CN114284458B - 显示基板及其制作方法、显示面板 - Google Patents

Abstract

公开一种显示基板及其制作方法、显示面板，涉及显示技术领域，用于降低或消除阴极层中IR Drop的问题。其中，显示基板包括衬底、辅助电极、绝缘层和阴极层。辅助电极位于衬底一侧，辅助电极远离衬底的表面上设置有凹陷结构。绝缘层位于辅助电极远离衬底一侧，绝缘层开设有第一通孔，第一通孔的边缘在衬底上的正投影位于凹陷结构在衬底上的正投影内，且第一通孔的径向尺寸小于凹陷结构的径向尺寸。阴极层覆盖绝缘层，并穿过第一通孔与辅助电极电连接。本公开提供的显示基板，可以应用于显示面板，降低阴极层的整体阻抗，减轻或消除阴极层中IR Drop的现象，从提高显示面板的显示效果。

Description

显示基板及其制作方法、显示面板

技术领域

本公开涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示基板及其制作方法、显示面板。

背景技术

随着显示技术的发展，大尺寸显示面板成为显示技术重要的发展潮流。然而，大尺寸显示面板对电信号传输部件尺寸的扩增，会带来自身电阻增加导致内部电压下降的(IRDrop)现象，降低显示装置的显示效果。

发明内容

本公开一些实施例的目的在于提供一种显示基板及其制作方法、显示面板，减轻或消除阴极层中IR Drop的现象，提高显示面板的显示效果。

为达到上述目的，本公开一些实施例提供了如下技术方案：

一方面，提供了一种显示基板。显示基板包括衬底、辅助电极、绝缘层和阴极层。所述辅助电极位于所述衬底一侧，所述辅助电极远离所述衬底的表面上设置有凹陷结构。所述绝缘层位于所述辅助电极远离所述衬底一侧，所述绝缘层开设有第一通孔，所述第一通孔的边缘在所述衬底上的正投影位于所述凹陷结构在所述衬底上的正投影内，且所述第一通孔的径向尺寸小于所述凹陷结构的径向尺寸。所述阴极层，覆盖所述绝缘层，并穿过所述第一通孔与所述辅助电极电连接。

在一些实施例中，所述凹陷结构为盲孔；所述阴极层穿过所述第一通孔，并与所述盲孔的底壁和/或侧壁相连。或者，所述凹陷结构为第二通孔；所述阴极层穿过所述第一通孔，并与所述第二通孔的侧壁相连。

在一些实施例中，所述显示基板还包括阳极层。所述阳极层包括分离设置的第一阳极段和第二阳极段。所述第一阳极段位于所述绝缘层远离所述衬底的一侧表面，所述第二阳极段位于所述凹陷结构内。所述阴极层穿过所述第一通孔后，还与所述第二阳极段相连。

在一些实施例中，所述显示基板还包括阳极层。所述阳极层包括分离设置的第一阳极段和第二阳极段。所述第一阳极段位于所述绝缘层远离所述衬底的一侧表面，所述第二阳极段位于所述凹陷结构内并与所述辅助电极相连。所述阴极层穿过所述第一通孔，并与所述第二阳极段相连。

在一些实施例中，所述显示基板还包括发光层。所述发光层包括分离设置的第一发光段和第二发光段。所述第一发光段位于所述第一阳极段与所述阴极层之间；所述第二发光段覆盖部分所述第二阳极段，所述阴极层覆盖所述第二发光段和所述第二阳极段。

在一些实施例中，所述显示基板还包括抗刻蚀层。所述抗刻蚀层位于所述衬底与所述辅助电极之间；所述凹陷结构在所述衬底上的正投影位于所述抗刻蚀层在所述衬底上的正投影内。

在一些实施例中，所述抗刻蚀层的厚度的取值范围为

在一些实施例中，所述辅助电极的厚度的取值范围为

在一些实施例中，所述显示基板具有显示区和周边区。所述辅助电极位于所述周边区。

在一些实施例中，所述显示基板包括位于所述显示区中的薄膜晶体管阵列层，所述辅助电极与所述薄膜晶体管阵列层中的任意一层金属层同层设置。

在一些实施例中，所述薄膜晶体管阵列层包括第一源漏金属层、以及位于所述第一源漏金属层远离所述衬底一侧的第二源漏金属层，所述辅助电极与所述第二源漏金属层同层设置。

又一方面，提供一种显示面板，包括如上所述的显示基板。

又一方面，提供一种显示基板的制作方法，包括：提供衬底；在所述衬底上沿远离所述衬底的方向依次形成辅助电极材料层和绝缘材料层；在所述绝缘材料层上形成第一通孔，以将所述绝缘材料层制备为绝缘层；在所述辅助电极材料层远离所述衬底的表面制作凹陷结构，以将所述辅助电极材料层制备为辅助电极；其中，所述第一通孔的边缘在所述衬底上的正投影位于所述凹陷结构在所述衬底上的正投影内，且所述第一通孔的径向尺寸小于所述凹陷结构的径向尺寸；形成覆盖所述绝缘层、以及穿过所述第一通孔与所述辅助电极电连接的阴极层。

本公开提供的显示基板及其制作方法、显示装置，具有如下的有益效果：

本公开提供的显示基板，通过在绝缘层与衬底之间设置辅助电极，以及在绝缘层上开设第一通孔、在辅助电极上形成凹陷结构，并利用阴极层穿过第一通孔与辅助电极电连接，使得阴极层的整体阻抗降低，减轻或消除阴极层中IR Drop的现象，从而能够提高显示装置的显示效果。

本公开提供的显示基板的制作方法，用于制备上述显示基板。本公开提供的显示面板所能实现的有益效果，至少包括上述技术方案提供的显示基板相同的有益效果，此处不作赘述。

附图说明

为了更清楚地说明本公开中的技术方案，下面将对本公开一些实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本公开的一些实施例的附图，对于本领域普通技术人员来讲，还可以根据这些附图获得其他的附图。此外，以下描述中的附图可以视作示意图，并非对本公开实施例所涉及的产品的实际尺寸、方法的实际流程、信号的实际时序等的限制。

图1为根据一些实施例的显示装置的俯视图；

图2为根据一些实施例的显示装置的一种剖视图；

图3为根据一些实施例的显示装置的另一种剖视图；

图4为沿图1中A-A’线形成的剖视图；

图5A和图5B为根据本公开的一些实施例的显示基板的两种剖视图；

图6A～图6C为根据本公开的一些实施例的显示基板的另三种剖视图；

图7为根据本公开的一些实施例的显示基板中多个正投影区域的位置图；

图8A和图8B为根据本公开的一些实施例的显示基板的另两种剖视图；

图9为根据本公开的一些实施例的显示面板的俯视图；

图10为根据本公开的一些实施例的显示基板的制作方法的一种流程图；

图11A～图11H为根据本公开的一些实施例的显示基板的制作方法中不同阶段的结构图；

图12为根据本公开的一些实施例的显示基板的制作方法的另一种流程图；

图13为根据本公开的一些实施例的显示基板的制作方法的另一种流程图；

图14为根据本公开的一些实施例的显示基板的制作方法的另一种流程图；

图15为根据本公开的一些实施例的显示基板的制作方法的另一种流程图；

图16为根据本公开的一些实施例的显示基板的制作方法的另一种流程图。

具体实施方式

下面将结合附图，对本公开一些实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本公开一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本公开所提供的实施例，本领域普通技术人员所获得的所有其他实施例，都属于本公开保护的范围。

除非上下文另有要求，否则，在整个说明书和权利要求书中，术语“包括”被解释为开放、包含的意思，即为“包含，但不限于”。在说明书的描述中，术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示例性实施例”、“示例”、“特定示例”或“一些示例”等旨在表明与该实施例或示例相关的特定特征、结构、材料或特性包括在本公开的至少一个实施例或示例中。上述术语的示意性表示不一定是指同一实施例或示例。此外，所述的特定特征、结构、材料或特点可以以任何适当方式包括在任何一个或多个实施例或示例中。

以下，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本公开实施例的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。

在描述一些实施例时，使用了“电连接”的表达。例如，描述一些实施例时使用了术语“电连接”以表明两个或两个以上部件彼此间有电接触。

“A和/或B”，包括以下三种组合：仅A，仅B，及A和B的组合。

本文中“适用于”或“被配置为”的使用意味着开放和包容性的语言，其不排除适用于或被配置为执行额外任务或步骤的设备。

如本文所使用的那样，“大致”包括所阐述的值以及处于特定值的可接受偏差范围内的平均值，其中所述可接受偏差范围如由本领域普通技术人员考虑到正在讨论的测量以及与特定量的测量相关的误差(即，测量系统的局限性)所确定。

本文参照作为理想化示例性附图的剖视图和/或平面图描述了示例性实施方式。在附图中，为了清楚，放大了层和区域的厚度。因此，可设想到由于例如制造技术和/或公差引起的相对于附图的形状的变动。因此，示例性实施方式不应解释为局限于本文示出的区域的形状，而是包括因例如制造而引起的形状偏差。例如，示为矩形的蚀刻区域通常将具有弯曲的特征。因此，附图中所示的区域本质上是示意性的，且它们的形状并非旨在示出设备的区域的实际形状，并且并非旨在限制示例性实施方式的范围。

随着OLED(Organic Light-Emitting Diode，有机发光二极管)显示装置的迅速发展，全面屏、窄边框、高分辨率、大尺寸等成为未来OLED的重要发展方向。

请参阅图1～图3，图1为根据一些实施例的显示装置的俯视图，图2为根据一些实施例的显示装置的一种剖视图，图3为根据一些实施例的显示装置的另一种剖视图。

本公开的一些实施例提供一种显示装置1000，如图1～图3所示。显示装置1000可以为电致发光显示装置或光致发光显示装置。在该显示装置1000为电致发光显示装置的情况下，电致发光显示装置可以为有机电致发光显示装置(Organic Light-Emitting Diode，简称OLED)或量子点电致发光显示装置(Quantum Dot Light Emitting Diodes，简称QLED)。在该显示装置为光致发光显示装置的情况下，光致发光显示装置可以为量子点光致发光显示装置。

本公开的示例性实施例中以OLED显示装置进行说明，但应当认为并不限于OLED显示装置。在一些实施例中，如图2和图3所示，显示装置1000的主要结构包括依次设置的显示面板100、抗反射结构例如偏光片700、第一光学胶(Optically Clear Adhesive，简称OCA)层810和盖板900。在一些实施例中，抗反射结构可以包括彩色滤光片和黑矩阵。

其中，显示面板100包括显示基板200和用于封装显示基板200的封装层400。此处，封装层400可以为封装薄膜，也可以为封装基板。

显示面板100还可以包括触控结构600。在一些实施例中，如图2所示，触控结构600直接设置在封装层400上，这样可以将显示基板200视作触控结构600的衬底基板，这种结构有利于实现显示装置的轻薄化。

在一些实施例中，封装层400可以包括第一无机封装层、第一有机封装层和第二无机封装层，也可以为至少一层有机层和至少一层无机层的堆叠结构。在一些实施例中，抗反射结构可以形成在封装层400中，起到抗反射作用，同时可以进一步降低显示装置的厚度。

在另一些实施例中，如图3所示，显示面板100的触控结构600设置在衬底基板500上，衬底基板500通过第二光学胶层820贴附在封装层400上。衬底基板500的材料例如可以是聚对苯二甲酸乙二酯(Polyethylene terephthalate，简称PET)、聚酰亚胺(Polyimide，简称PI)、环烯烃聚合物(Cyclo Olefin Polymer，简称COP)等。

如图2和图3所示，上述的显示基板200的每个子像素包括设置在衬底210上的发光器件201和驱动电路，驱动电路包括多个薄膜晶体管202。发光器件201包括阳极层250、发光层260以及阴极层240，阳极层250和驱动电路的多个薄膜晶体管202中作为驱动晶体管的薄膜晶体管202的漏极电连接。

在一些实施例中，阳极层250和驱动电路的多个薄膜晶体管202中作为驱动晶体管的薄膜晶体管202的漏极电连接时，还通过一个转接电极进行电连接，转接电极位于漏极所在膜层和阳极层250所在膜层之间。

显示基板200还包括像素界定层203，像素界定层203包括多个开口203A，一个发光器件201对应一个开口203A设置。

在一些实施例中，发光器件201包括发光层260。在另一些实施例中，发光器件201除包括发光层260外，还包括电子传输层(Election Transporting Layer，简称ETL)、电子注入层(Election Injection Layer，简称EIL)、空穴传输层(Hole Transporting Layer，简称HTL)以及空穴注入层(Hole Injection Layer，简称HIL)中的一层或多层。

如图2和图3所示，显示基板200还包括设置在薄膜晶体管202和阳极层250之间的至少一层平坦层204。在一些实施例中，平坦层204远离衬底的一侧还可以设置至少一层钝化层。

当显示装置为电致发光显示装置时，显示装置可以是顶发射型显示装置，在此情况下，靠近衬底210的阳极层250呈不透明，远离衬底210的阴极层240呈透明或半透明；显示装置也可以是底发射型显示装置，在此情况下，靠近衬底210的阳极层250呈透明或半透明，远离衬底210的阴极层240呈不透明；显示装置也可以为双面发光型显示装置，在此情况下，靠近衬底210的阳极层250和远离衬底210的阴极层240均呈透明或半透明。

请结合参阅图4，在一些实施方式中，显示装置1000的显示基板包括绝缘层01、设置于所述绝缘层01一侧的第一搭接层02、阳极层03、金属层04、第二搭接层05和阴极层06。其中，绝缘层01包括位于第一区域Ⅰ的第一绝缘部011和位于第二区域Ⅱ的第二绝缘部012，第二绝缘部012的厚度低于第一绝缘部011的厚度，第一绝缘部011与第二绝缘部012之间形成第一台阶。

第一搭接层02覆盖第一绝缘部011。金属层04位于第一搭接层02和第二搭接层05之间。阳极层03包括位于第二搭接层05远离所述绝缘层01一侧的第一阳极部031，以及分设于所述第一阳极部031两侧的第二阳极部032和第三阳极部033，第二阳极部032位于所述第一搭接层02的表面，第三阳极部033位于第二绝缘部012的表面。阴极层06覆盖阳极层03设置。

其中，金属层04和第二搭接层05形成第二台阶，通过第一台阶和第二台阶配合，拉开第一阳极部031与第三阳极部033之间的间距，使得第一阳极部031与第三阳极部033之间出现断口07。覆盖阳极层03的阴极层06能够通过断口07与金属层04相连，从而降低阴极层06的阻抗。

然而，本公开发明人经研究发现：上述阴极层06通过断口07与金属层04连接的结构复杂，且连接良率较低，导致显示装置1000的显示效果不佳。

基于此，如图5A～图8B所示，本公开的一些实施例提供一种显示基板200。显示基板200包括衬底210、辅助电极220、绝缘层230和阴极层240。

辅助电极220位于衬底210的一侧，辅助电极220远离衬底210的表面上设置有凹陷结构221。

绝缘层230位于辅助电极220远离衬底210的一侧，绝缘层230开设有第一通孔231，第一通孔231的边缘232在衬底210上的正投影位于凹陷结构221在衬底210上的正投影内，且第一通孔231的径向尺寸小于凹陷结构221的径向尺寸。

阴极层240覆盖绝缘层230，并穿过第一通孔231与辅助电极220电连接。

上述衬底210可以为有机衬底，也可以为无机衬底。衬底210的材料可以是聚对苯二甲酸乙二酯(Polyethylene terephthalate，简称PET)、聚酰亚胺(Polyimide，简称PI)、环烯烃聚合物(Cyclo Olefin Polymer，简称COP)、玻璃衬底等，此处不作限定。

上述辅助电极220为导电结构，可以是由一种或多种导电材料制作得到，导电材料可以是金属材料、合金材料、石墨烯等，此处不作限定。辅助电极220可以是图形结构，也可以是在特定区域内的层结构，此处不作限定。

其中，辅助电极220远离衬底210一侧的表面设有向衬底210方向凹陷的凹陷结构221。凹陷结构221的深度可以是辅助电极220的全部厚度，即凹陷结构221为贯穿辅助电极220的通孔，如图5A和图5B所示；凹陷结构221的深度也可以是辅助电极220的部分厚度，即凹陷结构221为盲孔，如图6A～图6C所示；此处不作限定。

凹陷结构221位于辅助电极220远离衬底210一侧的表面的形状可以是圆形、椭圆形、矩形、菱形等，此处不作限定。另外，如图5A～图6C所示，凹陷结构221的侧壁与辅助电极220远离衬底210一侧的表面之间形成的夹角α，可以是45°～135°，例如45°、60°、71°、88°、90°、95°、100°、110.2°、118°、123°、128°或135°。

辅助电极220的材料可以包括铜Cu、铝Al等金属材料，此处不作限定。

上述绝缘层230覆盖辅助电极220远离衬底210一侧的表面，绝缘层230可以是有机绝缘层，例如：聚酰亚胺、聚酞亚胺、聚酞胺、丙烯酸树脂、苯并环丁烯或酚醛树脂等；绝缘层230也可以是无机绝缘层，例如氧化硅SiO₂、氮化硅SiN、氮氧化硅SiON等，此处不作限定。

绝缘层230开设有贯穿绝缘层230的第一通孔231，第一通孔231与凹陷结构221之间连通。其中，第一通孔231的径向尺寸小于凹陷结构221的径向尺寸，即第一通孔231的开口面积小于凹陷结构221的开口面积。

第一通孔231位于绝缘层230远离衬底210一侧的表面的形状可以是圆形、椭圆形、矩形、菱形等，此处不作限定。另外，如图5A～图6C所示，第一通孔231的侧壁与绝缘层230远离衬底210一侧的表面之间形成的夹角β，可以是45°～135°，例如45°、60°、71°、88°、90°、95°、100°、110.2°、118°、123°、128°或135°。

需要说明的是，在凹陷结构221的侧壁与辅助电极220远离衬底210一侧的表面之间形成斜面(即，夹角α不等于90°)的情况下，凹陷结构221的径向尺寸为凹陷结构221中多个径向尺寸的最小值。第一通孔231的侧壁与绝缘层230远离衬底210一侧的表面之间形成斜面(即，夹角β不等于90°)的情况下，第一通孔231的径向尺寸为第一通孔231中多个径向尺寸的最小值。

第一通孔231的边缘232在衬底210上的正投影位于凹陷结构221在衬底210上的正投影内，即绝缘层230中位于第一通孔231周边的边缘232位于凹陷结构221所处的区域内。如图7所示，图7中区域Ⅲ为第一通孔231在衬底210上的正投影区域，区域Ⅳ为凹陷结构221在衬底210上的正投影区域，区域Ⅴ为边缘232在衬底210上的正投影区域。可以看出，区域Ⅲ和区域Ⅴ均处于区域Ⅳ内，即第一通孔231在衬底210上的正投影位于凹陷结构221在衬底210上的正投影内，边缘232在衬底210上的正投影位于凹陷结构221在衬底210上的正投影内。

边缘232能够将后续在绝缘层230上沉积的阳极层250隔断为相互分离的第一阳极段251和第二阳极段252，也能够将后续在阳极层250上沉积的发光层260隔断为相互分离的第一发光段261和第二发光段262。

上述阴极层240位于绝缘层230远离衬底210的一侧，并覆盖绝缘层230。阴极层240为整体结构，即，阴极层240包括覆盖绝缘层230远离衬底210一侧的表面的第一阴极段241、以及穿过第一通孔231与辅助电极220电连接的第二阴极段242，第一阴极段241和第二阴极段242相互连接且一体成型。

其中，阴极层240的厚度可以较大，从而避免因为绝缘层230的边缘232将第一阴极段241和第二阴极段242分离。

阴极层240的材料可以为金属材料或合金材料。其中，金属材料例如为铝Al、银Ag、镁Mg、镱Yb、锂Li，合金材料例如为Mg：Ag合金、Al：Li合金。

综上所述，阴极层240可以通过第一过孔231与靠近衬底210一侧的辅助电极220电连接，从而降低阴极层240的整体阻抗，减轻或消除阴极层240中IR Drop的现象，提高显示面板100的显示效果。

在一些实施例中，如图6A～图6C所示，凹陷结构221为盲孔221A；阴极层240穿过第一通孔231，并与盲孔221A的底壁和/或侧壁相连。

阴极层240中的第二阴极段242可以与盲孔221A的底壁单独连接，如图6A所示；阴极层240中的第二阴极段242也可以与盲孔221A的底壁和侧壁分别连接，如图6B所示；阴极层240的第二阴极段242还可以与盲孔221A的侧壁单独连接，如图6C所示，第二阴极段242与盲孔221A的底壁之间通过其他膜层隔离；此处不作限定。

盲孔221A垂直于衬底210方向上的厚度，即盲孔221A的底壁与辅助电极220靠近衬底210一侧的表面之间的间距。盲孔221A的厚度小于辅助电极220垂直于衬底210方向上的厚度且大于零。

盲孔221A位于辅助电极220远离衬底210一侧的表面的形状可以是圆形、椭圆形、矩形、菱形等，此处不作限定。另外，如图6A～图6C所示，盲孔221A的侧壁与辅助电极220远离衬底210一侧的表面之间形成的夹角α，可以是45°～135°，例如45°、60°、71°、88°、90°、95°、100°、110.2°、118°、123°、128°或135°。

盲孔221A的底壁可以是平面、也可以是斜面、还可以是弧面等不平坦的表面，此处不作限定。盲孔221A可以是通过湿刻工艺刻蚀得到。

在另一些实施例中，如图5A和图5B所示，凹陷结构221为第二通孔221B；阴极层240穿过第一通孔231，并与第二通孔221B的侧壁相连。

阴极层240中的第二阴极段242可以与第二通孔221B的侧壁相连，如图5A和图5B所示，第二阴极段242靠近衬底210一侧的表面可以与辅助电极220靠近衬底210一侧的其他膜层相连，此处不作限定。

第二通孔221B位于辅助电极220远离衬底210一侧的表面的形状可以是圆形、椭圆形、矩形、菱形等，此处不作限定。另外，如图5A和图5B所示，第二通孔221B的侧壁与辅助电极220远离衬底210一侧的表面之间形成的夹角α，可以是45°～135°，例如45°、60°、71°、88°、90°、95°、100°、110.2°、118°、123°、128°或135°。

第二通孔221B可以是通过湿刻工艺刻蚀得到。

在一些实施例中，结合图5A～图6C所示，显示基板200还包括阳极层250，阳极层250包括分离设置的第一阳极段251和第二阳极段252；第一阳极段251位于绝缘层230远离衬底210的一侧表面，第二阳极段252位于凹陷结构221内；阴极层240穿过第一通孔231后，还与第二阳极段252相连。

在形成辅助电极220和绝缘层230之后，可以通过沉积工艺形成覆盖绝缘层230和辅助电极220的阳极层250。阳极层250包括位于绝缘层230远离衬底210的一侧表面的第一阳极段251、以及位于凹陷结构221内的第二阳极段252。其中，由于第一通孔231周边的边缘232位于凹陷结构221所处的区域内，会导致第一阳极段251和第二阳极段252分离。

阳极层250在垂直于衬底210的方向上的厚度可以为即第一阳极段251的厚度和第二阳极段252的厚度均为/>例如： 或/>

阳极层250的材料可以是金属材料，也可以是合金材料。其中，金属材料例如为铝Al、银Ag等，合金材料例如为Al合金、Ag合金等，此处不作限定。

其中，沉积形成的第二阳极段252在平行于衬底210的方向的边缘具有坡度角θ，坡度角θ的角度为0°～90°，例如：30°、45°、52.3°、56°、63°、70°、75°、85°或90°。在阳极层250之后形成的阴极层240的过程中，位于凹陷结构221内第二阴极段242可以由于第二阳极段252边缘的斜坡，而向凹陷结构221的侧壁的方向扩散，以便于第二阴极段242与凹陷结构221的侧壁相连。

在凹陷结构221为盲孔221A的情况下，第二阳极段252靠近衬底210的一面与盲孔221A的底壁相连，第二阳极段252在平行于衬底210的方向的边缘可以与盲孔221A的侧壁相连，如图6C所示；也可以不与盲孔221A的侧壁相连，如图6A和图6B。即，由于第二阳极段252靠近衬底210的一面与盲孔221A的底壁相连，第二阳极段252一定与辅助电极220相连。

在凹陷结构221为第二通孔221B的情况下，第二阳极段252在平行于衬底210的方向的边缘可以与盲孔221A的侧壁相连，如图5B所示；也可以不与盲孔221A的侧壁相连，如图5A。即，第二阳极段252可以与辅助电极220相连，第二阳极段252也可以不与辅助电极220相连。

本实施例中，结合图5A～6C所示，阴极层240位于凹陷结构221的第二阴极段242会直接与辅助电极220相连。

在凹陷结构221为盲孔221A的情况下，第二阴极段242可以与盲孔221A的侧壁和/或底壁相连。即，第二阴极段242可以单独与盲孔221A的侧壁相连，如图6C所示；第二阴极段242也可以单独与盲孔221A的底壁相连，如图6A所示；第二阴极段242还可以分别与盲孔221A的侧壁和底壁相连，如图6B所示。

在凹陷结构222为第二通孔221B的情况下，第二阴极段242与第二通孔221B的侧壁相连，如图5A和图5B所示。

另外，阴极层240可以与第二阳极层252相连，也可以不与第二阳极段252相连，此处不作限定。

本实施例中，阴极层240通过直接与辅助电极220相连，实现阴极层240与辅助电极220的电连接，从而降低阴极层240的整体阻抗，减轻或消除阴极层240中IR Drop的现象，提高显示面板100的显示效果。

在一些实施例中，如图8A和图8B所示，显示基板200还包括阳极层250，阳极层250包括分离设置的第一阳极段251和第二阳极段252；第一阳极段251位于绝缘层230远离衬底210的一侧表面，第二阳极段252位于凹陷结构221内并与辅助电极220相连；阴极层240穿过第一通孔231，并与第二阳极段252相连。

阳极层250的制作顺序、材料和厚度等介绍已在之前详细介绍，此处不再赘述。本实施例主要说明与之前实施例的区别。

在凹陷结构221为盲孔221A的情况下，第二阳极段252靠近衬底210的一面与盲孔221A的底壁相连，第二阳极段252在平行于衬底210的方向的边缘可以与盲孔221A的侧壁相连，也可以不与盲孔221A的侧壁相连。即，由于第二阳极段252靠近衬底210的一面与盲孔221A的底壁相连，第二阳极段252一定与辅助电极220相连，如图8A所示。

在凹陷结构221为第二通孔221B的情况下，第二阳极段252在平行于衬底210的方向的边缘可以与盲孔221A的侧壁相连。即，第二阳极段252与辅助电极220相连，如图8B所示。

本实施例中，阴极层240位于凹陷结构221的第二阴极段242不直接与辅助电极220相连，而是通过与第二阳极段252与辅助电极220搭接。

具体的，在凹陷结构221为盲孔221A的情况下和第二通孔221B的情况下，第二阴极段242不与凹陷结构221的侧壁和/或底壁相连，第二阴极段242与第二阳极段252相连。

本实施例中，阴极层240通过第二阳极段252与辅助电极220搭接，实现阴极层240与辅助电极220的电连接，从而降低阴极层240的整体阻抗，减轻或消除阴极层240中IRDrop的现象，提高显示面板100的显示效果。

在一些实施例中，结合图5A～图8B所示，显示基板200还包括发光层260，发光层260包括分离设置的第一发光段261和第二发光段262；第一发光段261位于第一阳极段251与阴极层240之间；第二发光段262覆盖部分第二阳极段252，阴极层240覆盖第二发光段262和第二阳极段252。

发光层260可以为有机材料。在形成阳极层250之后，可以通过蒸镀工艺在阳极层250上形成发光层260。具体的，发光层260包括在第一阳极段251上形成第一发光段261、以及在第二阳极段252上形成第二发光段262。第一发光段261和第二发光段262相互分离，从而暴露阳极层250和辅助电极220，以便后续形成的阴极层240与暴露的阳极层250和/或辅助电极220相连。

发光层260中位于凹陷结构221内的第二发光段262可以暴露第二阳极段252在平行于衬底210的方向上的边缘，从而便于后续形成的阴极层260能够与第二阳极段252相连，以提高阴极层260与辅助电极220的连接成功率。

另外，第二发光段262在平行于衬底210的方向的边缘具有坡度角δ，图5A～6C所示，坡度角δ的角度为0°～90°，例如：30°、45°、52.3°、56°、63°、70°、75°、85°或90°。在发光层260之后形成的阴极层240的过程中，位于凹陷结构221内第二阴极段242可以由于第二发光段262边缘的斜坡，而向凹陷结构221的侧壁的方向扩散，以便于第二阴极段242与凹陷结构221的侧壁相连。

在一些实施例中，显示基板200还包括阳极功函匹配层，阳极功函匹配层位于阳极层250和发光层260之间，以降低载流子从阳极层250跃迁所需要克服的势垒高度，提高显示区中发光器件的发光效率。

阳极功函匹配层的材料可以是氧化铟锡ITO。阳极功函匹配层在垂直于衬底210方向上的厚度可以是例如：/> 或/>

在一些实施例中，如图5A～图8B所示，显示基板200还包括抗刻蚀层280。抗刻蚀层280位于210衬底与辅助电极220之间。凹陷结构221在衬底210上的正投影位于抗刻蚀层280在210衬底上的正投影内。

抗刻蚀层280可以位于辅助电极220靠近衬底210的一侧，并与辅助电极220靠近衬底210的一面连接，用于在针对辅助电极220湿刻形成凹陷结构221的过程中，防止刻蚀液过刻破坏其他的膜层。

凹陷结构221在衬底210上的正投影位于抗刻蚀层280在210衬底上的正投影内，这样能够在刻蚀液贯穿辅助电极220(即形成第二通孔221B)的情况下，阻止刻蚀液进一步向衬底210的方向刻蚀。

抗刻蚀层280可以是仅仅位于凹陷结构221所在的刻蚀区域内，抗刻蚀层280也可以是整层结构，此处不作限定。

抗刻蚀层280可以ITO材料，例如ITO结晶。ITO结晶可以有效阻止刻蚀液刻蚀。

在一些实施例中，抗刻蚀层280的厚度的取值范围为例如： 或/>

在一些实施例中，辅助电极220的厚度的取值范围为例如： 或/>

在一些实施例中，如图9所示，显示基板200具有显示区AA和周边区SA。辅助电极220位于周边区SA。

如图9所示，显示基板200具有显示区AA和周边区SA。周边区SA可以位于显示区AA的至少一侧，例如：周边区SA位于显示区AA的一侧；又例如：周边区SA位于显示区AA的四周，即周边区SA分别在显示区AA的上下两侧和左右两侧包围显示区AA。

辅助电极220位于周边区SA，不参与显示区AA中发光器件的显示。另外，与辅助电极220相连的阳极也与显示区AA中的阳极相互独立，周边区SA的阳极层250与辅助电极220连接，不影响显示区AA中发光器件的显示。

在另一些实施例中，辅助电极220也可以位于显示区AA内。辅助电极220的材料可以采用透明导电或半透明导电材料，在降低阴极层260阻抗的基础上，不影响显示基板200在显示区AA内的显示。

在一些实施例中，如图9、图2和图3所示，显示基板200包括位于显示区AA中的薄膜晶体管阵列层290，辅助电极220与薄膜晶体管阵列层290中的任意一层金属层同层设置。

如图9所示，显示基板200的显示区AA内制作有多个子像素P，包括红色子像素P1、绿色子像素P2和蓝色子像素P3。一子像素P可以包括一个发光器件E和与该发光器件E耦接的像素驱动电路M。

一个像素驱动电路M包括多个晶体管T和至少一个电容器。例如，像素驱动电路M可以为“2T1C”、“6T1C”、“7T1C”、“6T2C”或“7T2C”等结构。此处，“T”表示为晶体管，例如为薄膜晶体管。位于“T”前面的数字表示为晶体管的数量。“C”表示为电容器，位于“C”前面的数字表示为电容器的数量。

其中，多个晶体管C在显示基板200中是通过薄膜晶体管阵列层290的形式制作得到。多个晶体管T(202)形成于薄膜晶体管阵列层290内，如图2和图3所示。

薄膜晶体管阵列层290中的金属层至少包括源漏金属层291和栅极层292，辅助电极220可以是与上述任一种金属层同层设置。示例性地，辅助电极220可以是与源漏金属层291同层设置，也可以是与栅极层292同层设置。

在一些实施例中，如图2和图3所示，薄膜晶体管阵列层290包括第一源漏金属层2911、以及位于第一源漏金属层2911远离衬底210一侧的第二源漏金属层2912，辅助电极220与第二源漏金属层2912同层设置。

第一源漏金属层2911与薄膜晶体管阵列层290中的有源层293相连，用于向发光器件E(201)提供电信号，以驱动发光器件E(201)发光。第二源漏金属层2912可以与第一源漏金属层2911相连，也可以与发光器件E相连，还可以与其他导电结构连接，用于降低与第二源漏金属层2912相连的导电结构的阻抗。

本实施例中，将辅助电极220与第二源漏金属层2912同层设置。

需要说明的是，至少两个结构同层设置，可以是指通过同一掩膜版且利用一次构图工艺制作得到至少两个结构；也可以是指至少两个结构在靠近衬底210的一侧表面连接的膜层是同一膜层。

综上所述，本公开实施例提供的显示基板200可以降低阴极层240的整体阻抗，减轻或消除阴极层240中IR Drop的现象，从而提高显示面板100的显示效果。

请结合参阅图2和图3，本公开实施例提供一种显示面板100，包括如上所述的显示基板200。

显示面板100包括显示基板200中的结构特征，因此显示面板100同样也具有上述显示基板200中的有益效果，此处不再赘述。

本公开实施例提供一种显示基板的制作方法，如图10所示，包括：

步骤91：提供衬底。

步骤92：在衬底上沿远离衬底的方向依次形成辅助电极材料层和绝缘材料层。

步骤93：在绝缘材料层上形成第一通孔，以将绝缘材料层制备为绝缘层。

步骤94：在辅助电极材料层远离衬底的表面制作凹陷结构，以将辅助电极材料层制备为辅助电极；其中，第一通孔的边缘在衬底上的正投影位于凹陷结构在衬底上的正投影内，且第一通孔的径向尺寸小于凹陷结构的径向尺寸。

步骤95：形成覆盖绝缘层、以及穿过第一通孔与辅助电极电连接的阴极层。

上述衬底210可以为50μm～1000μm厚的透明玻璃、或石英玻璃，在显示面板100为柔性显示面板时，衬底210还可以为聚酰亚胺(Polyimide，简称PI)等有机材料制作的柔性衬底，此处不作限定。衬底210可以为50μm、90μm、230μm、368.8μm、500μm、666μm、773μm、888.8μm、920μm或1000μm。

如图11A所示，上述辅助电极材料层220’：可以是利用喷溅工艺(sputter)沉积金属材料制作得到。金属材料可以包括铜Cu、铝Al等，此处不作限定。

辅助电极材料层220’的厚度的取值范围为例如：/> 或/>

如图11A所示，上述绝缘材料层230’：可以是利用等离子体增强化学的气相沉积法(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition，PECVD)工艺在辅助电极材料层220’远离衬底210的表面沉积绝缘材料，形成覆盖辅助电极材料层220’的绝缘材料层。

上述步骤93中将绝缘材料层制备为绝缘层的过程，具体可以是：通过干法刻蚀工艺刻蚀绝缘材料层230’，形成具有第一通孔231的绝缘层230，如图11B所示。

上述步骤94中将辅助电极材料层制备为辅助电极的过程，具体可以是：通过湿法刻蚀工艺刻蚀至少部分辅助电极材料层220’，形成远离衬底210一面具有凹陷结构221的辅助电极220，凹陷结构221为盲孔221A如图11C，或者，凹陷结构221为第二通孔221B，如图11D所示。

另外，需要说明的是：步骤93中将绝缘材料层制备为绝缘层和步骤94中将辅助电极材料层制备为辅助电极，也可以通过湿法刻蚀工艺一次性刻蚀绝缘材料层230’和至少部分辅助电极材料层220’，形成具有第一通孔231的绝缘层230和远离衬底210一面具有凹陷结构221的辅助电极220，如图11C和图11D所示。

如图5A～图6C所示，上述步骤94中形成阴极层240，可以是利用蒸镀工艺，也可以是利用sputter工艺沉积阴极材料，制作得到阴极层240。阴极层240包括覆盖绝缘层230远离衬底210一侧的表面的第一阴极段241、以及位于凹陷结构221内覆盖凹陷结构221中第一阳极段252和第二发光段262的第二阴极段242。第一阴极段241和第二阴极段242相互连接，形成一体成型。

其中，第二阴极段242在凹陷结构221内可以与第二阳极段252和/或辅助电极220相连，实现与辅助电极220电连接。

阴极层240的材料可以为金属材料或合金材料。其中，金属材料例如为铝Al、银Ag、镁Mg、镱Yb、锂Li，合金材料例如为Mg：Ag合金、Al：Li合金。

基于本公开实施例提供的显示基板的制作方法制成的显示基板200，阴极层240可以通过第一过孔231与靠近衬底210一侧的辅助电极220电连接，从而降低阴极层240的整体阻抗，减轻或消除阴极层240中IR Drop的现象，提高显示面板100的显示效果。

在一些实施例中，如图12所示，在步骤95之前，还包括：步骤96：在绝缘层上形成阳极，阳极包括分离设置的第一阳极段和第二阳极段；第一阳极段位于绝缘层远离衬底的一侧表面，第二阳极段位于凹陷结构内。

步骤97：在阳极层上形成发光层，发光层包括分离设置的第一发光段和第二发光段；第一发光段位于第一阳极段远离衬底的一侧表面，第二发光段覆盖部分第二阳极段。

其中，阴极层通过阳极层与辅助电极间接电连接；或者，阴极层同时与阳极层和辅助电极电连接；或者，阴极层与辅助电极直接电连接。

如图11E和图11F，可以采用sputter工艺沉积阳极材料层，并对所述阳极材料层进行曝光、显影和刻蚀后制作得到阳极层250。由于绝缘层230的第一通孔231和辅助电极220的凹陷结构221，阳极层250包括位于绝缘层230远离衬底210一侧的第一阳极段251、以及位于凹陷结构221内的第二阳极段252，第一阳极段251和第二阳极段252分离设置。

其中，阳极层250的厚度可以为即，第一阳极段251的厚度和第二阳极段252的厚度均为/>例如：/> 或/>

沉积阳极材料层的材料可以是金属材料，也可以是合金材料。其中，金属材料例如为铝Al、银Ag等，合金材料例如为Al合金、Ag合金等，此处不作限定。

如图11G和图11H所示，可以采用蒸镀工艺在阳极层250远离衬底210一侧的表面形成发光层260。发光层260包括位于第一阳极段251远离衬底210一侧的第一发光段261、以及在第二阳极段252远离衬底210一侧的第二发光段262。第一发光段261和第二发光段262相互分离，从而暴露阳极层250和辅助电极220，以便后续形成的阴极层240与暴露的阳极层250和/或辅助电极220相连。

在一些实施例中，凹陷结构221为盲孔221A。如图13所示，步骤95包括步骤951：形成覆盖绝缘层的阴极层，阴极层穿过第一通孔与盲孔的底壁和/或侧壁相连。

阴极层240中的第二阴极段242可以与盲孔221A的底壁单独连接，如图6A所示；阴极层240中的第二阴极段242也可以与盲孔221A的底壁和侧壁分别连接，如图6B所示；阴极层240的第二阴极段242还可以与盲孔221A的侧壁单独连接，如图6C所示，第二阴极段242与盲孔221A之间通过其他膜层隔离；此处不作限定。

本实施例中，阴极层240与盲孔221A中的各个连接方式，均为阴极层240直接与辅助电极220相连，从而阴极层240实现与辅助电极220的电连接。

在一些实施例中，凹陷结构221为第二通孔221B。如图14所示，步骤95包括步骤952：形成覆盖绝缘层的阴极层，阴极层穿过第一通孔与第二通孔的侧壁相连。

阴极层240中的第二阴极段242可以与第二通孔221B的侧壁相连，如图5A和图5B所示，第二阴极段242靠近衬底210一侧的表面可以与辅助电极220靠近衬底210一侧的绝缘膜层相连，此处不作限定。

本实施例中，阴极层240位于凹陷结构221的第二阴极段242直接与辅助电极220相连，实现阴极层240与辅助电极220电连接。

在一些实施例中，如图15所示，步骤95包括步骤953：形成覆盖绝缘层的阴极层，阴极层穿过第一通孔与第二阳极段相连，以与辅助电极电连接。

在凹陷结构221为盲孔221A的情况下，第二阳极段252靠近衬底210的一面与盲孔221A的底壁相连，第二阳极段252在平行于衬底210的方向的边缘可以与盲孔221A的侧壁相连，也可以不与盲孔221A的侧壁相连。即，由于第二阳极段252靠近衬底210的一面与盲孔221A的底壁相连，第二阳极段252一定与辅助电极220相连。

在凹陷结构221为第二通孔221B的情况下，第二阳极段252在平行于衬底210的方向的边缘与第二通孔221B的侧壁相连。即，第二阳极段252一定与辅助电极220相连。

本实施例中，阴极层240位于凹陷结构221的第二阴极段242不直接与辅助电极220相连，而是通过与第二阳极段252与辅助电极220搭接。

在一些实施例中，如图11A和图16所示，在步骤92之前，还包括：步骤98：在衬底的一侧形成抗刻蚀层。其中，辅助电极材料层和绝缘材料层形成于抗刻蚀层远离衬底的一侧。

在衬底210与辅助电极220之间，还可以利用喷溅工艺(sputter)沉积ITO材料(例如ITO结晶)制作抗刻蚀层280，用于防止后续步骤93和步骤94刻蚀工艺中用到的刻蚀液过刻，破坏辅助电极220与衬底210之间膜层的问题。

抗刻蚀层280的厚度的取值范围为例如：/> 或/>

综上所述，基于本公开实施例提供的显示基板的制作方法制成的显示基板200，阴极层240可以通过第一过孔231与靠近衬底210一侧的辅助电极220电连接，从而降低阴极层240的整体阻抗，减轻或消除阴极层240中IR Drop的现象，提高显示面板100的显示效果。

以上所述，仅为本公开的具体实施方式，但本公开的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本公开揭露的技术范围内，想到变化或替换，都应涵盖在本公开的保护范围之内。因此，本公开的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

Claims (11)

1.一种显示基板，其特征在于，包括：

衬底；

位于所述衬底一侧的辅助电极，所述辅助电极远离所述衬底的表面上设置有凹陷结构；

位于所述辅助电极远离所述衬底一侧的绝缘层，所述绝缘层开设有第一通孔，所述第一通孔的边缘在所述衬底上的正投影位于所述凹陷结构在所述衬底上的正投影内，且所述第一通孔的径向尺寸小于所述凹陷结构的径向尺寸；以及，

阴极层，覆盖所述绝缘层，并穿过所述第一通孔与所述辅助电极电连接；

其中，显示基板还包括阳极层，所述阳极层包括分离设置的第一阳极段和第二阳极段；所述第一阳极段位于所述绝缘层远离所述衬底的一侧表面，所述第二阳极段位于所述凹陷结构内并与所述辅助电极相连；所述阴极层穿过所述第一通孔，并与所述第二阳极段相连。

2.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述凹陷结构为盲孔；所述阴极层穿过所述第一通孔，并与所述盲孔的底壁和/或侧壁相连；或者，

所述凹陷结构为第二通孔；所述阴极层穿过所述第一通孔，并与所述第二通孔的侧壁相连。

3.根据权利要求2所述的显示基板，其特征在于，还包括发光层，所述发光层包括分离设置的第一发光段和第二发光段；所述第一发光段位于所述第一阳极段与所述阴极层之间；所述第二发光段覆盖部分所述第二阳极段，所述阴极层覆盖所述第二发光段和所述第二阳极段。

4.根据权利要求1～2中任一项所述的显示基板，其特征在于，还包括：

位于所述衬底与所述辅助电极之间的抗刻蚀层；所述凹陷结构在所述衬底上的正投影位于所述抗刻蚀层在所述衬底上的正投影内。

5.根据权利要求4所述的显示基板，其特征在于，所述抗刻蚀层的厚度的取值范围为

6.根据权利要求1～2中任一项所述的显示基板，其特征在于，所述辅助电极的厚度的取值范围为

7.根据权利要求1～2中任一项所述的显示基板，其特征在于，所述显示基板具有显示区和周边区；

所述辅助电极位于所述周边区。

8.根据权利要求7所述的显示基板，其特征在于，所述显示基板包括位于所述显示区中的薄膜晶体管阵列层，所述辅助电极与所述薄膜晶体管阵列层中的任意一层金属层同层设置。

9.根据权利要求8所述的显示基板，其特征在于，所述薄膜晶体管阵列层包括第一源漏金属层、以及位于所述第一源漏金属层远离所述衬底一侧的第二源漏金属层，所述辅助电极与所述第二源漏金属层同层设置。

10.一种显示面板，其特征在于，包括如权利要求1～9中任一项所述的显示基板。

11.一种显示基板的制作方法，其特征在于，包括：

提供衬底；

在所述衬底上沿远离所述衬底的方向依次形成辅助电极材料层和绝缘材料层；

在所述绝缘材料层上形成第一通孔，以将所述绝缘材料层制备为绝缘层；

在所述辅助电极材料层远离所述衬底的表面制作凹陷结构，以将所述辅助电极材料层制备为辅助电极；其中，所述第一通孔的边缘在所述衬底上的正投影位于所述凹陷结构在所述衬底上的正投影内，且所述第一通孔的径向尺寸小于所述凹陷结构的径向尺寸；

在所述绝缘层上形成阳极，阳极包括分离设置的第一阳极段和第二阳极段；第一阳极段位于绝缘层远离衬底的一侧表面，第二阳极段位于所述凹陷结构内并与辅助电极连接；

形成覆盖所述绝缘层、以及穿过所述第一通孔与所述辅助电极电连接的阴极层。