DE10301559A1 - Verfahren zur Herstellung eines Erzeugnisses mit einer strukturierten Oberfläche - Google Patents

Verfahren zur Herstellung eines Erzeugnisses mit einer strukturierten Oberfläche

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DE10301559A1
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Abstract

Die Erfindung hat sich die Aufgabe gestellt, ein Verfahren zur Herstellung von Mikrostrukturen in Glas oder glasähnlichen Schichten bereitzustellen. DOLLAR A Hierzu wird ein Hilfssubstrat (10, 20) mit einer strukturierten Oberfläche (20a) verwendet, wobei die Oberfläche eine Negativform für das herzustellende Erzeugnis definiert. Auf die strukturierte Oberfläche (20a) des Hilfssubstrats wird nun eine Schicht (30) aus Glas oder einem glasähnlichen Material aufgedampft. Anschließend wird das Hilfssubstrat, z. B. nasschemisch, entfernt, dass die Positivstruktur freigelegt wird. DOLLAR A Mit der Erfindung lassen sich hervorragende Mikrokanäle und optische Mikrostrukturen wie Mikrolinsen erzeugen.

Description

  • Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines Erzeugnisses mit einer strukturierten Oberfläche sowie derartige Erzeugnisse im Allgemeinen und ein Verfahren zur Erzeugung von Mikrostrukturen in Glas im Besonderen.
  • Glas wird für eine Vielzahl von Anwendungen unter anderem wegen seiner hervorragenden optischen und chemischen Eigenschaften geschätzt und verwendet. Gläser sind z. B. hochresistent gegen Wasser, Wasserdampf und insbesondere auch gegen aggressive Stoffe, wie Säuren und Basen. Ferner sind Gläser durch verschiedene Zusammensetzungen oder Zusätze außerordentlich variabel und lassen sich somit an eine Vielzahl von Anwendungsgebieten anpassen.
  • Ein großes Anwendungsfeld für Gläser ist die Optik und Optoelektronik. Z. B. im Bereich der Datenübertragung ist die Verwendung von optischen Bauelementen nicht mehr wegzudenken.
  • Gerade in diesem Anwendungsfeld werden die Bauelemente immer kleiner, wodurch die Anforderungen an die Präzision der Bauelemente stetig wachsen. Z. B. besteht einer hoher Bedarf an lichtbeeinflussenden, z. B. refraktiven oder diffraktiven Bauelementen von höchster optischer Güte. An dieser Stelle seien nur beispielhaft optische Mikrolinsen genannt.
  • Glas eignet sich aufgrund seiner hervorragenden optischen Eigenschaften hierfür sehr gut. Im Gegenzug bereitet Glas aber einige Schwierigkeiten in der Anwendung. So ist die genaue Bearbeitung, insbesondere eine feine Strukturierung von Glas problembehaftet.
  • Es ist zwar bekannt Gläser nass- oder trockenchemisch zu ätzen. Jedoch lassen sich besonders bei Gläsern hier nur geringe Ätzraten erreichen, so daß auch ein solches Verfahren langsam und dementsprechend für eine Massenproduktion zu kostenintensiv ist.
  • Beispielsweise ist es auch bekannt, Fotostrukturierbare Gläser, wie beispielsweise FOTURAN® zu verwenden. Derartige Gläser sind jedoch außerordentlich teuer.
  • Auch mit einem Laser lassen sich auf Gläsern genaue Strukturen herstellen, jedoch ist auch diese Technik sehr langsam und für eine Massenproduktion ebenfalls zu teuer.
  • Ferner sind verschiedene mechanische Bearbeitungsverfahren, z. B. Schleifen und Polieren bekannt, die aber im allgemeinen nicht die mit anderen Verfahren erreichbare Genauigkeit und Feinheit ermöglichen.
  • Die Erfindung hat sich daher die Aufgabe gestellt, ein Verfahren bereit zu stellen, welches eine einfache und kostengünstige Herstellung eines Erzeugnisses mit einer strukturierten Oberfläche erlaubt.
  • Eine weitere Aufgabe der Erfindung ist es, ein Verfahren zur Herstellung eines Erzeugnisses mit einer strukturierten Oberfläche bereit zu stellen, welches eine präzise, exakt positionierbare und/oder vielfältige Strukturierung gestattet.
  • Noch eine Aufgabe der Erfindung ist es, ein Verfahren zur Herstellung eines Erzeugnisses mit einer strukturierten, insbesondere mikrostrukturierten, Oberfläche bereit zu stellen, welches sich für Glas oder ein Material mit glasartiger Struktur eignet, ohne auf dieses beschränkt zu sein.
  • Noch eine weitere Aufgabe der Erfindung ist es, ein Verfahren zur Herstellung eines Erzeugnisses mit einer strukturierten Oberfläche bereit zu stellen, welches für die Massenfertigung geeignet ist und die Nachteile des Standes der Technik meidet oder zumindest mindert.
  • Die Aufgabe der Erfindung wird in überraschend einfacher Weise bereits durch den Gegenstand der unabhängigen Ansprüche gelöst. Vorteilhafte Weiterbildungen der Erfindung sind in den Unteransprüchen definiert.
  • Erfindungsgemäß wird ein Verfahren zur Herstellung eines Erzeugnisses mit einer vordefiniert strukturierten Oberfläche, insbesondere zur Erzeugung von Mikrostrukturen, z. B. Mikrolinsen und/oder Mikrokanälen in oder aus Glas bereitgestellt. Das Verfahren umfasst zumindest ein Bereitstellen eines Hilfssubstrats, ein Strukturieren zumindest einer Oberfläche des Hilfssubstrates und ein Aufbringen einer ersten Schicht aus einem ersten Material auf die strukturierte Oberfläche des Hilfssubstrates.
  • Hierbei wird im Sinne dieser Erfindung als strukturierte Oberfläche des Hilfssubstrats nicht notwendiger Weise die strukturierte unmittelbare Oberfläche des Hilfssubstrats, sondern auch die strukturierte Oberfläche einer auf dem Hilfssubstrat aufgebrachten Schicht verstanden.
  • Nichtsdestotrotz kann das Hilfsubstrat aber auch unmittelbar strukturiert werden (vgl. Fig. 4a, 4c, 4d).
  • Für die Erfindung hat sich die Verwendung eines Hilfssubstrats, gegebenenfalls mit weiteren Schichten als strukturdefinierendes Element als höchst vorteilhaft erwiesen, da dessen Material anhand der Strukturierbarkeitseigenschaften ausgewählt und angepasst werden kann. Insbesondere muss das Hilfssubstrat nicht notwendig transparent sein, da es wieder entfernt wird und somit nicht Bestandteil des fertigen Erzeugnisses ist. Das entfernbare Hilfssubstrat kann ggfs. sogar wiederverwendbar sein und damit weiter zur Kostensenkung beitragen.
  • Demgemäß wird das Hilfssubstrat insbesondere von der ersten Schicht bzw. von dem Erzeugnis vorzugsweise nach dem Aufbringen der ersten Schicht, ggfs. nach weiteren Verfahrensschritten, wieder abgelöst oder entfernt. Mit anderen Worten ist die erste Schicht von dem Hilfssubstrat unter Erhaltung der strukturierten Oberfläche ablösbar bzw. trennbar.
  • Insbesondere wird also bei dem erfindungsgemäßen Verfahren eine Negativmaske oder -form mit einer vordefiniert strukturierten Oberfläche bereitgestellt und die erste Schicht auf der Negativmaske zum Erzeugen eines Positivabdruckes der strukturierten Oberfläche der Negativmaske in der ersten Schicht abgeschieden.
  • Bevorzugt wird auf die erste Schicht ein selbsttragender Träger oder ein Produktsubstrat aus einem dritten Material, insbesondere aus Glas, einem Material mit glasartiger Struktur oder einem anderem insbesondere transparentem Material aufgebracht.
  • An dieser Stelle wird deutlich, dass das erfindungsgemäße Verfahren zur Herstellung einer strukturierten Schicht auf einem Substrat, insbesondere dem Produktsubstrat einen höchst überraschenden Ansatz darstellt, da die Schicht nicht wie bei herkömmlichen Verfahren, von dem Produktsubstrat weg, sondern bezogen auf das herzustellende Erzeugnis in Richtung auf das Produktsubstrat hin aufwächst, denn mit Hilfe der Negativtechnik wächst die strukturierte Schicht auf dem Hilfssubstrat auf.
  • Das erfindungsgemäße Verfahren ist besonderes vorteilhaft, weil die Erzeugung von Mikrostrukturen in Glas somit einfach, schnell und kostengünstig realisierbar ist. Ferner können sehr kleine, insbesondere diffraktive oder refraktive Strukturen, z. B. Mikrolinsen oder Mikrokanäle in der Schichtoberfläche hergestellt werden, wobei die Oberfläche des Hilfssubstrats entsprechende Negativformen definiert.
  • Ferner ist die Oberflächenstruktur durch die Negativtechnik präzise vorbestimmbar und kontrollierbar, so dass ein gleichbleibende Produktqualität und hohe Oberflächengüte erzielbar sind.
  • Bevorzugt ist das erste Material Glas oder ein glasähnliches Material, so dass eine vordefiniert strukturierte Glasschicht mit den vorstehend genannten Vorzügen herstellbar ist. Das erfindungsgemäße Bereitstellen von Mikrostrukturen, z. B. Mikrolinsen aus Glas, einem glasähnlichen oder anderem transparenten Material eröffnet im Bereich der Glasfaseroptik ein enormes Anwendungspotential.
  • Als glasähnliche Schicht kommt insbesondere eine SiO2- Schicht, die mittels CVD (chemical vapor deposition) abgeschieden und z. B. mit Phosphor und/oder Bor dotiert wird in Betracht. Die Abscheidung von Phosphor und Bor erfolgt ebenfalls aus der Gasphase. Der Vorteil einer solchen Schicht ist, dass die Reflow Temperatur geringer ist als bei Glas.
  • Als unerwarteter Zusatznutzen der Erfindung hat sich herausgestellt, dass sich ein erfindungsgemäß strukturiertes Erzeugnis hervorragend für die Verwendung in der Mikrofluidik eignet. Hierbei ist von besonderem Vorteil, dass sich die Glasschicht versehen mit Mikrokanälen durch eine hohe chemische Beständigkeit auszeichnet.
  • Glas zeichnet sich weiter durch eine hohe Variabilität in Bezug auf dessen thermische, mechanische und optische Eigenschaften aus.
  • Besonders bevorzugt wird die erste Schicht oder Glasschicht auf dem Hilfssubstrat abgeschieden, insbesondere aufgedampft. Besonders bewährt haben sich Elektronenstrahl- Aufdampfverfahren oder Sputterverfahren. Hierbei wird vorzugsweise ein Aufdampfglas, z. B. das Aufdampfglas 8329 der Fa. Schott in einer Vakuumkammer mittels eines Elektronenstrahls bis zum Verdampfen erhitzt, wobei sich der Dampf auf dem Hilfssubstrat niederschlägt und verglast.
  • Gemäß einer bevorzugten Weiterbildung der Erfindung wird die erste Schicht nach dem Aufbringen bzw. Abscheiden planarisiert, z. B. chemisch und/oder mechanisch. Hierfür kommen nasschemisches Abätzen oder Schleifen und/oder Polieren der Glasschicht in Betracht. Das Produktsubstrat wird hierbei vorzugsweise nach dem Planarisieren aufgebracht.
  • Bevorzugt wird das, insbesondere selbsttragende und dem Erzeugnis stabilitätgebende Produktsubstrat auf der insbesondere planarisierten ersten Schicht bzw. Glasschicht aufgebracht. Dabei wird das Produktsubstrat z. B. mit der ersten Schicht anodisch gebondet. Anodisches Bonden hat den Vorteil, dass das hergestellte Erzeugnis chemisch hoch beanspruchbar ist.
  • Alternativ oder ergänzend wird das Produktsubstrat auf die erste Schicht aufgeklebt. Insbesondere hierbei kann das Planarisieren vorteilhafterweise entfallen, da der Kleber Unebenheiten auszugleichen vermag. In diesem Beispiel erfolgt das Planarisieren sozusagen durch den Kleber. Diese einfache Ausführungsform eignet sich besonders für nicht-optische Erzeugnisse, also z. B. Erzeugnisse für die Mikrofluidik. Als Kleber wird z. B. ein, insbesondere transparentes Epoxid verwendet.
  • Sowohl beim anodischen Bonden als auch beim Kleben mit Epoxid entsteht nach dem Entfernen des Hilfssubstrats als Zwischen- oder Endprodukt, herstellbar oder hergestellt mit dem erfindungsgemäßen Verfahren, ein fester und dauerhafter sandwichartiger Verbund aus dem Produktsubstrat, der ersten Schicht bzw. Glasschicht und der Verbindungsschicht, verkörpert durch das anodische Bonding oder das Epoxid.
  • Insbesondere sind das Produktsubstrat und/oder die erste Schicht transparent, so dass der Verbund insbesondere für Licht, vorzugsweise im sichtbaren oder infraroten Bereich, durchlässig oder transparent ist. Mit anderen Worten wird erfindungsgemäß ein optisches, z. B. refraktives oder diffraktives Verbundelement erzeugt. Somit können erfindungsgemäß z. B. ganze Mikrolinsenarrays hergestellt werden.
  • Alternativ oder ergänzend werden vorzugsweise weitere Schichten wie z. B. eine Antireflexschicht und/oder eine Infrarot-absorbierende Schicht, insbesondere auf der planarisierten ersten Schicht, also zwischen der ersten Schicht und dem Produktsubstrat aufgebracht. Eine solche Schicht oder Schichten können aber auch auf einer der ersten Schicht gegenüberliegenden Seite des Produktsubstrats auf dieses aufgebracht werden. Dadurch werden weitere optische Komponenten integriert.
  • Gemäß einer bevorzugten Ausführungsform der Erfindung umfasst das Hilfssubstrat einen selbsttragenden Träger aus einem zweitem Material oder besteht aus einem solchen. Als zweites Material wird vorzugsweise kein Glas, sondern insbesondere ein Halbleitermaterial, z. B. Silizium oder ein Metall, z. B. Aluminium oder eine Metalllegierung verwendet.
  • Gemäß einer besonderen Weiterentwicklung der Erfindung wird unmittelbar das Hilfssubstrat oder genauer in das zweite Material strukturiert, so dass nicht notwendiger Weise weitere Schichten vor dem Abscheiden der Glasschicht aufgebracht werden müssen, aber können. Insbesondere bei dieser Weiterbildung wird das Hilfssubstrat vor oder gegebenenfalls nach dem Schritt des Strukturierens, insbesondere chemisch oder mechanisch, z. B. durch Planläppen, planarisiert.
  • Um nach dem Abscheiden der Glasschicht die Glasstruktur freizulegen, wird vorzugsweise das Hilfssubstrat, insbesondere das zweite Material, im wesentlichen vollständig oder zumindest teilweise weggeätzt. Z. B. wird im Falle eines Silizium-Hilfssubstrats dieses chemisch mittels Kaliumhydroxid (KOH) aufgelöst.
  • Alternativ oder ergänzend zu der vorstehend beschriebenen Ausführungsform umfasst das Hilfssubstrat gemäß einer weiteren Ausführungsform einen selbsttragenden Träger aus einem zweiten Material und eine Strukturierungsschicht, welche auf den Träger aufgebracht wird. Bevorzugt wird hierbei die Strukturierungsschicht und nicht der Träger strukturiert.
  • Die Strukturierungsschicht umfasst oder besteht aus insbesondere Lack, Fotolack, Resist oder Fotoresist. Insbesondere für die Herstellung von analogen Strukturen, z. B. Linsen wird ein Grautonresist eingesetzt. Die Strukturierungsschicht wird nach dem Abscheiden der Glasschicht dann vollständig oder zumindest teilweise weggeätzt, insbesondere chemisch aufgelöst.
  • Gemäß einer bevorzugten Weiterbildung der Erfindung sind zwischen dem Träger und der Strukturierungsschicht noch zumindest eine oder mehrere Zwischenschichten angeordnet. Die Zwischenschicht bzw. -schichten umfassen bevorzugt einen oder bestehen aus einem Resist. Insbesondere sind das Resist der Zwischenschicht und das Resist der Strukturierungsschicht aus verschiedenen Materialien, so dass ein selektives Wegätzen ermöglicht ist.
  • Bei einer besonders bevorzugten Ausführungsform wird das Hilfssubstrat bzw. die Strukturierungsschicht lithografisch strukturiert. Alternativ oder ergänzend kann aber die Strukturierung auch mittels eines Präzisionsmasters mechanisch, z. B. durch Einpressen, insbesondere in eine Folie erzeugt werden. Sogar bei diesem einfachen Verfahren sind Genauigkeiten im Mikrometerbereich erreichbar.
  • Für Strukturen mit geringeren Genauigkeitsanforderungen kann die Strukturierung z. B. mittels Screenprinting erzeugt werden.
  • Besonders einfach und daher bevorzugt ist das Aufbringen oder Aufkleben einer bereits vorstrukturierten bzw. mikrostrukturierten Folie auf das Hilfssubstrat.
  • Die Erfindung steht ferner in Zusammenhang mit den Erfindungen, welche in der deutschen Gebrauchsmusteranmeldung U-202 05 830.1, eingereicht am 15. April 2002 und der deutschen Patentanmeldung DE-102 22 609.1, eingereicht am 23. Mai 2002 beschrieben sind. Daher wird der Inhalt der beiden vorstehend genannten Anmeldungen hiermit durch Referenz vollumfänglich zum Gegenstand dieser Offenbarung gemacht.
  • Im Folgenden wird die Erfindung anhand von Ausführungsbeispielen und unter Bezugnahme auf die Zeichnungen näher erläutert.
    • Kurzbeschreibung der Figuren
  • Es zeigen:
  • Fig. 1a-i die Herstellung eines erfindungsgemäßen Erzeugnisses gemäß einer ersten Ausführungsform der Erfindung,
  • Fig. 2f-g die Herstellung eines erfindungsgemäßen Erzeugnisses gemäß einer zweiten Ausführungsform der Erfindung,
  • Fig. 3a-f die Herstellung eines erfindungsgemäßen Erzeugnisses gemäß einer dritten Ausführungsform der Erfindung,
  • Fig. 4a, c, d die Herstellung eines erfindungsgemäßen Erzeugnisses gemäß einer vierten Ausführungsform der Erfindung, und
  • Fig. 5f-g die Herstellung eines erfindungsgemäßen Erzeugnisses gemäß einer fünften Ausführungsform der Erfindung, und
  • Fig. 6a, d, f die Herstellung eines erfindungsgemäßen Erzeugnisses gemäß einer sechsten Ausführungsform der Erfindung.
    • Detaillierte Beschreibung der Erfindung
  • Im Folgenden werden beispielhaft sechs Ausführungsformen der Erfindung vorgestellt, wobei die Merkmale der verschiedenen Ausführungsformen miteinander kombiniert werden können.
  • Die Zeichnungen zeigen schematische Schnittdarstellungen des Erzeugnisses in dem jeweiligen Herstellungsstadium. Der Übersichtlichkeit halber sind Figuren, in welchen gleiche oder ähnliche Herstellungsstadien dargestellt sind, mit gleichen Buchstaben bezeichnet, so dass einige Buchstaben bei der Figurennummerierung ausgelassen wurden. Gleiche und ähnliche Elemente sind in den Figuren mit gleichen Bezugszeichen versehen.
    • Beispiel 1
  • Fig. 1a zeigt ein Hilfssubstrat 10 aus Silizium.
  • Gemäß dem nächsten Verfahrensschritt, dargestellt in Fig. 1b, wird eine Schicht aus Fotoresist, genauer aus Grautonresist 20 auf eine Oberseite 10a des Substrats 10 aufgebracht. Das Grautonresist hat den Vorteil, dass auch analoge Strukturen erzeugt werden können.
  • Wie in Fig. 1c dargestellt, wird das Grautonresist 20 mittels Grautonlithografie mit Strukturen 21 bis 24 versehen. Dabei stellen die Strukturen 21 und 22 zwei rotationssymmetrische Mulden dar, die als Negativform für zwei Konvexlinsen ausgebildet sind. Die Struktur 23 bildet die Negativform für eine dreieckige Struktur und die Struktur 24 bildet die Negativform für eine rechteckige binäre diffraktive Struktur.
  • Wie in Fig. 1d dargestellt, wird auf eine Oberseite 20a des Resists 20 eine erste Schicht oder Glasschicht 30 physikalisch mittels PVD (physical vapor deposition) abgeschieden. Als Material für die Glasschicht 30 wird in diesem Beispiel das Aufdampfglas 8329 der Firma Schott Glas verwendet. Alternativ kann aber auch nahezu jedes andere aufdampffähige Glas verwendet werden. Aber auch andere Materialien als Glas, wie z. B. AL2O3 oder SiO2 können abgeschieden werden.
  • Um die, wie in Fig. 1d zu sehen ist, unebene Oberfläche 30a der Glasschicht 30 zu glätten, wird diese planarisiert.
  • In dem vorliegenden Ausführungsbeispiel wird das Planarisieren durch ein Abschleifen und Polieren der Glasschicht 30 auf der dem Hilfssubstrat 10 abgewandten Seite 30a der Glasschicht 30 erzielt. Dadurch erhält die Glasschicht 30 eine glatt polierte Oberfläche 30b. Das Ergebnis nach dem Planarisieren ist in Fig. 1e dargestellt.
  • Wie in Fig. 1f gezeigt ist, wird ein nicht mit dem Hilfssubstrat 10 identisches Produktsubstrat 50 mit der Glasschicht 30 an deren Oberfläche 30b anodisch gebondet, wobei das Bonding in Fig. 1f mit dem Bezugszeichen 40 bezeichnet ist.
  • Als Produktsubstrat 50 wird z. B. ein gezogenes Glas, insbesondere D263 der Firma Schott verwendet. Je nach Anwendung kann auch ein alkalifreies Glas, z. B. AF45 der Firma Schott von Vorteil sein. Alternativ wird ein Float- Glas, z. B. Borofloat 33 der Firma Schott, bekannt unter dem Namen "Jenaer Glas" verwendet. Das Produktsubstrat 50 ist selbsttragend und dient zur Stabilisierung des herzustellenden Erzeugnisses, so dass die Glasschicht 30 in diesem Beispiel nicht selbsttragend ist, aber sein kann.
  • Anschließend werden das Hilfssubstrat 10 und das Grautonresist 20 durch Wegätzen des Grautonresists entfernt, so dass, wie in Fig. 1g dargestellt ist, nur noch das Produktsubstrat 50, die Glasschicht oder Glasstruktur 30 und das anodische Bonding 40 übrig sind. Die Glasschicht 30 weist Positivstrukturen 31 bis 34, welche zu den Negativstrukturen 21 bis 24 komplementär sind, auf. Die Positivstrukturen umfassen zwei rotationssymmetrische konvexe Linsen 31, 32 mit einem Durchmesser von etwa 1 mm, einen dreieckigen Vorsprung 33 und eine rechteckige Struktur 34. Die Strukturen 33 und 34 erstrecken sich senkrecht zur Bildebene. Es ist dem Fachmann ersichtlich, dass mit dem erfindungsgemäßen Verfahren aber auch nahezu jede beliebige andere binäre und nicht-binäre Struktur in der Glasschicht 30 erzeugbar ist. Insbesondere sind Strukturen kleiner als 500 µm, 200 µm, 100 µm, 50 µm, 20 µm oder 10 µm herstellbar.
  • Das Erzeugnis, wie es in Fig. 1g dargestellt ist, verkörpert folglich bereits ein optisch transparentes Erzeugnis mit einer mikrostrukturierten Oberfläche. Gemäß diesem Ausführungsführungsbeispiel wird das Erzeugnis jedoch gemäß Fig. 1h und 1i weiterbearbeitet, um ein Erzeugnis mit zwei oder beidseits strukturierten Oberflächen zu erhalten.
  • Bezug nehmend auf Fig. 1h wird eine Antireflexschicht 60 auf die der Glasschicht 30 abgewandte Oberseite 50a des Produktsubstrats 50 aufgebracht. Alternativ oder ergänzend können z. B. auch eine Infrarot-absorbierende Schicht und/oder weitere optische Schichten aufgebracht werden.
  • Bezug nehmend auf Fig. 1i ist dargestellt, dass eine zweite strukturierte Glasschicht mittels anodischem Bonden 70 auf die Antireflexschicht 60 aufgebracht wird. Die zweite strukturierte Glasschicht 80 ist nach demselben Verfahren hergestellt, wie die erste strukturierte Glasschicht 30. Dabei kann es vorteilhaft sein, die zweite strukturierte Glasschicht 80 noch zusammen mit dem zugehörigen Fotoresist und Hilfssubstrat (nicht dargestellt), d. h. in einem Fig. 1e entsprechenden Stadium auf die Antireflexschicht 70 aufzubringen und erst nachfolgend das zu der zweiten Glasschicht 80 gehörige Fotoresist und Hilfssubstrat (nicht dargestellt) abzuätzen.
  • Alternativ kann die zweite strukturierte Glasschicht 80 auch auf das Produktsubstrat 50 aufgebracht werden, bevor das Hilfssubstrat 10 und das Fotoresist 20 von der ersten strukturierten Glasschicht 30 abgeätzt sind, d. h. in dem in Fig. 1f dargestellten Stadium, gegebenenfalls noch unter Zwischenschaltung der Antireflexschicht 60 und/oder weiterer Schichten. Diese Vorgehensweise hat den Vorteil, dass die zu der ersten und zweiten strukturierten Glasschicht 30, 80 gehörigen Fotoresists und Hilfssubstrate gleichzeitig abgeätzt werden können.
    • Beispiel 2
  • Bezug nehmend auf Fig. 2f ist ein Erzeugnis dargestellt, welches anstatt mittels anodischem Bonden mittels einer Schicht aus Epoxid 41 verklebt ist. Ansonsten ist das Erzeugnis bis zu dem in Fig. 2f darstellten Stadium entsprechend der in Fig. 1a bis 1d dargestellten Schritte hergestellt.
  • Als Ausgangspunkt für das Aufkleben des Produktsubstrats oder Trägers 50 dient also das Erzeugnis vor dem Schritt des Planarisierens der Glasschicht 30. Auf die unebene Glasschicht 30 wird mittels des Epoxids das Produktsubstrat 50 aufgeklebt. Wie in Fig. 2f zu sehen ist, gleicht das Epoxid 41 die Unebenheiten in der Glasschicht 30 aus.
  • Bezug nehmend auf Fig. 2g werden das Hilfssubstrat 10 und das Fotoresist 20 wie bei der ersten Ausführungsform weggeätzt.
  • Das in Fig. 2g dargestellte Erzeugnis 1 unterscheidet sich noch durch eine weitere dreieckige binäre Struktur 35, welche anstatt der binären Struktur 34 vorgesehen ist, von dem Erzeugnis in Fig. 1d. Zwischen den beiden sich senkrecht zur Bildebene erstreckenden dreieckigen Strukturen 33, 35 entsteht ein Mikrokanal 36 mit einem Fassungsvermögen im Bereich von 0,1 bis 2 µl. Das Erzeugnis 1 eignet sich dadurch hervorragend für die Mikrofluidik, z. B. für einen sogenannten DNA-Prozessor, insbesondere aufgrund der biologischen Neutralität von Glas.
  • Da bei dem Erzeugnis 1 gemäß der zweiten Ausführungsform der Erfindung, wie in Fig. 2g dargestellt ist, die Verbindungs- oder Klebeschicht 41 nicht beidseits plan ausgebildet ist, hat es sich als vorteilhaft erwiesen, ein Epoxid mit einem Brechungsindex, welcher ähnlich demjenigen der strukturierten Glasschicht 30 und des Produktsubstrats 50 ist, zu verwenden.
  • Als Epoxid 41 hat sich ein optischer Epoxidkleber, z. B. "Delo Katiobond 4653" der Firma Delo, basierend auf einem einkomponentigen, lösungsmittelfreien UV-Klebstoff mit einem Brechungsindex n = 1,5 besonders bewährt.
  • Im vorliegenden Fall sind die Brechungsindizes wie folgt ausgewählt:


  • Bei Verwendung von Borofloat 33 (n = 1,47) oder D263 (n = 1,52) als Material für das Produktsubstrat 50 kann aufgrund der geringen Index-Unterschiede mit demselben Epoxid gearbeitet werden. Sollen andere Gläser entweder für die Glasschicht 30 oder das Produktsubstrat 50 verwendet werden, wird ein Epoxid mit entsprechendem Brechungsindex ausgewählt. Epoxide mit Brechungsindizes von. 1,3 bis 1,7 sind hierfür erhältlich.
    • Beispiel 3
  • Die Fig. 3a-f zeigen die Herstellung des erfindungsgemäßen Erzeugnisses gemäß einer dritten Ausführungsform der Erfindung mit ausschließlich binären Strukturen.
  • Zunächst wird ein selbsttragendes Hilfssubstrat 10 aus Silzium bereitgestellt (Fig. 3a). Anschließend wird eine erste Zwischenschicht 15 auf das Hilfssubstrat 10 aufgebracht. Die Zwischenschicht 15 kann ein Fotoresist oder eine einfache nicht fotoempfindliche Zwischenschicht, z. B. aus Kunststoff sein.
  • Auf die Zwischenschicht 15 wird eine Fotoresistschicht 20 aufgebracht und z. B. mittels Fotolithographie binär strukturiert. Das Ergebnis ist in Fig. 3c dargestellt.
  • Anschließend wird eine Glasschicht 30 aufgedampft (Fig. 3d). Die Glasschicht 30 wird planarisiert und ein Produktsubstrat 50 auf die planarisierte Glasschicht 30 anodisch gebondet (Fig. 3e).
  • Anschließend werden das Hilfssubstrat, die Zwischenschicht 15 und die Fotoresistschicht 20 abgeätzt, so dass die strukturierte Oberfläche 30c der Glasschicht 30 freigelegt wird, und das optische Erzeugnis 1 (Fig. 3f) bereitgestellt ist.
  • Die Zwischenschicht 15 verhindert hierbei ein Verkleben des Aufdampfglases 30 mit dem Hilfssubstrat 10. Folglich ist die vorstehend beschriebene Ausführungsform besonders vorteilhaft für die Herstellung binärer Strukturen, für die kein Grautonresist verwendet wird.
    • Beispiel 4
  • Bezug nehmend auf Fig. 4a wird ein Hilfssubstrat 10 zur Herstellung eines erfindungsgemäßen Erzeugnisses gemäß einer fünften Ausführungsform der Erfindung bereitgestellt. Das Hilfssubstrat 10 besteht aus einer polierten Siliziumscheibe.
  • Bezug nehmend auf Fig. 4c wird eine binäre Negativstruktur 10a mittels chemischem Nassätzen unmittelbar in dem Hilfssubstrat 10, d. h. in dem Silizium erzeugt.
  • Anschließend wird die Glasschicht 30 aufgedampft und das Erzeugnis entsprechend den anderen Ausführungsformen weiterverarbeitet.
  • Bei diesem Ausführungsbeispiel wird das Hilfssubstrat 10, genauer das Silizium mittels einer KOH-Lösung aufgelöst, um die strukturierte Oberfläche 30c freizulegen.
    • Beispiel 5
  • Fig. 5f zeigt ein erfindungsgemäßes Erzeugnis gemäß einer vierten Ausführungsform in einem Stadium entsprechend Fig. 3f, mit einer etwas anders strukturierten Oberfläche 30c. Die Oberfläche 30c der Glasschicht 30 weist eine zentrale Vertiefung 35 und erhabene Vorsprünge 36 am äußeren Rand auf.
  • Bezug nehmend auf Fig. 5g wird das Erzeugnis 1 mit den Unterseiten der Vorsprünge 36 der Glasschicht 30 mittels einem zweiten anodischem Bonding 70 mit einem zweiten Produktsubstrat 81 verbunden. Dabei entsteht ein zentraler Hohlraum 35 um eine MEMS-Struktur (mikro-elektro-mechanisches System) 82, welche mit diesem Verfahren gekapselt wird.
    • Beispiel 6
  • Fig. 6a zeigt eine geprägte, vorstrukturierte Kunststofffolie 25 wie sie z. B. als Meterware von der Firma 3M erhältlich ist.
  • Die vorstrukturierte Folie 25 wird auf das Hilfssubstrat 10 aufgebracht, z. B. aufgeklebt (Fig. 6d). Anschließend wird die Glasschicht 30 auf die strukturierte Oberfläche der Kunststofffolie 25 aufgedampft.
  • Bezug nehmend auf Fig. 6f wird die Glasschicht 30 abgeschliffen und mit dem Produktsubstrat 50 anodisch gebondet. Anschließend werden das Hilfssubstrat 10 und die Kunststofffolie 25 z. B. durch Ätzen oder anderweitiges Ablösen entfernt. Es entsteht wiederum ein vollständig transparentes Erzeugnis 1 mit einer einseitig strukturierten Oberfläche in Form der strukturierten Glasschicht 30 auf dem Glasträger 50.
  • Es ist dem Fachmann ersichtlich, dass die vorstehend beschriebenen Ausführungsformen beispielhaft zu verstehen sind, und die Erfindung nicht auf diese beschränkt ist, sondern in vielfältiger Weise variiert werden kann, ohne den Geist der Erfindung zu verlassen.

Claims (32)

1. Verfahren zur Herstellung eines Erzeugnisses (1) mit einer strukturierten Oberfläche (30c), insbesondere zur Erzeugung von Mikrostrukturen (31, 32, 33, 34, 35, 36) in Glas, umfassend zumindest die Schritte:
Bereitstellen eines Hilfssubstrats (10, 20) mit einer strukturierten Oberfläche (20a) und
Aufbringen einer ersten Schicht (30) aus einem ersten Materialauf die strukturierte Oberfläche (20a).
2. Verfahren nach Anspruch 1, gekennzeichnet durch ein Entfernen des Hilfssubstrates (10, 20).
3. Verfahren nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das erste Material (30) Glas oder ein glasähnliches Material umfasst.
4. Verfahren nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der Schritt des Aufbringens der ersten Schicht (30) ein Abscheiden umfasst.
5. Verfahren nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das erste Material (30) gesputtert oder verdampft wird, um auf der strukturierten Oberfläche (20a) des Hilfssubstrats (10, 20) abgeschieden zu werden.
6. Verfahren nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die strukturierte Oberfläche (20a) des Hilfssubstrats (10, 20) eine Negativform (21, 22, 23, 24) für optische Linsen oder Kanäle definiert.
7. Verfahren nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die erste Schicht (30) planarisiert (30b) wird.
8. Verfahren nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass ein Produktsubstrat (50) aufgebracht wird.
9. Verfahren nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass ein Produktsubstrat (50) umfassend Glas oder ein glasähnliches Material aufgebracht wird.
10. Verfahren nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass ein Produktsubstrat (50) auf die erste Schicht (30) aufgeklebt (41) wird.
11. Verfahren nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass ein Produktsubstrat (50) mit der ersten Schicht (30) anodisch gebondet (40) wird.
12. Verfahren nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das Hilfssubstrat einen selbsttragenden Träger (10) aus einem zweitem Material umfasst und unmittelbar das zweite Material strukturiert wird.
13. Verfahren nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das Hilfssubstrat (10) vor dem Schritt des Strukturierens planarisiert wird.
14. Verfahren nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das Hilfssubstrat. (10, 20) zumindest teilweise weggeätzt wird.
15. Verfahren nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass
das Hilfssubstrat einen Träger (10) aus einem zweiten Material umfasst,
eine Strukturierungsschicht (20) auf den Träger aufgebracht wird und
die Strukturierungsschicht strukturiert wird.
16. Verfahren nach Anspruch 15, dadurch gekennzeichnet, dass die Strukturierungsschicht (20) eine vorstrukturierte Folie (25) umfasst.
17. Verfahren nach Anspruch 15 oder 16, dadurch gekennzeichnet, dass zwischen den Träger (10) und die Strukturierungsschicht (20) eine Zwischenschicht (15) aufgebracht wird.
18. Verfahren nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass eine Strukturierungsschicht (20) umfassend ein Fotoresist oder Grautonresist aufgebracht wird.
19. Verfahren nach Einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der Schritt des Strukturierens ein lithografisches Verfahren oder ein mechanisches Pressen umfasst.
20. Verfahren zur Herstellung eines Erzeugnisses (1) mit einer strukturierten Oberfläche (30c), insbesondere zur Erzeugung von Mikrostrukturen (31, 32, 33, 34, 35, 36) in Glas und insbesondere nach einem der vorstehenden Ansprüche, umfassend zumindest die Schritte:
Bereitstellen einer Negativmaske (10, 20) mit einer strukturierten Oberfläche (20a) und
Abscheiden einer ersten Schicht (30) aus einem ersten Material auf der Negativmaske zum Erzeugen eines Positivabdruckes (30c) der strukturierten Oberfläche (20a) der Negativmaske in der ersten Schicht (30).
21. Verfahren zur Herstellung eines Erzeugnisses (1) umfassend ein Produktsubstrat (50) mit einer strukturierten Oberfläche (30c), insbesondere zur Erzeugung von Mikrostrukturen (31, 32, 33, 34, 35, 36) in Glas und insbesondere nach einem der vorstehenden Ansprüche, umfassend zumindest die Schritte:
Bereitstellen des Produktsubstrats (50) und
Abscheiden einer ersten Schicht (30) aus einem ersten Material, wobei die erste Schicht bezogen auf das herzustellende Erzeugnis in Richtung des Produktsubstrats (50) aufwächst.
22. Zwischenerzeugnis, insbesondere herstellbar mit einem Verfahren nach einem der vorstehenden Ansprüche umfassend
ein Hilfssubstrat (10, 20) und
eine erste Schicht (30) aus einem ersten Material verbunden mit dem Hilfssubstrat (10, 20), wobei die erste Schicht (30) eine strukturierte Oberfläche (30c) aufweist, welche dem Hilfssubstrat (10, 20) zugewandt ist und die erste Schicht (30) unter Erhaltung ihrer strukturierten Oberfläche (30c) von dem Hilfssubstrat (10, 20) ablösbar ist.
23. Erzeugnis (1) mit einer strukturierten Oberfläche (30c), herstellbar mit einem Verfahren nach einem der vorstehenden Ansprüche.
24. Erzeugnis (1) mit einer strukturierten Oberfläche (30c), insbesondere herstellbar mit einem Verfahren nach einem der vorstehenden Ansprüche, umfassend
ein Produktsubstrat (50) aus einem dritten Material,
eine erste Schicht (30) aus einem ersten Material mit einer strukturierten Oberfläche (30c), wobei die erste Schicht (30) auf dem Produktsubstrat (50) fest aufgebracht ist.
25. Erzeugnis (1) nach einem der vorstehenden Erzeugnisansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das Produktsubstrat (50) und die erste Schicht (30) transparent sind.
26. Erzeugnis (1) nach einem der vorstehenden Erzeugnisansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die erste Schicht (30) und das Produktsubstrat (50) Glas oder ein glasähnliches Material umfassen.
27. Erzeugnis (1) nach einem der vorstehenden Erzeugnisansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die erste Schicht (30) eine durch Abscheiden hergestellte Schicht umfasst.
28. Erzeugnis (1) nach einem der vorstehenden Erzeugnisansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die erste Schicht (30) eine durch Sputtern oder Verdampfen hergestellte Schicht umfasst.
29. Erzeugnis (1) nach einem der vorstehenden Erzeugnisansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die strukturierte Oberfläche (30c) der ersten Schicht (30) optische Linsen (31, 32) oder Kanäle definiert.
30. Erzeugnis (1) nach einem der vorstehenden Erzeugnisansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die erste Schicht (30) auf einer der strukturierten Oberfläche gegenüberliegenden Seite planarisiert (30b) ist.
31. Erzeugnis (1) nach einem der vorstehenden Erzeugnisansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die erste Schicht und das Produktsubstrat (50) miteinander verklebt (41) sind.
32. Erzeugnis (1) nach einem der vorstehenden Erzeugnisansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die erste Schicht. (30) und das Produktsubstrat (50) anodisch gebondet. (40) sind.
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Application Number Priority Date Filing Date Title
DE10222609A DE10222609B4 (de) 2002-04-15 2002-05-23 Verfahren zur Herstellung strukturierter Schichten auf Substraten und verfahrensgemäß beschichtetes Substrat
DE10222958A DE10222958B4 (de) 2002-04-15 2002-05-23 Verfahren zur Herstellung eines organischen elektro-optischen Elements und organisches elektro-optisches Element
DE10301559A DE10301559A1 (de) 2002-04-15 2003-01-16 Verfahren zur Herstellung eines Erzeugnisses mit einer strukturierten Oberfläche
KR10-2004-7016634A KR20040111528A (ko) 2002-04-15 2003-04-15 구조화된 표면을 구비한 제품 생산 방법
CA002485022A CA2485022A1 (en) 2002-04-15 2003-04-15 Method for connecting substrates and composite element
CA002480854A CA2480854A1 (en) 2002-04-15 2003-04-15 Method for producing a product having a structured surface
US10/511,558 US7495348B2 (en) 2002-04-15 2003-04-15 Process for producing copy protection for an electronic circuit
PCT/EP2003/003873 WO2003086958A2 (de) 2002-04-15 2003-04-15 Verfahren zur herstellung eines erzeugnisses mit einer strukturierten oberfläche
US10/511,557 US7396741B2 (en) 2002-04-15 2003-04-15 Method for connecting substrate and composite element
AT03737955T ATE411407T1 (de) 2002-04-15 2003-04-15 Verfahren zur beschichtung von metalloberflächen
AU2003245876A AU2003245876A1 (en) 2002-04-15 2003-04-15 Method for forming housings for electronic components and electronic components that are hermetically encapsulated thereby
KR1020047016630A KR100616126B1 (ko) 2002-04-15 2003-04-15 전자 모듈의 하우징 형성 방법 및 이러한 방식으로 밀봉 캡슐화된 전자 모듈
CA002479823A CA2479823A1 (en) 2002-04-15 2003-04-15 Method for the production of structured layers on substrates
AU2003233974A AU2003233974A1 (en) 2002-04-15 2003-04-15 Hermetic encapsulation of organic electro-optical elements
US10/511,566 US7863200B2 (en) 2002-04-15 2003-04-15 Process of vapor depositing glass layers for wafer-level hermetic encapsulation of electronic modules
AU2003250326A AU2003250326A1 (en) 2002-04-15 2003-04-15 Method for producing a copy protection for an electronic circuit and corresponding component
CA002480691A CA2480691A1 (en) 2002-04-15 2003-04-15 Method for forming housings for electronic components and electronic components that are hermetically encapsulated thereby
EP03737956A EP1495154B1 (de) 2002-04-15 2003-04-15 Verfahren zur gehäusebildung bei elektronischen bauteilen so wie so hermetisch verkapselte elektronische bauteile
US10/511,315 US7326446B2 (en) 2002-04-15 2003-04-15 Method for coating metal surfaces and substrate having a coated metal surface
PCT/EP2003/003907 WO2003088347A2 (de) 2002-04-15 2003-04-15 Verfahren zum verbinden von substraten und verbundelement
JP2003584357A JP2005528780A (ja) 2002-04-15 2003-04-15 電子部品用のハウジングを形成する方法およびそれによって密封カプセル封止される電子部品
KR1020047016629A KR100679345B1 (ko) 2002-04-15 2003-04-15 금속 표면 코팅 방법 및 코팅된 금속 표면을 구비한 기판
EP03727305.9A EP1494965B1 (de) 2002-04-15 2003-04-15 Verfahren zur herstellung eines erzeugnisses mit einer strukturierten oberfläche
CNB03808564XA CN100359653C (zh) 2002-04-15 2003-04-15 用于连结基片的处理和复合元件
KR1020047016642A KR100942038B1 (ko) 2002-04-15 2003-04-15 유기 광전 소자 및 유기 광전 소자 제조 방법
AT03737956T ATE393839T1 (de) 2002-04-15 2003-04-15 Verfahren zur gehäusebildung bei elektronischen bauteilen so wie so hermetisch verkapselte elektronische bauteile
PCT/EP2003/003884 WO2003088340A2 (de) 2002-04-15 2003-04-15 Verfahren zur herstellung strukturierter schichten auf substraten
PCT/EP2003/003883 WO2003088370A2 (de) 2002-04-15 2003-04-15 Hermetische verkapselung von organischen elektro-optischen elementen
KR1020117025576A KR101178935B1 (ko) 2002-04-15 2003-04-15 구조화된 표면을 구비한 제품 생산 방법
PCT/EP2003/003872 WO2003087423A1 (de) 2002-04-15 2003-04-15 Verfahren zur beschichtung von metalloberflächen und substrat mit beschichteter metalloberfläche
DE50310646T DE50310646D1 (de) 2002-04-15 2003-04-15 Verfahren zur beschichtung von metalloberflächen
AU2003233973A AU2003233973A1 (en) 2002-04-15 2003-04-15 Method for producing a product having a structured surface
EP03737955A EP1495153B1 (de) 2002-04-15 2003-04-15 Verfahren zur beschichtung von metalloberflächen
CA002505014A CA2505014A1 (en) 2002-04-15 2003-04-15 Hermetic encapsulation of organic electro-optical elements
CN038133024A CN1659720A (zh) 2002-04-15 2003-04-15 有机电光元件的气密封装
CNA038085844A CN1646722A (zh) 2002-04-15 2003-04-15 金属表面的涂层方法和具有涂层的金属表面的基片
EP03746297.5A EP1495493B1 (de) 2002-04-15 2003-04-15 Verwendung einer Borosilikatglasschicht
JP2003585174A JP2005528782A (ja) 2002-04-15 2003-04-15 基板およびコンポジット要素の接続方法
PCT/EP2003/003882 WO2003087424A1 (de) 2002-04-15 2003-04-15 Verfahren zur gehäusebildung bei elektronischen bauteilen sowie so hermetisch verkapselte elektronische bauteile
EP03727306A EP1495501A2 (de) 2002-04-15 2003-04-15 Hermetische verkapselung von organischen elektro-optischen elementen
CNB038085410A CN1329285C (zh) 2002-04-15 2003-04-15 用于制造一种具有构造表面的产品的方法
PCT/EP2003/003881 WO2003088354A2 (de) 2002-04-15 2003-04-15 Verfahren zur herstellung eines kopierschutzes für eine elektronische schaltung und entsprechendes bauteil
IL16430403A IL164304A0 (en) 2002-04-15 2003-04-15 Method for producing a product having a structured surface
IL16417103A IL164171A0 (en) 2002-04-15 2003-04-15 Method for the production of structured layers on substrates
CNA038085690A CN1647276A (zh) 2002-04-15 2003-04-15 用于为电子电路制作复制保护的方法以及相应元件
AU2003227626A AU2003227626A1 (en) 2002-04-15 2003-04-15 Method for connecting substrates and composite element
DE50309735T DE50309735D1 (de) 2002-04-15 2003-04-15 Verfahren zur gehäusebildung bei elektronischen bauteilen so wie so hermetisch verkapselte elektronische bauteile
CNB038085682A CN100397593C (zh) 2002-04-15 2003-04-15 在衬底上形成图案层的方法
EP03725032.1A EP1495491B1 (de) 2002-04-15 2003-04-15 Verfahren zum verbinden von substraten und verbundelement
TW092108722A TW200407446A (en) 2002-04-15 2003-04-15 Method for producing patterned layers on substrates
JP2003585167A JP2005527112A (ja) 2002-04-15 2003-04-15 基体上へのパターン層作製方法
AU2003245875A AU2003245875A1 (en) 2002-04-15 2003-04-15 Method for coating metal surfaces and substrate having a coated metal surface
JP2003583927A JP2005527459A (ja) 2002-04-15 2003-04-15 構造化された表面を有する製品を作製する方法
JP2003585192A JP2005527076A (ja) 2002-04-15 2003-04-15 有機電気光学素子の気密封止
CNB038085836A CN100387749C (zh) 2002-04-15 2003-04-15 用于形成电子组件外壳的方法和以这种方法密封封装的电子组件
CA002480797A CA2480797A1 (en) 2002-04-15 2003-04-15 Method for producing a copy protection for an electronic circuit and corresponding component
IL16429003A IL164290A0 (en) 2002-04-15 2003-04-15 Method for forming housings for electronic components and electronic components that are hermetically encapsulated thereby
US10/511,334 US7825029B2 (en) 2002-04-15 2003-04-15 Method for the production of structured layers on substrates
JP2003584356A JP2006503976A (ja) 2002-04-15 2003-04-15 金属表面を被覆する方法および被覆された金属表面を有する基板
JP2003585179A JP2005528783A (ja) 2002-04-15 2003-04-15 電子回路用のコピー防止を作成する方法
KR1020047016631A KR100636414B1 (ko) 2002-04-15 2003-04-15 기판 결합 방법 및 복합 부품
KR1020047016632A KR100789977B1 (ko) 2002-04-15 2003-04-15 복제 방지체 형성 방법, 상기 복제 방지체를 구비한 전자 부품, 및 상기 전자 부품을 구비하는 해독 디바이스
EP03746159.7A EP1502293B1 (de) 2002-04-15 2003-04-15 Verfahren zur herstellung strukturierter schichten auf substraten
US10/511,488 US20060051584A1 (en) 2002-04-15 2003-04-15 Process for producing a product having a structured surface
AU2003232469A AU2003232469A1 (en) 2002-04-15 2003-04-15 Method for the production of structured layers on substrates
CA002480737A CA2480737A1 (en) 2002-04-15 2003-04-15 Method for coating metal surfaces and substrate having a coated metal surface
IL16430004A IL164300A0 (en) 2002-04-15 2004-09-27 Method for coating metal surfaces and substrate having a coated metal surface
IL16430104A IL164301A0 (en) 2002-04-15 2004-09-27 Method for connecting substrates and composite element

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DE10252787A Withdrawn DE10252787A1 (de) 2002-04-15 2002-11-13 Verfahren zur Herstellung eines Kopierschutzes für eine elektronische Schaltung
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DE10252787A Withdrawn DE10252787A1 (de) 2002-04-15 2002-11-13 Verfahren zur Herstellung eines Kopierschutzes für eine elektronische Schaltung

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Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102004001107A1 (de) * 2004-01-05 2005-07-28 Siemens Ag Strukturierung auf Oberflächen mittels Folie
DE102006017359B3 (de) * 2006-04-11 2007-12-20 Schott Ag Verkapselung elektronischer und optoelektronischer Bauteile im Waferverbund
US7326446B2 (en) 2002-04-15 2008-02-05 Schott Ag Method for coating metal surfaces and substrate having a coated metal surface
DE102006053211A1 (de) * 2006-11-11 2008-05-15 Schott Ag Strukturiertes Wafer-Level-Bondverfahren
US7396741B2 (en) 2002-04-15 2008-07-08 Schott Ag Method for connecting substrate and composite element
US7825029B2 (en) 2002-04-15 2010-11-02 Schott Ag Method for the production of structured layers on substrates
DE102015104318A1 (de) * 2015-03-23 2016-09-29 Osram Oled Gmbh Verfahren zur Herstellung eines lichtemittierenden Bauelements und lichtemittierendes Bauelement
DE102015108071A1 (de) * 2015-05-21 2016-11-24 Osram Oled Gmbh Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8299706B2 (en) 2002-04-15 2012-10-30 Schott Ag Hermetic encapsulation of organic, electro-optical elements
DE102004063703A1 (de) * 2004-12-28 2006-07-06 Schott Ag Vakuumbeschichtungssystem
DE102005044522B4 (de) * 2005-09-16 2010-02-11 Schott Ag Verfahren zum Aufbringen einer porösen Glasschicht, sowie Verbundmaterial und dessen Verwendung
DE102009008954B4 (de) 2009-02-13 2010-12-23 Schott Ag Röntgenopakes bariumfreies Glas und dessen Verwendung
DE102009008953B4 (de) 2009-02-13 2010-12-30 Schott Ag Röntgenopakes bariumfreies Glas und dessen Verwendung
DE102009008951B4 (de) 2009-02-13 2011-01-20 Schott Ag Röntgenopakes bariumfreies Glas und dessen Verwendung
DE102010007796B3 (de) 2010-02-12 2011-04-14 Schott Ag Röntgenopakes bariumfreies Glas und dessen Verwendung
DE102011086689B4 (de) 2011-11-21 2017-02-16 Osram Oled Gmbh Verfahren zum Herstellen eines opto-elektronischen Bauelements
DE102016103821A1 (de) 2016-03-03 2017-09-07 Osram Oled Gmbh Organisches optoelektronisches Bauelement und Verfahren zur Verhinderung der Analyse der Materialzusammensetzung eines organischen optoelektronischen Bauelements
US11136260B2 (en) 2016-07-29 2021-10-05 Schott Ag Radiopaque glass and use thereof
US10301212B2 (en) 2016-07-29 2019-05-28 Schott Ag Radiopaque glass and uses thereof
DE102018010246A1 (de) 2018-02-01 2019-08-01 Schott Ag Röntgenopakes Glas und dessen Verwendung
DE102018102301B4 (de) 2018-02-01 2019-08-14 Schott Ag Röntgenopakes Glas und dessen Verwendung

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3934971C1 (de) * 1989-10-20 1991-01-24 Schott Glaswerke, 6500 Mainz, De
US5246884A (en) * 1991-10-30 1993-09-21 International Business Machines Corporation Cvd diamond or diamond-like carbon for chemical-mechanical polish etch stop
KR940009599B1 (ko) * 1991-10-30 1994-10-15 삼성전자 주식회사 반도체 장치의 층간 절연막 형성방법
US6043481A (en) * 1997-04-30 2000-03-28 Hewlett-Packard Company Optoelectronic array device having a light transmissive spacer layer with a ridged pattern and method of making same

Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7326446B2 (en) 2002-04-15 2008-02-05 Schott Ag Method for coating metal surfaces and substrate having a coated metal surface
US7396741B2 (en) 2002-04-15 2008-07-08 Schott Ag Method for connecting substrate and composite element
US7825029B2 (en) 2002-04-15 2010-11-02 Schott Ag Method for the production of structured layers on substrates
DE102004001107A1 (de) * 2004-01-05 2005-07-28 Siemens Ag Strukturierung auf Oberflächen mittels Folie
DE102004001107B4 (de) * 2004-01-05 2005-12-29 Siemens Ag Strukturierung auf Oberflächen mittels Folie
DE102006017359B3 (de) * 2006-04-11 2007-12-20 Schott Ag Verkapselung elektronischer und optoelektronischer Bauteile im Waferverbund
DE102006053211A1 (de) * 2006-11-11 2008-05-15 Schott Ag Strukturiertes Wafer-Level-Bondverfahren
DE102015104318A1 (de) * 2015-03-23 2016-09-29 Osram Oled Gmbh Verfahren zur Herstellung eines lichtemittierenden Bauelements und lichtemittierendes Bauelement
DE112016001363B4 (de) * 2015-03-23 2021-03-18 Pictiva Displays International Limited Verfahren zur Herstellung eines lichtemittierenden Bauelements und lichtemittierendes Bauelement
DE102015108071A1 (de) * 2015-05-21 2016-11-24 Osram Oled Gmbh Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements
US10084158B2 (en) 2015-05-21 2018-09-25 Osram Oled Gmbh Optoelectronic component and method of producing an optoelectronic component
DE102015108071B4 (de) 2015-05-21 2023-06-15 Pictiva Displays International Limited Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements

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