JPH11283751A - 有機エレクトロルミネッセンス素子 - Google Patents
有機エレクトロルミネッセンス素子Info
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- JPH11283751A JPH11283751A JP10081860A JP8186098A JPH11283751A JP H11283751 A JPH11283751 A JP H11283751A JP 10081860 A JP10081860 A JP 10081860A JP 8186098 A JP8186098 A JP 8186098A JP H11283751 A JPH11283751 A JP H11283751A
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 30
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 claims abstract description 21
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 47
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 claims description 25
- 238000000605 extraction Methods 0.000 abstract description 12
- 239000000470 constituent Substances 0.000 abstract description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 47
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 33
- 239000000463 material Substances 0.000 description 16
- 230000008859 change Effects 0.000 description 11
- -1 tris (8-quinolinol) aluminum Chemical compound 0.000 description 8
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 239000010408 film Substances 0.000 description 6
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 6
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 6
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 6
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 5
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 5
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 5
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 4
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 4
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 4
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- SJCKRGFTWFGHGZ-UHFFFAOYSA-N magnesium silver Chemical compound [Mg].[Ag] SJCKRGFTWFGHGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 3
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 3
- YLYPIBBGWLKELC-UHFFFAOYSA-N 4-(dicyanomethylene)-2-methyl-6-(4-(dimethylamino)styryl)-4H-pyran Chemical compound C1=CC(N(C)C)=CC=C1C=CC1=CC(=C(C#N)C#N)C=C(C)O1 YLYPIBBGWLKELC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010405 anode material Substances 0.000 description 2
- IOJUPLGTWVMSFF-UHFFFAOYSA-N benzothiazole Chemical compound C1=CC=C2SC=NC2=C1 IOJUPLGTWVMSFF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010406 cathode material Substances 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 239000001989 lithium alloy Substances 0.000 description 2
- PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M lithium fluoride Chemical compound [Li+].[F-] PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- YYMBJDOZVAITBP-UHFFFAOYSA-N rubrene Chemical compound C1=CC=CC=C1C(C1=C(C=2C=CC=CC=2)C2=CC=CC=C2C(C=2C=CC=CC=2)=C11)=C(C=CC=C2)C2=C1C1=CC=CC=C1 YYMBJDOZVAITBP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K tri(quinolin-8-yloxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- DAYVBDBBZKWNBY-UHFFFAOYSA-N 1,2-bis[(2,5-ditert-butylphenyl)carbamoyl]perylene-3,4-dicarboxylic acid Chemical compound CC(C)(C)C1=CC=C(C(C)(C)C)C(NC(=O)C=2C(=C3C=4C=CC=C5C=CC=C(C=45)C=4C=CC(=C(C3=4)C=2C(O)=O)C(O)=O)C(=O)NC=2C(=CC=C(C=2)C(C)(C)C)C(C)(C)C)=C1 DAYVBDBBZKWNBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MXVLMYZRJAHEIS-UHFFFAOYSA-N 1-(2-phenylphenyl)naphthalene Chemical group C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1C1=CC=CC2=CC=CC=C12 MXVLMYZRJAHEIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FQJQNLKWTRGIEB-UHFFFAOYSA-N 2-(4-tert-butylphenyl)-5-[3-[5-(4-tert-butylphenyl)-1,3,4-oxadiazol-2-yl]phenyl]-1,3,4-oxadiazole Chemical compound C1=CC(C(C)(C)C)=CC=C1C1=NN=C(C=2C=C(C=CC=2)C=2OC(=NN=2)C=2C=CC(=CC=2)C(C)(C)C)O1 FQJQNLKWTRGIEB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OWEOYUSGIQAOBA-UHFFFAOYSA-N 3-(2-methylphenyl)-n-[4-[4-[3-(2-methylphenyl)anilino]phenyl]phenyl]aniline Chemical group CC1=CC=CC=C1C1=CC=CC(NC=2C=CC(=CC=2)C=2C=CC(NC=3C=C(C=CC=3)C=3C(=CC=CC=3)C)=CC=2)=C1 OWEOYUSGIQAOBA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CFNMUZCFSDMZPQ-GHXNOFRVSA-N 7-[(z)-3-methyl-4-(4-methyl-5-oxo-2h-furan-2-yl)but-2-enoxy]chromen-2-one Chemical compound C=1C=C2C=CC(=O)OC2=CC=1OC/C=C(/C)CC1OC(=O)C(C)=C1 CFNMUZCFSDMZPQ-GHXNOFRVSA-N 0.000 description 1
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001148 Al-Li alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- KVLOAFOUWCMJQM-UHFFFAOYSA-N C1(=C(C=CC=C1)C1(CC=C(C=C1)N(C1=CC=C(C2=CC=CC=C12)N(C1=CCC(C=C1)(C1=C(C=CC=C1)C)C)C=CC1=CC=CC=C1)C=CC1=CC=CC=C1)C)C Chemical compound C1(=C(C=CC=C1)C1(CC=C(C=C1)N(C1=CC=C(C2=CC=CC=C12)N(C1=CCC(C=C1)(C1=C(C=CC=C1)C)C)C=CC1=CC=CC=C1)C=CC1=CC=CC=C1)C)C KVLOAFOUWCMJQM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000511976 Hoya Species 0.000 description 1
- 229910000846 In alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000733 Li alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NRCMAYZCPIVABH-UHFFFAOYSA-N Quinacridone Chemical class N1C2=CC=CC=C2C(=O)C2=C1C=C1C(=O)C3=CC=CC=C3NC1=C2 NRCMAYZCPIVABH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JFBZPFYRPYOZCQ-UHFFFAOYSA-N [Li].[Al] Chemical compound [Li].[Al] JFBZPFYRPYOZCQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JHYLKGDXMUDNEO-UHFFFAOYSA-N [Mg].[In] Chemical compound [Mg].[In] JHYLKGDXMUDNEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N alpha-acetylene Natural products C#C HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SNAAJJQQZSMGQD-UHFFFAOYSA-N aluminum magnesium Chemical compound [Mg].[Al] SNAAJJQQZSMGQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007611 bar coating method Methods 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- XZCJVWCMJYNSQO-UHFFFAOYSA-N butyl pbd Chemical compound C1=CC(C(C)(C)C)=CC=C1C1=NN=C(C=2C=CC(=CC=2)C=2C=CC=CC=2)O1 XZCJVWCMJYNSQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 1
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 150000004985 diamines Chemical class 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- ORUIBWPALBXDOA-UHFFFAOYSA-L magnesium fluoride Chemical compound [F-].[F-].[Mg+2] ORUIBWPALBXDOA-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910001635 magnesium fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- DCZNSJVFOQPSRV-UHFFFAOYSA-N n,n-diphenyl-4-[4-(n-phenylanilino)phenyl]aniline Chemical class C1=CC=CC=C1N(C=1C=CC(=CC=1)C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 DCZNSJVFOQPSRV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000620 organic polymer Polymers 0.000 description 1
- 150000004866 oxadiazoles Chemical class 0.000 description 1
- 125000002080 perylenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 description 1
- CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N peryrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=3C2=C2C=CC=3)=C3C2=CC=CC3=C1 CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 229920003227 poly(N-vinyl carbazole) Polymers 0.000 description 1
- 229920001197 polyacetylene Polymers 0.000 description 1
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 description 1
- 229920000015 polydiacetylene Polymers 0.000 description 1
- LISFMEBWQUVKPJ-UHFFFAOYSA-N quinolin-2-ol Chemical compound C1=CC=C2NC(=O)C=CC2=C1 LISFMEBWQUVKPJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 229940042055 systemic antimycotics triazole derivative Drugs 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 1
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B7/00—Layered products characterised by the relation between layers; Layered products characterised by the relative orientation of features between layers, or by the relative values of a measurable parameter between layers, i.e. products comprising layers having different physical, chemical or physicochemical properties; Layered products characterised by the interconnection of layers
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
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- H10K50/80—Constructional details
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- Optics & Photonics (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 高効率な有機エレクトロルミネッセンス素子
を提供する。 【解決手段】 有機エレクトロルミネッセンス素子の素
子構成として、陰極反射面又は光取出し面側に回折格子
を形成し、光の取り出し効率を向上させる。
を提供する。 【解決手段】 有機エレクトロルミネッセンス素子の素
子構成として、陰極反射面又は光取出し面側に回折格子
を形成し、光の取り出し効率を向上させる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、発光効率に優れた
有機エレクトロルミネッセンス素子に関する。
有機エレクトロルミネッセンス素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】有機エレクトロルミネッセンス素子は、
電界を印加することにより、陽極より注入された正孔と
陰極より注入された電子の再結合エネルギーにより蛍光
性物質が発光する原理を利用した自発光素子である。
Ｃ．Ｗ．Ｔａｎｇらによる積層型素子による低電圧駆動
有機エレクトロルミネッセンス素子の報告（Ｃ．Ｗ．Ｔ
ａｎｇ、Ｓ．Ａ．ＶａｎＳｌｙｋｅ、アプライドフィジ
ックスレターズ（Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｌ
ｅｔｔｅｒｓ）、５１巻、９１３頁、１９８７年など）
がなされて以来、有機材料を構成材料とする有機エレク
トロルミネッセンス素子に関する研究が盛んに行われて
いる。Ｔａｎｇらは、トリス（８−キノリノール）アル
ミニウムを発光層に、トリフェニルジアミン誘導体を正
孔輸送層に用いている。積層構造の利点としては、発光
層への正孔の注入効率を高めること、陰極より注入され
た電子をブロックして再結合により生成する励起子の生
成効率を高めること、発光層内で生成した励起子を閉じ
こめることなどが挙げられる。この例のように有機エレ
クトロルミネッセンス素子の素子構造としては、正孔輸
送（注入）層、電子輸送性発光層の２層型、又は正孔輸
送（注入）層、発光層、電子輸送（注入）層の３層型等
がよく知られている。こうした積層型構造素子では注入
された正孔と電子の再結合効率を高めるため、素子構造
や形成方法の工夫がなされている。
電界を印加することにより、陽極より注入された正孔と
陰極より注入された電子の再結合エネルギーにより蛍光
性物質が発光する原理を利用した自発光素子である。
Ｃ．Ｗ．Ｔａｎｇらによる積層型素子による低電圧駆動
有機エレクトロルミネッセンス素子の報告（Ｃ．Ｗ．Ｔ
ａｎｇ、Ｓ．Ａ．ＶａｎＳｌｙｋｅ、アプライドフィジ
ックスレターズ（Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｌ
ｅｔｔｅｒｓ）、５１巻、９１３頁、１９８７年など）
がなされて以来、有機材料を構成材料とする有機エレク
トロルミネッセンス素子に関する研究が盛んに行われて
いる。Ｔａｎｇらは、トリス（８−キノリノール）アル
ミニウムを発光層に、トリフェニルジアミン誘導体を正
孔輸送層に用いている。積層構造の利点としては、発光
層への正孔の注入効率を高めること、陰極より注入され
た電子をブロックして再結合により生成する励起子の生
成効率を高めること、発光層内で生成した励起子を閉じ
こめることなどが挙げられる。この例のように有機エレ
クトロルミネッセンス素子の素子構造としては、正孔輸
送（注入）層、電子輸送性発光層の２層型、又は正孔輸
送（注入）層、発光層、電子輸送（注入）層の３層型等
がよく知られている。こうした積層型構造素子では注入
された正孔と電子の再結合効率を高めるため、素子構造
や形成方法の工夫がなされている。
【０００３】しかしながら、有機エレクトロルミネッセ
ンス素子においてはキャリア再結合の際にスピン統計の
依存性より一重項生成の確率に制限があり、したがって
発光確率に上限が生じる。この上限の値は凡そ２５％と
知られている。更に有機エレクトロルミネッセンス素子
においてはその発光体の屈折率の影響のため、図１に示
すように、臨界角以上の出射角の光は全反射を起こし外
部に取り出すことができない。このため発光体の屈折率
が１．６とすると、発光量全体の２０％程度しか有効に
利用できず、エネルギーの変換効率の限界としては一重
項生成確率を併せ全体で５％程度と低効率とならざるを
えない（筒井哲夫「有機エレクトロルミネッセンスの現
状と動向」、月刊ディスプレイ、ｖｏｌ．１、 Ｎｏ．
３、ｐ１１、１９９５年９月）。発光確率に強い制限の
生じる有機エレクトロルミネッセンス素子においては、
光の取り出し効率は致命的ともいえる効率の低下を招く
ことになる。
ンス素子においてはキャリア再結合の際にスピン統計の
依存性より一重項生成の確率に制限があり、したがって
発光確率に上限が生じる。この上限の値は凡そ２５％と
知られている。更に有機エレクトロルミネッセンス素子
においてはその発光体の屈折率の影響のため、図１に示
すように、臨界角以上の出射角の光は全反射を起こし外
部に取り出すことができない。このため発光体の屈折率
が１．６とすると、発光量全体の２０％程度しか有効に
利用できず、エネルギーの変換効率の限界としては一重
項生成確率を併せ全体で５％程度と低効率とならざるを
えない（筒井哲夫「有機エレクトロルミネッセンスの現
状と動向」、月刊ディスプレイ、ｖｏｌ．１、 Ｎｏ．
３、ｐ１１、１９９５年９月）。発光確率に強い制限の
生じる有機エレクトロルミネッセンス素子においては、
光の取り出し効率は致命的ともいえる効率の低下を招く
ことになる。
【０００４】この光の取り出し効率を向上させる手法と
しては、従来無機エレクトロルミネッセンス素子など
の、同等な構造を持つ発光素子において検討されてき
た。例えば、基板に集光性を持たせることにより効率を
向上させる方法（特開昭６３−３１４７９５）や、素子
の側面等に反射面を形成する方法（特開平１−２２０３
９４）が提案されている。しかしながら、これらの方法
は、発光面積の大きな素子に対しては有効であるが、ド
ットマトリクスディスプレイ等の画素面積の微小な素子
においては、集光性を持たせるレンズや側面の反射面等
の形成加工が困難である。更に有機エレクトロルミネッ
センス素子においては発光層の膜厚が数μｍ以下となる
ためテーパー状の加工を施し素子側面に反射鏡を形成す
ることは現在の微細加工の技術では困難であり、大幅な
コストアップをもたらす。また基板ガラスと発光体の間
に中間の屈折率を持つ平坦層を導入し、反射防止膜を形
成する方法（特開昭６２−１７２６９１）もあるが、こ
の方法は前方への光の取り出し効率の改善の効果はある
が全反射を防ぐことはできない。したがって屈折率の大
きな無機エレクトロルミネッセンスに対しては有効であ
っても、比較的低屈折率の発光体である有機エレクトロ
ルミネッセンス素子に対しては大きな改善効果を上げる
ことはできない。
しては、従来無機エレクトロルミネッセンス素子など
の、同等な構造を持つ発光素子において検討されてき
た。例えば、基板に集光性を持たせることにより効率を
向上させる方法（特開昭６３−３１４７９５）や、素子
の側面等に反射面を形成する方法（特開平１−２２０３
９４）が提案されている。しかしながら、これらの方法
は、発光面積の大きな素子に対しては有効であるが、ド
ットマトリクスディスプレイ等の画素面積の微小な素子
においては、集光性を持たせるレンズや側面の反射面等
の形成加工が困難である。更に有機エレクトロルミネッ
センス素子においては発光層の膜厚が数μｍ以下となる
ためテーパー状の加工を施し素子側面に反射鏡を形成す
ることは現在の微細加工の技術では困難であり、大幅な
コストアップをもたらす。また基板ガラスと発光体の間
に中間の屈折率を持つ平坦層を導入し、反射防止膜を形
成する方法（特開昭６２−１７２６９１）もあるが、こ
の方法は前方への光の取り出し効率の改善の効果はある
が全反射を防ぐことはできない。したがって屈折率の大
きな無機エレクトロルミネッセンスに対しては有効であ
っても、比較的低屈折率の発光体である有機エレクトロ
ルミネッセンス素子に対しては大きな改善効果を上げる
ことはできない。
【０００５】したがって有機エレクトロルミネッセンス
素子に有用な光の取り出し方法は未だ不十分であり、こ
の光の取り出し方法の開拓が有機エレクトロルミネッセ
ンス素子の高効率化に不可欠である。
素子に有用な光の取り出し方法は未だ不十分であり、こ
の光の取り出し方法の開拓が有機エレクトロルミネッセ
ンス素子の高効率化に不可欠である。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、有機
エレクトロルミネッセンス素子の光の取り出し効率を改
善し、高効率の有機エレクトロルミネッセンス素子を提
供することにある。
エレクトロルミネッセンス素子の光の取り出し効率を改
善し、高効率の有機エレクトロルミネッセンス素子を提
供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】この発明は、前記課題を
解決するために、陽極と陰極間に発光層を含む一層又は
複数層の有機薄膜層を有する有機エレクトロルミネッセ
ンス素子において、その素子の構成要素として回折格子
あるいはゾーンプレートを含むことを特徴とする。また
この回折格子あるいはゾーンプレートは反射型、透過型
の何れでも良く、透過型に於いては遮光部分を設けるこ
とによる振幅格子の他に、屈折率の異なる層の膜厚を変
調する位相格子を利用するで取出し効率を更に向上する
ことができる。更に回折格子に於いては二次元周期の格
子を用いることで、通常のストライプ状の回折格子に比
べ、ストライプに平行な方向の光取出しも改善できる。
解決するために、陽極と陰極間に発光層を含む一層又は
複数層の有機薄膜層を有する有機エレクトロルミネッセ
ンス素子において、その素子の構成要素として回折格子
あるいはゾーンプレートを含むことを特徴とする。また
この回折格子あるいはゾーンプレートは反射型、透過型
の何れでも良く、透過型に於いては遮光部分を設けるこ
とによる振幅格子の他に、屈折率の異なる層の膜厚を変
調する位相格子を利用するで取出し効率を更に向上する
ことができる。更に回折格子に於いては二次元周期の格
子を用いることで、通常のストライプ状の回折格子に比
べ、ストライプに平行な方向の光取出しも改善できる。
【０００８】すなわち、本発明は次のようである。
【０００９】１．陽極と陰極間に発光層を含む一層以上
の有機層を有する有機エレクトロルミネッセンス素子に
おいて、回折格子又はゾーンプレートを構成要素とする
ことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
の有機層を有する有機エレクトロルミネッセンス素子に
おいて、回折格子又はゾーンプレートを構成要素とする
ことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
【００１０】２．上記陽極および陰極が同一画素を形成
し、これら両電極のうち、少なくとも一方の電極が可視
光を反射する電極であり、この反射電極に回折格子又は
ゾーンプレートが形成されている上記１に記載の有機エ
レクトロルミネッセンス素子。
し、これら両電極のうち、少なくとも一方の電極が可視
光を反射する電極であり、この反射電極に回折格子又は
ゾーンプレートが形成されている上記１に記載の有機エ
レクトロルミネッセンス素子。
【００１１】３．上記素子構造が基板、回折格子又はゾ
ーンプレート、反射電極、有機層、透明電極の順に積層
した構造を持つことを特徴とする上記２に記載の有機エ
レクトロルミネッセンス素子。
ーンプレート、反射電極、有機層、透明電極の順に積層
した構造を持つことを特徴とする上記２に記載の有機エ
レクトロルミネッセンス素子。
【００１２】４．上記陽極および陰極が同一画素を形成
し、これら陽極又は陰極のうち、少なくとも一方の電極
が可視光を反射する電極であり、透明電極側に回折格子
又はゾーンプレートが形成されていることを特徴とする
上記１に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
し、これら陽極又は陰極のうち、少なくとも一方の電極
が可視光を反射する電極であり、透明電極側に回折格子
又はゾーンプレートが形成されていることを特徴とする
上記１に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【００１３】５．上記素子が透明基板、回折格子又はゾ
ーンプレート、透明電極、有機層、反射電極の順に積層
された構造を持つことを特徴とする上記４に記載の有機
エレクトロルミネッセンス素子。
ーンプレート、透明電極、有機層、反射電極の順に積層
された構造を持つことを特徴とする上記４に記載の有機
エレクトロルミネッセンス素子。
【００１４】６．上記回折格子又はゾーンプレートが遮
光部分を持たないことを特徴とする上記４又は５に記載
の有機エレクトロルミネッセンス素子。
光部分を持たないことを特徴とする上記４又は５に記載
の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【００１５】７．前記回折格子が二次元周期を持つこと
を特徴とする上記１ないし６に記載の有機エレクトロル
ミネッセンス素子。
を特徴とする上記１ないし６に記載の有機エレクトロル
ミネッセンス素子。
【００１６】
【発明の実施の形態】まず本発明の原理を説明する。有
機エレクトロルミネッセンス素子においては、その発光
層を含む有機層の屈折率がガラス等の基板材料屈折率に
比べ高いため基板界面上で全反射を起こし発光した全て
の光を取り出すことはできない。また、基板反対面方向
より光を取り出す場合では、大気の屈折率との差により
やはり素子界面で全反射を起こすことになる。この全反
射を抑制する目的で基板界面あるいは反射面に回折格子
を形成し、光取出し面に対する光の入射角を変化させる
ことにより光の取出し効率を向上させることが本発明の
原理である。
機エレクトロルミネッセンス素子においては、その発光
層を含む有機層の屈折率がガラス等の基板材料屈折率に
比べ高いため基板界面上で全反射を起こし発光した全て
の光を取り出すことはできない。また、基板反対面方向
より光を取り出す場合では、大気の屈折率との差により
やはり素子界面で全反射を起こすことになる。この全反
射を抑制する目的で基板界面あるいは反射面に回折格子
を形成し、光取出し面に対する光の入射角を変化させる
ことにより光の取出し効率を向上させることが本発明の
原理である。
【００１７】図３に示すように回折格子に入射角αで入
射した光は出射角βと格子間隔ｄ、光の波長λ、屈折率
ｎ、回折次数ｋとの間に式１の関係があるこが知られて
いる。
射した光は出射角βと格子間隔ｄ、光の波長λ、屈折率
ｎ、回折次数ｋとの間に式１の関係があるこが知られて
いる。
【００１８】
【数１】 したがって格子間隔ｄを適当に調整することにより全反
射臨界角以上の入射角の光を臨界角以下に変化させるこ
とができる。例えば、屈折率1.７の有機材料を前提にし
た場合、全反射臨界角は３６．０度となる。図４に格子
間隔が２μｍの反射型の回折格子に波長５００ｎｍの光
が入射した時の出射角を示すが、この図から出射角が３
６度以内になるには入射角は１次回折で４６度、２次回
折で６０度、３次回折では全角度範囲であることが分か
る。この場合、図１に示すような素子構造、すなわち基
板１の面上に反射型の回折格子５を形成し陰極４と兼用
し、その上に有機層３、透明電極による陽極２を形成す
る構造において、反射面として回折格子が形成されてい
るため、透明電極２と素子外部の界面で全反射した入射
角３６度以上の光はその大半を３６度以下の出射角を持
ち再び透明電極と素子外部の界面に達し、全反射を起こ
すことなく外部に取り出される。1次回折により３６度
以上のまま反射される成分は再び透明電極と素子外部の
界面で全反射され回折格子に再入射する。この過程を繰
返すことで最終的にはほぼすべての光が素子外部に取り
出されることになる。ここに用いる反射型の回折格子
は、回折格子としての機能を有するものであれば如何な
る形状のものでも構わない。矩形の断面を持つラミナリ
ー型、あるいはテーパーの付いた断面を持つ刃型格子を
基板上に形成し、その上に陰極を形成し反射面を兼用し
てもよい。また、陰極を反射係数の異なる二種の陰極材
料よりストライプ状に形成することも、あるいは陰極自
身をストライプ状のパターンとして回折格子を形成する
ことも可能である。
射臨界角以上の入射角の光を臨界角以下に変化させるこ
とができる。例えば、屈折率1.７の有機材料を前提にし
た場合、全反射臨界角は３６．０度となる。図４に格子
間隔が２μｍの反射型の回折格子に波長５００ｎｍの光
が入射した時の出射角を示すが、この図から出射角が３
６度以内になるには入射角は１次回折で４６度、２次回
折で６０度、３次回折では全角度範囲であることが分か
る。この場合、図１に示すような素子構造、すなわち基
板１の面上に反射型の回折格子５を形成し陰極４と兼用
し、その上に有機層３、透明電極による陽極２を形成す
る構造において、反射面として回折格子が形成されてい
るため、透明電極２と素子外部の界面で全反射した入射
角３６度以上の光はその大半を３６度以下の出射角を持
ち再び透明電極と素子外部の界面に達し、全反射を起こ
すことなく外部に取り出される。1次回折により３６度
以上のまま反射される成分は再び透明電極と素子外部の
界面で全反射され回折格子に再入射する。この過程を繰
返すことで最終的にはほぼすべての光が素子外部に取り
出されることになる。ここに用いる反射型の回折格子
は、回折格子としての機能を有するものであれば如何な
る形状のものでも構わない。矩形の断面を持つラミナリ
ー型、あるいはテーパーの付いた断面を持つ刃型格子を
基板上に形成し、その上に陰極を形成し反射面を兼用し
てもよい。また、陰極を反射係数の異なる二種の陰極材
料よりストライプ状に形成することも、あるいは陰極自
身をストライプ状のパターンとして回折格子を形成する
ことも可能である。
【００１９】透過型の回折格子を利用する場合は図２に
示すように、基板１に回折格子５を形成した後、陽極
２、有機層３、陰極４の順に積層し素子を形成できる。
この場合透過型回折格子は振幅型、位相型の何れでもか
まわず、またその形状もいかなるものでも構わない。例
えば位相型の場合、基板面上に溝を形成した後屈折率の
異なる透明材料の層を形成しこれを平坦化した後、通常
の方法により陽極、有機層、陰極の順に積層することが
できる。振幅型の場合は基板面上に光を透過しない材料
を用いストライプを形成することも、また陽極自身をス
トライプとすることもできるがこの場合陽極材料自身は
透明、不透明の何れでもよい。例えば陽極として金電極
を用いこれをストライプ状に加工し、この上に有機層、
陰極と形成し素子を作成することができる。
示すように、基板１に回折格子５を形成した後、陽極
２、有機層３、陰極４の順に積層し素子を形成できる。
この場合透過型回折格子は振幅型、位相型の何れでもか
まわず、またその形状もいかなるものでも構わない。例
えば位相型の場合、基板面上に溝を形成した後屈折率の
異なる透明材料の層を形成しこれを平坦化した後、通常
の方法により陽極、有機層、陰極の順に積層することが
できる。振幅型の場合は基板面上に光を透過しない材料
を用いストライプを形成することも、また陽極自身をス
トライプとすることもできるがこの場合陽極材料自身は
透明、不透明の何れでもよい。例えば陽極として金電極
を用いこれをストライプ状に加工し、この上に有機層、
陰極と形成し素子を作成することができる。
【００２０】透過型の回折格子を用いた場合には、回折
格子へ入射する光は透過光と反射光に分かれるが、反射
光の出射角が小さくなり陰極による反射により再び小さ
い入射角で入射されるため、反射型と同様に最終的には
素子外部に取り出すことができる。
格子へ入射する光は透過光と反射光に分かれるが、反射
光の出射角が小さくなり陰極による反射により再び小さ
い入射角で入射されるため、反射型と同様に最終的には
素子外部に取り出すことができる。
【００２１】回折格子の寸法としては、目的とするエレ
クトロルミネッセンス素子の光の波長域に対し取出し効
率の向上する範囲にある。エレクトロルミネッセンス素
子の波長域は可視光域、すなわち波長３５０ｎｍ〜８０
０ｎｍにおいて、格子間隔は目的とする波長の光学長、
すなわち波長を屈折率で除した値に対し、図５で示すよ
うに大きすぎる場合は角度を低角にする効果が小さく、
鏡面での反射が多数回おこり損失が大きくなり、また小
さすぎる場合は高角度の入射が高角度の反射となり光を
前方に取り出せる割合が低下し、何れも光の取出し効率
を低下させるため、０.１倍から１０倍の範囲が望まし
い。
クトロルミネッセンス素子の光の波長域に対し取出し効
率の向上する範囲にある。エレクトロルミネッセンス素
子の波長域は可視光域、すなわち波長３５０ｎｍ〜８０
０ｎｍにおいて、格子間隔は目的とする波長の光学長、
すなわち波長を屈折率で除した値に対し、図５で示すよ
うに大きすぎる場合は角度を低角にする効果が小さく、
鏡面での反射が多数回おこり損失が大きくなり、また小
さすぎる場合は高角度の入射が高角度の反射となり光を
前方に取り出せる割合が低下し、何れも光の取出し効率
を低下させるため、０.１倍から１０倍の範囲が望まし
い。
【００２２】通常の回折格子の場合はストライプに平行
な方向に対しては回折効果が起らないためこの方向の光
取出しを向上させることができない。この点を改良する
ために二次元の回折格子が使用可能である。あるいは溝
のパターンを同心円上に描いた回折格子もまた使用可能
である。この場合、同心円上の溝の間隔は周期的であっ
ても図７に示すようなゾーンプレートを形成する間隔規
則に則っていてもよい。またこれらの形成法も前記回折
格子の場合に準じ、基板の形状を加工する場合、電極自
身でパターン化する場合の何れの方法も可能であり、溝
の形状等もいかなるものも可能である。
な方向に対しては回折効果が起らないためこの方向の光
取出しを向上させることができない。この点を改良する
ために二次元の回折格子が使用可能である。あるいは溝
のパターンを同心円上に描いた回折格子もまた使用可能
である。この場合、同心円上の溝の間隔は周期的であっ
ても図７に示すようなゾーンプレートを形成する間隔規
則に則っていてもよい。またこれらの形成法も前記回折
格子の場合に準じ、基板の形状を加工する場合、電極自
身でパターン化する場合の何れの方法も可能であり、溝
の形状等もいかなるものも可能である。
【００２３】次に素子の構成要素等について説明する。
有機エレクトロルミネッセンス素子における電極は、陽
極は正孔を正孔輸送層に注入する役割を担うものであ
り、４．５ｅＶ以上の仕事関数を有することが効果的で
ある。本発明に用いられる陽極材料の具体例としては、
酸化インジウム錫合金（ＩＴＯ）、酸化錫（ＮＥＳ
Ａ）、金、銀、白金、銅等の金属又はこららの酸化物、
並びにこれらの混合物が適用できる。また陰極として
は、電子輸送帯又は発光層に電子を注入する目的で、仕
事関数の小さい材料が好ましい。陰極材料は特に限定さ
れないが、具体的にはインジウム、アルミニウム、マグ
ネシウム、マグネシウム−インジウム合金、マグネシウ
ム−アルミニウム合金、アルミニウム−リチウム合金、
アルミニウム−スカンジウム−リチウム合金、マグネシ
ウム−銀合金、並びにこれらの混合物等が使用できる。
有機エレクトロルミネッセンス素子における電極は、陽
極は正孔を正孔輸送層に注入する役割を担うものであ
り、４．５ｅＶ以上の仕事関数を有することが効果的で
ある。本発明に用いられる陽極材料の具体例としては、
酸化インジウム錫合金（ＩＴＯ）、酸化錫（ＮＥＳ
Ａ）、金、銀、白金、銅等の金属又はこららの酸化物、
並びにこれらの混合物が適用できる。また陰極として
は、電子輸送帯又は発光層に電子を注入する目的で、仕
事関数の小さい材料が好ましい。陰極材料は特に限定さ
れないが、具体的にはインジウム、アルミニウム、マグ
ネシウム、マグネシウム−インジウム合金、マグネシウ
ム−アルミニウム合金、アルミニウム−リチウム合金、
アルミニウム−スカンジウム−リチウム合金、マグネシ
ウム−銀合金、並びにこれらの混合物等が使用できる。
【００２４】ここでこれらの電極は、陽極、陰極のうち
何れかの電極が可視光の領域において透明で、もう一方
の電極が高反射率を有するものとする。また、これらの
電極の厚さは電極として本来の機能を果たす厚さであれ
ば特に限定されることはないが、好ましくは０．０２μ
ｍ〜２μｍの範囲である。
何れかの電極が可視光の領域において透明で、もう一方
の電極が高反射率を有するものとする。また、これらの
電極の厚さは電極として本来の機能を果たす厚さであれ
ば特に限定されることはないが、好ましくは０．０２μ
ｍ〜２μｍの範囲である。
【００２５】本発明における有機エレクトロルミネッセ
ンス素子の素子構造は、上記電極間に有機層を１層ある
いは２層以上積層した構造であり、特にその構造に制約
を受けない。例としては、陽極、発光層、陰極、陽
極、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、陰極、陽極、
正孔輸送層、発光層、陰極、又は陽極、発光層、電子
輸送層、陰極等の構造が挙げられる。またこれらの有機
層間及び／又は有機層／電極間に、電荷注入特性の向上
や絶縁破壊を抑制あるいは発光効率を向上させる目的
で、弗化リチウム、弗化マグネシウム、酸化珪素、二酸
化珪素、窒化珪素等の無機の誘電体、絶縁体からなる薄
膜層、有機層と電極材料又は金属との混合層、ポリアニ
リン、ポリアセチレン誘導体、ポリジアセチレン誘導
体、ポリビニルカルバゾール誘導体、ポリパラフェニレ
ンビニレン誘導体等の有機高分子薄膜を挿入しても構わ
ない。
ンス素子の素子構造は、上記電極間に有機層を１層ある
いは２層以上積層した構造であり、特にその構造に制約
を受けない。例としては、陽極、発光層、陰極、陽
極、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、陰極、陽極、
正孔輸送層、発光層、陰極、又は陽極、発光層、電子
輸送層、陰極等の構造が挙げられる。またこれらの有機
層間及び／又は有機層／電極間に、電荷注入特性の向上
や絶縁破壊を抑制あるいは発光効率を向上させる目的
で、弗化リチウム、弗化マグネシウム、酸化珪素、二酸
化珪素、窒化珪素等の無機の誘電体、絶縁体からなる薄
膜層、有機層と電極材料又は金属との混合層、ポリアニ
リン、ポリアセチレン誘導体、ポリジアセチレン誘導
体、ポリビニルカルバゾール誘導体、ポリパラフェニレ
ンビニレン誘導体等の有機高分子薄膜を挿入しても構わ
ない。
【００２６】本発明に用いられる発光材料としては特に
限定されず、通常発光材料として使用されている化合物
であれば何を使用してもよい。例えば、下記のトリス
（８−キノリノール）アルミニウム錯体（Ａｌｑ３）
［１］やビスジフェニルビニルビフェニル（ＢＤＰＶＢ
ｉ）［２］、１，３−ビス（ｐ−ｔ−ブチルフェニル−
１，３，４−オキサジアゾールイル）フェニル（ＯＸＤ
−７）［３］、Ｎ，Ｎ’−ビス（２，５−ジ−ｔ−ブチ
ルフェニル）ペリレンテトラカルボン酸ジイミド（ＢＰ
ＰＣ）［４］、１，４ビス（ｐ−トリル−ｐ−メチルス
チリルフェニルアミノ）ナフタレン［５］などである。
限定されず、通常発光材料として使用されている化合物
であれば何を使用してもよい。例えば、下記のトリス
（８−キノリノール）アルミニウム錯体（Ａｌｑ３）
［１］やビスジフェニルビニルビフェニル（ＢＤＰＶＢ
ｉ）［２］、１，３−ビス（ｐ−ｔ−ブチルフェニル−
１，３，４−オキサジアゾールイル）フェニル（ＯＸＤ
−７）［３］、Ｎ，Ｎ’−ビス（２，５−ジ−ｔ−ブチ
ルフェニル）ペリレンテトラカルボン酸ジイミド（ＢＰ
ＰＣ）［４］、１，４ビス（ｐ−トリル−ｐ−メチルス
チリルフェニルアミノ）ナフタレン［５］などである。
【００２７】
【化１】 また、電荷輸送材料に蛍光材料をドープした層を発光材
料として用いることもできる。例えば、前記のＡｌｑ３
［１］などのキノリノール金属錯体に４−ジシアノメチ
レン−２−メチル−６−（ｐ−ジメチルアミノスチリ
ル）−４Ｈ−ピラン（ＤＣＭ）［６］、２，３−キナク
リドン［７］などのキナクリドン誘導体、３−（２’−
ベンゾチアゾール）−７−ジエチルアミノクマリン
［８］などのクマリン誘導体をドープした層、あるいは
電子輸送材料ビス（２−メチル−８−ヒドロキシキノリ
ン）−４−フェニルフェノール−アルミニウム錯体
［９］にペリレン［１０］等の縮合多環芳香族をドープ
した層、あるいは正孔輸送材料４，４’−ビス（ｍ−ト
リルフェニルアミノ）ビフェニル （ＴＰＤ）［１１］
にルブレン［１２］等をドープした層を用いることがで
きる。
料として用いることもできる。例えば、前記のＡｌｑ３
［１］などのキノリノール金属錯体に４−ジシアノメチ
レン−２−メチル−６−（ｐ−ジメチルアミノスチリ
ル）−４Ｈ−ピラン（ＤＣＭ）［６］、２，３−キナク
リドン［７］などのキナクリドン誘導体、３−（２’−
ベンゾチアゾール）−７−ジエチルアミノクマリン
［８］などのクマリン誘導体をドープした層、あるいは
電子輸送材料ビス（２−メチル−８−ヒドロキシキノリ
ン）−４−フェニルフェノール−アルミニウム錯体
［９］にペリレン［１０］等の縮合多環芳香族をドープ
した層、あるいは正孔輸送材料４，４’−ビス（ｍ−ト
リルフェニルアミノ）ビフェニル （ＴＰＤ）［１１］
にルブレン［１２］等をドープした層を用いることがで
きる。
【００２８】
【化２】 本発明に用いられる正孔輸送材料は特に限定されず、通
常正孔輸送材料として使用されている化合物であれば何
を使用してもよい。例えば、ビス（ジ（ｐ−トリル）ア
ミノフェニル）−１，１−シクロヘキサン［１３］、Ｔ
ＰＤ［１１］、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス
（１−ナフチル）−１，１’−ビフェニル）−４，４’
−ジアミン（ＮＰＢ）［１４］等のトリフェニルジアミ
ン類や、スターバースト型分子（［１５］〜［１７］
等）等が挙げられる。
常正孔輸送材料として使用されている化合物であれば何
を使用してもよい。例えば、ビス（ジ（ｐ−トリル）ア
ミノフェニル）−１，１−シクロヘキサン［１３］、Ｔ
ＰＤ［１１］、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス
（１−ナフチル）−１，１’−ビフェニル）−４，４’
−ジアミン（ＮＰＢ）［１４］等のトリフェニルジアミ
ン類や、スターバースト型分子（［１５］〜［１７］
等）等が挙げられる。
【００２９】
【化３】 本発明に用いられる電子輸送材料は特に限定されず、通
常電子輸送材として使用されている化合物であれば何を
使用してもよい。例えば、２−（４−ビフェニリル）−
５−（４−ｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサ
ジアゾール（Ｂｕ−ＰＢＤ）［１８］、ＯＸＤ−７
［３］等のオキサジアゾール誘導体、トリアゾール誘導
体（［１９］、［２０］等）、キノリノール系の金属錯
体（［１］、［９］、［２１］〜［２４］等）が挙げら
れる。
常電子輸送材として使用されている化合物であれば何を
使用してもよい。例えば、２−（４−ビフェニリル）−
５−（４−ｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサ
ジアゾール（Ｂｕ−ＰＢＤ）［１８］、ＯＸＤ−７
［３］等のオキサジアゾール誘導体、トリアゾール誘導
体（［１９］、［２０］等）、キノリノール系の金属錯
体（［１］、［９］、［２１］〜［２４］等）が挙げら
れる。
【００３０】
【化４】 本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子における各
層の形成方法は特に限定されない。従来公知の真空蒸着
法、スピンコーティング法等による形成方法を用いるこ
とができる。本発明の有機エレクトロルミネッセンス素
子に用いる、前記の化合物を含有する有機薄膜層は、真
空蒸着法、分子線蒸着法（ＭＢＥ法）あるいは溶媒に溶
かした溶液のディッピング法、スピンコーティング法、
キャスティング法、バーコート法、ロールコート法等の
塗布法による公知の方法で形成することができる。
層の形成方法は特に限定されない。従来公知の真空蒸着
法、スピンコーティング法等による形成方法を用いるこ
とができる。本発明の有機エレクトロルミネッセンス素
子に用いる、前記の化合物を含有する有機薄膜層は、真
空蒸着法、分子線蒸着法（ＭＢＥ法）あるいは溶媒に溶
かした溶液のディッピング法、スピンコーティング法、
キャスティング法、バーコート法、ロールコート法等の
塗布法による公知の方法で形成することができる。
【００３１】本発明における有機エレクトロルミネッセ
ンス素子の各有機層の膜厚は特に制限されないが、通常
は数１０ｎｍから１μｍの範囲が好ましい。
ンス素子の各有機層の膜厚は特に制限されないが、通常
は数１０ｎｍから１μｍの範囲が好ましい。
【００３２】
【実施例】以下本発明を、実施例により詳細に説明する
が、本発明はその要旨を越えない限り、以下の実施例に
限定されない。
が、本発明はその要旨を越えない限り、以下の実施例に
限定されない。
【００３３】比較例１ 以下に比較例に用いる有機薄膜エレクトロルミネッセン
ス素子の作製手順について説明する。素子は図８に示す
ように基板１上に陽極２／有機層３（正孔注入層／発光
層／電子輸送層）／陰極４により構成されている。５０
ｍｍ×２５ｍｍのガラス基板（ＨＯＹＡ製、ＮＡ４５、
１．１ｍｍ厚）上にＩＴＯをスパッタリングによって１
００ｎｍ積層した。この際、メタルマスクを用いＩＴＯ
を２ｍｍ×５０ｍｍの帯状になるように形成した。この
ときのシート抵抗は２０Ω／□であった。
ス素子の作製手順について説明する。素子は図８に示す
ように基板１上に陽極２／有機層３（正孔注入層／発光
層／電子輸送層）／陰極４により構成されている。５０
ｍｍ×２５ｍｍのガラス基板（ＨＯＹＡ製、ＮＡ４５、
１．１ｍｍ厚）上にＩＴＯをスパッタリングによって１
００ｎｍ積層した。この際、メタルマスクを用いＩＴＯ
を２ｍｍ×５０ｍｍの帯状になるように形成した。この
ときのシート抵抗は２０Ω／□であった。
【００３４】有機発光層の形成は抵抗加熱式真空蒸着を
用いて行った。真空槽の上部に設置した基板に対し、下
方２５０ｍｍの距離にモリブデン製のボートを設置、基
板への入射角は３８度の配置にし、基板回転は毎分３０
回転とした。圧力が５×１０ -7 Ｔｏｒｒに到達した時
点で蒸着を開始、基板横に装着した水晶振動子式膜厚制
御装置により蒸着速度を制御した。蒸着速度は毎秒０．
１５ｎｍと設定して行った。正孔注入層として化合物
［１５］を上記条件にて４０ｎｍ形成したのち、発光層
として［５］を７０ｎｍ、電子輸送層として［１９］を
４０ｎｍ順次同条件にて蒸着した。
用いて行った。真空槽の上部に設置した基板に対し、下
方２５０ｍｍの距離にモリブデン製のボートを設置、基
板への入射角は３８度の配置にし、基板回転は毎分３０
回転とした。圧力が５×１０ -7 Ｔｏｒｒに到達した時
点で蒸着を開始、基板横に装着した水晶振動子式膜厚制
御装置により蒸着速度を制御した。蒸着速度は毎秒０．
１５ｎｍと設定して行った。正孔注入層として化合物
［１５］を上記条件にて４０ｎｍ形成したのち、発光層
として［５］を７０ｎｍ、電子輸送層として［１９］を
４０ｎｍ順次同条件にて蒸着した。
【００３５】つぎに陰極としてマグネシウム−銀合金を
それぞれ独立のボートより同時に蒸着し陰極を形成し
た。このとき、マグネシウム対銀の蒸着速度がそれぞれ
毎秒１．０ｎｍ、０．２ｎｍとなるように上記膜厚制御
装置にて制御し、膜厚は２００ｎｍとした。蒸着時にメ
タルマスクを用い、２５ｍｍ×２ｍｍの帯状パターンを
ＩＴＯの帯状パターンと直交する方向に、１ｍｍ間隔で
１２個形成し陰極とした。この素子は電圧を１０Ｖ印加
時に、電流密度は５０ｍＡ／ｃｍ2、輝度は１９５０ｃ
ｄ／ｍ2を示した。したがって効率は、３．９ｃｄ／
Ａ、１．２２ｌｍ／Ｗとなる。
それぞれ独立のボートより同時に蒸着し陰極を形成し
た。このとき、マグネシウム対銀の蒸着速度がそれぞれ
毎秒１．０ｎｍ、０．２ｎｍとなるように上記膜厚制御
装置にて制御し、膜厚は２００ｎｍとした。蒸着時にメ
タルマスクを用い、２５ｍｍ×２ｍｍの帯状パターンを
ＩＴＯの帯状パターンと直交する方向に、１ｍｍ間隔で
１２個形成し陰極とした。この素子は電圧を１０Ｖ印加
時に、電流密度は５０ｍＡ／ｃｍ2、輝度は１９５０ｃ
ｄ／ｍ2を示した。したがって効率は、３．９ｃｄ／
Ａ、１．２２ｌｍ／Ｗとなる。
【００３６】実施例１ 比較例と同様のガラス基板上に、幅１μｍ、間隔１μｍ
のパターン形成をフォトリソグラフィ工程を用いて行っ
た。基板上にｉ線レジスト（東京応化製 ＴＨＭＲ−ｉ
Ｐ１７００）をスピンコート法により２μｍ厚に形成
し、ｉ線ステッパーを用いパターン形成を行った。次に
その基板を、フッ化水素酸溶液に浸漬し深さ２００ｎｍ
の溝を形成し、残存レジストを専用の剥離液を用い除去
した。この上に陰極としてマグネシウム−銀合金を比較
例１と同様な条件で２００ｎｍ蒸着し、有機層、ＩＴＯ
を順次積層した。
のパターン形成をフォトリソグラフィ工程を用いて行っ
た。基板上にｉ線レジスト（東京応化製 ＴＨＭＲ−ｉ
Ｐ１７００）をスピンコート法により２μｍ厚に形成
し、ｉ線ステッパーを用いパターン形成を行った。次に
その基板を、フッ化水素酸溶液に浸漬し深さ２００ｎｍ
の溝を形成し、残存レジストを専用の剥離液を用い除去
した。この上に陰極としてマグネシウム−銀合金を比較
例１と同様な条件で２００ｎｍ蒸着し、有機層、ＩＴＯ
を順次積層した。
【００３７】この素子に１０Ｖの電圧を印加したとこ
ろ、５５ｍＡ／ｃｍ2の電流密度で、輝度は３２６５ｃ
ｄ／ｍ2であった。したがって効率は、５．９４ｃｄ／
Ａ、１．８６ｌｍ／Ｗとなった。
ろ、５５ｍＡ／ｃｍ2の電流密度で、輝度は３２６５ｃ
ｄ／ｍ2であった。したがって効率は、５．９４ｃｄ／
Ａ、１．８６ｌｍ／Ｗとなった。
【００３８】実施例２ パターンとして、幅０．４０μｍ、間隔０．４０μｍと
なる以外は実施例１と全く同様に作成した。
なる以外は実施例１と全く同様に作成した。
【００３９】この素子に１０Ｖの電圧を印加したとこ
ろ、５８ｍＡ／ｃｍ2の電流密度で、輝度は４０２８ｃ
ｄ／ｍ2であった。したがって効率は、６．９４ｃｄ／
Ａ、２．１８ｌｍ／Ｗとなった。
ろ、５８ｍＡ／ｃｍ2の電流密度で、輝度は４０２８ｃ
ｄ／ｍ2であった。したがって効率は、６．９４ｃｄ／
Ａ、２．１８ｌｍ／Ｗとなった。
【００４０】実施例３ 基板上に回折格子の溝の加工として実施例１と同様に行
なった後、酸化チタンをターゲットとしてスパッタリン
グ法により溝の上に高屈折率層を５００ｎｍ形成後、通
常の光学研磨を行いこの面を平坦化した。その上にＩＴ
Ｏ、有機層、陰極を比較例１と全く同様にして形成し素
子を作成した。
なった後、酸化チタンをターゲットとしてスパッタリン
グ法により溝の上に高屈折率層を５００ｎｍ形成後、通
常の光学研磨を行いこの面を平坦化した。その上にＩＴ
Ｏ、有機層、陰極を比較例１と全く同様にして形成し素
子を作成した。
【００４１】この素子に電圧を１０Ｖ印加した時に、電
流密度は５０ｍＡ／ｃｍ2、輝度は２６２３ｃｄ／ｍ2を
示した。したがって効率は、５．２４６ｃｄ／Ａ、１．
６４７ｌｍ／Ｗであった。
流密度は５０ｍＡ／ｃｍ2、輝度は２６２３ｃｄ／ｍ2を
示した。したがって効率は、５．２４６ｃｄ／Ａ、１．
６４７ｌｍ／Ｗであった。
【００４２】実施例４ 二次元格子として図７に示すパターンを使用する以外
は、実施例１と全く同様に素子を作成した。この素子に
電圧を１０Ｖ印加したときの電流密度は５２ｍＡ／ｃｍ
2で、輝度は３７３３ｃｄ／ｍ2であった。したがって、
効率は７．１７ｃｄ／Ａ、２．２５ｌｍ／Ｗであった。
は、実施例１と全く同様に素子を作成した。この素子に
電圧を１０Ｖ印加したときの電流密度は５２ｍＡ／ｃｍ
2で、輝度は３７３３ｃｄ／ｍ2であった。したがって、
効率は７．１７ｃｄ／Ａ、２．２５ｌｍ／Ｗであった。
【００４３】実施例５ 二次元格子として図７に示すパターンを使用する以外
は、実施例３と全く同様に素子を作成した。この素子に
電圧を１０Ｖ印加したときの電流密度は５８ｍＡ／ｃｍ
2で、輝度は３２１０ｃｄ／ｍ2であった。したがって、
効率は５．５３ｃｄ／Ａ、１．７３ｌｍ／Ｗであった。
は、実施例３と全く同様に素子を作成した。この素子に
電圧を１０Ｖ印加したときの電流密度は５８ｍＡ／ｃｍ
2で、輝度は３２１０ｃｄ／ｍ2であった。したがって、
効率は５．５３ｃｄ／Ａ、１．７３ｌｍ／Ｗであった。
【００４４】実施例６ 二次元格子として図６に示すパターンを使用し、各輪帯
の幅並びに間隔はフレネルによる輪帯構成法に基づき、
式２で表される中心からの半径ｒにより決定した。
の幅並びに間隔はフレネルによる輪帯構成法に基づき、
式２で表される中心からの半径ｒにより決定した。
【００４５】
【数２】 但し、ｌ＝０．０８μｍ、ｒ0＝３ｍｍ、ｎは１から１
００までの整数であり、ｎが偶数から奇数となる間の幅
を溝となるように加工した。このゾーンパターンを基板
面上の５ｍｍ角の領域に敷き詰めるように形成し、この
後平坦化等の処置並びに素子の積層方法は実施例３と同
様に行なった。
００までの整数であり、ｎが偶数から奇数となる間の幅
を溝となるように加工した。このゾーンパターンを基板
面上の５ｍｍ角の領域に敷き詰めるように形成し、この
後平坦化等の処置並びに素子の積層方法は実施例３と同
様に行なった。
【００４６】この素子に電圧を１０Ｖ印可したときの電
流密度は５０ｍＡ／ｃｍ2で、輝度は３６４０ｃｄ／ｍ2
であった。したがって、効率は７．２８ｃｄ／Ａ、２．
２８ｌｍ／Ｗであった。
流密度は５０ｍＡ／ｃｍ2で、輝度は３６４０ｃｄ／ｍ2
であった。したがって、効率は７．２８ｃｄ／Ａ、２．
２８ｌｍ／Ｗであった。
【００４７】
【発明の効果】以上説明したとおり、本発明の有機エレ
クトロルミネッセンス素子の素子構造を用いることによ
り、従来に比べて高効率な発光素子が得られ、本発明の
効果は大である。
クトロルミネッセンス素子の素子構造を用いることによ
り、従来に比べて高効率な発光素子が得られ、本発明の
効果は大である。
【図１】本発明の反射型回折格子を有する素子構造を説
明する断面図である。
明する断面図である。
【図２】本発明の透過型回折格子を有する素子構造を説
明する断面図である。
明する断面図である。
【図３】回折格子における光の反射の説明図である。
【図４】格子間隔１μｍ、波長５００ｎｍ、屈折率１．
７としたときの回折格子の入射角と出射角の関係の説明
図である。
７としたときの回折格子の入射角と出射角の関係の説明
図である。
【図５】回折格子における１次回折の入射角と出射角の
格子間隔対光学波長比の依存性の計算例を示す図であ
る。
格子間隔対光学波長比の依存性の計算例を示す図であ
る。
【図６】ゾーンプレートを説明する平面図である。
【図７】実施例４、５に使用した二次元格子のパターン
の平面図である。
の平面図である。
【図８】従来の有機エレクトロルミネッセンス素子を説
明する断面図である。
明する断面図である。
１ 基板 ２ 陽極 ３ 発光層 ４ 陰極 ５ 回折格子
【手続補正書】
【提出日】平成１１年２月１０日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項２
【補正方法】変更
【補正内容】
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項４
【補正方法】変更
【補正内容】
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１０】２．上記陽極および陰極が同一画素を形成
し、これら両電極のうち、一方の電極が可視光を反射す
る電極であり、この反射電極に回折格子又はゾーンプレ
ートが形成されている上記１に記載の有機エレクトロル
ミネッセンス素子。
し、これら両電極のうち、一方の電極が可視光を反射す
る電極であり、この反射電極に回折格子又はゾーンプレ
ートが形成されている上記１に記載の有機エレクトロル
ミネッセンス素子。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１２】４．上記陽極および陰極が同一画素を形成
し、これら陽極又は陰極のうち、一方の電極が可視光を
反射する電極であり、その対向電極側に回折格子又はゾ
ーンプレートが形成されていることを特徴とする上記１
に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
し、これら陽極又は陰極のうち、一方の電極が可視光を
反射する電極であり、その対向電極側に回折格子又はゾ
ーンプレートが形成されていることを特徴とする上記１
に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正内容】
【００２２】通常の回折格子の場合はストライプに平行
な方向に対しては回折効果が起らないためこの方向の光
取出しを向上させることができない。この点を改良する
ために二次元の回折格子が使用可能である。あるいは溝
のパターンを同心円上に描いた回折格子もまた使用可能
である。この場合、同心円上の溝の間隔は周期的であっ
ても図６に示すようなゾーンプレートを形成する間隔規
則に則っていてもよい。またこれらの形成法も前記回折
格子の場合に準じ、基板の形状を加工する場合、電極自
身でパターン化する場合の何れの方法も可能であり、溝
の形状等もいかなるものも可能である。 ─────────────────────────────────────────────────────
な方向に対しては回折効果が起らないためこの方向の光
取出しを向上させることができない。この点を改良する
ために二次元の回折格子が使用可能である。あるいは溝
のパターンを同心円上に描いた回折格子もまた使用可能
である。この場合、同心円上の溝の間隔は周期的であっ
ても図６に示すようなゾーンプレートを形成する間隔規
則に則っていてもよい。またこれらの形成法も前記回折
格子の場合に準じ、基板の形状を加工する場合、電極自
身でパターン化する場合の何れの方法も可能であり、溝
の形状等もいかなるものも可能である。 ─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成１１年７月１５日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正内容】
【特許請求の範囲】
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００９】１．陽極と陰極間に発光層を含む一層以上
の有機層を有する有機エレクトロルミネッセンス素子に
おいて、素子界面での全反射を抑制する位置に回折格子
又はゾーンプレートが構成要素として形成されているこ
とを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
の有機層を有する有機エレクトロルミネッセンス素子に
おいて、素子界面での全反射を抑制する位置に回折格子
又はゾーンプレートが構成要素として形成されているこ
とを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１２】４． 上記陽極および陰極が同一画素を形
成し、これら陽極又は陰極のうち、一方の電極が可視光
を反射する電極であり、他方の電極上あるいは他方の電
極と光の取出し面との間に、素子界面での全反射を抑制
する位置に回折格子又はゾーンプレートが形成されてい
ることを特徴とする請求項１記載の有機エレクトロルミ
ネッセンス素子。
成し、これら陽極又は陰極のうち、一方の電極が可視光
を反射する電極であり、他方の電極上あるいは他方の電
極と光の取出し面との間に、素子界面での全反射を抑制
する位置に回折格子又はゾーンプレートが形成されてい
ることを特徴とする請求項１記載の有機エレクトロルミ
ネッセンス素子。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１３】５．上記素子が透明基板、回折格子又はゾ
ーンプレート、透明電極、有機層、反射電極の順に積層
された構造を持つことを特徴とする上記４に記載の有機
エレクトロルミネッセンス素子。 ６．上記素子において一方の電極が可視光を反射する電
極であり、他方の電極自身が回析格子又はゾーンプレー
トを形成している上記４に記載の有機エレクトロルミネ
ッセンス素子。
ーンプレート、透明電極、有機層、反射電極の順に積層
された構造を持つことを特徴とする上記４に記載の有機
エレクトロルミネッセンス素子。 ６．上記素子において一方の電極が可視光を反射する電
極であり、他方の電極自身が回析格子又はゾーンプレー
トを形成している上記４に記載の有機エレクトロルミネ
ッセンス素子。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１４】７．上記回折格子又はゾーンプレートが遮
光部分を持たないことを特徴とする上記４，５又は６に
記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
光部分を持たないことを特徴とする上記４，５又は６に
記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１５】８．前記回折格子が二次元周期を持つこと
を特徴とする上記１ないし７に記載の有機エレクトロル
ミネッセンス素子。
を特徴とする上記１ないし７に記載の有機エレクトロル
ミネッセンス素子。
Claims (7)
- 【請求項１】 陽極と陰極間に発光層を含む一層以上の
有機層を有する有機エレクトロルミネッセンス素子にお
いて、回折格子又はゾーンプレートを構成要素とするこ
とを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。 - 【請求項２】 上記陽極および陰極が同一画素を形成
し、これら両電極のうち、少なくとも一方の電極が可視
光を反射する電極であり、この反射電極に回折格子又は
ゾーンプレートが形成されている請求項１記載の有機エ
レクトロルミネッセンス素子。 - 【請求項３】 上記素子構造が基板、回折格子又はゾー
ンプレート、反射電極、有機層、透明電極の順に積層し
た構造を持つことを特徴とする請求項２記載の有機エレ
クトロルミネッセンス素子。 - 【請求項４】 上記陽極および陰極が同一画素を形成
し、これら陽極又は陰極のうち、少なくとも一方の電極
が可視光を反射する電極であり、透明電極側に回折格子
又はゾーンプレートが形成されていることを特徴とする
請求項１記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。 - 【請求項５】 上記素子が透明基板、回折格子又はゾー
ンプレート、透明電極、有機層、反射電極の順に積層さ
れた構造を持つことを特徴とする請求項４記載の有機エ
レクトロルミネッセンス素子。 - 【請求項６】 上記回折格子又はゾーンプレートが遮光
部分を持たないことを特徴とする請求項４又は５記載の
有機エレクトロルミネッセンス素子。 - 【請求項７】 前記回折格子が二次元周期を持つことを
特徴とする請求項１ないし６記載の有機エレクトロルミ
ネッセンス素子。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10081860A JP2991183B2 (ja) | 1998-03-27 | 1998-03-27 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| US09/275,409 US6476550B1 (en) | 1998-03-27 | 1999-03-24 | Organic Electroluminescent device with a defraction grading and luminescent layer |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10081860A JP2991183B2 (ja) | 1998-03-27 | 1998-03-27 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11283751A true JPH11283751A (ja) | 1999-10-15 |
| JP2991183B2 JP2991183B2 (ja) | 1999-12-20 |
Family
ID=13758248
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10081860A Expired - Fee Related JP2991183B2 (ja) | 1998-03-27 | 1998-03-27 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6476550B1 (ja) |
| JP (1) | JP2991183B2 (ja) |
Cited By (123)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000040584A (ja) * | 1998-07-23 | 2000-02-08 | Toppan Printing Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス表示素子 |
| JP2001230069A (ja) * | 1999-12-08 | 2001-08-24 | Nec Corp | 有機ｅｌ素子及びその製造方法 |
| EP1177587A1 (en) | 1999-05-12 | 2002-02-06 | University Of Durham | Light emitting diode with improved efficiency |
| WO2002035890A1 (fr) * | 2000-10-25 | 2002-05-02 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Element lumineux, dispositif d'affichage et dispositif d'eclairage mettant cet element en application |
| JP2002134267A (ja) * | 2000-10-30 | 2002-05-10 | Dainippon Printing Co Ltd | 電界発光素子 |
| JP2002313562A (ja) * | 2001-04-16 | 2002-10-25 | Seiko Epson Corp | 発光素子及び発光素子の製造方法 |
| JP2003036969A (ja) * | 2000-10-25 | 2003-02-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 発光素子、及びそれを用いた表示装置と照明装置 |
| JP2003115377A (ja) * | 2001-10-03 | 2003-04-18 | Nec Corp | 発光素子、その製造方法およびこれを用いた表示装置 |
| GB2390215A (en) * | 2002-06-27 | 2003-12-31 | Eastman Kodak Co | OLED display with surface plasmon outcoupling |
| JP2004014529A (ja) * | 1999-12-08 | 2004-01-15 | Nec Corp | 有機ｅｌ素子 |
| EP1383180A2 (en) * | 2002-07-16 | 2004-01-21 | Eastman Kodak Company | Organic light emitting diode display |
| JP2004139988A (ja) * | 2002-10-15 | 2004-05-13 | Eastman Kodak Co | 有機発光ダイオード（ｏｌｅｄ）デバイス |
| US6787796B2 (en) | 2002-02-27 | 2004-09-07 | Samsung Sdi Co., Ltd. | Organic electroluminescent display device and method of manufacturing the same |
| JP2004273122A (ja) * | 2003-03-04 | 2004-09-30 | Abel Systems Inc | 面発光装置 |
| WO2004086821A1 (ja) * | 2003-03-25 | 2004-10-07 | Kyoto University | 発光素子及び有機エレクトロルミネセンス発光素子 |
| JP2004311419A (ja) * | 2003-03-25 | 2004-11-04 | Kyoto Univ | 発光素子及び有機エレクトロルミネセンス発光素子 |
| EP1476002A2 (en) | 2003-05-08 | 2004-11-10 | Samsung SDI Co., Ltd. | Method of manufacturing a substrate for organic electroluminescent device |
| WO2005017861A1 (ja) * | 2003-08-13 | 2005-02-24 | Toshiba Matsushita Display Technology Co., Ltd. | 光学デバイス及び有機ｅｌディスプレイ |
| JP2005050708A (ja) * | 2003-07-29 | 2005-02-24 | Samsung Sdi Co Ltd | 光学素子用基板及び有機エレクトロルミネッセンス素子並びに有機エレクトロルミネッセンス表示装置 |
| JP2005063838A (ja) * | 2003-08-13 | 2005-03-10 | Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd | 光学デバイス及び有機ｅｌ表示装置 |
| US6873099B2 (en) | 2001-05-31 | 2005-03-29 | Seiko Epson Corporation | EL device, EL display, EL illumination apparatus, liquid crystal apparatus using the EL illumination apparatus and electronic apparatus |
| US6917160B2 (en) | 2002-09-19 | 2005-07-12 | Samsung Sdi Co., Ltd. | Organic electroluminescent display and method of manufacturing the same |
| JP2005524964A (ja) * | 2002-05-08 | 2005-08-18 | ゼオラックス コーポレーション | フィードバック増強型発光ダイオードを使用したディスプレイデバイス＜関連出願の記載＞本願は、２００２年５月８日出願の米国仮出願第６０／３７９，１４１号（その全部が引用により本文書に組み込まれている）の利益を主張する。本願は、２００３年５月８日出願の「フィードバック増強型発光デバイス（ｆｅｅｄｂａｃｋｅｎｈａｎｃｅｄｌｉｇｈｔｅｍｉｔｔｉｎｇｄｅｖｉｃｅ）」と称する米国特許出願第号、および２００３年５月８日出願の「フィードバック増強型発光ダイオードを使用した照明装置（ｌｉｇｈｔｉｎｇｄｅｖｉｃｅｓｕｓｉｎｇｆｅｅｄｂａｃｋｅｎｈａｎｃｅｄｌｉｇｈｔｅｍｉｔｔｉｎｇｄｉｏｄｅ）」と称する米国特許出願第号（これら出願は、その全部が引用により本文書に組み込まれている）に関連している。 |
| JP2005251525A (ja) * | 2004-03-03 | 2005-09-15 | Kyoto Univ | 有機発光素子 |
| US7030555B2 (en) | 2003-04-04 | 2006-04-18 | Nitto Denko Corporation | Organic electroluminescence device, planar light source and display device using the same |
| JP2006114432A (ja) * | 2004-10-18 | 2006-04-27 | Konica Minolta Holdings Inc | 面発光素子 |
| EP1657764A1 (en) | 2004-11-10 | 2006-05-17 | Samsung SDI Co., Ltd. | light-emitting device having optical resonance layer |
| JP2006128011A (ja) * | 2004-10-29 | 2006-05-18 | Konica Minolta Holdings Inc | 面発光素子 |
| JP2006190671A (ja) * | 2005-01-07 | 2006-07-20 | Samsung Sdi Co Ltd | 電界発光素子及びその製造方法 |
| US7084565B2 (en) | 2003-03-06 | 2006-08-01 | Samsung Sdi Co., Ltd. | Assembly of organic electroluminescence display device |
| JP2006236655A (ja) * | 2005-02-23 | 2006-09-07 | Konica Minolta Holdings Inc | 有機電界発光装置 |
| US7109651B2 (en) | 2002-11-26 | 2006-09-19 | Nitto Denko Corporation | Organic electroluminescence cell, planar light source and display device |
| JP2006269294A (ja) * | 2005-03-24 | 2006-10-05 | Konica Minolta Holdings Inc | 有機エレクトロルミネッセンス素子ならびにこれを備えた照明装置および表示装置 |
| JP2006294617A (ja) * | 2005-04-08 | 2006-10-26 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Private Ltd | 指向性の有機発光ダイオードのための方法および装置 |
| KR100730121B1 (ko) | 2004-11-29 | 2007-06-19 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 전계 발광 소자 및 그 제조 방법 |
| WO2007077810A1 (ja) | 2006-01-05 | 2007-07-12 | Konica Minolta Holdings, Inc. | 有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置及び照明装置 |
| WO2007114244A1 (ja) | 2006-03-30 | 2007-10-11 | Konica Minolta Holdings, Inc. | 有機エレクトロルミネッセンス素子、照明装置及びディスプレイ装置 |
| WO2007119473A1 (ja) | 2006-03-30 | 2007-10-25 | Konica Minolta Holdings, Inc. | 有機エレクトロルミネッセンス素子、有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法、照明装置及びディスプレイ装置 |
| KR100778582B1 (ko) * | 2005-02-10 | 2007-11-22 | 가부시끼가이샤 도시바 | 유기 ｅｌ 디스플레이 |
| JP2007316584A (ja) * | 2006-04-28 | 2007-12-06 | Toyota Industries Corp | 表示装置 |
| KR100786469B1 (ko) | 2006-06-09 | 2007-12-17 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기발광소자 및 그 제조방법 |
| US7329611B2 (en) | 2002-04-11 | 2008-02-12 | Nec Corporation | Method for forming finely-structured parts, finely-structured parts formed thereby, and product using such finely-structured part |
| US7362047B2 (en) | 2004-08-03 | 2008-04-22 | Samsung Sdi Co., Ltd. | Inorganic electroluminescent display device and method of manufacturing the same |
| EP1930965A1 (en) | 2006-10-23 | 2008-06-11 | NEC Lighting, Ltd. | Electroluminescent device and electroluminescent panel |
| WO2008072596A1 (ja) | 2006-12-13 | 2008-06-19 | Konica Minolta Holdings, Inc. | 有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置及び照明装置 |
| JP2008186815A (ja) * | 2001-03-23 | 2008-08-14 | Mitsubishi Chemicals Corp | 薄膜型発光体及びその製造方法 |
| KR100865622B1 (ko) * | 2002-08-26 | 2008-10-27 | 삼성전자주식회사 | 디스플레이의 휘도 향상을 위한 광자결정 구조의 형성방법 |
| KR100894625B1 (ko) | 2003-05-22 | 2009-04-24 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기 전계 발광 소자 |
| WO2009064020A1 (en) * | 2007-11-14 | 2009-05-22 | Canon Kabushiki Kaisha | Light emitting device |
| WO2009063636A1 (ja) * | 2007-11-13 | 2009-05-22 | Panasonic Corporation | シート及び発光装置 |
| WO2009064019A1 (en) * | 2007-11-14 | 2009-05-22 | Canon Kabushiki Kaisha | Light-emitting apparatus |
| JP2009140915A (ja) * | 2007-11-14 | 2009-06-25 | Canon Inc | 発光装置 |
| JP2009140913A (ja) * | 2007-11-14 | 2009-06-25 | Canon Inc | 発光装置 |
| US7589461B2 (en) | 2003-11-28 | 2009-09-15 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Organic electroluminescent display device having a photonic crystal layer provided over electroluminescent stack |
| JP2009211868A (ja) * | 2008-03-03 | 2009-09-17 | Dainippon Printing Co Ltd | 発光素子からの光取出し構造 |
| EP2123733A2 (en) | 2008-05-13 | 2009-11-25 | Konica Minolta Holdings, Inc. | Organic electroluminescent element, display device and lighting device |
| US7696687B2 (en) | 2004-06-26 | 2010-04-13 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Organic electroluminescent display device with nano-porous layer |
| US7699482B2 (en) | 2002-09-25 | 2010-04-20 | Fujifilm Corporation | Light-emitting element |
| US7722965B2 (en) | 2003-12-26 | 2010-05-25 | Nitto Denko Corporation | Electroluminescence device, planar light source and display using the same |
| WO2010087222A1 (ja) | 2009-01-28 | 2010-08-05 | コニカミノルタホールディングス株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置及び照明装置 |
| WO2010090077A1 (ja) | 2009-02-06 | 2010-08-12 | コニカミノルタホールディングス株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子、該素子を備えた照明装置及び表示装置 |
| US7786665B2 (en) | 2005-01-06 | 2010-08-31 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Organic electroluminescent device having a diffraction grating for enhancing light extraction efficiency |
| JP2010257573A (ja) * | 2009-03-31 | 2010-11-11 | Fujifilm Corp | 発光素子 |
| WO2011004639A1 (ja) | 2009-07-07 | 2011-01-13 | コニカミノルタホールディングス株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子、新規な化合物、照明装置及び表示装置 |
| JP2011511953A (ja) * | 2007-12-14 | 2011-04-14 | スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー | 電子デバイス製造方法 |
| US7973469B2 (en) | 2006-09-12 | 2011-07-05 | Konica Minolta Holdings, Inc. | Organic electroluminescence element, and illuminating device and display device therewith |
| JP2011154050A (ja) * | 2010-01-25 | 2011-08-11 | Dainippon Printing Co Ltd | ホログラムシート |
| JP2011154051A (ja) * | 2010-01-25 | 2011-08-11 | Dainippon Printing Co Ltd | ホログラムシート |
| JP2011170358A (ja) * | 1999-12-15 | 2011-09-01 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 電気器具 |
| JP2011222421A (ja) * | 2010-04-13 | 2011-11-04 | Asahi Kasei E-Materials Corp | 発光デバイス |
| EP2424335A1 (en) | 2010-08-31 | 2012-02-29 | Nitto Denko Corporation | Organic electroluminescent light emitting device |
| US8134291B2 (en) | 2005-01-07 | 2012-03-13 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Electroluminescent device and method for preparing the same |
| JP2012133945A (ja) * | 2010-12-20 | 2012-07-12 | Canon Inc | 発光素子 |
| US8227966B2 (en) | 2008-12-26 | 2012-07-24 | Panasonic Corporation | Sheet and light emitting apparatus |
| US8232572B2 (en) | 2007-11-14 | 2012-07-31 | Canon Kabushiki Kaisha | Light emitting device |
| WO2012111548A1 (ja) | 2011-02-16 | 2012-08-23 | コニカミノルタホールディングス株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子、照明装置及び表示装置 |
| WO2012137640A1 (ja) | 2011-04-07 | 2012-10-11 | コニカミノルタホールディングス株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子及び照明装置 |
| WO2012153603A1 (ja) | 2011-05-10 | 2012-11-15 | コニカミノルタホールディングス株式会社 | 燐光発光有機エレクトロルミネッセンス素子及び照明装置 |
| US8355204B2 (en) | 2008-03-10 | 2013-01-15 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Light-extraction layer of light-emitting device and organic electroluminescence element employing the same |
| EP2562229A1 (en) | 2011-08-25 | 2013-02-27 | Konica Minolta Holdings, Inc. | Organic electroluminescence element, lighting device and display device |
| JP2013048102A (ja) * | 2012-10-15 | 2013-03-07 | Panasonic Corp | 発光素子 |
| US8430539B2 (en) | 2009-05-12 | 2013-04-30 | Panasonic Corporation | Sheet and light emitting device |
| JP2013127910A (ja) * | 2011-12-19 | 2013-06-27 | Dainippon Printing Co Ltd | 光学素子ならびにそれを用いた発光素子および有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| US8475004B2 (en) | 2009-05-12 | 2013-07-02 | Panasonic Corporation | Optical sheet, light-emitting device, and method for manufacturing optical sheet |
| US8482194B2 (en) | 2009-05-13 | 2013-07-09 | Canon Kabushiki Kaisha | Display apparatus having a circular polarizer |
| US8491160B2 (en) | 2009-05-12 | 2013-07-23 | Panasonic Corporation | Sheet, light emitting device, and method for producing the sheet |
| EP2623508A1 (en) | 2012-02-02 | 2013-08-07 | Konica Minolta Advanced Layers, Inc. | Iridium complex compound, organic electroluminescent element material, organic electroluminescent element, illumination device and display device |
| US8564191B2 (en) | 2010-06-10 | 2013-10-22 | Canon Kabushiki Kaisha | Light emitting substrate having photonic crystal structure and image display apparatus including the same |
| EP2671935A1 (en) | 2012-05-21 | 2013-12-11 | Konica Minolta, Inc. | Organic electroluminescence device, lighting equipment and display device |
| EP2677559A1 (en) | 2012-06-21 | 2013-12-25 | Konica Minolta, Inc. | Organic electroluminescent element, display device and lighting device |
| WO2014002927A1 (ja) | 2012-06-27 | 2014-01-03 | Ｌｕｍｉｏｔｅｃ株式会社 | 有機エレクトロルミネッセント素子及び照明装置 |
| WO2014024668A1 (ja) | 2012-08-07 | 2014-02-13 | コニカミノルタ株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子、照明装置及び表示装置 |
| WO2014038456A1 (ja) | 2012-09-04 | 2014-03-13 | コニカミノルタ株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子、照明装置及び表示装置 |
| US8686630B2 (en) | 2009-02-09 | 2014-04-01 | Konica Minolta Holdings, Inc. | Organic electroluminescence element and illumination device using the same |
| US8733983B2 (en) | 2009-05-12 | 2014-05-27 | Panasonic Corporation | Sheet and light-emitting device |
| WO2014092014A1 (ja) | 2012-12-10 | 2014-06-19 | コニカミノルタ株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子、照明装置及び表示装置 |
| WO2014091958A1 (ja) | 2012-12-10 | 2014-06-19 | コニカミノルタ株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子材料、有機エレクトロルミネッセンス素子、照明装置及び表示装置 |
| WO2014157618A1 (ja) | 2013-03-29 | 2014-10-02 | コニカミノルタ株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子、それを具備した照明装置及び表示装置 |
| WO2014157610A1 (ja) | 2013-03-29 | 2014-10-02 | コニカミノルタ株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子、照明装置、表示装置、有機ルミネッセンス素子用発光性薄膜と組成物及び発光方法 |
| WO2014156922A1 (ja) | 2013-03-29 | 2014-10-02 | コニカミノルタ株式会社 | 異性体混合金属錯体組成物、有機エレクトロルミネッセンス素子、照明装置及び表示装置 |
| JP2015005494A (ja) * | 2013-05-22 | 2015-01-08 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 有機ｅｌ照明の光取り出し基板 |
| JPWO2013035299A1 (ja) * | 2011-09-07 | 2015-03-23 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 発光装置および光シート |
| US8987711B2 (en) | 2009-11-19 | 2015-03-24 | Konica Minolta Holdings, Inc. | Organic electroluminescence element, method for producing organic electroluminescence element, and illumination device using organic electroluminescence element |
| JP2016018450A (ja) * | 2014-07-09 | 2016-02-01 | 大日本印刷株式会社 | 電極フィルムの積層体及び画像表示装置 |
| US9515239B2 (en) | 2014-02-28 | 2016-12-06 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Light-emitting device and light-emitting apparatus |
| US9518215B2 (en) | 2014-02-28 | 2016-12-13 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Light-emitting device and light-emitting apparatus |
| US9620740B2 (en) | 2012-10-11 | 2017-04-11 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Organic electroluminescence element and lighting device |
| US9618697B2 (en) | 2014-02-28 | 2017-04-11 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Light directional angle control for light-emitting device and light-emitting apparatus |
| EP3200255A2 (en) | 2016-01-06 | 2017-08-02 | Konica Minolta, Inc. | Organic electroluminescent element, method for producing organic electroluminescent element, display, and lighting device |
| US9882100B2 (en) | 2015-08-20 | 2018-01-30 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Light-emitting device having surface structure for limiting directional angle of light |
| US9880336B2 (en) | 2014-02-28 | 2018-01-30 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Light-emitting device including photoluminescent layer |
| US9890912B2 (en) | 2014-02-28 | 2018-02-13 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Light-emitting apparatus including photoluminescent layer |
| US9899577B2 (en) | 2015-06-08 | 2018-02-20 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Light-emitting apparatus including photoluminescent layer |
| US10012780B2 (en) | 2014-02-28 | 2018-07-03 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Light-emitting device including photoluminescent layer |
| US10031276B2 (en) | 2015-03-13 | 2018-07-24 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Display apparatus including photoluminescent layer |
| US10094522B2 (en) | 2016-03-30 | 2018-10-09 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Light-emitting device having photoluminescent layer |
| US10115874B2 (en) | 2015-06-08 | 2018-10-30 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Light-emitting device including photoluminescent layer |
| US10113712B2 (en) | 2015-03-13 | 2018-10-30 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Light-emitting device including photoluminescent layer |
| US10182702B2 (en) | 2015-03-13 | 2019-01-22 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Light-emitting apparatus including photoluminescent layer |
| US10359155B2 (en) | 2015-08-20 | 2019-07-23 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Light-emitting apparatus |
| USRE49093E1 (en) | 2015-03-13 | 2022-06-07 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Light-emitting apparatus including photoluminescent layer |
| EP4271160A2 (en) | 2015-02-13 | 2023-11-01 | Merck Patent GmbH | Aromatic heterocyclic derivative, and organic electroluminescent element, illumination device, and display device using aromatic heterocyclic derivative |
| USRE50041E1 (en) | 2015-08-20 | 2024-07-16 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Light-emitting apparatus |
Families Citing this family (67)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3548839B2 (ja) * | 1998-10-23 | 2004-07-28 | 三星エスディアイ株式会社 | 正孔輸送性発光材料を用いた有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| JP2001051272A (ja) | 1999-08-11 | 2001-02-23 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | フロントライト及び電子機器 |
| TW516164B (en) | 2000-04-21 | 2003-01-01 | Semiconductor Energy Lab | Self-light emitting device and electrical appliance using the same |
| JP4053260B2 (ja) | 2000-10-18 | 2008-02-27 | シャープ株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス表示素子 |
| US6717359B2 (en) * | 2001-01-29 | 2004-04-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device and manufacturing method thereof |
| US6664730B2 (en) * | 2001-07-09 | 2003-12-16 | Universal Display Corporation | Electrode structure of el device |
| KR100437886B1 (ko) * | 2001-09-25 | 2004-06-30 | 한국과학기술원 | 고발광효율 광결정 유기발광소자 |
| US6903379B2 (en) | 2001-11-16 | 2005-06-07 | Gelcore Llc | GaN based LED lighting extraction efficiency using digital diffractive phase grating |
| US6833667B2 (en) | 2002-02-27 | 2004-12-21 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Organic electroluminescence element and image forming apparatus or portable terminal unit using thereof |
| US6888613B2 (en) * | 2002-03-01 | 2005-05-03 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Diffractive focusing using multiple selectively light opaque elements |
| JP2003308968A (ja) * | 2002-04-12 | 2003-10-31 | Rohm Co Ltd | エレクトロルミネッセンス発光素子及びその製法 |
| US6946677B2 (en) * | 2002-06-14 | 2005-09-20 | Nokia Corporation | Pre-patterned substrate for organic thin film transistor structures and circuits and related method for making same |
| US6965197B2 (en) * | 2002-10-01 | 2005-11-15 | Eastman Kodak Company | Organic light-emitting device having enhanced light extraction efficiency |
| NL1022269C2 (nl) * | 2002-12-24 | 2004-06-25 | Otb Group Bv | Werkwijze voor het vervaardigen van een organic electroluminescent display device, substraat ten gebruike bij een dergelijke werkwijze, alsmede een organic electroluminescent display device verkregen met de werkwijze. |
| KR100908234B1 (ko) * | 2003-02-13 | 2009-07-20 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 전계 발광 표시 장치 및 이의 제조방법 |
| US20040217702A1 (en) * | 2003-05-02 | 2004-11-04 | Garner Sean M. | Light extraction designs for organic light emitting diodes |
| GB2403023A (en) * | 2003-06-20 | 2004-12-22 | Sharp Kk | Organic light emitting device |
| KR100546652B1 (ko) * | 2003-06-30 | 2006-01-26 | 엘지전자 주식회사 | 유기 ｅｌ 소자 |
| US7126270B2 (en) * | 2003-06-30 | 2006-10-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Reflector for a light emitting device |
| TW200515836A (en) * | 2003-10-22 | 2005-05-01 | Hannstar Display Corp | Organic electroluminescent element |
| JP5005164B2 (ja) | 2004-03-03 | 2012-08-22 | 株式会社ジャパンディスプレイイースト | 発光素子，発光型表示装置及び照明装置 |
| US7682656B2 (en) * | 2004-06-14 | 2010-03-23 | Agruim Inc. | Process and apparatus for producing a coated product |
| JP4717882B2 (ja) * | 2004-06-14 | 2011-07-06 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 改善された発光プロファイルを備えるｌｅｄ |
| TWI285772B (en) * | 2004-06-18 | 2007-08-21 | Innolux Display Corp | A light guide plate and a backlight module using the same |
| US7540978B2 (en) | 2004-08-05 | 2009-06-02 | Novaled Ag | Use of an organic matrix material for producing an organic semiconductor material, organic semiconductor material and electronic component |
| DE102004042461A1 (de) * | 2004-08-31 | 2006-03-30 | Novaled Gmbh | Top-emittierendes, elektrolumineszierendes Bauelement mit Frequenzkonversionszentren |
| US7800301B2 (en) | 2004-09-06 | 2010-09-21 | Fujifilm Corporation | Organic electroluminescent device comprising a prism structure |
| JP2006100430A (ja) | 2004-09-28 | 2006-04-13 | Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd | 有機ｅｌ表示装置 |
| JP4511440B2 (ja) | 2004-10-05 | 2010-07-28 | 三星モバイルディスプレイ株式會社 | 有機発光素子及び有機発光素子の製造方法 |
| EP1648042B1 (en) | 2004-10-07 | 2007-05-02 | Novaled AG | A method for doping a semiconductor material with cesium |
| DE502005009415D1 (de) * | 2005-05-27 | 2010-05-27 | Novaled Ag | Transparente organische Leuchtdiode |
| EP1729346A1 (de) * | 2005-06-01 | 2006-12-06 | Novaled AG | Lichtemittierendes Bauteil mit einer Elektrodenanordnung |
| EP1753048B1 (de) * | 2005-08-11 | 2008-08-20 | Novaled AG | Verfahren zum Herstellen eines top-emittierenden Bauteils sowie Verwendung |
| KR101109195B1 (ko) * | 2005-12-19 | 2012-01-30 | 삼성전자주식회사 | 3차원 구조의 발광소자 및 그의 제조방법 |
| EP1808909A1 (de) * | 2006-01-11 | 2007-07-18 | Novaled AG | Elekrolumineszente Lichtemissionseinrichtung |
| KR20100017578A (ko) * | 2007-05-02 | 2010-02-16 | 코닌클리즈케 필립스 일렉트로닉스 엔.브이. | 접이식 또는 전개식 구성으로 ｏｌｅｄ 패널들을 사용하는 발광 장치 |
| US8179034B2 (en) | 2007-07-13 | 2012-05-15 | 3M Innovative Properties Company | Light extraction film for organic light emitting diode display and lighting devices |
| US20090152533A1 (en) * | 2007-12-17 | 2009-06-18 | Winston Kong Chan | Increasing the external efficiency of light emitting diodes |
| TW200929593A (en) * | 2007-12-20 | 2009-07-01 | Nat Univ Tsing Hua | Light source with reflective pattern structure |
| US20090160317A1 (en) * | 2007-12-21 | 2009-06-25 | Herschel Clement Burstyn | Increasing the external efficiency of organic light emitting diodes utilizing a diffraction grating |
| JP2009259792A (ja) * | 2008-03-26 | 2009-11-05 | Fujifilm Corp | 有機ｅｌ表示装置 |
| JP5288967B2 (ja) * | 2008-09-22 | 2013-09-11 | ユー・ディー・シー アイルランド リミテッド | 発光素子及びその製造方法、並びに該発光素子を備えるディスプレイ |
| JP5288966B2 (ja) | 2008-09-22 | 2013-09-11 | ユー・ディー・シー アイルランド リミテッド | 発光素子及びその製造方法、並びに該発光素子を備えるディスプレイ |
| KR100970482B1 (ko) * | 2008-12-04 | 2010-07-16 | 삼성전자주식회사 | 유기 발광소자 및 그 제조방법 |
| US7957621B2 (en) | 2008-12-17 | 2011-06-07 | 3M Innovative Properties Company | Light extraction film with nanoparticle coatings |
| WO2010070563A2 (en) * | 2008-12-19 | 2010-06-24 | Philips Intellectual Property & Standards Gmbh | Transparent organic light emitting diode |
| JP2010182449A (ja) | 2009-02-03 | 2010-08-19 | Fujifilm Corp | 有機ｅｌ表示装置 |
| JP5118659B2 (ja) * | 2009-02-24 | 2013-01-16 | パナソニック株式会社 | 発光素子 |
| JP2010230714A (ja) * | 2009-03-25 | 2010-10-14 | Fujifilm Corp | 光学シート及びその製造方法 |
| JP5538766B2 (ja) | 2009-07-28 | 2014-07-02 | キヤノン株式会社 | 画像表示装置 |
| JP5471162B2 (ja) * | 2009-08-25 | 2014-04-16 | 住友化学株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| JP5595033B2 (ja) | 2009-12-25 | 2014-09-24 | キヤノン株式会社 | 表示装置 |
| JP5818407B2 (ja) | 2010-04-12 | 2015-11-18 | キヤノン株式会社 | 発光装置 |
| JP5067518B2 (ja) * | 2010-06-04 | 2012-11-07 | コニカミノルタホールディングス株式会社 | 照明装置 |
| US20130186467A1 (en) | 2010-09-30 | 2013-07-25 | Mitsubishi Rayon Co., Ltd. | Mold having fine uneven structure in surface, method of manufacturing article having fine uneven structure in surface, use of article, laminated body expressing iris color, and surface-emitting body |
| US20140347609A1 (en) * | 2011-03-31 | 2014-11-27 | Chi Mei Materials Technology Corporation | Display apparatus and liquid crystal display device |
| TWI577523B (zh) | 2011-06-17 | 2017-04-11 | 三菱麗陽股份有限公司 | 表面具有凹凸結構的模具、光學物品、其製造方法、面發光體用透明基材及面發光體 |
| TWI470814B (zh) * | 2011-10-25 | 2015-01-21 | Au Optronics Corp | 太陽能電池 |
| CN104221180A (zh) | 2012-04-13 | 2014-12-17 | 旭化成电子材料株式会社 | 半导体发光元件用光提取体及发光元件 |
| WO2014141611A1 (ja) | 2013-03-13 | 2014-09-18 | パナソニック株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子及びそれを用いた照明装置 |
| US9595648B2 (en) | 2013-04-12 | 2017-03-14 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Light-emitting device |
| WO2014188631A1 (ja) | 2013-05-21 | 2014-11-27 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 発光装置 |
| CN103928635A (zh) * | 2014-04-18 | 2014-07-16 | 上海和辉光电有限公司 | 一种oled器件阳极结构 |
| US9324965B2 (en) * | 2014-04-22 | 2016-04-26 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Method and system for an organic light emitting diode structure |
| WO2016144779A1 (en) * | 2015-03-06 | 2016-09-15 | Massachusetts Institute Of Technology | Systems, methods, and apparatus for radiation detection |
| JP2016201257A (ja) | 2015-04-10 | 2016-12-01 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置の製造方法 |
| CN112349868B (zh) * | 2020-11-05 | 2021-12-24 | 安徽大学 | 一种光场可调的钙钛矿发光二极管 |
Family Cites Families (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0766856B2 (ja) | 1986-01-24 | 1995-07-19 | 株式会社小松製作所 | 薄膜ｅｌ素子 |
| JPS6354184A (ja) | 1986-08-26 | 1988-03-08 | 日建産業株式会社 | テ−プライナ− |
| JP2670572B2 (ja) | 1987-06-18 | 1997-10-29 | 株式会社小松製作所 | 薄膜ｅｌ素子 |
| JPH01220394A (ja) | 1988-02-29 | 1989-09-04 | Hitachi Ltd | 高輝度ｅｌ素子 |
| JP2659595B2 (ja) | 1989-10-18 | 1997-09-30 | 株式会社テック | 端面発光型ｅｌ素子 |
| JP3133095B2 (ja) | 1990-04-25 | 2001-02-05 | 兆岐 史 | 消化器病変組織の硬化剤 |
| JPH05264972A (ja) * | 1992-03-18 | 1993-10-15 | Canon Inc | 表示素子および表示装置 |
| US6052164A (en) | 1993-03-01 | 2000-04-18 | 3M Innovative Properties Company | Electroluminescent display with brightness enhancement |
| JP3220884B2 (ja) | 1993-07-08 | 2001-10-22 | セイコーエプソン株式会社 | 表示装置 |
| JP2931211B2 (ja) | 1994-09-13 | 1999-08-09 | 出光興産株式会社 | 有機ｅｌ装置 |
| JP3584575B2 (ja) | 1995-10-13 | 2004-11-04 | ソニー株式会社 | 光学的素子 |
| CN1275088C (zh) * | 1995-11-01 | 2006-09-13 | 松下电器产业株式会社 | 输出效率控制装置，投影式显示设备，红外传感器和非接触温度计 |
| US5705285A (en) * | 1996-09-03 | 1998-01-06 | Motorola, Inc. | Multicolored organic electroluminescent display |
| JP4073510B2 (ja) | 1996-12-13 | 2008-04-09 | 出光興産株式会社 | 有機ｅｌ発光装置 |
| JP3374035B2 (ja) | 1997-03-21 | 2003-02-04 | 三洋電機株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
-
1998
- 1998-03-27 JP JP10081860A patent/JP2991183B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1999
- 1999-03-24 US US09/275,409 patent/US6476550B1/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (164)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000040584A (ja) * | 1998-07-23 | 2000-02-08 | Toppan Printing Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス表示素子 |
| US6967437B1 (en) | 1999-05-12 | 2005-11-22 | University Of Durham | Light emitting diode with improved efficiency |
| EP1177587A1 (en) | 1999-05-12 | 2002-02-06 | University Of Durham | Light emitting diode with improved efficiency |
| EP1107334A3 (en) * | 1999-12-08 | 2005-07-20 | Samsung SDI Co., Ltd. | Organic electro-luminescence device and method for fabricating same |
| JP2004014529A (ja) * | 1999-12-08 | 2004-01-15 | Nec Corp | 有機ｅｌ素子 |
| JP2001230069A (ja) * | 1999-12-08 | 2001-08-24 | Nec Corp | 有機ｅｌ素子及びその製造方法 |
| US6734624B2 (en) | 1999-12-08 | 2004-05-11 | Nec Corporation | Organic electro-luminescence device and method for fabricating same |
| US8754577B2 (en) | 1999-12-15 | 2014-06-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | EL display device |
| JP2011170358A (ja) * | 1999-12-15 | 2011-09-01 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 電気器具 |
| US7342246B2 (en) | 2000-10-25 | 2008-03-11 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Light-emitting element and display device and lighting device using same |
| JP2003036969A (ja) * | 2000-10-25 | 2003-02-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 発光素子、及びそれを用いた表示装置と照明装置 |
| US6998775B2 (en) | 2000-10-25 | 2006-02-14 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Layered, light-emitting element |
| WO2002035890A1 (fr) * | 2000-10-25 | 2002-05-02 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Element lumineux, dispositif d'affichage et dispositif d'eclairage mettant cet element en application |
| US7741771B2 (en) | 2000-10-25 | 2010-06-22 | Panasonic Corporation | Light-emitting element and display device and lighting device using same |
| JP2002134267A (ja) * | 2000-10-30 | 2002-05-10 | Dainippon Printing Co Ltd | 電界発光素子 |
| JP4539940B2 (ja) * | 2000-10-30 | 2010-09-08 | 大日本印刷株式会社 | 電界発光素子 |
| JP2008186815A (ja) * | 2001-03-23 | 2008-08-14 | Mitsubishi Chemicals Corp | 薄膜型発光体及びその製造方法 |
| JP2002313562A (ja) * | 2001-04-16 | 2002-10-25 | Seiko Epson Corp | 発光素子及び発光素子の製造方法 |
| US6873099B2 (en) | 2001-05-31 | 2005-03-29 | Seiko Epson Corporation | EL device, EL display, EL illumination apparatus, liquid crystal apparatus using the EL illumination apparatus and electronic apparatus |
| US7094122B2 (en) | 2001-10-03 | 2006-08-22 | Samsung Sdi Co., Ltd. | Light emitting device and manufacturing method thereof and display used this light emitting device |
| JP2003115377A (ja) * | 2001-10-03 | 2003-04-18 | Nec Corp | 発光素子、その製造方法およびこれを用いた表示装置 |
| US6900457B2 (en) | 2001-10-03 | 2005-05-31 | Samsung Sdi Co., Ltd. | Light emitting device and manufacturing method thereof and display used this light emitting device |
| KR100495703B1 (ko) * | 2001-10-03 | 2005-06-14 | 삼성에스디아이 주식회사 | 발광 소자, 그 제조 방법 및 상기 발광 소자를 사용한표시 장치 |
| US6787796B2 (en) | 2002-02-27 | 2004-09-07 | Samsung Sdi Co., Ltd. | Organic electroluminescent display device and method of manufacturing the same |
| US7329611B2 (en) | 2002-04-11 | 2008-02-12 | Nec Corporation | Method for forming finely-structured parts, finely-structured parts formed thereby, and product using such finely-structured part |
| US7678454B2 (en) | 2002-04-11 | 2010-03-16 | Nec Corporation | Method for forming finely-structured parts, finely-structured parts formed thereby, and product using such finely-structured part |
| US7643100B2 (en) | 2002-04-11 | 2010-01-05 | Nec Corporation | Method for forming finely-structured parts, finely-structured parts formed thereby, and product using such finely-structured part |
| US7525732B2 (en) | 2002-04-11 | 2009-04-28 | Nec Corporation | Method for forming finely-structured parts, finely-structured parts formed thereby, and product using such finely-structured part |
| JP2005524964A (ja) * | 2002-05-08 | 2005-08-18 | ゼオラックス コーポレーション | フィードバック増強型発光ダイオードを使用したディスプレイデバイス＜関連出願の記載＞本願は、２００２年５月８日出願の米国仮出願第６０／３７９，１４１号（その全部が引用により本文書に組み込まれている）の利益を主張する。本願は、２００３年５月８日出願の「フィードバック増強型発光デバイス（ｆｅｅｄｂａｃｋｅｎｈａｎｃｅｄｌｉｇｈｔｅｍｉｔｔｉｎｇｄｅｖｉｃｅ）」と称する米国特許出願第号、および２００３年５月８日出願の「フィードバック増強型発光ダイオードを使用した照明装置（ｌｉｇｈｔｉｎｇｄｅｖｉｃｅｓｕｓｉｎｇｆｅｅｄｂａｃｋｅｎｈａｎｃｅｄｌｉｇｈｔｅｍｉｔｔｉｎｇｄｉｏｄｅ）」と称する米国特許出願第号（これら出願は、その全部が引用により本文書に組み込まれている）に関連している。 |
| GB2390215B (en) * | 2002-06-27 | 2005-10-05 | Eastman Kodak Co | Organic light emitting diode display with surface plasmon outcoupling |
| GB2390215A (en) * | 2002-06-27 | 2003-12-31 | Eastman Kodak Co | OLED display with surface plasmon outcoupling |
| EP1383180A2 (en) * | 2002-07-16 | 2004-01-21 | Eastman Kodak Company | Organic light emitting diode display |
| EP1383180A3 (en) * | 2002-07-16 | 2006-11-15 | Eastman Kodak Company | Organic light emitting diode display |
| KR100865622B1 (ko) * | 2002-08-26 | 2008-10-27 | 삼성전자주식회사 | 디스플레이의 휘도 향상을 위한 광자결정 구조의 형성방법 |
| US7507609B2 (en) | 2002-09-19 | 2009-03-24 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Organic electroluminescent display and method of manufacturing the same |
| US7034455B2 (en) | 2002-09-19 | 2006-04-25 | Samsung Sdi Co., Ltd. | Organic electroluminescent display and method of manufacturing the same |
| US6917160B2 (en) | 2002-09-19 | 2005-07-12 | Samsung Sdi Co., Ltd. | Organic electroluminescent display and method of manufacturing the same |
| US7699482B2 (en) | 2002-09-25 | 2010-04-20 | Fujifilm Corporation | Light-emitting element |
| JP2004139988A (ja) * | 2002-10-15 | 2004-05-13 | Eastman Kodak Co | 有機発光ダイオード（ｏｌｅｄ）デバイス |
| US7109651B2 (en) | 2002-11-26 | 2006-09-19 | Nitto Denko Corporation | Organic electroluminescence cell, planar light source and display device |
| KR100704082B1 (ko) | 2002-11-26 | 2007-04-05 | 닛토덴코 가부시키가이샤 | 유기 전기 발광 소자, 면 광원 및 표시 장치 |
| JP2004273122A (ja) * | 2003-03-04 | 2004-09-30 | Abel Systems Inc | 面発光装置 |
| US7084565B2 (en) | 2003-03-06 | 2006-08-01 | Samsung Sdi Co., Ltd. | Assembly of organic electroluminescence display device |
| US8704253B2 (en) | 2003-03-25 | 2014-04-22 | Rohm Co., Ltd. | Light-emitting device and organic electroluminescence light-emitting device |
| WO2004086821A1 (ja) * | 2003-03-25 | 2004-10-07 | Kyoto University | 発光素子及び有機エレクトロルミネセンス発光素子 |
| JP2004311419A (ja) * | 2003-03-25 | 2004-11-04 | Kyoto Univ | 発光素子及び有機エレクトロルミネセンス発光素子 |
| US7030555B2 (en) | 2003-04-04 | 2006-04-18 | Nitto Denko Corporation | Organic electroluminescence device, planar light source and display device using the same |
| EP1476002A2 (en) | 2003-05-08 | 2004-11-10 | Samsung SDI Co., Ltd. | Method of manufacturing a substrate for organic electroluminescent device |
| EP1947910A1 (en) | 2003-05-08 | 2008-07-23 | Samsung SDI Co., Ltd. | Method of manufacturing a substrate for organic electroluminescent device |
| US7695757B2 (en) | 2003-05-08 | 2010-04-13 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Method of manufacturing a substrate for organic electroluminescent device |
| US7619357B2 (en) | 2003-05-22 | 2009-11-17 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Electroluminescent display device |
| KR100894625B1 (ko) | 2003-05-22 | 2009-04-24 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기 전계 발광 소자 |
| JP2005050708A (ja) * | 2003-07-29 | 2005-02-24 | Samsung Sdi Co Ltd | 光学素子用基板及び有機エレクトロルミネッセンス素子並びに有機エレクトロルミネッセンス表示装置 |
| US7375463B2 (en) | 2003-08-13 | 2008-05-20 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Optical device and organic EL display |
| WO2005017861A1 (ja) * | 2003-08-13 | 2005-02-24 | Toshiba Matsushita Display Technology Co., Ltd. | 光学デバイス及び有機ｅｌディスプレイ |
| JP2005063838A (ja) * | 2003-08-13 | 2005-03-10 | Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd | 光学デバイス及び有機ｅｌ表示装置 |
| US7573193B2 (en) | 2003-08-13 | 2009-08-11 | Toshiba Matsushita Display Technology Co., Ltd. | Optical device and organic EL display |
| US8013514B2 (en) | 2003-11-28 | 2011-09-06 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Electroluminescent display device provided with a photonic crystal layer incorporating voids in a vacuum state |
| US7589461B2 (en) | 2003-11-28 | 2009-09-15 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Organic electroluminescent display device having a photonic crystal layer provided over electroluminescent stack |
| US7722965B2 (en) | 2003-12-26 | 2010-05-25 | Nitto Denko Corporation | Electroluminescence device, planar light source and display using the same |
| JP2005251525A (ja) * | 2004-03-03 | 2005-09-15 | Kyoto Univ | 有機発光素子 |
| US7696687B2 (en) | 2004-06-26 | 2010-04-13 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Organic electroluminescent display device with nano-porous layer |
| US7362047B2 (en) | 2004-08-03 | 2008-04-22 | Samsung Sdi Co., Ltd. | Inorganic electroluminescent display device and method of manufacturing the same |
| JP2006114432A (ja) * | 2004-10-18 | 2006-04-27 | Konica Minolta Holdings Inc | 面発光素子 |
| JP2006128011A (ja) * | 2004-10-29 | 2006-05-18 | Konica Minolta Holdings Inc | 面発光素子 |
| US8525154B2 (en) | 2004-11-10 | 2013-09-03 | Samsung Display Co., Ltd. | Light-emitting device having optical resonance layer |
| EP1657764A1 (en) | 2004-11-10 | 2006-05-17 | Samsung SDI Co., Ltd. | light-emitting device having optical resonance layer |
| KR100730121B1 (ko) | 2004-11-29 | 2007-06-19 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 전계 발광 소자 및 그 제조 방법 |
| US7595586B2 (en) | 2004-11-29 | 2009-09-29 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Organic electroluminescent display device |
| US7786665B2 (en) | 2005-01-06 | 2010-08-31 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Organic electroluminescent device having a diffraction grating for enhancing light extraction efficiency |
| JP2006190671A (ja) * | 2005-01-07 | 2006-07-20 | Samsung Sdi Co Ltd | 電界発光素子及びその製造方法 |
| US8134291B2 (en) | 2005-01-07 | 2012-03-13 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Electroluminescent device and method for preparing the same |
| KR100778582B1 (ko) * | 2005-02-10 | 2007-11-22 | 가부시끼가이샤 도시바 | 유기 ｅｌ 디스플레이 |
| JP2006236655A (ja) * | 2005-02-23 | 2006-09-07 | Konica Minolta Holdings Inc | 有機電界発光装置 |
| JP2006269294A (ja) * | 2005-03-24 | 2006-10-05 | Konica Minolta Holdings Inc | 有機エレクトロルミネッセンス素子ならびにこれを備えた照明装置および表示装置 |
| JP4517910B2 (ja) * | 2005-03-24 | 2010-08-04 | コニカミノルタホールディングス株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子ならびにこれを備えた照明装置および表示装置 |
| JP2006294617A (ja) * | 2005-04-08 | 2006-10-26 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Private Ltd | 指向性の有機発光ダイオードのための方法および装置 |
| WO2007077810A1 (ja) | 2006-01-05 | 2007-07-12 | Konica Minolta Holdings, Inc. | 有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置及び照明装置 |
| EP2463930A2 (en) | 2006-01-05 | 2012-06-13 | Konica Minolta Holdings, Inc. | Organic electroluminescent device, display and illuminating device |
| WO2007114244A1 (ja) | 2006-03-30 | 2007-10-11 | Konica Minolta Holdings, Inc. | 有機エレクトロルミネッセンス素子、照明装置及びディスプレイ装置 |
| WO2007119473A1 (ja) | 2006-03-30 | 2007-10-25 | Konica Minolta Holdings, Inc. | 有機エレクトロルミネッセンス素子、有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法、照明装置及びディスプレイ装置 |
| EP3093898A1 (en) | 2006-03-30 | 2016-11-16 | Konica Minolta Holdings, Inc. | Organic electroluminescence device, lighting device and display device |
| JP2007316584A (ja) * | 2006-04-28 | 2007-12-06 | Toyota Industries Corp | 表示装置 |
| KR100786469B1 (ko) | 2006-06-09 | 2007-12-17 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기발광소자 및 그 제조방법 |
| US7973469B2 (en) | 2006-09-12 | 2011-07-05 | Konica Minolta Holdings, Inc. | Organic electroluminescence element, and illuminating device and display device therewith |
| EP1930965A1 (en) | 2006-10-23 | 2008-06-11 | NEC Lighting, Ltd. | Electroluminescent device and electroluminescent panel |
| WO2008072596A1 (ja) | 2006-12-13 | 2008-06-19 | Konica Minolta Holdings, Inc. | 有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置及び照明装置 |
| EP2437326A2 (en) | 2006-12-13 | 2012-04-04 | Konica Minolta Holdings, Inc. | Organic electroluminescent element, display device and lighting device |
| US8529114B2 (en) | 2007-11-13 | 2013-09-10 | Panasonic Corporation | Sheet and light emitting device |
| JP2009217292A (ja) * | 2007-11-13 | 2009-09-24 | Panasonic Corp | シート |
| WO2009063636A1 (ja) * | 2007-11-13 | 2009-05-22 | Panasonic Corporation | シート及び発光装置 |
| JP2009140915A (ja) * | 2007-11-14 | 2009-06-25 | Canon Inc | 発光装置 |
| JP2009140913A (ja) * | 2007-11-14 | 2009-06-25 | Canon Inc | 発光装置 |
| US8304796B2 (en) | 2007-11-14 | 2012-11-06 | Canon Kabushiki Kaisha | Light-emitting apparatus |
| US8304788B2 (en) | 2007-11-14 | 2012-11-06 | Canon Kabushiki Kaisha | Display apparatus and method of producing same |
| WO2009064020A1 (en) * | 2007-11-14 | 2009-05-22 | Canon Kabushiki Kaisha | Light emitting device |
| US8232572B2 (en) | 2007-11-14 | 2012-07-31 | Canon Kabushiki Kaisha | Light emitting device |
| WO2009064019A1 (en) * | 2007-11-14 | 2009-05-22 | Canon Kabushiki Kaisha | Light-emitting apparatus |
| JP2011511953A (ja) * | 2007-12-14 | 2011-04-14 | スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー | 電子デバイス製造方法 |
| JP2009211868A (ja) * | 2008-03-03 | 2009-09-17 | Dainippon Printing Co Ltd | 発光素子からの光取出し構造 |
| US8355204B2 (en) | 2008-03-10 | 2013-01-15 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Light-extraction layer of light-emitting device and organic electroluminescence element employing the same |
| EP2123733A2 (en) | 2008-05-13 | 2009-11-25 | Konica Minolta Holdings, Inc. | Organic electroluminescent element, display device and lighting device |
| EP2460866A2 (en) | 2008-05-13 | 2012-06-06 | Konica Minolta Holdings, Inc. | Organic electroluminescent element, display device and lighting device |
| EP2479234A1 (en) | 2008-05-13 | 2012-07-25 | Konica Minolta Holdings, Inc. | Organic electroluminescent element, display device and lighting device |
| US8227966B2 (en) | 2008-12-26 | 2012-07-24 | Panasonic Corporation | Sheet and light emitting apparatus |
| WO2010087222A1 (ja) | 2009-01-28 | 2010-08-05 | コニカミノルタホールディングス株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置及び照明装置 |
| EP3046156A1 (en) | 2009-02-06 | 2016-07-20 | Konica Minolta Holdings, Inc. | Organic electroluminescent element, and illumination device and display device each comprising the element |
| WO2010090077A1 (ja) | 2009-02-06 | 2010-08-12 | コニカミノルタホールディングス株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子、該素子を備えた照明装置及び表示装置 |
| US8686630B2 (en) | 2009-02-09 | 2014-04-01 | Konica Minolta Holdings, Inc. | Organic electroluminescence element and illumination device using the same |
| JP2010257573A (ja) * | 2009-03-31 | 2010-11-11 | Fujifilm Corp | 発光素子 |
| US8733983B2 (en) | 2009-05-12 | 2014-05-27 | Panasonic Corporation | Sheet and light-emitting device |
| US8430539B2 (en) | 2009-05-12 | 2013-04-30 | Panasonic Corporation | Sheet and light emitting device |
| US8475004B2 (en) | 2009-05-12 | 2013-07-02 | Panasonic Corporation | Optical sheet, light-emitting device, and method for manufacturing optical sheet |
| US8491160B2 (en) | 2009-05-12 | 2013-07-23 | Panasonic Corporation | Sheet, light emitting device, and method for producing the sheet |
| US8482194B2 (en) | 2009-05-13 | 2013-07-09 | Canon Kabushiki Kaisha | Display apparatus having a circular polarizer |
| WO2011004639A1 (ja) | 2009-07-07 | 2011-01-13 | コニカミノルタホールディングス株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子、新規な化合物、照明装置及び表示装置 |
| US8987711B2 (en) | 2009-11-19 | 2015-03-24 | Konica Minolta Holdings, Inc. | Organic electroluminescence element, method for producing organic electroluminescence element, and illumination device using organic electroluminescence element |
| JP2011154050A (ja) * | 2010-01-25 | 2011-08-11 | Dainippon Printing Co Ltd | ホログラムシート |
| JP2011154051A (ja) * | 2010-01-25 | 2011-08-11 | Dainippon Printing Co Ltd | ホログラムシート |
| JP2011222421A (ja) * | 2010-04-13 | 2011-11-04 | Asahi Kasei E-Materials Corp | 発光デバイス |
| US8564191B2 (en) | 2010-06-10 | 2013-10-22 | Canon Kabushiki Kaisha | Light emitting substrate having photonic crystal structure and image display apparatus including the same |
| EP2424335A1 (en) | 2010-08-31 | 2012-02-29 | Nitto Denko Corporation | Organic electroluminescent light emitting device |
| JP2012133945A (ja) * | 2010-12-20 | 2012-07-12 | Canon Inc | 発光素子 |
| WO2012111548A1 (ja) | 2011-02-16 | 2012-08-23 | コニカミノルタホールディングス株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子、照明装置及び表示装置 |
| WO2012137640A1 (ja) | 2011-04-07 | 2012-10-11 | コニカミノルタホールディングス株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子及び照明装置 |
| WO2012153603A1 (ja) | 2011-05-10 | 2012-11-15 | コニカミノルタホールディングス株式会社 | 燐光発光有機エレクトロルミネッセンス素子及び照明装置 |
| EP2562229A1 (en) | 2011-08-25 | 2013-02-27 | Konica Minolta Holdings, Inc. | Organic electroluminescence element, lighting device and display device |
| US9194545B2 (en) | 2011-09-07 | 2015-11-24 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Light emitting device and light sheet |
| JPWO2013035299A1 (ja) * | 2011-09-07 | 2015-03-23 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 発光装置および光シート |
| JP2013127910A (ja) * | 2011-12-19 | 2013-06-27 | Dainippon Printing Co Ltd | 光学素子ならびにそれを用いた発光素子および有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| EP2623508A1 (en) | 2012-02-02 | 2013-08-07 | Konica Minolta Advanced Layers, Inc. | Iridium complex compound, organic electroluminescent element material, organic electroluminescent element, illumination device and display device |
| EP2671935A1 (en) | 2012-05-21 | 2013-12-11 | Konica Minolta, Inc. | Organic electroluminescence device, lighting equipment and display device |
| EP2677559A1 (en) | 2012-06-21 | 2013-12-25 | Konica Minolta, Inc. | Organic electroluminescent element, display device and lighting device |
| WO2014002927A1 (ja) | 2012-06-27 | 2014-01-03 | Ｌｕｍｉｏｔｅｃ株式会社 | 有機エレクトロルミネッセント素子及び照明装置 |
| US9484545B2 (en) | 2012-06-27 | 2016-11-01 | Lumiotec, Inc. | Organic electroluminescent element and lighting device |
| WO2014024668A1 (ja) | 2012-08-07 | 2014-02-13 | コニカミノルタ株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子、照明装置及び表示装置 |
| WO2014038456A1 (ja) | 2012-09-04 | 2014-03-13 | コニカミノルタ株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子、照明装置及び表示装置 |
| US9620740B2 (en) | 2012-10-11 | 2017-04-11 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Organic electroluminescence element and lighting device |
| JP2013048102A (ja) * | 2012-10-15 | 2013-03-07 | Panasonic Corp | 発光素子 |
| WO2014092014A1 (ja) | 2012-12-10 | 2014-06-19 | コニカミノルタ株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子、照明装置及び表示装置 |
| WO2014091958A1 (ja) | 2012-12-10 | 2014-06-19 | コニカミノルタ株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子材料、有機エレクトロルミネッセンス素子、照明装置及び表示装置 |
| WO2014156922A1 (ja) | 2013-03-29 | 2014-10-02 | コニカミノルタ株式会社 | 異性体混合金属錯体組成物、有機エレクトロルミネッセンス素子、照明装置及び表示装置 |
| WO2014157610A1 (ja) | 2013-03-29 | 2014-10-02 | コニカミノルタ株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子、照明装置、表示装置、有機ルミネッセンス素子用発光性薄膜と組成物及び発光方法 |
| WO2014157618A1 (ja) | 2013-03-29 | 2014-10-02 | コニカミノルタ株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子、それを具備した照明装置及び表示装置 |
| JP2015005494A (ja) * | 2013-05-22 | 2015-01-08 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 有機ｅｌ照明の光取り出し基板 |
| US9890912B2 (en) | 2014-02-28 | 2018-02-13 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Light-emitting apparatus including photoluminescent layer |
| US10012780B2 (en) | 2014-02-28 | 2018-07-03 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Light-emitting device including photoluminescent layer |
| US9515239B2 (en) | 2014-02-28 | 2016-12-06 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Light-emitting device and light-emitting apparatus |
| US9618697B2 (en) | 2014-02-28 | 2017-04-11 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Light directional angle control for light-emitting device and light-emitting apparatus |
| US9518215B2 (en) | 2014-02-28 | 2016-12-13 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Light-emitting device and light-emitting apparatus |
| US9880336B2 (en) | 2014-02-28 | 2018-01-30 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Light-emitting device including photoluminescent layer |
| JP2016018450A (ja) * | 2014-07-09 | 2016-02-01 | 大日本印刷株式会社 | 電極フィルムの積層体及び画像表示装置 |
| EP4271160A2 (en) | 2015-02-13 | 2023-11-01 | Merck Patent GmbH | Aromatic heterocyclic derivative, and organic electroluminescent element, illumination device, and display device using aromatic heterocyclic derivative |
| US10113712B2 (en) | 2015-03-13 | 2018-10-30 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Light-emitting device including photoluminescent layer |
| US10031276B2 (en) | 2015-03-13 | 2018-07-24 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Display apparatus including photoluminescent layer |
| US10182702B2 (en) | 2015-03-13 | 2019-01-22 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Light-emitting apparatus including photoluminescent layer |
| USRE49093E1 (en) | 2015-03-13 | 2022-06-07 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Light-emitting apparatus including photoluminescent layer |
| US9899577B2 (en) | 2015-06-08 | 2018-02-20 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Light-emitting apparatus including photoluminescent layer |
| US10115874B2 (en) | 2015-06-08 | 2018-10-30 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Light-emitting device including photoluminescent layer |
| US9882100B2 (en) | 2015-08-20 | 2018-01-30 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Light-emitting device having surface structure for limiting directional angle of light |
| US10359155B2 (en) | 2015-08-20 | 2019-07-23 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Light-emitting apparatus |
| USRE50041E1 (en) | 2015-08-20 | 2024-07-16 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Light-emitting apparatus |
| EP3200255A2 (en) | 2016-01-06 | 2017-08-02 | Konica Minolta, Inc. | Organic electroluminescent element, method for producing organic electroluminescent element, display, and lighting device |
| US10094522B2 (en) | 2016-03-30 | 2018-10-09 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Light-emitting device having photoluminescent layer |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6476550B1 (en) | 2002-11-05 |
| US20020180348A1 (en) | 2002-12-05 |
| JP2991183B2 (ja) | 1999-12-20 |
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| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
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| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
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| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
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| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
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| R250 | Receipt of annual fees |
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| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20071015 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081015 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091015 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091015 Year of fee payment: 10 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091015 Year of fee payment: 10 |
|
| R360 | Written notification for declining of transfer of rights |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R360 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091015 Year of fee payment: 10 |
|
| R360 | Written notification for declining of transfer of rights |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R360 |
|
| R371 | Transfer withdrawn |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R371 |
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| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
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| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091015 Year of fee payment: 10 |
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| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091015 Year of fee payment: 10 |
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| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101015 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111015 Year of fee payment: 12 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111015 Year of fee payment: 12 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121015 Year of fee payment: 13 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121015 Year of fee payment: 13 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131015 Year of fee payment: 14 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131015 Year of fee payment: 14 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
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| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
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| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
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| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
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