与150度之间的目的是可使后续蒸发有机材料时(即蒸发第二有机材料层412时)控制有机材料成膜时的镀膜角参数，并通过有机材料于侧壁W的阶梯覆盖率不佳而使第二有机材料层412无法完全覆盖于侧壁W，因而可形成第二有机材料层412与第一有机材料层43的不连续膜。换言之，第一有机材料层43及第二有机材料层412虽于同一蒸发制造工艺中形成，但是本发明可通过上述的控制，使第一有机材料层43及第二有机材料层412形成不连续的有机层。因此，不需使用高精密金属掩膜也不会使有机材料将侧壁W完全覆盖住。之后，于蒸发或溅射制造工艺而形成第一电极层411时并不特别限制其镀膜角，因此，侧壁W上可形成第一电极层411，并使第一电极层411可覆盖于第一有机材料层43、第二有机材料层412及辅助电极层42，藉此，使第一电极层411可经由侧壁W而与辅助电极层42电连接。

请再参照图4B所示，显示面板4更可包括一像素定义层(pixel definition layer)415设置于平坦层414之上，且像素定义层415至少部分覆盖辅助电极层42，且第二有机材料层412设置于像素定义层415及辅助电极层42之上，其面积即定义一个像素P大小。于此，像素定义层415可覆盖辅助电极层42的外侧周缘，藉此，可避免辅助电极层42因后续制造工艺中所产生的应力而与平坦层414分离。另外，因不需使用辅助电极层42最外侧周缘的区域作为与第一电极层411的导通区域，因此，可缩小辅助电极层42与第二电极层413之间的间距而增加辅助电极层42的面积或第二电极层413的面积，进而可降低第一电极层411与辅助电极层42的接触阻抗或可改善显示装置3的开口率。

另外，像素P更可包括一像素驱动电路(图未显示)设置于基板N之上，而该像素驱动电路包括至少一驱动晶体管T，其可作为有机发光元件41的驱动元件。驱动晶体管T的结构可包括一栅极G、一源极S及一漏极D。源极S可与有机发光元件41的第二电极层413电连接，源极S及漏极D可搭配的驱动设计不同而互换相对位置及连接方式。其中，栅极G的材料可为一金属层(即第一金属层M1)，而源极S及漏极D的材料可为另一金属层(即第二金属层M2)。另外，驱动晶体管T更可包括一绝缘层GI、一主动层AL及一钝化层(passivation layer)PV等，其中，主动层材料可为非晶硅(a-Si)、多晶硅(poly-Si)、铟镓锌氧化物(InGaZnO，IGZO)。可增加一蚀刻保护层(ESL，etch stop layer)于主动层Al上方，作为蚀刻阻绝的功用，避免蚀刻时主动层受破坏。驱动晶体管T的结构为现有，于此不再赘述。

此外，请再同时参照图4A及图4B所示，显示面板4更可包括一第一导线层44及一第二导线层45。第一导线层44可经由像素驱动电路而与像素P的有机发光元件41电连接，且第二导线层45可与辅助电极层42及有机发光元件41的第一电极层411电连接。于此，驱动电压可通过第一导线层44传送，并可通过像素驱动电路的控制而驱动有机发光元件41发光。与现有相较，通过第二导线层45与辅助电极层42及第一电极层411电连接可提供另一驱动有机发光元件41的电流回路，且为阻抗较低的电流路径，因此，显示装置3可减少有机发光元件41的驱动电压的压降，进而可改善显示装置3亮度的不均现象。另外，由于蒸发有机发光元件E的有机材料时不必使用高精密金属掩膜就可使第一电极层411与辅助电极层42经由侧壁W电连接，故更可降低显示装置3的有机发光材料蒸发制造工艺的复杂性及其成本。

另外，请参照图5所示，其为本发明另一态样的显示面板4a的剖视示意图。

与图4B的显示面板4主要的不同在于，显示面板4a的辅助电极层42包括一第一层421(金属层，例如银合金或其他材质)及一第二层422(透明导电层，例如可为铟锡氧化物或其它材质)，且第二层422设置于第一层421之上，藉此，使辅助电极层42具有二层不同材料的结构。其中，第二层422的设置目的是由于像素定义层415为一有机层，而有机层与第一层421的金属层的接口附着力较低，故第一层421可能会有脱落的问题，因此，可设置第二层422于第一层421之上以避免的脱落的问题。此外，第二层422亦有保护第一层421的功用，例如于非显示区与外部电路连接的连接垫，如果覆盖不易氧化的透明导电层则可保护连接垫的电连接特性。辅助电极层42亦可为两层以上的多层材料结构，如前所述，不重复叙述。

此外，显示面板4a的其它技术特征可参照显示面板4，于此，不再赘述。

综上所述，因依据本发明的显示面板及显示装置的辅助电极层具有一通孔，且通孔是通过辅助电极层的一侧壁围设而成，其中，当侧壁与平坦层之间的角度介于75度与150度之间，以及侧壁的厚度大于第一有机材料层的厚度的情况下，第一导电层可通过未被第一有机材料层覆盖的侧壁与辅助电极层电连接。与现有相较，通过辅助电极层与有机发光元件的第一电极层电连接可提供另一驱动有机发光元件的电流路径，且为阻抗较低的电流路径，因此，显示面板及显示装置可减少有机发光元件的驱动电压的压降，进而可改善显示面板及显示装置的亮度不均现象。另外，蒸发有机发光元件的有机材料时不需使用高精密金属掩膜即可使第一电极层与辅助电极层电连接，更可降低显示面板及显示装置的有机发光材料蒸发制造工艺的复杂性及其成本。

以上所述仅为举例性，而非为限制性者。任何未脱离本发明的精神与范畴，而对其进行的等效修改或变更，均应包括权利要求的保护范围中。

Claims (18)

1.一种显示面板，其特征在于，所述显示面板包括：

至少一像素，包括一有机发光元件，所述有机发光元件具有一第一电极层；

一辅助电极层，邻设于所述像素，并具有一通孔与所述像素对应设置，所述通孔是由所述辅助电极层的一侧壁围设而成，且所述第一电极层是经由所述侧壁与所述辅助电极层电连接；

一第一有机材料层，设置于所述通孔内；

一平坦层，所述有机发光元件、所述辅助电极层及所述第一有机材料层设置在所述平坦层上；以及

一像素定义层，设置于所述平坦层之上，并至少部分覆盖所述辅助电极层。

2.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述有机发光元件更具有一第二电极层及一第二有机材料层，所述第二有机材料层是夹设于所述第一电极层及所述第二电极层之间。

3.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述辅助电极层的材质包括铝、银、钼、铜、钛、银合金、铝合金、钼合金、铟锡氧化物、铟锌氧化物、铝锌氧化物、镓锌氧化物、锌氧化物或其组合。

4.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述辅助电极层的厚度大于或等于所述第一有机材料层厚度的一半。

5.如权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述第一电极层设置于所述第一有机材料层、所述第二有机材料层及所述辅助电极层之上。

6.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述通孔的形状包括圆形、多边形或为不规则形。

7.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述侧壁与所述平坦层连接所述辅助电极层处之间具有一角度，所述角度介于75度至150度之间。

8.如权利要求7所述的显示面板，其特征在于，所述辅助电极层具有一第一层及相邻的一第二层，所述第一层及所述第二层的1/2膜厚处的位置连线的延伸线与所述平坦层连接所述辅助电极层处之间具有一角度，所述角度介于75度至150度之间。

9.如权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板更包括：

一第一导线层，与所述第二电极层电连接；及

一第二导线层，与所述辅助电极层电连接。

10.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括：

一显示面板，包括：

至少一像素，包括一有机发光元件，所述有机发光元件具有一第一电极层；

一辅助电极层，邻设于所述像素，并具有一通孔与所述像素对应设置，所述通孔是由辅助电极层的一侧壁围设而成，且所述第一电极层是经由所述侧壁与所述辅助电极层电连接；

一第一有机材料层，设置于所述通孔内；

一平坦层，所述有机发光元件、所述辅助电极层及所述第一有机材料层设置在所述平坦层上；以及

一像素定义层，设置于所述平坦层之上，并至少部分覆盖所述辅助电极层；以及

一对向基板，与所述显示面板相对而设。

11.如权利要求10所述的显示装置，其特征在于，所述有机发光元件更具有一第二电极层及一第二有机材料层，所述第二有机材料层夹设于所述第一电极层及所述第二电极层之间。

12.如权利要求10所述的显示装置，其特征在于，所述辅助电极层的材质包括铝、银、钼、铜、钛、银合金、铝合金、钼合金、铟锡氧化物、铟锌氧化物、铝锌氧化物、镓锌氧化物、锌氧化物或其组合。

13.如权利要求10所述的显示装置，其特征在于，所述辅助电极层厚度大于或等于所述第一有机材料层厚度的一半。

14.如权利要求11所述的显示装置，其特征在于，所述第一电极层设置于所述第一有机材料层、所述第二有机材料层及所述辅助电极层之上。

15.如权利要求10所述的显示装置，其特征在于，所述通孔的形状包括圆形、多边形或为不规则形。

16.如权利要求10所述的显示装置，其特征在于，所述侧壁与所述平坦层连接所述辅助电极层处之间具有一角度，所述角度介于75度至150度之间。

17.如权利要求16所述的显示装置，其特征在于，所述辅助电极层具有一第一层及相邻的一第二层，所述第一层及所述第二层的1/2膜厚处的位置连线的延伸线与所述平坦层连接所述辅助电极层处之间具有一角度，所述角度介于75度至150度之间。

18.如权利要求11所述的显示装置，其特征在于，所述显示面板更包括一第一导线层及一第二导线层，所述第一导线层与所述第二电极层电连接，所述第二导线层与所述辅助电极层电连接。