JPH0963771A - 有機薄膜発光素子 - Google Patents
有機薄膜発光素子Info
- Publication number
- JPH0963771A JPH0963771A JP7217130A JP21713095A JPH0963771A JP H0963771 A JPH0963771 A JP H0963771A JP 7217130 A JP7217130 A JP 7217130A JP 21713095 A JP21713095 A JP 21713095A JP H0963771 A JPH0963771 A JP H0963771A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- light emitting
- thin film
- emitting device
- organic thin
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 81
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 29
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 26
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims abstract description 26
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 claims description 35
- 229910001925 ruthenium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 9
- WOCIAKWEIIZHES-UHFFFAOYSA-N ruthenium(iv) oxide Chemical compound O=[Ru]=O WOCIAKWEIIZHES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- XHCLAFWTIXFWPH-UHFFFAOYSA-N [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[V+5].[V+5] Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[V+5].[V+5] XHCLAFWTIXFWPH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910001935 vanadium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910000476 molybdenum oxide Inorganic materials 0.000 claims description 5
- PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N oxomolybdenum Chemical compound [Mo]=O PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 22
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 abstract description 9
- RHZWSUVWRRXEJF-UHFFFAOYSA-N indium tin Chemical compound [In].[Sn] RHZWSUVWRRXEJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 123
- 239000000463 material Substances 0.000 description 14
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 13
- 238000000034 method Methods 0.000 description 8
- -1 aromatic tertiary amines Chemical class 0.000 description 7
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 7
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 7
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000010408 film Substances 0.000 description 6
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 6
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 5
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000010405 anode material Substances 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 3
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- DCZNSJVFOQPSRV-UHFFFAOYSA-N n,n-diphenyl-4-[4-(n-phenylanilino)phenyl]aniline Chemical class C1=CC=CC=C1N(C=1C=CC(=CC=1)C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 DCZNSJVFOQPSRV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 3
- KAKZBPTYRLMSJV-UHFFFAOYSA-N Butadiene Chemical class C=CC=C KAKZBPTYRLMSJV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 150000004985 diamines Chemical class 0.000 description 2
- 230000005281 excited state Effects 0.000 description 2
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 150000004866 oxadiazoles Chemical class 0.000 description 2
- 125000002080 perylenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 description 2
- 229920000553 poly(phenylenevinylene) Polymers 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 2
- UWRZIZXBOLBCON-VOTSOKGWSA-N (e)-2-phenylethenamine Chemical class N\C=C\C1=CC=CC=C1 UWRZIZXBOLBCON-VOTSOKGWSA-N 0.000 description 1
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 1
- 238000009125 cardiac resynchronization therapy Methods 0.000 description 1
- 239000010406 cathode material Substances 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 239000000284 extract Substances 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005283 ground state Effects 0.000 description 1
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 150000002605 large molecules Chemical class 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- DGBWPZSGHAXYGK-UHFFFAOYSA-N perinone Chemical class C12=NC3=CC=CC=C3N2C(=O)C2=CC=C3C4=C2C1=CC=C4C(=O)N1C2=CC=CC=C2N=C13 DGBWPZSGHAXYGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N phthalocyanine Chemical class N1C(N=C2C3=CC=CC=C3C(N=C3C4=CC=CC=C4C(=N4)N3)=N2)=C(C=CC=C2)C2=C1N=C1C2=CC=CC=C2C4=N1 IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 150000003219 pyrazolines Chemical class 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 description 1
- 150000003384 small molecules Chemical class 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 230000009897 systematic effect Effects 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011135 tin Substances 0.000 description 1
- 238000004402 ultra-violet photoelectron spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
- H10K50/81—Anodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
- H10K50/81—Anodes
- H10K50/816—Multilayers, e.g. transparent multilayers
Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 仕事関数がインジウム錫酸化物(ITO)よ
りも大きな金属酸化物薄膜を陽極に用いることで、正孔
輸送層あるいは発光層とのエネルギー障壁を低減させ、
低電圧で発光可能でかつ発光効率が高い有機薄膜発光素
子を提供する。 【解決手段】 基板10上に陽極12が形成され、その
上に正孔輸送層18、発光層16等の有機化合物層及び
陰極14が形成されている有機薄膜発光素子であって、
陽極12が、仕事関数がITOよりも大きな金属酸化物
薄膜あるいはITOとの2層構造薄膜により形成されて
いる。
りも大きな金属酸化物薄膜を陽極に用いることで、正孔
輸送層あるいは発光層とのエネルギー障壁を低減させ、
低電圧で発光可能でかつ発光効率が高い有機薄膜発光素
子を提供する。 【解決手段】 基板10上に陽極12が形成され、その
上に正孔輸送層18、発光層16等の有機化合物層及び
陰極14が形成されている有機薄膜発光素子であって、
陽極12が、仕事関数がITOよりも大きな金属酸化物
薄膜あるいはITOとの2層構造薄膜により形成されて
いる。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は平面発光ディスプレ
イに用いる発光素子に関するものであり、特に発光物質
として蛍光性有機化合物を利用した有機薄膜発光素子の
改良に関するものである。
イに用いる発光素子に関するものであり、特に発光物質
として蛍光性有機化合物を利用した有機薄膜発光素子の
改良に関するものである。
【0002】
【従来の技術】近年、情報化社会の進歩に伴い、従来の
CRTよりも低消費電力でかつ薄型のディスプレイへの
ニーズが高まっている。この様なディスプレイとしては
液晶ディスプレイやプラズマディスプレイがあり、すで
に実用化されている。しかし、時代のニーズはさらに高
度化し、さらに低消費電力化、鮮明なフルカラー化が望
まれている。
CRTよりも低消費電力でかつ薄型のディスプレイへの
ニーズが高まっている。この様なディスプレイとしては
液晶ディスプレイやプラズマディスプレイがあり、すで
に実用化されている。しかし、時代のニーズはさらに高
度化し、さらに低消費電力化、鮮明なフルカラー化が望
まれている。
【0003】最近、それらのニーズを背景に、有機化合
物を利用した有機薄膜発光素子への期待が高まってい
る。これまでに報告されている素子の構造としては、陽
極および陰極の間に1層または複数層の有機化合物層が
挟まれた構造となっており、有機化合物層としては2層
構造あるいは3層構造がある。
物を利用した有機薄膜発光素子への期待が高まってい
る。これまでに報告されている素子の構造としては、陽
極および陰極の間に1層または複数層の有機化合物層が
挟まれた構造となっており、有機化合物層としては2層
構造あるいは3層構造がある。
【0004】2層構造の例としては、陽極と陰極との間
に正孔輸送層と発光層が形成された構造(特開昭59−
194393、Appl.Phys.Lett.51,
913(1987))又は陽極と陰極との間に発光層と
電子輸送層とが形成された構造(USP No.5,0
85947、特開平2−250952、Appl.Ph
ys.Lett.55.P1489(1989))があ
る。また、3層構造の例としては、陽極と陰極との間に
正孔輸送層と発光層と電子輸送層とが形成された構造
(Appl.Phys.Lett.57,531(19
90))がある。また、単一層に全ての役割を持たせた
単層構造(Nature,347,539(199
0)、Appl.Phys.Lett.61,761
(1992))も高分子や混合系で報告されている。こ
れらの素子構造が図6,7,8,9に示される。
に正孔輸送層と発光層が形成された構造(特開昭59−
194393、Appl.Phys.Lett.51,
913(1987))又は陽極と陰極との間に発光層と
電子輸送層とが形成された構造(USP No.5,0
85947、特開平2−250952、Appl.Ph
ys.Lett.55.P1489(1989))があ
る。また、3層構造の例としては、陽極と陰極との間に
正孔輸送層と発光層と電子輸送層とが形成された構造
(Appl.Phys.Lett.57,531(19
90))がある。また、単一層に全ての役割を持たせた
単層構造(Nature,347,539(199
0)、Appl.Phys.Lett.61,761
(1992))も高分子や混合系で報告されている。こ
れらの素子構造が図6,7,8,9に示される。
【0005】図6には、基板10上に設けられた陽極1
2と陰極14との間に単一の有機化合物層である発光層
16が形成された単層構造の例が示される。この場合の
発光層16は、正孔輸送層及び電子輸送層の機能も果た
している。
2と陰極14との間に単一の有機化合物層である発光層
16が形成された単層構造の例が示される。この場合の
発光層16は、正孔輸送層及び電子輸送層の機能も果た
している。
【0006】図7には、基板10上に設けられた陽極1
2と陰極14との間に有機化合物層である発光層16と
正孔輸送層18とが形成された2層構造の例が示され
る。この場合の発光層16は、電子輸送層の機能も果た
している。
2と陰極14との間に有機化合物層である発光層16と
正孔輸送層18とが形成された2層構造の例が示され
る。この場合の発光層16は、電子輸送層の機能も果た
している。
【0007】図8には、基板10上に設けられた陽極1
2と陰極14との間に有機化合物層である発光層16と
電子輸送層20とが形成された2層構造の例が示され
る。この場合の発光層16は、正孔輸送層の機能も果た
している。
2と陰極14との間に有機化合物層である発光層16と
電子輸送層20とが形成された2層構造の例が示され
る。この場合の発光層16は、正孔輸送層の機能も果た
している。
【0008】図9には、基板10上に設けられた陽極1
2と陰極14との間に有機化合物層である発光層16と
正孔輸送層18と電子輸送層20とが形成された3層構
造の例が示される。
2と陰極14との間に有機化合物層である発光層16と
正孔輸送層18と電子輸送層20とが形成された3層構
造の例が示される。
【0009】これら有機薄膜発光素子における発光メカ
ニズムは、陽極から注入された正孔と陰極から注入され
た電子とが、正孔輸送層18あるいは電子輸送層20を
介して発光層16に到達し、そこで再結合することによ
って発光層16を構成する有機化合物の励起状態を作り
出し、その励起状態が基底状態に戻るときに有機化合物
の蛍光と同じ波長の光を放出するというものである。
ニズムは、陽極から注入された正孔と陰極から注入され
た電子とが、正孔輸送層18あるいは電子輸送層20を
介して発光層16に到達し、そこで再結合することによ
って発光層16を構成する有機化合物の励起状態を作り
出し、その励起状態が基底状態に戻るときに有機化合物
の蛍光と同じ波長の光を放出するというものである。
【0010】発光層用材料として用いられる有機化合物
は強い蛍光性を示す材料である。上記正孔輸送層18、
発光層16、電子輸送層20に使用可能な材料として
は、これまで様々な有機化合物が報告されている。たと
えば、正孔輸送層18の材料としては、芳香族3級アミ
ンが報告されている。
は強い蛍光性を示す材料である。上記正孔輸送層18、
発光層16、電子輸送層20に使用可能な材料として
は、これまで様々な有機化合物が報告されている。たと
えば、正孔輸送層18の材料としては、芳香族3級アミ
ンが報告されている。
【0011】また、発光層16の材料としては、以下の
化学式で表されるアルミニウムトリスオキシン(特開昭
59−194393、特開昭63−295695)
化学式で表されるアルミニウムトリスオキシン(特開昭
59−194393、特開昭63−295695)
【化1】 や、スチリルアミン誘導体、スチリルベンゼン誘導体
(特開平2−209988)が報告されている。
(特開平2−209988)が報告されている。
【0012】また、電子輸送層20の材料としては、オ
キサジアゾール誘導体等(Appl.Phys.Let
t.63,2032(1993))が報告されている。
キサジアゾール誘導体等(Appl.Phys.Let
t.63,2032(1993))が報告されている。
【0013】これら低分子量の化合物ばかりではなく、
高分子量の化合物でも多くの報告例があり、特にポリ
(P−フェニレンビニレン)系誘導体(Nature,
347,539(1990))は、単層構造の素子でも
良好な特性が得られている。
高分子量の化合物でも多くの報告例があり、特にポリ
(P−フェニレンビニレン)系誘導体(Nature,
347,539(1990))は、単層構造の素子でも
良好な特性が得られている。
【0014】これらの材料を使用した有機薄膜発光素子
は、その発光色や明るさから見て、発光素子としての性
能は十分に実用レベルにある。
は、その発光色や明るさから見て、発光素子としての性
能は十分に実用レベルにある。
【0015】
【発明が解決しようとする課題】しかし、これら有機薄
膜発光素子は未だ実用に至っていない。その最大の原因
は素子の耐久性が乏しいことにある。
膜発光素子は未だ実用に至っていない。その最大の原因
は素子の耐久性が乏しいことにある。
【0016】これまで、様々な素子構造および有機化合
物を採用することにより、初期的には数1000cd/
m2 の高輝度が直流電圧10V程度で達成されている
が、連続駆動あるいは長期保存によって輝度の低下と駆
動電圧の上昇といった特性の劣化が起り、これが有機薄
膜発光素子の実用化を妨げている。この素子寿命を支配
している要因は幾つか報告されているが、従来は薄膜の
耐熱性がその主要因であると考えられていた。そのた
め、有機化合物層の膜構造を安定化させるために、熱安
定性に優れた、つまり軟化温度(Tg)や融点の高い有
機化合物の合成が試みられている(Appl.Phy
s.Lett.61,2503(1992))。
物を採用することにより、初期的には数1000cd/
m2 の高輝度が直流電圧10V程度で達成されている
が、連続駆動あるいは長期保存によって輝度の低下と駆
動電圧の上昇といった特性の劣化が起り、これが有機薄
膜発光素子の実用化を妨げている。この素子寿命を支配
している要因は幾つか報告されているが、従来は薄膜の
耐熱性がその主要因であると考えられていた。そのた
め、有機化合物層の膜構造を安定化させるために、熱安
定性に優れた、つまり軟化温度(Tg)や融点の高い有
機化合物の合成が試みられている(Appl.Phy
s.Lett.61,2503(1992))。
【0017】しかし最近、以下の化学式で表される芳香
族3級アミンのトリフェニルジアミン誘導体
族3級アミンのトリフェニルジアミン誘導体
【化2】 を中心にした系統的な実験から、素子の寿命はこれら軟
化温度や融点よりも正孔輸送層のイオン化ポテンシャル
に関係していることが報告されている(Appl.Ph
ys.Lett.,66,2679(1995))。こ
れは、陽極である酸化錫インジウム(ITO)と正孔輸
送層のエネルギー障壁すなわちITO電極のフェルミ準
位と正孔輸送層の最高占有準位のエネルギー差が小さい
ほど素子の寿命が長くなることを意味している。
化温度や融点よりも正孔輸送層のイオン化ポテンシャル
に関係していることが報告されている(Appl.Ph
ys.Lett.,66,2679(1995))。こ
れは、陽極である酸化錫インジウム(ITO)と正孔輸
送層のエネルギー障壁すなわちITO電極のフェルミ準
位と正孔輸送層の最高占有準位のエネルギー差が小さい
ほど素子の寿命が長くなることを意味している。
【0018】一般に、ITO電極のフェルミ準位は4.
6eV(Nature,Vol.370,354(19
94))であることが知られており、この値は仕事関数
に対応している。また、正孔輸送層に使用される代表的
なジアミン誘導体であるトリフェニルジアミン(TP
D)の最高占有準位は5.5eV(Appl.Phy
s.Lett.,61,2503(1992))である
ことが知られており、この値はイオン化ポテンシャルに
対応している。
6eV(Nature,Vol.370,354(19
94))であることが知られており、この値は仕事関数
に対応している。また、正孔輸送層に使用される代表的
なジアミン誘導体であるトリフェニルジアミン(TP
D)の最高占有準位は5.5eV(Appl.Phy
s.Lett.,61,2503(1992))である
ことが知られており、この値はイオン化ポテンシャルに
対応している。
【0019】上述のTPDを正孔輸送層に使用する場
合、正孔キャリアにとってはITO電極と正孔輸送層と
の間に約0.9eVの障壁が存在することになる。この
エネルギー差が小さければ障壁部に無理な電圧がかかる
必要がなく、素子の発熱が抑えられる。多くのジアミン
誘導体でイオン化ポテンシャルの大きな材料の合成が試
みられているが、有機材料からのアプローチだけでは障
壁低減に限界がある。従って、電極材料を改良して、従
来のITOよりも仕事関数の大きな透明電極を開発する
ことが望まれている。
合、正孔キャリアにとってはITO電極と正孔輸送層と
の間に約0.9eVの障壁が存在することになる。この
エネルギー差が小さければ障壁部に無理な電圧がかかる
必要がなく、素子の発熱が抑えられる。多くのジアミン
誘導体でイオン化ポテンシャルの大きな材料の合成が試
みられているが、有機材料からのアプローチだけでは障
壁低減に限界がある。従って、電極材料を改良して、従
来のITOよりも仕事関数の大きな透明電極を開発する
ことが望まれている。
【0020】尚、発光層が正孔輸送層の機能も果たして
いる型の素子の場合は、陽極と発光層との間のエネルギ
ー障壁が問題となる。例えば、イオン化ポテンシャルが
5.0eVのポリ(P−フェニレンビニレン)の場合、
0.4eVの障壁が存在することになる(Natur
e,370,354(1990))。
いる型の素子の場合は、陽極と発光層との間のエネルギ
ー障壁が問題となる。例えば、イオン化ポテンシャルが
5.0eVのポリ(P−フェニレンビニレン)の場合、
0.4eVの障壁が存在することになる(Natur
e,370,354(1990))。
【0021】本発明は上記従来の課題に鑑みなされたも
のであり、その目的は、仕事関数が従来の陽極材料であ
るITOよりも大きい金属酸化物薄膜を用いて正孔輸送
層あるいは発光層とのエネルギー障壁を低減させ、駆動
電圧が低下でき発光性能が長時間に亘って保持できる耐
久性に優れた有機薄膜発光素子を提供することにある。
のであり、その目的は、仕事関数が従来の陽極材料であ
るITOよりも大きい金属酸化物薄膜を用いて正孔輸送
層あるいは発光層とのエネルギー障壁を低減させ、駆動
電圧が低下でき発光性能が長時間に亘って保持できる耐
久性に優れた有機薄膜発光素子を提供することにある。
【0022】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、請求項1記載の発明は、陽極および陰極と、これら
に挟まれた1層または複数層の有機化合物層より構成さ
れる有機薄膜発光素子において、前記陽極が、仕事関数
が酸化錫インジウム(ITO)よりも大きな金属酸化物
薄膜からなることを特徴とする。
に、請求項1記載の発明は、陽極および陰極と、これら
に挟まれた1層または複数層の有機化合物層より構成さ
れる有機薄膜発光素子において、前記陽極が、仕事関数
が酸化錫インジウム(ITO)よりも大きな金属酸化物
薄膜からなることを特徴とする。
【0023】請求項2記載の発明は、請求項1記載の有
機薄膜発光素子において、前記陽極を、膜厚500オン
グストロームから2000オングストロームの範囲のI
TO薄膜と50オングストロームから300オングスト
ロームの範囲の金属酸化物薄膜とにより2層構造とした
ことを特徴とする。
機薄膜発光素子において、前記陽極を、膜厚500オン
グストロームから2000オングストロームの範囲のI
TO薄膜と50オングストロームから300オングスト
ロームの範囲の金属酸化物薄膜とにより2層構造とした
ことを特徴とする。
【0024】請求項3記載の発明は、請求項1記載の有
機薄膜発光素子において、前記有機化合物層が発光層で
あることを特徴とする。
機薄膜発光素子において、前記有機化合物層が発光層で
あることを特徴とする。
【0025】請求項4記載の発明は、請求項1記載の有
機薄膜発光素子において、前記有機化合物層が正孔輸送
層と発光層とからなることを特徴とする。
機薄膜発光素子において、前記有機化合物層が正孔輸送
層と発光層とからなることを特徴とする。
【0026】請求項5記載の発明は、請求項1記載の有
機薄膜発光素子において、前記有機化合物層が発光層と
電子輸送層とからなることを特徴とする。
機薄膜発光素子において、前記有機化合物層が発光層と
電子輸送層とからなることを特徴とする。
【0027】請求項6記載の発明は、請求項1記載の有
機薄膜発光素子において、前記有機化合物層が正孔輸送
層と発光層と電子輸送層とからなることを特徴とする。
機薄膜発光素子において、前記有機化合物層が正孔輸送
層と発光層と電子輸送層とからなることを特徴とする。
【0028】請求項7記載の発明は、請求項1記載の有
機薄膜発光素子において、前記金属酸化物は、酸化バナ
ジウム、酸化ルテニウム、酸化モリブデンなどの仕事関
数が4.6eVよりも大きな酸化物であることを特徴と
する。
機薄膜発光素子において、前記金属酸化物は、酸化バナ
ジウム、酸化ルテニウム、酸化モリブデンなどの仕事関
数が4.6eVよりも大きな酸化物であることを特徴と
する。
【0029】
【発明の実施の形態】以下、本発明の好適な実施の形態
を図面に基づいて説明する。
を図面に基づいて説明する。
【0030】図1には、本発明に係る有機薄膜発光素子
の断面図が示される。図1において、ガラス等の基板1
0の上に陽極12が形成され、陽極12の上にTPDか
らなる正孔輸送層18が形成され、正孔輸送層18の上
にアルミキノリノール錯体(Alq)からなる発光層1
6が形成され、発光層16の上にMgAg合金からなる
陰極14が形成されている。
の断面図が示される。図1において、ガラス等の基板1
0の上に陽極12が形成され、陽極12の上にTPDか
らなる正孔輸送層18が形成され、正孔輸送層18の上
にアルミキノリノール錯体(Alq)からなる発光層1
6が形成され、発光層16の上にMgAg合金からなる
陰極14が形成されている。
【0031】陽極12としては、従来の陽極材料である
ITOよりも仕事関数が大きく導電性が高い材料が使用
される。たとえば、ルテニウム酸化物(RuOx )、モ
リブデン酸化物(MoOx )、バナジウム酸化物(VO
x )などが好ましい。
ITOよりも仕事関数が大きく導電性が高い材料が使用
される。たとえば、ルテニウム酸化物(RuOx )、モ
リブデン酸化物(MoOx )、バナジウム酸化物(VO
x )などが好ましい。
【0032】表1には、各金属酸化物薄膜の仕事関数の
例が示される。これらの値は、大気中紫外光電子分光法
で実測したものである。表1に示された金属酸化物薄膜
の仕事関数は、ITOよりも大きな値となっており、本
発明に係る有機薄膜発光素子の陽極材料として使用が可
能である。
例が示される。これらの値は、大気中紫外光電子分光法
で実測したものである。表1に示された金属酸化物薄膜
の仕事関数は、ITOよりも大きな値となっており、本
発明に係る有機薄膜発光素子の陽極材料として使用が可
能である。
【0033】
【表1】 これらの金属酸化物薄膜の中で光の透過性の乏しいもの
はITOとの2層構造の電極とする。この例が図2に示
される。図2においては、基板10の上にITO層22
が形成され、ITO層22の上に金属酸化物薄膜24が
形成されて2層構造の陽極12が構成されている。尚、
金属酸化物薄膜24の上には所定の有機化合物層及び陰
極が形成されているが図示は省略した。
はITOとの2層構造の電極とする。この例が図2に示
される。図2においては、基板10の上にITO層22
が形成され、ITO層22の上に金属酸化物薄膜24が
形成されて2層構造の陽極12が構成されている。尚、
金属酸化物薄膜24の上には所定の有機化合物層及び陰
極が形成されているが図示は省略した。
【0034】陽極を2層構造とした場合の金属酸化物薄
膜24の膜厚は300オングストローム以下で50オン
グストローム以上が好ましい。ITOの膜厚は500オ
ングストロームから2000オングストロームの範囲と
する。金属酸化物薄膜の作製は、電子ビーム蒸着、直流
スパッタ法、RFマグネトロンスパッタ法、ICB蒸着
法など、酸化物薄膜を作製するのに用いられる方法であ
れば、その作製方法は限定されない。
膜24の膜厚は300オングストローム以下で50オン
グストローム以上が好ましい。ITOの膜厚は500オ
ングストロームから2000オングストロームの範囲と
する。金属酸化物薄膜の作製は、電子ビーム蒸着、直流
スパッタ法、RFマグネトロンスパッタ法、ICB蒸着
法など、酸化物薄膜を作製するのに用いられる方法であ
れば、その作製方法は限定されない。
【0035】本発明に用いることができる有機化合物
は、図1に示されたものだけではなく、従来公知の材料
すべてが適用される。たとえば、正孔輸送層材料として
は、芳香族3級アミン(USP No.4,175,9
60,USP No.4,539,507、Phil.
Mag.B,53,193(1986))、フタロシア
ニン誘導体やピラゾリン誘導体が挙げられ、特に芳香族
3級アミンは最も有用な化合物である。発光層用材料と
しては、金属キレート化オキシノイド化合物(特開昭5
9−194393)、オキサジアゾール誘導体、ブタジ
エン誘導体、ペリレン誘導体、スチリルベンゼン誘導体
(特開平2−247277)、ペリノン誘導体等が挙げ
られる。電子輸送層材料としては、オキサジアゾール化
合物(Appl.Phys.Lett.55,1489
(1989))、ブタジエン誘導体、ペリレン誘導体な
どが挙げられ、また、金属キレート化オキシノイド化合
物(特開昭59−194393)も使用できる。
は、図1に示されたものだけではなく、従来公知の材料
すべてが適用される。たとえば、正孔輸送層材料として
は、芳香族3級アミン(USP No.4,175,9
60,USP No.4,539,507、Phil.
Mag.B,53,193(1986))、フタロシア
ニン誘導体やピラゾリン誘導体が挙げられ、特に芳香族
3級アミンは最も有用な化合物である。発光層用材料と
しては、金属キレート化オキシノイド化合物(特開昭5
9−194393)、オキサジアゾール誘導体、ブタジ
エン誘導体、ペリレン誘導体、スチリルベンゼン誘導体
(特開平2−247277)、ペリノン誘導体等が挙げ
られる。電子輸送層材料としては、オキサジアゾール化
合物(Appl.Phys.Lett.55,1489
(1989))、ブタジエン誘導体、ペリレン誘導体な
どが挙げられ、また、金属キレート化オキシノイド化合
物(特開昭59−194393)も使用できる。
【0036】陰極材料は、仕事関数の小さい銀、錫、マ
グネシウム、アルミニウム、カルシウム、あるいはこれ
らの合金が用いられる。また、アルミニウムやゲルマニ
ウムをドープした酸化亜鉛も透明な陰極として利用でき
る。陽極と陰極の少なくとも一方は素子の発光波長域で
十分に透明であることが望ましい。
グネシウム、アルミニウム、カルシウム、あるいはこれ
らの合金が用いられる。また、アルミニウムやゲルマニ
ウムをドープした酸化亜鉛も透明な陰極として利用でき
る。陽極と陰極の少なくとも一方は素子の発光波長域で
十分に透明であることが望ましい。
【0037】本発明に係る有機薄膜発光素子は、図1に
示されるように、以上の各層をガラス基板やシリコンな
どの半導体基板上に順次積層することで素子として構成
される。これらは、素子の安定性、特に大気中の水分に
対する保護のために、シリコンオイル等と一緒にガラス
セルに封入するようにしてもよい。
示されるように、以上の各層をガラス基板やシリコンな
どの半導体基板上に順次積層することで素子として構成
される。これらは、素子の安定性、特に大気中の水分に
対する保護のために、シリコンオイル等と一緒にガラス
セルに封入するようにしてもよい。
【0038】尚、本発明に係る有機薄膜発光素子は、図
1に示される構造に限られるものではなく、必要により
図6,7,8,9に示されるような構造とすることもで
きる。
1に示される構造に限られるものではなく、必要により
図6,7,8,9に示されるような構造とすることもで
きる。
【0039】以下、本発明に係る有機薄膜発光素子の具
体例を実施例によりさらに詳細に説明する。
体例を実施例によりさらに詳細に説明する。
【0040】
【実施例】 実施例1.本実施例では、金属酸化物薄膜の作製方法と
その特性について示す。
その特性について示す。
【0041】表1に示された各材料を使用してガラス基
板上に高周波マグネトロンスパッタ法により金属酸化物
薄膜を形成した。この金属酸化物薄膜の形成条件及び特
性が表2に示される。
板上に高周波マグネトロンスパッタ法により金属酸化物
薄膜を形成した。この金属酸化物薄膜の形成条件及び特
性が表2に示される。
【0042】
【表2】 基板温度は150℃で、スパッタガス圧は2×10-3T
orr(0.27Pa)とした。酸化モリブデン薄膜と
酸化ルテニウム薄膜が高い導電性を示し、酸化バナジウ
ム薄膜は半導体的であった。これらの金属酸化物薄膜は
着色しており、表2に示されるように可視域での光の透
過性が低いので、上述の通りITOとともに2層構造と
するのが好ましい。表2には、各金属酸化物薄膜の典型
的な組成も参考として示される。この組成は、スパッタ
成膜の条件(ガスの圧力、ガスの種類)によって若干変
動する。
orr(0.27Pa)とした。酸化モリブデン薄膜と
酸化ルテニウム薄膜が高い導電性を示し、酸化バナジウ
ム薄膜は半導体的であった。これらの金属酸化物薄膜は
着色しており、表2に示されるように可視域での光の透
過性が低いので、上述の通りITOとともに2層構造と
するのが好ましい。表2には、各金属酸化物薄膜の典型
的な組成も参考として示される。この組成は、スパッタ
成膜の条件(ガスの圧力、ガスの種類)によって若干変
動する。
【0043】表3には、ITOと前述の金属酸化物薄膜
とを積層した、図2に示されるような2層構造電極の導
電性と光透過率が示される。金属酸化物薄膜の膜厚は透
明性を高めるために、300オングストローム以下にし
た。また、ITOの膜厚は1200オングストロームと
した。
とを積層した、図2に示されるような2層構造電極の導
電性と光透過率が示される。金属酸化物薄膜の膜厚は透
明性を高めるために、300オングストローム以下にし
た。また、ITOの膜厚は1200オングストロームと
した。
【0044】本実施例の場合、電極を2層構造とするこ
とで、その表面抵抗は約25Ω/□に設定することがで
きた。また、光透過率は、表2に示された各金属酸化物
薄膜の値よりも向上させることができた。
とで、その表面抵抗は約25Ω/□に設定することがで
きた。また、光透過率は、表2に示された各金属酸化物
薄膜の値よりも向上させることができた。
【0045】
【表3】 実施例2.本実施例では、図1に示される構造の有機薄
膜発光素子を製作し、その特性を評価した。
膜発光素子を製作し、その特性を評価した。
【0046】ガラス基板上に実施例1の方法により約1
500オングストロームの酸化バナジウム薄膜からなる
陽極を形成した。その陽極上に、真空蒸着法により、真
空度約2×10-7Torr(2.7×10-5Pa)、蒸
着速度約30オングストローム/分の条件でTPDを約
500オングストローム形成し、正孔輸送層とした。発
光層としてはアルミキノリノール錯体を用いた。陰極と
しては、真空度1×10-6Torr(1.3×10-4P
a)、蒸着速度約150オングストローム/分でMgと
Agの合金(Mg:Ag=10:1)を約1800オン
グストローム形成した。素子1個のサイズは3mm×3
mmであり、25mm×35mmの基板上に15個作製
した。
500オングストロームの酸化バナジウム薄膜からなる
陽極を形成した。その陽極上に、真空蒸着法により、真
空度約2×10-7Torr(2.7×10-5Pa)、蒸
着速度約30オングストローム/分の条件でTPDを約
500オングストローム形成し、正孔輸送層とした。発
光層としてはアルミキノリノール錯体を用いた。陰極と
しては、真空度1×10-6Torr(1.3×10-4P
a)、蒸着速度約150オングストローム/分でMgと
Agの合金(Mg:Ag=10:1)を約1800オン
グストローム形成した。素子1個のサイズは3mm×3
mmであり、25mm×35mmの基板上に15個作製
した。
【0047】以上のように作製した有機薄膜発光素子の
陽極側に正、陰極側に負の直流電圧を印加し、ガラス基
板側からの発光を観察したところ、印加電圧3Vで1c
d/m2 で緑色の発光を開始し、緑色発光が長時間に亘
って観察された。従って、1cd/m2 の輝度が得られ
る印加電圧を発光開始電圧とすれば、本実施例の素子の
発光開始電圧は3Vであった。更に、5V印加では20
cd/m2 の輝度を示した。最高輝度は印加電圧12V
で300cd/m2 であった。
陽極側に正、陰極側に負の直流電圧を印加し、ガラス基
板側からの発光を観察したところ、印加電圧3Vで1c
d/m2 で緑色の発光を開始し、緑色発光が長時間に亘
って観察された。従って、1cd/m2 の輝度が得られ
る印加電圧を発光開始電圧とすれば、本実施例の素子の
発光開始電圧は3Vであった。更に、5V印加では20
cd/m2 の輝度を示した。最高輝度は印加電圧12V
で300cd/m2 であった。
【0048】比較例1.ガラス基板上に高周波マグネト
ロンスパッタ法でITOを1500オングストローム成
膜して陽極とし、その上に、実施例2と同様の方法で、
正孔輸送層、発光層、MgAg電極を真空蒸着し、比較
用の素子を作製した。この比較用の素子では、1cd/
m2 の輝度が得られる印加電圧すなわち発光開始電圧は
5Vであった。最高輝度は印加電圧15Vで5000c
d/m2 の性能が得られた。駆動電流10mA/cm2
での発光効率は約0.85lm/Wであった。この素子
の発光寿命を10mA/cm2 の駆動条件で測定したと
ころ、図4に示されるように、半減寿命(初期輝度の半
分に低下するまでの時間)が80時間であった。
ロンスパッタ法でITOを1500オングストローム成
膜して陽極とし、その上に、実施例2と同様の方法で、
正孔輸送層、発光層、MgAg電極を真空蒸着し、比較
用の素子を作製した。この比較用の素子では、1cd/
m2 の輝度が得られる印加電圧すなわち発光開始電圧は
5Vであった。最高輝度は印加電圧15Vで5000c
d/m2 の性能が得られた。駆動電流10mA/cm2
での発光効率は約0.85lm/Wであった。この素子
の発光寿命を10mA/cm2 の駆動条件で測定したと
ころ、図4に示されるように、半減寿命(初期輝度の半
分に低下するまでの時間)が80時間であった。
【0049】比較例2.ガラス基板上に高周波マグネト
ロンスパッタ法でIn2 O3 を1500オングストロー
ム成膜し、その上に、実施例2と同様の方法で、正孔輸
送層、発光層、MgAg電極を真空蒸着し、比較用の素
子を作製した。この比較用の素子では、1cd/m2 の
輝度が得られる発光開始電圧は7Vで、最高輝度は印加
電圧15Vで4000cd/m2 であった。
ロンスパッタ法でIn2 O3 を1500オングストロー
ム成膜し、その上に、実施例2と同様の方法で、正孔輸
送層、発光層、MgAg電極を真空蒸着し、比較用の素
子を作製した。この比較用の素子では、1cd/m2 の
輝度が得られる発光開始電圧は7Vで、最高輝度は印加
電圧15Vで4000cd/m2 であった。
【0050】比較例3.ガラス基板上に高周波マグネト
ロンスパッタ法でSnO2 を1500オングストローム
成膜し、その上に、実施例2と同様の方法で、正孔輸送
層、発光層、MgAg電極を真空蒸着した。この素子で
は、1cd/m2 の輝度が得られる発光開始電圧は7V
で、最高輝度は印加電圧15Vで4000cd/m2 で
あった。
ロンスパッタ法でSnO2 を1500オングストローム
成膜し、その上に、実施例2と同様の方法で、正孔輸送
層、発光層、MgAg電極を真空蒸着した。この素子で
は、1cd/m2 の輝度が得られる発光開始電圧は7V
で、最高輝度は印加電圧15Vで4000cd/m2 で
あった。
【0051】このように、実施例2と比較例1、2、3
とを比較すると、本発明による素子では発光開始電圧が
低減していることが分った。しかし、酸化バナジウム電
極の光透過性が低いため、十分な輝度が達成できなかっ
た。そこで、ITO薄膜との積層によって光透過性を改
善した2層電極での実施例を次に示す。
とを比較すると、本発明による素子では発光開始電圧が
低減していることが分った。しかし、酸化バナジウム電
極の光透過性が低いため、十分な輝度が達成できなかっ
た。そこで、ITO薄膜との積層によって光透過性を改
善した2層電極での実施例を次に示す。
【0052】実施例3.高周波マグネトロンスパッタ法
で、ガラス基板上に1200オングストロームのITO
と300オングストロームの酸化バナジウム薄膜を連続
して成膜して2層構造電極(透明電極)を形成した。こ
の電極上に実施例2と同様に、正孔輸送層を約500オ
ングストローム、発光層を約500オングストローム、
MgAg電極を約1800オングストローム成膜して有
機薄膜発光素子を作製した。この有機薄膜発光素子の発
光開始電圧と発光効率を測定した結果が表4に示され
る。
で、ガラス基板上に1200オングストロームのITO
と300オングストロームの酸化バナジウム薄膜を連続
して成膜して2層構造電極(透明電極)を形成した。こ
の電極上に実施例2と同様に、正孔輸送層を約500オ
ングストローム、発光層を約500オングストローム、
MgAg電極を約1800オングストローム成膜して有
機薄膜発光素子を作製した。この有機薄膜発光素子の発
光開始電圧と発光効率を測定した結果が表4に示され
る。
【0053】
【表4】 表4に示されるように、この素子の発光開始電圧は3V
であった。また、図5に示されるように、わずか5Vの
印加で100cd/m2 もの輝度が観察された。最高輝
度は12Vで5000cd/m2 であり、発光効率は
0.92lm/W(駆動電流10mA/cm2 )であっ
た。この素子の半減寿命を10mA/cm2 の駆動条件
で測定したところ、図4に示されるように、100時間
以上であった。ITOのみを用いた素子にくらべ、より
低い印加電圧で強い発光が可能であり発光効率も改善さ
れ、かつ、発光寿命も長くなることが分った。
であった。また、図5に示されるように、わずか5Vの
印加で100cd/m2 もの輝度が観察された。最高輝
度は12Vで5000cd/m2 であり、発光効率は
0.92lm/W(駆動電流10mA/cm2 )であっ
た。この素子の半減寿命を10mA/cm2 の駆動条件
で測定したところ、図4に示されるように、100時間
以上であった。ITOのみを用いた素子にくらべ、より
低い印加電圧で強い発光が可能であり発光効率も改善さ
れ、かつ、発光寿命も長くなることが分った。
【0054】更に、酸化バナジウム薄膜を100オング
ストロームとした2層構造電極の場合、発光開始電圧は
3Vで上述の例と変わらなかったが、最高輝度が高くな
り、発光効率は1.0lm/Wとなった。
ストロームとした2層構造電極の場合、発光開始電圧は
3Vで上述の例と変わらなかったが、最高輝度が高くな
り、発光効率は1.0lm/Wとなった。
【0055】実施例4.ガラス基板上に1400オング
ストロームのITOと300オングストロームの酸化ル
テニウム薄膜を成膜した2層構造電極の上に、実施例2
と同様に、正孔輸送層を約500オングストローム、発
光層を約500オングストローム、MgAg電極を約1
800オングストローム成膜して有機薄膜発光素子を作
製し、実施例3と同様に発光開始電圧と発光効率を測定
した。
ストロームのITOと300オングストロームの酸化ル
テニウム薄膜を成膜した2層構造電極の上に、実施例2
と同様に、正孔輸送層を約500オングストローム、発
光層を約500オングストローム、MgAg電極を約1
800オングストローム成膜して有機薄膜発光素子を作
製し、実施例3と同様に発光開始電圧と発光効率を測定
した。
【0056】表4に示されるように、この素子の発光開
始電圧は3.5Vであった。また、5V印加で30cd
/m2 の輝度が観察された(図4)。発光効率は0.8
5lm/Wであった。
始電圧は3.5Vであった。また、5V印加で30cd
/m2 の輝度が観察された(図4)。発光効率は0.8
5lm/Wであった。
【0057】本実施例においては、酸化ルテニウムの膜
厚をさらに薄くすれば電極の光透過率が改善され、効率
がさらに向上する。
厚をさらに薄くすれば電極の光透過率が改善され、効率
がさらに向上する。
【0058】実施例5.ガラス基板上に、1200オン
グストロームのITOと300オングストロームの酸化
モリブデンを連続成膜した2層構造電極を形成し、その
上に実施例2と同様に、正孔輸送層、発光層、電極を真
空蒸着して有機薄膜発光素子を作製し、実施例3と同様
に発光開始電圧と発光効率を測定した。
グストロームのITOと300オングストロームの酸化
モリブデンを連続成膜した2層構造電極を形成し、その
上に実施例2と同様に、正孔輸送層、発光層、電極を真
空蒸着して有機薄膜発光素子を作製し、実施例3と同様
に発光開始電圧と発光効率を測定した。
【0059】表4に示されるように、この素子の発光開
始電圧は3.5Vで、印加電圧5Vでは30cd/m2
の輝度を示した(図5)。
始電圧は3.5Vで、印加電圧5Vでは30cd/m2
の輝度を示した(図5)。
【0060】実施例6.次に、上部電極(陰極)から、
光を取り出す場合の素子についての実施例を示す。
光を取り出す場合の素子についての実施例を示す。
【0061】図3には、本実施例に係る有機薄膜発光素
子の断面図が示される。図3において、ガラス基板10
上に、酸化ルテニウムを1500オングストローム成膜
して陽極12とし、その上に、実施例2と同様に、正孔
輸送層18と発光層16とを真空蒸着した。最後に、陰
極14として、仕事関数の小さなアルミ添加酸化亜鉛を
高周波スパッタ法で約1200オングストローム成膜し
た。
子の断面図が示される。図3において、ガラス基板10
上に、酸化ルテニウムを1500オングストローム成膜
して陽極12とし、その上に、実施例2と同様に、正孔
輸送層18と発光層16とを真空蒸着した。最後に、陰
極14として、仕事関数の小さなアルミ添加酸化亜鉛を
高周波スパッタ法で約1200オングストローム成膜し
た。
【0062】この素子で、酸化ルテニウム電極(陽極1
2)に正の電圧を印加し、酸化亜鉛電極(陰極14)を
通して光を観測したところ、透明な陰極14側から明瞭
な発光が観察された。この場合、酸化ルテニウム電極が
黒色であるためMgAg金属電極の場合よりもコントラ
スト比の高い発光が得られた。
2)に正の電圧を印加し、酸化亜鉛電極(陰極14)を
通して光を観測したところ、透明な陰極14側から明瞭
な発光が観察された。この場合、酸化ルテニウム電極が
黒色であるためMgAg金属電極の場合よりもコントラ
スト比の高い発光が得られた。
【0063】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
金属酸化物薄膜電極と正孔輸送層あるいは発光層とのエ
ネルギー障壁を小さくでき、正孔輸送層や発光層への正
孔注入が容易となり、低い印加電圧で素子駆動が可能と
なる。その結果、発光効率が改善され、素子の長寿命化
が達成できる。よって、本発明の発光素子は各種ディス
プレイ分野への応用が可能となる。
金属酸化物薄膜電極と正孔輸送層あるいは発光層とのエ
ネルギー障壁を小さくでき、正孔輸送層や発光層への正
孔注入が容易となり、低い印加電圧で素子駆動が可能と
なる。その結果、発光効率が改善され、素子の長寿命化
が達成できる。よって、本発明の発光素子は各種ディス
プレイ分野への応用が可能となる。
【図1】 本発明に係る有機薄膜発光素子の断面図であ
る。
る。
【図2】 本発明に係る2層構造電極の断面図である。
【図3】 本発明に係る陰極から光を取り出す有機薄膜
発光素子の断面図である。
発光素子の断面図である。
【図4】 各種素子の駆動時間に対する発光輝度の変化
を示す図である。
を示す図である。
【図5】 各種素子の印加電圧と発光輝度との関係を示
す図である。
す図である。
【図6】 単層構造の有機薄膜発光素子の断面図であ
る。
る。
【図7】 正孔輸送層を有する2層構造有機薄膜発光素
子の断面図である。
子の断面図である。
【図8】 電子輸送層を有する2層構造有機薄膜発光素
子の断面図である。
子の断面図である。
【図9】 3層構造の有機薄膜発光素子の断面図であ
る。
る。
10 基板、12 陽極、14 陰極、16 発光層、
18 正孔輸送層、20 電子輸送層、22 ITO
層、24 金属酸化物薄膜。
18 正孔輸送層、20 電子輸送層、22 ITO
層、24 金属酸化物薄膜。
Claims (7)
- 【請求項1】 陽極および陰極と、これらに挟まれた1
層または複数層の有機化合物層より構成される有機薄膜
発光素子において、前記陽極が、仕事関数が酸化錫イン
ジウム(ITO)よりも大きな金属酸化物薄膜からなる
ことを特徴とする有機薄膜発光素子。 - 【請求項2】 請求項1記載の有機薄膜発光素子におい
て、前記陽極を、膜厚500オングストロームから20
00オングストロームの範囲のITO薄膜と50オング
ストロームから300オングストロームの範囲の金属酸
化物薄膜とにより2層構造としたことを特徴とする有機
薄膜発光素子。 - 【請求項3】 請求項1記載の有機薄膜発光素子におい
て、前記有機化合物層が発光層であることを特徴とする
有機薄膜発光素子。 - 【請求項4】 請求項1記載の有機薄膜発光素子におい
て、前記有機化合物層が正孔輸送層と発光層とからなる
ことを特徴とする有機薄膜発光素子。 - 【請求項5】 請求項1記載の有機薄膜発光素子におい
て、前記有機化合物層が発光層と電子輸送層とからなる
ことを特徴とする有機薄膜発光素子。 - 【請求項6】 請求項1記載の有機薄膜発光素子におい
て、前記有機化合物層が正孔輸送層と発光層と電子輸送
層とからなることを特徴とする有機薄膜発光素子。 - 【請求項7】 請求項1記載の有機薄膜発光素子におい
て、前記金属酸化物は、酸化バナジウム、酸化ルテニウ
ム、酸化モリブデンなどの仕事関数が4.6eVよりも
大きな酸化物であることを特徴とする有機薄膜発光素
子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7217130A JP2824411B2 (ja) | 1995-08-25 | 1995-08-25 | 有機薄膜発光素子 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7217130A JP2824411B2 (ja) | 1995-08-25 | 1995-08-25 | 有機薄膜発光素子 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0963771A true JPH0963771A (ja) | 1997-03-07 |
JP2824411B2 JP2824411B2 (ja) | 1998-11-11 |
Family
ID=16699330
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP7217130A Expired - Lifetime JP2824411B2 (ja) | 1995-08-25 | 1995-08-25 | 有機薄膜発光素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2824411B2 (ja) |
Cited By (115)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1020939A2 (en) * | 1999-01-13 | 2000-07-19 | TDK Corporation | Organic electroluminescent device |
EP1022789A2 (en) * | 1999-01-21 | 2000-07-26 | TDK Corporation | Organic electroluminescent device |
US6501217B2 (en) | 1998-02-02 | 2002-12-31 | International Business Machines Corporation | Anode modification for organic light emitting diodes |
JP2003514343A (ja) * | 1999-09-30 | 2003-04-15 | イノベイティブ・テクノロジー・ライセンシング・エルエルシー | 透明で導電性の亜鉛酸化物薄膜を組み入れた電子的光放射性ディスプレイ |
FR2844136A1 (fr) * | 2002-09-03 | 2004-03-05 | Corning Inc | Materiau utilisable dans la fabrication de dispositifs d'affichage lumineux en particulier de diodes electroluminescentes organiques |
US6828045B1 (en) | 2003-06-13 | 2004-12-07 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Organic electroluminescence element and production method thereof |
JP2005032618A (ja) * | 2003-07-08 | 2005-02-03 | Denso Corp | 有機el素子 |
WO2005031798A2 (en) | 2003-09-26 | 2005-04-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device and method for manufacturing the same |
JP2005129519A (ja) * | 2003-10-03 | 2005-05-19 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置 |
JP2005276542A (ja) * | 2004-03-24 | 2005-10-06 | Hitachi Ltd | 有機発光表示装置 |
JP2005310745A (ja) * | 2004-03-23 | 2005-11-04 | Toyota Central Res & Dev Lab Inc | 電極 |
WO2005101540A3 (en) * | 2004-04-12 | 2005-12-29 | Eastman Kodak Co | Oled device with short reduction |
JP2006013458A (ja) * | 2004-05-21 | 2006-01-12 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光素子および発光装置 |
JP2006024791A (ja) * | 2004-07-08 | 2006-01-26 | International Manufacturing & Engineering Services Co Ltd | 有機素子、有機エレクトロルミネッセント素子、及び有機太陽電池 |
WO2006057420A1 (en) * | 2004-11-26 | 2006-06-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, light-emitting device, and electronic device |
JP2006164808A (ja) * | 2004-12-09 | 2006-06-22 | Hitachi Ltd | 発光素子,照明装置及びこれを有する表示装置 |
JP2006179877A (ja) * | 2004-11-26 | 2006-07-06 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光素子、発光装置及び電子機器 |
EP1693483A2 (en) | 2002-08-02 | 2006-08-23 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Sputtering target, sintered article, conductive film fabricated by utilizing the same, organic el device, and substrate for use therein |
JP2006261653A (ja) * | 2005-02-15 | 2006-09-28 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光素子および発光装置 |
JP2006269351A (ja) * | 2005-03-25 | 2006-10-05 | Aitesu:Kk | トップエミッション型マルチフォトン有機el表示パネル |
JP2006303457A (ja) * | 2005-03-22 | 2006-11-02 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 非線形素子、及び非線形素子を備えた素子基板、並びに表示装置 |
WO2007013496A1 (ja) * | 2005-07-26 | 2007-02-01 | Matsushita Electric Works, Ltd. | 有機発電素子 |
JP2007242938A (ja) * | 2006-03-09 | 2007-09-20 | Toppan Printing Co Ltd | 有機el素子 |
JP2008108530A (ja) * | 2006-10-25 | 2008-05-08 | Hitachi Displays Ltd | 有機el表示装置 |
US7387904B2 (en) | 2003-10-03 | 2008-06-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting element and manufacturing method thereof, and light emitting device using the light emitting element |
JP2008270170A (ja) * | 2007-04-23 | 2008-11-06 | Samsung Sdi Co Ltd | 有機発光素子及びその製造方法 |
US7462883B2 (en) | 2004-08-04 | 2008-12-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element having hole generating layer |
US7521855B2 (en) | 2004-12-06 | 2009-04-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electronic appliance and light-emitting device |
EP2059094A1 (en) | 2003-12-16 | 2009-05-13 | Panasonic Corporation | Organic electroluminescent device and method for manufacturing the same |
EP1298736A3 (en) * | 2001-09-28 | 2009-06-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device and method of manufacturing the same |
US7569988B2 (en) | 2004-09-30 | 2009-08-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting element and display device using the same |
WO2009101983A1 (ja) | 2008-02-15 | 2009-08-20 | Showa Denko K.K. | 電極の表面処理方法および電極ならびに有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法 |
US7605534B2 (en) | 2003-12-02 | 2009-10-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element having metal oxide and light-emitting device using the same |
US7626198B2 (en) | 2005-03-22 | 2009-12-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Nonlinear element, element substrate including the nonlinear element, and display device |
US7649197B2 (en) | 2005-03-23 | 2010-01-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Composite material, and light emitting element and light emitting device using the composite material |
JP2010034594A (ja) * | 2009-11-11 | 2010-02-12 | Junji Kido | 有機エレクトロルミネッセント素子 |
US7667389B2 (en) | 2004-12-06 | 2010-02-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting element, light emitting device, and electronic device |
US7714501B2 (en) | 2004-12-01 | 2010-05-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting element, light emitting device and electronic equipment |
US7737626B2 (en) | 2004-09-30 | 2010-06-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting element |
US7745989B2 (en) | 2005-06-30 | 2010-06-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd | Light emitting element, light emitting device, and electronic apparatus |
US7777232B2 (en) | 2005-04-11 | 2010-08-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and electronic device using the same |
US7790296B2 (en) | 2005-05-20 | 2010-09-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting element, light emitting device, and electronic device |
US7838874B2 (en) | 2007-06-14 | 2010-11-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device, electronic device, and manufacturing method of light-emitting device |
WO2010134518A1 (ja) | 2009-05-19 | 2010-11-25 | 昭和電工株式会社 | 電極の表面処理方法および電極ならびに有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法 |
US7851989B2 (en) | 2005-03-25 | 2010-12-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device |
US7851995B2 (en) | 2006-05-05 | 2010-12-14 | Global Oled Technology Llc | Electroluminescent device having improved light output |
US7868539B2 (en) | 2006-12-21 | 2011-01-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element and light-emitting device |
US7875881B2 (en) | 2007-04-03 | 2011-01-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Memory device and semiconductor device |
US7893427B2 (en) | 2004-07-23 | 2011-02-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting element and light emitting device using the same |
US7892657B2 (en) | 2004-11-30 | 2011-02-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting element, light emitting device, and electronic device |
US20110043102A1 (en) * | 2008-01-23 | 2011-02-24 | Lg Chem, Ltd. | Organic luminescent device and a production method for the same |
US7915824B2 (en) | 2007-11-16 | 2011-03-29 | Toppan Printing Co., Ltd. | Organic EL display device and method for manufacturing the same |
US7919772B2 (en) | 2004-12-14 | 2011-04-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
WO2011052645A1 (ja) | 2009-10-27 | 2011-05-05 | 大日本印刷株式会社 | 遷移金属化合物含有ナノ粒子及びその製造方法、正孔注入輸送層用インク、並びに正孔注入輸送層を有するデバイス及びその製造方法 |
US7977865B2 (en) | 2005-03-23 | 2011-07-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Composite material, material for light-emitting element, light-emitting element, light-emitting device and electronic device |
JP2011521414A (ja) * | 2008-05-16 | 2011-07-21 | エルジー・ケム・リミテッド | 積層型有機発光素子 |
US7990049B2 (en) | 2007-09-03 | 2011-08-02 | Canon Kabushiki Kaisha | Organic electroluminescent device and production method of the device, and display apparatus |
US7989694B2 (en) | 2004-12-06 | 2011-08-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Photoelectric conversion element, solar battery, and photo sensor |
US8017252B2 (en) | 2005-06-22 | 2011-09-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device and electronic appliance using the same |
US8034466B2 (en) | 2004-12-06 | 2011-10-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element and light-emitting device using the same |
US8049208B2 (en) | 2005-04-22 | 2011-11-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Organic semiconductor device having composite electrode |
US8093806B2 (en) | 2007-06-20 | 2012-01-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device, method for manufacturing the same, and electronic apparatus |
US8138667B2 (en) | 2003-10-03 | 2012-03-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device having metal oxide layer and color filter |
JP2012069990A (ja) * | 2005-02-15 | 2012-04-05 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光素子、照明装置、発光装置および電子機器 |
US8174009B2 (en) | 2008-10-24 | 2012-05-08 | Panasonic Corporation | Organic electroluminescence element and manufacturing method thereof |
JP2012510706A (ja) * | 2008-12-01 | 2012-05-10 | イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー | 有機電子デバイス用のアノード |
US8222808B2 (en) | 2009-06-09 | 2012-07-17 | Toppan Printing Co., Ltd. | Organic electroluminescence element and method for manufacturing the same |
US8227982B2 (en) | 2005-07-25 | 2012-07-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, light-emitting device, and electronic appliance |
US8242487B2 (en) | 2008-05-16 | 2012-08-14 | E I Du Pont De Nemours And Company | Anode for an organic electronic device |
KR20120100893A (ko) | 2009-10-27 | 2012-09-12 | 다이니폰 인사츠 가부시키가이샤 | 정공 주입 수송층을 갖는 디바이스, 및 그 제조 방법, 및 정공 주입 수송층 형성용 잉크 |
US8269227B2 (en) | 2005-06-09 | 2012-09-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device and electronic device |
US8334057B2 (en) | 2005-06-08 | 2012-12-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, light-emitting device, and electronic device |
JP2013020890A (ja) * | 2011-07-13 | 2013-01-31 | Dainippon Printing Co Ltd | 有機デバイス |
US8404500B2 (en) | 2009-11-02 | 2013-03-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing light-emitting element, light-emitting element, light-emitting device, lighting device, and electronic appliance |
US8420227B2 (en) | 2005-03-23 | 2013-04-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Composite material, light emitting element and light emitting device |
US8426034B2 (en) | 2005-02-08 | 2013-04-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, light-emitting device, and electronic appliance |
US8461758B2 (en) | 2008-12-19 | 2013-06-11 | E I Du Pont De Nemours And Company | Buffer bilayers for electronic devices |
US8558451B2 (en) | 2003-10-17 | 2013-10-15 | Junji Kido | Organic electroluminescent device |
US8569742B2 (en) | 2004-12-06 | 2013-10-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Organic field-effect transistor and semiconductor device including the same |
US8586197B2 (en) | 2005-02-28 | 2013-11-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Composite material, light emitting element, light emitting device and electronic appliance using the composite material |
US8659008B2 (en) | 2005-07-08 | 2014-02-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Composite material and light emitting element, light emitting device, and electronic device using the composite material |
US8729795B2 (en) | 2005-06-30 | 2014-05-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device and electronic device |
US8753987B2 (en) | 2010-06-08 | 2014-06-17 | Sumitomo Metal Mining Co., Ltd. | Method of manufacturing metal oxide film |
US8772762B2 (en) | 2009-03-25 | 2014-07-08 | Toppan Printing Co., Ltd. | Organic electroluminescent device, method for manufacturing organic electroluminescent device, image display device, and method for manufacturing image display device |
US8778233B2 (en) | 2008-04-28 | 2014-07-15 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Device comprising positive hole injection transport layer, method for producing the same and ink for forming positive hole injection transport layer |
US8841653B2 (en) | 2009-05-29 | 2014-09-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, light-emitting device, lighting device, and electronic appliance |
WO2014157639A1 (ja) * | 2013-03-28 | 2014-10-02 | 独立行政法人物質・材料研究機構 | 有機el素子及びその製造方法 |
US8860009B2 (en) | 2008-04-28 | 2014-10-14 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Device comprising positive hole injection transport layer, method for producing the same and ink for forming positive hole injection transport layer |
JP2014531746A (ja) * | 2011-09-28 | 2014-11-27 | ヨル チョン ケミカル カンパニーリミテッドYoul Chon Chemical Co., Ltd. | 最小積層構造の青色燐光有機発光素子 |
CN104175642A (zh) * | 2013-05-22 | 2014-12-03 | 海洋王照明科技股份有限公司 | 导电薄膜、其制备方法及应用 |
US8941301B2 (en) | 2007-06-28 | 2015-01-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, light-emitting device, electronic device, and method for fabricating light-emitting element |
US8974918B2 (en) | 2006-07-04 | 2015-03-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and electronic device |
US8994009B2 (en) | 2011-09-07 | 2015-03-31 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Photoelectric conversion device |
US9088002B2 (en) | 2011-02-11 | 2015-07-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device and manufacturing method thereof |
US9102872B2 (en) | 2009-07-31 | 2015-08-11 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Device material for hole injection transport layer, ink for forming hole injection transport layer, device comprising hole injection transport layer, and method for producing the device |
US9105859B2 (en) | 2009-07-31 | 2015-08-11 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Device material for hole injection transport layer, ink for forming hole injection transport layer, device comprising hole injection transport layer, and method for producing the device |
US9112170B2 (en) | 2006-03-21 | 2015-08-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, light-emitting device, and electronic device |
US9142783B2 (en) | 2004-11-30 | 2015-09-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting element and light emitting device |
US9159939B2 (en) | 2011-07-21 | 2015-10-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Photoelectric conversion device |
US9166202B2 (en) | 2002-06-07 | 2015-10-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device and manufacturing method thereof |
US9209426B2 (en) | 2013-08-09 | 2015-12-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, display module, lighting module, light-emitting device, display device, electronic device, and lighting device |
US9224976B2 (en) | 2008-11-19 | 2015-12-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, light-emitting device, electronic device, and lighting device |
US9287330B2 (en) | 2002-04-23 | 2016-03-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device and method of manufacturing the same |
US9385328B2 (en) | 2011-03-23 | 2016-07-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Composite material, light-emitting element, light-emitting device, electronic device, and lighting device |
US9412804B2 (en) | 2002-04-26 | 2016-08-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device and manufacturing method of the same |
US9419239B2 (en) | 2011-07-08 | 2016-08-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Composite material, light-emitting element, light-emitting device, electronic device, lighting device, and organic compound |
US9496505B2 (en) | 2010-10-04 | 2016-11-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Composite material, light-emitting element, light-emitting device, electronic device, and lighting device |
US9515278B2 (en) | 2013-08-09 | 2016-12-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, display module, lighting module, light-emitting device, display device, electronic device, and lighting device |
US9564609B2 (en) | 2011-02-11 | 2017-02-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element including electrode of three layers |
US9570697B2 (en) | 2003-12-26 | 2017-02-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element |
US9647228B2 (en) | 2011-05-13 | 2017-05-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element and light-emitting device |
US9698354B2 (en) | 2009-12-01 | 2017-07-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, light-emitting device, electronic device, and lighting device |
US9741955B2 (en) | 2009-05-29 | 2017-08-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, light-emitting device, and method for manufacturing the same |
US10134996B2 (en) | 2004-10-29 | 2018-11-20 | Semicondcutor Energy Laboratory Co., Ltd. | Composite material, light-emitting element, light-emitting device, and manufacturing method thereof |
US10153449B2 (en) | 2014-10-16 | 2018-12-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, light-emitting device, electronic device, and lighting device |
Families Citing this family (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20050008052A1 (en) | 2003-07-01 | 2005-01-13 | Ryoji Nomura | Light-emitting device |
JP4002949B2 (ja) * | 2004-03-17 | 2007-11-07 | 独立行政法人科学技術振興機構 | 両面発光有機elパネル |
US7951470B2 (en) | 2004-08-23 | 2011-05-31 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting element, light emitting device, and lighting system |
CN101841002B (zh) | 2004-09-24 | 2011-11-16 | 株式会社半导体能源研究所 | 发光器件 |
JP2006344774A (ja) * | 2005-06-09 | 2006-12-21 | Rohm Co Ltd | 有機el素子、これを用いた有機el表示装置、および有機el素子の製造方法 |
US8415878B2 (en) | 2005-07-06 | 2013-04-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, light-emitting device, and electronic device |
US7994711B2 (en) | 2005-08-08 | 2011-08-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device and manufacturing method thereof |
WO2007032258A1 (en) | 2005-09-12 | 2007-03-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Quinoxaline derivative, and light emitting element, light emitting device, and electronic appliance using the same |
JP4626526B2 (ja) * | 2006-01-30 | 2011-02-09 | 株式会社デンソー | 有機elパネルおよびその製造方法 |
JP5760334B2 (ja) | 2009-06-19 | 2015-08-05 | 大日本印刷株式会社 | 有機電子デバイス及びその製造方法 |
JP5860677B2 (ja) | 2010-11-24 | 2016-02-16 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光素子、発光素子の作製方法、及び照明装置 |
JP2012209400A (ja) * | 2011-03-29 | 2012-10-25 | Dainippon Printing Co Ltd | 有機薄膜太陽電池、及び有機薄膜太陽電池モジュール |
KR101973207B1 (ko) * | 2011-06-23 | 2019-04-29 | 삼성디스플레이 주식회사 | 금속 산화물이 함유된 양극 및 상기 양극을 포함하는 유기발광소자 |
KR101484453B1 (ko) | 2011-10-25 | 2015-01-19 | 다이니폰 인사츠 가부시키가이샤 | 정공 주입 수송층용 재료, 정공 주입 수송층 형성용 잉크, 디바이스 및 이들의 제조 방법 |
CN107863370A (zh) | 2017-09-30 | 2018-03-30 | 昆山国显光电有限公司 | 显示装置 |
CN110224071B (zh) * | 2018-03-02 | 2020-12-11 | 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 | 发光器件及其制备方法、显示装置 |
-
1995
- 1995-08-25 JP JP7217130A patent/JP2824411B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (206)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6501217B2 (en) | 1998-02-02 | 2002-12-31 | International Business Machines Corporation | Anode modification for organic light emitting diodes |
EP1020939A2 (en) * | 1999-01-13 | 2000-07-19 | TDK Corporation | Organic electroluminescent device |
EP1020939A3 (en) * | 1999-01-13 | 2000-08-02 | TDK Corporation | Organic electroluminescent device |
US6208076B1 (en) | 1999-01-13 | 2001-03-27 | Tdk Corporation | Organic electroluminescent device with silicone oxide and/or germanium oxide insulative layer |
EP1022789A2 (en) * | 1999-01-21 | 2000-07-26 | TDK Corporation | Organic electroluminescent device |
EP1022789A3 (en) * | 1999-01-21 | 2000-08-02 | TDK Corporation | Organic electroluminescent device |
US6373186B1 (en) | 1999-01-21 | 2002-04-16 | Tdk Corporation | Organic electroluminescent device with high resistance inorganic hole injecting layer |
JP2003514343A (ja) * | 1999-09-30 | 2003-04-15 | イノベイティブ・テクノロジー・ライセンシング・エルエルシー | 透明で導電性の亜鉛酸化物薄膜を組み入れた電子的光放射性ディスプレイ |
US7270586B2 (en) | 2000-11-29 | 2007-09-18 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Organic electroluminescence element and production method thereof |
EP2450976A1 (en) * | 2001-09-28 | 2012-05-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device and method of manufacturing the same |
EP1298736A3 (en) * | 2001-09-28 | 2009-06-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device and method of manufacturing the same |
US9287330B2 (en) | 2002-04-23 | 2016-03-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device and method of manufacturing the same |
US9978811B2 (en) | 2002-04-23 | 2018-05-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device and method of manufacturing the same |
US9412804B2 (en) | 2002-04-26 | 2016-08-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device and manufacturing method of the same |
US9853098B2 (en) | 2002-04-26 | 2017-12-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device and manufacturing method of the same |
US9166202B2 (en) | 2002-06-07 | 2015-10-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device and manufacturing method thereof |
US7393600B2 (en) | 2002-08-02 | 2008-07-01 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Sputtering target, sintered article, conductive film fabricated by utilizing the same, organic EL device, and substrate for use therein |
US8093800B2 (en) | 2002-08-02 | 2012-01-10 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Sputtering target, sintered article, conductive film fabricated by utilizing the same, organic EL device, and substrate for use therein |
EP1693483A2 (en) | 2002-08-02 | 2006-08-23 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Sputtering target, sintered article, conductive film fabricated by utilizing the same, organic el device, and substrate for use therein |
EP1573702A4 (en) * | 2002-09-03 | 2008-07-23 | Corning Inc | MATERIAL FOR USE IN THE MANUFACTURE OF LAMP INDICATORS |
EP1573702A2 (en) * | 2002-09-03 | 2005-09-14 | Corning Incorporated | Material for use in the manufacturing of luminous display devices |
FR2844136A1 (fr) * | 2002-09-03 | 2004-03-05 | Corning Inc | Materiau utilisable dans la fabrication de dispositifs d'affichage lumineux en particulier de diodes electroluminescentes organiques |
US7161171B2 (en) | 2002-09-03 | 2007-01-09 | Corning Incorporated | Material for use in the manufacturing of luminous display devices |
US6828045B1 (en) | 2003-06-13 | 2004-12-07 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Organic electroluminescence element and production method thereof |
JP2005032618A (ja) * | 2003-07-08 | 2005-02-03 | Denso Corp | 有機el素子 |
US7732808B2 (en) | 2003-09-26 | 2010-06-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd | Light-emitting device and method for manufacturing the same |
US8178869B2 (en) | 2003-09-26 | 2012-05-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device and method for manufacturing the same |
WO2005031798A2 (en) | 2003-09-26 | 2005-04-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device and method for manufacturing the same |
US8507903B2 (en) | 2003-09-26 | 2013-08-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device and method for manufacturing the same |
US8216875B2 (en) | 2003-09-26 | 2012-07-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device and method for manufacturing the same |
US9461271B2 (en) | 2003-10-03 | 2016-10-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting element and manufacturing method thereof, and light emitting device using the light emitting element |
US8994007B2 (en) | 2003-10-03 | 2015-03-31 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting element and manufacturing method thereof, and light emitting device using the light emitting element |
US10192946B2 (en) | 2003-10-03 | 2019-01-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device |
US7387904B2 (en) | 2003-10-03 | 2008-06-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting element and manufacturing method thereof, and light emitting device using the light emitting element |
JP2005129519A (ja) * | 2003-10-03 | 2005-05-19 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置 |
US10490618B2 (en) | 2003-10-03 | 2019-11-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device |
US9070894B2 (en) | 2003-10-03 | 2015-06-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device |
US9564561B2 (en) | 2003-10-03 | 2017-02-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device |
US7994496B2 (en) | 2003-10-03 | 2011-08-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting element and manufacturing method thereof, and light emitting device using the light emitting element |
US8138667B2 (en) | 2003-10-03 | 2012-03-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device having metal oxide layer and color filter |
US8558451B2 (en) | 2003-10-17 | 2013-10-15 | Junji Kido | Organic electroluminescent device |
US7605534B2 (en) | 2003-12-02 | 2009-10-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element having metal oxide and light-emitting device using the same |
EP2059094A1 (en) | 2003-12-16 | 2009-05-13 | Panasonic Corporation | Organic electroluminescent device and method for manufacturing the same |
US7785718B2 (en) | 2003-12-16 | 2010-08-31 | Panasonic Corporation | Organic electroluminescent device and method for manufacturing the same |
US9570697B2 (en) | 2003-12-26 | 2017-02-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element |
US10886497B2 (en) | 2003-12-26 | 2021-01-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element |
JP2005310745A (ja) * | 2004-03-23 | 2005-11-04 | Toyota Central Res & Dev Lab Inc | 電極 |
JP2005276542A (ja) * | 2004-03-24 | 2005-10-06 | Hitachi Ltd | 有機発光表示装置 |
JP4628690B2 (ja) * | 2004-03-24 | 2011-02-09 | 株式会社 日立ディスプレイズ | 有機発光表示装置 |
US7943963B2 (en) | 2004-03-24 | 2011-05-17 | Hitachi Displays, Ltd. | Organic light-emitting display device |
KR101121640B1 (ko) * | 2004-03-24 | 2012-02-28 | 가부시키가이샤 히타치 디스프레이즈 | 유기 발광 표시 장치 |
WO2005101540A3 (en) * | 2004-04-12 | 2005-12-29 | Eastman Kodak Co | Oled device with short reduction |
US7183707B2 (en) | 2004-04-12 | 2007-02-27 | Eastman Kodak Company | OLED device with short reduction |
US7940002B2 (en) | 2004-05-21 | 2011-05-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting element and light emitting device |
US8922116B2 (en) | 2004-05-21 | 2014-12-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting element and light emitting device |
JP2006013458A (ja) * | 2004-05-21 | 2006-01-12 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光素子および発光装置 |
US8344621B2 (en) | 2004-05-21 | 2013-01-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting element and light emitting device |
US7598670B2 (en) | 2004-05-21 | 2009-10-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting element and light emitting device |
JP4667955B2 (ja) * | 2004-05-21 | 2011-04-13 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光素子、発光装置及び照明機器 |
US8101857B2 (en) | 2004-07-08 | 2012-01-24 | Junji Kido | Organic devices, organic electroluminescent devices and organic solar cells |
JP2006024791A (ja) * | 2004-07-08 | 2006-01-26 | International Manufacturing & Engineering Services Co Ltd | 有機素子、有機エレクトロルミネッセント素子、及び有機太陽電池 |
US8368060B2 (en) | 2004-07-23 | 2013-02-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting element and light emitting device using the same |
US9520532B2 (en) | 2004-07-23 | 2016-12-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting element and light emitting device using the same |
US8368059B2 (en) | 2004-07-23 | 2013-02-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting element and light emitting device using the same |
US7893427B2 (en) | 2004-07-23 | 2011-02-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting element and light emitting device using the same |
US8872169B2 (en) | 2004-07-23 | 2014-10-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting element and light emitting device using the same |
US8618574B2 (en) | 2004-08-04 | 2013-12-31 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, display device, and electronic appliance |
US7462883B2 (en) | 2004-08-04 | 2008-12-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element having hole generating layer |
US7964891B2 (en) | 2004-08-04 | 2011-06-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, display device, and electronic appliance |
US7737626B2 (en) | 2004-09-30 | 2010-06-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting element |
US8653730B2 (en) | 2004-09-30 | 2014-02-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting element and display device using the same |
US8169139B2 (en) | 2004-09-30 | 2012-05-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting element and display device using the same |
US7569988B2 (en) | 2004-09-30 | 2009-08-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting element and display device using the same |
US10134996B2 (en) | 2004-10-29 | 2018-11-20 | Semicondcutor Energy Laboratory Co., Ltd. | Composite material, light-emitting element, light-emitting device, and manufacturing method thereof |
WO2006057420A1 (en) * | 2004-11-26 | 2006-06-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, light-emitting device, and electronic device |
JP2006179877A (ja) * | 2004-11-26 | 2006-07-06 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光素子、発光装置及び電子機器 |
US7646010B2 (en) | 2004-11-26 | 2010-01-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, light-emitting device, and electronic device |
US7892657B2 (en) | 2004-11-30 | 2011-02-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting element, light emitting device, and electronic device |
US9142783B2 (en) | 2004-11-30 | 2015-09-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting element and light emitting device |
US7714501B2 (en) | 2004-12-01 | 2010-05-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting element, light emitting device and electronic equipment |
US7667389B2 (en) | 2004-12-06 | 2010-02-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting element, light emitting device, and electronic device |
US9257489B2 (en) | 2004-12-06 | 2016-02-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electronic appliance and light-emitting device |
US7999460B2 (en) | 2004-12-06 | 2011-08-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electronic appliance and light-emitting device |
US8569742B2 (en) | 2004-12-06 | 2013-10-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Organic field-effect transistor and semiconductor device including the same |
US8034466B2 (en) | 2004-12-06 | 2011-10-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element and light-emitting device using the same |
US8492971B2 (en) | 2004-12-06 | 2013-07-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electronic appliance and light-emitting device |
US7521855B2 (en) | 2004-12-06 | 2009-04-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electronic appliance and light-emitting device |
US8692454B2 (en) | 2004-12-06 | 2014-04-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electronic appliance and light-emitting device |
US7989694B2 (en) | 2004-12-06 | 2011-08-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Photoelectric conversion element, solar battery, and photo sensor |
JP2006164808A (ja) * | 2004-12-09 | 2006-06-22 | Hitachi Ltd | 発光素子,照明装置及びこれを有する表示装置 |
US7919772B2 (en) | 2004-12-14 | 2011-04-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
US8426034B2 (en) | 2005-02-08 | 2013-04-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, light-emitting device, and electronic appliance |
US9530968B2 (en) | 2005-02-15 | 2016-12-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting element and light emitting device |
JP2012069990A (ja) * | 2005-02-15 | 2012-04-05 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光素子、照明装置、発光装置および電子機器 |
JP2006261653A (ja) * | 2005-02-15 | 2006-09-28 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光素子および発光装置 |
US8586197B2 (en) | 2005-02-28 | 2013-11-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Composite material, light emitting element, light emitting device and electronic appliance using the composite material |
US7626198B2 (en) | 2005-03-22 | 2009-12-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Nonlinear element, element substrate including the nonlinear element, and display device |
JP2006303457A (ja) * | 2005-03-22 | 2006-11-02 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 非線形素子、及び非線形素子を備えた素子基板、並びに表示装置 |
US8916276B2 (en) | 2005-03-23 | 2014-12-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Composite material, light emitting element and light emitting device |
US8405070B2 (en) | 2005-03-23 | 2013-03-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Composite material, and light emitting element and light emitting device using the composite material |
US8420227B2 (en) | 2005-03-23 | 2013-04-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Composite material, light emitting element and light emitting device |
US7977865B2 (en) | 2005-03-23 | 2011-07-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Composite material, material for light-emitting element, light-emitting element, light-emitting device and electronic device |
US7649197B2 (en) | 2005-03-23 | 2010-01-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Composite material, and light emitting element and light emitting device using the composite material |
US8986854B2 (en) | 2005-03-23 | 2015-03-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Composite material, material for light-emitting element, light-emitting element, light-emitting device and electronic device |
US8362688B2 (en) | 2005-03-25 | 2013-01-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device |
US9246056B2 (en) | 2005-03-25 | 2016-01-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device |
US7851989B2 (en) | 2005-03-25 | 2010-12-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device |
JP2006269351A (ja) * | 2005-03-25 | 2006-10-05 | Aitesu:Kk | トップエミッション型マルチフォトン有機el表示パネル |
US7777232B2 (en) | 2005-04-11 | 2010-08-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and electronic device using the same |
US8049208B2 (en) | 2005-04-22 | 2011-11-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Organic semiconductor device having composite electrode |
US7790296B2 (en) | 2005-05-20 | 2010-09-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting element, light emitting device, and electronic device |
US7883788B2 (en) | 2005-05-20 | 2011-02-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting element, light emitting device, and electronic device |
US8445121B2 (en) | 2005-05-20 | 2013-05-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting element, light emitting device, and electronic device |
US8048543B2 (en) | 2005-05-20 | 2011-11-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting element, light emitting device, and electronic device |
US8227097B2 (en) | 2005-05-20 | 2012-07-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting element, light emitting device, and electronic device |
US8334057B2 (en) | 2005-06-08 | 2012-12-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, light-emitting device, and electronic device |
US9263645B2 (en) | 2005-06-08 | 2016-02-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, light-emitting device, and electronic device |
US8269227B2 (en) | 2005-06-09 | 2012-09-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device and electronic device |
US8461605B2 (en) | 2005-06-09 | 2013-06-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device and electronic device |
US8252434B2 (en) | 2005-06-22 | 2012-08-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device and electronic appliance using the same |
US8017252B2 (en) | 2005-06-22 | 2011-09-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device and electronic appliance using the same |
US8541114B2 (en) | 2005-06-22 | 2013-09-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device and electronic appliance using the same |
US8815419B2 (en) | 2005-06-22 | 2014-08-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device and electronic appliance using the same |
US7745989B2 (en) | 2005-06-30 | 2010-06-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd | Light emitting element, light emitting device, and electronic apparatus |
US7948169B2 (en) | 2005-06-30 | 2011-05-24 | Semiconductor Energy Larboratory Co., Ltd. | Light emitting element with composite layers of varying concentration, light emitting device, and electronic apparatus |
US8729795B2 (en) | 2005-06-30 | 2014-05-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device and electronic device |
US8378570B2 (en) | 2005-06-30 | 2013-02-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting element, light emitting device, and electronic apparatus having first and second composite layers with different metal concentrations |
US8519617B2 (en) | 2005-06-30 | 2013-08-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting element having a metal oxide composite layer, and light emitting device, and electronic apparatus |
US9391128B2 (en) | 2005-06-30 | 2016-07-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device and electronic device |
US8659008B2 (en) | 2005-07-08 | 2014-02-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Composite material and light emitting element, light emitting device, and electronic device using the composite material |
US9224968B2 (en) | 2005-07-25 | 2015-12-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, light-emitting device, and electronic appliance |
US8227982B2 (en) | 2005-07-25 | 2012-07-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, light-emitting device, and electronic appliance |
WO2007013496A1 (ja) * | 2005-07-26 | 2007-02-01 | Matsushita Electric Works, Ltd. | 有機発電素子 |
JP2007035893A (ja) * | 2005-07-26 | 2007-02-08 | Matsushita Electric Works Ltd | 有機発電素子 |
JP2007242938A (ja) * | 2006-03-09 | 2007-09-20 | Toppan Printing Co Ltd | 有機el素子 |
US9112170B2 (en) | 2006-03-21 | 2015-08-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, light-emitting device, and electronic device |
US7851995B2 (en) | 2006-05-05 | 2010-12-14 | Global Oled Technology Llc | Electroluminescent device having improved light output |
US8974918B2 (en) | 2006-07-04 | 2015-03-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and electronic device |
US7982392B2 (en) | 2006-10-25 | 2011-07-19 | Hitachi Displays, Ltd. | Organic electroluminescent display device |
JP2008108530A (ja) * | 2006-10-25 | 2008-05-08 | Hitachi Displays Ltd | 有機el表示装置 |
US7868539B2 (en) | 2006-12-21 | 2011-01-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element and light-emitting device |
US8330357B2 (en) | 2006-12-21 | 2012-12-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element and light-emitting device |
US7875881B2 (en) | 2007-04-03 | 2011-01-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Memory device and semiconductor device |
US8187917B2 (en) | 2007-04-03 | 2012-05-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing memory device |
JP2012043815A (ja) * | 2007-04-23 | 2012-03-01 | Samsung Mobile Display Co Ltd | 有機発光素子及びその製造方法 |
JP2008270170A (ja) * | 2007-04-23 | 2008-11-06 | Samsung Sdi Co Ltd | 有機発光素子及びその製造方法 |
US8319212B2 (en) | 2007-06-14 | 2012-11-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device and electronic device |
US7838874B2 (en) | 2007-06-14 | 2010-11-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device, electronic device, and manufacturing method of light-emitting device |
US8531104B2 (en) | 2007-06-20 | 2013-09-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device, method for manufacturing the same, and electronic apparatus |
US8368301B2 (en) | 2007-06-20 | 2013-02-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device, method for manufacturing the same, and electronic apparatus |
US8093806B2 (en) | 2007-06-20 | 2012-01-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device, method for manufacturing the same, and electronic apparatus |
US8941301B2 (en) | 2007-06-28 | 2015-01-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, light-emitting device, electronic device, and method for fabricating light-emitting element |
US7990049B2 (en) | 2007-09-03 | 2011-08-02 | Canon Kabushiki Kaisha | Organic electroluminescent device and production method of the device, and display apparatus |
US7915824B2 (en) | 2007-11-16 | 2011-03-29 | Toppan Printing Co., Ltd. | Organic EL display device and method for manufacturing the same |
US20110043102A1 (en) * | 2008-01-23 | 2011-02-24 | Lg Chem, Ltd. | Organic luminescent device and a production method for the same |
WO2009101983A1 (ja) | 2008-02-15 | 2009-08-20 | Showa Denko K.K. | 電極の表面処理方法および電極ならびに有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法 |
US8778233B2 (en) | 2008-04-28 | 2014-07-15 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Device comprising positive hole injection transport layer, method for producing the same and ink for forming positive hole injection transport layer |
US8860009B2 (en) | 2008-04-28 | 2014-10-14 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Device comprising positive hole injection transport layer, method for producing the same and ink for forming positive hole injection transport layer |
US8785921B2 (en) | 2008-04-28 | 2014-07-22 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Device comprising positive hole injection transport layer, method for producing the same and ink for forming positive hole injection transport layer |
US8637854B2 (en) | 2008-05-16 | 2014-01-28 | Lg Chem, Ltd. | Stacked organic light emitting diode |
US8846441B2 (en) | 2008-05-16 | 2014-09-30 | E I Du Pont De Nemours And Company | Anode for an organic electronic device |
US8242487B2 (en) | 2008-05-16 | 2012-08-14 | E I Du Pont De Nemours And Company | Anode for an organic electronic device |
JP2011521414A (ja) * | 2008-05-16 | 2011-07-21 | エルジー・ケム・リミテッド | 積層型有機発光素子 |
US8174009B2 (en) | 2008-10-24 | 2012-05-08 | Panasonic Corporation | Organic electroluminescence element and manufacturing method thereof |
US9224976B2 (en) | 2008-11-19 | 2015-12-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, light-emitting device, electronic device, and lighting device |
JP2012510706A (ja) * | 2008-12-01 | 2012-05-10 | イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー | 有機電子デバイス用のアノード |
US8461758B2 (en) | 2008-12-19 | 2013-06-11 | E I Du Pont De Nemours And Company | Buffer bilayers for electronic devices |
US8772762B2 (en) | 2009-03-25 | 2014-07-08 | Toppan Printing Co., Ltd. | Organic electroluminescent device, method for manufacturing organic electroluminescent device, image display device, and method for manufacturing image display device |
WO2010134518A1 (ja) | 2009-05-19 | 2010-11-25 | 昭和電工株式会社 | 電極の表面処理方法および電極ならびに有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法 |
US9741955B2 (en) | 2009-05-29 | 2017-08-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, light-emitting device, and method for manufacturing the same |
US8841653B2 (en) | 2009-05-29 | 2014-09-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, light-emitting device, lighting device, and electronic appliance |
US8222808B2 (en) | 2009-06-09 | 2012-07-17 | Toppan Printing Co., Ltd. | Organic electroluminescence element and method for manufacturing the same |
US9105859B2 (en) | 2009-07-31 | 2015-08-11 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Device material for hole injection transport layer, ink for forming hole injection transport layer, device comprising hole injection transport layer, and method for producing the device |
US9102872B2 (en) | 2009-07-31 | 2015-08-11 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Device material for hole injection transport layer, ink for forming hole injection transport layer, device comprising hole injection transport layer, and method for producing the device |
US9391277B2 (en) | 2009-10-27 | 2016-07-12 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Device comprising positive hole injection transport layer, method for producing the same and ink for forming positive hole injection transport layer |
KR20120100893A (ko) | 2009-10-27 | 2012-09-12 | 다이니폰 인사츠 가부시키가이샤 | 정공 주입 수송층을 갖는 디바이스, 및 그 제조 방법, 및 정공 주입 수송층 형성용 잉크 |
WO2011052645A1 (ja) | 2009-10-27 | 2011-05-05 | 大日本印刷株式会社 | 遷移金属化合物含有ナノ粒子及びその製造方法、正孔注入輸送層用インク、並びに正孔注入輸送層を有するデバイス及びその製造方法 |
US8927099B2 (en) | 2009-10-27 | 2015-01-06 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Transition metal compound-containing nanoparticle and method for producing the same, ink for positive hole injection transport layer, device comprising positive hole injection transport layer and method for producing the same |
US8404500B2 (en) | 2009-11-02 | 2013-03-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing light-emitting element, light-emitting element, light-emitting device, lighting device, and electronic appliance |
US8803188B2 (en) | 2009-11-02 | 2014-08-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing light-emitting element, light-emitting element, Light-emitting device, lighting device, and electronic appliance |
JP2010034594A (ja) * | 2009-11-11 | 2010-02-12 | Junji Kido | 有機エレクトロルミネッセント素子 |
US10756287B2 (en) | 2009-12-01 | 2020-08-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, light-emitting device, electronic device, and lighting device |
US9698354B2 (en) | 2009-12-01 | 2017-07-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, light-emitting device, electronic device, and lighting device |
US8753987B2 (en) | 2010-06-08 | 2014-06-17 | Sumitomo Metal Mining Co., Ltd. | Method of manufacturing metal oxide film |
US9496505B2 (en) | 2010-10-04 | 2016-11-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Composite material, light-emitting element, light-emitting device, electronic device, and lighting device |
US9564609B2 (en) | 2011-02-11 | 2017-02-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element including electrode of three layers |
US9088002B2 (en) | 2011-02-11 | 2015-07-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device and manufacturing method thereof |
US10535823B2 (en) | 2011-03-23 | 2020-01-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Composite material, light-emitting element, light-emitting device, electronic device, and lighting device |
US9831435B2 (en) | 2011-03-23 | 2017-11-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Composite material, light-emitting element, light-emitting device, electronic device, and lighting device |
US9385328B2 (en) | 2011-03-23 | 2016-07-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Composite material, light-emitting element, light-emitting device, electronic device, and lighting device |
US10121972B2 (en) | 2011-03-23 | 2018-11-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Composite material, light-emitting element, light-emitting device, electronic device, and lighting device |
US9647228B2 (en) | 2011-05-13 | 2017-05-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element and light-emitting device |
US9419239B2 (en) | 2011-07-08 | 2016-08-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Composite material, light-emitting element, light-emitting device, electronic device, lighting device, and organic compound |
JP2013020890A (ja) * | 2011-07-13 | 2013-01-31 | Dainippon Printing Co Ltd | 有機デバイス |
US9159939B2 (en) | 2011-07-21 | 2015-10-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Photoelectric conversion device |
US8994009B2 (en) | 2011-09-07 | 2015-03-31 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Photoelectric conversion device |
JP2014531746A (ja) * | 2011-09-28 | 2014-11-27 | ヨル チョン ケミカル カンパニーリミテッドYoul Chon Chemical Co., Ltd. | 最小積層構造の青色燐光有機発光素子 |
JPWO2014157639A1 (ja) * | 2013-03-28 | 2017-02-16 | 国立研究開発法人物質・材料研究機構 | 有機el素子及びその製造方法 |
WO2014157639A1 (ja) * | 2013-03-28 | 2014-10-02 | 独立行政法人物質・材料研究機構 | 有機el素子及びその製造方法 |
CN104175642A (zh) * | 2013-05-22 | 2014-12-03 | 海洋王照明科技股份有限公司 | 导电薄膜、其制备方法及应用 |
US9966574B2 (en) | 2013-08-09 | 2018-05-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, display module, lighting module, light-emitting device, display device, electronic device, and lighting device |
US9780338B2 (en) | 2013-08-09 | 2017-10-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, display module, lighting module, light-emitting device, display device, electronic device, and lighting device |
US9515278B2 (en) | 2013-08-09 | 2016-12-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, display module, lighting module, light-emitting device, display device, electronic device, and lighting device |
US9401483B2 (en) | 2013-08-09 | 2016-07-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, display module, lighting module, light-emitting device, display device, electronic device, and lighting device |
US9209426B2 (en) | 2013-08-09 | 2015-12-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, display module, lighting module, light-emitting device, display device, electronic device, and lighting device |
US10153449B2 (en) | 2014-10-16 | 2018-12-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, light-emitting device, electronic device, and lighting device |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2824411B2 (ja) | 1998-11-11 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2824411B2 (ja) | 有機薄膜発光素子 | |
US6469437B1 (en) | Highly transparent organic light emitting device employing a non-metallic cathode | |
US6320311B2 (en) | Organic EL device having a hole injecting electrode including a transparent electrode and a metal electrode | |
JP2000082586A (ja) | 有機el素子 | |
JP2004288619A (ja) | 高効率の有機電界発光素子 | |
JPH1126169A (ja) | 有機el素子およびその製造方法 | |
US7061175B2 (en) | Efficiency transparent cathode | |
KR100844788B1 (ko) | 유기발광소자의 제조방법 및 이에 의하여 제조된유기발광소자 | |
JPH04137485A (ja) | 電界発光素子 | |
JP2001237080A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子 | |
JP2000040589A (ja) | 有機el素子 | |
JP3852518B2 (ja) | 有機電界発光素子 | |
JPH1140365A (ja) | 有機el素子およびその製造方法 | |
JP2000100575A (ja) | 有機el素子 | |
JP2881212B2 (ja) | 電界発光素子 | |
JP2002260858A (ja) | 発光素子及びその製造方法 | |
JP3555736B2 (ja) | 有機電界発光素子 | |
JP3651347B2 (ja) | 有機電界発光素子 | |
JPH1140352A (ja) | 有機el素子およびその製造方法 | |
JP2004031214A (ja) | 有機電界発光素子 | |
JP2000188184A (ja) | 有機薄膜el素子とその製造方法 | |
JP2001230071A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス表示素子およびその製造方法 | |
US6338908B1 (en) | Organic electroluminescent device | |
JPH0693256A (ja) | 有機薄膜発光素子 | |
JP3253368B2 (ja) | 電界発光素子 |