CN1381903A - 有机发光二极管及其制造方法 - Google Patents
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Abstract
一种有机发光二极管及其制造方法,其由一镀有铟/锡氧化物层的玻璃基底所支撑。有机发光二极管包括一非晶硅阻抗层覆盖在镀有铟/锡氧化物层的玻璃基底上。其包括一聚苯胺层覆盖在非晶硅阻抗层上及一有机发光层是镀在PANI层之上。再者,其具有一导体电极层覆盖在发光层之上。在一较佳实施例中,非晶硅阻抗层是作为电流限制层用以限制传导在镀有铟/锡氧化物层的玻璃基底与导体电极层之间的电流密度在一最大可容许电流密度1000mA/cm2之下。本发明揭示一种有机发光二极管具有一无机层作为电流限制层的功能。
Description
本发明涉及一种有机发光二极管及制造方法，特别涉及一种改进的薄膜层结构及制造一可应用在平面显示装置的有机发光二极管组件的方法。
由于有机发光二极管长期使用的可靠性尚不足，使得平面显示装置的制造仍遭遇到困难。为形成一有机发光二极管，一活化的有机冷光层是夹在一透明阳极及一低功函数金属之间。透明阳极如一铟/锡氧化物(ITO)层，作为一空穴-发射接触，低功函数金属是作为电子-发射接触，如下述显示在图1中的说明。活化的有机层可以是一传导聚合物。然而，由于一般有机发光二极管使用寿命不足，使得有机发光二极管应用在显示装置上仍遭遇到困难。由于薄膜层结构难以完整，在有机发光组件使用一限定时间后，易造成显示品质减退及亮度减弱，将进一步说明如后。
图1A显示传统的发光二极管的薄膜层结构。一有机发光层3沉积在镀有铟/锡氧化物(ITO)层2的玻璃基底1上。铟/锡氧化物(ITO)层2作为一阳极而一金属层4覆盖在有机发光层3上作为一阴极电极连接至一负电压-3V至-9V以感应有机发光层3的发光功能。有机发光层3可以是厚度小于100nm的一单一薄膜层结构或复合薄膜层结构。由于此非常小的厚度，当杂质颗粒偶然地掉入有机发光层3之上或其下会产生针孔的制造缺陷或受到损坏。当针孔出现在有机发光层3时，阳极电极，即ITO层2是短路至阴极电极金属层4。对于熟悉制造显示装置专业技术人员而言，利用具有非常小厚度的有机发光层的发光二极管来制造显示装置，发光平面装置的故障仍是难以解决的问题。
Zhang等人在美国专利5,798,170，标题”Long Operating Life forPolymer Light Emitting Diodes”公开了一种有机发光二极管具有长时间使用时的改进的抗模糊、发散、衰退的耐性。如图1B及图1C所示，此专利公开了一种聚合物发光二极管组件20，其包括一电子发射阴极接触12，电子发射阴极接触可以为相对低功函数的金属如钙。阴极接触12是配置在半-传导及冷光结合的聚合物层14之上由一基底18所支撑。基底18是部分镀有透明传导层16，透明传导层16具有高功函数，即高电离潜能以作为放出电子的阳极电极。之后，发光二极管的结构是通过置放一薄膜层15含有聚苯胺，即PANI，祖母绿啶盐(emeraldinesalt)插入冷光层14及电极16之间来改进。图1C显示专利组件10的另一可选用的实施例，使用PANI层15作为放出电子的阳极电极，其中PANI层15含有高传导的祖母绿啶盐(emeraldine salt)。由于含有祖母绿啶盐的薄膜层15具有特定片电阻可以稳定组件效能及防止于形成暗非发射点中效率损失的衰退，因而可达成较长使用寿命的功效。
如Zhang等人所公开的有效的使用一聚苯胺层含有不同程度阻抗的祖母绿啶盐(emeraldine salt)，然而PANI层不适合作为中间层，而造成此项应用的限制。PANI层的厚度及密度分布无法精确的控制而得到高度的均匀性是此项限制的困难处，针孔损坏的问题依然发生。由于这些难处，即使应用Zhang等人所提出的PANI层，阳极电极与阴极电极之间短路及组件故障的问题仍无法完全解决。
因此，利用有机发光二极管来设计及制造平面显示装置的技术仍存有须要改善之处。再者，特别是，此技术仍存有须要提供一具有薄膜层结构的有机发光二极管，此薄膜层结构可减低针孔问题的缺陷。此薄膜层结构也须要提供一电流限制功能以保护组件免于因阳极与阴极之间的大电流而受到损坏。此外，发光组件还须要一电流分布层以减低不均匀的电流密度分布如此使得由不均匀的电流密度分布所造成的组件效能衰退能够缩减。
为了克服现有技术的不足，本发明的目的在于提供一种有机发光二极管及其制造方法，采用新的薄膜层结构后，此有机发光二极管可长期使用而不会衰微。
本发明的另一目的在于提供一种有机发光二极管及其制造方法，其改进的薄膜层结构具有一新的中间无机层，此中间无机层对于细颗粒所引起的薄膜层损坏具有较强的阻抗如此使得此改进的薄膜层结构可降低针孔问题的缺点。
本发明的另一目的在于提供一种有机发光二极管及其制造方法，该有机发光二极管使用一改进的薄膜层结构，具有一无机中间层作为一电流限制层，可防止由于电流超过一最大电流密度所造成的组件损坏。
本发明的另一目的在于提供一种有机发光二极管及其制造方法，该有机发光二极管使用一改进的薄膜层结构，且具有一无机中间层作为一电流分布层，通过更均匀的电流密度分布在发光二极管的整个表面可减低由于长期操作后的不均匀的电流密度分布所造成的组件衰退。
为了达到上述目的，本发明的有机发光二极管，由一镀有铟/锡氧化物(ITO)层的玻璃基底所支撑，包括：
一非晶硅(α硅)阻抗层覆盖在该镀有铟/锡氧化物(ITO)层的玻璃基底之上；
一聚苯胺(PANI)层覆盖在该非晶硅(α硅)阻抗层之上及一有机发光层覆盖在该PANI层之上；以及
一导体电极层覆盖在该发光层之上。
本发明的有机发光二极管，包括：一无机层作为一电流限制层的功用。
本发明还提供一种有机发光二极管的制造方法，该有机发光二极管(LED)形成在一镀有铟/锡氧化物(ITO)层的玻璃基底之上，包括：
形成一非晶硅(α硅)阻抗层覆盖在该镀有铟/锡氧化物(ITO)层的玻璃基底之上；
形成一聚苯胺(PANI)层覆盖在该非晶硅(α硅)阻抗层之上及一有机发光层覆盖在该PANI层之上；以及
形成一导体电极层覆盖在该发光层之上。
本发明还提供有机发光二极管的制造方法，包括：在该有机发光二极管中形成一无机层作为一电流限制层。
简言之，在一较佳实施例中，本发明包括一有机发光二极管，下述说明是以数字记号来表示，其是标示在图2中将说明如下。有机发光二极管是由一镀有铟/锡氧化物(ITO)层110的玻璃基底105所支撑。有机发光二极管包括一非晶硅(α硅)阻抗层115覆盖在镀有铟/锡氧化物(ITO)层110的玻璃基底105上。有机发光二极管还括一聚苯胺(PANI)层120覆盖在非晶硅(α硅)阻抗层115上及一有机发光层125是镀在PANI层120之上。再者，有机发光二极管还具有一导体电极层130覆盖在发光层125之上。在一较佳实施例中，非晶硅(α硅)阻抗层115是作为电流限制层用以限制传导于镀有铟/锡氧化物(ITO)层110的玻璃基底105与导体电极层130之间的电流密度在一最大可容许电流密度1000mA/cm2之下。在另一较佳实施例中，非晶硅(α硅)阻抗层115是作为电流分布层用以分布电流传导于镀有铟/锡氧化物(ITO)层110的玻璃基底105与导体电极层130之间。如此使得大电流密度与最小电流密度之间的差是在一最大可容许电流密度差1000mA/cm2之下。总括来说，本发明公开了一种有机发光二极管(LED)100具有一无机层115作为电流限制层的功能。
由于采用了上述方案，本发明具有如下有益效果：此有机发光二极管组件具有较长的使用寿命及可靠的发光效能。采用新的薄膜层结构后，此有机发光二极管可长期使用而不会衰微。其改进的薄膜层结构具有一新的中间无机层，此中间无机层对于细颗粒所引起的薄膜层损坏具有较强的阻抗如此使得此改进的薄膜层结构可降低针孔问题的缺点。由于该有机发光二极管使用一改进的薄膜层结构，具有一无机中间层作为一电流限制层，可防止由于电流超过一最大电流密度所造成的组件损坏。该有机发光二极管使用一改进的薄膜层结构，且具有一无机中间层作为一电流分布层，通过更均匀的电流密度分布在发光二极管的整个表面可减低由于长期操作后的不均匀的电流密度分布所造成的组件衰退。
下面结合附图对本发明进行详细说明：
图1A显示传统的有机发光二极管的剖面图；
图1B、图1C显示两现有技术的有机发光二极管的剖面图；
图2显示本发明的有机发光二极管的剖面图；
图3A至3E显示制造图2的有机发光二极管的制造工艺剖面图；
图4显示本发明的另一有机发光二极管剖面图；
图5A至5F显示制造图4的有机发光二极管的制造工艺剖面图。 图中符号说明：100、200 有机发光二极管105、205 玻璃基底110、210 铟/锡氧化物(ITO)层115、215 无机阻抗层120、220 聚苯胺(PANI)层125、230 有机发光层225 ITO岛130、235 导体电极层
实施例
图2显示本发明的一种有机发光二极管100的剖面图。有机发光二极管100是形成在一玻璃基底105上，一铟/锡氧化物(ITO)层110是形成在玻璃基底105之上，一无机阻抗层115覆盖ITO层110，此无机阻抗层115完全覆盖ITO层110，一PANI或一PEDT/PSS(聚乙稀二氧硫吩聚苯乙烯磺酯)层120是形成在无机阻抗层115之上。然后，一有机发光层125是镀在PANI层120之上且以一钙/铝或镁/银层130覆盖而作为发光二极管的一电极的功用。
在一较佳实施例中，无机阻抗层115可以是一非晶硅层，此无机阻抗层也可以是一非晶体铟/锡氧化物(ITO)层或铟/锆氧化物(IZO)层，或其它型式的薄膜阻抗层，其片电阻是介于103ohms/cm2至108ohms/cm2。一溅镀沉积、等离子体气相沉积(PVD)、或一等离子体增强化学气相沉积(PECVD)程序可应用于形成薄膜阻抗层115。加入此无机阻抗层的目的是要限制电流以保护组件，此电流是限制在当短路发生在阳极电极及阴极电极间的情况下的一最大可容许电流。通过此限制电流的阻抗层，即使当一阳极电极是短路到阴极电极，由于短路电流是限制在一最大可容许电流之下，因此可防止发光二极管的零件的损坏。同时，当电流穿过短路点时是限制在一最大可容许电流之下，所以对于显示亮度及均匀性将不会有不利的影响。再者，阻抗层115作为保护的功能也提高电流能均匀分布于阳极电极及阴极电极间。通过此无机阻抗层作为电流限制及分布层可达成更均匀的电流密度分布于LED组件的整个表面。由于达成更均匀的电流密度分布，可改进显示的均匀性。再者，更均匀的电流密度分布也改善及延长LED组件的使用寿命，此乃因通过降低因不均匀的电流密度分布持续操作所引起的显示点衰败而达成的。
依据图2，本发明公开了一种有机发光二极管(LED)，有机发光二极管是由一镀有铟/锡氧化物(ITO)层110的玻璃基底105所支撑。有机发光二极管包括一非晶硅(α硅)阻抗层115覆盖在镀有铟/锡氧化物(ITO)层110的玻璃基底105上。有机发光二极管还包括一聚苯胺(PANI)层120覆盖在非晶硅(α硅)阻抗层115上及一有机发光层125是镀在PANI层120之上。再者，有机发光二极管还具有一导体电极层130覆盖在发光层125之上。在一较佳实施例中，非晶硅(α硅)阻抗层115是作为电流限制层用以限制传导于镀有铟/锡氧化物(ITO)层110的玻璃基底105与导体电极层130之间的电流密度在一最大可容许电流密度1000mA/cm2之下。在另一较佳实施例中，非晶硅(α硅)阻抗层115是作为电流分布层用以分布电流传导于镀有铟/锡氧化物(ITO)层110的玻璃基底105与导体电极层130之间。如此使得大电流密度与最小电流密度之间的差是在一最大可容许电流密度差1000mA/cm2之下。总括来说，本发明公开了一种有机发光二极管(LED)100具有一无机层115作为电流限制层的功能。
图3A至3E显示制造图2的发光二极管的制造步骤。在图3A中，一ITO层110通过使用溅镀沉积工艺形成于玻璃基底105之上。之后，在图3B中，一等离子体气相沉积(PVD)、或一等离子体增强化学气相沉积(PECVD)程序是用来形成无机α硅层115在ITO层110之上。一旋覆工艺是用来形成PANI层120于无机α硅层115之上。如图3C所示，在形成PANI层120的过程中，由于杂质颗粒123的污染而形成一小孔122。然后再使用一旋覆工艺来形成一有机发光层125，如图3D所示。额外的小孔是形成在形成有机发光层125的过程中。之后一金属阴极层130是通过真空气相沉积方法来形成。金属阴极层可填入小孔122内及接触无机α硅层，无机α硅层115具有特定电阻因此作为一电流限制层用以限制电流在一最大电流之下，如此可防止发光二极管的损坏及如图标的颗粒污染问题可以解决。
图4显示本发明另一较佳实施例的一种有机发光二极管200的剖面图。基础层结构大体上是与图2所说明的结构相同，唯一的差别是在于具有很多ITO岛形成在无机非晶硅层之上。有机发光二极管200是形成在一玻璃基底205上，一铟/锡氧化物(ITO)层210是形成在玻璃基底205之上，一无机α硅阻抗层215覆盖ITO层210，此无机阻抗层215完全覆盖ITO层210。之后，多个ITO岛225形成在无机α硅阻抗层之上，一PANI或一PEDT/PSS(聚乙稀二氧硫吩聚苯乙烯磺酯)层220是形成在ITO岛之上与ITO岛之间。然后，一有机发光层230是镀在PANI层220之上且以一钙/铝或镁/银层235覆盖而作为发光二极管的一电极的功用。
依据上述说明，本发明还公开了一种在一镀有铟/锡氧化物(ITO)层的玻璃基底上形成一有机发光二极管(LED)的方法，此方法包括步骤a)形成非晶硅(α硅)阻抗层覆盖在镀有铟/锡氧化物(ITO)层的玻璃基底上；b)形成一聚苯胺(PANI)层覆盖在非晶硅(α硅)阻抗层上及一有机发光层是覆盖在PANI层之上；以及c)形成一导体电极层覆盖在发光层之上。在一较佳实施例中，形成非晶硅(α硅)阻抗层的步骤包括形成非晶硅(α硅)阻抗层作为电流限制层用以限制传导于镀有铟/锡氧化物(ITO)层的玻璃基底与导体电极层之间的电流密度在一最大可容许电流密度之下的步骤。在另一较佳实施例中，形成非晶硅(α硅)阻抗层的步骤包括形成作为电流分布层用以分布电流传导于镀有铟/锡氧化物(ITO)层的玻璃基底与导体电极层之间的步骤，如此使得大电流密度与最小电流密度之间的差是在一最大可容许电流密度差之下。在另一较佳实施例中，形成非晶硅(α硅)阻抗层作为一电流限制层的步骤包括形成非晶硅(α硅)阻抗层作为电流限制层用以限制传导于镀有铟/锡氧化物(ITO)层的玻璃基底与导体电极层之间的电流密度在一最大可容许电流密度1000mA/cm2之下的步骤。在另一较佳实施例中，形成非晶硅(α硅)阻抗层的步骤包括形成作为电流分布层用以分布电流传导于镀有铟/锡氧化物(ITO)层的玻璃基底与导体电极层之间的步骤，如此使得大电流密度与最小电流密度之间的差是在一最大可容许电流密度差1000mA/cm2之下。在另一较佳实施例中，此方法还包括在非晶硅(α硅)阻抗层之上形成一第二铟/锡氧化物(ITO)层成为不相连岛且以一聚苯胺(PANI)层覆盖的步骤。
在一较佳实施例中，无机阻抗层215可以是一非晶硅层，此阻抗层也可以是一非晶体铟/锡氧化物(ITO)层或铟/锆氧化物(IZO)层，或其它型式的薄膜阻抗层，其片电阻是介于103ohms/cm2至108ohms/cm2。ITO岛可以是方形或六角形。ITO岛层的厚度范围是在10至100微米之间。相邻岛间的距离是α硅阻抗层215的厚度的10倍或更大。
图5A至5F显示制造图4的发光二极管的制造步骤。在图5A中，一ITO层210通过使用溅镀沉积工艺形成在玻璃基底205之上。之后，在图5B中，一等离子体气相沉积(PVD)、或一等离子体增强化学气相沉积(PECVD)程序是用来形成无机α硅层215于ITO层210之上。在图5C中，一ITO层225是形成于无机α硅层215之上且ITO层225是图案化以形成多个ITO岛。在图5D中，一旋覆工艺是用来形成PANI层220于ITO岛225之上。亦如图3C所示，在形成PANI层120的过程中，由于杂质颗粒的污染而形成小孔(未特别显示)。然后再使用一旋覆工艺来形成一有机发光层225(未显示)。之后通过真空气相沉积方法来形成一金属阴极层225。金属阴极层可填入小孔内及接触无机α硅层215，无机α硅层具有特定电阻可作为一电流限制层用以限制电流在一最大电流之下，如此可防止发光二极管的损坏。ITO层具有较α硅层大的功函数而因此须要大的功函数对于自ITO层至PANI层的空穴-发射。因此，ITO层是形成来补偿于空穴-发射功函数中之差。
依据上述说明，本发明还公开了一种制造一有机发光二极管(LED)的方法，此方法包括在一有机发光二极管(LED)中形成一无机层作为一电流限制层。在一较佳实施例中，形成无机层的步骤包括形成非晶硅(α硅)阻抗层作的步骤。在另一较佳实施例中，此方法还包括形成一镀有铟/锡氧化物(ITO)层的玻璃基底以支撑有机发光二极管的步骤，再者，形成无机层覆盖在镀有铟/锡氧化物(ITO)层的玻璃基底之上的步骤。在另一较佳实施例中，此方法还包括形成一聚苯胺(PANI)层覆盖无机层之上及一有机发光层覆盖PANI层之上的步骤。和形成一导体电极层覆盖在发光层之上的步骤。在另一较佳实施例中，此方法还包括在无机层之上形成一第二铟/锡氧化物(ITO)层成为不相连岛且以一聚苯胺(PANI)层覆盖的步骤。
无机α硅阻抗层是用以限制电流以保护组件，此电流是限制在当短路发生在阳极电极及阴极电极间的情况下的一最大可容许电流。通过此限制电流的阻抗层，即使当一阳极电极是短路到阴极电极，由于短路电流是限制在一最大可容许电流之下，因此可防止发光二极管的零件的损坏。同时，当电流穿过短路点时是限制在一最大可容许电流之下，所以对于显示亮度及均匀性将不会有不利的影响。再者，阻抗层115作为保护的功能亦提高电流能均匀分布于阳极电极及阴极电极间。通过此无机阻抗层作为电流限制及分布层可达成更均匀的电流密度分布在LED组件的整个表面。由于达成更均匀的电流密度分布，可改进显示的均匀性。再者，更均匀的电流密度分布也改善及延长LED组件的使用寿命，此乃因通过降低因不均匀的电流密度分布持续操作所引起的显示点衰败而达成的。ITO/α硅阻抗层/ITO结构的好处是使得功函数能配合于α硅及有机材料之间以降低操作电压。
虽然本发明已以较佳实施例公开如上，然其并非用以限定本发明，任何本领域的技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作更动与润饰，因此本发明的保护范围以权利要求书、说明书及说明书附图的内容为准。
Claims (20)
1.一种有机发光二极管(LED)，由一镀有铟/锡氧化物(ITO)层的玻璃基底所支撑，包括：
一非晶硅(α硅)阻抗层覆盖在该镀有铟/锡氧化物(ITO)层的玻璃基底之上；
一聚苯胺(PANI)层覆盖在该非晶硅(α硅)阻抗层之上及一有机发光层覆盖在该PANI层之上；以及
一导体电极层覆盖在该发光层之上。
2.根据权利要求1所述的有机发光二极管(LED)，其特征在于：该非晶硅(α硅)阻抗层作为一电流限制层用以限制传导于该镀有铟/锡氧化物(ITO)层的玻璃基底与该导体电极层之间的电流密度在一最大可容许电流密度之下。
3.根据权利要求1所述的有机发光二极管(LED)，其特征在于：该非晶硅(α硅)阻抗层作为一电流分布层用以分布电流传导于该镀有铟/锡氧化物(ITO)层的玻璃基底与该导体电极层之间如此使得大电流密度与最小电流密度之间的差是在一最大可容许电流密度差之下。
4.根据权利要求1所述的有机发光二极管(LED)，其特征在于：该有机发光二极管还包括，一第二铟/锡氧化物(ITO)层形成成为不相连岛分布于该非晶硅(α硅)阻抗层之上且以该聚苯胺(PANI)层覆盖。
5.一种有机发光二极管(LED)，包括：一无机层作为一电流限制层的功用。
6.根据权利要求5所述的有机发光二极管(LED)，其特征在于：该无机层是一非晶硅(α硅)阻抗层。
7.根据权利要求5所述的有机发光二极管(LED)，其特征在于：该有机发光二极管还包括：
一镀有铟/锡氧化物(ITO)层的玻璃基底用以支撑该有机发光二极管；以及
该无机层覆盖在该镀有铟/锡氧化物(ITO)层的玻璃基底之上。
8.根据权利要求5所述的有机发光二极管(LED)，其特征在于：该有机发光二极管(LED)还包括：
一聚苯胺(PANI)层覆盖在无机层之上及一有机发光层覆盖在该PANI层之上；以及
一导体电极层覆盖在该发光层之上。
9.根据权利要求8所述的有机发光二极管(LED)，其特征在于：包括，一第二铟/锡氧化物(ITO)层形成成为不相连岛分布于该非晶硅(α硅)阻抗层之上且以该聚苯胺(PANI)层覆盖。
10.一种有机发光二极管(LED)的制造方法，该有机发光二极管(LED)形成在一镀有铟/锡氧化物(ITO)层的玻璃基底之上，包括：
形成一非晶硅(α硅)阻抗层覆盖在该镀有铟/锡氧化物(ITO)层的玻璃基底之上；
形成一聚苯胺(PANI)层覆盖在该非晶硅(α硅)阻抗层之上及一有机发光层覆盖在该PANI层之上；以及
形成一导体电极层覆盖在该发光层之上。
11.根据权利要求10所述的制造方法，其特征在于：形成该非晶硅(α硅)阻抗层的步骤包括形成该非晶硅(α硅)阻抗层作为一电流限制层用以限制传导于该镀有铟/锡氧化物(ITO)层的玻璃基底与该导体电极层之间的电流密度在一最大可容许电流密度之下的步骤。
12.根据权利要求10所述的制造方法，其特征在于：形成该非晶硅(α硅)阻抗层的步骤包括形成作为一电流分布层用以分布电流传导于该镀有铟/锡氧化物(ITO)层的玻璃基底与该导体电极层之间如此使得大电流密度与最小电流密度之间的差是在一最大可容许电流密度差之下。
13.根据权利要求11所述的制造方法，其特征在于：形成该非晶硅(α硅)阻抗层作为一电流限制层的步骤包括形成该电流限制层用以限制传导于该镀有铟/锡氧化物(ITO)层的玻璃基底与该导体电极层之间的电流密度在一最大可容许电流密度1000mA/cm2之下的步骤。
14.根据权利要求12所述的制造方法，其特征在于：形成该非晶硅(α硅)阻抗层的步骤包括形成作为一电流分布层用以分布电流传导于该镀有铟/锡氧化物(ITO)层的玻璃基底与该导体电极层之间如此使得大电流密度与最小电流密度之间的差是在一最大可容许电流密度差1000mA/cm2之下。
15.根据权利要求10所述的制造方法，其特征在于：该方法还包括，形成一第二铟/锡氧化物(ITO)层成为不相连岛分布于该非晶硅(α硅)阻抗层之上且以该聚苯胺(PANI)层覆盖。
16.一种有机发光二极管(LED)的制造方法，包括：在该有机发光二极管中形成一无机层作为一电流限制层。
17.根据权利要求5所述的制造方法，其特征在于：该形成该无机层的步骤包括形成一非晶硅(α硅)阻抗层的步骤。
18.根据权利要求16所述的制造方法，其特征在于：该方法还包括：
形成一镀有铟/锡氧化物(ITO)层的玻璃基底用以支撑该有机发光二极管；以及
形成该无机层覆盖在该镀有铟/锡氧化物(ITO)层的玻璃基底之上。
19.根据权利要求16所述的制造方法，其特征在于：该方法还包括：
形成一聚苯胺(PANI)层覆盖在无机层之上及一有机发光层覆盖在该PANI层之上；以及
形成一导体电极层覆盖在该发光层之上。
20.根据权利要求19所述的制造方法，其特征在于：该方法还包括，形成一第二铟/锡氧化物(ITO)层成为不相连岛分布于该非晶硅(α硅)阻抗层之上且以该聚苯胺(PANI)层覆盖。
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| CN (1) | CN1200463C (zh) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100342563C (zh) * | 2003-02-20 | 2007-10-10 | 友达光电股份有限公司 | 有机发光二极管的封装方法 |
| CN101213683B (zh) * | 2005-06-29 | 2010-06-23 | 全球Oled科技有限责任公司 | 宽带光串接式oled显示器 |
-
2001
- 2001-04-13 CN CNB011107103A patent/CN1200463C/zh not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100342563C (zh) * | 2003-02-20 | 2007-10-10 | 友达光电股份有限公司 | 有机发光二极管的封装方法 |
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| Publication number | Publication date |
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| CN1200463C (zh) | 2005-05-04 |
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