JP2000517469A - 有機発光デバイスのための電極付着 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 第１の電極と第２の電極との間に配置された少なくとも１つの発光性有機材料層を有し、前記第１の電極および第２の電極の一方が多層構造であり、前記多層構造の各層がＤＣマグネトロンによりスパッターされた層である有機発光デバイスにつき開示する。さらに、第１の電極と第２の電極との間に配置された２つ以上の発光性有機材料層を有し、有機材料の最上層が有機材料の下側層よりもスパッター付着に対し耐性を有し、さらに前記有機材料の最上層の上に形成された電極がスパッター層である有機発光デバイスについても開示する。さらに、この種の構造の構築方法についても開示する。

Description

【発明の詳細な説明】 有機発光デバイスのための電極付着 本発明の分野は、改良された電極を有する有機発光デバイスおよびその付着に 関するものである。 ケンブリッジ・ディスプレイ・テクノロジー・リミテッド社（Cambridge Disp lay Technology Limited）が特許権の譲受人となっている米国特許第５，２４７ ，１９０号またはVan Slyke et al.の米国特許第４，５３９，５０７号に開示さ れるような有機発光デバイス（ＯＬＥＤ）は、その内容を参考のため例としてこ こに引用するが、モノクロームまたはマルチカラーのいずれかのディスプレイと して種々のディスプレイ用途での使用において大きな潜在的可能性を有している 。原則的に、ＯＬＥＤは、正電荷キャリアを放出するアノード（陽極）と、負電 荷キャリアを放出するカソード（陰極）と、これら両電極間に挟まれた少なくと も１つの有機エレクトロルミネセンス層とで構成される。必ずしも必要ではない が、典型的には、アノードは、たとえばインジウム−錫−酸化物（ＩＴＯ）、す なわち、市販で容易に入手可能なガラスもしくはプラスチック基板上に既に付着 された半透明な導電性酸化物の薄膜である。次いで、一般に、有機層は、たとえ ば、蒸発(evaporation)／昇華もしくはスピンコーティング、ブレード被覆、浸 漬被覆またはメニスカス（meniscus）被覆によりＩＴＯ被覆基板に付着(deposit )される。カソード層を上部有機層に付着させる最終工程は、適するカソード金 属の真空下における熱蒸発もしくはスパッタリングにより通常行われる。カソー ド材料としてはＡｌ、ＣａまたはＭｇ：ＡｇもしくはＭｇ：Ｉｎの合金、または Ａｌ合金の層がしばしば使用される。 ＯＬＥＤ技術の重要な利点の１つは、正電荷および負電荷キャリアの放出につ き効率の優れた適するエレクトロルミネセンス有機層および電極が使用される場 合、デバイスを低電圧駆動で動作することが可能なことである。ＯＬＥＤにおい て優れた性能を得るには、個々の全ての層（すなわち、アノード層、カソード層 および有機層）並びに各層間の界面を最適化することが極めて重要である。 電力効率、低電圧駆動、保存寿命、運転寿命、並びに高温および／または高湿 などの過酷な環境条件下における安定性のような基準に基いて判断すると、高品 質のカソードは、ＯＬＥＤにおいて全体的に優れた性能を得るために極めて重要 である。カソードの品質に関する基準は限定されるものではないが、特に、仕事 関数、耐腐食性、形態およびバリヤ特性、ポリマーに対する接着性、並びにシー ト耐性である。 ＯＬＥＤの金属カソード層は、最も一般的には、真空下でのカソード材料の単 純な熱蒸発により付着される。同様に、金属合金により構成されるカソード層も 合金成分を含有する２種以上の供給源からの熱蒸発により、且つ、適する相対的 な付着速度を選択して所望の相対的な合金組成を得ることにより付着させること ができる。 しかしながら、ＯＬＥＤ上に金属を単純に熱蒸発してカソード層を形成するこ とにより、カソードと上部有機層との間に接着不良が起こることがあり、極めて しばしば、蒸発された層の形態は、大きい平均粒子寸法を有する多結晶質となり 、酸素および水分のような雰囲気ガスがデバイス中へ拡散するための高密度の粒 子境界が生ずるようになる。接着不良および大きい粒子寸法の多結晶質形態は、 ＯＬＥＤの性能、特に環境安定性（デバイス保存寿命および運転寿命、カソード の腐食）を著しく劣化させうる。 同様の問題（接着性、形態）が、ＯＬＥＤをカソードから構築する場合、すな わち、カソードを基板上に付着させた後に有機層の付着を行いかつ最終工程とし て上部有機層の頂部にアノードを付着させる場合にも生ずる。 元素金属の異なる供給源からの単純な熱蒸発または合金の形態でカソードを得 るための既製合金の蒸発には問題が存在する。たとえば、アルカリもしくはアル カリ土類金属のような低い仕事関数の反応性元素からなるカソード合金層が必要 とされる場合、空気中の通常の環境におけるこれらの元素の処理および／または 取扱いは不可能ではないにせよ困難である。或いは、合金自身を蒸発させる場合 は、付着物（カソード）の合金組成は、たとえば、異なる熱特性や供給源−合金 成分の異なる蒸発速度のために制御困難となりうる。 したがって、本発明の目的は、上記諸問題を解決し或いは少なくとも最小化さ せる有機エレクトロルミネセンスデバイスを加工するための構造および加工方法 を提供することにある。 本発明の第１の側面によると、第１の電極と第２の電極との間に配置された少 なくとも１つの発光性有機材料層からなり、電極の少なくとも１つは多層構造で あり、多層構造の各層はＤＣマグネトロンによってスパッターされた層であるこ とを特徴とする有機発光デバイスが提供される。 さらに、本発明のこの第１の側面は、 基板上に電極を形成する工程と、 前記電極上に少なくとも１つの発光性有機材料層を形成する工程と、 多層構造の各層がＤＣマグネトロンによってスパッターされた層である多層電 極構造を少なくとも１つの有機材料層の上に形成する工程と からなることを特徴とする有機発光デバイスの加工方法を提供することにある 。 またさらに、この本発明の第１の側面は、 多層構造の各層がＤＣマグネトロンによりスパッターされた層である多層電極 構造を基板上に形成する工程と、 前記多層電極上に少なくとも１つの発光性有機材料層を形成する工程と、 少なくとも１つの有機材料層の上に電極を形成する工程と からなる有機発光デバイスの加工方法を提供することにある。 本発明の第２の側面によれば、 第１の電極と、 前記第１の電極の上に形成された２つ以上の発光性有機材料層と、 有機材料の最上層の上に形成された第２の電極とからなり、 有機材料の最上層は、有機材料の下側層よりもスパッター付着に対し耐性を有 し、 第２の電極は、少なくとも１つの層からなり、有機材料の最上層に隣接する層 は、スパッターされた層であることを特徴とする有機発光デバイスを提供するこ とにある。 さらに、本発明の第２の側面は、有機材料の最上層がスパッター付着に対し実 質的に耐性を有する有機発光デバイスを提供する。 したがって、本発明の第１の側面および第２の側面は、低い平均粒子寸法を有 する小形の形態の金属製カソードを有し、スパッター付着により付着された前記 カソードとＯＬＥＤ積層体との隣接層の良好な接着性を有する有機エレクトロル ミネセンスデバイスを提供することにある。カソードと隣接層との間の良好な接 着性により、剥離、および、たとえば、酸素、水分、溶剤もしくは他の低分子量 化合物の前記界面における侵入が最小化される。さらに、カソード金属層の小形 の形態により、たとえば、酸素、水分、溶剤もしくは他の低分子量化合物のよう な周囲の物質のカソード層自身を介したＯＬＥＤ中への拡散も最小化される。前 記カソードは、前記カソードと正電荷キャリアを放出するアノードとの間に少な くとも１つのエレクトロルミネセンス有機層を有するＯＬＥＤのための電子放出 電極を形成する。有機エレクトロルミネセンス層は、必ずしも限定されないが好 ましくは共役ポリマーである。 本発明の第１の側面において、スパッター付着の方法は、ＤＣマグネトロンス パッタリングである。本発明の第２の側面において、発光性有機材料は、２つ以 上の層からなり、その最上層は、有機材料の下側層よりもスパッター付着に対し より優れたスパッター耐性を有する。 第１図は、ＯＬＥＤを示し、 第２図は、本発明の第１の実施の形態に係るＯＬＥＤを示し、 第３図は、本発明の第２の実施の形態に係るＯＬＥＤを示し、 第４図は、他のＯＬＥＤを示し、 第５図は、改良されたアノードを有するＯＬＥＤを示す。 図示した例において、ＯＬＥＤは、透明な支持基板に付着された半透明のアノ ードにより形成される。基板は、たとえば、３０μｍ〜５ｍｍ、好ましくは≦１ ．１ｍｍの厚さを有するガラスのシート、或いは、ポリエステル、ポリカーボネ ート、ポリイミド、ポリエーテルイミドなどのプラスチックのシートである。半 透明のアノードは、必ずしも限定されないが、好ましくは、インジウム−錫−酸 化物、ドープされた酸化錫もしくは酸化亜鉛のような導電性酸化物の薄い層であ る。アノード／基板の頂部に付着される有機層は、必ずしも限定されないが、好 ましくは、米国特許第５，２４７，１９０号に開示されたような、典型的には、 厚さ１００ｎｍ程度の１つ以上のエレクトロルミネセンス共役ポリマー層である 。代替的に、有機層は、米国特許第４，５３９，５０７号に開示されたような低 分子量化合物、または、実際には、共役ポリマーと低分子量化合物との組合せと することもできる。上部有機層の頂部にスパッタリングにより付着されるカソー ドは隣接有機層中へ電子を放出しうる金属であり、必ずしも限定されないが、典 型的には、厚さ１００〜５００ｎｍ程度である。この種の金属の例は、限定する ものではないが、Ａｌ、Ｍｇ、Ｉｎ、Ｐｂ、Ｓｍ、Ｔｂ、ＹｂもしくはＺｒであ る。この種のスパッター付着された金属層の接着性および小形の形態は、熱蒸発 により付着されたものと比較してはるかに優れている。すなわち、デバイスの安 定性およびカソードの腐食耐性は、特に、カソード付着後の加工過程またはデバ イスの操作に際し、雰囲気中に酸素、水分、溶剤もしくは他の低分子量化合物が 存在する場合には顕著に向上する。 代替的には、スパッタリングにより付着される前記カソードは、合金スパッタ リング標的からスパッターされる合金である。この種の合金は、限定するもので はないが、Ａｌ、Ｚｒ、Ｍｇ、Ｓｉ、Ｓｂ、Ｓｎ、Ｚｎ、Ｍｎ、Ｔｉ、Ｃｕ、Ｃ ｏ、Ｗ、Ｐｂ、ＩｎもしくはＡｇの合金またはその組合せであって、たとえば、 Ｌｉ、Ｂａ、Ｃａ、Ｃｅ、Ｃｓ、Ｅｕ、Ｒｂ、Ｋ、Ｓｍ、Ｎａ、Ｓｍ、Ｓｒ、Ｔ ｂもしくはＹｂのような低い仕事関数を有する元素を含有する。典型的なこの種 の合金は、たとえば、市販で入手可能なＡｌ ９５％／Ｌｉ ２．５％／Ｃｕ１ ．５％／Ｍｇ １％の合金である。前記の低い仕事関数を有する元素は、純粋な 元素の形態においては、通常、酸化および水分による腐食の影響を受けやすく、 通常の実験室環境においては、取扱いが不可能ではないにせよ問題となりやすい 。しかしながら、前記列挙したようなより安定した金属のマトリックスにおいて は、これらの低い仕事関数を有する元素は、マトリックス元素中に充分に低い濃 度で、充分安定することができ、スパッター標的加工、標的の取扱い、さらにＯ ＬＥＤに対する標的合金のスパッター付着を通常の実験室もしくは製造環境にお いて標準的スパッター設備で行うことを可能にし、スパッター付着後のＯＬＥＤ におけるカソードの安定性も付与する。この例において、低い仕事関数を有する 元素は、電子放出およびデバイス効率を向上させるよう作用し、マトリックス 元素は環境的な安定性を付与し、スパッター付着過程は、接着性を向上させると 共に小形の形態を可能にし、さらに標的組成およびスパッター条件の選択により 付着されるカソード合金の組成を制御することができる。ＤＣマグネトロンスパ ッター付着により特に達成される合金の形態は、付着後のカソード合金において 、たとえば、分離作用および拡散効果を最小化させるよう作用しうる。このよう に、ＯＬＥＤは、有機層への効率的な電子放出を付与する低い仕事関数を有する カソードを備えた雰囲気の条件下に製造することができる。 そこで、第１図を参照すると、第１のＯＬＥＤは、厚さ約１０００Åのポリ（ ｐ−フェニレンビニレン）（ＰＰＶ）の層３を、米国特許第５，２４７，１９０ 号に開示されたような可視範囲において少なくとも８０％の透明性と１００オー ム／スクエア（square）未満のシート抵抗とを有する半透明のインジウム−錫− 酸化物（ＩＴＯ）の層２でプレコートされた基板１に付着させることにより実現 される。厚さ約１５０ｎｍの層４からなるカソードを、次の条件下でＤＣマグネ トロンスパッタリングによりＰＰＶ層３の頂部に付着させる。 Ａｌ ９５％／Ｌｉ ２．５％／Ｃｕ １．５％／Ｍｇ １％（標的）、約３ ．２Ｗ／ｃｍ² （直径１００ｍｍの標的および２５０Ｗ）に一定した出力モー ドでのスパッタリング、２５ｓｃｃｍアルゴン流における約５ｘ１０^-3ミリバー ルの圧力（約１ｘ１０^-6ミリバールのベース圧力）、標的電圧４００〜４１０Ｖ 、標的−基板の間隔７５ｍｍ、および約１ｎｍ／ｓｅｃの付着速度。 このように作成されたＯＬＥＤは低い駆動電圧および操作電圧（＜５Ｖ）を有 し、純Ｃａおよびスパッター標的の形態のカソード材料を用いたカソードを有す る同様のデバイスよりも優れた効率性を有し、ＯＬＥＤ上に付着された薄膜とし て環境的な安定性を有し、通常の実験室環境での取扱いが可能である。 他の例において、スパッタリングにより付着されたＯＬＥＤは、上部有機層に 隣接するカソードの第１層が、カソードに関し上記に説明されたような低い仕事 関数を有する元素もしくは低い仕事関数を有する元素を含有する合金の薄い層で あり、前記第１の低い仕事関数を有する元素を有する薄い層が安定した導電層の 第２の厚い層でキャップされた二重層の構造である。たとえば、薄い第１のカソ ード層は、Ｌｉを含有する合金とすることができ、典型的には、厚さ≦２０ｎｍ であるが、好ましくは、厚さ≦５ｎｍである。たとえば、第２の厚いカソード層 は、Ａｌ、Ａｌ−Ｃｕ、Ａｌ−Ｓｉもしくは他の合金とすることができ、好まし くは、少なくとも１００ｎｍの厚さを有し、薄い第１カソード層を保護するよう 作用し、デバイスに対し環境的な安定性を付与し、カソードの低いシート抵抗を 付与する。合金は、極めてしばしば表面分離作用を示し、これによりたとえば合 金元素の１種が界面／表面に選択的に濃縮される。二重カソード層構造において 、低い仕事関数を有する元素は、少ない割合だけ含有され、さらに薄い第１カソ ード層においてのみ存在する。これにより、たとえば、隣接する有機層との界面 における低い仕事関数を有する元素の濃縮の問題を最小限にする。この低い仕事 関数を有する元素の濃縮は、反応の増加や、低い仕事関数を有する元素の有機層 への拡散を招き、その結果、後続する有機層の許容レベルを超えたドーピングを もたらし、もしくは、デバイス効率の低下を引き起こしうる。前記薄い第１カソ ード層は容易に人手可能であり、その厚さは、たとえば、スパッター帯域にわた る試料の通過速度を付着速度と共に制御することにより調節可能である。 好ましくは、この種の２つの層の薄い／厚いカソードにおいて、導電性材料の 第１層と導電性材料の第２層との厚さの比は少なくとも２０：１である。 他の例において、上記の２つの層の薄い／厚いカソード構造を参照すると、前 記第２の厚い導電性カソード層は、代替的に、たとえばインジウム−錫−酸化物 （ＩＴＯ）のような半透明の導電性酸化物とすることもできる。 他の例において、２つの層の薄い／厚いカソード構造を参照すると、カソード の第２の厚い層のみがスパッタリングにより付着され、第１の薄い層は、熱蒸発 のような他の手段により付着される。これは、たとえば上部有機層が（半透明の 導電性酸化物の反応性スパッター付着で使用されるような反応性スパッタリング を用いた、或いは用いない）スパッター処理による損傷の影響を受けやすい場合 に有用である。この実施の形態において、第１層は、まだカソードと隣接有機層 との電子界面を形成するが、第２の厚いＤＣマグネトロンによってスパッターさ れた層は、形態上小形な、保護性かつ導電性を有する薄膜を形成する。 他の例において、ＯＬＥＤの上層として付着されたスパッターによるカソード も、その良好な接着性と小形の形態と良好なバリア特性とに基づき、反応性ガス および液体のようなその後の処理工程に際し存在しうる望まれない物質のデバイ ス中への侵入および／またはデバイスの保存寿命および操作寿命に対する保護を 付与するデバイスのカプセル層として作用する。 他の例によれば、化学量論的もしくは化学量論以下の誘電体のスパッターされ た極薄膜が、カソード下に導入されることにより向上した電荷キャリアバランス およびデバイス効率が達成される。前記誘電体薄膜は厚さ≦５ｎｍである。ＯＬ Ｄは、負電荷キャリアと比較して、正電荷キャリアに対して一層良好な放出およ び輸送をしばしば示す。厚さ≦５ｎｍの誘電体の薄膜は、孔部（正電荷キャリア ）よりも電子に対し実質的に高い伝達速度を有しうることが判明した。これは、 化学量論的および化学量論以下の金属酸化物の場合に特に顕著である。したがつ て、カソードと頂部有機層との間の薄いこの種の誘電体層は、デバイス効率を向 上させることが可能である。 したがって、この例によれば、ＯＬＥＤは、（ＩＴＯ被覆ガラスのような）支 持基板上のアノードと、本発明の第１の側面および／または第２の側面に係る金 属カソードで被覆される薄い（≦５ｎｍ）誘電体層で覆われた少なくとも１つの 有機エレクトロルミネセンス層とで構成される。誘電体は、限定されるものでは ないが、好ましくは、化学量論的もしくは化学量論以下（酸素欠乏）の金属酸化 物であって、本発明の第１の側面および／または第２の側面に係るＯＬＥＤの他 の元素でのスパッタリングにより上部有機層に付着される。必ずしも限定されな いが、典型的には、酸化物は、酸素およびＡｌ、Ｍｇ、Ｚｒもしくは他の元素金 属標的による反応性ＤＣマグネトロンスパッタリング、或いは実際には、Ａｌ： Ｍｇ、Ａｌ：Ｌｉ、Ａｌ：Ｌｉ：Ｃｕ：Ｍｇまたは他の合金スパッタリング標的 から反応的にスパッターされた酸化物により形成される。 安定した低い仕事関数のカソードを有するＯＬＥＤを参照すると、効率性の向 上は、厚さ約１００ｎｍのポリ（ｐ−フェレンビニレン）の層３を、米国特許第 ５，２４７，１９０号に開示されたような可視範囲において少なくとも８０％の 透明性と１００オーム／スクエア（square）未満のシート抵抗とを有する半透明 のインジウム−錫−酸化物の層２でプレコートされた基板１に付着させることに より実現される。ＰＰＶ層３は、厚さ約３ｎｍのＡｌ ９５％／Ｌｉ ２．５％ ／Ｃｕ １．５％／Ｍｇ １％の化学量論的酸化物の層５で被覆され、これは次 の条件下での反応性ＤＣマグネトロンスパッタリングにより実現される。 標的−基板の間隔７５ｍｍ、ベース圧力１ｘ１０^-6ミリバール、３１０Ｖの一 定電圧における出力供給モード、電流密度６．２ｍＡ／ｃｍ²、圧力５ｘ１０^-3 ミリバール、２５ｓｃｃｍアルゴン流、２ｓｃｃｍ酸素流、付着時間７秒。厚さ 約１５０ｎｍの層４からなるカソードを、上記したようにＤＣマグネトロンスパ ッタリングにより薄い酸化物層５の上部に付着させる。カソードは、好ましくは 、１００〜５００ｎｍの厚さを有する導電層から構成される。このデバイスは、 同じカソードを有するが薄い酸化物層を持たない同等のデバイスよりも向上した 効率を示す。 上記のようなスパッターされたカソードを有するＯＬＥＤにおいて、カソード に隣接する有機層（上部有機層）が特に後続するスパッター付着に適しており、 下側有機層をスパッタリング過程から防止するが許容しえないレベルを超えて全 体的デバイス性能を劣化させないような共役ポリマーであるＯＬＥＤにつき他の 例で説明する。 この例に関し、電子放出の効率性、ＯＬＥＤ駆動電圧またはデバイス製造の信 頼性および生産性、並びにスパッター付着過程自体による上部有機層に対する損 傷に基づいて判断すると、頂部有機層の性質は、後続するスパッター付着の成功 を大幅に左右しうることが判明した。金属および合金のスパッター付着は、形態 上極めて小形かつ機械的に頑丈な、ポリ（ｐ−フェニリンビニレン）（ＰＰＶ） のような共役ポリマーに対し、ポリマーおよび界面に大きな損傷を与えることが はっきりと見受けられることなく、容易に使用しうることも判明した。 このことは、ジアルコキシ側鎖を有するＰＰＶの可溶性誘導体のような「軟質 」可溶性ポリマーの場合にはそうではない。これらの軟質ポリマーの場合におい ては、スパッター付着の過程は、上部ポリマー層および界面の損傷を一層容易に もたらし、たとえば、デバイス駆動電圧が増大し、デバイスがショートしやすく なる。 上記の例によれば、主たる活性層およびエレクトロルミネセンス層として「軟 質」ポリマーを有するＯＬＥＤにおいて、前記層は、形態上極めて小形かつ機械 的に頑丈な、限定するものではないが、ＰＰＶのような共役ポリマーの薄い上層 で保護され、デバイスの損傷を最小に、或いは損傷なしに、かつ上記に概略説明 したスパッターされたカソードの後続する利点を伴ったカソードの最終的スパッ ター付着に対してデバイスをより適したものにする。頑丈な保護ポリマーの前記 層は、典型的には厚さ数１０ｎｍ程度であるが、好ましい厚さは５〜２０ｎｍの 範囲である。たとえば、ＰＰＶのジアルコキシ誘導体の頂部におけるＰＰＶの光 学的、電子的および輸送上の特性に関しては、たとえば、効率性もしくは発色の ようなデバイス特性は、保護ＰＰＶ層を持たないデバイスと比較して大きな変化 はない。 第３図に示された第２の特定の実施の形態を参照すると、ＯＬＥＤは、キシレ ン溶液からスピン（spin）された、厚さ約１００ｎｍのポリ［２−メトキシ、５ −（２’−エチル−ヘキシルオキシ）−ｐ−フェニレンビニレン］［ＭＥＨ−Ｐ ＰＶ］の層６を、半透明のインジウム−錫−酸化物の層２でプレコートされた基 板１上へ付着させることにより実現される。次いで、ＭＥＨ−ＰＰＶ層６をポリ （ｐ−フェニレンビニレン）（変換後に約２０ｎｍ）の薄い層３で被覆する。Ｍ ＥＨ−ＰＰＶ層６の頂部へのＰＰＶ前駆体溶液のスピニングはＭＥＨ−ＰＰＶお よびＰＰＶ前駆体に対する不混和性溶剤の使用により可能となり、ＰＰＶ前駆体 からＰＰＶへの変換はＭＥＨ−ＰＰＶを明らかに阻害するものではない。厚さ約 １５０ｎｍの層４からなるカソードを、上記したようにＤＣマグネトロンスパッ タリングにより薄いＰＰＶ層３の頂部に付着させる。この種のＯＬＥＤは、ＭＥ Ｈ−ＰＰＶの特徴である橙色／赤色発光を付与し、空気中で安定した低い仕事関 数を有するスパッター付着されたカソード合金によって低い駆動電圧（約５〜６ Ｖ）を有する。カソードを同様にスパッターするがＭＥＨ−ＰＰＶ層の頂部に直 接スパッターする（すなわちＰＰＶ緩衝層を持たない）同等なデバイスは１０Ｖ を超える駆動電圧を有する傾向を示し、スパッタリング過程の際のＭＥＨ−ＰＰ Ｖ層の上表面の損傷によってショートしやすい。 他の例において、カソードは、既にＯＬＥＤの支持基板に付着されている。カ ソードを有する基板は、少なくとも１つの有機エレクトロルミネセンス層で被覆 され、第２の電極および頂部の電極は、スパッタリングにより付着されたアノー ドである。 この例の配置の１つにおいて、前記頂部スパッターカソード層は、限定するも のではないが、Ｃ、Ａｇ、Ａｕ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｒｅ、Ｓｅもしくは その合金またはドープされた半導性化合物、またはより一般的には、４．７ｅＶ より高い仕事関数を有する導電層のような高い仕事関数の金属の層である。代替 的には、前記アノードは、限定されるものではないが、インジウム−錫−酸化物 またはドープされたＳｎ−酸化物もしくはＺｎ−酸化物のような導電性を有する スパッターされた酸化物の層である。 この例の他の配置において、前記頂部アノードが反応性スパッタリングにより 付着された導電性酸化物である場合を参照すると、頂部有機層は、先ず最初に高 い仕事関数を有する元素、限定されるものではないが、または、Ｃ、Ａｕもしく はｐｔのような合金の薄い層によってスパッター付着または他の熱蒸発のような 手段で、厚いスパッター付着の導電性酸化物が施される前に被覆される。この場 合、反応性スパッター付着過程における頂部有機層に対する損傷は最小限となる 。 アノードが少なくとも半透明であることを要する場合、頂部有機層と半透明の 酸化物との間の薄い界面層は１０ｎｍ未満、好ましくは厚さ５ｎｍ未満として透 明性を保持する必要かある。 第４図を参照すると、さらに他のＯＬＥＤが、厚さ約１００ｎｍのポリ（ｐ− フェレンビニレン）の層３を、カソードとして作用するＡｌの層４で被覆された 基板１の頂部に被覆することにより実現される。ＰＰＶ前駆体ポリマーからＰＰ Ｖへの変換の後、ＰＰＶを熱蒸発されたＡｕの薄い（＜５ｎｍ）層７で被覆し、 次いでこれを厚さ１５０ｎｍのインジウム−錫−酸化物の厚い層２で商業的に標 準の反応性ＤＣマグネトロンＩＴＯ付着過程でキャップする。Ａｕの薄い層７は 、正電荷キャリアの効率的放出を確保するだけでなく、緩衝層をも付与して、反 応性ＩＴＯ付着過程の際に下側のＰＰＶ層３を保護する。 したがって、本発明は、有機エレクトロルミネセンスデバイス構造およびその 加工方法を提供し、第２（すなわち頂部）電極は、少なくとも部分的にスパッタ リングにより実現される。このスパッターされた電極層は良好なバリア特性と接 着特性とを有する小形かつ緻密な電極形態を保証し、スパッター付着過程自体は 、環境的な安定性と低い仕事関数のような所望の電子特性とを組み合わせた合金 の使用を可能にする。 保護絶縁層は、頂部電極の付着と前記絶縁層との間の周囲の大気にＯＬＥＤを 露出することなくスパッターされた頂部電極に対しスパッターすることができ、 前記絶縁層は、たとえば酸化物もしくは窒化物である。 電極の少なくとも１つが少なくとも部分的に金属元素もしくは合金または導電 性酸化物または半導体のスパッター付着により実現されるような有機エレクトロ ルミネセンスデバイスの加工方法についても開示する。 デバイス性能、および、特に、デバイス寿命を制限するメカニズムの１つは、 無機酸化物アノードに隣接する有機層および前記アノードと隣接有機層との間の 界面の劣化であって、これは、たとえば、有機層を有する前記酸化物アノードか ら放出される酸素に起因することが判明した。この点に関し、たとえばポリアニ リンのような半導性ポリマーの薄い層を第１有機層として無機酸化物アノードの 頂部に組み込めば、デバイス特性および操作安定性を向上させることが判明した 。しかしながら、無機酸化物アノードの頂部に対する第１有機層としての前記追 加層の導入は、たとえば、接着性の劣化、或る場合には望ましくない前記第１有 機層と後続する層との混合、後続する層の湿潤および被覆特性における劣化のよ うな他の問題や、前記第１有機層の薄い層の付着の均一性に関する問題、または デバイス操作における前記第１有機層の安定性に関する問題などが新たに生じる おそれがある。 第５図は、無機酸化物の半透明アノードを第１有機層から分離する利点を有す るが、正電荷キャリアの効果的放出を維持し、上記問題の幾つかを回避する有機 発光デバイスのための構造を示す。 この構造は、デバイスのためのアノードとカソードとの間に配置された少なく とも１つの発光性有機材料層を備え、アノードは、無機酸化物の第１透光性層と 、少なくとも１つの有機材料層と無機酸化物の第１層との間に配置された高い仕 事関数を有する導電性材料の第２透光性層とからなり、導電性材料の第２層は、 無機酸化物の第１層よりも実質的に薄い。 カソードを基板上に形成させ、アノードを少なくとも１つの有機材料層の上に 形成させることができる。代替的には、アノードを基板上に形成させ、カソード を少なくとも１つの有機材料層の上に形成させることもできる。 無機酸化物の第１層は、好ましくはＤＣマグネトロンまたはＲＦスパッタリン グによりスパッター付着させることができ、或いは、好ましくは抵抗もしくは電 子線の熱蒸発により蒸発させることができる。導電性材料の第２層は、好ましく はＤＣマグネトロンもしくはＲＦスパッタリングによりスパッター付着させるこ とができ、或いは、抵抗もしくは電子線熱蒸発により蒸発させることもできる。 無機酸化物の第１層と導電性材料の第２層との厚さの比は、好ましくは少なく とも１５：１である。 第５図の構造は、半透明の無機酸化物アノード（たとえばインジウム−錫−酸 化物（ＩＴＯ）、酸化錫もしくは酸化亜鉛）が少なくとも４．７ｅＶの仕事関数 を有する導電性材料の半透明な薄い層で被覆された後にＯＬＥＤ積層体の第１有 機層を付着させる有機発光デバイス（ＯＬＥＤ）である。前記薄い層の厚さは最 高で１０ｎｍであるが、好ましくは３〜７ｎｍである。前記薄い層はＡｇ、Ａｓ 、Ａｕ、Ｃ、Ｃｏ、Ｇｅ、Ｎｉ、Ｏｓ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｒｅ、Ｒｕ、Ｓｅ、Ｔｅま たはこれら元素を含有する合金もしくは金属間化合物とすることができる。代替 的には、前記薄い層は、ｐ型のドープされたＺｎＳもしくはＺｎＳｅのようなド ープされた半導体とすることもできる。前記薄い高い仕事関数の層は、少なくと も１つの有機エレクトロルミネセンス層（好ましくは共役ポリマー）で被覆され 、最後に頂部電極としてのカソードが備えられる。 好ましい実施の形態において、薄い半透明かつ導電性の高い仕事関数の層は、 厚さ３〜７ｎｍの炭素の層である。 他の好ましい実施の形態において、有機エレクトロルミネセンス薄膜は、ポリ （ｐ−フェニレンビニレン）のアルコキシ誘導体のような可溶性共役ポリマーで ある。 また、他の好ましい実施の形態において提供されているＯＬＥＤは、第１の電 極としてカソードを有する基板から構築され、次いでこれを少なくとも１つのエ レクトロルミネセンス層（好ましくは共役ポリマー）で被覆し、より厚い半透明 の導電性酸化物の頂部アノード層を付着させる前に、頂部有機層は本発明の第１ の側面に従った薄い半透明の高い仕事関数の層で被覆される。 第５図の構造のものは、以下の工程によって加工される。 無機酸化物の第１透光性層を基板上に形成させることと、高い仕事関数を有す る導電性材料の第２透光性層を無機酸化物の第１層の上に形成させることからな り、導電性材料の第２層は、無機酸化物の第１層よりも実質的に薄い、基板上に デバイスのアノードを形成する工程と、 少なくとも１つの透光性有機材料層をアノード上に形成する工程と、 デバイスのカソードを少なくとも１つの有機材料層の上に形成する工程。 代替的な「逆の」構造のものは、以下の工程によって加工される。 デバイスのカソードを基板上に形成する工程と、 少なくとも１つの透光性有機材料層をアノード上に形成する工程と、 高い仕事関数を有する導電性材料の第２透光性層を少なくとも１つの有機材料 層の上に形成させることと、無機酸化物の第１透光性層を導電性材料の第２層の 上に形成させることからなり、導電性材料の第２層は、無機酸化物の第１層より も実質的に薄い、デバイスのアノードを少なくとも１つの有機材料層の上に形成 する工程。 第５図の構造によるＯＬＥＤの加工方法においては、薄い半透明の高い仕事関 数の層を透明な導電性酸化物アノードと隣接第１有機層との間に付着させる。前 記薄い半透明の高い仕事関数の層は、スパッター付着、或いは抵抗もしくは電子 線熱蒸発により施される。 特に第５図を参照すると、ガラス基板１０は、典型的には、厚さ約１５０ｎｍ であり、典型的には、≦３０オーム／スクエア（square）のシート抵抗を有する 半透明の導電性インジウム−錫−酸化物（ＩＴＯ）層２０の層で被覆される。代 替的に、基板は、プラスチック材料で構成することもできる。前記ＩＴＯ層２０ は、９９．９９７％の純度を有する電子線蒸発された厚さ６ｎｍの炭素の層３０ で被覆される。次いで前記層３０を厚さ約１００ｎｍのポリ（ＭＥＨ−ＰＰＶと 略記される）［２−メトキシ−５−（２’−エチル−ヘキシルオキシ）−１、４ −フェニレンビニレン］の層４０で被覆し、これはキシレン溶液から層３０上へ スピンされる。次いで、前記ＭＥＨ−ＰＰＶ層を、約２００ｎｍのＡｌの第２保 護層６０でキャップされた、約５０ｎｍのＣａで構成されるカソードによって被 覆する。このＯＬＥＤデバイスは、ＩＴＯとＭＥＨ−ＰＰＶとの間に炭素層を持 たないデバイスと比較して向上したデバイス性能、特に、向上した操作安定性を 有する。 以上のように、半透明の薄い導電性酸化物アノードを用いて透明性および導電 性を達成するが、前記導電性酸化物アノードと隣接有機層（これは前記酸化物ア ノードとの直接的接触の際に劣化しうる）との直接的接触を回避する、正電荷キ ャリアを放出するための効率的なアノード構造を有するデバイス構造およびＯＬ ＥＤの加工方法につき説明した。

【手続補正書】特許法第１８４条の８第１項 【提出日】平成１０年９月８日（１９９８．９．８） 【補正内容】 補正請求の範囲 １． 基板上に電極を形成する工程と、 前記電極上に少なくとも１つの発光性有機材料層を形成する工程と、 前記少なくとも１つの有機材料層上に多層電極構造を形成する工程とからなり 、前記多層構造の各層がＤＣマグネトロンによりスパッターされた層である ことを特徴とする有機発光デバイスの加工方法。 ２． 請求項１記載の有機発光デバイスの加工方法において、前記多層電 極構造を形成する工程が、少なくとも１つの有機材料層の上に低い仕事関数を有 する導電性材料の第１層をスパッタリングにより形成する工程と、前記導電性材 料の第１層の上に導電性材料の第２層をスパッタリングにより形成する工程とか らなり、前記導電性材料の第１層が前記導電性材料の第２層よりも実質的に薄い ことを特徴とする有機発光デバイスの加工方法。 ３． 請求項２記載の有機発光デバイスの加工方法において、前記導電性 材料の第１層が最高で２０ｎｍ、好ましくは最高で５ｎｍの厚さを有することを 特徴とする有機発光デバイスの加工方法。 ４． 請求項１記載の有機発光デバイスの加工方法において、前記多層電 極構造を形成する工程が、前記少なくとも１つの有機材料層の上に高い仕事関数 を有する導電性材料の第１層をスパッタリングにより形成する工程と、前記導電 性材料の第１層の上に導電性材料の第２層をスパッタリングにより形成する工程 とからなり、前記導電性材料の第１層が前記導電性材料の第２層よりも実質的に 薄いことを特徴とする有機発光デバイスの加工方法。 ５． 請求項４記載の有機発光デバイスの加工方法において、前記導電性 材料の第１層が１０ｎｍ未満、好ましくは５ｎｍ未満の厚さを有することを特徴 とする有機発光デバイスの加工方法。 ６． 多層構造の各層がＤＣマグネトロンによりスパッターされた層であ る多層電極構造を基板上に形成する工程と、 少なくとも１つの発光性有機材料層を多層電極の上に形成する工程と、 前記少なくとも１つの有機材料層の上に電極を形成する工程と からなることを特徴とする有機発光デバイスの加工方法。 ７． 請求項６記載の有機発光デバイスの加工方法において、前記多層電 極構造を形成する工程が、前記基板上に導電性材料の第１層をスパッタリングに より形成する工程と、前記導電性材料の第１層の上に低い仕事関数を有する導電 性材料の第２層をスパッタリングにより形成する工程とからなり、前記導電性材 料の第２層が前記導電性材料の第１層よりも実質的に薄いことを特徴とする有機 発光デバイスの加工方法。 ８． 請求項７記載の有機発光デバイスの加工方法において、前記導電性 材料の第２層が最高で２０ｎｍ、好ましくは最高で５ｎｍの厚さを有することを 特徴とする有機発光デバイスの加工方法。 ９． 請求項６記載の有機発光デバイスの加工方法において、前記多層電 極構造を形成する工程が、前記基板上に導電性材料の第１層をスパッタリングに より形成する工程と、前記導電性材料の第１層の上に高い仕事関数を有する導電 性材料の第２層をスパッタリングにより形成する工程とからなり、前記導電性材 料の第２層が前記導電性材料の第１層よりも実質的に薄いことを特徴とする有機 発光デバイスの加工方法。 １０． 請求項９記載の有機発光デバイスの加工方法において、前記導電 性材料の第２層が１０ｎｍ未満、好ましくは５ｎｍ未満の厚さを有することを特 徴とする有機発光デバイスの加工方法。 １１． 基板上に第１の電極を形成する工程と、 前記第１の電極の上に発光性材料の２つ以上の層を形成する工程と、 有機材料の最上層の上に第２の電極を形成する工程とからなり、 前記有機材料の最上層が有機材料の下側層よりもスパッター付着に対し耐性を 有し、 前記第２の電極が少なくとも１つの層からなり、前記有機材料の最上層に隣接 する層がスパッター層であることを特徴とする有機発光デバイスの加工方法。 １２． 請求項１１記載の有機発光デバイスの加工方法において、前記有 機材料の最上層が共役ポリマーであることを特徴とする有機発光デバイスの加工 方法。 １３． 第１の電極と第２の電極との間に配置された少なくとも１つの発 光性有機材料層を備え、前記電極の少なくとも１つが多層構造であり、前記多層 構造の各層がＤＣマグネトロンによりスパッターされた層であることを特徴とす る有機発光デバイス。 １４． 請求項１３記載の有機発光デバイスにおいて、前記多層構造が導 電性材料の第１層と、前記少なくとも１つの有機材料層と前記導電性材料の第１ 層との間に配置された低い仕事関数を有する導電性材料の第２層とからなり、前 記導電性材料の第２層が前記導電性材料の第１層よりも実質的に薄いことを特徴 とする有機発光デバイス。 １５． 請求項１４記載の有機発光デバイスにおいて、前記導電性材料の 第２層が最高で２０ｎｍ、好ましくは最高で５ｎｍの厚さを有することを特徴と する有機発光デバイス。 １６． 請求項１３項記載の有機発光デバイスにおいて、前記多層構造が 導電性材料の第１層と、前記少なくとも１つの有機材料層と前記導電性材料の第 １層との間に配置された高い仕事関数を有する導電性材料の第２層とからなり、 前記導電性材料の第２層が前記導電性材料の第１層よりも実質的に薄いことを特 徴とする有機発光デバイス。 １７． 請求項１６記載の有機発光デバイスにおいて、前記導電性材料の 第２層が１０ｎｍ未満、好ましくは５ｎｍ未満の厚さを有することを特徴とする 有機発光デバイス。 １８． 請求項１６記載の有機発光デバイスにおいて、前記導電性材料の 第１層および第２層が半透明であることを特徴とする有機発光デバイス。 １９． 請求項１６記載の有機発光デバイスにおいて、前記導電性材料の 第２層が高い仕事関数の金属、ｐ−型ドープされた半導体もしくは炭素の層であ ることを特徴とする有機発光デバイス。 ２０． 第１の電極と、 前記第１の電極の上に形成された２つ以上の発光性有機材料層と、 有機材料の最上層の上に形成された第２の電極とからなり、 前記有機材料の最上層が有機材料の下側層よりもスパッター付着に対し耐性を 有し、 前記第２の電極は少なくとも１つの層からなり、前記有機材料の最上層に隣接 する層がスパッタ層であることを特徴とする有機発光デバイス。 ２１． 請求項２０記載の有機発光デバイスにおいて、前記有機材料の最 上層が共役ポリマーであることを特徴とする有機発光デバイス。 ２２． 請求項２０または２１に記載の有機発光デバイスにおいて、前記 有機材料の最上層が有機材料の下側の１つまたは複数の層全体の厚さよりも実質 的に薄いことを特徴とする有機発光デバイス。 【手続補正書】 【提出日】平成１１年１月８日（１９９９．１．８） 【補正内容】 補正請求の範囲 １． 基板の上に電極を形成する工程と、 前記電極の上に少なくとも１つの発光性有機材料の層を形成する工程と、 前記少なくとも１つの有機材料の層の上に多層電極構造を形成する工程とから なり、前記多層構造の各層がＤＣマグネトロンによりスパッターされた層である ことを特徴とする有機発光デバイスの加工方法。 ２． 請求項１記載の有機発光デバイスの加工方法において、前記多層電 極構造を形成する工程が、少なくとも１つの有機材料の層の上に低い仕事関数を 有する導電性材料の第１層をスパッタリングにより形成する工程と、前記導電性 材料の第１層の上に導電性材料の第２層をスパッタリングにより形成する工程と からなり、前記導電性材料の第１層が前記導電性材料の第２層よりも実質的に薄 いことを特徴とする有機発光デバイスの加工方法。 ３． 請求項２記載の有機発光デバイスの加工方法において、前記導電性 材料の第１層が最高で２０ｎｍ、好ましくは最高で５ｎｍの厚さを有することを 特徴とする有機発光デバイスの加工方法。 ４． 請求項１記載の有機発光デバイスの加工方法において、前記多層電 極構造を形成する工程が、前記少なくとも１つの有機材料の層の上に高い仕事関 数を有する導電性材料の第１層をスパッタリングにより形成する工程と、前記導 電性材料の第１層の上に導電性材料の第２層をスパッタリングにより形成する工 程とからなり、前記導電性材料の第１層が前記導電性材料の第２層よりも実質的 に薄いことを特徴とする有機発光デバイスの加工方法。 ５． 請求項４記載の有機発光デバイスの加工方法において、前記導電性 材料の第１層が１０ｎｍ未満、好ましくは５ｎｍ未満の厚さを有することを特徴 とする有機発光デバイスの加工方法。 ６． 多層構造の各層がＤＣマグネトロンによりスパッターされた層であ る多層電極構造を基板の上に形成する工程と、 少なくとも１つの発光性有機材料の層を多層電極の上に形成する工程と、 前記少なくとも１つの有機材料の層の上に電極を形成する工程と からなることを特徴とする有機発光デバイスの加工方法。 ７． 請求項６記載の有機発光デバイスの加工方法において、前記多層電 極構造を形成する工程が、前記基板の上に導電性材料の第１層をスパッタリング により形成する工程と、前記導電性材料の第１層の上に低い仕事関数を有する導 電性材料の第２層をスパッタリングにより形成する工程とからなり、前記導電性 材料の第２層が前記導電性材料の第１層よりも実質的に薄いことを特徴とする有 機発光デバイスの加工方法。 ８． 請求項７記載の有機発光デバイスの加工方法において、前記導電性 材料の第２層が最高で２０ｎｍ、好ましくは最高で５ｎｍの厚さを有することを 特徴とする有機発光デバイスの加工方法。 ９． 請求項６記載の有機発光デバイスの加工方法において、前記多層電 極構造を形成する工程が、前記基板の上に導電性材料の第１層をスパッタリング により形成する工程と、前記導電性材料の第１層の上に高い仕事関数を有する導 電性材料の第２層をスパッタリングにより形成する工程とからなり、前記導電性 材料の第２層が前記導電性材料の第１層よりも実質的に薄いことを特徴とする有 機発光デバイスの加工方法。 １０． 請求項９記載の有機発光デバイスの加工方法において、前記導電 性材料の第２層が１０ｎｍ未満、好ましくは５ｎｍ未満の厚さを有することを特 徴とする有機発光デバイスの加工方法。 １１． 基板の上に第１の電極を形成する工程と、 前記第１の電極の上に発光性材料の２つ以上の層を形成する工程と、 有機材料の最上層の上に第２の電極を形成する工程とからなり、 前記有機材料の最上層が有機材料の下側層よりもスパッター付着に対する耐性 を有し、 前記第２の電極が少なくとも１つの層からなり、前記有機材料の最上層に隣接 する層がスパッター層であることを特徴とする有機発光デバイスの加工方法。 １２． 請求項１１記載の有機発光デバイスの加工方法において、前記有 機材料の最上層が共役ポリマーであることを特徴とする有機発光デバイスの加工 方法。 １３． 第１の電極と第２の電極との間に配置された少なくとも１つの発 光性有機材料の層を備え、前記電極の少なくとも１つが多層構造であり、前記多 層構造の各層がＤＣマグネトロンによりスパッターされた層であることを特徴と する有機発光デバイス。 １４． 請求項１３記載の有機発光デバイスにおいて、前記多層構造が導 電性材料の第１層と、前記少なくとも１つの有機材料の層と前記導電性材料の第 １層との間に配置された低い仕事関数を有する導電性材料の第２層とからなり、 前記導電性材料の第２層が前記導電性材料の第１層よりも実質的に薄いことを特 徴とする有機発光デバイス。 １５． 請求項１４記載の有機発光デバイスにおいて、前記導電性材料の 第２層が最高で２０ｎｍ、好ましくは最高で５ｎｍの厚さを有することを特徴と する有機発光デバイス。 １６． 請求項１４または１５記載の有機発光デバイスにおいて、前記導 電性材料の第１層が透光導電性酸化物、好ましくはインジウム−錫酸化物、酸化 錫もしくは酸化亜鉛からなる ことを特徴とする有機発光デバイス。 １７． 請求項１３記載の有機発光デバイスにおいて、前記多層構造が導 電性材料の第１層と、前記少なくとも１つの有機材料の層と前記導電性材料の第 １層との間に配置された高い仕事関数を有する導電性材料の第２層とからなり、 前記導電性材料の第２層が前記導電性材料の第１層よりも実質的に薄いことを特 徴とする有機発光デバイス。 １８． 請求項１７記載の有機発光デバイスにおいて、前記導電性材料の 第 ２層が１０ｎｍ未満、好ましくは５ｎｍ未満の厚さを有することを特徴とする 有機発光デバイス。 １９． 請求項１７記載の有機発光デバイスにおいて、前記導電性材料の 第２層が高い仕事関数の金属、ｐ−型ドープされた半導体もしくは炭素の層であ ることを特徴とする有機発光デバイス。 ２０． 請求項１３記載の有機発光デバイスにおいて、前記多層電極構造 が少なくとも１つの有機材料の層に隣接する誘電体、好ましくは金属酸化物の層 を含むことを特徴とする有機発光デバイス。 ２１． 第１の電極と、 前記第１の電極の上に形成された２つ以上の発光性有機材料の層と、 有機材料の最上層の上に形成された第２の電極とからなり、 前記有機材料の最上層が有機材料の下側層よりもスパッター付着に対する耐性 有し、 前記第２の電極は少なくとも１つの層からなり、前記有機材料の最上層に隣接 する層がスパッター層であることを特徴とする有機発光デバイス。 ２２． 請求項２１記載の有機発光デバイスにおいて、前記有機材料の最 上層が共役ポリマーであることを特徴とする有機発光デバイス。 ２３． 請求項２１または２２記載の有機発光デバイスにおいて、前記有 機材料の最上層が有機材料の下側層の１つまたは複数の層全体の厚さよりも実質 的に薄いことを特徴とする有機発光デバイス。 ２４． 第１の電極と第２の電極との間に配置された少なくとも１つの発 光性有機材料の層を備え、前記電極の少なくとも１つは、ＤＣマグネトロンスパ ッタリングにより付着された透光性酸化物からなる導電性材料の第１層と、少な くとも１つの有機材料の層と前記導電性材料の第１層との間に配置された低い仕 事関数を有する導電性材料の第２層とからなり、前記導電性材料の第２層が前記 導電性材料の第１層よりも実質的に薄いことを特徴とする有機発光デバイス。 ２５． 請求項１６または２４記載の有機発光デバイスにおいて、前記第 １電極および第２電極の他方は、半透明のアノードよりなることを特徴とする有 機発光デバイス。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (31)優先権主張番号 ９６１８４７５．９ (32)優先日 平成８年９月４日(1996．9．4) (33)優先権主張国 イギリス（ＧＢ） (31)優先権主張番号 ９７１２２９５．６ (32)優先日 平成９年６月12日(1997．6．12) (33)優先権主張国 イギリス（ＧＢ） (81)指定国 ＥＰ(ＡＴ，ＢＥ，ＣＨ，ＤＥ， ＤＫ，ＥＳ，ＦＩ，ＦＲ，ＧＢ，ＧＲ，ＩＥ，ＩＴ，Ｌ Ｕ，ＭＣ，ＮＬ，ＰＴ，ＳＥ)，ＣＮ，ＧＢ，ＪＰ，Ｕ Ｓ (72)発明者 デバイン、ピーター イギリス国、ケンブリッジ シービー４ ６ビーダブリュー ミルトン、コールズ ロード 34

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １． 第１の電極と第２の電極との間に配置された少なくとも１つの発光 性有機材料層を備え、前記電極の少なくとも１つが多層構造であり、前記多層構 造の各層がＤＣマグネトロンによりスパッターされた層であることを特徴とする 有機発光デバイス。 ２． 請求項１記載の有機発光デバイスにおいて、前記多層構造が導電性 材料の第１層と、少なくとも１つの有機材料層と導電性材料の第１層との間に配 置された低い仕事関数を有する導電性材料の第２層とを備え、前記導電性材料の 第２層が前記導電性材料の第１層よりも実質的に薄いことを特徴とする有機発光 デバイス。 ３． 請求項２記載の有機発光デバイスにおいて、前記導電性材料の第１ 層がＡｌもしくはその合金、好ましくはＡｌ−ＣｕもしくはＡ１−Ｓｉの合金か らなることを特徴とする有機発光デバイス。 ４． 請求項２記載の有機発光デバイスにおいて、前記導電性材料の第１ 層が透光導電性酸化物、好ましくはインジウム−錫酸化物、酸化錫もしくは酸化 亜鉛からなることを特徴とする有機発光デバイス。 ５． 請求項２〜４のいずれか１項に記載の有機発光デバイスにおいて、 前記導電性材料の第２層が最高で２０ｎｍの厚さを有することを特徴とする有機 発光デバイス。 ６． 請求項５記載の有機発光デバイスにおいて、前記導電性材料の第２ 層が最高で５ｎｍの厚さを有することを特徴とする有機発光デバイス。 ７． 請求項２〜６のいずれか１項に記載の有機発光デバイスにおいて、 前記導電性材料の第２層が低い仕事関数を有する元素または低い仕事関数を有す る元素を含有する合金、好ましくはＡｇ、Ａｌ、Ｃｏ、Ｃｕ、Ｉｎ、Ｍｇ、Ｍｎ 、Ｐｂ、Ｓｂ、Ｓｉ、Ｓｎ、Ｔｉ、Ｗ、ＺｎもしくはＺｒの少なくとも１種と、 Ｂａ、Ｃａ、Ｃｅ、Ｃｓ、Ｅｕ、Ｋ、Ｌｉ、Ｎａ、Ｒｂ、Ｓｍ、Ｓｒ、Ｔｂもし くはＹｂの少なくとも１種とを含有する合金からなることを特徴とする有機発光 デバイス。 ８． 請求項１記載の有機発光デバイスにおいて、前記多層構造が導電性 材料の第１層と、少なくとも１つの有機材料層と導電性材料の第１層との間に配 置された高い仕事関数を有する導電性材料の第２層とからなり、前記導電性材料 の第２層が前記導電性材料の第１層よりも実質的に薄いことを特徴とする有機発 光デバイス。 ９． 請求項８記載の有機発光デバイスにおいて、前記導電性材料の第２ 層が高い仕事関数を有する元素、または高い仕事関数を有する元素好ましくはＡ ｇ、Ａｓ、Ａｕ、Ｃ、Ｃｏ、Ｇｅ、Ｎｉ、Ｏｓ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｒｅ、Ｒｕ、Ｓｅ およびＴｅのいずれか１種を含有する１つもしくは複数の合金もしくは金属間化 合物からなることを特徴とする有機発光デバイス。 １０． 請求項８または９に記載の有機発光デバイスにおいて、前記導電 性材料の第１層が透光導電性酸化物、好ましくはインジウム−錫酸化物、酸化錫 もしくは酸化亜鉛からなることを特徴とする有機発光デバイス。 １１． 請求項８〜１０のいずれか１項に記載の有機発光デバイスにおい て、前記導電性材料の第２層が１０ｎｍ未満の厚さを有することを特徴とする有 機発光デバイス。 １２． 請求項１１記載の有機発光デバイスにおいて、前記導電性材料の 第２層が５ｎｍ未満の厚さを有することを特徴とする有機発光デバイス。 １３． 請求項２〜１２のいずれか１項に記載の有機発光デバイスにおい て、前記導電性材料の第１層が少なくとも１００ｎｍの厚さを有することを特徴 とする有機発光デバイス。 １４． 請求項１３記載の有機発光デバイスにおいて、前記導電性材料の 第１層が約１５０ｎｍの厚さを有することを特徴とする有機発光デバイス。 １５． 請求項２〜１４のいずれか１項に記載の有機発光デバイスにおい て、前記導電性材料の第１層と前記導電性材料の第２層との厚さの比が少なくと も２０：１であることを特徴とする有機発光デバイス。 １６． 請求項１記載の有機発光デバイスにおいて、前記多層電極構造が 少なくとも１つの有機材料層に隣接する誘電体、好ましくは金属酸化物の層を含 むことを特徴とする有機発光デバイス。 １７． 請求項１６記載の有機発光デバイスにおいて、前記誘電体がＡｌ 、ＭｇまたはＺｒの酸化物、もしくはＡｌ−Ｍｇ、Ａｌ−Ｌｉ、あるいはＡｌ− Ｌｉ−Ｃｕ−Ｍｇの合金の酸化物であることを特徴とする有機発光デバイス。 １８． 請求項１６または１７に記載の有機発光デバイスにおいて、前記 誘電体が化学量論的であることを特徴とする有機発光デバイス。 １９． 請求項１６または１７に記載の有機発光デバイスにおいて、前記 誘電体が化学量論以下であることを特徴とする有機発光デバイス。 ２０． 請求項１６〜１９のいずれか１項に記載の有機発光デバイスにお いて、前記誘電体の層が最高で５ｎｍの厚さを有することを特徴とする有機発光 デバイス。 ２１． 請求項１６〜２０のいずれか１項に記載の有機発光デバイスにお いて、前記多層電極構造が、前記誘電体の層の上に形成された導電性材料の層を 含むことを特徴とする有機発光デバイス。 ２２． 請求項２１記載の有機発光デバイスにおいて、前記導電性材料の 層が１００〜５００ｎｍの厚さを有することを特徴とする有機発光デバイス。 ２３． 請求項２１または２２に記載の有機発光デバイスにおいて、前記 導電性材料の層が導電性金属、好ましくはＡｌ、Ｉｎ、Ｍｇ、Ｐｂ、Ｓｍ、Ｔｂ 、ＹｂもしくはＺｒの１種からなることを特徴とする有機発光デバイス。 ２４． 請求項２１または２２に記載の有機発光デバイスにおいて、前記 導電性材料の層がＡｇ、Ａｌ、Ｃｏ、Ｃｕ、Ｉｎ、Ｍｇ、Ｍｎ、Ｐｂ、Ｓｂ、Ｓ ｉ、Ｓｎ、Ｔｉ、Ｗ、ＺｎもしくはＺｒの少なくとも１種と、Ｂａ、Ｃａ、Ｃｅ 、Ｃｓ、Ｅｕ、Ｋ、Ｌｉ、Ｎａ、Ｒｂ、Ｓｍ、Ｓｒ、ＴｂもしくはＹｂの少なく とも１種とを含有する合金からなることを特徴とする有機発光デバイス。 ２５． 請求項１６〜２０のいずれか１項に記載の有機発光デバイスにお いて、前記多層電極構造が導電性材料の第１層と、前記誘電体の層と前記導電性 材料の第１層との間に配置された低い仕事関数を有する導電性材料の第２層とを 含み、前記導電性材料の第２層が前記導電性材料の第１層よりも実質的に薄いこ とを特徴とする有機発光デバイス。 ２６． 請求項２５記載の有機発光デバイスにおいて、前記導電性材料の 第１層がＡｌまたはその合金、好ましくはＡｌ−ＣｕもしくはＡｌ−Ｓｉの合金 からなることを特徴とする有機発光デバイス。 ２７． 請求項２５記載の有機発光デバイスにおいて、前記導電性材料の 第１層が透光導電性酸化物、好ましくはインジウム−錫酸化物、酸化錫もしくは 酸化亜鉛からなることを特徴とする有機発光デバイス。 ２８． 請求項２５〜２７のいずれか１項に記載の有機発光デバイスにお いて、前記導電性材料の第２層が最高で２０ｎｍの厚さを有することを特徴とす る有機発光デバイス。 ２９． 請求項２８記載の有機発光デバイスにおいて、前記導電性材料の 第２層が最高で５ｎｍの厚さを有することを特徴とする有機発光デバイス。 ３０． 請求項２５〜２９のいずれか１項に記載の有機発光デバイスにお いて、前記導電性材料の第２層が低い仕事関数を有する元素、または低い仕事関 数を有する元素を含有する合金、好ましくはＡｇ、Ａｌ、Ｃｏ、Ｃｕ、Ｉｎ、Ｍ ｇ、Ｍｎ、Ｐｂ、Ｓｂ、Ｓｉ、Ｓｎ、Ｔｉ、Ｗ、ＺｎもしくはＺｒの少なくとも １種と、Ｂａ、Ｃａ、Ｃｅ、Ｃｓ、Ｅｕ、Ｋ、Ｌｉ、Ｎａ、Ｒｂ、Ｓｍ、Ｓｒ、 ＴｂもしくはＹｂの少なくとも１種とを含有する合金からなることを特徴とする 有機発光デバイス。 ３１． 請求項１６〜２０のいずれか１項に記載の有機発光デバイスにお いて、前記多層電極構造が導電性材料の第１層と、前記誘電体の層と前記導電性 材料の第１層との間に配置された高い仕事関数を有する導電性材料の第２層とを 含み、前記導電性材料の第２層が前記導電性材料の第１層よりも実質的に薄いこ とを特徴とする有機発光デバイス。 ３２． 請求項３１記載の有機発光デバイスにおいて、導電性材料の第２ 層が高い仕事関数を有する元素、または高い仕事関数を有する元素好ましくはＡ ｇ、Ａｓ、Ａｕ、Ｃ、Ｃｏ、Ｇｅ、Ｎｉ、Ｏｓ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｒｅ、Ｒｕ、Ｓｅ およびＴｅのいずれか１種を含有する１つもしくは複数の合金もしくは金属間化 合物からなることを特徴とする有機発光デバイス。 ３３． 請求項３１または３２に記載の有機発光デバイスにおいて、前記 導電性材料の第１層が透光導電性酸化物、好ましくはインジウム−錫酸化物、酸 化錫もしくは酸化亜鉛からなることを特徴とする有機発光デバイス。 ３４． 請求項３１〜３３のいずれか１項に記載の有機発光デバイスにお いて、前記導電性材料の第２層が１０ｎｍ未満の厚さを有することを特徴とする 有機発光デバイス。 ３５． 請求項３４記載の有機発光デバイスにおいて、前記導電性材料の 第２層が５ｎｍ未満の厚さを有することを特徴とする有機発光デバイス。 ３６． 請求項２５〜３５のいずれか１項に記載の有機発光デバイスにお いて、前記導電性材料の第１層が少なくとも１００ｎｍの厚さを有することを特 徴とする有機発光デバイス。 ３７． 請求項３６記載の有機発光デバイスにおいて、前記導電性材料の 第１層が約１５０ｎｍの厚さを有することを特徴とする有機発光デバイス。 ３８． 請求項２５〜３７のいずれか１項に記載の有機発光デバイスにお いて、前記導電性材料の第１層と前記導電性材料の第２層との厚さの比が少なく とも２０：１であることを特徴とする有機発光デバイス。 ３９． 請求項１〜３８のいずれか１項に記載の有機発光デバイスにおい て、前記少なくとも１つの有機材料層が約１００ｎｍの厚さを有することを特徴 とする有機発光デバイス。 ４０． 請求項１〜３９のいずれか１項に記載の有機発光デバイスにおい て、前記有機材料が共役ポリマーであることを特徴とする有機発光デバイス。 ４１． 請求項１〜３９のいずれか１項に記載の有機発光デバイスにおい て、前記有機材料が低分子量化合物であることを特徴とする有機発光デバイス。 ４２． 請求項１〜３９のいずれか１項に記載の有機発光デバイスにおい て、少なくとも１つの有機材料層が、少なくとも１つの共役ポリマー層と少なく とも１つの低分子量化合物層とを含む複合構造からなることを特徴とする有機発 光デバイス。 ４３． 第１の電極と、 前記第１の電極の上に形成された２つ以上の発光性有機材料層と、 前記有機材料の最上層の上に形成された第２の電極とからなり、 前記有機材料の最上層が有機材料の下側層よりもスパッター付着に対し耐性を 有し、 前記第２の電極が少なくとも１つの層からなり、前記有機材料の最上層に隣接 する層がスパッター層であることを特徴とする有機発光デバイス。 ４４． 請求項４３記載の有機発光デバイスにおいて、前記有機材料の最 上層がスパッター付着に対し実質的に耐性を有することを特徴とする有機発光デ バイス。 ４５． 請求項４３または４４に記載の有機発光デバイスにおいて、前記 有機材料の最上層が共役ポリマーであることを特徴とする有機発光デバイス。 ４６． 請求項４５記載の有機発光デバイスにおいて、前記有機材料の最 上層がポリ（ｐ−フェニレンビニレン）または好ましくは非共役セクションを有 するそのコポリマーからなることを特徴とする有機発光デバイス。 ４７． 請求項４５記載の有機発光デバイスにおいて、前記有機材料の最 上層が、好ましくは非共役セクションを有するポリ（チエニレンビニレン）、ポ リ（ｐ−フェニレン）もしくはポリ（ナフチレンビニレン）からなることを特徴 とする有機発光デバイス。 ４８． 請求項４５記載の有機発光デバイスにおいて、前記有機材料の最 上層がポリキノリン、ポリキノキサリン、ポリヒドラジン、ポリピリジンもしく はポリ−ナフチルピリジンまたはそのコポリマーからなることを特徴とする有機 発光デバイス。 ４９． 請求項４５記載の有機発光デバイスにおいて、前記有機材料の最 上層がポリアゾメチンからなることを特徴とする有機発光デバイス。 ５０． 請求項４５記載の有機発光デバイスにおいて、前記有機材料の最 上層がポリピリジル−ビニレンまたはそのコポリマーからなることを特徴とする 有機発光デバイス。 ５１． 請求項４５記載の有機発光デバイスにおいて、前記有機材料の最 上層がオキサジアゾールポリマーまたはそのコポリマーからなることを特徴とす る有機発光デバイス。 ５２． 請求項４５記載の有機発光デバイスにおいて、前記有機材料の最 上層がポリベンゾビスオキサゾール（ＰＢＯ）もしくはポリベンゾビスチアゾー ル（ＰＢＴ）のような硬質ロッド状もしくは梯子状ポリマーからなることを特徴 とする有機発光デバイス。 ５３． 請求項４５記載の有機発光デバイスにおいて、前記有機材料の最 上層が導電性ポリマー、好ましくはポリアニリン、ポリエチレンジオキシチオフ ェンまたはドープされたポリ（フェニレンビニレン）からなることを特徴とする 有機発光デバイス。 ５４． 請求項４３〜５３のいずれか１項に記載の有機発光デバイスにお いて、前記有機材料の下側層が共役ポリマーであることを特徴とする有機発光デ バイス。 ５５． 請求項５４記載の有機発光デバイスにおいて、前記有機材料の下 側層が、ジアルコキシ側鎖を有するポリ（ｐ−フェニレンビニレン）の可溶性誘 導体、好ましくは、ポリ［２−メトキシ、５−（２’−エチルヘキシルオキシ） −ｐ−フェニレンビニレン］であることを特徴とする有機発光デバイス。 ５６． 請求項４３〜５３のいずれか１項に記載の有機発光デバイスにお いて、前記有機材料の下側層が低分子量化合物であることを特徴とする有機発光 デバイス。 ５７． 請求項４３〜５６のいずれか１項に記載の有機発光デバイスにお いて、有機材料の最上層が有機材料の下側の１つまたは複数の層全体の厚さより も実質的に薄いことを特徴とする有機発光デバイス。 ５８． 請求項４３〜５７のいずれか１項に記載の有機発光デバイスにお いて、前記有機材料の最上層が５〜２０ｎｍの厚さを有することを特徴とする有 機発光デバイス。 ５９． 請求項４３〜５８のいずれか１項に記載の有機発光デバイスにお いて、前記第２の電極が、１００〜５００ｎｍの厚さを有する導電性材料の単一 層からなることを特徴とする有機発光デバイス。 ６０． 請求項５９記載の有機発光デバイスにおいて、前記導電性材料の 層が導電性金属、好ましくはＡｌ、Ｉｎ、Ｍｇ、Ｐｂ、Ｓｍ、Ｔｂ、Ｙｂまたは Ｚｒの１種からなることを特徴とする有機発光デバイス。 ６１． 請求項５９記載の有機発光デバイスにおいて、前記導電性材料の 層がＡｇ、Ａｌ、Ｃｏ、Ｃｕ、Ｉｎ、Ｍｇ、Ｍｎ、Ｐｂ、Ｓｂ、Ｓｉ、Ｓｎ、Ｔ ｉ、Ｗ、ＺｎまたはＺｒの少なくとも１種と、Ｂａ、Ｃａ、Ｃｅ、Ｃｓ、Ｅｕ、 Ｋ、Ｌｉ、Ｎａ、Ｒｂ、Ｓｍ、Ｓｒ、ＴｂもしくはＹｂの少なくとも１種とを含 有する合金からなることを特徴とする有機発光デバイス。 ６２． 請求項５９記載の有機発光デバイスにおいて、前記導電性材料の 層が高い仕事関数を有する元素、または高い仕事関数を有する元素好ましくはＡ ｇ、Ａｕ、Ｃ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｒｅ、ＲｕもしくはＳｅを含有する合 金、またはそれら自体の合金、または４．７ｅＶよりも大きい仕事関数を有する ドープされた半導性化合物からなることを特徴とする有機発光デバイス。 ６３． 請求項４３〜５８のいずれか１項に記載の有機発光デバイスにお いて、 前記第２の電極が多層構造からなり、少なくとも有機材料の最上層に隣接する 層がスパッター層であることを特徴とする有機発光デバイス。 ６４． 請求項１〜６３のいずれか１項に記載の有機発光デバイスにおい て、上側電極の上に、好ましくは酸化物もしくは窒化物のスパッター保護絶縁層 をさらに含むことを特徴とする有機発光デバイス。 ６５． 請求項１〜６４のいずれか１項に記載の有機発光デバイスにおい て、基板をさらに含むことを特徴とする有機発光デバイス。 ６６． 請求項６５記載の有機発光デバイスにおいて、前記基板がガラス もしくはプラスチック材料の１種からなることを特徴とする有機発光デバイス。 ６７． 請求項６６記載の有機発光デバイスにおいて、前記基板がポリエ ステル、ポリカーボネート、ポリイミドもしくはポリエーテルイミドからなるこ とを特徴とする有機発光デバイス。 ６８． 基板上に電極を形成する工程と、 前記電極上に少なくとも１つの発光性有機材料層を形成する工程と、 前記少なくとも１つの有機材料層上に多層電極構造を形成する工程とからなり 、前記多層構造の各層がＤＣマグネトロンによりスパッターされた層であること を特徴とする有機発光デバイスの加工方法。 ６９． 請求項６８記載の有機発光デバイスの加工方法において、前記多 層電極構造を形成する工程が、少なくとも１つの有機材料層の上に低い仕事関数 を有する導電性材料の第１層をスパッタリングにより形成する工程と、前記導電 性材料の第１層の上に導電性材料の第２層をスパッタリングにより形成する工程 とからなり、前記導電性材料の第１層が前記導電性材料の第２層よりも実質的に 薄いことを特徴とする有機発光デバイスの加工方法。 ７０． 請求項６９記載の有機発光デバイスの加工方法において、前記導 電性材料の第２層がＡｌもしくはその合金、好ましくはＡｌ−ＣｕもしくはＡｌ −Ｓｉの合金からなることを特徴とする有機発光デバイスの加工方法。 ７１． 請求項６９記載の有機発光デバイスの加工方法において、前記導 電性材料の第２層が透光導電性酸化物、好ましくはインジウム−錫酸化物、酸化 錫もしくは酸化亜鉛からなることを特徴とする有機発光デバイスの加工方法。 ７２． 請求項６９〜７１のいずれか１項に記載の有機発光デバイスの加 工方法において、前記導電性材料の第１層が最高で２０ｎｍの厚さを有すること を特徴とする有機発光デバイスの加工方法。 ７３． 請求項７２記載の有機発光デバイスの加工方法において、前記導 電性材料の第１層が最高で５ｎｍの厚さを有することを特徴とする有機発光デバ イスの加工方法。 ７４． 請求項６９〜７３のいずれか１項に記載の有機発光デバイスの加 工方法において、前記導電性材料の第１層が低い仕事関数を有する元素または低 い仕事関数を有する元素を含有する合金、好ましくはＡｇ、Ａｌ、Ｃｏ、Ｃｕ、 Ｉｎ、Ｍｇ、Ｍｎ、Ｐｂ、Ｓｂ、Ｓｉ、Ｓｎ、Ｔｉ、Ｗ、ＺｎもしくはＺｒの少 なくとも１種と、Ｂａ、Ｃａ、Ｃｅ、Ｃｓ、Ｅｕ、Ｋ、Ｌｉ、Ｎａ、Ｒｂ、Ｓｍ 、Ｓｒ、ＴｂもしくはＹｂの少なくとも１種とを含有する合金からなることを特 徴とする有機発光デバイスの加工方法。 ７５． 請求項６８記載の有機発光デバイスの加工方法において、前記多 層電極構造を形成する工程が、少なくとも１つの有機材料層の上に高い仕事関数 を有する導電性材料の第１層をスパッタリングにより形成する工程と、前記導電 性材料の第１層の上に導電性材料の第２層をスパッタリングにより形成する工程 とからなり、前記導電性材料の第１層が導電性材料の第２層よりも実質的に薄い ことを特徴とする有機発光デバイスの加工方法。 ７６． 請求項７５記載の有機発光デバイスの加工方法において、導電性 材料の第１層が高い仕事関数を有する元素、または高い仕事関数を有する元素好 ましくはＡｇ、Ａｓ、Ａｕ、Ｃ、Ｃｏ、Ｇｅ、Ｎｉ、Ｏｓ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｒｅ、 Ｒｕ、ＳｅおよびＴｅのいずれか１種を有する１つまたは複数の合金もしくは金 属間化合物からなることを特徴とする有機発光デバイスの加工方法。 ７７． 請求項７５または７６に記載の有機発光デバイスの加工方法にお いて、前記導電性材料の第２層が透光導電性酸化物、好ましくはインジウム−錫 酸化物、酸化錫もしくは酸化亜鉛からなることを特徴とする有機発光デバイスの 加工方法。 ７８． 請求項７５〜７７のいずれか１項に記載の有機発光デバイスの加 工方法において、前記導電性材料の第１層が１０ｎｍ未満の厚さを有することを 特徴とする有機発光デバイスの加工方法。 ７９． 請求項７８記載の有機発光デバイスの加工方法において、前記導 電性材料の第１層が５ｎｍ未満の厚さを有することを特徴とする有機発光デバイ スの加工方法。 ８０． 請求項６９〜７９のいずれか１項に記載の有機発光デバイスの加 工方法において、前記導電性材料の第２層が少なくとも１００ｎｍの厚さを有す ることを特徴とする有機発光デバイスの加工方法。 ８１． 請求項８０記載の有機発光デバイスの加工方法において、前記導 電性材料の第２層が約１５０ｎｍの厚さを有することを特徴とする有機発光デバ イスの加工方法。 ８２． 請求項６９〜８１のいずれか１項に記載の有機発光デバイスの加 工方法において、前記導電性材料の第２層と前記導電性材料の第１層との厚さの 比が少なくとも２０：１であることを特徴とする有機発光デバイスの加工方法。 ８３． 請求項６８記載の有機発光デバイスの加工方法において、前記多 層電極構造が、少なくとも１つの有機材料層に隣接した誘電体の層、好ましくは 金属酸化物の層を含むことを特徴とする有機発光デバイスの加工方法。 ８４． 請求項８３記載の有機発光デバイスの加工方法において、前記誘 電体がＡｌ、ＭｇまたはＺｒの酸化物、もしくはＡｌ−Ｍｇ、Ａｌ−Ｌｉ、ある いはＡｌ−Ｌｉ−Ｃｕ−Ｍｇの合金の酸化物であることを特徴とする有機発光デ バイスの加工方法。 ８５． 請求項８３または８４に記載の有機発光デバイスの加工方法にお いて、前記誘電体が化学量論的であることを特徴とする有機発光デバイスの加工 方法。 ８６． 請求項８３または８４に記載の有機発光デバイスの加工方法にお いて、前記誘電体が化学量論以下であることを特徴とする有機発光デバイスの加 工方法。 ８７． 請求項８３〜８６のいずれか１項に記載の有機発光デバイスの加 工方法において、前記誘電体の層が最高で５ｎｍの厚さを有することを特徴とす る有機発光デバイスの加工方法。 ８８． 請求項８３〜８７のいずれか１項に記載の有機発光デバイスの加 工方法において、前記多層電極構造が、前記誘電体の層の上に形成された導電性 材料の層を含むことを特徴とする有機発光デバイスの加工方法。 ８９． 請求項８８記載の有機発光デバイスの加工方法において、前記導 電性材料の層が１００〜５００ｎｍの厚さを有することを特徴とする有機発光デ バイスの加工方法。 ９０． 請求項８８または８９に記載の有機発光デバイスの加工方法にお いて、前記導電性材料の層が導電性金属、好ましくはＡｌ、Ｉｎ、Ｍｇ、Ｐｂ、 Ｓｍ、Ｔｂ、ＹｂもしくはＺｒの１種からなることを特徴とする有機発光デバイ スの加工方法。 ９１． 請求項８８または８９に記載の有機発光デバイスの加工方法にお いて、前記導電性材料の層がＡｇ、Ａｌ、Ｃｏ、Ｃｕ、Ｉｎ、Ｍｇ、Ｍｎ、Ｐｂ 、Ｓｂ、Ｓｉ、Ｓｎ、Ｔｉ、Ｗ、ＺｎもしくはＺｒの少なくとも１種と、Ｂａ、 Ｃａ、Ｃｅ、Ｃｓ、Ｅｕ、Ｋ、Ｌｉ、Ｎａ、Ｒｂ、Ｓｍ、Ｓｒ、ＴｂもしくはＹ ｂの少なくとも１種とを含有する合金からなることを特徴とする有機発光デバイ スの加工方法。 ９２． 請求項８３〜８７のいずれか１項に記載の有機発光デバイスの加 工方法において、前記多層電極構造を形成する工程が、前記少なくとも１つの有 機材料層の上に誘電体の層をスパッタリングにより形成する工程と、前記誘電体 の層の上に低い仕事関数を有する導電性材料の第１層をスパッタリングにより形 成する工程と、前記導電性材料の第１層の上に導電性材料の第２層をスパッタリ ングにより形成する工程とからなり、前記導電性材料の第１層が前記導電性材料 の第２層よりも実質的に薄いことを特徴とする有機発光デバイスの加工方法。 ９３． 請求項９２記載の有機発光デバイスの加工方法において、前記導 電性材料の第２層がＡｌもしくはその合金、好ましくはＡｌ−ＣｕもしくはＡｌ −Ｓｉの合金からなることを特徴とする有機発光デバイスの加工方法。 ９４． 請求項９２記載の有機発光デバイスの加工方法において、前記導 電性材料の第２層が透光導電性酸化物、好ましくはインジウム−錫酸化物、酸化 錫もしくは酸化亜鉛からなることを特徴とする有機発光デバイスの加工方法。 ９５． 請求項９２〜９４のいずれか１項に記載の有機発光デバイスの加 工方法において、前記導電性材料の第１層が最高で２０ｎｍの厚さを有すること を特徴とする有機発光デバイスの加工方法。 ９６． 請求項９５記載の有機発光デバイスの加工方法において、前記導 電性材料の第１層が最高で５ｎｍの厚さを有することを特徴とする有機発光デバ イスの加工方法。 ９７． 請求項９２〜９６のいずれか１項に記載の有機発光デバイスの加 工方法において、前記導電性材料の第１層が低い仕事関数を有する元素または低 い仕事関数を有する元素を含有する合金、好ましくはＡｇ、Ａｌ、Ｃｏ、Ｃｕ、 Ｉｎ、Ｍｇ、Ｍｎ、Ｐｂ、Ｓｂ、Ｓｉ、Ｓｎ、Ｔｉ、Ｗ、ＺｎもしくはＺｒの少 なくとも１種と、Ｂａ、Ｃａ、Ｃｅ、Ｃｓ、Ｅｕ、Ｋ、Ｌｉ、Ｎａ、Ｒｂ、Ｓｍ 、Ｓｒ、ＴｂもしくはＹｂの少なくとも１種とを含有する合金からなることを特 徴とする有機発光デバイスの加工方法。 ９８． 請求項８３〜８７のいずれか１項に記載の有機発光デバイスの加 工方法において、前記多層電極構造を形成する工程が、前記少なくとも１つの有 機材料層の上に誘電体の層をスパッタリングにより形成する工程と、前記誘電体 の層の上に高い仕事関数を有する導電性材料の第１層をスパッタリングにより形 成する工程と、前記導電性材料の第１層の上に導電性材料の第２層をスパッタリ ングにより形成する工程とからなり、前記導電性材料の第１層が前記導電性材料 の第２層よりも実質的に薄いことを特徴とする有機発光デバイスの加工方法。 ９９． 請求項９８記載の有機発光デバイスの加工方法において、前記導 電性材料の第１層が高い仕事関数を有する元素、または高い仕事関数を有する元 素好ましくはＡｇ、Ａｓ、Ａｕ、Ｃ、Ｃｏ、Ｇｅ、Ｎｉ、Ｏｓ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｒ ｅ、Ｒｕ、ＳｅおよびＴｅのいずれか１種を含有する１つもしくは複数の合金も しくは金属間化合物からなることを特徴とする有機発光デバイスの加工方法。 １００． 請求項９８または９９に記載の有機発光デバイスの加工方法に おいて、前記導電性材料の第２層が透光導電性酸化物、好ましくはインジウム− 錫酸化物、酸化錫もしくは酸化亜鉛からなることを特徴とする有機発光デバイス の加工方法。 １０１． 請求項９８〜１００のいずれか１項に記載の有機発光デバイス の加工方法において、前記導電性材料の第１層が１０ｎｍ未満の厚さを有するこ とを特徴とする有機発光デバイスの加工方法。 １０２． 請求項１０１記載の有機発光デバイスの加工方法において、導 電性材料の第１層が５ｎｍ未満の厚さを有することを特徴とする有機発光デバイ スの加工方法。 １０３． 請求項９２〜１０２のいずれか１項に記載の有機発光デバイス の加工方法において、前記導電性材料の第２層が少なくとも１００ｎｍの厚さを 有することを特徴とする有機発光デバイスの加工方法。 １０４． 請求項１０３記載の有機発光デバイスの加工方法において、前 記導電性材料の第２層が約１５０ｎｍの厚さを有することを特徴とする有機発光 デバイスの加工方法。 １０５． 請求項９２〜１０４のいずれか１項に記載の有機発光デバイス の加工方法において、前記導電性材料の第２層と前記導電性材料の第１層との厚 さの比が少なくとも２０：１であることを特徴とする有機発光デバイスの加工方 法。 １０６． 多層構造の各層がＤＣマグネトロンによりスパッターされた層 である多層電極構造を基板上に形成する工程と、 少なくとも１つの発光性有機材料層を前記多層電極の上に形成する工程と、 前記少なくとも１つの有機材料層の上に電極を形成する工程と からなることを特徴とする有機発光デバイスの加工方法。 １０７． 請求項１０６記載の有機発光デバイスの加工方法において、前 記多層電極構造を形成する工程が、前期基板上に導電性材料の第１層をスパッタ リングにより形成する工程と、前記導電性材料の第１層の上に低い仕事関数を有 する導電性材料の第２層をスパッタリングにより形成する工程とからなり、前記 導電性材料の第２層が前記導電性材料の第１層よりも実質的に薄いことを特徴と する有機発光デバイスの加工方法。 １０８． 請求項１０７記載の有機発光デバイスの加工方法において、前 記導電性材料の第１層がＡｌもしくはその合金、好ましくはＡｌ−Ｃｕもしくは Ａｌ−Ｓｉの合金からなることを特徴とする有機発光デバイスの加工方法。 １０９． 請求項１０７記載の有機発光デバイスの加工方法において、前 記導電性材料の第１層が透光導電性酸化物、好ましくはインジウム−錫酸化物、 酸化錫もしくは酸化亜鉛からなることを特徴とする有機発光デバイスの加工方法 。 １１０． 請求項１０７〜１０９のいずれか１項に記載の有機発光デバイ スの加工方法において、前記導電性材料の第２層が最高で２０ｎｍの厚さを有す ることを特徴とする有機発光デバイスの加工方法。 １１１． 請求項１１０記載の有機発光デバイスの加工方法において、前 記導電性材料の第２層が最高で５ｎｍの厚さを有することを特徴とする有機発光 デバイスの加工方法。 １１２． 請求項１０７〜１１１のいずれか１項に記載の有機発光デバイ スの加工方法において、前記導電性材料の第２層が低い仕事関数を有する元素、 または低い仕事関数を有する元素を含有する合金、好ましくはＡｇ、Ａｌ、Ｃｏ 、Ｃｕ、Ｉｎ、Ｍｇ、Ｍｎ、Ｐｂ、Ｓｂ、Ｓｉ、Ｓｎ、Ｔｉ、Ｗ、Ｚｎもしくは Ｚｒの少なくとも１種と、Ｂａ、Ｃａ、Ｃｅ、Ｃｓ、Ｅｕ、Ｋ、Ｌｉ、Ｎａ、Ｒ ｂ、Ｓｍ、Ｓｒ、ＴｂもしくはＹｂの少なくとも１種とを含有する合金からなる ことを特徴とする有機発光デバイスの加工方法。 １１３． 請求項１０６記載の有機発光デバイスの加工方法において、前 記多層電極構造を形成する工程が、前記基板上に導電性材料の第１層をスパッタ リングにより形成する工程と、前記導電性材料の第１層の上に高い仕事関数を有 する導電性材料の第２層をスパッタリングにより形成する工程とからなり、前記 導電性材料の第２層が前記導電性材料の第１層よりも実質的に薄いことを特徴と する有機発光デバイスの加工方法。 １１４． 請求項１１３記載の有機発光デバイスの加工方法において、前 記導電性材料の第２層が高い仕事関数を有する元素、または高い仕事関数を有す る元素好ましくはＡｇ、Ａｓ、Ａｕ、Ｃ、Ｃｏ、Ｇｅ、Ｎｉ、Ｏｓ、Ｐｄ、Ｐｔ 、Ｒｅ、Ｒｕ、ＳｅおよびＴｅのいずれか１種を含有する１つもしくは複数の合 金もしくは金属間化合物からなることを特徴とする有機発光デバイスの加工方法 。 １１５． 請求項１１３または１１４に記載の有機発光デバイスの加工方 法において、前記導電性材料の第１層が透光導電性酸化物、好ましくはインジウ ム−錫酸化物、酸化チタンもしくは酸化亜鉛からなることを特徴とする有機発光 デバイスの加工方法。 １１６． 請求項１１３〜１１５のいずれか１項に記載の有機発光デバイ スの加工方法において、前記導電性材料の第２層が１０ｎｍ未満の厚さを有する ことを特徴とする有機発光デバイスの加工方法。 １１７． 請求項１１６記載の有機発光デバイスの加工方法において、前 記導電性材料の第２層が５ｎｍ未満の厚さを有することを特徴とする有機発光デ バイスの加工方法。 １１８． 請求項１０７〜１１７のいずれか１項に記載の有機発光デバイ スの加工方法において、前記導電性材料の第１層が少なくとも１００ｎｍの厚さ を有することを特徴とする有機発光デバイスの加工方法。 １１９． 請求項１１８記載の有機発光デバイスの加工方法において、前 記導電性材料の第１層が約１５０ｎｍの厚さを有することを特徴とする有機発光 デバイスの加工方法。 １２０． 請求項１０７〜１１９のいずれか１項に記載の有機発光デバイ スの加工方法において、前記導電性材料の第１層と前記導電性材料の第２層との 厚さの比が少なくとも２０：１であることを特徴とする有機発光デバイスの加工 方法。 １２１． 請求項１０６記載の有機発光デバイスの加工方法において、前 記多層電極構造が、少なくとも１つの有機材料層に隣接する誘電体の、好ましく は金属酸化物の層を含むことを特徴とする有機発光デバイスの加工方法。 １２２． 請求項１２１記載の有機発光デバイスの加工方法において、前 記誘電体がＡｌ、ＭｇもしくはＺｒの酸化物、またはＡｌ−Ｍｇ、Ａｌ−Ｌｉも しくはＡｌ−Ｌｉ−Ｃｕ−Ｍｇの合金の酸化物であることを特徴とする有機発光 デバイスの加工方法。 １２３． 請求項１２１または１２２に記載の有機発光デバイスの加工方 法において、前記誘電体が化学量論的であることを特徴とする有機発光デバイス の加工方法。 １２４． 請求項１２１または１２２に記載の有機発光デバイスの加工方 法において、前記誘電体が化学量論以下であることを特徴とする有機発光デバイ スの加工方法。 １２５． 請求項１２１〜１２４のいずれか１項に記載の有機発光デバイ スの加工方法において、前記誘電体の層が最高で５ｎｍの厚さを有することを特 徴とする有機発光デバイスの加工方法。 １２６． 請求項１２１〜１２５のいずれか１項に記載の有機発光デバイ スの加工方法において、前記多層電極構造が、前記誘電体の層の上に形成された 導電性材料の層を含むことを特徴とする有機発光デバイスの加工方法。 １２７． 請求項１２６記載の有機発光デバイスの加工方法において、前 記導電性材料の層が１００〜５００ｎｍの厚さを有することを特徴とする有機発 光デバイスの加工方法。 １２８． 請求項１２６または１２７に記載の有機発光デバイスの加工方 法において、前記導電性材料の層が導電性金属、好ましくはＡｌ、Ｉｎ、Ｍｇ、 Ｐｂ、Ｓｍ、Ｔｂ、ＹｂもしくはＺｒの１種からなることを特徴とする有機発光 デバイスの加工方法。 １２９． 請求項１２６または１２７に記載の有機発光デバイスの加工方 法において、前記導電性材料の層がＡｇ、Ａｌ、Ｃｏ、Ｃｕ、Ｉｎ、Ｍｇ、Ｍｎ 、Ｐｂ、Ｓｂ、Ｓｉ、Ｓｎ、Ｔｉ、Ｗ、ＺｎまたはＺｒの少なくとも１種と、Ｂ ａ、Ｃａ、Ｃｅ、Ｃｓ、Ｅｕ、Ｋ、Ｌｉ、Ｎａ、Ｒｂ、Ｓｍ、Ｓｒ、Ｔｂもしく はＹｂの少なくとも１種とを含有する合金からなることを特徴とする有機発光デ バイスの加工方法。 １３０． 請求項１２１〜１２５のいずれか１項に記載の有機発光デバイ スの加工方法において、前記多層電極構造を形成する工程が、前記基板上に導電 性材料の第１層をスパッタリングにより形成する工程と、前記導電性材料の第１ 層の上に低い仕事関数を有する導電性材料の第２層をスパッタリングにより形成 する工程と、前記導電性材料の第２層の上に誘電体の層をスパッタリングにより 形成する工程とからなり、前記導電性材料の第２層が前記導電性材料の第１層よ りも実質的に薄いことを特徴とする有機発光デバイスの加工方法。 １３１． 請求項１３０記載の有機発光デバイスの加工方法において、前 記導電性材料の第１層がＡｌもしくはその合金、好ましくはＡｌ−Ｃｕもしくは Ａｌ−Ｓｉの合金からなることを特徴とする有機発光デバイスの加工方法。 １３２． 請求項１３０記載の有機発光デバイスの加工方法において、前 記導電性材料の第１層が透光導電性酸化物、好ましくはインジウム−錫酸化物、 酸化錫もしくは酸化亜鉛からなることを特徴とする有機発光デバイスの加工方法 。 １３３． 請求項１３０〜１３２のいずれか１項に記載の有機発光デバイ スの加工方法において、前記導電性材料の第２層が最高で２０ｎｍの厚さを有す ることを特徴とする有機発光デバイスの加工方法。 １３４． 請求項１３３記載の有機発光デバイスの加工方法において、前 記導電性材料の第２層が最高で５ｎｍの厚さを有することを特徴とする有機発光 デバイスの加工方法。 １３５． 請求項１３０〜１３４のいずれか１項に記載の有機発光デバイ スの加工方法において、前記導電性材料の第２層が低い仕事関数を有する元素、 または低い仕事関数を有する元素を含有する合金好ましくはＡｇ、Ａｌ、Ｃｏ、 Ｃｕ、Ｉｎ、Ｍｇ、Ｍｎ、Ｐｂ、Ｓｂ、Ｓｉ、Ｓｎ、Ｔｉ、Ｗ、ＺｎもしくはＺ ｒの少なくとも１種と、Ｂａ、Ｃａ、Ｃｅ、Ｃｓ、Ｅｕ、Ｋ、Ｌｉ、Ｎａ、Ｒｂ 、Ｓｍ、Ｓｒ、ＴｂもしくはＹｂの少なくとも１種とを含有する合金からなるこ とを特徴とする有機発光デバイスの加工方法。 １３６． 請求項１２１〜１２５のいずれか１項に記載の有機発光デバイ スの加工方法において、前記多層電極構造を形成する工程が、前記基板上に導電 性材料の第１層をスパッタリングにより形成する工程と、前記導電性材料の第１ 層の上に高い仕事関数を有する導電性材料の第２層をスパッタリングにより形成 する工程と、前記導電性材料の第２層の上に誘電体の層をスパッタリングにより 形成する工程とからなり、前記導電性材料の第２層が前記導電性材料の第１層よ りも実質的に薄いことを特徴とする有機発光デバイスの加工方法。 １３７． 請求項１３６記載の有機発光デバイスの加工方法において、前 記導電性材料の第２層が高い仕事関数を有する元素、または高い仕事関数を有す る元素好ましくはＡｇ、Ａｓ、Ａｕ、Ｃ、Ｃｏ、Ｇｅ、Ｎｉ、Ｏｓ、Ｐｄ、Ｐｔ 、Ｒｅ、Ｒｕ、ＳｅおよびＴｅのいずれか１種を含有する１つまたは複数の合金 もしくは金属間化合物からなることを特徴とする有機発光デバイスの加工方法。 １３８． 請求項１３６または１３７に記載の有機発光デバイスの加工方 法において、前記導電性材料の第１層が透光導電性酸化物、好ましくはインジウ ム一錫酸化物、酸化錫もしくは酸化亜鉛からなることを特徴とする有機発光デバ イスの加工方法。 １３９． 請求項１３６〜１３８のいずれか１項に記載の有機発光デバイ スの加工方法において、前記導電性材料の第２層が１０ｎｍ未満の厚さを有する ことを特徴とする有機発光デバイスの加工方法。 １４０． 請求項１３９記載の有機発光デバイスの加工方法において、前 記導電性材料の第２層が５ｎｍ未満の厚さを有することを特徴とする有機発光デ バイスの加工方法。 １４１． 請求項１３０〜１４０のいずれか１項に記載の有機発光デバイ スの加工方法において、前記導電性材料の第１層が少なくとも１００ｎｍの厚さ を有することを特徴とする有機発光デバイスの加工方法。 １４２． 請求項１４１項記載の有機発光デバイスの加工方法において、 導電性材料の第１層が約１５０ｎｍの厚さを有することを特徴とする有機発光デ バイスの加工方法。 １４３． 請求項１３０〜１４２のいずれか１項に記載の有機発光デバイ スの加工方法において、前記導電性材料の第１層と前記導電性材料の第２層との 厚さの比が少なくとも２０：１であることを特徴とする有機発光デバイスの加工 方法。 １４４． 基板上に第１の電極を形成する工程と、 前記第１の電極の上に透光有機材料の２つ以上の層を形成する工程と、 有機材料の最上層の上に第２の電極を形成する工程とからなり、 前記有機材料の最上層が有機材料の下側層よりもスパッター付着に対し耐性を 有し、 前記第２の電極が少なくとも１つの層からなり、前記有機材料の最上層に隣接 する層がスパッター層であることを特徴とする有機発光デバイスの加工方法。 １４５． 請求項１４４記載の有機発光デバイスの加工方法において、前 記有機材料の最上層がスパッター付着に対し実質的に耐性を有することを特徴と する有機発光デバイスの加工方法。 １４６． 請求項１４４または１４５に記載の有機発光デバイスの加工方 法において、前記有機材料の最上層が共役ポリマーであることを特徴とする有機 発光デバイスの加工方法。 １４７． 請求項１４６記載の有機発光デバイスの加工方法において、前 記有機材料の最上層が、好ましくは非共役セクションを有するポリ（ｐ−フェニ レンビニレン）もしくはそのコポリマーからなることを特徴とする有機発光デバ イスの加工方法。 １４８． 請求項１４６記載の有機発光デバイスの加工方法において、前 記有機材料の最上層が、好ましくは非共役セクションを有するポリ（チエニレン ビニレン）、ポリ（ｐ−フェニレン）もしくはポリ（ナフチレンビニレン）から なることを特徴とする有機発光デバイスの加工方法。 １４９． 請求項１４６記載の有機発光デバイスの加工方法において、前 記有機材料の最上層がポリキノリン、ポリキノキサリン、ポリヒドラジン、ポリ ピリジンもしくはポリナフチルピリジンまたはそのコポリマーからなることを特 徴とする有機発光デバイスの加工方法。 １５０． 請求項１４６記載の有機発光デバイスの加工方法において、前 記有機材料の最上層がポリアゾメチンからなることを特徴とする有機発光デバイ スの加工方法。 １５１． 請求項１４６記載の有機発光デバイスの加工方法において、前 記有機材料の最上層がポリ−ピリジル−ビニレンもしくはそのコポリマーからな ることを特徴とする有機発光デバイスの加工方法。 １５２． 請求項１４６記載の有機発光デバイスの加工方法において、前 記有機材料の最上層がオキサジアゾールポリマーもしくはそのコポリマーからな ることを特徴とする有機発光デバイスの加工方法。 １５３． 請求項１４６記載の有機発光デバイスの加工方法において、前 記有機材料の最上層がポリベンゾビスオキサゾール（ＰＢＯ）もしくはポリベン ゾビスチオアゾール（ＰＢＴ）のような硬質ロッド状もしくは梯子状ポリマーか らなることを特徴とする有機発光デバイスの加工方法。 １５４． 請求項１４６記載の有機発光デバイスの加工方法において、前 記有機材料の最上層が導電性ポリマー、好ましくはポリアニリン、ポリエチレン ジオキシチオフェンまたはドープされたポリ（ｐ−フェニリンビニレン）からな ることを特徴とする有機発光デバイスの加工方法。 １５５． 請求項１４４〜１５４のいずれか１項に記載の有機発光デバイ スの加工方法において、前記有機材料の下側層が共役ポリマーであることを特徴 とする有機発光デバイスの加工方法。 １５６． 請求項１５５記載の有機発光デバイスの加工方法において、前 記有機材料の下側層が、ジアルコキシ側鎖を有するポリ（ｐ−フェニレンビニレ ン）の可溶性誘導体、好ましくはポリ［２−メトキシ、５−（２’−エチル−ヘ キシルオキシ）−ｐ−フェニレンビニレン］であることを特徴とする有機発光デ バイスの加工方法。 １５７． 請求項１４４〜１５４のいずれか１項に記載の有機発光デバイ スの加工方法において、前記有機材料の下側層が低分子量化合物であることを特 徴とする有機発光デバイスの加工方法。 １５８． 請求項１４４〜１４７のいずれか１項に記載の有機発光デバイ スの加工方法において、前記有機材料の最上層が有機材料の下側の１つ若しくは 複数の層全体の厚さよりも実質的に薄いことを特徴とする有機発光デバイスの加 工方法。 １５９． 請求項１４４〜１５８のいずれか１項に記載の有機発光デバイ スの加工方法において、前記有機材料の最上層が５〜２０ｎｍの厚さを有するこ とを特徴とする有機発光デバイスの加工方法。 １６０． 請求項１４４〜１５９のいずれか１項に記載の有機発光デバイ スの加工方法において、前記第２の電極が、１００〜５００ｎｍの厚さを有する 導電性材料の単一層からなることを特徴とする有機発光デバイスの加工方法。 １６１． 請求項１６０記載の有機発光デバイスの加工方法において、前 記導電性材料の層が導電性金属、好ましくはＡｌ、Ｉｎ、Ｍｇ、Ｐｂ、Ｓｍ、Ｔ ｂ、ＹｂもしくはＺｒの１種からなることを特徴とする有機発光デバイスの加工 方法。 １６２． 請求項１６０記載の有機発光デバイスの加工方法において、前 記導電性材料の層がＡｇ、Ａｌ、Ｃｏ、Ｃｕ、Ｉｎ、Ｍｇ、Ｍｎ、Ｐｂ、Ｓｂ、 Ｓｉ、Ｓｎ、Ｔｉ、Ｗ、ＺｎもしくはＺｒの少なくとも１種と、Ｂａ、Ｃａ、Ｃ ｅ、Ｃｓ、Ｅｕ、Ｋ、Ｌｉ、Ｎａ、Ｒｂ、Ｓｍ、Ｓｒ、ＴｂもしくはＹｂの少な くとも１種とを含有する合金からなることを特徴とする有機発光デバイスの加工 方法。 １６３． 請求項１６０記載の有機発光デバイスの加工方法において、前 記導電性材料の層が高い仕事関数を有する元素、または高い仕事関数を有する元 素好ましくはＡｇ、Ａｕ、Ｃ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、ＲｅもしくはＳｅを含 有する合金、またはそれら自体の合金、または４．７ｅＶより大きい仕事関数を 有するドープされた半導性化合物からなることを特徴とする有機発光デバイスの 加工方法。 １６４． 請求項１４４〜１５９のいずれか１項に記載の有機発光デバイ スの加工方法において、前記第２の電極が多層構造からなり、少なくとも前記有 機材料の最上層に隣接する層がスパッター層であることを特徴とする有機発光デ バイスの加工方法。 １６５． 請求項６８〜１６５のいずれか１項に記載の有機発光デバイス の加工方法において、上側電極の上に、好ましくは酸化物もしくは窒化物の保護 絶縁層をスパッタリングにより形成する工程をさらに含むことを特徴とする有機 発光デバイスの加工方法。 １６６． 添付図面の第２図もしくは第３図を参照して実質的に上記にお いて説明した有機発光デバイスの加工方法。 １６７． 添付図面の第２図もしくは第３図を参照して実質的に上記にお いて説明した有機発光デバイス。