JPH07166160A - 有機薄膜el素子 - Google Patents
有機薄膜el素子Info
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- JPH07166160A JPH07166160A JP5316415A JP31641593A JPH07166160A JP H07166160 A JPH07166160 A JP H07166160A JP 5316415 A JP5316415 A JP 5316415A JP 31641593 A JP31641593 A JP 31641593A JP H07166160 A JPH07166160 A JP H07166160A
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Abstract
(57)【要約】 (修正有)
【構成】式1の化合物を有機発光層に含む有機薄膜EL
素子。 【効果】蛍光量子効率が高く、母体蛍光物質中で正孔を
効果的にトラップするので発光効率の高い有機発光層を
有する有機薄膜EL素子が得られる。
素子。 【効果】蛍光量子効率が高く、母体蛍光物質中で正孔を
効果的にトラップするので発光効率の高い有機発光層を
有する有機薄膜EL素子が得られる。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、有機薄膜のエレクトロ
ルミネセンス(以下単にELという)現象を利用した有
機薄膜EL素子に関するものである。
ルミネセンス(以下単にELという)現象を利用した有
機薄膜EL素子に関するものである。
【0002】
【従来の技術】イーストマン・コダック社のC.W.T
angらにより開発された有機薄膜EL素子は、特開昭
59−194393号公報、特開昭63−264692
号公報、特開昭63−295695号公報、アプライド
・フィジックス・レター第51巻第12号第913頁
(1987年)、およびジャーナル・オブ・アプライド
フィジックス第65巻第9号第3610頁(1989
年)、テレビジョン学会技術報告16巻、2号、47頁
(1992年)等によれば、一般的には陽極、有機正孔
注入輸送層、有機発光層、陰極の順に構成され以下のよ
うに作られている。
angらにより開発された有機薄膜EL素子は、特開昭
59−194393号公報、特開昭63−264692
号公報、特開昭63−295695号公報、アプライド
・フィジックス・レター第51巻第12号第913頁
(1987年)、およびジャーナル・オブ・アプライド
フィジックス第65巻第9号第3610頁(1989
年)、テレビジョン学会技術報告16巻、2号、47頁
(1992年)等によれば、一般的には陽極、有機正孔
注入輸送層、有機発光層、陰極の順に構成され以下のよ
うに作られている。
【0003】図1に示すように、まず、ガラスや樹脂フ
ィルム等の透明絶縁性の基板(1)上に、蒸着又はスパ
ッタリング法等でインジウムとスズの複合酸化物(以下
ITOという)の透明導電性被膜の陽極(2)が形成さ
れる。次に有機正孔注入輸送層(3)として銅フタロシ
アニン(以下CuPcと略す)、あるいは(化2)また
は(化3)で示される化合物:
ィルム等の透明絶縁性の基板(1)上に、蒸着又はスパ
ッタリング法等でインジウムとスズの複合酸化物(以下
ITOという)の透明導電性被膜の陽極(2)が形成さ
れる。次に有機正孔注入輸送層(3)として銅フタロシ
アニン(以下CuPcと略す)、あるいは(化2)また
は(化3)で示される化合物:
【0004】
【化2】
【0005】
【化3】
【0006】等のテトラアリールジアミンを、0.1μ
m程度以下の厚さに単層または積層して蒸着して形成す
る。
m程度以下の厚さに単層または積層して蒸着して形成す
る。
【0007】次に有機正孔注入輸送層(3)上にトリス
(8−キノリノール)アルミニウム(以下Alq3 と略
す)等の有機蛍光体を0.1μm程度以下の厚さで蒸着
し、有機発光層(4)を形成する。その際、有機発光層
中に高蛍光量子収率の高い種々の蛍光体を数モル%以内
の濃度でドーピングすることで、2倍程度発光効率を向
上することもできる。
(8−キノリノール)アルミニウム(以下Alq3 と略
す)等の有機蛍光体を0.1μm程度以下の厚さで蒸着
し、有機発光層(4)を形成する。その際、有機発光層
中に高蛍光量子収率の高い種々の蛍光体を数モル%以内
の濃度でドーピングすることで、2倍程度発光効率を向
上することもできる。
【0008】最後に、その上に陰極(5)としてMg:
Ag,Ag:Eu,Mg:Cu,Mg:In,Mg:S
n等の合金を、共蒸着法により200nm程度蒸着して
いる。
Ag,Ag:Eu,Mg:Cu,Mg:In,Mg:S
n等の合金を、共蒸着法により200nm程度蒸着して
いる。
【0009】以上のように作られた素子は、透明電極側
を陽極として20〜30V以下の直流低電圧を印加する
ことにより発光層に正孔と電子が注入され、その再結合
により発光し1000cd/m2 以上の輝度が得られ
る。
を陽極として20〜30V以下の直流低電圧を印加する
ことにより発光層に正孔と電子が注入され、その再結合
により発光し1000cd/m2 以上の輝度が得られ
る。
【0010】
【発明が解決しようとする課題】有機薄膜EL素子は、
駆動により輝度が低下し劣化するが、できるだけ劣化を
遅らせるためには低い電流密度で駆動する必要がある。
しかし電流密度を低くすると輝度も低下してしまうた
め、発光層の発光効率を上げて低電流密度でも、できる
だけ輝度が低下しないようにする必要がある。そこで、
高蛍光量子収率でEL発光効率の高い新しいドーピング
用色素が求められていた。また、保存中の劣化を防ぐた
めに、酸化し難い陰極と封止方法が求められていた。
駆動により輝度が低下し劣化するが、できるだけ劣化を
遅らせるためには低い電流密度で駆動する必要がある。
しかし電流密度を低くすると輝度も低下してしまうた
め、発光層の発光効率を上げて低電流密度でも、できる
だけ輝度が低下しないようにする必要がある。そこで、
高蛍光量子収率でEL発光効率の高い新しいドーピング
用色素が求められていた。また、保存中の劣化を防ぐた
めに、酸化し難い陰極と封止方法が求められていた。
【0011】
【課題を解決するための手段】本発明は上記の課題に鑑
みてなされたものであって、互いに対向する電極間に、
少なくとも有機発光層を含む1層以上の有機薄膜層が介
在して構成される有機薄膜EL素子において、有機発光
層に(化1)で示される化合物を含むことを特徴とする
有機薄膜EL素子であって、さらに、陰極に安定なAl
合金を用い、さらに封止によって酸素と水分の侵入を防
いだことを特徴とする有機薄膜EL素子である。
みてなされたものであって、互いに対向する電極間に、
少なくとも有機発光層を含む1層以上の有機薄膜層が介
在して構成される有機薄膜EL素子において、有機発光
層に(化1)で示される化合物を含むことを特徴とする
有機薄膜EL素子であって、さらに、陰極に安定なAl
合金を用い、さらに封止によって酸素と水分の侵入を防
いだことを特徴とする有機薄膜EL素子である。
【0012】
【作用】(化1)で示す化合物は、従来用いられてきた
【0013】
【化4】
【0014】で示す化合物より蛍光強度が1.24倍高
く分散性も3倍以上良い(日本化学会第65春季年会、
2C607(1993))。また、大気下光電子放出法
で求めた仕事関数は5.5eVで、(化4)の化合物よ
り約0.1eV小さく、仕事関数が5.8eVのAlq
3 にドーピングされた場合には、より効果的に正孔をト
ラップすることができる。
く分散性も3倍以上良い(日本化学会第65春季年会、
2C607(1993))。また、大気下光電子放出法
で求めた仕事関数は5.5eVで、(化4)の化合物よ
り約0.1eV小さく、仕事関数が5.8eVのAlq
3 にドーピングされた場合には、より効果的に正孔をト
ラップすることができる。
【0015】また、(化1)の最低空被占軌道(LUM
O)のエネルギーレベルは、仕事関数の値から光吸収端
のエネルギーを引いて求めると3.1eVであり、Al
q3のLUMOのエネルギーレベルとほぼ同じであるた
め陰極から注入された電子はトラップされにくく、スム
ーズに正孔注入輸送層との界面まで達し、(化1)の分
子にトラップされていた正孔と再結合し、高い効率でE
L発光すると考えられる。
O)のエネルギーレベルは、仕事関数の値から光吸収端
のエネルギーを引いて求めると3.1eVであり、Al
q3のLUMOのエネルギーレベルとほぼ同じであるた
め陰極から注入された電子はトラップされにくく、スム
ーズに正孔注入輸送層との界面まで達し、(化1)の分
子にトラップされていた正孔と再結合し、高い効率でE
L発光すると考えられる。
【0016】以下に本発明の有機薄膜EL素子を模式的
に示す図1から図2までに基いて説する。図1は、本発
明における有機薄膜EL素子を、基板(1)上に陽極
(2)、正孔注入輸送層(3)、有機発光層(4)、陰
極(5)、封止層(7)の順に構成し、ガラス板(8)
を接着性樹脂(9)にて接着して密封した場合の例であ
り図2は、有機発光層(4)と陰極(5)間に有機発光
層との界面で正孔の流れを阻止する電子注入輸送層
(6)を設け、基板(1)上に陽極(2)、正孔注入輸
送層(3)、有機発光層(4)、電子注入輸送層
(6)、陰極(5)、封止層(7)の順に構成した例し
た例であり、同様の構成を基板上に陰極から逆の順に構
成してもよい。以下、さらに詳しく材料および素子の製
造方法について説明する。
に示す図1から図2までに基いて説する。図1は、本発
明における有機薄膜EL素子を、基板(1)上に陽極
(2)、正孔注入輸送層(3)、有機発光層(4)、陰
極(5)、封止層(7)の順に構成し、ガラス板(8)
を接着性樹脂(9)にて接着して密封した場合の例であ
り図2は、有機発光層(4)と陰極(5)間に有機発光
層との界面で正孔の流れを阻止する電子注入輸送層
(6)を設け、基板(1)上に陽極(2)、正孔注入輸
送層(3)、有機発光層(4)、電子注入輸送層
(6)、陰極(5)、封止層(7)の順に構成した例し
た例であり、同様の構成を基板上に陰極から逆の順に構
成してもよい。以下、さらに詳しく材料および素子の製
造方法について説明する。
【0017】陽極(2)は、ガラスやプラスチックフィ
ルム等の透明絶縁性の基板(1)上にITO(仕事関数
4.6〜4.8eV)や酸化亜鉛アルミニウムのような
透明導電性物質を真空蒸着やスパッタリング法等で被覆
した表面抵抗10〜15Ω/□、可視光線透過率80%
以上の透明電極、又は金やプラチナを薄く蒸着した半透
明電極やポリアニリン、ポリピロール、ポリチオフェン
等の高分子を被覆した半透明電極が望ましい。
ルム等の透明絶縁性の基板(1)上にITO(仕事関数
4.6〜4.8eV)や酸化亜鉛アルミニウムのような
透明導電性物質を真空蒸着やスパッタリング法等で被覆
した表面抵抗10〜15Ω/□、可視光線透過率80%
以上の透明電極、又は金やプラチナを薄く蒸着した半透
明電極やポリアニリン、ポリピロール、ポリチオフェン
等の高分子を被覆した半透明電極が望ましい。
【0018】しかし、別の場合には、陽極(2)は不透
明で、正孔注入輸送層(3)を通して有機発光層(4)
へ正孔注入しやすい仕事関数の値の大きい金、プラチ
ナ、パラジウム、ニッケル等の金属板、シリコン、ガリ
ウムリン、アモルファス炭化シリコン等の仕事関数が
4.6eV以上の半導体基板、もしくはそれらの金属や
半導体を、絶縁性の基板(1)上に被覆した陽極(2)
に用い、陰極(5)を透明電極もしくは半透明電極とす
ることもできる。陰極(5)も不透明であれば、有機発
光層(4)の少なくとも一端が透明である必要がある。
明で、正孔注入輸送層(3)を通して有機発光層(4)
へ正孔注入しやすい仕事関数の値の大きい金、プラチ
ナ、パラジウム、ニッケル等の金属板、シリコン、ガリ
ウムリン、アモルファス炭化シリコン等の仕事関数が
4.6eV以上の半導体基板、もしくはそれらの金属や
半導体を、絶縁性の基板(1)上に被覆した陽極(2)
に用い、陰極(5)を透明電極もしくは半透明電極とす
ることもできる。陰極(5)も不透明であれば、有機発
光層(4)の少なくとも一端が透明である必要がある。
【0019】次に正孔注入輸送層(3)を陽極(2)上
に形成する。正孔注入輸送層(3)に用いる材料は(化
2)、(化3)で示した化合物やCuPcやフタロシア
ニン等の金属および無金属フタロシアニン化合物、その
他、特願平4−72009号、特願平4−114692
号、特願平5−126717号、特開平4−30088
5号中に記載または言及されている材料や米国特許第5
061569、同4950950、同4539507、
同4,025,341、同3,873,311、同3,
873,312、ヨーロッパ特許第295115号明細
書、同295125、同295127の中で述べられて
いる、有機正孔輸送材料、その他アモルファスのP型S
iやSiC、Seなどの無機材料を用いることもでき
る。
に形成する。正孔注入輸送層(3)に用いる材料は(化
2)、(化3)で示した化合物やCuPcやフタロシア
ニン等の金属および無金属フタロシアニン化合物、その
他、特願平4−72009号、特願平4−114692
号、特願平5−126717号、特開平4−30088
5号中に記載または言及されている材料や米国特許第5
061569、同4950950、同4539507、
同4,025,341、同3,873,311、同3,
873,312、ヨーロッパ特許第295115号明細
書、同295125、同295127の中で述べられて
いる、有機正孔輸送材料、その他アモルファスのP型S
iやSiC、Seなどの無機材料を用いることもでき
る。
【0020】これらの材料は、単層で正孔注入輸送層と
して用いるか、陽極と発光層間の仕事関数の階段の段差
を小さくして正孔注入効率を向上させるため、層間の密
着性向上のため、劣化防止、色調の調整などの目的で2
層以上の多層の正孔注入輸送層を形成することもでき
る。これらの正孔注入輸送層は、真空蒸着法、蒸着重合
法、スピンコート法、ディプコート法、ロールコート
法、プラズマCVD法等各種の製膜方法を適用すること
ができ、厚さは1μm以下、好ましくは5〜100nm
程度で形成する。
して用いるか、陽極と発光層間の仕事関数の階段の段差
を小さくして正孔注入効率を向上させるため、層間の密
着性向上のため、劣化防止、色調の調整などの目的で2
層以上の多層の正孔注入輸送層を形成することもでき
る。これらの正孔注入輸送層は、真空蒸着法、蒸着重合
法、スピンコート法、ディプコート法、ロールコート
法、プラズマCVD法等各種の製膜方法を適用すること
ができ、厚さは1μm以下、好ましくは5〜100nm
程度で形成する。
【0021】次に本発明の(化1)を含む有機発光層
(4)を形成する。(化1)で示す化合物は単独で成膜
することも可能であるが、濃度消光を防ぐために他の蛍
光体材料母体中に10モル%以下の濃度でドーピングし
て用いる。その際、母体となる材料は、理研計器(株)
製AC−1で求めた仕事関数が(化1)の5.5eVよ
りも大きく、かつ仕事関数の値より光吸収端より求めた
エネルギャップを引いて求めたLUMOのエネルギーレ
ベルの値が(化1)の3.1eVと同等以下である必要
があり、仕事関数5.8eV、LUMOのエネルギーレ
ベルの値が3.0eV程度であるAlq3 は母体材料と
して適しているが、特にこの例に限定されるわけではな
く、上記の条件を満たし、真空蒸着法、累積膜法、スピ
ンコート等の塗布法等の適当な方法で成膜可能な蛍光体
を母体として用いることができる。
(4)を形成する。(化1)で示す化合物は単独で成膜
することも可能であるが、濃度消光を防ぐために他の蛍
光体材料母体中に10モル%以下の濃度でドーピングし
て用いる。その際、母体となる材料は、理研計器(株)
製AC−1で求めた仕事関数が(化1)の5.5eVよ
りも大きく、かつ仕事関数の値より光吸収端より求めた
エネルギャップを引いて求めたLUMOのエネルギーレ
ベルの値が(化1)の3.1eVと同等以下である必要
があり、仕事関数5.8eV、LUMOのエネルギーレ
ベルの値が3.0eV程度であるAlq3 は母体材料と
して適しているが、特にこの例に限定されるわけではな
く、上記の条件を満たし、真空蒸着法、累積膜法、スピ
ンコート等の塗布法等の適当な方法で成膜可能な蛍光体
を母体として用いることができる。
【0022】有機発光層(4)の膜厚は、単層または積
層により形成する場合においても1μm以下であり、好
ましくは1〜100nmであり、電子注入輸送層を数1
0nm以上積層する場合には発光層中で生じたエキシト
ンの陰極金属による失活を防げるために、有機発光層の
膜厚は5〜10nm以下でも十分である。
層により形成する場合においても1μm以下であり、好
ましくは1〜100nmであり、電子注入輸送層を数1
0nm以上積層する場合には発光層中で生じたエキシト
ンの陰極金属による失活を防げるために、有機発光層の
膜厚は5〜10nm以下でも十分である。
【0023】次に、有機発光層(4)上に電子注入輸送
層(6)を積層する場合、電子注入輸送材料の好ましい
条件は、電子移動度が大きく、LUMOのエネルギーレ
ベルが有機発光層材料のLUMOのエネルギーレベルと
同程度から陰極材料のフェルミレベル(仕事関数)の間
にあり、仕事関数が有機発光層材料より大きく、成膜性
が良いことである。さらに陽極(2)が不透明で、透明
もしくは半透明の陰極(5)から光を取り出す構成の素
子においては少なくとも有機発光層材料の発光波長領域
において実質的に透明である必要がある。
層(6)を積層する場合、電子注入輸送材料の好ましい
条件は、電子移動度が大きく、LUMOのエネルギーレ
ベルが有機発光層材料のLUMOのエネルギーレベルと
同程度から陰極材料のフェルミレベル(仕事関数)の間
にあり、仕事関数が有機発光層材料より大きく、成膜性
が良いことである。さらに陽極(2)が不透明で、透明
もしくは半透明の陰極(5)から光を取り出す構成の素
子においては少なくとも有機発光層材料の発光波長領域
において実質的に透明である必要がある。
【0024】電子注入輸送材料は、発光層における(化
1)の化合物のAlg3 等の母体材料と同じ材料を用い
ることができるが、ペリレンや2−(4−ビフェニリ
ル)−5−(4−t−ブチルフェニル)−1、3、4−
オキサジアゾール、2、5−ビス(1−ナフチル)−
1、3、4−オキサジアゾール、および浜田らの合成し
たオキサジアゾール誘導体(日本化学会誌、1540
頁、1991年)等を単独または混合して単層または積
層して用いることができる。また、n型のアモルファス
SiCのような無機物を用いることも可能である。
1)の化合物のAlg3 等の母体材料と同じ材料を用い
ることができるが、ペリレンや2−(4−ビフェニリ
ル)−5−(4−t−ブチルフェニル)−1、3、4−
オキサジアゾール、2、5−ビス(1−ナフチル)−
1、3、4−オキサジアゾール、および浜田らの合成し
たオキサジアゾール誘導体(日本化学会誌、1540
頁、1991年)等を単独または混合して単層または積
層して用いることができる。また、n型のアモルファス
SiCのような無機物を用いることも可能である。
【0025】電子注入輸送層(6)の成膜方法は真空蒸
着法等、材料に応じた方法で1μm以下の厚さに成膜さ
れる。
着法等、材料に応じた方法で1μm以下の厚さに成膜さ
れる。
【0026】次に陰極(5)を有機発光層(4)または
有機電子注入輸送層(6)上に形成する。陰極は、電子
注入を効果的に行なうために有機発光層(4)または電
子注入輸送層(6)と接する面に低仕事関数の物質が使
われ、Li,Na,Mg,La,Ce,Ca,Sr,A
l,Ag,In,Sn,Zn,Zr等の金属元素単体、
または安定性を向上させるためにそれらを含む2成分、
3成分の合金系が用いられる。
有機電子注入輸送層(6)上に形成する。陰極は、電子
注入を効果的に行なうために有機発光層(4)または電
子注入輸送層(6)と接する面に低仕事関数の物質が使
われ、Li,Na,Mg,La,Ce,Ca,Sr,A
l,Ag,In,Sn,Zn,Zr等の金属元素単体、
または安定性を向上させるためにそれらを含む2成分、
3成分の合金系が用いられる。
【0027】特に、LiやCaを添加したAlは仕事関
数は3.1eV程度に低下し、発光層に電子を注入しや
すくなるとともに、Mg系の合金よりも安定であるため
に陰極として優れている。LiやCaを含む低仕事関数
陰極を用いた場合には、さらにその上にLiやCaを含
まない、Al,In,Ag,等の金属層を積層し、酸化
に対する保護層としてもよい。
数は3.1eV程度に低下し、発光層に電子を注入しや
すくなるとともに、Mg系の合金よりも安定であるため
に陰極として優れている。LiやCaを含む低仕事関数
陰極を用いた場合には、さらにその上にLiやCaを含
まない、Al,In,Ag,等の金属層を積層し、酸化
に対する保護層としてもよい。
【0028】陰極(5)の形成方法は、抵抗加熱方法に
より10-5Torrオーダー以下の真空度の下で成分ご
とに別々の蒸着源から水晶振動子式膜厚計でモニターし
ながら共蒸着する。この時、0.01〜0.3μm程度
の膜厚で形成されるが、電子ビーム蒸着法、イオンプレ
ーティング法やスパッタリング法により共蒸着ではな
く、合金ターゲットを用いて成膜することもできる。
より10-5Torrオーダー以下の真空度の下で成分ご
とに別々の蒸着源から水晶振動子式膜厚計でモニターし
ながら共蒸着する。この時、0.01〜0.3μm程度
の膜厚で形成されるが、電子ビーム蒸着法、イオンプレ
ーティング法やスパッタリング法により共蒸着ではな
く、合金ターゲットを用いて成膜することもできる。
【0029】次に素子の有機層や電極の酸化を防ぐため
に素子上に封止層(7)を形成する。封止層(7)は、
陰極(5)の形成後直ちに形成する。封止層材料の例と
しては、SiO2 ,SiO,GeO,MgO,Al2 O
3 ,TiO2 ,GeO2 ,ZnO,TeO2 ,Sb2 O
3 ,SnO,B2 O3 等の酸化物、MgF2 ,LiF,
BaF2 ,AlF3 ,FeF3 ,CaF2 等の沸化物Z
nS,GeS,SnS等の硫化物等のガスおよび水蒸気
バリアー性の高い無機化合物があげられるが、上記例に
限定されるものではない。これらを単体または複合して
単層、または積層して蒸着、スパッタリング法、イオン
プレーティング法等により成膜する。抵抗加熱方式で蒸
着する場合には、低温で蒸着できるGeOやLiFが優
れている。陰極保護のために、封止層中、または封止層
に接する面上に封止用無機化合物とLi等のアルカリ金
属やCa等のアルカリ土類金属との混合層を設けてもよ
い。封止膜の密着性や緻密性を上げるために、イオンプ
レーティング等のプラズマプロセスを用いることが望ま
しい。
に素子上に封止層(7)を形成する。封止層(7)は、
陰極(5)の形成後直ちに形成する。封止層材料の例と
しては、SiO2 ,SiO,GeO,MgO,Al2 O
3 ,TiO2 ,GeO2 ,ZnO,TeO2 ,Sb2 O
3 ,SnO,B2 O3 等の酸化物、MgF2 ,LiF,
BaF2 ,AlF3 ,FeF3 ,CaF2 等の沸化物Z
nS,GeS,SnS等の硫化物等のガスおよび水蒸気
バリアー性の高い無機化合物があげられるが、上記例に
限定されるものではない。これらを単体または複合して
単層、または積層して蒸着、スパッタリング法、イオン
プレーティング法等により成膜する。抵抗加熱方式で蒸
着する場合には、低温で蒸着できるGeOやLiFが優
れている。陰極保護のために、封止層中、または封止層
に接する面上に封止用無機化合物とLi等のアルカリ金
属やCa等のアルカリ土類金属との混合層を設けてもよ
い。封止膜の密着性や緻密性を上げるために、イオンプ
レーティング等のプラズマプロセスを用いることが望ま
しい。
【0030】さらに湿気の侵入を防ぐ為に市販の低吸湿
性の光硬化性接着剤、エポキシ系接着剤、シリコーン系
接着剤、架橋エチレン−酢酸ビニル共重合体接着剤シー
ト等の接着性樹脂や低融点ガラスを用いて、ガラス板等
の封止板(8)の周囲または全面を接着し密封する。ガ
ラス板以外にも金属板、プラスチック板等を用いること
もできる。
性の光硬化性接着剤、エポキシ系接着剤、シリコーン系
接着剤、架橋エチレン−酢酸ビニル共重合体接着剤シー
ト等の接着性樹脂や低融点ガラスを用いて、ガラス板等
の封止板(8)の周囲または全面を接着し密封する。ガ
ラス板以外にも金属板、プラスチック板等を用いること
もできる。
【0031】以上のように構成した有機薄膜EL素子
は、有機正孔注入輸送層(3)側を正として電源(1
0)にリード線(11)で接続し直流電圧を印加するこ
とにより発光するが、交流電圧を印加した場合にも正孔
注入輸送層(3)側の電極が正に電圧印加されている間
は発光する。
は、有機正孔注入輸送層(3)側を正として電源(1
0)にリード線(11)で接続し直流電圧を印加するこ
とにより発光するが、交流電圧を印加した場合にも正孔
注入輸送層(3)側の電極が正に電圧印加されている間
は発光する。
【0032】本発明による有機薄膜EL素子を基板上に
2次元に配列することにより文字や画像を表示可能な薄
型ディスプレーをすることができる。
2次元に配列することにより文字や画像を表示可能な薄
型ディスプレーをすることができる。
【0033】
<実施例1>厚さ1.1mmの青板ガラス板を基板
(1)として用い、その上に120nmのITOをスパ
ッタリングにより被覆して陽極(2)とした。このIT
Oガラス基板の500nmにおける光線透過率は80%
であった。この基板を使用前に水洗、プラズマ洗浄によ
り十分に洗浄後、
(1)として用い、その上に120nmのITOをスパ
ッタリングにより被覆して陽極(2)とした。このIT
Oガラス基板の500nmにおける光線透過率は80%
であった。この基板を使用前に水洗、プラズマ洗浄によ
り十分に洗浄後、
【0034】
【化5】
【0035】で示されるジエポキシ化合物と
【0036】
【化6】
【0037】で示すジアミン硬化剤をモル比2:1で混
合したテトラヒドロフラン溶液を基板上にスピンコーテ
ィングした後200℃まで加熱し3次元硬化させ50n
mの正孔注入輸送層を成膜した。
合したテトラヒドロフラン溶液を基板上にスピンコーテ
ィングした後200℃まで加熱し3次元硬化させ50n
mの正孔注入輸送層を成膜した。
【0038】次に、(化1)で示す化合物(日本感光色
素(株)製)を1モル%含むAlq 3 のクロロホルム溶
液をスピンコーティングし、50nmの厚さの有機発光
層(4)を形成した。
素(株)製)を1モル%含むAlq 3 のクロロホルム溶
液をスピンコーティングし、50nmの厚さの有機発光
層(4)を形成した。
【0039】次に、その上面に陰極(5)としてAlと
Liを蒸着速度比3:1で20nm形成した後、Alの
みさらに200nm積層した。最後に、封止層(7)と
してLiFを400nm蒸着した後に、GeO2 を酸素
プラズマ中でGeOを蒸着することにより600nmの
厚さで形成後、ガラス板(8)を光硬化性樹脂(9)で
接着し密封した。
Liを蒸着速度比3:1で20nm形成した後、Alの
みさらに200nm積層した。最後に、封止層(7)と
してLiFを400nm蒸着した後に、GeO2 を酸素
プラズマ中でGeOを蒸着することにより600nmの
厚さで形成後、ガラス板(8)を光硬化性樹脂(9)で
接着し密封した。
【0040】この素子は20Vの直流電圧印加により1
21cd/m2 の黄緑色発光をした。電流密度は64m
A/cm2 であった。ELスペクトルを図3に示す。
21cd/m2 の黄緑色発光をした。電流密度は64m
A/cm2 であった。ELスペクトルを図3に示す。
【0041】<実施例2>実施例1と同様に得たガラス
基板上のITO膜を16本のストライプ状(巾2mm,
間隔1mm)にエッチングした。この上に第1正孔注入
輸送層としてCuPcを15nm蒸着した。さらにその
上に特願平4−300885号で述べた正孔輸送性ポリ
フォスファゼンのP8のトルエン溶液をスピンコートし
厚さ約48nmの第2正孔注入輸送層を形成した。さら
にN,N’−ジフェニル−N,N’−ビス(3−メチル
フェニル)−1,1’−ビフェニル−4,4’−ジアミ
ンを5nm蒸着し第3正孔注入輸送層を形成し、3層構
成の正孔注入輸送層を形成した。この上面に有機発光層
(4)として(化1)を0.5モル%含むAlq3 を5
nm蒸着した。その上面に電子注入輸送層(6)として
Alq3 のみを45nm蒸着した。その上面にITOの
ストライプパターンと直行するように16本のストライ
プ状(巾の巾2mm,間隔1mm)に穴の空いたステン
レスマスクをセットし、陰極(5)としてAlとLiを
蒸着速度比3:1で34nm形成した後、Alのみを2
00nm積層した。最後に陰極をカバーするためにLi
F、GeO、SiOを順に蒸着し1.5μmの厚さの無
機封止層(7)を形成後、ガラス板(8)を光硬化性樹
脂(9)で接着し密封した。
基板上のITO膜を16本のストライプ状(巾2mm,
間隔1mm)にエッチングした。この上に第1正孔注入
輸送層としてCuPcを15nm蒸着した。さらにその
上に特願平4−300885号で述べた正孔輸送性ポリ
フォスファゼンのP8のトルエン溶液をスピンコートし
厚さ約48nmの第2正孔注入輸送層を形成した。さら
にN,N’−ジフェニル−N,N’−ビス(3−メチル
フェニル)−1,1’−ビフェニル−4,4’−ジアミ
ンを5nm蒸着し第3正孔注入輸送層を形成し、3層構
成の正孔注入輸送層を形成した。この上面に有機発光層
(4)として(化1)を0.5モル%含むAlq3 を5
nm蒸着した。その上面に電子注入輸送層(6)として
Alq3 のみを45nm蒸着した。その上面にITOの
ストライプパターンと直行するように16本のストライ
プ状(巾の巾2mm,間隔1mm)に穴の空いたステン
レスマスクをセットし、陰極(5)としてAlとLiを
蒸着速度比3:1で34nm形成した後、Alのみを2
00nm積層した。最後に陰極をカバーするためにLi
F、GeO、SiOを順に蒸着し1.5μmの厚さの無
機封止層(7)を形成後、ガラス板(8)を光硬化性樹
脂(9)で接着し密封した。
【0042】この16×16ドットのディスプレーを特
願平5−90210号で述べた駆動方法により線順次駆
動を行なうと、駆動電圧15Vで各画素の輝度は90〜
110cd/m2 であり、明るい室内においても十分に
視認できる文字表示が可能であった。
願平5−90210号で述べた駆動方法により線順次駆
動を行なうと、駆動電圧15Vで各画素の輝度は90〜
110cd/m2 であり、明るい室内においても十分に
視認できる文字表示が可能であった。
【0043】<比較例1>発光層(4)に(化1)で示
す化合物を加えない以外は実施例1と同様に有機薄膜E
L素子を作製した。この素子は20Vの直流電圧印加に
より23cd/m 2 の輝度しか示さなかった。
す化合物を加えない以外は実施例1と同様に有機薄膜E
L素子を作製した。この素子は20Vの直流電圧印加に
より23cd/m 2 の輝度しか示さなかった。
【0044】
【発明の効果】本発明の(化1)を含む発光層を有する
有機薄膜EL素子は高い発光効率を得るのに効果があ
る。
有機薄膜EL素子は高い発光効率を得るのに効果があ
る。
【0045】
【図1】本発明の有機薄膜EL素子の一実施例を示す説
明図である。
明図である。
【図2】本発明の有機薄膜EL素子の他の実施例を示す
説明図である。
説明図である。
【図3】本発明の有機薄膜EL素子の発光スペクトルを
示す図である。
示す図である。
(1)…基板 (2)…陽極 (3)…正孔注入輸送層 (4)…有機発光層 (5)…陰極 (6)…有機電子注入輸送層 (7)…封止層 (8)…ガラス板 (9)…接着性樹脂層 (10)…電源 (11)…リード線 (12)…陰極取り出し口
Claims (12)
- 【請求項1】互いに対向する電極間に、少なくとも有機
発光層を含む1層以上の有機薄膜層が介在して構成され
る有機薄膜EL素子において、有機発光層に 【化1】 で示される化合物を含むことを特徴とする有機薄膜EL
素子。 - 【請求項2】請求項1の有機薄膜EL素子において、
(化1)で示される化合物が10モル%以内の濃度で、
他の蛍光物質中に含まれている有機発光層を有すること
を特徴とする有機薄膜EL素子。 - 【請求項3】請求項2の有機薄膜EL素子において、
(化1)で示される化合物が10モル%以内の濃度でト
リス(8−キノリノール)アルミニウム錯体中に含まれ
る発光層を有することを特徴とする有機薄膜EL素子。 - 【請求項4】請求項2の有機薄膜EL素子において、有
機発光層材料を含む溶液を塗布後乾燥することにより有
機発光層を形成した有機薄膜EL素子。 - 【請求項5】請求項2の有機薄膜EL素子において、有
機発光層を蒸着法で形成したことを特徴とする有機薄膜
EL素子。 - 【請求項6】請求項2の有機薄膜EL素子において、有
機発光層と陰極の間に、有機発光層から(化1)を除い
た組成の有機電子輸送注入層を設けたことを特徴とする
有機薄膜EL素子。 - 【請求項7】請求項6の有機薄膜EL素子において有機
発光層の厚さが10nm以下であることを特徴とする有
機薄膜EL素子。 - 【請求項8】請求項1記載の有機薄膜EL素子におい
て、片側の電極が可視光線波長領域において50%以上
の光線透過率の透明電極または半透明電極であり、対向
する電極はリチウムまたはカルシウムを含むアルミニウ
ム合金電極であることを特徴とする有機薄膜EL素子。 - 【請求項9】請求項8の有機薄膜EL素子において、リ
チウムまたはカルシウムを含む金属電極上に、アルミニ
ウムからなる難腐食性金属層を設けたことを特徴とする
有機薄膜EL素子。 - 【請求項10】基板上に積層された請求項1記載の有機
薄膜EL素子において、発光部において基板に接してい
ない電極面側上に更に金属酸化物、金属フッ化物および
金属硫化物から選ばれる少なくとも一種以上の材料から
なる1層以上の無機封止層が設けられていることを特徴
とする有機薄膜EL素子。 - 【請求項11】少なくとも一層以上の無機封止層がプラ
ズマプロセス法により積層されたものであることを特徴
とする請求項8の有機薄膜EL素子。 - 【請求項12】請求項10または11の有機薄膜EL素
子において、無機封止層に接着性樹脂により気密性の板
または箔を接着したことを特徴とする有機薄膜EL素
子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5316415A JPH07166160A (ja) | 1993-12-16 | 1993-12-16 | 有機薄膜el素子 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5316415A JPH07166160A (ja) | 1993-12-16 | 1993-12-16 | 有機薄膜el素子 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH07166160A true JPH07166160A (ja) | 1995-06-27 |
Family
ID=18076822
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP5316415A Pending JPH07166160A (ja) | 1993-12-16 | 1993-12-16 | 有機薄膜el素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH07166160A (ja) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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-
1993
- 1993-12-16 JP JP5316415A patent/JPH07166160A/ja active Pending
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