CN117813937A - 显示面板及显示装置 - Google Patents

Abstract

一种显示面板及显示装置。显示面板包括：位于衬底(01)一侧且依次层叠的辅助电极(02)、绝缘层(03)、阳极层(04)、发光层(05)和阴极层(06)，且绝缘层(03)具有暴露辅助电极(02)且呈底切状的第一过孔(K1)，从而使得发光层(05)在第一过孔(K1)远离衬底(01)一侧的开口处被可靠断开为两部分，使得阴极层(06)沿发光层(05)的第一部分(051)的侧壁与辅助电极(02)有效搭接。通过灵活调整施加至辅助电极(02)上的电压，有效降低大且薄的阴极层(06)上的电压降，确保显示面板的显示均一性较好。

Description

显示面板及显示装置 技术领域

本公开涉及显示技术领域，特别涉及一种显示面板及显示装置。

背景技术

有机发光二极管(organic light emitting diode，OLED)显示面板因其自发光、宽视角和响应速度快等优点，近年来成为研究的热点。

目前，根据发光面不同，OLED显示面板可分为底发射型OLED显示面板和顶发射型OLED显示面板两种。根据可透光性，OLED显示面板可分为透明OLED显示面板和非透明的常规OLED显示面板。其中，因顶发射型透明OLED显示面板能够获得更大的开口率，且画质清晰，故越来越收到市场关注。并且，对于大尺寸的顶发射型透明OLED显示面板而言，为了确保透光效果较好，提高透光率，其中设置的阴极层大且薄，即尺寸较大，厚度较小。

但是，较薄的阴极层普遍存在电阻值较高，电压降(IR drop)较大的问题。且阴极层的尺寸越大，电压降越明显。如此，导致显示面板的显示均一性较差。

发明内容

本公开实施例提供了一种显示面板及显示装置。所述技术方案如下：

一方面，提供了一种显示面板，所述显示面板包括：

衬底；

位于所述衬底一侧的辅助电极；

位于所述辅助电极远离所述衬底一侧的绝缘层和贯穿所述绝缘层的第一过孔，所述第一过孔暴露所述辅助电极且呈底切状；

位于所述绝缘层远离所述衬底一侧的阳极层；

位于所述阳极层远离所述衬底一侧的发光层，所述发光层在所述第一过孔远离所述衬底一侧的开口处断裂，分为第一部分和第二部分，所述第一部分位于所述第一过孔外且位于所述绝缘层远离所述衬底的一侧，所述第二部分位于 所述第一过孔内且位于所述绝缘层靠近所述衬底的一侧；

以及，位于所述发光层远离所述衬底一侧的阴极层，所述阴极层沿所述发光层的第一部分的侧壁与所述辅助电极搭接，且所述阴极层与所述辅助电极的搭接部分位于所述阳极层靠近所述衬底的一侧。

可选的，所述绝缘层包括：沿远离所述衬底的方向依次层叠的第一绝缘层和第二绝缘层；

呈底切状的所述第一过孔包括：沿远离所述衬底的方向依次连通，且贯穿所述第一绝缘层的第一子过孔和贯穿所述第二绝缘层的第二子过孔；

并且，所述第一子过孔靠近所述衬底一侧的开口在所述衬底上的正投影，以及所述第二子过孔靠近所述衬底一侧的开口在所述衬底上的正投影，均位于所述第一子过孔远离所述衬底一侧的开口在所述衬底上的正投影内。

可选的，所述第一绝缘层的厚度大于所述阳极层的厚度，且小于等于所述第二绝缘层的厚度。

可选的，所述第一绝缘层的厚度为所述第二绝缘层的厚度的0.5倍至1倍。

可选的，所述第一子过孔的侧壁的坡度大于所述第二子过孔的侧壁的坡度。

可选的，沿垂直于所述衬底的方向，所述第一子过孔的截面呈倒梯形，所述第二子过孔的截面呈矩形。

可选的，所述第一绝缘层包括：钝化层；所述第二绝缘层包括：树脂材料层。

可选的，所述显示面板包括：贯穿所述绝缘层的一个第一过孔；或，贯穿所述绝缘层的多个第一过孔，其中，所述多个第一过孔间隔排布的方向为平行于所述衬底的承载面的方向。

可选的，所述显示面板还包括：

位于所述绝缘层与所述发光层之间的第一导电层，所述阴极层沿所述发光层的第一部分的侧壁与所述第一导电层搭接，所述第一导电层沿所述第一过孔的侧壁和所述第一过孔的底部与所述辅助电极搭接，且所述阴极层与所述第一导电层的搭接部分位于所述阳极层靠近所述衬底的一侧。

可选的，所述阳极层包括：沿远离所述衬底的方向依次层叠的第二导电层、反射阳极层和第三导电层；

其中，所述第二导电层与所述第一导电层位于同层且相互间隔。

可选的，所述显示面板还包括：

位于所述衬底与所述绝缘层之间的晶体管，所述晶体管具有依次层叠的有源层、栅绝缘层、栅金属层、层间介定层和源漏金属层，所述源漏金属层与所述辅助电极位于同层，且所述源漏金属层包括位于同层且相互间隔的第一金属部和第二金属部；

贯穿所述绝缘层且暴露所述第二金属部的第二过孔，所述阳极层中的第二导电层通过所述第二过孔与所述第二金属部搭接；

以及，贯穿所述层间介定层且暴露所述有源层的第三过孔，所述第一金属部和所述第二金属部均通过所述第三过孔与所述有源层搭接。

可选的，所述第一过孔的宽度大于所述第二过孔的宽度。

可选的，所述有源层、所述栅绝缘层、所述栅金属层、所述层间介定层和所述源漏金属层沿远离所述衬底的方向依次层叠；所述显示面板还包括：

位于所述衬底与所述晶体管之间，且沿远离所述衬底的方向依次层叠的遮光层和缓冲层；

以及，贯穿所述层间介定层和所述缓冲层且暴露所述遮光层的第四过孔，所述第二金属部通过所述第四过孔与所述遮光层搭接。

可选的，所述衬底具有第一区域和至少部分围绕所述第一区域的第二区域；

所述遮光层、所述晶体管、所述阳极层、所述像素界定层、所述第二过孔、所述第三过孔和所述第四过孔均位于所述第一区域；

所述辅助电极、所述第一导电层和所述第一过孔均位于所述第二区域；

所述缓冲层、所述层间介定层、所述绝缘层、所述发光层和所述阴极层均位于所述第一区域和所述第二区域，且所述绝缘层位于所述第一区域的部分的厚度大于位于所述第一区域的部分的厚度；

并且，位于所述第一区域的阳极层、发光层和阴极层形成有机发光二极管。

另一方面，提供了一种显示装置，所述显示装置包括：供电组件，以及如上述方面所述的显示面板；

其中，所述供电组件与所述显示面板电连接，并用于为所述显示面板供电。

附图说明

为了更清楚地说明本公开实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所 需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本公开的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是本公开实施例提供的一种相关技术中显示面板的结构示意图；

图2是本公开实施例提供的一种显示面板的结构示意图；

图3是本公开实施例提供的另一种显示面板的结构示意图；

图4是图3所示显示面板的一种局部放大示意图；

图5是图3所示显示面板的另一种局部放大示意图；

图6是本公开实施例提供的又一种显示面板的结构示意图；

图7是本公开实施例提供的一种显示面板的制造方法流程图；

图8是本公开实施例提供的另一种显示面板的制造方法流程图；

图9是本公开实施例提供的一种显示面板中部分膜层的结构示意图；

图10是本公开实施例提供的另一种显示面板中部分膜层的结构示意图；

图11是本公开实施例提供的又一种显示面板中部分膜层的结构示意图；

图12是本公开实施例提供的再一种显示面板中部分膜层的结构示意图；

图13是本公开实施例提供的一种形成绝缘层和第一过孔的方法流程图；

图14是本公开实施例提供的再一种显示面板中部分膜层的结构示意图；

图15是本公开实施例提供的再一种显示面板中部分膜层的结构示意图；

图16是本公开实施例提供的再一种显示面板中部分膜层的结构示意图；

图17是本公开实施例提供的再一种显示面板中部分膜层的结构示意图；

图18是本公开实施例提供的再一种显示面板中部分膜层的结构示意图；

图19是本公开实施例提供的一种显示装置的结构示意图。

具体实施方式

为使本公开的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本公开实施方式作进一步地详细描述。

如背景技术记载，大尺寸的透明显示产品(如，顶发射型OLED显示面板)中，阴极层(也称阴极，英文：Cathode)通常会设置的较薄，以提高透光率，实现较好的透明显示。但是，较薄的阴极存在电压降IR drop较大的问题，导致显示面板的显示效果较差。为此，可以通过新增辅助电极(也称辅助阴极)与 阴极搭接，以减缓电压降IR drop。参考图1，目前常见的搭接方式为：在辅助电极远离衬底的一侧制备形成“工”字型的阻隔层(Rib)结构，以通过该Rib结构远离衬底一侧突出的尖端(Tip)角切断采用蒸镀工艺形成的发光材料，即发光层，进而使得位于发光层远离衬底一侧的阴极层与辅助电极搭接。

其中，参考图1所示放大图可以看出，目前的“工”字型的Rib结构需要和阳极层(也称阳极，英文：Anode)中的反射阳极(Reflective Anode)层一起形成。具体的，Rib结构包括：第一导电层、反射阳极层和第二导电层。其中，第一导电层、反射阳极层和第二导电层可以用于形成阳极层。从图1的局部放大图可以看出，发光层能够被该“工”字型的Rib结构切断，从而使得阴极层沉积至第一导电层远离衬底的一侧，通过第一导电层与辅助电极间接搭接。

但是，图1所示的制备方式需要采用多次构图工艺，制备过程较为复杂，成本较高。其中，一次构图工艺包括：光刻胶涂覆、曝光、显影、刻蚀和光刻胶剥离等工艺步骤。并且，因“工”字型的Rib结构的高度需要达到一定高度值才能顺利切断发光层，故导致同步形成的反射阳极层厚度较厚。膜层较厚则沉积该膜层所需时间较长，从而进一步导致沉积过程中产生大量微粒(Particle)，这在后续采用蒸镀工艺形成发光层时，极易刺穿发光层造成阴极和阳极短路，造成显示面板出现大量的暗点不良，显示面板的产品良率较差，显示质量较低。

基于以上问题，本公开实施例提供了一种新的显示面板及制造方法，可以大幅简化制备流程，节省制备成本，以及可以在有效降低阴极层上电压降IR drop的同时，大幅降低膜层厚度，从而大幅改善暗点不良问题，提升显示面板的产品良率和显示质量。

图2是本公开实施例提供的一种显示面板的结构示意图。如图2所示，该显示面板包括：

衬底01。

位于衬底01一侧的辅助电极02。

位于辅助电极02远离衬底01一侧的绝缘层03和贯穿该绝缘层03的第一过孔K1。

其中，该第一过孔K1暴露辅助电极02且呈底切状。即，该第一过孔K1在衬底01上的正投影与辅助电极02在衬底01上的正投影交叠，交叠可以是指重叠或是重合。如，参考图2，其示出的第一过孔K1在衬底01上的正投影位 于辅助电极02在衬底01上的正投影内，以充分暴露辅助电极02。并且，参考图2，底切状可以是指：第一过孔K1靠近衬底01一侧的底部开口较远离衬底01一侧的顶部开口更宽，此处宽度方向可以是指平行于衬底01的承载面的方向。

位于绝缘层03远离衬底01一侧的阳极层04。

位于阳极层04远离衬底01一侧的发光层05。

因第一过孔K1呈底切状，故参考图2还可以看出，发光层05在第一过孔K1远离衬底01一侧的开口(即，顶部开口)处能够发生断裂，断裂后可以分为第一部分051和第二部分052。其中，第一部分051位于第一过孔K1外且位于绝缘层03远离衬底01的一侧，第二部分052位于第一过孔K1内且位于绝缘层03靠近衬底01的一侧。即，第一部分051和第二部分052不连接，相对于绝缘层03，第一部分051远离衬底01，第二部分052靠近衬底01，且第二部分052落入第一过孔K1内。

以及，位于发光层05远离衬底01一侧的阴极层06。

在底切状的第一过孔K1使发光层05断裂为第一部分051和第二部分052基础上，继续参考图2可以看出，该阴极层06能够沿发光层05的第一部分051的侧壁与辅助电极02有效搭接，且阴极层06与辅助电极02的搭接部分位于阳极层04靠近衬底01的一侧。即，搭接部分相对于阳极层04更靠近衬底01。

如此，可以通过灵活设置施加至辅助电极02上的电压，以有效降低阴极层06上的电压降IR drop，确保显示面板的显示均一性可以较好。该改善方式对于大尺寸的顶发射型透明OLED显示面板中，大且薄的阴极层06而言效果更为明显。相应的，辅助电极02也可以称为辅助阴极。搭接可以是指电连接。

综上所述，本公开实施例提供了一种显示面板，该显示面板包括：位于衬底一侧且依次层叠的辅助电极、绝缘层、阳极层、发光层和阴极层，且该绝缘层具有暴露辅助电极且呈底切状的过孔。如此，可以使得发光层在该过孔远离衬底一侧的开口处被可靠断开为两部分，进而可以使得阴极层沿发光层的第一部分的侧壁与辅助电极有效搭接。在此基础上，可以通过灵活调整施加至辅助电极上的电压，以有效降低大且薄的阴极层上的电压降，确保显示面板的显示均一性较好。

此外，因是通过形成贯穿绝缘层且呈底切状的过孔以断开发光层，便于阴极层与辅助电极搭接，故可以认为是将Rib结构从阳极层下移至了绝缘层。由 此，Rib结构无需与阳极层同层形成。在此基础上，不仅简化了制造工艺，而且可以避免形成的阳极层厚度较厚而导致暗点不良，在确保显示均一性较好的前提下，还可以确保显示面板的产品良率和显示质量均较好。

可选的，图3是本公开实施例提供的另一种显示面板的结构示意图。图4是图3所示结构的局部放大图。结合图3和图4可以看出，本公开实施例记载的显示面板还可以包括：位于绝缘层03与发光层05之间的第一导电层07。

其中，阴极层06可以沿发光层05的第一部分051的侧壁与第一导电层07搭接，且阴极层06与第一导电层07的搭接部分可以位于阳极层04靠近衬底01的一侧。即，阴极层06与第一导电层07的搭接部分相对于阳极层04更靠近衬底01。

第一导电层07可以沿第一过孔K1的侧壁和第一过孔K1的底部与辅助电极02搭接。即，第一导电层07可以沿着第一过孔K1的底部和侧壁延展，以附着于第一过孔K1的底部和侧壁，从而与辅助电极02可靠搭接。换言之，对比图1和图3，本公开实施例中，第一过孔K1内不会完全被第一导电层07充满。

因第一过孔K1的底部暴露辅助电极02，故第一导电层07中附着于第一过孔K1的底部的部分在衬底01上的正投影与辅助电极02在衬底01上的正投影重叠，以覆盖并与辅助电极02搭接。如，附图中示出的第一导电层07中附着于第一过孔K1的底部的部分在衬底01上的正投影，位于辅助电极02在衬底01上的正投影内。以及，在第一过孔K1的开口处断裂的发光层05的第二部分052可以位于第一过孔K1内，且位于第一导电层07中附着于第一过孔K1的底部的部分远离衬底01的一侧，覆盖该第一导电层07的部分。

在上述实施例基础上，本公开实施例记载的阴极层06与辅助电极02搭接也可以认为是：阴极层06通过第一导电层07与辅助电极02间接搭接。

当然，在一些其他实施例中，第一导电层07也可以仅沿第一过孔K1的侧壁与辅助电极02搭接。如此，发光层05的第二部分052可以是位于第一过孔K1内，且位于辅助电极02被暴露部分远离衬底01的一侧，覆盖辅助电极02的该部分。本公开实施例对第一导电层07与辅助电极02的搭接方式不做限定。

可选的，图5示出了图3所示结构中第一过孔K1处的另一种局部放大图。结合图3至图5可以看出，在本公开实施例中，绝缘层03可以包括：沿远离衬 底01的方向依次层叠的第一绝缘层031和第二绝缘层032。在此基础上，呈底切状的第一过孔K1可以包括：沿远离衬底01的方向依次连通，且贯穿第一绝缘层031的第一子过孔K11和贯穿第二绝缘层032的第二子过孔K12。

并且，第一子过孔K11靠近衬底01一侧的开口(可以称为底部开口)在衬底01上的正投影，以及第二子过孔K12靠近衬底01一侧的开口(可以称为底部开口)在衬底01上的正投影，可以均位于第一子过孔K11远离衬底01一侧的开口(可以称为顶部开口)在衬底01上的正投影内。

可选的，结合图5还可以看出，该第一绝缘层031可以包括：钝化层(passivation，PVX)。该第二绝缘层032可以包括：树脂材料层(Resin)。也即是，在本公开实施例中，形成的Rib结构可以包括具有第一子过孔K11的钝化层PVX和具有第二子过孔K12的树脂材料层Resin。即，可以将用于切断发光层05的Rib结构下移至钝化层PVX和树脂材料层Resin，用钝化层PVX和树脂材料层Resin形成该Rib结构。如此，因Rib结构无法与阳极层04同层形成，故不仅可以简化工艺流程，而且可以避免形成的阳极层04的厚度较厚，即可以形成厚度较薄的阳极层04。进而，可以大幅改善阳极层04出现Particle而导致暗点不良，使得显示面板的产品良率较好，以及提升了显示面板的显示质量。其中，厚度方向为垂直于衬底01的方向。

当然，在一些其他实施例中，绝缘层03也可以仅包括一层，或是包括两层以上的绝缘层，以形成图2至图5所示的底切状的第一过孔K1，本公开实施例对此不做限定。

可选的，在本公开实施例中，第一绝缘层031的厚度可以大于阳极层04的厚度，即，如上述实施例记载，形成的阳极层04可以较薄。且第一绝缘层031的厚度可以小于等于第二绝缘层032的厚度。如此，结合图4和图5可知，形成的第二子过孔K2的侧壁高度可以大于等于第一子过孔K1的侧壁高度，进而可以确保发光层05在第一过孔K1的顶部开口处可靠断裂，使得位于发光层05远离衬底01一侧阴极层06通过该第一过孔K1与辅助电极02可靠搭接。其中，高度方向与厚度方向相同。

例如，第一绝缘层031的厚度可以为第二绝缘层032的厚度的0.5倍至1倍。

可选的，第一子过孔K11的侧壁的坡度可以大于第二子过孔K12的侧壁的坡度。即，结合图3至图5，第一绝缘层031靠近第一过孔K1的一侧的坡度可 以大于第二绝缘层032靠近第一过孔K1的一侧的坡度。

其中，坡度是指：该一侧在远离衬底01的方向上的垂直高度与在平行于衬底01的承载面的方向上的长度之间的距离的比，也可以称为该一侧在远离衬底01的方向上的倾斜度。第一绝缘层031的倾斜度大于第二绝缘层032的倾斜度。

例如，依然结合图5可以看出，沿垂直于衬底01的方向(即，远离衬底01的方向)Y1，第一子过孔K11的截面可以呈倒梯形，第二子过孔K12的截面可以呈矩形。即，对于第一子过孔K11而言，其侧壁(也可以称为第一绝缘层031靠近第一过孔K1的一侧)可以由其底部至其顶部逐渐呈向外扩展的趋势，即向外倾斜。对于第二子过孔K12而言，其侧壁(也可以称为第二绝缘层032靠近第一过孔K1的一侧)垂直于衬底01的承载面，且沿方向Y1的延长线位于第一子过孔K11内。即，第二子过孔K12的侧壁相对于第一子过孔K11的侧壁向孔内突出具有一定长度，可以将该突出部分称为Tip角。该Tip角能够确保发光层05被可靠切断，进而确保阴极层06与辅助电极02有效搭接。

当然，在一些其他实施例中，第一过孔K1可以包括更多数量的子过孔，以依次连通形成不同的底切形状，本公开实施例对底切状不做限定。可选的，第一过孔K1的开口可以呈矩形、圆形、椭圆形或多边形等形状。

可选的，显示面板可以包括：贯穿绝缘层03的一个第一过孔K1。或者，贯穿绝缘层03且间隔排布的多个第一过孔K1，并且，该多个第一过孔K1间隔排布的方向X1可以为平行于衬底01的承载面的方向。

例如，参考图5，其示出的显示面板包括：贯穿绝缘层03且沿平行于衬底01的承载面的排布方向X1间隔排布的两个第一过孔K1。

需要说明的是，通过设置数量较多的第一过孔K1，可以确保第一导电层07与辅助电极02的可靠搭接，进而确保阴极层06与辅助电极02的可靠搭接。

以及，在包括多个第一过孔K1前提下，发光层05可以被断开为多个第一部分051和多个第二部分052。如，参考图4可以看出，发光层05被两个第一过孔K1的顶部开口断开为两个第二部分052和三个第一部分051。

可选的，图6是本公开实施例提供的另一种显示面板的结构示意图。如图6所示，阳极层04可以包括沿远离衬底01的方向依次层叠的第二导电层041、反射阳极层042和第三导电层043。

并且，第二导电层041与第一导电层07可以位于同层且相互间隔，间隔方 向可以平行于衬底01的承载面，即为图5所示的方向X1。

需要说明的是，位于同层可以是指采用同一成膜工艺形成用于形成特定图形的膜层，然后利用同一掩模板通过一次构图工艺对该膜层图案化所形成的层结构。根据特定图形的不同，一次构图工艺可能包括多次曝光、显影或刻蚀工艺，而形成的层结构中的特定图形可以是连续的也可以是不连续的。即，位于“同层”的多个元件、部件、结构和/或部分由相同的材料构成，并通过同一次构图工艺形成。如此，可以节省制造工艺和制造成本，并且可以加快制造效率。即，本公开实施例记载的第二导电层041与第一导电层07可以采用相同材料，通过一次构图工艺形成。

可选的，第一导电层07的材料、第二导电层041的材料和第三导电层043的材料均可以包括：透明导电材料，如氧化铟锡(indium tin oxide，ITO)。相应的，在本公开实施例中，位于同层的第一导电层07和第二导电层041可以统称为ITO1层，第三导电层043可以称为ITO2层。

反射阳极层042可以用于反射光线。相应的，本公开实施例提供的显示面板可以为顶发射型示面板。当然，在一些其他实施例中，也可以不包括反射阳极层042，相应的，显示面板可以为底发射型显示面板。上述实施例记载的厚度可以是指反射阳极层042的厚度。

可选的，依然参考图6可以看出，显示面板还可以包括：位于绝缘层03与发光层05之间的像素界定层(pixel defining layer，PDL)08。像素界定层08可以用于界定显示区和非显示区。

可选的，像素界定层08的材料可以包括：选自基于聚甲基丙烯酸甲酯和聚苯乙烯的聚合物、基于苯酚基团的聚合物和衍生物，基于亚克力的聚合物、基于对二甲苯的聚合物、基于芳醚的聚合物、基于酰胺的聚合物、基于氟化物的聚合物、基于对二甲苯的聚合物乙烯醇的聚合物中的至少一种。

可选的，继续参考图6可以看出，显示面板还可以包括：位于衬底01与绝缘层03之间的晶体管T1。并且，该晶体管T1可以具有依次层叠的有源层P1、栅绝缘(gate insulator，GI)层、栅(Gate)金属层GT、层间介定(inter-layer di-electric，ILD)层和源漏金属(source&drain，SD)层。

其中，源漏金属层SD可以与辅助电极02位于同层，即，如上述实施例记载，源漏金属层SD与辅助电极02可以采用相同材料通过一次构图工艺形成。

可选的，源漏金属层SD与辅助电极02的材料均可以包括：金属铝、金属银、金属钼或合金等金属材料。因以上金属材料的导电能力较强，故可以有效降低阴极层06上的电压降IR drop。

以及，源漏金属层SD可以包括位于同层且相互间隔的第一金属部SD1和第二金属部SD2，即第一金属部SD1和第二金属部SD2可以采用相同材料通过一次构图工艺形成。第一金属部SD1和第二金属部SD2中，一个金属部可以为源极S，另一个金属部可以为漏极D。可选的，参考图6，其示出的第一金属部SD1为漏极D，第二金属部SD2为源极S。

以及，显示面板还可以包括：贯穿绝缘层03且暴露第二金属部SD2的第二过孔K2。即，该第二过孔K2在衬底01上的正投影与第二金属部SD2在衬底01上的正投影交叠。如，参考图6，其示出的第二过孔K2在衬底01上的正投影位于第二金属部SD2在衬底01上的正投影内，以充分暴露第二金属部SD2。阳极层04中的第二导电层041可以通过第二过孔K2与第二金属部SD2搭接，即，阳极层04可以经第二导电层041与第二金属部SD2电连接。如此，晶体管T1可以经第二金属部SD2向阳极层04传输驱动电压，该驱动电压和施加于阴极层06上的驱动电压可以形成压差，从而驱动发光层05发光。基于此可知，显示面板还可以包括用于向阴极层06施加电压的阴极信号线。

可选的，依然参考图6可以看出，在本公开实施例中，第一过孔K1的宽度可以大于第二过孔K2的宽度。其中，宽度方向为平行于衬底01的承载面的方向。如此，可以进一步确保阴极层06经该第一过孔K1与辅助电极02可靠搭接。

需要说明的是，显示面板还可以包括：与第一金属部SD1连接的数据线，以及与栅极GT连接的栅线G1。图6示出了栅线G1，该栅线G1可以与栅极GT位于同层且相互间隔，即，栅线G1与栅极可以采用相同材料通过一次构图工艺形成。栅线G1可以向栅极GT传输栅极驱动信号，以驱动晶体管T1开启。晶体管T1开启后，即可以基于数据线提供的数据信号，向第二金属部SD2连接的阳极层05传输驱动电压。可选的，栅极GT和栅线G1的材料可以包括：金属铝、金属银、金属钼或合金等金属材料。

以及，显示面板还可以包括：贯穿层间介定层ILD且暴露有源层P1的第三过孔K3，第一金属部SD1和第二金属部SD2均可以通过第三过孔K3与有源层P1搭接。

可选的，有源层P1的材料可以包括：多晶硅、非晶硅或氧化物半导体等半导体材料。层间介定层ILD的材料可以包括：二氧化硅、氮化硅或者二氧化硅和氮化硅的混合材料。

需要说明的是，有源层P1可以具有半导体化区(也称沟道区)和位于沟道区两侧的导体化区(分别称为源极区和漏极区)。其中，半导体化区可以不进行掺杂，或者掺杂类型与源极区和漏极区不同，并因此具有半导体特性。导体化区可以进行掺杂，并因此具有导电性。掺杂的杂质可以根据晶体管的类型(即，N型或是P型)而变化。上述源漏金属层SD可以与导体化区搭接。

可选的，继续参考图6，在本公开实施例中，有源层P1、栅绝缘层GI、栅金属层GT、层间介定层ILD和源漏金属层SD可以沿远离衬底01的方向依次层叠。即，图6示出的晶体管T1可以是顶栅结构的晶体管。

因顶栅结构的晶体管具有短沟道的特点，故其开态电流Ion较大。进而，可以显著提升显示效果并且能有效降低功耗。以及，因顶栅结构的晶体管的栅极与源漏极在衬底01上的正投影的重叠面积小，因而产生的寄生电容较小，所以发生GDS等不良的可能性也降低，GDS不良是指黑色斑点形成后会逐渐长大直至使整个显示面失效，英文：Growing Dark Spot。

在顶栅结构的晶体管T1基础上，继续参考图6可以看出，显示面板还可以包括：位于衬底01与晶体管T1之间，且沿远离衬底01的方向依次层叠的遮光(light shield)层09和缓冲(buffer)层10。

以及，贯穿层间介定层ILD和缓冲层10且暴露遮光层09的第四过孔K4。即，第四过孔K4在衬底01上的正投影与遮光层09在衬底01上的正投影交叠。如，参考图6，其示出的，第四过孔K4在衬底01上的正投影位于遮光层09在衬底01上的正投影内，以充分暴露遮光层09。第二金属部SD2可以通过该第四过孔K4与遮光层09搭接。如此，可以使得遮光层09与第二金属部SD2和阳极层05上的电压相同，避免遮光层09与其他导电结构之间产生寄生电容。

可选的，遮光层09的材料可以包括：金属铝、金属银、金属钼或合金等金属材料。有源层P1在衬底01上的正投影与遮光层09在衬底01上的正投影重叠，遮光层09可以用于对有源层P1进行遮挡，避免有源层P1在光线的照射下出现电压阈值偏移现象，且可以用于遮光，避免外界光线干扰显示面板的显示。

可选的，缓冲层10的材料可以包括：氮化硅、氧化硅或氮氧化硅等无机材 料。缓冲层10可以用于在晶体管T1与衬底01之间进行缓冲，且可以阻挡衬底01中的离子进入有源层P1，避免有离子进入有源层P1后导致其性能受到影响。

可选的，衬底01可以包括：玻璃基板或柔性基板，其中柔性基板的材料可以包括：聚酰亚胺(Polyimide)。阴极层06的材料可以包括：氧化铟锌(indium zinc oxide，IZO)。相应的，阴极层也可以称为IZO层。发光层05的材料可以包括有机电致(electro-Luminescence，EL)发光材料。

可选的，依然参考图6可以看出，本公开实施例记载的衬底01可以具有第一区域A1和至少部分围绕第一区域A1的第二区域B1，该第一区域A1和第二区域B1可以由像素界定层08界定。如，图6示出的第二区域B1与第一区域A1临接，并部分围绕第一区域A1。

在此基础上，遮光层09、晶体管T1、阳极层04、像素界定层08、第二过孔K2、第三过孔K3和第四过孔K4均可以位于第一区域A1。辅助电极02、第一导电层07和第一过孔K1均可以位于第二区域B1。缓冲层09、层间介定层ILD、绝缘层03、发光层05和阴极层06均可以位于第一区域A1和第二区域B1。即，部分位于第一区域A1，部分位于第二区域B1。并且，位于第一区域A1的阳极层04、发光层05和阴极层06形成有机发光二极管。

可选的，对于透明显示面板而言，第二区域B1也可以称为透明区域。为此，绝缘层03位于第一区域A1的部分的厚度可以大于位于第一区域A1的部分的厚度，以保证透明显示效果较好。

综上所述，本公开实施例提供了一种显示面板，该显示面板包括：位于衬底一侧且依次层叠的辅助电极、绝缘层、阳极层、发光层和阴极层，且该绝缘层具有暴露辅助电极且呈底切状的过孔。如此，可以使得发光层在该过孔远离衬底一侧的开口处被可靠断开为两部分，进而可以使得阴极层沿发光层的第一部分的侧壁与辅助电极有效搭接。在此基础上，可以通过灵活调整施加至辅助电极上的电压，以有效降低大且薄的阴极层上的电压降，确保显示面板的显示均一性较好。

此外，因是通过形成贯穿绝缘层且呈底切状的过孔以断开发光层，便于阴极层与辅助电极搭接，故可以认为是将Rib结构从阳极层下移至了绝缘层。由此，Rib结构无需与阳极层同层形成。在此基础上，不仅简化了制造工艺，而且可以避免形成的阳极层厚度较厚而导致暗点不良，在确保显示均一性较好的前 提下，还可以确保显示面板的产品良率和显示质量均较好。

图7是本公开实施例提供的一种显示面板的制造方法流程图，该方法可以用于制造如图2、图4或图6所示的显示面板。如图7所示，该方法包括：

步骤701、提供衬底。

步骤702、在衬底的一侧形成辅助电极。

步骤703、在辅助电极远离衬底的一侧形成绝缘层，以及贯穿绝缘层的第一过孔。

其中，参考图2至图6可以看出，本公开实施例形成的第一过孔K1暴露辅助电极02且呈底切状。

步骤704、在绝缘层远离衬底的一侧形成阳极层。

步骤705、在阳极层远离衬底的一侧形成发光层。

其中，参考图2至图6可以看出，因第一过孔K1呈底切状，故形成的发光层05在第一过孔K1远离衬底01一侧的开口处可靠断裂，分为第一部分051和第二部分052。第一部分051位于第一过孔K1外且位于绝缘层03远离衬底01的一侧，第二部分052位于第一过孔K1且位于绝缘层03靠近衬底01的一侧。

步骤706、在发光层远离衬底的一侧形成阴极层，并将阴极层沿发光层的第一部分的侧壁与辅助电极搭接。

其中，参考图2至图6可以看出，阴极层06与辅助电极02的搭接部分位于阳极层04靠近衬底01的一侧，即搭接部分相对于阳极层04更靠近衬底01。

以图6所示结构为例，图8示出了另一种显示面板的制造方法流程图。如图8所示，该方法可以包括：

步骤801、提供衬底。

可选的，如上述实施例记载，提供的衬底01可以为玻璃基板或柔性基板。示例的，图9示出了一种提供的衬底01的结构示意图。

步骤802、在衬底的一侧形成遮光层。

可选的，可以在衬底的一侧形成遮光材料薄膜，并采用一次构图工艺处理遮光材料薄膜，以形成遮光层。如上述实施例记载，该遮光材料薄膜的材料可以为金属材料。

示例的，图10示出了一种在衬底01上形成的遮光层09的结构示意图。此 外，结合图6，可以仅在衬底01的第一区域A1内形成遮光层09。

步骤803、在遮光层远离衬底的一侧形成缓冲层。

可选的，如上述实施例记载，可以在遮光层远离衬底的一侧沉积如氮化硅、氧化硅或氮氧化硅等无机材料，以形成缓冲层。

示例的，图11示出了一种在遮光层09远离衬底01的一侧形成的缓冲层10的结构示意图。且，结合图6，可以在衬底01的第一区域A1和第二区域A2内形成正层覆盖衬底01的缓冲层10。

步骤804、在缓冲层远离遮光层的一侧形成晶体管和辅助电极。

示例的，图12示出了一种在缓冲层10远离遮光层09的一侧形成的晶体管T1和辅助电极02的结构示意图。且，结合图6，可以在衬底01的第一区域A1内形成晶体管T1，并在衬底01的第二区域A2内形成辅助电极02。

其中，结合图6，形成的晶体管T1可以包括：沿远离衬底01的方向依次层叠的有源层P1、栅绝缘层GI、栅金属层GT、层间介定层ILD和源漏金属层SD，源漏金属层SD可以包括位于同层且相互间隔的第一金属部SD1和第二金属部SD2。第一金属部SD1和第二金属部SD2中，一个金属部可以为源极S，另一个金属部可以为漏极D。图12示出的第一金属部SD1为漏极D，第二金属部SD2为源极S。之后，结合图6可以看出，可以将第一金属部SD1和第二金属部SD2通过贯穿层间介定层ILD的第三过孔K3与有源层P1搭接，以及可以将第二金属部SD2通过贯穿层间介定层ILD和缓冲层10的第四过孔K4与遮光层09搭接。由此可知，在此之前，还需要形成第三过孔K3和第四过孔K4。

可选的，可以采用刻蚀工艺刻蚀层间介定层ILD和缓冲层10，以分别形成第三过孔K3和第四过孔K4。在图12基础上，对步骤804介绍如下：

首先，可以在形成有缓冲层10的衬底01上形成有源材料薄膜，并对该有源材料薄膜执行一次构图工艺以形成图12所示的有源层P1。可选的，如上述实施例记载，该有源材料薄膜的材料可以包括：多晶硅、非晶硅或氧化物半导体等半导体材料。

然后，可以继续在形成该有源层P1的衬底01上继续形成栅绝缘材料薄膜，并对该栅绝缘材料薄膜执行一次构图工艺以形成图12所示的栅绝缘层GI。

再然后，可以继续在形成有栅绝缘层GI的衬底01上形成栅金属材料薄膜，并对该栅金属材料薄膜执行一次构图工艺以形成图12所示的栅金属层GT。此 外，参考图12还可以看出，也可以一并形成栅线G1。可选的，如上述实施例记载，该栅金属材料薄膜的材料可以包括：金属铝、金属银、金属钼或合金等金属材料。

再然后，可以继续在形成有栅金属层GT和栅线G1的衬底01上形成层间介定薄膜，并对该层间介定薄膜执行一次构图工艺以形成图12所示的层间介定ILD。可选的，如上述实施例记载，该层间介定薄膜的材料可以包括：二氧化硅、氮化硅或者二氧化硅和氮化硅的混合材料。

最后，可以在形成有层间介定ILD的衬底01上继续形成源漏金属材料薄膜，并对该源漏金属材料薄膜执行一次构图工艺以形成图12所示的源漏金属层SD，并可以同时形成辅助电极02。可选的，如上述实施例记载，该源漏金属材料薄膜的材料可以包括：金属铝、金属银、金属钼或合金等金属材料。

即，可以在衬底01上进行多次沉积和构图形成完成的晶体管T1，并同时形成辅助电极02。

步骤805、在辅助电极远离衬底的一侧形成绝缘层，以及贯穿绝缘层的第一过孔。

可选的，结合图2至图6可以看出，第一过孔K1暴露辅助电极02且呈底切状。并且，结合图3至图6可以看出，形成的绝缘层03可以包括：沿远离衬底01的方向依次层叠的第一绝缘层031和第二绝缘层032。相应的，第一过孔K1可以包括：沿远离衬底01的方向依次连通，且分别贯穿第一绝缘层031和第二绝缘层032的第一子过孔K11和第二子过孔K12。

在此基础上，参考图13，步骤805可以包括：

步骤8051、在辅助电极远离衬底的一侧形成第一绝缘薄膜。

可选的，可以在辅助电极远离衬底的一侧沉积绝缘材料，以形成第一绝缘薄膜。如上述实施例记载，此时采用的绝缘材料可以为用于形成钝化层PVX的材料。

示例的，图14示出了在辅助电极02远离衬底01的一侧形成的第一绝缘薄膜031m的结构示意图。此外，结合图6，可以在衬底01的第一区域A1和第二区域B1内同时形成该第一绝缘薄膜031m。

步骤8052、在第一绝缘薄膜远离辅助电极的一侧形成第二绝缘薄膜。

可选的，可以继续采用沉积或是涂覆等方式在第一绝缘薄膜031m远离辅助 电极02的一侧沉积绝缘材料，以形成第二绝缘薄膜。如上述实施例记载，此时采用的绝缘材料可以为树脂材料。此外，结合图6，可以在衬底01的第一区域A1和第二区域B1内同时形成该第二绝缘薄膜。

步骤8053、对第二绝缘薄膜进行一次构图工艺处理，形成第二绝缘层和贯穿第二绝缘层的第二子过孔。

可选的，可以采用半色调掩膜板(halftone mask)对第二绝缘薄膜进行曝光构图工艺处理，形成第二绝缘层和贯穿第二绝缘层的第二子过孔。此外，结合图6，可以仅在衬底01的第二区域B1内形成第二子过孔K12，该第二子过孔K12的截面呈矩形。

示例的，依然参考图14，其还示出了形成的第二绝缘层032和贯穿第二绝缘层032的第二子过孔K12。从图14可以看出，晶体管T1远离衬底01一侧的第二绝缘薄膜被完全保留下来，第二区域B1(即，透明区域)内仅部分厚度的第二绝缘薄膜被保留下来，以及需要后续刻蚀位置处的第二绝缘薄膜被完全去除，从而形成厚度层次不齐的第二绝缘层032。

当然，在一些其他实施例中，也可以采用其他类型的掩膜板对第二绝缘薄膜进行曝光构图工艺处理，形成第二绝缘层和贯穿第二绝缘层的第二子过孔。

步骤8054、对第一绝缘薄膜进行刻蚀处理，形成第一绝缘层和贯穿第一绝缘层的第一子过孔。

可选的，可以采用刻蚀溶液对第一绝缘薄膜进行湿法刻蚀处理，以形成第一绝缘层和贯穿第一绝缘层的第一子过孔。如，刻蚀溶液可以为氟化氢(HF)。当然，在一些实施例中，也可以为对第一绝缘薄膜进行干法刻蚀处理。

示例的，图15示出了形成的第一绝缘层031和贯穿第一绝缘层031的第一子过孔K11。结合图6可以仅在衬底01的第二区域B1内形成第一子过孔K11，且该第一子过孔K11的截面呈倒梯形。最终可以形成一个呈底切状且具有一定长度Tip角的Rib结构，该Rib结构包括具有第一子过孔K11的第一绝缘层031和具有第二子过孔K12的第二绝缘层032。

步骤806、在绝缘层远离辅助电极的一侧形成第一导电层，并将第一导电层通过第一过孔与辅助电极搭接。

可选的，可以继续在形成绝缘层的衬底上形成第一导电材料薄膜，并对该第一导电材料薄膜执行一次构图工艺以形成第一导电层。如上述实施例记载， 该第一导电材料薄膜的材料可以包括氧化铟锡ITO。

示例的，图16出了在绝缘层03远离辅助电极02的一侧形成的第一导电层07的结构示意图。结合图6，可以在衬底01的第一区域A1和第二区域B1内形成第一导电层07。该第一导电层07可以沿第一过孔K1的侧壁和第一过孔K1的底部与辅助电极02搭接。

步骤807、在第一导电层远离绝缘层的一侧形成沿远离衬底的方向依次层叠的阳极层和像素界定层。

可选的，接着可以进行阳极材料薄膜和像素界定材料薄膜的沉积和曝光刻蚀构图，以形成阳极层和像素界定层。如上述实施例记载，阳极材料薄膜的材料可以包括：氧化铟锡ITO。像素界定材料薄膜的材料可以包括：选自基于聚甲基丙烯酸甲酯和聚苯乙烯的聚合物、基于苯酚基团的聚合物和衍生物，基于亚克力的聚合物、基于对二甲苯的聚合物、基于芳醚的聚合物、基于酰胺的聚合物、基于氟化物的聚合物、基于对二甲苯的聚合物乙烯醇的聚合物中至少一种。

示例的，图17示出了形成的阳极层04和像素界定层08的结构示意图。结合图6，可以仅在衬底01的第一区域A1内形成阳极层04和像素界定层08。并且，该阳极层04包括沿远离衬底01的方向依次层叠的第二导电层041、反射阳极层042和第三导电层043，第二导电层041经贯穿绝缘层03的第二过孔K2与源漏金属层SD中的第二金属部SD2搭接。由此可知，在此之前，还需形成贯穿绝缘层03的第二过孔K2。可选的，结合图15和16，可以在形成第一过孔K1的同时，采用相同的工艺一并形成第二过孔K2。

步骤808、在第一导电层远离绝缘层的一侧形成发光层。

可选的，可以采用蒸镀工艺在第一导电层远离绝缘层的一侧蒸镀发光材料，以形成发光层。如上述实施例记载，发光材料可以包括EL发光材料。

示例的，图17还示出了形成的发光层05的结构示意图。结合2至图6可以看出，可以在衬底01的第一区域A1和第二区域B1内形成发光层05。且，因绝缘层03具有呈底切状的第一过孔K1，故使得发光层05能够在该第一过孔K1的顶部开口处可靠断开，从而分为位于第一过孔K1内的第二部分052和位于第一过孔K1外的第一部分051。

步骤809、在发光层远离第一导电层的一侧形成阴极层，并将阴极层沿发光层的第一部分的侧壁与第一导电层搭接。

最后，可以在发光层远离第一导电层的一侧沉积或溅射阴极材料，以形成阴极层。如上述实施例记载，该阴极材料可以为氧化铟锌IZO。

示例的，图18示出了形成的阴极层06的结构示意图。结合图2至图6可以看出，可以在衬底01的第一区域A1和第二区域B1内形成阴极层06。在发光层05断裂基础上，沉积下来的阴极层可以扩散至第一过孔K1内与第一导电层07附着于第一过孔K1的侧壁的部分可靠搭接，最终实现阴极层06与辅助电极02的间接搭接，达到减缓阴极层上电压降IR drop的目的。

从上述步骤801至步骤809也可以看出，本公开实施例提供的制造方法工艺流程简单，成本较低，而且最终形成的反射阳极层042的厚度较薄，即使得形成的阳极层04较薄。如此，可以大幅改善反射阳极层042出现Particle而导致暗点不良，使得显示面板的产品良率较好，以及提升了显示面板的显示质量。

需要说明的是，本公开实施例提供的显示面板的制造方法的步骤的先后顺序可以进行适当调整，步骤也可以根据情况进行相应增减。例如，步骤802可以删除。任何熟悉本技术领域的技术人员在本公开揭露的技术范围内可轻易想到变化的方法，都应涵盖在发明的保护范围之内，因此不再赘述。

综上所述，本公开实施例提供了一种显示面板的制造方法，该方法中，可以在衬底的一侧形成依次层叠的辅助电极、绝缘层、阳极层、发光层和阴极层，以及形成贯穿该绝缘层且具有暴露辅助电极且呈底切状的第一过孔。如此，可以使得发光层在该过孔远离衬底一侧的开口处被可靠断开为两部分，进而可以使得阴极层沿发光层的第一部分的侧壁与辅助电极有效搭接。在此基础上，可以通过灵活调整施加至辅助电极上的电压，以有效降低大且薄的阴极层上的电压降，确保显示面板的显示均一性较好。

此外，因是通过形成贯穿绝缘层且呈底切状的过孔以断开发光层，便于阴极层与辅助电极搭接，故可以认为是将Rib结构从阳极层下移至了绝缘层。由此，Rib结构无需与阳极层同层形成。在此基础上，不仅简化了制造工艺，而且可以避免形成的阳极层厚度较厚而导致暗点不良，在确保显示均一性较好的前提下，还可以确保显示面板的产品良率和显示质量均较好。

图19是本公开实施例提供的一种显示装置。如图19所示，该显示装置可以包括：供电组件J1，以及如图2、图3或图6所示的显示面板。

其中，供电组件J1可以与显示面板00电连接，并用于为显示面板00供电。

可选的，该显示装置可以为：手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪或透明显示产品等任何具有显示功能的产品或部件。其中，透明显示产品可以应用于汽车或地铁等车载显示，且可以应用于酒店或服装店等橱窗展示，具有画质清晰、显示效果逼真等优点。

需要指出的是，在附图中，为了图示的清晰可能夸大了层和区域的尺寸。而且可以理解，当元件或层被称为在另一元件或层“上”时，它可以直接在其他元件上，或者可以存在中间的层。另外，可以理解，当元件或层被称为在另一元件或层“下”时，它可以直接在其他元件下，或者可以存在一个以上的中间的层或元件。另外，还可以理解，当层或元件被称为在两层或两个元件“之间”时，它可以为两层或两个元件之间惟一的层，或还可以存在一个以上的中间层或元件。通篇相似的参考标记指示相似的元件。

以及，本公开实施方式部分使用的术语仅用于对本公开的实施例进行解释，而非旨在限定本公开。除非另作定义，本公开的实施方式使用的技术术语或者科学术语应当为本公开所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。

如，在本公开实施例中，术语“第一”和“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。术语“多个”指两个或两个以上，除非另有明确的限定。

同样，“一个”或者“一”等类似词语也不表示数量限制，而是表示存在至少一个。

“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现在“包括”或者“包含”前面的元件或者物件涵盖出现在“包括”或者“包含”后面列举的元件或者物件及其等同，并不排除其他元件或者物件。

“上”、“下”、“左”或者“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则所述相对位置关系也可能相应地改变。“连接”或者“耦接”是指电连接。

“和/或”，表示可以存在三种关系，例如，A和/或B，可以表示：单独存在A，同时存在A和B，单独存在B这三种情况。字符“/”一般表示前后关联对象是一种“或”的关系。

以上所述仅为本公开的可选的实施例，并不用以限制本公开，凡在本公开的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本公开的保护范围之内。

Claims (15)

1. 一种显示面板，所述显示面板包括：

   衬底；

   位于所述衬底一侧的辅助电极；

   位于所述辅助电极远离所述衬底一侧的绝缘层和贯穿所述绝缘层的第一过孔，所述第一过孔暴露所述辅助电极且呈底切状；

   位于所述绝缘层远离所述衬底一侧的阳极层；

   位于所述阳极层远离所述衬底一侧的发光层，所述发光层在所述第一过孔远离所述衬底一侧的开口处断裂，分为第一部分和第二部分，所述第一部分位于所述第一过孔外且位于所述绝缘层远离所述衬底的一侧，所述第二部分位于所述第一过孔内且位于所述绝缘层靠近所述衬底的一侧；

   以及，位于所述发光层远离所述衬底一侧的阴极层，所述阴极层沿所述发光层的第一部分的侧壁与所述辅助电极搭接，且所述阴极层与所述辅助电极的搭接部分位于所述阳极层靠近所述衬底的一侧。
2. 根据权利要求1所述的显示面板，其中，所述绝缘层包括：沿远离所述衬底的方向依次层叠的第一绝缘层和第二绝缘层；

   呈底切状的所述第一过孔包括：沿远离所述衬底的方向依次连通，且贯穿所述第一绝缘层的第一子过孔和贯穿所述第二绝缘层的第二子过孔；

   并且，所述第一子过孔靠近所述衬底一侧的开口在所述衬底上的正投影，以及所述第二子过孔靠近所述衬底一侧的开口在所述衬底上的正投影，均位于所述第一子过孔远离所述衬底一侧的开口在所述衬底上的正投影内。
3. 根据权利要求2所述的显示面板，其中，所述第一绝缘层的厚度大于所述阳极层的厚度，且小于等于所述第二绝缘层的厚度。
4. 根据权利要求3所述的显示面板，其中，所述第一绝缘层的厚度为所述第二绝缘层的厚度的0.5倍至1倍。
5. 根据权利要求2所述的显示面板，其中，所述第一子过孔的侧壁的坡度大于所述第二子过孔的侧壁的坡度。
6. 根据权利要求5所述的显示面板，其中，沿垂直于所述衬底的方向，所述第一子过孔的截面呈倒梯形，所述第二子过孔的截面呈矩形。
7. 根据权利要求2至6任一所述的显示面板，其中，所述第一绝缘层包括：钝化层；所述第二绝缘层包括：树脂材料层。
8. 根据权利要求1至7任一所述的显示面板，其中，所述显示面板包括：贯穿所述绝缘层的一个第一过孔；或，贯穿所述绝缘层的多个第一过孔，其中，所述多个第一过孔间隔排布的方向为平行于所述衬底的承载面的方向。
9. 根据权利要求1至8任一所述的显示面板，其中，所述显示面板还包括：

   位于所述绝缘层与所述发光层之间的第一导电层，所述阴极层沿所述发光层的第一部分的侧壁与所述第一导电层搭接，所述第一导电层沿所述第一过孔的侧壁和所述第一过孔的底部与所述辅助电极搭接，且所述阴极层与所述第一导电层的搭接部分位于所述阳极层靠近所述衬底的一侧。
10. 根据权利要求9所述的显示面板，其中，所述阳极层包括：沿远离所述衬底的方向依次层叠的第二导电层、反射阳极层和第三导电层；

    其中，所述第二导电层与所述第一导电层位于同层且相互间隔。
11. 根据权利要求10所述的显示面板，其中，所述显示面板还包括：

    位于所述衬底与所述绝缘层之间的晶体管，所述晶体管具有依次层叠的有源层、栅绝缘层、栅金属层、层间介定层和源漏金属层，所述源漏金属层与所述辅助电极位于同层，且所述源漏金属层包括位于同层且相互间隔的第一金属部和第二金属部；

    贯穿所述绝缘层且暴露所述第二金属部的第二过孔，所述阳极层中的第二导电层通过所述第二过孔与所述第二金属部搭接；

    以及，贯穿所述层间介定层且暴露所述有源层的第三过孔，所述第一金属部和所述第二金属部均通过所述第三过孔与所述有源层搭接。
12. 根据权利要求11所述的显示面板，其中，所述第一过孔的宽度大于所述第二过孔的宽度。
13. 根据权利要求11所述的显示面板，其中，所述有源层、所述栅绝缘层、所述栅金属层、所述层间介定层和所述源漏金属层沿远离所述衬底的方向依次层叠；所述显示面板还包括：

    位于所述衬底与所述晶体管之间，且沿远离所述衬底的方向依次层叠的遮光层和缓冲层；

    以及，贯穿所述层间介定层和所述缓冲层且暴露所述遮光层的第四过孔，所述第二金属部通过所述第四过孔与所述遮光层搭接。
14. 根据权利要求13所述的显示面板，其中，所述衬底具有第一区域和至少部分围绕所述第一区域的第二区域；

    所述遮光层、所述晶体管、所述阳极层、所述像素界定层、所述第二过孔、所述第三过孔和所述第四过孔均位于所述第一区域；

    所述辅助电极、所述第一导电层和所述第一过孔均位于所述第二区域；

    所述缓冲层、所述层间介定层、所述绝缘层、所述发光层和所述阴极层均位于所述第一区域和所述第二区域，且所述绝缘层位于所述第一区域的部分的厚度大于位于所述第一区域的部分的厚度；

    并且，位于所述第一区域的阳极层、发光层和阴极层形成有机发光二极管。
15. 一种显示装置，所述显示装置包括：供电组件，以及如权利要求1至14任一所述的显示面板；

    其中，所述供电组件与所述显示面板电连接，并用于为所述显示面板供电。