KR100731033B1 - 전계발광소자 및 그 제조방법 - Google Patents
전계발광소자 및 그 제조방법 Download PDFInfo
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Abstract
Description
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- 기판;상기 기판 상에 복수의 볼록한 형상을 가지도록 형성되며, 폴리실리콘층과 금속층의 적층 구조를 가지는 하부전극층;상기 하부전극층 상에 순차적으로 적층되는 절연층, 발광층, 상부전극층;상기 상부전극층 상에 형성된 보호층을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 전계발광소자.
- 기판;상기 기판 상에 복수의 볼록한 형상을 가지도록 형성되며, 텅스텐층과 금속층의 적층 구조를 가지는 하부전극층;상기 하부전극층 상에 순차적으로 적층되는 절연층, 발광층, 상부전극층;상기 상부전극층 상에 형성된 보호층을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 전계발광소자.
- 삭제
- 제 2 항 또는 제 3 항에 있어서, 상기 폴리실리콘층 및 텅스텐층은 그 표면 이 복수개의 볼록한 형상을 갖는 것을 특징으로 하는 전계발광소자.
- 제 2 항 또는 제 3 항에 있어서, 상기 금속층은 알루미늄(Al) 또는 은(Ag)으로 구성하는 것을 특징으로 하는 전계발광소자.
- 제 2 항 또는 제 3 항에 있어서, 상기 절연층, 발광층 및 상부전극층은 상기 하부전극층과 동일한 형상을 갖는 것을 특징으로 하는 전계발광소자.
- 삭제
- 기판 상에 상부면이 복수개의 볼록한 형상을 갖는 하부전극층을 형성하는 공정;상기 하부전극층 상에 상기 하부전극층과 동일한 형상을 갖도록 절연층, 발광층 및 상부전극층을 차례로 형성하는 공정;상기 상부전극층 상에 보호층을 형성하는 공정을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 전계발광소자 제조방법.
- 제 9 항에 있어서, 상기 하부전극층을 형성하는 공정은,상기 기판 상에 그 상부면이 복수개의 볼록한 형상을 갖는 폴리실리콘층을 형성하는 공정과,상기 폴리실리콘층의 상부에 폴리실리콘층과 동일한 형상을 갖는 금속층을 형성하는 공정으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 전계발광소자 제조방법.
- 제 9 항에 있어서, 상기 하부전극층을 형성하는 공정은,상기 기판 상에 그 상부면이 복수개의 볼록한 형상을 갖는 텅스텐층을 형성하는 공정과,상기 텅스텐층의 상부에 상기 텅스텐층과 동일한 형상을 갖는 금속층을 형성하는 공정으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 전계발광소자 제조방법.
- 제 9 항에 있어서, 상기 하부전극층을 형성하는 공정은,상기 기판 상에 금속층을 형성하는 공정과,상기 금속층의 표면이 복수개의 볼록한 형상을 갖도록 상기 금속층을 식각하는 공정으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 전계발광소자 제조방법.
- 제 10 항에 있어서, 상기 폴리실리콘층은 560∼610℃의 온도 분위기에서 저압기상증착법으로 형성하는 것을 특징으로 하는 전계발광소자 제조방법.
- 제 11 항에 있어서, 상기 텅스텐층은 화학기상증착법으로 형성하는 것을 특징으로 하는 전계발광소자 제조방법.
- 제 12 항에 있어서, 상기 금속층은 열증착법으로 형성하는 것을 특징으로 하는 전계발광소자 제조방법.
- 제 12 항에 있어서, 상기 금속층의 식각은 습식 식각, 건식 식각, 습식+건식 식각 중 어느 하나를 이용하는 것을 특징으로 하는 전계발광소자 제조방법.
- 제 9 항에 있어서, 상기 절연층은 BaTiO3계 물질로 형성하는 것을 특징으로 하는 전계발광소자 제조방법.
- 제 9 항에 있어서, 상기 발광층은 전자빔 증착 또는 스퍼터링법으로 형성하는 것을 특징으로 하는 전계발광소자 제조방법.
- 제 9 항에 있어서, 상기 상부전극층은 ITO(Indium Tin Oxide)로 형성하는 것을 특징으로 하는 전계발광소자 제조방법.
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