CN114361226A - 显示面板及其制作方法 - Google Patents
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Abstract
本申请提供一种显示面板，涉及显示技术领域，用于解决显示面板容易产生发光亮度不均匀的技术问题，该显示面板包括依次层叠设置的阵列基板、第一电极层、发光层及第二电极层；第一电极层包括多个电极块；第二电极层为整层结构，第二电极层具有预设区域，预设区域为当向第二电极层通电时第二电极层内电压值低于预设电压值的区域；所述预设区域内的第二电极层连接有辅助电极，辅助电极与各电极块同层设置于阵列基板之间，且辅助电极与电极块绝缘。本申请实施例的显示面板能够减轻或消除显示面板发光亮度不均匀的问题。
Description
技术领域
本申请涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示面板及其制作方法。
背景技术
OLED(Organic Light-Emitting Diode，有机发光二极管)显示面板因具有轻薄化、反应时间短、驱动电压低等优点，受到广泛的关注。随着人们对于大显示画面的需求的增加，显示面板的尺寸也在逐步增大。然而，大尺寸的显示面板容易产生发光亮度不均匀的问题。
发明内容
鉴于上述问题，本申请实施例提供一种显示面板及其制作方法，以解决大尺寸的显示面板发光亮度不均匀的技术问题，保证显示面板的显示效果。
为了实现上述目的，本申请实施例提供如下技术方案：
本申请实施例的第一方面提供一种显示面板，包括依次层叠设置的阵列基板、第一电极层、发光层及第二电极层；所述第一电极层包括多个电极块；所述第二电极层为整层结构，所述第二电极层具有预设区域，所述预设区域为当向所述第二电极层通电时所述第二电极层内电压值低于预设电压值的区域；所述预设区域的所述第二电极层的连接有至少一个辅助电极，所述辅助电极与各所述电极块同层设置于所述阵列基板上，且所述辅助电极与所述电极块绝缘。
本申请实施例的显示面板，向第二电极层通电时，电压信号能够经辅助电极输入至第二电极层的预设区域内，并从预设区域向阴极层的其他区域进行输送，以提高第二电极层的预设区域内的电压值，降低第二电极层的压降，减轻或消除显示面板发光亮度不均匀的问题。
在可以包括上述实施例的实施方式中，所述辅助电极的底面与所述阵列基板贴合，所述辅助电极的侧面具有凹陷部；所述发光层覆盖所述辅助电极块的顶面，且所述发光层和所述第二电极层在所述凹陷部内形成与所述辅助电极搭接的搭接部。
在可以包括上述实施例的实施方式中，所述辅助电极至少包括依次层叠设置的第一金属层和第二金属层，所述第一金属层设置于所述阵列基板上，所述第一金属层的刻蚀速率大于所述第二金属层的刻蚀速率，所述第一金属层的侧面形成所述凹陷部。
在可以包括上述实施例的实施方式中，所述第一金属层的材料为铝，所述第二金属层的材料为钛。
在可以包括上述实施例的实施方式中，所述辅助电极包括依次层叠设置的第三金属层、第一金属层和第二金属层，所述第三金属层设置于所述阵列基板上，所述第一金属层的刻蚀速率大于所述第二金属层的刻蚀速率，所述第一金属层的侧面形成所述凹陷部。
在可以包括上述实施例的实施方式中，所述第三金属层的材料为钛，所述第一金属层的材料为铝，所述第二金属层的材料为钛。
在可以包括上述实施例的实施方式中，沿垂直所述阵列基板的方向，所述辅助电极的厚度为
至
在可以包括上述实施例的实施方式中，所述辅助电极为辅助电极块，所述辅助电极块与所述电极块绝缘。
在可以包括上述实施例的实施方式中，所述辅助电极为辅助电极线，所述辅助电极线位于各所述电极块之间，且与各电极块绝缘。
在可以包括上述实施例的实施方式中，所述辅助电极线有多条，多条所述辅助电极线形成交叉网格状结构。
在可以包括上述实施例的实施方式中，一部分所述辅助电极线位于所述预设区域内，另一部分所述辅助电极线延伸至所述预设区域外。
在可以包括上述实施例的实施方式中，所述显示面板还包括像素定义层，所述像素定义层具有多个像素开口，每个所述像素开口对应露出一个所述电极块的顶面；所述像素定义层上还设置有搭接开口，所述搭接开口露出所述辅助电极和所述阵列基板；所述发光层覆盖所述像素定义层，且覆盖所述像素开口内所述电极块的顶面；所述发光层还覆盖所述搭接开口内所述阵列基板的顶面，并与所述凹陷部搭接。
在可以包括上述实施例的实施方式中，所述搭接开口内朝向所述辅助电极的侧面为斜面，所述斜面与所述阵列基板被所述像素定义层所覆盖的表面之间的夹角为锐角。
在可以包括上述实施例的实施方式中，所述夹角小于40°。
本申请实施例还提供一种显示面板的制作方法，包括：
提供阵列基板；
形成辅助电极于所述阵列基板上；
形成第一电极层于所述阵列基板上；刻蚀所述第一电极层，形成多个电极块；
形成发光层于所述阵列基板上，所述发光层覆盖所述电极块；
形成所述第二电极层于所述发光层上，所述第二电极层覆盖所述发光层，所述第二电极层的预设区域与所述辅助电极连接。
本申请实施例的显示面板的制作方法，用于形成上述任一项显示面板。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作一简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本申请实施例的一些实现方式的显示面板的俯视结构示意图；
图2为图1中B-B向的一些实现方式的剖视结构示意图；
图3为图1中B-B向的一些其他实现方式的剖视结构示意图；
图4为本申请实施例的一些其他实现方式的显示面板的俯视结构示意图；
图5为本申请实施例的另一些其他实现方式的显示面板的俯视结构示意图；
图6为本申请实施例的显示面板制作方法的流程图；
图7为制作方法中提供阵列基板的结构示意图；
图8为制作方法中形成辅助电极于阵列基板上的结构示意图；
图9为制作方法中形成阳极层于阵列基板上的结构示意图；
图10为制作方法中刻蚀阳极层形成阳极的结构示意图；
图11为制作方法中形成像素定义层于阵列基板上的结构示意图；
图12为制作方法中形成发光层及阴极层于阵列基板上的结构示意图。
附图标记说明：
10、阵列基板；
110、平坦化层； 111、第二过孔；
20、辅助电极；
210、第一金属层； 211、第一凹陷部； 220、第二金属层；
230、第三金属层；
30、阳极层；
310、阳极；
40、像素定义层；
410、像素开口； 420、搭接开口；
50、发光层；
60、阴极层；
610、搭接部；
70、第一电源线；
80、第二电源线。
具体实施方式
正如背景技术所述，大尺寸的显示面板容易出现发光亮度不均匀的技术问题。经发明人研究发现，出现这种技术问题的原因在于，显示面板通常包括依次层叠设置的阵列基板、第一电极层、发光层和第二电极层，第二电极层通常整层设置，并从第二电极层的两侧向第二电极层提供电压，从而使发光层发光。然而由于显示面板的第二电极层的面积较大，使得第二电极层的电阻较大，电压从第二电极层的两侧向第二电极层的中间区域传输的过程中会产生较大的压降，使得第二电极层内各处的电压不一致，从而导致显示面板的发光亮度不均匀。
针对上述技术问题，本申请实施例提供了一种显示面板，在阵列基板上设置辅助电极，辅助电极对应设置于第二电极层内电压值低于预设电压值的预设区域，辅助电极与第二电极层连接，使得电压能够经辅助电极从第二电极层的预设区域输入至第二电极层，以提高第二电极层的预设区域内的电压值，降低第二电极层的压降，减轻或消除显示面板发光亮度不均匀的问题。
为了使本申请实施例的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本申请的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动的前提下所获得的所有其它实施例，均属于本申请保护的范围。
本申请实施例的显示面板，包括依次层叠设置的阵列基板、第一电极层、发光层和第二电极层，第一电极层和第二电极层用于为发光层提供极性不同的载流子，即空穴和电子，空穴和电子在发光层内结合而发光。第一电极层可以为提供空穴的阳极层，第二电极层可以为提供电子的阴极层；相反地，第一电极层也可以为提供电子的阴极层，第二电极层可以为提供空穴的阳极层。下面以第一电极层为阳极层，第二电极层为阴极层为例，对本申请实施例的方案进行说明。
参考图1和图2，阵列基板10用于支撑设置在阵列基板10上的显示面板膜层或器件，以及用于控制流入发光层的电流。示例性地，阵列基板10通常包括衬底，衬底的材料可以为玻璃基板、石英基板、树脂基板等中的一种；衬底的原材料还可以为柔性基板，例如聚酰亚胺等。衬底上可以设置有薄膜晶体管，示例性地，薄膜晶体管有多个，多个薄膜晶体管呈阵列排布于衬底上。阵列基板10还包括覆盖薄膜晶体管及衬底的平坦化层，以提高阵列基板10的平整性。
阵列基板10上可以设置有阳极层，用于为发光层50提供空穴。例如，阳极层可以设置于平坦化层上。示例性地，阳极层包括呈阵列排布的多个阳极310。阳极310可以与阵列基板10中的薄膜晶体管对应设置，即每个阳极300的连接线与对应的一个薄膜晶体管连接。例如，平坦化层上可设置有第一过孔，每个阳极可通过第一过孔与对应的连接线及薄膜晶体管电连接，以便于通过薄膜晶体管的开关来控制是否向阳极310通电，从而控制发光层50是否发光。示例性地，阳极层的材料可以为氧化铟锡/银/氧化铟锡(ITO/Ag/ITO)等，阳极层也可以为其他材料。
阵列基板10上还设置有像素定义层40。参考图2，像素定义层40覆盖阳极310及阵列基板10的顶面，像素定义层40上形成有多个像素开口410，每个像素开口410对应一个阳极310，像素开口410露出阳极310的顶面。
发光层50覆盖于像素定义层40上，且覆盖像素开口410内露出的阳极310的顶面，以与阳极310连接，使得阳极310能够为发光层50提供空穴。
阴极层60覆盖于发光层50上，用于向发光层50提供电子。参考图1，阴极层60包括预设区域A，预设区域A是指当向阴极层60通电时，阴极层60内电压值低于预设电压值的区域。在预设区域A内，由于阴极层60内的电压值低于预设电压值，则对应的发光层50的发光亮度低于其他区域的发光亮度，使得显示面板的发光亮度的均匀性不能满足要求。
示例性地，可通过仿真或测试等方法确定预设区域A的范围。参考图1，阵列基板10内可以设置有两条第二电源线80，两条第二电源线80可分别位于阴极层60的两侧，每条第二电源线80均与阴极层60电连接，以通过阴极层60的两侧向阴极层60通电。通过第二电源线80向阴极层60通电的过程中，阴极层60内的各处均具有电压值，若该电压值低于预设电压值，该电压值与输入至第二电源线80的电压之间的差值过大，使得阴极层60的压降过大，从而使得显示面板的发光亮度均匀性不能满足要求，则该电压值所对应的阴极层60的区域为预设区域A。
可以理解的是，在确定预设区域A时，第二电源线80可以位于阵列基板10上的其他位置处，只要能够向阴极层60通电即可。
参考图1和图2，本申请实施例的显示面板还包括至少一个辅助电极20，辅助电极与预设区域A内的阴极层60的连接，辅助电极20与阳极310同层设置于阵列基板10上，且与各阳极310绝缘。在向阴极层60输入电压信号时，可通过辅助电极20向阴极层60的预设区域A通电，以提高阴极层60的预设区域A内的电压值，降低阴极层60的压降，减轻或消除显示面板发光亮度不均匀的问题。
参考图2，辅助电极20的底面可以与阵列基板10贴合，辅助电极20的侧面具有凹陷部211，发光层50覆盖辅助电极20的顶面，且发光层50和阴极层60在凹陷部211内形成与辅助电极20搭接的搭接部610。由于辅助电极20的侧面具有凹陷部211，辅助电极20的顶面边缘凸出于辅助电极20的侧面，发光层50和阴极层60覆盖于辅助电极20上时，发光层50和阴极层60在辅助电极20的顶面边缘发生断裂，从而使得发光层50和阴极层60能够搭接于凹陷部211上，进而使得阴极层60能够与辅助电极20连接。
在本申请实施例的一些实现方式中，辅助电极20可以包括导电金属层(附图中未示出)，可通过侧向刻蚀的方式在该导电金属层的侧面形成凹陷部211。
在本申请实施例的一些其他实现方式中，辅助电极20也可以包括依次层叠设置的第一金属层和第二金属层，第一金属层设置于阵列基板10上。第一金属层的刻蚀速率大于第二金属层的刻蚀速率。第一金属层的侧面形成第一凹陷部211。在该实现方式中，示例性地，可通过湿法刻蚀的方式同时对第一金属层和第二金属层进行刻蚀，由于第一金属层的刻蚀速率大于第二金属层的刻蚀速率，则在刻蚀过程中，第一金属层侧面的刻蚀量大于第二金属层侧面的刻蚀量，从而能够在第一金属层的侧面形成凹陷部211。例如，第一金属层的材料可以为铝(Al)等，第二金属层的材料可以为钛(Ti)或钼(Mo)等。
在本申请实施例的一些其他实现方式中，参考图2，辅助电极20也可以包括依次层叠设置的第三金属层230、第一金属层210和第二金属层220，第三金属层230设置于阵列基板10上，第一金属层210设置于第三金属层230上，第三金属层230用于提高第一金属层210与阵列基板10之间的粘结力。示例性地，第三金属层230的材料可以为钛(Ti)。第一金属层210的刻蚀速率大于第二金属层220的刻蚀速率。第一金属层210的侧面形成第一凹陷部211。在该实现方式中，示例性地，可通过湿法刻蚀的方式同时对第一金属层210和第二金属层220进行刻蚀，由于第一金属层210的刻蚀速率大于第二金属层220的刻蚀速率，则在刻蚀过程中，第一金属层210侧面的刻蚀量大于第二金属层220侧面的刻蚀量，从而能够在第一金属层210的侧面形成凹陷部211。例如，第一金属层210的材料可以为铝(Al)等，第二金属层220的材料可以为钛(Ti)或钼(Mo)等。
示例性地，参考图2，沿垂直阵列基板10的方向，即沿图2所示的竖直方向，辅助电极20的厚度D可以为
至
以避免由于辅助电极20的厚度D较小而使得发光层50和阴极层60在第二金属层220的边缘无法断裂的问题，从而保证发光层50和阴极层60能够与第一金属层210的凹陷部211搭接，进而保证阴极层60能够与辅助电极20电连接。
示例性地，参考图2，像素定义层40上还设置有搭接开口420，搭接开口420露出辅助电极20和阵列基板10的顶面，也就是说，辅助电极20与像素定义层40在阵列基板10上的正投影不交叠。发光层50能够进入搭接开口420内，并覆盖阵列基板10的顶面，使得发光层50以及位于发光层50上方的阴极层60能够与辅助电极20的侧面的凹陷部211搭接。
示例性地，参考图2，搭接开口420朝向辅助电极20的侧面可以为斜面，斜面与阵列基板10被该像素定义层40所覆盖的表面之间的夹角α可以为锐角，能够增大搭接开口420的开口尺寸，在发光层50在覆盖像素定义层40和辅助电极20的过程中，能够便于发光层50和阴极层60经由搭接开口240进入辅助电极20及像素定义层40之间，且沉积于阵列基板10上，并与凹陷部211搭接。示例性地，夹角α可以小于40°，例如夹角可以为35°或30°等。
在本申请实施例的一些实现方式中，辅助电极20可以为辅助电极块，即辅助电极20为块状结构，辅助电极块与阳极310绝缘。示例性地，辅助电极块的数量可以有一个，一个辅助电极块在阵列基板10上的正投影可以位于预设区域A在阵列基板10上的正投影的中心，使得一个辅助电极块能够与阴极层60的预设区域A的中心连接。预设区域A的中心通常为电压值最低点，将辅助电极块对应设置于阴极层60的预设区域A的中心，能够通过预设区域A的中心向阴极层60通电，有效提高预设区域A的电压值，从而降低阴极层60的压降，减轻或消除显示面板发光亮度不均匀的问题。
参考图4，辅助电极块的数量也可以有多个，多个辅助电极20在阵列基板10上的正投影可在预设区域A在阵列基板10的正投影上均匀布置，以提高多个辅助电极块布置的均匀性，从而进一步阴极层60内电压值的均匀性，降低阴极层60的压降，减轻或消除显示面板发光亮度不均匀的问题。
在本申请实施例的一些其他实现方式中，辅助电极20也可以为辅助电极线，即辅助电极20为条状结构，辅助电极线位于各阳极310之间，且与各阳极310绝缘。辅助电极线能够增大与阴极层60的接触面积，避免与阴极层60之间发生接触不良而无法导电。
示例性地，参考图5，辅助电极线可以有多条，多条辅助电极线形成交叉网格状结构，以进一步提高辅助电极线布局的均匀性，从而提高阴极层60内电压的一致性，进而减轻或消除显示面板发光亮度不均匀的问题，保证显示面板的显示效果。
可以理解的是，辅助电极线可以对应设置于阴极层60的预设区域A内，也可以延伸至预设区域A的外。示例性地，参考图4，一部分辅助电极线位于预设区域A内，另一部分辅助电极线延伸至预设区域A外，可通过辅助电极线向整层阴极层60通电，以提高阴极层60内电压的一致性，从而减小阴极层60的压降，减轻或消除显示面板发光亮度不均匀的问题。
示例性地，可通过第一电源线向辅助电极20输入电压信号。在本申请实施例的一些实现方式中，参考图3，第一电源线70可以设置于阵列基板10内。例如，阵列基板10内可以包括第四金属层，第一电源线70设置于第四金属层内。第四金属层还可以包括其他连接线，例如，第四金属层内可以包括连接线，连接线用于连接薄膜晶体管和阳极310。将第一电源线70设置于第四金属层内，能够便于能够增大阳极层的空间，使得阳极310的布局更加紧凑，从而增加显示面板内的像素数量，提高显示面板分辨率。
参考图3，阵列基板10的平坦化层110设置于第四金属层上，平坦化层110上与阴极层60的预设区域A相对的区域设置有第二过孔111，第二过孔111连通至第一电源线70，辅助电极20通过第二过孔111与第一电源线70电连接。形成辅助电极20时，例如第三金属层230时，第三金属层230填充于第二过孔111内，并与第一电源线70连接，从而实现第一电源线70与辅助电极20之间的电连接。
示例性地，在本申请实施例的一些其他实现方式中，第一电源线70也可以设置于阳极层内。第一电源线70与阳极310相互隔离，发光层50及阴极层60覆盖第一电源线70。形成阳极层后，可通过图形化工艺同时形成第一电源线70和阳极310，第一电源线70的材料可以与阳极310相同，以减少显示面板的工艺步骤，提高显示面板的生产效率。
可以理解的是，第一电源线70可以与第二电源线80电连接，以间接与电压信号连接；第一电源线70也可以不与第二电源线80连接，以直接与电压信号连接。
本申请实施例还提供一种显示面板的制作方法，用于形成上述显示面板。参考图6，该方法包括：
S110、提供阵列基板；
参考图7，阵列基板10可以包括衬底，衬底的材料可以为玻璃基板、石英基板、树脂基板等中的一种；衬底的原材料还可以为柔性基板，例如聚酰亚胺等。衬底上可以设置有多个薄膜晶体管。阵列基板10还包括覆盖薄膜晶体管及衬底的平坦化层，以提高阵列基板的平整性。
在本申请实施例的一些实现方式中，阵列基板10还可以包括第四金属层，第一电源线70可以设置于第四金属层内。平坦化层上还可以设置有连接至第一电源线70的第二过孔111。
S120、形成辅助电极于阵列基板上；
示例性地，参考图8，可先在阵列基板10上形成块状结构或条状结构的辅助电极，辅助电极的底面与阵列基板10贴合。然后对辅助电极层的侧面进行刻蚀，以形成凹陷部211。可以在阵列基板10上形成导电金属层(附图中未示出)；示例性地，也可以依次在阵列基板10上形成第三金属层230、第一金属层210和第二金属层220，以形成辅助电极。第一金属层210的刻蚀速率可以大于第二金属层220的刻蚀速率。例如，第三金属层230的材料可以为钛(Ti)，第一金属层210的材料可以为铝(Al)，第二金属层220的材料可以为钛(Ti)或钼(Mo)。第三金属层230、第一金属层210和第二金属层220在阵列基板10上的投影可以位于阴极层60的预设区域A的投影内。
当第一电源线70位于阵列基板10的第四金属层内时，第三金属层230可填充于第二过孔111内，以使第三金属层230与第一电源线70连接。
S130、形成第一电极层于阵列基板上；刻蚀第一电极层，形成多个电极块；
参考图9，以第一电极层为阳极层为例，可以在阵列基板10上形成阳极层30，阳极层30覆盖阵列基板10及辅助电极层。例如，阳极层的材料可以为氧化铟锡/银/氧化铟锡(ITO/Ag/ITO)等。参考图10，形成阳极层30后，可通过刻蚀的方式，对阳极层30进行刻蚀，以形成多个阳极310。
在本申请实施例的一些实现方式中，在对阳极层30进行蚀刻的同时，也可以同时对辅助电极的侧面进行蚀刻，以形成凹陷部211，从而能够节省工艺步骤，提高显示面板的生产效率。示例性地，可采用湿法刻蚀的方式对阳极层30进行刻蚀。在蚀刻过程中，在对覆盖于辅助电极层上的阳极层30进行刻蚀时，由于湿法刻蚀具有各向同性，能够对辅助电极层的侧面进行刻蚀。且由于辅助电极层中第一金属层210的刻蚀速率大于第二金属层220的刻蚀速率，第一金属层210侧面的刻蚀量大于第二金属层220侧面的刻蚀量，从而能够在第一金属层210的侧面形成凹陷部211，以形成辅助电极20。
在本申请实施例的一些其他实现方式中，第一电源线70也可以设置于阳极层内。示例性地，在刻蚀阳极层时，可通过图形化工艺同时形成与阳极310相隔离的第一电源线70，且第一电源线70与辅助电极20相连接，第一电源线70的材料可以与阳极310相同，以减少显示面板的工艺步骤，提高显示面板的生产效率。
S140、形成发光层于阵列基板上，发光层覆盖电极块；
示例性地，参考图11，在形成发光层50之前，可以先在阵列基板10上形成用于分隔像素单元的像素定义层40。像素定义层40形成于阵列基板10上，且覆盖阳极310及辅助电极20。可通过刻蚀的方式在像素定义层40上形成多个像素开口410，每个像素开口410对应一个阳极310，像素开口410露出阳极310的顶面。可以在像素定义层40上形成搭接开口420，搭接开口420露出辅助电极20和阵列基板10的顶面；
在形成像素定义层40后，可以形成发光层50于阵列基板10上。示例性地，参考图12，发光层50位于像素定义层40的上方，且覆盖像素定义层40以及像素开口410内露出的阳极310的顶面，以与阳极310连接，使得阳极310能够为发光层50提供空穴。
由于辅助电极20的侧面具有凹陷部211，在形成发光层50时，发光层50在辅助电极20的顶面边缘处发生断裂，使得发光层50进入搭接开口420内，并覆盖于阵列基板10的顶面，且搭接于辅助电极20的侧面的凹陷部211上。
S150、形成第二电极层于阵列基板上，第二电极层覆盖发光层，第二电极层的预设区域与辅助电极连接。
参考图12，以第二电极层为阴极层60为例，可以阵列基板10上形成阴极层60。阴极层60覆盖发光层50。由于辅助电极20的侧面具有凹陷部211，在形成阴极层60的过程中，阴极层60在辅助电极20的顶面边缘处发生断裂，并沉积于搭接开口420内，阴极层60和发光层50在辅助电极20的凹陷部211内形成与辅助电极20搭接的搭接部610，以实现与辅助电极20的连接。
最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本申请的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本申请进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本申请各实施例技术方案的范围。
Claims (10)
1.一种显示面板，其特征在于，包括依次层叠设置的阵列基板、第一电极层、发光层及第二电极层；所述第一电极层包括多个电极块；
所述第二电极层为整层结构，所述第二电极层具有预设区域，所述预设区域为当向所述第二电极层通电时所述第二电极层内电压值低于预设电压值的区域；
所述预设区域内的所述第二电极层连接有至少一个辅助电极，所述辅助电极与各所述电极块同层设置于所述阵列基板上，且所述辅助电极与所述电极块绝缘。
2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述辅助电极的底面与所述阵列基板贴合，所述辅助电极的侧面具有凹陷部；
所述发光层覆盖所述辅助电极的顶面，且所述发光层和所述第二电极层在所述凹陷部内形成与所述辅助电极搭接的搭接部。
3.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述辅助电极至少包括依次层叠设置的第一金属层和第二金属层，所述第一金属层设置于所述阵列基板上，所述第一金属层的刻蚀速率大于所述第二金属层的刻蚀速率，所述第一金属层的侧面形成所述凹陷部；
优选地，所述第一金属层的材料为铝，所述第二金属层的材料为钛。
4.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述辅助电极包括依次层叠设置的第三金属层、第一金属层和第二金属层，所述第三金属层设置于所述阵列基板上，所述第一金属层的刻蚀速率大于所述第二金属层的刻蚀速率，所述第一金属层的侧面形成所述凹陷部；
优选地，所述第三金属层的材料为钛，所述第一金属层的材料为铝，所述第二金属层的材料为钛。
5.根据权利要求1-4任一项所述的显示面板，其特征在于，沿垂直所述阵列基板的方向，所述辅助电极的厚度为
至
6.根据权利要求1-4任一项所述的显示面板，其特征在于，所述辅助电极为辅助电极块，所述辅助电极块与所述电极块绝缘。
7.根据权利要求1-4任一项所述的显示面板，其特征在于，所述辅助电极为辅助电极线，所述辅助电极线位于各所述电极块之间，且与各电极块绝缘；
优选地，所述辅助电极线有多条，多条所述辅助电极线形成交叉网格状结构；
优选地，一部分所述辅助电极线位于所述预设区域内，另一部分所述辅助电极线延伸至所述预设区域外。
8.根据权利要求1-4任一项所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括像素定义层，所述像素定义层具有多个像素开口，每个所述像素开口对应露出一个所述电极块的顶面；所述像素定义层上还设置有搭接开口，所述搭接开口露出所述辅助电极和所述阵列基板；
所述发光层覆盖所述像素定义层，且覆盖所述像素开口内所述电极块的顶面；所述发光层还覆盖所述搭接开口内所述阵列基板的顶面，并与所述凹陷部搭接。
9.根据权利要求8所述的显示面板，其特征在于，所述搭接开口内朝向所述辅助电极的侧面为斜面，所述斜面与所述阵列基板被所述像素定义层所覆盖的表面之间的夹角为锐角；
优选地，所述夹角小于40°。
10.一种显示面板的制作方法，用于形成权利要求1-9任一项所述的显示面板，其特征在于，包括：
提供阵列基板；
形成辅助电极于所述阵列基板上；
形成第一电极层于所述阵列基板上；刻蚀所述第一电极层，形成多个电极块；
形成发光层于所述阵列基板上，所述发光层覆盖所述电极块；
形成所述第二电极层于所述发光层上，所述第二电机层覆盖所述发光层，所述第二电极层的预设区域与所述辅助电极连接。
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