DE10222958B4 - Verfahren zur Herstellung eines organischen elektro-optischen Elements und organisches elektro-optisches Element - Google Patents

Verfahren zur Herstellung eines organischen elektro-optischen Elements und organisches elektro-optisches Element Download PDF

Info

Publication number
DE10222958B4
DE10222958B4 DE10222958A DE10222958A DE10222958B4 DE 10222958 B4 DE10222958 B4 DE 10222958B4 DE 10222958 A DE10222958 A DE 10222958A DE 10222958 A DE10222958 A DE 10222958A DE 10222958 B4 DE10222958 B4 DE 10222958B4
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
layer
glass
organic
electro
layers
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
DE10222958A
Other languages
English (en)
Other versions
DE10222958A1 (de
Inventor
Clemens Dr. Ottermann
Oliver Dr. Fritz
Dietrich Dipl.-Phys. Mund
Jörn Dr. Pommerehne
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Schott AG
Original Assignee
Schott AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Schott AG filed Critical Schott AG
Priority to DE10222958A priority Critical patent/DE10222958B4/de
Priority to DE10222609A priority patent/DE10222609B4/de
Priority claimed from DE10222964A external-priority patent/DE10222964B4/de
Priority claimed from DE10222609A external-priority patent/DE10222609B4/de
Priority to US10/231,966 priority patent/US7268486B2/en
Priority to US10/511,488 priority patent/US20060051584A1/en
Priority to AU2003232469A priority patent/AU2003232469A1/en
Priority to EP03725032.1A priority patent/EP1495491B1/de
Priority to TW092108722A priority patent/TW200407446A/zh
Priority to CNA038085844A priority patent/CN1646722A/zh
Priority to KR1020117025576A priority patent/KR101178935B1/ko
Priority to CNB038085682A priority patent/CN100397593C/zh
Priority to IL16417103A priority patent/IL164171A0/xx
Priority to CA002480737A priority patent/CA2480737A1/en
Priority to KR1020047016630A priority patent/KR100616126B1/ko
Priority to EP03737956A priority patent/EP1495154B1/de
Priority to US10/511,315 priority patent/US7326446B2/en
Priority to AT03737955T priority patent/ATE411407T1/de
Priority to PCT/EP2003/003884 priority patent/WO2003088340A2/de
Priority to CA002480691A priority patent/CA2480691A1/en
Priority to CNB038085836A priority patent/CN100387749C/zh
Priority to CNB038085410A priority patent/CN1329285C/zh
Priority to PCT/EP2003/003881 priority patent/WO2003088354A2/de
Priority to PCT/EP2003/003907 priority patent/WO2003088347A2/de
Priority to AU2003245876A priority patent/AU2003245876A1/en
Priority to KR1020047016632A priority patent/KR100789977B1/ko
Priority to PCT/EP2003/003883 priority patent/WO2003088370A2/de
Priority to AU2003233973A priority patent/AU2003233973A1/en
Priority to EP03746297.5A priority patent/EP1495493B1/de
Priority to AU2003245875A priority patent/AU2003245875A1/en
Priority to PCT/EP2003/003873 priority patent/WO2003086958A2/de
Priority to CN038133024A priority patent/CN1659720A/zh
Priority to IL16430403A priority patent/IL164304A0/xx
Priority to CNB03808564XA priority patent/CN100359653C/zh
Priority to US10/511,334 priority patent/US7825029B2/en
Priority to KR1020047016629A priority patent/KR100679345B1/ko
Priority to JP2003584356A priority patent/JP2006503976A/ja
Priority to EP03746159.7A priority patent/EP1502293B1/de
Priority to CA002479823A priority patent/CA2479823A1/en
Priority to EP03727305.9A priority patent/EP1494965B1/de
Priority to PCT/EP2003/003882 priority patent/WO2003087424A1/de
Priority to CA002480797A priority patent/CA2480797A1/en
Priority to AU2003250326A priority patent/AU2003250326A1/en
Priority to DE50310646T priority patent/DE50310646D1/de
Priority to EP03737955A priority patent/EP1495153B1/de
Priority to EP03727306A priority patent/EP1495501A2/de
Priority to JP2003583927A priority patent/JP2005527459A/ja
Priority to PCT/EP2003/003872 priority patent/WO2003087423A1/de
Priority to KR1020047016631A priority patent/KR100636414B1/ko
Priority to US10/511,557 priority patent/US7396741B2/en
Priority to US10/511,566 priority patent/US7863200B2/en
Priority to CNA038085690A priority patent/CN1647276A/zh
Priority to AT03737956T priority patent/ATE393839T1/de
Priority to CA002485022A priority patent/CA2485022A1/en
Priority to AU2003233974A priority patent/AU2003233974A1/en
Priority to IL16429003A priority patent/IL164290A0/xx
Priority to KR1020047016642A priority patent/KR100942038B1/ko
Priority to CA002480854A priority patent/CA2480854A1/en
Priority to US10/511,558 priority patent/US7495348B2/en
Priority to JP2003585179A priority patent/JP2005528783A/ja
Priority to KR10-2004-7016634A priority patent/KR20040111528A/ko
Priority to AU2003227626A priority patent/AU2003227626A1/en
Priority to DE50309735T priority patent/DE50309735D1/de
Priority to JP2003585167A priority patent/JP2005527112A/ja
Priority to JP2003585192A priority patent/JP2005527076A/ja
Priority to JP2003585174A priority patent/JP2005528782A/ja
Priority to CA002505014A priority patent/CA2505014A1/en
Priority to JP2003584357A priority patent/JP2005528780A/ja
Publication of DE10222958A1 publication Critical patent/DE10222958A1/de
Priority to IL16430104A priority patent/IL164301A0/xx
Priority to IL16430004A priority patent/IL164300A0/xx
Priority to US11/881,962 priority patent/US8299706B2/en
Application granted granted Critical
Publication of DE10222958B4 publication Critical patent/DE10222958B4/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
    • C03B19/00—Other methods of shaping glass
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
    • B81C1/00—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate
    • B81C1/00015—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate for manufacturing microsystems
    • B81C1/00261—Processes for packaging MEMS devices
    • B81C1/00269—Bonding of solid lids or wafers to the substrate
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C14/00—Glass compositions containing a non-glass component, e.g. compositions containing fibres, filaments, whiskers, platelets, or the like, dispersed in a glass matrix
    • C03C14/006—Glass compositions containing a non-glass component, e.g. compositions containing fibres, filaments, whiskers, platelets, or the like, dispersed in a glass matrix the non-glass component being in the form of microcrystallites, e.g. of optically or electrically active material
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C15/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by etching
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C17/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
    • C03C17/02—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with glass
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C17/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
    • C03C17/34—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C4/00—Compositions for glass with special properties
    • C03C4/12—Compositions for glass with special properties for luminescent glass; for fluorescent glass
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/10—Glass or silica
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
    • H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
    • H01L21/02123—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon
    • H01L21/02126—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon the material containing Si, O, and at least one of H, N, C, F, or other non-metal elements, e.g. SiOC, SiOC:H or SiONC
    • H01L21/02129—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon the material containing Si, O, and at least one of H, N, C, F, or other non-metal elements, e.g. SiOC, SiOC:H or SiONC the material being boron or phosphorus doped silicon oxides, e.g. BPSG, BSG or PSG
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
    • H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
    • H01L21/02123—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon
    • H01L21/02142—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon the material containing silicon and at least one metal element, e.g. metal silicate based insulators or metal silicon oxynitrides
    • H01L21/02145—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon the material containing silicon and at least one metal element, e.g. metal silicate based insulators or metal silicon oxynitrides the material containing aluminium, e.g. AlSiOx
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
    • H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
    • H01L21/02123—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon
    • H01L21/02142—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon the material containing silicon and at least one metal element, e.g. metal silicate based insulators or metal silicon oxynitrides
    • H01L21/02161—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon the material containing silicon and at least one metal element, e.g. metal silicate based insulators or metal silicon oxynitrides the material containing more than one metal element
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
    • H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
    • H01L21/02263—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase
    • H01L21/02266—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by physical ablation of a target, e.g. sputtering, reactive sputtering, physical vapour deposition or pulsed laser deposition
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/02—Containers; Seals
    • H01L23/10—Containers; Seals characterised by the material or arrangement of seals between parts, e.g. between cap and base of the container or between leads and walls of the container
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/29—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
    • H01L23/291—Oxides or nitrides or carbides, e.g. ceramics, glass
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
    • H01L23/3107—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
    • H01L23/3114—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed the device being a chip scale package, e.g. CSP
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/842—Containers
    • H10K50/8426—Peripheral sealing arrangements, e.g. adhesives, sealants
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/844—Encapsulations
    • H10K50/8445—Encapsulations multilayered coatings having a repetitive structure, e.g. having multiple organic-inorganic bilayers
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
    • B81C2203/00—Forming microstructural systems
    • B81C2203/01—Packaging MEMS
    • B81C2203/0172—Seals
    • B81C2203/019—Seals characterised by the material or arrangement of seals between parts
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
    • B81C2203/00—Forming microstructural systems
    • B81C2203/03—Bonding two components
    • B81C2203/031—Anodic bondings
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C2214/00—Nature of the non-vitreous component
    • C03C2214/16—Microcrystallites, e.g. of optically or electrically active material
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C2217/00—Coatings on glass
    • C03C2217/20—Materials for coating a single layer on glass
    • C03C2217/21—Oxides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C2218/00—Methods for coating glass
    • C03C2218/10—Deposition methods
    • C03C2218/15—Deposition methods from the vapour phase
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C2218/00—Methods for coating glass
    • C03C2218/30—Aspects of methods for coating glass not covered above
    • C03C2218/32—After-treatment
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C2218/00—Methods for coating glass
    • C03C2218/30—Aspects of methods for coating glass not covered above
    • C03C2218/32—After-treatment
    • C03C2218/328—Partly or completely removing a coating
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C2218/00—Methods for coating glass
    • C03C2218/30—Aspects of methods for coating glass not covered above
    • C03C2218/32—After-treatment
    • C03C2218/328—Partly or completely removing a coating
    • C03C2218/33—Partly or completely removing a coating by etching
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C2218/00—Methods for coating glass
    • C03C2218/30—Aspects of methods for coating glass not covered above
    • C03C2218/355—Temporary coating
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
    • H01L23/49866—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers characterised by the materials
    • H01L23/49894—Materials of the insulating layers or coatings
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01019—Potassium [K]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/0102—Calcium [Ca]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01027—Cobalt [Co]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01057—Lanthanum [La]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01078—Platinum [Pt]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204—Optical Diode
    • H01L2924/12041—LED
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204—Optical Diode
    • H01L2924/12044—OLED
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30—Technical effects
    • H01L2924/301—Electrical effects
    • H01L2924/3011—Impedance
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30—Technical effects
    • H01L2924/301—Electrical effects
    • H01L2924/3025—Electromagnetic shielding
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/22—Secondary treatment of printed circuits
    • H05K3/28—Applying non-metallic protective coatings
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P40/00—Technologies relating to the processing of minerals
    • Y02P40/50—Glass production, e.g. reusing waste heat during processing or shaping
    • Y02P40/57—Improving the yield, e-g- reduction of reject rates

Abstract

Verfahren zur Herstellung eines organischen, elektro-optischen Elements (1), umfassend die Schritte:
– Bereitstellen eines Trägers (3),
– Aufbringen einer ersten leitfähigen Schicht (13, 17)
– Aufbringen zumindest einer Schicht (15), welche zumindest ein organisches, elektro-optisches Material aufweist,
– Aufbringen einer zweiten leitfähigen Schicht (13, 17),
gekennzeichnet durch den Schritt des
– Abscheidens zumindest einer Schicht (7, 71, 72, ... 7N) eines Glases, welches ein zumindest binäres Stoffsystem umfasst, mittels physikalischer und/oder chemischer Dampfphasenabscheidung auf das organische elektro-optische Element (1) oder derart, dass der Rand einer Abdeckung (23) auf dem organischen elektro-optischen Element (1) gasdicht versiegelt ist.

Description

  • Die Erfindung betrifft allgemein organische elektro-optische Elemente, sowie ein Verfahren zu deren Herstellung. Insbesondere betrifft die Erfindung ein Verfahren zur Herstellung hermetisch verkapselter organischer elektro-optischer Elemente, sowie ein hermetisch verkapseltes elektro-optisches Element.
  • Organische lichtemittierende Dioden (OLEDs) sind Gegenstand intensiver Entwicklungsarbeiten, da sie gegenüber anderen Leucht- und Anzeigemitteln vielseitige Vorzüge besitzen. So können OLEDs sehr dünn und sogar flexibel hergestellt werden. Gegenüber Flüssigkristallanzeigen besitzen OLEDs außerdem den Vorzug, selbst leuchtend zu sein.
  • Problematisch bei OLEDs ist jedoch vor allem deren bisher sehr begrenzte Lebensdauer. Es ist kaum gelungen, die Betriebsdauer von OLEDs auf mehr als 5000 Betriebsstunden auszudehnen. Für OLEDs werden im allgemeinen Metallkathoden mit niedriger Austrittsarbeit verwendet. Gebräuchlich ist hierbei unter anderem metallisches Calzium. Solche Materialien mit niedriger Austrittsarbeit sind jedoch in der Regel sehr reaktiv. Chemische Reaktionen der Metallschicht und damit verbundene Austrittsarbeitsänderungen gelten als einer der Hauptfaktoren der Lebensdauerbegrenzung.
  • Insbesondere die Reaktion mit Luft, beziehungsweise mit dem in der Luft als Feuchtigkeit vorhandenen Wasser ist hier verantwortlich für die Degradation der Metallelektrode eines OLEDs.
  • In der US 5,882,761 A wird zur Lösung des Problems ein OLED vorgeschlagen, bei welchem die OLED Strukturen mit einem gewölbten Metallblech abgedeckt sind. Zusätzlich weist das dort beschriebene OLED ein Trockenmittel- oder Getterreservior auf. Das Trockenmittelreservior und die OLED-Strukturen sind mit einem porösen Klebeband voneinander abgetrennt. Das Metallblech ist mit dem Glasträger mittels eines UV-Klebers verbunden. Nachteilig ist hier, dass organische Schichten, wie die Verklebungsstelle zwischen Metallblech und Glasträger für kleine Gasmoleküle relativ einfach penetrierbar sind. Die Verklebung stellt somit einen Transportkanal, insbesondere für Luftsauerstoff und Wasser dar. Damit ist es nur eine Frage der Zeit, bis das Trockenmittel erschöpft ist und die Degradation der Metallelektrode einsetzt. Weiter sind durch diese Art der Verkapselung wesentliche Eigenschaften der OLED-Technologie, wie die Verkapselung extrem dünner, beziehungsweise flexibler Bauteile nicht umsetzbar.
  • Als Gettermaterialien sind dabei unter anderem Flüssigkeiten bekannt, wie sie in der JP 7211456 A , US 5821692 A , oder US 5962962 A beschrieben werden. In der EP 0776147 A1 ist ferner die Verwendung von Festkörpermaterialien als Letter beschrieben. Auch Gase können, wie in WO 9903112 A1 offenbart ist, als Gettermedium für organische Bauelemente verwendet werden. Allen diesen aus dem Stand der Technik bekannten Lösungen ist jedoch gemeinsam, dass die Wirkung des Gettermaterials mit fortlaufendem Gasanfall absinkt, so dass ein dauerhafter Schutz vor Degradation nicht gegeben ist. Die WO 2001/78151 A2 offenbart eine Verkapselung eines OLED's mit einem gegossenem Epoxid. Gegossene Epoxidschichten sind relativ dicke Schichten und bieten noch keine dauerhafte und ausreichend dichte Diffusionsbarriere, um die Degradation von organischen elektro-optischen Elementen zu verhindern.
  • Die US 6,268,695 B1 offenbart Barriereschichten für OLEDs aus abwechselnd, mittels Vakuumverfahren aufgebrachten Polymer- und keramischer Schichten. Die Zwischenlagen aus Polymerschichten machen die ansonsten sehr spröden und harten keramischen Schichten flexibler, jedoch die Herstellung aufwendig. Die weiterhin alternativ vorgeschlagenen starren Abdeckungen aus Glas haben eine erhöhte Durchlässigkeit für kleine Gasmoleküle im Bereich der Verklebungs- bzw. Befestigungsbereiche und sind dadurch relativ einfach penetrierbar.
  • In der US 2001/0052752 A1 wird ebenfalls eine Verkapselung von OLED's aus zumindest zwei Schichten, einer sehr starren kristallinen und einer weiteren flexiblen Polymerschicht offenbart.
  • Die Erfindung hat es sich daher zur Aufgabe gemacht, die Degradation von organischen elektro-optischen Elementen, wie beispielsweise OLEDs zu verlangsamen, beziehungsweise deren Lebensdauer mit einfachen Mitteln zu erhöhen.
  • Diese Aufgabe wird bereits in höchst überraschend einfacher Weise durch ein Verfahren zur Herstellung eines organischen elektro-optischen Elements gemäß Anspruch 1, sowie ein organisches elektro-optisches Element gemäß Anspruch 14 gelöst. Vorteilhafte Weiterbildungen sind in den jeweiligen abhängigen Ansprüchen angegeben.
  • Dementsprechend umfasst das erfindungsgemäße Verfahren zur Herstellung eines organischen, elektro-optischen Elements die Schritte:
    • – Bereitstellen eines Trägers,
    • – Aufbringen einer ersten leitfähigen Schicht
    • – Aufbringen zumindest einer Schicht (15), welche zumindest ein organisches, elektro-optisches Material aufweist,
    • – Aufbringen einer zweiten leitfähigen Schicht, und den Schritt des
    • – Abscheidens zumindest einer Schicht (7, 71, 72, ... 7N) eines Glases, welches ein binäres Stoffsystem umfasst, mittels physikalischer und/oder chemischer Dampfphasenabscheidung auf das organische elektro-optische Element (1) oder derart, dass der Rand einer Abdeckung (23) auf dem organischen elektro-optischen Element (1) gasdicht versiegelt ist.
  • Schichten mit glasartiger Struktur sind bekannt für ihre außerordentlich gute Barrierewirkung. Als Schicht eines Glases wird in diesem Zusammenhang eine Schicht mit fehlender Fernordnung der das Material des Glases konstituierenden Elemente und/oder Stoffe und gleichzeitig vorhandener Nahordnung der Stoffe und/oder Elemente verstanden. Als Schicht eines Glases wird also eine glasartige, amorphe Schicht bezeichnet. Derartige Schichten umfassen dementsprechend auch beispielsweise organische Materialien, Legierungen oder amorphe Elementschichten. Gegenüber nicht glasartigen, also im wesentlichen mikrokristallinen, polykristallinen oder kristallinen Schichten zeichnen sich die mittels des erfindungsgemäßen Verfahrens aufgebrachten Schichten unter anderem aufgrund der amorphen Struktur durch das Fehlen von Korngrenzen aus.
  • Solche Korngrenzen sind aber gerade wesentlich für die höhere Permeabilitätsrate für kleine Moleküle, wie etwa Sauerstoff oder Wasser durch kristalline oder polykristalline Medien verantwortlich.
  • Hingegen sind viele Gläser bekannt, die bereits bei Schichtdicken von 50 μm keine messtechnisch erfassbare Permeabilität für alle Gase mit Ausnahme von Helium zeigen. Eine Zusammenstellung von Diffusionsraten durch Gläser findet sich beispielsweise in "Handbook of Gas Diffusion in Solids and Melts". Helium selbst beeinflußt jedoch aufgrund seiner Inertheit die Schichten der OLED nicht und ist für die Lebensdauer von OLEDs daher nicht von Bedeutung.
  • Der Begriff eines organischen, elektro-optischen Materials umfasst dabei sowohl ein organisches Material, welches elektrolumineszente Eigenschaften aufweist und somit für den Aufbau einer OLED geeignet ist, als auch ein organisches Material, welches photovoltaische Eigenschaften aufweist. Im folgenden wird der Einfachheit halber der Begriff OLED aufgrund des äquivalenten Aufbaus allgemein für lichtwandelnde Elemente, also sowohl für lichtemittierende, als auch für photovoltaische Elemente verwendet.
  • Als organisches, elektro-optisches Material sind eine Vielzahl, dem Fachmann bekannte Substanzen einsetzbar. Unter anderem können dazu metall-organische Materialien, insbesondere metall-organische Komplexe wie Triplett-Emitter oder Lanthanid-Komplexe verwendet werden. Beispielsweise wird Tris-(8-hydroxyquinolino)-Aluminium (Alq3) oder auch MEH-PPV (Poly(2-methoxy, 5-(2'-ethylhexyloxy) paraphenylen vinylen (MEH-PPV) als elektrolumineszentes Material verwendet. Die Schicht kann auch eine organische oder anorganische Matrixschicht umfassen, welche mit Emittern, wie etwa Fluoreszenzfarbstoffen als organisches, elektro-optisches Material dotiert sind. Als anorganische Matrix wurde unter anderem poröses Titandioxid verwendet.
  • Weitere elektrolumineszente Substanzen sind beispielsweise in US 6,107,452 A , EP 0 573 549 A1 , EP 800563 A1 , EP 800563 B1 und EP 1006169 A1 beschrieben, welche durch Bezugnahme vollständig in die vorliegende Anmeldung mit aufgenommen werden. Obwohl dem Fachmann bekannt, sei auch auf den Aufbau der in diesen Schriften beschriebenen OLEDs hingewiesen und diese Beschreibung als Inhalt dieser Anmeldung vorausgesetzt.
  • Durch das erfindungsgemäße Abscheiden wird außerdem eine innige Verbindung der Schicht eines Glases zu dem darunterliegenden Material ohne entstehende Hohlräume oder für Gase penetrierbare Verbindungsstellen geschaffen, da die Schicht direkt auf der darunterliegenden Oberfläche aufwächst. Schichten eines Glases, also weitgehend ohne kristalline Teil- oder Unterbereiche zeichnen sich außerdem durch eine bessere Toleranz gegenüber mechanischen Belastungen verglichen mit kristallinen Materialien aus. Dies bedeutet, dass die sehr guten Barrierewirkungen solcher Materialien auch bei Verformungen innerhalb der mechanischen Belastungsgrenzen des Materials erhalten bleiben. Das erfindungsgemäße Verfahren ermöglicht somit auch die Herstellung flexibler OLEDs mit hoher Lebensdauer.
  • Zum Abscheiden der Schicht eines Glases werden PVD- oder CVD-Verfahren eingesetzt. Es können auch mehrere Abscheideverfahren miteinander kombiniert werden. PVD- oder CVD-Abscheidung ist unter anderem deshalb vorteilhaft, weil diese Verfahren im Vakuum oder in trockener Atmosphäre durchgeführt werden können.
  • Das Abscheiden der zumindest einen Schicht eines Glases erfolgt gemäß einer besonders bevorzugten Ausführungsform durch Aufdampfen. Durch Aufdampfen können hohe Wachstumsraten der Schichten erzielt werden, was das erfindungsgemäße Verfahren in dieser Variante besonders schnell und damit wirtschaftlich für große Stückzahlen macht.
  • Für das Aufdampfen besonders geeignet ist dabei beispielsweise die Elektronenstrahlverdampfung. Dazu wird ein Elektronenstrahl auf ein Target gelenkt, wobei die Elektronen durch Stöße ihre kinetische Energie an das Target abgeben, welches sich dadurch aufheizt. Durch das Aufheizen wird schließlich das Targetmaterial verdampft. Das verdampfte Material trifft dann auf die zu beschichtende Oberfläche und scheidet sich dort als Schicht eines Glases ab.
  • Der Schritt des Aufdampfens einer Schicht eines Glases kann außerdem den Schritt des Coverdampfens aus zumindest zwei Verdampfungsquellen umfassen. Auf diese Weise kann beispielsweise die Stöchiometrie der abgeschiedenen Schicht über die Aufdampfraten der Quellen eingestellt werden. Insbesondere kann der Schritt des Coverdampfens auch den Schritt des Variierens, insbesondere des periodischen Variierens der Aufdampfrate zumindest einer der Verdampfungsquellen umfassen. Durch Variation der Aufdampfraten können die Materialeigenschaften der Schicht eines Glases in Richtung senkrecht zur bedampften Oberfläche beeinflußt und angepaßt werden. So kann durch Variation der Schichtstöchiometrie etwa der Temperaturausdehnungskoeffizient der Schicht an den der beschichteten Oberfläche angepaßt werden, so dass Temperaturspannungen zwischen dem Oberflächenmaterial und der aufgedampften Schicht vermieden oder vermindert werden. Eine periodische Variation der Aufdampfraten kann beispielsweise dazu dienen, periodische Brechungsindexvariationen in der aufgedampften Schicht senkrecht zur beschichteten Oberfläche herzustellen.
  • Das Abscheiden durch Aufdampfen erfordert jedoch im allgemeinen spezielle Aufdampfmaterialien mit vergleichsweise hohen Dampfdrücken. Da für spezielle OLED-Anwendungen auch Materialien mit niedrigen Dampfdrücken und damit verbunden im allgemeinen hohen Schmelztemperaturen geeignet sein können, kann der Schritt des Abscheidens zumindest einer Schicht eines Glases mittels physikalischer und/oder chemischer Dampfphasenabscheidung auch mit Vorteil den Schritt des Aufsputterns einer Schicht eines Glases umfassen. Dabei wird das Aufsputtern von Schichten als eines der PVD-Verfahren verstanden. Das Aufsputtern von Schichten kann im Gegensatz zum Aufdampfen auch mit schwer verdampfbaren Materialien durchgeführt werden.
  • Schichten eines Glases können jedoch auch noch mit anderen Verfahren, wie etwa der chemischen Dampfphasenabscheidung, beispielsweise mittels plasmainduzierter, chemischer Dampfphasenabscheidung (PCVD) vorteilhaft hergestellt werden. Geeignet ist diesbezüglich auch besonders die Plasmaimpulsinduzierte chemische Dampfphasenabscheidung (PICVD), bei welcher das Plasma nicht zeitlich konstant, sondern gepulst erzeugt wird, was unter anderem eine geringere Wärmebelastung des zu beschichtenden Elements mit sich bringt.
  • Organisches Material kann die Schichteigenschaften in vielfältiger Weise positiv beeinflussen. Beispielhaft sei dazu eine höhere Flexibilität der Schicht gegen mechanische Beanspruchung, die Anpassung optischer und mechanischer Eigenschaften, die Verbesserung der Schichthaftung indem etwa die Schicht als Gradientenschicht mit Veränderung des organischen Anteils abgeschieden wird, die Änderung der Packungsdichte und des Schichtgefüges, sowie der Beeinflussung der chemischen Eigenschaften der Schicht, insbesondere durch Zusatz von hydrophoben Materialien oder Gettermaterialien genannt.
  • Vorteilhaft werden die Schichten so aufgebracht, dass eine der leitfähigen Schichten eine niedrigere Austrittsarbeit als die andere leitfähige Schicht aufweist. Aufgrund der Austrittsarbeitsdifferenz der als Elektroden dienenden ersten und zweiten leitfähigen Schichten, zwischen denen sich die Schicht befindet, die ein organisches, elektro-optisches Material aufweist, werden Elektronen bei richtiger Polung der an die Elektroden angelegten Spannung an der als Kathode wirkenden Schicht in unbesetzte elektronische Zustände des organischen, elektro-optischen Materials injiziert. Gleichzeitig werden von der als Anode wirkenden Schicht mit niedrigerer Austrittsarbeit Defektelektronen oder Löcher injiziert, wodurch im organischen Material durch Rekombination der Elektronen mit den Defektelektronen Lichtquanten emittiert werden.
  • Für die Herstellung von OLEDs werden vielfach zusätzliche funktionelle Schichten verwendet, die insbesondere zwischen der ersten und zweiten leitfähigen Schicht aufgebracht werden. Dementsprechend kann das Verfahren vorteilhaft auch den Schritt des Aufbringens zumindest einer Lochinjektionsschicht und/oder einer Potentialanpassungsschicht und/oder einer Elektronenblockerschicht und/oder einer Lochblockerschicht und/oder einer Elektronenleiterschicht und/oder einer Lochleiterschicht und/oder einer Elektroneninjektionsschicht umfassen. Besonders hohe Quanten- beziehungsweise Lichtausbeuten werden dabei durch ein Aufbringen der Schichten in der bevorzugten Reihenfolge Potentialanpassungsschicht/Lochinjektionsschicht/Elektronenblockerschicht/Schicht, welche zumindest ein elektro-optisches Material aufweist/Lochblockerschicht/Elektronenleiterschicht/Elektroneninjektionsschicht/Potentialanpassungsschicht erreicht.
  • Die Abfolge der funktionellen Schichten des organischen, elektro-optischen Elements wird im folgenden der Einfachheit halber als OLED-Schichtstruktur bezeichnet. Diese umfasst insbesondere die erste und zweite leitende Schicht und die Schicht, welche ein organisches, elektro-optisches Material aufweist. Zusätzlich kann die OLED-Schichtstruktur auch noch beispielsweise die oben genannten weiteren funktionellen Schichten umfassen.
  • Um den Lichtaustritt oder Lichteintritt zu ermöglichen, ist es vorteilhaft, wenn eine der leitenden Schichten zumindest teilweise transparent ist. Als geeignet ist hierfür unter anderem Indium-Zinn-Oxid oder Fluor-dotiertes Zinnoxid (SnO2:F).
  • Ein weiterer Vorteil des Verfahrens ist, dass die Reihenfolge der aufgebrachten Schichten nicht zwingend ist. Im allgemeinen werden OLEDs hergestellt, indem auf ein transparentes Substrat, beziehungsweise einen transparenten Träger eine transparente leitfähige Schicht aufgebracht wird, auf welcher dann die Schicht, die ein organisches, elektro-optisches Material aufweist, abgeschieden wird. Diese Struktur wird dann von einer leitenden Schicht, die beispelsweise eine niedrigere Austrittsarbeit verglichen mit der transparenten leitfähigen Schicht aufweisen kann, als weiterer Elektrode abgedeckt. Das emittierte Licht kann in diesem Fall über den transparenten Träger aus- oder eingekoppelt werden.
  • Nach einer bevorzugten Ausgestaltung des Verfahrens erfolgt der Schritt des Abscheidens der zumindest einen Schicht eines Glases nach dem Aufbringen der zumindest einen Schicht, die zumindest ein organisches, elektro-optisches Material aufweist und der ersten und zweiten leitfähigen Schicht. Werden diese Schichten von derselben Seite des Trägers her aufgebracht, beziehungsweise abgeschieden, so befindet sich die Schicht, die zumindest ein organisches, elektro-optisches Material aufweist, zwischen dem Träger und der Schicht eines Glases. Auf diese Weise wird die OLED-Schichtstruktur zwischen Träger und Schicht eines Glases eingekapselt.
  • Da die erfindungsgemäß aufgebrachten Schichten eines Glases beispielsweise auch selbst transparent sein können, ist es aber auch möglich, die Schichtenreihenfolge so anzuordnen, dass die transparente leitfähige Schicht nach der Schicht mit dem organischen, elektro-optischen Material auf den Träger aufgebracht wird. Auf diese Weise kann ein OLED auch beispielsweise mit nicht transparentem Träger hergestellt werden, wobei das Licht in diesem Fall durch die Schicht eines Glases und die transparente leitfähige Schicht tritt.
  • Vorteilhaft können eine oder beide der leitfähigen Schichten, sowie auch die Schicht, welche ein organisches, elektro-optisches Material aufweist, strukturiert aufgebracht, beziehungsweise abgeschieden werden. Insbesondere können diese Schichten auch lateral, also entlang der Oberfläche strukturiert hergestellt werden. Durch eine derartige Strukturierung können eine Vielzahl von Eigenschaften solcher Elemente beeinflußt werden.
  • Beispielsweise können in einer leitfähigen Schicht Lichtdurchtrittsöffnungen geschaffen werden. Weiterhin ist auch eine Schichtanordnung möglich, bei welcher die Schichten nicht zwangsläufig übereinander aufgebracht werden brauchen. Es ist vielmehr möglich, dass beispielsweise strukturierte Schichten auch ineinandergreifen können. Beispielsweise können die erste und/oder die zweite leitfähige Schicht auch kammartig strukturiert aufgebracht werden. Die Schicht, welche zumindest ein organisches, elektro-optisches Material aufweist, kann sich dann zum Beispiel ganz oder teilweise zwischen den Kammstrukturen befinden. Eine Strukturierung ist außerdem für pixelierte Strukturen, die durch eigene Schaltelemente betrieben werden, beziehungsweise für die Herstellung eines organischen elektro-optischen Elements als Aktiv-Matrix Display sinnvoll.
  • Die hermetische Kapselung von OLEDs erfolgt mit Schichten eines Glases, die ein zumindest binäres Stoffsystem umfassen, Derartige Schichten zeichnen sich im allgemeinen durch besonders niedrige Permeabilitätsraten aus, da sie, anders als beispielsweise Quarzgläser, kaum Neigung zur Bildung kristalliner Bereiche zeigen und auch dichtere Strukturen aufweisen. Solche zumindest binären Stoffsysteme können sich beispielsweise aus mindestens zwei Metalloxiden oder Siliziumdioxid und einem oder mehreren Metalloxiden zusammensetzen.
  • Weiterhin kann das Verfahren auch so ausgestaltet sein, dass der Schritt des Abscheidens der zumindest einen Schicht eines Glases vor dem Aufbringen einer der leitfähigen Schichten erfolgt. Damit befindet sich die Schicht eines Glases zwischen Träger und der OLED-Schichtstruktur. Eine solche Variante des Verfahrens schafft eine OLED, bei der ebenfalls die Diffusion durch das Substrat, beziehungsweise den Träger hindurch in die OLED-Schichtstruktur hinein unterdrückt wird. Dadurch kann auch eine hermetische Kapselung auf der Trägerseite des OLEDs erreicht werden. Dies ist beispielsweise für flexible OLEDs von Vorteil, wenn der Träger ein flexibles Kunststoffmaterial mit typischerweise hoher Permeabilität für kleine Gasmoleküle umfasst. Die Schicht eines Glases kann dabei auch die Funktion einer Aus- oder Einkoppelschicht für das von der OLED emittierte Licht erfüllen, um die Ausbeute der OLED durch Brechungsindex-Anpassung zu erhöhen.
  • Die zumindest eine Schicht eines Glases kann außerdem auf der Seite des Trägers aufgebracht werden, welche der Seite, auf welcher die Schicht aufgebracht wird, die ein organisches, elektro-optisches Material aufweist, gegenüberliegt. Somit wird die Schicht auf der Seite des Trägers aufgebracht, auf welcher bei normalem Schichtaufbau der OLED das Licht in die Umgebung ausgekoppelt wird. Auch hier kann eine Brechungsindex-Anpassung mittels der Schicht eines Glases die Auskoppeleffizienz erhöhen, da insbesondere an der Grenzfläche Material/Luft sonst ein großer Brechungsindex-Sprung mit entsprechend starken Rückreflexionen auftritt. Zusätzlich kann auch eine solche Schicht eine Diffusionsbarriere zur Verlängerung der Lebensdauer der OLED schaffen.
  • Von großem Vorteil für die Eigenschaften von OLEDs ist auch eine Weiterbildung des erfindungsgemäßen Verfahrens zu deren Herstellung, bei welchem der Schritt des Aufbringens einer Schicht eines Glases mittels physikalischer und/oder chemischer Dampfphasenabscheidung den Schritt des Aufbringens einer mehrlagigen Schicht umfasst, wobei zumindest zwei der Lagen unterschiedliche Brechungsindizes aufweisen. Dies kann durch Aufbringen verschiedener Schichtmaterialien erreicht werden. Es ist aber auch möglich, den Brechungsindex durch die Wahl der Prozeßparameter beim Aufbringen, wie etwa der Aufdampfrate zu beeinflussen. Eine solche mehrlagige Schicht mit variierendem Brechungsindex ist besonders für eine Brechungsindex-Anpassung geeignet.
  • Das Verfahren kann außerdem den Schritt des Aufbringens einer Abdeckung umfassen, wobei die Schicht eines Glases so aufgebracht wird, dass die Kontaktfläche zwischen der Abdeckung und dem Träger durch die Schicht eines Glases versiegelt und hermetisch abgeschlossen wird. Dazu umfasst der Schritt des Abscheidens zumindest einer Schicht eines Glases den Schritt des Abdeckens der Umrandung der Auflagefläche der Abdeckung mit zumindest einer Schicht eines Glases. Dies kann nicht nur die Aufgabe eines hermetischen Abschlusses lösen, sondern das Aufdampfglas kann auch zur Befestigung der Abdeckung, ähnlich wie bei einem Glaslot genutzt werden. Der Begriff der Auflagefläche ist nicht im strengen Sinne als die Fläche zu verstehen, auf der Berührungspunkte weiterer Komponenten mit der Abdeckung entstehen. Da beispielsweise die OLED-Schichtstruktur im allgemeinen leicht erhaben ist, kann in benachbarten Bereichen neben der OLED-Schichtstruktur ein kleiner Abstand zwischen Abdeckung und der jeweiligen Unterlage, etwa dem Träger entstehen. Auch diese Bereiche sind jedoch ebenfalls als Auflagefläche zu verstehen. Die Auflagefläche kann somit als Projektionsfläche der Seite der Abdeckung auf die Unterlage verstanden werden, welche der Unterlage zugewandt ist.
  • Die Erfindung sieht auch vor, eine organisches photoelektrisches Element bereitzustellen, das insbesondere mit dem oben beschriebenen Verfahren hergestellt ist.
  • Ein erfindungsgemäßes Element umfasst demgemäß:
    • – einen Träger,
    • – eine erste leitfähige Schicht,
    • – zumindest eine Schicht, welche zumindest ein organisches, elektro-optisches Material aufweist und
    • – eine zweite leitfähige Schicht, sowie
    • – eine abgeschiedene Schicht eines Glases, welches ein zumindest binäres Stoffsystem umfasst, auf dem organischen elektro-optischen Element (1) oder derart, dass der Rand einer Abdeckung (23) auf dem organischen elektro-optischen Element (1) gasdicht versiegelt ist.
  • Wie bereits oben bezüglich des Herstellungsverfahrens für OLEDs beschrieben wurde, ist eine Schicht eines Glases besonders gut als Diffusionsbarriere für kleine Moleküle geeignet und stellt so einen wirksamen Schutz gegen die Degradation des Elements bereit. Dadurch, dass die Schicht auf einer Oberfläche des Elements abgeschieden ist, besteht zwischen der Schicht und der Oberfläche eine Verbindung ohne Zwischen- oder Übergangsschichten, was besonders für eine hermetische Versiegelung günstig ist. Die Schicht ist dabei mittels CVD- und/oder PVD-Beschichtung, etwa durch Sputtern, Aufdampfen, PCVD oder PICVD auf der Oberfläche abgeschieden.
  • Bevorzugt weist eine der leitfähigen Schichten eine niedrigere Austrittsarbeit als die andere leitfähige Schicht auf, um eine Austrittsarbeitsdifferenz zwischen den Schichten zu schaffen. Im Falle eines lichtemittierenden Elements werden bei Anlegen einer Spannung an die leitfähigen Schichten Elektronen ausgehend von der Schicht mit niedrigerer Austrittsarbeit in unbesetzte Energiezustände injiziert. Durch Rekombination mit Defektelektronen, die von der Schicht mit höherer Austrittsarbeit injiziert werden, werden dann Lichtquanten abgegeben.
  • Um die Quanteneffizienz eines erfindungsgemäßen OLEDs zu erhöhen, kann das OLED zusätzlich weitere funktionelle Schichten aufweisen. Vorteilhaft sind dabei beispielsweise zumindest eine Lochinjektionsschicht und/oder zumindest eine Potentialanpassungsschicht und/oder zumindest eine Elektronenblockerschicht und/oder zumindest eine Lochblocker-schicht und/oder zumindest eine Elektronenleiterschicht und/oder Lochleiterschicht und/oder zumindest eine Elektroneninjektionsschicht.
  • Um den Austritt der emittierten Lichtquanten zu ermöglichen, ist es von Vorteil, wenn eine der leitfähigen Schichten zumindest teilweise transparent für das von der ein organisches, elektro-optisches Material aufweisenden Schicht emittierte Licht ist. Diese geforderten Eigenschaften können dabei unter anderem erfüllt werden, wenn die erste leitfähige Schicht Indium-Zinn-Oxid oder Fluor-dotiertes Zinnoxid aufweist.
  • Die zumindest eine Schicht eines Glases kann sich außerdem nicht nur auf der Seite des Trägers befinden, auf welcher sich die Schicht befindet, die das organische elektro-optische Material aufweist. Vielmehr kann die Schicht eines Glases auch auf der Seite des Trägers angeordnet sein, welche dieser Seite gegenüberliegt. Auf diese Weise kann zum einen die Diffusion von Gasmolekülen durch den Träger eingeschränkt werden, zum anderen können auch beispielsweise die optischen Eigenschaften des OLEDs günstig beeinflußt werden, indem etwa die Schicht eines Glases eine Brechungsindexanpassung schafft.
  • Die zumindest eine Schicht eines Glases kann weiterhin entlang der Richtung senkrecht zur beschichteten Oberfläche eine variierende Zusammensetzung und/oder einen variierenden Brechungsindex aufweisen. Durch Variation der Zusammensetzung senkrecht zur Oberfläche kann die Schicht in dieser Richtung entsprechende variierende Materialeigenschaften, wie etwa einen variierenden Temperaturausdehnungskoeffizienten oder Brechungsindex aufweisen. Der Brechungsindex kann jedoch auch anders, etwa durch die Morphologie der Schicht beeinflußt werden. Insbesondere kann die Zusammensetzung und/oder der Brechungsindex auch periodisch variieren. Eine Schicht eines Glases mit periodisch variierendem Brechungsindex ist besonders gut geeignet, Licht in das Element aus- oder einzukoppeln.
  • Die zumindest eine Schicht eines Glases kann auch besonders vorteilhaft zwischen dem Träger und erster oder zweiter leitfähiger Schicht angeordnet sein. Mit dieser Anordnung wird ebenfalls die Diffusion von Gasmolekülen durch den Träger hindurch unterdrückt. Außerdem kann auf diese Weise eine Brechungsindexanpassung zwischen der OLED-Schichtstruktur und dem Träger hergestellt werden.
  • Das organische, elektro-optische Element kann auch eine mehrlagige Schicht aufweisen, wobei die Lagen der mehrlagigen Schicht eines Glases unterschiedliche Brechungsindizes aufweisen. Damit kann ein besonders günstiges Aus- und Einkopplungsvermögen für Licht erreicht werden. Ein erfindungsgemäßes elektro-optisches Element kann außerdem vorteilhaft strukturierte Schichten aufweisen. Beispielsweise können die erste und/oder die zweite leitfähige und/oder die zumindest eine Schicht, welche zumindest ein organisches, elektro-optisches Material aufweist, strukturiert sein, um zusätzliche Funktionalität in einer oder mehrerer dieser Schichten zu integrieren. Insbesondere können die erste und/oder zweite leitfähige Schicht kammartig strukturiert sein. Die Fingerelektroden der kammartig strukturierten Schichten können beispielsweise ineinandergreifen, so dass eine Spannung zwischen auf einer Ebene befindlichen leitfähigen Schichten angelegt oder abgegriffen werden kann.
  • Ebenso sind jedoch auch andere Strukturierungen der Schichten sinnvoll. Beispielsweise können die leitfähigen Schichten in verschiedenen Ebenen auf dem Substrat angeordnet einander überkreuzende Linien, beziehungsweise Leiterbahnen aufweisen, die eine Pixelansteuerung einzelgeschalteter Pixelstrukturen, insbesondere für Displayanwendungen erlauben. Dabei wird die sich zwischen den leitfähigen Schichten befindliche Schicht, die zumindest ein elektro-optisches Material aufweist, in der Umgebung eines Kreuzungspunkts zweier angesteuerter Leiterbahnen der leitfähigen Schichten lokal zur Elektrolumineszenz angeregt. Eine entsprechende photovoltaische Anordnung kann umgekehrt zur lokalen Signalabtastung für sensorische Anwendungen, wie etwa eine Bildaufnahme verwendet werden.
  • Die Erfindung wird nachfolgend genauer anhand bevorzugter Ausführungsformen und unter Bezugnahme auf die beigefügten Zeichungen genauer beschrieben. Dabei bezeichnen gleiche Bezugszeichen in den Zeichnungen gleiche oder ähnliche Teile.
  • Es zeigen:
  • 1 eine erste Ausführungsform eines erfindungsgemäßen OLED,
  • 2 eine weitere Ausführungsform einer erfindungsgemäßen OLED mit inverser Schichtstruktur,
  • 3A bis 3D Ausführungsformen mit zusätzlicher Abdeckung zum Schutz der OLED-Schichtstruktur,
  • 4 eine Ausführungsform der OLED mit Anordnung der Schicht eines Glases zwischen OLED-Schichtstruktur und Träger,
  • 5 eine Ausführungsform mit mehrlagiger Verkapselung der OLED-Schichtstruktur,
  • 6 eine Ausführungsform mit mehrlagiger Verkapselung der OLED-Schichtstruktur und unterschiedlichen Brechungsindizes einzelner Lagen,
  • 7A und 7B den Verlauf des Brechungsindex in einer Schicht eines Glases gemäß zweier weiterer Ausführungsformen einer OLED, und
  • 8 eine Ausführungsform einer OLED mit kammartig strukturierten leitenden Schichten.
  • 1 zeigt in schematischer Querschnittsansicht eine erste Ausführungsform einer erfindungsgemäßen OLED, welche als ganzes mit 1 bezeichnet ist. Die OLED umfasst einen Träger 3, auf welchem auf einer Seite 9 eine OLED-Schichtstruktur 5 aufgebracht ist. Die Schichtstruktur 5 umfasst eine erste leitfähige Schicht 13, eine Schicht 15, welche zumindest ein organisches, elektro-optisches Material aufweist, sowie eine zweite leitfähige Schicht 17.
  • Die Schichtstruktur 5 der OLED ist mit einer Schicht 7 eines Glases abgedeckt, welche mittels PVD- und/oder CVD-Beschichtung aufgebracht wurde. Die Schicht 7 eines Glases schafft aufgrund ihrer niedrigen Permeabilität eine hermetische Kapselung der OLED-Schichtstruktur 5 insbesondere gegen kleine Gasmoleküle der natürlichen Atmosphäre, wie Wasser oder Sauerstoff. Auf diese Weise ist die Degradation der erfindungsgemäßen OLED durch chemische Reaktionen reaktiver Gase mit Materialien der Schichtstruktur deutlich herabgesetzt, was sich in einer erhöhten Lebensdauer der OLED äußert. Bevorzugt umfasst die Schicht eines Glases dabei ein Aufdampfglas, welches durch Aufdampfen auf dem Element 1 abgeschieden wurde.
  • Die Schicht 15, die ein organisches, elektro-optisches Material aufweist, wird nachfolgend der Einfachheit halber als organische, lichtemittierende Schicht bezeichnet. Diese Schicht kann jedoch auch als lichtabsorbierende, photovoltaische Schicht für ein photovoltaisches Element ausgebildet sein.
  • Als besonders geeignet hat sich das Aufdampfglas Typ 8329 der Firma Schott erwiesen, welches folgende Zusammensetzung in Gewichtsprozent aufweist:
    Figure 00200001
  • Der elektrische Widerstand beträgt ungefähr 1010 Ω/cm (bei 100°C),
  • Dieses Glas weist in reiner Form ferner einen Brechungsindex von etwa 1,470 auf.
  • Die Dielektrizitätskonstante ε liegt bei etwa 4,8 (bei 25°C, 1 MHz), tgδ beträgt etwa 80 × 10–9 (bei 25°C, 1 MHz). Durch den Aufdampfprozeß und die unterschiedliche Flüchtigkeit der Komponenten dieses Systems ergeben sich leicht unterschiedliche Stöchiometrien zwischen dem Targetmaterial und der aufgedampften Schicht. Die Abweichungen in der aufgedampften Schicht sind in Klammern angegeben.
  • Durch das Aufbringen der Schicht 7 eines Glases mittels CVD und/oder PVD entsteht eine innige Verbindung der Schicht 7 eines Glases sowohl mit der Oberfläche der Schichtstruktur 5, als auch mit dem Träger 3, selbst in Bereichen neben der OLED-Schichtstruktur. Damit werden auch Permeabilitätskanäle an den Randbereichen der OLED-Schichtstruktur vermieden, die bei bisher bekannten OLEDs etwa mittels Verklebungen verkapselt werden.
  • Der Träger 3 umfasst in dieser Ausführungsform ein transparentes Substrat. Von der organischen, lichtemittierenden Schicht 15 emittiertes Licht passiert zunächst die erste, leitfähige Schicht 13 und passiert dann die Grenzfläche zur Umgebung an der Seite 11 des transparenten Trägers 3.
  • Die erste leitfähige Schicht 13 umfasst in dieser Ausführungsform ein transparentes, leitfähiges Material, wie beispielsweise Indium-Zinn-Oxid, um den Durchtritt des Lichts zu ermöglichen.
  • Die zweite leitfähige Schicht 17 umfasst ein Material mit niedrigerer Austrittsarbeit als das der ersten leitfähigen Schicht, wobei im Falle einer Indium-Zinn-Oxidschicht deren Austrittsarbeit bei etwa 4,9 eV liegt. Als Material für die zweite leitfähige Schicht ist insbesondere Calzium geeignet. Calzium ist jedoch sehr reaktiv und reagiert insbesondere mit dem Luftsauerstoff, sowie mit dem in der Luft als Feuchtigkeit enthaltenen Wasser. Insbesondere für den Schutz dieser Schicht ist eine hermetische Kapselung der OLED-Schichtstruktur zur Vermeidung einer Degradation wichtig.
  • Diese Ausführungsform einer OLED umfasst die Schichtabfolge Träger/erste leitfähige Schicht/organische, lichtemittierende Schicht/zweite leitfähige Schicht. Dies entspricht dem standardmäßigen Aufbau von OLEDs. Durch das Aufbringen einer Schicht 7 eines Glases, die gleichzeitig die OLED-Schichtstruktur 5 wirksam verkapselt, ist aber auch ein Aufbau mit inverser Schichtabfolge realisierbar. Diese Variante ist in 2 dargestellt. Bei der in 2 gezeigten Ausführungsform lautet die Schichtabfolge dementsprechend: Träger/zweite leitfähige Schicht/organische, lichtemittierende Schicht/erste leitfähige Schicht. Bei dieser Ausführungsform kann der Träger 3 auch ein undurchsichtiges Material umfassen. Das von der organischen, lichtemittierenden Schicht 15 emittierte Licht tritt dann nach dem Passieren der ersten leitfähigen Schicht 13 durch die Schicht 7 eines Glases an der Außenseite 19 aus.
  • In den 3A bis 3D sind Ausführungsformen des organischen, elektro-optischen Elements 1 mit zusätzlicher Abdeckung 23 dargestellt. Die Abdeckung 23 dient zum Schutz insbesondere vor mechanischen Beschädigungen. Da die Schichten 13 bis 17 des Elements 1 relativ weich sein können, ist die Schicht 7 eines Glases im Bereich der OLED-Schichtstruktur 5 mit einer nicht sehr stabilen Unterlage verbunden, so dass die Schicht 7 eines Glases gegenüber mechanischen Einwirkungen empfindlich sein kann. Die Abdeckung 23 kann vorteilhaft mit der OLED verklebt sein. Bei der in 3A gezeigten Ausführungsform ist die Abdeckung 23 über eine Kunstharz- oder Kunststoffschicht 25 mit den weiteren Komponenten des Elements verbunden. Die Kunstharz- oder Kunststoffschicht 25 ist geeignet, Unebenheiten auf der Oberfläche, etwa durch die hervorragende OLED-Schichtstruktur auszugleichen.
  • Bei der in 3B gezeigten Ausführungsform wurde auf eine Verklebung der Abdeckung mit der Unterlage verzichtet. Hier dient die Schicht 7 eines Glases selbst zur Befestigung der Abdeckung 23. Neben einer Versiegelung der Ränder der Abdeckung 23 wird durch das Abscheiden der Schicht eines Glases demnach auch eine Verbindung der Abdeckung 23, ähnlich, wie mit einem Glaslot erreicht, ohne jedoch die OLED-Schichtstruktur einer besonderen Wärmebelastung aussetzen zu müssen. Die Schicht 7 eines Glases ist beispielhaft nicht als durchgehende Schicht ausgeführt, sondern nur auf den Rändern der Abdeckung 23, beziehungsweise der Umrandungskurve der Auflagefläche der Abdeckung 23 abgeschieden.
  • 3C zeigt eine weitere Ausführungsform eines mit einer Abdeckung 23 versehenen Elements 1, bei welchem die Umrandungskurve der Auflagefläche der Abdeckung 23 mit einer Schicht 7 eines Glases abgedeckt ist. Auch hier wird, wie bei der anhand von 3B gezeigten Ausführungsform, neben einer Versiegelung auch eine Befestigung der Abdeckung 23 mittels der Schicht 7 eines Glases erreicht. Im Unterschied ist aber die Schicht 7 eines Glases seitlich auf das Element aufdedampft, so dass die Ränder des Elements 1 versiegelt werden.
  • Bei der anhand von 3D gezeigten Ausführungsform wurde eine Versiegelung, beziehungsweise ein hermetischer Abschluß der OLED-Schichtstruktur und eine Befestigung einer Abdeckung 23 durch Abscheiden von der Seite her, welche der Abdeckung 23 gegenüberliegt, erreicht. Auch hier ist, den Ausführungsformen der 3B und 3C gemeinsam, die Umrandungskurve der Auflagefläche der Abdeckung 23 durch die Schicht 7 eines Glases abgedeckt.
  • In 4 ist eine Ausführungsform dargestellt, bei welcher die Schicht 7 eines Glases vor dem Aufbringen der ersten und zweiten leitfähigen Schicht und der organischen, lichtemittierenden Schicht auf den Träger 3 aufgebracht ist. Damit befindet sich die Schicht 7 eines Glases zwischen Träger und der OLED-Schichtstruktur. Auf diese Weise ist die Diffusion durch das Substrat, beziehungsweise den Träger hindurch in die OLED-Schichtstruktur hinein unterdrückt. Durch die mit dieser Anordnung der Schicht 7 eines Glases zwischen OLED-Schichtstruktur 5 und Träger 3 erreichten Verkapselung der OLED von der Seite des Trägers 3 her wird es außerdem möglich, dass für den Träger 3 ein für Gasmoleküle penetrierbares Material verwendet werden kann. Beispielsweise kann auf diese Weise auch ein Kunststoffträger verwendet werden, durch den aufgrund der schlechten Barrierewirkung von Kunststoffen ansonsten Gasmoleküle in die OLED-Schichtstruktur migrieren würden. Die Verwendung von Kunststoffträgern ist dabei insbesondere für die Herstellung flexibler OLEDs geeignet.
  • Die OLED kann außerdem eine Haftvermittlungsschicht 10 für die Verbindung der Schicht 7 eines Glases mit einem Kunststoffträger aufweisen. Die Haftvermittlungsschicht 10 grenzt dabei an die Schicht 7 eines Glases an und befindet sich zwischen Träger 3 und Schicht 7. Die Haftvermittlungsschicht 10 schafft eine feste und dauerhafte Verbindung der Schicht 7 eines Glases mit dem Träger 3, so dass eine Abtrennung der Schicht 7 vom flexiblen Träger 3 insbesondere beim Verbiegen der OLED verhindert wird. Selbstverständlich können auch die oben beschriebenen, sowie die nachfolgend beschriebenen Ausführungsformen solche Haftvermittlungsschichten aufweisen.
  • Zusätzlich kann eine in 4 nicht gezeigte weitere Verkapselung die OLED-Schichtstruktur 5 hermetisch abschließen, wobei diese Verkapselung bevorzugt ebenfalls durch Aufbringen einer Schicht eines Glases mittels CVD- und/oder PVD-Beschichtung erfolgt. Die zwischen der OLED-Schichtstruktur 5 und dem Träger 3 aufgebrachte Schicht eines Glases kann neben ihrer Funktion als Diffusionssperre auch zusätzlich als Brechungsindex-Anpassung zwischen OLED-Schichtstruktur 5 und Träger 3 dienen, um die Auskopplung des von der organischen Schicht 15 emittierten Lichts zu verbessern.
  • Bei OLEDs mit flexiblen Trägern 3, die wie in 4 gezeigt aufgebaut sind, sollte die Schicht 7 eines Glases möglichst entlang der neutralen Faser des Aufbaus laufen, so dass sich in dieser Schicht beim Verbiegen der OLED keine Risse bilden können, welche die Degradation wieder erhöhen könnten. In 5 ist eine Ausführungsform gezeigt, bei welcher eine mehrlagige Schicht 27 aufgebracht wurde, um die Flexibilität des Aufbaus zu erhöhen. Dabei ist die mehrlagige Schicht 27 auf der Seite 9 des Trägers zwischen Träger 3 und OLED-Schichtstruktur 5 aufgebracht. Die mehrlagige Schicht 27 umfasst in dieser Ausführungsform N Schichten eines Glases 71, 72, ..., 7N.
  • Abwechselnd zu diesen Schichten 71, 72, ..., 7N sind N Schichten 81, 82, ..., 8N aufgebracht. Das gleiche Prinzip kann selbstverständlich auch auf der dieser Seite gegenüberliegenden Seite der OLED-Schichtstruktur zur vollständigen und gleichzeitig Kapselung der OLED-Schichtstruktur 5 angewandt werden.
  • In den 4 und 5 ist jeweils der Übersichtlichkeit halber die Kapselung der OLED-Schichtstruktur auf der dem Träger gegenüberliegenden Seite nicht dargestellt.
  • 6 zeigt ähnlich zu der in 5 dargestellten Ausführungsform eine erfindungsgemäße OLED mit mehrlagiger Schicht 27, die Schichten 71, 72, ..., 7N mit glasartiger Struktur, sowie weitere Schichten 81, 82, ..., 8N umfasst. Im Gegensatz zu der in 5 gezeigten Ausführungsform sind hier jedoch die Schichten auf der Seite 11 des Trägers 3 aufgebracht, welche der Seite 9, auf welcher die OLED-Schichtstruktur 5 aufgebracht ist, gegenüberliegt. Zusätzlich dargestellt ist eine Verkapselung der OLED-Schichtstruktur 5 ähnlich der anhand der 1 bis 3D dargestellten Ausführungsformen durch eine Schicht 7 mit glasartiger Struktur.
  • Die mehrlagige Schicht 27 dient hier neben der durch die Schichten 71 bis 7N erzielte Barrierewirkung zur Brechungsindex-Anpassung, um die Auskopplung des von der organischen Schicht 15 emittierten Lichts an der Grenzfläche der OLED zur Umgebung zu verbessern. Die einzelnen Schichten 71 bis 7N und 81 bis 8N der mehrlagigen Schicht 27 weisen dazu unterschiedliche Brechungsindizes auf. Insbesondere ist die Schicht 27 so aufgebaut, dass die Schichten 71 bis 7N eines Glases gleiche Brechungsindizes und die Schichten 81 bis 8N ebenfalls gleiche Brechungsindizes aufweisen. Auf diese Weise alterniert der Brechungsindex durch die abwechselnde Anordnung der Schichten von Schicht zu Schicht.
  • Eine Variation des Brechungsindex kann jedoch nicht nur durch Kombination verschiedener Schichten entstehen. Vielmehr ist es auch möglich, dass eine Schicht eines Glases entlang der Richtung senkrecht zur beschichteten Oberfläche variierende Zusammensetzung und/oder einen entlang dieser Richtung variierenden Brechungsindex aufweist. Dabei wird eine Variation des Brechungsindex bevorzugt ebenfalls durch Variation der Schichtzusammensetzung verändert. Jedoch ist auch eine Variation durch eine sich entlang dieser Richtung ändernden Schichtmorphologie, wie etwa eine sich ändernde Dichte denkbar. Schichten mit Variation des Brechungsindex durch sich ändernde Schichtzusammensetzung können durch Abscheiden der Schicht mittels Coverdampfung ereugt werden, wobei die Aufdampfrate zumindest einer der Verdampfungsquellen im Verlauf des Aufdampfprozesses geändert wird. Durch periodische Änderung der Aufdampfrate, beispielsweise durch periodische Änderung der Leistung einer der Quellen kann so eine entsprechende Schicht eines Glases erzeugt werden, die senkrecht zur beschichteten Oberfläche einen periodisch variierenden Brechungsindex aufweist.
  • Ein solcher Verlauf des Brechungsindex ist beispielhaft in den 7A und 7B dargestellt. Die Koordinate z kennzeichnet dabei die Richtung senkrecht zur beschichteten Oberfläche. Beide Verläufe zeigen eine periodische Variation des Brechungsindex in z-Richtung. Der in 7B dargestellte Verlauf des Brechungsindex weist neben der periodischen Variation außerdem eine Abnahme der Amplitude in z-Richtung auf, was zusätzlich von Nutzen für die Aus-, beziehungsweise Einkoppeleffizienz des Elements sein kann.
  • In 8 ist schließlich eine weitere Ausführungsform einer OLED, beziehungsweise eines organischen, elektro-optischen Elements dargestellt, welches strukturierte funktionelle Schichten aufweist. Bei dieser Ausführungsform sind die leitenden Schichten 13 und 17 kammartig strukturiert und befinden sich beide auf derselben Ebene auf dem Träger 3. Die Schichten 13 und 17 weisen jeweils Fingerelektroden 30 auf, die mit wenigstens einem Steg 32 verbunden sind. Die Spannungszuführung, beziehungsweise der Spannungsabgriff im Falle eines photovoltaischen Elements geschieht dabei über die Stege 32. Die Schicht 15, die zumindest ein organisches, elektro-optisches Material aufweist, ist auf die mit den strukturierten Schichten 13 und 17 aufgebracht, so dass sich Material der Schicht 15 auch zwischen den Fingerelektroden befindet. Die so hergestellte OLED-Schichtstruktur ist in diesem Ausführungsbeispiel zur Verkapselung wieder, ähnlich der anhand von 1 dargestellten Ausführungsform mit einer Schicht 7 eines Glases abgedeckt.
  • Selbstverständlich können die oben dargestellten beispielhaften Ausführungsformen auch in vielfältiger Weise kombiniert werden, etwa indem Schichten eines Glases auf mehreren Seiten des Substrats aufgebracht werden. So kann unter anderem die anhand von 6 gezeigte Ausführungsform mit einer Beschichtung auf der Seite des Substrats, die der OLED-Schichtstruktur 5 zugewandt ist, zum Beispiel wie in den Ausführungsformen der 4 oder 5 kombiniert werden. Ebenso sind auch nahezu beliebige andere Kombinationen der gezeigten Ausführungsformen möglich. Auch können alle Ausführungsformen in Pixel-Displays Verwendung finden, beispielsweise durch Matrixanordnung der beschriebenen Elemente oder durch entsprechend strukturierte leitfähige Schichten mit überkreuzenden Leiterbahnen. Bezugszeichenliste
    Figure 00300001

Claims (23)

  1. Verfahren zur Herstellung eines organischen, elektro-optischen Elements (1), umfassend die Schritte: – Bereitstellen eines Trägers (3), – Aufbringen einer ersten leitfähigen Schicht (13, 17) – Aufbringen zumindest einer Schicht (15), welche zumindest ein organisches, elektro-optisches Material aufweist, – Aufbringen einer zweiten leitfähigen Schicht (13, 17), gekennzeichnet durch den Schritt des – Abscheidens zumindest einer Schicht (7, 71, 72, ... 7N) eines Glases, welches ein zumindest binäres Stoffsystem umfasst, mittels physikalischer und/oder chemischer Dampfphasenabscheidung auf das organische elektro-optische Element (1) oder derart, dass der Rand einer Abdeckung (23) auf dem organischen elektro-optischen Element (1) gasdicht versiegelt ist.
  2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der Schritt des Abscheidens zumindest einer Schicht (7, 71, 72, ... 7N) eines Glases den Schritt des Aufdampfens einer Schicht (7, 71, 72, ... 7N) eines Glases umfasst.
  3. Verfahren nach Anspruch 2, wobei der Schritt des Aufdampfens einer Schicht (7, 71, 72, ... 7N) eines Glases den Schritt des Elektronenstrahlverdampfens umfasst.
  4. Verfahren nach Anspruch 2 oder 3, dadurch gekennzeichnet, dass der Schritt des Aufdampfens einer Schicht (7, 71, 72, ... 7N) eines Glases den Schritt des Coverdampfens aus zumindest zwei Verdampfungsquellen umfasst.
  5. Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, dass der Schritt des Coverdampfens den Schritt des Variierens, insbesondere des periodischen Variierens der Aufdampfrate zumindest einer der Verdampfungsquellen umfasst.
  6. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, dass der Schritt des Abscheidens einer Schicht (7, 71, 72, ... 7N) eines Glases den Schritt des Abscheidens mittels plasmainduzierter chemischer Dampfphasenabscheidung (PECVD), insbesondere den Schritt des Abscheidens mittels plasmaimpulsinduzierter chemischer Dampfphasenabscheidung (PICVD) und/oder den Schritt des Aufsputterns einer Schicht (7, 71, 72, ... 7N) eines Glases umfasst.
  7. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 6, gekennzeichnet durch den Schritt des Aufbringens zumindest einer Lochinjektionsschicht und/oder einer Potentialanpassungsschicht und/oder einer Elektronenblockerschicht und/oder einer Lochblockerschicht und/oder einer Elektronenleiterschicht und/oder einer Lochleiterschicht und/oder einer Elektroneninjektionsschicht.
  8. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, dass zumindest eine der leitfähigen Schichten (13, 17) Indium-Zinn-Oxid und/oder Fluordotiertes Zinnoxid aufweist.
  9. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet, dass die erste und/oder die zweite leitfähige und/oder die zumindest eine Schicht, welche zumindest ein organisches, elektro-optisches Material aufweist, strukturiert aufgebracht werden.
  10. Verfahren nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, dass die erste (13) und/oder zweite (15) leitfähige Schicht kammartig strukturiert aufgebracht werden.
  11. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 10, wobei der Schritt des Abscheidens der zumindest einen Schicht (7, 71, 72, ... 7N) eines Glases vor dem Aufbringen einer der leitfähigen Schichten (13, 17) erfolgt.
  12. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 11, dadurch gekennzeichnet, dass der Schritt des Abscheidens einer Schicht (7, 71, 72, ... 7N) eines Glases den Schritt des Abscheidens einer Schicht (7, 71, 72, ... 7N) eines Glases auf der Seite (9) des Trägers umfasst, welche der Seite (11), auf welcher die Schicht (15), die zumindest ein organisches, elektro-optisches Material aufweist, aufgebracht wird, gegenüberliegt.
  13. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 12, dadurch gekennzeichnet, dass der Schritt des Abscheidens einer Schicht (7, 71, 72, ... 7N) eines Glases den Schritt des Aufbringens einer mehrlagigen Schicht (27) mit zumindest zwei Lagen (71, 72, ..., 7N, 81, 82, ..., 8N) umfasst, wobei die Lagen (71, 72, ..., 7N, 81, 82, ..., 8N) unterschiedliche Brechungsindizes aufweisen.
  14. Organisches elektro-optisches Element (1), insbesondere hergestellt mit einem Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 13, umfassend: – einen Träger (3), – eine erste leitfähige Schicht (13), – zumindest eine Schicht (15), welche zumindest ein organisches, elektro-optisches Material aufweist und – eine zweite leitfähige Schicht (17), gekennzeichnet durch – zumindest eine mittels physikalischer und/oder chemischer Dampfphasenabscheidung abgeschiedene Schicht (7, 71, 72, ... 7N) eines Glases, welches ein zumindest binäres Stoffsystem umfasst, auf dem organischen elektro-optischen Element (1) oder derart, dass der Rand einer Abdeckung (23) auf dem organischen elektro-optischen Element (1) gasdicht versiegelt ist.
  15. Element nach Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet, dass zumindest eine der leitfähigen Schichten (13, 17) Indium-Zinn-Oxid und/oder Fluor-dotiertes Zinnoxid aufweist.
  16. Element nach Anspruch 14 oder 15, dadurch gekennzeichnet, dass die zumindest eine Schicht (7, 71, 72, ... 7N) eines Glases zwischen dem Träger (3) und erster (13) oder zweiter (15) leitfähiger Schicht angeordnet ist.
  17. Element nach einem der Ansprüche 14 bis 16, dadurch gekennzeichnet, dass sich die zumindest eine Schicht (7, 71, 72, ... 7N) eines Glases auf der Seite (11) des Trägers befindet, welche der Seite (9), auf welcher sich die Schicht (15) befindet, welche ein organisches, elektro-optisches Material aufweist, gegenüberliegt.
  18. Element nach einem der Ansprüche 14 bis 17, dadurch gekennzeichnet, dass die zumindest eine Schicht (7, 71, 72, ... 7N) eines Glases entlang der Richtung senkrecht zur beschichteten Oberfläche variierende Zusammensetzung und/oder einen entlang dieser Richtung variierenden Brechungsindex aufweist.
  19. Element nach Anspruch 18, gekennzeichnet durch eine periodische Variation der Zusammensetzung und/oder des Brechungsindex der zumindest einen Schicht (7, 71, 72, ... 7N) eines Glases entlang der Richtung senkrecht zur beschichteten Oberfläche.
  20. Element nach einem der Ansprüche 14 bis 19, gekennzeichnet durch eine mehrlagige Schicht (27), welche zumindest zwei Lagen einer Schicht (7, 71, 72, ... 7N) eines Glases umfasst, wobei die Lagen (71, 72, ..., 7N, 81, 82, ..., 8N) der mehrlagigen Schicht (27) unterschiedliche Brechungsindizes aufweisen.
  21. Element nach einem der Ansprüche 14 bis 20, gekennzeichnet durch zumindest eine Lochinjektionsschicht und/oder zumindest eine Potentialanpassungsschicht und/oder zumindest eine Elektronenblockerschicht und/oder zumindest eine Lochblockerschicht und/oder zumindest eine Elektronenleiterschicht und/oder Lochleiterschicht und/oder zumindest eine Elektroneninjektionsschicht.
  22. Element nach einem der Ansprüche 14 bis 21, dadurch gekennzeichnet, dass die erste und/oder die zweite leitfähige und/oder die zumindest eine Schicht, welche zumindest ein organisches, elektro-optisches Material aufweist, strukturiert sind.
  23. Element nach Anspruch 22, dadurch gekennzeichnet, dass die erste (13) und/oder zweite (15) leitfähige Schicht kammartig strukturiert sind.
DE10222958A 2002-04-15 2002-05-23 Verfahren zur Herstellung eines organischen elektro-optischen Elements und organisches elektro-optisches Element Expired - Lifetime DE10222958B4 (de)

Priority Applications (69)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE10222958A DE10222958B4 (de) 2002-04-15 2002-05-23 Verfahren zur Herstellung eines organischen elektro-optischen Elements und organisches elektro-optisches Element
DE10222609A DE10222609B4 (de) 2002-04-15 2002-05-23 Verfahren zur Herstellung strukturierter Schichten auf Substraten und verfahrensgemäß beschichtetes Substrat
US10/231,966 US7268486B2 (en) 2002-04-15 2002-08-30 Hermetic encapsulation of organic, electro-optical elements
US10/511,488 US20060051584A1 (en) 2002-04-15 2003-04-15 Process for producing a product having a structured surface
AU2003232469A AU2003232469A1 (en) 2002-04-15 2003-04-15 Method for the production of structured layers on substrates
EP03725032.1A EP1495491B1 (de) 2002-04-15 2003-04-15 Verfahren zum verbinden von substraten und verbundelement
TW092108722A TW200407446A (en) 2002-04-15 2003-04-15 Method for producing patterned layers on substrates
CNA038085844A CN1646722A (zh) 2002-04-15 2003-04-15 金属表面的涂层方法和具有涂层的金属表面的基片
KR1020117025576A KR101178935B1 (ko) 2002-04-15 2003-04-15 구조화된 표면을 구비한 제품 생산 방법
CNB038085682A CN100397593C (zh) 2002-04-15 2003-04-15 在衬底上形成图案层的方法
IL16417103A IL164171A0 (en) 2002-04-15 2003-04-15 Method for the production of structured layers on substrates
CA002480737A CA2480737A1 (en) 2002-04-15 2003-04-15 Method for coating metal surfaces and substrate having a coated metal surface
KR1020047016630A KR100616126B1 (ko) 2002-04-15 2003-04-15 전자 모듈의 하우징 형성 방법 및 이러한 방식으로 밀봉 캡슐화된 전자 모듈
EP03737956A EP1495154B1 (de) 2002-04-15 2003-04-15 Verfahren zur gehäusebildung bei elektronischen bauteilen so wie so hermetisch verkapselte elektronische bauteile
US10/511,315 US7326446B2 (en) 2002-04-15 2003-04-15 Method for coating metal surfaces and substrate having a coated metal surface
AT03737955T ATE411407T1 (de) 2002-04-15 2003-04-15 Verfahren zur beschichtung von metalloberflächen
PCT/EP2003/003884 WO2003088340A2 (de) 2002-04-15 2003-04-15 Verfahren zur herstellung strukturierter schichten auf substraten
CA002480691A CA2480691A1 (en) 2002-04-15 2003-04-15 Method for forming housings for electronic components and electronic components that are hermetically encapsulated thereby
CNB038085836A CN100387749C (zh) 2002-04-15 2003-04-15 用于形成电子组件外壳的方法和以这种方法密封封装的电子组件
CNB038085410A CN1329285C (zh) 2002-04-15 2003-04-15 用于制造一种具有构造表面的产品的方法
PCT/EP2003/003881 WO2003088354A2 (de) 2002-04-15 2003-04-15 Verfahren zur herstellung eines kopierschutzes für eine elektronische schaltung und entsprechendes bauteil
PCT/EP2003/003907 WO2003088347A2 (de) 2002-04-15 2003-04-15 Verfahren zum verbinden von substraten und verbundelement
AU2003245876A AU2003245876A1 (en) 2002-04-15 2003-04-15 Method for forming housings for electronic components and electronic components that are hermetically encapsulated thereby
KR1020047016632A KR100789977B1 (ko) 2002-04-15 2003-04-15 복제 방지체 형성 방법, 상기 복제 방지체를 구비한 전자 부품, 및 상기 전자 부품을 구비하는 해독 디바이스
PCT/EP2003/003883 WO2003088370A2 (de) 2002-04-15 2003-04-15 Hermetische verkapselung von organischen elektro-optischen elementen
AU2003233973A AU2003233973A1 (en) 2002-04-15 2003-04-15 Method for producing a product having a structured surface
EP03746297.5A EP1495493B1 (de) 2002-04-15 2003-04-15 Verwendung einer Borosilikatglasschicht
AU2003245875A AU2003245875A1 (en) 2002-04-15 2003-04-15 Method for coating metal surfaces and substrate having a coated metal surface
PCT/EP2003/003873 WO2003086958A2 (de) 2002-04-15 2003-04-15 Verfahren zur herstellung eines erzeugnisses mit einer strukturierten oberfläche
CN038133024A CN1659720A (zh) 2002-04-15 2003-04-15 有机电光元件的气密封装
IL16430403A IL164304A0 (en) 2002-04-15 2003-04-15 Method for producing a product having a structured surface
CNB03808564XA CN100359653C (zh) 2002-04-15 2003-04-15 用于连结基片的处理和复合元件
US10/511,334 US7825029B2 (en) 2002-04-15 2003-04-15 Method for the production of structured layers on substrates
KR1020047016629A KR100679345B1 (ko) 2002-04-15 2003-04-15 금속 표면 코팅 방법 및 코팅된 금속 표면을 구비한 기판
JP2003584356A JP2006503976A (ja) 2002-04-15 2003-04-15 金属表面を被覆する方法および被覆された金属表面を有する基板
EP03746159.7A EP1502293B1 (de) 2002-04-15 2003-04-15 Verfahren zur herstellung strukturierter schichten auf substraten
CA002479823A CA2479823A1 (en) 2002-04-15 2003-04-15 Method for the production of structured layers on substrates
EP03727305.9A EP1494965B1 (de) 2002-04-15 2003-04-15 Verfahren zur herstellung eines erzeugnisses mit einer strukturierten oberfläche
PCT/EP2003/003882 WO2003087424A1 (de) 2002-04-15 2003-04-15 Verfahren zur gehäusebildung bei elektronischen bauteilen sowie so hermetisch verkapselte elektronische bauteile
CA002480797A CA2480797A1 (en) 2002-04-15 2003-04-15 Method for producing a copy protection for an electronic circuit and corresponding component
AU2003250326A AU2003250326A1 (en) 2002-04-15 2003-04-15 Method for producing a copy protection for an electronic circuit and corresponding component
DE50310646T DE50310646D1 (de) 2002-04-15 2003-04-15 Verfahren zur beschichtung von metalloberflächen
EP03737955A EP1495153B1 (de) 2002-04-15 2003-04-15 Verfahren zur beschichtung von metalloberflächen
EP03727306A EP1495501A2 (de) 2002-04-15 2003-04-15 Hermetische verkapselung von organischen elektro-optischen elementen
JP2003583927A JP2005527459A (ja) 2002-04-15 2003-04-15 構造化された表面を有する製品を作製する方法
PCT/EP2003/003872 WO2003087423A1 (de) 2002-04-15 2003-04-15 Verfahren zur beschichtung von metalloberflächen und substrat mit beschichteter metalloberfläche
KR1020047016631A KR100636414B1 (ko) 2002-04-15 2003-04-15 기판 결합 방법 및 복합 부품
US10/511,557 US7396741B2 (en) 2002-04-15 2003-04-15 Method for connecting substrate and composite element
US10/511,566 US7863200B2 (en) 2002-04-15 2003-04-15 Process of vapor depositing glass layers for wafer-level hermetic encapsulation of electronic modules
CNA038085690A CN1647276A (zh) 2002-04-15 2003-04-15 用于为电子电路制作复制保护的方法以及相应元件
AT03737956T ATE393839T1 (de) 2002-04-15 2003-04-15 Verfahren zur gehäusebildung bei elektronischen bauteilen so wie so hermetisch verkapselte elektronische bauteile
CA002485022A CA2485022A1 (en) 2002-04-15 2003-04-15 Method for connecting substrates and composite element
AU2003233974A AU2003233974A1 (en) 2002-04-15 2003-04-15 Hermetic encapsulation of organic electro-optical elements
IL16429003A IL164290A0 (en) 2002-04-15 2003-04-15 Method for forming housings for electronic components and electronic components that are hermetically encapsulated thereby
KR1020047016642A KR100942038B1 (ko) 2002-04-15 2003-04-15 유기 광전 소자 및 유기 광전 소자 제조 방법
CA002480854A CA2480854A1 (en) 2002-04-15 2003-04-15 Method for producing a product having a structured surface
US10/511,558 US7495348B2 (en) 2002-04-15 2003-04-15 Process for producing copy protection for an electronic circuit
JP2003585179A JP2005528783A (ja) 2002-04-15 2003-04-15 電子回路用のコピー防止を作成する方法
KR10-2004-7016634A KR20040111528A (ko) 2002-04-15 2003-04-15 구조화된 표면을 구비한 제품 생산 방법
AU2003227626A AU2003227626A1 (en) 2002-04-15 2003-04-15 Method for connecting substrates and composite element
DE50309735T DE50309735D1 (de) 2002-04-15 2003-04-15 Verfahren zur gehäusebildung bei elektronischen bauteilen so wie so hermetisch verkapselte elektronische bauteile
JP2003585167A JP2005527112A (ja) 2002-04-15 2003-04-15 基体上へのパターン層作製方法
JP2003585192A JP2005527076A (ja) 2002-04-15 2003-04-15 有機電気光学素子の気密封止
JP2003585174A JP2005528782A (ja) 2002-04-15 2003-04-15 基板およびコンポジット要素の接続方法
CA002505014A CA2505014A1 (en) 2002-04-15 2003-04-15 Hermetic encapsulation of organic electro-optical elements
JP2003584357A JP2005528780A (ja) 2002-04-15 2003-04-15 電子部品用のハウジングを形成する方法およびそれによって密封カプセル封止される電子部品
IL16430104A IL164301A0 (en) 2002-04-15 2004-09-27 Method for connecting substrates and composite element
IL16430004A IL164300A0 (en) 2002-04-15 2004-09-27 Method for coating metal surfaces and substrate having a coated metal surface
US11/881,962 US8299706B2 (en) 2002-04-15 2007-07-30 Hermetic encapsulation of organic, electro-optical elements

Applications Claiming Priority (8)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE20205830 2002-04-15
DE20205830.1 2002-04-15
DE10222964A DE10222964B4 (de) 2002-04-15 2002-05-23 Verfahren zur Gehäusebildung bei elektronischen Bauteilen sowie so hermetisch verkapselte elektronische Bauteile
DE10222958A DE10222958B4 (de) 2002-04-15 2002-05-23 Verfahren zur Herstellung eines organischen elektro-optischen Elements und organisches elektro-optisches Element
DE10222609A DE10222609B4 (de) 2002-04-15 2002-05-23 Verfahren zur Herstellung strukturierter Schichten auf Substraten und verfahrensgemäß beschichtetes Substrat
DE10252787A DE10252787A1 (de) 2002-04-15 2002-11-13 Verfahren zur Herstellung eines Kopierschutzes für eine elektronische Schaltung
DE10301559A DE10301559A1 (de) 2002-04-15 2003-01-16 Verfahren zur Herstellung eines Erzeugnisses mit einer strukturierten Oberfläche
PCT/EP2003/003883 WO2003088370A2 (de) 2002-04-15 2003-04-15 Hermetische verkapselung von organischen elektro-optischen elementen

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE10222958A1 DE10222958A1 (de) 2003-10-30
DE10222958B4 true DE10222958B4 (de) 2007-08-16

Family

ID=44243116

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE10222958A Expired - Lifetime DE10222958B4 (de) 2002-04-15 2002-05-23 Verfahren zur Herstellung eines organischen elektro-optischen Elements und organisches elektro-optisches Element

Country Status (7)

Country Link
EP (1) EP1495501A2 (de)
JP (1) JP2005527076A (de)
CN (1) CN1659720A (de)
AU (1) AU2003233974A1 (de)
CA (1) CA2505014A1 (de)
DE (1) DE10222958B4 (de)
WO (1) WO2003088370A2 (de)

Families Citing this family (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2003088347A2 (de) 2002-04-15 2003-10-23 Schott Ag Verfahren zum verbinden von substraten und verbundelement
DE10222609B4 (de) 2002-04-15 2008-07-10 Schott Ag Verfahren zur Herstellung strukturierter Schichten auf Substraten und verfahrensgemäß beschichtetes Substrat
AU2003245876A1 (en) 2002-04-15 2003-10-27 Schott Ag Method for forming housings for electronic components and electronic components that are hermetically encapsulated thereby
JP4138672B2 (ja) * 2003-03-27 2008-08-27 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置の製造方法
JP2006269099A (ja) * 2005-03-22 2006-10-05 Pioneer Electronic Corp 有機ｅｌパネル製造装置、有機ｅｌパネル製造方法
DE202005011574U1 (de) 2005-07-22 2006-11-23 Aeg Gesellschaft für Moderne Informationssysteme mbH Flüssigkristallanzeige
KR100645705B1 (ko) 2006-01-27 2006-11-15 삼성에스디아이 주식회사 유기전계발광 표시장치 및 그 제조방법
DE102006016373A1 (de) 2006-04-05 2007-10-11 Merck Patent Gmbh Großflächige OLED's mit homogener Lichtemission
DE102006027393A1 (de) 2006-06-13 2007-12-20 Applied Materials Gmbh & Co. Kg Verkapselung für organisches Bauelement
JP2008004290A (ja) * 2006-06-20 2008-01-10 Nippon Hoso Kyokai <Nhk> 有機ｅｌ表示装置および有機ｅｌ表示装置の製造方法
US20080290798A1 (en) * 2007-05-22 2008-11-27 Mark Alejandro Quesada LLT barrier layer for top emission display device, method and apparatus
JP5162179B2 (ja) * 2007-07-31 2013-03-13 住友化学株式会社 発光素子およびその製造方法並びに照明装置
DE102007050680A1 (de) * 2007-10-22 2009-05-28 Leonhard Kurz Gmbh & Co. Kg Flächengebilde, insbesondere fotovoltaisches Element auf Polymerbasis
DE102009056756B4 (de) 2009-12-04 2020-10-15 Schott Ag Material für Batterie-Elektroden, dieses enthaltende Batterie-Elektroden sowie Batterien mit diesen Elektroden und Verfahren zu deren Herstellung
KR101931177B1 (ko) 2012-03-02 2018-12-21 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
WO2017034969A1 (en) * 2015-08-21 2017-03-02 Corning Incorporated Methods of continuous fabrication of features in flexible substrate webs and products relating to the same
EP3258516A1 (de) * 2016-06-15 2017-12-20 odelo GmbH Leuchteinheit mit organischer leuchtdiode (oled) sowie verfahren zu deren herstellung
EP3258515A1 (de) * 2016-06-15 2017-12-20 odelo GmbH Leuchteinheit mit organischer leuchtdiode (oled) für fahrzeuganwendungen sowie verfahren zu deren herstellung
US11251406B2 (en) 2019-03-07 2022-02-15 Vitro Flat Glass Llc Borosilicate light extraction region
CN111378934B (zh) * 2020-03-30 2021-03-30 中国科学院上海光学精密机械研究所 提升电子束蒸镀薄膜元件的光谱和应力时效稳定性的镀膜方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2001005205A1 (en) * 1999-07-09 2001-01-18 Institute Of Materials Research & Engineering Laminates for encapsulating devices
US6268695B1 (en) * 1998-12-16 2001-07-31 Battelle Memorial Institute Environmental barrier material for organic light emitting device and method of making
WO2001078151A2 (en) * 2000-04-11 2001-10-18 Rockwell Technologies, Llc Patterning of polymer light emitting devices using electrochemical polymerization
US20010052752A1 (en) * 2000-04-25 2001-12-20 Ghosh Amalkumar P. Thin film encapsulation of organic light emitting diode devices

Family Cites Families (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4104418A (en) * 1975-09-23 1978-08-01 International Business Machines Corporation Glass layer fabrication
JP2793383B2 (ja) * 1991-06-24 1998-09-03 出光興産株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP2813499B2 (ja) * 1991-09-30 1998-10-22 出光興産株式会社 有機ｅｌ素子
JPH0696858A (ja) * 1992-09-10 1994-04-08 Toppan Printing Co Ltd 有機薄膜ｅｌ素子
JPH06267654A (ja) * 1993-03-15 1994-09-22 Fuji Electric Co Ltd エレクトロルミネセンスパネルの製造方法
JP2797905B2 (ja) * 1993-06-25 1998-09-17 凸版印刷株式会社 有機薄膜ｅｌ素子
JP3277965B2 (ja) * 1993-09-20 2002-04-22 東洋紡績株式会社 エレクトロルミネッセンスパネル
JPH07169567A (ja) * 1993-12-16 1995-07-04 Idemitsu Kosan Co Ltd 有機ｅｌ素子
JP3577117B2 (ja) * 1994-10-07 2004-10-13 Ｔｄｋ株式会社 有機エレクトロルミネセンス素子の製法
DE4438359C2 (de) * 1994-10-27 2001-10-04 Schott Glas Behälter aus Kunststoff mit einer Sperrbeschichtung
JP3248374B2 (ja) * 1994-12-13 2002-01-21 株式会社日本触媒 ガスバリア性積層体
US5607789A (en) * 1995-01-23 1997-03-04 Duracell Inc. Light transparent multilayer moisture barrier for electrochemical cell tester and cell employing same
JPH09204981A (ja) * 1996-01-26 1997-08-05 Nippon Steel Chem Co Ltd 有機ｅｌ素子
JP4011649B2 (ja) * 1996-06-11 2007-11-21 出光興産株式会社 多色発光装置およびその製造方法
JP2950240B2 (ja) * 1996-06-24 1999-09-20 関西日本電気株式会社 電界発光灯
JP3900617B2 (ja) * 1997-09-17 2007-04-04 カシオ計算機株式会社 発光素子及び発光素子用の保護材料
JPH11144864A (ja) * 1997-11-13 1999-05-28 Mitsubishi Chemical Corp 有機電界発光素子及びその製造方法
US6146225A (en) * 1998-07-30 2000-11-14 Agilent Technologies, Inc. Transparent, flexible permeability barrier for organic electroluminescent devices
JP2000223265A (ja) * 1999-02-02 2000-08-11 Toray Ind Inc 発光素子
JP2000231992A (ja) * 1999-02-09 2000-08-22 Stanley Electric Co Ltd 面光源装置
JP2000277253A (ja) * 1999-03-26 2000-10-06 Canon Inc 発光素子、発光装置、表示装置、露光装置及び画像形成装置
JP2001052863A (ja) * 1999-08-05 2001-02-23 Auto Network Gijutsu Kenkyusho:Kk 有機ｅｌ素子の製造方法及び有機ｅｌ素子
US6153271A (en) * 1999-12-30 2000-11-28 General Vacuum, Inc. Electron beam evaporation of transparent indium tin oxide
JP4556282B2 (ja) * 2000-03-31 2010-10-06 株式会社デンソー 有機ｅｌ素子およびその製造方法
JP2001307873A (ja) * 2000-04-21 2001-11-02 Toppan Printing Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス表示素子およびその製造方法
JP4324718B2 (ja) * 2000-05-30 2009-09-02 カシオ計算機株式会社 電界発光素子
JP2002033186A (ja) * 2000-07-17 2002-01-31 Stanley Electric Co Ltd 有機発光素子
JP2002063985A (ja) * 2000-08-22 2002-02-28 Nec Corp 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP2002100469A (ja) * 2000-09-25 2002-04-05 Pioneer Electronic Corp 有機エレクトロルミネッセンス表示パネル

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6268695B1 (en) * 1998-12-16 2001-07-31 Battelle Memorial Institute Environmental barrier material for organic light emitting device and method of making
WO2001005205A1 (en) * 1999-07-09 2001-01-18 Institute Of Materials Research & Engineering Laminates for encapsulating devices
WO2001078151A2 (en) * 2000-04-11 2001-10-18 Rockwell Technologies, Llc Patterning of polymer light emitting devices using electrochemical polymerization
US20010052752A1 (en) * 2000-04-25 2001-12-20 Ghosh Amalkumar P. Thin film encapsulation of organic light emitting diode devices

Also Published As

Publication number Publication date
CN1659720A (zh) 2005-08-24
EP1495501A2 (de) 2005-01-12
WO2003088370A3 (de) 2004-06-17
JP2005527076A (ja) 2005-09-08
CA2505014A1 (en) 2003-10-23
WO2003088370A2 (de) 2003-10-23
AU2003233974A1 (en) 2003-10-27
DE10222958A1 (de) 2003-10-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE10222958B4 (de) Verfahren zur Herstellung eines organischen elektro-optischen Elements und organisches elektro-optisches Element
US7268486B2 (en) Hermetic encapsulation of organic, electro-optical elements
DE69734131T2 (de) Zweischichtige elektroneninjektionselektrode zur verwendung in einer elektrolumineszenzvorrichtung
DE69724129T2 (de) Lichtemittierende organische vorrichtungen mit verbesserter kathode
DE69911524T2 (de) Verbesserte transparente, weiche Durchlässigkeitsbarriere für organische elektrolumineszente Vorrichtungen
DE69737866T2 (de) Elektrodenabscheidung für organische lichtemittierende vorrichtungen
EP1410450B1 (de) Lichtemittierendes bauelement mit organischen schichten
DE102005005579A1 (de) OLED-Verkapselung mit Wasserdampf- und sauerstoffabsorbierenden Zwischenschichten
DE10324880B4 (de) Verfahren zur Herstellung von OLEDs
DE102008020816B4 (de) Organische Leuchtdiode, flächiges, optisch aktives Element mit einer Kontaktanordnung und Verfahren zur Herstellung einer organischen Leuchtdiode
EP1916723B1 (de) Organische lichtemittierende Diode und Verfahren zur Herstellung einer organischen lichtemittierenden Diode
EP1665911A1 (de) Dünnschichtanordnung und verfahren zum herstellen einer solchen dünnschichtanordnung
EP0966050A2 (de) Organische Leuchtdiode
DE102008053326A1 (de) Strahlungsemittierende Vorrichtung und Verfahren zur Herstellung einer strahlungsemittierenden Vorrichtung
DE2812592A1 (de) Elektrolumineszenz-duennschichtanzeigeelement und verfahren zu seiner herstellung
WO2004057687A2 (de) Lichtemittierende anordnung
DE10219905B4 (de) Optoelektronisches Bauelement mit organischen funktionellen Schichten und zwei Trägern sowie Verfahren zur Herstellung eines solchen optoelektronischen Bauelements
WO2001057938A1 (de) Vorrichtung für die emission elektromagnetischer strahlung und verfahren zu deren herstellung
US20040144976A1 (en) Light emitting diode, support &amp; method of manufacture
DE102004022004A1 (de) Schichtanordnung für eine organische lichtemittierende Diode
WO2017021372A1 (de) Organisches optoelektronisches bauelement und verfahren zum herstellen eines organischen optoelektronischen bauelements
DE102012112999B4 (de) Verfahren zum Herstellen eines organischen lichtemittierenden Bauelementes
DE102015212477A1 (de) Organisches lichtemittierendes Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines organischen lichtemittierenden Bauelements
WO2001043207A1 (de) Organisches led-display und verfaren zu seiner herstellung
WO2008037614A2 (de) Verfahren zum herstellen einer organischen leuchtdiode und organische leuchtdiode

Legal Events

Date Code Title Description
OP8 Request for examination as to paragraph 44 patent law
8127 New person/name/address of the applicant

Owner name: SCHOTT AG, 55122 MAINZ, DE

8364 No opposition during term of opposition
R071 Expiry of right