CN114361363B - 显示模组、显示模组的制造方法及电子设备 - Google Patents

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Abstract

本申请实施例提供的显示模组及显示模组的制造方法，通过在阵列基板中设置辅助电极，并通过阵列基板上的第一开口和像素界定层上的第二开口使蒸镀的第二电极层可以与辅助电极连接，并且将辅助电极和第二电极层均与同一电源端电性连接，从而使第二电极层中与辅助电极连接处和第二电极层的边缘处具有相同的电压。如此，当辅助电极设置于显示模组中间位置时，可以减少第二电极层中间位置和边缘位置之间的电压差异，进而避免显示模组亮度不均匀的问题。

Description

显示模组、显示模组的制造方法及电子设备
技术领域
本申请涉及显示设备制造领域，具体而言，涉及一种显示模组、显示模组 的制造方法及电子设备。
背景技术
有源矩阵有机发光二极体(Active-matrix Organic Light-Emitting Diode，AMOLED)显示模组是一种具有低驱动、低功耗、自主发光、反应速度快、对 比度高、视角宽广等诸多优点的显示模组。AMOLED显示模组通常包括阳极层、 阴极层和位于阳极层和阴极层之间的有机致电器件层。AMOLED显示模组在工 作时，向阳极层和阴极层分别施加合适的电压以激发有机致电发光层自主发光。
在传统的AMOLED显示模组中，阴极层通常是由金属形成的薄膜，为了使 得阴极层具有较高的透光性，需要将阴极层做得很薄，进而导致阴极层的整体 电阻较大。其中，阴极层通常是从其周边与外围的驱动线路连接，导致靠近显 示模组周边的阴极电压和位于显示模组中间区域的阴极电压差异较大，进而导致AMOLED显示模组亮度不均匀。特别是对于大尺寸的AMOLED显示模组， 这种显示亮度不均的问题更加明显。
发明内容
为了克服上述技术背景中所提及的技术问题，本申请实施例提供一种显示 模组，所述显示模组包括阵列基板及位于所述阵列基板上的器件层；
所述阵列基板中设置有辅助电极；所述阵列基板靠近所述器件层的一侧形 成有暴露出所述辅助电极的第一开口；
所述器件层包括第一电极层、像素界定层、发光材料层及第二电极层；所 述第一电极层包括位于所述阵列基板上且相互间隔的多个第一电极；所述像素 界定层包括多个像素开口，各所述第一电极通过所述像素界定层相互隔离，每 个所述像素开口暴露出一个所述第一电极；所述发光材料层位于所述像素开口内并覆盖所述第一电极；所述第二电极层覆盖所述发光材料层远离所述第一电 极层一侧；
所述像素界定层还包括第二开口，所述第二开口与所述第一开口连通，
所述第二电极层通过所述第一开口和所述第二开口与所述辅助电极电性连 接，且所述辅助电极和所述第二电极层分别与同一电源端电性连接。
在一种可能的实现方式中，所述阵列基板包括平坦化层，所述平坦化层位 于所述阵列基板靠近所述器件层的一侧；所述辅助电极位于所述平坦化层中， 所述第一开口位于所述平坦化层朝向所述器件层的一侧。
在一种可能的实现方式中，所述器件层还包括公共层；所述公共层的至少 部分覆盖于通过所述第一开口和所述第二开口暴露出的所述辅助电极远离所述 阵列基板的一侧，所述第二电极层位于所述公共层远离所述阵列基板的一侧；
所述显示模组还包括至少贯穿所述第二电极层及所述公共层的第一通孔；
至少部分填充于所述第一通孔内的导通层，所述第二电极层通过所述导通 层与所述辅助电极电性连接，或者，所述第二电极层沿所述第一通孔延伸至与 所述辅助电极电性连接。
在一种可能的实现方式中，所述辅助电极包括沿着所述阵列基板指向所述 器件层的方向上依次层叠设置的第一金属层、第二金属层及第三金属层；
所述辅助电极还包括至少贯穿所述第二金属层和所述第三金属层的第二通 孔，所述第二金属层在所述第二通孔处相对所述第三金属层内缩；
所述公共层和所述第二电极层在与所述第二通孔对应的位置处具有第三通 孔，所述第二通孔和所述第三通孔连通构成所述第一通孔；
所述第二电极层通过所述导通层与所述第二金属层电性连接，且所述第二 金属层和所述第二电极层分别与同一电源端电性连接。
在一种可能的实现方式中，所述第一金属层和所述第三金属层对刻蚀液的 抗腐蚀性大于所述第二金属层对刻蚀液的抗腐蚀性；
优选地，所述第二金属层的导电率大于所述第一金属层和所述第三金属层 的导电率；
优选地，所述第一金属层和所述第三金属层的材料为钛，所述第二金属层 的材料为铝。
本申请的另一目的在于提供一种显示模组的制造方法，所述方法包括：
形成具有辅助电极的阵列基板，并在所述阵列基板上形成暴露出所述辅助 电极的第一开口；
基于所述阵列基板依次形成第一电极层、像素界定层和发光材料层，并在 所述像素界定层与所述辅助电极对应的位置形成与所述第一开口连通的第二开 口；其中，所述第一电极层包括形成于所述阵列基板上且相互间隔的多个第一 电极；所述像素界定层包括多个像素开口，各所述第一电极通过所述像素界定 层相互隔离，每个所述像素开口暴露出一个所述第一电极；所述发光材料层形成于所述像素开口内；
从所述像素界定层和所述发光材料层远离所述阵列基板的一侧形成第二电 极层，所述第二电极层通过所述第一开口和所述第二开口与所述辅助电极电性 连接；
将所述辅助电极和所述第二电极层分别与同一电源端电性连接。
在一种可能的实现方式中，所述形成具有辅助电极的阵列基板的步骤，包 括：
形成阵列驱动层；
基于所述阵列驱动层形成第一平坦化层；
在所述第一平坦化层上形成辅助电极；
从所述第一平坦化层以及所述辅助电极远离所述阵列驱动层的一侧形成第 二平坦化层，并基于所述第二平坦化层暴露出所述辅助电极的第一开口。
在一种可能的实现方式中，所述在所述第一平坦化层上形成辅助电极的步 骤，包括：
在所述第一平坦化层上依次形成第一金属层、第二金属层及第三金属层； 所述第一金属层和所述第三金属层对刻蚀液的抗腐蚀性大于所述第二金属层对 刻蚀液的抗腐蚀性；
形成至少贯穿所述第三金属层和所述第二金属层的第二通孔；
所述基于所述阵列基板形成第一电极层的步骤，包括：
基于所述阵列基板蒸镀第一电极材料；
对所述第一电极层进行图案化腐蚀，并对从所述第二通孔处暴露出的第二 金属层进行侧刻，使所述第二金属层在所述第二通孔处相对所述第三金属层内 缩；
所述形成第二电极层的步骤，包括：
从所述像素界定层和所述发光材料层远离所述阵列基板的一侧蒸镀形成公 共层及第二电极层，所述公共层和所述第二电极层在与所述第二通孔对应的位置形成第三通孔，所述第二通孔和所述第三通孔连通形成第一通孔；
在所述形成第二电极层的步骤之后，所述方法还包括：
形成至少部分填充于所述第一通孔内的导通层，使所述第二电极层通过所 述导通层与所述第二金属层电性连接。
在一种可能的实现方式中，所述在所述第一平坦化层上形成辅助电极的步 骤，包括：
在所述第一平坦化层上依次形成第一金属层、第二金属层及第三金属层； 所述第一金属层和所述第三金属层对刻蚀液的抗腐蚀性大于所述第二金属层对 刻蚀液的抗腐蚀性；
形成至少贯穿所述第三金属层和所述第二金属层的第二通孔；
所述基于所述阵列基板形成第一电极层的步骤，包括：
基于所述阵列基板蒸镀第一电极材料；
对所述第一电极层进行图案化腐蚀，并对从所述第二通孔处暴露出的第二 金属层进行侧刻，使所述第二金属层在所述第二通孔处相对所述第三金属层内 缩；
所述形成第二电极层的步骤，包括：
从所述像素界定层和所述发光材料层远离所述阵列基板的一侧蒸镀形成公 共层，所述公共层和所述第二电极层在与所述第二通孔对应的位置形成第三通 孔，所述第二通孔和所述第三通孔连通形成第一通孔，且所述第二电极层沿所 述第一通孔延伸至与所述辅助电极电性连接。
本申请的另一目的在于提供一种电子设备，其特征在于，所述电子设备包 括本申请提供的所述显示模组。
本申请实施例提供的显示模组、显示模组制造方法及电子设备，通过在所 述阵列基板中设置辅助电极，并通过所述阵列基板上的第一开口和所述像素界 定层上的第二开口使第二电极层可以与所述辅助电极连接，并且所述辅助电极 和所述第二电极层均与同一电源端电性连接。如此向第二电极层通电时，电压 信号能够经辅助电极输入至第二电极层，从而提高第二电极层中与辅助电极连接区域内的电压值，降低第二电极层的压降，减少位于显示模组的中间位 置处的第二电极层和位于显示模组的边缘位置处的第二电极层的电压差异， 进而避免显示模组亮度不均匀的问题。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使 用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本申请的某些实施例， 因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创 造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。
图1为现有技术显示模组的电源端连接示意图；
图2为本申请实施例提供的显示模组的结构示意图之一；
图3为本申请实施例提供的显示模组的电源端连接示意图；
图4为本申请实施例提供的显示模组的结构示意图之二；
图5为本申请实施例提供的显示模组的结构示意图之三；
图6为本申请实施例提供的显示模组的结构示意图之四；
图7为本申请实施例提供的显示模组的结构示意图之五；
图8为本申请实施例提供的显示模组的制造方法的步骤流程示意图；
图9为本申请实施例提供的显示模组的制造过程示意图之一；
图10为本申请实施例提供的显示模组的制造过程示意图之二；
图11为本申请实施例提供的显示模组的制造过程示意图之三；
图12为本申请实施例提供的显示模组的制造过程示意图之四；
图13为本申请实施例提供的显示模组的制造过程示意图之五；
图14为本申请实施例提供的显示模组的制造过程示意图之六；
图15为本申请实施例提供的显示模组的制造过程示意图之七；
图16为本申请实施例提供的显示模组的制造过程示意图之八。
具体实施方式
为使本申请实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本申请 实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然， 所描述的实施例是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。通常在此处附 图中描述和示出的本申请实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。
因此，以下对在附图中提供的本申请的实施例的详细描述并非旨在限制要 求保护的本申请的范围，而是仅仅表示本申请的选定实施例。基于本申请中的 实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他 实施例，都属于本申请保护的范围。
应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某 一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步定义和解 释。
在本申请的描述中，需要说明的是，术语“上”、“下”等指示的方位或 位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，或者是该申请产品使用时惯常摆 放的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗 示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不 能理解为对本申请的限制。此外，术语“第一”、“第二”等仅用于区分描述，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请的实施例中的不同特征之间可 以相互结合。
请参见图1，传统的OLED显示模组通常包括阳极层910、阴极层920以及 位于阳极层910和阴极层920之间的发光材料层930。其中，阳极层910包括分 别与不同发光像素对应的多个相对独立的阳极电极，阴极层920为所有发光像 素共用的导电膜层。针对前述背景技术所述的问题，发明人对常见的OLED显 示模组进行研究分析后发现，由于OLED显示模组对透光性的要求较高，则需 要阴极层920的厚度非常薄，这就导致阴极层920的电阻较大。例如在图1中， 位置A处电流在阴极层920中的传导距离大于位置B处电流在阴极层920中的传导距离，又由于阴极层920厚度很薄，单位传导距离的电阻较大，就会导致 在位置A和位置B之间存在较大的电压降(IR drop)，进而导致位置A处和位 置B处的显示亮度不均。
有鉴于此，本实施例提供一种显示模组及显示模组的制造方法，可以减少 因电极层尺寸导致的电压降，下面本实施例提供的方案进行详细解释。
请参照图2，图2为本实施例提供的一种显示模组的示意图，所述显示模组 包括阵列基板100及位于所述阵列基板100上的器件层200。
所述阵列基板100可以包括构成薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT) 阵列的多个膜层，例如，可以包括，但不限于，基底层、缓冲层、源极、漏极、 半导体材料层、栅极绝缘层、栅极层、绝缘层、平坦化层等。
在本实施例中，所述阵列基板100中设置有辅助电极130，所述阵列基板 100靠近所述器件层200的一侧形成有暴露出所述辅助电极130的第一开口121。
所述器件层200包括第一电极层210、像素界定层240、发光材料层220及 第二电极层230。其中，所述第一电极层210可以包括位于所述阵列基板100上 且相互间隔的多个第一电极，所述像素界定层240包括多个像素开口，各所述第一电极通过所述像素界定层240相互隔离，每个所述像素开口暴露出一个所 述第一电极。所述发光材料层220位于所述像素开口内。所述第二电极层230 覆盖各所述发光材料层220远离所述第一电极层210一侧。在一个例子中，所 述第一电极层210可以为阳极层，相应地所述第一电极则可以为阳极，所述第 二电极层230则可以为阴极层。
在本实施例中，所述像素界定层240还包括第二开口241，所述第二开口 241与所述第一开口121连通。所述第二开口241在所述阵列基板100上的正投 影与所述像素开口在所述阵列基板100上的正投影不交叠。在一种可能的实现 方式中，通过所述第一开口121和所述第二开口241可以暴露出至少一部分所述辅助电极130，即，所述辅助电极130在所述阵列基板100上的正投影的至少 一部分与所述像素界定层240在所述阵列基板100上的正投影不重合。例如， 由于所述辅助电极130和所述像素界定层240不同层，所述辅助电极130的边 缘位置在所述阵列基板100上的正投影可能与所述像素界定层240在所述阵列 基板上的正投影存在部分重合，但所述辅助电极130的中间位置可以与所述第 一开口121和第二开口241的位置对应，从而使所述辅助电极130的中间位置 在所述阵列基板100上的正投影可能与所述像素界定层240在所述阵列基板上 的正投影不重合。
所述第二电极层230通过所述第一开口121和所述第二开口241与所述辅 助电极130电性连接，且所述辅助电极130和所述第二电极层230分别与同一 电源端电性连接。
本实施例中，由于所述辅助电极130可以从所述第一开口121和所述第二 开口241处暴露出来，因此在蒸镀形成所述第二电极层230时，所述第二电极 层230可以通过所述第一开口121和所述第二开口241延伸至暴露出的所述辅 助电极130，从而与所述辅助电极130电性连接。
请参照图3，又由于所述辅助电极130和所述第二电极层230均分别与同一 电源端电性连接(例如，均分别与参考电源端Vss连接)，当所述辅助电极130 的位置位于显示模组中央位置时，相当于显示模组中央位置的所述第二电极层230与显示模组边缘位置的所述第二电极层230均与同一电源端电性连接。如此， 可以使显示模组中央位置的所述第二电极层230与显示模组边缘位置的所述第 二电极层230具有相同的电压，从而可以减少因所述第二电极层230尺寸问题 导致的显示亮度不均。
可选地，在本实施例中，所述阵列基板100中可以设置多个所述辅助电极 130，多个所述辅助电极130分散设置，其位置可以对应于所述第二电极层230 不同的区域，如此，可以提高所述第二电极层230不同位置的电压一致性，从 而尽可能的保证所述显示模组各个不同位置处的显示亮度均匀。
在一种可能的实现方式中，所述阵列基板100可以包括平坦化层，所述平 坦化层位于所述阵列基板100靠近所述器件层200的一侧。所述辅助电极130 位于所述平坦化层中，所述第一开口121位于所述平坦化层朝向所述发光材料 层220的一侧。例如，请参照图4，所述阵列基板100可以包括第一平坦化层 110和第二平坦化层120，所述辅助电极130可以形成于所述第一平坦化层110， 所述第二平坦化层120位于所述第一平坦化层110上，并且所述第二平坦化层 120具有暴露出所述辅助电极130的第一开口121。
在一种可能的实现方式中，所述器件层200还可以包括公共层250(如图5 所示)，所述公共层250可以包括空穴传输层、电子阻挡层、空穴阻挡层、电 子传输层等。在形成所述器件层200的过程中，所述公共层250可能先于所述 第二电极层230通过所述第一开口121和所述第二开口241至少部分覆盖暴露 出的所述辅助电极130，然后所述第二电极层230形成于所述公共层250远离所 述阵列基板100的一侧，如此则可能导致所述公共层250会阻挡所述第二电极 层230与所述辅助电极130的电性接触。
基于上述问题，请参照图5，所述显示模组还包括至少贯穿所述第二电极层230及所述公共层250的第一通孔及至少部分填充于所述第一通孔内的导通层 300，所述第二电极层230通过所述导通层300与所述辅助电极130电性连接。
进一步地，请参照图6，在本实施例中，所述辅助电极130包括沿着所述阵 列基板100指向所述器件层200的方向依次层叠设置的第一金属层131、第二金 属层132及第三金属层133。所述辅助电极130还包括至少贯穿所述第二金属层 132和所述第三金属层133的第二通孔，所述第二金属层132在所述第二通孔处 相对所述第三金属层133内缩。例如，在所述第二通孔处，所述第二金属层132 相对于所述第三金属层133形成底切(undercut)结构，使得所述第二金属层132 在所述器件层200上的正投影面积小于所述第一金属层131和所述第三金属层 133在所述器件层200上的正投影面积，且所述第二金属层132在所述器件层 200上的正投影位于所述第一金属层131和所述第三金属层133在所述器件层 200上的正投影内。
具体地，在本实施例中，可以先在所述辅助电极130上形成具有内缩结构 的所述第二通孔，如此，在蒸镀形成所述公共层250和所述第二电极层230时， 所述公共层250和所述第二电极层230不会在第二通孔的侧壁上堆积，从而使 蒸镀形成的所述公共层250和所述第二电极层230在与所述第二通孔对应的位 置处断开以形成第三通孔，且所述第二通孔和所述第三通孔连通并共同形成所 述第一通孔。
在一个例子中，可以在所述第一通孔中填充导电材料形成所述导通层300 后可以使所述第二电极层230通过所述导通层300与所述辅助电极130电性连 接。在另一个例子中，请参照图7，由于所述导通层300在所述第一通孔处断开， 蒸镀形成的所述第二电极层230可以沿所述第一通孔延伸至与所述辅助电极130 电性连接。
在一种可能的实现方式中，所述第一金属层131和所述第三金属层133的 对刻蚀液的抗腐蚀性大于所述第二金属层132，在所述辅助电极130上形成所述 第二通孔后，可以通过金属刻蚀液对所述第二通孔进行侧刻。由于所述第一金 属层131和所述第三金属层133对刻蚀液的抗腐蚀性大于所述第二金属层132 对刻蚀液的抗腐蚀性，刻蚀液难以腐蚀所述第一金属层131和所述第二金属层 132，只能主要腐蚀掉所述第二金属层132，从而使所述第二金属层132相对于 所述第一金属层131和所述第三金属层133形成内缩结构。
可选地，所述第二金属层132的导电率大于所述第一金属层131和所述第 三金属层133。例如，所述第一金属层131和所述第三金属层133的材料为钛， 所述第二金属层132的材料为铝，进而使得所述第一金属层131、第二金属层 132、以及所述第三金属层133依次层叠形成钛铝钛(TiAlTi)叠层金属结构。
基于相同的发明构思，请参照图8，本实施例还提供一种显示模组的制造方 法，下面对该方法的各个步骤进行详细解释。
步骤S110，形成具有辅助电极130的阵列基板100，并在所述阵列基板100 上形成暴露出所述辅助电极130的第一开口121。
可选地，请参照图9，在本实施例中，可以先形成阵列驱动层140，所述阵 列驱动层140可以包括用于形成TFT阵列的基底层、缓冲层、源极、漏极、半 导体材料层、栅极绝缘层、栅极层、绝缘层等。在形成所述阵列驱动层140后， 可以基于所述阵列驱动层140形成第一平坦化层110。
然后，请参照图10，在形成所述第一平坦化层110后，可以在所述第一平 坦化层110上形成辅助电极130。在本实施例中，可以预先规划后续需要形成发 光像素的位置，并依此将所述辅助电极130的位置设置为与两个发光像素之间 的间隙对应。
接着，请参照图11，在形成所述辅助电极130后，可以从所述第一平坦化 层110以及所述辅助电极130远离所述阵列驱动层140的一侧形成第二平坦化 层120，并基于所述第二平坦化层120形成暴露出所述辅助电极130的第一开口 121。
步骤S120，基于所述阵列基板100依次形成第一电极层210、像素界定层 240和发光材料层220，并在所述像素界定层240与所述辅助电极130对应的位 置形成与所述第一开口121连通并暴露出所述辅助电极130的第二开口241。
在本实施例中，可以在所述第二平坦化层120远离所述第一平坦化层110 的一侧蒸镀第一电极材料，然后对所述第一电极材料进行图案化腐蚀，形成由 多个第一电极组成的所述第一电极层210。接着基于所述第一电极层210形成像素界定层240，所述像素界定层240包括多个像素开口，各所述第一电极通过所 述像素界定层240相互隔离，每个像素开口与一个所述第一电极位置对应。然 后在所述像素开口中蒸镀发光材料形成所述发光材料层220。
步骤S130，从所述像素界定层240和所述发光材料层220远离所述阵列基 板100的一侧形成第二电极层230，所述第二电极层230通过所述第一开口121 和所述第二开口241与所述辅助电极130电性连接。
在本实施例中，可以从所述像素界定层240和所述发光材料层220远离所 述阵列基板100的一侧蒸镀第二电极材料形成所述第二电极层230。由于所述辅 助电极130从所述第一开口121和所述第二开口241处暴露，从而可以使所述 第二电极层230被蒸镀至所述辅助电极130上，从而与所述辅助电极130接触， 形成如图4所示的结构。
步骤S140，将所述辅助电极130和所述第二电极层230分别与同一电源端 电性连接。
在本实施例中，所述辅助电极130可以通过所述阵列基板100中的内部走 线与参考电源(Vss)连接，所述第二电极层230制作完成后也会与所述参考电 源(Vss)连接。
在一种可能的实现方式中，请参照图12，在所述第一平坦化层110上形成 辅助电极130时，可以在所述第一平坦化层110上依次形成第一金属层131、第 二金属层132及第三金属层133。其中，所述第一金属层131和所述第三金属层 133的抗腐蚀性大于所述第二金属层132。
请参照图13，从所述第一平坦化层110以及所述辅助电极130远离所述阵 列驱动层140的一侧形成第二平坦化层120的过程中，在对所述第二平坦化层 120进行图案化的同时，可以形成至少贯穿所述第三金属层133和所述第二金属 层132的第二通孔。
请参照图14，在基于所述阵列基板100形成第一电极层210的过程中，可 以先基于所述阵列基板100蒸镀第一电极材料。然后，在对所述第一电极层210 进行图案化腐蚀的同时，可以对从所述通孔处暴露出的第二金属层132进行侧 刻，使所述第二金属层132在所述第二通孔处相对所述第三金属层133内缩。
请参照图15，在形成第二电极层230的过程中，可以从所述像素界定层240 和所述发光材料层220远离所述阵列基板100的一侧蒸镀形成公共层250及第 二电极层230，由于所述第二通孔具有内缩结构，所述公共层250和所述第二电 极层230不会在所述第二通孔的侧壁上堆积而断开，从而在相应的位置形成与 所述第二通孔位置对应的第三通孔，并且所述第三通孔和所述第二通孔连通共 同形成所述第一通孔。
在一个例子中，请参照图16，在所述形成第二电极层230的步骤之后，可 以形成至少部分填充于所述第一通孔内的导通层300，使所述第二电极层230通 过所述导通层300与所述第二金属层132电性连接。
在另一个例子中，由于所述导通层300在所述第一通处断开，蒸镀形成的 所述第二电极层230可以沿所述第一通孔延伸至与所述辅助电极130电性连接，如图7所示。
在一种可能的实现方式中，在形成至少部分填充于所述第一通孔内的导通 层300时，可以采用精细金属掩模版(Fine Metal Mask，FMM)向所述第一通 孔中蒸镀导电金属，从而保证所述导通层300的形成位置准确。
另外，本实施例还提供一种电子设备，所述电子设备包括本实施例提供所 述显示模组，所述电子设备可以为手机、平板电脑、笔记本电脑等。
综上所述，本申请实施例提供的显示模组、显示模组制造方法及电子设备， 通过在所述阵列基板中设置辅助电极，并通过所述阵列基板上的第一开口和所 述像素界定层上的第二开口使蒸镀的第二电极层可以与所述辅助电极连接，并 且所述辅助电极和所述第二电极层均与同一电源端电性连接。如此向第二电极 层通电时，电压信号能够经辅助电极输入至第二电极层，从而提高第二电极层中与辅助电极连接区域内的电压值，降低第二电极层的压降，减少位于显 示模组的中间位置处的第二电极层和位于显示模组的边缘位置处的第二电极 层的电压差异，进而避免显示模组亮度不均匀的问题。
以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对 上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技 术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。
以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细， 但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改 进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权 利要求为准。

Claims (9)

1.一种显示模组，其特征在于，所述显示模组包括阵列基板及位于所述阵列基板上的器件层；
所述阵列基板中设置有辅助电极；所述阵列基板靠近所述器件层的一侧形成有暴露出所述辅助电极的第一开口；
所述器件层包括第一电极层、像素界定层、发光材料层及第二电极层；所述第一电极层包括位于所述阵列基板上且相互间隔的多个第一电极；所述像素界定层包括多个像素开口，各所述第一电极通过所述像素界定层相互隔离，每个所述像素开口暴露出一个所述第一电极；所述发光材料层位于所述像素开口内并覆盖所述第一电极；所述第二电极层覆盖所述发光材料层远离所述第一电极层一侧；
所述像素界定层还包括第二开口，所述第二开口与所述第一开口连通，
所述第二电极层通过所述第一开口和所述第二开口与所述辅助电极电性连接，且所述辅助电极和所述第二电极层分别与同一电源端电性连接；
所述器件层还包括公共层；所述公共层的至少部分覆盖于通过所述第一开口和所述第二开口暴露出的所述辅助电极远离所述阵列基板的一侧，所述第二电极层位于所述公共层远离所述阵列基板的一侧；
所述辅助电极包括沿着所述阵列基板指向所述器件层的方向上依次层叠设置的第一金属层、第二金属层及第三金属层；
所述辅助电极还包括至少贯穿所述第二金属层和所述第三金属层的第二通孔，所述第二金属层在所述第二通孔处相对所述第三金属层内缩；
所述公共层和所述第二电极层在与所述第二通孔对应的位置处具有第三通孔，所述第二通孔和所述第三通孔连通构成第一通孔；
所述第二电极层通过至少部分填充于所述第一通孔内的导通层与所述第二金属层电性连接，且所述第二金属层和所述第二电极层分别与同一电源端电性连接。
2.根据权利要求1所述的显示模组，其特征在于，所述阵列基板包括平坦化层，所述平坦化层位于所述阵列基板靠近所述器件层的一侧；所述辅助电极位于所述平坦化层中，所述第一开口位于所述平坦化层朝向所述器件层的一侧。
3.根据权利要求1所述的显示模组，其特征在于，所述第一金属层和所述第三金属层对刻蚀液的抗腐蚀性大于所述第二金属层对刻蚀液的抗腐蚀性。
4.根据权利要求3所述的显示模组，其特征在于，所述第二金属层的导电率大于所述第一金属层和所述第三金属层的导电率。
5.根据权利要求4所述的显示模组，其特征在于，所述第一金属层和所述第三金属层的材料为钛，所述第二金属层的材料为铝。
6.一种显示模组的制造方法，其特征在于，所述方法包括：
形成具有辅助电极的阵列基板，并在所述阵列基板上形成暴露出所述辅助电极的第一开口；
基于所述阵列基板依次形成第一电极层、像素界定层和发光材料层，并在所述像素界定层与所述辅助电极对应的位置形成与所述第一开口连通的第二开口；其中，所述第一电极层包括形成于所述阵列基板上且相互间隔的多个第一电极；所述像素界定层包括多个像素开口，各所述第一电极通过所述像素界定层相互隔离，每个所述像素开口暴露出一个所述第一电极；所述发光材料层形成于所述像素开口内；
从所述像素界定层和所述发光材料层远离所述阵列基板的一侧形成第二电极层，所述第二电极层通过所述第一开口和所述第二开口与所述辅助电极电性连接；
将所述辅助电极和所述第二电极层分别与同一电源端电性连接；
其中，所述辅助电极包括沿着所述阵列基板指向所述第一电极层的方向上依次层叠设置的第一金属层、第二金属层及第三金属层，所述辅助电极包括至少贯穿所述第三金属层和所述第二金属层的第二通孔。
7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述形成具有辅助电极的阵列基板的步骤，包括：
形成阵列驱动层；
基于所述阵列驱动层形成第一平坦化层；
在所述第一平坦化层上形成辅助电极；
从所述第一平坦化层以及所述辅助电极远离所述阵列驱动层的一侧形成第二平坦化层，并在对所述第二平坦化层进行刻蚀形成暴露出所述辅助电极的第一开口的同时，形成至少贯穿所述第三金属层和所述第二金属层的第二通孔；
所述形成第二电极层的步骤，包括：
从所述像素界定层和所述发光材料层远离所述阵列基板的一侧蒸镀形成公共层及第二电极层，所述公共层和所述第二电极层在与所述第二通孔对应的位置形成第三通孔，所述第二通孔和所述第三通孔连通形成第一通孔；
在所述形成第二电极层的步骤之后，所述方法还包括：
形成至少部分填充于所述第一通孔内的导通层，使所述第二电极层通过所述导通层与所述第二金属层电性连接。
8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述在所述第一平坦化层上形成辅助电极的步骤，包括：
在所述第一平坦化层上依次形成第一金属层、第二金属层及第三金属层；所述第一金属层和所述第三金属层对刻蚀液的抗腐蚀性大于所述第二金属层对刻蚀液的抗腐蚀性；
形成至少贯穿所述第三金属层和所述第二金属层的第二通孔；
所述基于所述阵列基板形成第一电极层的步骤，包括：
基于所述阵列基板蒸镀第一电极材料；
对所述第一电极层进行图案化腐蚀的同时，并对从所述第二通孔处暴露出的第二金属层进行侧刻，使所述第二金属层在所述第二通孔处相对所述第三金属层内缩。
9.一种电子设备，其特征在于，所述电子设备包括权利要求1-5任意一项所述的显示模组。
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