KR19990051078A - 고 휘도와 고 선명도를 가지는 전계발광 소자의 제조방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 고 휘도와 고 선명도를 가지는 전계발광 소자의 제조방법을 제공한다. 본 발명의 전계 발광소자는 투명 기판 또는 불투명 기판의 표면상에 선 형상 또는 매쉬 형상을 가지며, 측면이 경사진 패턴을 형성하고, 기판상에 투명 전극층, 제 1 절연층, 형광층, 제 2 절연층 및 금속 전극층을 차례로 적층하고, 상기 금속 전극층을 패터닝하여, 제 2 절연층의 볼록부 상평면 혹은 상평면과 경사면에 금속 전극을 형성하고, 상기 물질층들을 반대로 적층한 반전소자의 경우에는 제 1 절연층의 오목부의 상평면 혹은 상평면과 경사면에 걸쳐 투명전극을 형성하여 픽셀을 섬모양 또는 우물모양으로 형성하였다.

본 발명은 기판에 패턴을 미리 형성하여 패턴의 경사진 측면이 전계발광 소자의 휘도를 증가시킬 수 있도록 배열하여 전계발광 소자를 형성함으로써 빛의 측면 손실량을 감소시키고 전면 투과량을 증가시킨다.

Description

고 휘도와 고 선명도를 가지는 전계발광 소자의 제조방법

본 발명은 전계 발광소자에 관한 것으로, 특히 전극을 기판상에 형성된 경사면을 가지는 오목부 또는 볼록부에 형성하여 광의 투과 성능을 개선한 고 휘도, 고 선명도를 가지는 전계 발광소자의 제조방법에 관한 것이다.

도 1(a)는 종래의 기술에 의한 전계 발광소자의 단면도를 나타낸다.

도 1(a)의 전계 발광소자는 투명 기판(1)상에 투명 전극층(2)을 형성한 후, 제 1 절연층(3), 형광층(4), 제 2 절연층(5)을 각각 차례로 증착하고, 상기 제 2 절연층(5)상에 소정의 폭을 가지는 금속 전극(6a)을 형성한 구조를 가지고 있다.

이러한 구조를 가지는 전계 발광소자는 투명 전극층(2)과 금속 전극(6a)사이에 수십 V의 전압을 인가하면 절연층과 형광층 계면에서 전자가 튀어나와 형광층(4)내로 가속되고, 가속된 전자들이 형광층내의 발광 중심 원자들과 충돌하면 발광중심 원자들이 여기된다. 전계발광소자는 이 여기된 발광중심 원자들이 기저상태로 돌아올 때 빛이 발생하게되는 전계발광 원리를 이용한 소자이다. 이 소자는 평판 디스플레이의 일종으로서 내구성, 내열성, 내 충격성이 뛰어나고 시야각이 넓으며 응답속도가 빠른 등의 많은 장점을 가지고 있다.

그런데, 도 1(a)의 소자에 사용되는 형광층(4)과 제 1, 2 절연층(3,5)은 굴절율이 커서 형광층(4)에서 발생한 빛의 10% 정도만이 전면으로 투과되어 나오고 나머지는 측면으로 새어나가서 손실되는 것으로 알려져 있다.

그리고 도 1(a)의 전계 발광소자의 반전된 구조를 나타낸 도 1(b)의 전계 발광 소자는 실리콘, 알루미나 등의 불투명 기판(7)상에 내화 금속 전극층(8)을 형성 하고, 그 위에 제 2 절연층(5), 형광층(4), 제 1 절연층(3)이 형성되고, 이 제 1 절연층(3)상에 소정의 폭을 가지는 투명 전극(2a)이 형성되어 있는 구조를 가지고 있다.

그런데, 도 1(b)와 같이 반전된 구조를 가지고 있는 전계 발광소자의 경우에도 마찬가지로 대부분의 빛이 투명 전극(2a)방향으로 투과되어 나가지 못하고 측면으로 손실된다. 이를 개선하기 위하여 실리콘 기판에 다결정 실리콘 등을 성장하여 표면의 거칠기가 크도록하여 난반사를 유도함으로써 전면 투과량을 증가시키기도 한다. 그리고 전면, 즉 빛이 발생되는 측의 절연층의 굴절율이 형광층(4)의 굴절율에 비하여 작고, 후면 측의 절연층의 굴절율이 보다 크면 유리할 수 있다.

전계발광 소자용 박막 들, 즉 제 1, 2 절연층(3,5), 형광층(4), 투명 전극층(2), 금속 전극(6)들을 성장하는 방법에는 스퍼터 증착법, e-빔 증착법, 원자층 에피텍시법 등이 있다. 이 중에서 원자층 에피텍시 방법은 매우 균일한 박막을 증착할 수 있는 장점이 있다. 원자층 에피텍시 기술은 원자층 단위로 조절하여 박막을 성장할 수 있는 기술을 말한다. 이 기술의 원리는 소스 증기 A를 반응로 내로 주입하여 박막을 성장하고자 하는 표면위에 한 층이 화학 흡착되도록 한 후, 여분의 소스 증기는 질소, 아르곤, 헬륨 등의 반응성이 없는 개스를 주입하여 퍼지(purge)해내고, 다시 소스 증기 B를 주입하여 이미 흡착되어 있는 소스 A와의 표면 반응에 의해 박막이 성장되도록 한 후, 여분의 소스 증기와 부생성물들은 계속하여 퍼지 개스로 퍼지(purge)해내는 기술이다. 이 기술은 표면 포화 반응에 의해 진행되므로 모든 표면 위에 균일한 두께의 막을 성장할 수 있는 장점이 있다.

이 때 반응순서는 소스 증기 A 주입 개스 퍼지(inert gas purge), 소스 증기 B 주입 개스 퍼지(inert gas purge)의 연속단계를 필요한 두께가 성장될 만큼 반복하면 된다. 이 기술은 2원계, 3원계, 또는 그 이상의 원소를 함유하는 박막의 경우에도 조성에 따라 소스 증기를 2 종류 이상 사용하여 원하는 조성의 박막을 성장할 수 있다. 이러한 이유로 본 발명에서는 전계발광 소자의 제조에 원자층 에피텍시 기술과 공정 조건이 이와 유사한 화학 증착법을 활용하였다.

본 발명의 목적은 고 휘도와 고 선명도를 가지는 전계발광 소자를 제공하는데 있다.

본 발명의 다른 목적은 고 휘도와 고 선명도를 가지는 전계 발광소자를 제조하는 방법을 제공하는데 있다.

상기 목적을 달성하기 위한 본원 발명의 일실시예에 의한 전계 발광소자의 제조방법은 투명 기판상에 매쉬 형상을 가지는 식각 마스크를 형성하는 공정과, 상기 식각 마스크를 통해 노출된 기판을 소정의 폭과 깊이로 식각하여 기판의 표면에 매쉬 형상을 가지며, 경사진 측면을 가지는 패턴을 형성하는 공정과, 상기 식각 마스크를 제거하고, 기판의 전면에 투명 전극층, 제 1 절연층, 형광층, 제 2 절연층 및 금속 전극층을 차례로 형성하는 공정과, 상기 금속 전극층을 패터닝하여 제 2 절연층의 볼록부의 상 평면상에 금속 전극을 형성하는 공정을 포함한다.

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 다른 실시예에 의한 전계 발광 소자의 제조방법에 의하면, 불투명 기판상에 매쉬 형상을 가지는 식각 마스크를 형성하는 공정과, 상기 식각 마스크를 통해 노출된 기판을 소정의 폭과 깊이로 식각하여 기판의 표면에 매쉬 형상을 가지며, 경사진 측면을 가지는 패턴을 형성하는 공정과, 상기 식각 마스크를 제거하고, 기판의 전면에 금속 전극층, 제 2 절연층, 형광층, 제 1 절연층 및 투명 전극층을 차례로 형성하는 공정과, 상기 투명 전극층을 패터닝하여 상기 제 1 절연층의 오목부의 상 평면상에 투명 전극을 형성하는 공정을 포함한다.

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 또 다른 실시예에 의한 전계 발광소자의 제조방법은 불투명 기판상에 매쉬 형상을 가지는 식각 마스크를 형성하는 공정과, 상기 식각 마스크를 통해 노출된 기판을 소정의 폭과 깊이로 식각하여 기판의 표면에 매쉬 형상을 가지며, 경사진 측면을 가지는 패턴을 형성하는 공정과, 상기 패턴에 의해 형성된 기판의 오목부에 구동소자를 형성하는 공정과, 상기 구동소자의 상표면 및 오목부의 경사면에 금속 전극층을 형성하는 공정과, 상기 금속 전극층 및 기판의 표면상에 제 2 절연층, 형광층, 제 1 절연층 및 투명 전극층을 차례로 형성하는 공정과, 상기 투명 전극층을 패터닝하여 상기 제 1 절연층의 오목부의 상 평면상에 투명전극을 형성하는 공정을 포함한다.

본 발명은 전계 발광소자를 제조할 때 기판의 표면상에 선 또는 매쉬 형상의 규칙적이고, 경사면을 가지는 패턴을 형성하는 것을 주요 특징으로 하고 있다. 이 기판위에 패턴을 형성함으로서, 기판의 표면상에 경사면을 가지는 오목부와 볼록부가 형성되므로 이 경사면을 효과적으로 활용할 수 있는 구조로 전계발광 소자를 형성하여 빛의 측면 손실을 줄인다. 그리고 발광 면적을 증가시킴으로써 전계 발광소자의 휘도를 크게 증가시킬 수 있다.

도 1(a)는 통상적인 전계발광 소자의 단면 구조도,

도 1(b)는 도 1(a)의 전계발광 소자의 반전 구조를 나타낸 단면 구조도,

도 2는 본 발명의 실시예에 의한 전계발광 소자의 제조공정을 나타낸 단면 구조도,

도 2(a)는 건식 식각, 또는 습식 식각으로 패턴을 형성한 투명 기판의 단면 구조도,

도 2(b)는 기판상에 투명 전극층을 형성한 단면 구조도,

도 2(c)는 도 2(b)의 구조 위에 제 1 절연층과 형광층, 제 2 절연층을 증착한 단면 구조도,

도 2(d)는 도 2(c)의 구조위에 금속 전극층을 형성한 단면 구조도,

도 3은 반전 구조의 전계발광 소자 제조공정을 나타낸 단면 구조도,

도 3(a)는 건식 식각, 또는 습식 식각으로 패턴을 형성한 불투명 기판의 단면 구조도,

도 3(b)는 패턴을 형성한 기판위에 금속 전극층을 형성한 단면 구조도,

도 3(c)는 도 3(b)의 금속전극층위에 제 1 절연층과 형광층, 제 2 절연층을 증착한 단면 구조도,

도 3(d)는 도 3(c)의 구조 위에 투명 전극층을 형성한 단면 구조도,

도 4(a)는 도 2(d)의 금속 전극층을 식각하여 금속전극(단위 픽셀)을 볼록부의 상평면에 형성한 단면 구조도,

도 4(b)는 도 3(d)의 투명 전극층을 식각하여 투명전극(단위 픽셀)을 오목부의 평탄면상에 형성한 단면 구조도,

도 5(a)는 도 2(d)의 금속 전극층을 식각하여 금속 전극(단위 픽셀)을 볼록부의 상평면과 경사면에 걸쳐 형성한 단면 구조도,

도 5(b)는 도 3(d)의 투명 전극층을 식각하여 투명 전극(단위 픽셀)을 오목부의 상평면과 경사면에 걸쳐 형성한 단면 구조도,

도 6은 본 발명의 다른 실시예에 의한 반전 구조를 갖는 전계 발광 소자의 단면 구조도,

도 7은 본 발명의 또 다른 실시예에 의한 반전 구조를 갖는 전계 발광소자의 단면 구조도.

<도면의 주요 부분에 대한 부호 설명>

1 : 투명 기판 2 : 투명 전극층

2a : 투명 전극 3 : 제 1 절연층

4 : 형광층 5 : 제 2 절연층

6 : 금속 전극층 6a : 금속 전극

7 : 불 투명 기판 9 : 패턴을 형성한 투명 기판

10 : 패턴을 형성한 불 투명 기판 11 : 구동 소자

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세히 설명한다.

도 2와 도 3은 본 발명의 실시예에 따른 전계 발광 소자의 제조 과정을 나타낸 단면도이고, 도 4와 도 5는 본 발명의 실시예에 따라 제조된 전계 발광소자의 단면 구조를 나타낸다.

도 2 의 전계 발광소자의 제조 과정에 따르면, 먼저 도 2(a)에 도시한 바와 같이, 전계발광 소자의 기판으로서 유리, BSG(Borosilicate Glass), 석영 등의 투명 기판(9)상에 수 ㎛-수백 ㎛의 간격으로 감광막을 이용하여 선 형상 혹은 매쉬 형상을 가지는 식각 마스크(도시하지 않음)을 형성하고, 식각 마스크를 통하여 노출된 기판(9)을 습식 식각 또는 등방성 플라즈마 식각법으로 수 ㎛ - 수십 ㎛의 깊이로 식각하여 기판(9)표면에 경사진 측면을 가지는 선 패턴 또는 매쉬 패턴을 형성하고, 마스크 패턴을 제거한다.

이어서, 도 2(b) 내지 2(d)에 도시한 바와 같이, 기판(9)상에 전계 발광소자의 구성 요소 박막들인 투명 전극층(2), 제 1 절연층(3), 형광층(4), 제 2 절연층(5), 금속 전극층(6)을 차례로 성장한다.

도 3은 도 2의 전계 발광소자의 반전된 구조를 나타낸다.

도 3의 전계 발광소자는 실리콘, 알루미나 등과 같은 불투명 기판(10)상에 수 ㎛-수백 ㎛의 간격으로 선 형상 혹은 매쉬 형상을 가지는 식각 마스크(도시하지 않음)을 형성하고, 식각 마스크를 통하여 노출된 불투명 기판(10)을 습식 식각 또는 등방성 플라즈마 식각법으로 수 ㎛-수십 ㎛의 깊이로 식각하여 불투명 기판(10)의 표면에 경사진 측면을 가지는 선 패턴 또는 매쉬 패턴을 형성하고, 식각 마스크를 제거한다.

이어서, 도 3(b) 내지 3(d)에 도시한 바와 같이, 금속 전극층(6), 제 2 절연층(5), 형광층(4), 제 1 절연층(3) 및 금속 전극층(2)을 차례로 형성한다.

상기 도 2(a)와 도 3(a)에 나타낸 바와 같이 기판(9,10)상에 형성되는 패턴은 선 형상을 가지는 선 패턴 뿐만아니라, 선 들이 서로 직각으로 교차하는 매쉬 형상를 가지는 매쉬 패턴을 형성하여 얕은 오목부 또는 볼록부 형상이 되도록 형성하고, 전계 발광소자를 형성하기 위한 다층의 물질층을 균일하게 형성하면, 각 물질층들도 오목부와 볼록부를 가지는 형태로 형성되게된다.

상기 패턴이 오목부 또는 볼록부 모양의 형태가 되면 네 면이 모두 경사진 면으로 구성되므로 선 패턴인 경우에 비해 효과가 두 배로 증가된다.

이어서, 도 2와 도 3과 같이 전계 발광소자를 제조하기 위한 물질층을 다층으로적층한 기판을 이용하여, 도 4(a), 4(b) 또는 도 5(a), 5(b)에 도시된 바와 같이 각각 금속 전극층(6) 및 투명 전극층(2)을 패터닝하여 금속 전극(6a)과 투명 전극(2a)을 형성한다.

도 4(a), 5(a)는 본 발명의 일실시예에 의한 전계 발광소자의 형성예를 나타낸 것으로, 금속 전극층(6)을 패터닝하여 금속 전극(6a)을 형성할 때, 도 4(a)에 나타낸 바와 같이 도 2(d)의 금속 전극층(6)이 제 2 절연층(5)의 볼록부의 상 평면에만 남도록 금속 전극층(6)을 패터닝하여, 제 2 절연층(5)의 볼록부의 상 평면상에 금속 전극(6)을 형성하거나, 또는 도 5(a)에 나타낸 바와 같이 도 2(d)의 금속 전극층(6)이 제 2 절연막(5)의 볼록부의 상 평면과 경사면에 남도록 패터닝하여 금속 전극(6a)을 형성한다.

그리고, 도 4(a)와 도 5(a)에 나타낸 전계 발광소자의 반전된 구조를 가지는 전계 발광소자의 경우에는, 도 4(b)에 나타낸 바와 같이, 도 3(d)의 투명 전극층(2)이 제 1 절연층(3)의 오목부 평탄면상에만 남도록 패터닝하여 투명 전극(2a)을 형성하거나, 도 5(b)에 나타낸 바와 같이, 도 3(d)의 투명 전극층(2)이 제 1 절연층(3)의 오목부의 평탄면과 경사면에 남도록 패터닝하여 투명 전극(a)을 형성한다.

상기한 바와 같이 도 4(a), 4(b)의 구조를 가지는 전계 발광소자는 굴절에 의한 빛의 측면 손실을 극소화하고 전극(6a,2a)에 의해 반사한 빛이 전면으로 효과적 으로 투과되고, 특히, 도 5(a)와 도 5(b)와 같은 구조를 가지는 금속 전극을 형성하는 경우에는 측면 역시 발광에 기여하므로 휘도를 더욱 증가시킬 수 있다.

도 6 과 도 7은 본 발명의 다른 실시예에 의한 능동 구동형 전계 발광소자를 나타낸 단면도이다.

도 6에 도시한 반전된 구조를 기본으로 하는 능동 구동형(active matrix) 전계 발광소자는 불투명 기판(10)의 표면에 도 2와 도 3과 동일한 패터닝 공정을 수행하여 수 ㎛-수백 ㎛의 폭과 수 ㎛-수십 ㎛의 깊이를 가지는 매쉬 패턴을 형성하고, 패턴의 오목부에 구동 소자(11)를 형성하고, 이 오목부의 평면 및 경사면에 내화금속, 실리사이드 금속 등을 증착하여 금속 전극층(6)을 형성한 후, 제 2 절연층(5), 형광층(4), 제 1 절연층(3)을 차례로 적층하고, 제 1 절연막(3)의 오목부 평탄면상에 투명 전극(2a)을 형성한 구조를 가지고 있다.

그리고, 도 7에 도시한 반전된 구조를 기본으로 하는 능동 구동형 전계 발광소자는 도 6의 전계 발광소자와 동일하게, 불투명 기판(10)상의 오목부에 구동소자(11)를 형성한 후, 금속 전극층(6), 제 2 절연층(5), 형광층(4), 제 1 절연층(3)을 차례로 적층하고, 제 1 절연층(3)의 오목부의 평탄면 및 경사면에 투명 전극(2a)을 형성한 구조를 가지고 있다.

상기 도 6과 도 7의 능동소자를 포함하며 반전된 구조를 가지는 전계 발광소자는 기판(10)의 상 표면을 매쉬 패턴형상으로 식각하여 형성한 오목부안에 구동소자(11)와 투명 전극(2a)을 형성하였으므로, 전계 발광소자에서 발생하는 빛의 측면 손실을 방지할 수 있는 동시에, 측면이 모두 발광에 기여하여 발광 면적이 넓어지므로 휘도를 극대화 할 수 있다.

본 발명의 전계발광 소자에서는 강한 전계에 의해 빛이 발생하므로 패턴의 크기가 작아지고 표면 굴곡이 심해질 경우 부분적으로 불 균일한 부분이 형성되면 그 부분에서 전기적 파괴(electrical breakdown)가 일어날 수 있는데 이를 방지하기 위하여 매우 균일한 박막을 성장할 수 있는 화학 증착법이나 원자층 성장법을 활용하여 절연층, 형광층을 성장하였다. 특히 원자층 증착법의 경우 표면 포화 반응에 의해 반응이 진행되므로 매우 균일한 박막의 증착이 가능한 것으로 알려져 있다.

또한, 본 발명은 습식 식각 또는 플라즈마 식각 등의 방법으로 선 패턴 또는 매쉬 패턴을 형성한 기판 구조와 그 기판 위에 전계발광 소자, 반전 구조 전계발광 소자, 능동 구동형 전계발광 소자를 형성하는 고 휘도, 고 선명도 전계 발광소자의 구조와 원자층 에피텍시 기술을 이용한 제조방법으로 구성한다. 이상의 제조방법을 통해 제작한 전계발광 소자는 빛의 측면 손실이 감소하고 발광 면적이 증가함으로써 휘도가 증가하고, 빛을 가운데 방향으로 모아 줌으로써 선명도가 증가한다.

본 발명에서는 거의 90%에 달하는 빛의 측면 손실량을 감소시키고 대신 전면 투과량이 증가하도록 개선하는 것을 특징으로 한다.

특히 선 형태 뿐만 아니라 매쉬 형태로 식각하는 경우 오목부와 볼록부 형태의 픽셀이 되도록하여 4 방향에서 동일한 효과를 얻을 수 있으므로 그 효과가 배가 될 수 있다.

그리고 반전 구조를 기본으로 하는 능동 구동형(active matrix) 전계 발광소자는 기판을 수 ㎛-수십 ㎛의 깊이와 수 ㎛-수백 ㎛의 폭을 가지는 매쉬 형상의 식각 마스크를 사용하여 식각하는 것에 의해 형성한 오목부안에 구동 소자와 전계발광 소자를 형성하고 오목부의 네 측면이 모두 발광에 기여할 수 있도록 함으로써 발광 면적이 넓어지는 효과와 측면 손실을 방지하는 효과를 동시에 얻음으로써 휘도가 극대화된다.

Claims (12)

1. 투명 기판상에 매쉬 형상을 가지는 식각 마스크를 형성하는 공정과,

   상기 식각 마스크를 통해 노출된 기판을 소정의 폭과 깊이로 식각하여 기판의 표면에 매쉬 형상을 가지며, 경사진 측면을 가지는 패턴을 형성하는 공정과,

   상기 식각 마스크를 제거하고, 기판의 전면에 투명 전극층, 제 1 절연층, 형광층, 제 2 절연층 및 금속 전극층을 차례로 형성하는 공정과,

   상기 금속 전극층을 패터닝하여 제 2 절연층의 볼록부의 상 평면상에 금속전극을 형성하는 공정을 포함하는 전계 발광소자의 제조방법.
2. 제 1 항에 있어서,

   상기 금속 전극층이 상기 제 2 절연층의 볼록부의 상 평면 및 경사면에 형성되는 전계 발광소자의 제조방법.
3. 제 1 항에 있어서,

   상기 제 1 절연층, 형광층, 제 2 절연층은 원자층 에피텍시법 또는 화학 증착법을 이용하여 형성하는 전계 발광 소자의 제조방법.
4. 불투명 기판상에 매쉬 형상을 가지는 식각 마스크를 형성하는 공정과,

   상기 식각 마스크를 통해 노출된 기판을 소정의 폭과 깊이로 식각하여 기판의 표면에 매쉬 형상을 가지며, 경사진 측면을 가지는 패턴을 형성하는 공정과,

   상기 식각 마스크를 제거하고, 기판의 전면에 금속 전극층, 제 2 절연층, 형광층, 제 1 절연층 및 투명 전극층을 차례로 형성하는 공정과,

   상기 투명 전극층을 패터닝하여 상기 제 1 절연층의 오목부의 상 평면상에 투명 전극을 형성하는 공정을 포함하는 전계 발광소자의 제조방법.
5. 제 4 항에 있어서,

   상기 투명 전극이 제 1 절연층의 오목부의 상 평면 및 경사면상에 형성되는 전계 발광소자의 제조방법.
6. 제 4 항에 있어서,

   상기 제 1 절연층, 형광층 및 제 2 절연층은 원자층 에피텍시법 또는 화학 증착법을 이용하여 형성하는 전계 발광 소자의 제조방법.
7. 불투명 기판상에 매쉬 형상을 가지는 식각 마스크를 형성하는 공정과,

   상기 식각 마스크를 통해 노출된 기판을 소정의 폭과 깊이로 식각하여 기판의 표면에 매쉬 형상을 가지며, 경사진 측면을 가지는 패턴을 형성하는 공정과,

   상기 패턴에 의해 형성된 기판의 오목부에 구동소자를 형성하는 공정과,

   상기 구동소자의 상표면 및 오목부의 경사면에 금속 전극층을 형성하는 공정과, 상기 금속 전극층 및 기판의 표면상에 제 2 절연층, 형광층, 제 1 절연층 및 투명 전극층을 차례로 형성하는 공정과,

   상기 투명 전극층을 패터닝하여 상기 제 1 절연층의 오목부의 상 평면상에 투명전극을 형성하는 공정을 포함하는 능동소자를 구비하는 전계 발광소자의 제조방법.
8. 제 8 항에 있어서,

   상기 투명 전극이 제 1 절연층의 오목부의 상 평면 및 경사면상에 형성되는 능동 소자를 구비하는 전계 발광소자의 제조방법.
9. 제 8 항에 있어서,

   상기 금속 전극층이 실리사이드 금속으로 형성되는 능동소자를 구비하는 전계 발광 소자의 제조방법.
10. 제 1 항에 있어서,

    상기 식각 마스크를 선형상을 가지는 패턴으로 형성하고, 상기 식각 마스크를 통해 노출된 기판을 식각하여 기판의 표면에 선 형상을 가지며, 경사진 측면을 가지는 패턴을 형성하는 전계발광소자의 제조방법.
11. 제 1 항에 있어서,

    상기 식각 마스크를 선형상을 가지는 패턴으로 형성하고, 상기 식각 마스크를 통해 노출된 기판을 식각하여 기판의 표면에 선 형상을 가지며, 경사진 측면을 가지는 패턴을 형성하는 전계발광소자의 제조방법.
12. 제 1 항에 있어서,

    상기 식각 마스크를 선형상을 가지는 패턴으로 형성하고, 상기 식각 마스크를 통해 노출된 기판을 식각하여 기판의 표면에 선 형상을 가지며, 경사진 측면을 가지는 패턴을 형성하는 전계발광소자의 제조방법.