TW526678B

TW526678B - Organic electroluminescent element

Info

Publication number: TW526678B
Application number: TW089109826A
Authority: TW
Inventors: Taizo Tanaka
Original assignee: Nec Corp
Priority date: 1999-06-07
Filing date: 2000-05-22
Publication date: 2003-04-01
Also published as: JP2000348865A; KR20010020955A; DE10026236A1

Description

526678 五、發明說明（1) 〜【發明領域】 — 本發明係有關於一種有機電發光元件（〇rganic electroluminescence device )，特別是有關於一種能夠抑制不正常電流的有機電發光元件。【習知技術】有機電發光元件的原理為當電子注入陰極時，電洞注入陽極所造成的光放射現象，以導致具有螢光性質的發光層（luminescent layer )之電洞和電子的再結合，藉以從激發態（excited state)回到穩定狀態，且產生輻射或放出f。有機電發光元件的研究和發展起源於有機化合物展現高螢光率（flU〇reSCence yield)，且允許其各種不同分子結構的設計。剛開始的或傳統的有機電發^元件很差，且在發光和發光效率上低於真正要求的可行程度。此剛開始的或傳統的有機電發光元件具有簡單的三明^結構’發光層係夾於陽極和陰極之間。在 Applied Physics Letter 第 51 卷第 913 頁 1 987 年的期刊中’ Tang等人揭露了上述簡單的三明治釺槿使得在傳輸電洞上具有優勢的電洞傳輸層（h〇le ’ transport layer )可用於發光結構中。此後，有機電發光元件的研究和發展已專注在具有各種不同功能層的不x同多層結構，比如用於注入電洞的電洞注入層（h〇 i e injection layer)和用於傳輸電子的電子傳輸層 (electron transport layer )。各別的有機物θ質已質上獲得改善。在這些狀況下，做為顯示裝置的有機電發 526678 五、發明光元件^ " 之三傰+必備條件已在增加中。在最近绻在— 率7而ί要色彩，例如藍、綠和紅，全彩顯示器以；；地選擇各别载子傳輸物發光效 (pix…二Λ件動可有做機為/示裝置的單元或像素 :以是趨動液晶顯示器的方電法發：兀如件，可行，趨動方法旎之被動矩陣趨動法、及於—1 °疋依賴元件的多重效主動矩陣趨動法。；母個像素的趨動切換元件之由於有機電發光元件藉由& · 此電J對有機電發光元件是特別重要：，件而發光，因和陰極^間？/有心间杈供有機多層結構}。有機多注入層2、電洞傳輸層3、發光声4和^ =構1包括電洞從陰極注入時，電洞從陽極注子傳輪層5二當電子有機層的能障而進入發光層4，以使電入；^洞和^^越過 :示=圖：能帶輪廊是理想的能帶輪廊。然際各別的有機層相當薄，例如在數埃至數百埃的範圍' 各別有機層的界面具有不穩定的位能電流或漏電流。而V致不正常同的觀點下，不正常的電流係由反向偏壓趨動有機電I光7L件所造成的。如果場施加至有機電發光元件，即表示不正常電流係與不論是有機電發光元件於發光發光悲無關。此不正常電流，使得做為顯示裝置的有發光元件在品質上導致顯著的惡化。

第5頁 526678 五、發明說明（3) 在日本公開公報第9-1 02395號中，揭露了 f用陰極電極’以抑制不正常電流。然而真正達到抑制電流的效果仍不足夠。在曰本公開公報第9-245965號中，揭露了陽極低的表面粗糙度，其不大於50埃。此傳統的技術需製程來拋光陽極的表面。此用來拋光陽極表面的^ ^ 增加了製权的成本。而且陽極的再現性非常低在上述的狀況下，需要發展一種可避免上述問的有機電發光元件。【發明之目的及概要】因此，本發明的目的就是在提供—種新的有機疋件，可避免上述的問題。件，目：在於提供一種新的有機電發了用以抑制不正常的電流。本發明提供一種有機電發光元件，其包括陽搞 ί括；Τ於陽極和陰極之間的有咖構，ΪΓί 有機層，如果有機層結構具 0度/ ’則陰極的厚度π為：400埃I， •矣，如果有機層結構具有不小於2 $ η ，則陰極的厚度、、L" A · Μη Μ吳的尽度埃。坪沒L·為·40 0埃攸以下的描述中，可他目的、特徵及優點。顯了解本發明之上【圖式簡單說明】鋁做為不正常具有較要拋光外製〇題之新電發光光元、陰層結構埃的厚 η X X 3 述和其

$ 6頁發光層電子傳 526678 五、發明說明（4) 下文特舉一些較佳實施例，並配合說明。 ° 第1圖係繪示有機電發光元件的能第2圖係繪示來自陰極的熱應力。【符號說明】有機多層結構：1 有機層：1 a 電洞注入層：2 ΐτο圖, 電洞傳輸層：3 基底：【發明的詳細說明】本發明提供一種有機電發光元件，和介於陽極和陰極之間之有機層結構，至v少,一有機層，其中有機層結構具有小 'n "，陰極具有如下式之厚度、、L "： 4〇〇埃 $ L $ n X 〇· 本發明另提供一種有機電發光'元件極' 和介於陽極和陰極之間之有機層結，括，少,一有機層，其中有機層結構具厚度11 ，陰極具有如下式之厚度、、乙 ^有機電發光元件的有機層之大名 f無機物質為低的熱穩定性。再者疋相當薄的，例如，在數埃至數千士構被外在因素緊拉，例如外在施加含所附圖式，作詳細卜輪廓。 ••4 輸層：5 I 膜·· 7 包括陽極、陰極、此有機層結構包括於2000埃的厚度 8 埃。 ’包括陽極、陰構，此有機層結構有不小於200 0埃的的有機物質，具有 j物質的多層結構鲍園，以致於其結 526678

尤其做為陰極的金屬具有範圍在數百。c至數千。◦之南的彿點。在輻射熱的製程下，例如電阻熱蒸發 heating evaporation)，做為主要元件的構，直接接收高溫下的#。蒸發的金屬粒子金屬粒子的熱擴散，此金屬粒子造成了多層…構相當的傷害。 ^熱對有機電發光元件的影響與蒸發源、至基底的距 L即因為蒸發源至基底的距離，使輻射熱對有機電發，兀件的影響很小。然而，在此情況下，設置在真空反應至用於沈積薄膜之蒸發物質的熱係數或蒸發物質的量，必須，蒸發源至基底的距離的增加而增加。在此觀點中，增加，發源至基底的距離不是有效的方法。 t =2圖係繪不陰極的熱應力的圖示。陰極常用的物質 I在基底上產生熱應力。熱應力的大小係依陰極的厚二生的。當陰極的厚度較厚時，熱應力相對地較大。第/圖所示，陰極包括銦薄氧化物（indium thin ▲、fWTr/T〇)圖案膜。當陰極產生強大的熱應力會施加在 ώ圖案膜邊緣的有機層la。此熱應力可能會導致不中電流，例如漏電流及陽極和陰極之間的短路電流。首先，本發明提供一種有機電發光元件，包括陽極、 i=二和介於陽極和陰極之間之有機層結構，此有機層結戾=、、至^一有機層’其中有機層結構具有小於2〇〇〇埃的子又n ，陰極具有如下式之厚度、、l":

J^OO/Ο £、發明說明（6) 有擔居Τ埃$ L $ η X 〇· 8埃。〜有機層結構相當薄或厚度小於2〇〇〇 '。電發光兀件幾乎可避免在形成陴極、。因此新的有機之輻射熱所造成的影響，以及二"二二物的蒸發製程中質的熱擴散所造成的影響。上述乂：力二，加抑制在約超過基底2〇。々的…構，將溫度的增因為有機層結構的厚度小於如上式所定義，因此内連線斷路的可能性=極的厚度係依據本發明，介於=”：結構的影響亦很低。度以及陰極的厚度間的有機層結構之厚實質上可免於，田认Ϊ 、逆條件’以致於有機層結構施加的熱應力所造成的影塑。右：；：士中之輕射熱以及不正堂66 +义f ^ θ有機電發光元件可用於抑制電發光元：1列如漏電流和短路電流。如果將新的有機 :發先'件應用至簡單的矩陣型顯示裂置（matrix二機古，P二此顯示裝置可免於非選擇的像素變冗精j改善顯示裝置的對比（contrast)。昤搞其本發明提供一種有機電發光元件，包括陽極、 ΐ勺紅2、於陽極和陰極之間之有機層結構，此有機層結 m = # 、、夕一有機層，其中有機層結構具有不小於2000埃的厗度n’，，陰極具有如下式之厚度、、L„ : 400 埃 $L$nX3 埃。有機層結構相當薄或厚度小於2000埃。因此有機電發、疋件相當穩定’可對抗由形成陰極的蒸發製程所產生之

第9頁 526678 五、發明說明（7) 熱應力。因為有機層結構的如上式所定義，因此内蒸發製程所產生的熱應依據本發明，介於度以及陰極的厚度，係實質上可免於在形成陰的熱應力所造成的影響常的電流，例如漏電流光元件應用至簡單的矩非選擇的像素變亮，藉上述之有機層結構下之有機多層結構可用第一種有機多層結第二種有機多層結光層和陰極。第三種有機多層結光層和陰極。第四種有機多層結洞傳輸層、發光層和陰第五種有機多層結輪層和陰極。第六種有機多層結光層、電子傳輸層和陰厚度小連線斷力對有 1¼極和滿足上極之蒸。有機和短路陣型顯以改善包括至於新的構包括構包括於2000埃，路的可能性機層結構的陰極之間的述條件，以發製程中之電發光元件電流。如果示裝置，此顯示裝置的少一有機層有機電發光陽極、發光陽極薄板、且陰極的报低，且影響亦很有機層結致於有機輻射熱以可用於抑將新的有顯示裝置對比。，但是，元件。層和陰極電洞傳輸厚度係在金屬低。構之厚層結構及施加制不正機電發可免於例如以層、發構包括陽極薄板、電洞注入層發構包括陽極薄板、電洞注入層、電極構包括陽極薄板、發光層、電子傳構包括陽極薄板、電洞注入層、發〇

第10頁 526678

第七種有機多層結構包括陽極薄板、電洞g入声洞傳輸層、發光層、電子傳輸層和陰極。 θ 電每一發光層、電洞注入層層’可能包括單層或多層。再有機層為可在上述的有機層間 (interface ) 〇、電洞傳輸層和電子傳輸者’為了修飾上者，另一種選擇性地插入做為界面在本發明之有機電發光元件中，可用於電洞傳輸層的物質並不限定於特殊的有機物質。已知可做為電洞傳輸物質層和新的物質之化合物，例如 bis-（di(p-tolyl)aminophenyl)-1，卜sycrohexthan 、

N，N - 一本基-N，N -雙（3-笨甲基）-（ι，ι’-雙苯基一 4, 胺， (Ν，Ν’ -diphenyl-N，Ν’ -bis(3-methylphenyl)-l，1，-biph eny 1-4, 4? -diamine ) 、N，N，- 二苯基-N，N，-雙（卜萘基）-(1，Γ-雙苯基-4,4’-二胺 (N，Ν’ -diphenyl-N，Ν’ -bis(卜naphthyl )-(1，1，-bipheny 1)-4, 4’ -diamine ) 〇

用於發光層的物質可以是已知的發光物質，例如蒽 (anthracene)、焦油腦（pyrene)、三（8 -奎啉呂錯合物(tris(8-quinolinolato) aluminum complex ；簡稱 Alq3 )、及其衍生物。再者，可用的雙-苯乙烯蒽衍生物 (bis-styryl anthracene derivatives )、四一苯基丁二浠衍生物(t e t ra-pheny 1 butadiene derivatives )、香豆素衍生物（coumarin derivatives)、二曙嗤衍生物

第11頁 526678 五、發明說明（9)

(oxadiazole derivatives )、（二-苯乙烯）苯衍生物 (di — styryl benzene derivatives )、卩比口各口比咬衍生物 (pyrrolopyridine derivatives ) 、perinone衍生物 > 環戊稀衍生物（cyclopentadiene derivatives)、嗜唾衍生物（oxazole derivatives)、噻二峻卩比淀衍生物 (thiadiazolopyridine derivatives )以及二笨骄蒽衍生物（perylene derivatives)。聚合物亦可行，例如聚二曱苯乙烯衍生物（polyphenylene vinylene derivatives) ' 聚對位曱苯衍生物（polyparaphenylene derivatives)以及聚噻吩衍生物（polythiophene derivatives ) 〇

亦可以故意添加小量的摻質至發光層中，以改善發光效率（luminous efficiency)和延長光的生命期 (luminous 1 i fe-time )。可用的摻質例如是紅螢烯 (rubrene )、奎π丫唆酮衍生物（quinacridone derivatives ) 、phenoxazone 660'、二氰亞甲苯乙稀基口比喃衍生物(dicyanomethylenestyrylpyrane derivatives )、per i none、二苯駢蒽（peryiene )、香豆素衍生物 (coumarin derivati ves )、二甲胺吡哄氰 (dimethyl ami nopyrazi necar bon i tri le ) 、口比哄二氰衍生物（py raz i ned i carbon i t r i 1 e derivatives )、尼爾紅 (Nile Red)及若丹明衍生物（Rhodamine derivatives 電子傳輸層需要傳輸從陰極注入的電子，因此用於電

第12頁 526678

子傳輸層的物質係選自具有高電子遷移率和高電子親和力及優越的成形能力。可用於電子傳輸層的有機物質，例如 8-經奎啉錯合物（0Xine complexes)，比如是三（8-奎啉）銘錯合物（tris(8-duinolinolato) aluminum complex，簡稱Alq3)、二苯餅蒽衍生物（peryiene derivatives) 、per i none 衍生物、萘衍生物 (naphthalene derivatives)、香豆素衍生物 (coumarin derivatives)、二噚唑衍生物（oxadiazole derivatives)及菲啉衍生物（phenanthroline derivatives ) 〇

上述之有機層可以藉由真空蒸發方法來形成。再者，電子束蒸發法（electron beam evaporation method)、濺鍍法（sputtering method)、分子薄板法（m〇iecuiar lamination method )、使用溶劑之塗佈法（coating method )。此有機物質可與任何開環聚合物溶解或分散在溶劑中，開環聚合物為聚氯乙烯（p〇lyvinyl chloride )、聚石炭酸酯'.(polycarbonate )、聚苯乙烯 (polystyrene)、聚（N-乙稀基咔唑）

(poly (N-viny lcarbazole))、聚甲基丙烯酸甲醋 (polymethylmethacrylate )、聚丙基丙烯ϊ曼甲酉旨 (polybuty Imethacry late )、原冰片烯衍生物 (norbornene derivatives )、聚酯(polyester ) ' 聚楓（polysulfone)、聚氧化二曱苯（polyphenylene oxide) ' 聚丁二浠（polybutadiene)、碳氫樹脂

第13頁 526678 五、發明說明（11) _ (hydrocarbon resins ) 、_ 樹脂（ketone resins)、苯氧基樹脂（phenoxy resins)、聚醯胺（polyamide )、乙基纖維素（ethylcellulose)、丙烯腈-丁二浠-苯乙烯樹脂（ABS resins)、紛樹脂（phenol resins)、石夕樹脂（silicone resins)及環氧樹脂（epoxy resins )° 陰極必須是透明的，以允許光線穿透。可用於陰極的物質，例如導電金屬的氧化物、金屬、無機導電物質、導電高分子及導電高分子和銦錫氧化物的薄板，其中導電金屬的氧化物比如是氧化錫（tin oxide)、氧化銦 (indium oxide)、及銦錫氧化物（indium tin oxide ; ITO)，金屬比如是金（g〇id) 、銀（silver)、鉻 (chromium)及鋁（aluminum)，無機導電物質比如是碘化銅（copper iodide)及硫化銅（copper sulfide)，導電局分子比如是聚噻吩（polythiophene)、聚卩比嗔 (polypyrrole)、聚笨胺（polyahiline)、聚二甲苯乙烯（polyphenylenevinylene)、聚苯烯（p〇lyphenylene )、聚乙烯（polyethylene)及摻雜導電摻質的上述之高分子。銦錫氧化物玻璃或nesa玻璃是較佳的選擇。鑑於能量消耗的降低，較佳的是陽極的電阻要小。陰極需要提供電子效率給發光層。用於陰極的物質應該選擇與陰極鄰接的物質具有黏性及電離電位（i〇nize(i potent ial )。此物質亦應該在大氣中具穩定性，以長時間地維持穩定的特性和效能。然而，如果可選擇使用鈍態

第U頁 ^6678 五、發明說明（12) ，上paSsivation film)或保護膜（pr〇tecUv; fum) =樹脂（Sealing resin)，則這些物質不需的要求。可用於陰極的物質，例如细（indium)、金 gold) m (silver) ' l§ ( a 1 um i nura ) '^(lead J 鑛(magnesium )、稀土开去广 )、鹼冬屬 f U 柿土 70 素（rare earth element 驗金屬（alkali metals)、及其合金。用於形成陰極之基發遨恝％太丄n A A上俜佑险扛μ _ # '、、、知衣私所產生的輻射熱及熱應力， =陰極的厗度而改變。有機層的穩定性對輻射埶和埶庫力的改變’係與有機層的厚度有關。…‘、、、和熱應制r:ί:ί Γ厚度的增加，會增加用於形成陰極之基發 2❹。。埃，則有機層不會受到由於』= : 有機層是穩定的，可开有厚ί不小於2000埃，則應力。對抗形成陰極之療發製程所產生的熱之玄：^有機層的厚度小於2000埃'，以避免由於开鄭極之瘵發製程所產生的耘Μ為、〜取U極響，則陰極的厚度、、ϋ''/下% 1的熱擴散之影 U埃，盆中tn度，aL 士滿足下式：400埃S L S η χ 、'厂小於400埃，目有機層的厚度。如果陰極的厚度 ^ ^6χ〇Γ8ε^〇,Ω ；if ^ ^ ^ ^ ^ ^ ^ ^ ^ ^ 有機層的影變是相：在金屬沈積製程中產生的熱應力對如果大的，因而導致不正常的電流。有機層的厚度小於2000埃，則陰極的厚度' ft删第15頁 526678 、發明說明（13) 滿足下式：400埃^ 有機層的厚度，以使^ = ^ X 〇. 8埃，其ί、、n "是程：產生的輕射熱：:匕陰極之蒸發製電流。降低漏電流和短路如果有機層的 Y滿足下式：4f)n ^ ^於2000埃，則陰極的厚度 $ η X 3埃，其中滿足下式·· 4〇〇埃$ η 是有機層的厚度。如果陰極的厘疮、、τ ^ 線斷路的影響。如^ 埃’則陰極會受到内連中丫是有機層的厚* 〜L =n X 3埃，其力及於形成陰極之蒸發製程所使/:上可免於受到用熱應害，藉以降低漏電流=生的輕射熱的影響或傷例1 ·· mo 鍍的方法在透明破璃基底上沈積—層厚度為片雷= 物膜（IT0 film,)。此銦薄氧化物膜的

片電阻為1 〇歐母/埃。缺你、社— J ifn m ^ ^ ......後進仃蝕刻，使其轉為銦薄氧化物圖=、，以元成具有銦薄氧化物圖案之透明玻璃基底的準，。π洗此基底，其方法為藉由純水和丨p A和隨後的U v臭氧洗來清洗基底的表面。，在鉬基板（molybdenum board )上準備100毫克的 N，N -二苯基-n，N’ -雙（卜萘基）—（丨，〗，—雙苯基）—4,4，—二胺 . (N，N diphenyl-N，N -bis(l-naphthyl)-(l，1，-bipheny

第16頁 526678 五、發明說明（14) 1)-4,4’-diamine ;簡稱α-NPD)，做為電洞傳輸物質層。在另一鉬基板上準備100毫克的Alq3 (tr i s(8-quinol inolato) aluminum complex )，做為發光物質層。將其放置在真空蒸發系統（vacuum evaporation system)的真空反應室（vacuuin chamber) 中，以與蒸發源（evaporation source)分離。在具有〇； -NPD的鉬基板被加熱前，先將真空蒸發系統抽至2 X 1〇-4帕 (Pa )真空度。並控制溫度，使α —NPD的蒸發速度維持在 3埃/秒。因此，將系統的上部份之窗板（shutter )打開，以開始沈積α - NPD。當α -NPD膜的厚度沈積至厚度為 5 0 0埃後，將窗板關閉。在相同的方式下，加熱具有a 1 q 3 的鉬基板。並控制溫度，使Alq3的蒸發速度維持在3埃〆秒。其 Alq3 〇閉，藉隨真空室铭。將有紹的 (Pa ) 秒。其當鋁膜此，形光元件

後’將系統的上部份之窗板打開，以開始沈積當A lq3膜的厚度沈積至厚度為55〇埃後，將窗板關此形成有機層薄板。有機層的總厚度為丨丨〇〇埃。

後，將形成有有機層的基底苒度放置在蒸發系統自中。將上述的基板取出。在鎢基板上準備丨克的此基板放置在真空蒸發系統的真空反應室中。在』鎢基板被加熱前，先將真空蒸發系統抽至4 χ丨〇 4 j 真空度。並控制溫度，使鋁的蒸發速度維持在4埃後，將系統的上部份之窗板打開，以開始沈積鋁、的厚度沈積至厚度為6〇〇埃後，將窗板關閉。$因成具有ΙΤΟ/ α-NPD/AU3/A1的多層結構之有機，其中I TO膜做為陽極，而鋁膜做為陰極，且鋁'膜

526678 五、發明說明（15) 的厚度為、、L"，其滿足方程式：4〇〇埃χ 0· 8埃’其中、、η ”是a—NpD/A1(i3膜的總厚度11〇〇埃。在I TO陽極和A1陰極之間提供15V的正向偏壓，藉以產生2000微安培a )的電流。在丨το陽極和A1陰極之間提 = 1、5V的反向偏壓，藉以產生2〇〇微微安培（pA )的電流。幾乎沒有觀察到任何的漏電流。丨5 V的整流率 (rectification ratio)為1 χΐ〇7。例2 : 藉由濺鍍的方法在透明玻璃基底上沈積一層厚度為 1 0 〇〇埃的銦薄氧化物膜。此銦薄氧化物膜的片電阻為1 〇歐母/埃。然後進行蝕刻，使其轉為銦薄氧化物圖案，以完成具有銦薄氧化物圖案之透明玻璃基底的準備。清洗此基底，其方法為藉由純水和ΙΡΑ和隨後的評臭氧清洗來清洗基底的表面。在麵基板（molybdenum board )上準備1〇〇臺$的" 做為電洞傳輸物質層。在另一翻基：上準，二克的銅酞青素（copper phthal〇cyanine)，做為電洞注入物質層。在另外之鉬基板上準備1〇〇毫克的Alq3，做為毛光，貝層。將其放置在真空蒸發系統的真空反應室中，以與瘵發源分離。在具有銅酞青素的鉬基板被加熱前，先將真玉条發系統抽至2 X 1 〇-4帕（pa )真空度。並控制溫度，使銅酞青素的蒸發速度維持在3埃/秒。因此，將系統的上部份之窗板打開，以開始沈積銅酞青素。當銅酞青素膜的厚度沈積至厚度為3 〇〇埃後，將窗板關閉。在相同的

526678

方式下，加熱具有α —NPD的鉬基板。並控制溫^，使α -jPD的蒸發速度維持在3埃/秒。其後，將系統的上部份之自板打開，以開始沈積α —npd。當α —NPD膜的厚度厚度為550埃後，將窗板關帛，藉此形成有機層薄又板。在 1同的方式下’加熱具有Aiq3的銦基板。並控制溫度，使 AjQ3的蒸發速度維持在3埃/秒。其後，將系統的上部份之窗板打開，以開始沈積A1q3。當人1(13膜的厚度沈積至為700埃後’將窗板關閉，藉此形成有機層薄板。有又的總厚度為1 600埃。曰吉* ^ ί ’將形成有有機層的基底再度放置在蒸發系統的〃二室中。將上述的基板取出。在鎢基板上準備丨克的鋁。將此基板放置在真空蒸發系統的真空反應室中。在具有鋁的鎢基板被加熱前，先將真空蒸發系統抽至4 χ丨〇4 ^ (Pa )真空度。並控制溫度，使鋁的蒸發速度維持在$埃/ 秒。其後，將系統的上部份之窗板打開，以開始沈積鋁、。當鋁膜的厚度沈積至厚度為丨〇〇〇埃後，將窗板關閉。因此’形成具有ITO/銅酞青素/ a—NPD/Alq3/Al的多層結構之有機電發光元件，其中ITO膜做為陽極，而鋁膜做為吟極，且鋁膜的厚度為、、，其滿足方程式：400埃/L $ η X 0·8埃，其中、、n ”是銅酞青素/j—NpD/Alq3膜的總厚度1 6 0 0埃。 ' 在ITO陽極和A1陰極之間提供丨5v的正向偏壓，藉以產生1 800微安培（)的電流。在IT〇陽極和A1陰極之間提供15V的反向偏壓，藉以產生1〇〇微微安培（pA )的電流。

526678 五、發明說明（17) 幾乎沒有觀察到任何的漏電流。丨5 V的整流率 (rectification ratio )為1· 8 X107。例3 - 藉由激鑛的方法在透明玻璃基底上沈積一層厚度為 1 0 0 0埃的銦薄氧化物膜（丨τ 〇 f i i m )。此銦薄氧化物膜的片電阻為1 0歐母/埃。然後進行蝕刻，使其轉為銦薄氧化物圖案’以完成具有銦薄氧化物圖案之透明玻璃基底的準備。清洗此基底’其方法為藉由純水和丨P A和隨後的uv臭氧清洗來清洗基底的表面。在鉬基板上準備100毫克的a—Npd (Ν，Ν’ -diphenyl-N，Ν，-bisU-naphthyl) —(1，i，外ipheny 1)-4,4’-diamine)，做為電洞傳輸物質層。在另一鉬基板上準備100 笔克的Alq3 (tris(8-quinolinolato) aluminum complex)，做為發光物質層。將其放置在真空洛發系統的真空反應室中，以與蒸發源分離。在具有Q -NPD的鉬基板被加熱前，先將真空蒸發系統抽至2χι〇—*帕 (Pa)真空度。並控制溫度，使α—Νρ])的蒸發速度維持在 3埃/秒。此後，將系統的上部份之窗板打開，以開始沈積 α - NPD。當a-NPD膜的厚度沈積至厚度為5〇〇埃後，將窗、 |板關閉。在相同的方式下，加熱具有a1q3的鉬基板。並控制溫度，使Alq3的蒸發速度維持在3埃/秒。其後，將系二的上部份之窗板打開，以開始沈積Alq3。當Alq3膜的厚度沈積至厚度為550埃後，將窗板關閉，藉此形成有機層薄 j板。有機層的總厚度為11 〇〇埃。 526678

隨後真空室中 (Indium 中。在具 4 X 10-4 帕持在4埃/ 沈積銦。閉。因此機電發光且銦膜的 η X 0· 8 埃。。，將形成有有機層的基底再度放置在^發系統的將上述的基板取出。在鎢基板上準備丨克的銦 ^。將此基板放置在真空蒸發系統的真空反應室銦的鎢基板被加熱前，先將真空蒸發系統抽至 )真二度。並控制溫度，使銦的蒸發速度維 =。其後，將系統的上部份之窗板打開，以開始虽銦膜的厚度沈積至厚度為6〇〇埃後，將窗板關二形成具有ITO/ a -NPD/Alq3/In的多層結構之有元件，其中I TO膜做為陽極，而銦膜做為陰極，厚度為L ’其滿足方程式：400埃$ 埃，其中、、n 〃是a—NpD/Alq3膜的總厚度ιι〇〇在ιτο陽極和In陰極之間提供15V的正向偏壓，藉以產生700微安培（)的電流。在ιτο陽極和In陰極之間提供15V的反广偏壓，藉以產生3〇〇微微安培（pA)的電流。幾乎沒有觀察到任何的漏電流。15V的整流率為2. 3 X 106 〇例4 : 藉由濺鍍的方法在透明玻璃基底上沈積一層厚度 1 0 00埃的銦薄氧化物膜f ττη 、 iL . ^ # 初胰Q I τ 〇 f 1 1 m )。此銦薄氧化物膜的

片電阻為1 0歐母/埃。麸诒、隹 > 处十丨 7^ ^ ^ J 、 …、後進行餘刻，使其轉為铜薄氧化物圖案、’以完成具有銦薄氧化物圖案之透明玻璃基底的準備 α洗^基底’其方法為藉由純水和I p A和隨後的u v拿、氧清洗來清洗基底的表面。、 526678 五、發明說明（19) 在麵基板上準備100毫克的α—_ (Ν，Ν’ -diphenyl -N，N， l)-4,4，-diamine)，做為』：：*1)-0，1’，〜板上準備⑽毫克的Μ 輸物質層。在另-鋼基 C〇mplex)，做為二 8:Uin〇Un〇lat〇) 蒸發系統的真空反應室！;為置在真空 W…度。並控制溫ί將J空=系統抽至2Χ1。-4帕 3拄/壬丨、LU ^ 收/ 又使α —NPD的蒸發速度維持在 3埃/秒。此後，將系統的上部份之符在 « —NPD。當α -NPD膜的厚产沈籍幵渴始沈積板關閉。在相同的方^ 2至厚度為500埃後，將窗制溫度，使具有AU3的翻基板。並控的上；份ί=; 維持在3埃/秒。其後，將系統

ΐ 埃後，將窗板關閉，藉此形成有機層薄X 板有機層的總厚度為1 1 〇〇埃。直* ί ：形成有有機層的基底苒度放置在蒸發系統的 :中：，上述的基板取出。在鶴基板上準備】克的銘的 )亚—鎢基板上準備1克的鋰（lithium;Li 紹的鎢真空蒸發系統的真空反應室中。在具有，基板被加熱前，先將真空蒸發系統抽至4xl0_4帕和、真二度。並控制溫度，使鋁的蒸發速度維持在4埃/ 維持ίίι具有鐘的鶴基板，並控制溫度，使裡的蒸發速度始沈籍4、秒、。，其後，將系統的上部份之窗板打開，以開彳、名鋰。當鋁鋰膜的厚度沈積至厚度為6 〇〇埃後，將

IM 第22頁 526678 五、發明說明（20) 囪板關閉。因此，形成具有ΙΤ0/ α_NPD/Alq3/A1Li的多層結構之有機電發光元件，其中IT0膜做為陽極，而鋁鋰膜做為陰極，且鋁鋰膜的厚度為 '，，，其滿足方程式：4〇〇埃 SL χο.8 埃，其中、、是 α _NpD/Alq3 膜的總厚度1 1 Q Q埃。在ITO陽極和AlLi陰極之間提供15v的正向偏壓，藉以產生2000微安培（#a)的電流。在ιτο陽極和AlLi陰極之間提供15V的反向偏壓，藉以產生6〇微微安培（pA )的電流。幾乎沒有觀察到任何的漏電流。15V的整流率為3 3 X 107。 ’ 例5 ·· 藉由濺鍍的方法在透明玻璃基底上沈積一層厚度為 1 〇 0 0埃的銦薄氧化物膜（I τ 〇 f i 1 m )。此銦薄氧化物膜的片電阻為1 0歐母/埃。然後進行餘刻，使其轉為銦薄氧化物圖案’以完成具有銦薄氧化物圖案之透明玻璃基底的準備。清洗此基底’其方法為藉由純永和IPA和隨後的臭氧清洗來清洗基底的表面。 '

在鉬基板上準備100毫克的a—NPD (N，N，-diphenyl-N，N，-bisU-naphthyl )-(1，1，-bipheny 1)-4, 4’ -diamine )，做為電洞傳輸物質層。在另一鉬基板上準備100 宅克的Alq3 (tris(8-quinolinolato) aluminum complex)，做為發光物質層。將其放置在真空蒸發系統的真空反應室中，以與蒸發源分離。在具有α -NPD的鋼基板被加熱前，先將真空蒸發系統抽至2 X 1〇Μ帕

第23頁 526678

五、發明說明（21) (Pa)真空度。並控制溫度，使a_NPD的蒸發^度 3埃/秒。此後，將系統的上部份之窗板打開， α -NPD。當α -NPD膜的厚度沈積至厚度為5〇〇埃後，將窗、板關閉。在相同的方式下，加熱具有Μ(ι3的鉬基板。'並制溫度，使A lq3的蒸發速度維持在3埃/秒。其後，將系= 的上部份之窗板打開，以開始沈積Alq3。當^⑽膜的厚产沈積至厚度為550埃後，將窗板關閉，藉此形成有機層板。有機層的總厚度為11 〇〇埃。 s < 隨後，將形成有有機層的基底再度放置在蒸發系統空室中。將上述的基板取出。在鎢基板上準備丨克的鎂 (nrngnesium ;Mg)，並在另一鎢基板上準備1克的銀、 jSUver ; Ag),。將基板放置在真空蒸發系統的真空反應 ί/ : 具有鎂的鎢基板被加熱冑，先將真空蒸發系統：维持HiPa: ΐ空度。並控制溫度，使鎮的蒸發速度、准持在Υ埃/秒。加熱具有銀的鎢基板，並控制溫度，的蒸發速度維持在4埃/秒。其後，’將系統的上部份之窗板開始沈積鎮銀。#鎮銀膜的厚度沈積至厚度為〇〇埃後，將窗板關閉。因此，形成具有ΙΤ〇/ α -NPD/Al^/MgAg的多層結構之有機電發光元件，其中ιτ〇巧做,為陽極’而鎮銀膜做為陰極’且鎮銀膜的厚度為复由、、’ 足方程式：400埃$ L $ η X 埃，八 η 疋α — NPD/Alq3膜的總厚度11 〇〇埃。產生極和;*gAg陰極之間提供15V的正向偏壓，藉以 1 000微女培（WA)的電流。在IT〇陽極和MgAg陰極之 526678 五、發明說明（22) ' "' 間提供15V的反向偏壓，藉以產生1〇〇微微安培ΥρΑ)的電流。幾乎沒有觀察到任何的漏電流。丨5V的整流率 107。 · 例6 ：藉由濺鍍的方法在透明玻璃基底上沈積一層厚度為 1〇〇〇埃的銦薄氧化物膜（IT〇 film)。此銦薄氧化物膜的片電阻為1 0歐母/埃。然後進行蝕刻，使其轉為銦薄氧化物圖案，以完成具有銦薄氧化物圖案之透明玻璃基底的準，。清洗此基底，其方法為藉由純水和IPA和隨後的uv臭氧清洗來清洗基底的表面。、

在翻基板上準備1〇〇毫克的a—NPD (N,N^diphenyl-N,N^bis(l-naphthy 1)^(1, Γ -bipheny 1)一4, 4’ 一diamine )，做為電洞傳輸物質層。在另一鉬基板上準備100 毫克的Alq3 (tris(8 —quin〇lin〇lat〇) a—lumUum complex)，做為發光物質層。將其放置在真空条發系統的真空反應室中，以與蒸杳源分離。在具有“ 一NPD的鉬基板被加熱前，先將真空蒸發系統抽至2χι〇Μ帕 (Pa )真空度。並控制溫度，使α —NpD的蒸發速度維持在埃/秒。此後，將系統的上部份之窗板打開，以開始沈積 a NPD。當a-NPD膜的厚度沈積至厚度為8〇〇埃後，將窗板關閉。在相同的方式下，加熱具有a1q3的紹基板。並控制溫度，使Alq3的蒸發速度維持在3埃/秒。其後，將系統的上部份之窗板打開，以開始沈積A1q3。當Ha膜的厚度沈積至厚度為_0埃後，將窗板關閉，藉此形成有機層薄

526678

板。有機層的總厚度為1 800埃。隨後，將形成有有機層的基底再度放置在蒸發系統的真空室中。將上述的基板取出。在鎢基板上準備丨克的鋁。將此基板放置在真空蒸發系統的真空反應室中。在具有鋁的鎢基板被加熱前，先將真空蒸發系統抽至4 X丨〇 —帕 (Pa )真二度。並控制溫度，使鋁的蒸發速度維持在4埃/ 秒。其後，將系統的上部份之窗板打開，卩開始沈積鋁。當鋁膜的厚度沈積至厚度為13〇〇埃後，將窗板關閉。因此，形成具有多層結構之有機電發光元件中ITO膜做為陽極，而鋁膜做為陰極，且鋁膜的厚度為，其滿足方程式：4〇()埃χ 0.8埃其中η是a-NPD/Alq3膜的總厚度1800埃。在ITO陽極和A1陰極之間提供15v的正向偏壓，藉以產生200微安培（"A)的電流。在IT〇陽極和A1陰極之間提供15V的反向偏壓，藉以產生6〇微微安培（pA)的電流。幾乎沒有觀察到任何的漏電流。丨5V的整流率為3 3 χ 1 06。例7 : 藉由濺鍍的方法在透明玻璃基底上沈積一層厚度為 1〇〇〇埃的銦薄氧化物膜（IT0 film)。此銦薄氧化物片電阻為10歐母/埃。然後進行㈣，使其轉為銦薄氧化' 物圖=、，以完成具有銦薄氧化物圖案之透明玻璃基底的準備。清洗此基底，、其方法為藉由純水和IpA和隨後的uv氣氧清洗來清洗基底的表面。六 526678

五、發明說明（24) 在鉬基板上準備100毫克的α—Νρρ (Ν，Ν’ -diphenyl-N，Ν’ -bis(l-naphthyl)-(1，1，-bipheny 1) 4,4 -diamine)，做為電洞傳輸物質層。在另一錮基板上準備 100 毫克的Alq3 (tris(8-quinolinolato)

aluminum complex)，做為發光物質層。將其放置在真空療發系統的真空反應室中，以與蒸發源分離。在具有α -NPD的鉬基板被加熱前，先將真空蒸發系統抽至2 χι〇_4帕 (Pa )真空度。並控制溫度，使α —NpD的蒸發速度維持在 3埃/秒。此後，將系統的上部份之窗板打開，以開始沈積 α - NPD。當a-NPD膜的厚度沈積至厚度為8〇〇埃後，將窗，關閉。在相同的方式下，加熱具有a1q3的鉬基板。並控制溫度，使Alq3的蒸發速度維持在3埃/秒。其後，將系統的上部份之窗板打開，以開始沈積A1(l3。當““膜的厚度沈積至厚度為1 000埃後，將窗板關閉，藉此形成有機層薄板。有機層的總厚度為1 8 〇〇埃。 =，將形成有有機層的基底再度放置在蒸發系統^ ΤΛ至將上述的基板取出。在鎢基板上準備1克的銦 jlndluin)。將此基板放置在真空蒸發系統的真空反應丨

4 X; ηΐ ί有銦的鎢基板被加熱前’ &將真空蒸發系統抽」 Pa )真空度。並控制溫度，使銦的蒸發速度〗十積銦、：。其後，將系統的上部份之窗板打開，以開^ 此，形成具有1多層结構之; 機“光元件，其中IT0膜做為陽極，而銦膜做為陰^，

第27頁 526678 發明說明（25) 且銦膜的厚度為、、L "，其滿足方程式：400埃S L $ η X 0.8埃，其中、、是a—NpD/Alq3膜的總厚度18〇〇埃。在I TO陽極和In陰極之間提供i 5V的正向偏壓，藉以產生1 0 0微安培（// A )的電流。在I TO陽極和I η陰極之間提供15V的反向偏壓，藉以產生2〇〇微微安培（ρα )的電流。幾乎沒有觀察到任何的漏電流。1 5 V的整流率為2. 〇 X 106 〇例8 ·· 藉由濺鍍的方法在透明玻璃基底上沈積一層厚度為 1 00 0埃的銦薄氧化物膜（IT0 film)。此銦薄氧化物膜的片電阻為1 0歐母/埃。然後進行蝕刻，使其轉為銦薄氧化物圖案，以完成具有銦薄氧化物圖案之透明玻璃基底的準備。清洗此基底，其方法為藉由純水和IPA和隨後的”臭氧清洗來清洗基底的表面。在鉬基板上準備1〇〇毫克的α —NPJ) (Ν,Ν' -diphenyl-Ν,Ν* ~bis(1-naphthy1)-(1, Γ -bipheny l)-4’4’-diamine)，做為電洞傳輸物質層。在另一鉬基板上準備 100 毫克的Alq3 (tris(8-quin〇linolato) 土 aluminum compiex)，做為發光物質層。將其放置在直* 蒸發系統的真空反應室中，以與蒸發源分離。在具有:二 -pPD的鉬基板被加熱前，先將真空蒸發系統抽至2 χ〗〇 * )真空度。亚控制溫度，使α _Νρ])的蒸發速度維持 3矣/秒。此後’將系統的上部份之窗板打開，以開始沈積 526678 五、發明說明（26) α-NPD。當a—NPD膜的厚度沈積至厚度為8〇()埃^ 板關閉。在相同的方式下，加熱具有Alqw鉬基板 =2=蒸發速度維持在3埃/秒。其後，將“ 的上。卩伤之®板打開，以開始沈積Alq3。當几1(13臈 :尤積至厚度埃後’將窗板關閉，藉此形成有機。板。有機層的總厚度為1 8 〇〇埃。曰/ ’將形成有有機層的基底再度放置在蒸發系統的 =中。將上述的基板取出。在鶴基板上準備】克的鋁 CA1)，並在另一鎢基板上準備！克的鋰。將基板放置在真空蒸發系統的真空反應室中。在且，的鎢基板被加熱前，先將真空蒸發系統抽至4 χ i 〇 4 : Pa)真空度。並控制溫度，使鋁的蒸發速度維持在4埃/ 二= 具有鋰的鎢基板，並控制溫度，使鋰的蒸發速度 2在2埃/秒。，其後，將系統的上部份之窗板打開，以開二/積鋁鋰。當鋁鋰膜的厚度沈積至厚度為13〇〇關閉。因此’形成具有IT〇/a:NpD/Alq3/Alu的多；二f之有機電發光元件，其中IT〇膜做為陽極，而紹鐘膜曰 :文為陰極，且鋁鋰膜的厚度為其滿〇 :二二n : U埃’…〃是的 BB ^ , ΓΛΤ )的電，爪。在I TO 1¼極和A1 L i陰極之 '、 V的反向偏壓，藉以產生60微微安培（pA )的電机。幾乎沒有觀察到任何的漏電流。1 5 V的整流率為1 · 7 x

第29頁 526678

五、發明說明（27) 107。例9 : 藉由錢鍍的方法在透明玻璃基底上沈積一層厚度為 1 000埃的銦薄氧化物膜（IT0 film)。此銦薄氧化物膜的片電阻為1 0歐母/埃。然後進行蝕刻，使其轉為銦薄氧化物圖案，以完成具有銦薄氧化物圖案之透明玻璃基底的準備。清洗此基底，其方法為藉由純水和〗PA和隨後的ϋν臭氧清洗來清洗基底的表面。 '

在銦基板上準備100毫克的a -NPD n^Phenyl N’ N，_bis(1_naphthyi)_(i，r _biph 1)-4,4 -dmonne)，做為電洞傳輸物質層。在另一翻基板上準備100 宅克的Alq3 (tris(8_quin〇Hn〇lat〇) c〇叩1ex)，做為發光物質層。將其放置在直空 =糸統的真空反應室中’以與蒸發源分離。在具有：基板被加熱前，先將真空蒸發系統抽至2川_4帕 3埃;种、5 。：控制溫度“ 的蒸發速度維持在二的上部份之窗板打開，以開始沈積 =關μ。當α_ΝΡΙ^的厚度沈積至厚度為1 000埃後，將窗板關閉。在相同的方式下，丄也 1欠时自 ^ 加熱具有A1 q 3的鉬基板。並控 ’使AU3的蒸發速度維持在3埃/秒。其後，將ίΪ 沈積至厚度為2_埃後，J=Ap q3：：當Alq3膜的厚度板。有機層的總厚度為300^板關閉’精此形成有機層薄炚後將形成有有機層的基底再度放置在蒸發系統的

第30頁 526678

真空室中。將上述的基板取出。在鎢基板上準^1克的鋁。將此基板放置在真空蒸發系統的真空反應室中。在具有鋁的鎢基板被加熱前，先將真空蒸發系統抽至4 χ丨〇 4 /帕 (Pa )真空度。並控制溫度，使鋁的蒸發速度維持在4埃/ 秒。其後，將系統的上部份之窗板打開，以開始沈積鋁。當銘膜的厚度沈積至厚度為5000埃後，將窗板關閉。'因此，形成具有ITO/ a-NPD/AlQ3/Al的多層結構之有機電發光元件’其中IT 0膜做為陽極，而紹膜做為陰極，且銘膜的厚度為、、L’/ ，其滿足方程式：400埃^ L $ η X 3 埃，其中、、η”是a-NPD/Alq3膜的總厚度3000埃。

在ITO陽極和A1陰極之間提供1 5V的正向偏壓，藉以產生10微安培（//A )的電流。在I TO陽極和Ai陰極之間提供 15V的反向偏壓，藉以產生60微微安培（pA )的電流。幾乎沒有觀察到任何的漏電流。1 5 V的整流率為1. 7 X 1 〇5。例10 : 藉由濺鍍的方法在透明玻璃基'底上沈積一層厚度為 1〇〇〇埃的銦薄氧化物膜（ITO film)。此銦薄氧化物膜的片電阻為1 0歐母/埃。然後進行蝕刻，使其轉為銦薄氧化物圖案’以完成具有銦薄氧化物圖案之透明玻璃基底的準備。清洗此基底，其方法為藉由純水和IP A和隨後的UV臭氧清洗來清洗基底的表面。

在鉬基板上準備100毫克的a - NPD (Ν，Ν’ -dipheny卜N，N，-bis(l-naphthyl)-(l，1，-bipheny 1)-4, 4’ -diamine ) ’做為電洞傳輸物質層。在另一鉬基

第31頁 526678 五、發明說明（29) 板上準備100 毫克的Alq3 (tris(8_quin〇lin〇la切） a—luminum complex)，做為發光物質層。將其放置在真空瘵發系統的真空反應室中，以與蒸發源分離。在具有“ -npd的鉬基板被加熱前，先將真空蒸發系統抽至2χι〇 4 (Pa )真空度。並控制溫度’使α _NPD的蒸發速度 3埃/秒。此後，將系統的上部份之窗板打開，u開始沈 α-NPD。當a-NPD膜的厚度沈積至厚度為1〇〇〇埃後將^ 板關閉。在相同的方式下，加熱具有川3的鉬基板。並控制溫度，使Alq3的蒸發速度維持在3埃/秒。其後，將^ :士：：之窗板打開，以開始沈積Alq3。當AU3膜的厚度 :尤積J厚度為2〇〇〇埃後，將窗板關閉，藉此形成有機層薄板。有機層的總厚度為3〇〇〇埃。 2，將形成有有機層的基底再度放置在蒸發系統的，工至中。將上述的基板取出。在僞基板上準備i克的銦 η 1 um )。將此基板放置在真空蒸發系統的 4二1 姻的鶴基板被加熱前，,先將真空蒸發系… 持在4埃/ & #真空度。亚控制溫度，使銦的蒸發速度維沈積铜、二。/、後，將系統的上部份之窗板打開，以開始 :積：:當銦膜的厚度沈積至厚度為5〇〇〇埃後，將窗板關機電Ϊ1::成具有IT0/a-NPD/Alq3/In的多層結構之有且銦膜膜做為陽極’而銦膜做為陰極， η X 3埃t 〃，θ其滿足方程式：400埃$ L $ 埃。其中' η是a-NPD/Alq3膜的總厚度3〇〇〇 526678

在ιτο陽極和In陰極之間提供】5V的正向偏壓，藉以產生1微安培（)的電流。在IT0陽極和In陰極之間提供 15V的反向偏壓，藉以產生1〇微微安培（pA )的電流。幾乎沒有觀察到任何的漏電流。；I 5 V的整流率為〗· 〇 X 1 〇5。例11 ·· 藉由賤鑛的方法在透明玻璃基底上沈積一層厚度為 1 000埃的銦薄氧化物膜（ΙΤ0 Π1ιη )。此銦薄氧化物膜的片電阻為1 0歐母/埃。然後進行蝕刻，使其轉為銦薄氧化物圖案，以完成具有銦薄氧化物圖案之透明玻璃基底的準備。清洗此基底’其方法為藉由純水和丨PA和隨後的uV臭氧清洗來清洗基底的表面。、在翻基板上準備1〇〇毫克的Νρρ (N，N，-dipheny 卜N，N，-bis(卜 naphthyl) — (1，！，—bipheny 1)-4, 4’ -diamine )，做為電洞傳輸物質層。在另一鉬基板上準備1〇〇毫克的Alq3 (tris(8-quinolinolato) aJLumijiUm compiex)，做為發光物'質層。將其放置在真空瘵發系統的真空反應室中，以與蒸發源分離。在具有α 一npd的鉬基板被加熱前，先將真空蒸發系統抽至2χι〇_4帕 (Pa )真空度。並控制溫度，使a—NpD的蒸發速度維持在埃/秒。此後，將系統的上部份之窗板打帛，以開始 α-NPD。當α-NPD膜的厚度沈積至厚度為1〇〇〇埃後，宵 J關閉。在相同的方式下，加熱具有叫3的鉬基板。並制溫度，使Alq3的蒸發速度維持在3埃/秒。其後，二的上部份之窗板打開，以開始沈積Alq3。當叫3膜的厚度

526678 五、發明說明（31) 沈積至厚度為2000埃後，將窗板關閉， ^ 板。有機層的總厚度為3 〇〇〇埃。曰 ^ ^ 直空miu機Γ基底再度放置在蒸發系統的心並備;？基板上準備1克㈣ 4備1克的鋰（lithilLi )。將基板放置在真空蒸發系統的真空反應室中。在紹的鶴基板被加熱前，先將真空蒸發系統抽至4 x 104帕

Pa)真空度。並控制溫度，使銘的蒸發速度 ί二埃:基板，並控制溫度，使裡的蒸發速度 ΚΪΛ二後’將系統的上部份之窗板打開，以開積鋁鋰。當鋁鋰膜的厚度沈積至厚度為5000埃後，將關閉。因此，形成具有IT0/a_NPD/Alq3/A1Li的多層 P構之有機電發光元件，其中IT0膜做為陽極，而鋁鋰膜做為陰極，且鋁鋰膜的厚度為，其滿足方程式 =丄；…埃’其中、'是…Alq3膜的總

在ITO陽極和AiLi陰極之間提供15V的正向偏壓，藉以產^ 500微安培（)的電流。在IT〇陽極和A1Li陰極曰之 =提供1 5V的反向偏壓，藉以產生45微微安培（pA )的電。幾乎沒有觀察到任何的漏電流。丨5 v的整流率為丨·工X 藉由錢鑛的方法在透明玻璃基底上沈積一層厚度為 WOO埃的銦薄氧化物膜（IT〇 film)。此銦薄氧化二膜的 1 第34頁 526678 五、發明說明（32) 片電阻為1 0歐母/埃。然後進行蝕刻，使其轉為銦薄氧化物圖案’以完成具有銦薄氧化物圖案之透明玻璃美備。清洗此基底，其方法為藉由純水和==的臭丰氧清洗來清洗基底的表面。 -三（N-(3-苯甲基）在麵基板上準備毫克的4_4’ -4 -N-苯胺） (4-4’-4”-tris(N-(3-methylphenyl)-N—phenylamin〇; 簡稱MTDATA)，做為電洞傳輸物質層。在另一鉬基板上準備100毫克的2-（鄰-羥苯基）苯甲基唑辞錯合物土 (2-（〇-hydr〇Xyphenyl)benzoxazole zinc c〇mpUx ;簡稱Zn(〇XZ)2)，做為發光物質層。將其放置在真空蒸發系統的真空反應室中，以與蒸發源分離。在具有mtdata ^鉬基板被加熱W，先將真空蒸發系統抽至2 χ丨〇_4帕（pa )真空度。並控制溫度，使MTDATA的蒸發速度維持在3埃/秒。此後將系統的上部份之窗板打開，以開始沈積MTDATA。當MTDATA膜的厚度沈積至厚度為5()0埃後，將窗板關閉。在相同的方式下，加熱具有Ζη(〇χζ)2的鉬基板。並控制溫度，使Ζη(οχζ)2的蒸發速度維持在3埃/秒。其後，將系統的上部伤之_板打開，以開始沈積Ζη(〇χζ)2。 =厚度沈積至厚度為550埃後，將窗板關閉，藉此形成有機層薄板。有機層的總厚度為11〇〇埃。吉* ί ί ’將形成有有機層的基底再度放置在蒸發系統的 7 f 。將上述的基板取出。在鎢基板上準備1克的鋁 (A1)。將基板放置在真空蒸發系統的真空反應室中。在

526678 五、發明說明（33) 一具有鋁的鎢基板被加熱前，先將真空蒸發系統抽至4 χ i 〇 & 帕（Pa )真空度。並控制溫度，使鋁的蒸發速度維持在4 埃/秒。其後，將系統的上部份之窗板打開，以開始沈積鋁。當鋁膜的厚度沈積至厚度為60 0埃後，將窗板關閉。、因此，形成具有IT0/MTDATA/Zn(〇xz)2/A1的多層結構之有機電發光元件，其中IT0膜做為陽極，而鋁膜做為陰極，且鋁膜的厚度為、、L "，其滿足方程式·· 4⑽埃^g η X 〇· 8埃，其中η 〃是MTDATA/Zn(oxz)2膜的總厚度 1100 埃。

在ITO陽極和A1陰極之間提供15v的正向偏壓，藉以產生650微安培（“A )的電流。在IT〇陽極和M陰極之間提供15V的反向偏壓，藉以產生22〇微微安培（pA)的電流。幾乎沒有觀察到任何的漏電流。1 5 V的整流率為3 〇 X 107。例13 : 藉由錢鍍的方法在透明玻璃基点上沈積一層厚度為 1 00 0埃的銦薄氧化物膜（IT0 film)。此銦薄氧化物膜的片電阻為1 0歐母/埃。然後進行蝕刻，使其轉為銦薄氧化物圖案’以完成具有銦薄氧化物圖案之透明玻璃基底的準備。清洗此基底’其方法為藉由純水和I p A和隨後的u v臭氧清洗來清洗基底的表面。在銦基板上準備1〇〇毫克的N，N，—二苯基_N，N，—雙（3一笨基）-1，Γ-雙苯基-雙苯基—4,4,—二胺 (N，N -diphenyl-N，Ν’ -bis(3-phenyl)-1，1，-biphenyl

第36頁 526678 五、發明說明（34) w 一

ipheny卜4,4’_diamine ;簡稱TPD)，做為電洞傳輸物質層。在另一鉬基板上準備1〇〇毫克的2一（鄰-羥苯基）苯甲基〇坐鋅錯合物（2-(〇-hydroxyphenyl)benzoxazole zinc complex ;簡稱Zn(oxz)2 )，做為發光物質層。將其放置在真空蒸發系統的真空反應室中，以與蒸發源分離。在具有MTDΑΤΑ的錮基板被加熱前，先將真空蒸發系統抽至2 X 1 〇_4帕（Pa )真空度。並控制溫度一使TPD的蒸發速度維持在3埃/秒。此後，將系統的上部份之窗板打開，以開始沈積TPD。當TPD膜的厚度沈積至厚度為5〇〇埃後，將窗板關閉。在相同的方式下，加熱具有211(〇以）2的鉬基板。並控制溫度，使Zn(〇XZ)2的蒸發速度維持在3埃/秒。其後，^ 系統的上部份之窗板打開，以開始沈積Ζη(〇χζ)2。當 ^(〇ΧΖ)2膜的厚度沈積至厚度為55〇埃後，將窗板關閉，错此形成有機層薄板。有機層的總厚度為11〇〇埃。 ^形成有有機層的基底再度放置在蒸發系心將：Γί的基板取出。在氣基板上準傷1克的銘

i丄二空蒸發系統的真空反應室*。在具有鋁的鎢基板被加熱前，先將直★〜至Y 在帕Γ Pd吉*命^ 元將異工療發糸統抽至4 XI (H 八工又。並控制溫度，使銘的蒸發速声維技户d 埃/秒。其後，將系統的上部、 X、、隹持在4 ^ t 仍&齒板打開，以開妒冰德 :。當銘膜的厚度沈積至厚度為60 0埃積因此，形成具有IT0/TPD/Zn(〇xz)2/Ai展自板關閉。電發光元件，立中丨το膜傲AI 的夕層結構之有機丨卞乂、甲11 υ膜做為陽極，而鋁膜傲盔从上銘膜的厚度為、、L 〃，其滿足方程式：4〇〇、為陰極，且 ^ ^ L ^ n

第37頁 526678 五、發明說明（35) ------〜 X 0.8埃，其中、、是τρΐ)/Ζη(〇χζ)2膜的總厚度“⑽ 埃。在ιτο陽極和A1陰極之間提供15V的正向偏壓，藉以產生60 0微安培（)的電流。在IT〇陽極和M陰極之間提 = 15V的反向偏壓，藉以產生18〇微微安培（pA )的電流。

幾乎沒有觀察到任何的漏電流。丨5 V的整流率為3 3 X 107 〇例14 ·· 藉由錢鍍的方法在透明玻璃基底上沈積一層厚度為 1 000埃的銦薄氧化物膜（IT〇 film)。此銦薄氧化物膜的片電阻為1 0歐母/埃。然後進行蝕刻，使其轉為銦薄氧化物圖案’以完成具有銦薄氧化物圖案之透明玻璃基底的準備。清洗此基底’其方法為藉由純水和丨p A和隨後的臭氧清洗來清洗基底的表面。在鉬基板上準備100毫克的4-4, -4，，-三（N-(3 -苯甲基） - N-苯胺）， (4-4 -4 -tris(N-(3-methylphenyl) -N-phenylamino ; MTDΑΤΑ) ’做為電洞傳輸物質層。在另一鉬基板上準備丨〇〇宅克的銅It青素（copper phthalocyanine)，做為電洞注入物質層。在另外之鉬基板上準備1〇〇毫克的2_(鄰一羥苯基）苯甲基唑鋅錯合物 (2-(o-hydroxypheny1)benzoxazo 1 e zinc complex ； Zn(〇xz)2)，做為發光物質層。將其放置在真空蒸發系統的真空反應室中，以與蒸發源分離。在具有銅酞青素的鉬

第38頁 526678

基板被加熱前，先將真空蒸發系統抽至2 χ1〇Μ g (pa )真空度。並控制溫度，使銅酞青素的蒸發速度維持在3埃/ 秒。因此，將系統的上部份之窗板打開，α開始沈積銅酞月素。當銅酞青素膜的厚度沈積至厚度為3〇()埃後，將窗板關閉。在相同的方式下，加熱具有MTDATA的鉬基板。並，制溫度，使MTDATA的蒸發速度維持在3埃/秒。此後，將系統的上部份之窗板打開，以開始沈積MTDATA。當膜的厚度沈積至厚度為5 50埃後’將窗板關閉。在相同的方式下加熱具有Zn(oxz)2的基板。並控制溫度，使 Zn(〇XZ)2的蒸發速度維持在3埃/秒。其後，將系統的上部伤之自板打開，以開始沈積Ζη(〇χζ)2。當以㈧以“膜的厚 f沈積至厚度為700埃後，冑窗板關閉，藉此形成有機層缚板。有機層的總厚度為1 6 〇〇埃。吉# j後，將形成有有機層的基底再度放置在蒸發系統的真二室中。將上述的基板取出。在鎢基板上準備丨克的鋁 1 。將基板放置在真空蒸發系、统的真空反應室中。在，有鋁的鎢基板被加熱前，先將真空蒸發系統抽至4x10_4 j ( Pa )真空度。並控制溫度，使鋁的蒸發速度維持在4 、移。其後，將系統的上部份之窗板打開，以開始沈積、=。當鋁膜的厚度沈積至厚度為1〇〇〇埃後，將窗板關閉、。因此’形成具有ITO/copper 的多層結構之有機 :t光元件，其中I TO膜做為陽極，而鋁膜做為陰極，且、呂膜的厚度為、、L” ，其滿足方程式·· 4〇〇埃‘ L ^

第39頁 526678

phthal〇Cya^ine/MTDATA/Zn(oxz)2 膜的總厚度 16〇〇埃。在I TO陽極和A1陰極之間提供丨5V的正向偏壓，藉以生800微安培（)的電流。在IT〇陽極和M陰極之9間提供15V的反向偏壓，藉以產生13〇微微安培（pA)的電流。幾乎沒有觀察到任何的漏電流。15V的整流率為62χ l 106 〇 · 例15 : 上沈積一層厚度為。此銦薄氧化物膜的使其轉為銦薄氧化之透明玻璃基底的準和IPA和隨後的UV臭藉由賤鍍的方法在透明玻璃基底 1000埃的銦薄氧化物膜（ITO fiim) 片電阻為1 0歐母/埃。然後進行餘刻，物圖案，以完成具有銦薄氧化物圖案備。清洗此基底，其方法為藉由純水氧清洗來清洗基底的表面。苯基-N，Ν’ -雙（3 在鉬基板上準備100毫克的苯基）-1，Γ -雙苯基-雙苯基—4,4，\二胺 (N,N-diphenyl-N,N-bis(3-pheny1)_1,r_biphenyl_b 1=61^卜4,4’-〇141^1^;抒1))，做為電洞傳輸物質層。在另一鉬基板上準備1〇〇毫克的銅酞青素（c〇pper

Phthal0cyanine)，做為電洞注入物質層。在另外之钥基板上準備100毫克的2_(鄰-經苯基）笨甲基吐鋅錯合物 (2-(〇-hydroxyphenyl)ben2〇xaz〇le zinc complex ；

Zn(〇XZ)2)，做為發光物質層。將其放置在直空基發系統的真空反應室中，以與蒸發源分離。纟具有銅酞青素的_

526678 五、發明說明（38) 基板被加熱前，先將真空蒸發系統抽至2χ1〇_/帕（h)真空度。並控制溫度，使鋼酞青素的蒸發速度維持在3埃/ :、去因二：系統的上部份之窗板打開，以開始沈積銅酞月素。^銅酞青素膜的厚度沈積至厚度為3〇()埃後，將窗板關閉。在相同的方式下，加熱具有MTDATA的鋼基板。並控制溫度，使MTDATA的蒸發速度維持在3埃/秒。此後，將系統的上部份之窗板打開，以開始沈積mtdata。當[MM 膜的厚度沈積至厚度為550埃後，將窗板關閉。在相同的方式下加熱具有^η(οχζ)2的鉬基板。並控制溫度，使 Ζ = (οχζ)2的瘵發速度維持在3埃/秒。其後，將系統的上部份之窗板打開，以開始沈積Ζη(〇χζ)2。#Ζη(〇χζ)2膜的厚度沈積至厚度為700埃後，將窗板關閉，藉此形成有機層薄板。有機層的總厚度為1 6 〇〇埃。隨後’將形成有有機層的基底再度放置在蒸發系統的真空室中。將上述的基板取出。在鎢基板上準備丨克的鋁 (A1)。將基板放置在真空蒸發系統的真空反應室中。在具有鋁的鎢基板被加熱前，先將真空蒸發系統抽至4 X丨〇一4 帕（Pa )真空度。並控制溫度，使鋁的蒸發速度維持在4 矣/秘,。其後，將系統的上部份之窗板打開，以開始沈積紹。當紹膜的厚度沈積至厚度為1 〇〇〇埃後，將窗板關閉。因此，形成具有ITO/銅酞青素/TPD/Zn(oxz)2/Al的多層結構之有機電發光元件，其中ITO膜做為陽極，而鋁膜做為陰極，且鋁膜的厚度為、、L，其滿足方程式：400埃‘ L $ η X 〇·8 埃，其中、'η"是銅酞青素/TPD/Zn(〇xz)2

526678 五、發明說明（39) ~ 膜的總厚度1 600埃。 < 在1=陽極和A1陰極之間提供15V的正向偏壓，藉以產生400微安培（v A )的電流。在IT〇陽極和A1陰極之間提供15V的反向偏壓，藉以產生90微微安培（pA )的電流。

幾乎沒有觀察到任何的漏電流。15V的整流率為4. 4 X 106 〇例1 6 : 藉由賤鍍的方法在透明玻璃基底上沈積一層厚度為 1 00 0埃的銦薄氧化物膜（IT0 film)。此銦薄氧化物膜的片電阻為1 0歐母/埃。然後進行蝕刻，使其轉為銦薄氧化物圖案’以完成具有銦薄氧化物圖案之透明玻璃基底的準備。清洗此基底’其方法為藉由純水和I p A和隨後的臭氧清洗來清洗基底的表面。在鉬基板上準備100毫克的4-4, -4’，-三（N-(3-苯甲基） - N-苯胺） 1 (4-4J -4,! ~tris(N-(3-methylphenyl)-N-phenylamino ； MTDATA)，做為電洞傳輸物質層。在另一鉬基板上準備1〇〇毫克的2-(鄰-經苯基）苯甲基。坐辞錯合物 (2-(o-hydroxyphenyl)benzoxazole zinc complex ；

Zn(oxz)2 )，做為發光物質層。將其放置在真空蒸發系統的真空反應室中，以與蒸發源分離。在具有訂DATA的鉬基板被加熱前，先將真空蒸發系統抽至2 X 1 〇_4帕（pa )真空度。並控制溫度，、使MTDATA的蒸發速度維持在3埃/秒。此後，將系統的上部份之窗板打開，以開始沈積MTDATA。當

526678 五、發明說明（40) 厚度沈積至厚度為500埃後，將窗板關閉。在 =同的方式下，加熱具有Zn(oxz)2的鉬基 jM，Zn(0 = 窗板打開’以開始沈積“(㈣)2。當Zn(〇XZ)2 尤積至厚度為550埃後，將窗板關閉，藉此形成有機層溥板。有機層的總厚度為丨丨〇〇埃。，將形成有有機層的基底再度放置在蒸發系統的工至中。將上述的基板取出。在鎢基板上準備工克的銦乂ndlum;In)。將基板放置在真空蒸發系統的真空反應 L】η 4具有銦的鶴基板被加熱前，先將真空蒸發系統抽 = 4X10-帕（Pa)冑空度。並控制溫度，使銦的蒸發速度仏、、在4 %/秒。其後，將系統的上部份之窗板打開，以開始沈積銦。當銦膜的厚度沈積至厚度為6〇〇埃後，將窗板關閉。因此，形成具有ΙΤ0/ΜΤΜΤΑ/Ζη(〇χζ)2/Ιη的多層結構之有機電發光元件，其中IT〇膜做為陽極，陰極，且紹膜的厚度為、、L,,，其滿'足方程式：4〇〇埃^ L $ η X 0. 8 埃，其中、'，是MTDATA/Zn(〇xz)2 膜厚度11 0 0埃。在ITO陽極和A1陰極之間提供15V的正向偏壓，藉以產生20微安培（# A )的電流。在ITO陽極和A1陰極之間提供 15V#的反向偏壓，藉以產生1 0微微安培（pA )的電流。幾乎沒有觀察到任何的漏電流。1 5 V的整流率為2 · 0 X 1 〇6。例17 : 、藉由錢鑛的方法在透明玻璃基底上沈積一層厚度為

IM

第43頁 526678 五、發明說明（41) 1 000埃的㈣氧化物膜（ITG film) ^ 片電阻為10歐母/埃。然後進杆斜以此網溥虱化物膘的物圖案，以完成具有銦薄氧化物x, ’使其轉為銦薄乳化備。清洗此基底，其方法之透明玻璃基底的準氧清洗來清洗基底的表面错由純水和1PA和隨後的肝臭在鉬基板上準備100毫克的n，n，_ 苯基）-l，r_雙苯基-雙苯基_4,4，_二胺本土 N，N又（3 — (N,r-diphenyl-N r-bls(3-phen^ lphenyl-4 4 :diamine;TPD)，做為電洞傳輸物另一翻基板上準備100毫克的2_(鄰-經苯基）苯甲基唾辞$ 合物（2-(〇-hydr〇Xyphenyl)benz〇Xaz〇le 幻“ 曰 complex ;Zn(〇xz)2)，做為發光物質層。將其放置空蒸發系統的真空反應室中，以與蒸發源分離。在且有、 MTDATA的鉬基板被加熱前，先將真空蒸發系統抽至2、χΐ〇 4 帕（Pa)真空度。並控制溫度，使TPD的蒸發埃/秒。此後，將系統的上部份之窗板打開，以開始沈^ TPD。當TPD膜的厚度沈積至厚度為5〇〇埃後，將窗板關、閉。在相同的方式下，加熱具有以（〇}^)2的鉬基板。並制溫度，使Zn(〇XZ)2的蒸發速度維持在3埃/秒。其後，$ 系統的上部份之窗板打開，以開始沈積Ζη(〇χζ)2。當： Ζ^ι(0ΧΖ)2膜的厚度沈積至厚度為55〇埃後，將窗板關w閉，藉此形成有機層薄板。有機層的總厚度為丨丨〇〇埃。隨後，將形成有有機層的基底再度放置在蒎真空室中。將上述的基板取出。在鶴基板上準備i克、的先銦的

526678

室中。在且二的將基板放置在真空蒸發系統的真空反應至4X10“帕（Pa? = i板被加熱前’先將真空蒸發系統抽維持在4埃/秒ii:度。並控制溫度’使銦的蒸發速度始沈積銦、。當銦膜3厂:的上部份之窗板打開’以開關閉。、田钔厗度積至厚度為60(3埃後，將窗板 11 口此，形成具有IT0/TPD/Zn(oxz)2/ ，有機電發光元件，其中IT0膜做為陽極，而銦膜：為1 < 肤幻7予度為L· ，其滿足方程式：400埃^ :丄矣Χ〇〇·8埃，其中、、，是TPD/Zn(oxz)2膜的總厚度在ιτο陽極和In陰極之間提供15V的正向偏壓，藉以產生12微安培（#A)的電流。在IT〇陽極和u陰極之間提供 15V的反向偏壓，藉以產生1〇微微安培（pA)的電流。幾乎/又有觀察到任何的漏電流。1 5 v的整流率為1 · 2 X 1 〇6。例18 : 藉由濺鍍的方法在透明玻璃基焱上沈積一層厚度為 1 0 0 0埃的銦薄氧化物膜（IT 0 f i 1 m )。此銦薄氧化物膜的片電阻為1 0歐母/埃。然後進行餘刻，使其轉為銦薄氧化物圖案’以完成具有銦薄氧化物圖案之透明玻璃基底的準備。清洗此基底，其方法為藉由純水和I p A和隨後的uv臭氧清洗來清洗基底的表面。在鉬基板上準備100毫克的4-4’ -4Π -三（N-(3-苯曱基） -Ν-苯胺） 1 (4-4’ -4 丨丨-tris(N-(3-methylphenyl) - N-phenylamino ;

第45頁 526678 五、發明說明（43) MJDATA;’，為電洞傳輸物質層。在另一翻基板〜上準備1〇〇宅克的2-(鄰—羥苯基）苯甲基唑辞錯合物 (2-(o-hydr〇xyphenyl)benzoxazole zinc complex ； ζ:(Γϋ二做為發光物質I。將其放置在真空蒸發系統 4二Γ &二至中，以與蒸發源分離。在具有MTDATA的钥基板被加熱前，先將真空蒸發系統抽至2X1 〇-4帕（Pa)真* J : J控制溫度，使MTDATA的蒸發速度維持在3埃，秒:、： iJtiuta ί統的上部份之窗板打開，以開始沈積MTDATA。當 :二=厚度沈積至厚度為500埃後，將窗板關閉。在 ♦ 3站7方式下，加熱具有Zn(〇XZ)2的鉬基板。並控制溫的蒸發速度維持在3埃/秒。其後，將系統 ΐ之打開，以開始沈積Ζη(〇χζ)2。當Zn(〇xz)2 有拷展ΐ f積至厚度為550埃後，將窗板關閉，藉此形成有機層薄板。有機層的總厚度為1 1 〇〇埃。 ’將形成有有機層的基底再度放置在蒸發系統的二，中、。將上述的基板取出。在'鎢基板上準備1克的紹，並在另一鎢基板上準備1克的鋰（1 ithium ; Li 鋁的Ξίί放置在真空蒸發系統的真空反應室巾。在具有、:的鎢基板被加熱前’先將真空蒸發系統抽至4χι〇_4帕上” Ϊ空度。並控制溫度’使鋁的蒸發速度維持在4埃/ 唯捭二，祕具有鋰的鎢基板’並控制溫度，使鋰的蒸發速度妒：埃/秒。其後’將系統的上部份之窗板打開，以開 Μ。當純膜的厚度沈積至厚度為6〇〇埃後將固板關閉。因此，形成具有IT〇/MTDATA/Zn(〇xz)2/AiLi的

第46頁 526678 五、發明說明（44) " 夕層結構之有機電發光元件，其中丨τ〇膜做為陽極，而鋁鋰膜做為陰極，且鋁鋰膜的厚度為、、L，，，其滿足方程式·400埃χ〇·8埃，其中、、n"是 MTDATA/Zn(oxZ)2 膜的總厚度 11〇〇埃。在IT0陽極和AlLi陰極之間提供15V的正向偏壓，藉以產^2000微安培（# A )的電流。在IT〇陽極和A1U陰極之間提供15V的反向偏壓，藉以產生丨3〇微微安培（pA )的電流。幾乎沒有觀察到任何的漏電流。丨5 v的整流率為6 · 7 X 1 07 〇例19 : 藉由濺鍍的方法在透明玻璃基底上沈積一層厚度為 1 000埃的銦薄氧化物膜（IT0 film)。此銦薄氧化物膜的片電阻為1 0歐母/埃。然後進行蝕刻，使其轉為銦薄氧化物圖案’以完成具有銦薄氧化物圖案之透明玻璃基底的準備。清洗此基底’其方法為藉由純水和I P A和隨後的臭氧清洗來清洗基底的表面。 ’ 在鉬基板上準備100毫克的N，N，-二笨基-N，N，-雙（3-苯基）-1，Γ -雙苯基-雙苯基—4,4,-二胺 (Ν，Ν’ -diphenyl-N，N，-bis(3-phenyl )-1，1，-biphenyl-b 1?1^1171-4,4-(11&11^1^;丁？0)，做為電洞傳輸物質層。在另一鉬基板上準備100毫克的2-(鄰-羥苯基）苯曱基唑鋅錯合物（2-(〇-hydroxyphenyl)benzoxazole zinc complex ; Zn(oxz)2 )，做為發光物質層。將其放置在真空蒸發系統的真空反應室中，以與蒸發源分離。在具有

第47頁 526678 五、發明說明（45) MTDATA的鉬基板被加熱前，先將真空蒸發系統^至？〆帕（Pa)真空度。並控制溫度，使TPD的蒸發速度維持在3 埃/秒。此後，將系統的上部份之窗板打開，以開始 TPD。當TPD膜的厚度沈積至厚度為5〇〇埃後，將窗‘關、閉、。在相同的方式下，加熱具有以（〇)^)2的鉬基板。並控制溫度，使Ζη(οχζ)2的蒸發速度維持在3埃/秒。其後，系統的上部份之窗板打開，以開始沈積Ζη(〇χζ)2。'告 ZjKoxzW膜的厚度沈積至厚度為55〇埃後，將窗板^閉，藉此形成有機層薄板。有機層的總厚度為11〇〇埃。隨後，將形成有有機層的基底再度放置蒗真空室中。將上述的基板取出。在鶴基板上準則以 (A"，並在另一鶴基板上準m克的鐘⑴丄克的^ )。將基板放置在真空蒸發系統的真空反應室中。在具有鋁的鎢基板被加熱前，先將真空蒸發系統抽至4 χ丨〇_4 ^ (Pa)真空度。並控制溫度，使鋁的蒸發速度維持在彳埃/ ，。加熱具有鋰的鎢基板，並控制溘度，使鋰的蒸發速度 j持在2埃/秒。其後，將系統的上部份之窗板打開，以開二沈積鋁鋰。當鋁鋰膜的厚度沈積至厚度為6〇〇埃後，將自板關閉。因此，形成具有IT0/TPD/Zn(〇xz)2/A1Li的多層結構之有機電發光元件，其中IT〇膜做為陽極，而鋁鋰膜做為陰極，且鋁鋰膜的厚度為、、L"，其滿足方程式：埃 S L S η X 0.8 埃，其中、、η 〃是TPD/Zn(oxz) Z膜的總厚度1丨〇〇埃。在ιτο陽極和A1Li陰極之間提供15v的正向偏壓，藉以

第48頁 526678

產^4000微安培（"A )的電流。在IT〇陽極和A^Li陰極之間提供15V的反向偏壓，藉以產生23〇微微安培（pA )的電流。幾乎沒有觀察到任何的漏電流。丨5V的整流率 107。 · 例20 ·· 藉由濺鍍的方法在透明玻璃基底上沈積一層厚度為 1 00 0埃的銦薄氧化物膜（IT0 film)。此銦薄氧化物膜的片電阻為1 0歐母/埃。然後進行蝕刻，使其轉為銦薄氧化物圖案，以完成具有銦薄氧化物圖案之透明玻璃基底的準備。清洗此基底，其方法為藉由純水和〗pA和隨後的uv臭氧清洗來清洗基底的表面。在鉬基板上準備1〇〇毫克的4一4, -4M-三（N-(3-苯甲美） -N-苯胺）土 (4-4’ -4”-tris(N-(3-methyl phenyl)-N-phenyl amino ; MTDATA)，做為電洞傳輸物質層。在另一鉬基板上準備i 毫克的2-(鄰-羥笨基）苯曱基唑鋅錯合物 (2-(o-hydroxyphenyl)benzoxazole zinc complex ；

Zn(oxz )2 )，做為發光物質層。將其放置在真空蒸發系統的真空反應室中，以與蒸發源分離。在具有MTDATA的鉬基板被加熱前，先將真空蒸發系統抽至2 χ丨〇_4帕（pa )真空度。並控制溫度，使MTDATA的蒸發速度維持在3埃/秒。此後，將系統的上部份之窗板打開，以開始沈積。當 MTDATA膜的厚度沈積至厚度為5〇〇埃後，將窗板關閉。在胃相同的方式下’加熱具有Zn(oxz)2的鉬基板。並控制溫

526678

i上if: ιζ)2的蒸發速度維持在3埃/秒。其後，將系統之窗板打開’以開始沈積Zn(Qxz)2。當zn(〇xz)2 lit沈積至厚度為550埃後’將窗板關閉，藉此形成有機層溥板。有機層的總厚度為1 1 〇〇埃。，將形成有有機層❸基底再度&置在$發系統的真二至中。將上述的基板取出。在鎢基板上準備丨克的鎂 magnesium;Mg)，並在另一鎢基板上準克的銀 ; Ag),。將基板放置在真空蒸發系統的真空反應 =。在具有鎂的鎢基板被加熱前，先將真空蒸發系統抽維帕（Pa)真空度。並控制溫度，使鎂的蒸發速度、准持在7埃/秒。加熱具有銀的鎢基板，並控制溫度，使銀的蒸發速度維持在4埃/秒。其後，將系統的上部份之窗板打開，以開始沈積鎂銀。當鎂銀膜的厚度沈積至厚度為 6 0 0埃後，將窗板關閉。因此，形成具有 IT0/MTTDATA/Zn(〇xz)2/MgAg的多層結構之有機電發光元件，其中I TO膜做為陽極，而鎂銀舷做為陰極，且鎂銀膜的厚度為、、L ” ，其滿足方程式：4〇〇埃$ [ $ n X 〇·8 埃，其中、、η，，*MTDATA/Zn(〇xz)2 膜的總厚度 ^ 埃。在IT0陽極和MgAg陰極之間提供15V的正向偏壓，藉以產生1 000微安培（//A )的電流。在IT0陽極和MgAg陰^之間提供15V的反向偏壓，藉以產生9〇微微安培（pA )的電

OIL。幾乎沒有觀察到任何的漏電流。1 5 V的整流率為1 1 X 1 07 〇 526678 五、發明說明（48) 例 2 1 ： — 2由濺鍍的方法在透明玻璃基底上沈積一層厚度為 1 00 0埃的銦薄氧化物膜（IT0 film)。此銦薄氧化物膜的 :2為10歐母/埃。然後進行蝕刻，使其轉為銦薄氧化物圖案，以完成具有銦薄氧化物圖案之透明玻璃基底的準，π洗此基底，其方法為藉由純水和I p A和隨後的u v臭氧清洗來清洗基底的表面。、在鉬基板上準備100毫克的N，N，-二苯基— NN，—雙本基）-1，1 -雙苯基-雙笨基—4，4，-二胺 (N,-diphenyl-N,N*-bis(3-pheny1)-1, Γ -biphenyl-b 1Phenyl-4’4’-diamine ;TPD)，做為電洞傳輸物質層。另一翻基板上準備100毫克的2_(鄰-羥苯基）笨甲基唑鋅錯合物（2-(〇-hydr〇xyphenyl)benzoxazole zinc 曰 complex ; Zn(〇XZ)2 )，做為發光物質層。將直放置在直空蒸發系統的真空反應室中，以與蒸發源分離'。在具有、 MTDATA的鉬基板被加熱前，先將真空蒸發系統抽至2χι〇 4 帕（Pa )真空度。並控制溫度，使TPD的蒸發速度維持埃/秒。此後，將系統的上部份之窗板打開，以開始沈 TPD。當TPD膜的厚度沈積至厚度為5〇〇埃後，將窗板關、閉。在相同的方式下，加熱具有Ζη(〇χζ)2的鉬基板。並栌制溫度，使Ζη(οχζ)2的蒸發速度維持在3埃/秒。其後，^ 系統的上部份之窗板打開，以開始沈積Ζη(〇χζ)2 了當、 Ζη(〇ΧΖ)2膜的厚度沈積至厚度為55 0埃後，將窗板^閉，藉此形成有機層薄板。有機層的總厚度為丨1 〇〇埃。

ΙΗΙ 526678 五、發明說明（49) 直处，將形成有有機層的基底再度放置在蒸發系統的 ^ 一 ·將上述的基板取出。在鎢基板上準備1克的鎂 magnesium，Mg)，並在另一鎢基板上準備丨克的銀 Γ ;Ag),。將基板放置在真空蒸發系統的真空反應具有鎂的鎢基板被加熱#，先將真空蒸發系統抽維括X二(、Ρ〇真空度。並控制溫度，使鎂的蒸發速度二。加熱具有銀的鶴基板，並控制溫度，使銀的条發速度維持在4埃/秒。其後，將系統的上部份之窗板 2 ^以開始'尤積鎂銀。當鎂銀膜的厚度沈積至厚度為 6〇〇埃後，將窗板關閉。因此，形成具有IT〇/TpD/Zn(〇xz) 2^8“的多層結構之有機電發光元件，其中π〇膜做為陽極，而鎂銀膜做為陰極，且鎂銀膜的厚度為、、L "，苴足方程式：400埃$ L $ η χ 〇· 8埃，其中、、n二、是 TPD/Zn(oxz)2膜的總厚度11〇〇埃。在ITO陽極和MgAg陰極之間提供15V的正向偏壓，藉以產^；2200微安培（# A )的電流。在ITO陽極和MgAg陰極之間提供15V的反向偏壓，藉以產生1〇〇微微安培（pA )的電流。幾乎沒有觀察到任何的漏電流。15V的整流率為2·2χ 1 07 〇 · 比較例1 : 藉由濺鍍的方法在透明玻璃基底上沈積一層厚度為 1 000埃的銦薄氧化物膜（IT〇 film)。此銦薄氧化ς膜的片電阻為1 0歐母/埃。然後進行蝕刻，使其轉為銦薄氧化物圖案，以完成具有銦薄氧化物圖案之透明玻璃基底的準

526678 五、發明說明（50) 備。清洗此基底’其方法為藉由純水 1 氧清洗來清洗基底的表面。 π π U V臭在銦基板上準備100毫克的a—Npd (Ν Ν’ d^yl N，N’_bis(1_naphthm i)-4’4 -diamine)，做為電洞傳輸物質層。在另一 y 板上準備 100 毫克的 Alq3 (tris(8_quin〇lin〇lat〇) 土 a—Umlnum complex)，做為發光物質層。將其放置在直* •發系統的真空反應室中’以與蒸發源分離。&具有：工 -肝D的鉬基板被加熱前，先將真空蒸發系統抽至2χι〇 *帕 )冑空度。亚控制溫度’使α _NpD的蒸發速度維持在 3埃/秒。此後’冑系統的上部份之窗板打開，卩開 o-NPD。當a-NPD膜的厚度沈積至厚度為5〇〇埃後將窗^ J關閉。在相同的方式下，加熱具有Alq3的鉬基板。並控制溫度，使A lq3的蒸發速度維持在3埃/秒。其後，將系 $上部份之窗板打開，以開始沈積Alq3。當Alq3膜的厚度 :積至厚度為550埃後，將窗板關姑，藉此形成有機層又板。有機層的總厚度為11 〇〇埃。曰/ 隨後，將形成有有機層的基底再度放置在蒸發系統的，、二室中。將上述的基板取出。在鎢基板上準備丨克的銘。將此基板放置在真空蒸發系統的真空反應室中。在具有鋁的鎢基板被加熱前，先將真空蒸發系統抽至4 X i 0_4 /帕 γ P a )真空度。並控制溫度，使鋁的蒸發速度維持在4埃/ $ °其後，將系統的上部份之窗板打開，以開始沈積鋁。 §銘膜的厚度沈積至厚度為2〇〇〇埃後，將窗板關閉。、因

第53頁 526678 m

此，形成具有ITO/ a-NPD/Alq3/Al的多層結構之有機電發光元件，其中IT0膜做為陽極，而鋁膜做為陰極，且鋁膜x 的厚度為、、L ” ，其並不滿足方程式·· 4〇〇埃$ L $ n X 3埃，其中、、是a—NpD/Alq3膜的總厚度11〇〇埃。在IT0陽極和A1陰極之間提供丨5v的正向偏壓，藉以產生14微安培（)的電流。在IT〇陽極和M陰極之^提供的反向偏壓，藉以產生1 000微微安培（pA )的電流。幾乎沒有觀察到任何的漏電流。15V的整流率為14。 _比較例2 :

藉由錢鍍的方法在透明玻璃基底上沈積一層厚度為 1 00 0埃的銦薄氧化物膜。此銦薄氧化物膜的片電阻=/〇區母/埃。然後進行蝕刻，使其轉為銦薄氧化物圖案/以完成具有銦薄氧化物圖案之透明玻璃基底的準備。清洗此1 底’其方法為藉由純水和IPA和隨後的UV臭氧清洗來清洗基底的表面。 / ' 在翻基板上準備100毫克的〇：-扑])，做為電洞傳輸物質層。在另一鉬基板上準備100毫克的銅酞青素（c〇pper Phthalocyanine )，做為電洞注入物質層。在另外之鉬基板上準備1〇〇毫克的Alq3，做為發光物質層。將其放置在£ 真空蒸發系統的真空反應室中，以與蒸發源分離、。在具有銅歌青素的鉬基板被加熱前，先將真空蒸發系統抽至2 χ 10-4帕（Pa)真空度。並控制溫度，使鋼歌Χ青素的蒗發速度維持在3埃/秒。因此，將系統的上部份之窗板打開，以開始沈積銅酞青素。當銅酞青素膜的厚度沈積至厚度為

526678 五、發明說明（52) - 300埃後，將窗板關閉。在相同的方式下，加熱具有q -N P D的鉬基板。並控制溫度，使α — ν p d的蒸發速度維持在 3埃/秒。其後，將系統的上部份之窗板打開，以開始沈产 α-NPD。當α-NPD膜的厚度沈積至厚度為55〇埃後，將窗$ 板關閉，藉此形成有機層薄板。在相同的方式下，加熱具有Alq3的錮基板。並控制溫度，使Alq3的蒸發速度維持^ 3埃/秒。其後，將系統的上部份之窗板打開，以開始沈浐 Alq3。當A1q3膜的厚度沈積至厚度為7〇〇埃後，將窗板關$ 閉，藉此形成有機層薄板。有機層的總厚度為丨6 〇〇埃。隨後，將形成有有機層的基底再度放置在蒸發系統真空室中。將上述的基板取出。在鎢基板上準備丨克的鋁。將此基板放置在真空蒸發系統的真空反應室中。在具有鋁的鎢基板被加熱前，先將真空蒸發系統抽至4 χ丨〇4 ^ (Pa )真空度。並控制溫度，使鋁的蒸發速度維持在4埃/ 秒。其後，將系統的上部份之窗板打開，以開始沈積鋁、。當鋁膜的厚度沈積至厚度為20 0 0埃後，將窗板關閉。、因此，形成具有ιτο/銅酞青素/ a—NPD/Alq3/A1的多層結之有機電發光元件，其中ΠΟ膜做為陽極，而鋁膜你^阶極，且鋁膜的厚度為、、L，，，其並不滿足方程式·· 4〇〇二 $ L· g η X 〇· 8埃，其中、、是銅酞青素/ ^ 、 - NPD/Alq3膜的總厚度1 600埃。在ITO陽極和A1陰極之間提供15V的正向偏壓，生16微安培（//A0的電流。在IT〇陽極和A1陰極之間提供 15V的反向偏壓，藉以產生1〇〇〇微微安培（pA)的電流 526678 巍

五、發明說明（53) 幾乎沒有觀察到任何的漏電流。1 5 V的整流率 (rectification ratio )為 16 〇比較例3 : 藉由濺鍍的方法在透明玻璃基底上沈積一層厚度為 1 000埃的銦薄氧化物膜（IT〇 film)。此銦薄氧化物膜的片電阻為1 0歐母/埃。然後進行蝕刻，使其轉為銦薄氧化物圖案，以完成具有銦薄氧化物圖案之透明玻璃基底的準，。清洗此基底，其方法為藉由純水和丨PA和隨後的uv臭氧清洗來清洗基底的表面。 $

在IS基板上準備1〇〇毫克的a—NPD

(N，r「dipheny 卜N，r -bis(卜naphthyl) —(1，i，—bipheny 1)-4, 4’ -diamine )，做為電洞傳輸物質層。在另一鉬基板上準備 100 毫克的 Alq3 (tris(8-Quin〇linolato)"

a—linnhuni complex)，做為發光物質層。將其放置在真空瘵發系統的真空反應室中，以與蒸發源分離。在具有α -NPD的鉬基板被加熱前，先將真空'蒸發系統抽至2χι〇_4帕 (Pa)真空度。並控制溫度，使α—Νρ])的蒸發速度維持在 3埃/秒。此後，㈣統的上部份之窗板打開，卩開始沈積 α-NPD。當a-NPD膜的厚度沈積至厚度為5〇〇埃後，將窗板關閉。在相同的方式下，加熱具有a1(j3的鉬基板。並控制溫度，使Alq3的蒸發速度維持在3埃/秒。其後，將系^ 的上部份之窗板打開，以開始沈積Alq3。當Alq3膜的厚度 :尤積至厚度為550埃後，將窗板關閉，藉此形成有機層又板。有機層的總厚度為11 〇〇埃。

第56頁 526678 五、發明說明（54) 隨後，將真空室中。將 (Indium ) 〇中。在具有銦 4 X 1 〇-4 帕（pa 持在4埃/秒。沈積銦。當銦閉。因此，形機電發光元件且銦膜的厚度 5 η X 3 埃埃。 >成有有機層的基底再度放置在蒸發系統的上述的基板取出。在鎢基板上準備丨克的銦將此基板放置在真空蒸發系統的真空反應室的鎢基板被加熱前，先將真空蒸發系^ )真空度。並控制溫度，使銦的蒗發速其後，將系統的上部份之窗板打開發= 膜的厚度沈積至厚度為2 〇〇〇埃後，將窗板關成具有ITO/ a -NPD/Alq3/In的多層結構之有、其中I TO膜做為陽極，而銦膜做為陰極，為 L ’其並不滿足方程式：400埃sl ，其中η 是《-NPD/Alq3膜的總厚度11 〇〇在I TO陽極和in陰極之間提供15V的正向偏壓，藉以產生720微安培（)的電流。在IT〇陽極和In陰極之間提供15V的反向偏壓，藉以產生2〇〇〇微微安培（pA)的電流。幾乎沒有觀察到任何的漏電流’。丄5 v的整流率為36 〇。比較例4 : 藉由濺鍍的方法在透明玻璃基底上沈積一層厚度為 1 000埃的銦薄氧化物膜（IT〇 f i lm)。此銦薄氧化物膜的片電阻為1 0歐母/埃。然後進行蝕刻，使其轉為銦薄氧化物圖案’以完成具有銦薄氧化物圖案之透明玻璃基底的準備。清洗此基底’其方法為藉由純水和丨p A和隨後的uv臭氧清洗來清洗基底的表面。在銦基板上準備1〇〇毫克的α_ΝΡΙ)

526678 五、發明說明（55)

(N，N -diphenyl-N，N -bis(l-naphthyl)-(l，l，-bipheny 1)-4, 4’ -diamine )，做為電洞傳輸物質層。在另一板上準㈣。毫克的Alq3 (tris(8_quin〇lin丄另。)翻基 aluminum complex)，做為發光物質層。將其放置在真空蒸發系統的真空反應至中’以與蒸發源分離。在具有α - NPD的鉬基板被加熱前，先將真空蒸發系統抽至2'χι〇_4帕 (Pa )真空度。並控制溫度，使α —NpD的蒸發速度維持在 3埃/秒。此後，將系統的上部份之窗板打開，以開始沈積 α-NPD。當α-NPD膜的厚度沈積至厚度為5〇〇埃後，將窗板關閉。在相同的方式下，加熱具有Alq3的鉬基板。並栌制溫度，使A1Q3的蒸發速度維持在3埃/秒。其後，將系^ 的上部份之窗板打開，以開始沈積Alq3。當Alq3膜的厚产沈積至厚度為550埃後，將窗板關閉，藉此形成有機声夂板。有機層的總厚度為1 1 0 〇埃。曰/ 隨後，將真空室中。將 (A1 )，並在 )。將基板放鋁的鎢基板被 (Pa )真空度秒。加熱具有維持在2埃/秒始沈積鋁鋰。窗板關閉。因形成有上述的另一鶴置在真加熱前。並控鐘的鶴。其後當鋁鋰此，形有機層的基底再度放置在蒸發系統! 基板取出。在鸠基板上準備丨克的結基板上準備1克的鋰（lithium ; U 空蒸發系統的真空反應室中。在具；，先將真空蒸發系統抽至4 X 1 〇~4帕制溫度，使鋁的蒸發速度維持在4埃基板，並控制溫度，使鋰的蒸發速^ ，將系統的上部份之窗板打開，以f 膜的厚度沈積至厚度為2000埃後，力成具有 ITO/ a-NPD/Alq3/AlLi' 的多 >

526678 五、發明說明（56) ' --— 結構之有機電發光元件，其中丨τ〇膜做為陽極，而鋁鋰膜做為陰極，且鋁鋰膜的厚度為、〃，其並不滿足方程式：400埃χ〇·8埃，其中、、夕是“ -NPD/Alq3膜的總厚度1100埃。在ΙΤΟ陽極和AlLi陰極之間提供15V的正向偏壓，藉以產生4000微安培（“A )的電流。在IT〇陽極和A1U陰極之間提供15V的反向偏壓，藉以產生2〇〇〇微微安培（pA)的電流。幾乎沒有觀察到任何的漏電流。15V的整流率為2 〇 X 103 〇比較例5 : 藉由濺鍍的方法在透明玻璃基底上沈積一層厚度為 1 00 0埃的銦薄氧化物膜（IT0 film)。此銦薄氧化物膜的片電阻為1 0歐母/埃。然後進行蝕刻，使其轉為銦薄氧化物圖案，以完成具有銦薄氧化物圖案之透明玻璃基底的準備。清洗此基底’其方法為藉由純水和丨P A和隨後的uv臭氧清洗來清洗基底的表面。 ’ 在鉬基板上準備100毫克的α — NPD (N，N，-diphenylU，-bisU-naphthyl) —(1，！，-bipheny 1)-4, 4’ -diamine )，做為電洞傳輸物質層。在另一鉬基板上準備 100 毫克的Alq3 (tris(8-quUoiinoUto)" aluminum complex )，做為發光物質層。將其放置在真空蒸發糸統的真空反應至中’以與蒸發源分離。在具有α -NPD的鉑基板被加熱前，先將真空蒸發系統抽至2 X丨帕 (P a )真空度。並控制溫度，使α — ν p D的蒸發速度維持在

526678 五、發明說明（57) 1埃S: ΐ後’將系統的上部份之窗板打開，以開始沈積杯ω η。虽“^⑼膜的厚度沈積至厚度為50〇埃後，將窗制、、^ °在相同的方式下’加熱具有a1q3的钥基板。並控 ::，使Alq3的蒸發速度維持在3埃/秒。其後， :土部份之窗板打開，以開始沈積Alq3。#A1 】声先 :積J厚度為550埃後，將窗板關閉，藉此形成有機層、度板。有機層的總厚度為丨丨〇〇埃。直：形成有有機層的基底再度放置在蒸發系統的 7二至中。將上述的基板取出。在鎢基板上準備1克的鎂 m^nesium ;Mg)，並在另一鶴基板上準備丨克的銀、 jS1 her，Ag ),。將基板放置在真空蒸發系統的真空反應 :4χ;〇ίΪ7的Ϊ基板被加熱前，先將真空蒸發系統：維持在7浐/妙。&…空度。並控制溫度，使鎂的蒸發速度奸矢y。加熱具有銀的鎢基板，並控制溫度，使銀的二發速度維持在4埃/秒。其後，將系統的上部份之丁幵，以開始沈積鎂銀。當鎂銀膜'的厚沈 2000埃後，將窗板關閉。因此，形成具有IT(Va子度為 = PD/Alq3/MgAg的多層結構之有機電發光元件，並中巧做為陽極’而鎂銀膜做為陰極’且鎮銀膜的厚^為 :二，中其'^不？足：程式：4〇〇““二.8 、"、T ^疋“—評1)/八143膜的總厚度11〇0埃。在1Τ〇陽極和MgAg陰極之間提供15V的正向微安培（1A)的電流。在IT〇陽極和“陰= 严曰提供15V的反向偏壓’藉以產生6〇〇〇微微安培（^) β的

526678 五、發明說明（58) 電流。幾乎沒有觀察到杯一 2〇〇。巧任何的漏電流。15V的整流率為雖然本發明已以較佳# 限岳丨丨士 2欠DD 只施例揭露如上，麸JL 非m 二制本發明，任何熟習此項技藝“、、其亚非用 :和範圍内，當可做更動與潤^，脫離本發明之，备事後附之申請專利範圍所界定者為準。發明之保護範穩

Claims

526678

L一種有機電發光元件，包括一陽極、一陰極、和介 2陽極和該陰極之間之—有機層結構，肖有機層結構包括至少一有機層，其中該有機層結構具有小於2 〇〇〇埃的厚产、、"，陰極具有如下式之厚度、、： 400 埃 X 0.8 埃。 2· —種有機電發光元件，包括一陽極、一阶於該陽極和該陰極之間之一有機層結構；二括至少一有機層， 3伐層、、、〇構包其中該有機層結構具有不小於20 00埃的户、、，，該陰極具有如下式之厚度、、又 n ’ 400 埃 $ L $ n X 3 埃。

第62頁