CN115988905B - 像素结构和显示面板 - Google Patents
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- CN115988905B CN115988905B CN202310275143.2A CN202310275143A CN115988905B CN 115988905 B CN115988905 B CN 115988905B CN 202310275143 A CN202310275143 A CN 202310275143A CN 115988905 B CN115988905 B CN 115988905B
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- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims abstract description 29
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 claims abstract description 29
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 25
- 238000002955 isolation Methods 0.000 claims abstract description 13
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims abstract description 5
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims abstract description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 13
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 7
- 238000004891 communication Methods 0.000 claims description 6
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 claims description 6
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000010432 diamond Substances 0.000 claims description 5
- 230000009916 joint effect Effects 0.000 abstract description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 17
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 11
- 239000000047 product Substances 0.000 description 9
- 239000010408 film Substances 0.000 description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 3
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 229910001111 Fine metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 230000014509 gene expression Effects 0.000 description 1
- 238000007429 general method Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 238000007665 sagging Methods 0.000 description 1
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005019 vapor deposition process Methods 0.000 description 1
Images
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/805—Electrodes
- H10K59/8052—Cathodes
- H10K59/80521—Cathodes characterised by their shape
Landscapes
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- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
本申请提供一种像素结构和显示面板，涉及显示技术领域，其中，该像素结构包括多个子像素，对于每个子像素，子像素包括阴极搭接单元；阴极搭接单元包括自下而上设置的隔离柱、导电单元和屋檐结构，导电单元形成的金属线的延伸方向与第一方向垂直，第一方向为显示面板的蒸镀方向；隔离柱位于子像素的阳极上方，子像素的发光层覆盖阳极和隔离柱，子像素的阴极覆盖发光层，并与导电单元搭接；相邻子像素之间设置有像素边界层，像素边界层包括自下而上设置的像素定义层、边界导电层和屋檐结构，导电单元与边界导电层连通。本申请提供的技术方案能够提升像素阴极与边界导电层的搭接效果，提升产品的良品率。
Description
技术领域
本申请涉及显示技术领域，尤其涉及一种像素结构和显示面板。
背景技术
有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode，OLED)等发光器件因为具备轻薄、节能、色域广、对比度高等特性，而被越来越广泛地应用于电视、手机等产品中。
在制备OLED时，越来越多的制造商开始采用蒸镀工艺进行整面成膜，再通过光刻技术对整面成膜后的基板进行刻蚀，以形成各个像素。
然而在使用蒸镀光刻技术制备显示效果较好的菱形或多边形像素时，会导致像素的阴极与边界导电层搭接效果较差，甚至出现无法搭接的现象，影响产品的良品率。
发明内容
有鉴于此，本申请提供一种像素结构和显示面板，用以提升像素阴极与边界导电层的搭接效果，提升产品的良品率。
为了实现上述目的，第一方面，本申请实施例提供一种像素结构，包括：多个子像素，对于每个子像素，所述子像素包括阴极搭接单元；
所述阴极搭接单元包括自下而上设置的隔离柱、导电单元和屋檐结构，所述导电单元形成的金属线的延伸方向与第一方向垂直，所述第一方向为显示面板的蒸镀方向；
所述隔离柱位于所述子像素的阳极上方，所述子像素的发光层覆盖所述阳极和所述隔离柱，所述子像素的阴极覆盖所述发光层，并与所述导电单元搭接；
相邻子像素之间设置有像素边界层，所述像素边界层包括自下而上设置的像素定义层、边界导电层和屋檐结构，所述导电单元与所述边界导电层连通。
作为本申请实施例一种可选的实施方式，在垂直于所述第一方向的方向上，所述导电单元形成的金属线的一端凸出所述子像素的边缘目标长度。
作为本申请实施例一种可选的实施方式，所述导电单元形成的金属线的一端与所述边界导电层连通。
作为本申请实施例一种可选的实施方式，所述阴极搭接单元的长度小于所述子像素在垂直于所述第一方向上的最大长度。
作为本申请实施例一种可选的实施方式，所述阴极搭接单元包括多个，多个所述阴极搭接单元沿所述第一方向间隔排布，每个所述阴极搭接单元均与所述边界导电层连通。
作为本申请实施例一种可选的实施方式，所述子像素位于所述阴极搭接单元两侧的区域，相对于所述阴极搭接单元对称。
作为本申请实施例一种可选的实施方式，所述阴极搭接单元包括两个，其中一个阴极搭接单元的导电单元形成的金属线的延伸方向与第一方向垂直，另一个阴极搭接单元的导电单元形成的金属线的延伸方向与第一方向平行，对于每个阴极搭接单元，所述子像素位于所述阴极搭接单元两侧的区域，相对于所述阴极搭接单元对称。
作为本申请实施例一种可选的实施方式，所述导电单元的材质与所述子像素外部的边界导电层的材质相同。
作为本申请实施例一种可选的实施方式，所述子像素的形状包括菱形、圆形、椭圆形和类钻石形中的至少一种。
第二方面，本申请实施例提供一种显示面板，包括：自下而上设置的衬底基板、驱动层、封装层，以及多个如上述第一方面或第一方面任一项所述的像素结构，所述像素结构位于所述驱动层和所述封装层之间。
本申请实施例提供的像素结构和显示面板，包括：多个子像素，每个子像素均包括阴极搭接单元。阴极搭接单元包括自下而上设置的隔离柱、导电单元和屋檐结构，导电单元形成的金属线的延伸方向与第一方向（即显示面板的蒸镀方向）垂直。隔离柱位于子像素的阳极上方，子像素的发光层覆盖阳极和隔离柱，子像素的阴极覆盖发光层，并与导电单元搭接。相邻子像素之间设置有像素边界层，像素边界层包括自下而上设置的像素定义层、边界导电层和屋檐结构，导电单元与边界导电层连通。上述技术方案中，由于导电单元形成的金属线的延伸方向与蒸镀方向垂直，因此导电上面的屋檐结构的延伸方向也与蒸镀方向垂直，也就是说在蒸镀方向上，阴极搭接单元中的屋檐结构对下方导电单元的遮挡最少，这样在蒸镀阴极层时，在相同蒸发角的情况下（受限于工艺，蒸发角不能太大），各子像素的阴极搭接单元的导电单元相比于各子像素之间的像素边界层中的边界导电层，更容易与各子像素的阴极搭接；并且由于阴极搭接单元的导电单元与边界导电层连通，也就是说相比于各子像素的阴极直接与边界导电层搭接而连通，各子像素的阴极更容易通过阴极搭接单元的导电单元与边界导电层连通，从而本方案能够提升各子像素的阴极与边界导电层的搭接效果，提升产品的良品率。
附图说明
图1为范例技术的显示面板中任意一个像素结构的示意图；
图2为显示面板沿图1中A-A`方向的剖面图；
图3为相同工艺下矩形子像素和菱形子像素的蒸发角的示意图；
图4为本申请一实施例提供的像素结构的俯视图；
图5为显示面板沿图4中C-C`方向的剖面图；
图6为本申请另一实施例提供的像素结构的俯视图；
图7为本申请又一实施例提供的像素结构的俯视图；
图8为本申请又一实施例提供的像素结构的俯视图；
图9为本申请又一实施例提供的像素结构的俯视图。
附图标记说明：
10-衬底基板； 20-驱动层；
30-阳极层； 40-发光层；
50-阴极层； 60-阴极搭接单元；
70-像素边界层； 80-封装层；
61-隔离柱；62-导电单元；
63-屋檐结构；
71-像素定义层； 72-边界导电层；
73-屋檐结构。
具体实施方式
下面结合本申请实施例中的附图对本申请实施例进行描述。本申请实施例的实施方式部分使用的术语仅用于对本申请的具体实施例进行解释，而非旨在限定本申请。下面这几个具体的实施例可以相互结合，对于相同或相似的概念或过程可能在某些实施例不再赘述。
本申请实施例中的发光器件可以是OLED、无机发光二极管（Light EmittingDiodes，LED）、量子点发光二极管（Quantum Dot Light Emitting Diodes，QLED）和次毫米发光二极管（Mini LightEmitting Diodes，Mini LED）中的任意一种；本实施例后续以发光器件为OLED为例，进行示例性说明。
目前显示面板中的发光器件通常有三种量产方式：一是采用精细金属掩膜板作为掩膜，通过蒸镀工艺进行三色像素的沉积；二是采用喷墨打印工艺，对不同位置的像素进行精确打印；三是采用蒸镀工艺进行整面成膜，随后通过光刻工艺对成膜后的基板进行刻蚀，分出三色像素。随着显示面板尺寸的变大，会导致使用方案1时金属掩膜板的下垂量过大，因此采用蒸镀工艺进行整面成膜，再通过光刻技术对整面成膜后的基板进行刻蚀已成为行业内深入研究的课题。
图1为范例技术的显示面板中任意一个像素结构的示意图，如图1所示，该像素结构包括3个子像素，3个子像素可以分别是红色子像素，蓝色子像素和绿色子像素。
图2为显示面板沿图1中A-A`方向的剖面图，如图2所示，相邻的子像素之间可以设置有像素边界层70，像素边界层70可以包括自下而上设置像素定义层71、边界导电层72和屋檐结构73。
显示面板的发光层40覆盖在阳极层30上方，阴极层50覆盖在发光层40上方，阴极层50与边界导电层72搭接。
图3为相同工艺下矩形子像素和菱形子像素的蒸发角的示意图，如图3所示，在相同工艺条件下，矩形子像素和菱形子像素的屋檐结构73边缘与边界导电层72边缘之间的垂直距离均为a。
在蒸镀方向上，矩形子像素的屋檐结构73边缘与边界导电层72边缘之间的距离依然为a，而菱形子像素的屋檐结构73边缘与边界导电层72边缘之间的距离变为a/sinθ，θ为菱形子像素的任意一条边与蒸镀方向之间的夹角。也就是说在相同工艺条件下，在蒸镀方向上相比于矩形子像素，菱形子像素的屋檐结构73对边界导电层72覆盖的更多，这意味着若要实现阴极层50与边界导电层72的搭接，菱形子像素需要比距形子像素更大的蒸发角。
而由于工艺的限制，蒸发角通常不易过大，这也就是说在相同工艺，相同蒸发角的前提下，相比于矩形子像素，菱形子像素的阴极与边界导电层72的搭接效果更差，甚至会出现无法搭接的现象。
可以理解的是，在相同工艺，相同蒸发角的前提下，相比于矩形子像素，除菱形子像素外，圆形、椭圆形、类钻石或者其他多边形子像素均会出现上述阴极与边界导电层72的搭接效果差，甚至无法搭接的现象。
有鉴于此，本申请实施例提供一种像素结构，用以提升子像素阴极与边界导电层72的搭接效果，提升产品的良品率。
图4为本申请一实施例提供的像素结构的俯视图，图5为显示面板沿图4中C-C`方向的剖面图，如图4和图5所示，本实施例提供的显示面板可以包括自下而上设置的衬底基板10、驱动层20、像素结构和封装层80。
衬底基板10可以为刚性基板或柔性基板，刚性基板的材料可以为玻璃，柔性基板的材料可以为聚酰亚胺等聚合物材料。
驱动层20位于衬底基板10上方，可以包括多个薄膜晶体管(Thin FilmTransistor，TFT)，用以驱动发光层40发光。
像素结构可以包括依次设置于驱动层20上方的阳极层30、发光层40和阴极层50。
阳极层30可以包括多个阳极单元，每个阳极单元上方对应的发光层40的区域可以发出不同颜色的光。
每个阳极单元对应一个子像素，例如阳极单元上方的发光层40区域发红光，则该阳极单元对应红色子像素，阳极单元上方的发光层40区域发绿光，则该阳极单元对应绿色子像素，阳极单元上方的发光层40区域发蓝光，则该阳极单元对应蓝色子像素。
每个子像素均包括至少一个阴极搭接单元60。阴极搭接单元60可以包括自下而上设置的隔离柱61、导电单元62和屋檐结构63。导电单元62形成的金属线的延伸方向与第一方向垂直，第一方向为显示面板的蒸镀方向。
隔离柱61位于子像素对应的阳极单元上方，子像素的发光层40覆盖阳极单元和隔离柱61，子像素的阴极覆盖发光层40，并与导电单元62搭接。
相邻子像素之间设置有像素边界层70，像素边界层70包括自下而上设置的像素定义层71、边界导电层72和屋檐结构73，导电单元62与边界导电层72连通。
由于导电单元62形成的金属线的延伸方向与蒸镀方向垂直，因此导电单元62上面的屋檐结构63的延伸方向也与蒸镀方向垂直，也就是说在蒸镀方向上，阴极搭接单元60中的屋檐结构63对下方导电单元62的遮挡最少，这样在蒸镀阴极层50时，在相同蒸发角的情况下，各子像素的阴极搭接单元60的导电单元62相比于各子像素之间的像素边界层70中的边界导电层72，更容易与各子像素的阴极搭接；并且由于阴极搭接单元60的导电单元62与边界导电层72连通，也就是说相比于各子像素的阴极直接与边界导电层72搭接而连通，各子像素的阴极更容易通过阴极搭接单元60的导电单元62与边界导电层72连通，从而本方案能够提升各子像素的阴极与边界导电层72的搭接效果，提升产品的良品率。
导电单元62的材质可以与子像素外部的边界导电层72的材质相同，这样在制备时，可以对同一金属层刻蚀，以形成对应的导电单元62和边界导电层72，节约成本。
隔离柱61的材质可以像素定义层71的材质相同，例如，可以是有机聚酰亚胺，也可以是无机SiNx，SiOx或者SiOxNx等。
封装层80覆盖阴极层50、边界导电层72、导电单元62和屋檐结构。
在垂直于第一方向的方向上，导电单元62形成的金属线的一端可以凸出子像素的边缘一定长度，以便于与子像素外部的边界导电层72连通。
阴极搭接单元60可以如图4所示的，位于子像素的中央，使子像素位于阴极搭接单元60两侧的区域，相对于阴极搭接单元60对称，相当于子像素被阴极搭接单元60分割为两个相同的亚像素，这样每个像素的发光面积均相同，有利于显示效果的提升。
为保证导电单元62和边界导电层72的连通，导电单元62形成的金属线可以两端均与边界导电层72连通。
考虑到阴极搭接单元60会占用子像素一定的显示区域，因此，导电单元62形成的金属线也可以仅一端与边界导电层72连通。图6为本申请另一实施例提供的像素结构的俯视图，如图6中所示，导电单元62形成的金属线长度较短，小于子像素在垂直于第一方向上的最大长度，这样可以降低对显示效果的影响。
图7为本申请又一实施例提供的像素结构的俯视图，如图7所示，每个子像素的阴极搭接单元60就可以包括两个，两个阴极搭接单元60沿第一方向间隔排布，每个阴极搭接单元60均与边界导电层72连通。以保证各子像素的导电单元62和边界导电层72的连通。
两个阴极搭接单元60可以相对于子像素沿第一方向的垂直方向的中心线对称，以使被阴极搭接单元60分割的各子像素对应的发光区域相对更均匀，从而提升显示效果。
可以理解的是，每个子像素也可以包括更多的沿第一方向间隔排布的阴极搭接单元60，本申请对此不作具体限定。
图8为本申请又一实施例提供的像素结构的俯视图，在显示面板的制备过程中，不同的产品的排版可能会有所差异，为保证不同排版的产品均能够实现子像素的阴极与边界导电层72的良好搭接，可以如图8所示的，像素结构的每个子像素包括两个呈十字形的阴极搭接单元60，其中一个阴极搭接单元60的导电单元62形成的金属线的延伸方向与第一方向垂直，另一个阴极搭接单元60的导电单元62形成的金属线的延伸方向与第一方向平行。子像素位于每个阴极搭接单元60两侧的区域，均相对于该阴极搭接单元60对称。这样不管如何排版，均可以保证有一个方向的阴极搭接单元60的导电单元62能够与子像素的阴极搭接。
可以理解的是，本申请提供的像素结构中的各像素还可以如图9所示的，包括多条横轴相交的阴极搭接单元60，以保证不同排版的产品均能够实现子像素的阴极与边界导电层72的良好搭接。
另外，对于图8和图9中的各子像素，只需要保证每个像素的至少一个阴极搭接单元60与外部的边界导电层72连通，即可保证各子像素的阴极与边界导电层72的搭接效果。
可以理解的是，本申请中的子像素除菱形外，也可以是圆形、椭圆形、类钻石或者其他多边形子像素，本申请对此不作具体限定。
本申请实施例提供的像素结构和显示面板，包括：多个子像素，每个子像素均包括阴极搭接单元。阴极搭接单元包括自下而上设置的隔离柱、导电单元和屋檐结构，导电单元形成的金属线的延伸方向与第一方向（即显示面板的蒸镀方向）垂直。隔离柱位于子像素的阳极上方，子像素的发光层覆盖阳极和隔离柱，子像素的阴极覆盖发光层，并与导电单元搭接。相邻子像素之间设置有像素边界层，像素边界层包括自下而上设置的像素定义层、边界导电层和屋檐结构，导电单元与边界导电层连通。上述技术方案中，由于导电单元形成的金属线的延伸方向与蒸镀方向垂直，因此导电上面的屋檐结构的延伸方向也与蒸镀方向垂直，也就是说在蒸镀方向上，阴极搭接单元中的屋檐结构对下方导电单元的遮挡最少，这样在蒸镀阴极层时，在相同蒸发角的情况下（受限于工艺，蒸发角不能太大），各子像素的阴极搭接单元的导电单元相比于各子像素之间的像素边界层中的边界导电层，更容易与各子像素的阴极搭接；并且由于阴极搭接单元的导电单元与边界导电层连通，也就是说相比于各子像素的阴极直接与边界导电层搭接而连通，各子像素的阴极更容易通过阴极搭接单元的导电单元与边界导电层连通，从而本方案能够提升各子像素的阴极与边界导电层的搭接效果，提升产品的良品率。
在上述实施例中，对各个实施例的描述都各有侧重，某个实施例中没有详述或记载的部分，可以参见其它实施例的相关描述。
另外，附图中各部件之间的尺寸比例关系仅是示意性的，其并不反映各部件之间的实际尺寸比例关系。
在本申请的描述中，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的设备或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。
在本申请的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以通过具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
应当理解，当在本申请说明书和所附权利要求书中使用时，术语“包括”指示所描述特征、整体、步骤、操作、元素和/或组件的存在，但并不排除一个或多个其它特征、整体、步骤、操作、元素、组件和/或其集合的存在或添加。
在本申请的描述中，除非另有说明，“/”表示前后关联的对象是一种“或”的关系，例如，A/B可以表示A或B；本申请中的“和/或”仅仅是一种描述关联对象的关联关系，表示可以存在三种关系，例如，A和/或B，可以表示：单独存在A，同时存在A和B，单独存在B这三种情况，其中A，B可以是单数或者复数。
并且，在本申请的描述中，除非另有说明，“多个”是指两个或多于两个。“以下至少一项”或其类似表达，是指的这些项中的任意组合，包括单项或复数项的任意组合。例如，a，b，或c中的至少一项，可以表示：a，b，c，a-b，a-c，b-c，或a-b-c，其中a，b，c可以是单个，也可以是多个。
另外，在本申请说明书和所附权利要求书的描述中，术语“第一”、“第二”、“第三”等是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换，以便这里描述的实施例能够以除了在这里图示或描述的内容以外的顺序实施。
在本申请说明书中描述的参考“一个实施例”或“一些实施例”等意味着在本申请的一个或多个实施例中包括结合该实施例描述的特定特征、结构或特点。由此，在本说明书中的不同之处出现的语句“在一个实施例中”、“在一些实施例中”、“在其他一些实施例中”、“在另外一些实施例中”等不是必然都参考相同的实施例，而是意味着“一个或多个但不是所有的实施例”，除非是以其他方式另外特别强调。
最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本申请的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本申请进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本申请各实施例技术方案的范围。
Claims (10)
1.一种像素结构，其特征在于，包括：多个子像素，对于每个子像素，所述子像素包括阴极搭接单元；
所述阴极搭接单元包括自下而上设置的隔离柱、导电单元和屋檐结构，所述导电单元形成的金属线的延伸方向与第一方向垂直，所述第一方向为显示面板的蒸镀方向；
所述隔离柱位于所述子像素的阳极上方，所述子像素的发光层覆盖所述阳极和所述隔离柱，所述子像素的阴极覆盖所述发光层，并与所述导电单元搭接；
相邻子像素之间设置有像素边界层，所述像素边界层包括自下而上设置的像素定义层、边界导电层和屋檐结构，所述导电单元与所述边界导电层连通。
2.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，在垂直于所述第一方向的方向上，所述导电单元形成的金属线的一端凸出所述子像素的边缘目标长度。
3.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，所述导电单元形成的金属线的一端与所述边界导电层连通。
4.根据权利要求3所述的像素结构，其特征在于，所述阴极搭接单元的长度小于所述子像素在垂直于所述第一方向上的最大长度。
5.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，所述阴极搭接单元包括多个，多个所述阴极搭接单元沿所述第一方向间隔排布，每个所述阴极搭接单元均与所述边界导电层连通。
6.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，所述子像素位于所述阴极搭接单元两侧的区域，相对于所述阴极搭接单元对称。
7.根据权利要求6所述的像素结构，其特征在于，所述阴极搭接单元包括两个，其中一个阴极搭接单元的导电单元形成的金属线的延伸方向与第一方向垂直，另一个阴极搭接单元的导电单元形成的金属线的延伸方向与第一方向平行，对于每个阴极搭接单元，所述子像素位于所述阴极搭接单元两侧的区域，相对于所述阴极搭接单元对称。
8.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，所述导电单元的材质与所述子像素外部的边界导电层的材质相同。
9.根据权利要求1-8任一项所述的像素结构，其特征在于，所述子像素的形状包括菱形、圆形、椭圆形和类钻石形中的至少一种。
10.一种显示面板，其特征在于，包括：自下而上设置的衬底基板、驱动层、封装层，以及多个如权利要求1-9任一项所述的像素结构，所述像素结构位于所述驱动层和所述封装层之间。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202310275143.2A CN115988905B (zh) | 2023-03-21 | 2023-03-21 | 像素结构和显示面板 |
| PCT/CN2023/097150 WO2024192882A1 (zh) | 2023-03-21 | 2023-05-30 | 像素结构和显示面板 |
| US18/363,150 US20240324295A1 (en) | 2023-03-21 | 2023-08-01 | Pixel structure and display panel |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202310275143.2A CN115988905B (zh) | 2023-03-21 | 2023-03-21 | 像素结构和显示面板 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN115988905A CN115988905A (zh) | 2023-04-18 |
| CN115988905B true CN115988905B (zh) | 2023-06-09 |
Family
ID=85965205
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202310275143.2A Active CN115988905B (zh) | 2023-03-21 | 2023-03-21 | 像素结构和显示面板 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20240324295A1 (zh) |
| CN (1) | CN115988905B (zh) |
| WO (1) | WO2024192882A1 (zh) |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN115988905B (zh) * | 2023-03-21 | 2023-06-09 | 惠科股份有限公司 | 像素结构和显示面板 |
| CN116249396B (zh) * | 2023-05-10 | 2023-08-11 | 惠科股份有限公司 | 显示面板及显示面板制备方法 |
| CN116367596B (zh) * | 2023-05-11 | 2023-08-11 | 惠科股份有限公司 | 显示面板及其制备方法 |
| CN117082943A (zh) * | 2023-07-17 | 2023-11-17 | 惠科股份有限公司 | 显示面板及其制备方法 |
| CN117135963B (zh) * | 2023-09-20 | 2024-07-19 | 惠科股份有限公司 | 显示面板以及显示装置 |
| CN117750836A (zh) * | 2023-11-24 | 2024-03-22 | 惠科股份有限公司 | 显示面板和屏下摄像装置 |
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| CN115988905B (zh) * | 2023-03-21 | 2023-06-09 | 惠科股份有限公司 | 像素结构和显示面板 |
-
2023
- 2023-03-21 CN CN202310275143.2A patent/CN115988905B/zh active Active
- 2023-05-30 WO PCT/CN2023/097150 patent/WO2024192882A1/zh unknown
- 2023-08-01 US US18/363,150 patent/US20240324295A1/en active Pending
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO2024192882A1 (zh) | 2024-09-26 |
| US20240324295A1 (en) | 2024-09-26 |
| CN115988905A (zh) | 2023-04-18 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |