JP2797905B2 - 有機薄膜el素子 - Google Patents

有機薄膜el素子

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JP2797905B2
JP2797905B2 JP5154861A JP15486193A JP2797905B2 JP 2797905 B2 JP2797905 B2 JP 2797905B2 JP 5154861 A JP5154861 A JP 5154861A JP 15486193 A JP15486193 A JP 15486193A JP 2797905 B2 JP2797905 B2 JP 2797905B2
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  • Luminescent Compositions (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、電気的な発光、すなわ
ちEL(エレクトロルミネセンス)を用いたEL素子に
関するものであり、更に詳しくは陽極、正孔注入輸送
層、有機電子輸送発光層、陰極、もしくは陽極、正孔注
入輸送層、有機発光層、電子注入輸送層、陰極の順で構
成される有機薄膜EL素子に関するものである。
【0002】
【従来の技術】従来のEL素子は、電極間に高抵抗な絶
縁層を設けた交流駆動型のものが主流で、それらは分散
型EL素子と薄膜型EL素子に分類される。
【0003】分散型EL素子の構造は、樹脂バインダー
中に分散させた高誘電率のチタン酸バリウム等の粉末を
背面電極となるアルミ箔上に数10μmの厚さにコーテ
ィングして絶縁層とし、その上に樹脂バインダー中に分
散した硫化亜鉛系の発光体層を設け、更にその上に透明
電極を積層したものである。この型の素子は、安価で大
面積、厚さ1mm以下の面発光体を得られ、液晶表示装
置用のバックライト等の用途があるが、輝度が低下しや
すい。
【0004】薄膜EL素子は、ガラス板に酸化インジウ
ム錫(以下ITO)等を被覆した透明電極基板上に、絶
縁層としてスパッタリング法等により酸化イットリウム
等の誘電体薄膜層を数百nm形成し、その上にZnS
系、ZnSe系、SrS系、CaS系等の蛍光体薄膜を
電子ビーム蒸着、スパッタリング法等で数百nm程度積
層し、更に誘電体薄膜層、アルミ等の背面電極の順に積
層された構造になっている。電極間の膜厚は1〜2μm
以下である。薄膜型EL素子は長寿命で高精細な表示が
可能でポータブル型コンピュータ用ディスプレー等の用
途に適しているが高価である。
【0005】どちらの型のEL素子の場合も十分な輝度
を得るためには100V以上の交流高電圧を要する。例
えば、電池でEL素子を発光させる際には昇圧トランス
を要するためEL素子が1mm以下の薄型であっても組
み込まれた機器全体の厚さを薄くするのは困難であっ
た。
【0006】そこで近年、昇圧トランス等の不要な低電
圧直流駆動のEL素子を目指した研究が行われており、
その一つとして有機薄膜EL素子の研究が行われてい
る。特開昭57−51781号公報、特開昭59−19
4393号公報、特開昭63ー264692号公報、特
開昭63ー295695号公報、ジャパニーズ.ジャー
ナル.オブ.アプライド.フィジックス第25巻第9号
773頁(1986年)、アプライド.フィジックス.
レター第51巻第12号913頁(1987年)、ジャ
ーナル.オブ.アプライド.フィジックス第65巻第9
号3610頁(1989年)等によれば、従来、この種
の有機薄膜EL素子は以下のように作られている。ま
ず、ガラス等の透明絶縁基板上に蒸着またはスパッタリ
ング法とうで形成した金やITOの透明導電性皮膜の陽
極上に、まず正孔注入輸送層として銅フタロシアニン、
ポリ3−メチルチオフェン、または
【0007】
【化1】
【0008】で示される、1,1−ビス(4−ジ−パラ
−トリルアミノフェニル)シクロヘキサン(融点18
1.4℃〜182.4℃)、
【0009】
【化2】
【0010】で示される、N,N’−ジフェニル−N,
N’−ビス(3−メチルフェニル)−1,1’−ビフェ
ニル−4,4’−ジアミン(融点159℃〜163℃)
等のテトラフェニルジアミン誘導体の層を蒸着や電解重
合法等で1μm程度以下の厚さに単層または積層して形
成する。
【0011】次に正孔注入輸送層上に、テトラフェニル
ブタジエン、アントラセン、ペリレン、コロネン、1,
2−フタロペリノン誘導体、トリス(8−キノリノー
ル)アルミニウム等の有機蛍光体を蒸着、または樹脂バ
インダー中に分散させてコーティングすることにより電
子輸送発光層を1.0μm程度以下の厚さで形成する。
最後に、その上に陰極としてMg、In、Alの単体金
属、またはMgとAgの合金(原子比10:1)等を蒸
着する。
【0012】以上のように作られた素子は、透明電極側
を陽極として20〜30V以下の直流低電圧を印加する
ことにより発光層に正孔と電子が注入され、その再結合
により発光する。
【0013】また、アプライド.フィジックス.レター
第57巻第6号531頁(1990年)等によると、安
達らは、ITOの陽極上に、正孔注入輸送層としてN,
N’−ジフェニル−N,N’−ビス(3−メチルフェニ
ル)−1,1’−ビフェニル−4,4’−ジアミン、有
機発光層として1−[4−N,N−ビス(P−メトキシ
フェニル)アミノスチリル]ナフタレン、電子注入輸送
層として2−(4−ビフェニル)−5−(4−t−ブチ
ルフェニル)−1,3,4−オキサジアゾール(以下B
PBD)、陰極としてMgAg合金を順に積層して得た
有機薄膜EL素子を作り、同様に20〜30V以下の直
流低電圧で1000cd/m2 以上のEL発光を得てい
る。
【0014】しかし、この種の有機薄膜EL素子におい
ては、10V程度以下の低電圧で1000cd/m2
上の高輝度を得るためには、陰極から有機電子輸送発光
層へ効率的に電子を注入する必要がある。そのために
は、有機電子輸送発光層に用いている有機蛍光体の最低
空被占軌道(以下LUMO)のエネルギーレベル以上の
高いフェルミレベルを有する低仕事関数の陰極を用いる
必要がある。
【0015】従来最も高輝度が得られる代表的な有機電
子輸送発光材料として知られているトリス(8−キノリ
ノール)アルミニウムのLUMOのエネルギーレベル
は、大気下で光電子放出法で測定した仕事関数の値から
光学的エネルギーギャップ(2.75eV)を引いて求
めると約3.1eVである。また、電子注入輸送材料と
して使われているBPBDの場合は2.7eVである。
仕事関数が3.1eV以下で、高いフェルミレベルを持
つ低仕事関数の金属としては、Li(仕事関数2.4e
V)、Na(同 2.3eV)、K(同 2.3eV)
等のアルカリ金属、Mg(同 3.2eV)、Ca(同
2.9eV)、Sr(同 2.7eV)、Ba(同
2.5eV)等のアルカリ土類金属等があるが、Mgを
除いて、空気中ではきわめて酸化し易く不安定であるた
め単体金属としては陰極として用いることができなかっ
た。
【0016】また、C.W.Tangらは、MgAg合
金(原子比10:1、仕事関数 3.8eV)を陰極と
して用い、10V程度の直流印加電圧で1000cd/
2以上の輝度の有機薄膜EL素子を実現した。しか
し、Ag(仕事関数4.6eV)を混ぜることで、Mg
Ag合金の仕事関数はトリス(8−キノリノール)アル
ミニウムのLUMOのエネルギーレベルより低くなるた
め電子が注入されにくくなる欠点があった。
【0017】また、特開平4−212287号公報に開
示されるように、伊藤らはMgLiやAlLiなどアル
カリ金属及びアルカリ土類金属を含む合金を用いること
で低仕事関数でかつ比較的安定な陰極を提供することに
成功した。
【0018】陰極の酸化を防ぐために封止層を設ける必
要があったが、従来行われていた蒸着法による金属酸化
物、金属沸化物の封止膜に加え、イオンプレーティング
法によるピンホールフリーな封止膜を用いることで、酸
素あるいは水分による劣化に対して安定な高輝度有機薄
膜EL素子を得ることができた。しかし、金属酸化物、
金属沸化物等の無機材料だけで封止層を形成することは
蒸着源温度の高さから、正孔注入輸送材料及び有機電子
輸送発光層の熱劣化を引き起こし易く、成膜プロセスの
簡易化、再現性には依然として問題があった。
【0019】また一方では、
【0020】
【化3】
【0021】で示されるジパラキシリレン及び
【0022】
【化4】
【0023】で示されるジクロロジパラキシリレン等の
誘導体を原料として気相重合を行い、ポリパラキシリレ
ン膜をサーキットボード、モーター、マグネット、LC
Dパネル等の絶縁、潤滑、保護、防湿を目的として、室
温でコーティングする技術が発達している。しかし有機
材料中では比較的優れている酸素バリアー性、水蒸気バ
リアー性も、金属酸化物、金属沸化物等の無機材料と比
べると1桁以上劣るので、単体で有機薄膜EL素子の封
止層材料に応用することはできなかった。
【0024】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記の問題
を解決するためになされたものであり、その課題とする
ところは、酸素あるいは水分による劣化に対して安定な
高輝度有機薄膜EL素子を簡易的に再現性良く提供する
ことにある。
【0025】
【課題を解決するための手段】本発明はこの課題を解決
するため、少なくとも陽極、正孔注入輸送層、有機電子
輸送発光層、陰極、もしくは陽極、正孔注入輸送層、有
機発光層、電子注入輸送層、陰極の順で構成される有機
薄膜EL素子において、前記陰極上に、金属酸化物また
は金属沸化物またはこれらを主成分とする混合物と、ポ
リパラキシリレン重合物とからなる混合膜からなる封止
層を設けてなることを特徴とする有機薄膜EL素子を提
供する。また、前記封止層が、金属酸化物または金属沸
化物またはこれらを主成分とする混合物の蒸着膜と、ポ
リパラキシリレンプラズマ重合膜の混合膜からなること
を特徴とする請求項1記載の有機薄膜EL素子を提供す
る。また、前記封止層が、金属酸化物または金属沸化物
またはこれらを主成分とする混合物のイオンプレーティ
ング膜とポリパラキシリレンプラズマ重合膜の混合膜か
らなることを特徴とする請求項1記載の有機薄膜EL素
子を提供する。
【0026】以下、本発明における有機薄膜EL素子を
基板1上に陽極2、正孔注入輸送層3、有機電子輸送発
光層4、陰極7の順に構成する場合について説明する
が、同様の構成を基板1上に陰極7から順に構成するこ
ともできる。(図1参照)
【0027】また、有機電子輸送発光層4を有機発光層
5と電子注入輸送層6とに機能分離し、基板1上に陽極
2、正孔注入輸送層3、有機発光層5、電子注入輸送層
6、陰極7の順に構成することもできる。(図2参照)
【0028】陽極2は、ガラス等の透明絶縁性の基板1
上にITOや酸化亜鉛アルミニウムのような透明導電性
物質を真空蒸着やスパッタリング法等で被覆した表面抵
抗10〜50Ω/平方、可視光線透過率80%以上の透
明電極、または金やプラチナを薄く蒸着した半透明電極
が望ましい。
【0029】しかし、別の場合には、陽極2は不透明
で、電子輸送発光層へ正孔注入し易い仕事関数の大きい
金、プラチナ、ニッケル等の金属板、シリコン、ガリウ
ムリン、アモルファス炭化シリコン等の仕事関数が4.
8eV以上の半導体基板、またはそれらの金属や半導体
を絶縁体基板1上に被覆した陽極2を用い、陰極を透明
電極または半透明電極とすることもできる。陰極7も不
透明である場合、発光層4の少なくとも一端が透明であ
る必要がある。
【0030】次に透明な陽極2上に正孔注入輸送層3を
形成するが、正孔注入輸送材料の好ましい条件は、酸化
に対して安定で正孔移動度が大きく、イオン化エネルギ
ーが陽極材料と発光層材料の中間にあり、成膜性が良
く、少なくとも発光層材料の蛍光波長領域において実質
的に透明である必要がある。銅フタロシアニン、無金属
フタロシアニン等のフタロシアニン類またはテトラフェ
ニルジアミン誘導体等を単層または積層して使用する。
テトラフェニルジアミン誘導体の代表的な材料として
は、1,1−ビス(4−ジ−パラ−トリルアミノフェニ
ル)シクロヘキサン、N,N’−ジフェニル−N,N’
−ビス(3−メチルフェニル)−1,1’−ビフェニル
−4,4’−ジアミン、N,N’−ジフェニル−N,
N’−ビス(パラ−トリル)−1,1’−ビフェニル−
4,4’−ジアミン、N,N,N’,N’−テトラ(パ
ラ−トリル)−4,4’−ジアミノビフェニル等があげ
られるが、上記例に特に限定されるものではない。
【0031】これらの化合物を用いた正孔注入輸送層3
の成膜は、透明電極の陽極2上に主に蒸着により形成す
るが、ポリエステル、ポリカーボネート、ポリメチルフ
ェニルシラン等の樹脂中に分散させてスピンコートによ
り形成することも可能である。
【0032】正孔注入輸送層3の膜厚は、単層または積
層により形成する場合においても1μm以下であり、好
ましくは0.03〜0.1μmである。
【0033】テトラフェニルジアミン誘導体のように加
熱により溶融する正孔注入輸送材料を用いた場合には、
正孔注入輸送材料の蒸着中または蒸着後に、真空中また
は不活性ガス雰囲気下で、蒸着膜の欠陥を除くため、融
点程度以下の温度で基板加熱処理を行ってもよい。
【0034】また、銅フタロシアニンのように結晶性で
蒸着膜表面が凹凸になり易い正孔注入輸送材料を用いた
場合には、蒸着中に基板冷却を行い非晶質な蒸着膜を得
ることもできる。
【0035】次に正孔注入輸送層3上に、有機電子輸送
発光層4を形成するが、有機電子輸送発光層4に用いる
蛍光体には、可視領域に蛍光を有し適当な方法で成膜で
きる任意の蛍光体が使用可能である。例えば、アントラ
セン、サリチル酸塩、ピレン、コロネン、ペリレン、テ
トラフェニルブタジエン、9,10−ビス(フェニルエ
チニル)アントラセン、トリス(8−キノリノール)ア
ルミニウム、ビス(8−キノリノール)亜鉛、トリス
(5−フルオロ−8−キノリノール)アルミニウム錯
体、ビス[8−(パラ−トシル)アミノキノリン]亜鉛
及びカドミウム錯体等があげられる。
【0036】有機電子輸送発光層4中の蛍光体は、発光
波長変換、発光効率向上のために2種類以上の蛍光体を
混合するか、多種類の蛍光体の発光層を2層以上積層し
てもよく、そのうちの一方は赤外域または紫外域に蛍光
を示すものでもよい。
【0037】有機電子輸送発光層4の成膜方法は、真空
蒸着法、累積膜法、または適当な樹脂バインダー中に分
散させてスピンコートなどの方法でコーティングするこ
とにより行われる。有機電子輸送発光層4の膜厚は、単
層または積層により形成する場合においても1μm以下
であり、好ましくは0.03〜0.1μmである。
【0038】次に、図2に示すように有機電子輸送発光
層4を有機発光層5と電子注入輸送層6とに機能分離し
て配する場合、電子注入輸送材料の好ましい条件は、電
子移動度が大きく、LUMOのエネルギーレベルが有機
発光材料のLUMOのエネルギーレベルと陰極材料のフ
ェルミレベルの中間にあり、成膜性が良いことである。
更に陽極2が不透明で、透明もしくは半透明の陰極7か
ら光を取り出す構成の素子においては、少なくとも有機
発光層材料の蛍光波長領域において実質的に透明である
必要がある。例としては、BPBD、3,4,9,10
−ペリレンテトラカルボキシル−ビス−ベンズイミダゾ
ールなどがあげられるが、上記例に特に限定されるもの
ではない。
【0039】電子注入輸送層6の成膜方法は、真空蒸着
法、累積膜法、または適当な樹脂バインダー中に分散さ
せてスピンコートなどの方法でコーティングすることに
より行われる。電子注入輸送層6の膜厚は1μm以下で
あり、好ましくは0.01〜0.1μmである。
【0040】また、有機電子輸送発光層4または有機発
光層5及び電子注入輸送層6を真空蒸着法により形成す
る際、蒸着中または蒸着後直ちに、非電子吸引性ガスま
たは電子供与性ガスを真空チェンバーに導入して有機分
子に吸着させ、有機分子が空気中の酸素を吸着して膜の
電気抵抗が増大することを防ぐこともできる。
【0041】次に、陰極7を有機電子輸送発光層4また
は電子注入輸送層6上に形成する。陰極材料の好ましい
条件は有機電子輸送発光材料または電子注入輸送材料の
LUMOのレベルと同程度以下の低い仕事関数を持ち、
酸化に対して比較的安定で、成膜時に有機材料の熱劣化
を防ぐためにも1200℃程度以下の低温でも蒸着に十
分な蒸気圧が得られることがあげられる。
【0042】単体ではMg、Inが、安定性を増すため
にはMgAgがあげられる。より低仕事関数の材料とし
てはMgLi、AlLi、MgSr、AlSrなどの合
金があげられるが、特に上記例に限定されるものではな
く、アルカリ金属(Li、Na)やアルカリ土類金属
(Ca、Sr、Ba)と他の金属(Ag、Al、In、
Snなど)との任意の組合せの合金が考えられる。
【0043】陰極7の形成方法は、抵抗加熱方式あるい
は電子銃方式により10-5Torrオーダー以下の圧力
下で、成分ごとに別々の蒸着源から共蒸着することによ
り行われる。複数の水晶振動子式膜厚計で各成分を独立
にモニターしながら0.1〜0.3μm程度の膜厚に制
御する。更に密着性が高く均一で平滑な陰極を得るため
にイオンプレーティング法を用いることもできる。ター
ゲットが容易に用意、保管できる場合にはスッパタリン
グ法で同様の効果を得ることのできる場合もある。
【0044】最後に素子の有機層、電極の酸化を防ぐた
めに封止層8を形成する。封止層8の成膜は陰極7の形
成後、大気に曝さずに真空中で連続して行うことが望ま
しい。
【0045】封止層の成膜方法は、金属酸化物および金
属フッ化物あるいはその混合物等の無機材料を蒸着法あ
るいはイオンプレーティング法で成膜すると同時にポリ
パラキシリレンをプラズマ重合法または熱分解法で共成
膜する。まず無機材料の好ましい条件は水に対する溶解
度が低く、好ましくは水100g当りおよそ1g以下
で、また成膜時に有機材料の熱劣化を防ぐために150
0℃程度以下の低温でも蒸着に実用十分な蒸気圧が得ら
れることである。GeO、SiO、MoO3 、B
2 3 、PbO、Sb2 3 、SnO、SnO2 等の金
属酸化物、あるいはそれらの材料の複数からなる混合
物、MgF2 、LiF、BaF2 、AlF3 、Ca
2 、MnF2 等の金属フッ化物、あるいはそれらの材
料の複数からなる混合物があげられるが、上記例に特に
限定されるものではない。
【0046】次にポリパラキシリレンの原料ダイマーと
なるジパラキシリレンには塩素、臭素、沸素、アルキル
基、アミノ基などの付与した誘導体があるが、酸素、水
蒸気バリアー性に優れるため、ジクロロジパラキシリレ
ンが特に適している。しかし上記例に限定されるもので
はない。
【0047】本発明による封止層8の形成方法を図3の
プラズマアシスト成膜装置の説明図に従い説明する。チ
ェンバー11内を一旦10-6Torrオーダー以下の真
空まで排気した後、ガス導入弁12を通してO2 ガスま
たはAr、Ne等の不活性ガスを導入し、10-4〜10
-3Torrの圧力で安定させる。
【0048】RF電源13から整合回路14を介してコ
イル電極15に高周波電力を投入することにより、プラ
ズマを発生させる。水晶振動子式膜厚計でモニターしな
がら、抵抗加熱蒸着源16から基板17へ蒸着を行い、
無機材料のイオンプレーティング膜およびポリパラキシ
リレンプラズマ重合膜を形成するが、プラズマをジパラ
キシリレンの蒸着源上だけに局所化すれば、無機材料の
蒸着膜とポリパラキシリレンプラズマ重合膜の共成膜が
可能である。
【0049】また電子ビーム蒸着源やマイクロ波電源を
用いれば、10-5Torrオーダーでもプラズマの生成
は可能である。イオンプレーティングにおいては、基板
バイアス電源18から基板17へ負の電圧を印加するこ
とで、荷電蒸着粒子の打ち込みを促進することができる
が、積極的にバイアスを印加しなくても、基板17近傍
に生じるシースバイアスによる打ち込み効果が期待でき
る。
【0050】また、封止層8を形成後、更に水分の浸入
を防ぐために低吸湿性の紫外線硬化接着剤、エポキシ系
接着剤等を用いて、ガラス板等を接着密封することもで
きる。以上のように構成した有機薄膜EL素子は、陽極
2を正として直流電圧を印加することにより発光する
が、交流電圧を印加した場合にも陽極2が正に電圧印加
されている間は発光する。
【0051】
【作用】本発明に係るポリパラキシリレンは分子量数百
のモノマーが数千〜数万個集まった高分子重合体であ
り、分子サイズの小さい無機材料と比較すると、よりマ
クロな欠陥が多く存在する。そのため有機材料としては
優れた酸素および水蒸気バリアー性も、無機材料と比較
すると1桁程劣る。本発明ではポリパラキシリレンのプ
ラズマ重合と同時に金属酸化物、金属沸化物等の無機材
料を共成膜することでマクロな欠陥を無機材料で埋める
ことにより、ピンホールフリーで、酸素、水蒸気に対す
るバリアー性の高い封止膜が得られる。また蒸着温度の
高い無機材料の混合比を下げることができるので、正孔
注入輸送層および有機電子輸送発光層に与える熱劣化を
減少させることができる。
【0052】
【実施例】<実施例1>以下、本発明のEL素子の実施
例を図1に従って説明する。まず、透明絶縁性の基板1
として厚さ1.1mmのガラス板を用い、この上に0.
12μmのITOを被覆して陽極2とした。この透明導
電性ガラス基板をアルコールで洗浄後、約400℃で1
0分間加熱し脱脂を行った。次に正孔注入輸送層3とし
て、N,N’−ジフェニル−N,N’−ビス(3−メチ
ルフェニル)−1,1’−ビフェニル−4,4’−ジア
ミンを0.075μm蒸着した。次に有機電子輸送発光
層4としてトリス(8−キノリノール)アルミニウムを
0.075μm蒸着し、その上面に陰極7としてMgA
g合金(膜厚比10:1)を共蒸着により0.2μm成
膜した。最後に封止層8としてGeOの蒸着膜とポリパ
ラキシリレンのプラズマ重合膜を2.0μm共成膜し
た。この素子は、気温40℃、湿度90%の環境下にお
いても長時間の保存に耐えた。
【0053】<実施例2>実施例1と同様に透明導電性
ガラス基板上に正孔注入輸送層3、有機電子輸送発光層
4、陰極7を順に蒸着した上に封止層8としてGeOの
イオンプレーティング膜とポリパラキシリレンのプラズ
マ重合膜を2.0μm共成膜した。この素子は、気温4
0℃、湿度90%の環境下においても長時間の保存に耐
えた。
【0054】<比較例1>実施例1と同様に透明導電性
ガラス基板上に正孔注入輸送層3、有機電子輸送発光層
4、陰極7を順に蒸着した上に封止層8としてポリパラ
キシリレンを2.0μmプラズマ重合した。この素子を
気温40℃、湿度90%の環境下で保存したところ、数
分で発光が確認されなくなった。
【0055】
【発明の効果】以上述べたように、有機薄膜EL素子の
封止層として金属酸化物、金属沸化物あるいは複数の金
属酸化物または金属沸化物を主成分とする混合物とポリ
パラキシリレンの重合物の混合膜を用いることにより、
従来用いられた封止膜と同様な酸素、水蒸気バリアー性
の高い封止膜をより低温で得られるため、酸素あるいは
水分による劣化に対して安定な有機薄膜EL素子を簡易
的に再現性良く得ることに効果がある。
【0056】
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の有機薄膜EL素子の実施例を示す説明
図である。
【図2】本発明の有機薄膜EL素子の他の実施例を示す
説明図である。
【図3】本発明の有機薄膜EL素子における封止層を得
るプラズマアシスト成膜装置の説明図である。
【符号の説明】
1…基板 2…陽極 3…正孔注入輸送層 4…有機電子輸送発光層 5…有機発光層 6…電子注入輸送層 7…陰極 8…封止層 11…チェンバー 12…ガス導入弁 13…RF電源 14…整合回路 15…コイル電極 16…抵抗加熱蒸着源 17…基板 18…基板バイアス電源

Claims (3)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】少なくとも陽極、正孔注入輸送層、有機電
    子輸送発光層、陰極、もしくは陽極、正孔注入輸送層、
    有機発光層、電子注入輸送層、陰極の順で構成される有
    機薄膜EL素子において、前記陰極上に、金属酸化物ま
    たは金属沸化物またはこれらを主成分とする混合物と、
    ポリパラキシリレン重合物とからなる混合膜からなる封
    止層を設けてなることを特徴とする有機薄膜EL素子。
  2. 【請求項2】前記封止層が、金属酸化物または金属沸化
    物またはこれらを主成分とする混合物の蒸着膜と、ポリ
    パラキシリレンプラズマ重合膜の混合膜からなることを
    特徴とする請求項1記載の有機薄膜EL素子。
  3. 【請求項3】前記封止層が、金属酸化物または金属沸化
    物またはこれらを主成分とする混合物のイオンプレーテ
    ィング膜とポリパラキシリレンプラズマ重合膜の混合膜
    からなることを特徴とする請求項1記載の有機薄膜EL
    素子。
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