JP2002343579A - 有機ｅｌ素子および画像表示装置 - Google Patents
有機ｅｌ素子および画像表示装置Info
- Publication number
- JP2002343579A JP2002343579A JP2001141285A JP2001141285A JP2002343579A JP 2002343579 A JP2002343579 A JP 2002343579A JP 2001141285 A JP2001141285 A JP 2001141285A JP 2001141285 A JP2001141285 A JP 2001141285A JP 2002343579 A JP2002343579 A JP 2002343579A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- organic
- thin film
- film
- image display
- display device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 28
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 25
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 23
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims abstract description 18
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 13
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 12
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims abstract description 8
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 45
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 16
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 13
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 238000002347 injection Methods 0.000 abstract description 22
- 239000007924 injection Substances 0.000 abstract description 22
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 abstract description 6
- 239000010432 diamond Substances 0.000 abstract description 6
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 abstract description 2
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 abstract 1
- RHZWSUVWRRXEJF-UHFFFAOYSA-N indium tin Chemical compound [In].[Sn] RHZWSUVWRRXEJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 abstract 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 44
- 239000000463 material Substances 0.000 description 11
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 8
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 8
- PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M lithium fluoride Chemical compound [Li+].[F-] PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 7
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 7
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 6
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 5
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 5
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 5
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 4
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 3
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 3
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 101100321669 Fagopyrum esculentum FA02 gene Proteins 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 230000002269 spontaneous effect Effects 0.000 description 2
- TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K tri(quinolin-8-yloxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- OGGKVJMNFFSDEV-UHFFFAOYSA-N 3-methyl-n-[4-[4-(n-(3-methylphenyl)anilino)phenyl]phenyl]-n-phenylaniline Chemical compound CC1=CC=CC(N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)=C1 OGGKVJMNFFSDEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005355 Hall effect Effects 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000009125 cardiac resynchronization therapy Methods 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 1
- 238000000572 ellipsometry Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000004776 molecular orbital Methods 0.000 description 1
- IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-(n-naphthalen-1-ylanilino)phenyl]phenyl]-n-phenylnaphthalen-1-amine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C2=CC=CC=C2C=CC=1)C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)C=C1 IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001420 photoelectron spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 230000002035 prolonged effect Effects 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 238000010791 quenching Methods 0.000 description 1
- 230000000171 quenching effect Effects 0.000 description 1
- 238000012827 research and development Methods 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 230000004043 responsiveness Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/805—Electrodes
- H10K59/8052—Cathodes
- H10K59/80522—Cathodes combined with auxiliary electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/805—Electrodes
- H10K59/8051—Anodes
Abstract
(57)【要約】
【目的】 高発光率で長寿命の有機ＥＬ素子を提供す
る。 【構成】 正孔注入用の陽極１８は、カーボン薄膜、例
えば不純物として窒素が添加されたダイヤモンドライク
カーボン（Diamond Like Carbon ：ＤＬＣ）薄膜により
形成されている。ＤＬＣ薄膜は、スパッタリング法、バ
キュームアーク法などの物理的蒸着手法を用いて形成さ
れるが、ここでのＤＬＣ薄膜にはＸ線回折などに用いら
れるグラファイト構造（ＳＰ2 結合を持つ結晶構造）だ
けからなる薄膜は含まない。主に、ＳＰ3 結合とＳＰ2
結合の混在したアモルファス状の薄膜である。陽極１８
として窒素が添加されたＤＬＣを用いることにより正孔
の注入効率が向上する。一方、陰極１３は透明電極層、
例えば酸化インジウム錫（Indium Tin Oxide：ＩＴＯ）
層からなる。有機発光層１６からの発光は、陰極１３側
の補助電極１２に設けられた開口部１２Ａから取り出さ
れる。
る。 【構成】 正孔注入用の陽極１８は、カーボン薄膜、例
えば不純物として窒素が添加されたダイヤモンドライク
カーボン（Diamond Like Carbon ：ＤＬＣ）薄膜により
形成されている。ＤＬＣ薄膜は、スパッタリング法、バ
キュームアーク法などの物理的蒸着手法を用いて形成さ
れるが、ここでのＤＬＣ薄膜にはＸ線回折などに用いら
れるグラファイト構造（ＳＰ2 結合を持つ結晶構造）だ
けからなる薄膜は含まない。主に、ＳＰ3 結合とＳＰ2
結合の混在したアモルファス状の薄膜である。陽極１８
として窒素が添加されたＤＬＣを用いることにより正孔
の注入効率が向上する。一方、陰極１３は透明電極層、
例えば酸化インジウム錫（Indium Tin Oxide：ＩＴＯ）
層からなる。有機発光層１６からの発光は、陰極１３側
の補助電極１２に設けられた開口部１２Ａから取り出さ
れる。
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、有機発光層を備え
た有機ＥＬ（Electroluminescence ）素子およびこれを
用いて画像を表示する画像表示装置に関する。
た有機ＥＬ（Electroluminescence ）素子およびこれを
用いて画像を表示する画像表示装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、表示装置（ディスプレイ）として
は、据え置き型のブラウン管すなわちＣＲＴ（Cathode
Ray Tube）装置や、携帯用や薄型化の要求を満たすため
のフラットパネルディスプレイがある。ブラウン管は輝
度が高く、色再現性が良いために現在多用されている
が、占有容量が大きい、重い、消費電力が大きい、等の
問題点が指摘されている。一方、フラットパネルディス
プレイは、軽量であり、ブラウン管よりも発光効率に優
れており、コンピュータやテレビジョンの画面表示用と
して期待されている。現在、フラットパネルディスプレ
イでは、アクティブマトリクス駆動方式の液晶ディスプ
レイ（Liquid Crystal Display：ＬＣＤ）が商品化され
ている。このＬＣＤは、自ら発光せずに外部よりの光
（バックライト）を受けて表示するタイプのディスプレ
イであり、視野角が狭く、自発発光型ではないために周
囲が暗い環境下ではバックライトの消費電力が大きい、
今後実用化が期待されている高精細度の高速のビデオ信
号に対して十分な応答性能を備えていない等の問題点が
指摘されている。
は、据え置き型のブラウン管すなわちＣＲＴ（Cathode
Ray Tube）装置や、携帯用や薄型化の要求を満たすため
のフラットパネルディスプレイがある。ブラウン管は輝
度が高く、色再現性が良いために現在多用されている
が、占有容量が大きい、重い、消費電力が大きい、等の
問題点が指摘されている。一方、フラットパネルディス
プレイは、軽量であり、ブラウン管よりも発光効率に優
れており、コンピュータやテレビジョンの画面表示用と
して期待されている。現在、フラットパネルディスプレ
イでは、アクティブマトリクス駆動方式の液晶ディスプ
レイ（Liquid Crystal Display：ＬＣＤ）が商品化され
ている。このＬＣＤは、自ら発光せずに外部よりの光
（バックライト）を受けて表示するタイプのディスプレ
イであり、視野角が狭く、自発発光型ではないために周
囲が暗い環境下ではバックライトの消費電力が大きい、
今後実用化が期待されている高精細度の高速のビデオ信
号に対して十分な応答性能を備えていない等の問題点が
指摘されている。
【０００３】このような種々の問題点を解決する可能性
のある発光素子として、近年、有機発光材料に電流を流
すことで発光する有機ＥＬ素子が注目されている。ＥＬ
素子は、一般に、発光層として使用される発光材料によ
り、有機ＥＬ素子と無機ＥＬ素子に分類される。有機Ｅ
Ｌ素子では、陰極および陽極から電子と正孔が有機発光
層に注入され、それらが有機発光層中で再結合する際の
エネルギーによって発光中心が励起される。そして、有
機発光層を挟む電極の一方を透明にすることで、面上の
発光を得ることができる。このように有機ＥＬ素子は、
代表的なフラットパネルディスプレイの表示素子である
液晶素子に比べて、自然発光性があり、応答性が高く、
視野角依存性がない、等の特徴を有している。また、有
機ＥＬ素子は無機ＥＬに比べて駆動電圧が低く、また現
時点で赤、青、緑の三色の発光を得ることができてい
る。これらの利点より、有機ＥＬ素子の研究開発は、近
年きわめて盛んに行われている。
のある発光素子として、近年、有機発光材料に電流を流
すことで発光する有機ＥＬ素子が注目されている。ＥＬ
素子は、一般に、発光層として使用される発光材料によ
り、有機ＥＬ素子と無機ＥＬ素子に分類される。有機Ｅ
Ｌ素子では、陰極および陽極から電子と正孔が有機発光
層に注入され、それらが有機発光層中で再結合する際の
エネルギーによって発光中心が励起される。そして、有
機発光層を挟む電極の一方を透明にすることで、面上の
発光を得ることができる。このように有機ＥＬ素子は、
代表的なフラットパネルディスプレイの表示素子である
液晶素子に比べて、自然発光性があり、応答性が高く、
視野角依存性がない、等の特徴を有している。また、有
機ＥＬ素子は無機ＥＬに比べて駆動電圧が低く、また現
時点で赤、青、緑の三色の発光を得ることができてい
る。これらの利点より、有機ＥＬ素子の研究開発は、近
年きわめて盛んに行われている。
【０００４】ところで、有機ＥＬ素子の性能上の主な制
限として、１）有機発光材料の発光効率、２）有機材料
と接触する電極との間における正孔や電子の注入効率等
が挙げられる。中でも、２）の接触電極にはいくつかの
条件が望まれる。例えば、陰極側の電子注入電極の場合
は、注入する電子が電極上で存在しているエネルギー
レベルと有機分子軌道のエネルギーレベルが近いこと、
発光した光が電極に吸収されることによる電極での消
光を防ぐために電極材料は発光した光に対してなるべく
透明もしくは高い反射率を持つこと（複素屈折率で表し
た場合は、実軸もしくは虚軸に近いほど良いというこ
と）、有機ＥＬ材料は水分やその他のガスによって容
易に変質してしまうので、有機ＥＬ材料を有効に封止す
るために、化学的に不活性で高密度で均一な薄膜を容易
に形成できる材料であること、電極での電圧降下とジ
ュール熱の発生をさけるために電気伝導度はできるだけ
高いこと等が望まれる。
限として、１）有機発光材料の発光効率、２）有機材料
と接触する電極との間における正孔や電子の注入効率等
が挙げられる。中でも、２）の接触電極にはいくつかの
条件が望まれる。例えば、陰極側の電子注入電極の場合
は、注入する電子が電極上で存在しているエネルギー
レベルと有機分子軌道のエネルギーレベルが近いこと、
発光した光が電極に吸収されることによる電極での消
光を防ぐために電極材料は発光した光に対してなるべく
透明もしくは高い反射率を持つこと（複素屈折率で表し
た場合は、実軸もしくは虚軸に近いほど良いというこ
と）、有機ＥＬ材料は水分やその他のガスによって容
易に変質してしまうので、有機ＥＬ材料を有効に封止す
るために、化学的に不活性で高密度で均一な薄膜を容易
に形成できる材料であること、電極での電圧降下とジ
ュール熱の発生をさけるために電気伝導度はできるだけ
高いこと等が望まれる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】現在までのところ、こ
のような要件を満たす理想的な注入電極は得られておら
ず、陽極としては一般に酸化インジウム錫（Indium Tin
Oxide：ＩＴＯ）が選択されている。それは、ＩＴＯは
光学的に可視光に対して透明でかつ電気伝導性が高く、
ガラス表面に、一般に広く知られているスパッタリング
法もしくは真空蒸着法によって安定して成膜することが
可能であり、また容易に入手できるからである。一方、
ＩＴＯはｎ型縮退半導体であり、伝導に寄与するキャリ
アが主に電子であるために正孔の注入効率は高くないと
いう問題がある。発光効率を向上させるためには、陽極
の材料としては、ＩＴＯよりも正孔の注入効率が高いｐ
型伝導材料が望ましい。
のような要件を満たす理想的な注入電極は得られておら
ず、陽極としては一般に酸化インジウム錫（Indium Tin
Oxide：ＩＴＯ）が選択されている。それは、ＩＴＯは
光学的に可視光に対して透明でかつ電気伝導性が高く、
ガラス表面に、一般に広く知られているスパッタリング
法もしくは真空蒸着法によって安定して成膜することが
可能であり、また容易に入手できるからである。一方、
ＩＴＯはｎ型縮退半導体であり、伝導に寄与するキャリ
アが主に電子であるために正孔の注入効率は高くないと
いう問題がある。発光効率を向上させるためには、陽極
の材料としては、ＩＴＯよりも正孔の注入効率が高いｐ
型伝導材料が望ましい。
【０００６】このように陽極としてＩＴＯを用いること
には問題があるものの、有機ＥＬ素子では電極の一方を
透明にする必要があり、ＩＴＯより優れた透明電極が存
在しないことから、ＩＴＯを陽極材料として用いている
のが現状である。
には問題があるものの、有機ＥＬ素子では電極の一方を
透明にする必要があり、ＩＴＯより優れた透明電極が存
在しないことから、ＩＴＯを陽極材料として用いている
のが現状である。
【０００７】本発明はかかる問題点に鑑みてなされたも
ので、その目的は、高発光率かつ長寿命であり、また、
製造工程が簡略化されて、容易に形成できる有機ＥＬ素
子およびこれを用いた画像表示装置を提供することにあ
る。
ので、その目的は、高発光率かつ長寿命であり、また、
製造工程が簡略化されて、容易に形成できる有機ＥＬ素
子およびこれを用いた画像表示装置を提供することにあ
る。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明による有機ＥＬ素
子は、一対の接触電極のうち、陽極として機能する接触
電極を、３価もしくは５価の不純物が添加されたカーボ
ン薄膜、例えばダイヤモンドライクカーボン薄膜により
構成したものである。ダイヤモンドライクカーボン薄膜
は例えばスパッタリング法もしくはカソーディックアー
ク法を用いて成膜されたものである。
子は、一対の接触電極のうち、陽極として機能する接触
電極を、３価もしくは５価の不純物が添加されたカーボ
ン薄膜、例えばダイヤモンドライクカーボン薄膜により
構成したものである。ダイヤモンドライクカーボン薄膜
は例えばスパッタリング法もしくはカソーディックアー
ク法を用いて成膜されたものである。
【０００９】本発明による画像表示装置は、本発明の有
機ＥＬ素子を複数備えたものである。
機ＥＬ素子を複数備えたものである。
【００１０】本発明による有機ＥＬ素子および画像表示
装置では、陽極に３価もしくは５価の不純物が添加され
たカーボン薄膜、例えばダイヤモンドライクカーボン薄
膜により構成することにより、陽極側で正孔の注入効率
が向上し、またガスバリア性も向上する。
装置では、陽極に３価もしくは５価の不純物が添加され
たカーボン薄膜、例えばダイヤモンドライクカーボン薄
膜により構成することにより、陽極側で正孔の注入効率
が向上し、またガスバリア性も向上する。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して詳細に説明する。
て図面を参照して詳細に説明する。
【００１２】図１は本発明の一実施の形態に係る有機Ｅ
Ｌ素子１０の断面構造を表すものである。この有機ＥＬ
素子１０は、厚さ０．１ｍｍ〜５．０ｍｍ、例えば０．
５ｍｍのガラスからなる透明基板１１の上に、厚さ５０
ｎｍ〜２０００ｎｍ、例えば２００ｎｍのクロム（Ｃ
ｒ）層からなる補助電極１２を備えている。この補助電
極１２には発光取出し用の開口部１２Ａが設けられてい
る。この開口部１２Ａ内および補助電極１２の上には、
厚さ２０ｎｍ〜５００ｎｍ、例えば１５０ｎｍの酸化イ
ンジウム錫（ＩＴＯ）層からなる陰極１３が形成されて
いる。
Ｌ素子１０の断面構造を表すものである。この有機ＥＬ
素子１０は、厚さ０．１ｍｍ〜５．０ｍｍ、例えば０．
５ｍｍのガラスからなる透明基板１１の上に、厚さ５０
ｎｍ〜２０００ｎｍ、例えば２００ｎｍのクロム（Ｃ
ｒ）層からなる補助電極１２を備えている。この補助電
極１２には発光取出し用の開口部１２Ａが設けられてい
る。この開口部１２Ａ内および補助電極１２の上には、
厚さ２０ｎｍ〜５００ｎｍ、例えば１５０ｎｍの酸化イ
ンジウム錫（ＩＴＯ）層からなる陰極１３が形成されて
いる。
【００１３】陰極１３の上には、厚さ０．１ｎｍ〜２０
ｎｍ、例えば１ｎｍのフッ化リチウム（ＬｉＦ）薄膜層
からなる電子注入層１４が形成されている。電子注入層
１４の上には、厚さ２０ｎｍ〜５００ｎｍ、例えば５０
ｎｍのトリス（８−キノリノラト）アルミニウム錯体
（tris(8-hydroxyquinoline)aluminum、Ａｌｑ3 ）層か
らなる電子輸送層１５が形成されている。電子輸送層１
５の上には、厚さ１０ｎｍ〜５００ｎｍ、例えば２０ｎ
ｍのα―ＮＰＤ（α―ナフチルフェニルジアミン）層か
らなる有機発光層１６が形成されている。有機発光層１
６の上には、厚さ２０ｎｍ〜１０００ｎｍ、例えば２０
ｎｍのＴＰＤ（N, N' - ジフェニル-N, N'- ビス（３メ
チルフェニル）-1, １’−ビフェニル４, 4' -ジアミ
ン）層からなる正孔輸送層１７が形成されている。
ｎｍ、例えば１ｎｍのフッ化リチウム（ＬｉＦ）薄膜層
からなる電子注入層１４が形成されている。電子注入層
１４の上には、厚さ２０ｎｍ〜５００ｎｍ、例えば５０
ｎｍのトリス（８−キノリノラト）アルミニウム錯体
（tris(8-hydroxyquinoline)aluminum、Ａｌｑ3 ）層か
らなる電子輸送層１５が形成されている。電子輸送層１
５の上には、厚さ１０ｎｍ〜５００ｎｍ、例えば２０ｎ
ｍのα―ＮＰＤ（α―ナフチルフェニルジアミン）層か
らなる有機発光層１６が形成されている。有機発光層１
６の上には、厚さ２０ｎｍ〜１０００ｎｍ、例えば２０
ｎｍのＴＰＤ（N, N' - ジフェニル-N, N'- ビス（３メ
チルフェニル）-1, １’−ビフェニル４, 4' -ジアミ
ン）層からなる正孔輸送層１７が形成されている。
【００１４】正孔輸送層１７の上には、厚さ０．２ｎｍ
〜１００ｎｍ、例えば１０ｎｍの正孔注入用の陽極１８
が形成されている。本実施の形態では、この陽極１８
が、カーボン薄膜、例えば不純物として窒素が添加（ド
ープ）されたダイヤモンドライクカーボン（Diamond Li
ke Carbon ：ＤＬＣ）により形成されている。その詳細
については後述する。この陽極１８の上には、厚さ５０
ｎｍ〜２０００ｎｍ、例えば２００ｎｍのクロム（Ｃ
ｒ）層からなる補助電極１９が形成されている。この補
助電極１９の上には、厚さ２００ｎｍ〜１５ｍｍ、例え
ば２０００ｎｍの一窒化ケイ素（ＳｉＮ）からなる保護
層２０が形成されている。なお、ここでは各層の厚さの
範囲を示したが、その範囲は一例であって、材料や用途
によって厚さが変わることはいうまでもない。
〜１００ｎｍ、例えば１０ｎｍの正孔注入用の陽極１８
が形成されている。本実施の形態では、この陽極１８
が、カーボン薄膜、例えば不純物として窒素が添加（ド
ープ）されたダイヤモンドライクカーボン（Diamond Li
ke Carbon ：ＤＬＣ）により形成されている。その詳細
については後述する。この陽極１８の上には、厚さ５０
ｎｍ〜２０００ｎｍ、例えば２００ｎｍのクロム（Ｃ
ｒ）層からなる補助電極１９が形成されている。この補
助電極１９の上には、厚さ２００ｎｍ〜１５ｍｍ、例え
ば２０００ｎｍの一窒化ケイ素（ＳｉＮ）からなる保護
層２０が形成されている。なお、ここでは各層の厚さの
範囲を示したが、その範囲は一例であって、材料や用途
によって厚さが変わることはいうまでもない。
【００１５】このような構成を有する有機ＥＬ素子１０
は、以下のようにして作製することができる。
は、以下のようにして作製することができる。
【００１６】まず、厚さ０．５ｍｍのガラスからなる透
明基板１１を用意する。この透明基板１１の上に、以下
の各層を順次形成する。すなわち、透明基板１１の上
に、例えば真空蒸着法により厚さ２００ｎｍのクロムか
らなる補助電極１２を形成する。次に、この補助電極１
２の上に、例えば反応性ＤＣスパッタリング法により厚
さ１５０ｎｍのＩＴＯからなる陰極１３を形成する。続
いて、この陰極１３の上に、例えば真空蒸着法により厚
さ１ｎｍのフッ化リチウムからなる電子注入層１４を形
成する。更に、この電子注入層１４の上に、例えば真空
蒸着法により厚さ５０ｎｍのＡｌｑ3 からなる電子輸送
層１５を形成する。次に、この電子輸送層１５の上に、
例えば真空蒸着法により厚さ２０ｎｍのα―ＮＰＤから
なる有機発光層１６を形成する。続いて、この有機発光
層１６の上に、例えば真空蒸着法により厚さ２０ｎｍの
ＴＰＤからなる正孔輸送層１７を形成する。次いで、こ
の正孔輸送層１７の上に、例えばカソーディックバキュ
ームアーク法により厚さ１０ｎｍの窒素を添加したＤＬ
Ｃからなる陽極１８を形成する。この陽極１８の上に、
例えば真空蒸着法により厚さ２００ｎｍのクロムからな
る補助電極１９を形成する。最後に、この補助電極１９
の上に、例えば反応性ＤＣスパッタリング法により一窒
化ケイ素からなる厚さ２０００ｎｍの保護層２０を形成
する。このようにして有機ＥＬ素子１０が完成する。
明基板１１を用意する。この透明基板１１の上に、以下
の各層を順次形成する。すなわち、透明基板１１の上
に、例えば真空蒸着法により厚さ２００ｎｍのクロムか
らなる補助電極１２を形成する。次に、この補助電極１
２の上に、例えば反応性ＤＣスパッタリング法により厚
さ１５０ｎｍのＩＴＯからなる陰極１３を形成する。続
いて、この陰極１３の上に、例えば真空蒸着法により厚
さ１ｎｍのフッ化リチウムからなる電子注入層１４を形
成する。更に、この電子注入層１４の上に、例えば真空
蒸着法により厚さ５０ｎｍのＡｌｑ3 からなる電子輸送
層１５を形成する。次に、この電子輸送層１５の上に、
例えば真空蒸着法により厚さ２０ｎｍのα―ＮＰＤから
なる有機発光層１６を形成する。続いて、この有機発光
層１６の上に、例えば真空蒸着法により厚さ２０ｎｍの
ＴＰＤからなる正孔輸送層１７を形成する。次いで、こ
の正孔輸送層１７の上に、例えばカソーディックバキュ
ームアーク法により厚さ１０ｎｍの窒素を添加したＤＬ
Ｃからなる陽極１８を形成する。この陽極１８の上に、
例えば真空蒸着法により厚さ２００ｎｍのクロムからな
る補助電極１９を形成する。最後に、この補助電極１９
の上に、例えば反応性ＤＣスパッタリング法により一窒
化ケイ素からなる厚さ２０００ｎｍの保護層２０を形成
する。このようにして有機ＥＬ素子１０が完成する。
【００１７】正孔注入用の陽極１８として用いるカーボ
ン薄膜は、スパッタリング法、バキュームアーク法など
の物理的蒸着手法を用いて作製されるが、本実施の形態
では、ＤＬＣを形成することが好ましい。このＤＬＣ薄
膜は、アモルファスダイヤモンド薄膜などの呼び名でも
称されることがある。但し、ここでのＤＬＣ薄膜にはＸ
線回折などに用いられるグラファイト構造（ＳＰ2 結合
を持つ結晶構造）だけからなる薄膜は含まない。主に、
ＳＰ3 結合とＳＰ2 結合の混在したアモルファス状の薄
膜を指すものである。
ン薄膜は、スパッタリング法、バキュームアーク法など
の物理的蒸着手法を用いて作製されるが、本実施の形態
では、ＤＬＣを形成することが好ましい。このＤＬＣ薄
膜は、アモルファスダイヤモンド薄膜などの呼び名でも
称されることがある。但し、ここでのＤＬＣ薄膜にはＸ
線回折などに用いられるグラファイト構造（ＳＰ2 結合
を持つ結晶構造）だけからなる薄膜は含まない。主に、
ＳＰ3 結合とＳＰ2 結合の混在したアモルファス状の薄
膜を指すものである。
【００１８】ＤＬＣは名前の示すとおり、ダイヤモンド
結晶の分子構造であるＳＰ3 結合を含んでいるので、一
般的には高抵抗物質である。このＳＰ3 結合を含むＤＬ
Ｃは、ダイヤモンド結晶構造の物性をある程度継承して
おり、不純物が添加されることによって伝導性を持つ。
不純物が添加されたダイヤモンドの伝導性はｐ型が知ら
れており、ｎ型を得ることは困難であると考えられてい
る。実際にカーボンは２Ｐ軌道に２個の電子を持ってお
り、窒素などのＰ軌道に３つの電子を持つ材料を添加す
ることで余剰の電子をつくり、ｎ型の伝導を持たせるこ
とが試みられている。しかし、窒素の不純物濃度を増や
すことで電気伝導度は増加するが、伝導に寄与する多数
キャリアは正孔であることが実験により得られている。
結晶の分子構造であるＳＰ3 結合を含んでいるので、一
般的には高抵抗物質である。このＳＰ3 結合を含むＤＬ
Ｃは、ダイヤモンド結晶構造の物性をある程度継承して
おり、不純物が添加されることによって伝導性を持つ。
不純物が添加されたダイヤモンドの伝導性はｐ型が知ら
れており、ｎ型を得ることは困難であると考えられてい
る。実際にカーボンは２Ｐ軌道に２個の電子を持ってお
り、窒素などのＰ軌道に３つの電子を持つ材料を添加す
ることで余剰の電子をつくり、ｎ型の伝導を持たせるこ
とが試みられている。しかし、窒素の不純物濃度を増や
すことで電気伝導度は増加するが、伝導に寄与する多数
キャリアは正孔であることが実験により得られている。
【００１９】このＤＬＣ薄膜の電気伝導度を図２に示し
た電気伝導度測定装置２１により測定した。この電気伝
導度測定装置２１は、装置内部を加熱するためのヒータ
２２および電気的特性を測定するための電位計２３を備
えている。試料として、ガラス基板２４の上にＤＬＣ薄
膜２５を形成し、このＤＬＣ薄膜２５に２つのチタニウ
ム電極２６Ａ，２６Ｂを設けたものを用いた。ＤＬＣ薄
膜２５は、カソーディックバキュームアーク法で作製
し、成膜中に窒素ガスを流すことによって原子パーセン
トで４％の窒素を不純物として添加した。
た電気伝導度測定装置２１により測定した。この電気伝
導度測定装置２１は、装置内部を加熱するためのヒータ
２２および電気的特性を測定するための電位計２３を備
えている。試料として、ガラス基板２４の上にＤＬＣ薄
膜２５を形成し、このＤＬＣ薄膜２５に２つのチタニウ
ム電極２６Ａ，２６Ｂを設けたものを用いた。ＤＬＣ薄
膜２５は、カソーディックバキュームアーク法で作製
し、成膜中に窒素ガスを流すことによって原子パーセン
トで４％の窒素を不純物として添加した。
【００２０】この電気伝導度測定装置２１を用いてＤＬ
Ｃ薄膜２５の電気伝導度を測定すると、室温で３（Ω・
ｃｍ）-1であった。また、ホール効果を測定したとこ
ろ、電気伝導は正孔が支配的でｐ型であることがわかっ
た。また、ＤＬＣをアモルファス半導体として考え、そ
のエネルギー準位構造を考えると、図３のようになって
いることが、さらなる測定（偏光解析法や光電子分光
法）によって明らかとなった。これからＤＬＣはｐ型半
導体の一種であると判り、不純物準位は価電子帯上端の
上０．１５ｅＶあたりと考えられる。
Ｃ薄膜２５の電気伝導度を測定すると、室温で３（Ω・
ｃｍ）-1であった。また、ホール効果を測定したとこ
ろ、電気伝導は正孔が支配的でｐ型であることがわかっ
た。また、ＤＬＣをアモルファス半導体として考え、そ
のエネルギー準位構造を考えると、図３のようになって
いることが、さらなる測定（偏光解析法や光電子分光
法）によって明らかとなった。これからＤＬＣはｐ型半
導体の一種であると判り、不純物準位は価電子帯上端の
上０．１５ｅＶあたりと考えられる。
【００２１】以上の結果より、窒素が添加されたＤＬＣ
薄膜を有機ＥＬ素子の陽極として用いると、良好な正孔
注入層として機能することが判った。また、アルミニウ
ム（Ａｌ）やチタニウム（Ｔｉ）などの元素を添加した
ＤＬＣ薄膜もｐ型を示した。
薄膜を有機ＥＬ素子の陽極として用いると、良好な正孔
注入層として機能することが判った。また、アルミニウ
ム（Ａｌ）やチタニウム（Ｔｉ）などの元素を添加した
ＤＬＣ薄膜もｐ型を示した。
【００２２】一方、本実施の形態において、陰極１３に
ＩＴＯが用いられているのは、ＩＴＯの仕事関数は、真
空準位から陰極内のキャリア電子までのエネルギーが小
さい、所謂低仕事関数であるので、発光開始電圧が下が
って消費電力を低減できると共に電子の注入効率が高く
なるからである。また、電子注入層１４に極薄（１ｎ
ｍ）のフッ化リチウム薄膜が用いられているのは、膜厚
が薄いほど電気抵抗が小さくなるからである。
ＩＴＯが用いられているのは、ＩＴＯの仕事関数は、真
空準位から陰極内のキャリア電子までのエネルギーが小
さい、所謂低仕事関数であるので、発光開始電圧が下が
って消費電力を低減できると共に電子の注入効率が高く
なるからである。また、電子注入層１４に極薄（１ｎ
ｍ）のフッ化リチウム薄膜が用いられているのは、膜厚
が薄いほど電気抵抗が小さくなるからである。
【００２３】以上により、この有機ＥＬ素子１０におい
ては、陽極１８側ではｐ型のＤＬＣ薄膜により正孔の注
入効率が高められ、また、陰極１３側ではＩＴＯおよび
フッ化リチウム薄膜により電子の注入効率が高められる
ので、発光効率が著しく向上する。
ては、陽極１８側ではｐ型のＤＬＣ薄膜により正孔の注
入効率が高められ、また、陰極１３側ではＩＴＯおよび
フッ化リチウム薄膜により電子の注入効率が高められる
ので、発光効率が著しく向上する。
【００２４】ところで、一般に、有機材料は水分や酸素
などの活性ガスと反応して特性が劣化するので、発光素
子では、ガラス基板上に成膜して素子を形成した後、成
膜面側をガラスで挟み、周囲を封止することでガスバリ
アを形成し、素子の劣化を抑えることがなされている。
などの活性ガスと反応して特性が劣化するので、発光素
子では、ガラス基板上に成膜して素子を形成した後、成
膜面側をガラスで挟み、周囲を封止することでガスバリ
アを形成し、素子の劣化を抑えることがなされている。
【００２５】これに対して、本実施の形態では、陽極１
８に不純物を添加したｐ型ＤＬＣ薄膜を用いたことによ
り、正孔の注入効率が高められると同時にガスバリア性
も向上する。すなわち、ＤＬＣ薄膜はもともと化学的に
安定で不活性な保護膜としての機能を有しているが、こ
のＤＬＣ薄膜に窒素を不純物として添加してもＤＬＣは
不活性のままであるため、有機ＥＬ素子背面に封止用ガ
ラス板を用いなくとも、ＤＬＣ薄膜の上に薄いガスバリ
ア膜を成膜するだけでガス水分の封止が可能なレベルと
なる。従って、素子が極薄型となり、全体の重量も軽く
なり、また、貼り合わせ工程が不要となるため、製造プ
ロセスが簡略化される。
８に不純物を添加したｐ型ＤＬＣ薄膜を用いたことによ
り、正孔の注入効率が高められると同時にガスバリア性
も向上する。すなわち、ＤＬＣ薄膜はもともと化学的に
安定で不活性な保護膜としての機能を有しているが、こ
のＤＬＣ薄膜に窒素を不純物として添加してもＤＬＣは
不活性のままであるため、有機ＥＬ素子背面に封止用ガ
ラス板を用いなくとも、ＤＬＣ薄膜の上に薄いガスバリ
ア膜を成膜するだけでガス水分の封止が可能なレベルと
なる。従って、素子が極薄型となり、全体の重量も軽く
なり、また、貼り合わせ工程が不要となるため、製造プ
ロセスが簡略化される。
【００２６】ちなみに、このようなＤＬＣ薄膜のもつガ
スバリア性を利用した有機ＥＬ素子として、ＩＴＯ膜か
らなる正孔注入用の陽極と有機層との間にＤＬＣ薄膜を
遮蔽膜として形成したものがある（例えば、特開平１１
−３１５８７号公報）。
スバリア性を利用した有機ＥＬ素子として、ＩＴＯ膜か
らなる正孔注入用の陽極と有機層との間にＤＬＣ薄膜を
遮蔽膜として形成したものがある（例えば、特開平１１
−３１５８７号公報）。
【００２７】なお、本実施の形態では、陽極１８をＤＬ
Ｃ薄膜により構成したが、ＤＬＣ薄膜は不透明な膜であ
るため陽極側から有機発光層１６からの発光を取り出す
ことができない。そこで、前述のように陰極１３を透明
導電膜により形成すると共に、陰極側の補助電極１２に
開口部１２Ａを設け、陰極側から発光を取り出すように
した。
Ｃ薄膜により構成したが、ＤＬＣ薄膜は不透明な膜であ
るため陽極側から有機発光層１６からの発光を取り出す
ことができない。そこで、前述のように陰極１３を透明
導電膜により形成すると共に、陰極側の補助電極１２に
開口部１２Ａを設け、陰極側から発光を取り出すように
した。
【００２８】以上のように本実施の形態の有機ＥＬ素子
１０では、陽極１８を窒素が添加されたＤＬＣ薄膜によ
り構成するようにしたので、発光効率が向上し、長寿命
化を図ることができると共に製造工程が簡略化される。
従って、この有機ＥＬ素子１０を多数配列することによ
り、高輝度かつ長寿命で、また軽量かつ極薄型の画像表
示装置を実現することができる。図４の画像表示装置３
０はその一例を表すものである。この画像表示装置３０
を構成する、有機ＥＬ素子（Ｒ）１０Ａ，有機ＥＬ素子
（Ｇ）１０Ｂ，有機ＥＬ素子（Ｂ）１０Ｃの各々は、図
１の有機ＥＬ素子１０の有機発光層１６が、赤色，緑
色，青色の発光を示す有機発光材料により形成されてい
るものである。これら３種類の有機ＥＬ素子を規則的に
マトリックスパターン状に配列することによって、画像
表示装置１０はカラー表示が可能となる。
１０では、陽極１８を窒素が添加されたＤＬＣ薄膜によ
り構成するようにしたので、発光効率が向上し、長寿命
化を図ることができると共に製造工程が簡略化される。
従って、この有機ＥＬ素子１０を多数配列することによ
り、高輝度かつ長寿命で、また軽量かつ極薄型の画像表
示装置を実現することができる。図４の画像表示装置３
０はその一例を表すものである。この画像表示装置３０
を構成する、有機ＥＬ素子（Ｒ）１０Ａ，有機ＥＬ素子
（Ｇ）１０Ｂ，有機ＥＬ素子（Ｂ）１０Ｃの各々は、図
１の有機ＥＬ素子１０の有機発光層１６が、赤色，緑
色，青色の発光を示す有機発光材料により形成されてい
るものである。これら３種類の有機ＥＬ素子を規則的に
マトリックスパターン状に配列することによって、画像
表示装置１０はカラー表示が可能となる。
【００２９】以上、実施の形態を挙げて本発明を説明し
たが、本発明は上記実施の形態に限定されるものではな
く、種々変形が可能である。例えば、上記実施の形態で
は、一般的な３層構造（電子輸送層１５、有機発光層１
６、正孔輸送層１７）の有機ＥＬ素子について説明した
が、２層や４層といった構成でも良い。更には陰極１３
としてＩＴＯ膜を用いているが、酸化インジウムなどＩ
ＴＯ以外の透明導電膜もしくは金属薄膜を陰極として用
いてもよく、また補助電極１２，１９をクロムにより形
成したがニッケル（Ｎｉ）でも良く、また陽極のＤＬＣ
薄膜に添加する不純物は窒素に限らず、３価もしくは５
価の不純物、例えばアルミニウム（Ａｌ）やチタニウム
（Ｔｉ）でも良い。
たが、本発明は上記実施の形態に限定されるものではな
く、種々変形が可能である。例えば、上記実施の形態で
は、一般的な３層構造（電子輸送層１５、有機発光層１
６、正孔輸送層１７）の有機ＥＬ素子について説明した
が、２層や４層といった構成でも良い。更には陰極１３
としてＩＴＯ膜を用いているが、酸化インジウムなどＩ
ＴＯ以外の透明導電膜もしくは金属薄膜を陰極として用
いてもよく、また補助電極１２，１９をクロムにより形
成したがニッケル（Ｎｉ）でも良く、また陽極のＤＬＣ
薄膜に添加する不純物は窒素に限らず、３価もしくは５
価の不純物、例えばアルミニウム（Ａｌ）やチタニウム
（Ｔｉ）でも良い。
【００３０】
【発明の効果】以上説明したように本発明の有機ＥＬ素
子によれば、陽極として機能する接触電極として、３価
もしくは５価の不純物が添加された、化学的に安定なカ
ーボン薄膜を用いるようにしたので、発光効率が向上し
寿命が長くなると共に、製造工程が簡略化されるいう効
果がある。
子によれば、陽極として機能する接触電極として、３価
もしくは５価の不純物が添加された、化学的に安定なカ
ーボン薄膜を用いるようにしたので、発光効率が向上し
寿命が長くなると共に、製造工程が簡略化されるいう効
果がある。
【００３１】また、本発明の画像表示装置によれば、本
発明の有機ＥＬ素子を用いるようにしたので、寿命が長
く、軽量かつ極薄型のものを実現することができる。
発明の有機ＥＬ素子を用いるようにしたので、寿命が長
く、軽量かつ極薄型のものを実現することができる。
【図１】本発明の一実施の形態に係る有機ＥＬ素子の概
略構成を表す断面図である
略構成を表す断面図である
【図２】ＤＬＣ薄膜の電気伝導度を測定する装置の概略
図である。
図である。
【図３】窒素が添加されたＤＬＣのエネルギーバンド図
である。
である。
【図４】図１の有機ＥＬ素子を用いた画像表示装置の概
略構成図である。
略構成図である。
１０…有機ＥＬ素子、１０Ａ…有機ＥＬ素子（Ｒ）、１
０Ｂ…有機ＥＬ素子（Ｇ）、１０Ｃ…有機ＥＬ素子
（Ｂ）、１１，３１…透明基板、１２，３２…補助電
極、１２Ａ，３２Ａ…開口部、１３，３３…陰極、１４
…電子注入層、１５，３４…電子輸送層、１６，３５…
有機発光層、１７，３６…正孔輸送層、１８，３７…陽
極、１９…補助電極、２０…保護層、２１…電気伝導度
測定装置、２２…ヒータ、２３…電位計、２４…ガラス
基板、２５…ＤＬＣ薄膜、２６Ａ，２６Ｂ…チタニウム
電極、３０…画像表示装置
０Ｂ…有機ＥＬ素子（Ｇ）、１０Ｃ…有機ＥＬ素子
（Ｂ）、１１，３１…透明基板、１２，３２…補助電
極、１２Ａ，３２Ａ…開口部、１３，３３…陰極、１４
…電子注入層、１５，３４…電子輸送層、１６，３５…
有機発光層、１７，３６…正孔輸送層、１８，３７…陽
極、１９…補助電極、２０…保護層、２１…電気伝導度
測定装置、２２…ヒータ、２３…電位計、２４…ガラス
基板、２５…ＤＬＣ薄膜、２６Ａ，２６Ｂ…チタニウム
電極、３０…画像表示装置
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０５Ｂ 33/14 Ｈ０５Ｂ 33/14 Ａ 33/22 33/22 Ｂ Ｃ // Ｃ２３Ｃ 14/06 Ｃ２３Ｃ 14/06 Ｆ (72)発明者 河嶋 利孝 東京都品川区北品川６丁目７番35号 ソニ ー株式会社内 Ｆターム(参考） 3K007 AB03 AB11 AB18 BA06 BB00 CA01 CB01 CB02 CC00 DA01 DB03 EB00 FA01 FA02 4K029 AA09 BA34 BC03 BD00 CA01 CA03 CA05 DD06 5C094 AA10 AA15 AA31 AA43 BA27 CA19 CA24 DA13 DB04 EA04 EA05 EA10 EB02 FA01 FA02 FB01 FB02 FB12 GB10
Claims (12)
- 【請求項１】 透明基板上に有機発光層を間にして一対
の接触電極を有する有機ＥＬ素子において、 前記一対の接触電極のうち、陽極として機能する接触電
極が、３価もしくは５価の不純物が添加されたカーボン
薄膜からなることを特徴とする有機ＥＬ素子。 - 【請求項２】 前記カーボン薄膜は、ダイヤモンドライ
クカーボンにより形成されたものであることを特徴とす
る請求項１記載の有機ＥＬ素子。 - 【請求項３】 前記ダイヤモンドライクカーボン薄膜
は、スパッタリング法もしくはカソーディックアーク法
を用いて成膜されたものであることを特徴とする請求項
２記載の有機ＥＬ素子。 - 【請求項４】 前記ダイヤモンドライクカーボン薄膜に
は、不純物として窒素が添加されていることを特徴とす
る請求項３記載の有機ＥＬ素子。 - 【請求項５】 前記一対の接触電極のうち、陰極として
機能する接触電極が透明導電膜により形成されると共
に、前記接触電極と前記透明基板との間に発光取出用の
開口部を有する補助電極が設けられていることを特徴と
する請求項１記載の有機ＥＬ素子。 - 【請求項６】 前記陰極は、酸化インジウム錫（ＩＴ
Ｏ）膜からなることを特徴とする請求項５記載の有機Ｅ
Ｌ素子。 - 【請求項７】 透明基板上に有機発光層を間にして一対
の接触電極を有する複数の有機ＥＬ素子を含む画像表示
装置において、 前記有機ＥＬ素子の前記一対の接触電極のうち、陽極と
して機能する接触電極が、３価もしくは５価の不純物が
添加されたカーボン薄膜からなることを特徴とする画像
表示装置。 - 【請求項８】 前記有機ＥＬ素子のカーボン薄膜はダイ
ヤモンドライクカーボンにより形成されたものであるこ
とを特徴とする請求項７記載の画像表示装置。 - 【請求項９】 前記有機ＥＬ素子のダイヤモンドライク
カーボン薄膜は、スパッタリング法もしくはカソーディ
ックアーク法を用いて成膜されたものであることを特徴
とする請求項８記載の画像表示装置。 - 【請求項１０】 前記有機ＥＬ素子のダイヤモンドライ
クカーボン薄膜には、不純物として窒素が添加されてい
ることを特徴とする請求項９記載の画像表示装置。 - 【請求項１１】 前記一対の接触電極のうち、陰極とし
て機能する接触電極が透明導電膜により形成されると共
に、前記接触電極と前記透明基板との間に発光取出用の
開口部を有する補助電極が設けられていることを特徴と
する請求項７記載の画像表示装置。 - 【請求項１２】 前記有機ＥＬ素子の陰極は、酸化イン
ジウム錫（ＩＴＯ）膜からなることを特徴とする請求項
１１記載の画像表示装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001141285A JP2002343579A (ja) | 2001-05-11 | 2001-05-11 | 有機ｅｌ素子および画像表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001141285A JP2002343579A (ja) | 2001-05-11 | 2001-05-11 | 有機ｅｌ素子および画像表示装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002343579A true JP2002343579A (ja) | 2002-11-29 |
Family
ID=18987767
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001141285A Pending JP2002343579A (ja) | 2001-05-11 | 2001-05-11 | 有機ｅｌ素子および画像表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002343579A (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006331864A (ja) * | 2005-05-26 | 2006-12-07 | Mitsubishi Electric Corp | 有機電界発光型表示装置 |
| CN100392887C (zh) * | 2003-04-29 | 2008-06-04 | 统宝光电股份有限公司 | 具有抗反射和惰性阴极的有机发光显示器 |
| JP2008189997A (ja) * | 2007-02-05 | 2008-08-21 | Kensuke Honda | 導電性ダイヤモンドライクカーボンの製造方法 |
| KR100864759B1 (ko) * | 2002-06-18 | 2008-10-22 | 오리온오엘이디 주식회사 | 유기 ｅｌ 소자 |
| KR100972290B1 (ko) * | 2004-02-04 | 2010-07-23 | 사천홍시현시기건유한공사 | 유기전계발광소자 |
| WO2011016312A1 (ja) * | 2009-08-07 | 2011-02-10 | 三井金属鉱業株式会社 | 有機ｅｌ素子に用いられるアノード構造体およびその製造方法ならびに有機ｅｌ素子 |
| CN103151367A (zh) * | 2011-12-07 | 2013-06-12 | 群康科技(深圳)有限公司 | 有机发光二极管显示装置及其制造方法 |
| KR101369805B1 (ko) | 2012-10-29 | 2014-03-06 | 네오뷰코오롱 주식회사 | 버스 전극층을 구비한 오엘이디 패널 |
| WO2015180381A1 (zh) * | 2014-05-30 | 2015-12-03 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种有机电致发光显示面板及显示装置 |
-
2001
- 2001-05-11 JP JP2001141285A patent/JP2002343579A/ja active Pending
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100864759B1 (ko) * | 2002-06-18 | 2008-10-22 | 오리온오엘이디 주식회사 | 유기 ｅｌ 소자 |
| CN100392887C (zh) * | 2003-04-29 | 2008-06-04 | 统宝光电股份有限公司 | 具有抗反射和惰性阴极的有机发光显示器 |
| KR100972290B1 (ko) * | 2004-02-04 | 2010-07-23 | 사천홍시현시기건유한공사 | 유기전계발광소자 |
| JP2006331864A (ja) * | 2005-05-26 | 2006-12-07 | Mitsubishi Electric Corp | 有機電界発光型表示装置 |
| JP4556768B2 (ja) * | 2005-05-26 | 2010-10-06 | 三菱電機株式会社 | 有機電界発光型表示装置 |
| JP2008189997A (ja) * | 2007-02-05 | 2008-08-21 | Kensuke Honda | 導電性ダイヤモンドライクカーボンの製造方法 |
| WO2011016312A1 (ja) * | 2009-08-07 | 2011-02-10 | 三井金属鉱業株式会社 | 有機ｅｌ素子に用いられるアノード構造体およびその製造方法ならびに有機ｅｌ素子 |
| US8258508B2 (en) | 2009-08-07 | 2012-09-04 | Mitsui Mining & Smelting Co., Ltd. | Anode structure for use in organic EL device, production method thereof and organic EL device |
| CN103151367A (zh) * | 2011-12-07 | 2013-06-12 | 群康科技(深圳)有限公司 | 有机发光二极管显示装置及其制造方法 |
| CN103151367B (zh) * | 2011-12-07 | 2016-03-16 | 群康科技(深圳)有限公司 | 有机发光二极管显示装置及其制造方法 |
| KR101369805B1 (ko) | 2012-10-29 | 2014-03-06 | 네오뷰코오롱 주식회사 | 버스 전극층을 구비한 오엘이디 패널 |
| WO2015180381A1 (zh) * | 2014-05-30 | 2015-12-03 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种有机电致发光显示面板及显示装置 |
| US10205121B2 (en) | 2014-05-30 | 2019-02-12 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Organic electroluminescent display panel and display apparatus |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6188176B1 (en) | Organic electroluminescent device and preparation method with ITO electrode (111) orientation | |
| JP3428152B2 (ja) | 有機ｅｌ素子の製造方法 | |
| JPH0963771A (ja) | 有機薄膜発光素子 | |
| US7494396B2 (en) | Organic electroluminescent device including transparent conductive layer and fabricating method thereof | |
| JPH08102360A (ja) | 有機無機複合薄膜型電界発光素子 | |
| US8962382B2 (en) | Fabrication method for organic light emitting device and organic light emitting device fabricated by the same method | |
| US7061175B2 (en) | Efficiency transparent cathode | |
| JP3691192B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子 | |
| EP1416549A2 (en) | Organic electroluminescence device | |
| JP4644938B2 (ja) | 有機電界発光素子 | |
| JP2002343579A (ja) | 有機ｅｌ素子および画像表示装置 | |
| JP3672127B2 (ja) | 光学的素子の製造方法及び光学的素子 | |
| JP2003338382A (ja) | 有機ｅｌ素子 | |
| JP2009529779A (ja) | 有機発光素子の製造方法及びこれによって製造された有機発光素子 | |
| JP3555736B2 (ja) | 有機電界発光素子 | |
| JPH03141588A (ja) | 電界発光素子 | |
| JP3492535B2 (ja) | 有機薄膜ｅｌ素子とその製造方法 | |
| CN100544529C (zh) | 有机电致发光显示装置及其制造方法 | |
| JPH1095971A (ja) | 有機電界発光素子 | |
| JP2002083693A (ja) | 透明導電膜付き基板及び該透明導電膜付き基板を使用した有機エレクトロルミネッセンス素子 | |
| TW200805729A (en) | Tandem organic electroluminescent elements and uses of the same | |
| US20070254184A1 (en) | Organic Electric Field Light Emitting Display | |
| JPH0711246A (ja) | 有機薄膜発光素子 | |
| JP2002056983A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法 | |
| JP2000138095A (ja) | 発光素子の製造方法 |