CN112542495B - 显示面板与显示装置 - Google Patents

Abstract

本申请涉及一种显示面板与显示装置。所述显示面板包括基板、像素限定层、发光功能层以及多个隔离结构。所述像素限定层设置于所述基板。所述像素限定层开设有多个像素开口。所述发光功能层覆盖于所述像素限定层远离所述基板的表面和所述像素开口。相邻的两个所述像素开口之间至少设置一个所述隔离结构。所述隔离结构能够部分阻断所述发光功能层。通过所述隔离结构实现部分阻断所述发光功能层，不仅可以避免横向漏流现象，而且可以降低所述显示面板的产品功耗。

Description

显示面板与显示装置

技术领域

本申请涉及显示技术领域，特别是涉及一种显示面板与显示装置。

背景技术

有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode，OLED)具有制备工艺简单、成本低、高对比度、广视角、低功耗等优点，是目前平板显示技术中受到关注最多的技术之一。其中，AMOLED(Active-matrix organic light emitting diode)显示是目前市场的主流方向，市场需求很大。

然而，传统的AMOLED显示面板中通过像素限定层定义出各个子像素区，发光层位于像素限定层之上。此时，通过发光层会使得相邻子像素区之间发生导通，进而导致了在显示过程中相邻子像素之间容易出现横向漏流现象，从而造成显示不均的问题。

发明内容

基于此，提供一种避免相邻子像素之间出现横向漏流的显示面板与显示装置实为必要。

本申请提供一种显示面板。所述显示面板包括基板、像素限定层、发光功能层以及多个隔离结构。所述像素限定层设置于所述基板。所述像素限定层开设有多个像素开口。所述发光功能层覆盖于所述像素限定层远离所述基板的表面和所述像素开口。相邻的两个所述像素开口之间至少设置一个所述隔离结构，能够部分阻断所述发光功能层。

在一个实施例中，所述发光功能层包括第一发光子功能层与第二发光子功能层。所述第一发光子功能层覆盖于所述像素限定层远离所述基板的表面和所述像素开口。所述第一发光子功能层设置有所述隔离结构。所述隔离结构能够阻断所述第一发光子功能层。所述第二发光子功能层设置于所述隔离结构远离所述基板的表面。且所述第二发光子功能层设置于所述第一发光子功能层远离所述基板的表面。

在一个实施例中，所述第一发光子功能层包括空穴注入层。所述空穴注入层覆盖于所述像素限定层远离所述基板的表面和所述像素开口。所述空穴注入层设置有所述隔离结构。所述隔离结构能够阻断所述空穴注入层。

在一个实施例中，所述第一发光子功能层还包括空穴传输层。所述空穴传输层设置于所述空穴注入层远离所述基板的表面。所述空穴传输层设置有所述隔离结构。所述隔离结构能够阻断所述空穴注入层与所述空穴传输层。

在一个实施例中，所述隔离结构包括顶面与底面。所述第二发光子功能层靠近所述基板的表面设置于所述顶面。所述底面与所述顶面相对设置。所述底面设置于所述像素限定层远离所述基板的表面。且所述顶面的面积大于所述底面的面积。

在一个实施例中，沿着所述顶面到所述底面的方向，所述隔离结构的横截面积逐级减小。

在一个实施例中，所述隔离结构的所述顶面与所述底面之间具有侧壁。所述侧壁具有多个凸起结构。

在一个实施例中，所述隔离结构与所述第一发光子功能层之间设置有第一间隙。

在一个实施例中，所述像素限定层远离所述基板的表面开设有多个第一凹槽。相邻的两个所述像素开口之间至少设置一个所述第一凹槽，一个所述第一凹槽内设置一个所述隔离结构。

在一个实施例中，所述隔离结构与所述基板之间设置有所述像素限定层。

在一个实施例中，在同一水平面上，所述隔离结构的横截面积小于所述第一凹槽的槽口宽度。

在一个实施例中，靠近所述隔离结构的所述第一发光子功能层设置于所述第一凹槽内。且所述隔离结构与所述第一发光子功能层之间设置有第二间隙。

在一个实施例中，多个所述像素开口呈矩阵排布，多个所述像素开口形成像素开口行和像素开口列。多个所述隔离结构连接形成隔离行结构和隔离列结构。相邻的所述像素开口行之间，至少设置一个所述隔离行结构。相邻的所述像素开口列之间，至少设置一个所述隔离列结构。

在一个实施例中，多个所述隔离行结构和多个所述隔离列结构一体成型。

在一个实施例中，多个所述像素开口呈矩阵排布。多个所述隔离结构连接形成封闭的隔离单元。一个所述隔离单元围绕一个所述像素开口设置。

在一个实施例中，所述显示面板还包括水氧阻隔层。所述水氧阻隔层设置于所述隔离结构与所述像素限定层之间。

在一个实施例中，本申请提供一种显示装置包括上述实施例中任一项所述的显示面板。

上述显示面板与显示装置，所述像素限定层设置多个所述像素开口。所述像素开口内设置子像素单元。相邻的两个所述像素开口之间至少设置一个所述隔离结构。也就是说，相邻的两个所述像素开口之间可以设置一个、二个或多个的所述隔离结构。所述隔离结构能够部分阻断所述发光功能层，可以理解为所述隔离结构阻断所述发光功能层中一个、二个、三个或多个子功能层，但是不会将所述发光功能层全部断开。所述隔离结构将部分所述发光功能层阻断，可以理解为隔离结构将部分所述发光功能层断开，进而使得断开的膜层不连通，从而避免横向迁移产生漏电流的现象发生。

所述隔离结构可以将所述发光功能层的部分子功能层进行阻断，使得所述发光功能层的部分子功能层发生断裂。此时，相邻所述子像素单元之间的所述发光功能层中部分子功能层被阻隔，进而不会出现横向漏流现象，提高了显示面板的显示均一性。

同时，所述发光功能层中的各个发光子功能层相当于导体。所述发光功能层中的各个发光子功能层均具有膜层阻抗。当部分所述发光功能层被所述隔离结构阻断时，所述发光功能层中一部分发光子功能层断开，另一部分发光子功能层未断开。此时，一部分断开的发光子功能层，无法进行导通，相当于断路，膜层阻抗比较大。另一部分未断开的发光子功能层仍然导通，相当于导体，膜层阻抗比较小。进而，相对于所述发光功能层全部阻断的情况，所述发光功能层部分断开，使得所述发光功能层的整体阻抗变小。并且，OLED器件通过电流驱动。在保证同样的电流密度下，根据功耗的计算公式可知功耗会变小。进而，所述隔离结构阻断部分所述发光功能层，可以减小功耗。

因此，本实施例中通过所述隔离结构实现部分阻断所述发光功能层，不仅可以避免横向漏流现象，而且可以降低所述显示面板的产品功耗。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例或传统技术中的技术方案，下面将对实施例或传统技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为一实施例中提供的显示面板的剖面结构示意图；

图2为一实施例中提供的显示面板的剖面结构示意图；

图3为图1的剖面结构示意图的局部结构示意图；

图4为一实施例中提供的发光功能层的剖面结构示意图；

图5为一实施例中提供的隔离结构的剖面结构示意图；

图6为一实施例中提供的显示面板的剖面结构示意图；

图7为一实施例中提供的隔离结构的凸起结构的剖面结构示意图；

图8为一实施例中提供的显示面板的剖面结构示意图；

图9为一实施例中提供的显示面板的剖面结构示意图；

图10为一实施例中提供的像素限定层与隔离结构的俯视示意图；

图11为图10中十字交叉位置处的剖面结构示意图；

图12为一实施例中提供的显示面板的剖面结构示意图；

图13为一实施例中提供的显示面板的剖面结构示意图；

图14为一实施例中提供的显示面板的剖面结构示意图；

图15为一实施例中提供的像素限定层与隔离结构的俯视示意图；

图16为一实施例中提供的显示面板的剖面结构示意图；

图17为一实施例中提供的像素限定层与隔离结构的俯视示意图；

图18为一实施例中提供的显示面板的剖面结构示意图；

图19为一实施例中提供的显示面板的剖面结构示意图；

图20为一实施例中提供的水氧阻隔层的剖面结构示意图；

图21为一实施例中提供的水氧阻隔层的剖面结构示意图。

附图标记说明：

显示面板100、基板70、像素限定层10、发光功能层40、隔离结构20、阳极层30、像素开口110、第一凹槽120、第一发光子功能层410、第二发光子功能层420、阴极层60、顶面210、底面220、第一间隙221、第二间隙222、侧壁230、凸起结构231、水氧阻隔层80、像素开口行141、像素开口列142、隔离行结构241、隔离列结构242、隔离单元250、空穴注入层411、空穴传输层412、发光补偿层413、发光层421、空穴阻挡层422、电子传输层423、电子注入层424。

具体实施方式

为了便于理解本申请，下面将参照相关附图对本申请进行更全面的描述。附图中给出了本申请的实施例。但是，本申请可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使本申请的公开内容更加透彻全面。

除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本申请的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本申请的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本申请。

应当明白，当元件或层被称为“在...上”、“与...相邻”、“连接到”或“耦合到”其它元件或层时，其可以直接地在其它元件或层上、与之相邻、连接或耦合到其它元件或层，或者可以存在居间的元件或层。相反，当元件被称为“直接在...上”、“与...直接相邻”、“直接连接到”或“直接耦合到”其它元件或层时，则不存在居间的元件或层。应当明白，尽管可使用术语第一、第二、第三等描述各种元件、部件、区、层、掺杂类型和/或部分，这些元件、部件、区、层、掺杂类型和/或部分不应当被这些术语限制。这些术语仅仅用来区分一个元件、部件、区、层、掺杂类型或部分与另一个元件、部件、区、层、掺杂类型或部分。因此，在不脱离本申请教导之下，下面讨论的第一元件、部件、区、层、掺杂类型或部分可表示为第二元件、部件、区、层或部分；举例来说，可以将第一掺杂类型成为第二掺杂类型，且类似地，可以将第二掺杂类型成为第一掺杂类型；第一掺杂类型与第二掺杂类型为不同的掺杂类型，譬如，第一掺杂类型可以为P型且第二掺杂类型可以为N型，或第一掺杂类型可以为N型且第二掺杂类型可以为P型。

空间关系术语例如“在...下”、“在...下面”、“下面的”、“在...之下”、“在...之上”、“上面的”等，在这里可以用于描述图中所示的一个元件或特征与其它元件或特征的关系。应当明白，除了图中所示的取向以外，空间关系术语还包括使用和操作中的器件的不同取向。例如，如果附图中的器件翻转，描述为“在其它元件下面”或“在其之下”或“在其下”元件或特征将取向为在其它元件或特征“上”。因此，示例性术语“在...下面”和“在...下”可包括上和下两个取向。此外，器件也可以包括另外地取向(譬如，旋转90度或其它取向)，并且在此使用的空间描述语相应地被解释。

在此使用时，单数形式的“一”、“一个”和“所述/该”也可以包括复数形式，除非上下文清楚指出另外的方式。还应当理解的是，术语“包括/包含”或“具有”等指定所陈述的特征、整体、步骤、操作、组件、部分或它们的组合的存在，但是不排除存在或添加一个或更多个其他特征、整体、步骤、操作、组件、部分或它们的组合的可能性。同时，在本说明书中，术语“和/或”包括相关所列项目的任何及所有组合。

显示面板的发光功能层包括空穴注入层、空穴传输层、发光补偿层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层和电子注入层。

发明人发现可以通过绝缘结构将发光功能层全部断开。使得电子无法在发光功能层中横向迁移产生漏电流，进而避免相邻子像素之间发生串扰。空穴注入层、空穴传输层、发光补偿层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层以及电子注入层相当于导体结构。当绝缘结构将发光功能层全部断开后，会使得发光功能层的整体阻抗变大，进而导致显示面板的功耗变大。

请参见图1，本申请实施例提供一种显示面板100。所述显示面板100包括基板70、像素限定层10、发光功能层40以及多个隔离结构20。所述像素限定层10设置于所述基板70。所述像素限定层10开设有多个像素开口110(请参见图2)。所述发光功能层40覆盖于所述像素限定层10远离所述基板70的表面和所述像素开口110(可参见图3)。相邻的两个所述像素开口110之间至少设置一个所述隔离结构20。所述隔离结构20能够部分阻断所述发光功能层40。

所述基板70可以为薄膜晶体管(TFT)阵列基板。从由下而上方的向上来看，所述基板70包括栅极层、有源层、刻蚀阻挡层、钝化层以及平坦化层等。所述像素限定层10可以为苯酚-甲醛聚合物或者聚乙烯醇等材料。所述发光功能层40可以包括多个子功能层，分别为空穴注入层、空穴传输层、发光补偿层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层和电子注入层。所述隔离结构20的材料可以为导电率比较低的材料或者绝缘材料，例如绝缘型油墨或者聚酰亚胺类绝缘油墨等。

所述像素限定层10设置多个所述像素开口110。所述像素开口110内设置子像素单元111。相邻的两个所述像素开口110之间至少设置一个所述隔离结构20。也就是说，相邻的两个所述像素开口110之间可以设置一个、二个或多个的所述隔离结构20。所述隔离结构20能够部分阻断所述发光功能层40，可以理解为所述隔离结构20阻断所述发光功能层40中一个、二个、三个或多个子功能层，但是不会将所述发光功能层40全部断开。所述隔离结构20将部分所述发光功能层40阻断，可以理解为隔离结构20将部分所述发光功能层40断开，进而使得断开的膜层不连通，从而避免横向迁移产生漏电流的现象发生。

所述隔离结构20可以将所述发光功能层40的部分子功能层进行阻断，使得所述发光功能层40的部分子功能层发生断裂。此时，相邻所述子像素单元111之间的所述发光功能层中部分子功能层被阻隔，进而不会出现横向漏流现象，提高了显示面板的显示均一性。

同时，所述发光功能层40中的各个发光子功能层相当于导体。所述发光功能层40中的各个发光子功能层均具有膜层阻抗。当部分所述发光功能层40被所述隔离结构20阻断时，所述发光功能层40中一部分发光子功能层断开，另一部分发光子功能层未断开。此时，一部分断开的发光子功能层，无法进行导通，相当于断路，膜层阻抗比较大。另一部分未断开的发光子功能层仍然导通，相当于导体，膜层阻抗比较小。进而，相对于所述发光功能层40全部阻断的情况，所述发光功能层40部分断开，使得所述发光功能层40的整体阻抗变小。并且，OLED器件通过电流驱动。在保证同样的电流密度下，根据功耗的计算公式可知功耗会变小。进而，所述隔离结构20阻断部分所述发光功能层40，可以减小功耗。

因此，本实施例中通过所述隔离结构20实现部分阻断所述发光功能层40，不仅可以避免横向漏流现象，而且可以降低所述显示面板100的产品功耗。

请参见图3，在一个实施例中，所述发光功能层40包括第一发光子功能层410与第二发光子功能层420。所述第一发光子功能层410覆盖于所述像素限定层10远离所述基板70的表面和所述像素开口110。所述第一发光子功能层410设置有所述隔离结构20。所述隔离结构20能够阻断所述第一发光子功能层410。所述第二发光子功能层420设置于所述隔离结构20远离所述基板70的表面。且所述第二发光子功能层420设置于所述第一发光子功能层410远离所述基板70的表面。

本实施例中，所述第一发光子功能层410设置有所述隔离结构20，可以理解为所述隔离结构20与所述第一发光子功能层410设置在同一膜层。所述隔离结构20能够阻断所述第一发光子功能层410。此时，通过所述隔离结构20将所述第一发光子功能层410的整个膜层断开，进而使得整个膜层不连通，避免了横向迁移产生漏电流的现象发生。

本实施例中，所述隔离结构20与所述第一发光子功能层410设置在同一膜层，所述第二发光子功能层420设置于所述隔离结构20远离所述基板70的表面。此时，所述第二发光子功能层420与所述隔离结构20没有设置在同一膜层，即所述隔离结构20没有将所述第二发光子功能层420断开。从而，所述隔离结构20设置在所述第一发光子功能层410，能够将所述第一发光子功能层410断开。所述隔离结构20没有设置在所述第二发光子功能层420，不会将所述第二发光子功能层420断开。进而，通过所述隔离结构20实现了部分阻断所述发光功能层40的作用。当所述第一发光子功能层410被所述隔离结构20阻断时，所述第一发光子功能层410断开，无法进行导通，相当于断路，膜层阻抗比较大。所述第二发光子功能层420未断开，仍然导通，相当于导体，膜层阻抗比较小。进而，相对于所述发光功能层40全部阻断的情况，所述第一发光子功能层410断开，且所述第二发光子功能层420未断开，使得所述发光功能层40的整体阻抗变小。在保证同样的电流密度下，根据功耗的计算公式可知所述发光功能层40的整体阻抗变小。

所述隔离结构20与所述第一发光子功能层410设置在同一膜层。在沿所述基板70至所述第二发光子功能层420方向上，将所述第二发光子功能层420制备于所述第一发光子功能层410的上表面更容易实现。

本实施例中，所述隔离结构20仅仅将所述第一发光子功能层410阻断，未阻断所述第二发光子功能层420。所述隔离结构20表面形成的所述第二发光子功能层420和阴极层60不会断裂，所述阴极层60不会形成断路。

请参见图4，在一个实施例中，所述发光功能层40包括所述第一发光子功能层410与所述第二发光子功能层420。所述第一发光子功能层410包括空穴注入层411、所述空穴传输层412以及所述发光补偿层413。所述第二发光子功能层420包括发光层421、空穴阻挡层422、电子传输层423以及电子注入层424。

在一个实施例中，所述第一发光子功能层410包括空穴注入层411。所述空穴注入层411覆盖于所述像素限定层10远离所述基板70的表面和所述像素开口110。所述空穴注入层411设置有所述隔离结构20。所述隔离结构20能够阻断所述空穴注入层411。

本实施例中，所述第二发光子功能层420包括除去所述空穴注入层411(HIL层)以外的所有有机层，例如空穴传输层、发光补偿层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层和电子注入层。所述空穴注入层411(HIL层)的电子迁移率比较高，横向导电能力比较强。所述空穴注入层411设置有所述隔离结构20，可以理解为所述隔离结构20与所述空穴注入层411设置在同一膜层。所述隔离结构20能够阻断所述空穴注入层411(HIL层)。所述隔离结构20阻断了HIL层横向电流导通，低灰阶下光谱中只显示本身发光波峰，解决了产品低灰阶关不断现象。

当所述空穴注入层411被所述隔离结构20阻断时，所述空穴注入层411断开，无法进行导通，相当于断路，膜层阻抗比较大。然而，所述第二发光子功能层420未断开，仍然导通，相当于导体，膜层阻抗比较小。相对于所述发光功能层40全部阻断的情况，所述发光功能层40的整体阻抗变小。在保证同样的电流密度下，根据功耗的计算公式可知所述发光功能层40的整体阻抗变小。进而，通过所述隔离结构20阻断所述空穴注入层411，使得所述显示面板100在解决了横向漏流问题的基础上最大程度地减小了产品功耗。因此，通过所述隔离结构20不仅将横向导电能力比较强的空穴注入层(HIL层)进行了阻断，而且进一步降低了所述显示面板100的产品功耗。

在一个实施例中，所述第一发光子功能层410还包括空穴传输层412。所述空穴传输层412设置于所述空穴注入层411远离所述基板70的表面。所述空穴传输层412设置有所述隔离结构20。所述隔离结构(20)能够阻断所述空穴注入层411与所述空穴传输层412。

本实施例中，所述空穴传输层412具较高热稳定性，与阳极层30形成势垒。所述空穴传输层412设置有所述隔离结构20，可以理解为所述空穴传输层412与所述隔离结构20设置在同一膜层。所述隔离结构20能够阻断所述空穴传输层412。并且，所述空穴注入层411也设置有所述隔离结构20。所述隔离结构20也能够阻断所述空穴注入层411。此时，所述隔离结构20将所述空穴注入层411与所述空穴传输层412都进行了阻断。所述隔离结构20不仅将所述空穴注入层411的整个膜层断开，而且将所述空穴传输层412的整个膜层也断开了。所述空穴注入层411将不会连通，所述空穴传输层412也将不会连通。从而，通过所述隔离结构(20)将所述空穴注入层411与所述空穴传输层412阻断，避免了横向迁移产生漏电流的现象发生。同时，当所述空穴注入层411和所述空穴传输层412被所述隔离结构20阻断时，所述空穴注入层411和所述空穴传输层412断开，无法进行导通，相当于断路，膜层阻抗比较大。然而，所述第二发光子功能层420未断开，仍然可以导通，相当于导体，膜层阻抗比较小。相对于所述发光功能层40全部阻断的情况，所述发光功能层40的整体阻抗变小。在保证同样的电流密度下，根据功耗的计算公式可知所述发光功能层40的整体阻抗变小。进而，所述隔离结构20阻断所述空穴注入层411与所述空穴传输层412可以减小功耗。

请参见图5，在一个实施例中，所述隔离结构包括顶面210与底面220。所述第二发光子功能层420靠近所述基板70的表面设置于所述顶面210。所述底面220与所述顶面210相对设置。所述底面220设置于所述像素限定层10远离所述基板70的表面。且所述顶面210的面积大于所述底面220的面积。

本实施例中，所述隔离结构20远离所述基板70的表面(即顶面210)的面积，大于所述隔离结构20靠近所述基板70的表面(底面220)的面积。当所述发光功能层40覆盖于所述像素限定层10和所述像素开口110时，所述发光功能层40不会进入到靠近所述底面220周围的空间内。从而，在所述发光功能层40与所述隔离结构20之间会形成空白区域。此时，在所述发光功能层40与所述隔离结构20之间时间隔设置的，不会存在连通的现象，避免了通过所述隔离结构20实现所述发光功能层40连通的可能性。

请参见图5，在一个实施例中，沿着所述顶面210到所述底面220的方向，所述隔离结构20的横截面积逐级减小。

本实施例中，沿平行于所述顶面210的方向上(或者可以理解为水平方向上)，所述隔离结构20的面积为横截面积。沿着所述顶面210到所述底面220的方向，可以理解为垂直方向上，所述隔离结构20的横截面积逐级减小此时，所述隔离结构20形成了上宽下窄的结构。当蒸镀HIL层时，由于所述隔离结构20的上宽下窄的结构，会将HIL层进行遮挡，导致所述隔离结构20下方(横截面积小的部分)有机材料缺失，进而达到像素间HIL层隔断，避免了横向电流串扰问题。

请参见图6，在一个实施例中，所述隔离结构20与所述第一发光子功能层410之间设置有第一间隙221。

本实施例中，由于所述隔离结构20的横截面积逐级减小，在所述底面220周围的空间内形成了所述第一间隙221。此时，所述发光功能层40不会进入到所述第一间隙221。从而，将所述发光功能层40进行了充分的隔断，避免了横向电流串扰问题。同时，所述第一间隙221为空白区域，不进行任何材料填充，避免了弱导电能力的材料引起所述发光功能层40的连通，从而起到更好地充分隔断作用，避免了横向电流串扰问题。

请参见图7，在一个实施例中，所述隔离结构20的所述顶面210与所述底面220之间具有侧壁230。所述侧壁230形成多个凸起结构231。

本实施例中，所述侧壁230具有多个所述凸起结构231，可以理解为所述侧壁230的表面具有多个凹凸面。多个所述凸起结构231设置在所述隔离结构20与部分所述发光功能层40之间。由于多个所述凸起结构231的凹凸不同，彼此之间会形成间隙。此时，所述隔离结构20与多个所述凸起结构231会对部分所述发光功能层40起到双重隔离作用，进而使得隔离效果更好。此时，通过多个所述凸起结构231，可以进一步对部分所述发光功能层40进行隔断，从而避免了横向电流串扰问题。

请参见图7，在一个实施例中，所述侧壁230的表面与所述顶面210形成的夹角a小于所述侧壁230的表面与所述底面220形成的夹角b。所述隔离结构20的截面形状为倒T型结构。所述隔离结构20为倒T型柱状结构。所述隔离结构20的侧面可以为平面也可以为弧面。

在一个实施例中，所述像素限定层10的厚度可以根据实际产品需求进行设计，所述隔离结构20沿垂直方向的高度在微米级别，例如0.1μm～100μm。具体地，所述隔离结构20沿垂直方向的高度为1.57～1.58um，所述隔离结构20沿水平方向的长度为1.6um。所述隔离结构20可以根据实际产品需求进行设计，依据不同器件膜厚不同而不同。其中，所述隔离结构20沿垂直方向的高度需要满足不会将所述阴极层60隔断的条件，能保证所述阴极层60不断裂，即不会造成所述阴极层60的断路。

请参见图8与图9，在一个实施例中，所述像素限定层10远离所述基板70的表面开设有多个第一凹槽120。相邻的两个所述像素开口110之间至少设置一个所述第一凹槽120。一个所述第一凹槽120内设置一个所述隔离结构20。

本实施例中，所述像素限定层10远离所述基板70的表面开设有多个所述第一凹槽120。所述第一凹槽120远离所述基板70的表面以及未设置凹槽的所述像素限定层10的表面，共同构成了所述像素限定层10远离所述基板70的表面。此时，所述隔离结构20设置于所述第一凹槽120远离所述基板70的表面，即为所述隔离结构20设置于所述像素限定层10远离所述基板70的表面。此时，所述基板70与所述隔离结构20之间设置有所述像素限定层10。所述像素限定层10和所述隔离结构20可以进一步防止沿所述基板70至所述发光功能层40方向移动的水氧入侵至所述发光功能层40。所述像素限定层10和所述隔离结构20对由所述基板70入侵的水氧进行了双重阻拦，避免了水氧经过所述基板70直接进入所述发光功能层40。通过所述像素限定层10和所述隔离结构20，对所述显示面板100起到了保护作用，提高了所述显示面板100的使用寿命。

请参见图9，在一个实施例中，所述隔离结构20与所述基板70之间设置有所述像素限定层10。

本实施例中，通过所述像素限定层10和所述隔离结构20可以进一步防止沿所述基板70至所述发光功能层40方向移动的水氧入侵至所述发光功能层40，提高了所述显示面板100的使用寿命。并且，所述基板70和所述隔离结构20之间设置有所述像素限定层10，可以在所述基板70的基础上进一步改善金属走线导致的膜层平坦度低的问题。所述基板70和所述隔离结构20之间设置有所述像素限定层10，可以使得多个所述隔离结构20的高度均一性更好。

请参见图8与图9，在一个实施例中，在同一水平面上，所述隔离结构20的横截面积小于所述第一凹槽120的槽口宽度。

本实施例中，沿平行于所述基板70的方向上(或者可以理解为水平方向上)，所述隔离结构20的面积为横截面积。所述第一凹槽120的槽口宽度为沿水平方向上所述第一凹槽120的开口宽度。所述隔离结构20的横截面积小于所述第一凹槽120的槽口宽度，可以使得所述第一发光子功能层410设置于所述隔离结构20与所述第一凹槽120的凹槽侧壁之间。此时，在所述第一凹槽120内，所述隔离结构20将所述第一发光子功能层410断开。同时，所述第一发光子功能层410与所述隔离结构20之间设置有所述第二间隙222。从而，所述隔离结构20与所述第二间隙222对所述第一发光子功能层410进行了多次阻断，更好地避免了横向电流串扰问题。

请参见图9，在一个实施例中，靠近所述隔离结构20的所述第一发光子功能层410设置于所述第一凹槽120内，且所述隔离结构20与所述第一发光子功能层410之间设置有第二间隙222。

本实施例中，所述隔离结构20与所述第一发光子功能层410之间具有所述第二间隙222，即所述隔离结构20与所述第一发光子功能层410间隔设置。此时，所述第一发光子功能层410不会与所述隔离结构20直接接触。所述隔离结构20与所述第一发光子功能层410之间设置有所述第二间隙222，将所述第一发光子功能层410进行了充分的隔断，避免了横向电流串扰问题。同时，所述第二间隙222为空白区域，不进行任何材料填充，避免了弱导电能力的材料引起的所述第一发光子功能层410连通，从而起到更好地充分隔断作用。进而，通过所述隔离结构20对所述第一发光子功能层410进行了隔断，避免了横向电流串扰问题。

在一个实施例中，沿着所述基板70至所述第二发光子功能层420方向上，所述隔离结构20的高度与所述第一发光子功能层410的高度相同。

本实施例中，所述隔离结构20的高度与所述第一发光子功能层410的高度相同，将所述第一发光子功能层410断开。所述第二发光子功能层420设置于所述第一发光子功能层410远离所述基板70的表面。所述阴极层60设置于所述第二发光子功能层420远离所述第一发光子功能层410的表面。由于所述隔离结构20的高度与所述第一发光子功能层410的高度相同，所述第二发光子功能层420与所述基板70依次层叠设置，避免了所述第二发光子功能层420与所述基板70发生断裂。

请参见图10，在一个实施例中，多个所述像素开口110呈矩阵排布。多个所述像素开口110形成像素开口行141(图10中虚线位置所示)和像素开口列142(图10中虚线位置所示)。多个所述隔离结构20连接形成隔离行结构241和隔离列结构242。相邻的所述像素开口行141之间，至少设置一个所述隔离行结构241。相邻的所述像素开口列142之间，至少设置一个所述隔离列结构242。

本实施例中，图10为所述像素限定层10的俯视图。相邻的所述像素开口行141之间，至少设置一个所述隔离行结构241。相邻的所述像素开口列142之间，至少设置一个所述隔离列结构242。所述隔离行结构241与所述隔离列结构242形成了交叉设置的网格结构。从而，所述隔离行结构241与所述隔离列结构242将所述像素开口110包围设置。此时，多个所述隔离结构20将多个所述像素开口110一一分隔开，进而将每个所述像素开口110周围的所述发光功能层40都进行了隔断。从而，任意的相邻两个所述子像素单元111之间都进行了隔断，不会发生横向导通的问题，避免了横向漏流现象，从而使得所述显示面板100显示均一。

在一个实施例中，多个所述隔离行结构241和多个所述隔离列结构242一体成型。

本实施例中，多个所述隔离结构20一体成型，形成如图10所示的十字交叉网格结构。图11为十字交叉位置处的剖面结构示意图。本实施例中，多个所述隔离结构20一体成型，容易制备，有利于批量生产。同时，通过统计过程控制(Statistical Process Control，SPC)将所述隔离结构20设计为线型倒梯形结构，可以减少一层Mask。

请参见图12、图13与图14，图14为图13的局部剖面结构示意图。在一个实施例中，相邻的两个所述像素开口110之间设置两个所述隔离结构20。两个所述隔离结构20间隔设置。通过在相邻的两个所述像素开口110之间设置两个所述隔离结构20，对所述第一发光子功能层410进行阻断。

本实施例中，在相邻的两个所述像素开口110之间设置两个所述隔离结构20，可以对所述发光功能层40进行双重阻断。当两个所述隔离结构20中任意一个所述隔离结构20没有完全阻断时，另外一个所述隔离结构20可以进一步进行阻隔。从而，在相邻的两个所述像素开口110之间设置两个所述隔离结构20，可以进一步避免横向漏流现象。

请参见图15，在一个实施例中，多个所述像素开口110呈矩阵排布。多个所述隔离结构20连接形成封闭的隔离单元250。一个所述隔离单元250围绕一个所述像素开口110设置。

本实施例中，相邻的两个所述像素开口110之间设置两个所述隔离结构20。以每个所述像素开口110为单元，对多个所述隔离结构20进行划分。此时，多个所述隔离结构20连接形成封闭的所述隔离单元250。每个所述隔离单元250将每个所述像素开口110包围设置。此时，多个所述隔离结构20中以一个所述像素开口110为单元进行划分，形成多个独立的所述隔离单元250。从而，多个所述隔离单元250单独对每个所述像素开口110进行了隔离阻断，使得多个所述子像素单元111之间彼此是独立的，互不影响，且不会发生横向漏流现象。

请参见图16和图17，在一个实施例中，相邻的两个所述像素开口(110)之间设置有偶数个所述隔离结构20。所述像素限定层10远离所述基板70的表面开设有多个第二凹槽130。所述第二凹槽130将所述第一凹槽120包围，所述第一凹槽120将所述像素开口110包围设置。多个所述隔离结构20分别设置于多个所述第一凹槽120与多个所述第二凹槽130内。所述第一凹槽120内的所述隔离结构20和所述第二凹槽130内的所述隔离结构20依次将所述像素开口110包围设置(可参见图16)。此时，在相邻两个所述像素开口110之间形成了4个所述隔离结构20(可参见图15)，起到了多层阻隔的作用。

每个所述像素开口110周围包围设置有两个由所述隔离结构20组成的所述隔离单元250，对所述第一发光子功能层410进行了多层阻隔。当其中一个所述隔离结构20阻隔失效时，通过多层阻隔仍然可以避免横向漏流现象，从而使得所述显示面板100显示均一。

在一个实施例中，所述隔离结构20靠近红色子像素单元设置。例如：当红色子像素单元与绿色子像素单元相邻时，所述隔离结构20设置在红色子像素单元与绿色子像素单元之间，并靠近红色子像素单元设置。

本实施例中，由于点亮红色子像素单元的电压大于点亮绿色子像素单元的电压和点亮蓝色子像素单元的电压，因此在点红色子像素单元画面时，蓝色子像素单元或绿色子像素单元也会微亮，造成低灰阶单色画面。所述隔离结构20靠近红色子像素单元设置，可以避免高低电压导致的横向导通问题。同时，由于所述隔离结构20靠近红色子像素单元设置，所述隔离结构20设置在了红色子像素单元的电压最高位置。即使当所述隔离结构20失去阻隔作用，也会由于所述发光功能层40中各个膜层阻抗的存在，消耗部分电压，使得无法点亮绿色子像素单元和蓝色子像素单元。

请参见图18与图19，在一个实施例中，所述隔离结构20设置于所述发光功能层40。所述显示面板还包括阴极层60。所述阴极层60设置于所述隔离结构20远离所述基板70的表面。

本实施例中，所述隔离结构20设置于所述发光功能层40，可以理解为所述发光功能层40设置有所述隔离结构20。所述隔离结构20与所述发光功能层40设置在同一膜层，所述隔离结构20将所述发光功能层40全部断开。所述隔离结构20能够实现对所述发光功能层40的整体结构进行阻隔。所述阴极层60直接设置在了所述隔离结构20远离所述基板70的表面。此时，所述隔离结构20直接与所述阴极层60接触，将所述发光功能层40全部断开，解决了共同层导致的横向电流串扰问题。当所述隔离结构20由于材料原因导致的存在微弱导电能力时，所述隔离结构20将所述发光功能层40全部阻断，并直接与所述阴极层60接触，可以进一步避免横向电流串扰问题，提高了产品色彩纯度。

请参见图20与图21，在一个实施例中，所述显示面板100还包括水氧阻隔层80。所述水氧阻隔层80设置于所述隔离结构20与所述像素限定层10之间。

本实施例中，所述水氧阻隔层80能够对水氧进行阻隔。所述水氧阻隔层80设置于所述隔离结构20与所述像素限定层10之间，可以防止水氧由所述基板70入侵至所述发光功能层40，对所述显示面板100起到了保护作用，提高了所述显示面板100的使用寿命。

在一个实施例中，本申请提供一种显示面板制备方法，包括：

S100，提供基板70，在所述基板70上形成阳极层30；

其中，所述基板70为薄膜晶体管(TFT)阵列基板。从由下而上方的向上来看，所述基板70包括栅极层、有源层、刻蚀阻挡层、钝化层以及平坦化层等。所述阳极层30一般采用透明导电材料，例如氧化铟锡(Indium tin oxide，ITO)材料。

S200，在所述基板70表面和所述阳极层30远离所述基板70的表面，形具有多个像素开口110的像素限定层10。

其中，所述像素限定层10可以为苯酚-甲醛聚合物或者聚乙烯醇等材料。具体地，采用树脂、聚酰亚胺、有机硅、二氧化硅或光刻胶等材料，并采用旋涂或刮涂的方式在所述阳极层30和所述基板70之上形成所述像素限定层10。所述像素限定层10的厚度可以在0.1μm～100μm之间，之后采用曝光、显影、干燥等工艺对所述像素限定层10进行图形化，以形成具有多个所述像素开口110的所述像素限定层10。多个所述像素开口110与所述阳极层30对应。

S300，在所述像素限定层10远离所述基板70的表面制备多个隔离结构20；或者在所述像素限定层10远离所述基板70的表面形成至少一个所述第一凹槽120，并在一个所述第一凹槽120内形成一个所述隔离结构20；

其中，所述隔离结构20的材料可以为导电率比较低的材料或者绝缘材料，例如绝缘型油墨或者聚酰亚胺类绝缘油墨等。所述隔离结构20的高度可以根据产品实际需求进行限定，具体地可以在0.1μm～100μm之间。

在所述像素限定层10远离所述基板70的表面形成至少一个所述第一凹槽120时，采用曝光、显影、干燥等工艺对所述像素限定层10进行光刻和刻蚀，刻蚀完成后，将残余的光刻胶去除，形成所述第一凹槽120。所述第一凹槽120的厚度可以在0.1μm～100μm之间。

S300，在所述隔离结构20远离所述基板70的表面、所述像素限定层10远离所述基板70的表面以及所述像素开口110内制备部分发光功能层40；

其中，所述发光功能层40包括多个子功能层，分别为空穴注入层、空穴传输层、发光补偿层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层。部分发光功能层40可以包括空穴注入层、空穴传输层、发光补偿层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层中的一层、两层、三层或者多层。具体地，采用开放式掩膜版(pen Mask)在所述隔离结构20远离所述基板70的表面、所述像素限定层10远离所述基板70的表面以及所述像素开口110内蒸镀部分发光功能层40中各膜层。例如，采用开放式掩膜版(pen Mask)在所述隔离结构20远离所述基板70的表面、所述像素限定层10远离所述基板70的表面以及所述像素开口110内蒸镀空穴注入层与空穴传输层。

此时，由于采用开放式掩膜版(pen Mask)进行蒸镀部分发光功能层40，由于所述隔离结构20，会将部分发光功能层40进行隔断，进而使得被隔断的子功能层的整个膜层不连通，从而避免了横向电流串扰问题。

S400，在所述部分发光功能层40远离所述基板70的表面，形成剩余发光功能层40；

其中，在S300中，部分发光功能层40可以包括空穴注入层、空穴传输层、发光补偿层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层中的一层、两层、三层或者多层。在S400中，制备剩余的发光功能层40。例如：在S300中，在所述隔离结构20远离所述基板70的表面、所述像素限定层10远离所述基板70的表面以及所述像素开口110内蒸镀空穴注入层与空穴传输层。在S400中，在空穴传输层远离空穴注入层的表面依次制备发光补偿层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层。

S500，在所述发光功能层40远离所述基板70的表面，形成阴极层60。

其中，当所述发光功能层40全部蒸镀完成后，采用蒸镀工艺或者喷墨打印的方式，在所述发光功能层40远离所述基板70的表面形成所述阴极层60。所述阴极层60可以为氧化铟锡、银、镁中的一种或多种。所述阴极层60的厚度可以在10nm～300nm之间。

本实施例中，当通过所述显示面板制备方法制备所述发光功能层时，由于所述隔离结构20会将至少部分所述发光功能层40进行阻断，进而使得所述发光功能层40至少部分发生断裂。此时，所述子像素单元111之间的所述发光功能层40不再连通，不会出现横向漏流现象，提高了所述显示面板100的显示均一性。

同时，在所述像素限定层10远离所述基板70的表面制备所述隔离结构20，可以进一步防止沿所述基板70至所述发光功能层40方向移动的水氧入侵至所述发光功能层40，对所述显示面板100起到了保护作用，提高了所述显示面板100的使用寿命。并且，通过所述基板70和所述隔离结构20之间的所述像素限定层10，可以在所述基板70的基础上进一步改善膜层的平坦度，进而使得多个所述隔离结构20的高度均一性更好。

在一个实施例中，本申请提供一种显示装置包括上述实施例中任一项所述的显示面板100。

本实施例中，所述显示装置可以应用于手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。由于该显示装置解决问题的原理与上述所述显示面板100相似，因此所述显示装置的实施可以参见上述所述显示面板100的实施，重复之处不再赘述。

在本说明书的描述中，参考术语“有些实施例”、“其他实施例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特征包含于本申请的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性描述不一定指的是相同的实施例或示例。

上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。

以上所述实施例仅表达了本申请的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对申请专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本申请构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本申请的保护范围。因此，本申请专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (11)

1.一种显示面板，其特征在于，包括：

基板（70）；

像素限定层（10），设置于所述基板（70），所述像素限定层（10）开设有多个像素开口（110）；

发光功能层（40），覆盖于所述像素限定层（10）远离所述基板（70）的表面和所述像素开口（110）；

多个隔离结构（20），相邻的两个所述像素开口（110）之间至少设置一个所述隔离结构（20），所述隔离结构（20）能够部分阻断所述发光功能层（40）；

所述发光功能层（40）包括：

第一发光子功能层（410），覆盖于所述像素限定层（10）远离所述基板（70）的表面和所述像素开口（110），所述第一发光子功能层（410）设置有所述隔离结构（20），所述隔离结构（20）能够阻断所述第一发光子功能层（410）；

第二发光子功能层（420），设置于所述隔离结构（20）远离所述基板（70）的表面，且所述第二发光子功能层（420）设置于所述第一发光子功能层（410）远离所述基板（70）的表面；

所述像素限定层（10）远离所述基板（70）的表面开设有多个第一凹槽（120），相邻的两个所述像素开口（110）之间至少设置一个所述第一凹槽（120），一个所述第一凹槽（120）内设置一个所述隔离结构（20）；

在同一水平面上，所述隔离结构（20）的宽度小于所述第一凹槽（120）的槽口宽度；在所述第一凹槽（120）内，所述隔离结构（20）宽度方向的两侧均设置有所述第一发光子功能层（410）；所述第一凹槽（120）内的所述第一发光子功能层（410）与所述第一凹槽（120）外的所述第一发光子功能层（410）相隔断；

所述第一凹槽（120）内的所述第一发光子功能层（410）与所述隔离结构（20）之间设有第二间隙（222）；

所述第一凹槽（120）内的所述第一发光子功能层（410）的高度与所述隔离结构（20）的高度相同；

所述第二发光子功能层（420）延伸至所述第一凹槽（120）内，且覆盖所述隔离结构（20）的表面，以及所述第一凹槽（120）内的所述第一发光子功能层（410）的表面。

2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第一发光子功能层（410）包括空穴注入层（411），覆盖于所述像素限定层（10）远离所述基板（70）的表面和所述像素开口（110）；

所述空穴注入层（411）设置有所述隔离结构（20），所述隔离结构（20）能够阻断所述空穴注入层（411）。

3.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述第一发光子功能层（410）还包括：

空穴传输层（412），设置于所述空穴注入层（411）远离所述基板（70）的表面；

所述空穴传输层（412）设置有所述隔离结构（20），所述隔离结构（20）能够阻断所述空穴注入层（411）与所述空穴传输层（412）。

4.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述隔离结构（20）包括：

顶面（210），所述第二发光子功能层（420）靠近所述基板（70）的表面设置于所述顶面（210）；

底面（220），与所述顶面（210）相对设置，所述底面（220）设置于所述像素限定层（10）远离所述基板（70）的表面，且所述顶面（210）的面积大于所述底面（220）的面积。

5.根据权利要求4所述的显示面板，其特征在于，沿着所述顶面（210）到所述底面（220）的方向，所述隔离结构（20）的横截面积逐级减小。

6.根据权利要求4所述的显示面板，其特征在于，所述隔离结构（20）的所述顶面（210）与所述底面（220）之间具有侧壁（230），所述侧壁（230）具有多个凸起结构（231）。

7.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，多个所述像素开口（110）呈矩阵排布，多个所述像素开口（110）形成像素开口行（141）和像素开口列（142）；

多个所述隔离结构（20）连接形成隔离行结构（241）和隔离列结构（242）；

相邻的所述像素开口行（141）之间，至少设置一个所述隔离行结构（241）；

相邻的所述像素开口列（142）之间，至少设置一个所述隔离列结构（242）。

8.根据权利要求7所述的显示面板，其特征在于，多个所述隔离行结构（241）和多个所述隔离列结构（242）一体成型。

9.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，多个所述像素开口（110）呈矩阵排布，多个所述隔离结构（20）连接形成封闭的隔离单元（250），一个所述隔离单元（250）围绕一个所述像素开口（110）设置。

10.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括水氧阻隔层（80），所述水氧阻隔层（80）设置于所述隔离结构（20）与所述像素限定层（10）之间。

11.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1至10中任一项所述的显示面板。