JPH0888080A - エレクトロルミネッセンス素子とその製造方法 - Google Patents
エレクトロルミネッセンス素子とその製造方法Info
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- JPH0888080A JPH0888080A JP6248837A JP24883794A JPH0888080A JP H0888080 A JPH0888080 A JP H0888080A JP 6248837 A JP6248837 A JP 6248837A JP 24883794 A JP24883794 A JP 24883794A JP H0888080 A JPH0888080 A JP H0888080A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】ＥＬ素子の発光輝度を高くすること。
【構成】絶縁性基板であるガラス基板１上に、光学的に
透明なＩＴＯ(Indium Tin Oxide)から成る第一透明電極
（第一電極）２、光学的に透明な五酸化タンタル(Ta
2O5) から成る第一絶縁層３、絶縁性粉末７、マンガン
が添加された硫化亜鉛(ZnS) から成る発光層４、光学的
に透明な五酸化タンタル(Ta2O5) から成る第二絶縁層
５、光学的に透明なＩＴＯから成る第二透明電極（第二
電極）６が順次積層形成されることにより、ＥＬ素子１
００が構成される。
透明なＩＴＯ(Indium Tin Oxide)から成る第一透明電極
（第一電極）２、光学的に透明な五酸化タンタル(Ta
2O5) から成る第一絶縁層３、絶縁性粉末７、マンガン
が添加された硫化亜鉛(ZnS) から成る発光層４、光学的
に透明な五酸化タンタル(Ta2O5) から成る第二絶縁層
５、光学的に透明なＩＴＯから成る第二透明電極（第二
電極）６が順次積層形成されることにより、ＥＬ素子１
００が構成される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、車載用表示器、情報機
器のディスプレイなどに使用される薄膜ＥＬ（エレクト
ロルミネッセンス）表示装置に関する。
器のディスプレイなどに使用される薄膜ＥＬ（エレクト
ロルミネッセンス）表示装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、エレクトロルミネッセンス素子
（以下ＥＬ素子と記す）は、硫化亜鉛（ZnS ）などの蛍
光体に電界をかけたときに発光する現象を利用したもの
で、自発光型の平面ディスプレイを構成するものとして
注目されている。図５は、ＥＬ素子１００の典型的な断
面構造を示した模式図である。ＥＬ素子１００は、絶縁
性基板であるガラス基板１上に、光学的に透明なＩＴＯ
（Indium Tin Oxide）膜から成る第一透明電極（第一電
極）２、五酸化タンタル（Ta2O5 ）などから成る第一絶
縁層３、発光層４、五酸化タンタル（Ta2O5 ）などから
成る第二絶縁層５及びＩＴＯ膜から成る第二透明電極
（第二電極）６を順次積層されて形成されている。
（以下ＥＬ素子と記す）は、硫化亜鉛（ZnS ）などの蛍
光体に電界をかけたときに発光する現象を利用したもの
で、自発光型の平面ディスプレイを構成するものとして
注目されている。図５は、ＥＬ素子１００の典型的な断
面構造を示した模式図である。ＥＬ素子１００は、絶縁
性基板であるガラス基板１上に、光学的に透明なＩＴＯ
（Indium Tin Oxide）膜から成る第一透明電極（第一電
極）２、五酸化タンタル（Ta2O5 ）などから成る第一絶
縁層３、発光層４、五酸化タンタル（Ta2O5 ）などから
成る第二絶縁層５及びＩＴＯ膜から成る第二透明電極
（第二電極）６を順次積層されて形成されている。
【０００３】ここで、ＩＴＯ膜とは、酸化インジウム
（In2O3 ）に錫（Sn）をドープした透明の導電性膜のこ
とで、低抵抗率であることから従来より透明電極用とし
て広く使用されているものである。発光層４には、例え
ば、硫化亜鉛（ZnS ）を母体材料とし、発光中心として
マンガン（Mn）や三フッ化テルビウム（TbF3）を添加し
たものが使用される。ＥＬ素子１００の発光色は、硫化
亜鉛（ZnS ）中の添加物の種類によって決まり、例え
ば、発光中心としてマンガン（Mn）を添加した場合には
オレンジ色、三フッ化テルビウム（TbF3）を添加した場
合にはグリーン色の発光が得られる。
（In2O3 ）に錫（Sn）をドープした透明の導電性膜のこ
とで、低抵抗率であることから従来より透明電極用とし
て広く使用されているものである。発光層４には、例え
ば、硫化亜鉛（ZnS ）を母体材料とし、発光中心として
マンガン（Mn）や三フッ化テルビウム（TbF3）を添加し
たものが使用される。ＥＬ素子１００の発光色は、硫化
亜鉛（ZnS ）中の添加物の種類によって決まり、例え
ば、発光中心としてマンガン（Mn）を添加した場合には
オレンジ色、三フッ化テルビウム（TbF3）を添加した場
合にはグリーン色の発光が得られる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
構造から成るＥＬ素子において、発光輝度が低く、ディ
スプレイとしての表示品質の低下や歩留りの低下につな
がるという問題点があった。この原因を究明した結果、
第一絶縁層、発光層、第二絶縁層の間に絶縁性の粉末が
存在することによって、また、第一絶縁層表面或いは発
光層表面にキズ部が存在することによって以下のような
現象が起こることが判明した。すなわち、第一絶縁層、
発光層、第二絶縁層の間に絶縁性の粉末が存在すること
によって、発光層に接している絶縁性の粉末が発光を乱
反射することにより発光輝度が向上するということ、ま
た、第一絶縁層表面或いは発光層表面にキズ部が存在す
ることによって、そのキズ部が発光を乱反射することに
より同等の効果が得られるということである。
構造から成るＥＬ素子において、発光輝度が低く、ディ
スプレイとしての表示品質の低下や歩留りの低下につな
がるという問題点があった。この原因を究明した結果、
第一絶縁層、発光層、第二絶縁層の間に絶縁性の粉末が
存在することによって、また、第一絶縁層表面或いは発
光層表面にキズ部が存在することによって以下のような
現象が起こることが判明した。すなわち、第一絶縁層、
発光層、第二絶縁層の間に絶縁性の粉末が存在すること
によって、発光層に接している絶縁性の粉末が発光を乱
反射することにより発光輝度が向上するということ、ま
た、第一絶縁層表面或いは発光層表面にキズ部が存在す
ることによって、そのキズ部が発光を乱反射することに
より同等の効果が得られるということである。
【０００５】従って、本発明の目的は、第一絶縁層、発
光層、第二絶縁層の間に絶縁性粉末を散布することによ
り、また、第一絶縁層表面或いは発光層表面にキズ部を
形成することにより、発光輝度が高く、高品位で信頼性
の高いＥＬ素子を提供することである。
光層、第二絶縁層の間に絶縁性粉末を散布することによ
り、また、第一絶縁層表面或いは発光層表面にキズ部を
形成することにより、発光輝度が高く、高品位で信頼性
の高いＥＬ素子を提供することである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
め本発明の構成は、絶縁性基板上の表面に、少なくとも
光取り出し側が透明導電性材料から成る一対の電極間
に、第一絶縁層、発光層、第二絶縁層が順次配設された
ＥＬ素子であって、第一絶縁層と発光層の間、または、
発光層と第二絶縁層の間に凹凸部が存在することを特徴
とする。
め本発明の構成は、絶縁性基板上の表面に、少なくとも
光取り出し側が透明導電性材料から成る一対の電極間
に、第一絶縁層、発光層、第二絶縁層が順次配設された
ＥＬ素子であって、第一絶縁層と発光層の間、または、
発光層と第二絶縁層の間に凹凸部が存在することを特徴
とする。
【０００７】また、第二の発明の構成は、凹凸部は、粉
末により構成されていることを特徴とする。
末により構成されていることを特徴とする。
【０００８】第三の発明の構成は、粉末の最大長は、粉
末の上側に位置し粉末と接する層の膜厚より小さいこと
を特徴とする。
末の上側に位置し粉末と接する層の膜厚より小さいこと
を特徴とする。
【０００９】第四の発明の構成は、絶縁性基板上の表面
に、少なくとも光取り出し側が透明導電性材料から成る
一対の電極間に、第一絶縁層、発光層、第二絶縁層が順
次配設されたＥＬ素子の製造方法であって、第一絶縁層
形成後に粉末の散布を行い、その後に発光層を形成する
こと、或いは、発光層形成後に粉末の散布を行い、その
後に第二絶縁層を形成することを特徴とする。
に、少なくとも光取り出し側が透明導電性材料から成る
一対の電極間に、第一絶縁層、発光層、第二絶縁層が順
次配設されたＥＬ素子の製造方法であって、第一絶縁層
形成後に粉末の散布を行い、その後に発光層を形成する
こと、或いは、発光層形成後に粉末の散布を行い、その
後に第二絶縁層を形成することを特徴とする。
【００１０】第五の発明の構成は、第一絶縁層上、また
は、発光層上に付着した粉末を除去しない程度の洗浄工
程を有するＥＬ素子の製造方法であることを特徴とす
る。
は、発光層上に付着した粉末を除去しない程度の洗浄工
程を有するＥＬ素子の製造方法であることを特徴とす
る。
【００１１】第六の発明の構成は、ＥＬ素子において粉
末が絶縁性であることを特徴とする。
末が絶縁性であることを特徴とする。
【００１２】第七の発明の構成は、ＥＬ素子の製造方法
において粉末が絶縁性であることを特徴とする。
において粉末が絶縁性であることを特徴とする。
【００１３】第八の発明の構成は、凹凸部は、第一絶縁
層の表面、または、発光層の表面に形成されたキズ部に
より構成されていることを特徴とする。
層の表面、または、発光層の表面に形成されたキズ部に
より構成されていることを特徴とする。
【００１４】第九の発明の構成は、キズ部の深さは、キ
ズ部が形成された層の膜厚より小さいことを特徴とす
る。
ズ部が形成された層の膜厚より小さいことを特徴とす
る。
【００１５】第十の発明の構成は、絶縁性基板上の表面
に、少なくとも光取り出し側が透明導電性材料から成る
一対の電極間に、第一絶縁層、発光層、第二絶縁層が順
次配設されたＥＬ素子の製造方法であって、第一絶縁層
の表面、または、発光層の表面にキズ部を形成すること
を特徴とする。
に、少なくとも光取り出し側が透明導電性材料から成る
一対の電極間に、第一絶縁層、発光層、第二絶縁層が順
次配設されたＥＬ素子の製造方法であって、第一絶縁層
の表面、または、発光層の表面にキズ部を形成すること
を特徴とする。
【００１６】
【作用】ＥＬ素子において、第一絶縁層、発光層、第二
絶縁層の間に絶縁性粉末を散布、或いは、第一絶縁層上
または発光層上に付着した絶縁性粉末を除去しない程度
の洗浄工程後に、第一絶縁層上または発光層上に層を形
成する。また、ＥＬ素子の第一絶縁層表面または発光層
表面にキズ部を形成する。
絶縁層の間に絶縁性粉末を散布、或いは、第一絶縁層上
または発光層上に付着した絶縁性粉末を除去しない程度
の洗浄工程後に、第一絶縁層上または発光層上に層を形
成する。また、ＥＬ素子の第一絶縁層表面または発光層
表面にキズ部を形成する。
【００１７】
【発明の効果】第一絶縁層、発光層、第二絶縁層の間に
散布された絶縁性粉末の乱反射によりＥＬ素子の発光輝
度を向上させることができる。また、ＥＬ素子の第一絶
縁層表面または発光層表面に形成されたキズ部により同
等の効果を得ることができる。
散布された絶縁性粉末の乱反射によりＥＬ素子の発光輝
度を向上させることができる。また、ＥＬ素子の第一絶
縁層表面または発光層表面に形成されたキズ部により同
等の効果を得ることができる。
【００１８】
【実施例】以下、本発明を具体的な実施例に基づいて説
明する。図１は、本発明に係わるＥＬ素子１００の縦断
面を示した模式図である。ＥＬ素子１００は、絶縁性基
板であるガラス基板１上に順次以下に示す薄膜が積層形
成されて構成されている。ガラス基板１上には、光学的
に透明なＩＴＯから成る第一透明電極（第一電極）２が
形成されている。その上面には、光学的に透明な五酸化
タンタル（Ta2O5）から成る第一絶縁層３、絶縁性粉末
７、マンガン（Mn）が添加された硫化亜鉛（ZnS ）から
成る発光層４、光学的に透明な五酸化タンタル（Ta
2O5 ）から成る第二絶縁層５、光学的に透明なＩＴＯか
ら成る第二透明電極（第二電極）６が形成されている。
明する。図１は、本発明に係わるＥＬ素子１００の縦断
面を示した模式図である。ＥＬ素子１００は、絶縁性基
板であるガラス基板１上に順次以下に示す薄膜が積層形
成されて構成されている。ガラス基板１上には、光学的
に透明なＩＴＯから成る第一透明電極（第一電極）２が
形成されている。その上面には、光学的に透明な五酸化
タンタル（Ta2O5）から成る第一絶縁層３、絶縁性粉末
７、マンガン（Mn）が添加された硫化亜鉛（ZnS ）から
成る発光層４、光学的に透明な五酸化タンタル（Ta
2O5 ）から成る第二絶縁層５、光学的に透明なＩＴＯか
ら成る第二透明電極（第二電極）６が形成されている。
【００１９】次に、ＥＬ素子１００の製造方法について
説明する。まず、ガラス基板１上に第一透明電極２が成
膜される。蒸着材料としては、酸化インジウム（In
2O3 ）粉末に酸化錫（SnO2）を加えて混合し、ペレット
状に成形したものを用い、成膜装置としてはイオンプレ
ーティング装置を用いた。具体的には、ガラス基板１の
温度を１５０°Ｃに保持したままイオンプレーティング
装置内を５．０×１０-3Ｐａまで排気し、その後、アル
ゴン（Ar）ガスを導入して６．５×１０-1Ｐａに保ち、
成膜速度が１．０〜３．０Å／ｓｅｃの範囲となるよう
にビーム電力及び高周波電力を調整する。この第一透明
電極２は、フォトリソグラフ工程によって所定の電極パ
ターンが形成される。その際のエッチング液は、塩酸
（HCl ）と塩化第二鉄（FeCl3 ）を主成分とするもので
ある。
説明する。まず、ガラス基板１上に第一透明電極２が成
膜される。蒸着材料としては、酸化インジウム（In
2O3 ）粉末に酸化錫（SnO2）を加えて混合し、ペレット
状に成形したものを用い、成膜装置としてはイオンプレ
ーティング装置を用いた。具体的には、ガラス基板１の
温度を１５０°Ｃに保持したままイオンプレーティング
装置内を５．０×１０-3Ｐａまで排気し、その後、アル
ゴン（Ar）ガスを導入して６．５×１０-1Ｐａに保ち、
成膜速度が１．０〜３．０Å／ｓｅｃの範囲となるよう
にビーム電力及び高周波電力を調整する。この第一透明
電極２は、フォトリソグラフ工程によって所定の電極パ
ターンが形成される。その際のエッチング液は、塩酸
（HCl ）と塩化第二鉄（FeCl3 ）を主成分とするもので
ある。
【００２０】次に、第一透明電極２上に、五酸化タンタ
ル（Ta2O5 ）から成る第一絶縁層３がスパッタにより形
成される。具体的には、ガラス基板１の温度を２００°
Ｃに保持し、スパッタ装置内を１．０Ｐａに維持し、装
置内にアルゴン（Ar）と酸素（O2）の混合ガスを導入
（200cc/min ）し、１ｋｗの高周波電力で堆積速度２．
０Å／ｓｅｃの条件で行う。
ル（Ta2O5 ）から成る第一絶縁層３がスパッタにより形
成される。具体的には、ガラス基板１の温度を２００°
Ｃに保持し、スパッタ装置内を１．０Ｐａに維持し、装
置内にアルゴン（Ar）と酸素（O2）の混合ガスを導入
（200cc/min ）し、１ｋｗの高周波電力で堆積速度２．
０Å／ｓｅｃの条件で行う。
【００２１】次に、五酸化タンタル（Ta2O5 ）から成る
第一絶縁層（第一層）３の形成後、第一絶縁層３上に絶
縁性粉末７が一様に散布される。具体的には、絶縁性で
あるＳｉＯ2 の微粉末をエタノール液中に分散させた
後、その液を第一絶縁層３上に散布し、２００°Ｃにて
加熱してエタノールを蒸発させる。
第一絶縁層（第一層）３の形成後、第一絶縁層３上に絶
縁性粉末７が一様に散布される。具体的には、絶縁性で
あるＳｉＯ2 の微粉末をエタノール液中に分散させた
後、その液を第一絶縁層３上に散布し、２００°Ｃにて
加熱してエタノールを蒸発させる。
【００２２】絶縁性粉末７が一様に散布された第一絶縁
層３上に、硫化亜鉛（ZnS ）を母体材料とし、発光中心
としてマンガン（Mn）を添加した硫化亜鉛：マンガン
（ZnS:Mn）発光層４が蒸着により形成される。具体的に
は、ガラス基板１の温度を１２０°Ｃに保持し、スパッ
タ装置内を５×１０-4Ｐａ以下に維持し、堆積速度１．
０〜３．０Å／ｓｅｃの条件で電子ビーム蒸着を行う。
層３上に、硫化亜鉛（ZnS ）を母体材料とし、発光中心
としてマンガン（Mn）を添加した硫化亜鉛：マンガン
（ZnS:Mn）発光層４が蒸着により形成される。具体的に
は、ガラス基板１の温度を１２０°Ｃに保持し、スパッ
タ装置内を５×１０-4Ｐａ以下に維持し、堆積速度１．
０〜３．０Å／ｓｅｃの条件で電子ビーム蒸着を行う。
【００２３】次に、上記発光層４上に、五酸化タンタル
（Ta2O5 ）から成る第二絶縁層５が第一絶縁層３と同一
の方法で形成される。さらに、ＩＴＯより成る第二透明
電極６が第一透明電極２と同一の成膜方法、エッチング
方法で形成される。各層の膜厚は、第一透明電極２が２
０００Å、第一絶縁層３及び第二絶縁層５がそれぞれ１
５００Å、発光層４が６０００Å、第二透明電極６が２
０００Åである。
（Ta2O5 ）から成る第二絶縁層５が第一絶縁層３と同一
の方法で形成される。さらに、ＩＴＯより成る第二透明
電極６が第一透明電極２と同一の成膜方法、エッチング
方法で形成される。各層の膜厚は、第一透明電極２が２
０００Å、第一絶縁層３及び第二絶縁層５がそれぞれ１
５００Å、発光層４が６０００Å、第二透明電極６が２
０００Åである。
【００２４】図２は、本発明の効果の一例を説明するも
ので、第一絶縁層３と発光層４との間の絶縁性粉末７の
有無による電圧−発光輝度曲線を示す。ここで、本測定
は電圧計及び輝度計による輝度評価装置により行った。
図２より、第一絶縁層３と発光層４との間の絶縁性粉末
７がある場合の方が、第一絶縁層３と発光層４との間の
絶縁性粉末７がない場合よりも発光輝度が大きいことが
わかる。この結果は、絶縁性粉末７による乱反射の効果
により輝度が向上したことを示している。
ので、第一絶縁層３と発光層４との間の絶縁性粉末７の
有無による電圧−発光輝度曲線を示す。ここで、本測定
は電圧計及び輝度計による輝度評価装置により行った。
図２より、第一絶縁層３と発光層４との間の絶縁性粉末
７がある場合の方が、第一絶縁層３と発光層４との間の
絶縁性粉末７がない場合よりも発光輝度が大きいことが
わかる。この結果は、絶縁性粉末７による乱反射の効果
により輝度が向上したことを示している。
【００２５】次に、本発明に係わるＥＬ素子１００の製
造方法の第二実施例について説明する。発光層４と第二
絶縁層５との間に絶縁性粉末７を形成するために、第一
実施例で示した製造プロセスの中で、発光層４を形成し
た後に第一実施例と同様の方法にて絶縁性粉末７を散布
し、第二絶縁層５を形成する。図３は、本実施例に係わ
るＥＬ素子１００の縦断面を示した模式図である。発光
層４と第二絶縁層５との間に絶縁性粉末７が形成されて
いる。
造方法の第二実施例について説明する。発光層４と第二
絶縁層５との間に絶縁性粉末７を形成するために、第一
実施例で示した製造プロセスの中で、発光層４を形成し
た後に第一実施例と同様の方法にて絶縁性粉末７を散布
し、第二絶縁層５を形成する。図３は、本実施例に係わ
るＥＬ素子１００の縦断面を示した模式図である。発光
層４と第二絶縁層５との間に絶縁性粉末７が形成されて
いる。
【００２６】この結果、発光層４と第二絶縁層５との間
に形成された絶縁性粉末７の乱反射により、第一実施例
に示した結果と同等の輝度の向上が得られた。
に形成された絶縁性粉末７の乱反射により、第一実施例
に示した結果と同等の輝度の向上が得られた。
【００２７】本発明に係わるＥＬ素子１００の製造方法
の第三実施例について説明する。第三実施例は、発光層
４の表面にキズ部８を形成するために、第一実施例に示
したプロセスの中で、発光層４を形成した後に発光層４
の表面にキズ部８を形成し、その後第二絶縁層５を形成
する。具体的には、発光層４の形成後に、発光層４の表
面に対してブラシによる表面加工を実施する。
の第三実施例について説明する。第三実施例は、発光層
４の表面にキズ部８を形成するために、第一実施例に示
したプロセスの中で、発光層４を形成した後に発光層４
の表面にキズ部８を形成し、その後第二絶縁層５を形成
する。具体的には、発光層４の形成後に、発光層４の表
面に対してブラシによる表面加工を実施する。
【００２８】この結果、発光層４の表面に形成されたキ
ズ部８の発光の乱反射により、第一実施例で示した結果
と同等の輝度の向上が得られた。
ズ部８の発光の乱反射により、第一実施例で示した結果
と同等の輝度の向上が得られた。
【００２９】図４は、本発明に係わるＥＬ素子１００の
縦断面図を示した模式図である。発光層４の表面には細
かいキズ部８が形成されている。ただし、キズ部８の深
さがキズ部８の存在する膜よりも大きくなると膜が欠落
したことになり、この状態のＥＬ素子１００に電圧を印
加すると、前記電極層の相手方の電極層とキズ部８との
間に電界が集中し絶縁破壊が生じるため、キズ部８の深
さがキズ部８の存在する膜厚よりも小さいことが必要で
ある。
縦断面図を示した模式図である。発光層４の表面には細
かいキズ部８が形成されている。ただし、キズ部８の深
さがキズ部８の存在する膜よりも大きくなると膜が欠落
したことになり、この状態のＥＬ素子１００に電圧を印
加すると、前記電極層の相手方の電極層とキズ部８との
間に電界が集中し絶縁破壊が生じるため、キズ部８の深
さがキズ部８の存在する膜厚よりも小さいことが必要で
ある。
【００３０】本発明は、上記の実施例に限定されるもの
ではなく、以下のような種々の変形が可能である。 （１）第一透明電極２、第二透明電極６はＩＴＯで構成
したが、この他に酸化錫（SnO2）、酸化錫カドミウム
（CdSnO4）、酸化亜鉛（ZnO ）などの材料を用いてもよ
い。 （２）第一絶縁層３、第二絶縁層５は五酸化タンタル
（Ta2O5 ）で構成したが、Ａｌ2 Ｏ3 、Ｓｉ3 Ｎ4 、Ｐ
ｂＴｉＯ3 、Ｙ2 Ｏ3 、ＨｆＯ2 、ＳｉＯ2 などで構成
してもよい。 （３）ＥＬ素子１００のフルカラー化を可能とするため
に、赤、緑、青の三色をそれぞれ発光する発光層４を３
層以上に重ねた構成としてもよい。 （４）絶縁性粉末７を散布する方法は、ＭｇＯなどの絶
縁性粉末７を分散させたアルコール液体中に基板を浸漬
させた後に引き上げて乾燥する方法や上記液体をスピン
コート法で基板上に塗布するなど、絶縁性粉末７を均一
に散布する手段であればよい。
ではなく、以下のような種々の変形が可能である。 （１）第一透明電極２、第二透明電極６はＩＴＯで構成
したが、この他に酸化錫（SnO2）、酸化錫カドミウム
（CdSnO4）、酸化亜鉛（ZnO ）などの材料を用いてもよ
い。 （２）第一絶縁層３、第二絶縁層５は五酸化タンタル
（Ta2O5 ）で構成したが、Ａｌ2 Ｏ3 、Ｓｉ3 Ｎ4 、Ｐ
ｂＴｉＯ3 、Ｙ2 Ｏ3 、ＨｆＯ2 、ＳｉＯ2 などで構成
してもよい。 （３）ＥＬ素子１００のフルカラー化を可能とするため
に、赤、緑、青の三色をそれぞれ発光する発光層４を３
層以上に重ねた構成としてもよい。 （４）絶縁性粉末７を散布する方法は、ＭｇＯなどの絶
縁性粉末７を分散させたアルコール液体中に基板を浸漬
させた後に引き上げて乾燥する方法や上記液体をスピン
コート法で基板上に塗布するなど、絶縁性粉末７を均一
に散布する手段であればよい。
【図１】第一実施例に係わるＥＬ素子の縦断面を示した
模式図。
模式図。
【図２】第一実施例に係わるＥＬ素子の絶縁性粉末の有
無による電圧と発光輝度との関係を示した測定図。
無による電圧と発光輝度との関係を示した測定図。
【図３】第二実施例に係わるＥＬ素子の縦断面を示した
模式図。
模式図。
【図４】第三実施例に係わるＥＬ素子の縦断面を示した
模式図。
模式図。
【図５】従来のＥＬ素子の縦断面を示した模式図。
１ ガラス基板（絶縁性基板） ２ 第一透明電極（第一電極） ３ 第一絶縁層 ４ 発光層 ５ 第二絶縁層 ６ 第二透明電極（第二電極） ７ 絶縁性粉末 ８ キズ部 １００ ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）素子
Claims (10)
- 【請求項１】絶縁性基板上の表面に、少なくとも光取り
出し側が透明導電性材料から成る一対の電極間に、第一
絶縁層、発光層、第二絶縁層が順次配設されたエレクト
ロルミネッセンス素子であって、 前記第一絶縁層と前記発光層の間、または、前記発光層
と前記第二絶縁層の間に凹凸部が存在することを特徴と
するエレクトロルミネッセンス素子。 - 【請求項２】前記凹凸部は、粉末により構成されている
ことを特徴とする請求項１に記載のエレクトロルミネッ
センス素子。 - 【請求項３】前記粉末の最大長は、前記粉末の上側に位
置し前記粉末と接する層の膜厚より小さいことを特徴と
する請求項２に記載のエレクトロルミネッセンス素子。 - 【請求項４】絶縁性基板上の表面に、少なくとも光取り
出し側が透明導電性材料から成る一対の電極間に、第一
絶縁層、発光層、第二絶縁層が順次配設されたエレクト
ロルミネッセンス素子の製造方法であって、 前記第一絶縁層形成後に粉末の散布を行い、その後に前
記発光層を形成すること、 或いは、前記発光層形成後に粉末の散布を行い、その後
に前記第二絶縁層を形成することを特徴とするエレクト
ロルミネッセンス素子の製造方法。 - 【請求項５】前記第一絶縁層上、または、前記発光層上
に付着した粉末を除去しない程度の洗浄工程を有するこ
とを特徴とする請求項４に記載のエレクトロルミネッセ
ンス素子の製造方法。 - 【請求項６】前記粉末は絶縁性であることを特徴とする
請求項２または請求項３に記載のエレクトロルミネッセ
ンス素子。 - 【請求項７】前記粉末は絶縁性であることを特徴とする
請求項４または請求項５に記載のエレクトロルミネッセ
ンス素子の製造方法。 - 【請求項８】前記凹凸部は、前記第一絶縁層の表面、ま
たは、前記発光層の表面に形成されたキズ部により構成
されていることを特徴とする請求項１に記載のエレクト
ロルミネッセンス素子。 - 【請求項９】前記キズ部の深さは、前記キズ部が形成さ
れた層の膜厚より小さいことを特徴とする請求項８に記
載のエレクトロルミネッセンス素子。 - 【請求項１０】絶縁性基板上の表面に、少なくとも光取
り出し側が透明導電性材料から成る一対の電極間に、第
一絶縁層、発光層、第二絶縁層が順次配設されたエレク
トロルミネッセンス素子の製造方法であって、 前記第一絶縁層の表面、または、前記発光層の表面にキ
ズ部を形成することを特徴とするエレクトロルミネッセ
ンス素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6248837A JPH0888080A (ja) | 1994-09-16 | 1994-09-16 | エレクトロルミネッセンス素子とその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6248837A JPH0888080A (ja) | 1994-09-16 | 1994-09-16 | エレクトロルミネッセンス素子とその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0888080A true JPH0888080A (ja) | 1996-04-02 |
Family
ID=17184163
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6248837A Pending JPH0888080A (ja) | 1994-09-16 | 1994-09-16 | エレクトロルミネッセンス素子とその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0888080A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011060551A (ja) * | 2009-09-09 | 2011-03-24 | Fujifilm Corp | 有機電界発光素子及びその製造方法 |
-
1994
- 1994-09-16 JP JP6248837A patent/JPH0888080A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011060551A (ja) * | 2009-09-09 | 2011-03-24 | Fujifilm Corp | 有機電界発光素子及びその製造方法 |
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