CN113097414A - Oled显示面板及其制备方法、显示装置 - Google Patents
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Abstract
本申请公开了一种OLED显示面板及其制备方法、显示装置,所述OLED显示面板包括衬底基板、多个第一电极、像素定义层以及多个像素单元,每个像素单元均包括多个不同颜色的子像素单元且相邻的所述子像素单元之间由所述像素定义层间隔开;其中每个不同颜色的所述子像素单元的形状以及体积均相同;不同颜色的所述子像素单元对应的所述第一电极的面积不同。使得OLED在打印时需求的液滴大小一致,提高了显示面板显示的均一性,避免了产生色偏。并且可以通过控制所述第一电极的面积来控制所述子像素单元的发光面积,使得不同颜色的子像素单元在满足发光面积比例的同时,还符合寿命比例,也利于增大视角。
Description
技术领域
本申请涉及显示面板的技术领域,特别是涉及一种OLED显示面板及其制备方法,以及应用所述OLED显示面板的显示装置。
背景技术
随着AMOLED(Active-Matrix Organic Light-Emitting Diode,有源矩阵有机发光二极体)显示技术的蓬勃发展,AMOLED开始大量应用在手持终端及大尺寸显示中,采用真RGB自发光的彩色OLED显示屏幕成为目前最具吸引力的开发及市场宠儿;针对部分手持终端及大尺寸显示产品,广视角宽色域高色彩准确度的显示特性成为基本的要求,其中以大尺寸显示对广视角宽色域高色彩准确度高对比度需求最为强烈。
由于OLED显示器件需求形成谐振增强即相干增强的微腔以提高出光效率,一般OLED器件针对RGB三色像素采用不同的微腔光程设计以形成对应波长的谐振增强微腔;此外,由于RGB三色的发光效率和寿命的不同,通常使用不等面积的RGB显示面积OLED版图设计,一般蓝色子像素较红绿两色像素面积更大;实际生产中,尤其是采用目前应用最为广泛的蒸镀方法制备OLED器件时,为保证蒸镀材料的准确线性和图案限定,在TFT阵列阳极表面采用PI制备一层PDL(像素定义层),以保证不发生混色,从而综合上述三种版图及工艺设计实现垂直观察屏幕时色彩准确和色域宽广。
在实际使用时,用户一般在屏幕正向成一定角度使用屏幕,对于该种有倾角的显示方向,相对于人眼光线射出的路径受到所述像素定义层遮挡的影响,遮挡作用、像素周长以及面积的比值呈现正相关。如图1所示,在现有技术的显示面板的像素单元中,由于各种不同颜色的色块的发光效率不同,因此各色块的面积一般要设置得不同。例如,所述蓝色色块(BLUE)的发光效率是最低的,所以所述蓝色色块(BLUE)的面积最大。由于所述蓝色色块(BLUE)较其他颜色色块(RED、GREEN)的面积大较多,从而使得观看倾斜的屏幕时,随着视角的逐渐增大至接近90°,观测到的图像逐渐偏蓝绿色。因此,针对现有技术中存在的上述缺陷,急需改进。
发明内容
本申请涉及一种显示面板及其制备方法,用于解决现有技术中由于各种颜色的子像素单元的面积不同,进而导致大视角观看显示面板时不同面积的发光层被像素定义层遮挡的区域不同,进而造成色偏,影响显示面板的显示质量的问题。
为了解决上述问题,本申请提供一种OLED显示面板,包括:衬底基板;多个第一电极,设置于所述衬底基板上;像素定义层,设置于所述衬底基板的一侧,且围绕每个所述第一电极设置;以及,多个像素单元,设置于对应的所述第一电极的远离所述衬底基板的一侧,每个像素单元均包括多个不同颜色的子像素单元且相邻的所述子像素单元之间由所述像素定义层间隔开;其中,每个不同颜色的所述子像素单元的形状以及体积均相同;不同颜色的所述子像素单元对应的所述第一电极的面积不同。
可选的,在本申请的一些实施例中,每个不同颜色的所述子像素单元均包括:空穴传输层,设置于所述第一电极上且覆盖所述第一电极;发光层,设置于所述空穴传输层远离所述第一电极的一侧;电子传输层,设置于所述发光层远离所述空穴传输层的一侧;以及,第二电极,设置于所述电子传输层远离所述发光层的一侧;其中,每个不同颜色的所述子像素单元的所述发光层的形状以及体积均相同。
可选的,在本申请的一些实施例中,所述像素定义层的高度大于所述第二电极的高度。
可选的,在本申请的一些实施例中,所述衬底基板包括:第一基板;缓冲层,设置于所述第一基板上;有源层,设置于所述缓冲层远离所述第一基板的一侧;绝缘层,覆盖所述有源层以及所述缓冲层;栅极,设置于所述绝缘层上并且对应所述有源层;刻蚀阻挡层,覆盖所述栅极以及所述绝缘层;源极和漏极,设置于所述刻蚀阻挡层远上,并且贯穿所述刻蚀阻挡层以及所述绝缘层与所述有源层连接;平坦层,覆盖所述源极、漏极以及所述刻蚀阻挡层;其中,所述第一电极贯穿所述平坦层与所述源极或漏极连接。
可选的,在本申请的一些实施例中,所述OLED显示面板还包括:衬垫料层,设置于所述像素定义层上;封装层,覆盖所述衬底基板、所述像素定义层、所述多个像素单元以及所述衬垫料层。
可选的,在本申请的一些实施例中,每个所述像素单元均包括多个红色子像素单元、多个绿色子像素单元以及多个蓝色子像素单元;其中,所述红色子像素单元、所述绿色子像素单元、以及所述蓝色子像素单元的形状以及体积均相同且对应的所述第一电极的面积不同。
可选的,在本申请的一些实施例中,在每个所述像素单元中,所述蓝色子像素单元的数量大于所述红色子像素单元的数量,所述蓝色子像素单元的数量大于所述绿色子像素单元的数量。
相应地,本申请还提供一种上述实施例中的所述显示面板的制备方法包括以下步骤:S10,提供衬底基板;S20,在所述衬底基板上形成多个第一电极;S30,在所述衬底基板上围绕每个所述第一电极形成像素定义层;以及S40,制备多个像素单元于对应的所述第一电极上,其中每个像素单元均包括多个不同颜色的子像素单元且相邻的所述子像素单元之间由所述像素定义层间隔开,其中每个不同颜色的所述子像素单元的形状以及体积均相同,以及不同颜色的所述子像素单元对应的所述第一电极的面积不同。
可选的,在本申请的一些实施例中,所述显示面板的制备方法还包括步骤:S50,沉积封装层,以覆盖所述衬底基板、所述像素定义层、以及所述多个像素单元。
相应地,本申请还提供一种显示装置,包括上述实施例中任一项所述的OLED显示面板。
相较于现有技术,本申请OLED显示面板通过自所述衬底基板上设置有形状以及体积均相同的子像素单元,与此同时,所述子像素单元之间的所述像素定义层的高度和宽度均相等,使得OLED在打印时需求的液滴大小一致,因此,在大尺寸观看显示面板时,不同颜色的所述子像素单元的所述发光层被所述像素定义层遮挡的区域的面积和角度均相同,提高了显示面板显示的均一性,避免产生色偏。
此外,本申请OLED显示面板通过让不同颜色的所述子像素单元对应的所述第一电极的面积不同。而所述第一电极的面积为所述子像素单元的实际发光面积大小,在打印液滴大小一致的情况下,不同颜色的所述子像素单元的发光寿命不同,可以通过控制所述第一电极的面积来控制所述子像素单元的发光面积,使得不同颜色的子像素单元在满足发光面积比例的同时,还符合寿命比例,也利于增大视角。
附图说明
下面结合附图,通过对本申请的具体实施方式详细描述,将使本申请的技术方案及其它有益效果显而易见。
图1为目前OLED显示面板的像素单元放大结构示意图。
图2为本申请实施例提供的OLED显示面板的像素单元放大结构示意图。
图3为本申请实施例提供的OLED显示面板的子像素单元放大结构示意图。
图4为本申请实施例提供的OLED显示面板的结构示意图。
图5为本申请实施例提供的子像素单元形状分布结构示意图。
图6为本申请实施例提供的子像素单元形状分布结构示意图。
图7为本申请实施例提供的OLED显示面板制备方法的流程示意图。
上述附图中的主要附图标记说明如下:
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图,对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然,所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例,本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本申请保护的范围。
本申请提供一种OLED显示面板,具体参阅图2至图5。
参阅图2,图2为本申请实施例提供的OLED显示面板的像素单元放大结构示意图。本申请OLED显示面板包括衬底基板100、多个第一电极300、像素定义层210、以及多个像素单元200(标号见图5)。
所述第一电极300设置于所述衬底基板100上。所述像素定义层210设置于所述衬底基板100的一侧,且围绕每个所述第一电极300设置。所述像素单元200(标号见图5)设置于对应的所述第一电极300的远离所述衬底基板100的一侧,每个像素单元200均包括多个不同颜色的子像素单元201且相邻的所述子像素单元201之间由像素定义层210间隔开;其中,每个不同颜色的所述子像素单元201的形状以及体积均相同;不同颜色的所述子像素单元201对应的所述第一电极300的面积不同。通过以上设计布局,就算在大视角观看时,每个所述子像素单元201被所述像素定义层210所遮挡的区域和角度均是相同的,不容易产生色偏现象。
本领域技术人员可以理解的是,所述子像素单元201实质上有多个不同颜色,每个不同颜色的所述子像素单元201的形状以及体积均相同,具体指的是,任意一个所述子像素单元201的总体积以及表面积均相等,即在制备所述子像素单元201时,所述子像素单元201的实际液滴大小完全相同,提高了显示面板显示的均一性。需要注意的是,在本申请中的所述子像素单元201,可以指代任意颜色的子像素单元。
请参阅图3,图3为本申请实施例提供的OLED显示面板的子像素单元放大结构示意图。在本申请中,不同颜色的所述子像素单元201对应的所述第一电极300的面积不同。而所述第一电极300的面积为所述子像素单元201的实际发光面积大小,在所述子像素单元201的实际液滴大小完全相同的情况下,不同颜色的所述子像素单元201的发光寿命不同,可以通过控制所述第一电极300的面积来控制所述子像素单元201的实际发光面积,使得不同颜色的子像素单元201在满足发光面积比例的同时,还符合寿命比例,也利于增大视角。需要注意的是,所述第一电极300的面积实际上指的是:所述第一电极300与所述子像素单元201在所述衬底基板100上的正投影的重合面积。
在本申请的一些实施例中,每个不同颜色的所述子像素单元201均包括空穴传输层220,设置于所述第一电极300上且覆盖所述第一电极300;发光层230,设置于所述空穴传输层220远离所述第一电极300的一侧;电子传输层240,设置于所述发光层230远离所述空穴传输层220的一侧;以及,第二电极250,设置于所述电子传输层240远离所述发光层230的一侧;其中,每个不同颜色的所述子像素单元201的所述发光层230的形状以及体积均相同。本领域技术人员可以理解的是,在本实施例中,除了所述发光层230的形状以及体积均相同,对其他膜层并不做限定,也就是说,为了达到每个不同颜色的所述子像素单元201的形状以及体积均相同这一条件,所述空穴传输层220、所述电子传输层240以及所述第二电极250的体积可以进行调节以达到平衡。例如:当其中一种颜色的所述子像素单元201的所述空穴传输层220的厚度增加,为了达到该种颜色的所述子像素单元201的形状以及体积均相同这一条件,可以适当减小该种颜色的所述子像素单元201的所述电子传输层240的厚度,但不限于此。
在本申请的一些实施例中,所述第一电极300为阳极,所述第二电极250为阴极,所述第一电极300包括两个第一导电层,以及夹设于两个第一导电层之间的第二导电层,其中,第一导电层为金属氧化物层,第二导电层为金属层,所述第二电极250为金属层。优选地,第一导电层的材料为氧化铟锡(Indium Tin Oxides,ITO),第二导电层的材料为银(Ag),所述第二电极250的材料为包括镁(Mg)与银中的一种或两种。所述空穴传输层220、所述发光层230以及所述电子传输层240的材料为本领域常规材料即可,本申请不再赘述。
在本申请的一些实施例中,所述像素定义层210的高度大于所述第二电极250的高度(所述像素定义层210的高度为所述像素定义层210与所述衬底基板100之间的最远垂直距离;所述第二电极250的高度为所述第二电极250与所述衬底基板100之间的最远垂直距离)。本领域技术人员可以理解的是,所述像素定义层210隔开的所述区域分别设置有所述子像素单元201,即所述像素定义层210的高度大于所述子像素单元201的高度(所述子像素单元201的高度为所述子像素单元201与所述衬底基板100之间的最远垂直距离)。
在本申请的一些实施例中,所述OLED显示面板还包括:衬垫料层260,设置于所述像素定义层210上;封装层270,覆盖所述衬底基板100、所述像素定义层210、所述多个像素单元200以及所述衬垫料层260。所述衬垫料层260的作用是防止蒸镀制程中的掩膜版刮伤膜层,其形状无特定需求,优选形状可以是圆柱状或是矩形柱状等。所述封装层270用于隔绝外界的水氧等,防止外界的水氧对内部膜层的侵蚀。所述封装层270采用折射率大、吸光系数小的材料制备,从而能够提高顶发射OLED器件的出光。
请参阅图4,图4为本申请实施例提供的OLED显示面板的结构示意图。在本申请中,所述衬底基板100包括:第一基板110;缓冲层120,设置于所述第一基板110上;有源层130,设置于所述缓冲层120远离所述第一基板110的一侧;绝缘层140,覆盖所述有源层130以及所述缓冲层120;栅极150,设置于所述绝缘层140上并且对应所述有源层130;刻蚀阻挡层160,覆盖所述栅极150以及所述绝缘层140;源极170和漏极180,设置于所述刻蚀阻挡层160远上,并且贯穿所述刻蚀阻挡层160以及所述绝缘层140与所述有源层130连接;平坦层190,覆盖所述源极170、漏极180以及所述刻蚀阻挡层160;其中,所述第一电极300贯穿所述平坦层190与所述源极170或漏极180连接。本申请所述衬底基板100还可以是其他结构的基板,并不以图4为限定。所述栅极150、所述源极170与所述漏极180的材料为铝(Al)、铜(Cu)、钼(Mo)、钛(Ti)中的一种或多种,所述有源层130的材料为非晶硅、多晶硅与金属氧化物中的一种,所述缓冲层120、所述绝缘层140与所述平坦层190的材料为有机材料或者无机材料,例如氧化硅(SiO2)或者氮化硅(SixNy)。所述源极170与所述漏极180分别通过通孔电性连接所述有源层130。
请结合参阅图2、图5以及图6,图5以及图6均为本申请实施例提供的子像素单元形状分布结构示意图。在本申请的一些实施例中,所述子像素单元201包括红色子像素单元2011、绿色子像素单元2012以及蓝色子像素单元2013;多个所述红色子像素单元2011、多个所述绿色子像素单元2012以及多个所述蓝色子像素单元2013共同组成一个像素单元200。也就是说,每一像素单元200均包括多个所述子像素单元201,每一所述子像素单元201包括多个所述红色子像素单元2011、多个所述绿色子像素单元2012以及多个所述蓝色子像素单元2013。更清楚的讲,本申请是将每个所述像素单元200内的所述红色子像素单元2011、所述绿色子像素单元2012以及所述蓝色子像素单元2013分别分割成多个形状体积相同的子像素单元201,使得每个不同颜色的所述子像素单元201的形状以及体积均相同,避免了由于各个所述子像素单元201的体积不同,使得显示面板在大视角观看时,部分所述子像素单元201被所述像素定义层210遮挡,进而产生色偏的问题。
进一步地,不同的像素单元200中具有相同数量和相同颜色配比的子像素单元201,从而保证了全部像素单元的均一性。但在每个像素单元200中,所述蓝色子像素单元2013的数量大于所述红色子像素单元2011的数量,也大于所述绿色子像素单元2012的数量。由于各种不同颜色的所述子像素单元201的发光效率不同,因此,各种不同颜色的所述子像素单元201的形状以及体积一般设置得不同;在本申请中,由于所述子像素单元201的形状以及体积均相同,因此,发光效率越低的所述子像素单元201的数量最多,本领域技术人员可以理解的是,所述蓝色子像素单元2013的发光效率是最低的,因此,当所述子像素单元201的形状以及体积均相同时,所述蓝色子像素单元2013的数量最多,所述红色子像素单元2011和所述绿色子像素单元2012的数量次之,从而保证在所述像素单元200内,多个不同颜色的所述子像素单元201之间的发光达到平衡状态,从而显色均匀。例如:在一所述子像素单元201内,所述红色子像素单元2011的数量为2个,所述绿色子像素单元2012的数量为3个,所述蓝色子像素单元2013的数量为4个,但不限于此。
本领域技术人员可以理解的是,所述红色子像素单元2011、所述绿色子像素单元2012和所述蓝色子像素单元2013在所述子像素单元201内的排列分布情况并不仅限于图5以及图6所示,还可以是其他情况,具体地,可以根据实际情况自由搭配,本申请不再赘述。
由于不同颜色的所述子像素单元201对应的所述第一电极300的面积不同,而所述第一电极300的面积为所述子像素单元201的实际发光面积大小,在所述子像素单元201的实际液滴大小完全相同的情况下,不同颜色的所述子像素单元201的发光寿命不同,可以通过控制所述第一电极300的面积来控制所述子像素单元201的发光面积,使得不同颜色的子像素单元201在满足发光面积比例的同时,还符合寿命比例,也利于增大视角。因此,在本申请的一些实施例中,所述红色子像素单元2011、所述绿色子像素单元2012以及所述蓝色子像素单元2013分别对应的所述第一电极300的面积可以根据实际需要进行适当的调整,例如:所述红色子像素单元2011、所述绿色子像素单元2012以及所述蓝色子像素单元2013分别对应的所述第一电极300的面积的比例为2:3:4、3:4:5或4:3:1;所述红色子像素单元2011对应的所述第一电极300的面积大于所述绿色子像素单元2012对应的所述第一电极300的面积,所述绿色子像素单元2012对应的所述第一电极300的面积大于所述蓝色子像素单元2013对应的所述第一电极300的面积;具体地,所述红色子像素单元2011、所述绿色子像素单元2012以及所述蓝色子像素单元2013分别对应的所述第一电极300的面积的实际比例或大小关系并不仅限于此。
在本申请的一些实施例中,隔开各个所述子像素单元201的所述像素定义层210的高度以及宽度均相同。即为了进一步保证所述OLED显示面板大视角显示时产生色偏,还可以进一步对设置在每个所述子像素单元201四周的所述像素定义层210的高度和宽度进行统一,使得大视角观看时,每个所述子像素单元201被所述像素定义层210遮挡的区域相等,面积相同。
在本申请的一些实施例中,每个所述子像素单元201在所述衬底基板100上的正投影的形状为:圆形或是矩形。如图5所示,所述红色子像素单元2011、所述绿色子像素单元2012以及所述蓝色子像素单元2013分别在所述衬底基板100上的正投影的形状均为矩形,如图6所示,所述红色子像素单元2011、所述绿色子像素单元2012以及所述蓝色子像素单元2013分别在所述衬底基板100上的正投影的形状均为圆形。本领域技术人员可以理解的是,所述子像素单元201在所述衬底基板100上的正投影的形状还可以是其他形状,例如:菱形、三角形、半圆形、平行四边形以及梯形等几何图形,但并不限于此。每个所述子像素单元201的横切面形状为:矩形或是梯形。
参阅图7,图7为本申请实施例提供的OLED显示面板制备方法的流程示意图。本申请还提供一种所述OLED显示面板的制备方法,该方法包括以下步骤:
S10,提供衬底基板100;其中,如图4所示,在本实施例中,所述衬底基板100包括:第一基板110、缓冲层120、有源层130、绝缘层140、栅极150、刻蚀阻挡层160、源极170、漏极180、以及平坦层190;其中所述缓冲层120设置于所述第一基板110上;所述有源层130设置于所述缓冲层120远离所述第一基板110的一侧;所述绝缘层140覆盖所述有源层130以及所述缓冲层120;所述栅极150设置于所述绝缘层140上并且对应所述有源层130;所述刻蚀阻挡层160覆盖所述栅极150以及所述绝缘层140;所述源极170和漏极180设置于所述刻蚀阻挡层160远上,并且贯穿所述刻蚀阻挡层160以及所述绝缘层140与所述有源层130连接;所述平坦层190覆盖所述源极170、所述漏极180以及所述刻蚀阻挡层160;其中,所述第一电极300贯穿所述平坦层190与所述源极170或漏极180连接。在本实施例中,所述第一基板110为包括但不限于玻璃基板、金属基板、玻璃和有机层组成的基板、有机层等基板材料;
S20,在所述衬底基板100上形成多个第一电极300;
S30,在所述衬底基板100上围绕每个所述第一电极300形成像素定义层210;以及
S40,制备多个像素单元200于对应的所述第一电极300上,其中每个像素单元200均包括多个不同颜色的子像素单元201且相邻的所述子像素单元201之间由所述像素定义层210间隔开;其中,每个不同颜色的所述子像素单元201的形状以及体积均相同,以及不同颜色的所述子像素单元201对应的所述第一电极300的面积不同,通过此设计,减小所述OLED显示面板在大视角显示时产生色偏现象。
本申请OLED显示面板的制备方法还包括以下步骤:
S50,沉积一封装层270,以覆盖所述衬底基板100、所述像素定义层210、以及所述多个像素单元200。
在本实施例中,在所述步骤S30中,在所述像素定义层210上还形成衬垫料层260。在所述步骤S50中,所述沉积封装层270还覆盖所述衬垫料层260。
本申请的一些实施例中,将每个所述像素单元200分成若干个形状大小相同的子像素单元201,并保证每个所述子像素单元201四周的像素定义层210的高度以及宽度均相同,不同颜色的所述子像素单元201对应的所述第一电极300的面积不同;进一步地限定所述子像素单元201四周的所述像素定义层210的高度和厚度,以及限定了不同颜色的所述子像素单元201的发光面积,更进一步减小了所述OLED显示面板在大视角显示时产生色偏的可能。
在本申请的一些实施例中,所述衬底基板100的制备采用低温多晶硅(LowTemperature Poly-silicon,LTPS)方法或是氧化铟镓锌(Indium Gallium Zinc Oxide,IGZO)。LTPS是指的低温多晶硅,导电沟道采用的是P-Si,是新一代薄膜晶体管液晶显示器(TFT-LCD)的制造流程,与传统非晶硅显示器最大差异在于LTPS反应速度较快,且有高亮度、高分辨率与低耗电量等优点。IGZO指的是TFT中的导电沟道用的IGZO,是一种LCD薄膜晶体管显示器技术,IGZO技术可提高面板分辨率同时又降低成本,但IGZO面板对光、水以及氧都相当敏感,耐用度上只能用做民间消费品,不能用于高可靠度的军用或工业环境。IGZO与非晶硅相比能够缩小晶体管尺寸,提高液晶面板画素的开口率,较易实现分辨率高出一倍,电子迁移率快十倍。
在本申请的一些实施例中,所述OLED显示面板的制备采用蒸镀或是打印的方法。
本申请还提供一种显示装置,包括上述任一实施例中所述的OLED显示面板。所述显示装置可以是手机、电脑、平板、车载显示屏、手表以及其他任意具有显示功能的电子设备,本申请不再赘述。
综上,本申请公开了一种OLED显示面板,所述衬底基板100上设置有多个所述像素单元200,每个所述像素单元200内包括若干个子像素单元201,每个所述子像素单元201的形状以及体积均相同,与此同时,所述子像素单元201之间的所述像素定义层210的高度和宽度均相等,使得OLED在打印时需求的液滴大小一致,因此,在大尺寸观看显示面板时,不同颜色的所述子像素单元201的所述发光层230被所述像素定义层210遮挡的区域的面积和角度均相同,提高了显示面板显示的均一性,避免了产生色偏。
并且,不同颜色的所述子像素单元201对应的所述第一电极300的面积不同。而所述第一电极300的面积为所述子像素单元201的实际发光面积大小,在打印液滴大小一致的情况下,不同颜色的所述子像素单元201的发光寿命不同,可以通过控制所述第一电极300的面积来控制所述子像素单元201的发光面积,使得不同颜色的子像素单元201在满足发光面积比例的同时,还符合寿命比例,也利于增大视角。
在上述实施例中,对各个实施例的描述都各有侧重,某个实施例中没有详述的部分,可以参见其他实施例的相关描述。
以上对本申请实施例所提供的OLED显示面板及其制备方法、显示装置进行了详细介绍,本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述,以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的技术方案及其核心思想;本领域的普通技术人员应当理解:其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改,或者对其中部分技术特征进行等同替换;而这些修改或者替换,并不使相应技术方案的本质脱离本申请各实施例的技术方案的范围。
Claims (10)
1.一种OLED显示面板,其特征在于,包括:
衬底基板;
多个第一电极,设置于所述衬底基板上;
像素定义层,设置于所述衬底基板的一侧,且围绕每个所述第一电极设置;以及,
多个像素单元,设置于对应的所述第一电极的远离所述衬底基板的一侧,每个像素单元均包括多个不同颜色的子像素单元且相邻的所述子像素单元之间由所述像素定义层间隔开;其中,
每个不同颜色的所述子像素单元的形状以及体积均相同;
不同颜色的所述子像素单元对应的所述第一电极的面积不同。
2.如权利要求1所述的OLED显示面板,其特征在于,每个不同颜色的所述子像素单元均包括:
空穴传输层,设置于所述第一电极上且覆盖所述第一电极;
发光层,设置于所述空穴传输层远离所述第一电极的一侧;
电子传输层,设置于所述发光层远离所述空穴传输层的一侧;以及,
第二电极,设置于所述电子传输层远离所述发光层的一侧;其中,
每个不同颜色的所述子像素单元的所述发光层的形状以及体积均相同。
3.如权利要求2所述的OLED显示面板,其特征在于,所述像素定义层的高度大于所述第二电极的高度。
4.如权利要求1所述的OLED显示面板,其特征在于,所述衬底基板包括:
第一基板;
缓冲层,设置于所述第一基板上;
有源层,设置于所述缓冲层远离所述第一基板的一侧;
绝缘层,覆盖所述有源层以及所述缓冲层;
栅极,设置于所述绝缘层上并且对应所述有源层;
刻蚀阻挡层,覆盖所述栅极以及所述绝缘层;
源极和漏极,设置于所述刻蚀阻挡层远上,并且贯穿所述刻蚀阻挡层以及所述绝缘层与所述有源层连接;
平坦层,覆盖所述源极、漏极以及所述刻蚀阻挡层;
其中,所述第一电极贯穿所述平坦层与所述源极或漏极连接。
5.如权利要求1所述的OLED显示面板,其特征在于,所述OLED显示面板还包括:
衬垫料层,设置于所述像素定义层上;
封装层,覆盖所述衬底基板、所述像素定义层、所述多个像素单元以及所述衬垫料层。
6.如权利要求1所述的OLED显示面板,其特征在于,每个所述像素单元均包括多个红色子像素单元、多个绿色子像素单元以及多个蓝色子像素单元;
其中,所述红色子像素单元、所述绿色子像素单元、以及所述蓝色子像素单元的形状以及体积均相同且对应的所述第一电极的面积不同。
7.如权利要求6所述的OLED显示面板,其特征在于,在每个所述像素单元中,所述蓝色子像素单元的数量大于所述红色子像素单元的数量,所述蓝色子像素单元的数量大于所述绿色子像素单元的数量。
8.一种OLED显示面板的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
S10,提供衬底基板;
S20,在所述衬底基板上形成多个第一电极;
S30,在所述衬底基板上围绕每个所述第一电极形成像素定义层;以及
S40,制备多个像素单元于对应的所述第一电极上,其中每个像素单元均包括多个不同颜色的子像素单元且相邻的所述子像素单元之间由所述像素定义层间隔开,其中每个不同颜色的所述子像素单元的形状以及体积均相同,以及不同颜色的所述子像素单元对应的所述第一电极的面积不同。
9.如权利要求8所述的OLED显示面板的制备方法,其特征在于,还包括步骤:
S50,沉积封装层,以覆盖所述衬底基板、所述像素定义层、以及所述多个像素单元。
10.一种显示装置,其特征在于,包括如权利要求1至7中任一项所述的OLED显示面板。
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN111710698A (zh) * | 2020-06-05 | 2020-09-25 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | Oled显示面板及其制作方法 |
CN116261353A (zh) * | 2022-12-27 | 2023-06-13 | 惠科股份有限公司 | 显示面板及显示装置 |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20070046185A1 (en) * | 2005-08-26 | 2007-03-01 | Kim Byung H | Organic light emitting display and method for fabricating the same |
US20150214284A1 (en) * | 2014-01-28 | 2015-07-30 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light emitting display device and manufacturing method thereof |
CN108573998A (zh) * | 2018-04-19 | 2018-09-25 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板及制造方法、显示装置 |
CN108878496A (zh) * | 2018-07-02 | 2018-11-23 | 京东方科技集团股份有限公司 | 有机发光二极管显示面板及其制造方法、显示装置 |
CN109768180A (zh) * | 2018-12-20 | 2019-05-17 | 华映科技(集团)股份有限公司 | Oled基板、oled基板的制作方法及柔性显示装置 |
CN111710698A (zh) * | 2020-06-05 | 2020-09-25 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | Oled显示面板及其制作方法 |
CN111933670A (zh) * | 2020-08-17 | 2020-11-13 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示基板及其制备方法、显示装置 |
-
2021
- 2021-03-24 CN CN202110314556.8A patent/CN113097414A/zh active Pending
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20070046185A1 (en) * | 2005-08-26 | 2007-03-01 | Kim Byung H | Organic light emitting display and method for fabricating the same |
US20150214284A1 (en) * | 2014-01-28 | 2015-07-30 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light emitting display device and manufacturing method thereof |
CN108573998A (zh) * | 2018-04-19 | 2018-09-25 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板及制造方法、显示装置 |
CN108878496A (zh) * | 2018-07-02 | 2018-11-23 | 京东方科技集团股份有限公司 | 有机发光二极管显示面板及其制造方法、显示装置 |
CN109768180A (zh) * | 2018-12-20 | 2019-05-17 | 华映科技(集团)股份有限公司 | Oled基板、oled基板的制作方法及柔性显示装置 |
CN111710698A (zh) * | 2020-06-05 | 2020-09-25 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | Oled显示面板及其制作方法 |
CN111933670A (zh) * | 2020-08-17 | 2020-11-13 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示基板及其制备方法、显示装置 |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN111710698A (zh) * | 2020-06-05 | 2020-09-25 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | Oled显示面板及其制作方法 |
CN111710698B (zh) * | 2020-06-05 | 2022-12-06 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | Oled显示面板及其制作方法 |
CN116261353A (zh) * | 2022-12-27 | 2023-06-13 | 惠科股份有限公司 | 显示面板及显示装置 |
CN116261353B (zh) * | 2022-12-27 | 2024-04-12 | 惠科股份有限公司 | 显示面板及显示装置 |
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