JP2002056983A - 有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法 - Google Patents
有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法Info
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 9
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 68
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 39
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 claims abstract description 4
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 claims description 35
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 claims description 7
- 230000000379 polymerizing effect Effects 0.000 claims description 5
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 claims description 5
- 239000004990 Smectic liquid crystal Substances 0.000 claims description 4
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 2
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 abstract 1
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 abstract 1
- 230000037230 mobility Effects 0.000 description 12
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 description 9
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 8
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 6
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 5
- 229910001148 Al-Li alloy Inorganic materials 0.000 description 4
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 4
- 239000010408 film Substances 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 239000004985 Discotic Liquid Crystal Substance Substances 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 229940125904 compound 1 Drugs 0.000 description 3
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 230000005856 abnormality Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 2
- 230000002269 spontaneous effect Effects 0.000 description 2
- -1 the nylene compound Chemical class 0.000 description 2
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 2
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- YJTKZCDBKVTVBY-UHFFFAOYSA-N 1,3-Diphenylbenzene Chemical group C1=CC=CC=C1C1=CC=CC(C=2C=CC=CC=2)=C1 YJTKZCDBKVTVBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IYDMICQAKLQHLA-UHFFFAOYSA-N 1-phenylnaphthalene Chemical group C1=CC=CC=C1C1=CC=CC2=CC=CC=C12 IYDMICQAKLQHLA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004988 Nematic liquid crystal Substances 0.000 description 1
- SLGBZMMZGDRARJ-UHFFFAOYSA-N Triphenylene Natural products C1=CC=C2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C3C2=C1 SLGBZMMZGDRARJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 102100031083 Uteroglobin Human genes 0.000 description 1
- 108090000203 Uteroglobin Proteins 0.000 description 1
- JFBZPFYRPYOZCQ-UHFFFAOYSA-N [Li].[Al] Chemical compound [Li].[Al] JFBZPFYRPYOZCQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 150000004697 chelate complex Chemical class 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 150000004985 diamines Chemical class 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 239000001989 lithium alloy Substances 0.000 description 1
- SJCKRGFTWFGHGZ-UHFFFAOYSA-N magnesium silver Chemical compound [Mg].[Ag] SJCKRGFTWFGHGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 229960001869 methapyrilene Drugs 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 125000005580 triphenylene group Chemical class 0.000 description 1
Landscapes
- Polymerisation Methods In General (AREA)
- Addition Polymer Or Copolymer, Post-Treatments, Or Chemical Modifications (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 キャリア移動度の高い液晶性有機化合物を用
いてキャリア輸送層を形成した有機ＥＬ素子において、
上記キャリア輸送層の安定化を図る。 【解決手段】 重合性の液晶性有機化合物層を形成した
後、該液晶性有機化合物が液晶相を示す温度雰囲気下に
おいて重合反応を生起し、高分子化する。
いてキャリア輸送層を形成した有機ＥＬ素子において、
上記キャリア輸送層の安定化を図る。 【解決手段】 重合性の液晶性有機化合物層を形成した
後、該液晶性有機化合物が液晶相を示す温度雰囲気下に
おいて重合反応を生起し、高分子化する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、フラットパネルデ
ィスプレイ、プロジェクションディスプレイ、プリンタ
等に用いられる有機エレクトロルミネッセンス素子とそ
の製造方法に関する。
ィスプレイ、プロジェクションディスプレイ、プリンタ
等に用いられる有機エレクトロルミネッセンス素子とそ
の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来より、省スペースのマンマシンイン
ターフェイスであるフラットパネルディスプレイにおい
て、最も広範に用いられているのは液晶素子である。特
に、画素毎にトランジスタのような能動素子を配置し
た、いわゆるアクティブマトリクスタイプ（例えば、Ｔ
ＦＴ型）の液晶素子は、１５インチサイズのディスプレ
イが製造されるまでに至り、フラットパネルディスプレ
イの主流となりつつある。
ターフェイスであるフラットパネルディスプレイにおい
て、最も広範に用いられているのは液晶素子である。特
に、画素毎にトランジスタのような能動素子を配置し
た、いわゆるアクティブマトリクスタイプ（例えば、Ｔ
ＦＴ型）の液晶素子は、１５インチサイズのディスプレ
イが製造されるまでに至り、フラットパネルディスプレ
イの主流となりつつある。
【０００３】しかしながら、最も広範に用いられている
ネマチック液晶の電界に対する応答は数十ｍｓｅｃ程度
と遅く、高速の描画、例えば動画像などを表示する際に
はこの応答性の遅いことが問題となっている。また、液
晶の複屈折が見える方向によって変化するため、視野角
依存性が大きいという問題を抱えている。
ネマチック液晶の電界に対する応答は数十ｍｓｅｃ程度
と遅く、高速の描画、例えば動画像などを表示する際に
はこの応答性の遅いことが問題となっている。また、液
晶の複屈折が見える方向によって変化するため、視野角
依存性が大きいという問題を抱えている。
【０００４】上記のような問題を克服するために、最近
フラットパネル対応の自発光型デバイスが注目されてい
る。自発光型デバイスとしては、プラズマ発光素子、フ
ィールドエミッション素子、エレクトロルミネッセンス
素子等がある。
フラットパネル対応の自発光型デバイスが注目されてい
る。自発光型デバイスとしては、プラズマ発光素子、フ
ィールドエミッション素子、エレクトロルミネッセンス
素子等がある。
【０００５】このうち、エレクトロルミネッセンス素子
（以下、「ＥＬ素子」と記す）は無機ＥＬ素子と有機Ｅ
Ｌ素子に大別される。無機ＥＬ素子は、無機半導体を使
ったＡＣ駆動の薄膜ＥＬデバイスであり、主としてＺｎ
Ｓなどの無機材料系を用いている。無機ＥＬ素子は、階
調性、輝度などに優れているが、数百Ｖ程度の交流駆動
電圧を要するなどの問題を有している。
（以下、「ＥＬ素子」と記す）は無機ＥＬ素子と有機Ｅ
Ｌ素子に大別される。無機ＥＬ素子は、無機半導体を使
ったＡＣ駆動の薄膜ＥＬデバイスであり、主としてＺｎ
Ｓなどの無機材料系を用いている。無機ＥＬ素子は、階
調性、輝度などに優れているが、数百Ｖ程度の交流駆動
電圧を要するなどの問題を有している。
【０００６】一方、有機ＥＬ素子に関しては、１９８７
年にＴ．Ｗ．Ｔａｎｇらにより、蛍光性金属キレート錯
体とジアミン系分子の薄膜を積層した構造を利用して、
低電圧ＤＣ駆動で高輝度な発光が得られることが実証さ
れた。
年にＴ．Ｗ．Ｔａｎｇらにより、蛍光性金属キレート錯
体とジアミン系分子の薄膜を積層した構造を利用して、
低電圧ＤＣ駆動で高輝度な発光が得られることが実証さ
れた。
【０００７】有機ＥＬ素子は、発光層に到達した電子と
正孔が再結合する際に生じる発光を利用した、キャリア
注入型の自発光デバイスである。図１に、一般的な有機
ＥＬ素子の断面構成を模式的に示す。図中、１０は有機
化合物層、１１は金属電極、１２は発光層、１３は正孔
輸送層、１４は透明電極である。
正孔が再結合する際に生じる発光を利用した、キャリア
注入型の自発光デバイスである。図１に、一般的な有機
ＥＬ素子の断面構成を模式的に示す。図中、１０は有機
化合物層、１１は金属電極、１２は発光層、１３は正孔
輸送層、１４は透明電極である。
【０００８】図１の構成において、陰極には金属電極１
１、発光した光を取り出すために陽極には透明電極１４
を用い、両電極間に有機化合物層１０が挟持されてい
る。有機化合物層１０の各層は、数百Å程度の膜厚が一
般的である。一般に陰極の金属材料としては、アルミニ
ウムやアルミニウム・リチウム合金、マグネシウム・銀
合金などの仕事関数の小さな金属が用いられる。また、
陽極には、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）等の仕事関数
の大きな導電性材料が用いられる。
１、発光した光を取り出すために陽極には透明電極１４
を用い、両電極間に有機化合物層１０が挟持されてい
る。有機化合物層１０の各層は、数百Å程度の膜厚が一
般的である。一般に陰極の金属材料としては、アルミニ
ウムやアルミニウム・リチウム合金、マグネシウム・銀
合金などの仕事関数の小さな金属が用いられる。また、
陽極には、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）等の仕事関数
の大きな導電性材料が用いられる。
【０００９】有機化合物層１０は、図１のように発光層
１２と正孔輸送層１３とからなる２層構造の他、図２に
示すように、電子輸送層２１、発光層１２、正孔輸送層
１３の３層からなる構造が一般的である。ここで、正孔
輸送層１３は陽極である透明電極１４からの正孔を効率
よく発光層１２に注入させる機能を有している。また、
電子輸送層２１は陰極である金属電極１１から電子を効
率よく発光層１２に注入させる機能を有している。ま
た、同時に、正孔輸送層１３は電子を、電子輸送層２１
は正孔を、それぞれ発光層１２に閉じ込める（キャリア
ブロック）機能を有し、発光効率を高める効果がある。
１２と正孔輸送層１３とからなる２層構造の他、図２に
示すように、電子輸送層２１、発光層１２、正孔輸送層
１３の３層からなる構造が一般的である。ここで、正孔
輸送層１３は陽極である透明電極１４からの正孔を効率
よく発光層１２に注入させる機能を有している。また、
電子輸送層２１は陰極である金属電極１１から電子を効
率よく発光層１２に注入させる機能を有している。ま
た、同時に、正孔輸送層１３は電子を、電子輸送層２１
は正孔を、それぞれ発光層１２に閉じ込める（キャリア
ブロック）機能を有し、発光効率を高める効果がある。
【００１０】これら正孔輸送層１３や電子輸送層２１と
いったキャリア輸送層に関して、重要な特性と考えられ
るのが電荷輸送能、特に、キャリア移動度である。一般
的に、アモルファス状態の有機化合物のキャリア移動度
は１０-5ｃｍ2／Ｖｓｅｃ程度であり、輸送特性は十分
であるとは言えない。キャリア輸送層のキャリア移動度
を高めることができれば、より多くのキャリアを発光層
に注入させることができ、発光効率が高まると考えられ
ており、同時に高移動度が達成されれば、一般的に数百
Å程度の膜厚であるキャリア輸送層の膜厚を厚く（〜１
μｍ程度）することができるため、上下ショートなどを
防止し、生産性の向上も期待できる。現在、有機ＥＬ素
子の高効率化を達成するためのキャリア輸送層の化合物
材料開発が活発に行われている。
いったキャリア輸送層に関して、重要な特性と考えられ
るのが電荷輸送能、特に、キャリア移動度である。一般
的に、アモルファス状態の有機化合物のキャリア移動度
は１０-5ｃｍ2／Ｖｓｅｃ程度であり、輸送特性は十分
であるとは言えない。キャリア輸送層のキャリア移動度
を高めることができれば、より多くのキャリアを発光層
に注入させることができ、発光効率が高まると考えられ
ており、同時に高移動度が達成されれば、一般的に数百
Å程度の膜厚であるキャリア輸送層の膜厚を厚く（〜１
μｍ程度）することができるため、上下ショートなどを
防止し、生産性の向上も期待できる。現在、有機ＥＬ素
子の高効率化を達成するためのキャリア輸送層の化合物
材料開発が活発に行われている。
【００１１】このような状況で、キャリア輸送層を形成
する有機化合物に液晶性を付与することで高移動度を達
成しようとする動きがある。一般的に有機ＥＬ素子に用
いられる有機薄膜はアモルファス状態にあり、分子の配
列に規則性はない。これに対して、分子配列に一定の秩
序を持った液晶性有機化合物においては、高移動度の材
料が見出され、注目されている。例えば、Ｈａａｒｅｒ
らは、代表的なディスコチック液晶である長鎖トリフェ
ニレン系化合物の液晶相において、１０-1ｃｍ 2／Ｖｓ
ｅｃという高速な正孔の移動度を観測している（Ｎａｔ
ｕｒｅ，１９９４，３７１，ｐ．１４１）。また、Ｈａ
ａｒｅｒらは、一連のトリフェニレン系ディスコチック
液晶におけるカラムナー相の分子配列の秩序度と正孔移
動度の関係について検討しており、秩序度が高くなるほ
ど、正孔移動度が大きくなることを報告している（Ａｄ
ｖ．Ｍａｔｅｒ．，１９９６，８，ｐ．８１５）。
する有機化合物に液晶性を付与することで高移動度を達
成しようとする動きがある。一般的に有機ＥＬ素子に用
いられる有機薄膜はアモルファス状態にあり、分子の配
列に規則性はない。これに対して、分子配列に一定の秩
序を持った液晶性有機化合物においては、高移動度の材
料が見出され、注目されている。例えば、Ｈａａｒｅｒ
らは、代表的なディスコチック液晶である長鎖トリフェ
ニレン系化合物の液晶相において、１０-1ｃｍ 2／Ｖｓ
ｅｃという高速な正孔の移動度を観測している（Ｎａｔ
ｕｒｅ，１９９４，３７１，ｐ．１４１）。また、Ｈａ
ａｒｅｒらは、一連のトリフェニレン系ディスコチック
液晶におけるカラムナー相の分子配列の秩序度と正孔移
動度の関係について検討しており、秩序度が高くなるほ
ど、正孔移動度が大きくなることを報告している（Ａｄ
ｖ．Ｍａｔｅｒ．，１９９６，８，ｐ．８１５）。
【００１２】また、半那らはフェニルナフタレン骨格を
有する棒状液晶がスメクチックＥ（ＳｍＥ）相において
１０-2ｃｍ2／Ｖｓｅｃという移動度を示し、またこれ
が電子・正孔共に高速な両極性の電子伝導性を持つこと
を報告している（Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．，１
９９８，７３，〔２５〕ｐ．３７３３）。
有する棒状液晶がスメクチックＥ（ＳｍＥ）相において
１０-2ｃｍ2／Ｖｓｅｃという移動度を示し、またこれ
が電子・正孔共に高速な両極性の電子伝導性を持つこと
を報告している（Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．，１
９９８，７３，〔２５〕ｐ．３７３３）。
【００１３】上記のように液晶性有機化合物の自発的な
配向によって、キャリア輸送に有利な分子配列制御を行
うことができる可能性、及び該可能性により、優れたキ
ャリア輸送材料が実現する可能性がある。
配向によって、キャリア輸送に有利な分子配列制御を行
うことができる可能性、及び該可能性により、優れたキ
ャリア輸送材料が実現する可能性がある。
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】上記のように、液晶性
有機化合物はキャリア輸送の面で優れた特性を有してお
り、有機ＥＬ素子のキャリア輸送層として有望である。
有機化合物はキャリア輸送の面で優れた特性を有してお
り、有機ＥＬ素子のキャリア輸送層として有望である。
【００１５】しかしながら、本発明者等の検討によれ
ば、一般的に用いられる薄膜形成法である真空蒸着法に
よって液晶性有機化合物層をキャリア輸送層とし、有機
ＥＬ素子を構成した場合、この液晶性有機化合物層が液
晶相を示す温度で該素子を駆動した場合、実用上、十分
な発光が得られるものの、液晶の持つ流動性のために、
電流電圧特性が急速に劣化する、場合によっては液晶性
有機化合物層の上に形成された薄膜電極が剥離したり、
亀裂が入るという問題があった。
ば、一般的に用いられる薄膜形成法である真空蒸着法に
よって液晶性有機化合物層をキャリア輸送層とし、有機
ＥＬ素子を構成した場合、この液晶性有機化合物層が液
晶相を示す温度で該素子を駆動した場合、実用上、十分
な発光が得られるものの、液晶の持つ流動性のために、
電流電圧特性が急速に劣化する、場合によっては液晶性
有機化合物層の上に形成された薄膜電極が剥離したり、
亀裂が入るという問題があった。
【００１６】本発明はこのような問題点に鑑みてなされ
たもので、その課題とするところは、キャリア移動度の
高い液晶性有機化合物を利用し、安定した発光が得られ
る有機ＥＬ素子を提供することにある。
たもので、その課題とするところは、キャリア移動度の
高い液晶性有機化合物を利用し、安定した発光が得られ
る有機ＥＬ素子を提供することにある。
【００１７】
【課題を解決するための手段】本発明の第一は、少なく
とも発光層を有する有機化合物層と、該有機化合物層を
挟持する一対の電極とを備え、上記有機化合物層が少な
くとも一層の高分子化された液晶性有機化合物層を有す
ることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子
である。
とも発光層を有する有機化合物層と、該有機化合物層を
挟持する一対の電極とを備え、上記有機化合物層が少な
くとも一層の高分子化された液晶性有機化合物層を有す
ることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子
である。
【００１８】上記液晶性有機化合物としては、ディスコ
チック液晶性或いはスメクチック液晶性を有する化合物
が好ましく用いられる。
チック液晶性或いはスメクチック液晶性を有する化合物
が好ましく用いられる。
【００１９】また、本発明の第二は、上記本発明の有機
ＥＬ素子の製造方法であって、高分子化された有機化合
物層の形成工程が、真空蒸着法によって液晶性有機化合
物層を形成した後、該液晶性有機化合物が液晶相を示す
温度雰囲気下において該液晶性有機化合物を重合して高
分子化する工程であることを特徴とする。
ＥＬ素子の製造方法であって、高分子化された有機化合
物層の形成工程が、真空蒸着法によって液晶性有機化合
物層を形成した後、該液晶性有機化合物が液晶相を示す
温度雰囲気下において該液晶性有機化合物を重合して高
分子化する工程であることを特徴とする。
【００２０】上記本発明の製造方法においては、上記液
晶性有機化合物層の重合が、光重合であることを好まし
い態様として含むものである。
晶性有機化合物層の重合が、光重合であることを好まし
い態様として含むものである。
【００２１】
【発明の実施の形態】本発明の特徴は、液晶性有機化合
物を用いて有機ＥＬ素子を構成するに際し、重合性を有
する液晶性有機化合物を真空蒸着法によって成膜した後
に、液晶相状態で高分子化することで、該液晶相の配向
性を保持させ、安定したキャリア輸送層としたものであ
る。
物を用いて有機ＥＬ素子を構成するに際し、重合性を有
する液晶性有機化合物を真空蒸着法によって成膜した後
に、液晶相状態で高分子化することで、該液晶相の配向
性を保持させ、安定したキャリア輸送層としたものであ
る。
【００２２】図３に本発明の有機ＥＬ素子の製造方法の
一実施形態を模式的に示す。図中、３１は透明基板、３
２は液晶性有機化合物層、３３は高分子化液晶性有機化
合物層である。本実施形態は、高分子化液晶性有機化合
物層３３を正孔輸送層として用いる例である。
一実施形態を模式的に示す。図中、３１は透明基板、３
２は液晶性有機化合物層、３３は高分子化液晶性有機化
合物層である。本実施形態は、高分子化液晶性有機化合
物層３３を正孔輸送層として用いる例である。
【００２３】先ず、陽極として透明電極１４を備えた透
明基板３１上に真空蒸着によって液晶性有機化合物層３
２を成膜する（図３（ａ））。
明基板３１上に真空蒸着によって液晶性有機化合物層３
２を成膜する（図３（ａ））。
【００２４】本発明において用いられる液晶性有機化合
物としては、ディスコチック液晶相或いはスメクチック
液晶相を示し、該液晶性有機化合物が液晶相を示す温度
範囲において高分子化することが可能な光重合性のもの
が好ましく用いられる。このような光重合性の液晶性有
機化合物としては、例えば下記に示される構造を有する
液晶性有機化合物１〜３が挙げられる。
物としては、ディスコチック液晶相或いはスメクチック
液晶相を示し、該液晶性有機化合物が液晶相を示す温度
範囲において高分子化することが可能な光重合性のもの
が好ましく用いられる。このような光重合性の液晶性有
機化合物としては、例えば下記に示される構造を有する
液晶性有機化合物１〜３が挙げられる。
【００２５】
【化１】
【００２６】また、真空蒸着法としては、特に本発明に
おいて限定されるものではなく、成膜する液晶性有機化
合物の物性に応じて適宜条件を設定すればよい。
おいて限定されるものではなく、成膜する液晶性有機化
合物の物性に応じて適宜条件を設定すればよい。
【００２７】次に、真空蒸着法により成膜した液晶性有
機化合物層３２が液晶相を示す温度雰囲気下で紫外光を
照射し、光重合反応を生起し、高分子化する（図３
（ｂ））。この時、液晶性有機化合物の自発的な配向
は、光重合後も大きく変化しないと考えられ、キャリア
移動度はそれほど低下しない。また、光重合反応に全て
の分子が関わっていなくても、部分的に高分子化するこ
とで液晶性有機化合物層３３は安定する。
機化合物層３２が液晶相を示す温度雰囲気下で紫外光を
照射し、光重合反応を生起し、高分子化する（図３
（ｂ））。この時、液晶性有機化合物の自発的な配向
は、光重合後も大きく変化しないと考えられ、キャリア
移動度はそれほど低下しない。また、光重合反応に全て
の分子が関わっていなくても、部分的に高分子化するこ
とで液晶性有機化合物層３３は安定する。
【００２８】重合反応終了後、高分子化液晶性有機化合
物層３３上に発光層１２、陰極としての金属電極１１を
蒸着形成する。
物層３３上に発光層１２、陰極としての金属電極１１を
蒸着形成する。
【００２９】上記のようにして作成された、本発明の有
機ＥＬ素子を駆動した場合、熱や流動性が原因と見られ
る液晶性有機化合物の経時変化を高分子化によって抑制
することができる。
機ＥＬ素子を駆動した場合、熱や流動性が原因と見られ
る液晶性有機化合物の経時変化を高分子化によって抑制
することができる。
【００３０】尚、本発明において、液晶性有機化合物を
用いて構成するキャリア輸送層以外の部材については、
特に限定されない。従って、従来の有機ＥＬ素子におけ
る発光層、金属電極、透明電極、さらには、液晶性有機
化合物以外で構成されるキャリア輸送層を好ましく用い
ることができる。また、本発明にかかる高分子化液晶性
有機化合物層は、該液晶性有機化合物のキャリア輸送能
によって、正孔輸送層にも電子輸送層にも適宜用いるこ
とができる。
用いて構成するキャリア輸送層以外の部材については、
特に限定されない。従って、従来の有機ＥＬ素子におけ
る発光層、金属電極、透明電極、さらには、液晶性有機
化合物以外で構成されるキャリア輸送層を好ましく用い
ることができる。また、本発明にかかる高分子化液晶性
有機化合物層は、該液晶性有機化合物のキャリア輸送能
によって、正孔輸送層にも電子輸送層にも適宜用いるこ
とができる。
【００３１】
【実施例】（実施例１）基板として、厚さ１．１ｍｍの
ガラス基板を用いた。この基板上に陽極側透明電極とし
て厚さ約７０ｎｍのＩＴＯ膜をスパッタ法により成膜し
た。続いて、前記した液晶性有機化合物１を真空度２．
７×１０-3Ｐａの条件下で抵抗加熱蒸着法にて膜厚５０
ｎｍにて成膜した。次いで、基板温度を上記液晶性有機
化合物１がカラムナー相を示す温度に設定し、該液晶性
有機化合物１を液晶相に相転移させた後、低圧水銀灯を
用いて紫外光照射し、光重合反応を進行させ、高分子化
した。
ガラス基板を用いた。この基板上に陽極側透明電極とし
て厚さ約７０ｎｍのＩＴＯ膜をスパッタ法により成膜し
た。続いて、前記した液晶性有機化合物１を真空度２．
７×１０-3Ｐａの条件下で抵抗加熱蒸着法にて膜厚５０
ｎｍにて成膜した。次いで、基板温度を上記液晶性有機
化合物１がカラムナー相を示す温度に設定し、該液晶性
有機化合物１を液晶相に相転移させた後、低圧水銀灯を
用いて紫外光照射し、光重合反応を進行させ、高分子化
した。
【００３２】次に、上記高分子化液晶性有機化合物層上
に、真空度２．７×１０-3Ｐａの条件下で発光層として
下記の構造を有するアルミキノリノール錯体（Ａｌｑ
３）を５０ｎｍの膜厚で蒸着法にて成膜した。
に、真空度２．７×１０-3Ｐａの条件下で発光層として
下記の構造を有するアルミキノリノール錯体（Ａｌｑ
３）を５０ｎｍの膜厚で蒸着法にて成膜した。
【００３３】
【化２】
【００３４】続いて、陰極側金属電極として、Ａｌ−Ｌ
ｉ合金（Ｌｉ：１．８重量％）を膜厚１０ｎｍで真空度
２．７×１０-3Ｐａの条件下で抵抗加熱蒸着法により成
膜した。さらに、陰極を保護するために、Ａｌ−Ｌｉ層
上にＡｌを厚さ１５０ｎｍに蒸着し、有機ＥＬ素子を得
た。
ｉ合金（Ｌｉ：１．８重量％）を膜厚１０ｎｍで真空度
２．７×１０-3Ｐａの条件下で抵抗加熱蒸着法により成
膜した。さらに、陰極を保護するために、Ａｌ−Ｌｉ層
上にＡｌを厚さ１５０ｎｍに蒸着し、有機ＥＬ素子を得
た。
【００３５】得られた有機ＥＬ素子の陰極、陽極間に８
ＶのＤＣ電圧を印加すると、緑色の均一な発光が得られ
た。また、この素子を７０℃程度の高温下においても安
定な発光特性が得られた。また、陰極であるＡｌ−Ｌｉ
電極にも異常は認められなかった。
ＶのＤＣ電圧を印加すると、緑色の均一な発光が得られ
た。また、この素子を７０℃程度の高温下においても安
定な発光特性が得られた。また、陰極であるＡｌ−Ｌｉ
電極にも異常は認められなかった。
【００３６】（実施例２）前記液晶性有機化合物２と３
とを９：１の重量比で混合したものを、真空度２．７×
１０-3Ｐａの条件下で抵抗加熱蒸着法にて膜厚５０ｎｍ
にて成膜し、基板温度を上記液晶性有機化合物の混合物
がカラムナー相を示す温度に設定して、該混合物層を液
晶相状態に相転移させた後、低圧水銀灯を用いて紫外光
を照射し、光重合反応を進行させて高分子化した以外
は、実施例１と同様にして有機ＥＬ素子を作成した。
とを９：１の重量比で混合したものを、真空度２．７×
１０-3Ｐａの条件下で抵抗加熱蒸着法にて膜厚５０ｎｍ
にて成膜し、基板温度を上記液晶性有機化合物の混合物
がカラムナー相を示す温度に設定して、該混合物層を液
晶相状態に相転移させた後、低圧水銀灯を用いて紫外光
を照射し、光重合反応を進行させて高分子化した以外
は、実施例１と同様にして有機ＥＬ素子を作成した。
【００３７】得られた有機ＥＬ素子は、実施例１と同様
に８ＶのＤＣ電圧を陰極と陽極との間に印加することに
より、緑色の均一な発光が得られ、７０℃程度の温度下
においても安定な発光特性が持続した。また、陰極であ
るＡｌ−Ｌｉ電極にも異常は認められなかった。
に８ＶのＤＣ電圧を陰極と陽極との間に印加することに
より、緑色の均一な発光が得られ、７０℃程度の温度下
においても安定な発光特性が持続した。また、陰極であ
るＡｌ−Ｌｉ電極にも異常は認められなかった。
【００３８】
【発明の効果】以上説明したように、本発明においては
液晶性有機化合物が液晶相を示した状態で高分子化され
ているため、該液晶相状態が持続し、安定したＥＬ発光
が得られる。よって、従来は安定性の問題から実用が阻
まれていた環境、用途においても低いＤＣ電圧で駆動可
能な、信頼性の高い有機ＥＬ素子が提供される。
液晶性有機化合物が液晶相を示した状態で高分子化され
ているため、該液晶相状態が持続し、安定したＥＬ発光
が得られる。よって、従来は安定性の問題から実用が阻
まれていた環境、用途においても低いＤＣ電圧で駆動可
能な、信頼性の高い有機ＥＬ素子が提供される。
【図１】一般的な有機ＥＬ素子の断面構成を示す模式図
である。
である。
【図２】有機化合物層が３層構造である有機ＥＬ素子の
断面構成を示す模式図である。
断面構成を示す模式図である。
【図３】本発明の有機ＥＬ素子の製造方法の一例を示す
工程図である。
工程図である。
１０ 有機化合物層 １１ 金属電極 １２ 発光層 １３ 正孔輸送層 ２１ 電子輸送層 ３１ 透明基板 ３２ 液晶性有機化合物層 ３３ 高分子化液晶性有機化合物層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０５Ｂ 33/14 Ｈ０５Ｂ 33/14 Ｂ (72)発明者 岡田 伸二郎 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ ノン株式会社内 Ｆターム(参考） 3K007 AB04 AB06 AB18 CA01 CB01 DA01 DB03 EB00 FA01 4J011 CA01 CC04 CC10 QA03 QA33 QA46 QA48 UA01 VA01 VA04 WA01 4J100 AL08P BA04P BC48P CA01 CA04 DA66 FA28 JA39
Claims (5)
- 【請求項１】 少なくとも発光層を有する有機化合物層
と、該有機化合物層を挟持する一対の電極とを備え、上
記有機化合物層が少なくとも一層の高分子化された液晶
性有機化合物層を有することを特徴とする有機エレクト
ロルミネッセンス素子。 - 【請求項２】 上記液晶性有機化合物がディスコチック
液晶性を有する請求項１に記載の有機エレクトロルミネ
ッセンス素子。 - 【請求項３】 上記液晶性有機化合物がスメクチック液
晶性を有する請求項１に記載の有機エレクトロルミネッ
センス素子。 - 【請求項４】 請求項１〜３のいずれかに記載の有機エ
レクトロルミネッセンス素子の製造方法であって、高分
子化された液晶性有機化合物層の形成工程が、真空蒸着
法によって液晶性有機化合物層を形成した後、該液晶性
有機化合物が液晶相を示す温度雰囲気下において該液晶
性有機化合物を重合して高分子化する工程であることを
特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方
法。 - 【請求項５】 上記液晶性有機化合物の重合が、光重合
である請求項４に記載の有機エレクトロルミネッセンス
素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000240568A JP2002056983A (ja) | 2000-08-09 | 2000-08-09 | 有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000240568A JP2002056983A (ja) | 2000-08-09 | 2000-08-09 | 有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002056983A true JP2002056983A (ja) | 2002-02-22 |
Family
ID=18731900
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000240568A Withdrawn JP2002056983A (ja) | 2000-08-09 | 2000-08-09 | 有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002056983A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002348321A (ja) * | 2001-03-23 | 2002-12-04 | Jsr Corp | 高速電荷輸送材料、その製法、光電子変換デバイスおよび電界発光デバイス |
| JP2007261997A (ja) * | 2006-03-28 | 2007-10-11 | Ricoh Co Ltd | トリフェニレン化合物及びその製造方法 |
| JP2012079901A (ja) * | 2010-09-30 | 2012-04-19 | Fujifilm Corp | 有機電界発光素子用材料、膜、発光層、有機電界発光素子、及び有機電界発光素子の製造方法 |
| JP2014152164A (ja) * | 2013-02-13 | 2014-08-25 | Kurogane Kasei Co Ltd | 新規な化合物及びこれを用いた重合体 |
| JP2017132785A (ja) * | 2017-03-13 | 2017-08-03 | 黒金化成株式会社 | 新規な化合物、これを用いた重合体、硬化剤及び架橋剤 |
-
2000
- 2000-08-09 JP JP2000240568A patent/JP2002056983A/ja not_active Withdrawn
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002348321A (ja) * | 2001-03-23 | 2002-12-04 | Jsr Corp | 高速電荷輸送材料、その製法、光電子変換デバイスおよび電界発光デバイス |
| JP2007261997A (ja) * | 2006-03-28 | 2007-10-11 | Ricoh Co Ltd | トリフェニレン化合物及びその製造方法 |
| JP2012079901A (ja) * | 2010-09-30 | 2012-04-19 | Fujifilm Corp | 有機電界発光素子用材料、膜、発光層、有機電界発光素子、及び有機電界発光素子の製造方法 |
| JP2014152164A (ja) * | 2013-02-13 | 2014-08-25 | Kurogane Kasei Co Ltd | 新規な化合物及びこれを用いた重合体 |
| JP2017132785A (ja) * | 2017-03-13 | 2017-08-03 | 黒金化成株式会社 | 新規な化合物、これを用いた重合体、硬化剤及び架橋剤 |
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