JPH10241856A - Ｅｌ素子の製造方法 - Google Patents
Ｅｌ素子の製造方法Info
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- JPH10241856A JPH10241856A JP9041002A JP4100297A JPH10241856A JP H10241856 A JPH10241856 A JP H10241856A JP 9041002 A JP9041002 A JP 9041002A JP 4100297 A JP4100297 A JP 4100297A JP H10241856 A JPH10241856 A JP H10241856A
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- insulating layer
- electrode
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/17—Passive-matrix OLED displays
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/875—Arrangements for extracting light from the devices
Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ガラス基板の凹凸表面に、ＥＬ素子を構成す
る各層を均一な膜厚で形成する。 【解決手段】 ガラス基板１の表面１ａに凹凸を形成
し、このガラス基板１の表面にＳＯＧ９を塗布し、それ
を焼成して表面９ａの凹凸を滑らかにし、このＳＯＧ９
の上に、下部電極２、下部絶縁層３、発光層４、上部絶
縁層５、上部電極６を順次積層する。
る各層を均一な膜厚で形成する。 【解決手段】 ガラス基板１の表面１ａに凹凸を形成
し、このガラス基板１の表面にＳＯＧ９を塗布し、それ
を焼成して表面９ａの凹凸を滑らかにし、このＳＯＧ９
の上に、下部電極２、下部絶縁層３、発光層４、上部絶
縁層５、上部電極６を順次積層する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＥＬ（エレクトロ
ルミネッセンス）素子の製造方法に関する。
ルミネッセンス）素子の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＥＬ素子においては、ガラス基板１の一
主面上に、下部電極、下部絶縁層、発光層、上部絶縁
層、上部電極が順に積層されている。ここで、一般的に
発光層の屈折率は、その両面に接する下部絶縁層、上部
絶縁層よりも大きいため、発光層の界面で全反射が生じ
る。この全反射により、発光層からの光のうちかなりの
割合が発光層内部に閉じ込められて外部に取り出され
ず、これがＥＬ素子の発光輝度を低下させる要因になっ
ている。
主面上に、下部電極、下部絶縁層、発光層、上部絶縁
層、上部電極が順に積層されている。ここで、一般的に
発光層の屈折率は、その両面に接する下部絶縁層、上部
絶縁層よりも大きいため、発光層の界面で全反射が生じ
る。この全反射により、発光層からの光のうちかなりの
割合が発光層内部に閉じ込められて外部に取り出され
ず、これがＥＬ素子の発光輝度を低下させる要因になっ
ている。
【０００３】このような上記問題を解決するため、米国
特許第４，７７４，４３５号明細書には、ガラス基板の
表面に凹凸を形成し、その上にＥＬ素子を構成する電
極、絶縁層、発光層を積層することにより、発光層と絶
縁層の界面での全反射を防ぎ、発光強度を高めるように
したものが開示されている。また、特開平３−３１３４
９２号公報にも、ガラス基板の表面に凹凸を形成し、そ
の上にＥＬ素子を構成する電極、絶縁層、発光層を積層
することにより、発光層の実質的な面積を増大させ、発
光強度を高めるようにしたものが開示されている。
特許第４，７７４，４３５号明細書には、ガラス基板の
表面に凹凸を形成し、その上にＥＬ素子を構成する電
極、絶縁層、発光層を積層することにより、発光層と絶
縁層の界面での全反射を防ぎ、発光強度を高めるように
したものが開示されている。また、特開平３−３１３４
９２号公報にも、ガラス基板の表面に凹凸を形成し、そ
の上にＥＬ素子を構成する電極、絶縁層、発光層を積層
することにより、発光層の実質的な面積を増大させ、発
光強度を高めるようにしたものが開示されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】図２に、ガラス基板１
の表面に凹凸を形成し、その上に下部電極２、下部絶縁
層３、発光層４、上部絶縁層５、上部電極６を順に積層
し、さらにシリコンオイル７とガラス基板８で覆ったＥ
Ｌ素子の構成を示す。ここで、図２下部の拡大図に示す
ように、ガラス基板１の表面に形成された凹凸によっ
て、その上に形成される各層の膜厚が不均一になる。そ
して、下部絶縁層３、上部絶縁層５の膜厚に薄い部分が
生じると、その部分で絶縁破壊が起きる可能性がある。
の表面に凹凸を形成し、その上に下部電極２、下部絶縁
層３、発光層４、上部絶縁層５、上部電極６を順に積層
し、さらにシリコンオイル７とガラス基板８で覆ったＥ
Ｌ素子の構成を示す。ここで、図２下部の拡大図に示す
ように、ガラス基板１の表面に形成された凹凸によっ
て、その上に形成される各層の膜厚が不均一になる。そ
して、下部絶縁層３、上部絶縁層５の膜厚に薄い部分が
生じると、その部分で絶縁破壊が起きる可能性がある。
【０００５】本発明は上記問題点に鑑みたもので、ガラ
ス基板の凹凸表面に、ＥＬ素子を構成する各層を均一な
膜厚で形成することを目的とする。
ス基板の凹凸表面に、ＥＬ素子を構成する各層を均一な
膜厚で形成することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、請求項１に記載の発明においては、ガラス基板
（１）の表面に凹凸を形成し、このガラス基板（１）の
表面に、表面の凹凸を平滑化する平滑化層（９）を形成
し、この平滑化層（９）の上に、下部電極（２）、下部
絶縁層（３）、発光層（４）、上部絶縁層（５）、上部
電極（６）を積層することを特徴としている。
め、請求項１に記載の発明においては、ガラス基板
（１）の表面に凹凸を形成し、このガラス基板（１）の
表面に、表面の凹凸を平滑化する平滑化層（９）を形成
し、この平滑化層（９）の上に、下部電極（２）、下部
絶縁層（３）、発光層（４）、上部絶縁層（５）、上部
電極（６）を積層することを特徴としている。
【０００７】ガラス基板の表面の凹凸を平滑化層により
平滑化することによって、凹凸表面に形成するＥＬ素子
の各構成層の膜厚を均一にすることができ、発光輝度の
向上と素子の信頼性向上の両立を図ることができる。ま
た、請求項２に記載の発明のように、平滑化層を絶縁層
（９）とし、下部電極（２）、上部電極（６）をストラ
イプ状で互いに直交して形成することによって、マトリ
クス表示としたＥＬ素子において、発光輝度の向上と素
子の信頼性向上の両立を図ることができる。
平滑化することによって、凹凸表面に形成するＥＬ素子
の各構成層の膜厚を均一にすることができ、発光輝度の
向上と素子の信頼性向上の両立を図ることができる。ま
た、請求項２に記載の発明のように、平滑化層を絶縁層
（９）とし、下部電極（２）、上部電極（６）をストラ
イプ状で互いに直交して形成することによって、マトリ
クス表示としたＥＬ素子において、発光輝度の向上と素
子の信頼性向上の両立を図ることができる。
【０００８】なお、上記した平滑化層は、平滑化層を形
成するための膜をガラス基板の表面に形成し、その膜表
面を平滑化することによって形成することができる。例
えば、平滑化層を形成するための膜としてＳＯＧ（ｓｐ
ｉｎ ｏｎ ｇｌａｓｓ）を塗布し、それを焼成するこ
とによって形成することができる。また、ポリイミドを
塗布し、それを焼成することによっても形成することが
できる。さらに、ＰＳＧ、ＢＰＳＢを用いリフローを行
うことによっても形成することができる。
成するための膜をガラス基板の表面に形成し、その膜表
面を平滑化することによって形成することができる。例
えば、平滑化層を形成するための膜としてＳＯＧ（ｓｐ
ｉｎ ｏｎ ｇｌａｓｓ）を塗布し、それを焼成するこ
とによって形成することができる。また、ポリイミドを
塗布し、それを焼成することによっても形成することが
できる。さらに、ＰＳＧ、ＢＰＳＢを用いリフローを行
うことによっても形成することができる。
【０００９】また、ガラス基板の表面に凹凸を形成する
方法としては、エッチング、サンドブラストのいずれ
か、若しくはその両方を用いて行うことができる。ま
た、発光層から出た光を各層の凹凸の界面で散乱させ、
効率よく光を外部に取り出すためには、平滑化層の表面
に形成された凹凸の深さを１００ｎｍ以上にするのが好
ましい。
方法としては、エッチング、サンドブラストのいずれ
か、若しくはその両方を用いて行うことができる。ま
た、発光層から出た光を各層の凹凸の界面で散乱させ、
効率よく光を外部に取り出すためには、平滑化層の表面
に形成された凹凸の深さを１００ｎｍ以上にするのが好
ましい。
【００１０】なお、ＥＬ素子は、下部電極、下部絶縁
層、発光層、上部絶縁層、上部電極を順次積層したもの
に限らず、バッファ層などを発光層と絶縁層との間に介
在させたものであってもよい。
層、発光層、上部絶縁層、上部電極を順次積層したもの
に限らず、バッファ層などを発光層と絶縁層との間に介
在させたものであってもよい。
【００１１】
【発明の実施の形態】図１に、本発明の一実施形態を示
すＥＬ素子の製造工程を示す。なお、この実施形態で
は、下部電極２と上部電極６を互いに直交するようにス
トライプ状に形成して、マトリクス表示を行うＥＬ素子
に適用している。以下、図１に従って本実施形態にかか
るＥＬ素子の製造方法を説明する。 〔図１（ａ）の工程〕ガラス基板１の表面１ａに凹凸を
形成する。凹凸の深さは、１００ｎｍ以上とし、ムラや
干渉による色付きが発生しないようにランダムな間隔で
均一に形成する。この場合、例えばサンドブラスト加工
を用いることによって、ガラス基板１の表面１ａに凹凸
を形成することができる。 〔図１（ｂ）の工程〕ガラス基板１の表面１ａに、ＳＯ
Ｇ９を１００ｎｍ程度の膜厚でスピンコートする。この
後、スピンコートしたＳＯＧ９を５００〜６００℃で焼
成する。この焼成によって、ＳＯＧ９の表面９ａの凹凸
が滑らかな形状になる。
すＥＬ素子の製造工程を示す。なお、この実施形態で
は、下部電極２と上部電極６を互いに直交するようにス
トライプ状に形成して、マトリクス表示を行うＥＬ素子
に適用している。以下、図１に従って本実施形態にかか
るＥＬ素子の製造方法を説明する。 〔図１（ａ）の工程〕ガラス基板１の表面１ａに凹凸を
形成する。凹凸の深さは、１００ｎｍ以上とし、ムラや
干渉による色付きが発生しないようにランダムな間隔で
均一に形成する。この場合、例えばサンドブラスト加工
を用いることによって、ガラス基板１の表面１ａに凹凸
を形成することができる。 〔図１（ｂ）の工程〕ガラス基板１の表面１ａに、ＳＯ
Ｇ９を１００ｎｍ程度の膜厚でスピンコートする。この
後、スピンコートしたＳＯＧ９を５００〜６００℃で焼
成する。この焼成によって、ＳＯＧ９の表面９ａの凹凸
が滑らかな形状になる。
【００１２】ここで、ＳＯＧ９の焼成温度を、ＳＯＧ９
の軟加点である８００〜９００℃程度まで上げれば、よ
り平滑な表面が得られる。但し、この場合は、ガラス基
板１として耐熱性の高いものを用いる必要がある。ま
た、ガラス基板１としてソーダライムガラスなどの安価
なガラスを用いた場合には、ＳＯＧ９に、ガラス基板１
の表面平滑化とバリアコートの役割を持たせることがで
きる。 〔図１（ｃ）の工程〕次に、下部電極２となるＩＴＯを
スパッタ法で２００ｎｍ程度の膜厚で堆積させ、エッチ
ングでストライプ状にパターニングして下部電極２を形
成する。
の軟加点である８００〜９００℃程度まで上げれば、よ
り平滑な表面が得られる。但し、この場合は、ガラス基
板１として耐熱性の高いものを用いる必要がある。ま
た、ガラス基板１としてソーダライムガラスなどの安価
なガラスを用いた場合には、ＳＯＧ９に、ガラス基板１
の表面平滑化とバリアコートの役割を持たせることがで
きる。 〔図１（ｃ）の工程〕次に、下部電極２となるＩＴＯを
スパッタ法で２００ｎｍ程度の膜厚で堆積させ、エッチ
ングでストライプ状にパターニングして下部電極２を形
成する。
【００１３】下部電極２の形成後、下部絶縁層３を形成
する。下部絶縁層３としては、例えばＳｉＯ2 、Ｓｉ3
Ｎ4 、Ｔａ2 Ｏ4 、Ａｌ2 Ｏ3 などの材料を用いること
ができる。このとき、複数の異なる材料の絶縁膜を積層
することで、良好な耐圧特性と下地の膜への密着性を得
ることができる。下部絶縁層３の全体の膜厚は３００ｎ
ｍ前後に設定する。
する。下部絶縁層３としては、例えばＳｉＯ2 、Ｓｉ3
Ｎ4 、Ｔａ2 Ｏ4 、Ａｌ2 Ｏ3 などの材料を用いること
ができる。このとき、複数の異なる材料の絶縁膜を積層
することで、良好な耐圧特性と下地の膜への密着性を得
ることができる。下部絶縁層３の全体の膜厚は３００ｎ
ｍ前後に設定する。
【００１４】次に、ＺｎＳを母材としてＣＶＤ法により
発光層４を形成する。ＺｎＳには必要な発光波長に応じ
てＭｎやＴｂをドーパントとして添加する。発光層４の
膜厚は５００ｎｍ前後に設定する。この後、上部絶縁層
５を、下部絶縁層３と同一構造で同一の成膜方法で形成
する。次に、上部電極６として透明導電膜を形成する。
透明導電膜材料としては例えばＩＴＯが用いられる。こ
の上部電極６は、下部電極２と直交するようにストライ
プ状にパターニングされる。 〔図１（ｄ）の工程〕上部絶縁膜５を介して侵入する水
分から発光層４を保護するために、シリコンオイル７と
ガラス基板８でＥＬ素子を封入して、ＥＬ素子を完成さ
せる。
発光層４を形成する。ＺｎＳには必要な発光波長に応じ
てＭｎやＴｂをドーパントとして添加する。発光層４の
膜厚は５００ｎｍ前後に設定する。この後、上部絶縁層
５を、下部絶縁層３と同一構造で同一の成膜方法で形成
する。次に、上部電極６として透明導電膜を形成する。
透明導電膜材料としては例えばＩＴＯが用いられる。こ
の上部電極６は、下部電極２と直交するようにストライ
プ状にパターニングされる。 〔図１（ｄ）の工程〕上部絶縁膜５を介して侵入する水
分から発光層４を保護するために、シリコンオイル７と
ガラス基板８でＥＬ素子を封入して、ＥＬ素子を完成さ
せる。
【００１５】上述した製造方法により作製されたＥＬ素
子は、ＳＯＧ９によりガラス基板１の表面凹凸が平滑化
されているため、下部電極３、下部絶縁層４、発光層
５、上部絶縁層６、上部電極７を、凹凸に沿って均一な
膜厚で容易に形成することができる。従って、光取り出
し効率の向上と素子の信頼性向上の両立を図ることがで
きる。
子は、ＳＯＧ９によりガラス基板１の表面凹凸が平滑化
されているため、下部電極３、下部絶縁層４、発光層
５、上部絶縁層６、上部電極７を、凹凸に沿って均一な
膜厚で容易に形成することができる。従って、光取り出
し効率の向上と素子の信頼性向上の両立を図ることがで
きる。
【００１６】なお、上述した実施形態においては、平滑
化層としてＳＯＧ９を用いるものを示したが、ＰＳＧま
たはＢＰＳＧを用いリフローを行って、ガラス基板１の
表面凹凸を平滑化するようにしてもよい。この場合、リ
フローに要する温度が９００℃程度になるため、この温
度に耐えうるガラス基板（例えば、石英ガラス）を用い
る。
化層としてＳＯＧ９を用いるものを示したが、ＰＳＧま
たはＢＰＳＧを用いリフローを行って、ガラス基板１の
表面凹凸を平滑化するようにしてもよい。この場合、リ
フローに要する温度が９００℃程度になるため、この温
度に耐えうるガラス基板（例えば、石英ガラス）を用い
る。
【００１７】また、平滑化層としてポリイミド（日立化
成：ＰＩＱ−Ｌ２１０）を用い、ガラス基板１の表面凹
凸をポリイミドの塗布と焼成（３７４℃程度）で平滑化
することもできる。但し、この場合は、発光層４の成膜
後に発光効率を改善するために行う熱処理の温度を３０
０〜３５０℃以下とし、ポリイミドの熱分解温度（５０
０℃）以下にする必要がある。
成：ＰＩＱ−Ｌ２１０）を用い、ガラス基板１の表面凹
凸をポリイミドの塗布と焼成（３７４℃程度）で平滑化
することもできる。但し、この場合は、発光層４の成膜
後に発光効率を改善するために行う熱処理の温度を３０
０〜３５０℃以下とし、ポリイミドの熱分解温度（５０
０℃）以下にする必要がある。
【００１８】また、上述した実施形態においては、下部
電極２をストライプ状に形成しているため、平滑化層を
ＳＯＧなどの絶縁膜にて形成する必要があったが、ＥＬ
素子を面発光素子として用いる場合には、下部電極２が
全面に形成されるため、この場合には、平滑化層を導電
材料にて形成することもできる。
電極２をストライプ状に形成しているため、平滑化層を
ＳＯＧなどの絶縁膜にて形成する必要があったが、ＥＬ
素子を面発光素子として用いる場合には、下部電極２が
全面に形成されるため、この場合には、平滑化層を導電
材料にて形成することもできる。
【図１】本発明の一実施形態を示すＥＬ素子の製造工程
を示す図である。
を示す図である。
【図２】ガラス基板の表面に凹凸を形成した従来のＥＬ
素子の問題点を説明するための図である。
素子の問題点を説明するための図である。
１…ガラス基板、２…下部電極、３…下部絶縁層、４…
発光層、５…上部絶縁層、６…上部電極、７…シリコン
オイル、８…ガラス基板、９…平滑化層としてのＳＯ
Ｇ。
発光層、５…上部絶縁層、６…上部電極、７…シリコン
オイル、８…ガラス基板、９…平滑化層としてのＳＯ
Ｇ。
Claims (2)
- 【請求項１】 ガラス基板（１）の表面に凹凸を形成
し、 このガラス基板（１）の表面に、表面の凹凸を平滑化す
る平滑化層（９）を形成し、 この平滑化層（９）の上に、下部電極（２）、下部絶縁
層（３）、発光層（４）、上部絶縁層（５）、上部電極
（６）を積層することを特徴とするＥＬ素子の製造方
法。 - 【請求項２】 前記平滑化層（９）は絶縁層（９）であ
って、前記下部電極（２）、前記上部電極（６）をスト
ライプ状で互いに直交するように形成することを特徴と
する請求項１又は２に記載のＥＬ素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9041002A JPH10241856A (ja) | 1997-02-25 | 1997-02-25 | Ｅｌ素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9041002A JPH10241856A (ja) | 1997-02-25 | 1997-02-25 | Ｅｌ素子の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10241856A true JPH10241856A (ja) | 1998-09-11 |
Family
ID=12596209
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9041002A Pending JPH10241856A (ja) | 1997-02-25 | 1997-02-25 | Ｅｌ素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10241856A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004111354A (ja) * | 2002-07-24 | 2004-04-08 | Fujitsu Ltd | 発光型表示素子およびその形成方法 |
| KR100731033B1 (ko) * | 2000-12-27 | 2007-06-22 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 전계발광소자 및 그 제조방법 |
| WO2008096748A1 (ja) * | 2007-02-07 | 2008-08-14 | Kaneka Corporation | 平面発光装置 |
| WO2012133414A1 (ja) * | 2011-03-28 | 2012-10-04 | Ｊｘ日鉱日石エネルギー株式会社 | 凹凸構造を有する基板の製造方法及びそれを用いた有機ｅｌ素子の製造方法 |
| US9224983B2 (en) | 2010-12-20 | 2015-12-29 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Substrate for surface light emitting device and method of manufacturing the substrate, surface light emitting device, lighting apparatus, and backlight including the same |
| JP2016062014A (ja) * | 2014-09-19 | 2016-04-25 | 日本碍子株式会社 | 光学部品 |
| US9368756B2 (en) | 2012-10-12 | 2016-06-14 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Organic electroluminescence device and method of manufacturing the same |
-
1997
- 1997-02-25 JP JP9041002A patent/JPH10241856A/ja active Pending
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100731033B1 (ko) * | 2000-12-27 | 2007-06-22 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 전계발광소자 및 그 제조방법 |
| JP2004111354A (ja) * | 2002-07-24 | 2004-04-08 | Fujitsu Ltd | 発光型表示素子およびその形成方法 |
| KR100997615B1 (ko) * | 2002-07-24 | 2010-11-30 | 후지필름 가부시키가이샤 | El 표시 소자 및 그 형성 방법 |
| WO2008096748A1 (ja) * | 2007-02-07 | 2008-08-14 | Kaneka Corporation | 平面発光装置 |
| US9224983B2 (en) | 2010-12-20 | 2015-12-29 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Substrate for surface light emitting device and method of manufacturing the substrate, surface light emitting device, lighting apparatus, and backlight including the same |
| WO2012133414A1 (ja) * | 2011-03-28 | 2012-10-04 | Ｊｘ日鉱日石エネルギー株式会社 | 凹凸構造を有する基板の製造方法及びそれを用いた有機ｅｌ素子の製造方法 |
| JPWO2012133414A1 (ja) * | 2011-03-28 | 2014-07-28 | Ｊｘ日鉱日石エネルギー株式会社 | 凹凸構造を有する基板の製造方法及びそれを用いた有機ｅｌ素子の製造方法 |
| JP5680742B2 (ja) * | 2011-03-28 | 2015-03-04 | Ｊｘ日鉱日石エネルギー株式会社 | 凹凸構造を有する基板の製造方法及びそれを用いた有機ｅｌ素子の製造方法 |
| US9368756B2 (en) | 2012-10-12 | 2016-06-14 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Organic electroluminescence device and method of manufacturing the same |
| JP2016062014A (ja) * | 2014-09-19 | 2016-04-25 | 日本碍子株式会社 | 光学部品 |
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