DE69737866T2 - Elektrodenabscheidung für organische lichtemittierende vorrichtungen - Google Patents
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Description
- Das Gebiet der Erfindung bezieht sich auf organische lichtemittierende Vorrichtungen mit verbesserten Elektroden und deren Abscheidung.
- Organische lichtemittierende Vorrichtungen (Organic Light Emitting Devices – OLEDs) wie zum Beispiel beschrieben in
US Patent Nr. 5,247,190 , zugeteilt der Cambridge Display Technology Limited oder in Van Slyke et al,US Patent Nr. 4,539,507 , deren Inhalt hierin durch Bezugnahme und als Beispiel integriert wird, weisen großes Potential zur Verwendung in verschieden Display-Anwendungen auf, entweder als einfarbige oder vielfarbige Displays. Vornehmlich besteht ein OLED aus einer Anode, die positive Ladungsträger injiziert, einer Kathode, die negative Ladungsträger injiziert, und mindestens einer zwischen den zwei Elektroden eingeschobenen organischen elektrolumineszenten Schicht. Typischerweise, obwohl nicht notwendigerweise, wäre die Anode eine dünne Schicht aus zum Beispiel Indiumzinnoxid (Indium Tin Oxide – ITO), einem halbdurchsichtigen leitfähigen Oxid, das bereits auf Glas oder Kunststoffsubstrate abgeschieden kommerziell leicht verfügbar ist. Die organische(n) Schicht(en) würde(n) dann normalerweise auf das ITO beschichtete Substrat abgeschieden, zum Beispiel durch Verdampfung/Sublimierung oder Drallbeschichtung, Rakelstreichen, Tauchbeschichtung oder Wulstrandbeschichtung. Der letzte Schritt, die Kathodenschicht auf die oberste organische Schicht abzuscheiden, wird normalerweise durch thermische Verdampfung oder Kathodenzerstäubung eines geeigneten Kathodenmetalls in Vakuum ausgeführt. Schichten aus Al, Ca oder Legierungen aus Mg:Ag oder Mg:In, oder Al Legierungen werden häufig als Kathodenmaterialien verwendet. - Einer der wesentlichen Vorzüge der OLED Technik ist, dass Vorrichtungen bei niedrigen elektrischen Ansteuerungsspannungen betrieben werden können, vorausgesetzt, dass geeignete elektrolumineszente organische Schichten und Elektroden mit guter Effizienz für die Injektion von positiver und negativer Ladung verwendet werden. Um eine gute Leistung in OLEDs zu erreichen, ist es von großer Bedeutung, alle die einzelnen Schichten, die Anode, die Kathode und sowohl die organische(n) Schicht(en) als auch die Schnittstellen zwischen den Schichten zu optimieren.
- Eine Kathode von hoher Qualität ist von großer Bedeutung, um allgemein eine hohe Leistung in OLEDs zu erreichen, gemessen an Kriterien wie zum Beispiel Leistungsausbeute, niedriger elektrischer Ansteuerungsspannung, Lagerfähigkeit, Lebensdauer und Stabilität unter strengen Umweltbedingungen wie zum Beispiel hoher Temperatur und/oder hoher Luftfeuchtigkeit, usw. Die Kriterien für die Qualität der Kathode sind im Besonderen, aber nicht ausschließlich, die Austrittsarbeit, die Korrosionswiderstandsfähigkeit, Morphologie- und Grenzschichteigenschaften, die Haftfähigkeit zum Polymer und der Flächenwiderstand.
- Metallische Kathodenschichten für OLEDs werden am häufigsten durch einfache thermische Verdampfung des Kathodenmaterials in Vakuum abgeschieden. Ebenso können Kathodenschichten, die aus einer Metalllegierung bestehen, abgeschieden werden durch thermische Verdampfung aus zwei oder mehr Quellen, die die Legierungsbestandteile enthalten, und durch Auswählen entsprechender relativer Raten der Abscheidung, um die gewünschte relative Zusammensetzung der Legierung zu erreichen.
- Jedoch kann die einfache thermische Verdampfung von Metallen auf OLEDs, um eine Kathodenschicht auszuformen, zu einer schwachen Haftfähigkeit zwischen der Kathode und der obersten organischen Schicht führen, und sehr häufig ist die Morphologie der aufgedampften Schicht polykristallin mit großer durchschnittlicher Korngröße, so dass es eine hohe Dichte der Korngrenze zur Diffusion von Umgebungsgasen, wie zum Beispiel Sauerstoff, und Feuchtigkeit in die Vorrichtung gibt. Schwache Haftfähigkeit und große Korngröße der polykristallinen Morphologie kann die Leistungsfähigkeit der OLED schwerwiegend verschlechtern, im Besonderen die Umweltstabilität (Lagerfähigkeit der Vorrichtung und Betriebslebensdauer, Korrosion der Kathode).
- Dieselben Themen (Haftfähigkeit, Morphologie) gelten für den Fall, in dem ein OLED von der Kathode aus aufgebaut wird, das heißt, wenn die Kathode auf dem Substrat abgeschieden wird mit der anschließenden Abscheidung der organischen Schicht(en) und als letzten Schritt die Abscheidung der Anode oberhalb der obersten organischen Schicht erfolgt.
- Eine einfache thermische Verdampfung aus verschiedenen Quellen von elementaren Metallen oder die Verdampfung einer fertigen Legierung, um Kathoden in Legierungsform zu erzielen, weist ebenfalls Probleme auf. Wenn zum Beispiel eine Kathodenlegierungsschicht, die reaktive Elemente mit niedriger Austrittsarbeit, wie zum Beispiel Alkali oder Erdalkalimetalle umfasst, erforderlich ist, können die Verarbeitung und/oder die Handhabung dieser Elemente in einer normalen Umgebung in Luft schwierig sein, wenn nicht unmöglich. Alternativ dazu, wenn eine Legierung selbst verdampft wird, kann es sein, dass die Zusammensetzung der Legierung der Abscheidung (Kathode) schwierig zu steuern ist auf Grund von zum Beispiel unterschiedlicher thermischer Eigenschaften und unterschiedlicher Verdampfungsraten der Bestandteile der Quelllegierung.
- Es ist daher ein Ziel der vorliegenden Erfindung, eine Anordnung und ein Verfahren der Herstellung für eine organische e lektrolumineszente Vorrichtung zur Verfügung zu stellen, die die oben genannten und beschriebenen Probleme überwindet oder zumindest reduziert.
- Appl. Phys. Lett. 68 (16) beschreibt ein OLED, das aus einer Schicht aus Poly(Methyl-Phenylsilan) besteht, und einer nachfolgend auf einem ITO beschichteten Glas ausgeformten Bis(8-hydroxy Quinolin) Aluminium (Al23) Schicht und einer Aluminium- oder Magnesiumelektronen injizierenden Elektrode, die durch Kathodenzerstäubung mittels HF Magnetron auf der AL23 Schicht abgeschieden wird.
- Entsprechend einem ersten Aspekt der vorliegenden Erfindung wird eine lichtemittierende Vorrichtung nach Anspruch 13 zur Verfügung gestellt.
- Dieser erste Aspekt der Erfindung stellt auch ein Verfahren zur Herstellung einer organischen lichtemittierenden Vorrichtung nach Anspruch 1 zur Verfügung.
- Auf diese Weise stellt die Erfindung eine organische elektrolumineszente Vorrichtung mit einer metallischen Kathode kompakter Morphologie mit niedriger durchschnittlicher Korngröße und guter Haftfähigkeit zur benachbarten Schicht des OLED Stapels zur Verfügung, wobei die Kathode mittels Abscheidung mittels Kathodenzerstäubung aufgebracht wird. Eine gute Haftfähigkeit zwischen der Kathode und der benachbarten Schicht verringert eine Ablösung und das Eintreten von zum Beispiel Sauerstoff, Feuchtigkeit, Lösungsmitteln oder anderen Zusammensetzungen mit niedrigem molekularem Gewicht an oder entlang der Schnittstelle. Die kompakte Morphologie der Kathodenmetallschicht reduziert auch die Diffusion von Umgebungskomponenten wie Sauerstoff, Feuchtigkeit, Lösungsmitteln oder anderen Zusammensetzungen mit niedrigem molekularem Gewicht in die OLED durch die Kathodenschicht selbst. Die Kathode formt die Elektronen injizierende Elektrode für ein OLED aus mit mindestens einer elektrolumineszenten organischen Schicht zwischen der Kathode und einer Anode, die positive Ladungsträger injiziert. Die organische(n) elektrolumineszente(n) Schicht(en) sind vorzugsweise, aber nicht unbedingt, gepaarte Polymere.
-
1 veranschaulicht ein nicht der vorliegenden Erfindung entsprechendes OLED; -
2 veranschaulicht ein nicht der vorliegenden Erfindung entsprechendes OLED; -
3 veranschaulicht ein OLED entsprechend einer ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung; -
4 veranschaulicht ein weiteres nicht der vorliegenden Erfindung entsprechendes OLED; und -
5 veranschaulicht ein nicht der vorliegenden Erfindung entsprechendes OLED mit einer verbesserten Anode. - In einem veranschaulichenden Referenzbeispiel wird das OLED aus einer auf ein durchsichtiges abstützendes Substrat abgeschiedenen halbdurchsichtigen Anode ausgeformt. Das Substrat ist zum Beispiel eine Platte aus Glas mit einer Dicke zwischen 30 μm und 5 mm, aber vorzugsweise 1,1 mm oder alternativ dazu eine Platte aus Kunststoff, wie zum Beispiel Polyester, Polycarbonat, Polyimid, Polyätherimid oder Ähnlichem. Die halbdurchsichtige Anode ist vorzugsweise, aber nicht unbedingt, eine dünne Schicht aus leitfähigem Oxid, wie zum Beispiel Indiumzinnoxid, dotiertem Zinnoxid oder Zinkoxid. Die organische(n) Schicht(en), die auf das Anodensubstrat abgeschieden wird/werden, ist/sind vorzugsweise, aber nicht unbedingt, eine oder mehrere Schichten eines elektrolumineszenten gepaarten Polymers, wie zum Beispiel in
US Patent Nr. 5,247,190 beschriebenen, typischerweise in der Größenordnung der Dicke von 100 nm. Alternativ dazu kann/können die organische(n) Schicht(en) Zusammensetzungen mit geringem molekularen Gewicht, wie zum Beispiel in demUS Patent Nr. 4,539,507 be schrieben oder in der Tat eine Kombination eines gepaarten Polymers mit einer Zusammensetzung mit geringem molekularen Gewicht sein. Die Kathode, abgeschieden durch Kathodenzerstäubung oberhalb der obersten organischen Schicht, ist ein Metall, das dazu fähig ist, Elektronen in die benachbarte organische Schicht zu injizieren, und ist typischerweise, aber nicht unbedingt, in der Größenordnung von 100–500 nm dick. Beispiele für solche Metalle sind, aber werden nicht darauf eingeschränkt, Al, Mg, In, Pb, Sm, Tb, Yb oder Zr. Die Haftfähigkeit und die kompakte Morphologie von solchen durch Kathodenzerstäubung abgeschieden Metallschichten ist weitaus vorteilhafter verglichen mit jenen, die durch thermische Verdampfung abgeschieden werden; daher wird die Stabilität der Vorrichtung und die Korrosionswiderstandsfähigkeit der Kathode bedeutend verbessert, besonders in Fällen, in denen in der Umgebung Sauerstoff, Feuchtigkeit, Lösungsmittel oder andere Zusammensetzungen mit niedrigem molekularem Gewicht vorliegen, während des Herstellungsprozesses nach der Kathodenabscheidung oder dem Betrieb der Vorrichtungen. - Alternativ dazu ist die durch Kathodenzerstäubung abgeschiedene Kathode eine Legierung, die von einer Targetlegierung für die Kathodenzerstäubung kathodenzerstäubt wird. Solche Legierungen sind, aber nicht darauf beschränkt, Legierungen aus Al, Zr, Mg, Si, Sb, Sn, Zn, Mn, Ti, Cu, Co, W, Pb, In oder Ag oder Kombinationen davon und enthalten Elemente mit niedriger Austrittsarbeit wie zum Beispiel Li, Ba, Ca, Ce, Cs, Eu, Rb, K, Na, Sm, Sr, Pb oder Yb. Eine typische solche Legierung wäre zum Beispiel eine handelsübliche Al 95%/Li 2,5%/Cu 1,5%/Mg 1% Legierung. Die Elemente mit niedriger Austrittsarbeit sind in reiner elementarer Form normalerweise sehr anfällig für Oxidation und Korrosion durch Feuchtigkeit, so dass die Handhabung in einer normalen Laborumgebung sehr problematisch, wenn nicht unmöglich ist. Jedoch können diese Elemente mit niedriger Austrittsarbeit in einer Matrix, wie zum Beispiel von weiter oben aufgelisteten stabileren Metallen, in ausreichend niedrigen Konzentrationen in dem Matrixelement stabil genug sein, um die Herstellung mit einem Kathodenzerstäubungstarget, die Handhabung des Targets und die Abscheidung mittels Kathodenzerstäubung der Targetlegierung auf ein OLED in einem Standardgerät zur Kathodenzerstäubung in einer normalen Labor- oder Herstellungsumgebung mit anschließender Stabilität der Kathode auf der OLED nach der Abscheidung mittels Kathodenzerstäubung zu ermöglichen. In diesem Beispiel wirken die Elemente mit niedriger Austrittsarbeit, um die Elektroneninjektion und die Effizienz der Vorrichtung zu verbessern, das Matrixelement stellt Umweltstabilität zur Verfügung und der Abscheidungsprozess durch Kathodenzerstäubung verbessert wiederum die Haftfähigkeit, ergibt eine kompakte Morphologie und ermöglicht, durch Auswahl der Zusammensetzung des Targets und der Bedingungen der Kathodenzerstäubung, die Zusammensetzung der Kathodenlegierung zu steuern, während diese abgeschieden wird. Die besonders durch die Abscheidung mittels Kathodenzerstäubung durch ein Gleichstrommagnetron erzielte Morphologie der Legierung kann wirken, um nach der Abscheidung zum Beispiel Absonderungs- und Diffusionseffekte innerhalb der Kathodenlegierung zu reduzieren. Auf diese Weise können OLEDs unter Umgebungsbedingungen mit Kathoden niedriger Austrittsarbeit hergestellt werden, die eine effiziente Elektroneninjektion in die organische(n) Schicht(en) zur Verfügung stellen.
- Sich jetzt der
1 zuwendend, wird ein erstes, nicht der vorliegenden Erfindung entsprechendes OLED realisiert durch Abscheiden einer ca. 100 nm dicken Schicht3 aus Poly(p-Phenylen Vinylen) (PPV) auf ein Substrat1 , das vorab mit einer Schicht2 aus halbdurchsichtigem Indiumzinnoxid (ITO) beschichtet wurde, das eine Transparenz von mindestens 80 im sichtbaren Bereich und einen Flächenwiderstand von weniger als 100 Ohm je Flächeneinheit aufweist, wie zum Beispiel inUS Patent Nr. 5,247,190 beschrieben. Eine Kathode, die eine ca. 150 nm dicke Schicht4 umfasst, wird durch Kathodenzerstäubung mittels Gleichstrommagnetron auf die PPV Schicht3 abgeschieden unter den folgenden Bedingungen: Al 5%/Li 2,5%/Cu 1,5%/Mg 1% Target, Kathodenzerstäubung in konstantem Leistungsmodus bei etwa 3,2 W/cm2 (Target mit 100 mm Durchmesser und 250 W), Druck von etwa 5 × 10–3 mbar bei 25 sccm Argonfluss (Basisdruck ca. 1 × 10–6 mbar), Targetspannung 400–410 V, Abstand zwischen Target und Substrat 75 mm und einer Abscheidungsrate von ca. 1 nm/sek. Ein auf diese Weise hergestelltes OLED weist eine niedrige Einschalt- und Betriebsspannung (< 5 V) auf, verbesserte Effizienz gegenüber ähnlichen Vorrichtungen mit Kathoden sogar aus reinem Ca, und das Kathodenmaterial in der Form von einem Kathodenzerstäubungstarget und als Schicht auf dem OLED abgeschieden ist im Hinblick auf die Umwelt stabil und kann in einer normalen Laborumgebung gehandhabt werden. - Die durch Kathodenzerstäubung abgeschiedene Elektrode kann eine doppelschichtige Anordnung sein, in der die erste Schicht der der obersten organischen Schicht benachbarten Kathode eine dünne Schicht eines Elements mit niedriger Austrittsarbeit oder eine Legierung ist, die ein Element mit niedriger Austrittsarbeit enthält, wie zum Beispiel hierin weiter oben in Bezug auf die Kathode beschrieben, und in der die das dünne erste Element mit niedriger Austrittsarbeit umfassende Schicht mit einer zweiten dicken Schicht einer stabilen leitfähigen Schicht abgeschlossen ist. Die dünne erste Kathodenschicht kann zum Beispiel eine Legierung sein, die Li enthält, und ist typischerweise ≤ 20 nm, aber vorzugsweise ≤ 5 nm dick. Die dicke zweite Kathodenschicht kann zum Beispiel Al, Al-Cu, Al-Si oder eine andere Legierung sein, ist vorzugsweise mindestens 100 nm dick und wirkt, um die dünne erste Kathodenschicht zu schützen, stellt der Vorrichtung Umweltstabilität zur Verfügung und stellt einen niedrigen Flächenwiderstand der Kathode zur Verfügung. Legierungen zeigen sehr häufig Oberflächenentmischungseffekte, wodurch zum Beispiel eines der Legierungselemente bevorzugt an Schnittstellen/Oberflächen angereichert wird. Eine doppelschichtige Kathodenanordnung, in der Elemente mit niedriger Austrittsarbeit nur zu einem kleinen Prozentsatz enthalten sind, und die zum Beispiel nur in einer dünnen ersten Kathodenschicht Probleme mit der Anreicherung von zum Beispiel dem Element mit niedriger Austrittsarbeit an der Schnittstelle mit der benachbarten organischen Schicht reduziert, könnte zum Beispiel zu erhöhter Reaktivität oder nicht tolerierbaren Ausmaßen an Diffusion des Elements mit niedriger Austrittsarbeit in die organische(n) Schicht(en) führen, was zu nicht tolerierbaren Pegeln anschließender Dotierung der organischen Schicht und einer möglichen Reduktion der Effizienz der Vorrichtung führen könnte. Die dünne erste Kathodenschicht kann leicht erzielt werden und ihre Dicke kann gesteuert werden, zum Beispiel durch Steuern der Durchtrittsgeschwindigkeit der Probe durch die Zone der Kathodenzerstäubung, zusammen mit der Abscheidungsrate.
- Vorzugsweise beträgt in solchen zweischichtigen dünnen/dicken Kathoden das Verhältnis der Dicke der ersten Schicht aus leitfähigem Material zu der zweiten Schicht aus leitfähigem Material mindestens 20:1.
- In der zweischichtigen, weiter oben beschriebenen dünnen/dicken Kathodenanordnung kann die zweite „dicke leitfähige Kathodenschicht" alternativ zum Beispiel ein halbdurchsichtiges leitfähiges Oxid sein, wie zum Beispiel Indiumzinnoxid (ITO).
- In der zweischichtigen, weiter oben beschriebenen dünnen/dicken Kathodenanordnung kann die erste dünne Schicht durch andere Mittel, wie zum Beispiel thermische Verdampfung abgeschieden werden. Dies ist nützlich in Fällen, in denen zum Beispiel die oberste organische Schicht in Bezug auf Beschädigung durch den Kathodenzerstäubungsprozess empfindlich ist, mit oder ohne Anwendung von reaktivem Kathodenzerstäubung, wie es zum Beispiel verwendet wird bei der reaktiven Abscheidung mittels Kathodenzerstäubung von halbdurchsichtigen leitfähigen Oxiden. In diesem Fall würde die erste Schicht immer noch die elektronische Schnittstelle der Kathode zu der benachbarten organischen Schicht ausformen, aber die zweite dicke, mit einem Gleichstrommagnetron kathodenzerstäubte Schicht würde eine morphologisch kompakte schützende und leitfähige Schicht ausformen.
- Eine als eine oberste Schicht des OLEDs abgeschiedene kathodenzerstäubte Kathode stellt auf Grund ihrer guten Haftfähigkeit, ihrer kompakten Morphologie und ihrer guten Grenzschichteigenschaften auch eine Verkapselungsschicht für die Vorrichtung zur Verfügung, die Schutz vor dem Eindringen von unerwünschten Substanzen in die Vorrichtung zur Verfügung stellt, wie zum Beispiel reaktiven Gasen und Flüssigkeiten, die während anschließender Verarbeitungsschritte und/oder der Lagerzeit und der Betriebszeit der Vorrichtung vorhanden sein können.
- Eine verbesserte Ladungsträgerbalance und Effizienz der Vorrichtung können durch die Einbringung einer kathodenzerstäubten, sehr dünnen Schicht eines stöchiometrischen oder substöchiometrischen Dielektrikums unter der Kathode erreicht werden, wobei die dünne Schicht des Dielektrikums ≤ 5 nm dick ist. OLEDs zeigen oft eine bessere Injektion und einen besseren Transport für positive Ladungsträger im Vergleich mit negativen Ladungsträgern. Es wurde gefunden, dass dünne Schichten aus Dielektrika der Dicke ≤ 5 nm wesentliche höhere Übertragungsraten für Elektronen aufweisen können als für Löcher (po sitive Ladungsträger); dies kann besonders der Fall sein für stöchiometrische und substöchiometrische Metalloxide. Deshalb verbessern solche dünnen dielektrischen Schichten zwischen der Kathode und dem obersten organischen Abschluss die Effizienz der Vorrichtung.
- Zum Beispiel ist ein OLED aus einer Anode auf einem unterstützenden Substrat (wie ITO beschichtetem Glas) mit mindestens einer organischen elektrolumineszenten Schicht zusammengesetzt, die mit einer dünnen (≤ 5 nm) Schicht eines Dielektrikums bedeckt ist, die dann mit einer metallischen Kathode entsprechend den ersten und/oder zweiten Aspekten der Erfindung bedeckt wird. Das Dielektrikum ist vorzugsweise, aber nicht darauf eingegrenzt, ein Metalloxid, entweder stöchiometrisch oder substöchiometrisch (mit Mangel an Sauerstoff), und wird durch Kathodenzerstäubung mit den anderen Elementen des OLEDs entsprechend den ersten und/oder zweiten Aspekten der Erfindung auf die oberste organische Schicht abgeschieden. Typischerweise, aber nicht unbedingt, würde das Oxid durch reaktive Kathodenzerstäubung in Sauerstoff mit einem Gleichstrommagnetron mit Al, Mg, Zr oder anderen elementaren Metalltargets ausgeformt, oder in der Tat durch ein Oxid, das reaktiv mit Al:Mg, Al: In, Al:Li, Cu:Mg oder einer anderen Targetlegierung für die Kathodenzerstäubung kathodenzerstäubt wird.
- Ein nicht der vorliegenden Erfindung entsprechendes OLED mit einer stabilen Kathode mit niedriger Austrittsarbeit und verbesserter Effizienz wird realisiert durch Abscheiden einer ca. 100 nm dicken Schicht
3 aus Poly(p-Phenylen Vinylen) auf ein Substrat1 , vorab beschichtet mit einer Schicht2 aus halbdurchsichtigem Indiumzinnoxid, das eine Transparenz von mindestens 80 im sichtbaren Bereich und einen Flächenwiderstand von weniger als 100 Ohm je Flächeneinheit aufweist, wie zum Beispiel inUS Patent Nr. 5,247,190 beschrieben. Die PPV Schicht3 wird beschichtet mit einer ca. 3 nm dicken Schicht5 aus einem stöchiometrischen Oxid aus Al 95%/Li 2,5%/Cu 1,5%/Mg 1% das durch reaktive Kathodenzerstäubung mittels Gleichstrommagnetron unter dem folgenden Bedingungen realisiert wird: Abstand zwischen Substrat und Target 75 mm, Basisdruck 1 × 10–4 Pa, Stromversorgungsmodus bei konstanter elektrischer Spannung von 310 V, Stromdichte 6,2 mA/cm2, Druck 0,5 Pa, 25 sccm Argonfluss, 2 sccm Sauerstofffluss, Abscheidungszeitdauer7 sek. Eine Kathode, umfassend eine ca. 150 nm dicke Schicht4 , wird durch ein Gleichstrommagnetron oberhalb der dünnen Oxidschicht5 abgeschieden, das auf die gleich Weise kathodenzerstäubt wird, wie oben beschrieben. Die Kathode umfasst vorzugsweise eine leitfähige Schicht, die eine Dicke von 100 bis 500 nm aufweist. Diese Vorrichtung zeigt eine verbesserte Effizienz gegenüber einer äquivalenten Vorrichtung mit derselben Kathode, aber ohne die dünne Oxidschicht. - Ein OLED mit einer kathodenzerstäubten Kathode, wie oben beschrieben, und in dem die der Kathode benachbarte organische Schicht (die oberste organische Schicht) ein gepaartes Polymer ist, das besonders zugänglich ist für die anschließende Abscheidung mittels Kathodenzerstäubung und zu Grunde liegende organische Schichten vor dem Kathodenzerstäubungsprozess schützt, aber sonst die allgemeine Leistungsfähigkeit der Vorrichtung nicht über einen nicht tolerierbaren Pegel hinaus verschlechtert, wird als Beispiel für die vorliegende Erfindung beschrieben.
- In Bezug auf dieses Beispiel ist gefunden worden, dass die Eigenschaften der obersten organischen Schicht den Erfolg einer anschließenden Abscheidung mittels Kathodenzerstäubung in großem Maß bestimmen kann, wie beurteilt aus der Effizienz der Elektroneninjektion, der Treiberspannung des OLED oder der Zuverlässigkeit und der Ausbeute bei der Herstellung der Vorrichtung und in der Tat der Beschädigung der obersten organischen-Schicht auf Grund des Abscheidungsprozesses durch Katho denzerstäubung selbst. Es wurde gefunden, dass die Abscheidung mittels Kathodenzerstäubung von Metall und Legierungen leicht verwendet werden kann bei morphologisch sehr kompakten und mechanisch stark gepaarten Polymeren, wie zum Beispiel Poly(p-Phenylen Vinylen), PPV, ohne jegliche offensichtliche Zeichen von großem Schaden am Polymer und der Schnittstelle.
- Dies ist in geringerem Maße der Fall mit „weicheren" löslichen Polymeren, wie zum Beispiel löslichen Derivaten von PPV mit Di-alkoxid Seitenketten. Im Falle von diesen weicheren Polymeren kann der Abscheidungsprozess durch Kathodenzerstäubung leichter zu einem Schaden der obersten Polymerschicht und der Schnittstelle führen, so dass zum Beispiel die Antriebsspannung der Vorrichtung erhöht wird und Vorrichtungen anfälliger für Kurzschlüsse werden.
- Entsprechend dem beschriebenen Beispiel, werden in OLEDs mit „weicheren" Polymeren als den hauptsächlichen aktiven und elektrolumineszenten Schichten, diese Schicht(en) mit einer dünnen oberen Schicht geschützt aus einem morphologisch sehr kompakten und mechanisch zähen gepaarten Polymer, wie zum Beispiel, aber nicht ausschließlich, PPV, um die Vorrichtung einer abschließenden Abscheidung einer Kathode durch Kathodenzerstäubung zugänglicher zu machen, mit reduziertem oder ohne Schaden an der Vorrichtung und mit den nachgelagerten Vorzügen einer kathodenzerstäubten Kathode, wie vorstehend umrissen. Die Schicht aus schützendem zähen Polymer ist typischerweise in der Größenordnung von wenigen Zehnteln von nm dick, die Dicke ist jedoch vorzugsweise im Bereich von 5 bis 20 nm. Die optischen, elektronischen und Transporteigenschaften von zum Beispiel PPV auf Di-alkoxid Derivaten von PPV sind so, dass Eigenschaften der Vorrichtung, wie zum Beispiel Effizienz oder Emissionsfarbe nicht stark verändert werden im Vergleich mit einer Vorrichtung ohne die schützende PPV Schicht.
- In einem bestimmten mit Bezug auf
3 erläuterten Beispiel wird ein OLED realisiert durch Abscheiden einer ca. 100 nm dicken Schicht6 aus Poly(2-methoxy, 5-(2'-Athyl hexyloxy)-p-henylen vinylen) [MEH-PPV], drallbeschichtet aus einer Xylollösung auf ein Substrat1 , vorab beschichtet mit einer Schicht2 aus halbdurchsichtigem Indiumzinnoxid. Die MEH-PPV Schicht6 wird dann mit einer dünnen Schicht3 aus Poly(p-phenylen vinylen) (ca. 20 nm nach der Umwandlung) bedeckt. Das Drallbeschichten der PPV Vorgängerlösung auf die MEH-PPV Schicht6 ist möglich auf Grund der Verwendung von nicht vermischbaren Lösungsmitteln für das MEH-PPV und dem PPV Vorgänger, und die Umwandlung des PPV Vorgängers in PPV schadet dem MEH-PPV offensichtlich nicht. Eine Kathode, umfassend eine ca. 150 nm dicke Schicht4 , wird oberhalb der dünnen PPV Schicht3 durch ein Gleichstrommagnetron abgeschieden, das auf die Weise kathodenzerstäubt wird, wie weiter oben beschrieben. Solch ein OLED erbringt die orange/rote Emissionskennlinie von MEH-PPV und weist eine niedrige elektrische Antriebsspannung (ca. 5–6 V) auf, auf Grund der luftstabilen, durch Kathodenzerstäubung abgeschiedenen Kathodenlegierung mit niedriger Austrittsarbeit. Äquivalente Vorrichtungen, in denen die Kathode auf dieselbe Weise kathodenzerstäubt wird, aber direkt oberhalb der MEH-PPV Schicht, das heißt ohne eine PPV Pufferschicht, tendieren dazu, elektrische Antriebsspannungen von über 10 V aufzuweisen und sehr anfällig für Kurzschlüsse zu sein, möglicherweise auf Grund von Beschädigung der oberen Oberfläche der MEH-PPV Schicht während des Kathodenzerstäubungsprozesses. - In einem weiteren Beispiel wird die Kathode bereits auf ein unterstützendes Substrat von einem OLED abgeschieden. Das Substrat mit der Kathode wird mit mindestens einer organischen elektrolumineszenten Schicht bedeckt, und die zweite und oberste Elektrode ist die durch Kathodenzerstäubung abgeschiedene Anode.
- In einer Anordnung dieses Beispiels ist die oberste kathodenzerstäubte Anodenschicht eine Schicht eines Metalls mit hoher Austrittsarbeit, wie zum Beispiel, aber nicht darauf beschränkt, C, Ag Au, Co, Ni, Pd, Pt, Re, Se oder Legierungen davon oder dotierten halbleitenden Zusammensetzungen oder allgemeiner leitfähige Schichten mit Austrittsarbeiten über 4,7 eV. Alternativ ist die Anode eine Schicht eines leitfähigen kathodenzerstäubten Oxids, wie zum Beispiel, aber nicht darauf beschränkt, Indiumzinnoxid oder dotiertes Sn-Oxid oder Zn-Oxid.
- Ein weiteres nicht der vorliegenden Erfindung entsprechendes OLED, wird in Bezug auf
4 realisiert durch beschichtendes Aufbringen einer ca. 100 nm dicken Schicht3 aus Poly(p-Phenylen Vinylen) oberhalb eines Substrats1 , bedeckt mit einer Schicht4 aus Al, das als die Kathode wirkt. Nach der Umwandlung des PPV Vorgängerpolymers in PPV wird das PPV mit einer dünnen (≤ 5 nm) Schicht7 aus thermisch verdampftem Au bedeckt, welche dann in einem ITO Abscheidungsprozess in einem standardisierten herkömmlichen reaktiven Gleichstrommagnetron mit einer 150 nm dicken Schicht2 aus Indiumzinnoxid abgeschlossen wird. Die dünne Schicht7 aus Au stellt die effiziente Injektion von positiven Ladungsträgern sicher, stellt aber auch eine Pufferschicht während des reaktiven ITO Abscheidungsprozesses zur Verfügung, die die zu Grunde liegende PPV Schicht3 schützt. - Eine schützende Isolierschicht kann über die kathodenzerstäubte oberste Elektrode kathodenzerstäubt werden, ohne das OLED zwischen der Abscheidung der obersten Elektrode und der isolierenden Schicht der Umgebungsatmosphäre auszusetzen, wobei die isolierende Schicht zum Beispiel ein Oxid oder ein Nitrid ist.
- Ein Verfahren der Herstellung einer organischen elektrolumineszenten Vorrichtung, wobei mindestens eine der Elektroden mindestens zu einem Teil realisiert wird durch Abscheidung mittels Kathodenzerstäubung von einem metallischen Element oder einer metallischen Legierung, oder leitfähigem Oxid oder einem Halbleiter, wird ebenfalls offenbart.
- Es wurde gefunden, dass einer der Mechanismen, der die Leistungsfähigkeit der Vorrichtung, und im Besonderen die Lebensdauer der Vorrichtung eingrenzt, die Degeneration der der anorganischen Oxidanode benachbarten organischen Schicht und der Schnittstelle zwischen der Anode und der benachbarten organischen Schicht sein kann, zum Beispiel auf Grund von aus der Oxidanode mit der organischen Schicht freigesetzten Sauerstoffs. In diesem Zusammenhang wurde gefunden, dass die Integration von dünnen Schichten aus zum Beispiel halbleitenden Polymeren, wie zum Beispiel Polyanilin, als eine erste organische Schicht oberhalb der anorganischen Oxidanoden in verbesserten Eigenschaften der Vorrichtung und verbesserter Betriebsstabilität resultiert. Die Einbringung solcher zusätzlichen Schichten als erste organische Schicht oberhalb der anorganischen Oxidanode kann jedoch andere Probleme hervorbringen, wie zum Beispiel verschlechterte Haftfähigkeit, Vermischung der ersten organischen Schicht mit anschließenden Schichten, die in einigen Fällen unerwünscht sein können, einer Verschlechterung in den Eigenschaften der Benetzung und Beschichtung von anschließenden Schichten, Probleme mit der gleichmäßigen Abscheidung von dünnen Schichten der ersten organischen Schicht oder Probleme mit der Stabilität der ersten organischen Schicht beim Betrieb der Vorrichtung.
-
5 veranschaulicht eine Anordnung für eine organische lichtemittierende Vorrichtung, die nicht der vorliegenden Erfindung entspricht, die den Vorteil der Trennung des anorganische halbdurchsichtigen Oxid von der ersten organischen Schicht aufweist, aber eine wirkungsvolle Injektion von positiven Ladungsträgern aufrecht erhält und einige der oben genannten und erwähnten Probleme vermeidet. - Die Anordnung umfasst mindestens eine Schicht aus einem lichtemittierenden organischen Material, angeordnet zwischen einer Anode und einer Kathode der Vorrichtung, wobei die Anode eine erste lichtemittierende Schicht aus einem anorganischen Oxid und eine zweite lichtdurchlässige Schicht aus einem leitfähigen Material umfasst, das eine hohe Austrittsarbeit aufweist und angeordnet ist zwischen der mindestens einen Schicht aus organischem Material und der ersten Schicht aus einem anorganischen Oxid, wobei die zweite Schicht aus leitfähigem Material wesentlich dünner ist, als die erste Schicht aus anorganischem Oxid.
- Die Kathode kann über einem Substrat ausgeformt werden und die Anode kann über der mindestens einen Schicht aus organischem Material ausgeformt werden. Alternativ dazu kann die Anode über einem Substrat ausgeformt werden, und die Kathode wird über der mindestens einen Schicht des organischen Materials ausgeformt.
- Die erste Schicht des anorganischen Oxids kann durch Kathodenzerstäubung abgeschieden werden, vorzugsweise durch Kathodenzerstäubung mit einem HF oder Gleichstrommagnetron, oder verdampft werden durch vorzugsweise widerstandsbehaftete oder thermische Verdampfung mittels Elektronenstrahl. Die zweite Schicht aus leitfähigem Material kann durch Kathodenzerstäubung abgeschieden werden, vorzugsweise durch Kathodenzerstäubung mit einem HF oder Gleichstrommagnetron, oder verdampft werden, vorzugsweise durch widerstandsbehaftete oder thermische Verdampfung mittels Elektronenstrahl.
- Das Verhältnis der Dicke der ersten Schicht des anorganischen Oxids zu der der zweiten Schicht aus leitfähigem Material ist vorzugsweise mindestens 15:1.
- Die Anordnung der
5 stellt eine organische lichtemittierende Vorrichtung (OLED) zur Verfügung, in der die halbdurchsichtige anorganische Oxidanode, zum Beispiel Indiumzinnoxid (ITO), Zinnoxid oder Zinkoxid, vor der Abscheidung der ersten organischen Schicht des OLED Stapels mit einer dünnen halbdurchsichtigen Schicht eines leitfähigen Materials mit einer Austrittsarbeit von mindestens 4,7 eV bedeckt wird. Die Dicke der dünnen Schicht beträgt höchstens 10 nm, vorzugsweise jedoch 3–7 nm. Die dünne Schicht kann aus Ag, As, Au, C, Co, Ge, Ni, Os, Pd, Pt, Re, Ru, Se, Te oder Legierungen oder intermetallischen Zusammensetzungen bestehen, die diese Elemente enthalten. Alternativ dazu kann die dünne Schicht ein dotierter Halbleiter wie dotiertes ZnS oder ZnSe vom p-Typ sein. Die dünne Schicht hoher Austrittsarbeit ist mit mindestens einer organischen elektrolumineszenten Schicht, vorzugsweise einem gepaarten Polymer bedeckt, und die Anordnung wird mit einer Kathode als oberste Elektrode vervollständigt. - Vorzugsweise ist die dünne halbdurchsichtige leitfähige Schicht hoher Austrittsarbeit eine Schicht aus Kohlenstoff, zwischen 3 und 7 nm dick.
- Vorzugsweise ist die organische elektrolumineszente Schicht ein lösliches gepaartes Polymer wie zum Beispiel ein Alkoxy-Derivat von Poly(p-Phenylen Vinylen).
- Ein OLED kann aus einem Substrat mit einer Kathode als eine erste Elektrode aufgebaut werden, die dann mit mindestens einer elektrolumineszenten Schicht bedeckt wird, vorzugsweise einem gepaarten Polymer, und in welcher die oberste organische Schicht vor der Abscheidung einer dickeren halbdurchsichtigen, leitfähigen oberen Anodenschicht aus Oxid mit einer dünnen halbdurchsichtigen Schicht hoher Austrittsarbeit beschichtet wird.
- Die Anordnung der
5 kann durch ein Verfahren hergestellt werden, das die Schritte umfasst:
eine Anode für die Vorrichtung über einem Substrat auszuformen, wobei der Schritt umfasst, eine erste lichtdurchlässige Schicht aus einem anorganischen Oxid über einem Substrat auszuformen und eine zweite lichtdurchlässige Schicht eines leitfähigen Materials, das eine hohe Austrittsarbeit aufweist, über der ersten Schicht des anorganischen Oxids auszuformen,
wobei die zweite Schicht aus leitfähigem Material wesentlich dünner ist als die erste Schicht des anorganischen Oxids;
das Ausformen von mindestens einer Schicht aus einem lichtdurchlässigen organischen Materials über der Anode; und
das Ausformen einer Kathode für die Vorrichtung über der mindestens einen Schicht des organischen Materials. - Eine alternative „inverse" Anordnung kann durch ein Verfahren hergestellt werden, das die Schritte umfasst:
das Ausformen einer Kathode für die Vorrichtung über einem Substrat;
das Ausformen von mindestens einer Schicht aus einem lichtdurchlässigen organischen Material über der Anode; und
eine Anode für die Vorrichtung über der mindestens einen Schicht aus organischem Material auszuformen, wobei dieser Schritt umfasst, eine zweite lichtdurchlässige Schicht eines leitfähigen Materials, das eine hohe Austrittsarbeit aufweist, über der mindestens einen Schicht des organischen Materials auszuformen und das Ausformen einer ersten lichtdurchlässigen Schicht aus einem anorganischen Oxid über der zweiten Schicht aus leitfähigem Material, wobei die zweite Schicht aus leitfähigem Material wesentlich dünner ist als die erste Schicht des anorganischen Oxids. - Bei einem Verfahren der Herstellung für ein OLED entsprechend der Anordnung gemäß
5 wird eine dünne halbdurchsichtige Schicht hoher Austrittsarbeit zwischen einer halbdurchsichtigen leitfähigen Oxidanode und der benachbarten ersten organischen Schicht abgeschieden. Die dünne halbdurchsichtige Schicht hoher Austrittsarbeit wird durch Abscheidung mittels Kathodenzerstäubung oder durch widerstandsbehaftete oder thermische Verdampfung mittels Elektronenstrahl aufgebracht. - Mit jetzt ausdrücklicher Bezugnahme auf
5 , ist ein Glassubstrat10 mit einer Schicht aus einer halbdurchsichtigen leitfähigen Indiumzinnoxid- (ITO) Schicht20 bedeckt, typischerweise ungefähr 150 nm dick, mit einem Flächenwiderstand von typischerweise ≤ 30 Ohm je Flächeneinheit. Das Substrat kann alternativ ein Kunststoffmaterial umfassen. Die ITO Schicht20 wird mit einer 6 nm dicken Schicht30 beschichtet durch Verdampfung eines Kohlenstoffs mit 99,997% Reinheit mittels Elektronenstrahl. Die Schicht30 wird dann bedeckt mit einer ca. 100 nm dicken Schicht40 aus Poly(2-methoxy-5-(2-Äthyl hexyloxy)-1,4 Phenylen Vinylen), abgekürzt als MEH-PPV, das aus einer Xylollösung auf die Schicht30 drallbeschichtet wird. Die MEH-PPV Schicht wird dann mit einer Kathode bedeckt, die zusammengesetzt ist aus einer ersten Schicht50 mit ca. 50 nm aus Ca, abgeschlossen mit einer zweiten Schutzschicht60 mit ca. 200 nm aus Al. Diese OLED Vorrichtung stellt eine verbesserte Leistungsfähigkeit der Vorrichtung zur Verfügung und im Besonderen verbesserte Betriebsstabilität verglichen mit einer Vorrichtung ohne die Kohlenstoffschicht zwischen dem ITO und dem MEH-PPV. - Auf diese Weise sind eine Anordnung der Vorrichtung und ein Verfahren der Herstellung beschrieben worden für ein OLED mit einer effizienten Anodenanordnung zum Injizieren von positiven Ladungsträgern, die eine halbdurchsichtige dünne leitfähige Oxidanode verwenden, um Transparenz und Leitfähigkeit zu er reichen, die aber direkten Kontakt der leitfähigen Oxidanode mit benachbarten organischen Schichten vermeiden, die bei unmittelbarem Kontakt mit der Oxidanode verschlechtert werden könnten.
Claims (23)
- Verfahren der Herstellung einer organischen lichtemittierenden Vorrichtung, das die Schritte umfasst: Ausformen einer ersten Elektrode (
2 ) über einem Substrat (1 ), Ausformen eines lichtaussendenden organischen Materials, das über der ersten Elektrode zwei oder mehr Schichten (3 ,6 ) umfasst, wobei die oberste Schicht widerstandsfähiger ist gegenüber Abscheidung mittels Kathodenzerstäubung als die zu Grunde liegende, elektrolumineszente Schicht (6 ); und Ausformen einer zweiten Elektrode (4 ) über der obersten Schicht des lichtaussendenden organischen Materials. - Verfahren der Herstellung einer organischen lichtemittierenden Vorrichtung gemäß Anspruch 1, wobei der Schritt, die zweite Elektrode auszuformen, die Schritte umfasst, eine erste Schicht aus leitfähigem Material, das eine niedrige Austrittsarbeit aufweist, über die oberste Schicht des lichtaussendenden organischen Material zu kathodenzerstäuben und eine zweite Schicht aus leitfähigem Material über die erste Schicht aus leitfähigem Material zu kathodenzerstäuben, wobei die erste Schicht aus leitfähigem Material wesentlich dünner ist als die zweite Schicht aus leitfähigem Material.
- Verfahren der Herstellung einer organischen lichtemittierenden Vorrichtung gemäß Anspruch 2, wobei die erste Schicht aus leitfähigem Material eine Dicke von höchstens 20 nm, vorzugsweise höchstens 5 nm aufweist.
- Verfahren der Herstellung einer organischen lichtemittierenden Vorrichtung gemäß Anspruch 1, wobei der Schritt, die zweite Elektrode auszuformen, die Schritte umfasst, eine erste Schicht aus leitfähigem Material, das eine hohe Austrittsarbeit aufweist, über die oberste Schicht aus lichtaussendendem organischen Material zu kathodenzerstäuben und ein zweite Schicht aus leitfähigem Material über die erstes Schicht aus leitfähigem Material zu kathodenzerstäuben, wobei die erstes Schicht aus leitfähigem Material wesentlich dünner ist als die zweite Schicht aus leitfähigem Material.
- Verfahren der Herstellung einer organischen lichtemittierenden Vorrichtung gemäß Anspruch 4, wobei die erste Schicht aus leitfähigem Material eine Dicke von weniger als 10 nm, vorzugsweise weniger als 5 nm aufweist.
- Verfahren der Herstellung einer organischen lichtemittierenden Vorrichtung gemäß jedem vorangegangenen Anspruch, wobei der obersten Schicht des lichtaussendenden organischen Materials ein gepaartes Polymer ist.
- Verfahren der Herstellung einer organischen lichtemittierenden Vorrichtung gemäß jedem vorangegangenen Anspruch, wobei die oberste Schicht des lichtaussendenden organischen Materials Poly(p-Phenylen Vinylen) oder ein Copolymer davon umfasst.
- Verfahren nach Anspruch 7, wobei das Copolymer ungepaarte Abschnitte umfasst.
- Verfahren gemäß jedem der Ansprüche 1 bis 5, wobei die oberste Schicht des lichtaussendenden organischen Materials Poly(Thienylen Vinylen), Poly(p-Phenylen) oder Poly(Naphthylen Vinylen) umfasst.
- Verfahren gemäß jedem der Ansprüche 1 bis 5, wobei die oberste Schicht des lichtaussendenden organischen Materials Polyquinolin, Polyquinoxalin, Polyhydrazin, Polypyridin oder Polynaphthylpyridin oder ein Copolymer davon umfasst.
- Verfahren gemäß jedem der Ansprüche 1 bis 5, wobei die oberste Schicht des lichtaussendenden organischen Materials Polyazomethin umfasst.
- Verfahren gemäß jedem der Ansprüche 1 bis '5, wobei die oberste Schicht des lichtaussendenden organischen Materials Poly-Pyridyl-Vinylen oder ein Copolymer davon umfasst.
- Verfahren gemäß jedem der Ansprüche 1 bis 5, wobei die oberste Schicht des lichtaussendenden organischen Materials ein Oxadiazol-Polymer oder ein Copolymer davon umfasst.
- Verfahren gemäß jedem der Ansprüche 1 bis 5, wobei die oberste Schicht des lichtaussendenden organischen Materials ein Polymer umfasst, das eine einem starren Stab oder einer Leiter ähnliche Struktur aufweist.
- Verfahren gemäß jedem der Ansprüche 1 bis 5, wobei die oberste Schicht des lichtaussendenden organischen Materials ein leitendes Polymer umfasst.
- Verfahren der Herstellung einer organischen lichtemittierenden Vorrichtung nach Anspruch 15, wobei die oberste Schicht des lichtaussendenden organischen Materials Polybenzobisoxazol (PBO) oder Polybenzobisthiazol (PBT) ist.
- Verfahren gemäß jedem der Ansprüchen 1 bis 5, wobei die oberste Schicht des lichtaussendenden organischen Materials Polyanilin, Polyethylendioxythiophen oder dotiertes Poly(p-Phenylen Vinylen) umfasst.
- Verfahren gemäß jedem der vorangegangenen Ansprüche, wobei die zu Grunde liegende Schicht des lichtaussendenden organischen Materials ein gepaartes Polymer ist.
- Verfahren gemäß jedem der vorangegangenen Ansprüche, wobei die zu Grunde liegende Schicht des lichtaussendenden organischen Materials ein lösliches Derivat aus Poly(p-Phenylen Vinylen) mit Di-alkoxy Seitenketten ist.
- Verfahren der Herstellung einer organischen lichtemittierenden Vorrichtung nach Anspruch 19, wobei die zu Grunde liegende Schicht des lichtaussendenden organischen Materials Poly[2-Methoxy, 5-(2'-Athyl-Hexyloxy)-p-Phenylen Vinylen] ist.
- Verfahren der Herstellung einer organischen lichtemittierenden Vorrichtung gemäß jedem der Ansprüche 1 bis 17, wobei die zu Grunde liegende Schicht des lichtaussendenden organischen Materials eine Zusammensetzung niedrigen molekularen Gewichts ist.
- Verfahren der Herstellung einer organischen lichtemittierenden Vorrichtung gemäß jedem der vorangegangenen Ansprüche, wobei die oberste Schicht des lichtaussendenden organischen Materials wesentlich dünner ist als die gesamte Dicke der zu Grunde liegenden Schicht oder der Schichten des lichtaussendenden organischen Materials.
- Organische lichtemittierende Vorrichtung, umfassend: eine erste Elektrode (
2 ), ein lichtaussendendes organisches Material, das zwei oder mehr Schichten (3 ,6 ) umfasst, wobei die oberste Schicht (3 ) widerstandsfähiger ist gegenüber Abscheidung mittels Kathodenzerstäubung als die zu Grunde liegende, elektrolumineszente Schicht (6 ); und eine zweite, über der obersten Schicht des lichtaussendenden organischen Materials ausgeformte Elektrode (4 ); wobei die zweite Elektrode mindestens eine Schicht umfasst und die der obersten Schicht des lichtaussendenden organischen Materials benachbarte Schicht eine kathodenzerstäubte Schicht ist.
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---|---|---|---|
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GBGB9712295.6A GB9712295D0 (en) | 1997-06-12 | 1997-06-12 | Electrode deposition for organic light-emitting devices |
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---|---|
DE69737866D1 DE69737866D1 (de) | 2007-08-09 |
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---|---|---|---|
DE69737866T Expired - Lifetime DE69737866T2 (de) | 1996-09-04 | 1997-09-04 | Elektrodenabscheidung für organische lichtemittierende vorrichtungen |
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---|---|
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Families Citing this family (102)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE69737866T2 (de) * | 1996-09-04 | 2008-02-28 | Cambridge Display Technology Ltd. | Elektrodenabscheidung für organische lichtemittierende vorrichtungen |
CA2275542A1 (en) * | 1996-12-23 | 1998-07-02 | The Trustees Of Princeton University | An organic light emitting device containing a protection layer |
GB9713074D0 (en) | 1997-06-21 | 1997-08-27 | Cambridge Display Tech Ltd | Electrically-conducting colour filters for use in organic light-emitting displays |
JP2000082588A (ja) * | 1997-09-22 | 2000-03-21 | Fuji Electric Co Ltd | 有機発光素子およびその製造方法 |
JPH11162652A (ja) * | 1997-12-02 | 1999-06-18 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 有機el素子およびその製造方法 |
WO1999054943A1 (en) * | 1998-04-21 | 1999-10-28 | The Dow Chemical Company | Organic electroluminescent devices with improved stability in air |
EP0966050A3 (de) * | 1998-06-18 | 2004-11-17 | Osram Opto Semiconductors GmbH & Co. OHG | Organische Leuchtdiode |
US6635989B1 (en) * | 1998-08-03 | 2003-10-21 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Encapsulation of polymer-based solid state devices with inorganic materials |
JP3776600B2 (ja) | 1998-08-13 | 2006-05-17 | Tdk株式会社 | 有機el素子 |
US20030074672A1 (en) * | 1998-09-22 | 2003-04-17 | John Daniels | Multiuser internet gateway system |
JP2000123976A (ja) | 1998-10-09 | 2000-04-28 | Tdk Corp | 有機el素子 |
JP2002527872A (ja) * | 1998-10-14 | 2002-08-27 | ユニアックス コーポレイション | 金属酸化物薄層を安定な電子注入電極として具えた発光ダイオード |
JP2000173776A (ja) | 1998-12-07 | 2000-06-23 | Tdk Corp | 有機el素子 |
US6960877B1 (en) * | 1998-12-17 | 2005-11-01 | Cambrdige Display Technology Limited | Organic light-emitting devices including specific barrier layers |
JP2002532849A (ja) * | 1998-12-17 | 2002-10-02 | ケンブリッジ ディスプレイ テクノロジー リミテッド | 有機発光デバイスの製造方法 |
JP2000208276A (ja) * | 1999-01-13 | 2000-07-28 | Tdk Corp | 有機el素子 |
US6281627B1 (en) * | 1999-01-21 | 2001-08-28 | Tdk Corporation | Organic electroluminescent device with a high resistant inorganic electron injecting layer |
JP2000223272A (ja) * | 1999-01-27 | 2000-08-11 | Tdk Corp | 有機el素子 |
JP2000223273A (ja) | 1999-01-27 | 2000-08-11 | Tdk Corp | 有機el素子 |
GB9903251D0 (en) | 1999-02-12 | 1999-04-07 | Cambridge Display Tech Ltd | Opto-electric devices |
JP4255041B2 (ja) * | 1999-04-02 | 2009-04-15 | Tdk株式会社 | 有機el素子 |
US6593687B1 (en) * | 1999-07-20 | 2003-07-15 | Sri International | Cavity-emission electroluminescent device and method for forming the device |
US6593690B1 (en) | 1999-09-03 | 2003-07-15 | 3M Innovative Properties Company | Large area organic electronic devices having conducting polymer buffer layers and methods of making same |
JP2001148292A (ja) * | 1999-09-08 | 2001-05-29 | Denso Corp | 有機el素子 |
US6465824B1 (en) * | 2000-03-09 | 2002-10-15 | General Electric Company | Imager structure |
JP4474721B2 (ja) | 2000-03-15 | 2010-06-09 | ソニー株式会社 | 有機又は無機発光素子 |
US7042152B2 (en) * | 2000-10-17 | 2006-05-09 | Samsung Sdi Co., Ltd. | Organic electroluminescence device including oxygen in an interface between organic layer and cathode |
JP4696355B2 (ja) * | 2000-12-08 | 2011-06-08 | Tdk株式会社 | 有機el素子 |
JP2002216976A (ja) | 2001-01-15 | 2002-08-02 | Sony Corp | 発光素子及びその製造方法 |
US6737293B2 (en) * | 2001-02-07 | 2004-05-18 | Agfa-Gevaert | Manufacturing of a thin film inorganic light emitting diode |
US6777249B2 (en) * | 2001-06-01 | 2004-08-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of repairing a light-emitting device, and method of manufacturing a light-emitting device |
DE10135513B4 (de) | 2001-07-20 | 2005-02-24 | Novaled Gmbh | Lichtemittierendes Bauelement mit organischen Schichten |
US7524528B2 (en) * | 2001-10-05 | 2009-04-28 | Cabot Corporation | Precursor compositions and methods for the deposition of passive electrical components on a substrate |
KR20040077655A (ko) | 2001-10-19 | 2004-09-06 | 슈페리어 마이크로파우더스 엘엘씨 | 전자 형상 증착용 테잎 조성물 |
US7553512B2 (en) * | 2001-11-02 | 2009-06-30 | Cabot Corporation | Method for fabricating an inorganic resistor |
US7453202B2 (en) | 2001-11-28 | 2008-11-18 | Samsung Sdi Co., Ltd. | Organic EL display device having organic soluble derivative layer |
KR100478522B1 (ko) * | 2001-11-28 | 2005-03-28 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 화합물 유도체막층을 포함하고 있는 고분자 유기전계 발광 소자 및 그 제조 방법 |
US6876143B2 (en) * | 2002-11-19 | 2005-04-05 | John James Daniels | Organic light active devices and methods for fabricating the same |
US7378124B2 (en) * | 2002-03-01 | 2008-05-27 | John James Daniels | Organic and inorganic light active devices and methods for making the same |
DE10215210B4 (de) * | 2002-03-28 | 2006-07-13 | Novaled Gmbh | Transparentes, thermisch stabiles lichtemittierendes Bauelement mit organischen Schichten |
US20100026176A1 (en) | 2002-03-28 | 2010-02-04 | Jan Blochwitz-Nomith | Transparent, Thermally Stable Light-Emitting Component Having Organic Layers |
US7230271B2 (en) * | 2002-06-11 | 2007-06-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device comprising film having hygroscopic property and transparency and manufacturing method thereof |
US20040043139A1 (en) * | 2002-09-04 | 2004-03-04 | Daniels John James | Printer and method for manufacturing electronic circuits and displays |
US7161590B2 (en) * | 2002-09-04 | 2007-01-09 | John James Daniels | Thin, lightweight, flexible, bright, wireless display |
WO2004022343A2 (en) | 2002-09-04 | 2004-03-18 | John Daniels | Printer and method for manufacturing electronic circuits and displays |
US6824321B2 (en) * | 2002-09-19 | 2004-11-30 | Siemens Communications, Inc. | Keypad assembly |
JP2004119015A (ja) * | 2002-09-20 | 2004-04-15 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置およびその作製方法 |
JP2004119016A (ja) * | 2002-09-20 | 2004-04-15 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置 |
US7015639B2 (en) * | 2002-10-22 | 2006-03-21 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Electroluminescent devices and method of making transparent cathodes |
US7256427B2 (en) * | 2002-11-19 | 2007-08-14 | Articulated Technologies, Llc | Organic light active devices with particulated light active material in a carrier matrix |
US20040099926A1 (en) * | 2002-11-22 | 2004-05-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, display device, and light-emitting device, and methods of manufacturing the same |
TW595251B (en) * | 2002-12-09 | 2004-06-21 | Univ Nat Cheng Kung | Method for manufacturing organic light-emitting diodes |
US7086918B2 (en) * | 2002-12-11 | 2006-08-08 | Applied Materials, Inc. | Low temperature process for passivation applications |
US6790594B1 (en) * | 2003-03-20 | 2004-09-14 | Eastman Kodak Company | High absorption donor substrate coatable with organic layer(s) transferrable in response to incident laser light |
KR100546324B1 (ko) * | 2003-04-22 | 2006-01-26 | 삼성전자주식회사 | Ald에 의한 금속 산화물 박막 형성 방법, 란탄 산화막 형성 방법 및 반도체 소자의 고유전막 형성 방법 |
KR100527189B1 (ko) * | 2003-05-28 | 2005-11-08 | 삼성에스디아이 주식회사 | 평판표시장치 및 그의 제조방법 |
KR20060113884A (ko) * | 2003-08-05 | 2006-11-03 | 테크니체 우니베르시테트 브라운츠바이그 차롤오-빌헬미나 | 친유성의, 선형 또는 이차원적 다환 방향족을 포함하는층의 방지층 또는 봉지로서의 사용 및 이런 유형의 층으로구성되며 유기 중합체를 포함하는 전기 부품 |
KR20050017169A (ko) * | 2003-08-08 | 2005-02-22 | 삼성에스디아이 주식회사 | 애노드 표면 개질층을 사용하는 유기 전계 발광 소자 |
JP4731865B2 (ja) * | 2003-10-03 | 2011-07-27 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置 |
US7541734B2 (en) | 2003-10-03 | 2009-06-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device having a layer with a metal oxide and a benzoxazole derivative |
US7858994B2 (en) * | 2006-06-16 | 2010-12-28 | Articulated Technologies, Llc | Solid state light sheet and bare die semiconductor circuits with series connected bare die circuit elements |
US7259030B2 (en) * | 2004-03-29 | 2007-08-21 | Articulated Technologies, Llc | Roll-to-roll fabricated light sheet and encapsulated semiconductor circuit devices |
US7217956B2 (en) * | 2004-03-29 | 2007-05-15 | Articulated Technologies, Llc. | Light active sheet material |
US7294961B2 (en) * | 2004-03-29 | 2007-11-13 | Articulated Technologies, Llc | Photo-radiation source provided with emissive particles dispersed in a charge-transport matrix |
US7052924B2 (en) * | 2004-03-29 | 2006-05-30 | Articulated Technologies, Llc | Light active sheet and methods for making the same |
US7427782B2 (en) | 2004-03-29 | 2008-09-23 | Articulated Technologies, Llc | Roll-to-roll fabricated light sheet and encapsulated semiconductor circuit devices |
JP4610408B2 (ja) * | 2004-04-28 | 2011-01-12 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光素子およびその作製方法、並びに発光装置 |
DE102004025578B4 (de) * | 2004-05-25 | 2009-04-23 | Applied Materials Gmbh & Co. Kg | Verfahren zum Herstellen von organischen, Licht emittierenden Flächenelementen und Verwendung dieses Verfahrens |
KR101200860B1 (ko) * | 2004-05-28 | 2012-11-13 | 글로벌 오엘이디 테크놀러지 엘엘씨 | 안정한 중간 연결부를 갖는 직렬식 oled |
US7126267B2 (en) * | 2004-05-28 | 2006-10-24 | Eastman Kodak Company | Tandem OLED having stable intermediate connectors |
US20050282307A1 (en) * | 2004-06-21 | 2005-12-22 | Daniels John J | Particulate for organic and inorganic light active devices and methods for fabricating the same |
US7679591B2 (en) * | 2004-07-09 | 2010-03-16 | Au Optronics Corporation | Light emitting display device |
US6992326B1 (en) | 2004-08-03 | 2006-01-31 | Dupont Displays, Inc. | Electronic device and process for forming same |
US7803254B2 (en) * | 2004-12-30 | 2010-09-28 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Processes for forming electronic devices and electronic devices formed by such processes |
TWI253878B (en) * | 2005-03-09 | 2006-04-21 | Au Optronics Corp | Organic electroluminescent element and display device including the same |
US7628896B2 (en) * | 2005-07-05 | 2009-12-08 | Guardian Industries Corp. | Coated article with transparent conductive oxide film doped to adjust Fermi level, and method of making same |
US8845866B2 (en) * | 2005-12-22 | 2014-09-30 | General Electric Company | Optoelectronic devices having electrode films and methods and system for manufacturing the same |
US7696683B2 (en) * | 2006-01-19 | 2010-04-13 | Toppan Printing Co., Ltd. | Organic electroluminescent element and the manufacturing method |
JP2007220359A (ja) * | 2006-02-14 | 2007-08-30 | Tokyo Electron Ltd | 発光素子、発光素子の製造方法、および基板処理装置 |
EP1830421A3 (de) * | 2006-03-03 | 2012-03-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Lichtemittierende Vorrichtung, Verfahren zur Herstellung der lichtemittierenden Vorrichtung und blattförmiges Dichtungsmaterial |
US20080001537A1 (en) * | 2006-06-28 | 2008-01-03 | Tpo Displays Corp. | System for displaying images |
WO2008032584A1 (fr) * | 2006-09-11 | 2008-03-20 | Fuji Electric Holdings Co., Ltd. | Dispositif d'affichage électroluminescent organique |
TWI338533B (en) * | 2006-09-18 | 2011-03-01 | Au Optronics Corp | White organic electroluminescent elements and display using the same |
US8697254B2 (en) | 2006-11-14 | 2014-04-15 | Sri International | Cavity electroluminescent devices and methods for producing the same |
US7646144B2 (en) * | 2006-12-27 | 2010-01-12 | Eastman Kodak Company | OLED with protective bi-layer electrode |
US7750558B2 (en) * | 2006-12-27 | 2010-07-06 | Global Oled Technology Llc | OLED with protective electrode |
TWI375691B (en) | 2007-12-27 | 2012-11-01 | Ind Tech Res Inst | Soluble polythiophene derivatives |
WO2009093996A1 (en) | 2008-01-24 | 2009-07-30 | Sri International | High efficiency electroluminescent devices and methods for producing the same |
DE102008034256A1 (de) * | 2008-07-18 | 2010-01-21 | Technische Universität Dresden | Photoaktives Bauelement mit organischen Schichten |
US8461758B2 (en) | 2008-12-19 | 2013-06-11 | E I Du Pont De Nemours And Company | Buffer bilayers for electronic devices |
TWI418571B (zh) * | 2009-05-15 | 2013-12-11 | Ind Tech Res Inst | 可溶性聚噻吩衍生物 |
US8258508B2 (en) * | 2009-08-07 | 2012-09-04 | Mitsui Mining & Smelting Co., Ltd. | Anode structure for use in organic EL device, production method thereof and organic EL device |
US8329505B2 (en) * | 2010-01-29 | 2012-12-11 | Lock Haven University Of Pennsylvania | Method for deposition of cathodes for polymer optoelectronic devices |
US9287339B2 (en) | 2010-10-28 | 2016-03-15 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light emitting display device and method of manufacturing the same |
CN104106310B (zh) * | 2012-01-31 | 2016-08-17 | 松下知识产权经营株式会社 | 有机电致发光元件 |
US9054316B2 (en) * | 2012-02-08 | 2015-06-09 | Joled Inc. | Method of manufacturing organic EL element and organic EL element |
JP6142326B2 (ja) * | 2012-08-01 | 2017-06-07 | 株式会社Joled | 有機電界発光素子および有機電界発光素子の製造方法 |
JP6142363B2 (ja) * | 2012-08-01 | 2017-06-07 | 株式会社Joled | 有機電界発光素子の製造方法 |
KR102149937B1 (ko) | 2013-02-22 | 2020-09-01 | 삼성전자주식회사 | 광전 소자 및 이미지 센서 |
CN108281565A (zh) * | 2017-01-05 | 2018-07-13 | 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 | 一种电极及应用其的有机电致发光器件 |
CN107623079B (zh) * | 2017-10-31 | 2021-01-29 | 京东方科技集团股份有限公司 | Oled器件及其制备方法、oled显示基板和装置 |
US10648069B2 (en) * | 2018-10-16 | 2020-05-12 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Monolayer-by-monolayer growth of MgO layers using Mg sublimation and oxidation |
Family Cites Families (26)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4539507A (en) | 1983-03-25 | 1985-09-03 | Eastman Kodak Company | Organic electroluminescent devices having improved power conversion efficiencies |
US4885211A (en) | 1987-02-11 | 1989-12-05 | Eastman Kodak Company | Electroluminescent device with improved cathode |
US5006915A (en) * | 1989-02-14 | 1991-04-09 | Ricoh Company, Ltd. | Electric device and photoelectric conversion device comprising the same |
GB8909011D0 (en) * | 1989-04-20 | 1989-06-07 | Friend Richard H | Electroluminescent devices |
DE69110922T2 (de) | 1990-02-23 | 1995-12-07 | Sumitomo Chemical Co | Organisch elektrolumineszente Vorrichtung. |
US5059861A (en) | 1990-07-26 | 1991-10-22 | Eastman Kodak Company | Organic electroluminescent device with stabilizing cathode capping layer |
US5047687A (en) | 1990-07-26 | 1991-09-10 | Eastman Kodak Company | Organic electroluminescent device with stabilized cathode |
US5059862A (en) | 1990-07-26 | 1991-10-22 | Eastman Kodak Company | Electroluminescent device with improved cathode |
US5073446A (en) | 1990-07-26 | 1991-12-17 | Eastman Kodak Company | Organic electroluminescent device with stabilizing fused metal particle cathode |
EP0549345B1 (de) | 1991-12-24 | 1997-03-05 | MITSUI TOATSU CHEMICALS, Inc. | Organisches elektrolumineszentes Dünnfilmelement |
EP0553950A3 (en) | 1992-01-07 | 1994-11-23 | Toshiba Kk | Organic electroluminescent device |
US5429884A (en) | 1992-01-17 | 1995-07-04 | Pioneer Electronic Corporation | Organic electroluminescent element |
DE69318463T2 (de) | 1992-03-23 | 1998-09-03 | Ciba Geigy Ag | Organisches Elektrolumineszentelement |
JPH05307997A (ja) | 1992-04-30 | 1993-11-19 | Pioneer Electron Corp | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
WO1994003032A1 (en) | 1992-07-23 | 1994-02-03 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Organic el device |
GB9215929D0 (en) * | 1992-07-27 | 1992-09-09 | Cambridge Display Tech Ltd | Electroluminescent devices |
US5428884A (en) | 1992-11-10 | 1995-07-04 | Tns Mills, Inc. | Yarn conditioning process |
JP2848207B2 (ja) | 1993-09-17 | 1999-01-20 | 凸版印刷株式会社 | 有機薄膜el素子 |
JPH07150137A (ja) | 1993-11-30 | 1995-06-13 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 有機電界発光素子 |
US5723873A (en) | 1994-03-03 | 1998-03-03 | Yang; Yang | Bilayer composite electrodes for diodes |
JP2701738B2 (ja) * | 1994-05-17 | 1998-01-21 | 日本電気株式会社 | 有機薄膜el素子 |
US5558904A (en) * | 1994-07-08 | 1996-09-24 | Xerox Corporation | Electroluminescent devices containing a conjugated polymer obtained via halogen precursor route chemistry |
JP3428152B2 (ja) * | 1994-07-13 | 2003-07-22 | 松下電器産業株式会社 | 有機el素子の製造方法 |
JPH08264278A (ja) | 1995-03-28 | 1996-10-11 | Japan Radio Co Ltd | 有機el素子 |
JPH0935871A (ja) | 1995-07-24 | 1997-02-07 | Sumitomo Chem Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
DE69737866T2 (de) * | 1996-09-04 | 2008-02-28 | Cambridge Display Technology Ltd. | Elektrodenabscheidung für organische lichtemittierende vorrichtungen |
-
1997
- 1997-09-04 DE DE69737866T patent/DE69737866T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1997-09-04 US US09/254,302 patent/US6402579B1/en not_active Expired - Lifetime
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