CN111463357B - 一种显示面板、显示装置及制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了显示面板、显示装置及制备方法。显示面板包括衬底；位于衬底一侧的第一电极层；第一电极层包括多个分立的第一电极；第一类型载流子辅助层，位于第一电极背离衬底的一侧；发光层，位于第一类型载流子辅助层背离衬底的一侧；第二类型载流子辅助层，位于发光层背离衬底一侧；第二电极层，位于第二类型载流子辅助层背离衬底的一侧；显示面板还包括矩阵排列的多个发光元件；每个发光元件包括背离衬底依次设置的第一电极、第一类型载流子辅助层、发光层、第二类型载流子辅助层和第二电极层；相邻发光元件之间的第一类型载流子辅助层朝向衬底的表面设置有多重起伏结构或多孔结构；本发明实施提供的显示面板可降低相邻发光元件之间的漏电流。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术，尤其涉及一种显示面板、显示装置及制备方法。
背景技术
近年来，有机发光显示面板在移动显示终端屏幕和中大尺寸的显示屏上逐渐占据主流。有机发光显示面板包括阵列排布的多个子像素。每个子像素包括像素驱动电路以及与该像素驱动电路电连接的发光元件。
每个发光元件均包括叠层设置的第一电极、空穴辅助传输层、发光层、电子辅助传输层以及第二电极。为了提高子像素密度，或者制备较小尺寸的显示面板，不同颜色的发光元件的空穴辅助传输层、发光层以及电子辅助传输层均为整层膜层，各个发光元件的空穴辅助传输层、发光层以及电子辅助传输层没有中断，从而避免了使用多张掩膜来分别蒸发不同颜色发光元件的膜层。但由于空穴辅助传输层以及电子辅助传输层具有较高的导电性，当相邻发光元件的第一电极与第二电极之间的电位不一样时，通过有一定导电性能的空穴辅助传输层或者电子辅助传输层就会产生横向的漏电流，该漏电流将抹杀或降低各个子像素的信号电压，从而导致图像的模糊和混色。
发明内容
本发明提供一种显示面板、显示装置及制备方法，以降低相邻发光元件之间的漏电流。
第一方面，本发明实施例提供了一种显示面板，包括：
衬底；
位于所述衬底一侧的第一电极层；所述第一电极层包括多个分立的第一电极；
第一类型载流子辅助层，位于所述第一电极背离所述衬底的一侧；
发光层，位于所述第一类型载流子辅助层背离所述衬底的一侧；
第二类型载流子辅助层，位于所述发光层背离所述衬底的一侧；
第二电极层，位于所述第二类型载流子辅助层背离所述衬底的一侧；
所述显示面板还包括多个发光元件；多个所述发光元件矩阵排列；每个所述发光元件包括背离所述衬底依次设置的第一电极、第一类型载流子辅助层、发光层、第二类型载流子辅助层以及第二电极层；
相邻所述发光元件之间的所述第一类型载流子辅助层朝向所述衬底的表面设置有多重起伏结构或多孔结构；
其中，所述第一类型载流子辅助层为空穴辅助层，所述第二类型载流子辅助层为电子辅助层；或者，所述第一类型载流子辅助层为电子辅助层，所述第二类型载流子辅助层为空穴辅助层。
第二方面，本发明实施例还提供了一种显示装置，包括第一方面所述的显示面板。
第三方面，本发明实施例还提供了一种显示面板的制备方法，包括：
提供一衬底；
在所述衬底上形成第一电极层；所述第一电极层包括多个分立的第一电极；
形成多重起伏结构或多孔结构；
在所述第一电极以及所述多重起伏结构或所述多孔结构背离所述衬底的一侧形成第一类型载流子辅助层；
在所述第一类型载流子辅助层背离所述衬底的一侧形成发光层；
在所述发光层背离所述衬底的一侧形成第二类型载流子辅助层；
在所述第二类型载流子辅助层背离所述衬底的一侧形成第二电极层；
其中，所述显示面板包括多个发光元件；多个所述发光元件矩阵排列；每个所述发光元件包括背离所述衬底依次设置的第一电极、第一类型载流子辅助层、发光层、第二类型载流子辅助层以及第二电极层；所述多重起伏结构或所述多孔结构位于相邻所述发光元件之间；
所述第一类型载流子辅助层为空穴辅助层，所述第二类型载流子辅助层为电子辅助层；或者，所述第一类型载流子辅助层为电子辅助层，所述第二类型载流子辅助层为空穴辅助层。
本发明实施例提供的显示按面板通过在相邻发光元件之间的第一类型载流子辅助层朝向衬底的表面设置有多重起伏结构或多孔结构，第一类型载流子辅助层会填充到多重起伏结构的凹陷处或者位于多孔结构的空隙中，等效于增大了第一类型载流子沿着第一类型载流子辅助层横向移动的距离或阻抗，从而可以有效地抑制第一类型载流子在第一类型载流子辅助层中进行横向扩散，避免出现漏电流的情况。
附图说明
图1为本发明实施提供的一种显示面板的剖面结构示意图；
图2为本发明实施例提供的一种多重起伏结构的剖面结构示意图；
图3为本发明又一实施例提供的显示面板的剖面结构示意图；
图4为本发明实施例提供的一种显示面板的俯视结构示意图；
图5为设置有隔离槽的多重起伏结构的剖面示意图；
图6为本发明又一实施例提供的显示面板的结构示意图；
图7为本发明又一实施例提供的一种显示面板的剖面结构示意图；
图8为本发明实施例提供的一种显示装置的结构示意图；
图9为本发明实施例提供的一种显示面板的制备方法的流程示意图；
图10为本发明实施例提供的多重起伏结构或多孔结构制备工艺过程图；
图11为本发明实施例提供的一种将像素限定层背离衬底的一侧表面处理形成多重起伏结构的制备工艺过程图；
图12为本发明又一实施例提供形成多重起伏结构或多孔结构的制备工艺过程图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本发明作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本发明，而非对本发明的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本发明相关的部分而非全部结构。
图1为本发明实施提供的一种显示面板的剖面结构示意图。参照图1，该显示面板包括：衬底10、第一电极层11、第一类型载流子辅助层13、发光层14、第二类型载流子辅助层15以及第二电极层16。
其中，第一电极层11位于衬底10一侧。第一电极层11包括多个分立的第一电极111。第一类型载流子辅助层13位于第一电极111背离衬底10的一侧。发光层14位于第一类型载流子辅助层13背离衬底10的一侧。第二类型载流子辅助层15位于发光层14背离衬底10的一侧。第二电极层16位于第二类型载流子辅助层15背离衬底10的一侧。显示面板还包括多个发光元件100；多个发光元件100矩阵排列。每个发光元件100包括背离衬底10依次设置的第一电极11、第一类型载流子辅助层13、发光层14、第二类型载流子辅助层15以及第二电极层16。相邻发光元件100之间的第一类型载流子辅助层13朝向衬底10的表面设置有多重起伏结构或多孔结构。图1示例性的在相邻发光元件100之间的第一类型载流子辅助层13朝向衬底10的表面设置有多重起伏结构171。多重起伏结构是指相邻发光元件100之间的第一类型载流子辅助层13朝向衬底10的表面具有多个表面凹凸起伏。
为了提高子像素密度，或者制备较小尺寸的显示面板，不同颜色的发光元件的第一类型载流子辅助层13、发光层14、第二类型载流子辅助层15均为整层膜层，即各个发光元件的空穴辅助传输层、发光层以及电子辅助传输层没有中断，从而避免了使用多张掩膜来分别蒸发不同颜色发光元件的各膜层。
本发明实施例在相邻发光元件100之间的第一类型载流子辅助层13朝向衬底10的表面设置有多重起伏结构或多孔结构，第一类型载流子辅助层13会填充到多重起伏结构的凹陷处或者位于多孔结构的空隙中，等效于增大第一类型载流子沿着第一类型载流子辅助层横向移动的距离或阻抗，阻隔了第一类型载流子从一个发光元件的第一类型载流子辅助层13传输到相邻发光元件的第一类型载流子辅助层13上。因此可以防止相邻子像素区域的发光元件之间通过第一类型载流子辅助层13产生横向的漏电流，进而提升显示面板的显示效果。
需要说明的是，第一类型载流子辅助层可以为空穴辅助层，第二类型载流子辅助层为电子辅助层；或者，第一类型载流子辅助层为电子辅助层，第二类型载流子辅助层为空穴辅助层。当第一类型载流子辅助层为空穴辅助层，第二类型载流子辅助层为电子辅助层时，势垒控制栅在第一类型载流子辅助层中形成了阻碍空穴流动的空穴势垒。当第一类型载流子辅助层为电子辅助层，第二类型载流子辅助层为空穴辅助层时，势垒控制栅在第一类型载流子辅助层中形成了阻碍电子流动的电子势垒。
若相邻发光元件之间的第一类型载流子辅助层朝向衬底的表面设置有多重起伏结构，在本发明实施例中，多重起伏结构的表面粗糙度可以控制在一定的范围，多重起伏结构的表面凹凸上下落差和梯度在一定的范围，使得多重起伏结构上方的各个膜层在横跨所述多重起伏结构时，虽然会跟随多重起伏结构的表面凹凸而上下起伏，但并不发生薄膜的断裂，从而避免出现导电碎屑的短路问题以及断裂处造成的空洞和空洞引发的一系列的可靠性的问题。可选的，多重起伏结构朝向第一类型载流子辅助层一侧的表面在垂直于衬底方向上的振幅平均值AR，以及多重起伏结构朝向第一类型载流子辅助层13一侧的表面在平行于衬底平面上的轮廓间距平均值GR满足：
0.2D<AR<5D；0.2D<GR<10D；
其中，D为第一类型载流子辅助层、发光层、第二类型载流子辅助层以及第二电极层的总厚度。
多重起伏结构朝向第一类型载流子辅助层一侧的表面在垂直于衬底方向上的振幅平均值AR可以用如下公式表示：
其中，L为选取的一定长度，
代表了多重起伏结构的表面起伏轮廓的平均高度，y是多重起伏结构的表面起伏轮廓的高度坐标。
多重起伏结构朝向第一类型载流子辅助层一侧的表面在平行于衬底平面上的轮廓间距平均值GR可以用如下公式表示：
其中，采样点数目为N，xpi是一个采样点处多重起伏结构17的峰值和相邻谷底值的水平间距。
因此可以采用AR表征多重起伏结构的纵向粗糙度，采用GR表征多重起伏结构的横向粗糙度。如果AR太小，多重起伏结构的表面凹凸起伏太小，或者如果GR太大，多重起伏结构沿着表面的凹凸变化趋缓，都会导致多重起伏结构表面趋于光滑，达不到增加第一类型载流子在第一类型载流子辅助层中横向传导的行走距离。另一方面，如果AR太大，则多重起伏结构表面的凹凸起伏太大，或者GR过小，多重起伏结构表面起伏的变化过于剧烈，这会导致表面的高低变化过于剧烈，坡度过于陡峭，多重起伏结构上方的膜层可能断裂。当然，多重起伏结构上方的膜层是否容易产生断裂也依赖于第一类型载流子辅助层、发光层、第二类型载流子辅助层以及第二电极层的总厚度D，以及多重起伏结构上方的各膜层刚度等物理特性。据此，本发明实施例优选设置0.2D<AR<5D；0.2D<GR<10D。
图2为本发明实施例提供的一种多重起伏结构的剖面结构示意图。如图2所示，多重起伏结构凸起的底部夹角θ小于一定角度时，凸起的顶部夹角β可大于一定角度。那么位于多重起伏结构的凸起顶部处的薄膜就不容易发生断裂。因此，tanθ2AR/GR可表征多重起伏结构凸起的陡峭程度。本发明实施例优选的设置AR>D；GR>AR，以避免多重起伏结构凸起的顶部夹角过小导致位于多重起伏结构的凸起顶部处的薄膜就不容易发生断裂的问题。
可选的，多重起伏结构171可以包括多个隔离槽1711。图3为本发明又一实施例提供的显示面板的剖面结构示意图，如图3所示，隔离槽1711使第一类型载流子辅助层朝向衬底的一侧表面呈现周期性凹凸起伏，增大了第一类型载流子沿着第一类型载流子辅助层横向移动的距离或阻抗，从而大大降低了相邻发光元件之间的横向漏电流。
图4为本发明实施例提供的一种显示面板的俯视结构示意图。可选的，本发明实施例中，隔离槽还可以设置成在衬底上的垂直投影呈环状；且隔离槽围绕发光元件。
需要说明的是，可选的，可以根据多重起伏结构上方的各个膜层的刚性等物理特性，设置隔离槽的深度和隔离槽侧壁的坡度，以确保第一类型载流子辅助层、发光层、第二类型载流子辅助层以及第二电极层在隔离槽处保持连续性。
图5为设置有隔离槽的多重起伏结构的剖面示意图。可选的，隔离槽1711的深度h以及隔离槽1711的侧壁与衬底之间的夹角α可以满足：
h<2D，α≤90°；或者h≥2D，α≤75°；
其中，D为第一类型载流子辅助层、发光层、第二类型载流子辅助层以及第二电极层的总厚度。
图6为本发明又一实施例提供的显示面板的结构示意图，如图6所示，相邻发光元件之间的第一类型载流子辅助层朝向衬底的表面设置有多孔结构172，可设置多孔结构的孔径d满足：10nm<d<5D。其中，D为第一类型载流子辅助层、发光层、第二类型载流子辅助层以及第二电极层的总厚度。
参见图1、图3和图6，本发明实施例提供的显示面板还包括像素限定层12，像素限定层12位于第一类型载流子辅助层13与第一电极层11之间。像素限定层12设置有开口结构121，开口结构121露出部分第一电极111。开口结构121定义了发光元件的实际发光面积。多重起伏结构或多孔结构位于像素限定层12与第一类型载流子辅助层13之间。
本发明实施例中多重起伏结构或多孔结构可以是设置在像素限定层12与第一类型载流子辅助层13之间的结构，即形成像素限定层12后，在像素限定层上方制备形成多重起伏结构171或多孔结构172。其中，图3中的隔离槽1711可以在垂直于衬底方向上贯穿多重起伏结构，也可以不贯穿多重起伏结构，本发明实施例对此不做限定。
可选的，多重起伏结构或多孔结构在衬底上的垂直投影位于像素限定层在衬底上的垂直投影内。设置在像素限定层上的多重起伏结构或多孔结构的宽度需要小于像素限定层的宽度，即多重起伏结构或多孔结构在衬底上的垂直投影位于像素限定层在衬底上的垂直投影内，避免在像素限定层的边缘出现悬空的多重起伏结构或多孔结构，因为如果有悬空的多重起伏结构或多孔结构就会导致多重起伏结构或多孔结构上方膜层的断裂和碎片污染、空洞等问题。
此外，多重起伏结构需要有足够的厚度来产生足够大起伏的凹凸表面，如前所述，例如可以控制多重起伏结构的表面的凹凸起伏大于10纳米，小于第一类型载流子辅助层、发光层、第二类型载流子辅助层以及第二电极层的总厚度的两倍，比如小于0.5微米。
可选的，上述实施例中的多重起伏结构或多孔结构在衬底上的垂直投影可以设置成呈网格状。每个发光结构外围均围绕有多重起伏结构或多孔结构。这样设置多重起伏结构或多孔结构，在刻蚀形成多重起伏结构或多孔结构时，工艺最为简单。此外，若多重起伏结构或多孔结构为导电材料，可以施加外部电压，亦或者浮置。整个多重起伏结构或多孔结构由于连接在一起成网格状，可以避免静电荷在局部区域聚集，便于将显示面板内由于静电积累的静电荷导出，或者将避免静电荷在局部区域聚集。
图7为本发明又一实施例提供的一种显示面板的剖面结构示意图，如图7所示显示面板包括像素限定层12，像素限定层12位于第一类型载流子辅助层13与第一电极层11之间。像素限定层12设置有开口结构121，开口结构121露出部分第一电极111。像素限定层12朝向第一类型载流子辅助层13的表面形成多重起伏结构或多孔结构(图7中示例性的将素限定层12朝向第一类型载流子辅助层13的表面形成多重起伏结构171)。本发明实施例还可以在像素限定层12背离衬底10的一侧进行处理形成多重起伏结构或多孔结构。
可选的，多重起伏结构或多孔结构采用导电材料；多重起伏结构或多孔结构浮置或者与电位输入端电连接。若多重起伏结构或多孔结构采用导电材料，多重起伏结构或多孔结构采用导电材料还可以与第一类型载流子辅助层之间形成肖特基结，通过选取合适的多重起伏结构或多孔结构材料，或者施加不同的电位，在第一类型载流子辅助层中形成阻挡第一类型载流子在平行于衬底方向上运动的势垒，进一步阻碍了相邻发光元件之间的电流扩散。
本发明实施例对多重起伏结构或多孔结构的材料不做限定，通过多重起伏结构的表面起伏以及多孔结构的空隙结构增大第一类型载流子沿着第一类型载流子辅助层横向移动的距离或阻抗，抑制第一类型载流子在第一类型载流子辅助层中进行横向扩散。因此既可以采用导电材料也可以采用绝缘材料。
需要说明的是，上述各实施例中，第一类型载流子辅助层为空穴辅助层，第二类型载流子辅助层为电子辅助层时，沿背离衬底的方向，第一类型载流子辅助层可以包括空穴注入层、空穴传输层以及电子阻挡层中的至少一种。沿背离衬底的方向，第二类型载流子辅助层可以包括空穴阻挡层、电子传输层以及电子注入层中的至少一种。在第一类型载流子辅助层为电子辅助层，第二类型载流子辅助层为空穴辅助层时，沿背离衬底的方向，第一类型载流子辅助层可以包括电子注入层、电子传输层以及空穴阻挡层中的至少一种。沿背离衬底的方向，第二类型载流子辅助层可以包括电子阻挡层、空穴传输层以及空穴注入层中的至少一种。第一类型载流子辅助层、发光层、以及第二类型载流子辅助层均可以采用有机材料制成。
本发明实施例还提供一种显示装置，图8为本发明实施例提供的一种显示装置的结构示意图，如图8所示，该显示装置包括上述任一实施例所述的显示面板200。该显示装置可以包括手机、电脑以及智能可穿戴设备(例如，智能手表)等，本发明实施例对此不作限定。
本发明实施例还提供了显示面板的制备方法。图9为本发明实施例提供的一种显示面板的制备方法的流程示意图，如图9所示，所述方法包括：
S11、提供一衬底。
S12、在所述衬底上形成第一电极层；所述第一电极层包括多个分立的第一电极。
S13、形成多重起伏结构或多孔结构。
S14、在所述第一电极以及所述多重起伏结构或所述多孔结构背离所述衬底的一侧形成第一类型载流子辅助层。
S15、在所述第一类型载流子辅助层背离所述衬底的一侧形成发光层。
S16、在所述发光层背离所述衬底的一侧形成第二类型载流子辅助层。
S17、在所述第二类型载流子辅助层背离所述衬底的一侧形成第二电极层。
其中，显示面板包括多个发光元件；多个发光元件矩阵排列；每个发光元件包括背离衬底依次设置的第一电极、第一类型载流子辅助层、发光层、第二类型载流子辅助层以及第二电极层；多重起伏结构或多孔结构位于相邻发光元件之间。第一类型载流子辅助层为空穴辅助层，第二类型载流子辅助层为电子辅助层；或者，第一类型载流子辅助层为电子辅助层，第二类型载流子辅助层为空穴辅助层。
本发明实施例在相邻发光元件之间的第一类型载流子辅助层朝向衬底的表面设置有多重起伏结构或多孔结构，第一类型载流子辅助层会填充到多重起伏结构的凹陷处或者位于多孔结构的空隙中，等效于增大第一类型载流子沿着第一类型载流子辅助层横向移动的距离或阻抗，阻隔了第一类型载流子从一个发光元件的第一类型载流子辅助层传输到相邻发光元件的第一类型载流子辅助层上。因此可以防止相邻子像素区域的发光元件之间通过第一类型载流子辅助层产生横向的漏电流，进而提升显示面板的显示效果。
可选的，步骤S13包括通过气相沉积工艺形成多重起伏结构或多孔结构，且在沉积过程中通入惰性气体。
无论是金属材料还是非金属材料，都可以通过气相沉积工艺沉积一层表面粗糙或者表面和体内具有疏松结构的薄膜。具体做法例如可以是在气相沉积工艺过程中，在腔室内导入一定气压的惰性气体，比如氩气或者氮气。在高气体分压的环境下沉积的薄膜不再致密，而是内含多孔的疏松结构。这层具有疏松结构的薄膜可以是致密的薄膜沉积后导入惰性气体，继续沉积同种材料的薄膜从而形成疏松层覆盖致密层的结构。或者整层薄膜的沉积过程中均通入惰性气体，形成疏松的多孔结构。多重起伏结构的表面粗糙程度以及多孔结构的孔径可以通过调节腔室内通入惰性气体的气压来改变，比如氩气的分压在0.01Torr至10Torr的范围。上述气相沉积工艺例如可以是热蒸发或者等离子溅射的方法。其中，热蒸发的方式更能产生结构疏松的多孔结构。
可选的，图10为本发明实施例提供的多重起伏结构或多孔结构制备工艺过程图。步骤S13包括：
S131、形成像素限定层。
S132、将所述像素限定层背离所述衬底的一侧表面处理形成所述多重起伏结构或所述多孔结构。
S133、在所述像素限定层上形成多个开口结构；所述开口结构露出至少部分所述第一电极。
本发明实施先在第一电极111上形成像素限定层12，然后将像素限定层12背离衬底一侧表面处理形成多重起伏结构或多孔结构(图10示例性的将像素限定层12背离衬底一侧表面处理形成多重起伏结构171)，然后通过光刻胶18将无需制备开口结构121的部分覆盖，刻蚀掉开口结构121处的像素限定层露出部分第一电极111，最后去除残留光刻胶。
可选的，步骤S132可以包括：
S1321、形成掩膜本体；
S1322、采用干刻工艺将所述掩膜本体形成多孔掩膜层；
S1323、采用湿法刻蚀工艺或干法刻蚀工艺通过所述多孔掩膜层对所述像素限定层进行刻蚀，在所述像素限定层背离所述衬底的一侧表面形成多重起伏结构。
湿法刻蚀工艺中，刻蚀液体会对暴露的表面进行化学腐蚀。如果腐蚀的化学过程发生的不均匀，就会产生粗糙的表面。比如在腐蚀一个合金材料的表面的时候，腐蚀液对合金中的一种金属的腐蚀速率高于另外一种金属材料时，就会在形成凹凸不平的表面。干法刻蚀工艺中，放在等离子的反应室内，导入离化和激活后的离子具有腐蚀作用的气体，比如CF4，SF6等系列的气体，并掺入其他能将材料表面氧化的气体比如氧气。等离子气体就会对暴露的表面进行RIE(Reactive Ion Etch)腐蚀。如果这个腐蚀的过程中功率较高，偏置电压较高，气压较高，则会产生粗糙的刻蚀表面。在等离子气体中加入较重的惰性气体分子，比如氩气分子，氩离子在等离子电场的驱动下，对于没有光刻胶保护的材料表面进行轰击，也能形成粗糙的表面形态。此外，采用干法和湿法的交替刻蚀方法也可以在物体上形成粗糙的表面形态。
图11为本发明实施例提供的一种将像素限定层背离衬底的一侧表面处理形成多重起伏结构的制备工艺过程图。参见图10，在像素限定层12背离衬底的一侧形成掩膜本体19；采用干刻工艺将掩膜本体19形成多孔掩膜层191，比如RIE(反应离子腐蚀)+离子轰击的方式刻蚀穿或打穿掩膜本体19，形成多孔掩膜层191。然后采用湿法刻蚀工艺或干法刻蚀工艺通过多孔掩膜层191对像素限定层12进行刻蚀，在像素限定层12背离衬底的一侧表面形成多重起伏结构171。例如采用湿法刻蚀工艺对像素限定层12进行刻蚀时，可以选择刻蚀液体具有较高的刻蚀选择比(刻蚀选择比＝像素限定层12的刻蚀速率/多孔掩膜层191的刻蚀速率)，在像素限定层12表面形成随机散布的多重起伏结构171。最后在通过光刻工艺在像素限定层12上形成开口结构121。
可选的，本发明实施例还可以在像素限定层上方形成多重起伏结构或多孔结构，多重起伏结构或多孔结构是独立于像素限定层膜层结构。即，在步骤S13之前还包括：形成像素限定层；
步骤S13包括：
S131’、在所述像素限定层背离所述衬底的一侧形成多重起伏结构本体或多孔结构本体。
S132’、采用湿法刻蚀工艺和/或干法刻蚀工艺形成多重起伏结构或多孔结构。
S133’、形成多个开口结构；所述开口结构露出至少部分所述第一电极。
图12为本发明又一实施例提供形成多重起伏结构或多孔结构的制备工艺过程图。参见图12，在形成像素限定层12后，在像素限定层12背离衬底的一侧形成多重起伏结构本体或多孔结构本体170。采用湿法刻蚀工艺和/或干法刻蚀工艺处理多重起伏结构本体或多孔结构本体170形成多重起伏结构或多孔结构(图12示例性的为多重起伏结构171)，然后通过同一掩膜刻蚀工艺刻蚀像素限定层12以及多重起伏结构本体或多孔结构本体170形成多个开口结构121，开口结构121露出至少部分第一电极111。
可选的，上述各实施例里中，在采用干法刻蚀工艺形成多重起伏结构或多孔结构过程中，可以通入腐蚀气体、氧化气体以及惰性气体中的至少一种。
注意，上述仅为本发明的较佳实施例及所运用技术原理。本领域技术人员会理解，本发明不限于这里所述的特定实施例，对本领域技术人员来说能够进行各种明显的变化、重新调整、相互结合和替代而不会脱离本发明的保护范围。因此，虽然通过以上实施例对本发明进行了较为详细的说明，但是本发明不仅仅限于以上实施例，在不脱离本发明构思的情况下，还可以包括更多其他等效实施例，而本发明的范围由所附的权利要求范围决定。
Claims (17)
1.一种显示面板，其特征在于，包括：
衬底；
位于所述衬底一侧的第一电极层；所述第一电极层包括多个分立的第一电极；
第一类型载流子辅助层，位于所述第一电极背离所述衬底的一侧；
发光层，位于所述第一类型载流子辅助层背离所述衬底的一侧；
第二类型载流子辅助层，位于所述发光层背离所述衬底的一侧；
第二电极层，位于所述第二类型载流子辅助层背离所述衬底的一侧；
所述显示面板还包括多个发光元件；多个所述发光元件矩阵排列；每个所述发光元件包括背离所述衬底依次设置的第一电极、第一类型载流子辅助层、发光层、第二类型载流子辅助层以及第二电极层；
相邻所述发光元件之间的所述第一类型载流子辅助层朝向所述衬底的表面设置有多重起伏结构或多孔结构；
其中，所述第一类型载流子辅助层为空穴辅助层，所述第二类型载流子辅助层为电子辅助层；或者，所述第一类型载流子辅助层为电子辅助层，所述第二类型载流子辅助层为空穴辅助层；
所述多重起伏结构朝向所述第一类型载流子辅助层一侧的表面在垂直于所述衬底方向上的振幅平均值AR，以及所述多重起伏结构朝向所述第一类型载流子辅助层一侧的表面在平行于所述衬底平面上的轮廓间距平均值GR满足：
0.2D<AR<5D；0.2D<GR<10D；
所述多孔结构的孔径d满足：
10nm<d<5D；
其中，D为所述第一类型载流子辅助层、所述发光层、所述第二类型载流子辅助层以及所述第二电极层的总厚度。
2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述多重起伏结构朝向所述第一类型载流子辅助层一侧的表面在垂直于所述衬底方向上的振幅平均值AR，以及所述多重起伏结构朝向所述第一类型载流子辅助层一侧的表面在平行于所述衬底平面上的轮廓间距平均值GR满足：
AR>D；GR>AR；
其中，D为所述第一类型载流子辅助层、所述发光层、所述第二类型载流子辅助层以及所述第二电极层的总厚度。
3.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述多重起伏结构或所述多孔结构在所述衬底上的垂直投影呈网格状。
4.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述多重起伏结构包括多个隔离槽。
5.根据权利要求4所述的显示面板，其特征在于，
所述隔离槽的深度h以及所述隔离槽的侧壁与所述衬底之间的夹角α满足：
h<2D，α≤90°；或者h≥2D，α≤75°；
其中，D为所述第一类型载流子辅助层、所述发光层、所述第二类型载流子辅助层以及所述第二电极层的总厚度。
6.根据权利要求4所述的显示面板，其特征在于，所述隔离槽在所述衬底上的垂直投影呈环状；且所述隔离槽围绕所述发光元件。
7.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，还包括像素限定层；所述像素限定层位于所述第一类型载流子辅助层与所述第一电极层之间；所述像素限定层设置有开口结构；所述开口结构露出部分所述第一电极；
所述多重起伏结构或所述多孔结构位于所述像素限定层与所述第一类型载流子辅助层之间。
8.根据权利要求7所述的显示面板，其特征在于，所述多重起伏结构或所述多孔结构在所述衬底上的垂直投影位于所述像素限定层在所述衬底上的垂直投影内。
9.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，还包括像素限定层；所述像素限定层位于所述第一类型载流子辅助层与所述第一电极层之间；所述像素限定层设置有开口结构；所述开口结构露出部分所述第一电极；
所述像素限定层朝向所述第一类型载流子辅助层的表面形成所述多重起伏结构或所述多孔结构。
10.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述多重起伏结构或所述多孔结构采用导电材料；所述多重起伏结构或所述多孔结构浮置或者与电位输入端电连接。
11.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述多重起伏结构或所述多孔结构采用绝缘材料。
12.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1-11中任一项所述的显示面板。
13.一种显示面板的制备方法，其特征在于，包括：
提供一衬底；
在所述衬底上形成第一电极层；所述第一电极层包括多个分立的第一电极；
形成多重的多重起伏结构或多孔结构；
在所述第一电极以及所述多重起伏结构或所述多孔结构背离所述衬底的一侧形成第一类型载流子辅助层；
在所述第一类型载流子辅助层背离所述衬底的一侧形成发光层；
在所述发光层背离所述衬底的一侧形成第二类型载流子辅助层；
在所述第二类型载流子辅助层背离所述衬底的一侧形成第二电极层；
其中，所述显示面板包括多个发光元件；多个所述发光元件矩阵排列；每个所述发光元件包括背离所述衬底依次设置的第一电极、第一类型载流子辅助层、发光层、第二类型载流子辅助层以及第二电极层；所述多重起伏结构或所述多孔结构位于相邻所述发光元件之间；
所述第一类型载流子辅助层为空穴辅助层，所述第二类型载流子辅助层为电子辅助层；或者，所述第一类型载流子辅助层为电子辅助层，所述第二类型载流子辅助层为空穴辅助层；
所述形成多重起伏结构或多孔结构，包括：
通过气相沉积工艺形成多重起伏结构或多孔结构，且在沉积过程中通入惰性气体；
所述多重起伏结构朝向所述第一类型载流子辅助层一侧的表面在垂直于所述衬底方向上的振幅平均值AR，以及所述多重起伏结构朝向所述第一类型载流子辅助层一侧的表面在平行于所述衬底平面上的轮廓间距平均值GR满足：
0.2D<AR<5D；0.2D<GR<10D；
所述多孔结构的孔径d满足：
10nm<d<5D；
其中，D为所述第一类型载流子辅助层、所述发光层、所述第二类型载流子辅助层以及所述第二电极层的总厚度。
14.根据权利要求13所述的方法，其特征在于，所述形成多重起伏结构或多孔结构包括：
形成像素限定层；
将所述像素限定层背离所述衬底的一侧表面处理形成所述多重起伏结构或所述多孔结构；
在所述像素限定层上形成多个开口结构；所述开口结构露出至少部分所述第一电极。
15.根据权利要求13所述的方法，其特征在于，在形成多重起伏结构或多孔结构之前，还包括：
形成像素限定层；
所述形成多重起伏结构或多孔结构包括：
在所述像素限定层背离所述衬底的一侧形成多重起伏结构本体或多孔结构本体；
采用湿法刻蚀工艺和/或干法刻蚀工艺形成多重起伏结构或多孔结构；
形成多个开口结构；所述开口结构露出至少部分所述第一电极。
16.根据权利要求14或15所述的方法，其特征在于，在采用干法刻蚀工艺形成多重起伏结构或多孔结构过程中，通入腐蚀气体、氧化气体以及惰性气体中的至少一种。
17.根据权利要求14所述的方法，其特征在于，所述将所述像素限定层背离所述衬底的一侧表面处理形成所述多重起伏结构包括：
形成掩膜本体；
采用干刻工艺将所述掩膜本体形成多孔掩膜层；
采用湿法刻蚀工艺或干法刻蚀工艺通过所述多孔掩膜层对所述像素限定层进行刻蚀，形成多重起伏结构。
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
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| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| CB02 | Change of applicant information | ||
| CB02 | Change of applicant information |
Address after: Room a5-103, No.999, Wenzhong Road, Xinzhan District, Hefei City, Anhui Province, 230012 Applicant after: Vision Technology Co., Ltd. Address before: Room a5-103, No.999, Wenzhong Road, Xinzhan District, Hefei City, Anhui Province, 230012 Applicant before: Hefei Shiya Technology Co.,Ltd. |
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| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |