JP3492535B2 - 有機薄膜ｅｌ素子とその製造方法 - Google Patents
有機薄膜ｅｌ素子とその製造方法Info
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- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims description 54
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 11
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 61
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 44
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 43
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 38
- FUJCRWPEOMXPAD-UHFFFAOYSA-N lithium oxide Chemical compound [Li+].[Li+].[O-2] FUJCRWPEOMXPAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 31
- 229910001947 lithium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 31
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 claims description 18
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 17
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 claims description 17
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims description 15
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims description 15
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 15
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 14
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 13
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims description 10
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 claims description 10
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 claims description 10
- 125000005647 linker group Chemical group 0.000 claims description 10
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 7
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 claims description 5
- 125000004093 cyano group Chemical group *C#N 0.000 claims description 5
- 125000000753 cycloalkyl group Chemical group 0.000 claims description 5
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 claims description 5
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 claims description 5
- 239000003446 ligand Substances 0.000 claims description 5
- 125000004433 nitrogen atom Chemical group N* 0.000 claims description 5
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 claims description 5
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 44
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 23
- TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K tri(quinolin-8-yloxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 22
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 19
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 19
- 239000000463 material Substances 0.000 description 19
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 17
- IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-(n-naphthalen-1-ylanilino)phenyl]phenyl]-n-phenylnaphthalen-1-amine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C2=CC=CC=C2C=CC=1)C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)C=C1 IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 10
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 10
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 10
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 9
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 9
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 9
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 8
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 8
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- MWMNLUGPPZOPJQ-UHFFFAOYSA-N 4-(4-aminophenyl)-3-naphthalen-1-ylaniline Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1C1=CC=C(N)C=C1C1=CC=CC2=CC=CC=C12 MWMNLUGPPZOPJQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910018068 Li 2 O Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010406 cathode material Substances 0.000 description 6
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 6
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 5
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 5
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910001148 Al-Li alloy Inorganic materials 0.000 description 4
- JFBZPFYRPYOZCQ-UHFFFAOYSA-N [Li].[Al] Chemical compound [Li].[Al] JFBZPFYRPYOZCQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 4
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 4
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 4
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000001989 lithium alloy Substances 0.000 description 3
- IOJUPLGTWVMSFF-UHFFFAOYSA-N benzothiazole Chemical compound C1=CC=C2SC=NC2=C1 IOJUPLGTWVMSFF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZYGHJZDHTFUPRJ-UHFFFAOYSA-N coumarin Chemical compound C1=CC=C2OC(=O)C=CC2=C1 ZYGHJZDHTFUPRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 2
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SJCKRGFTWFGHGZ-UHFFFAOYSA-N magnesium silver Chemical compound [Mg].[Ag] SJCKRGFTWFGHGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- OGGKVJMNFFSDEV-UHFFFAOYSA-N 3-methyl-n-[4-[4-(n-(3-methylphenyl)anilino)phenyl]phenyl]-n-phenylaniline Chemical compound CC1=CC=CC(N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)=C1 OGGKVJMNFFSDEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000284156 Clerodendrum quadriloculare Species 0.000 description 1
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PJANXHGTPQOBST-VAWYXSNFSA-N Stilbene Natural products C=1C=CC=CC=1/C=C/C1=CC=CC=C1 PJANXHGTPQOBST-VAWYXSNFSA-N 0.000 description 1
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 1
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 125000004541 benzoxazolyl group Chemical group O1C(=NC2=C1C=CC=C2)* 0.000 description 1
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 229960000956 coumarin Drugs 0.000 description 1
- 235000001671 coumarin Nutrition 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- -1 di (p-tolyl) aminophenyl Chemical group 0.000 description 1
- 230000005281 excited state Effects 0.000 description 1
- RHZWSUVWRRXEJF-UHFFFAOYSA-N indium tin Chemical compound [In].[Sn] RHZWSUVWRRXEJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 125000002080 perylenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 description 1
- CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N peryrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=3C2=C2C=CC=3)=C3C2=CC=CC3=C1 CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 238000012827 research and development Methods 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- PJANXHGTPQOBST-UHFFFAOYSA-N stilbene Chemical compound C=1C=CC=CC=1C=CC1=CC=CC=C1 PJANXHGTPQOBST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000021286 stilbenes Nutrition 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
- H10K50/82—Cathodes
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
- C09K11/06—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing organic luminescent materials
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Organic Chemistry (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、有機薄膜ＥＬ（エ
レクトロルミネッセンス）素子とその製造方法に係わ
り、特に、整流特性に優れた有機薄膜ＥＬ素子とその製
造方法に関する。
レクトロルミネッセンス）素子とその製造方法に係わ
り、特に、整流特性に優れた有機薄膜ＥＬ素子とその製
造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】有機電界発光素子（有機ＥＬ）は陽極か
ら注入された正孔と陰極から注入された電子が、蛍光能
を有する発光層内で再結合し、励起状態から失括する際
に光を放射する現象を利用するものである。このように
有機ＥＬは電気エネルギーを光エネルギーに変換する自
発光型の表示デバイスとしての可能性を秘めているに止
まらず、有機層の膜厚が１μｍ以下という特徴を生かし
た、従来にない薄型表示装置としての可能性をも秘めて
おり、近年活発な研究開発が進められている。
ら注入された正孔と陰極から注入された電子が、蛍光能
を有する発光層内で再結合し、励起状態から失括する際
に光を放射する現象を利用するものである。このように
有機ＥＬは電気エネルギーを光エネルギーに変換する自
発光型の表示デバイスとしての可能性を秘めているに止
まらず、有機層の膜厚が１μｍ以下という特徴を生かし
た、従来にない薄型表示装置としての可能性をも秘めて
おり、近年活発な研究開発が進められている。
【０００３】このような性質を持つ有機ＥＬ素子を複数
個集合させ、それぞれを画素とするマトリクス型ディス
プレイとしては、平行な電極を直交させてなる、パッシ
ブマトリクス型や、平行な画素に薄膜トランジスタ（Ｔ
ＦＴ）などを設けてなるアクティブマトリクス型を挙げ
ることができる。図１は、有機ＥＬ素子が単純マトリク
スの場合の概略平面図である。図のように同一基板上に
ライン電極とコラム電極とが互いに垂直に交差してお
り、この交差部が１画素を形成していることになる。こ
のようなパネルに制御回路、駆動回路を配することによ
ってディスプレイやその他表示装置として使用可能とな
る。さらに、各交差部を赤、青、緑と各色毎に塗り分け
ると、フルカラーディスプレイやマルチカラーディスプ
レイ用として構成することもできる。有機ＥＬ素子は上
述のように、陽極より注入された正孔と、陰極から注入
された電子との再結合によって発光する現象を利用する
ものである。図２はこの発光過程を模式的に示したエネ
ルギーダイアグラム図である。陽極から正孔注入層、並
びに陰極から電子輸送層へそれぞれ正孔、電子が注入さ
れる過程において、その注入障壁は小さく、数ボルトの
電圧印加で容易に注入されるように分子構造の設計がな
されている。一方、逆バイアス印加時、即ち、陽極側を
低電位に、陰極側を高電位になるよう極性を反転させた
場合、陽極からの電子注入、陰極からの正孔注入は図２
からも分かるように高い障壁となり、注入は理論的に困
難となり、このような理由から、有機ＥＬは一般にダイ
オード特性を持つと考えられてきた。しかし、実際に
は、素子に逆バイアスを印加すると漏れ電流が観測さ
れ、その詳細な原因については未だ判明していない。こ
こで、ダイオード特性を持つ素子をマトリクス化した場
合の電流パスを示したのが図３である。この場合、図の
ように、順方向を通るただ一回だけのパスが存在し、選
択画素のみを発光させることができる。しかし、素子が
完全なダイオード特性を持たない場合、図４に示したよ
うな、逆方向を流れる電流パスが本来通るべき順方向電
流以外にも流れることになる。従って、選択画素以外に
も周辺部で発光してしまうことになり、コントラスト低
下の要因、画素欠陥の要因となりうる。このような不具
合に対して、特開平９−１０２３９５号公報では、陰極
材料にアルミニウムを主体とする材料を用いることで解
決する方法が示されている。しかし、この方法では十分
再現性よく整流性を改善することができない。また、ア
ルミニウムのみで構成される陰極の順方向特性は従来の
マグネシウム−銀電極や、アルミニウム−リチウム電極
よりも劣っていることから実用的であるとは言えない。
本発明者は、このような整流特性の不具合を解決する
為、鋭意検討を行った結果、整流性と陰極材料、特に原
子半径の小さいリチウムやナトリウムおよび銀などとの
相関性を見いだした。このような材料は特にバイアス時
にイオン化しやすい物質であり、陰極／電子輸送層界面
での移動が整流特性に影響する。
個集合させ、それぞれを画素とするマトリクス型ディス
プレイとしては、平行な電極を直交させてなる、パッシ
ブマトリクス型や、平行な画素に薄膜トランジスタ（Ｔ
ＦＴ）などを設けてなるアクティブマトリクス型を挙げ
ることができる。図１は、有機ＥＬ素子が単純マトリク
スの場合の概略平面図である。図のように同一基板上に
ライン電極とコラム電極とが互いに垂直に交差してお
り、この交差部が１画素を形成していることになる。こ
のようなパネルに制御回路、駆動回路を配することによ
ってディスプレイやその他表示装置として使用可能とな
る。さらに、各交差部を赤、青、緑と各色毎に塗り分け
ると、フルカラーディスプレイやマルチカラーディスプ
レイ用として構成することもできる。有機ＥＬ素子は上
述のように、陽極より注入された正孔と、陰極から注入
された電子との再結合によって発光する現象を利用する
ものである。図２はこの発光過程を模式的に示したエネ
ルギーダイアグラム図である。陽極から正孔注入層、並
びに陰極から電子輸送層へそれぞれ正孔、電子が注入さ
れる過程において、その注入障壁は小さく、数ボルトの
電圧印加で容易に注入されるように分子構造の設計がな
されている。一方、逆バイアス印加時、即ち、陽極側を
低電位に、陰極側を高電位になるよう極性を反転させた
場合、陽極からの電子注入、陰極からの正孔注入は図２
からも分かるように高い障壁となり、注入は理論的に困
難となり、このような理由から、有機ＥＬは一般にダイ
オード特性を持つと考えられてきた。しかし、実際に
は、素子に逆バイアスを印加すると漏れ電流が観測さ
れ、その詳細な原因については未だ判明していない。こ
こで、ダイオード特性を持つ素子をマトリクス化した場
合の電流パスを示したのが図３である。この場合、図の
ように、順方向を通るただ一回だけのパスが存在し、選
択画素のみを発光させることができる。しかし、素子が
完全なダイオード特性を持たない場合、図４に示したよ
うな、逆方向を流れる電流パスが本来通るべき順方向電
流以外にも流れることになる。従って、選択画素以外に
も周辺部で発光してしまうことになり、コントラスト低
下の要因、画素欠陥の要因となりうる。このような不具
合に対して、特開平９−１０２３９５号公報では、陰極
材料にアルミニウムを主体とする材料を用いることで解
決する方法が示されている。しかし、この方法では十分
再現性よく整流性を改善することができない。また、ア
ルミニウムのみで構成される陰極の順方向特性は従来の
マグネシウム−銀電極や、アルミニウム−リチウム電極
よりも劣っていることから実用的であるとは言えない。
本発明者は、このような整流特性の不具合を解決する
為、鋭意検討を行った結果、整流性と陰極材料、特に原
子半径の小さいリチウムやナトリウムおよび銀などとの
相関性を見いだした。このような材料は特にバイアス時
にイオン化しやすい物質であり、陰極／電子輸送層界面
での移動が整流特性に影響する。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、上記
した従来技術の欠点を改良し、特に、イオン化に伴う物
質移動を抑制し、整流特性に優れた新規な有機薄膜ＥＬ
素子とその製造方法を提供するものである。
した従来技術の欠点を改良し、特に、イオン化に伴う物
質移動を抑制し、整流特性に優れた新規な有機薄膜ＥＬ
素子とその製造方法を提供するものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は上記した目的を
達成するため、基本的には、以下に記載されたような技
術構成を採用するものである。即ち、本発明に係わる有
機薄膜ＥＬ素子の第１態様は、対向する陽極と陰極との
間に少なくとも１層以上の有機薄膜層を有する電荷注入
型の有機薄膜ＥＬ素子であって、前記陰極が、アルミニ
ウムを主成分とし、且つ０．０５〜１．５重量％の酸化
リチウムを含有し、前記陰極と接する有機薄膜層が下記
一般式（Ｉ）で示される有機化合物を含有することを特
徴とするものである。
達成するため、基本的には、以下に記載されたような技
術構成を採用するものである。即ち、本発明に係わる有
機薄膜ＥＬ素子の第１態様は、対向する陽極と陰極との
間に少なくとも１層以上の有機薄膜層を有する電荷注入
型の有機薄膜ＥＬ素子であって、前記陰極が、アルミニ
ウムを主成分とし、且つ０．０５〜１．５重量％の酸化
リチウムを含有し、前記陰極と接する有機薄膜層が下記
一般式（Ｉ）で示される有機化合物を含有することを特
徴とするものである。
【０００６】
【化７】
【０００７】（式中、Ｒ1 〜Ｒ6 はそれぞれ独立に水素
原子、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、シア
ノ基、Ｌは−ＯＲ7 （Ｒ7 はアルキル基、シクロアルキ
ル基、窒素原子を含んでもよい芳香族環基、金属原子や
酸素原子からなる連結基を有する芳香族環基、又は前記
連結基を有するオキシノイド化合物の配位子を示す）、
Ｍは金属原子を表し、ｎは１又は２の整数である。）
原子、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、シア
ノ基、Ｌは−ＯＲ7 （Ｒ7 はアルキル基、シクロアルキ
ル基、窒素原子を含んでもよい芳香族環基、金属原子や
酸素原子からなる連結基を有する芳香族環基、又は前記
連結基を有するオキシノイド化合物の配位子を示す）、
Ｍは金属原子を表し、ｎは１又は２の整数である。）
【０００８】又、本発明の有機薄膜ＥＬ素子の第２態様
は、対向する陽極と陰極との間に少なくとも１層以上の
有機薄膜層を有する電荷注入型の有機薄膜ＥＬ素子であ
って、前記陰極が、マグネシウムを主成分とし、且つ
０．０３〜１．８重量％の酸化リチウムを含有し、前記
陰極と接する有機薄膜層が上記一般式（Ｉ）で示される
有機化合物を含有することを特徴とするものである。
は、対向する陽極と陰極との間に少なくとも１層以上の
有機薄膜層を有する電荷注入型の有機薄膜ＥＬ素子であ
って、前記陰極が、マグネシウムを主成分とし、且つ
０．０３〜１．８重量％の酸化リチウムを含有し、前記
陰極と接する有機薄膜層が上記一般式（Ｉ）で示される
有機化合物を含有することを特徴とするものである。
【０００９】又、第３態様は、前記特定構造を有する有
機化合物の膜厚が５ｎｍ以上１００ｎｍ以下であること
を特徴とするものである。
機化合物の膜厚が５ｎｍ以上１００ｎｍ以下であること
を特徴とするものである。
【００１０】又、本発明の有機薄膜ＥＬ素子の製造方法
の第１態様は、対向する陽極と陰極との間に少なくとも
１層以上の有機薄膜層を有する電荷注入型の有機薄膜Ｅ
Ｌ素子であって、前記陰極が、アルミニウムを主成分と
し、且つ０．０５〜１．５重量％の酸化リチウムを含有
し、前記陰極と接する有機薄膜層が上記一般式（Ｉ）で
示される有機化合物を含有し、前記陰極の成膜速度が２
ｎｍ／ｓｅｃ以上２０ｎｍ／ｓｅｃ以下であることを特
徴とするものである。
の第１態様は、対向する陽極と陰極との間に少なくとも
１層以上の有機薄膜層を有する電荷注入型の有機薄膜Ｅ
Ｌ素子であって、前記陰極が、アルミニウムを主成分と
し、且つ０．０５〜１．５重量％の酸化リチウムを含有
し、前記陰極と接する有機薄膜層が上記一般式（Ｉ）で
示される有機化合物を含有し、前記陰極の成膜速度が２
ｎｍ／ｓｅｃ以上２０ｎｍ／ｓｅｃ以下であることを特
徴とするものである。
【００１１】又、本発明の有機薄膜ＥＬ素子の製造方法
の第２態様は、対向する陽極と陰極との間に少なくとも
１層以上の有機薄膜層を有する電荷注入型の有機薄膜Ｅ
Ｌ素子であって、前記陰極が、マグネシウムを主成分と
し、且つ０．０３〜１．８重量％の酸化リチウムを含有
し、前記陰極と接する有機薄膜層が上記一般式（Ｉ）で
示される有機化合物を含有し、前記陰極の成膜速度が２
ｎｍ／ｓｅｃ以上２０ｎｍ／ｓｅｃ以下であることを特
徴とするものである。
の第２態様は、対向する陽極と陰極との間に少なくとも
１層以上の有機薄膜層を有する電荷注入型の有機薄膜Ｅ
Ｌ素子であって、前記陰極が、マグネシウムを主成分と
し、且つ０．０３〜１．８重量％の酸化リチウムを含有
し、前記陰極と接する有機薄膜層が上記一般式（Ｉ）で
示される有機化合物を含有し、前記陰極の成膜速度が２
ｎｍ／ｓｅｃ以上２０ｎｍ／ｓｅｃ以下であることを特
徴とするものである。
【００１２】
【発明の実施の形態】本発明に係わる有機薄膜ＥＬ素子
とその製造方法は、図５、図６に示すように、特定構造
を有する有機化合物の薄膜上に酸化リチウムを１０Å以
上１００Å以下形成することからなる陰極を持つことを
特徴とするもの、もしくは、特定構造を有する有機化合
物の薄膜上に酸化リチウムを含有したアルミニウム又は
マグネシウムからなる陰極を持つことを特徴とするもの
である。
とその製造方法は、図５、図６に示すように、特定構造
を有する有機化合物の薄膜上に酸化リチウムを１０Å以
上１００Å以下形成することからなる陰極を持つことを
特徴とするもの、もしくは、特定構造を有する有機化合
物の薄膜上に酸化リチウムを含有したアルミニウム又は
マグネシウムからなる陰極を持つことを特徴とするもの
である。
【００１３】更に、特定構造を有する有機化合物の膜厚
が５ｎｍ以上１００ｎｍ以下であることを特徴とするも
のである。又、前記アルミニウムもしくはマグネシウム
の成膜速度を２ｎｍ／ｓｅｃ以上２０ｎｍ／ｓｅｃ以下
であることを特徴とするものである。
が５ｎｍ以上１００ｎｍ以下であることを特徴とするも
のである。又、前記アルミニウムもしくはマグネシウム
の成膜速度を２ｎｍ／ｓｅｃ以上２０ｎｍ／ｓｅｃ以下
であることを特徴とするものである。
【００１４】
【実施例】以下に、本発明に係わる有機薄膜ＥＬ素子と
その製造方法の具体例を図面を参照しながら詳細に説明
する。本発明は、有機薄膜ＥＬ素子において、酸化リチ
ウムもしくはこれを含有したアルミニウムまたはマグネ
シウムを特定構造の有機化合物の薄膜上に積層するもの
である。本実施例では、これらの内容に関し、具体的な
構造、膜厚、成膜速度をもって列記するものとする。な
お、本発明に係る有機ＥＬ素子の構造については、以下
の４構造を挙げることができる。 （１）陽極／発光層／陰極 （２）陽極／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／陰極 （３）陽極／発光層／電子輸送層／陰極 （４）陽極／正孔輸送層／発光層／陰極 また、本発明に係る有機薄膜ＥＬ素子に用いられる正孔
輸送材料は特に限定されず、通常正孔輸送材料として使
用される化合物であればいかなる化合物でも使用可能で
ある。例えば、ビス（ジ（ｐ−トリル）アミノフェニ
ル）−１，１−シクロヘキサン、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル
−Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−１，１’−
ビフェニル−４，４’−ジアミン、Ｎ，Ｎ’−ジフェニ
ル−Ｎ−Ｎ−ビス（１−ナフチル）−（１，１’−ビフ
ェニル）−４，４’−ジアミン、スターバースト型分子
等が挙げられる。
その製造方法の具体例を図面を参照しながら詳細に説明
する。本発明は、有機薄膜ＥＬ素子において、酸化リチ
ウムもしくはこれを含有したアルミニウムまたはマグネ
シウムを特定構造の有機化合物の薄膜上に積層するもの
である。本実施例では、これらの内容に関し、具体的な
構造、膜厚、成膜速度をもって列記するものとする。な
お、本発明に係る有機ＥＬ素子の構造については、以下
の４構造を挙げることができる。 （１）陽極／発光層／陰極 （２）陽極／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／陰極 （３）陽極／発光層／電子輸送層／陰極 （４）陽極／正孔輸送層／発光層／陰極 また、本発明に係る有機薄膜ＥＬ素子に用いられる正孔
輸送材料は特に限定されず、通常正孔輸送材料として使
用される化合物であればいかなる化合物でも使用可能で
ある。例えば、ビス（ジ（ｐ−トリル）アミノフェニ
ル）−１，１−シクロヘキサン、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル
−Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−１，１’−
ビフェニル−４，４’−ジアミン、Ｎ，Ｎ’−ジフェニ
ル−Ｎ−Ｎ−ビス（１−ナフチル）−（１，１’−ビフ
ェニル）−４，４’−ジアミン、スターバースト型分子
等が挙げられる。
【００１５】また、本発明に係る有機薄膜ＥＬ素子に用
いられる発光材料としては、構造（２）並びに構造
（３）に関しては、陰極と直接接していない為に、固体
状態で蛍光を示すものならば、各種のものを、もしくは
それらを混合したものを使用することができる。例え
ば、クマリン系、フタロペリノン系、ベンゾオキサゾリ
ル系またはベンゾチアゾール系、金属キレート化オキシ
ノイド化合物、スチルベン系化合物、ペリレン系化合物
を挙げることができるがこの限りではない。しかし、構
造（１）、構造（４）について又は電子輸送材料につい
ては請求項１記載のような特定構造を有する必要があ
る。以下、具体例を表１〜表１８に示したがこの限りで
はない。
いられる発光材料としては、構造（２）並びに構造
（３）に関しては、陰極と直接接していない為に、固体
状態で蛍光を示すものならば、各種のものを、もしくは
それらを混合したものを使用することができる。例え
ば、クマリン系、フタロペリノン系、ベンゾオキサゾリ
ル系またはベンゾチアゾール系、金属キレート化オキシ
ノイド化合物、スチルベン系化合物、ペリレン系化合物
を挙げることができるがこの限りではない。しかし、構
造（１）、構造（４）について又は電子輸送材料につい
ては請求項１記載のような特定構造を有する必要があ
る。以下、具体例を表１〜表１８に示したがこの限りで
はない。
【００１６】
【表１】
【００１７】
【表２】
【００１８】
【表３】
【００１９】
【表４】
【００２０】
【表５】
【００２１】
【表６】
【００２２】
【表７】
【００２３】
【表８】
【００２４】
【表９】
【００２５】
【表１０】
【００２６】
【表１１】
【００２７】
【表１２】
【００２８】
【表１３】
【００２９】
【表１４】
【００３０】
【表１５】
【００３１】
【表１６】
【００３２】
【表１７】
【００３３】
【表１８】
【００３４】（実施例１）
透明ガラス基板上にＩＴＯ（ｉｎｄｉｕｍ ｔｉｎ ｏ
ｘｉｄｅ）を１０００Åとなるようスパッタ法により成
膜した。このときのシート抵抗は１０Ω／□であった。
次に、所定のパターンとなるようにＩＴＯをエッチング
し、ＩＴＯパターン付ガラスを用意した。この基板を純
水、ＩＰＡで洗浄したあと、ＵＶオゾン洗浄を行い、表
面を十分に洗浄した。次に、正孔輸送材料として、α−
ＮＰＤ（Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ−Ｎ−ビス（１−ナ
フチル）−（１，１’−ビフェニル）−４，４’−ジア
ミン）をタンタル製のボートに１００ｍｇ、また発光材
料としてＡｌｑ３をタンタル製のボートに１００ｍｇそ
れぞれ別々に用意し、別の蒸発源となるように真空蒸着
装置内にセットした。先に用意した基板を同一の真空蒸
着装置内にセットした後、装置内を２×１０-4Ｐａの真
空度となるまで排気し、到達した時点でα−ＮＰＤが入
ったボートを加熱していった。α−ＮＰＤが蒸発速度３
Å／Ｓｅｃの一定速度になるまで温度をコントロールし
た後、上部に設けられたシャッターを開放し、成膜を開
始し、５００Å成膜した時点でシャッターを閉じ蒸着を
終了した。同様の要領でＡｌｑ３を成膜速度３Å／Ｓｅ
ｃ、膜厚５５０Å成膜し、有機層形成を終了した。次
に、この有機層が成膜された基板を真空を破らずに別の
真空層へ待避させ、成膜した真空層内を大気雰囲気まで
戻した後、先ほど成膜した有機成膜用ボートを取り除
き、アルミニウムおよび酸化リチウムを別のタングステ
ン製ボートにそれぞれ１ｇ入れ、再度真空排気した。４
×１０-4Ｐａまで排気した時点で、酸化リチウムが入っ
たボートを加熱し、蒸発速度０．２Å／Ｓｅｃで安定す
るように加熱条件を設定した。安定したところで上部シ
ャッターを開放し、１０Åの膜厚となるまで成膜した。
次に、アルミニウムが入ったボートを加熱していき、成
膜速度４０Å／Ｓｅｃとなるよう温度を設定し、安定し
たところで再度、上部シャッターを開放した。膜厚３０
００Åになったところで蒸着を終了し、ＩＴＯ／α−Ｎ
ＰＤ／Ａｌｑ３／Ｌｉ2 Ｏ／Ａｌ構造、発光エリア４ｍ
ｍ2 の素子を作製した。この素子にＩＴＯを正極、アル
ミニウムを負極として１５Ｖの電圧を印加すると、１１
００μＡの電流が流れた。また、ＩＴＯを陰極、アルミ
ニウムを陽極として１５Ｖの電圧を印加すると３０ｎＡ
の電流が流れた。１５Ｖ印加時の整流比を計算すると、
３．８×１０4 であった。 （実施例２） 透明ガラス基板上にＩＴＯを１０００Åとなるようスパ
ッタ法により成膜した。このときのシート抵抗は１０Ω
／□であった。次に、所定のパターンとなるようにＩＴ
Ｏをエッチングし、ＩＴＯパターン付ガラスを用意し
た。この基板を純水、ＩＰＡで洗浄したあと、ＵＶオゾ
ン洗浄を行い、表面を十分に洗浄した。次に、正孔輸送
材料として、α−ＮＰＤ（Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ−
Ｎ−ビス（１−ナフチル）−（１，１’−ビフェニル）
−４，４’−ジアミン）をタンタル製のボートに１００
ｍｇ、また発光材料としてＡｌｑ３をタンタル製のボー
トに１００ｍｇそれぞれ別々に用意し、別の蒸発源とな
るように真空蒸着装置内にセットした。先に用意した基
板を同一の真空蒸着装置内にセットした後、装置内を２
×１０-4Ｐａの真空度となるまで排気し、到達した時点
でα−ＮＰＤが入ったボートを加熱していった。α−Ｎ
ＰＤが蒸発速度３Å／Ｓｅｃの一定速度になるまで温度
をコントロールした後、上部に設けられたシャッターを
開放し、成膜を開始し、５００Å成膜した時点でシャッ
ターを閉じ蒸着を終了した。同様の要領でＡｌｑ３を成
膜速度３Å／Ｓｅｃ、膜厚５５０Å成膜し、有機層形成
を終了した。次に、この有機層が成膜された基板を真空
を破らずに別の真空層へ待避させ、成膜した真空層内を
大気雰囲気まで戻した後、先ほど成膜した有機成膜用ボ
ートを取り除き、マグネシウムおよび酸化リチウムを別
のタングステン製ボートにそれぞれ１ｇ入れ、再度真空
排気した。４×１０-4Ｐａまで排気した時点で、酸化リ
チウムが入ったボートを加熱し、蒸発速度０．２Å／Ｓ
ｅｃで安定するように加熱条件を設定した。安定したと
ころで上部シャッターを開放し、１０Åの膜厚となるま
で成膜した。次に、マグネシウムが入ったボートを加熱
していき、成膜速度４０Å／Ｓｅｃとなるよう温度を設
定し、安定したところで再度、上部シャッターを開放し
た。膜厚３０００Åになったところで蒸着を終了し、Ｉ
ＴＯ／α−ＮＰＤ／Ａｌｑ３／Ｌｉ2 Ｏ／Ｍｇ構造、発
光エリア４ｍｍ2 の素子を作製した。この素子にＩＴＯ
を陽極、アルミニウムを陰極として１５Ｖの電圧を印加
すると、９００μＡの電流が流れた。また、ＩＴＯを正
極、アルミニウムを負極として１５Ｖの電圧を印加する
と３２ｎＡの電流が流れた。１５Ｖ印加時の整流比を計
算すると、２．８×１０4 であった。 （実施例３） 透明ガラス基板上にＩＴＯを１０００Åとなるようスパ
ッタ法により成膜した。このときのシート抵抗は１０Ω
／□であった。次に、所定のパターンとなるようにＩＴ
Ｏをエッチングし、ＩＴＯパターン付ガラスを用意し
た。この基板を純水、ＩＰＡで洗浄したあと、ＵＶオゾ
ン洗浄を行い、表面を十分に洗浄した。次に、正孔輸送
材料として、α−ＮＰＤ（Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ−
Ｎ−ビス（１−ナフチル）−（１，１’−ビフェニル）
−４，４’−ジアミン）をタンタル製のボートに１００
ｍｇ、また発光材料としてＡｌｑ３をタンタル製のボー
トに１００ｍｇそれぞれ別々に用意し、別の蒸発源とな
るように真空蒸着装置内にセットした。先に用意した基
板を同一の真空蒸着装置内にセットした後、装置内を２
×１０-4Ｐａの真空度となるまで排気し、到達した時点
でα−ＮＰＤが入ったボートを加熱していった。α−Ｎ
ＰＤが蒸発速度３Å／Ｓｅｃの一定速度になるまで温度
をコントロールした後、上部に設けられたシャッターを
開放し、成膜を開始し、５００Å成膜した時点でシャッ
ターを閉じ蒸着を終了した。同様の要領でＡｌｑ３を成
膜速度３Å／Ｓｅｃ、膜厚５５０Å成膜し、有機層形成
を終了した。次に、この有機層が成膜された基板を真空
を破らずに別の真空層へ待避させ、成膜した真空層内を
大気雰囲気まで戻した後、先ほど成膜した有機成膜用ボ
ートを取り除き、インジウムおよび酸化リチウムを別の
タングステン製ボートにそれぞれ１ｇ入れ、再度真空排
気した。４×１０-4Ｐａまで排気した時点で、酸化リチ
ウムが入ったボートを加熱し、蒸発速度０．２Å／Ｓｅ
ｃで安定するように加熱条件を設定した。安定したとこ
ろで上部シャッターを開放し、１０Åの膜厚となるまで
成膜した。次に、インジウムが入ったボートを加熱して
いき、成膜速度４０Å／Ｓｅｃとなるよう温度を設定
し、安定したところで再度、上部シャッターを開放し
た。膜厚３０００Åになったところで蒸着を終了し、Ｉ
ＴＯ／α−ＮＰＤ／Ａｌｑ３／Ｌｉ2 Ｏ／Ｉｎ構造、発
光エリア４ｍｍ2 の素子を作製した。この素子にＩＴＯ
を陽極、アルミニウムを陰極として１５Ｖの電圧を印加
すると、８５０μＡの電流が流れた。また、ＩＴＯを正
極、アルミニウムを負極として１５Ｖの電圧を印加する
と２９ｎＡの電流が流れた。１５Ｖ印加時の整流比を計
算すると、２．９×１０4 であった。 （実施例４） 透明ガラス基板上にＩＴＯを１０００Åとなるようスパ
ッタ法により成膜した。このときのシート抵抗は１０Ω
／□であった。次に、所定のパターンとなるようにＩＴ
Ｏをエッチングし、ＩＴＯパターン付ガラスを用意し
た。この基板を純水、ＩＰＡで洗浄したあと、ＵＶオゾ
ン洗浄を行い、表面を十分に洗浄した。次に、正孔輸送
材料として、α−ＮＰＤ（Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ−
Ｎ−ビス（１−ナフチル）−（１，１’−ビフェニル）
−４，４’−ジアミン）をタンタル製のボートに１００
ｍｇ、また発光材料としてＡｌｑ３をタンタル製のボー
トに１００ｍｇそれぞれ別々に用意し、別の蒸発源とな
るように真空蒸着装置内にセットした。先に用意した基
板を同一の真空蒸着装置内にセットした後、装置内を２
×１０-4Ｐａの真空度となるまで排気し、到達した時点
でα−ＮＰＤが入ったボートを加熱していった。α−Ｎ
ＰＤが蒸発速度３Å／Ｓｅｃの一定速度になるまで温度
をコントロールした後、上部に設けられたシャッターを
開放し、成膜を開始し、５００Å成膜した時点でシャッ
ターを閉じ蒸着を終了した。同様の要領でＡｌｑ３を成
膜速度３Å／Ｓｅｃ、膜厚５５０Å成膜し、有機層形成
を終了した。次に、この有機層が成膜された基板を真空
を破らずに別の真空層へ待避させ、成膜した真空層内を
大気雰囲気まで戻した後、先ほど成膜した有機成膜用ボ
ートを取り除き、アルミニウムおよび酸化リチウムを別
のタングステン製ボートにそれぞれ１ｇ入れ、再度真空
排気した。４×１０-4Ｐａまで排気した時点で、酸化リ
チウムが入ったボートを加熱し、蒸発速度０．２Å／Ｓ
ｅｃで安定するように加熱条件を設定した。それと同時
に、アルミニウムが入ったボートを加熱していき、成膜
速度４０Å／Ｓｅｃとなるよう温度を設定し、この両者
が安定したところで、上部シャッターを開放した。酸化
アルミニウムとアルミニウムの総厚が３０００Åになっ
たところで蒸着を終了し、ＩＴＯ／α−ＮＰＤ／Ａｌｑ
３／Ｌｉ2 Ｏ：Ａｌ構造、発光エリア４ｍｍ2 の素子を
作製した。この素子にＩＴＯを正極、アルミニウムと酸
化リチウムの混合層を負極として１５Ｖの電圧を印加す
ると、１１００μＡの電流が流れた。また、ＩＴＯを陰
極、アルミニウムと酸化リチウムの混合層を陽極として
１５Ｖの電圧を印加すると３０ｎＡの電流が流れた。１
５Ｖ印加時の整流比を計算すると、３．８×１０4 であ
った。 （実施例５） アルミニウムをマグネシウムとする以外は実施例４と同
様な手法で作製した素子にＩＴＯを正極、マグネシウム
と酸化リチウム混合層を負極として１５Ｖの電圧を印加
すると１０００μＡの電流が流れた。また、ＩＴＯを陰
極、アルミニウムと酸化リチウムの混合層を陽極として
１５Ｖの電圧を印加すると４０ｎＡの電流が流れた。こ
の時の整流比を計算すると、２．５×１０4 であった。 （実施例６） アルミニウムをインジウムとする以外は実施例４と同様
な手法で作製した素子にＩＴＯを正極、インジウムと酸
化リチウム混合層を負極として１５Ｖの電圧を印加する
と１０００μＡの電流が流れた。また、ＩＴＯを陰極、
インジウムと酸化リチウムの混合層を陽極として１５Ｖ
の電圧を印加すると４０ｎＡの電流が流れた。この時の
整流比を計算すると、２．５×１０4 であった。
ｘｉｄｅ）を１０００Åとなるようスパッタ法により成
膜した。このときのシート抵抗は１０Ω／□であった。
次に、所定のパターンとなるようにＩＴＯをエッチング
し、ＩＴＯパターン付ガラスを用意した。この基板を純
水、ＩＰＡで洗浄したあと、ＵＶオゾン洗浄を行い、表
面を十分に洗浄した。次に、正孔輸送材料として、α−
ＮＰＤ（Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ−Ｎ−ビス（１−ナ
フチル）−（１，１’−ビフェニル）−４，４’−ジア
ミン）をタンタル製のボートに１００ｍｇ、また発光材
料としてＡｌｑ３をタンタル製のボートに１００ｍｇそ
れぞれ別々に用意し、別の蒸発源となるように真空蒸着
装置内にセットした。先に用意した基板を同一の真空蒸
着装置内にセットした後、装置内を２×１０-4Ｐａの真
空度となるまで排気し、到達した時点でα−ＮＰＤが入
ったボートを加熱していった。α−ＮＰＤが蒸発速度３
Å／Ｓｅｃの一定速度になるまで温度をコントロールし
た後、上部に設けられたシャッターを開放し、成膜を開
始し、５００Å成膜した時点でシャッターを閉じ蒸着を
終了した。同様の要領でＡｌｑ３を成膜速度３Å／Ｓｅ
ｃ、膜厚５５０Å成膜し、有機層形成を終了した。次
に、この有機層が成膜された基板を真空を破らずに別の
真空層へ待避させ、成膜した真空層内を大気雰囲気まで
戻した後、先ほど成膜した有機成膜用ボートを取り除
き、アルミニウムおよび酸化リチウムを別のタングステ
ン製ボートにそれぞれ１ｇ入れ、再度真空排気した。４
×１０-4Ｐａまで排気した時点で、酸化リチウムが入っ
たボートを加熱し、蒸発速度０．２Å／Ｓｅｃで安定す
るように加熱条件を設定した。安定したところで上部シ
ャッターを開放し、１０Åの膜厚となるまで成膜した。
次に、アルミニウムが入ったボートを加熱していき、成
膜速度４０Å／Ｓｅｃとなるよう温度を設定し、安定し
たところで再度、上部シャッターを開放した。膜厚３０
００Åになったところで蒸着を終了し、ＩＴＯ／α−Ｎ
ＰＤ／Ａｌｑ３／Ｌｉ2 Ｏ／Ａｌ構造、発光エリア４ｍ
ｍ2 の素子を作製した。この素子にＩＴＯを正極、アル
ミニウムを負極として１５Ｖの電圧を印加すると、１１
００μＡの電流が流れた。また、ＩＴＯを陰極、アルミ
ニウムを陽極として１５Ｖの電圧を印加すると３０ｎＡ
の電流が流れた。１５Ｖ印加時の整流比を計算すると、
３．８×１０4 であった。 （実施例２） 透明ガラス基板上にＩＴＯを１０００Åとなるようスパ
ッタ法により成膜した。このときのシート抵抗は１０Ω
／□であった。次に、所定のパターンとなるようにＩＴ
Ｏをエッチングし、ＩＴＯパターン付ガラスを用意し
た。この基板を純水、ＩＰＡで洗浄したあと、ＵＶオゾ
ン洗浄を行い、表面を十分に洗浄した。次に、正孔輸送
材料として、α−ＮＰＤ（Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ−
Ｎ−ビス（１−ナフチル）−（１，１’−ビフェニル）
−４，４’−ジアミン）をタンタル製のボートに１００
ｍｇ、また発光材料としてＡｌｑ３をタンタル製のボー
トに１００ｍｇそれぞれ別々に用意し、別の蒸発源とな
るように真空蒸着装置内にセットした。先に用意した基
板を同一の真空蒸着装置内にセットした後、装置内を２
×１０-4Ｐａの真空度となるまで排気し、到達した時点
でα−ＮＰＤが入ったボートを加熱していった。α−Ｎ
ＰＤが蒸発速度３Å／Ｓｅｃの一定速度になるまで温度
をコントロールした後、上部に設けられたシャッターを
開放し、成膜を開始し、５００Å成膜した時点でシャッ
ターを閉じ蒸着を終了した。同様の要領でＡｌｑ３を成
膜速度３Å／Ｓｅｃ、膜厚５５０Å成膜し、有機層形成
を終了した。次に、この有機層が成膜された基板を真空
を破らずに別の真空層へ待避させ、成膜した真空層内を
大気雰囲気まで戻した後、先ほど成膜した有機成膜用ボ
ートを取り除き、マグネシウムおよび酸化リチウムを別
のタングステン製ボートにそれぞれ１ｇ入れ、再度真空
排気した。４×１０-4Ｐａまで排気した時点で、酸化リ
チウムが入ったボートを加熱し、蒸発速度０．２Å／Ｓ
ｅｃで安定するように加熱条件を設定した。安定したと
ころで上部シャッターを開放し、１０Åの膜厚となるま
で成膜した。次に、マグネシウムが入ったボートを加熱
していき、成膜速度４０Å／Ｓｅｃとなるよう温度を設
定し、安定したところで再度、上部シャッターを開放し
た。膜厚３０００Åになったところで蒸着を終了し、Ｉ
ＴＯ／α−ＮＰＤ／Ａｌｑ３／Ｌｉ2 Ｏ／Ｍｇ構造、発
光エリア４ｍｍ2 の素子を作製した。この素子にＩＴＯ
を陽極、アルミニウムを陰極として１５Ｖの電圧を印加
すると、９００μＡの電流が流れた。また、ＩＴＯを正
極、アルミニウムを負極として１５Ｖの電圧を印加する
と３２ｎＡの電流が流れた。１５Ｖ印加時の整流比を計
算すると、２．８×１０4 であった。 （実施例３） 透明ガラス基板上にＩＴＯを１０００Åとなるようスパ
ッタ法により成膜した。このときのシート抵抗は１０Ω
／□であった。次に、所定のパターンとなるようにＩＴ
Ｏをエッチングし、ＩＴＯパターン付ガラスを用意し
た。この基板を純水、ＩＰＡで洗浄したあと、ＵＶオゾ
ン洗浄を行い、表面を十分に洗浄した。次に、正孔輸送
材料として、α−ＮＰＤ（Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ−
Ｎ−ビス（１−ナフチル）−（１，１’−ビフェニル）
−４，４’−ジアミン）をタンタル製のボートに１００
ｍｇ、また発光材料としてＡｌｑ３をタンタル製のボー
トに１００ｍｇそれぞれ別々に用意し、別の蒸発源とな
るように真空蒸着装置内にセットした。先に用意した基
板を同一の真空蒸着装置内にセットした後、装置内を２
×１０-4Ｐａの真空度となるまで排気し、到達した時点
でα−ＮＰＤが入ったボートを加熱していった。α−Ｎ
ＰＤが蒸発速度３Å／Ｓｅｃの一定速度になるまで温度
をコントロールした後、上部に設けられたシャッターを
開放し、成膜を開始し、５００Å成膜した時点でシャッ
ターを閉じ蒸着を終了した。同様の要領でＡｌｑ３を成
膜速度３Å／Ｓｅｃ、膜厚５５０Å成膜し、有機層形成
を終了した。次に、この有機層が成膜された基板を真空
を破らずに別の真空層へ待避させ、成膜した真空層内を
大気雰囲気まで戻した後、先ほど成膜した有機成膜用ボ
ートを取り除き、インジウムおよび酸化リチウムを別の
タングステン製ボートにそれぞれ１ｇ入れ、再度真空排
気した。４×１０-4Ｐａまで排気した時点で、酸化リチ
ウムが入ったボートを加熱し、蒸発速度０．２Å／Ｓｅ
ｃで安定するように加熱条件を設定した。安定したとこ
ろで上部シャッターを開放し、１０Åの膜厚となるまで
成膜した。次に、インジウムが入ったボートを加熱して
いき、成膜速度４０Å／Ｓｅｃとなるよう温度を設定
し、安定したところで再度、上部シャッターを開放し
た。膜厚３０００Åになったところで蒸着を終了し、Ｉ
ＴＯ／α−ＮＰＤ／Ａｌｑ３／Ｌｉ2 Ｏ／Ｉｎ構造、発
光エリア４ｍｍ2 の素子を作製した。この素子にＩＴＯ
を陽極、アルミニウムを陰極として１５Ｖの電圧を印加
すると、８５０μＡの電流が流れた。また、ＩＴＯを正
極、アルミニウムを負極として１５Ｖの電圧を印加する
と２９ｎＡの電流が流れた。１５Ｖ印加時の整流比を計
算すると、２．９×１０4 であった。 （実施例４） 透明ガラス基板上にＩＴＯを１０００Åとなるようスパ
ッタ法により成膜した。このときのシート抵抗は１０Ω
／□であった。次に、所定のパターンとなるようにＩＴ
Ｏをエッチングし、ＩＴＯパターン付ガラスを用意し
た。この基板を純水、ＩＰＡで洗浄したあと、ＵＶオゾ
ン洗浄を行い、表面を十分に洗浄した。次に、正孔輸送
材料として、α−ＮＰＤ（Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ−
Ｎ−ビス（１−ナフチル）−（１，１’−ビフェニル）
−４，４’−ジアミン）をタンタル製のボートに１００
ｍｇ、また発光材料としてＡｌｑ３をタンタル製のボー
トに１００ｍｇそれぞれ別々に用意し、別の蒸発源とな
るように真空蒸着装置内にセットした。先に用意した基
板を同一の真空蒸着装置内にセットした後、装置内を２
×１０-4Ｐａの真空度となるまで排気し、到達した時点
でα−ＮＰＤが入ったボートを加熱していった。α−Ｎ
ＰＤが蒸発速度３Å／Ｓｅｃの一定速度になるまで温度
をコントロールした後、上部に設けられたシャッターを
開放し、成膜を開始し、５００Å成膜した時点でシャッ
ターを閉じ蒸着を終了した。同様の要領でＡｌｑ３を成
膜速度３Å／Ｓｅｃ、膜厚５５０Å成膜し、有機層形成
を終了した。次に、この有機層が成膜された基板を真空
を破らずに別の真空層へ待避させ、成膜した真空層内を
大気雰囲気まで戻した後、先ほど成膜した有機成膜用ボ
ートを取り除き、アルミニウムおよび酸化リチウムを別
のタングステン製ボートにそれぞれ１ｇ入れ、再度真空
排気した。４×１０-4Ｐａまで排気した時点で、酸化リ
チウムが入ったボートを加熱し、蒸発速度０．２Å／Ｓ
ｅｃで安定するように加熱条件を設定した。それと同時
に、アルミニウムが入ったボートを加熱していき、成膜
速度４０Å／Ｓｅｃとなるよう温度を設定し、この両者
が安定したところで、上部シャッターを開放した。酸化
アルミニウムとアルミニウムの総厚が３０００Åになっ
たところで蒸着を終了し、ＩＴＯ／α−ＮＰＤ／Ａｌｑ
３／Ｌｉ2 Ｏ：Ａｌ構造、発光エリア４ｍｍ2 の素子を
作製した。この素子にＩＴＯを正極、アルミニウムと酸
化リチウムの混合層を負極として１５Ｖの電圧を印加す
ると、１１００μＡの電流が流れた。また、ＩＴＯを陰
極、アルミニウムと酸化リチウムの混合層を陽極として
１５Ｖの電圧を印加すると３０ｎＡの電流が流れた。１
５Ｖ印加時の整流比を計算すると、３．８×１０4 であ
った。 （実施例５） アルミニウムをマグネシウムとする以外は実施例４と同
様な手法で作製した素子にＩＴＯを正極、マグネシウム
と酸化リチウム混合層を負極として１５Ｖの電圧を印加
すると１０００μＡの電流が流れた。また、ＩＴＯを陰
極、アルミニウムと酸化リチウムの混合層を陽極として
１５Ｖの電圧を印加すると４０ｎＡの電流が流れた。こ
の時の整流比を計算すると、２．５×１０4 であった。 （実施例６） アルミニウムをインジウムとする以外は実施例４と同様
な手法で作製した素子にＩＴＯを正極、インジウムと酸
化リチウム混合層を負極として１５Ｖの電圧を印加する
と１０００μＡの電流が流れた。また、ＩＴＯを陰極、
インジウムと酸化リチウムの混合層を陽極として１５Ｖ
の電圧を印加すると４０ｎＡの電流が流れた。この時の
整流比を計算すると、２．５×１０4 であった。
【００３５】次に、上記実施例の動作について説明す
る。実施例１〜６までいずれの場合においても、有機層
と電子注入電極との界面に酸化物を挿入する点で同様で
ある。従来、有機ＥＬ素子の電子注入電極は特開平５−
２５１１８５号公報や特開平４−２３０９９７号公報に
記載のようにＬｉやＣａもしくはＭｇなどの低仕事関数
材料と、Ａｌ、Ｉｎ、Ａｇなどの金属との混合物や合金
からなっている。しかし、これらの材料は有機物と比較
して、沸点が高く真空中での成膜とはいうものの、５０
０℃以上の温度を必要とする場合がほとんどである。し
たがって、有機層形成後に陰極を成膜する場合、少なく
とも蒸発源からの輻射熱と蒸発粒のエネルギーの双方に
晒されることになる。特に、蒸発粒が基板上で凝結する
際のエネルギーは有機層にダメージを与えるだけでな
く、陰極材料そのものの有機層内拡散へのエネルギーに
転化される場合があり、図２のようなバンド構造をとる
ことができなくなってしまう。このような傾向は上記金
属すべてに共通に発生するが、特にアルカリ金属では顕
著である。このような蒸着に伴う拡散を防ぎ、素子の整
流特性を向上、安定化するため、本発明者は酸化層が有
効であり、特に酸化リチウムが優れていることを見いだ
した。また、断熱効果をもたらす有効な酸化層の厚みは
１００Å以下程度で発現し、これ以下であればよいが、
酸化層が厚すぎると有機ＥＬ素子自体の順方向での発光
特性が悪化するため好適には２０Å以下とすることが望
ましい。しかし、１０Å未満の厚みでは薄膜の均一性が
失われ、充分な効果が得られない為これ以下の膜厚とす
ることは望ましくない。また、酸化リチウムをアルミニ
ウムやマグネシウムに混入して使用する場合には、特に
その濃度が発光特性に大きな影響を与える。これは酸化
リチウムと金属が混合された薄膜では金属の仕事関数と
酸化リチウムの仕事関数とは全く異なる仕事関数が発現
し、酸化リチウムの濃度に仕事関数を最も小さくするよ
うな最適濃度が存在する。アルミニウムの場合、酸化リ
チウムの最適混入量は０．０５〜１．５重量％でありマ
グネシウムの場合は０．０３〜１．８重量％の場合に発
光特性が最も優れたものとなる。
る。実施例１〜６までいずれの場合においても、有機層
と電子注入電極との界面に酸化物を挿入する点で同様で
ある。従来、有機ＥＬ素子の電子注入電極は特開平５−
２５１１８５号公報や特開平４−２３０９９７号公報に
記載のようにＬｉやＣａもしくはＭｇなどの低仕事関数
材料と、Ａｌ、Ｉｎ、Ａｇなどの金属との混合物や合金
からなっている。しかし、これらの材料は有機物と比較
して、沸点が高く真空中での成膜とはいうものの、５０
０℃以上の温度を必要とする場合がほとんどである。し
たがって、有機層形成後に陰極を成膜する場合、少なく
とも蒸発源からの輻射熱と蒸発粒のエネルギーの双方に
晒されることになる。特に、蒸発粒が基板上で凝結する
際のエネルギーは有機層にダメージを与えるだけでな
く、陰極材料そのものの有機層内拡散へのエネルギーに
転化される場合があり、図２のようなバンド構造をとる
ことができなくなってしまう。このような傾向は上記金
属すべてに共通に発生するが、特にアルカリ金属では顕
著である。このような蒸着に伴う拡散を防ぎ、素子の整
流特性を向上、安定化するため、本発明者は酸化層が有
効であり、特に酸化リチウムが優れていることを見いだ
した。また、断熱効果をもたらす有効な酸化層の厚みは
１００Å以下程度で発現し、これ以下であればよいが、
酸化層が厚すぎると有機ＥＬ素子自体の順方向での発光
特性が悪化するため好適には２０Å以下とすることが望
ましい。しかし、１０Å未満の厚みでは薄膜の均一性が
失われ、充分な効果が得られない為これ以下の膜厚とす
ることは望ましくない。また、酸化リチウムをアルミニ
ウムやマグネシウムに混入して使用する場合には、特に
その濃度が発光特性に大きな影響を与える。これは酸化
リチウムと金属が混合された薄膜では金属の仕事関数と
酸化リチウムの仕事関数とは全く異なる仕事関数が発現
し、酸化リチウムの濃度に仕事関数を最も小さくするよ
うな最適濃度が存在する。アルミニウムの場合、酸化リ
チウムの最適混入量は０．０５〜１．５重量％でありマ
グネシウムの場合は０．０３〜１．８重量％の場合に発
光特性が最も優れたものとなる。
【００３６】さらに、この酸化層と接する有機化合物は
陰極材料の拡散を抑制する為に、薄膜状態での成膜性を
向上させる必要がある。具体的には膜表面の凹凸や異物
を可能な限り低減させることが不可欠であるがこれらの
条件は有機化合物自体の構造に起因する。本発明者らは
鋭意検討を重ねた結果、請求項１記載の一般式（１）で
表される構造の有機材料が成膜性に優れ、且つ陰極材料
の拡散を最も抑制することを見いだした。これらの有機
材料の膜厚は凹凸がない薄膜状態を形成できる膜厚すな
わち、５ｎｍ以上あれば有効であるが、１００ｎｍ以上
形成すると駆動電圧が高くなってしまうのでこれ以下が
好ましい。陰極構成材料の内、主成分となるアルミニウ
ムやマグネシウムの成膜速度は速い方が好ましく、２０
Å／Ｓｅｃ以上２００Å／Ｓｅｃ以下が望まれる。これ
は、下地となる有機材料への輻射熱の影響を避ける為
と、表面の微細な空隙に対する金属材料の侵入を防止す
る為である。なお、２００Å／Ｓｅｃ以上の速度は真空
中の成膜中著しい真空度の上昇を招き表面の空隙が逆に
大きくなる為に好ましくない。以上説明したような酸化
リチウム層の導入、下地有機化合物の最適構造並びに陰
極成膜速度はそれぞれ独立に用いることでも有効である
が、これらを組み合わせることでさらなる効果を期待す
ることができる。 （実施例６）−実施例１の他の実施例− Ａｌｑ３を表１中の（８）とする以外は実施例１と同様
な方法で作製した素子にＩＴＯを正極、アルミニウムを
負極として１５Ｖの電圧を印加すると、１３００μＡの
電流が流れた。また、ＩＴＯを陰極、アルミニウムを陽
極として１５Ｖの電圧を印加すると２０ｎＡの電流が流
れた。１５Ｖの印加時の整流比を計算すると、３．８×
１０4 であった。 （実施例７）−実施例１の他の実施例− Ａｌｑ３を表１中の（１２）とする以外は実施例１と同
様な方法で作製した素子にＩＴＯを正極、アルミニウム
を負極として１５Ｖの電圧を印加すると、１５００μＡ
の電流が流れた。また、ＩＴＯを陰極、アルミニウムを
陽極として１５Ｖの電圧を印加すると３ｎＡの電流が流
れた。１５Ｖ印加時の整流比を計算すると、５．０×１
０5 であった。 （実施例８）−実施例１の他の実施例− Ａｌｑ３を表２中の（１４）とする以外は実施例１と同
様な方法で作製した素子にＩＴＯを正極、アルミニウム
を負極として１５Ｖの電圧を印加すると、１２００μＡ
の電流が流れた。また、ＩＴＯを陰極、アルミニウムを
陽極として１５Ｖの電圧を印加すると６ｎＡの電流が流
れた。１５Ｖ印加時の整流比を計算すると、２．０×１
０5 であった。 （実施例９）−実施例１の他の実施例− Ａｌｑ３を表２中の（２０）とする以外は実施例１と同
様な方法で作製した素子にＩＴＯを正極、アルミニウム
を負極として１５Ｖの電圧を印加すると、１１００μＡ
の電流が流れた。また、ＩＴＯを陰極、アルミニウムを
陽極として１５Ｖの電圧を印加すると４０ｎＡの電流が
流れた。１５Ｖ印加時の整流比を計算すると、２．７５
×１０4 であった。 （実施例１０）−実施例１の他の実施例− Ａｌｑ３を表３中の（３１）とする以外は実施例１と同
様な方法で作製した素子にＩＴＯを正極、アルミニウム
リチウム合金層を負極として１５Ｖの電圧を印加する
と、１ｍＡの電流が流れた。また、ＩＴＯを陰極、アル
ミニウムを陽極として１５Ｖの電圧を印加すると１００
ｐＡの電流が流れた。１５Ｖ印加時の整流比を計算する
と、１．０×１０7 であった。 （実施例１１）−実施例１の他の実施例− Ａｌｑ３を表４中の（４２）とする以外は実施例１と同
様な方法で作製した素子にＩＴＯを正極、マグネシウム
銀電極を負極として１５Ｖの電圧を印加すると、１１０
０μＡの電流が流れた。また、ＩＴＯを陰極、アルミニ
ウムを陽極として１５Ｖの電圧を印加すると１３０ｐＡ
の電流が流れた。１５Ｖ印加時の整流比を計算すると、
８．５×１０5 であった。 （実施例１２）−実施例１の他の実施例− 透明ガラス基板上にＩＴＯを１０００Åとなるようスパ
ッタ法により成膜した。このときのシート抵抗は１０Ω
／□であった。次に、所定のパターンとなるようにＩＴ
Ｏをエッチングし、ＩＴＯパターン付ガラスを用意し
た。この基板を純水、ＩＰＡで洗浄したあと、ＵＶオゾ
ン洗浄を行い、表面を十分に洗浄した。次に、正孔輸送
材料として、α−ＮＰＤ（Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ−
Ｎ−ビス（１−ナフチル）−（１，１’−ビフェニル）
−４，４’−ジアミン）をタンタル製のボートに１００
ｍｇ、また発光材料としてＡｌｑ３をタンタル製のボー
トに１００ｍｇ、さらに表１４中の化合物（１５０）を
１００ｍｇそれぞれ別々に用意し、別の蒸発源となるよ
うに真空蒸着装置内にセットした。先に用意した基板を
同一の真空蒸着装置内にセットした後、装置内を２×１
０-4Ｐａの真空度となるまで排気し、到達した時点でα
−ＮＰＤが入ったボートを加熱していった。α−ＮＰＤ
が蒸発速度３Å／Ｓｅｃの一定速度になるまで温度をコ
ントロールした後、上部に設けられたシャッターを開放
し、成膜を開始し、５００Å成膜した時点でシャッター
を閉じ蒸着を終了した。同様の要領でＡｌｑ３を成膜速
度３Å／Ｓｅｃ、膜厚４００Å成膜し、最後に化合物
（１５０）が入ったボートを加熱し蒸着速度３Å／Ｓｅ
ｃの一定速度で３００Å成膜し、有機層形成を終了し
た。次に、この有機層が成膜された基板を真空を破らず
に別の真空層へ待避させ、成膜した真空層内を大気雰囲
気まで戻した後、先ほど成膜した有機成膜用ボートを取
り除き、アルミニウムおよび酸化リチウムを別のタング
ステン製ボートにそれぞれ１ｇ入れ、再度真空排気し
た。４×１０-4Ｐａまで排気した時点で、酸化リチウム
が入ったボートを加熱し、蒸発速度０．２Å／Ｓｅｃで
安定するように加熱条件を設定した。安定したところで
上部シャッターを開放し、１０Åの膜厚となるまで成膜
した。次に、アルミニウムが入ったボートを加熱してい
き、成膜速度４０Å／Ｓｅｃとなるよう温度を設定し、
安定したところで再度、上部シャッターを開放した。膜
厚３０００Åになったところで蒸着を終了し、ＩＴＯ／
α−ＮＰＤ／Ａｌｑ３／化合物（１５０）／Ｌｉ2 Ｏ／
Ａｌ構造、発光エリア４ｍｍ2の素子を作製した。この
素子にＩＴＯを正極、アルミニウムを負極として１５Ｖ
の電圧を印加すると、１０ｍＡの電流が流れた。また、
ＩＴＯを陰極、アルミニウムを陽極として１５Ｖの電圧
を印加すると１ｎＡの電流が流れた。１５Ｖ印加時の整
流比を計算すると、１．０×１０7 であった。 （実施例１３）−実施例２の他の実施例− Ａｌｑ３を表１２中の（１３０）とする以外は実施例２
と同様な方法で作製した素子にＩＴＯを正極、アルミニ
ウムリチウム合金層を負極として１５Ｖの電圧を印加す
ると、１ｍＡの電流が流れた。また、ＩＴＯを陰極、マ
グネシウムを陽極として１５Ｖの電圧を印加すると６０
ｐＡの電流が流れた。１５Ｖ印加時の整流比を計算する
と、３．３×１０8 であった。 （実施例１４）−実施例２の他の実施例− Ａｌｑ３を表１６中の（１７７）とする以外は実施例３
と同様な方法で作製した素子にＩＴＯを正極、アルミニ
ウムリチウム合金層を負極として１５Ｖの電圧を印加す
ると、１２００μＡの電流が流れた。また、ＩＴＯを陰
極、マグネシウムを陽極として１５Ｖの電圧を印加する
と３００ｐＡの電流が流れた。１５Ｖ印加時の整流比を
計算すると、４．０×１０6 であった。 （比較例１）−実施例１に対する比較例− 酸化リチウムを成膜しない以外は実施例１と同様な方法
で作製した素子にＩＴＯを正極、アルミニウムを負極と
して１５Ｖの電圧を印加すると、２０８０μＡの電流が
流れた。また、ＩＴＯを陰極、マグネシウムを陽極とし
て１５Ｖの電圧を印加すると８００ｎＡを中心として不
安定な電流が観測された。１５Ｖ印加時の整流比を計算
すると、２．６×１０2 であった。
陰極材料の拡散を抑制する為に、薄膜状態での成膜性を
向上させる必要がある。具体的には膜表面の凹凸や異物
を可能な限り低減させることが不可欠であるがこれらの
条件は有機化合物自体の構造に起因する。本発明者らは
鋭意検討を重ねた結果、請求項１記載の一般式（１）で
表される構造の有機材料が成膜性に優れ、且つ陰極材料
の拡散を最も抑制することを見いだした。これらの有機
材料の膜厚は凹凸がない薄膜状態を形成できる膜厚すな
わち、５ｎｍ以上あれば有効であるが、１００ｎｍ以上
形成すると駆動電圧が高くなってしまうのでこれ以下が
好ましい。陰極構成材料の内、主成分となるアルミニウ
ムやマグネシウムの成膜速度は速い方が好ましく、２０
Å／Ｓｅｃ以上２００Å／Ｓｅｃ以下が望まれる。これ
は、下地となる有機材料への輻射熱の影響を避ける為
と、表面の微細な空隙に対する金属材料の侵入を防止す
る為である。なお、２００Å／Ｓｅｃ以上の速度は真空
中の成膜中著しい真空度の上昇を招き表面の空隙が逆に
大きくなる為に好ましくない。以上説明したような酸化
リチウム層の導入、下地有機化合物の最適構造並びに陰
極成膜速度はそれぞれ独立に用いることでも有効である
が、これらを組み合わせることでさらなる効果を期待す
ることができる。 （実施例６）−実施例１の他の実施例− Ａｌｑ３を表１中の（８）とする以外は実施例１と同様
な方法で作製した素子にＩＴＯを正極、アルミニウムを
負極として１５Ｖの電圧を印加すると、１３００μＡの
電流が流れた。また、ＩＴＯを陰極、アルミニウムを陽
極として１５Ｖの電圧を印加すると２０ｎＡの電流が流
れた。１５Ｖの印加時の整流比を計算すると、３．８×
１０4 であった。 （実施例７）−実施例１の他の実施例− Ａｌｑ３を表１中の（１２）とする以外は実施例１と同
様な方法で作製した素子にＩＴＯを正極、アルミニウム
を負極として１５Ｖの電圧を印加すると、１５００μＡ
の電流が流れた。また、ＩＴＯを陰極、アルミニウムを
陽極として１５Ｖの電圧を印加すると３ｎＡの電流が流
れた。１５Ｖ印加時の整流比を計算すると、５．０×１
０5 であった。 （実施例８）−実施例１の他の実施例− Ａｌｑ３を表２中の（１４）とする以外は実施例１と同
様な方法で作製した素子にＩＴＯを正極、アルミニウム
を負極として１５Ｖの電圧を印加すると、１２００μＡ
の電流が流れた。また、ＩＴＯを陰極、アルミニウムを
陽極として１５Ｖの電圧を印加すると６ｎＡの電流が流
れた。１５Ｖ印加時の整流比を計算すると、２．０×１
０5 であった。 （実施例９）−実施例１の他の実施例− Ａｌｑ３を表２中の（２０）とする以外は実施例１と同
様な方法で作製した素子にＩＴＯを正極、アルミニウム
を負極として１５Ｖの電圧を印加すると、１１００μＡ
の電流が流れた。また、ＩＴＯを陰極、アルミニウムを
陽極として１５Ｖの電圧を印加すると４０ｎＡの電流が
流れた。１５Ｖ印加時の整流比を計算すると、２．７５
×１０4 であった。 （実施例１０）−実施例１の他の実施例− Ａｌｑ３を表３中の（３１）とする以外は実施例１と同
様な方法で作製した素子にＩＴＯを正極、アルミニウム
リチウム合金層を負極として１５Ｖの電圧を印加する
と、１ｍＡの電流が流れた。また、ＩＴＯを陰極、アル
ミニウムを陽極として１５Ｖの電圧を印加すると１００
ｐＡの電流が流れた。１５Ｖ印加時の整流比を計算する
と、１．０×１０7 であった。 （実施例１１）−実施例１の他の実施例− Ａｌｑ３を表４中の（４２）とする以外は実施例１と同
様な方法で作製した素子にＩＴＯを正極、マグネシウム
銀電極を負極として１５Ｖの電圧を印加すると、１１０
０μＡの電流が流れた。また、ＩＴＯを陰極、アルミニ
ウムを陽極として１５Ｖの電圧を印加すると１３０ｐＡ
の電流が流れた。１５Ｖ印加時の整流比を計算すると、
８．５×１０5 であった。 （実施例１２）−実施例１の他の実施例− 透明ガラス基板上にＩＴＯを１０００Åとなるようスパ
ッタ法により成膜した。このときのシート抵抗は１０Ω
／□であった。次に、所定のパターンとなるようにＩＴ
Ｏをエッチングし、ＩＴＯパターン付ガラスを用意し
た。この基板を純水、ＩＰＡで洗浄したあと、ＵＶオゾ
ン洗浄を行い、表面を十分に洗浄した。次に、正孔輸送
材料として、α−ＮＰＤ（Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ−
Ｎ−ビス（１−ナフチル）−（１，１’−ビフェニル）
−４，４’−ジアミン）をタンタル製のボートに１００
ｍｇ、また発光材料としてＡｌｑ３をタンタル製のボー
トに１００ｍｇ、さらに表１４中の化合物（１５０）を
１００ｍｇそれぞれ別々に用意し、別の蒸発源となるよ
うに真空蒸着装置内にセットした。先に用意した基板を
同一の真空蒸着装置内にセットした後、装置内を２×１
０-4Ｐａの真空度となるまで排気し、到達した時点でα
−ＮＰＤが入ったボートを加熱していった。α−ＮＰＤ
が蒸発速度３Å／Ｓｅｃの一定速度になるまで温度をコ
ントロールした後、上部に設けられたシャッターを開放
し、成膜を開始し、５００Å成膜した時点でシャッター
を閉じ蒸着を終了した。同様の要領でＡｌｑ３を成膜速
度３Å／Ｓｅｃ、膜厚４００Å成膜し、最後に化合物
（１５０）が入ったボートを加熱し蒸着速度３Å／Ｓｅ
ｃの一定速度で３００Å成膜し、有機層形成を終了し
た。次に、この有機層が成膜された基板を真空を破らず
に別の真空層へ待避させ、成膜した真空層内を大気雰囲
気まで戻した後、先ほど成膜した有機成膜用ボートを取
り除き、アルミニウムおよび酸化リチウムを別のタング
ステン製ボートにそれぞれ１ｇ入れ、再度真空排気し
た。４×１０-4Ｐａまで排気した時点で、酸化リチウム
が入ったボートを加熱し、蒸発速度０．２Å／Ｓｅｃで
安定するように加熱条件を設定した。安定したところで
上部シャッターを開放し、１０Åの膜厚となるまで成膜
した。次に、アルミニウムが入ったボートを加熱してい
き、成膜速度４０Å／Ｓｅｃとなるよう温度を設定し、
安定したところで再度、上部シャッターを開放した。膜
厚３０００Åになったところで蒸着を終了し、ＩＴＯ／
α−ＮＰＤ／Ａｌｑ３／化合物（１５０）／Ｌｉ2 Ｏ／
Ａｌ構造、発光エリア４ｍｍ2の素子を作製した。この
素子にＩＴＯを正極、アルミニウムを負極として１５Ｖ
の電圧を印加すると、１０ｍＡの電流が流れた。また、
ＩＴＯを陰極、アルミニウムを陽極として１５Ｖの電圧
を印加すると１ｎＡの電流が流れた。１５Ｖ印加時の整
流比を計算すると、１．０×１０7 であった。 （実施例１３）−実施例２の他の実施例− Ａｌｑ３を表１２中の（１３０）とする以外は実施例２
と同様な方法で作製した素子にＩＴＯを正極、アルミニ
ウムリチウム合金層を負極として１５Ｖの電圧を印加す
ると、１ｍＡの電流が流れた。また、ＩＴＯを陰極、マ
グネシウムを陽極として１５Ｖの電圧を印加すると６０
ｐＡの電流が流れた。１５Ｖ印加時の整流比を計算する
と、３．３×１０8 であった。 （実施例１４）−実施例２の他の実施例− Ａｌｑ３を表１６中の（１７７）とする以外は実施例３
と同様な方法で作製した素子にＩＴＯを正極、アルミニ
ウムリチウム合金層を負極として１５Ｖの電圧を印加す
ると、１２００μＡの電流が流れた。また、ＩＴＯを陰
極、マグネシウムを陽極として１５Ｖの電圧を印加する
と３００ｐＡの電流が流れた。１５Ｖ印加時の整流比を
計算すると、４．０×１０6 であった。 （比較例１）−実施例１に対する比較例− 酸化リチウムを成膜しない以外は実施例１と同様な方法
で作製した素子にＩＴＯを正極、アルミニウムを負極と
して１５Ｖの電圧を印加すると、２０８０μＡの電流が
流れた。また、ＩＴＯを陰極、マグネシウムを陽極とし
て１５Ｖの電圧を印加すると８００ｎＡを中心として不
安定な電流が観測された。１５Ｖ印加時の整流比を計算
すると、２．６×１０2 であった。
【００３７】
【発明の効果】本発明に係わる有機薄膜ＥＬ素子とその
製造方法は、上述のように構成したので、以下のような
効果を奏する。第一の効果は、従来と比較しても約２桁
程度の整流特性の改善が見られることにある。これは、
陰極材料が有機層内へ拡散することなく界面に集約して
いるために理想的なショットキー障壁が形成され、その
結果、リーク電流を抑制することができることを要因と
している。
製造方法は、上述のように構成したので、以下のような
効果を奏する。第一の効果は、従来と比較しても約２桁
程度の整流特性の改善が見られることにある。これは、
陰極材料が有機層内へ拡散することなく界面に集約して
いるために理想的なショットキー障壁が形成され、その
結果、リーク電流を抑制することができることを要因と
している。
【００３８】また、第二の効果として、この理想的ショ
ットキー障壁形成にともない、順方向電圧約３Ｖ付近に
見られる異常電流をも抑制することができる。これらの
効果により、単純マトリクス型の表示装置を作製した場
合に、非選択画素の点灯は無く、コントラストの向上に
繋がる。
ットキー障壁形成にともない、順方向電圧約３Ｖ付近に
見られる異常電流をも抑制することができる。これらの
効果により、単純マトリクス型の表示装置を作製した場
合に、非選択画素の点灯は無く、コントラストの向上に
繋がる。
【図１】有機薄膜ＥＬ素子が単純マトリクスの概略の平
面図である。
面図である。
【図２】発光過程を模式的に示したエネルギーダイアグ
ラム図である。
ラム図である。
【図３】ダイオード特性を持つ素子をマトリクス化した
場合の電流パスを示す図である。
場合の電流パスを示す図である。
【図４】素子が完全なダイオード特性を持たない場合の
電流パスを示す図である。
電流パスを示す図である。
【図５】本発明の有機薄膜ＥＬ素子の構造を示す図であ
る。
る。
【図６】本発明の有機薄膜ＥＬ素子の他の構造を示す図
である。
である。
１ 陽極付き基板
２ 有機層
３ 化合物
４ 陰極Ｌｉ2 Ｏ
５ Ａｌ層又はＭｇ層
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(56)参考文献 特開 平10−125474（ＪＰ，Ａ)
特開 平５−198378（ＪＰ，Ａ)
特開 平６−172751（ＪＰ，Ａ)
特表 平10−503878（ＪＰ，Ａ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H05B 33/00 - 33/28
Claims (5)
- 【請求項１】 対向する陽極と陰極との間に少なくとも
１層以上の有機薄膜層を有する電荷注入型の有機薄膜Ｅ
Ｌ素子であって、前記陰極が、アルミニウムを主成分と
し、且つ０．０５〜１．５重量％の酸化リチウムを含有
し、前記陰極と接する有機薄膜層が下記一般式（Ｉ）で
示される有機化合物を含有することを特徴とする有機薄
膜ＥＬ素子。 【化２】 （式中、Ｒ1〜Ｒ6はそれぞれ独立に水素原子、ハロゲン
原子、アルキル基、アルコキシ基、シアノ基、Ｌは−Ｏ
Ｒ7（Ｒ7はアルキル基、シクロアルキル基、窒素原子を
含んでもよい芳香族環基、金属原子や酸素原子からなる
連結基を有する芳香族環基、又は前記連結基を有するオ
キシノイド化合物の配位子を示す）、Ｍは金属原子を表
し、ｎは１又は２の整数である。） - 【請求項２】 対向する陽極と陰極との間に少なくとも
１層以上の有機薄膜層を有する電荷注入型の有機薄膜Ｅ
Ｌ素子であって、前記陰極が、マグネシウムを主成分と
し、且つ０．０３〜１．８重量％の酸化リチウムを含有
し、前記陰極と接する有機薄膜層が下記一般式（Ｉ）で
示される有機化合物を含有することを特徴とする有機薄
膜ＥＬ素子。 【化３】 （式中、Ｒ1〜Ｒ6はそれぞれ独立に水素原子、ハロゲン
原子、アルキル基、アルコキシ基、シアノ基、Ｌは−Ｏ
Ｒ7（Ｒ7はアルキル基、シクロアルキル基、窒素原子を
含んでもよい芳香族環基、金属原子や酸素原子からなる
連結基を有する芳香族環基、又は前記連結基を有するオ
キシノイド化合物の配位子を示す）、Ｍは金属原子を表
し、ｎは１又は２の整数である。） - 【請求項３】 前記特定構造を有する有機化合物の膜厚
が５ｎｍ以上１００ｎｍ以下であることを特徴とする請
求項１または２の何れかに記載の有機薄膜ＥＬ素子。 - 【請求項４】 対向する陽極と陰極との間に少なくとも
１層以上の有機薄膜層を有する電荷注入型の有機薄膜Ｅ
Ｌ素子であって、前記陰極が、アルミニウムを主成分と
し、且つ０．０５〜１．５重量％の酸化リチウムを含有
し、前記陰極と接する有機薄膜層が下記一般式（Ｉ）で
示される有機化合物を含有し、前記陰極の成膜速度が２
ｎｍ／ｓｅｃ以上２０ｎｍ／ｓｅｃ以下であることを特
徴とする有機薄膜ＥＬ素子の製造方法。 【化５】 （式中、Ｒ1〜Ｒ6はそれぞれ独立に水素原子、ハロゲン
原子、アルキル基、アルコキシ基、シアノ基、Ｌは−Ｏ
Ｒ7（Ｒ7はアルキル基、シクロアルキル基、窒素原子を
含んでもよい芳香族環基、金属原子や酸素原子からなる
連結基を有する芳香族環基、又は前記連結基を有するオ
キシノイド化合物の配位子を示す）、Ｍは金属原子を表
し、ｎは１又は２の整数である。） - 【請求項５】 対向する陽極と陰極との間に少なくとも
１層以上の有機薄膜層を有する電荷注入型の有機薄膜Ｅ
Ｌ素子であって、前記陰極が、マグネシウムを主成分と
し、且つ０．０３〜１．８重量％の酸化リチウムを含有
し、前記陰極と接する有機薄膜層が下記一般式（Ｉ）で
示される有機化合物を含有し、前記陰極の成膜速度が２
ｎｍ／ｓｅｃ以上２０ｎｍ／ｓｅｃ以下であることを特
徴とする有機薄膜ＥＬ素子の製造方法。 【化６】 （式中、Ｒ1〜Ｒ6はそれぞれ独立に水素原子、ハロゲン
原子、アルキル基、アルコキシ基、シアノ基、Ｌは−Ｏ
Ｒ7（Ｒ7はアルキル基、シクロアルキル基、窒素原子を
含んでもよい芳香族環基、金属原子や酸素原子からなる
連結基を有する芳香族環基、又は前記連結基を有するオ
キシノイド化合物の配位子を示す）、Ｍは金属原子を表
し、ｎは１又は２の整数である。）
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP36418398A JP3492535B2 (ja) | 1998-12-22 | 1998-12-22 | 有機薄膜ｅｌ素子とその製造方法 |
| KR1019990060495A KR100357502B1 (ko) | 1998-12-22 | 1999-12-22 | 유기박막 ｅｌ 소자와 그 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP36418398A JP3492535B2 (ja) | 1998-12-22 | 1998-12-22 | 有機薄膜ｅｌ素子とその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000188184A JP2000188184A (ja) | 2000-07-04 |
| JP3492535B2 true JP3492535B2 (ja) | 2004-02-03 |
Family
ID=18481181
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP36418398A Expired - Lifetime JP3492535B2 (ja) | 1998-12-22 | 1998-12-22 | 有機薄膜ｅｌ素子とその製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3492535B2 (ja) |
| KR (1) | KR100357502B1 (ja) |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001058222A1 (en) * | 2000-02-02 | 2001-08-09 | Mitsubishi Chemical Corporation | Organic electroluminescent element and method of manufacture thereof |
| JP3972584B2 (ja) * | 2000-02-02 | 2007-09-05 | 三菱化学株式会社 | 有機電界発光素子及びその製造方法 |
| DE10152655B4 (de) | 2000-10-17 | 2013-10-02 | Samsung Display Co., Ltd. | Verfahren zur Herstellung einer organischen Elektrolumineszenz-Vorrichtung |
| US6921590B2 (en) * | 2001-09-25 | 2005-07-26 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Organic electroluminescent device |
| KR100472502B1 (ko) * | 2001-12-26 | 2005-03-08 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 전계 발광 표시 장치 |
| JP4734849B2 (ja) * | 2003-05-14 | 2011-07-27 | 三菱化学株式会社 | アルミニウム混合配位子錯体化合物、電荷輸送材料、有機電界発光素子材料および有機電界発光素子 |
| JP2011204671A (ja) * | 2010-03-02 | 2011-10-13 | Canon Inc | 有機ｅｌ素子およびそれを用いた発光装置 |
| KR20140021398A (ko) | 2012-08-10 | 2014-02-20 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
| JP2018181658A (ja) * | 2017-04-17 | 2018-11-15 | 独立行政法人国立高等専門学校機構 | 有機発光素子の製造方法 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3236332B2 (ja) * | 1991-01-29 | 2001-12-10 | パイオニア株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| US5150006A (en) * | 1991-08-01 | 1992-09-22 | Eastman Kodak Company | Blue emitting internal junction organic electroluminescent device (II) |
-
1998
- 1998-12-22 JP JP36418398A patent/JP3492535B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1999
- 1999-12-22 KR KR1019990060495A patent/KR100357502B1/ko active IP Right Grant
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20000048342A (ko) | 2000-07-25 |
| JP2000188184A (ja) | 2000-07-04 |
| KR100357502B1 (ko) | 2002-10-19 |
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Legal Events
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
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| R371 | Transfer withdrawn |
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| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
| R250 | Receipt of annual fees |
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|
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