JP2000348865A

JP2000348865A - 有機ｅｌ素子

Info

Publication number: JP2000348865A
Application number: JP11160257A
Authority: JP
Inventors: Taizo Tanaka; 泰三田中
Original assignee: NEC Corp
Current assignee: NEC Corp
Priority date: 1999-06-07
Filing date: 1999-06-07
Publication date: 2000-12-15
Also published as: KR20010020955A; TW526678B; DE10026236A1

Abstract

(57)【要約】【課題】異常電流を十分に抑制することができる有機
ＥＬ素子を提供する。【解決手段】陰極と陽極との間に１層以上の有機層を
有する有機ＥＬ素子において、有機層の厚さが２０００
Å未満であり、かつ、陰極の厚さＬ［Å］が下記の式で
示される条件を満たす有機ＥＬ素子とする。４００
［Å］≦Ｌ≦ｎ×０．８［Å］（ただし、ｎは、有機層
の厚さを示す。）また、陰極と陽極との間に１層以上の
有機層を有する有機ＥＬ素子において、有機層の厚さが
２０００Å以上であり、かつ、陰極の厚さＬ［Å］が下
記の式で示される条件を満たす有機ＥＬ素子とする。４
００［Å］≦Ｌ≦ｎ×３［Å］（ただし、ｎは、有機層
の厚さを示す。）

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、有機ＥＬ素子に関
し、とくに、異常電流を抑制することができる有機ＥＬ
素子に関する。

【０００２】

【従来の技術】有機エレクトロルミネッセンス素子（有
機ＥＬ素子）は、陽極から注入された正孔と陰極から注
入された電子が蛍光能を有する発光層内で再結合し、励
起状態から失括する際に光を放射する現象を利用するも
のである。有機ＥＬ素子の研究は、有機化合物の高い蛍
光量子収率と、多種多様に設計可能な分子構造に着目し
たところに端を発したものであったが、その発光輝度、
発光効率は低く、実用レベルとは言えなかった。

【０００３】しかし、その後、タング（Ｔａｎｇ）ら
は、従来の発光層のみを電極で挟み込んだ構造から、正
孔を輸送する能力に優れた材料（以下、正孔輸送層とい
う）とを組み合わせた積層構造をとることで格段にその
性能が向上することを見出した（アプライド・フィジッ
クス・レター（ＡｐｐｌｉｅｄＰｈｙｓｉｃｓＬｅ
ｔｔｅｒ）、５１巻、９１３ページ、１９８７年）。こ
れを機に研究は、正孔を注入する役割を持った層（正孔
注入層）、電子を輸送する役割を持った層（電子輸送
層）など、完全に機能分離するという手法を基本とした
ものに集中され、各有機材料の高性能化もあいまって表
示装置として実用化に拍車がかかっている。最近では、
フルカラー表示装置に必要な三原色の発光、すなわち
青、緑、赤色が高輝度、高効率で得られ、各材料ごとに
適切なキャリア輸送材料が選択されつつある。

【０００４】また、各種産業機器の表示装置のユニット
や画素に用いられうる有機ＥＬの駆動方法としては、液
晶駆動方式を踏襲することが可能である。すなわち、素
子のマルチプレックス性能に依存したパッシブ（マトリ
ックス）駆動やスイッチング素子を、画素毎に配置・付
加して駆動するアクティブマトリクス駆動等を挙げるこ
とができる。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】有機ＥＬ素子は、素子
内部にキャリア、すなわち電流を流すことで発光に至る
性格上、液晶表示装置と比較しても電気特性が特に重要
である。

【０００６】図１は、有機ＥＬ素子のバンド図の一例を
示した図である。図１において、符号１は、有機ＥＬ素
子の有機層を示している。この有機層１は、正孔注入層
２、正孔輸送層３、発光層４、電子輸送層５の４つの有
機層からなるものである。図１に示すように、陽極、陰
極から強電界によって注入された正孔、電子は、発光層
４内で再結合するまでに、いくつかのポテンシャルを持
った有機層をホッピングしなければならない。各有機層
が、図１のような理想的なポテンシャルで仕切られたバ
ンド構造をもつことが望ましいが、実際の各有機膜は、
数十〜数百Åと非常に薄い為に、その界面は、混合され
た乱れた構造をとる。このようなバンドが形成される
と、本来の電流パスであるポテンシャルの他に、別のポ
テンシャルを介した異常電流（リーク電流）が観測され
る。

【０００７】また、同様の理由により有機ＥＬ素子の逆
バイアス駆動時にも異常電流は発生する。これは、すな
わち、有機ＥＬ素子に電界が印加されている状態であれ
ば、有機ＥＬ素子の発光、非発光時に関わらず異常電流
が発生することを意味し、表示装置としての品質を著し
く低下させる要因となる。

【０００８】このような異常電流を抑制する方法とし
て、特開平９ー１０２３９５では陰極材料にアルミニウ
ムを用いる方法が開示されている。しかし、この方法で
の異常電流抑制効果は不十分であった。また、特開平９
−２４５９６５は、表面荒さを最大５０Å以下としたこ
とを特徴とした陽極に関するものであるが、陽極表面の
研磨にコストがかかってしまう点や、再現性の問題が露
呈していた。本発明は、前記課題に鑑みてなされたもの
であり、異常電流を十分に抑制することができる有機Ｅ
Ｌ素子を提供することを目的としている。

【０００９】

【課題を解決するための手段】有機ＥＬ素子の有機層１
に一般に使用される材料の多くは、無機化合物と比較す
ると耐熱性が低い。さらに、有機層１の厚みは、数十〜
数千Åと非常に薄いために、熱などの外的要因によって
容易にその構造を歪めてしまう。特に、陰極６となる金
属の沸点は、通常、数百℃から数千℃と高熱であり、抵
抗加熱型蒸着のような輻射熱を伴うプロセスでは、下地
である有機層１は、このような高温を直接受けることに
なる。さらに、金属蒸発粒子が基板上で凝結して薄膜を
形成する際にも、下地となる有機層１には熱応力による
金属粒子の熱拡散といった形でダメージが与えられる。

【００１０】有機ＥＬ素子への輻射熱による影響は、一
般に、基板と蒸発源との距離が離れていれば小さいと考
えられる。しかし、この場合、蒸着材料の熱効率、すな
わち成膜に必要な予め真空槽にセットする蒸着材料の量
を、距離を離すのに比例して増やさねばならず有効な策
とはならない。

【００１１】また、一般に使用されている陰極の材料
は、図２に示すように、基板８上で熱応力を発生し、陰
極の膜厚が厚いほど大きな値を示す。特に、図２に示す
ように、パターン化された陰極であるＩＴＯなどのエッ
ジ部で強く作用し、この陰極の段差部付近にある有機層
１ａは、強い影響を受ける。この熱応力によって、有機
ＥＬ素子作製後には、陽極と陰極が不完全に接触したシ
ョートやリーク電流などの異常電流が発生しやすい。

【００１２】本発明の有機ＥＬ素子は、陰極と陽極との
間に１層以上の有機層を有する有機ＥＬ素子において、
有機層の厚さが２０００Å未満であり、かつ、陰極の厚
さＬ［Å］が下記の式で示される条件を満たすものであ
る。４００［Å］≦Ｌ≦ｎ×０．８［Å］（ただし、ｎは、有機層の厚さを示す。）このような有機ＥＬ素子では、有機層は、厚さが２００
０Å未満であるので、陰極成膜時の輻射熱ならびに熱応
力による陰極材料拡散の影響をほとんど受けない。した
がって、本発明の有機ＥＬ素子では、陰極材料にもよる
が基板上で最大２０℃程度の上昇のみとなる。また、有
機層の厚さが２０００Å未満であり、かつ、前記陰極の
厚さＬ［Å］が上記の式で示される条件を満たすもので
あるので、配線の断線などの影響を受けにくく、金属成
膜時の熱応力による有機層への影響が小さいものとな
る。

【００１３】また、本発明の有機ＥＬ素子は、陰極と陽
極との間に１層以上の有機層を有する有機ＥＬ素子にお
いて、有機層の厚さが２０００Å以上であり、かつ、陰
極の厚さＬ［Å］が下記の式で示される条件を満たすも
のである。４００［Å］≦Ｌ≦ｎ×３［Å］（ただし、ｎは、有機層の厚さを示す。）このような有機ＥＬ素子では、有機層の厚さが２０００
Å以上であるので、陰極成膜時の熱応力に強いものとな
る。また、有機層の厚さが２０００Å以上であり、か
つ、陰極の厚さＬ［Å］が上記の式で示される条件を満
たすものであるので、配線の断線などの影響を受けにく
く、金属成膜時の熱応力による有機層への影響が小さい
ものとなる。

【００１４】このように、本発明の有機ＥＬ素子は、有
機層の厚さと陰極の厚さとを上記の条件を満たすものと
したので、陰極成膜時に発生する輻射熱と熱応力が有機
層にダメージを与えることがないものとなり、リーク電
流やショートの発生を低減することができる。このこと
より、これを用いて単純マトリクス型の表示装置を作製
した場合に、非選択画素の点灯を防ぐことができ、コン
トラスト向上に繋がる。

【００１５】

【発明の実施の形態】本発明に係る有機ＥＬ素子は、陰
極と陽極との間に１層以上の有機層を有する有機ＥＬ素
子であり、例えば、以下の構造等を挙げることができ
る。（１）陽極／発光層／陰極（２）陽極／正孔輸送層／発光層／陰極（３）陽極／正孔注入層／発光層／陰極（４）陽極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／陰極（５）陽極／発光層／電子輸送層／陰極（６）陽極／正孔注入層／発光層／電子輸送層／陰極（７）陽極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸
送層／陰極また、（１）〜（７）の構造において、それぞれの層
は、１層からなるものとしてもよいし、２以上の層から
なる混合層としてもよい。さらに、各有機層の界面に別
の有機層が挿入されていてもよい。

【００１６】本発明に係る有機ＥＬ素子に用いられる正
孔輸送層を形成する材料としては、特に限定されず、従
来から正孔輸送材料として使用されている化合物もしく
は新規化合物などが使用可能である。例えば、ビス−
（ジ（ｐ−トリル）アミノフェニル）−１、１−シクロ
ヘキサン、Ｎ、Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（３
−メチルフェニル）−１、１’−ビフェニル−４、４’
−ジアミン、Ｎ、Ｎ’−ジフェニル−Ｎ、Ｎ’−ビス
（１−ナフチル）−（１、１’−ビフェニル）−４、
４’−ジアミンなどが挙げられる。

【００１７】また、発光層を形成する材料としては、主
に以前から発光体として知られていたアントラセンやピ
レン、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム錯体及
びその誘導体の他、ビススチリルアントラセン誘導体、
テトラフェニルブタジエン誘導体、クマリン誘導体オキ
サジアゾール誘導体、ジスチリルベンゼン誘導体、ピロ
ロピリジン誘導体、ペリノン誘導体、シクロペンタジエ
ン誘導体、オキサゾール誘導体、チアジアゾロピリジン
誘導体、ペリノン誘導体などが使用される。また、ポリ
マー系では、ポリフェニレンビニレン誘導体、ポリパラ
フェニレン誘導体、ポリチオフェン誘導体などを使用す
ることができる。さらに、発光層中に、発光効率を向上
させたり、発光寿命を延ばす目的で、微量の不純物を意
図的に混入させてもよい。具体的には、ルブレン、キナ
クリドン誘導体、フェノキサゾン６６０、ジシアノメチ
レンスチリルピラン誘導体、ペリノン、ペリレン、クマ
リン誘導体、ジメチルアミノピラジンカルボニトリル、
ピラジンジカルボニトリル誘導体、ＮｉｌｅＲｅｄ、
ローダミン誘導体などから選択される。

【００１８】電子輸送層は、陰極から注入された電子を
効率よく輸送する必要がある。そのためには、電子移動
度、電子親和力が大きく、成膜性に優れた材料が使用さ
れる。このような条件を満たす材料としては、トリス
（８−キノリノラト）アルミニウム錯体などのオキシン
錯体、ペリレン誘導体、ペリノン誘導体、ナフタレン誘
導体、クマリン誘導体、オキサジアゾール誘導体、フェ
ナントロリン誘導体などを挙げることができる。

【００１９】上記の有機層を形成する材料からなる薄膜
の形成は、主に真空蒸着法によって行われるが、電子ビ
ーム蒸着、スパッタリング、分子積層法、溶媒からのコ
ーティングも可能である。コーティングの場合には、ポ
リ塩化ビニル、ポリカーボネート、ポリスチレン、ポリ
（Ｎービニルカルバゾール）、ポリメチルメタクリレー
ト、ポリブチルメタクリレート、ノルボルネン誘導体の
開環重合体、ポリエステル、ポリスルホン、ポリフェニ
レンオキシド、ポリブタジエン、炭化水素樹脂、ケトン
樹脂、フェノキシ樹脂、ポリアミド、エチルセルロー
ス、ＡＢＳ樹脂、フェノール樹脂、シリコーン樹脂、エ
ポキシ樹脂などとともに溶媒に溶解または分散させてコ
ーティングすることも可能である。

【００２０】陽極を形成する材料としては、光を取り出
すために透明である必要があり、例えば、酸化錫、酸化
インジウム、酸化錫インジウム（ＩＴＯ）などの導電性
金属酸化物、あるいは、金、銀、クロム、アルミニウム
などの金属、そして、これらの金属とＩＴＯとの積層
物、ヨウ化銅、硫化銅などの無機導電性物質、ポリチオ
フェン、ポリピロール、ポリアニリン、ポリフェニレン
ビニレン、ポリフェニレン、ポリエチレンまたはドーピ
ング処理を施したこれらの導電性ポリマ、そして、これ
ら導電性ポリマとＩＴＯとの積層物などを用いることが
でき、特に限定されるものではないが、ＩＴＯガラスや
ネサガラスを用いることが特に望ましい。また、陽極の
抵抗は、有機ＥＬ素子の発光に十分な電流が供給できれ
ば良いので、特別に限定されないが、素子の消費電力の
観点からは、低抵抗であるあることが望ましい。

【００２１】陰極は、効率よく電子を発光層に伝達でき
る物質に供給させなくてはならないので、電極と隣接す
る物質との密着性、イオン化ポテンシャルの調整などが
必要になってくる。また、長期間の使用に対して安定な
性能を維持するために、大気中でも比較的安定な材料を
使用することが望ましいが、保護膜や適切な封止も可能
であることから、これに限定されるものではない。陰極
を形成する材料としては、具体的には、インジウム、
金、銀、アルミニウム、鉛、マグネシウムなどの金属や
希土類単体、アルカリ金属、あるいはこれらの合金など
を使用することができる。

【００２２】このような有機ＥＬ素子において、陰極の
成膜時に発生する輻射熱と熱応力は、陰極の膜厚で変化
し、また、有機層の輻射熱や熱応力に対する耐性は、有
機層の膜厚で変化する。すなわち、陰極の成膜時に発生
する輻射熱と熱応力は、陰極の膜厚が厚くなるのに伴っ
て大きくなる。また、有機層の膜厚は、２０００Å未満
であると、陰極の成膜時に発生する輻射熱と熱応力によ
る陰極材料拡散の影響を受けにくく、２０００Å以上で
あると、陰極の成膜時に発生する熱応力に強い。

【００２３】有機膜の膜厚を、陰極材料拡散の影響を受
けにくい２０００Å未満とした場合、陰極の膜厚Ｌ
［Å］は、４００［Å］≦Ｌ≦ｎ×０．８［Å］（ただ
し、ｎは、有機層の厚さを示す。）で示される式の条件
を満たす範囲とされる。陰極の膜厚Ｌ［Å］が４００
［Å］未満であると、配線の断線の影響を受けやすくな
るため好ましくない。一方、ｎ×０．８［Å］を越える
膜厚Ｌ［Å］とした場合、金属成膜時の熱応力による有
機層への影響が大きくなり、異常電流が発生しやすくな
るため好ましくない。

【００２４】このような有機ＥＬ素子においては、有機
膜の膜厚を２０００Å未満とし、陰極の膜厚Ｌ［Å］を
４００［Å］≦Ｌ≦ｎ×０．８［Å］（ただし、ｎは、
有機層の厚さを示す。）とした場合、陰極成膜時に発生
する輻射熱と熱応力が有機層にダメージを与えることが
ないものとなり、リーク電流やショートの発生を低減す
ることができる。

【００２５】また、有機膜の膜厚を、熱応力に強い２０
００Å以上とした場合、陰極の膜厚Ｌ［Å］は、４００
［Å］≦Ｌ≦ｎ×３［Å］（ただし、ｎは、有機層の厚
さを示す。）で示される式の条件を満たす範囲とされ
る。陰極の膜厚Ｌ［Å］が４００［Å］未満であると、
配線の断線の影響を受けやすくなるため好ましくない。
一方、ｎ×３［Å］を越える膜厚Ｌ［Å］とした場合、
金属成膜時の熱応力による有機層への影響が大きくな
り、異常電流が発生しやすくなるため好ましくない。

【００２６】このような有機ＥＬ有機ＥＬ素子において
は、有機膜の膜厚を２０００Å以上とし、陰極の膜厚Ｌ
［Å］を４００［Å］≦Ｌ≦ｎ×３［Å］（ただし、ｎ
は、有機層の厚さを示す。）とした場合、陰極成膜時に
発生する輻射熱と熱応力が有機層にダメージを与えるこ
とがないものとなり、リーク電流やショートの発生を低
減することができる。

【００２７】次に、実施例を示して本発明を詳しく説明
する。（実施例１）透明ガラス基板上にＩＴＯを１０００Åと
なるようにスパッタ法により成膜した。この時のシート
抵抗は１０Ω／Åであった。次に、所定のパターンとな
るようにＩＴＯをエッチングし、ＩＴＯパターン付きガ
ラスを用意した。この基板を純水、ＩＰＡで洗浄したあ
と、ＵＶオゾン洗浄を行い、表面を十分に洗浄した。

【００２８】次に、正孔輸送層材料として、α−ＮＰＤ
（Ｎ、Ｎ’−ジフェニル−Ｎ、Ｎ’−ビス（１−ナフチ
ル）−（１，１’−ビフェニル）−４，４’−ジアミ
ン）をモリブデン製のボートに１００ｍｇ、また、発光
層材料としてＡｌｑ３（トリス（８−キノリノラト）ア
ルミニウム錯体）をモリブデン製のボートに１００ｍｇ
それぞれ別々に容易し、別の蒸発源となるように真空蒸
着装置内にセットした。先に用意した基板を同一の真空
蒸着装置内にセットした後、装置内を２×１０^-4Ｐａの
真空度となるまで排気し、到達した時点でα−ＮＰＤが
入ったボートを加熱していった。α−ＮＰＤが蒸発速度
３Å／ｓｅｃの一定速度になるまで温度をコントロール
した後、上部に設けられたシャッターを開放し、成膜を
開始し、５００Å成膜した時点でシャッターを閉じ蒸着
を終了した。同様の要領でＡｌｑ３を成膜速度３Å／ｓ
ｅｃ、膜厚５５０Å成膜し、有機層形成を終了した。こ
の時の有機層の総厚を光学式膜厚計で測定すると１１０
０Åであった。

【００２９】次にこの有機層が成膜された基板を再度真
空槽内にセットし、先ほど成膜した有機成膜用ボートを
取り除き、代わりにアルミニウムをタングステン製ボー
トに１ｇ入れ再度真空槽内を排気した。４×１０^-4Ｐａ
まで排気した時点でボートを加熱していき蒸発速度４Å
／ｓｅｃとなるよう温度を調節した。安定したところで
上部に設置されているシャッターを開放し、６００Åの
膜厚となったところで成膜を完了し、ＩＴＯ／α−ＮＰ
Ｄ／Ａｌｑ３／Ａｌの構造をもちかつ、４００Å≦Ｌ≦
０．８ｎ（ｎ＝１１００）の関係式を満たすＡｌの膜厚
（＝６００Å）の有機ＥＬ素子を作製した。

【００３０】この有機ＥＬ素子にＩＴＯを陽極、アルミ
ニウムを陰極として１５Ｖの電圧を印加すると２０００
μＡの電流が流れた。また、ＩＴＯを陰極、アルミニウ
ムを陽極として１５Ｖの電圧を印加すると２００ｐＡの
電流が流れほとんどリーク電流は認められなかった。こ
の１５Ｖ印加時の整流比を計算すると１×１０⁷であっ
た。

【００３１】（実施例２）透明ガラス基板上にＩＴＯを
１０００Åとなるようにスパッタ法により成膜した。こ
の時のシート抵抗は１０Ω／Åであった。次に、所定の
パターンとなるようにＩＴＯをエッチングし、ＩＴＯパ
ターン付きガラスを用意した。この基板を純水、ＩＰＡ
で洗浄したあと、ＵＶオゾン洗浄を行い、表面を十分に
洗浄した。

【００３２】次に、正孔輸送層材料として、α−ＮＰＤ
（Ｎ、Ｎ’−ジフェニル−Ｎ、Ｎ’−ビス（１−ナフチ
ル）−（１，１’−ビフェニル）−４，４’−ジアミ
ン）、正孔注入材料として銅フタロシアニンをそれぞれ
別のモリブデン製のボートに１００ｍｇ、また、発光層
材料としてＡｌｑ３（トリス（８−キノリノラト）アル
ミニウム錯体）をモリブデン製のボートに１００ｍｇ用
意し、別の蒸発源となるように真空蒸着装置内にセット
した。先に用意した基板を同一の真空蒸着装置内にセッ
トした後、装置内を２×１０^-4Ｐａの真空度となるまで
排気し、到達した時点で銅フタロシアニンが入ったボー
トを加熱していった。銅フタロシアニンが蒸発速度３Å
／ｓｅｃの一定速度になるまで温度をコントロールした
後、上部に設けられたシャッターを開放し、成膜を開始
し、３００Å成膜した時点でシャッターを閉じ蒸着を終
了した。同様の要領でα−ＮＰＤを成膜速度３Å／ｓｅ
ｃ、膜厚５５０Å成膜し、最後にＡｌｑ３が入ったボー
トを加熱することによって蒸発速度３Å／ｓｅｃ、７０
０Åの膜厚を形成し有機層全体の形成を終了した。この
時の有機層の総厚を光学式膜厚計で測定すると基板の中
心部で１６００Åであった。

【００３３】次にこの有機層が成膜された基板を再度真
空槽内にセットし、先ほど成膜した有機成膜用ボートを
取り除き、代わりにアルミニウムをタングステン製ボー
トに１ｇ入れ再度真空槽内を排気した。４×１０^-4Ｐａ
まで排気した時点でボートを加熱していき蒸発速度４Å
／ｓｅｃとなるよう温度を調節した。安定したところで
上部に設置されているシャッターを開放し、１０００Å
の膜厚となったところで成膜を完了し、ＩＴＯ／銅フタ
ロシアニン／α−ＮＰＤ／Ａｌｑ３／Ａｌの構造をもち
かつ、４００Å≦Ｌ≦０．８ｎ（ｎ＝１６００）の関係
式を満たすＡｌの膜厚（＝１０００Å）の有機ＥＬ素子
を作製した。

【００３４】この有機ＥＬ素子にＩＴＯを陽極、アルミ
ニウムを陰極として１５Ｖの電圧を印加すると１８００
μＡの電流が流れた。また、ＩＴＯを陰極、アルミニウ
ムを陽極として１５Ｖの電圧を印加すると１００ｐＡの
電流が流れほとんどリーク電流は認められなかった。こ
の１５Ｖ印加時の整流比を計算すると１．８×１０⁷で
あった。

【００３５】（実施例３）透明ガラス基板上にＩＴＯを
１０００Åとなるようにスパッタ法により成膜した。こ
の時のシート抵抗は１０Ω／Åであった。次に、所定の
パターンとなるようにＩＴＯをエッチングし、ＩＴＯパ
ターン付きガラスを用意した。この基板を純水、ＩＰＡ
で洗浄したあと、ＵＶオゾン洗浄を行い、表面を十分に
洗浄した。

【００３６】次に、正孔輸送層材料として、α−ＮＰＤ
（Ｎ、Ｎ’−ジフェニル−Ｎ、Ｎ’−ビス（１−ナフチ
ル）−（１，１’−ビフェニル）−４，４’−ジアミ
ン）をモリブデン製のボートに１００ｍｇ、また、発光
層材料としてＡｌｑ３（トリス（８−キノリノラト）ア
ルミニウム錯体）をモリブデン製のボートに１００ｍｇ
それぞれ別々に容易し、別の蒸発源となるように真空蒸
着装置内にセットした。先に用意した基板を同一の真空
蒸着装置内にセットした後、装置内を２×１０^-4Ｐａの
真空度となるまで排気し、到達した時点でα−ＮＰＤが
入ったボートを加熱していった。α−ＮＰＤが蒸発速度
３Å／ｓｅｃの一定速度になるまで温度をコントロール
した後、上部に設けられたシャッターを開放し、成膜を
開始し、５００Å成膜した時点でシャッターを閉じ蒸着
を終了した。同様の要領でＡｌｑ３を成膜速度３Å／ｓ
ｅｃ、膜厚５５０Å成膜し、有機層形成を終了した。こ
の時の有機層の総厚を光学式膜厚計で測定すると１１０
０Åであった。

【００３７】次にこの有機層が成膜された基板を再度真
空槽内にセットし、先ほど成膜した有機成膜用ボートを
取り除き、代わりにインジウムをタングステン製ボート
に１ｇ入れ再度真空槽内を排気した。４×１０^-4Ｐａま
で排気した時点でボートを加熱していき蒸発速度４Å／
ｓｅｃとなるよう温度を調節した。安定したところで上
部に設置されているシャッターを開放し、６００Åの膜
厚となったところで成膜を完了し、ＩＴＯ／α−ＮＰＤ
／Ａｌｑ３／Ｉｎの構造をもち、かつ、４００Å≦Ｌ≦
０．８ｎ（ｎ＝１１００）の関係式を満たすＩｎの膜厚
（＝６００Å）の有機ＥＬ素子を作製した。

【００３８】この有機ＥＬ素子にＩＴＯを陽極、インジ
ウムを陰極として１５Ｖの電圧を印加すると７００μＡ
の電流が流れた。また、ＩＴＯを陰極、インジウムを陽
極として１５Ｖの電圧を印加すると３００ｐＡの電流が
流れほとんどリーク電流は認められなかった。この１５
Ｖ印加時の整流比を計算すると２．３×１０⁶であっ
た。

【００３９】（実施例４）透明ガラス基板上にＩＴＯを
１０００Åとなるようにスパッタ法により成膜した。こ
の時のシート抵抗は１０Ω／Åであった。次に、所定の
パターンとなるようにＩＴＯをエッチングし、ＩＴＯパ
ターン付きガラスを用意した。この基板を純水、ＩＰＡ
で洗浄したあと、ＵＶオゾン洗浄を行い、表面を十分に
洗浄した。

【００４０】次に、正孔輸送層材料として、α−ＮＰＤ
（Ｎ、Ｎ’−ジフェニル−Ｎ、Ｎ’−ビス（１−ナフチ
ル）−（１，１’−ビフェニル）−４，４’−ジアミ
ン）をモリブデン製のボートに１００ｍｇ、また、発光
層材料としてＡｌｑ３（トリス（８−キノリノラト）ア
ルミニウム錯体）をモリブデン製のボートに１００ｍｇ
それぞれ別々に容易し、別の蒸発源となるように真空蒸
着装置内にセットした。先に用意した基板を同一の真空
蒸着装置内にセットした後、装置内を２×１０^-4Ｐａの
真空度となるまで排気し、到達した時点でα−ＮＰＤが
入ったボートを加熱していった。α−ＮＰＤが蒸発速度
３Å／ｓｅｃの一定速度になるまで温度をコントロール
した後、上部に設けられたシャッターを開放し、成膜を
開始し、５００Å成膜した時点でシャッターを閉じ蒸着
を終了した。同様の要領でＡｌｑ３を成膜速度３Å／ｓ
ｅｃ、膜厚５５０Å成膜し、有機層形成を終了した。こ
の時の有機層の総厚を光学式膜厚計で測定すると１１０
０Åであった。

【００４１】次にこの有機層が成膜された基板を再度真
空槽内にセットし、先ほど成膜した有機成膜用ボートを
取り除き、代わりにアルミニウムをタングステン製ボー
トに１ｇ入れ、また、別のボートにリチウムを１ｇ入れ
再度真空槽内を排気した。４×１０^-4Ｐａまで排気した
時点でボートを加熱していき蒸発速度４／ｓｅｃとな
るよう温度を調節した。また、同時にリチウムが入った
ボートも加熱し、蒸発速度２Å／ｓｅｃで安定したとこ
ろで上部に設置されているシャッターを開放し共蒸着を
行った。６００Åの膜厚となったところで成膜を完了
し、ＩＴＯ／α−ＮＰＤ／Ａｌｑ３／ＡｌＬｉの構造を
もちかつ、４００Å≦Ｌ≦０．８ｎ（ｎ＝１１００）の
関係式を満たすＩｎの膜厚（＝６００Å）の有機ＥＬ素
子を作製した。

【００４２】この有機ＥＬ素子にＩＴＯを陽極、アルミ
ニウムリチウムを陰極として１５Ｖの電圧を印加すると
２ｍＡの電流が流れた。また、ＩＴＯを陰極、アルミニ
ウムリチウムを陽極として１５Ｖの電圧を印加すると６
０ｐＡの電流が流れほとんどリーク電流は認められなか
った。この１５Ｖ印加時の整流比を計算すると３．３×
１０⁷であった。

【００４３】（実施例５）透明ガラス基板上にＩＴＯを
１０００Åとなるようにスパッタ法により成膜した。こ
の時のシート抵抗は１０Ω／Åであった。次に、所定の
パターンとなるようにＩＴＯをエッチングし、ＩＴＯパ
ターン付きガラスを用意した。この基板を純水、ＩＰＡ
で洗浄したあと、ＵＶオゾン洗浄を行い、表面を十分に
洗浄した。

【００４４】次に、正孔輸送層材料として、α−ＮＰＤ
（Ｎ、Ｎ’−ジフェニル−Ｎ、Ｎ’−ビス（１−ナフチ
ル）−（１，１’−ビフェニル）−４，４’−ジアミ
ン）をモリブデン製のボートに１００ｍｇ、また、発光
層材料としてＡｌｑ３（トリス（８−キノリノラト）ア
ルミニウム錯体）をモリブデン製のボートに１００ｍｇ
それぞれ別々に容易し、別の蒸発源となるように真空蒸
着装置内にセットした。先に用意した基板を同一の真空
蒸着装置内にセットした後、装置内を２×１０^-4Ｐａの
真空度となるまで排気し、到達した時点でα−ＮＰＤが
入ったボートを加熱していった。α−ＮＰＤが蒸発速度
３Å／ｓｅｃの一定速度になるまで温度をコントロール
した後、上部に設けられたシャッターを開放し、成膜を
開始し、５００Å成膜した時点でシャッターを閉じ蒸着
を終了した。同様の要領でＡｌｑ３を成膜速度３Å／ｓ
ｅｃ、膜厚５５０Å成膜し、有機層形成を終了した。こ
の時の有機層の総厚を光学式膜厚計で測定すると１１０
０Åであった。

【００４５】次にこの有機層が成膜された基板を再度真
空槽内にセットし、先ほど成膜した有機成膜用ボートを
取り除き、代わりにマグネシウムをタングステン製ボー
トに１ｇ入れ、また、別のボートに銀を１ｇ入れ再度真
空槽内を排気した。４×１０ ^-4Ｐａまで排気した時点で
ボートを加熱していき蒸発速度７Å／ｓｅｃとなるよう
温度を調節した。また、同時にリチウムが入ったボート
も加熱し、蒸発速度４Å／ｓｅｃで安定したところで上
部に設置されているシャッターを開放し共蒸着を行っ
た。６００Åの膜厚となったところで成膜を完了し、Ｉ
ＴＯ／α−ＮＰＤ／Ａｌｑ３／ＭｇＡｇの構造をもちか
つ、４００Å≦Ｌ≦０．８ｎ（ｎ＝１１００）の関係式
を満たすＩｎの膜厚（＝６００Å）の有機ＥＬ素子を作
製した。

【００４６】この有機ＥＬ素子にＩＴＯを陽極、マグネ
シウム銀を陰極として１５Ｖの電圧を印加すると１ｍＡ
の電流が流れた。また、ＩＴＯを陰極、マグネシウム銀
を陽極として１５Ｖの電圧を印加すると１００ｐＡの電
流が流れほとんどリーク電流は認められなかった。この
１５Ｖ印加時の整流比を計算すると１．０×１０⁷であ
った。

【００４７】（実施例６）α−ＮＰＤの膜厚を８００Å
とし、Ａｌｑ３の膜厚を１０００Åとし、さらにアルミ
ニウムの膜厚を１３００Åとした以外は実施例１と同様
の方法により有機ＥＬ素子を作製した。この有機ＥＬ素
子にＩＴＯを陽極、アルミニウムを陰極として１５Ｖの
電圧を印加すると２００μＡの電流が流れた。また、Ｉ
ＴＯを陰極、アルミニウムを陽極として１５Ｖの電圧を
印加すると６０ｐＡの電流が流れほとんどリーク電流は
認められなかった。この１５Ｖ印加時の整流比を計算す
ると３．３×１０⁶であった。

【００４８】（実施例７）α−ＮＰＤの膜厚を８００Å
とし、Ａｌｑ３の膜厚を１０００Åとし、さらにインジ
ウムの膜厚を１３００Åとした以外は実施例３と同様に
作製した有機ＥＬ素子を作製した。この有機ＥＬ素子に
ＩＴＯを陽極、インジウムを陰極として１５Ｖの電圧を
印加すると１００μＡの電流が流れた。また、ＩＴＯを
陰極、インジウムを陽極として１５Ｖの電圧を印加する
と２００ｐＡの電流が流れほとんどリーク電流は認めら
れなかった。この１５Ｖ印加時の整流比を計算すると
２．０×１０⁶であった。

【００４９】（実施例８）α−ＮＰＤの膜厚を８００Å
とし、Ａｌｑ３の膜厚を１０００Åとし、さらにアルミ
ニウムリチウムの膜厚を１３００Åとした以外は実施例
４と同様に作製した有機ＥＬ素子を作製した。この有機
ＥＬ素子にＩＴＯを陽極、アルミニウムリチウムを陰極
として１５Ｖの電圧を印加すると１ｍＡの電流が流れ
た。また、ＩＴＯを陰極、アルミニウムリチウムを陽極
として１５Ｖの電圧を印加すると６０ｐＡの電流が流れ
ほとんどリーク電流は認められなかった。この１５Ｖ印
加時の整流比を計算すると１．７×１０⁷であった。

【００５０】（実施例９）α−ＮＰＤの膜厚を１０００
Åとし、Ａｌｑ３の膜厚を２０００Åとし、さらにアル
ミニウムの膜厚を５０００Åとした以外は実施例１と同
様の方法により有機ＥＬ素子を作製した。この有機ＥＬ
素子にＩＴＯを陽極、アルミニウムを陰極として１５Ｖ
の電圧を印加すると１０μＡの電流が流れた。また、Ｉ
ＴＯを陰極、アルミニウムを陽極として１５Ｖの電圧を
印加すると６０ｐＡの電流が流れほとんどリーク電流は
認められなかった。この１５Ｖ印加時の整流比を計算す
ると１．７×１０⁵であった。

【００５１】（実施例１０）α−ＮＰＤの膜厚を１００
０Åとし、Ａｌｑ３の膜厚を２０００Åとし、さらにイ
ンジウムの膜厚を５０００Åとした以外は実施例３と同
様に作製した素子を作製した。この有機ＥＬ素子にＩＴ
Ｏを陽極、インジウムを陰極として１５Ｖの電圧を印加
すると１μＡの電流が流れた。また、ＩＴＯを陰極、イ
ンジウムを陽極として１５Ｖの電圧を印加すると１０ｐ
Ａの電流が流れほとんどリーク電流は認められなかっ
た。この１５Ｖ印加時の整流比を計算すると１．０×１
０⁵であった。

【００５２】（実施例１１）α−ＮＰＤの膜厚を１００
０Åとし、Ａｌｑ３の膜厚を２０００Åとし、さらにア
ルミニウムリチウムの膜厚を５０００Åとした以外は実
施例４と同様に作製した素子を作製した。この有機ＥＬ
素子にＩＴＯを陽極、アルミニウムリチウムを陰極とし
て１５Ｖの電圧を印加すると５００μＡの電流が流れ
た。また、ＩＴＯを陰極、アルミニウムリチウムを陽極
として１５Ｖの電圧を印加すると４５ｐＡの電流が流れ
ほとんどリーク電流は認められなかった。この１５Ｖ印
加時の整流比を計算すると１．１×１０⁷であった。

【００５３】（実施例１２）α−ＮＰＤをＭＴＤＡＴＡ
（４−４’−４’’−トリス（Ｎ−（３−メチルフェニ
ル）−Ｎ−フェニルアミノ）トリフェニルアミン）と
し、Ｚｎ（ｏｘｚ）２（２−（ｏ−ヒドロキシフェニ
ル）−ベンズオキサゾールの亜鉛錯体）とした以外は実
施例１と同様な方法により有機ＥＬ素子を作製した。こ
の有機ＥＬ素子にＩＴＯを陽極、アルミニウムを陰極と
して１５Ｖの電圧を印加すると６５０μＡの電流が流れ
た。また、ＩＴＯを陰極、アルミニウムを陽極として１
５Ｖの電圧を印加すると２２０ｐＡの電流が流れほとん
どリーク電流は認められなかった。この１５Ｖ印加時の
整流比を計算すると３．０×１０⁷であった。

【００５４】（実施例１３）α−ＮＰＤをＴＰＤ（Ｎ、
Ｎ’−ジフェニル−Ｎ、Ｎ’−ビス（３−フェニル）−
１，１’−ビフェニル−ビフェニル−４，４’−ジアミ
ン）とし、Ｚｎ（ｏｘｚ）２（２−（ｏ−ヒドロキシフ
ェニル）−ベンズオキサゾールの亜鉛錯体）とした以外
は実施例１と同様な方法により有機ＥＬ素子を作製し
た。この有機ＥＬ素子にＩＴＯを陽極、アルミニウムを
陰極として１５Ｖの電圧を印加すると６００μＡの電流
が流れた。また、ＩＴＯを陰極、アルミニウムを陽極と
して１５Ｖの電圧を印加すると１８０ｐＡの電流が流れ
ほとんどリーク電流は認められなかった。この１５Ｖ印
加時の整流比を計算すると３．３×１０⁷であった。

【００５５】（実施例１４）α−ＮＰＤをＭＴＤＡＴＡ
（４−４’−４’’−トリス（Ｎ−（３−メチルフェニ
ル）−Ｎ−フェニルアミノ）トリフェニルアミン）と
し、Ｚｎ（ｏｘｚ）２（２−（ｏ−ヒドロキシフェニ
ル）−ベンズオキサゾールの亜鉛錯体）とした以外は実
施例２と同様な方法により有機ＥＬ素子を作製した。こ
の有機ＥＬ素子にＩＴＯを陽極、アルミニウムを陰極と
して１５Ｖの電圧を印加すると８００μＡの電流が流れ
た。また、ＩＴＯを陰極、アルミニウムを陽極として１
５Ｖの電圧を印加すると１３０ｐＡの電流が流れほとん
どリーク電流は認められなかった。この１５Ｖ印加時の
整流比を計算すると６．２×１０⁶であった。

【００５６】（実施例１５）α−ＮＰＤをＴＰＤ（Ｎ、
Ｎ’−ジフェニル−Ｎ、Ｎ’−ビス（３−フェニル）−
１，１’−ビフェニル−ビフェニル−４，４’−ジアミ
ン）とし、Ｚｎ（ｏｘｚ）２（２−（ｏ−ヒドロキシフ
ェニル）−ベンズオキサゾールの亜鉛錯体）とした以外
は実施例２と同様な方法により有機ＥＬ素子を作製し
た。この有機ＥＬ素子にＩＴＯを陽極、アルミニウムを
陰極として１５Ｖの電圧を印加すると４００μＡの電流
が流れた。また、ＩＴＯを陰極、アルミニウムを陽極と
して１５Ｖの電圧を印加すると９０ｐＡの電流が流れほ
とんどリーク電流は認められなかった。この１５Ｖ印加
時の整流比を計算すると４．４×１０⁶であった。

【００５７】（実施例１６）α−ＮＰＤをＭＴＤＡＴＡ
（４−４’−４’’−トリス（Ｎ−（３−メチルフェニ
ル）−Ｎ−フェニルアミノ）トリフェニルアミン）と
し、Ｚｎ（ｏｘｚ）２（２−（ｏ−ヒドロキシフェニ
ル）−ベンズオキサゾールの亜鉛錯体）とした以外は実
施例３と同様な方法により有機ＥＬ素子を作製した。こ
の有機ＥＬ素子にＩＴＯを陽極、インジウムを陰極とし
て１５Ｖの電圧を印加すると２０μＡの電流が流れた。
また、ＩＴＯを陰極、インジウムを陽極として１５Ｖの
電圧を印加すると１０ｐＡの電流が流れほとんどリーク
電流は認められなかった。この１５Ｖ印加時の整流比を
計算すると２．０×１０⁶であった。

【００５８】（実施例１７）α−ＮＰＤをＴＰＤ（Ｎ、
Ｎ’−ジフェニル−Ｎ、Ｎ’−ビス（３−フェニル）−
１，１’−ビフェニル−ビフェニル−４，４’−ジアミ
ン）とし、Ｚｎ（ｏｘｚ）２（２−（ｏ−ヒドロキシフ
ェニル）−ベンズオキサゾールの亜鉛錯体）とした以外
は実施例２と同様な方法により有機ＥＬ素子を作製し
た。この有機ＥＬ素子にＩＴＯを陽極、インジウムを陰
極として１５Ｖの電圧を印加すると１２μＡの電流が流
れた。また、ＩＴＯを陰極、インジウムを陽極として１
５Ｖの電圧を印加すると１０ｐＡの電流が流れほとんど
リーク電流は認められなかった。この１５Ｖ印加時の整
流比を計算すると１．２×１０⁶であった。

【００５９】（実施例１８）α−ＮＰＤをＭＴＤＡＴＡ
（４−４’−４’’−トリス（Ｎ−（３−メチルフェニ
ル）−Ｎ−フェニルアミノ）トリフェニルアミン）と
し、Ｚｎ（ｏｘｚ）２（２−（ｏ−ヒドロキシフェニ
ル）−ベンズオキサゾールの亜鉛錯体）とした以外は実
施例４と同様な方法により有機ＥＬ素子を作製した。こ
の有機ＥＬ素子にＩＴＯを陽極、アルミニウムリチウム
を陰極として１５Ｖの電圧を印加すると２ｍＡの電流が
流れた。また、ＩＴＯを陰極、アルミニウムリチウムを
陽極として１５Ｖの電圧を印加すると１３０ｐＡの電流
が流れほとんどリーク電流は認められなかった。この１
５Ｖ印加時の整流比を計算すると６．７×１０⁷であっ
た。

【００６０】（実施例１９）α−ＮＰＤをＴＰＤ（Ｎ、
Ｎ’−ジフェニル−Ｎ、Ｎ’−ビス（３−フェニル）−
１，１’−ビフェニル−ビフェニル−４，４’−ジアミ
ン）とし、Ｚｎ（ｏｘｚ）２（２−（ｏ−ヒドロキシフ
ェニル）−ベンズオキサゾールの亜鉛錯体）とした以外
は実施例４と同様な方法により有機ＥＬ素子を作製し
た。この有機ＥＬ素子にＩＴＯを陽極、アルミニウムリ
チウムを陰極として１５Ｖの電圧を印加すると４ｍＡの
電流が流れた。また、ＩＴＯを陰極、アルミニウムリチ
ウムを陽極として１５Ｖの電圧を印加すると２３０ｐＡ
の電流が流れほとんどリーク電流は認められなかった。
この１５Ｖ印加時の整流比を計算すると３．１×１０⁷
であった。

【００６１】（実施例２０）α−ＮＰＤをＭＴＤＡＴＡ
（４−４’−４’’−トリス（Ｎ−（３−メチルフェニ
ル）−Ｎ−フェニルアミノ）トリフェニルアミン）と
し、Ｚｎ（ｏｘｚ）２（２−（ｏ−ヒドロキシフェニ
ル）−ベンズオキサゾールの亜鉛錯体）とした以外は実
施例５と同様な方法により有機ＥＬ素子を作製した。こ
の有機ＥＬ素子にＩＴＯを陽極、マグネシウム銀を陰極
として１５Ｖの電圧を印加すると１ｍＡの電流が流れ
た。また、ＩＴＯを陰極、マグネシウム銀を陽極として
１５Ｖの電圧を印加すると９０ｐＡの電流が流れほとん
どリーク電流は認められなかった。この１５Ｖ印加時の
整流比を計算すると１．１×１０⁷であった。

【００６２】（実施例２１）α−ＮＰＤをＴＰＤ（Ｎ、
Ｎ’−ジフェニル−Ｎ、Ｎ’−ビス（３−フェニル）−
１，１’−ビフェニル−ビフェニル−４，４’−ジアミ
ン）とし、Ｚｎ（ｏｘｚ）２（２−（ｏ−ヒドロキシフ
ェニル）−ベンズオキサゾールの亜鉛錯体）とした以外
は実施例５と同様な方法により有機ＥＬ素子を作製し
た。この有機ＥＬ素子にＩＴＯを陽極、マグネシウム銀
を陰極として１５Ｖの電圧を印加すると２．２ｍＡの電
流が流れた。また、ＩＴＯを陰極、マグネシウム銀を陽
極として１５Ｖの電圧を印加すると１００ｐＡの電流が
流れほとんどリーク電流は認められなかった。この１５
Ｖ印加時の整流比を計算すると２．２×１０ ⁷であっ
た。

【００６３】（比較例１）アルミニウムの膜厚を２００
０Åとした以外は実施例１と同様に有機ＥＬ素子を作製
した。この有機ＥＬ素子にＩＴＯを陽極、アルミニウム
を陰極として１５Ｖの電圧を印加すると１４μＡの電流
が流れた。また、ＩＴＯを陰極、アルミニウムを陽極と
して１５Ｖの電圧を印加すると１μＡの電流が流れリー
ク電流は認められた。この１５Ｖ印加時の整流比を計算
すると１４であった。

【００６４】（比較例２）アルミニウムの膜厚を２００
０Åとした以外は実施例２と同様に有機ＥＬ素子を作製
した。この有機ＥＬ素子にＩＴＯを陽極、アルミニウム
を陰極として１５Ｖの電圧を印加すると１６μＡの電流
が流れた。また、ＩＴＯを陰極、アルミニウムを陽極と
して１５Ｖの電圧を印加すると１μＡの電流が流れリー
ク電流は認められた。この１５Ｖ印加時の整流比を計算
すると１６であった。

【００６５】（比較例３）インジウムの膜厚を２０００
Åとした以外は実施例３と同様に有機ＥＬ素子を作製し
た。この有機ＥＬ素子にＩＴＯを陽極、インジウムを陰
極として１５Ｖの電圧を印加すると７２０μＡの電流が
流れた。また、ＩＴＯを陰極、インジウムを陽極として
１５Ｖの電圧を印加すると２μＡの電流が流れリーク電
流は認められた。この１５Ｖ印加時の整流比を計算する
と３６０であった。

【００６６】（比較例４）アルミニウムリチウムの膜厚
を２０００Åとした以外は実施例４と同様に有機ＥＬ素
子を作製した。この有機ＥＬ素子にＩＴＯを陽極、アル
ミニウムリチウムを陰極として１５Ｖの電圧を印加する
と４ｍＡの電流が流れた。また、ＩＴＯを陰極、アルミ
ニウムリチウムを陽極として１５Ｖの電圧を印加すると
２μＡの電流が流れリーク電流は認められた。この１５
Ｖ印加時の整流比を計算すると２．０×１０³であっ
た。

【００６７】（比較例５）マグネシウム銀の膜厚を２０
００Åとした以外は実施例５と同様に有機ＥＬ素子を作
製した。この有機ＥＬ素子にＩＴＯを陽極、マグネシウ
ム銀を陰極として１５Ｖの電圧を印加すると１．４ｍＡ
の電流が流れた。また、ＩＴＯを陰極、マグネシウム銀
を陽極として１５Ｖの電圧を印加すると６μＡの電流が
流れリーク電流は認められた。この１５Ｖ印加時の整流
比を計算すると２００であった。

【００６８】

【発明の効果】以上説明したように、本発明の有機ＥＬ
素子は、有機層の厚さと陰極の厚さとを上記の条件を満
たすものとしたので、陰極成膜時に発生する輻射熱と熱
応力が有機層にダメージを与えることがないものとな
り、リーク電流やショートの発生を低減することができ
る。このことより、これを用いて単純マトリクス型の表
示装置を作製した場合に、非選択画素の点灯を防ぐこと
ができ、コントラスト向上に繋がる。

【図面の簡単な説明】

【図１】有機ＥＬ素子のバンド図の一例を示した図で
ある。

【図２】陰極からの熱応力を説明するための図であ
る。

【符号の説明】

１有機層２正孔注入層３正孔輸送層４発光層５電子輸送層

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】陰極と陽極との間に１層以上の有機層を
有する有機ＥＬ素子において、前記有機層の厚さが２０００Å未満であり、かつ、前記陰極の厚さＬ［Å］が下記の式で示される条件を満
たすことを特徴とする有機ＥＬ素子。４００［Å］≦Ｌ≦ｎ×０．８［Å］ただし、ｎは、有機層の厚さを示す。
【請求項２】陰極と陽極との間に１層以上の有機層を
有する有機ＥＬ素子において、前記有機層の厚さが２０００Å以上であり、かつ、前記陰極の厚さＬ［Å］が下記の式で示される条件を満
たすことを特徴とする有機ＥＬ素子。４００［Å］≦Ｌ≦ｎ×３［Å］ただし、ｎは、有機層の厚さを示す。