CN111211243B - 显示基板及其制作方法、显示装置 - Google Patents

Abstract

本发明提供了一种显示基板及其制作方法、显示装置，属于显示技术领域。显示基板，包括：衬底基板；位于衬底基板上的辅助电极；位于辅助电极远离衬底基板一侧的绝缘层；位于绝缘层远离衬底基板一侧的导电结构，导电结构通过贯穿绝缘层的过孔与辅助电极连接；位于导电结构远离衬底基板一侧的底切结构，底切结构的侧面形成有凹口，底切结构在衬底基板上的正投影位于导电结构在衬底基板上的正投影内；发光层，发光层在底切结构的侧面自然断裂；阴极，阴极在底切结构的侧面自然断裂，分为位于底切结构上的第一部分和除第一部分外的第二部分，第二部分与导电结构电连接。本发明能够降低IRdrop，改善显示基板的亮度均匀性。

Description

显示基板及其制作方法、显示装置

技术领域

本发明涉及显示技术领域，特别是指一种显示基板及其制作方法、显示装置。

背景技术

近年来，有机发光二极管(organic light emitting diode，OLED)成为国内外非常热门的新兴平面显示器产品，这是因为OLED显示器具有自发光、广视角、短反应时间、高发光效率、广色域、低工作电压、面板薄、可制作大尺寸与可挠曲的面板及制程简单等特性，而且它还具有低成本的潜力。

随着时代及技术的进步，大尺寸、高分辨率的OLED显示器件逐渐发展起来，对于顶发射的OLED显示器件来说，OLED显示器件采用透明或半透明的阴极，具有较大的电阻，这样在阴极上不可避免地会产生电压降(IR Drop)，进而导致整个显示器件的显示亮度不均匀。

发明内容

本发明要解决的技术问题是提供一种显示基板及其制作方法、显示装置，能够降低IR drop，改善显示基板的亮度均匀性。

为解决上述技术问题，本发明的实施例提供技术方案如下：

一方面，提供一种显示基板，包括：

衬底基板；

位于所述衬底基板上的辅助电极；

位于所述辅助电极远离所述衬底基板一侧的绝缘层；

位于所述绝缘层远离所述衬底基板一侧的导电结构，所述导电结构通过贯穿所述绝缘层的过孔与所述辅助电极连接；

位于所述导电结构远离所述衬底基板一侧的底切结构，所述底切结构的侧面形成有凹口，所述底切结构在所述衬底基板上的正投影位于所述导电结构在所述衬底基板上的正投影内；

位于所述底切结构远离所述衬底基板一侧的发光层，所述发光层在所述底切结构的侧面自然断裂；

位于所述发光层远离所述衬底基板一侧的阴极，所述阴极在所述底切结构的侧面自然断裂，分为位于所述底切结构上的第一部分和除所述第一部分外的第二部分，所述第二部分与所述导电结构电连接。

可选地，所述底切结构包括沿远离所述衬底基板的方向依次层叠的第一子层和第二子层，所述第一子层在所述衬底基板上的正投影位于所述第二子层在所述衬底基板上的正投影内。

可选地，所述显示基板还包括沿远离所述衬底基板的方向依次层叠的平坦层和阳极，所述底切结构在所述衬底基板上的正投影与所述阳极在所述衬底基板上的正投影不重叠，所述底切结构在所述衬底基板上的正投影与所述平坦层在所述衬底基板上的正投影不重叠，

所述第一子层与所述显示基板的平坦层采用相同的材料；

所述第二子层与所述显示基板的阳极采用相同的材料。

可选地，所述显示基板还包括薄膜晶体管，所述导电结构与所述薄膜晶体管的源极和漏极采用相同的材料。

可选地，所述辅助电极采用金属；或

所述辅助电极包括沿垂直所述衬底基板的方向依次层叠的第一电极和第二电极，所述第二电极在所述衬底基板上的正投影位于所述第一电极在所述衬底基板上的正投影内，所述第一电极采用透明导电材料，所述第二电极采用金属。

可选地，所述底切结构在所述衬底基板上的正投影的外轮廓与所述导电结构在所述衬底基板上的正投影的外轮廓之间的最小距离为0.1～5um。

本发明的实施例还提供了一种显示装置，包括如上所述的显示基板。

本发明的实施例还提供了一种显示基板的制作方法，包括：

在衬底基板上形成辅助电极；

形成覆盖所述辅助电极的绝缘层，所述绝缘层包括暴露出所述辅助电极的过孔；

形成位于所述绝缘层上的导电结构，所述导电结构通过贯穿所述绝缘层的过孔与所述辅助电极连接；

形成位于所述导电结构上的底切结构，所述底切结构的侧面形成有凹口，所述底切结构在所述衬底基板上的正投影位于所述导电结构在所述衬底基板上的正投影内；

形成发光层，所述发光层在所述底切结构的侧面自然断裂；

形成阴极，所述阴极在所述底切结构的侧面自然断裂，分为位于所述底切结构上的第一部分和除所述第一部分外的第二部分，所述第二部分与所述导电结构电连接。

可选地，所述显示基板还包括薄膜晶体管，形成所述导电结构包括：

通过一次构图工艺形成所述薄膜晶体管的源极、漏极和所述导电结构。

可选地，所述显示基板还包括沿远离所述衬底基板的方向依次层叠的平坦层和阳极，形成所述底切结构包括：

通过一次构图工艺形成所述平坦层和第一子层过渡图形；

通过一次构图工艺形成所述阳极和第二子层，所述第二子层在所述衬底基板上的正投影位于所述第一子层过渡图形在所述衬底基板上的正投影内；

以所述第二子层为掩膜，对所述第一子层过渡图形进行刻蚀，形成第一子层，所述第一子层在所述衬底基板上的正投影位于所述第二子层在所述衬底基板上的正投影内。

本发明的实施例具有以下有益效果：

上述方案中，在衬底基板上制备辅助电极、与辅助电极连接的导电结构以及位于导电结构上的底切结构，在形成有底切结构的衬底基板上形成阴极，阴极在底切结构的侧面自然断裂，分为位于底切结构上的第一部分和除第一部分外的第二部分，第二部分与导电结构电连接，这样可以实现阴极与辅助电极的电连接，能够降低IR drop，改善显示基板的亮度均匀性；本发明制备的显示基板可以量产，同时保证显示基板的良率。

附图说明

图1-图11为本发明实施例一制作显示基板的示意图；

图12-图22为本发明实施例二制作显示基板的示意图；

图23为本发明实施例显示基板的平面示意图。

附图标记

1 衬底基板

2 第一电极

3 第二电极

4 缓冲层

5 有源层

6 栅绝缘层

7 栅极

8 层间绝缘层

9 导电结构

10 漏极

11 第一子层过渡图形

12 阳极

13 第二子层

14 发光层

15 阴极

16 底切结构

17 透光区

18 发光区

19 第一子层

31 辅助电极

具体实施方式

为使本发明的实施例要解决的技术问题、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图及具体实施例进行详细描述。

对于大尺寸的顶发射OLED显示基板来说，有较大的IR Drop，需要设计辅助电极结构减小阴极电阻。对于采用蒸镀方法制作发光层的OLED显示基板来说，辅助电极通常制作在彩膜盖板的隔垫物上，在彩膜盖板与显示基板压合后，辅助电极与阴极接触，但该技术方案存在接触电阻较大，工序较多的问题，且在压合时容易将阴极压碎，产生黑点等不良。

本发明实施例提供一种显示基板及其制作方法、显示装置，能够降低IR drop，改善显示基板的亮度均匀性，同时保证显示基板的良率。

本发明实施例提供一种显示基板，包括：

衬底基板；

位于所述衬底基板上的辅助电极；

位于所述辅助电极远离所述衬底基板一侧的绝缘层；

位于所述绝缘层远离所述衬底基板一侧的导电结构，所述导电结构通过贯穿所述绝缘层的过孔与所述辅助电极连接；

位于所述导电结构远离所述衬底基板一侧的底切结构，所述底切结构的侧面形成有凹口，所述底切结构在所述衬底基板上的正投影位于所述导电结构在所述衬底基板上的正投影内；

位于所述底切结构远离所述衬底基板一侧的发光层，所述发光层在所述底切结构的侧面自然断裂；

位于所述发光层远离所述衬底基板一侧的阴极，所述阴极在所述底切结构的侧面自然断裂，分为位于所述底切结构上的第一部分和除所述第一部分外的第二部分，所述第二部分与所述导电结构电连接。

本实施例中，在衬底基板上制备辅助电极、与辅助电极连接的导电结构以及位于导电结构上的底切结构，在形成有底切结构的衬底基板上形成阴极，阴极在底切结构的侧面自然断裂，分为位于底切结构上的第一部分和除第一部分外的第二部分，第二部分与导电结构电连接，这样可以实现阴极与辅助电极的电连接，能够降低IR drop，改善显示基板的亮度均匀性；本发明制备的显示基板可以量产，同时保证显示基板的良率。

本发明一示例性实施例中，所述底切结构包括沿远离所述衬底基板的方向依次层叠的第一子层和第二子层，所述第一子层在所述衬底基板上的正投影位于所述第二子层在所述衬底基板上的正投影内，从而在底切结构的侧面形成凹口。其中，第一子层和第二子层在垂直于衬底基板的方向上的截面可以是矩形，也可以是倒梯形，只要能够在底切结构的侧面形成凹口即可。

可选地，所述显示基板还包括沿远离所述衬底基板的方向依次层叠的平坦层和阳极，所述底切结构在所述衬底基板上的正投影与所述阳极在所述衬底基板上的正投影不重叠，所述底切结构在所述衬底基板上的正投影与所述平坦层在所述衬底基板上的正投影不重叠，

所述第一子层与所述显示基板的平坦层采用相同的材料；

所述第二子层与所述显示基板的阳极采用相同的材料；

这样可以通过一次构图工艺形成显示基板的平坦层和第一子层，可以通过一次构图工艺形成显示基板的阳极和第二子层，能够节省显示基板的构图工艺次数，降低显示基板的制作成本。当然，第一子层并不局限于与显示基板的平坦层采用相同的材料，还可以与显示基板的其他膜层图形采用相同的材料；第二子层并不局限于与显示基板的阳极采用相同的材料，还可以与显示基板的其他膜层图形采用相同的材料。

可选地，所述显示基板还包括薄膜晶体管，所述导电结构与所述薄膜晶体管的源极和漏极采用相同的材料，这样可以通过一次构图工艺形成薄膜晶体管的源极和漏极、导电结构，能够节省显示基板的构图工艺次数，降低显示基板的制作成本。当然，导电结构并不局限于与薄膜晶体管的源极和漏极采用相同的材料，还可以与显示基板的其他导电图形采用相同的材料。

本发明实施例中，辅助电极可以采用导电性能较好的金属制作，也可以包括沿垂直所述衬底基板的方向依次层叠的第一电极和第二电极，所述第二电极在所述衬底基板上的正投影位于所述第一电极在所述衬底基板上的正投影内，所述第一电极采用透明导电材料，所述第二电极采用金属，第一电极和第二电极并联可以降低辅助电极的电阻，由于第一电极采用透明导电材料，不会影响显示基板的开口率，因此可以将第一电极做的比较大，比如占据整个像素区域，这样可以进一步降低辅助电极的电阻。

通过调节底切结构在所述衬底基板上的正投影的外轮廓与所述导电结构在所述衬底基板上的正投影的外轮廓之间的最小距离可以调节阴极与导电结构的连接程度，所述底切结构在所述衬底基板上的正投影的外轮廓与所述导电结构在所述衬底基板上的正投影的外轮廓之间的最小距离可以为0.1～5um，这样能够保证阴极与导电结构之间连接的可靠性，进而保证阴极与辅助电极之间的可靠电连接。

本发明的实施例还提供了一种显示装置，包括如上所述的显示基板。

该显示装置包括但不限于：射频单元、网络模块、音频输出单元、输入单元、传感器、显示单元、用户输入单元、接口单元、存储器、处理器、以及电源等部件。本领域技术人员可以理解，上述显示装置的结构并不构成对显示装置的限定，显示装置可以包括上述更多或更少的部件，或者组合某些部件，或者不同的部件布置。在本发明实施例中，显示装置包括但不限于显示器、手机、平板电脑、电视机、可穿戴电子设备、导航显示设备等。

所述显示装置可以为：电视、显示器、数码相框、手机、平板电脑等任何具有显示功能的产品或部件，其中，所述显示装置还包括柔性电路板、印刷电路板和背板。

本发明的实施例还提供了一种显示基板的制作方法，包括：

在衬底基板上形成辅助电极；

形成覆盖所述辅助电极的绝缘层，所述绝缘层包括暴露出所述辅助电极的过孔；

形成位于所述绝缘层上的导电结构，所述导电结构通过贯穿所述绝缘层的过孔与所述辅助电极连接；

形成位于所述导电结构上的底切结构，所述底切结构的侧面形成有凹口，所述底切结构在所述衬底基板上的正投影位于所述导电结构在所述衬底基板上的正投影内；

形成发光层，所述发光层在所述底切结构的侧面自然断裂；

形成阴极，所述阴极在所述底切结构的侧面自然断裂，分为位于所述底切结构上的第一部分和除所述第一部分外的第二部分，所述第二部分与所述导电结构电连接。

本实施例中，在衬底基板上制备辅助电极、与辅助电极连接的导电结构以及位于导电结构上的底切结构，在形成有底切结构的衬底基板上形成阴极，阴极在底切结构的侧面自然断裂，分为位于底切结构上的第一部分和除第一部分外的第二部分，第二部分与导电结构电连接，这样可以实现阴极与辅助电极的电连接，能够降低IR drop，改善显示基板的亮度均匀性；本发明制备的显示基板可以量产，同时保证显示基板的良率。

可选地，所述显示基板还包括薄膜晶体管，形成所述导电结构包括：

通过一次构图工艺形成所述薄膜晶体管的源极、漏极和所述导电结构，这样能够节省显示基板的构图工艺次数，降低显示基板的制作成本。

可选地，所述显示基板还包括沿远离所述衬底基板的方向依次层叠的平坦层和阳极，形成所述底切结构包括：

通过一次构图工艺形成所述平坦层和第一子层过渡图形；

通过一次构图工艺形成所述阳极和第二子层，所述第二子层在所述衬底基板上的正投影位于所述第一子层过渡图形在所述衬底基板上的正投影内；

以所述第二子层为掩膜，对所述第一子层过渡图形进行刻蚀，形成第一子层，所述第一子层在所述衬底基板上的正投影位于所述第二子层在所述衬底基板上的正投影内。

这样可以通过一次构图工艺形成显示基板的平坦层和第一子层，可以通过一次构图工艺形成显示基板的阳极和第二子层，能够节省显示基板的构图工艺次数，降低显示基板的制作成本。

本发明的具体实施例一中，如图1-11所示，显示基板的制作方法包括以下步骤：

步骤1、如图1所示，在衬底基板1上利用透明导电材料如ITO,IZO,CNT,Graphene等形成第一电极2；

在第一电极2上利用低电阻金属形成第二电极3，由第一电极2和第二电极3组成辅助电极，其中，第二电极3可以采用Al,Cu,Ag,Au等低电阻金属或合金；

步骤2、如图2所示，形成缓冲层4；

缓冲层4可以采用SiN,SiO,SiON,AlO等，能够有效阻挡外部侵入气体和水分，防止侵入气体和水分给薄膜晶体管电路带来电学影响，缓冲层4的厚度可控制在0.6um～3um以下。缓冲层4还可以使用有机树脂，有机树脂的厚度比较大，能够有效防止辅助电极与栅极、数据线之间的寄生电流。

步骤3、如图3所示，形成薄膜晶体管的有源层5；

其中，有源层5可以采用a-Si,p-Si或金属氧化物半导体；

步骤4、如图4所示，形成栅绝缘层6和栅极7；

步骤5、如图5所示，形成层间绝缘层8，并对层间绝缘层8和缓冲层4进行刻蚀，形成暴露出第一电极2的过孔和暴露出有源层5的过孔；

步骤6、如图6所示，形成薄膜晶体管的源极、漏极10和导电结构9；

可以通过一次构图工艺采用相同的材料形成薄膜晶体管的源极、漏极10和导电结构9，薄膜晶体管的源极和漏极10分别通过贯穿层间绝缘层8的过孔与有源层5连接，导电结构9通过贯穿层间绝缘层8和缓冲层4的过孔与第一电极2连接；

步骤7、如图7所示，形成平坦层和第一子层过渡图形11；

可以通过一次构图工艺采用相同的材料形成平坦层和第一子层过渡图形11，平坦层位于薄膜晶体管上方，第一子层过渡图形11位于导电结构9上方，用于形成底切结构；

步骤8、如图8所示，形成阳极12和第二子层13；

可以通过一次构图工艺采用相同的材料形成阳极12和第二子层13，阳极12位于平坦层上，第二子层13位于第一子层过渡图形11上，其中，阳极12可以位于发光区，第二子层13位于透光区，阳极12覆盖平坦层；

步骤9、如图9所示，以第二子层13为掩膜，对第一子层过渡图形11进行刻蚀，形成第一子层19；

在对第一子层过渡图形11进行刻蚀的过程中，由于平坦层有阳极12的保护，因此不会被刻蚀。第一子层19在衬底基板1上的正投影位于第二子层13在衬底基板1上的正投影内，从而由第一子层19和第二子层13组成侧面有凹口的底切结构。通过控制对第一子层过渡图形11刻蚀的程度，可以控制凹口的深度，凹口的深度可以控制在0.1～5um，这样可以将导电结构9暴露出来。

步骤10、如果在步骤9后，阳极12不是最终的阳极图形，本步骤可以对阳极12再次进行刻蚀，形成最终的阳极图形；

步骤11、在经过上述步骤的衬底基板上形成像素界定层(未图示)；

步骤12、如图10所示，形成发光层14，发光层14在底切结构的侧面自然断裂，暴露出导电结构9；

步骤13、如图11所示，形成阴极15，阴极15在底切结构的侧面自然断裂，与导电结构9连接，进而与第一电极2电连接。

具体地，可以在衬底基板上溅射透明导电材料形成阴极15，采用溅射的方式形成阴极15能够改善透明导电材料的扩散性，有利于阴极15与导电结构9的连接。

经过上述步骤即可得到本发明的显示基板，之后可以进行薄膜封装层的制备，并与封装盖板进行对盒。

本实施例中，可以根据接触电阻和IR drop的情况设置导电结构和底切结构的分布密度，比如可以每1*1个像素设置一个导电结构和底切结构，或者每2*2个像素设置一个导电结构和底切结构，或者每3*3个像素设置一个导电结构和底切结构，或者每4*4个像素设置一个导电结构和底切结构，或者每1*3个像素设置一个导电结构和底切结构，或者每3*9个像素设置一个导电结构和底切结构等等。如图23所示，一具体示例中，可以每2*2个像素设置一个导电结构和底切结构，其中，16为底切结构，17为透光区，18为发光区。

本实施例中，在透光区利用与阳极相同的材料形成第二子层，以第二子层为掩膜，对第一子层过渡图形进行干法刻蚀，形成底切结构，可以在大面积的显示基板上形成更均一且再现性更高的底切结构，根据该底切结构的深度可调节发光层的断裂程度以及阴极与辅助电极的连接程度。通过本实施例的技术方案，可以有效改善大尺寸显示基板的IR drop现象，提高显示画面的画质。

本发明的具体实施例二中，如图12-22所示，显示基板的制作方法包括以下步骤：

步骤1、如图12所示，在衬底基板1上利用低电阻金属形成辅助电极31，辅助电极31可以采用Al,Cu,Ag,Au等低电阻金属或合金；

步骤2、如图13所示，形成缓冲层4；

缓冲层4可以采用SiN,SiO,SiON,AlO等，能够有效阻挡外部侵入气体和水分，防止侵入气体和水分给薄膜晶体管电路带来电学影响，缓冲层4的厚度可控制在0.6um～3um以下。缓冲层4还可以使用有机树脂，有机树脂的厚度比较大，能够有效防止辅助电极与栅极、数据线之间的寄生电流。

步骤3、如图14所示，形成薄膜晶体管的有源层5；

其中，有源层5可以采用a-Si,p-Si或金属氧化物半导体；

步骤4、如图15所示，形成栅绝缘层6和栅极7；

步骤5、如图16所示，形成层间绝缘层8，并对层间绝缘层8和缓冲层4进行刻蚀，形成暴露出辅助电极31的过孔和暴露出有源层5的过孔；

步骤6、如图17所示，形成薄膜晶体管的源极、漏极10和导电结构9；

可以通过一次构图工艺采用相同的材料形成薄膜晶体管的源极、漏极10和导电结构9，薄膜晶体管的源极和漏极10分别通过贯穿层间绝缘层8的过孔与有源层5连接，导电结构9通过贯穿层间绝缘层8和缓冲层4的过孔与辅助电极31连接；

步骤7、如图18所示，形成平坦层和第一子层过渡图形11；

可以通过一次构图工艺采用相同的材料形成平坦层和第一子层过渡图形11，平坦层位于薄膜晶体管上方，第一子层过渡图形11位于导电结构9上方，用于形成底切结构；

步骤8、如图19所示，形成阳极12和第二子层13；

可以通过一次构图工艺采用相同的材料形成阳极12和第二子层13，阳极12位于平坦层上，第二子层13位于第一子层过渡图形11上，其中，阳极12可以位于发光区，第二子层13位于透光区，阳极12覆盖平坦层；

步骤9、如图20所示，以第二子层13为掩膜，对第一子层过渡图形11进行刻蚀，形成第一子层19；

在对第一子层过渡图形11进行刻蚀的过程中，由于平坦层有阳极12的保护，因此不会被刻蚀。第一子层19在衬底基板1上的正投影位于第二子层13在衬底基板1上的正投影内，从而由第一子层19和第二子层13组成侧面有凹口的底切结构。通过控制对第一子层过渡图形11刻蚀的程度，可以控制凹口的深度，凹口的深度可以控制在0.1～5um，这样可以将导电结构9暴露出来。

步骤10、如果在步骤9后，阳极12不是最终的阳极图形，本步骤可以对阳极12再次进行刻蚀，形成最终的阳极图形；

步骤11、在经过上述步骤的衬底基板上形成像素界定层(未图示)；

步骤12、如图21所示，形成发光层14，发光层14在底切结构的侧面自然断裂，暴露出导电结构9；

步骤13、如图22所示，形成阴极15，阴极15在底切结构的侧面自然断裂，与导电结构9连接，进而与辅助电极31电连接。

具体地，可以在衬底基板上溅射透明导电材料形成阴极15，采用溅射的方式形成阴极15能够改善透明导电材料的扩散性，有利于阴极15与导电结构9的连接。

经过上述步骤即可得到本发明的显示基板，之后可以进行薄膜封装层的制备，并与封装盖板进行对盒。

本实施例中，可以根据接触电阻和IR drop的情况设置导电结构和底切结构的分布密度，比如可以每1*1个像素设置一个导电结构和底切结构，或者每2*2个像素设置一个导电结构和底切结构，或者每3*3个像素设置一个导电结构和底切结构，或者每4*4个像素设置一个导电结构和底切结构，或者每1*3个像素设置一个导电结构和底切结构，或者每3*9个像素设置一个导电结构和底切结构等等。如图23所示，一具体示例中，可以每2*2个像素设置一个导电结构和底切结构，其中，16为底切结构，17为透光区，18为发光区。

本实施例中，在透光区利用与阳极相同的材料形成第二子层，以第二子层为掩膜，对第一子层过渡图形进行干法刻蚀，形成底切结构，可以在大面积的显示基板上形成更均一且再现性更高的底切结构，根据该底切结构的深度可调节发光层的断裂程度以及阴极与辅助电极的连接程度。通过本实施例的技术方案，可以有效改善大尺寸显示基板的IR drop现象，提高显示画面的画质。

在本发明各方法实施例中，所述各步骤的序号并不能用于限定各步骤的先后顺序，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，对各步骤的先后变化也在本发明的保护范围之内。

需要说明，本说明书中的各个实施例均采用递进的方式描述，各个实施例之间相同相似的部分互相参见即可，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处。尤其，对于实施例而言，由于其基本相似于产品实施例，所以描述得比较简单，相关之处参见产品实施例的部分说明即可。

除非另外定义，本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本公开所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。

可以理解，当诸如层、膜、区域或基板之类的元件被称作位于另一元件“上”或“下”时，该元件可以“直接”位于另一元件“上”或“下”，或者可以存在中间元件。

在上述实施方式的描述中，具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。

以上所述，仅为本公开的具体实施方式，但本公开的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本公开揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本公开的保护范围之内。因此，本公开的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

Claims (7)

1.一种显示基板，其特征在于，包括：

衬底基板；

位于所述衬底基板上的辅助电极；

位于所述辅助电极远离所述衬底基板一侧的绝缘层；

位于所述绝缘层远离所述衬底基板一侧的导电结构，所述导电结构通过贯穿所述绝缘层的过孔与所述辅助电极连接；

位于所述导电结构远离所述衬底基板一侧的底切结构，所述底切结构的侧面形成有凹口，所述底切结构在所述衬底基板上的正投影位于所述导电结构在所述衬底基板上的正投影内；

位于所述底切结构远离所述衬底基板一侧的发光层，所述发光层在所述底切结构的侧面自然断裂；

位于所述发光层远离所述衬底基板一侧的阴极，所述阴极在所述底切结构的侧面自然断裂，分为位于所述底切结构上的第一部分和除所述第一部分外的第二部分，所述第二部分与所述导电结构电连接；

所述底切结构包括沿远离所述衬底基板的方向依次层叠的第一子层和第二子层，所述第一子层在所述衬底基板上的正投影位于所述第二子层在所述衬底基板上的正投影内；

所述显示基板还包括沿远离所述衬底基板的方向依次层叠的平坦层和阳极，所述底切结构在所述衬底基板上的正投影与所述阳极在所述衬底基板上的正投影不重叠，所述底切结构在所述衬底基板上的正投影与所述平坦层在所述衬底基板上的正投影不重叠，

所述第一子层与所述显示基板的平坦层采用相同的材料；

所述第二子层与所述显示基板的阳极采用相同的材料。

2.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述显示基板还包括薄膜晶体管，所述导电结构与所述薄膜晶体管的源极和漏极采用相同的材料。

3.根据权利要求1或2所述的显示基板，其特征在于，所述辅助电极采用金属；或

所述辅助电极包括沿垂直所述衬底基板的方向依次层叠的第一电极和第二电极，所述第二电极在所述衬底基板上的正投影位于所述第一电极在所述衬底基板上的正投影内，所述第一电极采用透明导电材料，所述第二电极采用金属。

4.根据权利要求1或2所述的显示基板，其特征在于，所述底切结构在所述衬底基板上的正投影的外轮廓与所述导电结构在所述衬底基板上的正投影的外轮廓之间的最小距离为0.1～5um。

5.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1-4中任一项所述的显示基板。

6.一种显示基板的制作方法，其特征在于，包括：

在衬底基板上形成辅助电极；

形成覆盖所述辅助电极的绝缘层，所述绝缘层包括暴露出所述辅助电极的过孔；

形成位于所述绝缘层上的导电结构，所述导电结构通过贯穿所述绝缘层的过孔与所述辅助电极连接；

形成位于所述导电结构上的底切结构，所述底切结构的侧面形成有凹口，所述底切结构在所述衬底基板上的正投影位于所述导电结构在所述衬底基板上的正投影内；

形成发光层，所述发光层在所述底切结构的侧面自然断裂；

形成阴极，所述阴极在所述底切结构的侧面自然断裂，分为位于所述底切结构上的第一部分和除所述第一部分外的第二部分，所述第二部分与所述导电结构电连接；

所述显示基板还包括沿远离所述衬底基板的方向依次层叠的平坦层和阳极，形成所述底切结构包括：

通过一次构图工艺形成所述平坦层和第一子层过渡图形；

通过一次构图工艺形成所述阳极和第二子层，所述第二子层在所述衬底基板上的正投影位于所述第一子层过渡图形在所述衬底基板上的正投影内；

以所述第二子层为掩膜，对所述第一子层过渡图形进行刻蚀，形成第一子层，所述第一子层在所述衬底基板上的正投影位于所述第二子层在所述衬底基板上的正投影内。

7.根据权利要求6所述的显示基板的制作方法，其特征在于，所述显示基板还包括薄膜晶体管，形成所述导电结构包括：

通过一次构图工艺形成所述薄膜晶体管的源极、漏极和所述导电结构。

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