CN111446280B

CN111446280B - 一种显示面板以及显示装置

Info

Publication number: CN111446280B
Application number: CN202010327503.5A
Authority: CN
Inventors: 黄忠守
Original assignee: Vision Technology Co ltd
Current assignee: Vision Technology Co ltd
Priority date: 2020-04-23
Filing date: 2020-04-23
Publication date: 2023-05-26
Anticipated expiration: 2040-04-23
Also published as: EP3902009A1; CN111446280A; US11653518B2; US20210336180A1

Abstract

本发明公开了显示面板以及显示装置，显示面板包括衬底；位于衬底一侧的第一电极层；像素限定层，位于第一电极层背离衬底的一侧；像素限定层设置有多个开口结构；开口结构露出部分第一电极；第一类型载流子辅助层，位于像素限定层以及第一电极背离衬底的一侧；发光层，位于第一类型载流子辅助层背离所述衬底的一侧；第二类型载流子辅助层，位于发光层背离衬底的一侧；第二电极层，位于第二类型载流子辅助层背离衬底的一侧；势垒控制栅，位于像素限定层与第一类型载流子辅助层之间，势垒控制栅用于在第一类型载流子辅助层中形成阻碍第一类型载流子流动的第一类型载流子势垒。本发明实施提供的显示面板可以降低相邻发光元件之间的漏电流。

Description

一种显示面板以及显示装置

技术领域

本发明涉及显示技术，尤其涉及一种显示面板以及显示装置。

背景技术

近年来，有机发光显示面板在移动显示终端屏幕和中大尺寸的显示屏上逐渐占据主流。有机发光显示面板包括阵列排布的多个子像素。每个子像素包括像素驱动电路以及与该像素驱动电路电连接的发光元件。

每个发光元件均包括叠层设置的第一电极、空穴辅助传输层、发光层、电子辅助传输层以及第二电极。为了提高子像素密度，或者制备较小尺寸的显示面板，不同颜色的发光元件的空穴辅助传输层、发光层以及电子辅助传输层均为整层膜层，各个发光元件的空穴辅助传输层、发光层以及电子辅助传输层没有中断，从而避免了使用多张掩膜来分别蒸发不同颜色发光元件的膜层。但由于空穴辅助传输层以及电子辅助传输层具有较高的导电性，当相邻发光元件的第一电极与第二电极之间的电位不一样时，通过有一定导电性能的空穴辅助传输层或者电子辅助传输层就会产生横向的漏电流，该漏电流将抹杀或降低各个子像素的信号电压，从而导致图像的模糊和混色。

发明内容

本发明提供一种显示面板以及显示装置，以降低相邻发光元件之间的漏电流。

第一方面，本发明实施例提供了一种显示面板，包括：

衬底；

位于所述衬底一侧的第一电极层；所述第一电极层包括多个分立的第一电极；

像素限定层，位于所述第一电极层背离所述衬底的一侧；所述像素限定层设置有多个开口结构；所述开口结构露出部分所述第一电极；

第一类型载流子辅助层，位于所述像素限定层以及所述第一电极背离所述衬底的一侧；

发光层，位于所述第一类型载流子辅助层背离所述衬底的一侧；

第二类型载流子辅助层，位于所述发光层背离所述衬底的一侧；

第二电极层，位于所述发光层背离所述衬底的一侧；

势垒控制栅，位于所述像素限定层与所述第一类型载流子辅助层之间，所述势垒控制栅用于在所述第一类型载流子辅助层中形成阻碍第一类型载流子流动的第一类型载流子势垒；

其中，所述第一类型载流子辅助层为空穴辅助层，所述第二类型载流子辅助层为电子辅助层；或者，所述第一类型载流子辅助层为电子辅助层，所述第二类型载流子辅助层为空穴辅助层。

第二方面，本发明实施例还提供了一种显示装置，包括第一方面所述的显示面板。

本发明实施例提供的显示按面板通过在像素限定层与第一类型载流子辅助层之间设置势垒控制栅，该势垒控制栅用于在第一类型载流子辅助层中形成阻碍第一类型载流子流动的第一类型载流子势垒；从而可以有效地抑制第一类型载流子在第一类型载流子辅助层中进行横向扩散，避免出现漏电流的情况。

附图说明

图1为本发明实施提供的一种显示面板的结构示意图；

图2为沿图1中AA’方向势垒控制栅与第一类型载流子辅助层接触界面的能带图；

图3为垂直于图1中AA’界面且平行于图1中X方向第一类型载流子辅助层的能带图；

图4为沿图1中AA’方向势垒控制栅与第一类型载流子辅助层接触界面的能带图；

图5为垂直于图1中AA’界面且平行于图1中X方向第一类型载流子辅助层的能带图；

图6为本发明又一实施例提供的一种显示面板结构示意图；

图7为沿图6中B-B’方向势垒控制栅与第一类型载流子辅助层接触界面的能带图；

图8为垂直于图6中BB’界面且平行于图6中X方向第一类型载流子辅助层的能带图；

图9为本发明实施例提供的一种势垒控制栅的俯视结构示意图；

图10为本发明又一实施例提供的一种势垒控制栅的俯视结构示意图；

图11为本发明又一实施例提供的显示面板示意图；

图12-图16为本发明实施例提供的几种阻抗电路具体实现方式；

图17-图20为本发明实施例提供的几种静电释放电路的具体实现方式；

图21为本发明又一实施例提供的一种显示面板的俯视结构示意图；

图22为扫描线上的扫描信号以及势垒控制栅上的电位脉冲信号的驱动时序图；

图23为本发明实施例提供的一种显示装置的结构示意图。

具体实施方式

下面结合附图和实施例对本发明作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本发明，而非对本发明的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本发明相关的部分而非全部结构。

图1为本发明实施提供的一种显示面板的结构示意图。参照图1，该指显示面板包括：衬底10、第一电极层11、像素限定层12、第一类型载流子辅助层13、发光层14、第二类型载流子辅助层15、第二电极层16、势垒控制栅17。

其中，第一电极层11位于衬底10一侧。第一电极层11包括多个分立的第一电极111。像素限定层12位于第一电极层11背离衬底10的一侧。像素限定层12设置有多个开口结构121，开口结构121露出部分第一电极111。第一类型载流子辅助层13位于像素限定层12以及第一电极111背离衬底10的一侧。发光层14位于第一类型载流子辅助层13背离衬底10的一侧。第二类型载流子辅助层15位于发光层14背离衬底10的一侧。第二电极层16位于第二类型载流子辅助层15背离衬底10的一侧。开口结构121对应位置为一个子像素区域，该区域上的第一电极层11、第一类型载流子辅助层13、发光层14、第二类型载流子辅助层15以及第二电极层16形成一发光元件。为了提高子像素密度，或者制备较小尺寸的显示面板，不同颜色的发光元件的第一类型载流子辅助层13、发光层14、第二类型载流子辅助层15均为整层膜层，即各个发光元件的空穴辅助传输层、发光层以及电子辅助传输层没有中断，从而避免了使用多张掩膜来分别蒸发不同颜色发光元件的各膜层。本发明实施例在像素限定层12与第一类型载流子辅助层13之间设置有势垒控制栅17，利用该势垒控制栅在第一类型载流子辅助层13的表面和体内产生阻碍第一类型载流子流动的第一类型载流子势垒，阻隔了第一类型载流子从一个发光元件的第一类型载流子辅助层13传输到相邻发光元件的第一类型载流子辅助层13上。合理选择该势垒控制栅的材料使得该势垒控制栅的材料和第一类型载流子辅助层13之间产生较为显著第一类型载流子势垒，从而能够有效地抑制第一类型载流子在第一类型载流子辅助层13中从一个发光元件扩散到相邻的另一个发光元件中。因此可以防止相邻子像素区域的发光元件之间通过第一类型载流子辅助层13产生横向的漏电流，进而提升显示面板的显示效果。

需要说明的是，第一类型载流子辅助层可以为空穴辅助层，第二类型载流子辅助层为电子辅助层；或者，第一类型载流子辅助层为电子辅助层，第二类型载流子辅助层为空穴辅助层。当第一类型载流子辅助层为空穴辅助层，第二类型载流子辅助层为电子辅助层时，势垒控制栅在第一类型载流子辅助层中形成了阻碍空穴流动的空穴势垒。当第一类型载流子辅助层为电子辅助层，第二类型载流子辅助层为空穴辅助层时，势垒控制栅在第一类型载流子辅助层中形成了阻碍电子流动的电子势垒。

下面提供几种势垒控制栅的具体实现方式，该势垒控制栅例如可以与第一类型载流子辅助层形成肖特基结，或者可以与第一类型载流子辅助层形成异质结，进而实现在第一类型载流子辅助层中形成阻碍第一类型载流子流动的第一类型载流子势垒。

若图1中显示面板的第一类型载流子辅助层为空穴辅助层，第二类型载流子辅助层为电子辅助层。可以设置势垒控制栅包括金属材料；势垒控制栅的功函数小于第一类型载流子辅助层的电子亲和能。图2为沿图1中AA’方向势垒控制栅与第一类型载流子辅助层接触界面的能带图。图3为垂直于图1中AA’界面且平行于图1中X方向第一类型载流子辅助层的能带图。图2以及图3中的第一类型载流子辅助层为空穴辅助层，第二类型载流子辅助层为电子辅助层，势垒控制栅包括金属材料；势垒控制栅的功函数小于第一类型载流子辅助层的电子亲和能。

当第一类型载流子辅助层为空穴辅助层时，第一类型载流子辅助层呈P型。当金属材料的势垒控制栅和空穴辅助层接触时，如果该金属材料的势垒控制栅处于电悬浮状态，和其接触的空穴辅助层之间达成热平衡后，金属材料的势垒控制栅的导带和空穴辅助层的费米能级趋近同一个电位水平，能带图如图2所示。在图2以及图3中，E_FM是金属材料的势垒控制栅的导带能级水平，E_C是空穴辅助层的导带能级水平，E_V是空穴辅助层的价带能级水平，E_F是该空穴辅助层的费米能级。势垒控制栅与空穴辅助层界面的电位和空穴辅助层体内电位的差异，就是在空穴辅助层内形成的空穴势垒,空穴势垒高度BH等于qφ_b。电势的剧烈变化部分的在空穴辅助层的厚度方向(图1中Z方向)，也即垂直于显示按面板平面方向上的扩展相当于空穴势垒厚度BT。这个空穴势垒厚度BT和势垒控制栅的功函数与空穴辅助层的亲合能的差异，以及空穴辅助层的费米能级相关。空穴势垒厚度还和空穴辅助层内的载流子密度有关，空穴辅助层的载流子密度越低，空穴势垒厚度BT就越厚。

在空穴辅助层，会存在一个凹陷的阻隔空穴横向传输的空穴势垒，在势垒控制栅与空穴辅助层界面处空穴势垒高度BH最大，越往背离势垒控制栅的方向，的深度方向，空穴势垒高度BH就越低。当势垒控制栅的功函数和该空穴辅助层的电子亲合能差异足够大，或者该空穴辅助层足够薄的时候，整个空穴辅助层的厚度内都成为了阻止空穴横向扩散的空穴势垒，从而有效地阻碍了相邻发光元件之间的电流扩散。参见图3，空穴势垒宽度BW大致等于势垒控制栅的宽度(沿图1中X方向的宽度)。

为了抬高空穴势垒，相对于空穴导电的空穴辅助层，需要选择拥有较小功函数的金属材料，比如金属Na、K、Ca、Cs、Li等碱金属。由于这些金属通常情况下都是化学性质比较活泼的金属，容易发生氧化以及化学反应，这些活泼金属的合金或者氧化物、氮化物、或者包含这些活泼金属的有机或无机化合物则比较适用于本发明的势垒控制栅。在实际应用中，使用比较稳定的金属材料，虽然其功函数没有碱金属那么低，但是也能产生空穴势垒，比如Cr、Mo、Al、Sn等金属或者它们的合金。

此外，势垒控制栅还可以采用电子亲合能较小的N型半导体材料，与空穴辅助层接触，形成异质结，基于异质结的势垒形成机制，在两种半导体的界面也可以形成阻碍空穴横向扩散的势垒。N型半导体材料与空穴辅助层接触后，达成热平衡，例如可以设置势垒控制栅的电子亲和能小于空穴辅助层的电子亲和能，以实现空穴辅助层中形成足够高度的的空穴势垒以阻碍空穴流动。

可选的，若图1中显示面板的第一类型载流子辅助层为电子辅助层，第二类型载流子辅助层为空穴辅助层。可以设置势垒控制栅包括金属材料；势垒控制栅的功函数大于第一类型载流子辅助层的电子亲和能。图4为沿图1中AA’方向势垒控制栅与第一类型载流子辅助层接触界面的能带图。图5为垂直于图1中AA’界面且平行于图1中X方向第一类型载流子辅助层的能带图。图4以及图5中的第一类型载流子辅助层为电子辅助层，第二类型载流子辅助层为空穴辅助层，势垒控制栅包括金属材料；势垒控制栅的功函数大于第一类型载流子辅助层的电子亲和能。由于第一类型载流子辅助层为电子辅助层，因此第一类型载流子辅助层呈N型。当金属材料势垒控制栅和N型电子辅助层接触时，如果该势垒控制栅处于电悬浮状态，势垒控制栅和其接触的N型电子辅助层之间达成热平衡后，势垒控制栅的导带和N型电子辅助层的费米能级趋近同一个电位水平，能带图如图4所示。这个能带图对应了图1中Z轴方向的AA’截面的能带弯曲形状。势垒控制栅和电子辅助层界面的电位与电子辅助层体内电位的差异，就是在电子辅助层内形成的电子势垒,电子势垒高度BH等于qφ_b。电势的剧烈变化部分的在电子的厚度方向，也即是Z方向上的扩展则相当于电子势垒的厚度，这里用BT来描述。这个电子势垒的厚度和势垒控制栅的功函数与电子辅助层的亲合能的差异，以及电子辅助层的费米能级相关。电子势垒厚度还和电子辅助层内的载流子密度有关，载流子密度越低，势垒就越厚。如图4和图5所示，由于在本实施例中电子辅助层直接接触势垒控制栅极，势垒宽度BW大致等于势垒控制栅的宽度(沿图1中X方向的宽度)。

在电子辅助层内，如果下方有势垒控制栅，会存在一个凸起的阻隔电子横向传输的电子势垒，在势垒控制栅和电子辅助层的界面处势垒高度BH最大，沿背离势垒控制栅的方向电子辅助层的势垒高度越来越低。当势垒控制栅的功函数和该电子辅助层的电子亲合能差异足够大，或者电子辅助层足够薄的时候，整个电子辅助层的厚度内都形成了阻挡电子横向扩散的势垒，从而有效地阻碍了相邻发光元件之间的电流扩散。

为了抬高图4和图5中的电子势垒，相对于电子辅助层，可以选择拥有较大功函数的金属材料或者导电的金属氧化物，这样的材料包括金Au、Cu、Co、Ir、Ni、Ge、Pd、Pt等金属或它们的合金或氧化物或者氮化物，或者ITO、SnO2等常用的透明电极材料。

此外势垒控制栅还可以采用电子亲合能较大的P型半导体材料，与电子辅助层接触，形成异质结，基于异质结的势垒形成机制，在两种半导体的界面也可以形成阻碍电子横向扩散的势垒。P型半导体材料与电子辅助层接触后，达成热平衡，例如可以设置势垒控制栅的电子亲和能大于电子辅助层的电子亲和能，以实现电子辅助层中形成足够高度的电子势垒以阻碍电子流动。

图6为本发明又一实施例提供的一种显示面板结构示意图。如图6所示，在图1所示显示面板基础上，图6提供的显示面板还包括绝缘层18，绝缘层18位于势垒控制栅17与第一类型载流子辅助层13之间。如图6所示，在像素限定层12的顶端，设置有势垒控制栅17，然后在势垒控制栅17上覆盖绝缘层18，形成绝缘栅的势垒控制栅结构。若向势垒控制栅施加电压，在第一类型载流子辅助层13的表面和体内会产生阻碍第一类型载流子传导的电位势垒，从而阻碍第一类型载流子从一个发光元件的第一类型载流子辅助层13传播到相邻发光元件的第一类型载流子辅助层13上。

图6所示显示面板中发光元件的制备工艺例如可以包括如下步骤：

步骤110、形成多个第一电极。

步骤120、形成像素限定层。

像素限定层由于要由一定的高度以便支撑盖板，所以可以使用涂布有机膜的方式来制作具有1微米以上厚度的像素限定层。

步骤130、在像素限定层上形成势垒控制栅。

势垒控制栅材料可以是用测控溅射的方式在像素限定层上成膜，其厚度可以从0.1微米到0.5微米，材料可以是钼Mo或者铬Cr或者金属的合金材料。

步骤140、形成绝缘层。

刻蚀势垒控制栅后，例如可以采用PECVD的方法沉积一层较高质量的绝缘层，比如氮化硅或氧化硅，或者氮化硅和氧化硅的叠层结构。

步骤150、刻蚀所述绝缘层以及所述像素限定层，形成多个开口结构；所述开口结构露出部分所述第一电极；所述势垒控制栅位于相邻所述开口结构之间。

本发明实施例可以采用一道光刻掩膜，将绝缘层和像素限定层刻蚀形成多个开口结构，露出部分第一电极。

图7为沿图6中B-B’方向势垒控制栅与第一类型载流子辅助层接触界面的能带图。图8为垂直于图6中BB’界面且平行于图6中X方向第一类型载流子辅助层的能带图。图7以及图8以第一类型载流子辅助层为空穴辅助层，第二类型载流子辅助层为电子辅助层为例进行介绍，而非对本发明实施例的限定。第一类型载流子辅助层为电子辅助层，第二类型载流子辅助层为空穴辅助层的能带结构变化可参照图7以及图8是原理进行理解，本发明实施例不做赘述。此时势垒控制栅施加有一定的电压V_G，使得势垒控制栅与第一类型载流子辅助层界面处的第一类型载流子辅助层能带更加向下弯曲，从而增大了空穴横向扩散的势垒高度。本发明实施例可以通过为势垒控制栅施加电压来控制势垒高度，这种方式势垒高度可控，无需仅仅依赖势垒控制栅材料的物理特性。本发明实施例通过在势垒控制栅与第一类型载流子辅助层之间设置绝缘层，还可以防止势垒控制栅向第一类型载流子辅助层注入电流。

可选的，势垒控制栅包括多个子势垒控制栅；各子势垒控制栅之间相互绝缘。为了增强对于横向电流扩散的阻隔作用，在每个相邻发光元件之间可以设置一个或者多个子势垒控制栅，各个子势垒控制栅可以是相互连接在一起的，也可以是相互独立的。图9为本发明实施例提供的一种势垒控制栅的俯视结构示意图，如图9所示，势垒控制栅包括多个子势垒控制栅171，各子势垒控制栅171之间相互绝缘。这样设置能够避免显示面板中一个子像素区域发生短路时，由于各个像素对应的势垒控制栅电连接在一起导致整个显示面板所有的子像素区域显示发生异常。

可选的，参见图9，每个开口结构外围绕至少一个子势垒控制栅(图9示例性的设置两个子势垒控制栅)，子势垒控制栅171呈环状。121为像素限定层12的开口结构，露出部分第一电极111。开口结构121定义了发光元件的实际发光面积。

由于载流子扩散随着势垒宽度的增加而指数性地衰减，因此相邻发光元件之间设置多个子势垒控制栅，可以增加势垒宽度，进而显著降低第一类型载流子的横向扩散。由于光刻工艺的限制和均匀性的要求，相邻的两条子势垒控制栅的间隙不宜过小，避免光刻工艺无法将其分离开。如果是金属的湿刻工艺，相邻的两条子势垒控制栅的间隙例如可以设置在0.5微米以上。如果是金属或半导体的干刻工艺，相邻的两条子势垒控制栅的间隙例如可以设置在0.1微米以上。较精细的光刻工艺能够让相邻发光元件之间放置更多子势垒控制栅，从而能够更加有效地控制载流子的横向扩散。

可选的，本发明实施例中，各子势垒控制栅之间还可以相互电连接。图10为本发明又一实施例提供的一种势垒控制栅的俯视结构示意图。如图10所示，所有的子势垒控制栅171都连接在一起。可选的，参见图10，还可以设置势垒控制栅在衬底上的垂直投影成网格状。每个开口结构外围均围绕有势垒控制栅。这样设置势垒控制栅，在刻蚀形成势垒控制栅时，工艺最为简单。此外，在热平衡下，整个势垒控制栅都处于同一个电位，可以避免静电荷在局部区域聚集，便于将显示面板内由于静电积累的静电荷导出，或者将避免静电荷在局部区域聚集。

由于势垒控制栅形成阻挡第一类型载流子运动的第一类型载流子势垒的机理是基于空间能带分布，而不是基于其几何尺寸，所以势垒控制栅的厚度可以非常薄，比如厚度大于20nm，从而对工艺带来更大的冗余度和低成本。并且对于在势垒控制栅上通过蒸发等方式形成的第一类型载流子辅助层、发光层、第二类型载流子辅助层等，由于较薄的势垒控制栅，第一类型载流子辅助层、发光层、第二类型载流子辅助层等相对会更平坦化，可以避免第二电极的短路或断路问题，以及优化显示面板整体的发光均匀性。

载流子穿透势垒的概率随着势垒的厚度增加而急剧下降，所以势垒控制栅的宽度BW(图1以及图6中势垒控制栅沿X方向上的宽度)可以设置大于100nm。当势垒控制栅采用金属材料时，为避免和发光元件的电极发生短路，通常设置势垒控制栅的宽度BW小于相邻发光元件的第一电极之间的间隙。

可选的，相邻开口结构之间设置有多个子势垒控制栅171(图9示例性的在相邻开口结构之间设置有两个子势垒控制栅)；相邻开口结构之间的各子势垒控制栅形成的势垒类型交错排列。其中，相邻开口结构之间的两个子势垒控制栅中的一个子势垒控制栅形成电子势垒，另一个子势垒控制栅形成空穴势垒。相邻开口结构之间的两个子势垒控制栅形成相反类型的势垒，使相邻发光元件之间形成的阻挡发光元件之间的载流子横向传输的势垒更加陡峭，避免相邻发光元件之间的载流子的横向传输。在其他实施方式中，若相邻开口结构之间的设置有三个或者三个以上子势垒控制栅，相邻开口结构之间的各子势垒控制栅形成的势垒类型排列可以为电子势垒、空穴势垒、电子势垒、空穴势垒、……；或者空穴势垒、电子势垒、空穴势垒、电子势垒、……。

可选的，相邻开口结构之间的各子势垒控制栅中，相邻子势垒控制栅的材料不同。在本实施例中，为了便于实施光刻工艺，相邻开口结构之间的各子势垒控制栅中，相邻子势垒控制栅的材料不同，从而在刻蚀液的选择和工艺控制上有更宽的刻蚀选择比。

可选的，相邻开口结构之间的各子势垒控制栅中，相邻两个子势垒控制栅中的一个子势垒控制栅可以选择金属材料，另一个子势垒控制栅可以选择半导体材料。

可选的，若势垒控制栅与第一类型载流子辅助层之间无绝缘层，可以将势垒控制栅浮置。

此外，在势垒控制栅与第一类型载流子辅助层之间有无绝缘层时，均可以将势垒控制栅与电位输入端电连接，通过电位输入端向势垒控制栅提供电位。电位输入端输入的可以是固定电位也可以是可变电位。

图11为本发明又一实施例提供的显示面板示意图。如图11所示，本发明实施例提供的显示面板还可以包括阻抗电路21，势垒控制栅通过阻抗电路21与电位输入端V_b电连接。阻抗电路21可以在外来静电的瞬态电压较大时，进行缓冲，防止造成显示面板的静电损伤。

需要说明的是，阻抗电路例如可以是具有电阻、电容以及电感等元器件中的至少一种的电路。本发明实施例对阻抗电路的具体电路结构不做限定。图12-图16提供了几种阻抗电路具体实现方式。如图12所示，阻抗电路可以包括电阻R_b。如图13所示，阻抗电路包括多个电阻R_bi，同一列发光元件对应的子势垒控制栅电连接，多个电阻R_bi与多列子势垒控制栅一一对应电连接。其中i为正整数。如图14所示，阻抗电路包括电感L。如图15所示，阻抗电路包括电阻R_b和电感L，电阻R_b和电感L串联。如图16所示，阻抗电路包括电阻R_b和电容C，电容C的一端与电阻R_b电连接，电容C的另一端接地。

需要说明的是，上述实施例中的电阻Rb可以是有一定电阻的电极材料，比如ITO来形成，或者使用半导体薄膜，比如多晶硅或者非晶硅来形成。电阻Rb可以与显示面板中的膜层采用同种材料在同一工艺中形成。本发明实施例对此不做限定。

可选的，本发明实施例提供的显示面板还包括静电释放电路，势垒控制栅与静电释放电路电连接。在势垒控制栅上聚集有静电荷时，可以通过静电释放电路将静电荷进行释放，避免对显示面板产生静电损伤，影响显示效果。需要说明的是，静电释放电路可以包括至少一个二极管或者三极管。本发明实施例对静电释放电路具体电路结构不做限定。图17-图20提供了几种静电释放电路的具体实现方式。如图17所示，静电释放电路包括二极管D。如图18所示，静电释放电路包括二极管D1和二极管D2。二极管D1和二极管D2并联，且导通方向相反。如图19所示，静电释放电路包括晶体管T，晶体管T的输入端与控制端电连接。如图20所示，静电释放电路包括晶体管T1和晶体管T2，晶体管T1和晶体管T2并联，且导通方向相反。晶体管T1的输入端与控制端电连接。晶体管T2的输入端与控制端电连接。

本发明实施例提供的显示面板还包括多条扫描线，扫描线在衬底上的垂直投影位于势垒控制栅在衬底上的垂直投影内。扫描线上的扫描信号会对扫描线上方的电极(第一电极或者第二电极)产生串扰，因此本发明实施例设置扫描线在衬底上的垂直投影位于势垒控制栅在衬底上的垂直投影内，势垒控制栅可以有效屏蔽扫描线上的信号对与其交叠的电极上的信号的影响。

图21为本发明又一实施例提供的一种显示面板的俯视结构示意图。如图21所示，显示面板包括多个发光元件100；多个发光元件100矩阵排列。发光元件100包括开口结构处的第一电极、第一类型载流子辅助层、发光层、第二类型载流子辅助层以及第二电极层。同一行发光元件对应的势垒控制栅17电连接，不同行发光元件对应的势垒控制栅绝缘。相邻两行发光元件之间的扫描线22与该相邻两行发光元件之间的势垒控制栅17平行。图22为扫描线上的扫描信号以及势垒控制栅上的电位脉冲信号的驱动时序图。可选的，可以通过第一驱动电路为显示面板中各行扫描线逐行输入扫描信号Scani，其中i为正整数。通过第二驱动电路为显示面板中各行势垒控制栅逐行输入电位脉冲信号Outj，其中j为正整数。参见图23，每行发光元件对应的扫描线上的扫描信号的有效脉冲与该行发光元件对应的势垒控制栅的电位脉冲信号的有效脉冲极性相反。由于扫描线对扫描线两侧的第一电极会基于边缘电场产生寄生电容，此外扫描线还会对第二电极产生寄生电容。扫描线上的扫描信号Scani为周期性的行扫描脉冲，因此上述寄生电容是与扫描信号Scani的有效脉冲的上升沿或者下降沿同步的噪声。据此，本发明实施例使相邻两行发光元件之间的扫描线22与该相邻两行发光元件之间的势垒控制栅17平行，且同一行发光元件对应的势垒控制栅17电连接，不同行发光元件对应的势垒控制栅17绝缘。每行发光元件对应的扫描线22的有效脉冲与该行发光元件对应的势垒控制栅17的的有效脉冲极性相反。这样设置可以使每行扫描线的扫描信号的有效脉冲跳变与该行的势垒控制栅的电位脉冲信号的有效脉冲跳变相反，从而使扫描线对第一电极以及第二电极上的电信号噪声和势垒控制栅对第一电极以及第二电极上的电信号噪声相互抵消，减小显示噪声。

需要说明的是，图21示例性的设置扫描线在衬底上的垂直投影位于势垒控制栅在衬底上的垂直投影内，并非对本发明实施例的限定，在其他实施方式中，可以仅设置扫描线在衬底上的垂直投影平行于势垒控制栅在衬底上的垂直投影，扫描线在衬底上的垂直投影和与其平行的势垒控制栅在衬底上的垂直投影之间可以具有一定的距离。只要扫描线与该扫描线两侧的两行相邻发光元件之间的势垒控制栅平行，且扫描线与该势垒控制栅距离较近，扫描线的有效脉冲信号的跳变产生噪声就可以与势垒控制栅上的有效脉冲信号跳变比较高效率地相互抵消。

需要说明的是，上述各实施例中，第一类型载流子辅助层为空穴辅助层，第二类型载流子辅助层为电子辅助层时，沿背离衬底的方向，第一类型载流子辅助层可以包括空穴注入层、空穴传输层以及电子阻挡层中的至少一种。沿背离衬底的方向，第二类型载流子辅助层可以包括空穴阻挡层、电子传输层以及电子注入层中的至少一种。在第一类型载流子辅助层为电子辅助层，第二类型载流子辅助层为空穴辅助层时，沿背离衬底的方向，第一类型载流子辅助层可以包括电子注入层、电子传输层以及空穴阻挡层中的至少一种。沿背离衬底的方向，第二类型载流子辅助层可以包括电子阻挡层、空穴传输层以及空穴注入层中的至少一种。

本发明实施例还提供一种显示装置，图23为本发明实施例提供的一种显示装置的结构示意图，如图23所示，该显示装置包括上述任一实施例所述的显示面板200。该显示装置可以包括手机、电脑以及智能可穿戴设备(例如，智能手表)等，本发明实施例对此不作限定。

注意，上述仅为本发明的较佳实施例及所运用技术原理。本领域技术人员会理解，本发明不限于这里所述的特定实施例，对本领域技术人员来说能够进行各种明显的变化、重新调整、相互结合和替代而不会脱离本发明的保护范围。因此，虽然通过以上实施例对本发明进行了较为详细的说明，但是本发明不仅仅限于以上实施例，在不脱离本发明构思的情况下，还可以包括更多其他等效实施例，而本发明的范围由所附的权利要求范围决定。

Claims

1.一种显示面板，其特征在于，包括：

衬底；

第二电极层，位于所述第二类型载流子辅助层背离所述衬底的一侧；

其中，所述第一类型载流子辅助层为空穴辅助层，所述第二类型载流子辅助层为电子辅助层；或者，所述第一类型载流子辅助层为电子辅助层，所述第二类型载流子辅助层为空穴辅助层；

所述显示面板，包括多条扫描线，

所述显示面板还包括多个呈矩阵排列的发光元件；所述发光元件包括所述开口结构处的所述第一电极、所述第一类型载流子辅助层、所述发光层、所述第二类型载流子辅助层以及所述第二电极层；每一行所述发光元件与一条独立的所述扫描线和一条独立的所述势垒控制栅相互对应并被其所控制，所述发光元件的三边被对应的所述势垒控制栅所围绕；

在发光元件的阵列之内，每条所述势垒控制栅在所述衬底上的垂直投影完全覆盖所对应的扫描线在所述衬底上的垂直投影；

每行所述扫描线上的有效脉冲与该行扫描线所对应的所述势垒控制栅上的有效脉冲在时序上同步但极性相反。

2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第一类型载流子辅助层为空穴辅助层，所述第二类型载流子辅助层为电子辅助层；所述势垒控制栅包括金属材料；所述势垒控制栅的功函数小于所述第一类型载流子辅助层的电子亲和能；

或者，所述第一类型载流子辅助层为电子辅助层，所述第二类型载流子辅助层为空穴辅助层；所述势垒控制栅包括金属材料；所述势垒控制栅的功函数大于所述第一类型载流子辅助层的电子亲和能。

3.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第一类型载流子辅助层为空穴辅助层，所述第二类型载流子辅助层为电子辅助层；所述势垒控制栅包括N型半导体；所述势垒控制栅的电子亲和能小于所述第一类型载流子辅助层的电子亲和能；

或者，所述第一类型载流子辅助层为电子辅助层，所述第二类型载流子辅助层为空穴辅助层；所述势垒控制栅包括P型半导体；所述势垒控制栅的电子亲和能大于所述第一类型载流子辅助层的电子亲和能。

4.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述势垒控制栅与所述第一类型载流子辅助层之间还设置有绝缘层。

5.根据权利要求4所述的显示面板，其特征在于，所述势垒控制栅与电位输入端电连接。

6.根据权利要求5所述的显示面板，其特征在于，还包括阻抗电路；所述势垒控制栅通过所述阻抗电路与电位输入端电连接。

7.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，还包括静电释放电路，所述势垒控制栅与所述静电释放电路电连接。

8.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1-7中任一项所述的显示面板。