KR100414296B1 - 유기 전계 발광 소자의 패키징 구조 및 그 제조 방법 - Google Patents
유기 전계 발광 소자의 패키징 구조 및 그 제조 방법 Download PDFInfo
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Abstract
Description
Claims (21)
- 투명한 기판;상기 투명한 기판 위에 형성되며, 제1 및 제2전극과 그 사이에 개재된 유기 발광층을 포함하여 구성된 유기 전계 발광 소자;상기 유기 발광 소자 위에 산포된 전도성 입자와; 및상기 유기 발광 소자 및 전도성 입자 위에 형성된 패키징막을 포함하여 구성된 유기 전계 발광 소자의 패키징 구조.
- 제 1 항에 있어서,상기 전도성 입자는 유기 전계 발광 소자 위에 균일하게 산포되는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자의 패키징 구조.
- 제 1 항에 있어서,상기 전도성 입자는 게터 기능을 가진 게터 물질인 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자의 패키징 구조.
- 제 3 항에 있어서,상기 게터 물질은 바륨(Ba) 금속으로 이루어진 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자의 패키징 구조.
- 제 3 항에 있어서,상기 게터 물질은 칼슘(Ca) 금속으로 이루어진 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자의 패키징 구조.
- 제 3 항에 있어서,상기 게터 물질은 티타늄(Ti) 금속으로 이루어진 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자의 패키징 구조.
- 제 3 항에 있어서,상기 게터 물질은 세슘(Cs) 금속으로 이루어진 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자의 패키징 구조.
- 제 1 항에 있어서,상기 패키징막의 두께는 수십 마이크로미터의 박막인 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자의 패키징 구조.
- 제 1 항에 있어서,상기 패키징막은 실리콘 질화막으로 이루어진 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자의 패키징 구조.
- 제 1 항에 있어서,상기 패키징막은 실리콘 산화막으로 이루어진 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자의 패키징 구조.
- 제 1 항에 있어서,상기 패키징막은 알류미늄 산화막으로 이루어진 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자의 패키징 구조.
- 제 1 항에 있어서,상기 패키징막은 폴리이미드막이나, 폴리 아크릴이나, 파릴렌등이 고분자막으로 이루어진 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자의 패키징 구조.
- 투명한 기판을 준비하는 단계;상기 투명한 기판 상에 유기 발광 소자를 형성하는 단계;상기 유기 발광 소자 위에 전도성 입자를 산포하는 단계; 및상기 유기 발광 소자 및 전도성 입자를 포함하는 기판 전면에 패키징막을 형성하는 단계를 포함하여 이루어진 유기 전계 발광 소자의 패키징 방법.
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 제 13 항에 있어서,상기 패키징막을 형성하는 방법은 상기 전도성 입자가 산포된 유기 발광 소자 위에 열 증착 방법, 스퍼터링 방법, 또는 화학 기상 증착 방법과 같은 진공 증착 방법을 이용하여 실리콘 질화막 또는 실리콘 산화막 또는 알류미늄 산화막과 같은 무기 화합물을 형성함으로써 이루어지는 것을 특징으로 유기 전계 발광 소자의 페키징 방법.
- 제 13 항에 있어서,상기 패키징막을 형성하는 방법은 스핀 코우팅 방법,롤 코우팅 방법, 또는 바 코우팅 방법과 같은 상온 코우팅 방법을 이용하여 상기 전도성 입자가 산포된 유기 발광 소자 위에 폴리이미드 또는 폴리아크릴 또는 파릴렌과 같은 고분자막을 형성함으로써 이루어지는 것을 특징으로 유기 전계 발광 소자의 페키징 방법.
- 제 13 항에 있어서,상기 패키징막의 두께는 형성 방법이나 전도성 입자에 따라 수십 마이크로미터의 박막부터 수백 마이크로미터의 후막까지 형성이 가능한 것을 특징으로 유기 전계 발광 소자의 패키징 방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 패키징막의 두께는 수백마이크로미터의 후막인 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자의 패키징 구조.
- 제 3 항에 있어서,상기 게터 물질은 Zr-V-Fe 합금으로 이루어진 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자의 패키징 구조.
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