CN111863929A - 显示基板及其制备方法、显示装置 - Google Patents
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Abstract
一种显示基板，包括：衬底基板，衬底基板包括显示区域，显示区域设置有多个子像素和一个导电保护结构。多个子像素中的至少一个子像素包括：发光元件以及驱动发光元件发光的驱动电路。发光元件和导电保护结构位于驱动电路远离衬底基板的一侧。导电保护结构包括至少一个导电部，至少一个导电部位于至少两个相邻子像素的发光元件各自用于发光的部分之间的间隔。导电保护结构与一信号端电连接，配置为减少相邻子像素之间的载流子传输。
Description
技术领域
本文涉及但不限于显示技术领域，尤指一种显示基板及其制备方法、显示装置。
背景技术
有机发光二极管(OLED，Organic Light Emitting Diode)为主动发光显示器件，具有自发光、广视角、高对比度、低耗电、极高反应速度等优点。随着显示技术的不断发展，以OLED为发光器件、由薄膜晶体管(TFT，Thin Film Transistor)进行信号控制的显示装置已成为目前显示领域的主流产品。
发明内容
以下是对本文详细描述的主题的概述。本概述并非是为了限制权利要求的保护范围。
本公开提供一种显示基板及其制备方法、显示装置。
一方面，本公开提供一种显示基板，包括：衬底基板，所述衬底基板包括显示区域，所述显示区域设置有多个子像素和一个导电保护结构。多个子像素中的至少一个子像素包括：发光元件以及驱动所述发光元件发光的驱动电路。所述发光元件和所述导电保护结构位于所述驱动电路远离所述衬底基板的一侧。所述导电保护结构包括至少一个导电部，所述至少一个导电部位于至少两个相邻子像素的发光元件各自用于发光的部分之间的间隔。所述导电保护结构与一信号端电连接，配置为减少相邻子像素之间的载流子传输。
在一些示例性实施方式中，所述至少一个导电部位于至少两个相邻的不同颜色的子像素的发光元件各自用于发光的部分之间的间隔。
在一些示例性实施方式中，所述发光元件包括有机功能层，所述有机功能层包括至少两层有机层，所述至少一个导电部与其中至少一层有机层接触。
在一些示例性实施方式中，所述至少两层有机层中包括第一层，所述第一层在所述衬底基板的投影至少与两个所述子像素的发光元件的用于发光的部分在所述衬底基板的投影有交叠，所述第一层与所述至少一个导电部接触。
在一些示例性实施方式中，所述第一层为多个子像素的发光元件之间的共通层。
在一些示例性实施方式中，所述至少一个导电部的电阻率小于所述至少一个导电部所接触的有机层的电阻率。
在一些示例性实施方式中，所述显示区域还设置有像素定义层，位于所述驱动电路远离所述衬底基板的一侧。所述像素定义层包括：多个子像素定义部，相邻子像素定义部之间形成像素定义层开口，所述发光元件位于所述像素定义层开口的部分用于发光。所述导电保护结构设置在所述子像素定义部远离所述衬底基板的一侧，且所述子像素定义部在所述衬底基板的投影覆盖所述导电保护结构在所述衬底基板的投影。
在一些示例性实施方式中，所述发光元件还包括：第一电极和第二电极。所述第一电极设置在所述驱动电路远离所述衬底基板的一侧，且与所述驱动电路电连接，所述像素定义层的像素定义层开口暴露出所述第一电极的至少部分。所述有机功能层设置在所述第一电极远离所述衬底基板的一侧，并通过所述像素定义层开口与所述第一电极接触。所述第二电极设置在所述有机功能层远离所述衬底基板的一侧，并与所述有机功能层接触。
在一些示例性实施方式中，所述有机功能层包括：发光层以及以下至少之一：空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、电子注入层、电子传输层、空穴阻挡层。
在一些示例性实施方式中，所述至少一个导电部在所述衬底基底的投影与两个子像素的发光层在所述衬底基板的投影有交叠，且与所述像素定义层开口在所述衬底基板的投影没有交叠。
在一些示例性实施方式中，所述两个子像素的发光层有交叠，且所述至少一个导电部在所述衬底基板的投影与所述两个子像素的发光层的交叠部分在所述衬底基板的投影有交叠。
在一些示例性实施方式中，所述空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、电子注入层、电子传输层以及空穴阻挡层中的至少一项为多个子像素的发光元件之间的共通层。
在一些示例性实施方式中，所述导电保护结构通过所述第二电极与所述信号端电连接。
在一些示例性实施方式中，所述信号端的电压值位于所述发光元件的第二电极的最小电压值和所述第一电极的最大电压值之间。
在一些示例性实施方式中，所述导电保护结构为由所述至少一个导电部形成的网状结构，所述网状结构包括至少一个网格，所述至少一个网格围绕一个子像素的发光元件的发光的部分，或者围绕多个相邻的相同颜色的子像素的发光元件的发光的部分。
在一些示例性实施方式中，所述显示区域内的多个子像素按照以下方式排布：在第一方向上按照两个第一颜色子像素、一个第二颜色子像素以及一个第三颜色子像素的重复单元排布，所述两个第一颜色子像素在垂直于第一方向的第二方向上排布，且相同颜色的子像素在第一方向上的间距约等于子像素宽度的1至2倍。所述两个相邻的第一颜色子像素的发光元件用于发光的部分被所述导电保护结构的一个网格围绕，一个第二颜色子像素的发光元件用于发光的部分被所述导电保护结构的一个网格围绕，一个第三颜色子像素的发光元件用于发光的部分被所述导电保护结构的一个网格围绕。
在一些示例性实施方式中，所述信号端提供恒定电位。
在一些示例性实施方式中，所述衬底基板还包括：位于显示区域外围的周边区域，所述周边区域设置有至少一条恒压信号线，所述导电保护结构通过所述至少一条恒压信号线与所述信号端电连接。
另一方面，本公开提供一种显示装置，包括如上所述的显示基板。
另一方面，本公开提供一种显示基板的制备方法，包括：提供一衬底基板，所述衬底基板包括显示区域；在所述显示区域的衬底基板上形成多个子像素和一个导电保护结构。至少一个子像素包括：发光元件以及驱动所述发光元件发光的驱动电路，所述发光元件和导电保护结构位于所述驱动电路远离所述衬底基板的一侧。所述导电保护结构包括至少一个导电部，所述至少一个导电部位于至少两个相邻子像素的发光元件各自用于发光的部分之间的间隔，所述导电保护结构与一信号端电连接，配置为减少相邻子像素之间的载流子传输。
在阅读理解了附图和详细描述后，可以明白其他方面。
附图说明
附图用来提供对本公开技术方案的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本公开的实施例一起用于解释本公开的技术方案，并不构成对本公开的技术方案的限制。附图中一个或多个部件的形状和大小不反映真实比例，目的只是示意说明本公开内容。
图1为本公开至少一实施例的显示基板的示意图；
图2为本公开至少一实施例的显示区域的多个子像素的一种结构示意图；
图3为图2中沿P-P方向的剖面示意图；
图4为本公开至少一实施例的显示基板的导电保护结构的电连接示意图；
图5为本公开至少一实施例形成柔性衬底基板后的显示基板的示意图；
图6为本公开至少一实施例形成驱动结构层后的显示基板的示意图；
图7为本公开至少一实施例形成平坦层图案后的显示基板的示意图；
图8为本公开至少一实施例形成第一电极图案后的显示基板的示意图；
图9为本公开至少一实施例形成像素定义层图案后的显示基板的示意图；
图10为本公开至少一实施例形成隔垫柱图案后的显示基板的示意图；
图11为本公开至少一实施例形成导电保护结构图案后的显示基板的示意图；
图12为本公开至少一实施例形成阴极图案后的显示基板的示意图；
图13为本公开至少一实施例形成封装层后的显示基板的示意图；
图14为图2中沿P-P方向的另一剖面示意图；
图15为本公开至少一实施例的显示区域的多个子像素的另一示意图；
图16为本公开至少一实施例的显示区域的多个子像素的另一示意图；
图17为本公开至少一实施例的显示区域的多个子像素的另一示意图；
图18为本公开至少一实施例的显示区域的多个子像素的另一示意图；
图19为本公开至少一实施例的显示区域的多个子像素的另一示意图；
图20为本公开至少一实施例的显示区域的多个子像素的另一示意图；
图21为本公开至少一实施例的显示装置的示意图。
具体实施方式
为使本公开的目的、技术方案和优点更加清楚明白，下文中将结合附图对本公开的实施例进行详细说明。实施方式可以以多个不同形式来实施。所属技术领域的普通技术人员可以很容易地理解一个事实，就是方式和内容可以在不脱离本公开的宗旨及其范围的条件下被变换为一种或多种形式。因此，本公开不应该被解释为仅限定在下面的实施方式所记载的内容中。在不冲突的情况下，本公开中的实施例及实施例中的特征可以相互任意组合。
在附图中，有时为了明确起见，夸大表示了一个或多个构成要素的大小、层的厚度或区域。因此，本公开的一个方式并不一定限定于该尺寸，附图中各部件的形状和大小不反映真实比例。此外，附图示意性地示出了理想的例子，本公开的一个方式不局限于附图所示的形状或数值等。
本公开中的“第一”、“第二”、“第三”等序数词是为了避免构成要素的混同而设置，而不是为了在数量方面上进行限定的。本公开中的“多个”包括两个以及两个以上的数量。
在本公开中，为了方便起见，使用“中部”、“上”、“下”、“前”、“后”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示方位或位置关系的词句以参照附图说明构成要素的位置关系，仅是为了便于描述本说明书和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本公开的限制。构成要素的位置关系根据描述构成要素的方向适当地改变。因此，不局限于在说明书中说明的词句，根据情况可以适当地更换。
在本公开中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解。例如，可以是固定连接，或可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，或电连接；可以是直接相连，或通过中间件间接相连，或两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据情况理解上述术语在本公开中的含义。
在本公开中，晶体管是指至少包括栅电极、漏电极以及源电极这三个端子的元件。晶体管在漏电极(漏电极端子、漏区域或漏电极)与源电极(源电极端子、源区域或源电极)之间具有沟道区域，并且电流能够流过漏电极、沟道区域以及源电极。在本公开中，沟道区域是指电流主要流过的区域。
在本公开中，第一极可以为漏电极、第二极可以为源电极，或者第一极可以为源电极、第二极可以为漏电极。在使用极性相反的晶体管的情况或电路工作中的电流方向变化的情况等下，“源电极”及“漏电极”的功能有时互相调换。因此，在本公开中，“源电极”和“漏电极”可以互相调换。
在本公开中，“电连接”包括构成要素通过具有某种电作用的元件连接在一起的情况。“具有某种电作用的元件”只要可以进行连接的构成要素间的电信号的授受，就对其没有特别的限制。“具有某种电作用的元件”的例子不仅包括电极和布线，而且还包括晶体管等开关元件、电阻器、电感器、电容器、其它具有一种或多种功能的元件等。
在本公开中，“平行”是指两条直线形成的角度为-10°以上且10°以下的状态，因此，可以包括该角度为-5°以上且5°以下的状态。另外，“垂直”是指两条直线形成的角度为80°以上且100°以下的状态，因此，可以包括85°以上且95°以下的角度的状态。
在本公开中，“膜”和“层”可以相互调换。例如，有时可以将“导电层”换成为“导电膜”。与此同样，有时可以将“绝缘膜”换成为“绝缘层”。
本公开中的“约”，是指不严格限定界限，允许工艺和测量误差范围内的数值。
OLED发光元件包括：依次叠设的阳极(Anode)、有机功能层以及阴极(Cathode)。有机功能层包括发光层(EML，Emitting Layer)以及包括空穴注入层(HIL，Hole InjectionLayer)、空穴传输层(HTL，Hole Transport Layer)、空穴阻挡层(HBL，Hole Block Layer)、电子阻挡层(EBL，Electron Block Layer)、电子注入层(EIL，Electron InjectionLayer)、电子传输层(ETL，Electron Transport Layer)中的一个或多个膜层组成的多层结构。例如，在阳极和阴极的电压驱动下，利用有机材料的发光特性根据需要的灰度发光。
不同颜色的OLED发光元件的发光层不同，例如，红色发光元件包括红色发光层，绿色发光元件包括绿色发光层，蓝色发光元件包括蓝色发光层。为了降低工艺难度和提升良率，位于发光层一侧的空穴注入层和空穴传输层通常采用共通层。为了提升显示产品的效率、降低功耗，空穴注入层一般由最低未占分子轨道(LUMO，Lowest Unoccupied MolecularOrbital)能级较深的P型掺杂剂(p-dopant)(例如，F4-TCNQ)等材料与空穴传输材料按照一定比例掺杂组成。这种注入材料和空穴传输材料之间存在显著的自发电荷转移，导致空穴注入层具有较高的电导率。随着分辨率的提高，不同颜色的相邻子像素之间的距离越来越小，而且随着材料技术的发展，为降低电压并减小功耗，材料迁移率不断提高。以上两方面导致的电流可以通过具有较强导电性的共通层(例如，空穴注入层)流向相邻的不需要发光的子像素，导致相邻子像素微亮，出现串扰不良。同样地，当空穴传输层、电子传输层等其他作为共通层的有机功能层的迁移率较高时，也有可能导致此现象。
另外，有机功能层通过蒸镀制备(例如，采用精细金属掩模版(FMM，Fine MetalMask)或者开放式掩膜版(open mask)蒸镀)时，由于部分材料的迁移率较高，在不同颜色发光区域的间隔，有可能产生串扰电流。在低灰阶下，由于串扰电流造成的亮度偏差会比较明显，导致无法准确显示需要的色彩，严重影响了显示产品在低灰阶下的色彩准确性。
本公开至少一实施例提供一种显示基板及其制备方法、显示装置，可以避免串扰不良，提升显示效果。
本公开至少一实施例提供一种显示基板，包括：衬底基板，衬底基板包括显示区域，显示区域设置有多个子像素和一个导电保护结构。多个子像素中的至少一个子像素包括：发光元件以及驱动发光元件发光的驱动电路。发光元件和导电保护结构位于驱动电路远离衬底基板的一侧。导电保护结构包括至少一个导电部，所述至少一个导电部位于至少两个相邻子像素的发光元件各自用于发光的部分之间的间隔。导电保护结构与一信号端电连接，配置为减少相邻子像素之间的载流子传输。
本实施例提供的显示基板，通过在至少两个相邻子像素的发光元件各自用于发光的部分之间的间隔设置至少一个导电部，减少相邻子像素之间的载流子传输，可以避免相邻子像素之间产生电流串扰，从而提升显示效果。
在一些示例性实施方式中，所述至少一个导电部位于至少两个相邻的不同颜色的子像素的发光元件各自用于发光的部分之间的间隔。本示例性实施例可以避免单色显示时该颜色的子像素对其他颜色的子像素产生影响，从而提升显示色彩准确性，有效提高显示品质。然而，本实施例对此并不限定。在一些示例中，所述至少一个导电部可以位于任两个相邻子像素的发光元件各自用于发光的部分之间的间隔。
在一些示例性实施方式中，发光元件包括有机功能层，有机功能层包括至少两层有机层，至少一个导电部与其中至少一层有机层接触。例如，至少两层有机层可以包括发光层和空穴注入层，至少一个导电部与空穴注入层接触。又如，至少两层有机层可以包括发光层、空穴传输层和空穴注入层，至少一个导电部与空穴注入层接触。然而，本实施例对此并不限定。
在一些示例性实施方式中，至少两层有机层中包括第一层，第一层在衬底基板的投影至少与两个子像素的发光元件的用于发光的部分在衬底基板的投影有交叠，第一层与至少一个导电部接触。在一些示例中，第一层可以为多个子像素的发光元件之间的共通层。或者，第一层可以由多个子像素中的部分子像素的发光元件共用。例如，第一层可以为空穴注入层或空穴传输层。然而，本实施例对此并不限定。
在一些示例性实施方式中，至少一个导电部的电阻率小于至少一个导电部所接触的有机层的电阻率。在一些示例中，至少一个导电部所接触的有机层可以为空穴注入层，至少一个导电部的电阻率小于空穴注入层的电阻率。然而，本实施例对此并不限定。例如，至少一个导电部所接触的有机层可以为空穴传输层。
在一些示例性实施方式中，显示区域还设置有像素定义层，位于驱动电路远离衬底基板的一侧。像素定义层包括多个子像素定义部，相邻子像素定义部之间形成像素定义层开口，发光元件位于像素定义层开口的部分用于发光。导电保护结构设置在子像素定义部远离衬底基板的一侧，且子像素定义部在衬底基板的投影覆盖导电保护结构在衬底基板的投影。在一些示例中，像素定义层开口内的像素定义层被去除掉，与发光元件的发光部分对应。在一些示例中，导电保护结构与子像素定义层的子像素定义部直接接触，或者，导电保护结构与子像素定义部上形成的隔垫柱直接接触。然而，本实施例对此并不限定。在本示例性实施例中，在子像素定义部上形成导电保护结构，可以简化制备工艺，并避免影响发光元件的正常发光。
在一些示例性实施方式中，至少一个发光元件包括：依次叠设的第一电极、有机功能层以及第二电极。第一电极设置在驱动电路远离衬底基板的一侧，且与一个驱动电路电连接，像素定义层的像素定义层开口暴露出第一电极的至少部分。有机功能层设置在第一电极远离衬底基板的一侧，并通过像素定义层开口与第一电极接触。第二电极设置在有机功能层远离衬底基板的一侧，并与有机功能层接触。在一些示例中，第一电极可以为反射阳极，第二电极可以为透明阴极。然而，本实施例对此并不限定。例如，第一电极可以为透明阳极，第二电极可以为反射阴极。
在一些示例性实施方式中，有机功能层可以包括：发光层以及以下至少之一：空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、电子注入层、电子传输层、空穴阻挡层。例如，有机功能层可以包括：沿着远离衬底基板的方向依次叠设的空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和电子注入层。又如，有机功能层可以包括：沿着远离衬底基板的方向依次叠设的空穴注入层、空穴传输层、发光层和电子传输层。然而，本实施例对此并不限定。
在一些示例性实施方式中，空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、电子注入层、电子传输层以及空穴阻挡层中的至少一项为多个子像素的发光元件之间的共通层。每个共通层设置在多个像素定义层开口内，并延伸覆盖多个子像素定义部。在本示例性实施方式中，共通层中的串扰电流会流向导电保护结构，以阻断串扰电流流向其他子像素，避免产生串扰不良，从而提升显示效果。然而，本实施例对此并不限定。在一些示例中，当有机功能层不设置共通层时，导电保护结构可以屏蔽由于相邻子像素的有机功能层的蒸镀边缘接触产生的串扰电流，避免产生串扰不良。
在一些示例性实施方式中，至少一个导电部在衬底基板的投影与两个子像素的发光层在衬底基板的投影有交叠，且与像素定义层开口在衬底基板的投影没有交叠。在本示例性实施方式中，至少一个导电部与子像素的发光元件用于发光的部分在衬底基板的投影没有交叠，避免影响发光元件的正常发光。然而，本实施例对此并不限定。在一些示例中，至少一个导电部在衬底基板的投影可以与子像素的发光层在衬底基板的投影没有交叠。
在一些示例性实施方式中，两个子像素的发光层有交叠，且至少一个导电部在衬底基板的投影与两个子像素的发光层的交叠部分在衬底基板的投影有交叠。在一些示例中，相邻子像素的发光层会存在交叠，至少一个导电部在像素定义层的设置位置可以与相邻子像素的发光层的交叠位置对应。然而，本实施例对此并不限定。
在一些示例性实施方式中，导电保护结构可以通过发光元件的第二电极与信号端电连接。在一些示例中，发光元件的第二电极与低电位电源线(或接地信号线)电连接，可以提供恒定电位，则通过连接导电保护结构与发光元件的第二电极，可以将导电保护结构保持在恒定电位。然而，本实施例对此并不限定。
在一些示例性实施方式中，信号端的电压值可以位于发光元件的第二电极的最小电压值和第一电极的最大电压值之间。例如，信号端的电压值可以大于或等于第二电极的最小电压值且小于第一电极的最大电压值。然而，本实施例对此并不限定。在一些示例中，信号端的电压值可以根据显示效果确定。
在一些示例性实施方式中，导电保护结构为由至少一个导电部形成的网状结构。该网状结构包括至少一个网格，所述至少一个网格围绕一个子像素的发光元件的发光的部分，或者围绕多个相邻的相同颜色的子像素的发光元件的发光的部分。然而，本实施例对此并不限定。在一些示例中，导电保护结构为由多个导电部形成的多行和多列的交叉结构；或者，导电保护结构为由多个导电部形成的多列条状结构。
在一些示例性实施方式中，显示区域内的多个子像素按照以下方式排布：在第一方向上按照两个第一颜色子像素、一个第二颜色子像素以及一个第三颜色子像素的重复单元排布，两个第一颜色子像素在垂直于第一方向的第二方向上排布，且相同颜色的子像素在第一方向上的间隔约等于子像素宽度的1至2倍。例如，相同颜色的子像素在第一方向上的间隔约等于子像素宽度的1.5倍。两个相邻的第一颜色子像素的发光元件用于发光的部分被导电保护结构的一个网格围绕，一个第二颜色子像素的发光元件用于发光的部分被导电保护结构的一个网格围绕，一个第三颜色子像素的发光元件用于发光的部分被导电保护结构的一个网格围绕。换言之，导电保护结构的至少一个网格围绕两个相邻的第一颜色子像素的发光元件用于发光的部分，或者，围绕一个第二颜色子像素的发光元件用于发光的部分，或者，围绕一个第三颜色子像素的发光元件用于发光的部分。在一些示例中，第一方向可以为行方向，第二方向可以为列方向。或者，第一方向可以为列方向，第二方向可以为行方向。在一些示例中，第一颜色子像素可以为绿色(G)子像素，第二颜色子像素可以为红色(R)子像素，第三颜色子像素可以为蓝色(B)子像素。即，显示区域的多个子像素可以按照GGRB的图案进行排布。在本示例性实施例中，网状结构的导电保护结构的至少一个网格围绕一个或两个相邻的相同颜色子像素的发光元件用于发光的部分。然而，本实施例对于显示区域的多个子像素的排布方式并不限定。在一些示例中，显示区域内的多个子像素可以按照RGB图案进行排布。例如，在每一行按照一个红色子像素、一个绿色子像素和一个蓝色子像素的重复单元排布，每一列的子像素的颜色相同。或者，在一些示例中，显示区域的多个子像素可以按照PenTile图案排列。例如，每个像素单元可以包括红色子像素和绿色子像素，或者蓝色子像素和绿色子像素，每个像素单元可以借用与其相邻的像素单元的另一颜色子像素来构成三基色。
在一些示例性实施方式中，信号端提供恒定电位。即，导电保护结构连接恒定电位。恒定电位的电压值可以大于或等于发光元件的阴极的最小电压值且小于阳极的最大电压值。
在一些示例性实施方式中，衬底基板还包括：位于显示区域外围的周边区域，周边区域设置有至少一条恒压信号线，导电保护结构通过所述至少一条恒压信号线与所述信号端电连接。在一些示例中，导电保护结构的所述至少一个导电部可以通过至少一个连接电极与周边区域的所述至少一条恒压信号线连接。在一些示例中，恒压信号线可以为低电压电源线(VSS)，或者接地信号线，或者各种类型的电压线，只要满足恒压信号线提供的恒定电位的电压值大于或等于发光元件的第二电极的最小电压值且小于第一电极的最大电压值即可。在一些示例中，上述信号端可以包括：接收接地信号的绑定电极。例如，恒压信号线可以与位于显示区域一侧的绑定区域内设置的连接接地信号的绑定电极连接，导电保护结构通过与恒压信号线连接实现接地。然而，本实施例对此并不限定。
图1为本公开至少一实施例的显示基板的示意图。如图1所示，本实施例的显示基板包括：显示区域A和位于显示区域A周边的非显示区域。非显示区域包括位于显示区域A外围的周边区域B、以及位于显示区域A一侧的绑定区域(图未示)。显示区域A至少设置有多个子像素，多个子像素中的至少一个子像素包括：发光元件以及驱动发光元件发光的驱动电路。绑定区域至少包括将多个子像素的信号线连接至外部驱动装置的绑定电路。绑定电路可以包括与外部的电路板绑定连接的多个绑定电极。周边区域B至少包括向多个子像素传输电压信号的信号线，例如，低电位电源线(VSS)。本示例性实施例对于显示基板的尺寸和分辨率并不限定。例如，显示基板的尺寸可以为微显示尺寸、中小尺寸或大尺寸。例如，显示基板的分辨率可以为以下至少之一：960×540、1920×1080、2560×1440、3840×2160、7680×4320。
图2为本公开至少一实施例的显示区域的多个子像素的结构示意图。图2为图1中区域S的局部放大示意图。图3为图2中沿P-P方向的剖面示意图。
在一些示例性实施方式中，如图2所示，在平行于显示基板的平面上，显示区域的多个子像素按照以下方式排布：在每一行上按照两个第一颜色子像素21、一个第二颜色子像素22以及一个第三颜色子像素23的重复单元排布，重复单元中的两个第一颜色子像素21在列方向上排布，且相同颜色的子像素在行方向上的间距约等于子像素宽度的1.5倍。在本示例中，第一颜色子像素21、第二颜色子像素22和第三颜色子像素23沿行方向的宽度可以相同。换言之，相邻两行之间的重复单元在行方向上具有子像素宽度的1.5倍距离的移位。两个第一颜色子像素21可以分别呈五边形(例如，圆角五边形)，两个第一颜色子像素21相互对称，且对称轴与行方向平行。第二颜色子像素22和第三颜色子像素23分别呈六边形(例如，圆角六边形)。第二颜色子像素22和第三颜色子像素23沿列方向的长度可以相同。第一颜色子像素21沿列方向的长度可以小于第二颜色子像素22和第三颜色子像素23的长度。在一些示例中，第一颜色子像素可以为绿色(G)子像素，第二颜色子像素可以为红色(R)子像素，第三颜色子像素可以为蓝色(B)子像素。本实施例对于显示区域的多个子像素的形状以及排布方式并不限定。
在一些示例性实施方式中，如图2所示，在平行于显示基板的平面上，显示区域还设置有呈网状结构的导电保护结构32。网状结构的导电保护结构32可以由多个导电部(例如，包括第一导电部321、第二导电部322、第三导电部323以及第四导电部324)连接形成，多个导电部位于不同颜色的相邻子像素的发光元件各自用于发光的部分之间的间隔。子像素的发光元件位于像素定义层开口301的部分用于发光。在一些示例中，在行方向上，一个重复单元内的两个列方向上的第一颜色子像素21的发光的部分与相邻的第二颜色子像素22的发光的部分之间的间隔处设置第一导电部321；第二颜色子像素22的发光的部分与相邻的第三颜色子像素23的发光的部分之间的间隔处设置第二导电部322。在行方向上，相邻的重复单元之间设置有第三导电部323。在列方向上，相邻行的重复单元之间设置有第四导电部324。在一个重复单元内，两个第一颜色子像素21的发光元件用于发光的部分作为一个整体，被第一导电部321、第三导电部323和上下两侧的第四导电部324连接后围绕，一个第二颜色子像素22的发光元件用于发光的部分被第一导电部321、第二导电部322和上下两侧的第四导电部324连接后围绕，一个第三颜色子像素23的发光元件用于发光的部分被第二导电部322、第三导电部323和上下两侧的第四导电部324连接后围绕。即，在一个重复单元内，两个第一颜色子像素21的发光元件用于发光的部分被网状结构的一个网格围绕，第二颜色子像素22的发光元件用于发光的部分被一个网格围绕，第三颜色子像素23的发光元件用于发光的部分被一个网格围绕。不同颜色的相邻子像素的发光元件用于发光的部分均被导电部隔开，从而减少不同颜色的相邻子像素之间的载流子传输，避免产生电流串扰，以提升显示效果。在一些示例中，多个导电部连接形成的围绕子像素的发光元件用于发光的部分的网格可以呈六边形。然而，本实施例对此并不限定。在一些示例中，多个导电部连接形成的围绕子像素的发光元件用于发光的部分的网格可以为矩形或五边形等其他形状。另外，在一些示例中，在显示区域的不同位置的导电部的尺寸可以相同，例如，在垂直于导电部的延伸方向的方向上，导电部的长度可以相同。
在一些示例性实施方式中，如图2所示，在平行于显示基板的平面上，显示区域还设置有多个隔垫柱34。隔垫柱34可以作为支撑层，配置为在蒸镀过程中支撑FMM。在一些示例中，在子像素排布的行方向上，相邻两个隔垫柱34之间间隔一个重复单元。然而，本实施例对于隔垫柱的设置位置并不限定。
在一些示例性实施方式中，如图3所示，在垂直于显示基板的平面上，显示区域包括：设置在衬底基板10上的驱动结构层，设置在驱动结构层远离衬底基板10一侧的发光结构层以及导电保护结构。驱动结构层包括多个驱动电路，发光结构层包括多个发光元件，多个发光元件与多个驱动电路一一对应连接。每个驱动电路包括多个晶体管和至少一个存储电容，例如可以是2T1C、3T1C、5T1C或7T1C设计。图3中以三个子像素为例进行示意，且每个子像素的驱动电路仅以一个晶体管和一个存储电容为例进行示意。
在一些示例性实施方式中，如图3所示，在垂直于显示基板的平面上，至少一个发光元件包括：依次叠设的第一电极(例如，第一阳极213、第二阳极223或第三阳极233)、空穴注入层241、空穴传输层242、发光层(例如，第一颜色发光层216、第二颜色发光层226或第三颜色发光层236)、电子传输层243以及第二电极244。显示区域还设置有像素定义层30，设置在驱动结构层远离衬底基板10的一侧。像素定义层30包括：多个子像素定义部302，相邻子像素定义部302之间形成像素定义层开口，一个发光元件位于像素定义层开口的部分用于发光。导电保护结构(例如，包括图3示意的第一导电部321、第二导电部322和第三导电部323)设置在子像素定义部302远离衬底基板10的一侧，且导电保护结构可以与子像素定义部302直接接触。子像素定义部302在衬底基板10的投影覆盖导电保护结构在衬底基板10的投影。导电保护结构在衬底基板10的投影与像素定义层开口在衬底基板的投影没有交叠。多个第一电极设置在驱动结构层远离衬底基板10的一侧，且一个第一电极与驱动结构层的一个驱动电路电连接，像素定义层30的像素定义层开口暴露出第一电极的至少部分。空穴注入层241、空穴传输层242、电子传输层243以及第二电极244为多个发光元件的共通层，设置在多个像素定义层开口内，并延伸覆盖多个子像素定义部302。在一些示例中，发光层可以覆盖像素定义层开口和像素定义层开口周边的部分子像素定义部。第二电极244设置在电子传输层243远离衬底基板10的一侧，并覆盖电子传输层243。
在一些示例性实施方式中，如图3所示，在垂直于显示基板的平面上，第一颜色发光层216和第二颜色发光层226直接接触，且第一颜色发光层216和第二颜色发光层216在衬底基板10的投影没有交叠。第二颜色发光层226和第三颜色发光层236直接接触，且第二颜色发光层226和第三颜色发光层236在衬底基板10的投影没有交叠。第一导电部321在衬底基底10的投影与第一颜色发光层216和第二颜色发光层226在衬底基板10的投影有交叠。第二导电部322在衬底基板10的投影与第二颜色发光层226和第三颜色发光层236在衬底基板10的投影有交叠。至少一个第三导电部323在衬底基板10的投影与第三颜色发光层236的投影有交叠。第一导电部321、第二导电部322和第三导电部323在衬底基板10的投影与像素定义层开口没有交叠。在一些示例中，第一导电部321位于所在的子像素定义部302远离衬底基板10的上表面的中间区域。然而，本实施例对此并不限定。例如，第一导电部321可以位于所在的子像素定义部302远离衬底基板10的上表面靠近第一颜色发光层216的区域或者靠近第二颜色发光层226的区域。第二导电部322和第三导电部323的设置位置可以与第一导电部321的设置位置类似，故于此不再赘述。
图4为本公开至少一实施例的显示基板的导电保护结构的电连接示意图。如图2和图4所示，在一些示例性实施方式中，周边区域B内设置有提供恒定电位的恒压信号线51。位于导电保护结构32的外边缘的至少一个导电部可以通过一个或多个连接电极61与周边区域B的恒压信号线51电连接。在一些示例中，位于导电保护结构32靠近显示区域A的上边缘一侧的至少一个导电部可以通过多个连接电极61与周边区域B的恒压信号线51电连接。然而，本实施例对此并不限定。在一些示例中，位于导电保护结构32靠近显示区域A的左侧或右侧边缘的导电部可以通过一个或多个连接电极61与周边区域B的恒压信号线51电连接。在一些示例中，连接电极61可以包括发光元件的第二电极。换言之，导电保护结构32可以通过第二电极连接周边区域B内的恒压信号线51，从而实现屏蔽相邻发光元件之间的串扰电流。
在一些示例中，周边区域B的恒压信号线51可以与绑定区域的绑定电路内接收接地信号的绑定电极连接，导电保护结构32与恒压信号线51电连接，可以实现导电保护结构32接地。然而，本实施例对此并不限定。在一些示例中，恒压信号线可以为提供其他电位的电压线，只要恒压信号线提供的恒定电位的电压值大于或等于发光元件的阴极的最小电压值且小于阳极的最大电压值即可。例如，恒压信号线可以为低电位电源线(VSS或VGL)等。
在一些示例性实施方式中，如图2至图4所示，当仅第一颜色子像素21被点亮，即第一颜色子像素21的第一阳极213接收到对应的驱动电路产生的驱动电流，而相邻的第二颜色子像素22的第二阳极223没有接收到对应的驱动电路产生的驱动电流。由于空穴注入层241为多个子像素的共通层，第一颜色子像素21的第一阳极213流出的空穴会通过该共通层流向相邻的第二颜色子像素22。在本示例性实施例中，导电保护结构32的电阻率小于空穴注入层241的电阻率。通过导电保护结构32的屏蔽作用，第一颜色子像素21的第一阳极213流出的空穴会流向电阻率更小的导电保护结构32，并通过导电保护结构32流向接地端或其他恒定电位的信号端，而不会流向第二颜色子像素22的发光层，可以避免第二颜色子像素22的发光层在第二电极和作为共通层的空穴注入层的作用下发光。以第一颜色子像素为绿色子像素，第二颜色子像素为红色子像素为例，可以避免在仅点亮绿色子像素时，产生相邻的红色子像素微弱发光的情况。同样地，在其他颜色的相邻子像素之间，或者，除空穴注入层之外的共通层导电性较高的情况下，或者，发光元件的非共通层导电性较高的情况下，导电保护结构均可以起到屏蔽串扰电流的作用。下面通过显示基板的制备过程的示例说明本公开实施例的显示基板的结构。本公开所说的“构图工艺”包括沉积膜层、涂覆光刻胶、掩模曝光、显影、刻蚀和剥离光刻胶等处理。沉积可以采用选自溅射、蒸镀和化学气相沉积中的任意一种或多种，涂覆可以采用选自喷涂和旋涂中的任意一种或多种，刻蚀可以采用选自干刻和湿刻中的任意一种或多种。“薄膜”是指将某一种材料在衬底基板上利用沉积或涂覆工艺制作出的一层薄膜。若在整个制作过程当中该“薄膜”无需构图工艺，则该“薄膜”还可以称为“层”。当在整个制作过程当中该“薄膜”还需构图工艺，则在构图工艺前称为“薄膜”，构图工艺后称为“层”。经过构图工艺后的“层”中包含至少一个“图案”。
本公开中所说的“A和B同层设置”是指，A和B通过同一次构图工艺同时形成。“相同层”不总是意味着层的厚度或层的高度在截面图中是相同的。“A的投影包含B的投影”是指，B的投影落入A的投影范围内，或者A的投影覆盖B的投影。
在一些示例性实施方式中，本实施例的显示基板的制备过程可以包括以下步骤(1)至步骤(9)。在本示例性实施例中，以顶发射结构的柔性显示基板为例进行说明。图5至图13均为图2中沿P-P方向的剖面示意图。
(1)、在玻璃载板上制备衬底基板。
在一些示例性实施方式中，衬底基板10可以为柔性衬底基板，例如包括在玻璃载板1上叠设的第一柔性材料层、第一无机材料层、半导体层、第二柔性材料层和第二无机材料层。第一柔性材料层、第二柔性材料层的材料采用聚酰亚胺(PI)、聚对苯二甲酸乙二酯(PET)或经表面处理的聚合物软膜等材料。第一无机材料层、第二无机材料层的材料采用氮化硅(SiNx)或氧化硅(SiOx)等，用于提高衬底基板的抗水氧能力，第一无机材料层、第二无机材料层也称之为阻挡(Barrier)层。半导体层的材料采用非晶硅(a-si)。在一些示例性实施方式中，以叠层结构PI1/Barrier1/a-si/PI2/Barrier2为例，其制备过程包括：先在玻璃载板1上涂布一层聚酰亚胺，固化成膜后形成第一柔性(PI1)层；随后在第一柔性层上沉积一层阻挡薄膜，形成覆盖第一柔性层的第一阻挡(Barrier1)层；然后在第一阻挡层上沉积一层非晶硅薄膜，形成覆盖第一阻挡层的非晶硅(a-si)层；然后在非晶硅层上再涂布一层聚酰亚胺，固化成膜后形成第二柔性(PI2)层；然后在第二柔性层上沉积一层阻挡薄膜，形成覆盖第二柔性层的第二阻挡(Barrier2)层，完成衬底基板10的制备，如图5所示。
(2)、在衬底基板上制备驱动结构层。驱动结构层包括多个驱动电路，每个驱动电路包括多个晶体管和至少一个存储电容，例如2T1C、3T1C或7T1C设计。如图6所示，以三个子像素为例进行示意，且每个子像素的驱动电路仅以一个晶体管和一个存储电容为例进行示意。
在一些示例性实施方式中，驱动结构层的制备过程可以参照以下说明。以第一颜色子像素21的驱动电路的制备过程为例进行说明。
在衬底基板10上依次沉积第一绝缘薄膜和有源层薄膜，通过构图工艺对有源层薄膜进行构图，形成覆盖整个衬底基板10的第一绝缘层11，以及设置在第一绝缘层11上的有源层图案，有源层图案至少包括第一有源层。
随后，依次沉积第二绝缘薄膜和第一金属薄膜，通过构图工艺对第一金属薄膜进行构图，形成覆盖有源层图案的第二绝缘层12，以及设置在第二绝缘层12上的第一栅金属层图案，第一栅金属层图案至少包括第一栅电极和第一电容电极。
随后，依次沉积第三绝缘薄膜和第二金属薄膜，通过构图工艺对第二金属薄膜进行构图，形成覆盖第一栅金属层的第三绝缘层13，以及设置在第三绝缘层13上的第二栅金属层图案，第二栅金属层图案至少包括第二电容电极，第二电容电极的位置与第一电容电极的位置相对应。
随后，沉积第四绝缘薄膜，通过构图工艺对第四绝缘薄膜进行构图，形成覆盖第二栅金属层的第四绝缘层14图案，第四绝缘层14上开设有至少两个第一过孔，两个第一过孔内的第四绝缘层14、第三绝缘层13和第二绝缘层12被刻蚀掉，暴露出第一有源层的表面。
随后，沉积第三金属薄膜，通过构图工艺对第三金属薄膜进行构图，在第四绝缘层14上形成源漏金属层图案，源漏金属层至少包括位于显示区域的第一源电极和第一漏电极。第一源电极和第一漏电极可以分别通过第一过孔与第一有源层连接。
如图6所示，显示区域的第一颜色子像素21的驱动电路中，第一有源层、第一栅电极、第一源电极和第一漏电极可以组成第一晶体管210，第一电容电极和第二电容电极可以组成第一存储电容212。在上述制备过程中，可以同时形成第二颜色子像素22的驱动电路以及第三颜色子像素23的驱动电路。
在一些示例性实施方式中，第一绝缘层11、第二绝缘层12、第三绝缘层13和第四绝缘层14采用硅氧化物(SiOx)、硅氮化物(SiNx)和氮氧化硅(SiON)中的任意一种或更多种，可以是单层、多层或复合层。第一绝缘层11称之为缓冲(Buffer)层，用于提高衬底基板的抗水氧能力；第二绝缘层12和第三绝缘层13称之为栅绝缘(GI，Gate Insulator)层；第四绝缘层14称之为层间绝缘(ILD，Interlayer Dielectric)层。第一金属薄膜、第二金属薄膜和第三金属薄膜采用金属材料，如银(Ag)、铜(Cu)、铝(Al)、钛(Ti)和钼(Mo)中的任意一种或更多种，或上述金属的合金材料，如铝钕合金(AlNd)或钼铌合金(MoNb)，可以是单层结构，或者多层复合结构，如Ti/Al/Ti等。有源层薄膜采用非晶态氧化铟镓锌材料(a-IGZO)、氮氧化锌(ZnON)、氧化铟锌锡(IZTO)、非晶硅(a-Si)、多晶硅(p-Si)、六噻吩、聚噻吩等一种或多种材料，即本公开适用于基于氧化物(Oxide)技术、硅技术以及有机物技术制造的晶体管。
(3)、在形成前述图案的衬底基板上形成平坦层。
在一些示例性实施方式中，在形成前述图案的衬底基板10上涂覆有机材料的平坦薄膜，形成覆盖整个衬底基板10的平坦(PLN，Planarization)层15，并通过掩膜、曝光、显影工艺，在显示区域的平坦层15上形成多个第二过孔K2，如图7所示。多个第二过孔K2内的平坦层15被显影掉，分别暴露出第一颜色子像素21的驱动电路的第一晶体管210的第一漏电极的表面、第二颜色子像素22的驱动电路的第一晶体管的第一漏电极的表面以及第三颜色子像素23的驱动电路的第一晶体管的第一漏电极的表面。
(4)、在形成前述图案的衬底基板上，形成第一电极图案。在一些示例中，第一电极为反射阳极。
在一些示例性实施方式中，在形成前述图案的衬底基板10上沉积导电薄膜，通过构图工艺对导电薄膜进行构图，形成第一电极图案。如图8所示，第一颜色子像素21的第一阳极213通过第二过孔K2与第一晶体管210的第一漏电极连接，第二颜色子像素22的第二阳极223通过第二过孔K2与第二颜色子像素22的第一晶体管的第一漏电极连接，第三颜色子像素23的第三阳极233通过第二过孔K2与第三颜色子像素23的第一晶体管的第一漏电极连接。
在一些示例中，第一电极可以采用金属材料，如镁(Mg)、银(Ag)、铜(Cu)、铝(Al)、钛(Ti)和钼(Mo)中的任意一种或更多种，或上述金属的合金材料，如铝钕合金(AlNd)或钼铌合金(MoNb)，可以是单层结构，或者多层复合结构，如Ti/Al/Ti等，或者，是金属和透明导电材料形成的堆栈结构，如ITO/Ag/ITO、Mo/AlNd/ITO等反射型材料。
(5)、在形成前述图案的衬底基板上，形成像素定义(PDL，Pixel DefinitionLayer)层图案。
在一些示例性实施例方式中，在形成前述图案的衬底基板10上涂覆像素定义薄膜，通过掩膜、曝光、显影工艺，形成像素定义层图案。如图9所示，显示区域的像素定义层30包括多个子像素定义部302，相邻子像素定义部302之间形成有多个像素定义层开口301，多个像素定义层开口301内的像素定义层30被显影掉，分别暴露出第一颜色子像素21的第一阳极213的至少部分表面、第二颜色子像素22的第二阳极223的至少部分表面以及第三颜色子像素23的第三阳极233的至少部分表面。
在一些示例中，像素定义层30可以采用聚酰亚胺、亚克力或聚对苯二甲酸乙二醇酯等。
(6)、在形成前述图案的衬底基板上，形成隔垫柱(PS，Post Spacer)图案。
在一些示例性实施方式中，在形成前述图案的衬底基板10上涂覆有机材料薄膜，通过掩膜、曝光、显影工艺，形成隔垫柱34图案，如图10所示。隔垫柱34可以作为支撑层，配置为在蒸镀过程中支撑FMM。在一些示例中，如图2所示，沿着子像素的行排布方向上，相邻两个隔垫柱34之间间隔一个重复单元，例如，隔垫柱34可以位于相邻的第一颜色子像素21和第三颜色子像素23之间。
(7)、在形成前述图案的衬底基板上，形成导电保护结构。
在一些示例性实施例方式中，在形成前述图案的衬底基板10上沉积导电薄膜，通过构图工艺对导电薄膜进行构图，形成导电保护结构图案，如图11所示。导电保护结构32包括多个导电部(例如，包括第一导电部321、第二导电部322、第三导电部323和第四导电部324)，多个导电部连接形成网状结构。在一些示例中，如图2所示，两个第一颜色子像素21的发光元件用于发光的部分作为一个整体，被第一导电部321、第三导电部323和第四导电部324围绕，第二颜色子像素22的发光元件用于发光的部分被第一导电部321、第二导电部322和第四导电部324围绕，第三颜色子像素23的发光元件用于发光的部分被第二导电部322、第三导电部323和第四导电部324围绕。
如图2和图11所示，至少一个第三导电部323位于相邻的第三颜色子像素23和第一颜色子像素21之间的隔垫柱34或子像素定义部302上，第一导电部321位于相邻的第一颜色子像素21和第二颜色子像素22之间的子像素定义部302上，第二导电部322位于相邻的第二颜色子像素22和第三颜色子像素23之间的子像素定义部302上。导电保护结构32在衬底基板10的投影位于子像素定义部302在衬底基板10的投影内。换言之，导电保护结构32在衬底基板10的投影与像素定义层开口301在衬底基板10的投影没有交叠，导电保护结构32不与多个第一电极(例如，第一阳极213、第二阳极223和第三阳极233)连接，不影响发光元件的正常显示。
在一些示例中，导电保护结构可以采用金属材料，如银(Ag)、金(Au)、铜(Cu)、铝(Al)、钛(Ti)和钼(Mo)中的任意一种或更多种，或上述金属的合金材料，如铝钕合金(AlNd)或钼铌合金(MoNb)，或者，透明导电材料，例如，氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(IZO)，可以是单层结构，或者多层复合结构，例如多层金属复合结构，比如Ti/Al/Ti等，或者，透明导电材料和金属材料的复合结构，例如，ITO(厚度范围为5纳米(nm)至20nm)/Ag(厚度范围为50至200nm)/ITO(厚度范围为5nm至20nm)。在一些示例中，导电保护结构的材料可以与第一电极的材料相同。
在一些示例性实施方式中，导电保护结构与提供恒定电位的信号端连接。导电保护结构使得发光元件的共通层产生的串扰电流流向所述信号端，屏蔽相邻子像素的发光元件之间的串扰电流，从而提升色彩显示准确性。在一些示例中，由于导电保护结构为网状结构，通过将导电保护结构的外边缘的导电部与所述信号端连接，可以实现整个导电保护结构连接所述信号端。例如，导电保护结构的外边缘的导电部可以通过连接电极与周边区域提供恒定电位的恒压信号线连接。恒压信号线可以与绑定区域的绑定电路中接收接地信号的绑定电极连接，导电保护结构通过连接恒压信号线实现接地。在一些示例中，连接电极和恒压信号线可以与源漏金属层同层设置，且连接电极与恒压信号线电连接；导电部通过在像素定义层和平坦层上开设的过孔，与连接电极实现电连接。然而，本实施例对此并不限定。
(8)、在形成前述图案的衬底基板上，依次形成有机功能层以及第二电极。在一些示例中，第二电极为透明阴极。发光元件可以通过透明阴极从远离衬底基板10一侧出光，实现顶发射。在一些示例中，发光元件的有机功能层包括：空穴注入层、空穴传输层、发光层以及电子传输层。
在一些示例性实施方式中，在形成前述图案的衬底基板10上采用开放式掩膜版(Open Mask)依次蒸镀形成空穴注入层241和空穴传输层242，然后采用FMM依次蒸镀形成蓝色发光层236、绿色发光层216和红色发光层226，然后采用开放式掩膜版依次蒸镀形成电子传输层243、阴极244以及光耦合层245，如图12所示。空穴注入层241、空穴传输层242、电子传输层243以及阴极244均为多个子像素的共通层。在一些示例中，有机功能层还可以包括：位于空穴传输层和发光层之间的微腔调节层。例如，可以在形成空穴传输层之后，采用FMM依次蒸镀形成蓝色微腔调节层、蓝色发光层、绿色微腔调节层、绿色发光层、红色微腔调节层、红色发光层。
在一些示例性实施方式中，有机功能层形成在子像素区域内，实现有机功能层与阳极连接。阴极形成在像素定义层上，并与有机功能层连接。
在一些示例性实施方式中，阴极可以采用镁(Mg)、银(Ag)、铝(Al)中的任意一种或更多种，或采用上述金属中任意一种或多种制成的合金，或者采用透明导电材料，例如，氧化铟锡(ITO)，或者，金属与透明导电材料的多层复合结构。
在一些示例性实施方式中，可以在阴极244远离衬底基板10的一侧形成光耦合层，光耦合层可以为多个子像素的共通层。光耦合层可以与透明阴极配合，起到增加光输出的作用。例如，光耦合层的材料可以采用半导体材料。然而，本实施例对此并不限定。
(9)、在形成前述图案的衬底基板上，形成封装层。
在一些示例性实施方式中，在形成前述图案的衬底基板10上形成封装层，封装层可以包括叠设的第一封装层41、第二封装层42和第三封装层43，如图13所示。第一封装层41采用无机材料，在显示区域覆盖阴极244。第二封装层42采用有机材料。第三封装层43采用无机材料，覆盖第一封装层41和第二封装层42。然而，本实施例对此并不限定。在一些示例中，封装层可以采用无机/有机/无机/有机/无机的五层结构。
本实施例提供的显示基板通过在像素定义层上形成网状结构的导电保护结构，使得发光元件的导电性较高的共通层中的串扰电流流向导电保护结构，屏蔽共通层传输的串扰电流，避免产生串扰显示不良，从而提升显示效果。本实施例提供的显示基板中，无需降低共通层(例如，空穴注入层)的导电性，可以确保显示基板的功耗，从而提升显示效果。
本公开实施例的显示基板的结构及其制备过程仅仅是一种示例性说明。在一些示例性实施方式中，可以根据实际需要变更相应结构以及增加或减少构图工艺。例如，显示基板可以为底发射结构的显示基板。又如，有机功能层还可以包括以下至少之一：电子阻挡层、空穴阻挡层、电子注入层。又如，发光元件的有机功能层可以不设置共通层。然而，本公开在此不做限定。
图14为图2中沿P-P方向的另一剖面示意图。在一些示例性实施方式中，如图14所示，在垂直于显示基板的平面内，第一颜色发光层216和第二颜色发光层226有交叠，第二颜色发光层226和第三颜色发光层236有交叠。第一导电部321在衬底基板10的投影与第一颜色发光层216和第二颜色发光层226的交叠部分在衬底基板10的投影有交叠。第二导电部322在衬底基板10的投影与第二颜色发光层226和第三颜色发光层236的交叠部分在衬底基板10的投影有交叠。关于本实施例的其他结构可以参照上述实施例的说明，故于此不再赘述。
图15为本公开至少一实施例的显示区域的多个子像素的另一示意图。在一些示例性实施方式中，如图15所示，显示区域的多个子像素按照以下方式排布：在每一行上按照一个第一颜色子像素21、一个第二颜色子像素22、以及一个第三颜色子像素23的重复单元排布；在列方向上，每一列的子像素的颜色相同。每个子像素可以呈矩形(例如，圆角矩形)。不同颜色的子像素沿行方向的宽度大致均相同，不同颜色的子像素沿列方向的长度大致均相同。在一些示例中，第一颜色子像素21可以为红色子像素，第二颜色子像素22可以为绿色子像素，第三颜色子像素23可以为蓝色子像素。然而，本实施例对此并不限定。
在一些示例性实施方式中，导电保护结构包括至少一个第一导电部741、至少一个第二导电部742以及至少一个第三导电部743。至少一个第一导电部741位于相邻的第一颜色子像素21和第二颜色子像素22的发光元件各自用于发光的部分之间的间隔；至少一个第二导电部742位于相邻的第二颜色子像素22和第三颜色子像素23的发光元件各自用于发光的部分之间的间隔；至少一个第三导电部743位于第三颜色子像素23和相邻重复单元中的第一颜色子像素21的发光元件各自用于发光的部分之间的间隔。在一些示例中，当第一导电部741、第二导电部742和第三导电部743均为多个时，位于同一列的多个第一导电部741可以为一体结构，位于同一列的多个第二导电部742可以为一体结构，位于同一列的多个第三导电部743可以为一体结构，形成多个平行于列方向的条状结构。然而，本实施例对此并不限定。在一些示例中，在仅需确保第二颜色子像素的单色显示时，可以仅设置第一导电部741和第二导电部742。
在一些示例中，导电保护结构的每一条状结构可以分别延伸至周边区域，与周边区域内提供恒定电位的恒压信号线连接。然而，本实施例对此并不限定。
在本示例性实施例中，通过在相邻的不同颜色的发光元件之间设置导电部，可以避免单色显示时其他颜色的发光元件被点亮的情况，从而提升显示效果。
本示例性实施例中的显示区域的结构与前述实施例中描述的相应结构类似，故于此不再赘述。本实施方式所示的结构(或方法)可以与其它实施方式所示的结构(或方法)适当地组合。
图16为本公开至少一实施例的显示区域的多个子像素的另一示意图。在一些示例性实施方式中，如图16所示，显示区域的多个子像素按照以下方式排布：在每一行上按照一个第一颜色子像素21、一个第二颜色子像素22、以及一个第三颜色子像素23的重复单元排布；在列方向上，每一列子像素的颜色相同。每个子像素可以呈矩形(例如，圆角矩形)。不同颜色子像素沿行方向的宽度大致均相同，不同颜色子像素沿列方向的长度大致均相同。在一些示例中，第一颜色子像素21可以为红色子像素，第二颜色子像素22可以为绿色子像素，第三颜色子像素23可以为蓝色子像素。然而，本实施例对此并不限定。
在一些示例性实施方式中，任两个相邻子像素的发光元件各自用于发光的部分之间的间隔处设置有导电部。相邻的第一颜色子像素21和第二颜色子像素22的发光元件各自用于发光的部分之间的间隔处设置第一导电部741，相邻的第二颜色子像素22和第三颜色子像素23的发光元件各自用于发光的部分之间的间隔处设置第二导电部742，一个重复单元中的第三颜色子像素23和相邻重复单元中的第一颜色子像素21的发光元件各自用于发光的部分之间的间隔处设置第三导电部743。相邻行的重复单元之间设置第四导电部744。在一些示例中，当第一导电部741、第二导电部742、第三导电部743和第四导电部744均为多个时，位于同一行的多个第四导电部744可以为一体结构，位于同一列的多个第一导电部741可以为一体结构，位于同一列的多个第二导电部742可以为一体结构，位于同一列的多个第三导电部743可以为一体结构，从而形成多行和多列的交叉结构。如此一来，每个子像素的发光元件用于发光的部分均通过导电保护结构与其四侧相邻的发光元件用于发光的部分隔离开，屏蔽相邻子像素的串扰电流，从而提升显示效果。
在一些示例性实施方式中，导电保护结构的任一行或任一列的条状结构可以延伸至周边区域，与周边区域内提供恒定电位的恒压信号线连接。然而，本实施例对此并不限定。
本示例性实施例中的显示区域的结构与前述实施例中描述的相应结构类似，故于此不再赘述。本实施方式所示的结构(或方法)可以与其它实施方式所示的结构(或方法)适当地组合。
图17为本公开至少一实施例的显示区域的多个子像素的另一示意图。在一些示例性实施方式中，如图17所示，显示区域的多个子像素按照以下方式排布：以一个第一颜色子像素21、一个第二颜色子像素22和一个第三颜色子像素23作为一个重复单元依次沿第一方向(例如，行方向)和垂直于第一方向的第二方向(例如，列方向)排布，在一个重复单元内，第一颜色子像素21和第二颜色子像素22沿第二方向排布，第三颜色子像素23排布在第一颜色子像素21和第二颜色子像素22的一侧。第一颜色子像素21、第二颜色子像素22和第三颜色子像素23沿第一方向的长度大致相同，第一颜色子像素21和第二颜色子像素22沿第二方向的长度大致相同，且小于第三颜色子像素23沿第二方向的长度。在一些示例中，第一颜色子像素21可以为蓝色子像素，第二颜色子像素22可以为红色子像素，第三颜色子像素23可以为绿色子像素。然而，本实施例对此并不限定。
在一些示例性实施方式中，如图17所示，导电保护结构32包括至少一个导电部，至少一个导电部位于至少两个相邻子像素的发光元件各自用于发光的部分之间的间隔。导电保护结构32形成有多个网格。至少一个网格可以为矩形。至少一个网格围绕一个第一颜色子像素21的发光元件用于发光的部分，或者围绕一个第二颜色子像素22的发光元件用于发光的部分，或者围绕一个第三颜色子像素23的发光元件用于发光的部分。任一子像素的发光元件用于发光的部分为位于像素定义层开口301的部分。
本示例性实施例中的显示区域的结构与前述实施例中描述的相应结构类似，故于此不再赘述。本实施方式所示的结构(或方法)可以与其它实施方式所示的结构(或方法)适当地组合。
图18为本公开至少一实施例的显示区域的多个子像素的另一示意图。在一些示例性实施方式中，如图18所示，显示区域的多个子像素按照以下方式排布：以一个第一颜色子像素21、一个第二颜色子像素22和一个第三颜色子像素23作为一个重复单元依次沿行方向排布，相同颜色的子像素在行方向的间隔约等于子像素宽度的一倍。第一颜色子像素21、第二颜色子像素22和第三颜色子像素23沿行方向的长度大致相同，沿列方向的长度大致相同。在一些示例中，第一颜色子像素21可以为蓝色子像素，第二颜色子像素22可以为红色子像素，第三颜色子像素23可以为绿色子像素。然而，本实施例对此并不限定。
在一些示例性实施方式中，如图18所示，导电保护结构32包括至少一个导电部，至少一个导电部位于至少两个相邻子像素的发光元件各自用于发光的部分之间的间隔。导电保护结构32形成有多个网格。至少一个网格可以为矩形。至少一个网格围绕一个第一颜色子像素21的发光元件用于发光的部分，或者围绕一个第二颜色子像素22的发光元件用于发光的部分，或者围绕一个第三颜色子像素23的发光元件用于发光的部分。任一子像素的发光元件用于发光的部分为位于像素定义层开口301的部分。
本示例性实施例中的显示区域的结构与前述实施例中描述的相应结构类似，故于此不再赘述。本实施方式所示的结构(或方法)可以与其它实施方式所示的结构(或方法)适当地组合。
图19为本公开至少一实施例的显示区域的多个子像素的另一示意图。在一些示例性实施方式中，如图19所示，显示区域的多个子像素按照以下方式排布：以一个第一颜色子像素21、一个第二颜色子像素22和一个第三颜色子像素23作为一个重复单元依次沿行方向排布，相同颜色的子像素在行方向的间隔约等于子像素宽度的1.5倍。第一颜色子像素21、第二颜色子像素22和第三颜色子像素23沿行方向的长度大致相同，沿列方向的长度大致相同。在一些示例中，第一颜色子像素21可以为红色子像素，第二颜色子像素22可以为蓝色子像素，第三颜色子像素23可以为绿色子像素。然而，本实施例对此并不限定。
在一些示例性实施方式中，如图19所示，导电保护结构32包括至少一个导电部，至少一个导电部位于至少两个相邻子像素的发光元件各自用于发光的部分之间的间隔。导电保护结构32形成有多个网格。至少一个网格呈矩形或正方形。至少一个网格围绕一个第一颜色子像素21的发光元件用于发光的部分，或者围绕一个第二颜色子像素22的发光元件用于发光的部分，或者围绕一个第三颜色子像素23的发光元件用于发光的部分。任一子像素的发光元件用于发光的部分为位于像素定义层开口301的部分。
本示例性实施例中的显示区域的结构与前述实施例中描述的相应结构类似，故于此不再赘述。本实施方式所示的结构(或方法)可以与其它实施方式所示的结构(或方法)适当地组合。
图20为本公开至少一实施例的显示区域的多个子像素的另一示意图。在一些示例性实施方式中，如图20所示，显示区域的多个子像素可以按照钻石(Diamond)图案排列。第一颜色子像素21和第二颜色子像素22呈菱形，第三颜色子像素23呈圆角矩形。第一颜色子像素21和第三颜色子像素23按照与水平线之间顺时针夹角为45度的直线排列，第二颜色子像素22和第三颜色子像素23按照与水平线之间逆时针夹角为成45度的直线排列。在一些示例中，第一颜色子像素21可以为红色子像素，第二颜色子像素22可以为蓝色子像素，第三颜色子像素23可以为绿色子像素。然而，本实施例对此并不限定。
在一些示例性实施方式中，如图20所示，导电保护结构32包括多个导电部，至少一个导电部位于至少两个相邻子像素的发光元件各自用于发光的部分之间的间隔。导电保护结构32形成有多个网格。至少一个网格呈菱形。至少一个网格围绕一个第一颜色子像素21的发光元件用于发光的部分，或者围绕一个第二颜色子像素22的发光元件用于发光的部分，或者围绕一个第三颜色子像素23的发光元件用于发光的部分。导电保护结构32与多个发光元件的阳极(例如，第一阳极213、第二阳极223和第三阳极233)在衬底基板的投影没有交叠。任一子像素的发光元件用于发光的部分为位于像素定义层开口的部分。
本示例性实施例中的显示区域的结构与前述实施例中描述的相应结构类似，故于此不再赘述。本实施方式所示的结构(或方法)可以与其它实施方式所示的结构(或方法)适当地组合。
本公开至少一实施例还提供一种显示基板的制备方法，包括：提供一衬底基板，衬底基板包括显示区域；在显示区域的衬底基板上形成多个子像素和一个导电保护结构。多个子像素中的至少一个子像素包括：发光元件以及驱动发光元件发光的驱动电路，发光元件和导电保护结构位于驱动电路远离衬底基板的一侧。导电保护结构包括至少一个导电部，所述至少一个导电部位于至少两个相邻子像素的发光元件各自用于发光的部分之间的间隔。导电保护结构与一信号端电连接，配置为减少相邻子像素之间的载流子传输。
在一些示例性实施方式中，所述制备方法还包括：在驱动电路远离衬底基板的一侧形成像素定义层。像素定义层包括多个子像素定义部，相邻子像素定义部之间形成像素定义层开口，发光元件的位于像素定义层开口的部分用于发光。在显示区域的衬底基板上形成导电保护结构，包括：在像素定义层的多个子像素定义部远离衬底基板的一侧形成导电保护结构。导电保护结构的至少部分与多个子像素定义部直接接触，且多个子像素定义部在衬底基板的投影覆盖导电保护结构在衬底基板的投影。
在一些示例性实施方式中，在显示区域的衬底基板上形成多个子像素，包括：在驱动电路远离衬底基板的一侧形成与驱动电路电连接的第一电极；在第一电极远离衬底基板的一侧形成有机功能层，第一电极的至少部分被像素定义层开口暴露，有机功能层通过像素定义层开口与第一电极接触；在有机功能层远离衬底基板的一侧形成与有机功能层接触的第二电极。
关于本实施例的制备方法可以参照前述实施例的说明，故于此不再赘述。
图21为本公开至少一实施例的显示装置的示意图。如图21所示，本实施例提供一种显示装置91，包括：显示基板910。显示基板910为前述实施例提供的显示基板。在一些示例中，显示基板910可以为OLED显示基板。显示装置91可以为：OLED显示装置、手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪、车载显示器、手表、手环等任何具有显示功能的产品或部件。然而，本实施例对此并不限定。
本公开中的附图只涉及本公开涉及到的结构，其他结构可参考通常设计。在不冲突的情况下，本公开的实施例及实施例中的特征可以相互组合以得到新的实施例。
本领域的普通技术人员应当理解，可以对本公开的技术方案进行修改或者等同替换，而不脱离本公开技术方案的精神和范围，均应涵盖在本申请的权利要求的范围当中。
Claims (20)
1.一种显示基板，其特征在于，包括：
衬底基板，包括显示区域，所述显示区域设置有多个子像素和一个导电保护结构；所述多个子像素中的至少一个子像素包括：发光元件以及驱动所述发光元件发光的驱动电路，所述发光元件和所述导电保护结构位于所述驱动电路远离所述衬底基板的一侧；
所述导电保护结构包括至少一个导电部，所述至少一个导电部位于至少两个相邻子像素的发光元件各自用于发光的部分之间的间隔；所述导电保护结构与一信号端电连接，配置为减少相邻子像素之间的载流子传输。
2.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述至少一个导电部位于至少两个相邻的不同颜色的子像素的发光元件各自用于发光的部分之间的间隔。
3.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述发光元件包括有机功能层，所述有机功能层包括至少两层有机层，所述至少一个导电部与其中至少一层有机层接触。
4.根据权利要求3所述的显示基板，其特征在于，所述至少两层有机层中包括第一层，所述第一层在所述衬底基板的投影至少与两个所述子像素的发光元件的用于发光的部分在所述衬底基板的投影有交叠，所述第一层与所述至少一个导电部接触。
5.根据权利要求4所述的显示基板，其特征在于，所述第一层为多个子像素的发光元件之间的共通层。
6.根据权利要求3所述的显示基板，其特征在于，所述至少一个导电部的电阻率小于所述至少一个导电部所接触的有机层的电阻率。
7.根据权利要求3至6中任一项所述的显示基板，其特征在于，所述显示区域还设置有像素定义层，位于所述驱动电路远离所述衬底基板的一侧，所述像素定义层包括：多个子像素定义部，相邻子像素定义部之间形成像素定义层开口，所述发光元件的位于所述像素定义层开口的部分用于发光；
所述导电保护结构设置在所述子像素定义部远离所述衬底基板的一侧，且所述子像素定义部在所述衬底基板的投影覆盖所述导电保护结构在所述衬底基板的投影。
8.根据权利要求7所述的显示基板，其特征在于，所述发光元件还包括：第一电极和第二电极；
所述第一电极设置在所述驱动电路远离所述衬底基板的一侧，且与所述驱动电路电连接，所述像素定义层的像素定义层开口暴露出所述第一电极的至少部分；
所述有机功能层设置在所述第一电极远离所述衬底基板的一侧，并通过所述像素定义层开口与所述第一电极接触；所述第二电极设置在所述有机功能层远离所述衬底基板的一侧，并与所述有机功能层接触。
9.根据权利要求7所述的显示基板，其特征在于，所述有机功能层包括：发光层以及以下至少之一：空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、电子注入层、电子传输层、空穴阻挡层。
10.根据权利要求9所述的显示基板，其特征在于，所述至少一个导电部在所述衬底基底的投影与两个子像素的发光层在所述衬底基板的投影有交叠，且与所述像素定义层开口在所述衬底基板的投影没有交叠。
11.根据权利要求9所述的显示基板，其特征在于，所述两个子像素的发光层有交叠，且所述至少一个导电部在所述衬底基板的投影与所述两个子像素的发光层的交叠部分在所述衬底基板的投影有交叠。
12.根据权利要求9所述的显示基板，其特征在于，所述空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、电子注入层、电子传输层以及空穴阻挡层中的至少一项为多个子像素的发光元件之间的共通层。
13.根据权利要求8所述的显示基板，其特征在于，所述导电保护结构通过所述第二电极与所述信号端电连接。
14.根据权利要求13所述的显示基板，其特征在于，所述信号端的电压值位于所述发光元件的第二电极的最小电压值和所述第一电极的最大电压值之间。
15.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述导电保护结构为由所述至少一个导电部形成的网状结构，所述网状结构包括至少一个网格，所述至少一个网格围绕一个子像素的发光元件的发光的部分，或者围绕多个相邻的相同颜色的子像素的发光元件的发光的部分。
16.根据权利要求15所述的显示基板，其特征在于，所述显示区域内的多个子像素按照以下方式排布：在第一方向上按照两个第一颜色子像素、一个第二颜色子像素以及一个第三颜色子像素的重复单元排布，所述两个第一颜色子像素在垂直于第一方向的第二方向上排布，且相同颜色的子像素在第一方向上的间距约等于子像素宽度的1至2倍；
所述两个相邻的第一颜色子像素的发光元件用于发光的部分被所述导电保护结构的一个网格围绕，一个第二颜色子像素的发光元件用于发光的部分被所述导电保护结构的一个网格围绕，一个第三颜色子像素的发光元件用于发光的部分被所述导电保护结构的一个网格围绕。
17.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述信号端提供恒定电位。
18.根据权利要求17所述的显示基板，其特征在于，所述衬底基板还包括：位于显示区域外围的周边区域，所述周边区域设置有至少一条恒压信号线，所述导电保护结构通过所述至少一条恒压信号线与所述信号端电连接。
19.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1至18中任一项所述的显示基板。
20.一种显示基板的制备方法，其特征在于，包括：
提供一衬底基板，所述衬底基板包括显示区域；
在所述显示区域的衬底基板上形成多个子像素和一个导电保护结构；所述多个子像素中的至少一个子像素包括：发光元件以及驱动所述发光元件发光的驱动电路，所述发光元件和导电保护结构位于所述驱动电路远离所述衬底基板的一侧；所述导电保护结构包括至少一个导电部，所述至少一个导电部位于至少两个相邻子像素的发光元件各自用于发光的部分之间的间隔，所述导电保护结构与一信号端电连接，配置为减少相邻子像素之间的载流子传输。
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