CN111710792A - 显示面板及显示面板的制备方法 - Google Patents

Abstract

本发明实施例提供一种显示面板及显示面板的制备方法，该显示面板包括：阵列基板；像素定义层，位于阵列基板上，像素定义层包括阵列分布的多个像素开口，像素开口包括靠近阵列基板一侧的第一开口以及远离阵列基板一侧的第二开口；第一载流子层，设置于像素定义层背离阵列基板的一侧，第一载流子层上设置有多个断裂部，断裂部在阵列基板上的正投影与第一开口在阵列基板上的正投影之间的最小间距为第一间距L1，且满足如下条件：0<L1≤2μm。本发明可以阻断至少部分相邻的发光元件之间的导电路径，提高显示面板的显示效果。

Description

显示面板及显示面板的制备方法

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示面板及显示面板的制备方法。

背景技术

有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode，OLED)显示装置，是一种主动发光显示装置，由于其具有制备工艺简单、成本低、高对比度、广视角、低功耗等优点，已成为主流平板显示技术。

OLED显示装置的多个发光元件往往具有公共的载流子层，即公共的载流子层与多个发光元件连接。当某个发光元件处于发光状态时，施加在该发光元件上的驱动电流一定程度可以沿公共的载流子层施加到相邻的发光元件上，使应当处于非发光状态的发光元件也发光。因此，现有技术的OLED显示装置存在相邻发光元件之间的电流串扰问题，进而引起显示画面出现低灰阶色偏问题，降低了显示面板的显示效果。

发明内容

本发明实施例提供一种显示面板及显示面板的制备方法，该显示面板可以阻断至少部分相邻的发光元件之间的导电路径。

一方面，本发明提供了一种显示面板，包括：阵列基板；像素定义层，位于阵列基板上，像素定义层包括阵列分布的多个像素开口，像素开口包括靠近阵列基板一侧的第一开口和远离阵列基板一侧的第二开口；第一载流子层，设置于像素定义层背离阵列基板的一侧，第一载流子层上设置有多个断裂部；其中，断裂部在阵列基板上的正投影与第一开口在阵列基板上的正投影之间的最小间距为第一间距L1，且满足如下条件：0<L1≤2μm。

根据本发明的一个方面，第一间距L1为断裂部靠近第一开口的壁部在阵列基板上的正投影与第一开口靠近断裂部的壁部在阵列基板上的正投影之间的间距；优选地，第一间距L1满足如下条件：0<L1≤0.5μm。

根据本发明的一个方面，第一载流子层包括空穴注入层和空穴传输层，至少空穴注入层设置有多个断裂部；优选地，每个断裂部在阵列基板上的正投影围绕至少一个第一开口的外围设置。

根据本发明的一个方面，断裂部包括位于空穴注入层上的第一断裂部和位于空穴传输层上的第二断裂部，第一断裂部在像素定义层上的正投影与第二断裂部在像素定义层上的正投影至少部分重叠设置。

根据本发明的一个方面，像素定义层还包括本体部，本体部包括背离第一电极一侧的顶面及朝向像素开口的侧面，顶面和/或侧面设置有朝向阵列基板凹陷的多个凹槽部，第一载流子层与凹槽部接触的部位填充入凹槽部，以形成断裂部。

根据本发明的一个方面，凹槽部在阵列基板上的正投影与第一开口在阵列基板上的正投影之间的最小间距为第三间距L3，且满足如下条件：0<L3≤2μm。

根据本发明的一个方面，凹槽部的深度尺寸为

凹槽部靠近第一开口的壁部与远离第一开口的壁部之间的宽度尺寸为1μm～5μm；第一载流子层包括空穴注入层，优选地，凹槽部的深度尺寸等于空穴注入层的厚度尺寸。

根据本发明的一个方面，像素定义层还包括本体部，本体部包括背离第一电极一侧的顶面及朝向像素开口的侧面，顶面和/或侧面设置有朝向远离阵列基板的一侧凸出的多个凸起部，第一载流子层在凸起部形成断裂部，且凸起部的厚度与第一载流子层的厚度相等；优选地，凸起部的厚度尺寸等于空穴注入层的厚度尺寸。

另一方面，本发明还提供了一种显示面板的制备方法，包括：提供阵列基板；在阵列基板上形成像素定义层，像素定义层包括阵列分布的多个像素开口，像素开口包括靠近阵列基板一侧的第一开口和远离阵列基板一侧的第二开口；在像素定义层背离阵列基板的一侧形成第一载流子层，通过光刻工艺或者激光刻蚀工艺在第一载流子层上形成多个断裂部，断裂部在阵列基板上的正投影与第一开口在阵列基板上的正投影之间的最小间距为第一间距L1，且满足如下条件：0<L1≤2μm。

另一方面，本发明还提供一种显示面板的制备方法，包括：提供阵列基板；在阵列基板上形成图案化的像素定义层，像素定义层包括阵列分布的多个像素开口和本体部，像素开口包括靠近阵列基板一侧的第一开口和远离阵列基板一侧的第二开口，本体部包括背离第一电极一侧的顶面及朝向像素开口的侧面，顶面和/或侧面设置有朝向阵列基板凹陷的多个凹槽部或者朝向远离阵列基板的一侧凸出的多个凸起部，凹槽部或者凸起部在阵列基板上的正投影与第一开口在阵列基板上的正投影之间的最小间距为第三间距L3，且满足如下条件：0<L3≤2μm；第一载流子层包括空穴注入层，优选地，凹槽部的深度尺寸或者凸起部的厚度尺寸等于空穴注入层的厚度尺寸；在像素定义层背离阵列基板的一侧形成第一载流子层，第一载流子层在凹槽部或者凸起部形成断裂部。

本发明提供的一种显示面板及显示面板的制备方法，通过在第一载流子层上设置与至少一个像素开口对应的断裂部，像素开口包括靠近阵列基板一侧的第一开口和远离阵列基板一侧的第二开口，使得该至少一个像素开口对应的发光元件与相邻的发光元件之间的导电路径被阻断，避免至少部分相邻的发光元件之间的电流串扰引起显示画面出现低灰阶色偏问题，提高了显示面板的显示效果。另外，通过限制断裂部在阵列基板上的正投影与第一开口在阵列基板上的正投影之间的最小间距，可以尽可能地减小第一载流子层的漏电面积，有利于降低显示面板的功耗，提高显示面板的可靠性。

附图说明

通过阅读以下参照附图对非限制性实施例所作的详细描述，本发明的其它特征、目的和优点将会变得更明显，其中，相同或相似的附图标记表示相同或相似的特征。

图1是本发明第一实施例提供的一种显示面板的俯视示意图；

图2是图1中A-A向的剖面示意图；

图3是本发明第二实施例提供的一种显示面板的俯视示意图；

图4是图3中B-B向的剖面示意图；

图5是本发明第三实施例提供的一种显示面板的俯视示意图；

图6是图5中C-C向的剖面示意图；

图7是本发明实施例提供的一种显示面板的制备方法流程图；

图8是根据本发明另一种实施例提供的显示面板的制备方法流程图。

具体实施方式

下面将详细描述本发明的各个方面的特征和示例性实施例。在下面的详细描述中，提出了许多具体细节，以便提供对本发明的全面理解。但是，对于本领域技术人员来说很明显的是，本发明可以在不需要这些具体细节中的一些细节的情况下实施。下面对实施例的描述仅仅是为了通过示出本发明的示例来提供对本发明的更好的理解。在附图和下面的描述中，至少部分的公知结构和技术没有被示出，以便避免对本发明造成不必要的模糊；并且，为了清晰，可能夸大了部分结构的尺寸。此外，下文中所描述的特征、结构或特性可以以任何合适的方式结合在一个或更多实施例中。

在本发明的描述中，需要说明的是，除非另有说明，“多个”的含义是两个以上；术语“上”、“下”、“左”、“右”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。此外，术语“第一”、“第二”等仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。

下述描述中出现的方位词均为图中示出的方向，并不是对本发明的实施例的具体结构进行限定。在本发明的描述中，还需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是直接相连，也可以间接相连。对于本领域的普通技术人员而言，可视具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。

常见的有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode，OLED)显示面板，包括依次设置的阵列基板、阳极层、第一载流子层、发光层、第二载流子层和阴极层。OLED显示面板具有多个阵列排布的发光元件，阳极层分为多个与所述发光元件一一对应的阳极。各个发光元件共用第一载流子层、第二载流子层以及阴极层。

由于发光元件材料本身的性质，第一载流子层的材料在横向和纵向两个方向上都能够导电。对于RGB或是RGBW像素结构的显示面板，不同颜色的发光元件的启亮电压存在差异。当点亮工作电压较高的颜色的发光元件时，由于串扰电流或者薄膜晶体管(Thin FilmTransistor，TFT)漏电流的影响，电流通过第一载流子层横向导电，启亮电压低的颜色的子像素也能够被轻微点亮，或者说，相邻的发光元件之间的电流存在串扰问题，这使得OLED面板在较低灰阶点亮时会出现单色不纯、存在一定程度的色彩失真的现象，称之为低灰阶色偏。

现有技术中解决低灰阶色偏的方法主要包括降低第一载流子层中掺杂剂的掺杂比例、减薄第一载流子层的厚度以降低横向导电能力等等。这些方法虽然能够在一定程度上起到改善低灰阶色偏的作用，但是往往使得OLED的制造工艺变得很复杂，而且对显示面板的整体性能有一定的影响。

为此，本发明提供了一种显示面板及显示面板的制备方法，该显示面板可以阻断相邻的发光元件之间的导电路径，在不影响显示面板的结构和整体性能的情况下改善了低灰阶色偏的问题。

为了更好地理解本发明，下面结合图1至图8对本发明实施例的显示面板及显示面板的制备方法进行详细描述。

请一并参阅图1和图2，本发明第一实施例提供了一种显示面板，包括：阵列基板1、像素定义层3和第一载流子层22。

阵列基板1包括多个阵列排布的薄膜晶体管，多个第一电极211位于阵列基板1上。

像素定义层3位于阵列基板1上，像素定义层3包括阵列分布的多个像素开口31，像素开口31包括靠近阵列基板1一侧的第一开口和远离阵列基板1一侧的第二开口，第一开口暴露一个第一电极211。

第一载流子层22设置于像素定义层3背离阵列基板1的一侧，第一载流子层22上设置有多个断裂部，断裂部在阵列基板1上的正投影与第一开口在阵列基板1上的正投影之间的最小间距为第一间距L1，且满足如下条件：0<L1≤2μm。断裂部使得该至少一个像素开口31对应的发光元件21与相邻的发光元件21之间的导电路径被阻断。

以RGB发光结构的显示面板为例，发光元件21包括阵列排布的红色发光元件21R、绿色发光元件21G和蓝色发光元件21B。由于第一载流子层22为共通层结构，在通电状态下存在漏电流，且蓝色发光元件21B的启亮电压大于绿色发光元件21G的启亮电压，或者大于红色发光元件21R的启亮电压。当蓝色发光元件21B点亮时，红色发光元件21R或是绿色发光元件21G会在漏电流作用下非正常点亮，产生色坐标偏移，影响显示画面的显示效果。

优选地，每个断裂部在阵列基板1上的正投影围绕至少一个第一开口的外围设置。所述围绕可以为连续的结构围绕在至少一个第一开口的外围设置，也可以为间隔的结构围绕在至少一个第一开口的外围设置。

例如，每个断裂部在阵列基板1上的正投影围绕红色发光元件21R和绿色发光元件21G的两个像素开口31设置，使得该红色发光元件21R和绿色发光元件21G与相邻的蓝色发光元件21B之间的导电路径被阻断。例如，每个断裂部在阵列基板1上的正投影围绕蓝色发光元件21B的像素开口31设置。当蓝色发光元件21B显示时，可以防止红色发光元件21B或者绿色发光元件21G在漏电流作用下泄漏发光。当每个断裂部在阵列基板1上的正投影围绕一个第一开口的外围设置时，相邻的发光元件21之间的导电路径被阻断，并且像素开口31内外延的漏电流也被阻断，防止相邻的发光元件21之间存在电流串扰问题，导致显示画面出现低灰阶色偏问题，提高显示面板的可靠性。

如果第一载流子层22的漏电流较小时，可能不会点亮相邻的发光元件21，但只要该发光元件21存在漏电流，则其用于发光的电流就会减少，增加显示面板的功耗。为了尽可能地减小发光元件21的漏电流，可以通过尽可能地减小第一载流子层22的漏电面积来实现。由此，通过限制断裂部在阵列基板1上的正投影与第一开口在阵列基板1上的正投影之间的第一间距L1，可以减小第一载流子层22的漏电面积，有利于降低显示面板的功耗，提高显示面板的可靠性。

在一些实施例中，显示面板还包括设置于第一载流子层22上的发光层212、第二载流子层23以及第二电极层213。每一个单独的第一电极211及对应的第一载流子层22、发光结构、第二载流子层23以及第二电极层213构成一个发光元件21。多个发光元件21阵列排布，以形成发光元件层。其中，第一电极211为发光元件21的阳极层，第二电极层213为多个发光元件21的公共阴极层。在一些实施例中，第一电极211为发光元件21的阴极层，第二电极层213为多个发光元件21的阳极层。

本发明实施例提供的一种显示面板，通过在第一载流子层22上设置断裂部，像素开口31包括靠近阵列基板1一侧的第一开口和远离阵列基板1一侧的第二开口，使得该至少一个像素开口31对应的发光元件21与相邻的发光元件21之间的导电路径被阻断，避免至少部分相邻的发光元件21之间的电流串扰引起显示画面出现低灰阶色偏问题，提高了显示面板的显示效果。另外，通过限制断裂部在阵列基板上的正投影与第一开口在阵列基板上的正投影之间的最小间距，可以尽可能地减小第一载流子层22的漏电面积，有利于降低显示面板的功耗，提高显示面板的可靠性。

如前所述，断裂部在阵列基板1上的正投影与第一开口在阵列基板1上的正投影之间的第一间距L1指的是，断裂部靠近第一开口的壁部在阵列基板1上的正投影与第一开口靠近断裂部的壁部在阵列基板1上的正投影之间的间距。优选地，第一间距L1满足如下所述的条件：0<L1≤0.5μm。第一间距L1越小，第一载流子层22的漏电面积越小，进一步降低显示面板的功耗，提高显示面板的可靠性。

第一载流子层22包括位于像素定义层3背离阵列基板1一侧的空穴注入层(HoleInject Layer，HIL)221和位于空穴注入层221的背离第一电极211一侧的空穴传输层(HoleTransport Layer，HTL)223，至少空穴注入层221设置有多个断裂部，且断裂部位于至少部分像素开口31之间。

作为一种可选的实施方式，如图1和图2所示，断裂部包括位于空穴注入层221上的第一断裂部222，像素开口31包括靠近阵列基板1一侧的第一开口和远离阵列基板1一侧的第二开口，每个第一断裂部222在阵列基板1上的正投影围绕至少一个第一开口设置。空穴注入层221在像素开口31内连续成膜，第一断裂部222在阵列基板1上的正投影与第一开口在阵列基板1上的正投影之间的最小间距为第一间距L1，且满足如下条件：0<L1≤2μm。第一断裂部222可以通过光刻工艺在空穴注入层221上形成，光刻工艺可以控制光刻的精度，确保制作过程不会产生颗粒。

优选地，第一断裂部222在阵列基板1上的正投影与第一开口在阵列基板1上的正投影之间的第一间距L1满足如下所述的条件：0<L1≤0.5μm。由此，可以进一步减小空穴注入层221的漏电面积，有利于降低显示面板的功耗，提高显示面板的可靠性。

作为一种可选的实施方式，如图3和图4所示，断裂部还包括位于空穴传输层223上的第二断裂部224，第二断裂部224在阵列基板1上的正投影位于至少一个第一开口的外围。空穴传输层223在像素开口31内连续成膜，第二断裂部224在阵列基板1上的正投影与第一开口在阵列基板1上的正投影之间的最小间距为第二间距L2，且满足如下条件：0<L2≤2μm。第二断裂部224可以通过光刻工艺在空穴传输层223上形成，光刻工艺可以控制光刻的精度，确保制作过程不会产生颗粒。

优选地，第二断裂部224在阵列基板1上的正投影与第一开口在阵列基板1上的正投影之间的第二间距L2满足如下所述的条件：0<L2≤0.5μm。由此，可以进一步减小空穴传输层223的漏电面积，有利于降低显示面板的功耗，提高显示面板的可靠性。

可选地，第一断裂部222在像素定义层3上的正投影与第二断裂部224在像素定义层3上的正投影至少部分重叠设置，如图4所示。

可选地，第一断裂部222在像素定义层3上的正投影与第二断裂部224在像素定义层3上的正投影完全重叠设置。在像素定义层3上形成第一载流子层22后，通过光刻工艺或者激光刻蚀工艺一并形成第一断裂部222和第二断裂部224，简化了制备工序。

本实施例中，第一断裂部222和/或第二断裂部224共同将至少部分相邻的发光元件21之间的导电路径被阻断，并且像素开口31内外延的漏电也被阻断，避免电流串扰引起显示画面出现低灰阶色偏问题，提高显示面板的显示效果。另外，通过限制第一断裂部222和/或第二断裂部224在阵列基板1上的正投影与第一开口在阵列基板上的正投影之间的最小间距，可以尽可能地减小第一载流子层22的漏电面积，有利于降低显示面板的功耗，提高显示面板的可靠性。

请一并参阅图5和图6，本发明第三实施例还提供了一种显示面板，其与图1～图5所示的显示面板的结构类似，不同之处在于，像素定义层3还包括本体部，本体部包括背离第一电极211一侧的顶面及朝向像素开口31的侧面，顶面或者侧面设置有朝向阵列基板1凹陷的多个凹槽部32，第一载流子层22与凹槽部32接触的部位填充入凹槽部32，以形成断裂部。

可选地，凹槽部32在阵列基板1上的正投影与第一开口在阵列基板上的正投影之间的最小间距为第三间距L3，且满足如下条件：0<L3≤2μm。进一步可选地，第三间距L3满足如下条件：0<L3≤0.5μm，由此可以进一步减小第一载流子层22的漏电面积，有利于降低显示面板的功耗，提高显示面板的可靠性。

如图6所示，本实施例中的断裂部包括位于空穴注入层221上的第一断裂部222和位于空穴传输层223上的第二断裂部224，第一断裂部222、第二断裂部224和凹槽部32分别在像素定义层3上的正投影相互重叠设置，故第一断裂部222与靠近阵列基板1一侧的像素开口31之间的最小间距为第一间距L1，第二断裂部224与靠近阵列基板1一侧的像素开口31之间的最小间距为第二间距L2，且满足如下条件：0<L1＝L2≤0.5μm。

本实施例中，通过在像素定义层3设置多个凹槽部32，使得第一断裂部222和第二断裂部224共同将至少部分相邻的发光元件21之间的导电路径被阻断，并且像素开口31内外延的漏电也被阻断，避免电流串扰引起显示画面出现低灰阶色偏问题，提高显示面板的显示效果。另外，通过限制凹槽部32在阵列基板上的正投影与第一开口在阵列基板上的正投影之间的第三间距L3，可以尽可能地减小第一载流子层22的漏电面积，有利于降低显示面板的功耗，提高显示面板的可靠性。

可选地，凹槽部32的深度尺寸为

凹槽部32靠近第一开口的壁部与远离第一开口的壁部之间的宽度尺寸为1μm～5μm。进一步可选地，凹槽部32的宽度尺寸为1μm～2μm。第一断裂部222或者第二断裂部224的宽度尺寸与凹槽部32的宽度尺寸相同，从而可以有效阻断至少部分相邻的发光元件21之间的横向漏电。

可选地，凹槽部32的深度尺寸等于第一载流子层22的厚度尺寸。优选地，凹槽部32的深度尺寸等于空穴注入层221的厚度尺寸。由于凹槽部32的深度尺寸刚好被空穴注入层221、第一载流子层22、第一载流子层22以及发光层中的至少一者填充，从而可以保证后续膜层的平整性。例如第二载流子层23和/或第二电极层213连续成膜，凹槽部32的深度尺寸使得第二电极层213不会发生断裂。

作为一种可选的实施方式，像素定义层还包括本体部，本体部包括背离第一电极211一侧的顶面及朝向像素开口31的侧面，顶面和/或侧面设置有朝向远离阵列基板1的一侧凸出的多个凸起部，第一载流子层22在凸起部形成断裂部，且凸起部的厚度与第一载流子层22的厚度相等。优选地，凸起部的厚度尺寸等于空穴注入层221的厚度尺寸。

可选地，凸起部在阵列基板1上的正投影与第一开口在阵列基板上的正投影之间的最小间距为第三间距L3，且满足如下条件：0<L3≤2μm。进一步可选地，第三间距L3满足如下条件：0<L3≤0.5μm，由此可以进一步减小第一载流子层22的漏电面积，有利于降低显示面板的功耗，提高显示面板的可靠性。

可选地，本实施例中的断裂部包括位于空穴注入层221上的第一断裂部222和位于空穴传输层223上的第二断裂部224，第一断裂部222、第二断裂部224和凸起部分别在像素定义层3上的正投影相互重叠设置，故第一断裂部222与靠近阵列基板1一侧的像素开口31之间的最小间距为第一间距L1，第二断裂部224与靠近阵列基板1一侧的像素开口31之间的最小间距为第二间距L2，且满足如下条件：0<L1＝L2≤0.5μm。

本实施例中，通过在像素定义层3设置多个凸起部，使得第一断裂部222和第二断裂部224共同将至少部分相邻的发光元件21之间的导电路径被阻断，并且像素开口31内外延的漏电也被阻断，避免电流串扰引起显示画面出现低灰阶色偏问题，提高显示面板的显示效果。另外，通过限制凸起部在阵列基板上的正投影与第一开口在阵列基板上的正投影之间的第三间距L3，可以尽可能地减小第一载流子层22的漏电面积，有利于降低显示面板的功耗，提高显示面板的可靠性。

图7是根据本发明一种实施例提供的显示面板的制备方法的流程图。

参阅图7，本发明实施例还提供了一种显示面板的制备方法，适用于图1～图4所示的显示面板，包括如下步骤：

步骤S1：提供阵列基板1。形成阵列基板1的步骤可以包括在衬底上形成驱动阵列层。其中，衬底可以采用玻璃、PI等材料制成，可以为硬屏或者柔性屏。驱动阵列层可以包括阵列排布的多个像素驱动电路。可选地，在阵列基板1上形成多个第一电极211。

步骤S2：在阵列基板1上形成像素定义层3，像素定义层3包括阵列分布的多个像素开口31，像素开口31包括靠近阵列基板1一侧的第一开口和远离阵列基板1一侧的第二开口，每个第一开口暴露对应一个第一电极211。

步骤S3：在像素定义层3背离阵列基板1的一侧形成第一载流子层22，通过光刻工艺或者激光刻蚀工艺在第一载流子层22上形成多个断裂部，断裂部在阵列基板1上的正投影与第一开口在阵列基板1上的正投影之间的最小间距为第一间距L1，且满足如下条件：0<L1≤2μm。

进一步可选地，断裂部在阵列基板1上的正投影与第一开口在阵列基板1上的正投影之间的最小间距为第一间距L1满足如下所述的条件：0<L1≤0.5μm。第一间距L1越小，第一载流子层22的漏电面积越小，有利于降低显示面板的功耗，提高显示面板的可靠性。

第一载流子层22包括空穴注入层221和空穴传输层223，至少空穴注入层221设置有多个断裂部。优选地，多个断裂部在阵列基板1上的正投影围绕至少一个第一开口的外围设置。

实际制备时，在蒸镀腔室使用通用掩膜版蒸镀第一载流子层22，然后使用激光对准每个发光元件21进行照射，使第一载流子层22断裂。再使用精细掩膜版分别蒸镀R/G/B发光元件的光学补偿层和发光层，光学补偿层用于填充断裂部，使得该至少一个像素开口31对应的发光元件21与相邻的发光元件21之间的导电路径被阻断。

在一些实施例中，本发明实施例提供的一种显示面板的制备方法还包括：

步骤S4：在第一载流子层22背离阵列基板1的一侧依次形成发光层212、第二载流子层23以及第二电极层213，得到与像素开口31一一对应的多个发光元件21。多个发光元件21阵列排布，以形成发光元件层。其中，第一电极211为发光元件21的阳极层，第二电极层213为多个发光元件21的公共阴极层。采用通用掩膜版蒸镀发光层212、第二载流子层23以及第二电极层213等其它有机层。

在一些实施例中，显示面板的制备方法还包括步骤S5和步骤S6。其中，在步骤S5中，在发光元件层的背离阵列基板1的一侧形成封装层。在步骤S6中，在封装层背离阵列基板1的一侧形成保护层。

图8是根据本发明另一种实施例提供的显示面板的制备方法流程图。该显示面板的制备方法适用于图5～图6所示的显示面板，该制备方法包括如下步骤：

步骤R1：提供阵列基板1。形成阵列基板1的步骤可以包括在衬底上形成驱动阵列层。其中，衬底可以采用玻璃、PI等材料制成，可以为硬屏或者柔性屏。驱动阵列层可以包括阵列排布的多个像素驱动电路。可选地，在阵列基板1上形成多个第一电极211。

步骤R2：在阵列基板1上形成图案化的像素定义层3，像素定义层3包括阵列分布的多个像素开口31和本体部，像素开口包括靠近阵列基板一侧的第一开口以及远离阵列基板一侧的第二开口，本体部包括背离第一电极211一侧的顶面及朝向像素开口31的侧面，顶面和/或侧面设置有朝向阵列基板1凹陷的多个凹槽部32或者朝向远离阵列基板1的一侧凸出的多个凸起部，凹槽部32或者凸起部在阵列基板1上的正投影与第一开口在阵列基板1上的正投影之间的最小间距为第三间距，且满足如下条件：0<L3≤2μm。

优选地，凹槽部32的深度尺寸或者凸起部的厚度尺寸等于空穴注入层221的厚度尺寸。每个第一开口暴露对应一个第一电极211。

实际制备过程中，采用光刻工艺在阵列基板1上制备图形化的像素定义层3，以形成多个像素开口31和多个凹槽部32。

步骤R3：在像素定义层3背离阵列基板1的一侧形成第一载流子层22，第一载流子层22在凹槽部32或者凸起部形成断裂部。

进一步可选地，凹槽部32或者凸起部在阵列基板1上的正投影与第一开口在阵列基板1上的正投影之间的最小间距为第三间距L3，且满足如下条件：0<L3≤0.5μm。

由于第一断裂部222、第二断裂部224和凹槽部32或者凸起部分别在像素定义层3上的正投影相互重叠设置，即第一断裂部222与像素开口31之间的最小间距为第一间距L1，第二断裂部224与像素开口31之间的最小间距为第二间距L2，且满足如下条件：0<L1≤0.5μm；0<L2≤0.5μm。

实际制备时，将阵列基板1经过清洗处理后进入蒸镀腔室蒸镀有机膜层。由于像素定义层3上存在的凹槽部32或者凸起部，第一载流子层22的空穴注入层221和空穴传输层223分别蒸镀后在此处断裂，使得该至少一个像素开口31对应的发光元件21与相邻的发光元件21之间的导电路径被阻断。

在一些实施例中，显示面板的制备方法还包括：

步骤R4：在第一载流子层22背离阵列基板1的一侧依次形成发光层212、第二载流子层23以及第二电极层213，得到与像素开口31一一对应的多个发光元件21。

在第一载流子层22背离阵列基板1的一侧依次蒸镀发光层212、第二载流子层23等其它有机膜层，最后蒸镀第二电极层213，即发光元件21的金属阴极层，金属阴极层连续成膜，不会发生断裂。

在一些实施例中，显示面板的制备方法还包括步骤R5和步骤R6。其中，在步骤R5中，在发光元件层的背离阵列基板1的一侧形成封装层。在步骤R6中，在封装层背离阵列基板1的一侧形成保护层。

另外，本发明实施例还提供一种电子设备，包括如上所述的任一种显示面板。本发明实施例中的电子设备包括但不限于手机、个人数字助理(Personal Digital Assistant，简称：PDA)、平板电脑、电纸书、电视机、门禁、智能固定电话、控制台等具有显示功能的设备。

本发明可以以其他的具体形式实现，而不脱离其精神和本质特征。例如，特定实施例中所描述的算法可以被修改，而系统体系结构并不脱离本发明的基本精神。因此，当前的实施例在所有方面都被看作是示例性的而非限定性的，本发明的范围由所附权利要求而非上述描述定义，并且，落入权利要求的含义和等同物的范围内的全部改变从而都被包括在本发明的范围之中。

Claims (10)

1.一种显示面板，包括：

阵列基板；

像素定义层，位于所述阵列基板上，所述像素定义层包括阵列分布的多个像素开口，所述像素开口包括靠近所述阵列基板一侧的第一开口和远离所述阵列基板一侧的第二开口；

第一载流子层，设置于所述像素定义层背离所述阵列基板的一侧，所述第一载流子层上设置有多个断裂部，所述断裂部在所述阵列基板上的正投影与所述第一开口在所述阵列基板上的正投影之间的最小间距为第一间距L1，且满足如下条件：0<L1≤2μm。

2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第一间距L1为所述断裂部靠近所述第一开口的壁部在所述阵列基板上的正投影与所述第一开口靠近所述断裂部的壁部在所述阵列基板上的正投影之间的间距；

优选地，所述第一间距L1满足如下条件：0<L1≤0.5μm。

3.根据权利要求1或2所述的显示面板，其特征在于，所述第一载流子层包括空穴注入层和空穴传输层，至少所述空穴注入层设置有多个所述断裂部；

优选地，每个所述断裂部在所述阵列基板上的正投影围绕至少一个所述第一开口的外围设置。

4.根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于，所述断裂部包括位于所述空穴注入层上的第一断裂部和位于所述空穴传输层上的第二断裂部，所述第一断裂部在所述像素定义层上的正投影与所述第二断裂部在所述像素定义层上的正投影至少部分重叠设置。

5.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述像素定义层还包括本体部，所述本体部包括背离所述第一电极一侧的顶面及朝向所述像素开口的侧面，所述顶面和/或所述侧面设置有朝向所述阵列基板凹陷的多个凹槽部，所述第一载流子层与所述凹槽部接触的部位填充入所述凹槽部，以形成所述断裂部。

6.根据权利要求5所述的显示面板，其特征在于，所述凹槽部在所述阵列基板上的正投影与所述第一开口在所述阵列基板上的正投影之间的最小间距为第三间距L3，且满足如下条件：0<L3≤2μm。

7.根据权利要求5所述的显示面板，其特征在于，所述凹槽部的深度尺寸为

所述凹槽部靠近所述第一开口的壁部与远离所述第一开口的壁部之间的宽度尺寸为1μm～5μm；

所述第一载流子层包括空穴注入层，优选地，所述凹槽部的深度尺寸等于所述空穴注入层的厚度尺寸。

8.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述像素定义层还包括本体部，所述本体部包括背离所述第一电极一侧的顶面及朝向所述像素开口的侧面，所述顶面和/或所述侧面设置有朝向远离所述阵列基板的一侧凸出的多个凸起部，所述第一载流子层在所述凸起部形成所述断裂部，且所述凸起部的厚度与所述第一载流子层的厚度相等；

优选地，所述凸起部的厚度尺寸等于所述空穴注入层的厚度尺寸。

9.一种显示面板的制备方法，其特征在于，包括：

提供阵列基板；

在所述阵列基板上形成像素定义层，所述像素定义层包括阵列分布的多个像素开口，所述像素开口包括靠近所述阵列基板一侧的第一开口和远离所述阵列基板一侧的第二开口；

在所述像素定义层背离所述阵列基板的一侧形成第一载流子层，通过光刻工艺或者激光刻蚀工艺在所述第一载流子层上形成多个断裂部，所述断裂部在所述阵列基板上的正投影与所述第一开口在所述阵列基板上的正投影之间的最小间距为第一间距L1，且满足如下条件：0<L1≤2μm。

10.一种显示面板的制备方法，其特征在于，包括：

提供阵列基板；

在所述阵列基板上形成图案化的像素定义层，所述像素定义层包括阵列分布的多个像素开口和本体部，所述像素开口包括靠近所述阵列基板一侧的第一开口和远离所述阵列基板一侧的第二开口，所述本体部包括背离所述第一电极一侧的顶面及朝向所述像素开口的侧面，所述顶面和/或所述侧面设置有朝向阵列基板凹陷的多个凹槽部或者朝向远离所述阵列基板的一侧凸出的多个凸起部，所述凹槽部或者所述凸起部在所述阵列基板上的正投影与所述第一开口在所述阵列基板上的正投影之间的最小间距为第三间距L3，且满足如下条件：0<L3≤2μm；所述第一载流子层包括空穴注入层，优选地，所述凹槽部的深度尺寸或者所述凸起部的厚度尺寸等于所述空穴注入层的厚度尺寸；

在所述像素定义层背离所述阵列基板的一侧形成第一载流子层，所述第一载流子层在所述凹槽部或者所述凸起部形成断裂部。

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